TWI825119B - 回應於一覆蓋誤差調整一基板的複數個曝光參數的方法及其電腦系統 - Google Patents
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Abstract
本文揭露實施例一般有關於回應於覆蓋誤差調整基板曝光參數。此方法包含劃分基板為複數個分區。各分區對應於一影像投影系統。決定沉積於基板上之第一層的總覆蓋(overlay)誤差。針對各分區，計算分區覆蓋誤差。針對兩個或多個分區重疊(overlap)的各重疊區域，計算平均覆蓋誤差。回應於總覆蓋誤差調整曝光參數。
Description
本揭露實施例是有關於無遮罩微影，且特別是有關於回應於覆蓋誤差調整基板曝光參數之系統及方法。
光微影(Photolithography)係廣泛用於製造半導體裝置及顯示裝置，例如液晶顯示器(liquid crystal displays,LCDs)。大面積基板通常是使用在LCD的製造。LCD或平面顯示器(Flat Panel)通常是用於主動陣列顯示器，例如電腦、觸控面板裝置、個人數位助理(personal digital assistants,PDAs)、手機(cell phone)、電視監視器、及類似裝置。一般而言，平面顯示器可包含一層液晶材料，形成夾置在兩平板之間的畫素。當來自電源供應器的電力施加在液晶材料時，通過液晶材料的光量可於畫素位置被控制，以產生影像。
微影製程(microlithography)技術一般係用於產生電性特徵，電性特徵整合為形成畫素的液晶材料層的一部分。依據此技術，感光光阻係典型地施加在基板的至少一表面。接著，圖案化產生器藉
由光線，使感光光阻的作為圖案之一部分的被選區域被曝光，以使得在所選區域內的光阻產生化學變化，從而將這些所選區域準備用於後續材料移除及/或材料添加製程，以生成電性特徵。
為了繼續以消費者所要求之價格來提供顯示裝置及其他裝置給消費者，需要新的設備、方法、及系統以精準地及具成本效益地生成圖案於基板上，例如大面積基板。
本文所揭露實施例一種回應於一覆蓋誤差調整一基板的數個曝光參數的方法。方法包括以下步驟：定位基板於一支撐件，其中基板包括數個分區；決定基板上之一層的覆蓋(overlay)誤差，包括：針對兩個或多個分區重疊(overlap)的各重疊區域計算一重疊覆蓋誤差；以及，回應於決定之覆蓋誤差，調整此些曝光參數。
在另一實施例中，揭露一種回應於一覆蓋誤差調整一基板的數個曝光參數的方法。方法包括以下步驟：決定基板上之一層的一總覆蓋誤差，其中基板包括複數個分區；以及，回應於總覆蓋誤差，調整此些曝光參數。在決定基板上之該層的總覆誤差之步驟包括：針對兩個或多個分區重疊的各重疊區域，計算一重疊覆蓋誤差。
在又一實施例中，揭露一種電腦系統。電腦系統用於回應於一覆蓋誤差調整一基板的數個曝光參數。電腦系統包括一處理器及一記憶體。記憶體儲存數個指令，以在被處理器執行時使得電腦系統：決定基板上之一層的一總覆蓋誤差，其中基板包括數個分區；及回應於總覆蓋誤差，調整此些曝光參數。其中，此些指令操作在：當
電腦系統決定基板上之該層之總覆蓋誤差時，使電腦系統針對兩個或多個分區重疊的各重疊區域，計算一重疊覆蓋誤差。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
100:系統
110:基座框架
112:被動空氣隔離器
120:板材
122、162:支撐件
124、150:軌道
126:編碼器
128:內壁
130:級
140、1101:基板
160:處理設備
164:處理單元
165:殼體
166:開口
202:空氣軸承
284:焦點感測器和相機
288:受抑稜鏡組件
301:影像投影系統
302:寫入光束
304、1102:表面
341:固定板材
390:影像投影設備
391:光管
392:白光照明裝置
393:光位準感測器
398:對焦馬達
395:分光器
396:投影光學件
397:失真補償器
396a、396b:投影光學件
399:固定板材
402:光源
403:光束
404:光圈
406:透鏡
408:反射鏡
410:DMD
412:光轉儲器
414:相機
416:投影透鏡
416a:對焦組
416b:視窗
502、504:反射鏡
700:電腦系統
702:控制器
704:軟體
706:網路
708:伺服器
712:覆蓋誤差應用伺服器
714:資料庫
802、902:CPU
804、904:網路介面
806、906:內連線
808、908:I/O裝置介面
810、910:I/O裝置
820、920:記憶體
826:應用平台
828:覆蓋誤差軟體
830、930:儲存器
832、931:資料庫
834、926、932、938:資料
836:應用平台內容
922:應用程式介面
924:顯示軟體指令
934:其他內容
936:影像處理單元
939:控制邏輯
940:支援電路
942:快取
944:電源供應器
946:時脈電路
948:輸入/輸出電路
950:子系統
1000:方法
1002、1004、1006、1008、1010:流程步驟
OA1~OA4:重疊區域
S1~S4:分區
因此，本揭露上述特徵的詳細理解方式，請通過參考實施例以對如上簡要概述之本揭露獲得更具體的說明，其中一些實施例是如所附圖示所示。然而，應瞭解，所附圖示僅繪示本揭露的範例性實施例，因此不應將其視為限制其範圍，本揭露因可應用於其他同等有效的實施例。
第1圖繪示繪示可從本文所揭露之實施例得到益處之系統的立體圖。
第2圖繪示依照一實施例之多個影像投影系統的立體示意圖。
第3圖繪示依照一實施例之藉由DMD的兩個反射鏡反射之光束的示意圖。
第4圖繪示依照一實施例之影像投影設備的立體圖。
第5圖繪示依照一實施例之電腦系統。
第6圖繪示依照一實施例之第5圖中的伺服器的細部示意圖。
第7圖繪示依照一實施例之控制器電腦系統的示意圖。
第8圖繪示回應於覆蓋誤差調整曝光參數之方法的操作示意圖。
第9圖繪示依照一實施例具有第一層沉積於基板上之基板的上視圖。
為了幫助理解，相同的參考數字係儘可能地用於指定圖示中共用的相同元件。請瞭解雖未進一步詳述，一實施例中的元件及特徵可整合於其他實施例。
本文所揭露實施例一般有關於回應於覆蓋誤差調整基板曝光參數。此方法包含劃分基板為多個分區。各分區對應於一影像投影系統。決定沉積於基板上之一第一層的總覆蓋(overlay)誤差。針對各分區，計算一分區覆蓋誤差。針對兩個或多個分區重疊(overlap)的各重疊區域，計算一平均覆蓋誤差。回應於總覆蓋誤差調整曝光參數。
本文所用之術語「使用者」例如包含擁有運算裝置或無線裝置的人或實體、操作或使用運算裝置或無線裝置的人或實體、又或者是與運算裝置或無線裝置相關的人或實體。可瞭解的是，術語「使用者」並非用以具有限制性，且可包含所敘述以外的各種例子。
第1圖繪示可從本文所述實施例得到益處之系統100的立體圖。系統100係繪示為截面圖，系統100包含基座框架110、板材(slab)120、二或多個級(stage)130、及處理設備160。在一些實施例中，一個級130可被使用。基座框架110可被支撐(rest)在製造設備的地板上，且可支撐板材120。被動空氣隔離器112可定位在基座框架110及板材120之間。板材120可為單塊(monolithic)的花崗岩，二或多個級
130可設置在板材120上。基板140可藉由二或多個級130的各個而被支撐。多個洞(未繪示)可形成在級130內，以允許多個升舉銷(未繪示)延伸穿過。升舉銷可升高至延伸位置以接收基板140，例如是從傳送機器人(未繪示)接收基板140。傳送機器人可將基板140定位在升舉銷，而升舉銷可接著緩和地降低基板140在級130上。
基板140例如可由石英製成，且可被用於平面顯示器的一部分。在其他實施例中，基板140可由其他材料製成。在一些實施例中，基板140可具有光阻層形成在基板上。光阻係對於光照射是敏感的，且可為正光阻或負光阻，這表示在圖案被寫入至光阻後，曝露至光照射的光阻的部分將會分別地可溶於或不可溶於施加在光阻的光阻顯影劑。光阻的化學成份決定光阻為正光阻或負光阻。舉例來說，光阻可包含以下至少之一：重氮萘醌(diazonaphthoquinone)、苯酚甲醛樹脂(phenol formaldehyde resin)、聚-甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate))、聚-甲基戊二酰亞胺(poly(methyl glutarimide))、及SU-8。依此方式，圖案可被產生於基板140的表面上以形成電子電路。
系統100可進一步包含一對支撐件122及一對軌道124。此對支撐件122可設置在板材120上，板材120及此對支撐件122可為單一塊的材料。此對軌道124可由此對支撐件122所支撐，二或多個級130可於X方向沿著軌道124移動。在一實施例中，此對軌道124係一對平行磁性通道。如所示，此對軌道124的各軌道124係線性的。在其他實施例中，軌道124可具有非線性形狀。編碼器126可被耦接至各級130，以提供位置資訊至控制器702(請參考第7圖)。
處理設備160可包含支撐件162及處理單元164。支撐件162可設置在板材120上，且可包含開口166以使二或多個級130在處理單元164之下通過。處理單元164可由支撐件162所支撐。在一實施例中，處理單元164係為圖案產生器，被配置以在光微影製程中使光阻被曝光。在一些實施例中，圖案產生器可被配置以執行無遮罩微影製程。處理單元164可包含設置在殼體165中的多個影像投影系統(如第2圖所示)。處理設備160可被用於執行無遮罩直接圖案化。在操作中，二或多個級130的其中之一如第1圖所示在X方向從裝載位置移動至處理位置。處理位置可意指當級130在處理單元164之下通過時級130的一個或多個位置。在操作中，二或多個級130可由多個空氣軸承202而被升高，且可沿著此對軌道124從裝載位置移動到處理位置。多個垂直導引空氣軸承(未繪示)可被耦接至各級130，並定位在鄰近各支撐件122的內壁128處，以穩定級130的移動。二或多的級130的各者也可藉由沿著軌道150而在Y方向移動，以處理及/或索引(index)基板140。
如所示，各級130包含多個空氣軸承202用以升高級130。各級130也可包含馬達線圈(未繪示)，用以沿著軌道124移動級130。二或多個級130及處理設備160可被包含在一外殼(enclosure)(未繪示)，以提供溫度及壓力控制。
第2圖繪示依照一實施例之多個影像投影系統301的立體示意圖。如第2圖所示，各影像投影系統301產生多個寫入光束302於基板140的表面304上。當基板140在X方向上及Y方向上移動時，整個表面304可藉由寫入光束302而被圖案化。影像投影系統301的數量
可基於基板140的尺寸及/或級130的速度而不同。在一實施例中，處理設備160具有22個影像投影系統301。
影像投影系統301包含光源402、光圈404、透鏡406、反射鏡408、DMD 410、及光轉儲器(light dump)412、相機414、及投影透鏡416。光源402可為發光二極體(light emitting diode,LED)或雷射，光源402可產生具預定波長的光。在一實施例中，預定波長係在藍光或近紫外光範圍，例如小於450nm。反射鏡408可為球面鏡。投影透鏡416可為10X物鏡。DMD 410可包含多個反射鏡，反射鏡的數量可對應至投影影像的解析度。在一實施例中，DMD 410包含1920x1080個投影鏡。
在操作期間，具有預定波長例如是藍光範圍的波長的光束403，係由光源402產生。光束403係藉由反射鏡408反射至DMD 410。DMD 410包含多個可獨立受控制的反射鏡，基於藉由控制器(未繪示)提供至DMD 410的遮罩資料，DMD 410的多個反射鏡的各反射鏡可在「開啟」位置或「關閉」位置。當光束403到達DMD 410的反射鏡時，位在「開啟」位置的反射鏡反射光束403(亦即形成多個寫入光束302)至投影透鏡416。投影透鏡416接著投影寫入光束302至基板140的表面304。位在「關閉」位置的反射鏡反射光束403至光轉儲器412，而非基板140的表面304。
在一實施例中，DMD 410可具有二或多個反射鏡。各反射鏡可設置於傾斜機構，傾斜機構設置在記憶單元上。記憶單元可為CMOS SRAM。在操作期間，各反射鏡係藉由將遮罩資料載入記憶
單元內而被控制。遮罩資料以二元方式(binary fashion)靜電地控制反射鏡的傾斜。當反射鏡係在重置模式或未施加電力時，反射鏡可設在平面位置，不對應至任何二元(binary)數字。二元的0可對應至「關閉」位置，表示反射鏡係傾斜在-10度、-12度、或任何其他可行的負傾斜角度。二元的1可對應至「開啟」位置，表示反射鏡係傾斜在+10度、+12度、或任何其他可行的正傾斜角度。
第3圖示意性地繪示藉由DMD 410的兩個反射鏡502、504反射之光束403的示意圖。如圖所示，位在「開關」位置的反射鏡502將光源402產生的光束403反射至光轉儲器412。位在「開啟」位置的反射鏡504藉由反射光束403至投影透鏡416而形成寫入光束302。
各系統100可包含任何數量的影像投影系統301，影像投影系統301的數量可因系統而不同。在一實施例中，有84個影像投影系統301。各影像投影系統301可包含40個二極體，或任何數量的二極體。當試著維持大數量的二極體時，產生了需要高功率以處理此種大數量的二極體的問題。一種解決方式為，可將二極體排成串列，然而，當排成串列時，存在一種偵測無法操作(non-functioning)之二極體的需求，如下文所述。
第4圖繪示依照一實施例之影像投影設備390的立體圖。影像投影設備390係用於把光線聚焦至基板140之平面上的特定點，且用於最終投影影像在基板140上。影像投影設備390包含兩個子系統。影像投影設備390包含照明系統及投影系統。照明系統包含至少一光管391及白光照明裝置392。投影系統包含至少一DMD 410、受
抑稜鏡組件(frustrated prism assembly)288、分光器(beamsplitter)395、一或多個投影光學件396a、396b、失真補償器397、對焦馬達398、及投影透鏡416(如前述)。投影透鏡416包含對焦組416a及視窗416b。
光線係從光源402引入至影像投影設備390。光源402可為光化光源。舉例來說，光源402可為一束光纖，各光纖包含一雷射。在一實施例中，光源402可為一束約100個的光纖。此束光纖可藉由雷射二極體而被照明。光源402係耦接至光管(或萬花筒(kaleido))391。在一實施例中，光源402係經由組合器耦接至光管391，組合器組合此束光纖的各光纖。
一旦來自光源402的光進入光管391，光在光管391的內部周圍反彈，使得光在離開光管391時調和(homogenized)且均勻。在一個例子中，光可以在光管391中反彈六或七次。換言之，光在光管391內經過六到七次全內反射，這導致輸出為均勻光。
影像投影設備390可選擇性地包含各種反射表面(未標示)。各種反射表面擷取部分穿過影像投影設備390的光。在一個實施例中，各種反射表面可以擷取一些光，然後幫助將光引導到光位準感測器393，使得雷射位準可被監測。
白光照明裝置392將寬頻帶可見光投射到影像投影裝置390的投影系統中。具體地，白光照明裝置392將光引導到受抑稜鏡組件。光化和寬頻帶光源可以彼此獨立地被開啟和關閉。
受抑稜鏡組件288用於傳送將被投射在基板140表面上的光。由於全內反射的光均會射出，受抑稜鏡組件288的使用導致最小的能量損失。受抑稜鏡組件288耦接到分光器395。
DMD 410係包含於受抑稜鏡組件288中，並作為受抑稜鏡組件288的一部分。DMD 410是影像投影裝置390的圖案產生裝置。從產生曝光照明的光源402一直到基板焦點平面，DMD 410和受抑稜鏡組件288的使用藉由保持照明流(flow of illumination)的方向大約垂直於基板140，有助於最小化每個影像投影裝置390的佔地面積(footprint)。
分光器395係用於進一步擷取部分從基板140反射的光，以用於對齊。更具體地，分光器395用於將光分成兩個個別的光束。分光器395耦接到投影光學件396。兩投影光學件的部件396a、396b係顯示於第4圖。
在一實施例中，對焦感測器及相機284係貼附至分光器395。透過包括但不限於透鏡對焦及對準、以及鏡面傾斜角度變化，對焦感測器和相機284可被配置以從多個方面監視影像投影設備390的成像品質。另外，焦點感測器和相機284可以顯示將被投影在基板140上的成像。在另外的實施例中，焦點感測器和相機284可被用於擷取基板140上的成像，並對這些成像進行比較。換言之，焦點感測器和相機284可用於執行檢查功能。
連同投影光學件396，失真補償器397、對焦馬達398、及投影透鏡416係準備，並將圖案從DMD 410最終投影到基板140上。
投影光學件396a耦接至失真補償器397。失真補償器397耦接至投影光學件396b，投影光學件396b耦接到對焦馬達398。對焦馬達398耦接到投影透鏡416。投影透鏡416包括對焦組416a和視窗416b。對焦組416a耦接到視窗416b。視窗416b可以是可更換的。
光管391及白光照明裝置392係耦接至第一固定板材341。再者，在包括另外各種反射表面(未標記)和光位準感測器393的實施例中，各種反射表面和光位準感測器393也可以耦接到第一固定板材341。
受抑稜鏡組件288、分光器395、一個或多個投影光學件396a、396b、及失真補償器397，係耦接至第二固定板材399。第一固定板材341及第二固定板材399是平面的，這允許影像投影設備390的上述組件的精確對準。換言之，光沿著單一光軸傳輸通過影像投影設備390。沿著單一光軸的精確對準使得設備得以小型化。例如，影像投影設備390可以具有在大約80mm和大約100mm之間的厚度。
第5圖繪示依照一實施例之電腦系統700。如圖所示，電腦系統700可包括多個伺服器708、覆蓋誤差應用伺服器712、及多個控制器(亦即，電腦、個人電腦、行動/無線裝置)702(為了清楚起見，僅繪示其中的兩個)，各連接到通訊網路706(例如，網際網路)。伺服器708可經由本地連接(例如，儲存器區域網路(storage area network,SAN)、或網路附接儲存器(network attached storage,NAS))、或通過網際網路，與資料庫714進行通訊。伺服器708被配置為直接存取包括
在資料庫714中的資料、或者被配置以接合(interface)用以管理資料庫714內所包括的資料的資料庫管理器。
各控制器702可包含電腦裝置的傳統元件，例如處理器、系統記憶體、硬碟驅動器、電池、例如是滑鼠和鍵盤的輸入裝置、及/或例如是監視器或圖形化使用者介面的輸出裝置、及/或輸入/輸出裝置之組合，例如不僅接收輸入而且顯示輸出之觸控螢幕。各伺服器708及覆蓋誤差應用伺服器712可包括處理器和系統記憶體(未繪示)，並且可被配置為使用例如相關資料庫軟體及/或檔案系統來管理儲存在資料庫714中的內容。伺服器708可以被編程為使用例如是TCP/IP協議的網路協定而彼此通訊，以及與控制器702和覆蓋誤差應用伺服器712通訊。覆蓋誤差應用伺服器712可以通過通訊網路706與控制器702直接通訊。控制器702被編程為執行例如是程式及/或其他軟體應用程式的軟體704，及存取由伺服器708所管理的應用程式。
在以下所述實施例中，使用者可分別操作可通過通訊網路706連接到伺服器708的此些控制器702。頁面、影像、資料、文件及類似物可以經由控制器702顯示給使用者。資訊及影像可以通過與控制器702通訊的顯示裝置及/或圖形化使用者介面而被顯示。
請注意控制器702可為個人電腦、膝上型行動運算裝置、智慧型手機、視訊遊戲機、家庭數位媒體播放器、網路連接電視、機上盒、及/或具有適合於與通訊網路706及/或所需應用程式或軟體進行通訊的組件的其他運算裝置。控制器702還可執行其他被配置為從覆蓋誤差應用伺服器712接收內容和資訊的軟體應用程式。
第6圖繪示第5圖的覆蓋誤差應用伺服器712的細部示意圖。覆蓋誤差應用伺服器712包括經由內連線806通訊之中央處理器(central processing unit,CPU)802、網路介面804、記憶體820、及儲存器830，但不受限於此。覆蓋誤差應用伺服器712也可包括連接I/O裝置810(例如鍵盤、視訊、滑鼠、音訊、觸控螢幕等等)的I/O裝置介面808。覆蓋誤差應用伺服器712還更可包括網路介面804，網路介面804被配置以經由通訊網路706傳送資料。
CPU 802取得並執行記憶體820中所儲存的編程指令，並且一般地控制和協調其他系統組件的操作。相仿地，CPU 802儲存和取得存放在記憶體820中的應用程式資料。CPU 802被包括以代表單一個CPU、多個CPU、具有多個處理核心的單一CPU、及類似裝置。內連線806用於傳送程式指令和應用程式資料於CPU 802、I/O裝置介面808、儲存器830、網路介面804、及記憶體820之間。
記憶體820被包括以代表隨機存取記憶體，並且在操作中儲存供CPU 802使用的軟體應用程式和資料。雖然繪示為單一單元，儲存器830可以是固定的及/或可移除的儲存裝置的組合，例如被配置為儲存非揮發性資料的固定磁碟機、軟碟機、硬碟機、快閃記憶體儲存驅動器、磁帶驅動器、可移除記憶卡、CD-ROM、DVD-ROM、藍光、HD-DVD、光學儲存器、網路附接儲存器(Network Attached Storage,NAS)、雲端儲存器、或儲存器區域網路(Storage Area-Network,SAN)。
記憶體820可儲存用於執行可包括覆蓋誤差軟體828的應用平台826的指令和邏輯。儲存器830可包括資料庫832，資料庫832被配置以儲存資料834和相關應用平台內容836。資料庫832可以是任何類型的儲存裝置。
網路電腦是可以結合本文揭露內容使用的另一類型的電腦系統。網路電腦通常不包括硬碟或其他大容量儲存器，而可執行的程式係從網路連接載入(load)至記憶體820中以供CPU 802執行。典型的電腦系統通常至少包括處理器、記憶體、及將記憶體耦接至處理器之內連線。
第7圖繪示控制器702，用於存取覆蓋誤差應用伺服器712並取得或顯示與應用平台826相關聯的資料。控制器702可包括但不限於CPU 902、網路介面904、內連線906、記憶體920、儲存器930、及支援電路940。控制器702也可包括連接I/O裝置910(例如鍵盤、顯示器、觸控螢幕、及滑鼠裝置)至控制器702的I/O裝置介面908。
如同CPU 802，CPU 902被包括為代表單一CPU、多個CPU、具有多個處理核心的單一CPU等等，而記憶體920一般係被包括為代表隨機存取記憶體。內連線906可用於傳輸編程指令和應用程式資料於CPU 902、I/O裝置介面908、儲存器930、網路介面904、及記憶體920之間。網路介面904可被配置經由通訊網路706傳送資料，以例如從覆蓋誤差應用伺服器712傳輸內容。儲存器930例如是硬碟機或固態儲存驅動器(solid-state storage drive,SSD drive)，儲存非揮發性資料。儲存器930可包含資料庫931。資料庫931可包含資料932
和其他內容934。在一些實施例中，資料庫931還可以更包括影像處理單元936。影像處理單元936可包括資料938及/或控制邏輯939。範例性地，記憶體920可包括應用程式介面922(其本身可顯示軟體指令924)、及/或儲存或顯示資料926。應用程式介面922可提供一個或多個的軟體應用程式，軟體應用程式允許控制器702存取由覆蓋誤差應用伺服器712管理(host)的資料和其他內容。
控制器702可耦接至處理設備160、級130、及編碼器126中的一或多個，或控制器702可與處理設備160、級130、及編碼器126中的一或多個進行通訊。處理設備160及級130可提供與基板處理及基板對齊有關的資訊到控制器702。舉例來說，處理設備160可提供資訊至控制器702，以向控制器提醒基板處理已經完成。編碼器126可以提供位置資訊至控制器702，且位置資訊係接著被用於控制級130和處理設備160。
控制器702可包含CPU 902、記憶體920、及支援電路(support circuit)940(或I/O 908)。CPU 902可以是用於控制各種處理和硬體(例如圖案產生器、馬達、及其他硬體)、及監視製程(例如處理時間及基板位置)的工業設置中的任何形式的電腦處理器之一。如第7圖所示，記憶體920連接到CPU 902，且可以是一個或多個容易獲得的記憶體，例如隨機存取記憶體(random access memory,RAM)、唯讀記憶體(read only memory,ROM)、軟碟、硬碟、或任何其他形式的數位儲存器(本地或遠端的)。軟體指令和資料可被編碼並儲存在記憶體內，用於指示CPU 902。支援電路940也連接到CPU 902，以依傳
統方式支援處理器。支援電路940可包括傳統快取942、電源供應器944、時脈電路946、輸入/輸出電路948、子系統950、及類似裝置。可由控制器702讀取的程式(或電腦指令)決定哪些工作在基板上是可執行的。程式可以是控制器702可軟體讀取的，且可包括監視及控制的編碼，例如處理時間和基板位置。
然而，應記得的是，所有此些及相似術語係與適當的物理量相關聯，並且僅僅是適用於這些量的方便標記。除非另有具體說明，否則請理解在以下討論中顯而易見的是在整個描述中，使用例如「處理」或「運算」或「計算」或「決定」或「顯示」及類似術語的說明，是指電腦系統或類似的電子運算裝置的動作和處理，以將電腦系統暫存器和記憶體內的物理(電子)量所表示的資料，操控並變換為電腦系統記憶體、或暫存器、或其他此種資訊儲存器、傳輸、或顯示裝置內的物理量所類似地表示的其他資料。
本範例也相關於用於執行本文操作的設備。此設備可為所需目的而特別構造，或可包括由存儲在電腦中的電腦程式所選擇性啟動或重新配置的一般用途電腦。此電腦程式可儲存在電腦可讀取媒體中，例如但不限於唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、EPROM、EEPROM、快閃記憶體、磁卡或光卡(optical card)、包括軟碟、光碟、CD-ROM、和磁光碟的任何類型的碟片、或適合於儲存電子指令的任何型式的媒體，並且各耦接至電腦系統內連線。
本文所呈現的演算法及顯示器本質上並不相關於任何特定的電腦或其他設備。各種一般用途系統可根據本文教示並伴隨程
式而被使用，或者可證明能方便於構造更專用的設備以執行所需的方法操作。各種此些系統的結構將呈現於上文之描述。再者，此些範例並非參考任何特定的編程語言而被描述，且多種範例可使用各種程式語言從而被實現。
如同本文所更詳細地描述的，揭露的實施例提供了一種軟體應用程式，通過此軟體應用程式，曝光多邊形的線條波形缺陷可藉由抖動(dither)禁止角度之特徵的邊緣，而在禁止的角度受到校正，以減少製程中的無遮罩微影圖案化期間的邊緣配置(placement)誤差。
在一實施例中，揭露了一種用以回應於總覆蓋區域來調整曝光參數的方法1000。方法1000可藉由控制器702執行，如上文與第7圖有關之所示及說明。CPU 902被編程為執行儲存在記憶體820中的覆蓋誤差軟體828，此軟體實現了回應於總覆蓋區域而調整曝光參數的方法1000，以下將結合第8圖所敘述之。
第8圖繪示回應於總覆蓋區域(如第9圖所示)調整曝光參數之方法的操作示意圖。方法1000一般有關於決定沉積在基板上之第一層的總覆蓋誤差並回應於總覆蓋誤差調整曝光參數。在一層與覆蓋前一層的下一層之間，此一層和此下一層的各自的圖案必須對齊。然而，由於多個覆蓋層中的圖案和材料差異，層之間的薄膜應力及/或形貌(topography)變異(或圖案相關差異)是不可避免的。在基板上形成的層之間所產生的薄膜應力將導致基板變形，這影響了微影圖案化製程的結果，從而導致在基板上形成的半導體裝置的裝置良率的問題。裝置結構的覆蓋誤差可來自不同的誤差來源。在此領域中常見的
來源之一是由薄膜應力、基板彎曲及類似情況所引起的基板薄膜層變形。薄膜應力、基板彎曲、基板變形、或基板上之裝置結構的表面形貌變異，也可導致從一層到下一層形成的微影圖案的移動(displacement)或未對齊，這會不利於裝置良率結果及/或導致裝置性能的變異。起先是理想的矩形形狀，結果可能導致「針墊」(cushion)的形狀，其中基板在各個方向被拉動，不再保持理想的矩形形狀。當有基板翹曲(warpage)時，原始中心C可能轉移到中心C'。因此，相對於中心C的給定點(x,y)，可能會對應於點(x',y')。因此，為了使加在第一層上方的後續層能對齊，系統需要考慮總覆蓋誤差。
此方法1000起始於操作1002。在操作1002，基板1101的表面1102被劃分成一個或多個分區S k 。一個或多個分區S k 對應於系統100中的一個或多個影像投影系統301。例如，給定n個影像投影系統301，基板1101將被劃分為n個分區S n 。在本例中，基板1101被劃分成與二乘二影像投影系統301配置對應的四個分區S 1~S 4。將基板1101劃分成一個或多個分區S k 可以更準確地讀取覆蓋誤差。這是因為單一最佳配合線(single best fit line)可能對基板上複雜的失真圖案來說是不足夠的。劃分基板可允許最佳配合線被應用於較小的失真區域，從而提供更準確的總失真圖案的讀取。當基板1101被劃分為多個分區時，決定每個分區的原點(0,0)。這允許系統在隨後的計算中更容易地決定每個分區S 1~S 4的中心C。
在操作1004，決定沉積在基板上之第一層的總覆蓋誤差。決定總覆蓋誤差包括決定每個分區S k 的分區覆蓋誤差(子操作
1008)，並決定兩個或更多個分區S k 重疊的區域中的重疊覆蓋誤差(子操作1010)。
在子操作1008，對於每個分區S k 決定分區覆蓋誤差。分區覆蓋誤差的決定，係藉由首先掃描沉積在基板的第一層的頂表面，以確定每個分區S k 中的失真量。使用一趨勢線配合失真圖案，以確定座標位移。例如，給定一個具有線性圖案的失真，線性趨勢線可用於決定如何調整處理參數以用於後續的曝光。在另一例子中，給定具有彎曲失真的失真，可以使用多項式(polynomial)趨勢線來決定如何調整處理參數以用於後續的曝光。一般來說，此趨勢線表示的多項式，將原始的處理參數中的每個原始座標(x,y)轉換為修改後的處理參數中的修改座標(x',y')，以解決覆蓋誤差。一般來說，這可以表示為：
在子操作1010，決定重疊覆蓋誤差。在兩個或多個分區S k 重疊的區域中，決定重疊覆蓋誤差。如第9圖所示，重疊區域OA 1-OA 5是兩個或更多個分區S k 重疊的區域。為了決定給定之重疊區域OA k 中的覆蓋誤差，導致重疊區域OA k 之此些分區的分區重疊誤差係被平均。x方向的位移可以由方程式4表示，y方向的位移可以由方程式5表示。
重疊區域由OA k (x,y)所表示，其中OA k (x,y)是分段等式，由以下方程式6所表示。
在計算各分區S k 中各點的x及y的位移以及所有重疊區域OA k 後，在操作1006，回應於在操作1010中所決定的總覆蓋誤差來調整曝光參數。對於各個分區S k 中的各個點，各個點(x,y)係依照方程式1及2被移動到(x',y')。對於各個分區OA k 中的各個點，各個點(x,y)，係依照方程式4及5被移動到(x',y')。通過考慮重疊區域OA k ，方法1000允許相鄰分區S k 之間的平滑過渡。平滑過渡可以減輕由於第一層中相鄰分區S k 之間突然變化而可能發生的重疊誤差。
雖然前述內容涉及本文描述的實施例，其他和另外的實施例可在不脫離其基本範圍下而被設計。例如，本揭露的方面可以以硬體或軟體或硬體和軟體的組合來實現。本文描述的一個實施例可以被實現為與電腦系統一起使用的程式產品。程式產品的程式定義了實施例的功能(包括本文描述的方法)，並且可以包含在各種電腦可讀取
媒體上。範例性的電腦可讀取媒體包括但不限於：(i)不可寫入的儲存媒體(例如，電腦內的唯讀記憶體裝置例如由CD-ROM驅動機讀取的CD-ROM、快閃記憶體、ROM晶片、或任何型式的固態非揮發性半導體記憶體)，可永久儲存資訊其中；及(ii)可寫入儲存媒體(例如，磁片驅動器內軟碟、或硬碟驅動器、或任何型式的固態隨機存取半導體記憶體)，儲存可更改的資訊。當攜帶指導所揭露實施例之功能的電腦可讀取指令時，這種電腦可讀取媒體係被視為是本揭露的實施例。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
700:電腦系統
702:控制器
704:軟體
706:網路
708:伺服器
712:覆蓋誤差應用伺服器
714:資料庫
Claims (19)
- 一種回應於一覆蓋(overlay)誤差調整一基板的複數個曝光參數的方法，該方法包括：定位該基板於一支撐件，其中該基板包括複數個分區；決定該基板上之一層的覆蓋誤差，包括：針對兩個或多個分區重疊(overlap)的各重疊區域，計算一重疊覆蓋誤差；以及回應於該決定之覆蓋誤差，調整該些曝光參數；其中，於針對兩個或多個分區重疊的各該重疊區域計算該重疊覆蓋誤差之步驟包括：針對各該分區，使用一第一趨勢線(trend line)，量測對應之該分區中的一第一失真量，以決定該重疊覆蓋誤差；其中，該第一趨勢線表示針對彎曲失真的多項式，將原始的處理參數中的每個原始座標轉換為修改後的處理參數中的修改座標。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中於針對兩個或多個分區重疊的各該重疊區域計算該重疊覆蓋誤差之步驟包括：在延伸進入一重疊區域中的一第一分區中，一相機掃描該層的一頂表面，其中該第一分區與一第二分區於該重疊區域重疊；在延伸進入該重疊區域中的該第二分區中，掃描該層的該頂表面； 藉由使用該第一趨勢線(trend line)量測該第一失真量，計算該第一分區的一第一分區覆蓋誤差(sectional overlay error)；藉由使用一第二趨勢線量測一第二失真量，計算該第二分區的一第二分區覆蓋誤差；以及平均該第一分區覆蓋誤差與該第二分區覆蓋誤差。
- 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中於回應於該決定之覆蓋誤差調整該些曝光參數之步驟包括：基於該重疊覆蓋誤差，位移該重疊區域中的各座標。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基板劃分成複數個分區。
- 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中於劃分該基板為該些分區之步驟包括：決定各該分區之一原點；以及使用各該分區之該原點，決各該分區之一中心。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中回應於該決定之覆蓋誤差調整該些曝光參數之步驟包括：基於該重疊覆蓋誤差，位移該重疊區域中的各座標。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中若一點係皆為一第一分區及一第二分區之一元素，該點係位在一重疊區域。
- 一種回應於一覆蓋誤差調整一基板的複數個曝光參數的方法，該方法包括： 決定該基板上之一層的一總覆蓋誤差，其中該基板包括複數個分區；以及回應於該總覆蓋誤差，調整該些曝光參數；其中，在決定該基板上之該層的該總覆誤差之步驟包括：針對兩個或多個分區重疊的各重疊區域，計算一重疊覆蓋誤差；其中，在決定該層的該總覆誤差之步驟更包括：針對各該分區，使用一第一趨勢線，量測對應之該分區中的一第一失真量，以決定該重疊覆蓋誤差；其中，該第一趨勢線表示針對彎曲失真的多項式，將原始的處理參數中的每個原始座標轉換為修改後的處理參數中的修改座標。
- 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中在決定該層的該總覆誤差之步驟更包括：針對各該分區，計算一分區覆蓋誤差。
- 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中在針對各該分區計算該分區覆蓋誤差之步驟包括：一相機掃描該層的一頂表面。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中在回應該總覆蓋誤差調整該些曝光參數之步驟包括：基於該所計算之分區覆蓋誤差，位移該分區的各座標。
- 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中於針對兩個或多個分區重疊的各該重疊區域計算該總覆蓋誤差之步驟包括：在延伸進入一重疊區域中的一第一分區中，一相機掃描該層的一頂表面，其中該第一分區與一第二分區於該重疊區域重疊；在延伸進入該重疊區域中的該第二分區中，掃描該層的該頂表面；藉由使用該第一趨勢線量測該第一失真量，計算該第一分區的一第一分區覆蓋誤差；藉由使用一第二趨勢線量測一第二失真量，計算該第二分區的一第二分區覆蓋誤差；以及平均該第一分區覆蓋誤差與該第二分區覆蓋誤差。
- 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中回應於該總覆蓋誤差調整該些曝光參數之步驟包括：基於該重疊覆蓋誤差，位移該重疊區域中的各座標。
- 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中若一點係皆為一第一分區及一第二分區之一元素，該點係位在一重疊區域。
- 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該基板劃分成複數個分區。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中於劃分該基板為該些分區之步驟包括： 決定各該分區之一原點；以及使用各該分區之該原點，決各該分區之一中心。
- 一種電腦系統，用於回應於一覆蓋誤差調整一基板的複數個曝光參數，包括：一處理器；以及一記憶體，儲存複數個指令，以在被該處理器執行時使得該電腦系統：決定該基板上之一層的一總覆蓋誤差，其中該基板包括複數個分區；及回應於該總覆蓋誤差，調整該些曝光參數；其中，該些指令操作在：當該電腦系統決定該基板上之該層之該總覆蓋誤差時，使該電腦系統針對兩個或多個分區重疊的各重疊區域，計算一重疊覆蓋誤差；其中，該些指令操作在：當該電腦系統針對兩個或多個分區重疊的各重疊區域計算該重疊覆蓋誤差時，使該電腦系統：針對各該分區，使用一第一趨勢線，量測對應之該分區中的一第一失真量，以決定該重疊覆蓋誤差；其中，該第一趨勢線表示針對彎曲失真的多項式，將原始的處理參數中的每個原始座標轉換為修改後的處理參數中的修改座標。
- 如申請專利範圍第17項所述之電腦系統，其中該些指令操作在：當該電腦系統針對兩個或多個分區重疊的各重疊區域計算該重疊覆蓋誤差時，使該電腦系統：在延伸進入該重疊區域中的一第一分區中，一相機掃描該層的一頂表面；在延伸進入該重疊區域中的該第二分區中，掃描該層的該頂表面；藉由使用該第一趨勢線量測該第一失真量，計算該第一分區的一第一分區覆蓋誤差；藉由使用一第二趨勢線量測一第二失真量，計算該第二分區的一第二分區覆蓋誤差；以及平均該第一分區覆蓋誤差與該第二分區覆蓋誤差。
- 如申請專利範圍第17項所述之電腦系統，其中該些指令操作在：當該電腦系統針對兩個或多個分區重疊的各重疊區域計算該重疊覆蓋誤差時，使該電腦系統：基於該重疊覆蓋誤差，位移該重疊區域中的各座標。
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| EP3627228A1 (en) * | 2017-09-28 | 2020-03-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic method |
| US11860549B2 (en) * | 2018-06-19 | 2024-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses |
| CN109920751A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-06-21 | 长江存储科技有限责任公司 | 利用光刻曝光补偿修正晶圆键合对准偏差的方法及系统 |
| CN112712478B (zh) * | 2020-12-22 | 2022-11-08 | 安徽地势坤光电科技有限公司 | 一种数字微镜工作角度误差的修正方法及设备 |
| KR20220099005A (ko) | 2021-01-05 | 2022-07-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
| US11774863B2 (en) * | 2021-10-21 | 2023-10-03 | Kla Corporation | Induced displacements for improved overlay error metrology |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102272678A (zh) * | 2008-12-30 | 2011-12-07 | Asml荷兰有限公司 | 检验方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和器件制造方法 |
| JP2015012258A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、それらを用いたデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004265957A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-24 | Nikon Corp | 最適位置検出式の検出方法、位置合わせ方法、露光方法、デバイス製造方法及びデバイス |
| JP2007096069A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、重ね合わせ精度計測方法、露光方法、位置合わせ装置、露光装置、及び重ね合わせ精度計測装置 |
| TW200745771A (en) * | 2006-02-17 | 2007-12-16 | Nikon Corp | Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium |
| US7842442B2 (en) * | 2006-08-31 | 2010-11-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for reducing overlay errors within exposure fields by APC control strategies |
| US8248579B2 (en) | 2006-12-01 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device for correcting overlay errors between overlapping patterns |
| US20090042139A1 (en) * | 2007-04-10 | 2009-02-12 | Nikon Corporation | Exposure method and electronic device manufacturing method |
| US20090073448A1 (en) | 2007-09-18 | 2009-03-19 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring the overlay error, an inspection apparatus and a lithographic apparatus |
| US8395752B2 (en) * | 2008-09-23 | 2013-03-12 | Pinebrook Imaging Technology, Ltd. | Optical imaging writer system |
| JP5133193B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2013-01-30 | 株式会社目白プレシジョン | 投影露光装置 |
| JP5448240B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2014-03-19 | 株式会社ニコン | 表示素子の製造装置 |
| US8559001B2 (en) * | 2010-01-11 | 2013-10-15 | Kla-Tencor Corporation | Inspection guided overlay metrology |
| JP2012004564A (ja) * | 2010-06-11 | 2012-01-05 | Nikon Corp | 露光方法、露光装置、デバイス製造方法 |
| US9928867B2 (en) * | 2011-01-31 | 2018-03-27 | Seagate Technology Llc | Templates for patterned media |
| US8440372B2 (en) * | 2011-02-03 | 2013-05-14 | Micrel, Inc. | Single field zero mask for increased alignment accuracy in field stitching |
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| CN103365124B (zh) * | 2012-03-31 | 2015-01-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 曝光对准方法 |
| KR101649812B1 (ko) | 2012-06-04 | 2016-09-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 광 투사 어레이 노출 시스템 |
| JP2013254849A (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Nikon Corp | パターン形成最適化方法及びシステム、露光方法及び装置、検出装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP6085433B2 (ja) * | 2012-08-14 | 2017-02-22 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法 |
| JP5813603B2 (ja) * | 2012-09-04 | 2015-11-17 | 株式会社東芝 | インプリント装置およびインプリント方法 |
| JP2014167963A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Toshiba Corp | 静電チャック、レチクル、および静電チャック方法 |
| JP2014178536A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画データ生成方法、描画方法、描画データ生成装置、および描画装置 |
| EP3061120A4 (en) * | 2013-10-22 | 2017-06-28 | Applied Materials, Inc. | Roll to roll mask-less lithography with active alignment |
| US10152654B2 (en) | 2014-02-20 | 2018-12-11 | Kla-Tencor Corporation | Signal response metrology for image based overlay measurements |
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| CN106463348B (zh) * | 2014-06-13 | 2020-10-23 | 英特尔公司 | 用于电子束吞吐量的数据压缩 |
| US9645496B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-05-09 | David A. Markle | Maskless digital lithography systems and methods with image motion compensation |
| US10146141B2 (en) * | 2014-08-28 | 2018-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography process and system with enhanced overlay quality |
| JP6343524B2 (ja) * | 2014-08-28 | 2018-06-13 | 株式会社オーク製作所 | 投影露光装置 |
| NL2015776A (en) * | 2014-12-12 | 2016-09-20 | Asml Netherlands Bv | Methods and apparatus for calculating substrate model parameters and controlling lithographic processing. |
| JP2017090817A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、及び物品の製造方法 |
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Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2015012258A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、それらを用いたデバイスの製造方法 |
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