TWI824839B - 電波反射板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種光透過性優異之電波反射板。 電波反射板包含：複數個個別區域，其等排列成矩陣狀，且各個前述個別區域具有第1區域及前述第1區域以外之一個以上之第2區域；連接區域，其位於前述複數個個別區域之間隙，具有格子狀之形狀，與前述複數個個別區域相連；第1基板，其具有複數個貼片電極，且各個貼片電極位於前述複數個個別區域中對應之一個個別區域之前述第1區域；第2基板，其具有共通電極，且前述共通電極位於前述各個個別區域之前述第1區域及前述連接區域，與前述複數個貼片電極對向；及液晶層，其被保持於前述第1基板與前述第2基板之間，與前述複數個貼片電極對向。

Description

電波反射板
本發明之實施形態係關於一種電波反射板。
業界進行可利用液晶來控制電波之反射方向之電波反射板之研究。在該電波反射板中，具有反射電極之反射控制部一維(或二維)地排列。在電波反射板中，需要調整液晶之介電常數，使得反射之電波之相位差在相鄰之反射控制部間成為一定。
本實施形態提供一種在光透過性上優異之電波反射板。
一實施形態之電波反射板包含： 複數個個別區域，其等係沿著相互正交之X軸及Y軸各者矩陣狀排列者，且各個前述個別區域具有第1區域及前述第1區域以外之一個以上之第2區域； 連接區域，其位於前述複數個個別區域之間隙，具有格子狀之形狀，與前述複數個個別區域相連； 第1基板，其係具有複數個貼片電極者，且各個貼片電極位於前述複數個個別區域中之對應之一個個別區域之前述第1區域； 第2基板，其係具有共通電極者，且前述共通電極位於前述各個個別區域之前述第1區域及前述連接區域，在平行於與前述X軸及前述Y軸各者正交之Z軸之方向上與前述複數個貼片電極對向；及 液晶層，其保持於前述第1基板與前述第2基板之間，與前述複數個貼片電極對向。
以下，對於本發明之各實施形態一面參照圖式一面進行說明。再者，揭示終極而言僅為一例，關於本領域技術人員針對保持發明之主旨之適當變更可容易地想到者，當然包含於本發明之範圍內。又，圖式為使說明更加明確，與實際態樣相較雖存在將各部分之寬度、厚度、形狀等示意性地顯示之情形，但其終極而言僅為一例，並非限定本發明之解釋者。又，在本說明書及各圖中，存在對於與已出現之圖中所描述之要件同樣之要件、賦予相同之符號，且適宜省略其詳細之說明之情形。
(第1實施形態) 首先，對於第1實施形態進行說明。圖1係顯示本第1實施形態之電波反射板RE之剖視圖。電波反射板RE可發射電波，作為用於電波之中繼裝置發揮功能。
如圖1所示般，電波反射板RE包含第1基板SUB1、第2基板SUB2、及液晶層LC。第1基板SUB1具有：電氣絕緣性之基材1、複數個貼片電極PE、及配向膜AL1。基材1形成為平板狀，沿著包含相互正交之X軸及Y軸之X-Y平面延伸。配向膜AL1覆蓋複數個貼片電極PE。
第2基板SUB2在第1基板SUB1空開特定之間隙而對向配置。第2基板SUB2具有：電氣絕緣性之基材2、共通電極CE、及配向膜AL2。基材2形成為平板狀，沿著X-Y平面延伸。共通電極CE在平行於與X軸及Y軸各者正交之Z軸之方向上與複數個貼片電極PE對向。配向膜AL2覆蓋共通電極CE。在本實施形態中，配向膜AL1及配向膜AL2分別為水平配向膜。
第1基板SUB1及第2基板SUB2藉由配置於各者之周緣部之密封材SE接合。液晶層LC設置於由第1基板SUB1、第2基板SUB2、及密封材SE包圍之空間。液晶層LC保持於第1基板SUB1與第2基板SUB2之間。液晶層LC之一者與複數個貼片電極PE對向，另一者與共通電極CE對向。
此處，將液晶層LC之厚度(單元間隙)設為d l。厚度d l大於通常之液晶顯示面板之液晶層之厚度。在本實施形態中，厚度d l為50 μm。惟，若可將電波之反射相位充分地調整，則厚度d l亦可未達50 μm。或者，為了擴大電波之反射角，而厚度d l亦可超過50 μm。使用於電波反射板RE之液晶層LC之液晶材料，與使用於通常之液晶顯示面板之液晶材料不同。
在共通電極CE施加有共通電壓，共通電極CE之電位被固定。在本實施形態中，共通電壓為0 V。於貼片電極PE亦施加有電壓。在本實施形態中，貼片電極PE被交流驅動。液晶層LC藉由所謂之縱向電場驅動。藉由施加於貼片電極PE與共通電極CE之間之電壓作用於液晶層LC，而液晶層LC之介電常數變化。
若液晶層LC之介電常數變化，則液晶層LC之電波之傳播速度亦變化。因此，藉由調整作用於液晶層LC之電壓，而可調整電波之反射相位。進而，可調整電波之反射方向。在本實施形態中，作用於液晶層LC之電壓之絕對值為10 V以下。此係緣於在10 V下液晶層LC之介電常數成為飽和狀態。惟，因根據液晶層LC之介電常數不同而成為其飽和狀態之電壓不同，故作用於液晶層LC之電壓之絕對值可超過10 V。例如，在追求液晶之應答速度之提高之情形下，亦可在使超過10 V之電壓作用於液晶層LC之後，使10 V以下之電壓作用於液晶層LC。
第1基板SUB1在與第2基板SUB2對向之側為相反側具有入射面Sa。再者，圖中，入射波w1係入射至電波反射板RE之電波，反射波w2係由電波反射板RE反射之電波。在本第1實施形態中，作為入射波w1之頻帶設想28 GHz。
接著，對於第1實施形態之複數個實施例進行說明。
(第1實施形態之實施例1) 首先，對於第1實施形態之實施例1進行說明。圖2係顯示本實施例1之電波反射板RE之平面圖。
如圖2所示般，複數個貼片電極PE沿著X軸及Y軸各者空開間隔地矩陣狀排列。在X-Y平面中，複數個貼片電極PE具有同一形狀及同一尺寸。
複數個貼片電極PE沿著X軸等間隔排列，且沿著Y軸等間隔排列。複數個貼片電極PE包含於沿著Y軸延伸且沿著X軸排列之複數個貼片電極群GP。複數個貼片電極群GP具有第1貼片電極群GP1至第8貼片電極群GP8。
第1貼片電極群GP1具有複數個第1貼片電極PE1，第2貼片電極群GP2具有複數個第2貼片電極PE2，第3貼片電極群GP3具有複數個第3貼片電極PE3，第4貼片電極群GP4具有複數個第4貼片電極PE4，第5貼片電極群GP5具有複數個第5貼片電極PE5，第6貼片電極群GP6具有複數個第6貼片電極PE6，第7貼片電極群GP7具有複數個第7貼片電極PE7，第8貼片電極群GP8具有複數個第8貼片電極PE8。例如，第2貼片電極PE2在沿著X軸之方向上，位於第1貼片電極PE1與第3貼片電極PE3之間。
各個貼片電極群GP包含複數個貼片電極PE，其等沿著Y軸排列且相互電性連接。在本實施例1中，各個貼片電極群GP之複數個貼片電極PE藉由連接配線L而電性連接。再者，第1基板SUB1具有沿著Y軸延伸、沿著X軸排列之複數條連接配線L。連接配線L延伸至基材1中之不與第2基板SUB2對向之區域。再者，與本實施例1不同，複數條連接配線L可與複數個貼片電極PE一對一地連接。
在本實施例1中，沿著Y軸排列之複數個貼片電極PE、與連接配線L係由同一導體一體地形成。再者，複數個貼片電極PE、與連接配線L可藉由互不相同之導體形成。貼片電極PE、連接配線L、及上述共通電極CE係由金屬、或基於金屬之導體形成。連接配線L可連接於未圖示之外引線焊接(OLB)之墊。
連接配線L為細線，連接配線L之寬度與後述之長度Px1相比充分小。連接配線L之寬度為數μm，且為μm等級。在本實施例1中，連接配線L之寬度為5 μm。追求對於連接配線L充分傳遞有賦予貼片電極PE之控制信號(電壓)之導電性，但若連接配線L之寬度寬則導致反射波w2之反射率之下降。連接配線L之寬度理想的是儘量窄。在使用光微影術法形成連接配線L時，連接配線L之寬度理想的是減小至界限，例如1至2 μm。又，若過分增大連接配線L之寬度，則因電波之頻率成分之感度變化，故不令人滿意。
密封材SE配置於第1基板SUB1與第2基板SUB2對向之區域之周緣部(四角框狀之周邊區域PA)。
圖2顯示在沿著X軸之方向及沿著Y軸之方向分別排列8個貼片電極PE之例。惟，貼片電極PE之個數可進行各種變化。舉例而言，貼片電極PE可於沿著X軸之方向排列100個，沿著Y軸之方向排列複數個(例如100個)。電波反射板RE(第1基板SUB1)之沿著X軸之方向之長度例如為40至80 cm。
圖3係顯示上述實施例1之電波反射板之一部分之放大平面圖，且係顯示複數個個別區域IA、連接區域CA、及周邊區域PA之圖。
如圖3所示般，第1基板SUB1與第2基板SUB2對向之區域包含複數個個別區域IA、連接區域CA、及周邊區域PA。複數個個別區域IA及連接區域CA係由周邊區域PA包圍之區域。
複數個個別區域IA沿著X軸及Y軸各者矩陣狀排列。各個個別區域IA具有第1區域A1、及第1區域A1以外之一個以上之第2區域A2。連接區域CA位於複數個個別區域IA之間隙，具有格子狀之形狀，與複數個個別區域IA相連。
詳細而言，第1區域A1係框狀之區域，具有正方形之外周緣、及正方形之內周緣。在第1區域A1內，上述外周緣之重心與上述內周緣之重心在俯視下相同。各個個別區域IA具有一個第2區域A2。第2區域A2係由第1區域A1包圍之區域，具有正方形之形狀。
個別區域IA在沿著X軸之方向具有長度Px1，在沿著Y軸之方向具有長度Py1。連接區域CA中之在沿著X軸之方向相鄰之一對個別區域IA之間之區域，在沿著X軸之方向具有長度Px2。連接區域CA中之在沿著Y軸之方向相鄰之一對個別區域IA之間之區域，在沿著Y軸之方向具有長度Py2。
第1區域A1在沿著X軸之方向分別具有長度Pxa，在沿著Y軸之方向分別具有長度Pya。長度Pxa相當於在第1區域A1之中沿著X軸之方向與第2區域A2相鄰、在沿著Y軸之方向伸出之各個區域中，相互對向之外周緣與內周緣之間之距離。長度Pya相當於在第1區域A1中之在沿著Y軸之方向與第2區域A2相鄰、在沿著X軸之方向伸出之各個區域中，相互對向之外周緣與內周緣之間之距離。第2區域A2在沿著X軸之方向分別具有長度Pxb，在沿著Y軸之方向分別具有長度Pyb。
在本實施例1中，長度Pxa及長度Pya分別為250 μm(Pxa=Pya=250 μm)、長度Pxb及長度Pyb分別為1000 μm(Pxb=Pyb=1000 μm)。根據上述可知，長度Px1及長度Py1分別為1.50 mm (Px1=Py1=1.50 mm)。
又，長度Px2及長度Py2分別為50 μm(Px2=Py2=50 μm)。複數個個別區域IA在沿著X軸之方向以第1節距排列，在沿著Y軸之方向以第2節距排列。在本實施例1中，第1節距及第2節距分別為1.55 mm。
圖4係顯示本實施例1之複數個貼片電極PE及複數條連接配線L之放大平面圖。
如圖4所示般，各個貼片電極PE具有框狀之形狀，位於複數個個別區域IA中之對應之一個個別區域IA之第1區域A1。在本實施例1中，各個貼片電極PE位於對應之一個個別區域IA之第1區域A1之整體，不位於第2區域A2。貼片電極PE在第2區域A2具有第1開口OP1。再者，在周邊區域PA之內側之區域，連接配線L位於連接區域CA。
各個貼片電極PE之形狀在俯視下為90°旋轉對稱。貼片電極PE之形狀之輪廓為正方形。再者，貼片電極PE(個別區域IA)之形狀之輪廓並不限定於本實施例1之正方形，理想的是正方形、正圓等形狀。若關注貼片電極PE之外形，則理想的是縱橫之縱橫比為1：1之形狀。這是因為若要對應於橫偏波及縱偏波，90°旋轉對稱構造較為理想的緣故。
圖5係顯示本實施例1之共通電極CE之一部分之放大平面圖。如圖5所示般，共通電極CE位於複數個個別區域IA、連接區域CA、及周邊區域PA，且連續地設置於複數個個別區域IA、連接區域CA、及周邊區域PA。在本實施例1中，共通電極CE位於連接區域CA之整體。共通電極CE中位於各個個別區域IA之部分具有框狀之形狀，位於第1區域A1之整體，未位於第2區域A2。共通電極CE中位於各個個別區域IA之部分，在第2區域A2具有第2開口OP2。
共通電極CE中位於各個個別區域IA之部分之形狀在俯視下為90°旋轉對稱。在本實施例1中，共通電極CE中位於各個個別區域IA之部分之形狀之輪廓為正方形。再者，共通電極CE中位於各個個別區域IA之部分之形狀之輪廓並不限定於本實施例1之正方形。例如，貼片電極PE(個別區域IA)之形狀之輪廓為正圓時，只要共通電極CE中位於各個個別區域IA之部分之形狀之輪廓亦為正圓即可。
又，關於共通電極CE中位於各個個別區域IA之部分之形狀亦然，縱橫之縱橫比為1：1之形狀較為理想。
如圖3至圖5所示般，如上述般，各個貼片電極PE及共通電極CE中位於各個個別區域IA之部分各者之形狀，在俯視下為90°旋轉對稱較為理想。共通電極CE中位於各個個別區域IA之部分之形狀，與各個貼片電極PE之形狀相同較為理想。共通電極CE中位於各個個別區域IA之部分，在俯視下與複數個貼片電極PE中對應之一個貼片電極PE重疊較為理想。
在本實施例1中，貼片電極PE、連接配線L、及共通電極CE作為金屬，各自例如由TAT形成，具有遮光性。上述TAT具有三層積層構造(Ti系/Al系/Ti系)，且具有：下層，其由Ti(鈦)、及包含Ti之合金等以Ti為主成分之金屬材料構成；中間層，其由Al(鋁)、及包含Al之合金等以Al為主成分之金屬材料構成；及上層，其由Ti、及包含Ti之合金等以Ti為主成分之金屬材料構成。在周邊區域PA之內側，複數個貼片電極PE及共通電極CE之允許光(可見光)之透過之區域係複數個第2區域A2，換言之，貼片電極PE之第1開口OP1與共通電極CE之第2開口OP2係分別重疊之複數個第1光透過區域。
在本實施例1之各個個別區域IA中，開口率實質上為44%。
共通電極CE中之位於複數個個別區域IA之複數個部分只要相互電性連接即可。因此，共通電極CE可不位於連接區域CA之整體，可於連接區域CA具有複數個第3開口。該情形下，在周邊區域PA之內側，複數個貼片電極PE及共通電極CE之允許光之透過之區域，係上述複數個第1光透過區域、及與複數個第3開口重疊之複數個第2光透過區域。
圖6係顯示本實施例1之電波反射板RE之一部分之放大剖視圖，且係顯示單一之反射控制部RH之圖。在圖6中，省略基材1等之圖示。
如圖6所示般，液晶層LC之厚度d l(單元間隙)藉由複數個間隔件SS保持。在本實施例1中，間隔件SS係柱狀間隔件，形成於第2基板SUB2，向第1基板SUB1側突出。
間隔件SS之與X軸平行之方向之剖面直徑為10至20 μm。相對於貼片電極PE之與X軸平行之方向之長度及貼片電極PE之與Y軸平行之方向之長度分別為mm等級，間隔件SS之X方向之剖面直徑為μm等級。因此，無論是否為與貼片電極PE對向之區域，需要存在複數個間隔件SS。又，個別區域IA中之存在複數個間隔件SS之區域之比例為1%左右。
因此，即便在第1區域A1存在間隔件SS，但間隔件SS對反射波w2帶來之影響較小。再者，間隔件SS亦可形成於第1基板SUB1、向第2基板SUB2側突出。或者，間隔件SS亦可為球狀間隔件。
電波反射板RE具備複數個反射控制部RH。各個反射控制部RH具有：複數個貼片電極PE中之一個貼片電極PE、共通電極CE中之與上述一個貼片電極PE對向之部分、及液晶層LC中之存在於個別區域IA之區域。再者，在各個反射控制部RH中，液晶層LC至少存在於第1區域A1之整體。
於在貼片電極PE與共通電極CE之間未施加電壓之狀態下，液晶層LC之第1區域A1之介電常數、與液晶層LC之第2區域A2之介電常數相同。於在貼片電極PE與共通電極CE之間施加有電壓時，液晶層LC之第2區域A2之介電常數實質上不變化，但液晶層LC之第1區域A1之介電常數變化。再者，液晶層LC之第1區域A1之介電常數與施加於貼片電極PE與共通電極CE之間之電壓成比例。因此，於在貼片電極PE與共通電極CE之間施加有電壓之狀態下，液晶層LC之第1區域A1之介電常數、與液晶層LC之第2區域A2之介電常數互不相同。
圖7係顯示本實施例1之電波反射板RE之一部分之放大剖視圖，且係顯示複數個反射控制部RH之圖。在圖7中，省略間隔件SS等之圖示。
如圖7所示般，各個反射控制部RH如下般發揮功能：相應於施加於貼片電極PE之電壓而調整自入射面Sa側入射之電波(入射波w1)之相位，使電波向入射面Sa側反射，成為反射波w2。在各個反射控制部RH中，反射波w2係由貼片電極PE反射之電波與由共通電極CE反射之電波之合成波。
在沿著X軸之方向上，貼片電極PE等間隔地排列。將相鄰之貼片電極PE間之長度設為d k。長度d k相當於自一個貼片電極PE之幾何學中心至相鄰之貼片電極PE之幾何學中心之距離。在本實施例1中，對於將反射波w2設為在第1反射方向d1上同相位者進行說明。在圖7之X-Z平面中，第1反射方向d1係在與Z軸之間形成第1角度θ1之方向。第1反射方向d1與X-Z平面平行。
由複數個反射控制部RH反射之電波為了在第1反射方向d1上將相位一致，只要電波之相位在直線狀之兩點鏈線上一致即可。例如，只要點Q1b處之反射波w2之相位、與點Q2a處之反射波w2之相位一致即可。第1貼片電極PE1之點Q1a至點Q1b之實體直線距離為d k×sinθ1。因此，若關注第1反射控制部RH1與第2反射控制部RH2，則只要將來自第2反射控制部RH2之反射波w2之相位與來自第1反射控制部RH1之反射波w2之相位相比延遲相位量δ1即可。此處，相位量δ1藉由如下之式表示。 δ1=d k×sinθ1×2π/λ
接著，對於電波反射板RE之驅動方法進行說明。圖8係顯示在本實施例1之電波反射板RE之驅動方法中，就每一期間施加於貼片電極PE之電壓之變化之時序圖。在圖8中，顯示電波反射板RE之驅動期間中之第1期間Pd1至第5期間Pd5。
如圖7及圖8所示般，若電波反射板RE之驅動開始，則在第1期間Pd1，以由複數個反射控制部RH反射之電波在第1反射方向d1上成為同相位之方式對複數個貼片電極PE施加電壓V。例如，對第1貼片電極PE1施加第1電壓V1，對第2貼片電極PE2施加第2電壓V2，對第3貼片電極PE3施加第3電壓V3，對第4貼片電極PE4施加第4電壓V4。施加於各個貼片電極PE之電壓V之絕對值遍及所有期間Pd相同。
若以共通電極CE之電位為基準，則施加於各個貼片電極PE之電壓之極性定期反轉。例如，貼片電極PE係在60 Hz之驅動頻率下被驅動。如上述般，貼片電極PE被交流驅動。
即便期間Pd變為其他期間Pd，仍維持由一個反射控制部RH向第1反射方向d1反射之電波、與由相鄰之反射控制部RH向第1反射方向d1反射之電波之相位量δ1。在本實施形態中，相位量δ1為30°。因此，對由包含第1貼片電極PE1之第1反射控制部RH1向第1反射方向d1反射之電波、與由包含第8貼片電極PE8之第8反射控制部RH8向第1反射方向d1反射之電波之間賦予210°之相位差。
在本實施例1中，電波反射板RE可對由一個反射控制部RH向第1反射方向d1反射之電波、與由其他反射控制部RH向第1反射方向d1反射之電波之間賦予最大240°之相位差。
又，在本實施例1之電波反射板RE中，對於反射波之振幅之衰減量進行了調査。經調査，反射波之振幅之衰減量被抑制，最大為-9 dB。再者，在由電波反射板RE對電波進行全反射時為0 dB。
(第1實施形態之實施例2) 接著，對於第1實施形態之實施例2進行說明。圖9係顯示本實施例2之電波反射板RE之一部分之放大平面圖，且係顯示複數個個別區域IA、連接區域CA、及周邊區域PA之圖。
如圖9所示般，本實施例2之電波反射板RE在第1區域A1之形狀及尺寸、以及第2區域A2之形狀、尺寸、及個數各者上，與上述實施例1不同。
第1區域A1係方形格子狀之區域，具有：框狀區域A1a、及由框狀區域A1a包圍且與框狀區域A1a相連之格子狀區域A1b。框狀區域A1a具有正方形之外周緣、及正方形之內周緣。在框狀區域A1a，上述外周緣之重心、與上述內周緣之重心在俯視下相同。
格子狀區域A1b具有複數個第1線狀區域A1c、及複數個第2線狀區域A1d。複數個第1線狀區域A1c在與X軸平行之方向上伸出，在與Y軸平行之方向上空開間隔地排列。複數個第2線狀區域A1d在與Y軸平行之方向上伸出，在與X軸平行之方向上空開間隔地排列，與複數個第1線狀區域A1c交叉。
各個個別區域IA具有複數個第2區域A2。複數個第2區域A2係由框狀區域A1a、複數個第1線狀區域A1c、及複數個第2線狀區域A1d包圍之區域，分別具有正方形之形狀。
框狀區域A1a在沿著X軸之方向上分別具有長度Pxa1，在沿著Y軸之方向上分別具有長度Pya1。長度Pxa1相當於在框狀區域A1a中之在沿著Y軸之方向伸出之各個區域中，相互對向之外周緣與內周緣之間之距離。長度Pya1相當於在框狀區域A1a中之沿著X軸之方向伸出之各個區域中，相互對向之外周緣與內周緣之間之距離。
各個第2線狀區域A1d在沿著X軸之方向上具有長度Pxa2，各個第1線狀區域A1c在沿著Y軸之方向上具有長度Pya2。
各個第2區域A2在沿著X軸之方向上分別具有長度Pxb1，在沿著Y軸之方向分別具有長度Pyb1。
在本實施例2中，長度Pxa1及長度Pya1分別為50 μm(Pxa1=Pya1=50 μm)。再者，長度Pxa1、Pya1彼此相同，例如可在50至70 μm之範圍內選擇。長度Pxa2及長度Pya2分別為25 μm(Pxa2=Pya2=25 μm)。長度Pxb1及長度Pyb1分別為50 μm(Pxb1=Pyb1=50 μm)。長度Px1及長度Py1分別為2.45 mm(Px1=Py1=2.45 mm)。
又，長度Px2及長度Py2分別為50 μm(Px2=Py2=50 μm)。複數個個別區域IA在沿著X軸之方向以第1節距排列，在沿著Y軸之方向以第2節距排列。在本實施例2中，第1節距及第2節距分別為2.5 mm。
再者，在圖9中，為了容易理解各個個別區域IA內之區域，方便起見，在各個個別區域IA顯示5個第1線狀區域A1c及5個第2線狀區域A1d。惟，如根據上述尺寸之值可知般，實際上各個個別區域IA具有超過5個之第1線狀區域A1c及超過5個之第2線狀區域A1d。
圖10係顯示本實施例2之複數個貼片電極PE及複數條連接配線L之放大平面圖。
如圖10所示般，各個貼片電極PE具有方形格子狀之形狀，位於複數個個別區域IA中之對應之一個個別區域IA之第1區域A1。在本實施例2中，各個貼片電極PE位於對應之一個個別區域IA之第1區域A1之整體，不位於複數個第2區域A2。貼片電極PE在各個第2區域A2具有第1開口OP1。再者，在周邊區域PA之內側之區域，連接配線L位於連接區域CA。
如圖10及圖9所示般，各個貼片電極PE具有第1框狀電極PEa、複數個第1線狀電極PEb、及複數個第2線狀電極PEc。第1框狀電極PEa位於框狀區域A1a，具有框狀之形狀。複數個第1線狀電極PEb在複數個第1線狀區域A1c一對一地位在，在與X軸平行之方向上伸出。複數個第2線狀電極PEc在複數個第2線狀區域A1d一對一地位在，在與Y軸平行之方向上伸出，與複數個第1線狀電極PEb交叉，與第1框狀電極PEa及複數個第1線狀電極PEb一體地形成。
各個貼片電極PE之形狀在俯視下為90°旋轉對稱。貼片電極PE之形狀之輪廓為正方形。
圖11係顯示本實施例2之共通電極CE之一部分之放大平面圖。如圖11所示般，共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分具有方形格子狀之形狀，位於第1區域A1之整體，不位於第2區域A2。共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分，在各個第2區域A2具有第2開口OP2。
如圖11及圖9所示般，共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分具有：第2框狀電極CEa、複數個第3線狀電極CEb、及複數個第4線狀電極CEc。第2框狀電極CEa位於框狀區域A1a，與第1框狀電極PEa並行地伸出。複數個第3線狀電極CEb在複數個第1線狀區域A1c一對一地位在，與複數個第1線狀電極PEb並行地伸出。複數個第4線狀電極CEc在複數個第2線狀區域A1d一對一地位在，與複數個第2線狀電極PEc並行地伸出，與複數個第3線狀電極CEb交叉，與第2框狀電極CEa及複數個第3線狀電極CEb一體地形成。
共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分之形狀在俯視下為90°旋轉對稱。在本實施例2中，共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分之形狀之輪廓為正方形。
如圖9至圖11所示般，在周邊區域PA之內側，複數個貼片電極PE及共通電極CE之允許光(可見光)之透過之區域係複數個第2區域A2，換言之，貼片電極PE之複數個第1開口OP1與共通電極CE之複數個第2開口OP2係分別重疊之複數個第1光透過區域。
在本實施例2之各個個別區域IA中，開口率實質上為40%。
在本實施例2中，電波反射板RE可對由一個反射控制部RH向第1反射方向d1反射之電波、與由其他反射控制部RH向第1反射方向d1反射之電波之間賦予最大290°之相位差。
又，在本實施例2之電波反射板RE中，對於反射波之振幅之衰減量進行了調査。經調査，反射波之振幅之衰減量被抑制，最大為-9 dB。
(第1實施形態之實施例3) 接著，對於第1實施形態之實施例3進行說明。本實施例3之電波反射板RE在個別區域IA之形狀及尺寸上與上述實施例2不同。
如圖9所示般，在本實施例3中，長度Pxa1及長度Pya1分別為50 μm(Pxa1=Pya1=50 μm)。再者，長度Pxa1、Pya1彼此相同，例如可在50至70 μm之範圍內選擇。長度Pxa2及長度Pya2分別為30 μm(Pxa2=Pya2=30 μm)。長度Pxb1及長度Pyb1分別為150 μm(Pxb1=Pyb1=150 μm)。長度Px1及長度Py1分別為2.15 mm(Px1=Py1=2.15 mm)。
又，長度Px2及長度Py2分別為50 μm(Px2=Py2=50 μm)。複數個個別區域IA在沿著X軸之方向以第1節距排列，在沿著Y軸之方向以第2節距排列。在本實施例3中，第1節距及第2節距分別為2.2 mm。
在本實施例3之各個個別區域IA中，開口率實質上為60%。
在本實施例3中，電波反射板RE可對由一個反射控制部RH向第1反射方向d1反射之電波、與由其他反射控制部RH向第1反射方向d1反射之電波之間賦予最大270°之相位差。
又，在本實施例3之電波反射板RE中，對於反射波之振幅之衰減量進行了調査。經調査，反射波之振幅之衰減量被抑制，最大為-9 dB。
(第1實施形態之實施例4) 接著，對於第1實施形態之實施例4進行說明。本實施例4之電波反射板RE在個別區域IA之形狀及尺寸上與上述實施例2不同。
如圖9所示般，在本實施例4中，長度Pxa1及長度Pya1分別為50 μm(Pxa1=Pya1=50 μm)。再者，長度Pxa1、Pya1彼此相同，例如可在50至70 μm之範圍內選擇。長度Pxa2及長度Pya2分別為25 μm(Pxa2=Pya2=25 μm)。長度Pxb1及長度Pyb1分別為25 μm(Pxb1=Pyb1=25 μm)。長度Px1及長度Py1分別為2.55 mm(Px1=Py1=2.55 mm)。
又，長度Px2及長度Py2分別為50 μm(Px2=Py2=50 μm)。複數個個別區域IA在沿著X軸之方向以第1節距排列，在沿著Y軸之方向以第2節距排列。在本實施例3中，第1節距及第2節距分別為2.6 mm。
在本實施例4之各個個別區域IA中，開口率實質上為23%。
在本實施例4中，電波反射板RE可對由一個反射控制部RH向第1反射方向d1反射之電波、與由其他反射控制部RH向第1反射方向d1反射之電波之間賦予最大180°之相位差。
又，在本實施例4之電波反射板RE中，對於反射波之振幅之衰減量進行了調査。經調査，反射波之振幅之衰減量被抑制，最大為-2.5 dB。
(第1實施形態之實施例5) 接著，對於第1實施形態之實施例5進行說明。圖12係顯示本實施例5之電波反射板RE之一部分之放大平面圖，且係顯示複數個個別區域IA、連接區域CA、及周邊區域PA之圖。
如圖12所示般，本實施例5之電波反射板RE在第1區域A1之形狀及尺寸、以及第2區域A2之形狀、尺寸、及個數各者上，與上述實施例1不同。第1區域A1係十字狀之區域，具有第1線狀區域A1c、與第2線狀區域A1d。第1線狀區域A1c在與X軸平行之方向上伸出。第2線狀區域A1d在與Y軸平行之方向上伸出，與第1線狀區域A1c交叉。
各個個別區域IA具有複數個第2區域A2。複數個第2區域A2係由第1區域A1及連接區域CA包圍之區域、或由第1區域A1、連接區域CA、及周邊區域PA包圍之區域，各自具有正方形之形狀。
第2線狀區域A1d在沿著X軸之方向上具有長度Pxa2，第1線狀區域A1c在沿著Y軸之方向上具有長度Pya2。
各個第2區域A2在沿著X軸之方向上各自具有長度Pxb1，在沿著Y軸之方向上各自具有長度Pyb1。
在本實施例5中，長度Pxa2及長度Pya2分別為1000 μm(Pxa2=Pya2=1000 μm)。長度Pxb1及長度Pyb1分別為1000 μm(Pxb1=Pyb1=1000 μm)。長度Px1及長度Py1分別為3.0 mm(Px1=Py1=3.0 mm)。
又，長度Px2及長度Py2分別為50 μm(Px2=Py2=50 μm)。複數個個別區域IA在沿著X軸之方向以第1節距排列，在沿著Y軸之方向以第2節距排列。在本實施例5中，第1節距及第2節距分別為3.05 mm。
圖13係顯示本實施例5之複數個貼片電極PE及複數條連接配線L之放大平面圖。
如圖13所示般，各個貼片電極PE具有十字狀之形狀，位於複數個個別區域IA中對應之一個個別區域IA之第1區域A1。在本實施例5中，各個貼片電極PE位於對應之一個個別區域IA之第1區域A1之整體，未位於複數個第2區域A2。
如圖13及圖12所示般，各個貼片電極PE具有第1線狀電極PEb、及第2線狀電極PEc。第1線狀電極PEb位於第1線狀區域A1c，在與X軸平行之方向上伸出。第2線狀電極PEc位於第2線狀區域A1d，在與Y軸平行之方向上伸出，與第1線狀電極PEb交叉，與第1線狀電極PEb一體地形成。
各個貼片電極PE之形狀在俯視下為90°旋轉對稱。
圖14係顯示本實施例5之共通電極CE之一部分之放大平面圖。如圖14所示般，共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分具有十字狀之形狀，位於第1區域A1之整體，不位於第2區域A2。
如圖14及圖12所示般，共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分具有第3線狀電極CEb、及第4線狀電極CEc。第3線狀電極CEb位於第1線狀區域A1c，與複數個第1線狀電極PEb並行地伸出。第4線狀電極CEc位於複數個第2線狀區域A1d，與第2線狀電極PEc並行地伸出，與第3線狀電極CEb交叉，與第3線狀電極CEb一體地形成。共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分之形狀在俯視下為90°旋轉對稱。
在本實施例5中，在與X軸平行之方向上排列之複數個第3線狀電極CEb在連接區域CA連接，一體地形成。在與Y軸平行之方向上排列之複數個第4線狀電極CEc在連接區域CA連接，一體地形成。
如圖12至圖14所示般，在周邊區域PA之內側，複數個貼片電極PE及共通電極CE之允許光(可見光)之透過之區域係複數個第2區域A2、及連接區域CA中之未形成共通電極CE之區域。換言之，係與複數個第2區域A2重疊之複數個第1光透過區域、及連接區域CA中之未形成共通電極CE之複數個第2光透過區域。
在本實施例5之各個個別區域IA中，開口率實質上為44%。
在本實施例5中，電波反射板RE可對由一個反射控制部RH向第1反射方向d1反射之電波、與由其他反射控制部RH向第1反射方向d1反射之電波之間賦予最大240°之相位差。
又，在本實施例5之電波反射板RE中，對於反射波之振幅之衰減量進行了調査。經調査，反射波之振幅之衰減量被抑制，最大為-9 dB。
根據如上述般構成之第1實施形態之電波反射板RE，電波反射板RE具備複數個反射控制部RH。5G(第5代移動通訊系統)所利用之28 GHz頻帶之電波之直進性強，故若有遮蔽物，則通訊環境惡化(覆蓋盲區)。因此，作為對策，可配置電波反射板RE而利用反射波w2。因電波反射板RE可控制反射波w2之方向，故可應對電波環境之變化。
各個反射控制部RH在個別區域IA中，具有允許光(可見光)之透過之區域。換言之，個別區域IA具有貼片電極PE及共通電極CE之兩者皆未形成之區域。電波反射板RE在第2區域A2中可透過可見光。在將電波反射板RE配置於環境時，可將電波反射板RE融入於景觀。例如，觀察電波反射板RE之人可透過電波反射板RE視認電波反射板RE之背景。
根據上述之情形，可獲得在光透過性上優異之電波反射板RE。
在將28 GHz設想為入射波w1之頻帶之情形下，個別區域IA中之貼片電極PE及共通電極CE各者之圖案並非為被特定者，可如上述實施例1至5例示地列舉般進行各種變化。例如，在上述實施例1至5中，複數個個別區域IA之節距為最小之實施例係上述實施例1。因此，上述實施例1在複數個反射控制部RH之高精細化上有利。
另一方面，在上述實施例1至5中，複數個個別區域IA之節距為最大之實施例係上述實施例5。因此，上述實施例5在電波反射板RE之大型化上有利。
(第1實施形態之變化例) 接著，對於第1實施形態之變化例進行說明。圖15係顯示本變化例之電波反射板RE之一部分之放大平面圖，且係顯示複數個個別區域IA、連接區域CA、及周邊區域PA之圖。
如圖15所示般，本變化例之電波反射板RE在第1區域A1之形狀、及第2區域A2之個數各者上，與上述實施例2不同。
第1區域A1具有框狀區域A1a、一個第1線狀區域A1c、及一個第2線狀區域A1d。複數個第2區域A2係由框狀區域A1a、第1線狀區域A1c、及第2線狀區域A1d包圍之區域，分別具有正方形之形狀。
圖16係顯示本變化例之複數個貼片電極PE及複數條連接配線L之放大平面圖。如圖16所示般，各個貼片電極PE位於複數個個別區域IA中之對應之一個個別區域IA之第1區域A1。在本變化例中，各個貼片電極PE位於對應之一個個別區域IA之框狀區域A1a之整體，位於第1線狀區域A1c之一部分，位於第2線狀區域A1d之一部分，不位於複數個第2區域A2。
如圖16及圖15所示般，各個貼片電極PE具有第1框狀電極PEa、複數個第1線狀電極PEb、及複數個第2線狀電極PEc。在本變化例中，各個貼片電極PE具有3個第1線狀電極PEb、及3個第2線狀電極PEc。
複數個第1線狀電極PEb位於第1線狀區域A1c，在與X軸平行之方向上伸出，在與Y軸平行之方向上空開間隔地排列。複數個第2線狀電極PEc位於第2線狀區域A1d，在與Y軸平行之方向上伸出，在與X軸平行之方向上空開間隔地排列，與複數個第1線狀電極PEb交叉，與第1框狀電極PEa及複數個第1線狀電極PEb一體地形成。
各個貼片電極PE之形狀在俯視下為90°旋轉對稱。貼片電極PE之形狀之輪廓為正方形。
圖17係顯示本變化例之共通電極CE之一部分之放大平面圖。如圖17所示般，共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分，位於框狀區域A1a之整體，位於第1線狀區域A1c之一部分，位於第2線狀區域A1d之一部分，不位於複數個第2區域A2。
如圖17及圖15所示般，共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分具有：第2框狀電極CEa、複數個第3線狀電極CEb、及複數個第4線狀電極CEc。在本變化例中，共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分具有3個第3線狀電極CEb、及3個第4線狀電極CEc。
複數個第3線狀電極CEb位於第1線狀區域A1c，與複數個第1線狀電極PEb並行地伸出。在俯視下，各個第3線狀電極CEb與對應之第1線狀電極PEb重疊。
複數個第4線狀電極CEc位於複數個第2線狀區域A1d，與複數個第2線狀電極PEc並行地伸出，與複數個第3線狀電極CEb交叉，與第2框狀電極CEa及複數個第3線狀電極CEb一體地形成。在俯視下，各個第4線狀電極CEc與對應之第2線狀電極PEc重疊。
共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分之形狀在俯視下為90°旋轉對稱。
如圖15至圖17所示般，在周邊區域PA之內側，複數個貼片電極PE及共通電極CE之容許光(可見光)之透過之區域係複數個第2區域A2、及各個第1區域A1中之未形成複數個第1線狀電極PEb、複數個第2線狀電極PEc、複數個第3線狀電極CEb、及複數個第4線狀電極CEc之區域。
在本變化例中，亦可獲得與上述第1實施形態相同之效果。
(第2實施形態) 接著，對於第2實施形態進行說明。電波反射板RE除了在本實施形態中說明之構成以外，與上述第1實施形態之實施例1相同地構成。圖18係顯示本實施形態之電波反射板RE之平面圖。圖中，對密封材SE賦予點圖案，對複數個貼片電極PE賦予斜線。
如圖18所示般，第1基板SUB1具有複數條信號配線SL、複數條控制配線GL、複數個開關元件SW、驅動電路DR、驅動電路DC、及複數條引線LE取代連接配線L及配線WL。
複數條信號配線SL沿著Y軸延伸，在沿著X軸之方向上排列。信號配線SL連接於驅動電路DC。複數條控制配線GL沿著X軸延伸，在沿著Y軸之方向上排列。信號配線SL及控制配線GL在由周邊區域PA包圍之區域延伸。驅動電路DR位於周邊區域PA。複數條控制配線GL連接於驅動電路DR。
開關元件SW設置於一條信號配線SL與一條控制配線GL之交叉部附近，電性連接於一條信號配線SL及一條控制配線GL。複數條引線LE之一者連接於驅動電路DR，另一者連接於OLB之墊p。引線LE亦可連接於驅動電路DC。
圖19係顯示本第2實施形態之電波反射板RE之一部分之放大剖視圖。如圖19所示般，在基材1之上，依序形成絕緣層11、絕緣層12、絕緣層13、絕緣層14、絕緣層15、絕緣層16、絕緣層17、及配向膜AL1。絕緣層11至17分別係無機絕緣層或有機絕緣層。在本實施形態中，絕緣層16係有機絕緣層，例如由樹脂形成。
絕緣層11至15及17分別係無機絕緣層。絕緣層11係由SiO(矽氧化物)形成。絕緣層12具有由SiN(矽氮化物)形成之下層、及由SiO形成之上層。絕緣層13係由SiO形成。絕緣層14係由SiN形成。絕緣層15係由SiO或SiN形成。絕緣層17係由SiN形成。
控制配線GL及導電層CO1設置於絕緣層11之上，係由絕緣層12覆蓋。在絕緣層12之上設置有半導體層SMC。半導體層SMC與控制配線GL重疊。半導體層SMC係由透明之半導體即氧化物半導體(OS)形成。作為氧化物半導體之代表性之例，例如，可舉出銦鎵鋅氧化物(InGaZnO)、銦鎵氧化物(InGaO)、銦鋅氧化物(InZnO)、鋅錫氧化物(ZnSnO)、鋅氧化物(ZnO)、透明非晶氧化物半導體(TAOS)等。惟，半導體層SMC並不限於氧化物半導體，亦可由非晶質矽或作為多晶矽之低溫多晶矽形成。
導電層CO2及連接配線層CL1設置於絕緣層12及半導體層SMC之上，被絕緣層13覆蓋。連接配線層CL1經由形成於絕緣層12之接觸孔與導電層CO1接觸。導電層CO2及連接配線層CL1與半導體層SMC接觸，電性連接。在半導體層SMC中之連接有導電層CO2之區域與連接有連接配線層CL1之區域中，一者為源極區域，另一者為汲極區域。而且，半導體層SMC在源極區域與汲極區域之間具有通道區域。
閘極電極GE設置於絕緣層13之上，由絕緣層14覆蓋。閘極電極GE電性連接於控制配線GL。閘極電極GE與半導體層SMC中之至少通道區域重疊。控制配線GL、半導體層SMC、閘極電極GE等構成作為TFT(薄膜電晶體)之開關元件SW。
控制配線GL中之與半導體層SMC重疊之區域，作為閘極電極發揮功能。因此，開關元件SW係雙閘極型之TFT。惟，開關元件SW亦可為底閘極型之TFT或頂閘極型之TFT。
導電層CO3及連接配線層CL2設置於絕緣層14之上，由絕緣層15覆蓋。導電層CO3經由形成於絕緣層14之接觸孔與閘極電極GE接觸。連接配線層CL2經由形成於絕緣層13、14之接觸孔與連接配線層CL1接觸。
絕緣層16及絕緣層17在絕緣層15之上依序設置。貼片電極PE設置於絕緣層17之上，由配向膜AL1覆蓋。貼片電極PE經由形成於絕緣層15、16、17之接觸孔與連接配線層CL2接觸。
在基材2中之與第1基板SUB1對向之側之面，依序設置共通電極CE及配向膜AL2。
控制配線GL、導電層CO1、CO2、CO3、連接配線層CL1、CL2、及閘極電極GE作為低電阻之導電材料由金屬形成。控制配線GL及閘極電極GE可由Mo(鉬)、W(鎢)、或該等之合金形成。連接配線層CL1、CL2可由TAT或MAM形成。
上述MAM具有三層積層構造(Mo系/Al系/Mo系)，具有：下層，其由Mo、包含Mo之合金等以Mo為主成分之金屬材料構成；中間層，其由Al、包含Al之合金等以Al為主成分之金屬材料構成；及上層，其由Mo、包含Mo之合金等以Mo為主成分之金屬材料構成。
如圖18及圖19所示般，可藉由主動矩陣驅動個別地驅動複數個貼片電極PE。因此，可獨立地驅動複數個貼片電極PE。例如，可將電波反射板RE反射之反射波w2之方向設為與Y-Z平面平行之方向。
或者，可將電波反射板RE反射之反射波w2之方向設為與X-Z平面及Y-Z平面以外之第3平面平行之方向。再者，第3平面係由Z軸、與X-Y平面中之X軸及Y軸以外之第3軸規定之面。
圖20係顯示本第2實施形態之複數個貼片電極PE之放大平面圖，且係用於說明在電波反射板RE之驅動方法中施加於複數個貼片電極PE之電壓之例之圖。如圖20所示般，亦可將電波反射板RE反射之反射波w2之反射方向d設為向右下傾斜45°。再者，向貼片電極PE施加之電壓V設為第1電壓V1、第2電壓V2、・・・第7電壓V7。
圖21係顯示本第2實施形態之複數個貼片電極PE之放大平面圖，且係用於說明在電波反射板RE之驅動方法中施加於複數個貼片電極PE之電壓之其他例之圖。如圖21所示般，亦可將電波反射板RE反射之反射波w2之反射方向d設為向左上傾斜22.5°。再者，向貼片電極PE施加之電壓V設為第1電壓V1、第2電壓V2、・・・第7電壓V7。
根據如上述般構成之第2實施形態之電波反射板RE，可獲得與上述第1實施形態之實施例1相同之效果。因可獨立地驅動各個貼片電極PE，故可提高電波反射板RE反射之反射波w2之反射方向d之自由度。
(第2實施形態之變化例) 接著，對於第2實施形態之變化例進行說明。本第2實施形態之變化例在複數個個別區域IA、連接區域CA、及周邊區域PA上與上述第1實施形態之實施例5(圖12)相同。
圖22係顯示本變化例之電波反射板RE之複數個貼片電極PE之放大平面圖。如圖22所示般，第1區域A1係十字狀之區域，具有：第1線狀區域A1c，其在與X軸平行之方向上伸出；及第2線狀區域A1d，其在與Y軸平行之方向上伸出，與第1線狀區域A1c交叉。
各個貼片電極PE具有複數個第1線狀電極PEb、及複數個第2線狀電極PEc。複數個第1線狀電極PEb位於第1線狀區域A1c，在與X軸平行之方向上伸出，在與Y軸平行之方向上空開間隔地排列。複數個第2線狀電極PEc位於第2線狀區域A1d，在與Y軸平行之方向上伸出，在與X軸平行之方向上空開間隔地排列，與複數個第1線狀電極PEb交叉，與複數個第1線狀電極PEb一體地形成。
圖23係顯示本變化例之電波反射板RE之共通電極CE之一部分之放大平面圖。如圖23所示般，共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分具有複數個第3線狀電極CEb、及複數個第4線狀電極CEc。
複數個第3線狀電極CEb位於第1線狀區域A1c，與複數個第1線狀電極PEb並行地伸出。在俯視下，各個第3線狀電極CEb與對應之第1線狀電極PEb重疊。
複數個第4線狀電極CEc位於第2線狀區域A1d，與複數個第2線狀電極PEc並行地伸出，與複數個第3線狀電極CEb交叉，與複數個第3線狀電極CEb一體地形成。在俯視下，各個第4線狀電極CEc與對應之第2線狀電極PEc重疊。
共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分具有第3線狀電極CEb、及第4線狀電極CEc。第3線狀電極CEb位於第1線狀區域A1c，與複數個第1線狀電極PEb並行地伸出。第4線狀電極CEc位於複數個第2線狀區域A1d，與第2線狀電極PEc並行地伸出，與第3線狀電極CEb交叉，與第3線狀電極CEb一體地形成。共通電極CE中之位於各個個別區域IA之部分之形狀在俯視下為90°旋轉對稱。
在本變化例中，與X軸平行之方向上排列之複數個第3線狀電極CEb在連接區域CA中連接，一體地形成。在與Y軸平行之方向上排列之複數個第4線狀電極CEc在連接區域CA連接，一體地形成。
在本變化例中，亦可獲得與上述第2實施形態相同之效果。
對於本發明之若干個實施形態進行了說明，但該等實施形態係作為例子而提出者，並非意欲限定發明之範圍。該等新穎之實施形態可以其他各種形態予以實施，在不脫離發明之要旨之範圍內，可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態及其變化包含於發明之範圍及要旨內，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。
例如，在上述第2實施形態之電波反射板RE中，可適用上述第1實施形態之各實施例及變化例之貼片電極PE及共通電極CE。在上述第1實施形態之電波反射板RE中，可適用上述第2實施形態之變化例之貼片電極PE及共通電極CE。
在上述第1實施形態中，用於連接複數個貼片電極PE之線，並不限定於與貼片電極PE同層之上述連接配線L。用於連接相鄰之貼片電極PE之線，亦可為與貼片電極PE不同之層之橋接配線。橋接配線經由接觸孔連接於一個貼片電極PE，經由其他接觸孔連接於其他貼片電極PE。
利用於電波反射板RE之液晶模式只要為向液晶層LC施加縱向電場之模式即可。因此，亦可將TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式、ECB(Electrically Controlled Birefringence，電控雙折射)模式、或π單元適用於電波反射板RE。
本申請案以日本專利申請案2021-191313(申請日：2021年11月25日)為基礎，且自該申請案享受優先利益。本申請案藉由參照該申請案而包含所有該申請案之內容。
1,2:基材 11~17:絕緣層 A1:第1區域 A1a:框狀區域 A1b:格子狀區域 A1c:第1線狀區域 A1d:第2線狀區域 A2:第2區域 AL1,AL2:配向膜 CA:連接區域 CE:共通電極 CEa:第2框狀電極 CEb:第3線狀電極 CEc:第4線狀電極 CL1,CL2:連接配線層 CO1,CO2,CO3:導電層 d:反射方向 d1:第1反射方向 DC,DR:驅動電路 d k:長度 d l:厚度 GE:閘極電極 GL:控制配線 GP1:第1貼片電極群 GP2:第2貼片電極群 GP3:第3貼片電極群 GP4:第4貼片電極群 GP5:第5貼片電極群 GP6:第6貼片電極群 GP7:第7貼片電極群 GP8:第8貼片電極群 IA:個別區域 L:連接配線 LC:液晶層 LE:引線 OP1:第1開口 OP2:第2開口 p:墊 PA:周邊區域 Pd1:第1期間 Pd2:第2期間 Pd3:第3期間 Pd4:第4期間 Pd5:第5期間 PE:貼片電極 PE1:第1貼片電極 PE2:第2貼片電極 PE3:第3貼片電極 PE4:第4貼片電極 PE5:第5貼片電極 PE6:第6貼片電極 PE7:第7貼片電極 PE8:第8貼片電極 PEa:第1框狀電極 PEb:第1線狀電極 PEc:第2線狀電極 Px1,Px2,Pxa,Pxa1,Pxa2,Pxb,Pxb1,Py1,Py2,Pya,Pya1,Pya2,Pyb,Pyb1:長度 Q1a,Q1b,Q2a:點 RE:電波反射板 RH:反射控制部 RH1:第1反射控制部 RH2:第2反射控制部 Sa:入射面 SE:密封材 SL:信號配線 SMC:半導體層 SS:間隔件 SUB1:第1基板 SUB2:第2基板 SW:開關元件 V1:第1電壓 V2:第2電壓 V3:第3電壓 V4:第4電壓 w1:入射波 w2:反射波 X,Y,Z:軸 θ1:第1角度
圖1係顯示第1實施形態之電波反射板之剖視圖。 圖2係顯示上述第1實施形態之實施例1之電波反射板之平面圖。 圖3係顯示上述實施例1之電波反射板之一部分之放大平面圖，且係顯示複數個個別區域、連接區域、及周邊區域之圖。 圖4係顯示上述實施例1之複數個貼片電極及複數條連接配線之放大平面圖。 圖5係顯示上述實施例1之共通電極之一部分之放大平面圖。 圖6係顯示上述實施例1之電波反射板之一部分之放大剖視圖，且係顯示單一之反射控制部之圖。 圖7係顯示上述實施例1之電波反射板之一部分之放大剖視圖，且係顯示複數個反射控制部之圖。 圖8係顯示在上述實施例1之電波反射板之驅動方法中，就每一期間施加於貼片電極之電壓之變化之時序圖。 圖9係顯示上述第1實施形態之實施例2之電波反射板之一部分之放大平面圖，且係顯示複數個個別區域、連接區域、及周邊區域之圖。 圖10係顯示上述實施例2之複數個貼片電極及複數條連接配線之放大平面圖。 圖11係顯示上述實施例2之共通電極之一部分之放大平面圖。 圖12係顯示上述第1實施形態之實施例5之電波反射板之一部分之放大平面圖，且係顯示複數個個別區域、連接區域、及周邊區域之圖。 圖13係顯示上述實施例5之複數個貼片電極及複數條連接配線之放大平面圖。 圖14係顯示上述實施例5之共通電極之一部分之放大平面圖。 圖15係顯示上述第1實施形態之變化例之電波反射板之一部分之放大平面圖，且係顯示複數個個別區域、連接區域、及周邊區域之圖。 圖16係顯示上述變化例之複數個貼片電極及複數條連接配線之放大平面圖。 圖17係顯示上述變化例之共通電極之一部分之放大平面圖。 圖18係顯示第2實施形態之電波反射板之平面圖。 圖19係顯示上述第2實施形態之電波反射板之一部分之放大剖視圖。 圖20係顯示上述第2實施形態之複數個貼片電極之放大平面圖，且係用於說明在電波反射板之驅動方法中施加於複數個貼片電極之電壓之例之圖。 圖21係顯示上述第2實施形態之複數個貼片電極之放大平面圖，且係用於說明在電波反射板之驅動方法中施加於複數個貼片電極之電壓之又一例之圖。 圖22係顯示上述第2實施形態之變化例之電波反射板之複數個貼片電極之放大平面圖。 圖23係顯示上述第2實施形態之變化例之電波反射板之共通電極之一部分之放大平面圖。
A1:第1區域
A2:第2區域
CA:連接區域
IA:個別區域
PA:周邊區域
Px1,Px2,Pxa,Pxb,Py1,Py2,Pya,Pyb:長度
RE:電波反射板
X,Y,Z:軸

Claims (9)

  1. 一種電波反射板，其包含：複數個個別區域，其等係沿著相互正交之X軸及Y軸各者排列成矩陣狀者，且各個前述個別區域具有第1區域及前述第1區域以外之一個以上之第2區域； 連接區域，其位於前述複數個個別區域之間隙，具有格子狀之形狀，與前述複數個個別區域相連； 第1基板，其係具有複數個貼片電極者，且各個貼片電極位於前述複數個個別區域中對應之一個個別區域之前述第1區域； 第2基板，其係具有共通電極者，且前述共通電極位於前述各個個別區域之前述第1區域及前述連接區域，在平行於與前述X軸及前述Y軸各者正交之Z軸之方向上與前述複數個貼片電極對向；及 液晶層，其被保持於前述第1基板與前述第2基板之間，與前述複數個貼片電極對向。
  2. 如請求項1之電波反射板，其中前述複數個貼片電極及前述共通電極分別由金屬形成。
  3. 如請求項1之電波反射板，其中前述共通電極中位於前述各個個別區域之部分之形狀，與前述各個貼片電極之形狀相同， 前述共通電極中位於前述各個個別區域之部分，在俯視下與前述複數個貼片電極中之對應之一個貼片電極重疊。
  4. 如請求項1至3中任一項之電波反射板，其中前述第1區域係十字狀之區域，且具有：第1線狀區域，其在與前述X軸平行之方向上伸出；及第2線狀區域，其在與前述Y軸平行之方向上伸出，與前述第1線狀區域交叉； 前述各個貼片電極具有前述十字狀之形狀，位於前述第1區域， 前述共通電極中位於前述各個個別區域之部分具有前述十字狀之形狀，且位於前述第1區域。
  5. 如請求項1至3中任一項之電波反射板，其中前述第1區域係十字狀之區域，且具有：第1線狀區域，其在與前述X軸平行之方向上伸出；及第2線狀區域，其在與前述Y軸平行之方向上伸出，與前述第1線狀區域交叉； 前述各個貼片電極具有： 複數個第1線狀電極，其等位於前述第1線狀區域，在與前述X軸平行之方向上伸出，在與前述Y軸平行之方向上空開間隔地排列；及 複數個第2線狀電極，其等位於前述第2線狀區域，在與前述Y軸平行之方向上伸出，在與前述X軸平行之方向上空開間隔地排列，與前述複數個第1線狀電極交叉，與前述複數個第1線狀電極一體地形成； 前述共通電極中位於前述各個個別區域之部分具有： 複數個第3線狀電極，其等位於前述第1線狀區域，與前述複數個第1線狀電極並行地伸出；及 複數個第4線狀電極，其等位於前述第2線狀區域，與前述複數個第2線狀電極並行地伸出，與前述複數個第3線狀電極交叉，與前述複數個第3線狀電極一體地形成。
  6. 如請求項1至3中任一項之電波反射板，其中前述第1區域係框狀之區域， 前述第2區域係由前述第1區域包圍之區域， 前述各個貼片電極具有前述框狀之形狀，位於前述第1區域， 前述共通電極中位於前述各個個別區域之部分具有前述框狀之形狀，位於前述第1區域。
  7. 如請求項1至3中任一項之電波反射板，其中前述第1區域係方形格子狀之區域，具有框狀區域、及由前述框狀區域包圍且與前述框狀區域相連之格子狀區域， 前述格子狀區域具有：複數個第1線狀區域，其等在與前述X軸平行之方向上伸出，在與前述Y軸平行之方向上空開間隔地排列；及複數個第2線狀區域，其等在與前述Y軸平行之方向上伸出，在與前述X軸平行之方向上空開間隔地排列，與前述複數個第1線狀區域交叉； 前述各個貼片電極具有： 第1框狀電極，其位於前述框狀區域，具有框狀之形狀； 複數個第1線狀電極，其等一對一地位在前述複數個第1線狀區域，在與前述X軸平行之方向上伸出； 複數個第2線狀電極，其等一對一地位在前述複數個第2線狀區域，在與前述Y軸平行之方向上伸出，與前述複數個第1線狀電極交叉，與前述第1框狀電極及前述複數個第1線狀電極一體地形成； 前述共通電極中位於前述各個個別區域之部分具有： 第2框狀電極，其位於前述框狀區域，與前述第1框狀電極並行地伸出； 複數個第3線狀電極，其等一對一地位在前述複數個第1線狀區域，與前述複數個第1線狀電極並行地伸出；及 複數個第4線狀電極，其等一對一地位在前述複數個第2線狀區域，與前述複數個第2線狀電極並行地伸出，與前述複數個第3線狀電極交叉，與前述第2框狀電極及前述複數個第3線狀電極一體地形成。
  8. 如請求項1之電波反射板，其中各個前述貼片電極及前述共通電極中位於前述各個個別區域之部分各者之形狀，在俯視下為90°旋轉對稱。
  9. 如請求項8之電波反射板，其中前述形狀之輪廓為正方形。
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