TWI825247B - 測定方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種測定靜電吸盤之靜電電容之新方法。
本發明提供一種測定方法，其包括如下步驟：使端子接觸於使連接於接地之基板接觸之靜電吸盤內之電極；將上述端子、上述靜電吸盤及上述基板固定；藉由連接於上述端子之電流計及電壓計，測定電流值及電壓值；及基於所測定之上述電流值及上述電壓值，根據上述電流值之斜率及/或上述電流值之峰值時之值而判定上述端子與上述電極之導通。
Description
本發明係關於一種測定方法及測定治具。
自先前以來，提出有測定靜電吸盤之靜電電容之方法。例如，專利文獻1提出於由靜電吸附裝置之被保持物體及電極板形成之電路設置表示吸附狀態之參數之檢測手段，利用比較電路對所檢測出之資料與預先記憶之資料進行比較，藉此確認吸附狀態。
例如，專利文獻2具有用以監視晶圓與電極之間、或吸盤之複數個電極間之靜電電容之靜電電容監視電路。提出將靜電電容測定值用於吸盤動作之連續之閉環控制，根據測定靜電電容而調整施加於吸盤之電壓。
[專利文獻1]日本專利特開平7-211768號公報
[專利文獻2]日本專利特開2001-308164號公報
本發明提供一種測定靜電吸盤之靜電電容之新方法。
根據本發明之一態樣，提供一種測定方法，其包括如下步驟：使端子接觸於使連接於接地之基板接觸之靜電吸盤內之電極；將上述端子、上述靜電吸盤及上述基板固定；藉由連接於上述端子之電流計及電壓計而測定電流值及電壓值；基於所測定之上述電流值及上述電壓值，根據上述電流值之斜率及/或上述電流值之峰值時之值，判定上述端子與上述電極之導通。
根據一態樣，可提供一種測定靜電吸盤之靜電電容之新方法。
1:上部電極
1a:氣體導入口
1b:擴散室
1c:氣體供給孔
2:載置台
3:第1高頻電源
3a:匹配器
4:第2高頻電源
4a:匹配器
5:氣體供給部
8:邊緣環
11:開關
12:電流計
13:電壓計
14、17:電源
15:信號記錄裝置
16:排氣裝置
19:RC濾波器
21:電極
22:靜電吸盤
23:基台
100:基板處理裝置
200:控制部
205:CPU
210:ROM
215:RAM
300:測定治具
310、320:固定部
C:腔室
E:電流值
E1:斜率
E2:峰值
E3:斜率
F:電壓值
G:閘閥
HF:第1高頻電力
LF:第2高頻電力
S1~S6、S10~S16、S20~S36:步驟
T:端子
W:晶圓
圖1係表示一實施形態之基板處理裝置之剖視模式圖。
圖2係表示一實施形態之放電開始電壓之測定時點之圖。
圖3係表示一實施形態之放電開始電壓之測定序列之圖。
圖4(a)~(c)係用以說明一實施形態之放電開始電壓之測定方法之圖。
圖5係表示一實施形態之電壓值及電流值之實測值之一例之圖。
圖6係表示一實施形態之使用靜電電容之吸附力判定處理之流程圖。
圖7係表示一實施形態之測定治具之圖。
圖8(a)、(b)係表示一實施形態之端子之接觸判定結果之一例之圖。
圖9係表示一實施形態之端子之接觸判定處理及放電開始電壓之測定處理之流程圖。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明。於各圖式中，存在對相同構成部分附註相同符號並省略重複之說明之情況。
[基板處理裝置]
首先，參照圖1，對本實施形態之基板處理裝置100之構成進行說明。圖1係表示一實施形態之基板處理裝置之一例之剖視模式圖。
本實施形態之基板處理裝置100係電容耦合型平行平板基板處理裝置，具有大致圓筒形之腔室C。腔室C之內表面被氧化鋁膜處理(陽極氧化處理)。腔室C之內部成為藉由電漿而進行蝕刻處理等電漿處理之處理室。於腔室C之底部配置載置台2。
載置台2具有靜電吸盤22及基台23。基台23例如由鋁(Al)或鈦(Ti)、碳化矽(SiC)等形成。靜電吸盤22設置於基台23上，靜電吸附晶圓W。靜電吸盤22成為於介電體層內具有電極21之構造。電極21連接於電源14。若自電源14對電極21施加直流電壓(以下亦稱為「DC電壓」或「HV電
壓」)，則藉由庫倫力而將晶圓W吸附、保持於靜電吸盤22。
於靜電吸盤22之外周存在階差，成為載置邊緣環8之邊緣環載置面。於邊緣環載置面載置包圍晶圓W之周圍之圓環狀之邊緣環8。邊緣環8亦稱為聚焦環。邊緣環8例如由矽形成，朝向晶圓W之表面收斂電漿，提高電漿處理之效率。電極24設置於靜電吸盤22內之邊緣環載置面之下方，連接於電源17。若自電源17對電極24施加DC電壓，則控制邊緣環8上之鞘厚，藉此，抑制於晶圓W之邊緣部產生之傾斜，從而可控制蝕刻速率。
基板處理裝置100具有第1高頻電源3及第2高頻電源4。第1高頻電源3係產生第1高頻電力(HF)之電源。第1高頻電力具有適於電漿之產生之頻率。第1高頻電力之頻率例如為27MHz~100MHz之範圍內之頻率。第1高頻電源3經由匹配器3a而連接於基台23。匹配器3a具有用以使第1高頻電源3之輸出阻抗與負荷側(基台23側)之阻抗匹配之電路。再者，第1高頻電源3亦可經由匹配器3a而連接於上部電極1。
第2高頻電源4係產生第2高頻電力(LF)之電源。第2高頻電力具有較第1高頻電力之頻率更低之頻率。於與第1高頻電力一起使用第2高頻電力之情形時，第2高頻電力用作用以將離子引入至晶圓W之偏壓用之高頻電力。第2高頻電力之頻率例如為400kHz~13.56MHz之範圍內之頻率。第2高頻電源4經由匹配器4a而連接於基台23。匹配器4a具有用以使第2高頻電源4之輸出阻抗與負荷側(基台23側)之阻抗匹配之電路。
再者，亦可不使用第1高頻電力而使用第2高頻電力、即僅使用單一之高頻電力而產生電漿。於此情形時，第2高頻電力之頻率亦可為大於13.56MHz之頻率、例如40MHz。基板處理裝置100亦可不具備第1高頻電源3及匹配器3a。載置台2作為與上部電極1對向之下部電極發揮功能。
於基台23連接有開關11。若開關11接通，則基台23接地，若開關11斷開，則基台23及晶圓W成為浮接狀態。
上部電極1以經由被覆其外緣部之遮蔽環(未圖示)而將腔室C之頂部之開口封閉之方式安裝。上部電極1接地。上部電極1亦可由矽形成。
上部電極1具有導入氣體之氣體導入口1a、及用以使氣體擴散之擴散室1b。氣體供給部5經由氣體導入口1a而對擴散室1b供給氣體。氣體於擴散室1b擴散並自複數個氣體供給孔1c導入至腔室C內。
排氣裝置16將腔室C內之氣體自形成於腔室C之底面之排氣口排出。藉此，可將腔室C內維持為特定之真空度。於腔室C之側壁設置有閘閥G。打開閘閥G，自腔室C進行晶圓W之搬入及搬出。
其次，對基板處理裝置100之動作簡單地進行說明。若打開閘閥G，則將保持於未圖示之搬送臂之晶圓W搬入至腔室C內並載置於載置台2，關閉閘閥G。若自電源14對電極21施加DC電壓，則晶圓W被靜電吸附於靜電吸盤22。若自氣體供給部5對腔室C內供給處理氣體，且自第1高頻電
源3及第2高頻電源4對載置台2施加第1高頻電力及第2高頻電力，則於腔室C內之晶圓W之上方產生電漿，而對晶圓W進行電漿處理。尤其是，若自第2高頻電源4對載置台2施加第2高頻電力，則將電漿中之離子引入至晶圓W側。
於電漿處理後，施加與在電漿處理前自電源14施加於電極21之DC電壓正負相反且大小相同之DC電壓，將晶圓W之電荷除電。藉此，晶圓W自靜電吸盤22剝離，且保持於銷而交付至搬送臂。若打開閘閥G，則將保持於搬送臂之晶圓W自閘閥G搬出至腔室C之外部，且將閘閥G關閉。
基板處理裝置100之各構成要素連接於控制部200。控制部200控制基板處理裝置100之各構成要素。作為各構成要素，例如可列舉排氣裝置16、匹配器3a、4a、第1高頻電源3、第2高頻電源4、開關11、電源14、17及氣體供給部5等。
控制部200係具備CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)205及ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)210、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)215等記憶體之電腦。CPU205藉由讀出並執行記憶於記憶體之基板處理裝置100之控制程式及處理配方，而控制蝕刻處理等電漿處理之執行。
又，控制部200於特定之測定時點切換開關11，將連接於電極21之電流計12所測定之電流值及電壓計13所測定之電壓值記錄於信號記錄裝置
15。電流計12串聯連接於電源14，電壓計13並聯連接於電源14。信號記錄裝置15所記錄之電流值及電壓值被發送至控制部200。藉此，控制部200基於所測定之電流值及電壓值，算出火花放電開始電壓值(以下稱為「放電開始電壓值」)。然後，控制部200如下述般算出靜電吸盤22之靜電電容C。
再者，用以執行該等動作之程式或表示處理條件之配方亦可記憶於硬碟或半導體記憶體。又，配方亦能以收容於CD-ROM、DVD等可攜性之電腦可讀取之記憶媒體之狀態設置於特定位置，並被讀出。
[測定時點]
於圖2表示於基板處理裝置100處理晶圓W之處理循環之一例。若開始本處理，則首先打開閘閥G搬入晶圓W(步驟S1)。其次，自氣體供給部5將特定之氣體填充於腔室C內，對腔室C之內部進行調壓(步驟S2)。填充之氣體較佳為氬氣等惰性氣體，但亦可為氮氣等。
接下來，將開關11斷開，將基台23及晶圓W設為浮接狀態，自電源14向電極21升降施加DC電壓(步驟S3)。於步驟S3之處理期間，測定電流值及電壓值，記錄於信號記錄裝置15。接下來，使晶圓W自靜電吸盤22脫離(步驟S4)，自閘閥G將晶圓W搬出(步驟S5)。
於此時點，一晶圓W之處理結束，一處理循環完成。於再開始下一晶圓W之處理循環時，進行無晶圓乾洗(WLDC)，將靜電吸盤22除電(步驟S6)。再者，無晶圓乾洗(WLDC)係靜電吸盤22之除電之一例，並不限
於此。又，亦可於進行除電之前進行靜電吸盤22之表面處理(修護等清潔)。
繼而，搬入下一晶圓W(步驟S1)，重複步驟S1以後之處理。
再者，電流值及電壓值之測定並不限於每當處理一片晶圓時進行之情形，可每當處理數片晶圓時進行，可於腔室C之清潔後進行，亦可於腔室C內之零件更換後進行。
[測定序列]
接下來，一面參照圖3及圖4一面對電流值及電壓值之測定序列之一例進行說明。圖3係表示一實施形態之放電開始電壓之測定序列之圖。圖4係用以說明一實施形態之放電開始電壓之測定方法之圖。再者，測定序列之控制係利用控制部200進行。
於開始本測定序列時，開關11被控制為斷開，基台23及晶圓W為浮接狀態。於此狀態下，於圖3之「1」開始測定序列，於「2」自氣體供給部5供給(ON)氣體，於「3」利用所供給之氣體對腔室C內進行調壓。
圖4(a)表示對腔室C內供給氣體而腔室C內被調壓為特定之壓力之狀態。此時，未自電源14向電極21施加DC電壓(HV電壓)。
接下來，於圖3之「4」，開始自電源14向電極21之DC電壓之施加，
將施加之DC電壓自0[V]提高至+V[V]。若開始「4」相，則開始利用電流計12及電壓計13之測定，將電流計12測定之電流值及電壓計13測定之電壓值記憶於信號記錄裝置15。
接下來，於「5」將自電源14向電極21施加之DC電壓自+V[V]降低至-V[V]。於「5」相之期間，繼續進行利用電流計12及電壓計13之測定，將所測定之電流值及電壓值記憶於信號記錄裝置15。
接下來，於「6」將自電源14向電極21施加之DC電壓自-V[V]提高至0[V]。於「6」相之期間，繼續進行利用電流計12及電壓計13之測定，將所測定之電流值及電壓值記憶於信號記錄裝置15。
藉此，於「4」~「6」之期間，如圖4(b)所示般，對電極21施加正DC電壓，如圖4(c)所示般，於上部電極1與靜電吸盤22之間產生火花放電。但是，「4」~「6」之期間，施加於電極21之DC電壓並不限於正電壓，亦可為負電壓。
接下來，於圖3之「7」停止(斷開)氣體之供給，於「8」結束測定序列。
再者，於上述測定序列中，使升降施加DC電壓，但並不限於此。例如，亦可僅進行DC電壓之上升施加或下降施加之任一者。
如以上所說明般，於本實施形態之測定方法中，不產生電漿，供給氣體而對腔室C內進行調壓。又，此時，不進行利用排氣裝置16之排氣。若將DC電壓設為接通，使之升降至任意之電壓值，則於靜電吸盤22之電極21蓄積正電荷。藉此，於晶圓W之表面蓄積正電荷。
然後，使DC電壓上升至引起火花放電之電壓值。藉由於上部電極1與電極21之間產生之火花放電，將負電荷向晶圓W側吸引。藉此，於電極21與上部電極1之間流動電流。藉由電流計12及電壓計13測定此時之電流值及電壓值。
[實測值]
對以此方式測定之電流值及電壓值之實測值之一例進行說明。此處，參照圖5，對當在圖3之「4」相中使DC電壓上升時實際上測定之電流值及電壓值之一例進行說明。圖5係表示一實施形態之電壓值及電流值之實測值之一例之圖。
圖5之橫軸表示將圖3之「4」之開始時間設為0時之測定時間。縱軸之左側係於「4」中測定之電壓值，縱軸之右側係於「4」中測定之電流值。圖5之線A係於「4」中電壓計13所測定之電壓值(ESC Vol)。線B0、B1、B2、B3係於「4」中電流計12所測定之電流值(ESC Cur)。
據此，於電壓值為V0時，開始火花放電，如線B1所示般，自放電開始時刻t0至放電結束時刻t1測定電流值i(t0)~i(t1)之電流值。其後，如線
B2、B3所示般，獲得與線B1同樣地急遽減少之電流值之測定結果。
根據以上測定結果，證明了藉由腔室C內之氣體放電(火花放電)，處於浮接狀態之靜電吸盤22與接地之上部電極1之間瞬時通電，於上部電極1與電極21之間產生放電現象。亦即，於本說明書中，氣體放電係藉由對電極21施加正或負DC電壓，藉此使與靜電吸盤22對向之上部電極1與靜電吸盤22之間產生電壓差而產生。
將放電開始電壓值V0及自測定出放電開始電壓值V0之放電開始時刻t0至放電結束時刻t1之電流值i(t0)~i(t1)代入至式(1)。藉此，可算出火花放電時之靜電吸盤22之電荷量q。
然後，基於式(2)，可算出靜電吸盤22之靜電電容C。
C=q/V0‧‧‧(2)
再者，控制部200並不限於取得信號記錄裝置15所記錄之電流值及電壓值，且基於放電開始電壓值V0及電流值i(t0)~i(t1)而算出靜電電容C。例如，亦可將圖5之線B1所示之第1放電、線B2所示之第2放電及線B3所示之第3放電之開始時刻至結束時刻之各者之電流值i代入至式(1)，求出所算出之3個電荷量q之平均值。藉由將電荷量q之平均值代入至式(2)，可
算出靜電吸盤22之靜電電容C。據此，藉由使用電荷量q之平均值，可抑制因測定時之電流值及電壓值之不均導致之靜電吸盤22之靜電電容C之算出結果之精度之降低。
[吸附力判定處理]
接下來，參照圖6對使用所算出之靜電吸盤22之靜電電容C之吸附力判定處理進行說明。圖6係表示一實施形態之使用靜電電容之吸附力判定處理之流程圖。
吸附力判定處理由控制部200控制。作為前提，於自電源14向電極21升降施加DC電壓之期間，測定電流計12測定之電流值及電壓計13測定之電壓值，並記錄於信號記錄裝置15。
若開始本處理，則根據所記錄之電流值及電壓值而測定放電開始電壓值V0及於自測定出放電開始電壓值V0之放電開始時刻t0至放電結束時刻t1流動之火花放電電流即電流值i(t0)~i(t1)(步驟S10)。
接下來，使用放電開始電壓值V0及火花放電電流值i(t0)~i(t1)、式(1)、及式(2)算出靜電吸盤22之靜電電容C(步驟S12)。
接下來，判定靜電電容C是否大於預先規定之靜電電容之閾值Th(步驟S14)。於判定為靜電電容C大於閾值Th之情形時，判定為靜電吸盤22具有充分之吸附力，結束本處理。
另一方面，於判定為靜電電容C為閾值Th以下之情形時，判定為靜電吸盤22不具有充分之吸附力，打開腔室C之蓋執行維護(步驟S16)，結束本處理。
由以上可知，根據一實施形態之測定方法，可根據所算出之靜電電容判定腔室內之狀態。作為腔室內之狀態之一例，例如，可判定靜電吸盤22與晶圓W之吸附狀態。作為腔室內之狀態之另一例，可如下述般，判定靜電吸盤22與邊緣環8之吸附狀態。
藉此，於判定為靜電電容C為閾值Th以下之情形時，判定為靜電吸盤22之吸附狀態較弱，而執行維護，藉此，可使靜電吸盤22之吸附狀態良好。判定靜電電容C為閾值Th以下之情形之維護可為無晶圓乾洗(WLDC)及/或無晶圓修護(WLT)，亦可為靜電吸盤22或其他零件之更換。
於以上所說明之靜電電容之測定方法中，著眼於上部電極1與靜電吸盤22之間之氣體放電進行了說明，但於腔室C除上部電極1以外亦存在連接於接地之構件。亦即，本實施形態之氣體放電並不限於上部電極1與靜電吸盤22之間之氣體放電，亦包含腔室C之側壁、積存物遮罩(未圖示)、擋板(未圖示)等連接於接地之構件與靜電吸盤22之間之氣體放電。
又，於本實施形態中，藉由自電源14對電極21施加DC電壓而產生氣體放電，但並不限於此，亦可藉由自電源17對邊緣環8之電極24施加DC電
壓，而產生氣體放電。此時，氣體放電藉由於使靜電吸盤22之基台23及邊緣環8浮接之狀態下對邊緣環8之電極24施加DC電壓而產生。藉此，可算出靜電吸盤22之邊緣環載置面之靜電電容。藉此，可判定邊緣環8與靜電吸盤22之吸附狀態。於判定之結果為吸附狀態較弱之情形時，亦可打開腔室C之蓋而執行維護。可執行無晶圓乾洗(WLDC)及/或無晶圓修護(WLT)，亦可進行靜電吸盤22或其他零件之更換。
又，於將靜電吸盤22分割為複數個區域，對每個區域進行控制之情形時，於每個區域設置電極21。於此情形時，亦可藉由對各電極施加DC電壓而產生氣體放電。藉此，可算出靜電吸盤22之分割之每個區域之靜電電容。藉此，可判定靜電吸盤22之各區域之吸附狀態。
[測定治具]
接下來，一面參照圖7，一面對用以測定放電開始電壓之測定治具300進行說明。圖7係表示一實施形態之測定治具之圖。
測定治具300測定端子T相對於電極21之接觸狀態。測定治具具有端子T、固定部310、320、電流計12、電壓計13及控制部200。首先，使接地之晶圓接觸於靜電吸盤22之表面而進行準備。於固定部310固定接地之晶圓W、靜電吸盤22、及基台23。藉此，成為如下狀態，即，於靜電吸盤22之下配置接地之晶圓W，於靜電吸盤22之上配置基台23。接地之晶圓W係連接於接地之基板之一例。基板並不限於此，亦可由含矽物或金屬形成。
又，於圖7中，列舉於基板處理裝置100之外部使用測定治具300測定靜電吸盤22之靜電電容之例，但並不限於此，亦可於基板處理裝置100之內部測定靜電吸盤22之靜電電容。於此情形時，亦可不使晶圓W直接連接於接地，而藉由氣體放電使晶圓W與上部電極1通電。
固定部320將端子T固定於基台23，使前端與電極21接觸。固定部310固定端子T、靜電吸盤22及晶圓W。電流計12及電壓計13連接於端子T。電流計12串聯連接於電源14，電壓計13並聯連接於電源14。
控制部200使用電流計12及電壓計13測定流動於端子T之電流值及電壓值，並記錄於信號記錄裝置15。控制部200基於所測定之電流值及電壓值，根據電流值之斜率及/或電流值之峰值時之值而判斷端子T與電極21之導通，從而判定端子T是否產生接觸不良。
圖8係表示一實施形態之端子T之接觸判定結果之一例之圖。如圖8(a)所示，若將電壓值F控制為高時之電流值E之斜率E1為特定之閾值以上，則如圖7之框內之「良」所示般，判定端子T與電極21接觸。或者，於將電壓值F控制為高時之電流值之峰值E2時之值高於特定值之情形時，判定端子T與電極21接觸。
另一方面，於如圖8(b)所示般，將電壓值F控制為高時之電流值E之斜率E3未達特定之閾值、且電流值之峰值時之值低於特定值之情形時，
如圖7之框內之「不良」所示般，判定為端子T未與電極21接觸。
於端子T與電流計12之間連接有RC(resistance-capacitance，電阻-電容)濾波器19。RC濾波器19截止特定之頻帶之電流。靜電吸盤22亦作為電容器發揮功能，因此，可藉由設置RC濾波器19而排除雜訊及靜電吸盤之時間常數之影響，使端子T之電流波形容易觀察。但是，亦可不設置RC濾波器19。
使用該構成之測定治具300，進行於施加放電開始電壓值V0之前端子T是否與電極21接觸之確認。然後，於判定端子T與電極21接觸之情形時，可藉由測定放電開始電壓值V0而準確地算出靜電吸盤22之靜電電容。
[端子之接觸判定處理及放電開始電壓值之測定處理]
接下來，參照圖9，對端子T之接觸判定處理及放電開始電壓值V0之測定處理進行說明。圖9係表示一實施形態之端子之接觸判定處理及放電開始電壓值之測定處理之流程圖。
若開始本處理，則於電源14斷開之狀態下，使晶圓與靜電吸盤22之表面接觸而進行準備(步驟S20)。接下來，使端子T之前端與靜電吸盤22之電極21接觸，利用固定部310、320固定端子T、靜電吸盤22及晶圓W(步驟S22)。
接下來，將電源14接通，對電極21升降施加特定之DC電壓(步驟S24)。接下來，利用電流計12及電壓計13測定流動於端子T之電流值i及電壓值V(步驟S26)。接下來，將電源14斷開(步驟S28)。
接下來，基於所測定之電流值i及電壓值V，根據電流值i之斜率及/或電流值i之峰值時之值而判定端子T與電極21是否導通(步驟S30、S32)。
於在步驟S32中判定端子T未與電極21導通之情形時，不進行放電開始電壓值V0之測定，結束本處理。另一方面，於在步驟S32中判定端子T與電極21導通之情形時，將開關11切斷，將基台23設為浮接狀態(步驟S33)。接下來，利用電漿等對晶圓W進行除電處理，於將晶圓W自靜電吸盤22抬起之後，再次於靜電吸盤22之表面設置晶圓(步驟S34)。然後，將氣體供給至腔室C內，測定產生氣體放電時之放電開始電壓值V0及電流值i(t0)~i(t1)(步驟S35)。
接下來，將所測定之放電開始電壓值V0及電流值i(t0)~i(t1)代入至式(1)算出電荷量q。然後，將所算出之電荷量q及放電開始電壓值V0代入至式(2)而算出靜電吸盤22之靜電電容C(步驟S36)，結束本處理。
如以上所說明般，根據本實施形態之測定治具及放電開始電壓之測定方法，可提供一種測定靜電吸盤之靜電電容之新方法。
應認為本次揭示之一實施形態之測定治具及測定方法於所有方面為
例示，並非限制性者。上述實施形態可不脫離隨附之申請專利範圍及其主旨而以各種形態進行變化及改良。上述複數個實施形態所記載之事項於不矛盾之範圍內亦可採取其他構成，又，可於不矛盾之範圍內進行組合。
本發明之基板處理裝置可應用於Capacitively Coupled Plasma(CCP，電容耦合電漿)、Inductively Coupled Plasma(ICP，電感耦合電漿)、Radial Line Slot Antenna(RLSA，徑向線縫隙天線)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR，電子回旋共振電漿)、Helicon Wave Plasma(HWP，螺旋波電漿)之所有類型之基板處理裝置。
又，自電源14施加於電極21之DC電壓為正負之任一者皆可。
1:上部電極
12:電流計
13:電壓計
14:電源
15:信號記錄裝置
21:電極
22:靜電吸盤
23:基台
C:腔室
W:晶圓
Claims (11)
- 一種測定方法，其包括如下步驟：將基板載置於靜電吸盤；將氣體供給至腔室內；及於由用於靜電吸附之電源、靜電吸盤、基板或邊緣環、電漿、連接於接地之構件形成之電路中，取得於上述腔室內產生氣體放電時之放電開始電壓值及電流值，該放電開始電壓值係並聯連接於上述電源之電壓計所測定者，該電流值係串聯連接於上述靜電吸盤內之電極與上述電源之間之給電線之電流計所測定者；根據所取得之上述放電開始電壓值及電流值而算出上述靜電吸盤之靜電電容；對所算出之上述靜電吸盤之靜電電容與預先規定之靜電電容之閾值進行比較，且根據比較之結果而判定上述腔室內之狀態。
- 如請求項1之測定方法，其包括如下步驟：基於所取得之上述放電開始電壓值及上述電流值，根據上述電流值之斜率及/或上述電流值之峰值時之值而判定上述靜電吸盤內之電極與端子之導通。
- 如請求項1或2之測定方法，其中上述氣體放電係藉由於使上述靜電吸盤之基台及上述靜電吸盤上之基板浮接之狀態下對上述靜電吸盤之電極施加電壓而產生。
- 如請求項1或2之測定方法，其中上述氣體放電係藉由使與上述靜電吸盤對向之上部電極與上述靜電吸盤之間產生電壓差而產生。
- 如請求項1之測定方法，其中根據上述比較之結果而判定上述靜電吸盤之基板之吸附力。
- 如請求項1或5之測定方法，其中根據上述比較之結果，判定是否需要執行清潔及/或執行修護。
- 如請求項1或2之測定方法，其中將上述靜電吸盤分割為複數個區域，算出所分割之各區域之靜電電容。
- 如請求項7之測定方法，其中上述氣體放電係藉由於使上述靜電吸盤之基台及設置於上述靜電吸盤之邊緣環載置面之邊緣環浮接之狀態下對上述邊緣環之電極施加電壓而產生，且算出上述靜電吸盤之邊緣環載置面之靜電電容。
- 如請求項1或2之測定方法，其中上述氣體為惰性氣體。
- 如請求項2之測定方法，其中上述基板由含矽物或金屬形成，且接 地。
- 如請求項2之測定方法，其包括如下步驟，即，於上述端子與電流計之間連接RC濾波器而將特定之頻帶之電流截止。
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