TWI822818B - 樹脂組成物與併入其之流體槽 - Google Patents

樹脂組成物與併入其之流體槽 Download PDF

Info

Publication number
TWI822818B
TWI822818B TW108125695A TW108125695A TWI822818B TW I822818 B TWI822818 B TW I822818B TW 108125695 A TW108125695 A TW 108125695A TW 108125695 A TW108125695 A TW 108125695A TW I822818 B TWI822818 B TW I822818B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin composition
cured
resin
autofluorescence
free radical
Prior art date
Application number
TW108125695A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202012506A (zh
Inventor
提曼錫 Ｊ 麥爾凱
維尼 Ｎ 喬治
安德魯 Ａ 伯朗
奧德里 札克
詹盧卡 安德里亞 阿爾蒂奧利
茱莉亞 莫里斯恩
尼可萊 羅馬諾夫
羅倫茲 巴爾提
葛萊翰 柏德
Original Assignee
美商伊路米納有限公司
英商伊路米納劍橋有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商伊路米納有限公司, 英商伊路米納劍橋有限公司 filed Critical 美商伊路米納有限公司
Publication of TW202012506A publication Critical patent/TW202012506A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI822818B publication Critical patent/TWI822818B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12Q—MEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES, NUCLEIC ACIDS OR MICROORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
    • C12Q1/00—Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions
    • C12Q1/68—Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions involving nucleic acids
    • C12Q1/6869—Methods for sequencing
    • C12Q1/6874—Methods for sequencing involving nucleic acid arrays, e.g. sequencing by hybridisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F230/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
    • C08F230/04—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
    • C08F230/08—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F299/00—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers
    • C08F299/02—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates
    • C08F299/08—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates from polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
    • C08G77/442—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing vinyl polymer sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/49—Phosphorus-containing compounds
    • C08K5/51—Phosphorus bound to oxygen
    • C08K5/53—Phosphorus bound to oxygen bound to oxygen and to carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D153/00—Coating compositions based on block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C09D183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12Q—MEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES, NUCLEIC ACIDS OR MICROORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
    • C12Q1/00—Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions
    • C12Q1/68—Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions involving nucleic acids
    • C12Q1/6876—Nucleic acid products used in the analysis of nucleic acids, e.g. primers or probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume, or surface-area of porous materials
    • G01N15/10—Investigating individual particles
    • G01N15/14—Electro-optical investigation, e.g. flow cytometers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
    • G01N33/483—Physical analysis of biological material
    • G01N33/487—Physical analysis of biological material of liquid biological material
    • G01N33/49—Blood
    • G01N33/4915—Blood using flow cells
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds

Abstract

樹脂組成物之實施例包括有包括丙烯酸酯及矽氧烷之自由基可固化樹脂基質，及自由基光引發劑。當固化時，該樹脂組成物在暴露於約380 nm至約480 nm範圍內之藍色激發波長或約510 nm至約560 nm範圍內之綠色激發波長時具有低自體螢光或無自體螢光。

Description

樹脂組成物與併入其之流體槽 相關申請之交叉引用
本申請案主張2018年7月20日申請之美國臨時申請案第62/701,228號之權益，且所述申請案之內容以全文引用的方式併入本文中。
本發明係關於樹脂組成物與併入所述組成物之流體槽。
生物陣列包括於用於偵測及分析分子，包括去氧核糖核酸(deoxyribonucleic acid；DNA)及核糖核酸(ribonucleic acid；RNA)之各種工具中。在此等申請案中，該等陣列經工程改造而包括用於人類及其他生物體中之基因中所存在的核苷酸序列的探針。在某些應用中，舉例而言，個別DNA及RNA探針可連接於陣列載體上之幾何柵格中(或任意)的較小位置處。可使例如來自已知個人或生物體之測試樣品暴露於該柵格，以使得互補片段與探針在陣列中之個別位點雜交。接著可藉由在該等位點上掃描特定頻率之光以鑑別何種片段存在於樣品中，藉由片段雜交所處之位點的螢光來檢查陣列。
生物陣列可用於基因定序。一般而言，基因定序涉及測定一定長度之遺傳物質中的核苷酸或核酸，諸如DNA或RNA之片段的次序。分析不斷增長之鹼基對序列，且所得序列資訊可用於多種生物資訊方法中以在邏輯上將片 段裝配在一起以便可靠地測定出衍生出該等片段的遺傳物質之具有廣泛長度之序列。已研發出自動化的基於計算機之特徵性片段之檢查，且已用於基因組繪圖、基因及其功能之鑑別、一些病狀及疾病病況之風險評估等。除此等應用以外，生物陣列可用於偵測及評估各種分子、分子家族、基因表現量、單核苷酸多形現象及基因分型。
在一態樣中，樹脂組成物包含包括丙烯酸酯及矽氧烷之自由基可固化樹脂基質；及自由基光引發劑；其中，當固化時，該樹脂組成物在暴露於約380nm至約480nm範圍內之藍色激發波長或約510nm至約560nm範圍內之綠色激發波長時具有低自體螢光或無自體螢光。
在一實例中，固化之樹脂組成物具有低自體螢光，其中在固化之樹脂組成物暴露於藍色激發波長時該低自體螢光與小於25,000之灰度值(grey value)對應。
在另一實例中，固化之樹脂組成物具有低自體螢光，其中在固化之樹脂組成物暴露於藍色激發波長時該低自體螢光與小於5,000之灰度值對應。
在另一實例中，固化之樹脂組成物具有低自體螢光，其中在固化之樹脂組成物暴露於綠色激發波長時該低自體螢光與小於10,000之灰度值對應。
在又一實例中，固化之樹脂組成物具有低自體螢光，其中在固化之樹脂組成物暴露於綠色激發波長時該低自體螢光與小於2,500之灰度值對應。
在一實例中，自由基可固化樹脂基質包含選自由以下者組成之群的丙烯酸酯：1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷(1,3-bis(3-methacryloxypropyl)tetramethyldisiloxane)、甲基丙烯醯氧基丙基封端之聚二甲基矽氧烷、四甲基肆[3-丙烯醯氧基丙基]環四矽氧烷、甲基丙烯醯基多 面體寡聚矽倍半氧烷、丙烯醯(acrylo)多面體寡聚矽倍半氧烷、丙烯醯氧基丙基甲基矽氧烷均聚物及其組合。
在一實例中，自由基光引發劑為2-乙基-9,10-二甲氧基蒽。
在另一實例中，自由基光引發劑選自由2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮及2-乙氧基-2-苯基苯乙酮組成之群。
在另一實施例中，自由基光引發劑為膦氧化物，其中該膦氧化物選自由以下者組成之群：二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物、二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物及2-羥基-2-甲基苯丙酮之摻合物、苯基雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物、乙基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基亞膦酸酯(ethyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphinate)及其組合。
在一實例中，樹脂組成物進一步包含暗淬滅劑(quencher)或電子受體。
在一實例中，自由基可固化樹脂基質與自由基光引發劑之重量%比率在約99.8：0.2至約90：10範圍內。
在一實例中，樹脂組成物進一步包含環氧樹脂基質；及光酸(photoacid)產生劑。
應瞭解，樹脂組成物之此態樣之任何特徵可以任何需要的方式組合於一起及/或配置，以獲得如本發明中所描述之益處，包括例如相對低自體螢光。
在另一態樣中，流體槽包含基板；及該基板上之固化之圖案化樹脂，該固化之圖案化樹脂包括藉由間隙區域分隔開之凹陷，且該固化之圖案化樹脂由樹脂組成物形成，該樹脂組成物包括：包括丙烯酸酯及矽氧烷之自由基可固化樹脂基質；及自由基光引發劑；其中固化之圖案化樹脂在暴露於約380nm至約480nm範圍內之藍色激發波長或約510nm至約560nm範圍內之綠色激發波 長時具有低自體螢光或無自體螢光。
在一實例中，流體槽進一步包含凹陷中之聚合物塗層；及與聚合物塗層接枝之引子。
在一實例中，固化之圖案化樹脂具有低自體螢光，其中在固化之圖案化樹脂暴露於藍色激發波長時該低自體螢光與小於25,000之灰度值對應。
在另一實例中，固化之圖案化樹脂具有低自體螢光，其中在固化之圖案化樹脂暴露於綠色激發波長時該低自體螢光與小於10,000之灰度值對應。
在另一實例中，樹脂組成物進一步包括環氧樹脂基質；及光酸產生劑。
在一實例中，自由基可固化樹脂基質包含選自由以下者組成之群的丙烯酸酯：1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷、甲基丙烯醯氧基丙基封端之聚二甲基矽氧烷、四甲基肆[3-丙烯醯氧基丙基]環四矽氧烷、甲基丙烯醯基多面體寡聚矽倍半氧烷、丙烯醯多面體寡聚矽倍半氧烷、丙烯醯氧基丙基甲基矽氧烷均聚物及其組合。
在一實例中，自由基光引發劑選自由2-乙基-9,10-二甲氧基蒽、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮及2-乙氧基-2-苯基苯乙酮組成之群。
在另一實例中，自由基光引發劑為選自由以下者組成之群的膦氧化物：二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物、二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物及2-羥基-2-甲基苯丙酮之摻合物、苯基雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物、乙基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基亞膦酸酯及其組合。
在一實例中，樹脂組成物進一步包含暗淬滅劑或電子受體。
在一實例中，樹脂組成物中自由基可固化樹脂基質與自由基光引發劑之重量%比率在約99.8：0.2至約90：10範圍內。
應瞭解，流體槽之此態樣之任何特徵可以任何需要的方式組合於 一起以獲得如本發明中所描述之益處，包括例如相對低自體螢光。此外，應瞭解，流體槽及/或樹脂組成物之此態樣之特徵的任何組合可一起使用，及/或來自此等態樣中之任一者或兩者之任何特徵可與本文所揭示之實施例中之任一者組合以獲得如本發明中所描述之益處，包括例如相對低自體螢光。
在另一態樣中，方法包含將樹脂組成物沈積於基板上，該樹脂組成物包括：包括丙烯酸酯及矽氧烷之自由基可固化樹脂基質；及自由基光引發劑；使用工作印模(working stamp)奈米壓印(nanoimprinting)所沈積之樹脂組成物；及固化所沈積之樹脂組成物以形成固化之圖案化樹脂；其中固化之圖案化樹脂在暴露於約380nm至約480nm範圍內之藍色激發波長或約510nm至約560nm範圍內之綠色激發波長時具有低自體螢光或無自體螢光。
應瞭解，該方法之此態樣之任何特徵可以任何需要的方式組合於一起以獲得如本發明中所描述之益處，包括例如相對低自體螢光。此外，應瞭解，來自該方法及/或來自流體槽及/或來自樹脂組成物之特徵的任何組合可一起使用，及/或來自此等態樣中之任一者或所有之任何特徵可與本文所揭示之實施例之特徵中之任一者組合以獲得如本發明中所描述之益處，包括例如相對低自體螢光。
又另外，應瞭解，該方法及/或流體槽及/或樹脂組成物中之任一者之任何特徵可以任何需要的方式組合於一起，及/或可與本文所揭示之實施例中之任一者組合以獲得如本發明中所描述之益處，包括例如相對低自體螢光。
10:流體槽前驅體
10':流體槽
12:基板
14:樹脂組成物
14':固化之圖案化樹脂
16:凹陷
18:聚合物塗層
20:工作印模
22:間隙區域
24:引子
100:方法
102:參照編號
104:參照編號
106:參照編號
參考以下實施方式及圖式，本發明之實施例之特徵將變得顯而易見，在以下實施方式及圖式中，類似的元件符號對應於類似但或許不相同的組件。出於簡潔起見，具有先前所描述功能之元件符號或特徵可以或不可結合出 現該等元件符號或特徵之其他圖式來描述。
圖1為圖示本文所揭示之方法之實施例的流程圖；圖2A至2E為一起描述本文所揭示之方法之實施例的示意性透視圖；圖2F為沿著圖2E之線2F-2F截取之示意性及橫截面視圖。
圖3A至3F為使用本文所揭示之樹脂組成物之不同實施例形成之實施例孔的掃描電子顯微照相影像；圖4為圖示比較性實施例實施例樹脂、實施例樹脂及空白玻璃基板之螢光強度(以任意單位)相對於波長(以奈米(nm)為單位)之圖表；及圖5A及圖5B為圖示預示的實施例樹脂組成物及預示的比較性實施例實施例樹脂組成物之所提出之自體螢光結果之圖表。
用於定序應用中之圖案化流體槽需要具有基礎含量之自體螢光，使信雜比(SNR)足夠高以使得可在定序期間分辨來自個別群集之信號。圖案化流體槽中所用之樹脂組成物通常包括光引發劑(例如自由基及/或陽離子型產生劑)以在組成物圖案化期間起始固化。理論上，當所用光引發劑在可見區中無吸收時，在藉由定序期間所用之藍色、綠色及/或紅色光來源激發時，應不出現螢光。然而，根據一些自由基及陽離子型光引發劑組合之溶液量度，已發現，在所關注之激發波長下可出現不合需要的自體螢光，甚至在預計根據樹脂組分之光譜特性在可見區中出現極少或不出現吸收時亦如此。
本文所揭示之樹脂組成物之樹脂基質係基於丙烯酸酯(例如樹脂包括丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯)且在固化之後展現相對低含量之螢光。此外，基於丙烯酸酯之樹脂僅經由自由基機制固化。關於此固化機制，可使用自由基 光引發劑，而非其他類型之光引發劑，諸如陽離子型光引發劑。此又可使可另外在不同類型光引發劑之間(例如在一些自由基與陽離子型光引發劑組合之間)出現之分子內相互作用降至最低，且在一些情況下甚至消除咸信此等分子內相互作用可在紫外(UV)光暴露之前或期間出現，指示光引發劑之組合之間的能量交換及激發態複合物(激發複合物)及加成物之後續形成可有助於不合需要的自體螢光。進一步相信，因為本文所揭示之樹脂組成物不經歷前述分子內相互作用，所以本文所揭示之固化之樹脂組成物可展現自體螢光(當暴露於所關注之激發波長(例如藍色及/或綠色激發波長)時)，其量級大約低於包括自由基光引發劑及陽離子型光引發劑之組合的樹脂。
本文所揭示之樹脂組成物亦更容易光褪色，其將致使固化樹脂組成物永久不能自體發螢光(亦即出現之任何自體螢光均低於偵測之閾值限度或不干擾定序偵測過程)。
如本文所提及，本文所揭示之固化樹脂組成物之實施例具有極小藍色及綠色發射，且在暴露於藍色及綠色激發波長時亦展現極低自體螢光或無自體螢光。如本文所用，藍色發射波長包括約463nm至約514，且綠色發射波長包括約583nm至約660nm。亦如本文所用，藍色激發波長包括約380nm至約480nm，且綠色激發波長包括約510nm至約560nm。在另一實例中，藍色激發波長在約440nm至約457nm範圍內，或綠色激發波長在約519nm至約535nm範圍內。在另一實例中，藍色激發波長在約400nm至約480nm範圍內。
在一些情況下，固化樹脂組成物描述為在暴露於藍色激發波長及/或綠色激發波長時無螢光(發光)。無螢光或無自體螢光意謂螢光含量低於偵測之閾值限度。無螢光或無自體螢光(當該等術語在本文中加以定義時)可在固化樹脂組成物已光褪色時出現。在其他情況下，固化樹脂組成物在暴露於藍色激發波長及/或綠色激發波長時發螢光(光射)。在此等情況下，術語「低自體螢 光(low autofluorescence)」可意謂(在暴露於藍色激發波長及/或綠色激發波長時固化樹脂之)發射量高於偵測之閾值限度，但又低至足以視為雜訊，且該雜訊在定序期間不干擾群集信號之鑑別(例如該自體螢光含量使信雜比(SNR)足夠高以使得可在定序期間分辨來自個別集群之信號)。
應瞭解，就定量自體螢光而言，「低(low)」或「低含量(low level)」之定義可視用以量測自體螢光之工具及/或用以提供激發輻射之燈而變化。舉例而言，當Amersham TYPHOONTM(先前TYPHOONTM FLA 7000)(可購自GE Healthcare Life Sciences)用以量測固化之樹脂組成物暴露於藍色激發波長時之自體螢光時，低自體螢光與小於25,000之灰度值對應。對於另一實例，當Amersham TYPHOONTM用以量測固化之樹脂組成物暴露於藍色激發波長時之自體螢光時，低自體螢光與小於5,000之灰度值對應。對於另一實例，當Amersham TYPHOONTM用以量測固化之樹脂組成物暴露於綠色激發波長時之自體螢光時，低自體螢光與小於10,000之灰度值對應。對於又一實例，當Amersham TYPHOONTM用以量測固化之樹脂組成物暴露於綠色激發波長時之自體螢光時，低自體螢光與小於2,500之灰度值對應。
自體螢光亦可使用基於光譜儀之工具來量測。以光譜儀為主之工具之實例的論述見於以下實施例2中。在一實例中，當使用以光譜儀為主之工具量測固化之樹脂組成物暴露於藍色激發波長時之自體螢光時，低自體螢光與小於約400AU之螢光強度(以任意單位(AU))對應。在另一實例中，當使用以光譜儀為主之工具量測固化之樹脂組成物暴露於綠色激發波長時之自體螢光時，低自體螢光與小於約500AU之螢光強度(以任意單位(AU))對應。
應理解，除非另外規定，否則本文所用之術語將採用其在相關領域中之普通含義。本文所用之若干術語及其含義闡述於下文中。
除非上下文另有明確規定，否則單數形式「一(a/an)」及「該 (the)」包括複數個指示物。
術語包含(comprising)、包括(including)、含有(containing)及此等術語之各種形式彼此為同義的且意謂同等廣義。
術語頂部、底部、下部、上部、之上等在本文中用以描述流體槽及/或流體槽之各個組件。應瞭解，此等方向性術語不意欲暗示特定取向，但用於指示組件之間的相對取向。方向性術語之使用不應解釋為將本文所揭示之實施例限制於任何(多種)特定取向。
「丙烯醯胺(acrylamide)」為具有結構之官能基或包括具有彼結構之丙烯醯胺基之單體。丙烯醯胺可為用取代基替代一或多個氫原子之化合物醯胺(例如甲基丙烯醯胺)。包括丙烯醯胺基之單體之實例包括疊 氮基乙醯胺基戊基丙烯醯胺：及N-異丙基丙烯醯胺： 。可使用其他丙烯醯胺單體。
如本文所用，醛為含有具有結構-CHO之官能基的有機化合物，其包括羰基中心(亦即碳雙鍵氧)且碳原子亦鍵結至氫及R基團，諸如烷基或其 他側鏈。醛通用結構為：。
如本文所用，「烷基(alkyl)」係指完全飽和(亦即不含雙鍵或參鍵)之直鏈或分支鏈烴鏈。烷基可具有1至20個碳原子。實例烷基包括甲基、乙 基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基及其類似基團。舉例而言，名稱「C1-4烷基(C1-4 alkyl)」指示在烷基鏈中存在一至四個碳原子，亦即烷基鏈選自由以下者組成之群：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基及第三丁基。
如本文所用，「烯基(alkenyl)」係指含有一或多個雙鍵之直鏈或分支鏈烴鏈。烯基可具有2至20個碳原子。實例烯基包括乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基及其類似基團。
如本文所用，「炔烴(alkyne)」或「炔基(alkynyl)」係指含有一或多個參鍵之直鏈或分支鏈烴鏈。炔基可具有2至20個碳原子。
如本文所用，「芳基(aryl)」係指在環主鏈中僅含有碳之芳族環或環系統(亦即共用兩個相鄰碳原子之兩個或更多個稠合環)。當芳基為環系統時，該系統中之各環為芳族環。芳基可具有6至18個碳原子。芳基之實例包括苯基、萘基、薁基及蒽基。
「胺基(amino)」官能基係指-NRaRb基團，其中Ra及Rb各自獨立地選自氫(例如)、C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-7碳環基、C6-10芳基、5至10員雜芳基及5至10員雜環基，如本文所定義。
如本文所用，術語「連接(attached)」係指兩個事物彼此直接或間接接合、緊固、黏著、相連或結合之狀態。舉例而言，核酸可藉由共價或非共價鍵連接至聚合物塗層。共價鍵之特徵在於原子之間的電子對共用。非共價鍵為不涉及電子對共用之物理鍵，且可包括例如氫鍵、離子鍵、范德華力(van der Waals force)、親水相互作用及疏水相互作用。
「疊氮(azide)」或「疊氮基(azido)」官能基係指-N3。
如本文所用，「結合區(bonding region)」係指基板上結合至其他材料之區域，其可為例如分隔層、蓋板、其他基板等、或其組合(例如分隔 層及蓋板)。結合區所形成之鍵可為化學鍵(如上文所述)或機械鍵(例如使用扣件等)。
如本文所用，「碳環基(carbocyclyl)」意謂環系統主鏈中僅含有碳原子之非芳族環或環系統。當碳環基為環系統時，兩個或更多個環可以稠合、橋連或螺連接方式接合在一起。碳環基可具有任何飽和度，其限制條件為環系統中之至少一個環不為芳族環。因此，碳環基包括環烷基、環烯基及環炔基。碳環基可具有3至20個碳原子。碳環基環之實例包括環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環己烯基、2,3-二氫-茚、雙環[2.2.2]辛基、金剛烷基及螺[4.4]壬基。
如本文所用，「環烯基(cycloalkenyl)」或「環烯(cycloalkene)」意謂具有至少一個雙鍵之碳環基環或環系統，其中環系統中並無環為芳族環。實例包括環己烯基或環己烯及降冰片烯基或降冰片烯。亦如本文所用，「雜環烯基(heterocycloalkenyl)」或「雜環烯(heterocycloalkene)」意謂在環主鏈中具有至少一個雜原子之碳環基環或環系統，其具有至少一個雙鍵，其中環系統中並無環為芳族環。
如本文所用，「環烷基(cycloalkyl)」意謂藉由自環碳原子(例如自環烷)移除氫原子而自環烷烴衍生之任何單價基團。實例包括2-甲基環丙基。
如本文所用，「環炔基(cycloalkynyl)」或「環炔(cycloalkyne)」意謂具有至少一個參鍵之碳環基環或環系統，其中環系統中並無環為芳族環。實例為環辛炔。另一實例為雙環壬炔。亦如本文所用，「雜環炔基(heterocycloalkynyl)」或「雜環炔(heterocycloalkyne)」意謂在環主鏈中具有至少一個雜原子之碳環基環或環系統，其具有至少一個參鍵，其中環系統中並無環為芳族環。
如本文所用，術語「凹陷(depression)」係指具有至少部分由圖案化樹脂之間隙區域包圍之表面開口之圖案化樹脂中之個別凹形特徵。凹陷在 表面中其開口處可具有多種形狀中之任一者，包括例如圓形、橢圓形、正方形、多邊形、星形(具有許多頂點)等。與表面正交獲得之凹陷的橫截面可為曲線、正方形、多邊形、雙曲線、錐形、角形等。舉例而言，凹陷可為孔或溝槽/線/凹槽。凹陷亦可具有更複雜的架構，諸如脊線、步長特徵等。
如本文所用，術語「流體槽(flow cell)」欲意謂具有可進行反應之腔室(亦即流動通道)、將(多種)試劑遞送至該腔室中之入口及自該腔室移除(多種)試劑之出口的容器。在一些實例中，腔室使得能夠偵測腔室中發生之反應。舉例而言，腔室/流動通道可包括一或多個透明表面，允許在凹陷處光學偵測陣列、光學標記分子或其類似物。
如本文所用，「流動通道(flow channel)」可為兩個結合組件之間界定的區域，其可選擇性地接受液體樣品。在一些實例中，流動通道可界定於圖案化樹脂與蓋板之間，且因此可與圖案化樹脂中所界定之一或多個凹陷流體連通。
如本文所用，「雜芳基(heteroaryl)」係指在環主鏈中含有一或多個雜原子之芳族環或環系統(亦即兩個或更多個共用兩個相鄰原子之稠合環),該雜原子為除碳外之元素，包括(但不限於)氮、氧及硫。當雜芳基為環系統時，該系統中之各環為芳族環。雜芳基可具有5至18個環成員。
如本文所用，「雜環基(heterocyclyl)」意謂環主鏈中含有至少一個雜原子的非芳族環或環系統。雜環基可以稠合、橋連或螺連接方式接合在一起。雜環基可具有任何飽和度，其限制條件為環系統中之至少一個環不為芳族環。在環系統中，(多種)雜原子可存在於非芳族環或芳族環中。雜環基可具有3至20個環成員(亦即構成環主鏈之原子的數目，包括碳原子及雜原子)。在一些實例中，(多種)雜原子為O、N或S。
如本文所用，術語「肼(hydrazine)」或「肼基(hydrazinyl)」 係指-NHNH2基團。
如本文所用，術語「腙(hydrazone)」或「腙基(carboxyl)」如 本文所用係指基團，其中Ra及Rb各自獨立地選自氫(例如 )、C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-7碳環基、C6-10芳基、5至10員雜芳基及5至10員雜環基，如本文所定義。
如本文所用，「羥基(hydroxy/hydroxyl)」係指-OH基團。
如本文所用，術語「間隙區域(interstitial region)」係指(例如圖案化樹脂之)表面上之區域，其分隔凹陷。舉例而言，間隙區域可將陣列之一個特徵與陣列之另一特徵分隔。彼此分隔之兩個特徵可為離散的，亦即彼此不物理接觸。在另一實例中，間隙區域可將特徵之第一部分與特徵之第二部分分隔。在許多實例中，間隙區域為連續的，然而特徵為離散的，例如如同原本連續的表面中所界定之複數個孔之情況一般。在其他實例中，間隙區域及特徵為離散的，例如如同藉由各別間隙區域分隔之複數個溝槽之情況一般。由間隙區域提供之分隔可為部分分隔開或完全分隔開。間隙區域可具有不同於表面上界定之特徵之表面材料的表面材料。舉例而言，陣列之特徵可具有一定量或濃度之聚合物塗層及引子，該量或濃度超過間隙區域中所存在之量或濃度。在一些實例中，聚合物塗層及(多種)引子可不存在於間隙區域。
如本文所用，「氧化腈(nitrile oxide)」意謂「RaC≡N+O-」基團，其中Ra為本文所定義。製備氧化腈之實例包括藉由用氯醛甲醯胺-T處理或經由醯亞胺基氯[RC(Cl)=NOH]之作用自醛肟或自羥胺與醛之間的反應原位產生。
如本文所用，「硝酮(nitrone)」意謂基團，其中R1、 R2及R3可為本文中所定義之Ra及Rb基團中之任一者。
如本文所用，「核苷酸(nucleotide)」包括含氮雜環鹼基、糖及一或多個磷酸酯基。核苷酸為核酸序列之單體單元。在RNA中，糖為核糖，且在DNA中，糖為脫氧核糖，亦即不具有存在於核糖中之2'位處之羥基的糖。含氮雜環鹼基(亦即核鹼基)可為嘌呤鹼基或嘧啶鹼基。嘌呤鹼基包括腺嘌呤(A)及鳥嘌呤(G)及其經修飾之衍生物或類似物。嘧啶鹼基包括胞嘧啶(C)、胸腺嘧啶(T)及尿嘧啶(U)以及其經修飾之衍生物或類似物。脫氧核糖之C-1原子鍵結至嘧啶之N-1或嘌呤之N-9。核酸類似物可具有磷酸主鏈、糖或核鹼基中之任一者的改變。核酸類似物之實例包括例如通用鹼基或磷酸-糖主鏈類似物，諸如肽核酸(PNA)。
如本文所用，「光酸產生劑(photoacid generator)」(PAG)為暴露於輻射時釋放質子之分子。PAG一般以不可逆方式經歷質子光解離。
如本文所用，「光引發劑(photoinitiator)」(PI)為吸收輻射時經歷光反應，由此產生反應性物種之分子。光引發劑能夠起始或催化化學反應，該等化學反應產生調配物之溶解性及/或物理特性變化。
如本文所用，「引子(primer)」定義為單股核酸序列(例如單股DNA或單股RNA)。一些引子，可稱為擴增引子，充當模板擴增及群集產生之起始點。其他引子，可稱為定序引子，充當DNA或RNA合成之起始點。引子之5'端可經修飾以允許與聚合物塗層之官能基發生偶合反應。引子長度可為任何數目之鹼基長且可包括多種非天然核苷酸。在一實例中，定序引子為短股，範圍介於10至60個鹼基或20至40個鹼基。
如本文所用，「分隔層(spacer layer)」係指使兩種組分結合於一起之材料。在一些實例中，分隔層可為有助於結合之輻射吸收材料，或可與有助於結合之輻射吸收材料接觸。
「硫醇(thiol)」官能基係指-SH。
如本文所用，術語「四(tetrazine)」及「四基(tetrazinyl)」係指包含四個氮原子之六員雜芳基。四可視情況經取代。
如本文所用，「四唑(tetrazole)」係指包括四個氮原子之五員雜環基。四唑可視情況經取代。
在本文所揭示之實例中，樹脂複合物包括有包括丙烯酸酯及矽氧烷之自由基可固化樹脂基質及自由基光引發劑，其中當固化時，樹脂組成物在暴露於約380nm至約480nm範圍內之藍色激發波長或約510nm至約560nm範圍內之綠色激發波長時具有低自體螢光或無自體螢光。
自由基可固化樹脂基質包括丙烯酸酯基及矽氧烷基。如本文所用，術語「丙烯酸酯(acrylate)」係指「CH2=CHCOO-」官能基(亦即)或「CH2=C(CH3)COO-」官能基(亦即甲基丙烯酸酯)。丙烯酸酯包括其經取代之變化形式(例如甲基丙烯酸酯為丙烯酸酯之實例)。矽氧烷基為包括Si-O-Si鍵聯之官能基。自由基可固化樹脂基質之(多個)單體之分子量及交聯密度可不同，只要樹脂組成物可經由本文所揭示之方法壓印即可。在一實例中，自由基可固化樹脂基質之(多個)單體之分子量可在約0.5kDa至約5kDa或約1kDa至約4.5kDa範圍內。交聯官能度及隨後之交聯密度視單體之臂數目(例如二、三、四)而定。
自由基可固化樹脂基質之實例為選自由以下者組成之群的包含丙烯酸酯基之基質：i)1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷： ii)甲基丙烯醯氧基丙基封端之聚二甲基矽氧烷：
(其中n在1至1000範圍內或其間之任何範圍，例如1至500、或1至100、或2至50、1至10、1至2等)，iii)四甲基肆[3-丙烯醯氧基丙基]環四矽氧烷： iv)甲基丙烯醯基多面體寡聚矽倍半氧烷(POSS)： v)丙烯醯多面體寡聚矽倍半氧烷： vi)丙烯醯氧基丙基甲基矽氧烷均聚物：
(其中m在1至1000範圍內或其間之任何範圍內，例如1至500、30至200、30至100等)，及vii)其組合。當使用組合時，應瞭解，所列舉自由基可固化樹脂基質中之任何兩者或更多者可一起用於樹脂組成物中，只要其兩者可溶於用於組成物之溶劑中即可。
本文所揭示之實施例樹脂組成物中之光引發劑可為在固化之樹脂中展現低自體螢光之任何產生自由基之光引發劑。
在一些實例中，自由基光引發劑為2-乙基-9,10-二甲氧基蒽：
在其他實例中，自由基光引發劑為2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮：
在另外其他實例中，自由基光引發劑為2-乙氧基-2-苯基苯乙酮(亦稱為安息香乙醚)：
在另外其他實例中，自由基光引發劑為膦氧化物。當使用膦氧化物時，其可選自由以下者組成之群： i)二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物： ii)二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物及2-羥基-2-甲基苯丙酮之摻合物： iii)苯基雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物：
iv)乙基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基亞膦酸酯： v)其組合。當使用組合時，應瞭解，所列舉自由基光引發劑中之任何兩者或更多者可一起用於樹脂組成物中，只要其兩者可溶於用於組成物之溶劑中即 可。
樹脂組成物可藉由混合自由基可固化樹脂基質與光引發劑製得。在一實例中，自由基可固化樹脂基質與光引發劑之重量%比率在約99.8：0.2至90：10範圍內。在另一實例中，自由基可固化樹脂基質與自由基光引發劑之重量%比率在約98：2至95：5範圍內。在另一實例中，自由基可固化樹脂基質與光引發劑之重量%比率在約96：4約99：1範圍內。當包括較低量之光引發劑時，可增加UV固化時間以使得完全反應。
應瞭解，至少部分視(多種)使用之自由基可固化樹脂基質成分而定，自由基可固化樹脂基質與光引發劑之重量%比率可更高或更低。
為沈積樹脂組成物，此等組分(自由基可固化樹脂基質及光引發劑)可用適合的溶劑稀釋(以獲得所用沈積技術所需之黏度)，適合的溶劑為諸如丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、甲苯、二甲亞碸(DMSO)、四氫呋喃(THF)等。在一實例中，溶劑中自由基可固化樹脂基質之濃度在約15重量%(wt%)至約56重量%範圍內，且溶劑中光引發劑之濃度在約1重量%至約10重量%範圍內，但咸信視所選溶劑中自由基可固化樹脂基質及光引發劑之各別溶解性而定，上限可更高。在一實例中，溶劑為PGMEA。最終樹脂組成物中之總濃度(包括自由基可固化樹脂基質及光引發劑(及聚丙烯酸酯或界面活性劑，若使用))在約16重量%至約66重量%範圍內。溶劑之量可在約34重量%至約84重量%範圍內。
在一些實例中，樹脂組成物可進一步包括暗淬滅劑或電子受體。暗淬滅劑為吸收來自螢光團之光能且將能量以熱形式耗散之物質。由此提供鬆弛激發態物種之非輻射途徑。在本文所揭示之實例中，所選暗淬滅劑應可吸收來自固化之樹脂組成物之藍色及/或綠色自體螢光。電子受體亦可誘導螢光淬滅。
在一實例中，暗淬滅劑可包含偶氮染料。在另一實例中，暗淬滅 劑包含選自由以下者組成之群的經取代之偶氮苯衍生物：4-二甲胺基偶氮苯-4'-甲酸：、4(4'-二甲胺基偶氮苯)苯甲醯基疊氮化物： 、4-二甲胺基偶氮苯-4-磺醯基疊氮化物： 、分散紅19：、碳黑顏料(carbon black pigment，CBP)添加劑、基於黑色染料之淬滅劑(諸如TRUEBLACK®自體螢光淬滅劑，於DMF中20×)及其組合。適合的電子受體之實例可包括[5,6]-富勒烯-C70：或富勒烯-C60：
在一實例中，暗淬滅劑或電子受體之含量可在以樹脂組成物之總重量計約0.1重量%至約10重量%範圍內。
樹脂組成物之一些其他實例可進一步包括聚丙烯酸酯或界面活性劑。市售聚丙烯酸酯之實例為BYK®-350(可購自BYK Additives & Instruments)。可使用任何生物相容界面活性劑，諸如TWEEN®界面活性劑(例如來自Uniqema Americas LLC之聚乙烯山梨糖醇酯(TWEEN® 80)及聚氧乙烯山梨糖醇酯(TWEEN® 20))；TRITONTM X-100(來自Dow Chemical公司之Octylphenol Ethoxylate)及可購自BYK Additives and Instruments之聚合界面活性劑。在一實例中，聚丙烯酸酯或界面活性劑在樹脂組成物中之含量可在約0.4重量%總固體至約1.6重量%總固體範圍內。
在一些實例中，樹脂組成物可進一步包括環氧樹脂基質與自由基可固化樹脂基質之組合。不同於本文所揭示之自由基可固化樹脂基質，環氧樹脂基質涉及兩部分固化系統，其中使由本文所揭示之光引發劑產生之自由基與光酸產生劑反應，該光酸產生劑分解以產生超強酸，又引發(多種)環氧樹脂基質成分之聚合及/或交聯。因此，在除自由基可固化樹脂基質以外包括環氧基之實例中，應瞭解樹脂組成物亦包含光酸產生劑。在此等實例中，咸信本文所揭示之Norrish II型蒽衍生物光引發劑及Norrish I型苯乙酮或膦氧化物光引發劑可在UVA暴露下產生自由基，其在有光酸產生劑下可有助於兩部分固化系統，而不經歷在所關注之藍色及/或綠色激發波長中產生不合需要的自體螢光之分子內相互作用。現將描述可添加至本文所揭示之樹脂組成物之適合的環氧樹脂基質及光酸產生劑之實施例。
可使用可與本文所揭示之自由基可固化樹脂交聯之任何環氧單體。適合的環氧樹脂基質之實例包括：i)環氧基官能化多面體寡聚矽倍半氧烷(POSS)(下文中進一步描述)；ii)三羥甲基丙烷三縮水甘油醚： iii)肆(環氧基環己基乙基)四甲基環四矽氧烷： iv)(環氧基環己基乙基)甲基矽氧烷及二甲基矽氧烷之共聚物：
(其中m：n之比率在8：92至10：90範圍內)；v)1,3-雙[2-(3,4-環氧基環己基)乙基]四甲基二矽氧烷： vi)1,3-雙(縮水甘油氧基丙基)四甲基二矽氧烷： vii)其組合。當使用組合時，應瞭解，所列舉環氧樹脂基質中之任何兩者或更多者可一起用於本文所揭示之樹脂組成物中。
環氧基官能化多面體寡聚矽倍半氧烷包括用環氧基官能化之多面體寡聚矽倍半氧烷(POSS)核。如本文所用，術語「多面體寡聚矽倍半氧烷(polyhedral oligomeric silsesquioxane)」(POSS)係指一種化學組成物，其為二氧化矽(SiO2)與聚矽氧(R2SiO)之間的混合中間物(RSiO1.5)。POSS之實例可為Kehagias等人，Microelectronic Engineering 86(2009)，第776-778頁中所述之POSS，該參考文獻以全文引用的方式併入本文中。組成物為具有化學式[RSiO3/2]n之有機矽化合物，其中R基團可相同或不同。本文所揭示之樹脂組成物可包含一或多種不同籠或核結構作為單體單元。在一些情況下，結構包括聚八面體籠或核結構。舉例而言，多面體結構可為T8結構，諸如：且由表示。此單體單元典型地具有八個官能基R1至R8之臂。
單體單元可具有稱為T10之籠結構，其具有10個矽原子及10個R 基團，諸如：，或可具有稱為T12之籠結構，其具有12個矽原子及12個R基團，諸如：。基於POSS之材料或者可包括T6、T14或T16籠結構。可在合成期間調節平均籠含量，及/或由純化方法控制，且在本文所揭示之實施例中可使用(多個)單體單元之籠大小之分佈。作為實例，籠結構中之任一者之含量可在所用總POSS單體單元之約30%至約100%範圍內。基於POSS之材料可為籠結構以及開口及部分開口籠結構之混合物。因此，基於POSS之樹脂前驅體及樹脂可包括環氧基POSS材料，其可為倍半矽氧烷組態之混合物。舉例而言，本文所述之任何POSS材料可為離散POSS籠及非離散倍半矽氧烷結構及/或不完全縮合之離散結構(諸如聚合物、梯型物及其類似者)的混合物。部分縮合材料將因此在一些矽頂點處包括如本文所述之環氧R基團，但一些矽原子將不經R基團取代且可替代地經OH基團取代。在一些實例中，POSS材料包含各種形式之混合物，諸如： 及/或(c)。
在本文所揭示之實例中，R1至R8或R10或R12中之至少一者包含環氧基，且因此POSS稱為環氧基POSS。在一些實例中，大多數臂，諸如八、十或 十二個臂或R基團包含環氧基。在其他實例中，R1至R8或R10或R12為相同的，且因此R1至R8中之各者或R10或R12包含環氧基。在另外其他實例中，R1至R8或R10或R12不相同，且因此R1至R8或R10或R12中之至少一者包含環氧基，且R1至R8或R10或R12中之至少另一者為非環氧基官能基，在一些情況下其選自由以下者組成之群：疊氮基/疊氮基、硫醇、聚(乙二醇)、降冰片烯、四、丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，或另外例如烷基、芳基、烷氧基及鹵烷基。在一些態樣中，選擇非環氧官能基以增加樹脂表面能。在此等其他實例中，環氧基與非環氧基之比率在7：1至1：7、或9：1至1：9、或11：1至1：11範圍內。在實例中之任一者中，(多個)經二取代或經單取代之(末端)環氧基在使用紫外(UV)光及酸起始時使單體單元聚合成交聯基質。在一些態樣中，環氧基POSS包含末端環氧基。此類型POSS之實例為具有以下結構之縮水甘油基POSS：
此類型POSS之另一實例為具有以下結構之環氧基環己基乙基官能化POSS：
本文所揭示之環氧樹脂基質之一個實例包括兩種環氧基POSS化合物之組合，其中該組合包括縮水甘油基POSS及環氧基環己基乙基官能化POSS。
在本文所揭示之實例中，環氧基POSS亦可為改質之環氧基POSS，其包括可控自由基聚合(controlled radical polymerization，CRP)劑及/或作為官能基R1至R8或R10或R12中之一或多者併入至樹脂或核或籠結構中之其他所關注之官能基。
如上文所提及，當環氧樹脂基質與自由基可固化樹脂基質組合使用時，該樹脂組成物亦包含光酸產生劑。咸信可使用任何適合的光酸產生劑，其將不經歷與本文所揭示之自由基光引發劑之不合需要的分子內相互作用。適合的光酸產生劑之實例可包括苯甲基、亞胺基酯、共軛亞胺基酯、螺吡喃、基於特拉烯(teraylene)之、兩光子及有機金屬PAG系統。適合的光酸產生劑之一些特定實例選自由以下者組成之群：i)N-羥基萘二甲醯亞胺三氟甲磺酸酯： ii)混合之六氟磷酸三芳基鋶鹽： iii)混合之六氟銻酸三芳基鋶鹽： iv)三氟甲磺酸1-萘基二苯基鋶(NDS-TF)： v)三氟甲磺酸(4-苯基硫代苯基)二苯基鋶： vi)雙(4-甲基苯基)錪六氟磷酸鹽： vii)六氟磷酸雙(4-第三丁基苯基)錪： viii)三氟甲磺酸(2-甲基苯基)(2,4,6-三甲基苯基)錪： xi)三氟甲磺酸雙(2,4,6-三甲基苯基)錪： x)六氟銻酸雙(4-十二烷基苯基)錪： xi)其組合。可使用光酸產生劑之組合，只要其可溶於所選溶劑中即可。
在包括環氧樹脂基質及光酸產生劑之樹脂組成物之一實例中，環氧樹脂基質與光酸產生劑之重量%比率在約99.8：0.2至90：10範圍內。在另一實例中，環氧樹脂基質與光酸產生劑之重量%比率在約98：2至95：5範圍內。在另一實例中，環氧樹脂基質與光酸產生劑之重量%比率在約96：4至99：1範圍內。當包括較低量之光酸產生劑時，可增加UV固化時間以使得完全反應。
應瞭解，至少部分視(多種)所用環氧樹脂基質成分而定，環氧 樹脂基質與光酸產生劑之重量%比率可更高或更低。
本文所揭示之樹脂組成物之任何實施例均可用於形成流體槽。用於製造流體槽之實施例的方法100之一實施例示於圖1中。如圖1中所示，方法100包括將樹脂組成物沈積於基板上，樹脂組成物包括有包括丙烯酸酯及矽氧烷之自由基可固化樹脂基質及自由基光引發劑(參照編號102)；使用工作印模奈米壓印所沈積之樹脂組成物(參照編號104)；及固化所沈積之樹脂組成物以形成固化之圖案化樹脂，其中固化之圖案化樹脂在暴露於約380nm至約480nm範圍內之藍色激發波長或約510nm至約560nm範圍內之綠色激發波長時具有低自體螢光或無自體螢光(參照編號106)。所得流體槽包括基板及該基板上之固化之圖案化樹脂，該固化之圖案化樹脂包括藉由間隙區域分隔開之凹陷，且該固化之圖案化樹脂由本文所揭示之樹脂組成物之實施例形成。
儘管圖1中未示出，但方法100之實施例可進一步包括將聚合物塗層塗覆於凹陷中及將引子接枝於聚合物塗層。現將進一步參看圖2A至2E描述包括此等其他過程之方法100。
圖2A描述基板12，且圖2B描述沈積於中基板12上之樹脂組成物14。
適合的基板12之實例包括環氧基矽氧烷、玻璃及改質或官能化玻璃、塑膠(包括丙烯酸樹脂、聚苯乙烯及苯乙烯與其他材料之共聚物、聚丙烯、聚乙烯、聚丁烯、聚胺基甲酸酯、聚四氟乙烯(諸如來自Chemours之TEFLON®)、環烯烴/環烯烴聚合物(COP)(諸如來自Zeon之ZEONOR®)、聚醯亞胺等)、耐綸、陶瓷/陶瓷氧化物、二氧化矽、熔融二氧化矽或基於二氧化矽之材料、矽酸鋁、矽及改質矽(例如硼摻雜之p+矽)、氮化矽(Si3N4)、氧化矽(SiO2)、五氧化鉭(TaO5)或其他氧化鉭(TaOx)、氧化鉿(HaO2)、碳、金屬、無機玻璃或其類似物。基板12亦可為在表面具有氧化鉭或另一陶瓷氧化物塗層之玻璃或矽。
在一實施例中，基板12可具有約2mm至約300mm範圍內之直徑，或其最大尺寸高達10呎(約3公尺)之矩形薄片或板件。在一實施例中，基板12為直徑在約200mm至約300mm範圍內之晶圓。在另一實施例中，基板12為寬度在約0.1mm至約10mm範圍內之模具。儘管已提供實例尺寸，但應瞭解，可使用具有任何適合尺寸之基板12。對於另一實例，可使用為矩形基板12之板件，其與300mm圓形晶圓相比具有更大表面積。
樹脂組成物14可為本文所述之樹脂組成物之任何實施例，其包括有包括丙烯酸酯及矽氧烷之自由基可固化樹脂基質及自由基引發劑(或環氧樹脂基質與自由基可固化樹脂基質之組合)。樹脂組成物14可使用任何適合的塗覆技術沈積於基板12上，其可為人工或自動化的。作為實例，可使用氣相沈積技術、塗佈技術、接枝技術或其類似技術進行樹脂組成物14之沈積。一些特定實例包括化學氣相沈積(chemical vapor deposition；CVD)、噴塗(例如超音波噴塗)、旋塗、浸塗(dunk/dip coating)、刮刀塗佈、覆液施配(puddle dispensing)、氣霧劑列印、網版列印、微接觸列印、噴墨列印或其類似技術。在一個實施例中，使用旋塗沈積樹脂組成物14。
在樹脂組成物14沈積之後，可軟烘烤以移除過量溶劑。接著使用本文中提及之圖案化技術中之任一者將所沈積之樹脂組成物14圖案化。在圖2B中所示之實施例中，使用奈米壓印微影術以圖案化樹脂組成物14。奈米壓印微影術模具或工作印模20抵靠樹脂組成物14層按壓以在樹脂組成物14上產生印記。換言之，樹脂組成物14藉由工作印模20之突起凹入或打孔。在一實施例中，樹脂組成物14可就地用工作印模20固化。
對於本文所揭示之樹脂組成物14，固化可藉由暴露於光化輻射，諸如紫外(UV)輻射(例如金屬鹵化物光源、汞蒸氣光源、UV發射LED光源等)實現。由於存在光引發劑故固化有助於自由基形成，且此等自由基用以固化樹 脂組成物之丙烯酸酯部分。因此，固化有助於樹脂組成物14之聚合及/或交聯。舉例而言，固化可包括單一UV暴露階段，或可包括多個階段，包括軟烘烤(例如以驅除(多種)溶劑)且接著UV暴露。若包括，則軟烘烤可在約50℃至約150℃範圍內之低溫下進行大於0秒至約3分鐘，且可在將工作印模20置放於樹脂組成物14中之前進行。在一實施例中，軟烘烤時間在約30秒至約2.5分鐘範圍內。在軟烘烤期間，可進行一或多個進一步有助於減少自體螢光之化學過程。實例化學過程可包括蒸發一些樹脂組成物材料、昇華一些樹脂組成物材料、使一些樹脂組成物材料聚合及/或其組合。一些實例亦可包含硬烘烤。然而，本文所揭示之樹脂組成物14之固化機制極快，使得樹脂組成物14可在無硬烘烤下完全固化。若進行，則工作印模20在硬烘烤之前剝離/分離，例如以使得工作印模20不結合至固化之樹脂組成物14。若進行，則在約100℃至約300℃範圍內之溫度下，硬烘烤之持續期間可持續約5秒至約10分鐘。可進行硬烘烤例如以自樹脂組成物14移除(多種)殘餘溶劑、進一步聚合一些樹脂組成物材料(且因此增強固化程度)及/或進一步減少自體螢光。可用於軟烘烤及/或硬烘烤之裝置之實例包括加熱板、烘箱等。
在剝離工作印模20之後，例如凹陷16之構形特徵位於樹脂組成物14中。如圖2C中所示，其中界定有凹陷16之樹脂組成物14稱為固化之圖案化樹脂14'。在一些實施例中，固化之圖案化樹脂14'可經歷進一步硬烘烤，例如以有助於鎖定於壓印之構形中及/或進一步減少螢光。在一些實施例中，其他硬烘烤可在約60℃至約300℃範圍內之溫度下進行。
固化之圖案化樹脂14'之化學構成視用於樹脂組成物14中之一或多種自由基可固化樹脂基質及(多種)自由基光引發劑而定。
如圖2C中所示，固化之圖案化樹脂14'包括界定於其中之凹陷16及分隔開相鄰凹陷16之間隙區域22。在本文所揭示之實施例中，凹陷16用聚合 物塗層18(圖2C-2D)及引子24(圖2E-2F)官能化，而可使用部分間隙區域22進行結合，但其上不具有聚合物塗層18或(多種)引子24。
可設想凹陷16之多種不同佈局，其包括有規則、重複及非規則圖案。在一實例中，為緊密堆積及改良密度，將凹陷16安置於六邊形柵格中。其他佈局可包括例如長方體(亦即矩形)佈局(例如線或溝槽)、三角佈局等。在一些實例中，佈局或圖案可為成列及成行的x-y格式之凹陷16。在一些其他實例中，佈局或圖案可為凹陷16及/或間隙區域22之重複排列。在另外其他實例中，佈局或圖案可為凹陷16及/或間隙區域22之無規則排列。圖案可包括點、小片、孔、柱、條帶、漩渦、線、三角形、矩形、圓形、弧線、方格、格子花、對角線、箭頭、方形及/或交叉影線。在一實例中，凹陷16為孔，如圖2C中所示。
佈局或圖案可根據所界定區域中凹陷16之密度(亦即凹陷16數目)來特性化。舉例而言，凹陷16可以大致2百萬個/平方毫米之密度存在。該密度可調整為不同密度，包括例如至少約100個/平方毫米、約1,000個/平方毫米、約十萬個/平方毫米、約1百萬個/平方毫米、約2百萬個/平方毫米、約5百萬個/平方毫米、約1千萬個/平方毫米、約5千萬個/平方毫米或更大之密度。或者或另外，密度可經調整而不超過約5千萬個/平方毫米、約1千萬個/平方毫米、約5百萬個/平方毫米、約2百萬個/平方毫米、約1百萬個/平方毫米、約10萬個/平方毫米、約1,000個/平方毫米、約100/平方毫米或更小。進一步理解，固化之圖案化樹脂14'中之凹陷16之密度可在選自以上範圍的下限值中之一者與上限值中之一者之間。作為實例，高密度陣列可特性化為使凹陷16分隔開小於約100nm，中等密度陣列可特性化為使凹陷16分隔開約400nm至約1μm，且低密度陣列可特性化為使凹陷16分隔開大於約1μm。儘管已提供實例密度，但應瞭解可使用具有任何適合密度之基板。
凹陷16之佈局或圖案或者亦可關於平均間距來特徵化，亦即凹陷 16之中心與相鄰凹陷16之中心之間距(中心距)或一個凹陷16之邊緣與相鄰凹陷16之邊緣之間距(邊緣距)。圖案可為有規則的，以使得關於平均間距之變化係數較小，或圖案可為不規則的，在此情況下，變化係數可能相對較大。在任一情況下，平均間距可為例如至少約10nm、約0.1μm、約0.5μm、約1μm、約5μm、約10μm、約100μm或更大。或者或另外，平均間距可為例如至多約100μm、約10μm、約5μm、約1μm、約0.5μm、約0.1μm或更小。凹陷16之特定圖案的平均間距可在選自以上範圍的下限值中之一者與上限值中之一者之間。在一實例中，凹陷16之間距(中心距)為約1.5μm。儘管已提供實例平均間距值，但應瞭解可使用其他平均間距值。
在圖2A至2E中所示之實例中，凹陷16為孔，且因此固化之圖案化樹脂14'包括其表面中之孔陣列。孔可為微孔或奈米孔。各孔之尺寸特徵可為其容積、孔開口面積、深度及/或直徑。
各孔可具有能夠限制液體之任何容積。可選擇最小或最大容積，例如以適應流體槽之後續使用所期望的輸送量(例如多路傳輸量(multiplexity))、解析度、分析物組成、或分析物反應性。舉例而言，容積可為至少約1×10-3μm3、約1×10-2μm3、約0.1μm3、約1μm3、約10μm3、約100μm3或更大。或者或另外，容積可為至多約1×104μm3、約1×103μm3、約100μm3、約10μm3、約1μm3、約0.1μm3或更小。應瞭解，聚合物塗層18可填充孔之容積之全部或一部分。
可根據如上文關於孔容積所闡述之類似準則選擇表面上之各孔開口所佔之面積。舉例而言，表面上之各孔開口的面積可為至少約1×10-3μm2、約1×10-2μm2、約0.1μm2、約1μm2、約10μm2、約100μm2或更大。或者或另外，面積可為至多約1×103μm2、約100μm2、約10μm2、約1μm2、約0.1μm2、約1×10-2μm2或更小。各孔打開所佔之面積可大於、小於以上指定之值，或介於該等值之 間。
各孔之深度可為至少約0.1μm、約1μm、約10μm、約100μm或更大。或者或另外，深度可為至多約1×103μm、約100μm、約10μm、約1μm、約0.1μm或更小。各孔之深度可大於、小於以上指定之值，或介於該等值之間。
在一些情況下，各孔之直徑可為至少約50nm、約0.1μm、約0.5μm、約1μm、約10μm、約100μm或更大。或者或另外，直徑可為至多約1×103μm、約100μm、約10μm、約1μm、約0.5μm、約0.1μm或更小(例如約50nm)。各孔之直徑可大於、小於以上指定之值，或介於該等值之間。
如圖2C與2D之間所示，在樹脂組成物14圖案化及固化之後，固化之圖案化樹脂14'可經處理以製備聚合物塗層18之塗覆表面。
在一實例中，固化之圖案化14'可暴露於矽烷化，其將矽烷或矽烷衍生物連接至固化之圖案化樹脂14'。矽烷化將矽烷或矽烷衍生物引入整個表面中，包括(例如底表面上及沿側壁之)凹陷16中及間隙區域22上。
矽烷化可使用任何矽烷或矽烷衍生物來實現。矽烷或矽烷衍生物之選擇可部分視待用於形成聚合物塗層18(圖2D中所示)之官能化分子而定，因為可能需要在矽烷或矽烷衍生物與聚合物塗層18之間形成共價鍵。用於將矽烷或矽烷衍生物連接至固化之圖案化樹脂14'之方法可視正使用之矽烷或矽烷衍生物而變化。本文闡述若干實例。
在一實例中，矽烷或矽烷衍生物為(3-胺丙基)三乙氧基矽烷((3-aminopropyl)triethoxysilane；APTES)或3-胺丙基)三甲氧基矽烷(3-aminopropyl)trimethoxysilane；APTMS)(亦即X-R B -Si(ORC)3，其中X為胺基，RB為-(CH2)3-，且RC為乙基或甲基)。在此實例中，基板12表面可用(3-胺丙基)三乙氧基矽烷(APTES)或3-胺丙基)三甲氧基矽烷(APTMS)預處理以將矽共價連接至表面上之一或多個氧原子(且不意欲藉由機構保持，各矽可鍵結至一個、 兩個或三個氧原子)。將此以化學方式處理之表面烘烤以形成胺基單層。胺基接著與磺基-HSAB反應以形成疊氮基衍生物。在21℃下用1J/cm2至30J/cm2之能量進行UV活化產生活性亞氨體物種，其可與PAZAM(例如用以形成聚合物塗層18之官能化分子之一個實例)容易經歷多種插入反應。
亦可使用其他矽烷化方法。適合的矽烷化方法之實例包括氣相沈積(例如YES方法)、旋塗或其他沈積方法。本文描述可用以使固化之圖案化樹脂14'矽烷化之方法及材料之一些實例，但應瞭解可使用其他方法及材料。
在利用YES CVD烘箱之一個實例中，將基板12上之固化之圖案化樹脂14'置於CVD烘箱中。可將腔室排氣且接著開始矽烷化循環。在循環期間，矽烷或矽烷衍生物容器可保持在適合的溫度(例如針對降冰片烯矽烷為約120℃)，矽烷或矽烷衍生物蒸汽管線保持在適合的溫度(例如針對降冰片烯矽烷為約125℃)，且真空管線保持在適合的溫度(例如約145℃)。
在另一實例中，矽烷或矽烷衍生物(例如液體降冰片烯矽烷)可沈積於玻璃小瓶內且置放於具有圖案化基板12之玻璃真空乾燥器內。乾燥器接著可抽空至約15毫托至約30毫托範圍內之壓力，且置放於約60℃至約125℃範圍內之溫度的烘箱內。允許繼續進行矽烷化，且接著自烘箱移除乾燥器、冷卻且排氣到空氣中。
氣相沈積、YES方法及/或真空乾燥器可與各種矽烷或矽烷衍生物一起使用，諸如彼等包括環烯烴不飽和部分之矽烷或矽烷衍生物，該環烯烴不飽和部分為諸如降冰片烯、降冰片烯衍生物(例如包括氧或氮代替碳原子之一的(雜)降冰片烯)、反式環辛烯、反式環辛烯衍生物、反式環戊烯、反式環庚烯、反式環壬烯、雙環[3.3.1]壬-1-烯、雙環[4.3.1]癸-1(9)-烯、雙環[4.2.1]壬-1(8)-烯及雙環[4.2.1]壬-1-烯。此等環烯中之任一者可例如經R基團取代，該R基團為諸如氫、烷基、烯基、炔基、環烷基、環烯基、環炔基、芳基、雜芳基、雜脂 環基、芳烷基或(雜脂環基)烷基。降冰片烯衍生物之實例包括[(5-雙環[2.2.1]庚-2-烯基)乙基]三甲氧基矽烷。作為其他實例，此等方法可在矽烷作為其他實例，此等方法可在矽烷或矽烷衍生物包括環炔不飽和部分時使用，該環炔不飽和部分為諸如環辛炔、環辛炔衍生物或雙環壬炔(例如雙環[6.1.0]壬-4-炔或其衍生物、雙環[6.1.0]壬-2-炔或雙環[6.1.0]壬-3-炔)。此等環炔可經本文所述之R基團中之任一者取代。
矽烷或矽烷衍生物之連接形成經預處理(例如矽烷化)固化之圖案化樹脂14'，其包括矽烷化凹陷及矽烷化間隙區域。
在其他實例中，固化之圖案化樹脂14'可不暴露於矽烷化。相反地，固化之圖案化樹脂14'可暴露於電漿灰化，且接著聚合物塗層18可直接旋塗(或以其他方式沈積)於電漿灰化之固化之圖案化樹脂14'上。在此實例中，電漿灰化可產生可將聚合物塗層18黏著至固化之圖案化樹脂14'的(多種)表面活化劑(例如羥基(C-OH或Si-OH)及/或羧基)。在此等實例中，選擇聚合物塗層18以致其與由電漿灰化產生之表面基團反應。
在另外其他實例中，固化之圖案化樹脂14'可包括未反應環氧基(例如當環氧樹脂基質與自由基可固化樹脂基質一起使用時)；且因此可不暴露於矽烷化，因為未反應環氧基可與聚合物塗層18官能基胺基官能基直接反應。在此實例中，例如若需要潔淨表面之潛在污染物，則可進行電漿灰化。
接著可將聚合物塗層18塗覆於經預處理固化之圖案化樹脂14'(如圖2C與2C之間所示)。聚合物塗層18可為可滲透液體及氣體且繫留於固化之圖案化樹脂14'之半剛性聚合材料。
聚合物塗層18之實例包括丙烯醯胺共聚物，諸如聚(N-(5-疊氮基乙醯胺基戊基)丙烯醯胺-共-丙烯醯胺PAZAM。PAZAM及一些其他形式之丙烯醯胺共聚物由以下結構(I)表示：
其中：R1為H或視情況經取代之烷基；RA係選自由以下者組成之群：疊氮基、視情況經取代之胺基、視情況經取代之烯基、視情況經取代之腙、視情況經取代之肼、羧基、羥基、視情況經取代之四唑、視情況經取代之四、氧化腈、硝酮及硫醇；R5、R6及R8各自獨立地選自由H及視情況經取代之烷基組成之群；各-(CH2)p-可視情況經取代；p為1至50範圍內之整數；n為1至50,000範圍內之整數；且m為1至100,000範圍內之整數。
一般熟習此項技術者將認識到，在式(I)中重複「n」及「m」個特徵之配置係代表性的，且單體子單元可以任何次序存在於聚合物結構中(例如無規、嵌段、圖案化或其組合)。
PAZAM之分子量可在約10kDa至約1500kDa範圍內，或在一特定實例中可為約312kDa。
在一些實例中，PAZAM為線性聚合物。在一些其他實例中，PAZAM為輕度交聯聚合物。
在其他實例中，聚合物塗層18可為結構(I)之變體。在一個實例中，丙烯醯胺單元可經N,N-二甲基丙烯醯胺()置換。在此實例中，結構(I)中之丙烯醯胺單元可經置換，其中R6、R7及R8各自為H，且R9及R10各自為甲基(而非如同丙烯醯胺之情況一般為H)。在此實例中，q可為1至100,000範圍內之整數。在另一實例中，除丙烯醯胺單元以外可使用N,N-二甲基丙烯醯胺。在此實例中，結構(I)除重複「n」及「m」個特徵以外可包括，其中R6、R7及R8各自為H，且R9及R10各自為甲基。在此實例中，q可為1至100,000範圍內之整數。
作為另一實例聚合物，在結構(I)中重複「n」個特徵可經具有結構(II)之包括雜環疊氮基之單體置換：
其中R1為H或C1-C4烷基；R2為H或C1-C4烷基；L為包括直鏈之連接子，該直鏈具有2至20個選自由碳、氧及氮組成之群的原子及10個在鏈中之碳及任何氮原子上視情況存在之取代基；E為直鏈，其包括1至4個選自由碳、氧及氮組成之群的原子及鏈中之碳及任何氮原子上視情況存在之取代基；A為經N取代之醯胺，其中H或C1-C4烷基連接至N；且Z為含氮雜環。Z之實例包括以單一環狀結構或融合結構存在之5至10個環成員。
作為另一實例，聚合物可包括結構(III)及(IV)中之各者之重複單元：
其中R1a、R2a、R1b及R2b中之各者獨立地選自氫、視情況經取代之烷基或視情況經取代之苯基；各R3a及R3b獨立地選自氫、視情況經取代之烷基、視情況經取代之苯基或視情況經取代之C7-C14芳烷基；且各L1及L2獨立地選自視情況經取代之伸烷基連接子或視情況經取代之伸雜烷基連接子。
應瞭解，其他官能化分子可用以形成聚合物塗層18，只要其經官能化以與經預處理固化之圖案化樹脂14'及隨後塗覆之(多種)引子24相互作用。適合用於形成聚合物塗層18之分子之其他實例包括具有膠態結構之彼等分子，諸如瓊脂糖；或具有聚合物網狀結構之彼等分子，諸如明膠；或具有交聯聚合物結構之彼等分子，諸如聚丙烯醯胺聚合物及共聚物、無矽烷丙烯醯胺(SFA)或SFA之疊氮化形式。適合的聚丙烯醯胺聚合物之實例可由丙烯醯胺及丙烯酸或含有乙烯基之丙烯酸合成，或由形成[2+2]光致環加成反應之單體合成。適用於形成聚合物塗層18之分子的其他實例包括丙烯醯胺及丙烯酸酯之混合共聚物。亦可使用分支聚合物，諸如星形聚合物、星形或星形嵌段共聚物、樹枝狀聚合物及其類似物。
官能化分子(例如PAZAM)可使用旋塗、或浸漬或浸塗、或官能化分子在正或負壓下流動、或其他合適的技術沈積於經預處理固化之圖案化樹脂14'之表面上。官能化分子可以混合物存在。在一實例中，混合物包括PAZAM水溶液或含PAZAM之乙醇及水之混合物。
在塗佈之後，官能化分子亦可暴露於固化過程以在整個圖案化基板上(亦即在(多個)凹陷16中及(多個)間隙區域22上)形成聚合物塗層18。在一實例中，固化官能化分子可在室溫(例如約25℃)至約95℃範圍內之溫度下進行約1毫秒至約若干天範圍內之時間。在另一實例中，時間可在10秒至至少24小時之範圍內。在另一實例中，時間可在約5分鐘至約2小時之範圍內。
將聚合物塗層18連接至經預處理凹陷及間隙區域可經由共價鍵合。聚合物塗層18與矽烷化或電漿灰化凹陷之共價連接有助於在多次使用期間在整個最終形成之流體槽之壽命中維持凹陷16中之聚合物塗層18。之後為可在矽烷或矽烷衍生物與聚合物塗層18之間進行的一些反應實例。
當矽烷或矽烷衍生物包括作為不飽和部分之降冰片烯或降冰片 烯衍生物時，降冰片烯或降冰片烯衍生物可：i)經歷與PAZAM之疊氮/疊氮基進行1,3-偶極環加成反應：ii)經歷與連接至PAZAM之四基團進行偶合反應；經歷與連接至PAZAM之腙基團進行環加成反應；經歷與連接至PAZAM之四唑基團進行光點擊反應；或經歷與連接至PAZAM之氧化腈基團進行環加成。
當矽烷或矽烷衍生物包括作為不飽和部分之環辛炔或環辛炔衍生物時，環辛炔或環辛炔衍生物可：i)經歷與PAZAM之疊氮/疊氮基進行應力促進的疊氮-炔1,3-環加成(strain-promoted azide-alkyne 1,3-cycloaddition；SPAAC)反應，或ii)經歷與連接至PAZAM之氧化腈基團進行應力促進的炔-氧化腈環加成反應。
當矽烷或矽烷衍生物包括雙環壬炔作為不飽和部分時，雙環壬炔可由於雙環系統中之應變而與連接至PAZAM之疊氮化物或腈氧化物進行類似的SPAAC炔烴環加成。
為在(多個)凹陷16中但不在固化之圖案化樹脂14'之(多個)間隙區域22上形成聚合物塗層18，可拋光掉間隙區域22之聚合物塗層18。拋光過程可用溫和化學漿料(包括例如研磨劑、緩衝劑、螯合劑、界面活性劑及/或分散劑)進行，其可自間隙區域22移除聚合物塗層18而不有害地影響彼等區域之下層固化之圖案化樹脂14'及/或基板12。或者，可用不包括研磨顆粒之溶液進行拋光。該化學漿料可用於化學機械拋光系統中。在此實例中，(多個)拋光頭/(多個)拋光墊或其他(多個)拋光工具能夠自間隙區域22拋光掉聚合物塗層18，而在凹陷16中留下聚合物塗層18且留下至少大體上完整之下層固化之圖案化樹脂14'。舉例而言，拋光頭可為Strasbaugh ViPRR II拋光頭。在另一實例中，拋光可用拋光墊及溶液來進行，而不需任何研磨劑。舉例而言，拋光墊可與不含研磨顆粒之溶液(亦即不包括研磨顆粒之溶液)一起使用。
圖2D描述在將聚合物層18塗覆於凹陷16後之流體槽前驅體10。 流體槽前驅體10可暴露於清潔過程。此過程可利用水浴及音波處理。水浴可維持在約22℃至約30℃範圍內之相對較低的溫度下。矽烷化、經塗佈且經拋光之圖案化之基板亦可旋轉乾燥，或經由另一適合的技術乾燥。
如圖2D與2E之間所示，進行接枝過程以將引子24接枝於(多個)凹陷16中之聚合物塗層18。引子24可為包括炔烴官能基之任何正向擴增引子或反向擴增引子，或另一種封端引子。可使用之封端引子的其他實例包括四封端之引子、疊氮基封端之引子、胺基封端之引子、環氧基或縮水甘油基封端之引子、硫代磷酸酯封端之引子、硫醇封端之引子、醛封端之引子、肼封端之引子、胺基磷酸酯封端之引子及三唑啉二酮封端之引子。亦可使用引子之混合物。適合的引子之特定實例包括P5及/或P7引子，其用於由Illumina公司出售之市售流體槽之表面上以用於HISEQTM、HISEQXTM、MISEQTM、MISEQDXTM、MINISEQTM、NEXTSEQTM、NextSeqDXTM、NOVASEQTM、ISEQTM、GENOME ANALYZERTM及其他儀器平台上進行定序。
在一實例中，接枝可藉由流通沈積(例如使用臨時結合之蓋板)、浸塗、噴塗、覆液分配或藉由將(多個)引子24連接於聚合物塗層18之另一適合的方法來實現。此等實例技術各自可利用可包括(多個)引子、水、緩衝劑及催化劑之引子溶液或混合物。
浸塗可涉及將流體槽前驅體10(圖2D中所示)浸沒於一系列溫度控制浴液中。浴液亦可為流動控制的及/或覆蓋有氮氣層。該等浴液可包括引子溶液或混合物。在整個各種，(多個)引子24浴液中將連接至(多個)凹陷16中之至少一些中之聚合物塗層18之(多個)接枝引子之官能基。在一實例中，將流體槽前驅體10引入至包括引子溶液或混合物之第一浴液中，在該第一浴液中進行反應以連接(多個)引子24，且接著移動至其他浴液中以進行洗滌。自浴液移動至浴液可涉及機器人臂或可以人工方式進行。浸塗中亦可使用乾燥系 統。
噴塗可藉由將引子溶液或混合物直接噴霧於流體槽前驅體10上而實現。可在約0℃至約70℃範圍內之溫度下將經噴塗之晶圓培育持續約4分鐘至約60分鐘範圍內之時間。培育之後，可稀釋且使用例如旋塗機移除引子溶液或混合物。
覆液分配可根據彙集及旋離法(pool and spin off method)進行，且因此可用旋塗機實現。可將引子溶液或混合物(以人工方式或經由自動化方法)塗覆至流體槽前驅體10。可將塗覆之引物溶液或混合物塗覆於或分散於流體槽前驅體10之整個表面上。可在約0℃至約80℃範圍內之溫度下將經引子塗佈之流體槽前驅體10培育持續約2分鐘至約60分鐘範圍內之時間。培育之後，可稀釋且使用例如旋塗機移除引子溶液或混合物。
圖2F圖示引子接枝之後流體槽10'之實例。儘管展示單一類型之引子24，但應瞭解，可連接兩種或更多種不同的引子24。
圖3E及3F中所示之實例為沒有與其結合之蓋板的流體槽10'之實例。儘管圖中未示，流體槽10'可具有結合至間隙區域22之至少一部分之蓋板。蓋板可在引子24接枝之前或之後結合。當在引子24接枝之前蓋板時，應瞭解，可使用流通過程進行接枝。在流通過程中，引子溶液或混合物可經由各別(多個)輸入孔口(圖中未示)引入至(多個)流動通道(界定於蓋板與間隙區域22之間)中，可保持於(多個)流動通道中持續足以使(多個)引子24連接於凹陷16中之一或多者之聚合物塗層18且接著可自各別輸出物孔口(圖中未示)移除之時間(亦即培育時段)。在引子24連接之後，可導引其他(多種)流體穿過(多個)流動通道以洗滌現官能化之凹陷及(多個)流動通道。
蓋板可定位於間隙區域22上，以使其界定單個流動通道或多個流體分隔開之流動通道。
蓋板可為對朝向(多個)凹陷16中導引之激發光透明的任何材料。作為實例，蓋板可為玻璃(例如Corning Eagle XG(CEXG)、硼矽酸鹽、融合二氧化矽等)、塑膠或其類似物。適合的硼矽酸鹽玻璃之市售實例為可購自Schott North America公司之D 263®。適合的塑膠材料(亦即環烯烴聚合物)之市售實例為可購自Zeon Chemicals有限公司之ZEONOR®產品。
在一些實例中，蓋板可與(多個)側壁一體地形成，其與其將結合之間隙區域22之一部分之形狀對應。舉例而言，可將凹槽蝕刻至透明塊體中，以形成大體上平坦的(例如頂部)部分及自大體上平坦的部分延伸之側壁。當將經蝕刻塊體安裝至間隙區域22時，凹槽可變成流動通道。
在其他實例中，(多個)側壁及蓋板可為彼此耦接之個別組件。舉例而言，蓋板可為具有至少大體上平坦的外表面及至少大體上平坦的內表面之大體上矩形的塊體，其界定流動通道之一部分(例如頂部部分)(一旦結合至間隙區域22之一部分)。可將塊體安裝於(例如結合至)(多個)側壁上，其結合至間隙區域22之一部分且形成流動通道之(多個)側壁。在此實例中，(多個)側壁可包括本文針對分隔層所闡述之材料(下文所述)中之任一者。
可使用任何適合的技術使蓋板結合，該技術為諸如雷射結合、擴散結合、陽極接合、共晶接合、電漿活化結合、玻璃料結合或其他此項技術中已知之方法。在一實例中，分隔層可用以使蓋板結合至間隙區域22之一部分。分隔層可為將間隙區域22中之至少一些及蓋板密封於一起之任何材料。
在一個實例中，分隔層可為吸收藉由蓋板及/或固化之圖案化樹脂14'傳播之波長的輻射之輻射吸收材料。吸收之能量又在分隔層與蓋板之間及在分隔層與固化之圖案化樹脂14'之間形成鍵。此輻射吸收材料之實例為來自杜邦公司(DuPont，美國)之黑色KAPTON®(含有碳黑之聚醯亞胺)，其在約1064nm下吸收。應瞭解，可在不添加碳黑下使用聚醯亞胺，但其中必須將波長改變 為由天然聚醯亞胺材料顯著吸收之波長(例如480nm)。作為另一實例，聚醯亞胺CEN JP可在用532nm下的光照射時結合。當分隔層為輻射吸收材料時，間隔物層可位於蓋板與間隙區域22之一部分之間的界面處以使得分隔層接觸所需結合區域。可施加壓縮(例如大致100 PSI之壓力)，同時以適合的波長將雷射能量施加至界面(亦即照射輻射吸收材料)。可將雷射能量施加至來自頂部與底部之界面，以便達成適合的結合。
在另一實例中，分隔層可包括與其接觸之輻射吸收材料。可在分隔層與蓋板之間的界面處以及在分隔層與間隙區域22之一部分之間的界面處塗覆輻射吸收材料。舉例而言，分隔層可為聚醯亞胺且個別輻射吸收材料可為碳黑。在此實例中，個別輻射吸收材料吸收雷射能量，其在分隔層與蓋板之間及在分隔層與間隙區域22之一部分之間形成鍵。在此實例中，可將壓縮施加於各別界面處，同時以適合的波長將雷射能量施加於界面(亦即照射輻射吸收材料)。
本文所揭示之流體槽10'可用於多種定序方法或技術中，包括通常稱為合成定序(sequencing-by-synthesis，SBS)、循環陣列定序、接合定序、焦磷酸定序等技術。伴隨此等技術中之任一者，由於聚合物塗層18及(多個)連接之引子24存在於凹陷16中而非間隙區域22上，因此擴增將限於凹陷。
作為一個實例，合成定序(SBS)反應可在諸如來自Illumina(San Diego,CA)之HISEQTM、HISEQXTM、MISEQTM、MISEQDXTM、MINISEQTM、ISEQTM、NOVASEQTM、NEXTSEQDXTM或NEXTSEQTM定序器系統之系統上運作。在SBS中，監測核酸引子(例如定序引子)沿核酸模板(亦即定序模板)之延伸，以確定模板中核苷酸之序列。基本化學方法可為聚合(例如，藉由聚合酶之催化)或接合(例如，藉由接合酶之催化)。在特定的基於聚合酶之SBS過程中，將經螢光標記之核苷酸以模板依賴性方式添加至定序引子(由此使定序引子延伸)中，以使得可使用偵測添加至定序引子中之核苷酸的定序及類型來 確定模板之序列。
在定序之前，可使擴增引子24暴露於定序文庫，其使用諸如群集產生任何適合的方法擴增。
在群集產生之一個實例中，使用高保真DNA聚合酶藉由3'延伸自雜交引子24複製文庫片段。使初始文庫片段變性，從而使複本固定。等溫橋式擴增可用於擴增固定之複本。舉例而言，複製之模板循環以與相鄰的互補引子24雜交，且聚合酶複製經複製之模板以形成雙股橋，其經變性以形成兩個單股之股。此兩個股循環且與相鄰的互補引子24雜交且再次延伸以形成兩個新穎雙股環。藉由等溫變性及擴增之循環在各模板複本上重複該過程以產生密集的純系集群。使雙股橋之各群集變性。在一實例中，藉由特異性鹼基裂解移除反向股，從而留下正向模板聚核苷酸股。應瞭解，成群使得形成若干模板股。
為起始第一SBS循環，可將一或多個標記之核苷酸、DNA聚合酶等遞送至流動通道等中/經由流動通道等遞送，其中定序引子延伸使標記之核苷酸併入至模板股中。此併入可經由成像事件偵測。在成像事件期間，照射系統(圖中未示)可為官能化之凹陷提供激發光。在成像事件期間，由暴露於藍色及/或綠色激發波長產生之來自固化之圖案化樹脂14'之任何發射(若存在)可i)因其低於偵測之閾值限度而為非偵測的，ii)由於固化之圖案化樹脂14'之低自體螢光而區分為雜訊。因此，本文揭示之固化之圖案化樹脂14'對於偵測器基本上不可見。
在一些實例中，核苷酸可進一步包括可逆終止特性，一旦核苷酸已添加至定序引子中，則該特性會進一步終止引子延伸。舉例而言，具有可逆終止子部分之核苷酸類似物可添加至定序引子，以使得後續延伸無法進行，直至遞送去阻斷劑以移除該部分。因此，對於使用可逆終止之實例，可將去阻斷試劑遞送至流動通道等中(在偵測進行之前或之後)。
在各種流體遞送步驟之間可進行洗滌。SBS循環接著可重複n次以使定序引子延伸n個核苷酸，由此偵測長度n之序列。
儘管已詳細描述SBS，但應瞭解，本文所述之流體槽可與其他定序方案一起用於基因分型或用於其他化學及/或生物學應用中。成對末端定序有助於偵測基因組重組及重複序列要素，以及基因融合物及新穎轉錄物。在另一實例中，本文揭示之流體槽可用於槽上文庫產生。
儘管圖1及2A至2F中所述之實例圖示樹脂組成物在形成流體槽中之用途，但應瞭解，樹脂組成物可用於其他需要低自體螢光之應用中。作為一個實例，樹脂組成物14、14'可用於任何基於光學之SBS技術中。作為其他實例，樹脂組成物14、14'可用於平面波導、互補金屬氧化物半導體(CMOS)等中。
為進一步說明本發明，本文給出兩個實施例及預示實施例。應理解，此等實施例及預示實施例係出於說明目的而提供且不欲理解為限制本發明之範圍。
實施例
實施例1
製備樹脂組成物之六個實施例。各實施例包括不同自由基可固化樹脂基質，該自由基可固化樹脂基質包括1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷、甲基丙烯醯氧基丙基封端之聚二甲基矽氧烷、四甲基肆[3-丙烯醯氧基丙基]環四矽氧烷、甲基丙烯醯基多面體寡聚矽倍半氧烷、丙烯醯多面體寡聚矽倍半氧烷及丙烯醯氧基丙基甲基矽氧烷均聚物。將此等自由基可固化樹脂基質中之各者與光引發劑，亦即雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(以OMNIRADTM2022自IGM Resins購得)混合。
將自由基可固化樹脂基質及光引發劑與PGMEA溶劑混合，與約15重量%至約66重量%範圍內之濃度的單體及約為1重量%之濃度的光引發劑。
此等樹脂組成物中之各者藉由在2200(轉/分鐘)rpm下旋塗持續約1分鐘而沈積於玻璃基板上。在沈積之後，使樹脂組成物暴露於約130℃下之軟烘烤約2分鐘以驅除PGMEA。所沈積之樹脂組成物接著使用奈米壓印微影術進行壓印。將工作印模壓入沈積之組成物中且用LED UV燈使樹脂暴露於UV固化約20秒。
獲取固化之圖案化樹脂中之各者的SEM影像。固化之圖案化樹脂的影像分別示於圖3A至3F中，該等固化之圖案化樹脂由1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷、甲基丙烯醯氧基丙基封端之聚二甲基矽氧烷、四甲基肆[3-丙烯醯氧基丙基]環四矽氧烷、甲基丙烯醯基多面體寡聚矽倍半氧烷、丙烯醯多面體寡聚矽倍半氧烷a及丙烯醯氧基丙基甲基矽氧烷均聚物形成。此等影像表明本文所揭示之樹脂組成物可進行奈米壓印以形成適用於流體槽或其他適合的應用之凹陷。
實施例2
製備實施例樹脂組成物，其包括約17重量%之丙烯醯多面體寡聚矽倍半氧烷(丙烯-POSS，作為自由基可固化樹脂基質)、約1重量%之雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(作為自由基光引發劑)及丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA，一種溶劑)。溶劑構成組成物其餘部分(約82重量%)。
製備比較性樹脂組成物，其包括約4重量%之縮水甘油基官能化POSS及約13重量%之環氧基環己基乙基官能化POSS(作為環氧樹脂基質)、總計約1.2重量%之噻噸-9-酮(ITX)(以約0.34重量%存在)/TEGO® PC 1467(Evonik Industries)(以約0.85重量%存在)之光引發劑/光酸產生劑組合、約1.4重量%之聚丙烯酸酯(BYK®-350)及溶劑(PGMEA)。溶劑構成組成物其餘部分(約80 重量%)。
藉由在2200(轉/分鐘)rpm下旋塗約1分鐘將比較性實施例樹脂組成物、實施例樹脂組成物中之各者沈積於玻璃基板上。
在實施例及比較性實施例樹脂組成物沈積之後，使實施例及比較性樹脂組成物暴露於約120℃下之軟烘烤約2分鐘以驅除PGMEA。接著，樹脂用LEDUV燈UV固化約20秒。比較性實施例樹脂在UV固化之後在250℃下硬烘焙約10分鐘。實施例樹脂未硬烘焙。
接著使用以光譜儀為主之工具使固化之實施例及固化之比較性實施例暴露於激發波長。工具激發來源為445nm(藍色)雷射。雷射光點大小為約200μm。使雷射光束通過過濾器以濾出一些較高波長線，且接著通過樣品。使用(固化之實施例及固化之比較性實施例之)透明樣品進行量測。在樣品另一側與雷射光束成一直線的為與纖維光學耦合之Ocean Optics光譜儀。入射雷射功率可藉由調節驅動電流或在雷射光束前添加衰減濾波器來調整。對於圖4之圖表中所示之量度，使用3mW之雷射功率。
如圖4之圖表可見，比較性實施例在藍色激發波長中之螢光強度(以任意單位(Au))高達2,500AU，且在綠色激發波長中在約2,000AU至約2,400AU範圍內。相比之下，實施例在藍色及綠色激發波長中之螢光強度一般低於約500AU，且似乎不顯著高於空白玻璃基板之螢光強度。
預示實施例
此預示實施例意欲比較假設實施例中之兩種調配物。
實施例樹脂組成物包括於PGMEA中之1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷(作為自由基可固化樹脂基質)及雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(作為自由基光引發劑)。
比較性樹脂組成物包括於PGMEA中之縮水甘油基官能化POSS及環氧基環己基乙基官能化POSS(作為環氧樹脂基質)、噻噸-9-酮(ITX)及TEGO®PC 1467(Evonik Industries)之光引發劑/光酸產生劑組合。
將比較性實施例組成物沈積於玻璃或矽流體槽之前兩個泳道(1及2)中，且將實例組成物沈積於玻璃或矽流體槽之後兩個泳道(4及5)中。
在實施例及比較性實施例樹脂組成物沈積之後，將樹脂固化。
使用AmershamTYPHOONTM自體螢光工具使固化之實施例及固化之比較性實施例中之各者分別暴露於藍色激發波長及綠色激發波長。咸信，比較性實施例之自體螢光結果比實施例高得多。圖5A及5B為圖示固化之實施例及固化之比較性實施例之自體螢光在分別暴露於藍色激發波長(圖5A)及綠色激發波長(圖5B)時提出之結果的圖表。在此等圖中，灰度值表示自體螢光及泳道位於流體槽上之距離(以cm為單位)。
此預示實施例比較假想的以丙烯酸酯為主之調配物與假想的以環氧樹脂為主之調配物，且闡述針對各假想的調配物提出之自體螢光結果，以說明包括丙烯酸酯及矽氧烷之自由基可固化樹脂基質及自由基光引發劑之組合可產生較低自體螢光。
其他注意事項
應瞭解，前述概念及下文更詳細地論述之其他概念的所有組合(限制條件為此類概念並不彼此不相容)經涵蓋作為本文所揭示之本發明主題的部分。特定言之，在本發明結尾處出現之所主張主題的全部組合預期為本文所揭示之本發明主題的一部分。亦應瞭解，本文中明確採用之亦可出現在以引用的方式併入之任何揭示案中的術語應符合與本文所揭示之特定概念大部分一致的含義。
在整個說明書中提及「一個實施例(one example)」、「另一實施例(another example)」、「一實施例(an example)」等意謂結合實施例描述之特定要素(例如特性、結構及/或特徵)包括於本文所述之至少一個實例中，且可或不可存在於其他實施例中。另外，應瞭解，除非上下文另外明確規定，否則關於任何實施例所述之要素可在各種實施例中以任何適合方式組合。
應瞭解，本文所提供之範圍包括所陳述範圍及在所陳述範圍內的任何值或子範圍，如同明確地列舉所陳述範圍內的值或子範圍一般。舉例而言，約380mm至約480mm之範圍應解釋為不僅包括明確所列舉之約380mm至約480mm之限值，且亦包括諸如約408mm、約445.5mm等之個別值及如約425mm至約475mm等之子範圍。此外，當「約(about)」及/或「大體上(substantially)」用以描述值時，其意謂涵蓋所陳述值之較小變化(達至+/-10%)。
儘管已詳細描述若干實施例，但應瞭解，所揭示之實施例可加以修改。因此，前述描述應被視為非限制性的。
100:方法
102:參照編號
104:參照編號
106:參照編號

Claims (19)

  1. 一種樹脂組成物，其包含：自由基可固化樹脂基質，其包括來自由1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷、甲基丙烯醯氧基丙基封端之聚二甲基矽氧烷、四甲基肆[3-丙烯醯氧基丙基]環四矽氧烷、甲基丙烯醯基多面體寡聚矽倍半氧烷、丙烯醯多面體寡聚矽倍半氧烷、丙烯醯氧基丙基甲基矽氧烷均聚物及其組合組成之群的丙烯酸酯及矽氧烷；自由基光引發劑；環氧樹脂基質；及光酸(photoacid)產生劑，其中，當固化時，該樹脂組成物在暴露於380nm至480nm範圍內之藍色激發波長或510nm至560nm範圍內之綠色激發波長時具有低自體螢光或無自體螢光；且進一步其中低自體螢光定義為其中(在暴露於藍色激發波長及/或綠色激發波長時固化樹脂之)發射量高於偵測之閾值限度，但又低至足以視為雜訊，且該雜訊在定序期間不干擾群集信號之鑑別：且無自體螢光意指螢光量低於偵測之閾值限度。
  2. 如請求項1所述之樹脂組成物，其中該固化之樹脂組成物具有低自體螢光，且其中在該固化之樹脂組成物暴露於該藍色激發波長時，該低自體螢光與小於25,000之灰度值(grey value)對應。
  3. 如請求項1所述之樹脂組成物，其中該固化之樹脂組成物具有低自體螢光，且其中在該固化之樹脂組成物暴露於該藍色激發波長時，該低自體螢光與小於5,000之灰度值對應。
  4. 如請求項1所述之樹脂組成物，其中該固化之樹脂組成物具有低自體螢光，且其中在該固化之樹脂組成物暴露於該綠色激發波長時，該低自體 螢光與小於10,000之灰度值對應。
  5. 如請求項1所述之樹脂組成物，其中該固化之樹脂組成物具有低自體螢光，且其中在該固化之樹脂組成物暴露於該綠色激發波長時，該低自體螢光與小於2,500之灰度值對應。
  6. 如請求項1所述之樹脂組成物，其中該自由基光引發劑為2-乙基-9,10-二甲氧基蒽。
  7. 如請求項1所述之樹脂組成物，其中該自由基光引發劑選自由2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮及2-乙氧基-2-苯基苯乙酮組成之群。
  8. 如請求項1所述之樹脂組成物，其中該自由基光引發劑為膦氧化物，且其中該膦氧化物選自由以下者組成之群：二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物、二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物及2-羥基-2-甲基苯丙酮之摻合物、苯基雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物、乙基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基亞膦酸酯及其組合。
  9. 如請求項1所述之樹脂組成物，其進一步包含暗淬滅劑或電子受體。
  10. 如請求項1所述之樹脂組成物，其中該自由基可固化樹脂基質與該自由基光引發劑之重量%比率在99.8：0.2至90：10範圍內。
  11. 一種流體槽，其包含：基板；及該基板上之固化之圖案化樹脂，該固化之圖案化樹脂包括藉由間隙區域分隔開之凹陷，且該固化之圖案化樹脂已經由樹脂組成物形成，該樹脂組成物包括：自由基可固化樹脂基質，其包括來自由1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷、甲基丙烯醯氧基丙基封端之聚二甲基矽氧烷、四甲基肆[3-丙烯醯 氧基丙基]環四矽氧烷、甲基丙烯醯基多面體寡聚矽倍半氧烷、丙烯醯多面體寡聚矽倍半氧烷、丙烯醯氧基丙基甲基矽氧烷均聚物及其組合組成之群的丙烯酸酯及矽氧烷；及自由基光引發劑；環氧樹脂基質；及光酸產生劑，其中該固化之圖案化樹脂在暴露於380nm至480nm範圍內之藍色激發波長或510nm至560nm範圍內之綠色激發波長時具有低自體螢光或無自體螢光；且進一步其中低自體螢光定義為其中(在暴露於藍色激發波長及/或綠色激發波長時該固化之圖案化樹脂之)發射量高於偵測之閾值限度，但又低至足以視為雜訊，且該雜訊在定序期間不干擾群集信號之鑑別：且無自體螢光意指螢光量低於偵測之閾值限度。
  12. 如請求項11所述之流體槽，其進一步包含：該等凹陷中之聚合物塗層；及與該聚合物塗層接枝之引子。
  13. 如請求項11所述之流體槽，其中該固化之圖案化樹脂具有低自體螢光，且其中在該固化之圖案化樹脂暴露於該藍色激發波長時，該低自體螢光與小於25,000之灰度值對應。
  14. 如請求項11所述之流體槽，其中該固化之圖案化樹脂具有低自體螢光，且其中在該固化之圖案化樹脂暴露於該綠色激發波長時，該低自體螢光與小於10,000之灰度值對應。
  15. 如請求項11所述之流體槽，其中該自由基光引發劑選自由2-乙基-9,10-二甲氧基蒽、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮及2-乙氧基-2-苯基苯乙酮組成之群。
  16. 如請求項11所述之流體槽，其中該自由基光引發劑為選自由以下者組成之群的膦氧化物：二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物、二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物及2-羥基-2-甲基苯丙酮之摻合物、苯基雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物、乙基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基亞膦酸酯及其組合。
  17. 如請求項11所述之流體槽，其中該樹脂組成物進一步包含暗淬滅劑或電子受體。
  18. 如請求項11所述之流體槽，其中該樹脂組成物中該自由基可固化樹脂基質與該自由基光引發劑之重量%比率在99.8：0.2至90：10範圍內。
  19. 一種製造流體槽之方法，其包含：將樹脂組成物沈積於基板上，該樹脂組成物包括：自由基可固化樹脂基質，其包括選自由1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷、甲基丙烯醯氧基丙基封端之聚二甲基矽氧烷、四甲基肆[3-丙烯醯氧基丙基]環四矽氧烷、甲基丙烯醯基多面體寡聚矽倍半氧烷、丙烯醯多面體寡聚矽倍半氧烷、丙烯醯氧基丙基甲基矽氧烷均聚物及其組合組成之群的丙烯酸酯及矽氧烷；自由基光引發劑；環氧樹脂基質；及光酸產生劑；使用工作印模奈米壓印該所沈積之樹脂組成物；及固化該所沈積之樹脂組成物以形成固化之圖案化樹脂；其中該固化之圖案化樹脂在暴露於380nm至480nm範圍內之藍色激發波長或510nm至560nm範圍內之綠色激發波長時具有低自體螢光或無自體螢光；且進一步其中低自體螢光定義為其中(在暴露於藍色激發波長及/或綠色激發波長時該固化之圖案化樹脂之)發射量高於偵測之閾值限度，但又低至足以視為雜 訊，且該雜訊在定序期間不干擾群集信號之鑑別：且無自體螢光意指螢光量低於偵測之閾值限度。
TW108125695A 2018-07-20 2019-07-19 樹脂組成物與併入其之流體槽 TWI822818B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862701228P 2018-07-20 2018-07-20
US62/701,228 2018-07-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202012506A TW202012506A (zh) 2020-04-01
TWI822818B true TWI822818B (zh) 2023-11-21

Family

ID=69162612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108125695A TWI822818B (zh) 2018-07-20 2019-07-19 樹脂組成物與併入其之流體槽

Country Status (13)

Country Link
US (1) US11884976B2 (zh)
EP (1) EP3823997A4 (zh)
JP (1) JP7408587B2 (zh)
KR (1) KR20210034551A (zh)
CN (1) CN112673029A (zh)
AU (1) AU2019305036A1 (zh)
BR (1) BR112020026299B1 (zh)
CA (1) CA3103448A1 (zh)
IL (1) IL279472A (zh)
MX (1) MX2020014067A (zh)
SG (1) SG11202012638TA (zh)
TW (1) TWI822818B (zh)
WO (1) WO2020018798A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111694215B (zh) * 2019-03-14 2022-04-19 常州强力先端电子材料有限公司 光致抗蚀剂组合物及形成光刻图案的方法
WO2021214037A1 (en) * 2020-04-24 2021-10-28 Illumina Cambridge Limited Flow cells
TW202330737A (zh) * 2021-09-24 2023-08-01 英商伊路米納劍橋有限公司 可固化的樹脂組成物
AU2022353134A1 (en) * 2021-09-24 2024-01-18 Illumina, Inc. Curable resin compositions
WO2023052391A1 (en) * 2021-09-29 2023-04-06 Illumina Cambridge Limited Flow cells with dark quencher
CN116679530B (zh) * 2023-05-31 2024-01-26 珦盛新材料(珠海)有限公司 感光性树脂组合物、环状硅氧烷化合物、元件、抗蚀剂图形的和印刷线路制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107077064A (zh) * 2014-06-23 2017-08-18 卡本有限公司 用于制备三维物体的具有多重硬化机制的聚氨酯树脂

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5054872A (en) * 1990-03-16 1991-10-08 Ibm Corporation Polymeric optical waveguides and methods of forming the same
US20020035199A1 (en) * 1997-03-25 2002-03-21 Stefan Breunig Composition (e.g. ink or varnish) which can undergo cationic and/or radical polymerization and/or crosslinking by irradiation, based on an organic matrix, a silicone diluent and a photoinitiator
JP2000044857A (ja) * 1998-05-29 2000-02-15 Brother Ind Ltd 熱溶融性インクおよびインクジェット式記録装置
US20030235787A1 (en) * 2002-06-24 2003-12-25 Watts Michael P.C. Low viscosity high resolution patterning material
US7297460B2 (en) * 2003-02-26 2007-11-20 Agfa-Gevaert Radiation curable ink compositions suitable for ink-jet printing
US20050260522A1 (en) * 2004-02-13 2005-11-24 William Weber Permanent resist composition, cured product thereof, and use thereof
JP2008501825A (ja) 2004-06-01 2008-01-24 ダウ コーニング コーポレーション ナノ及びマイクロリソグラフィー用の材料組成物
AU2006332839A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-12 3M Innovative Properties Company Dental compositions and initiator systems with polycyclic aromatic component
US8741230B2 (en) * 2006-03-24 2014-06-03 Theranos, Inc. Systems and methods of sample processing and fluid control in a fluidic system
JP2010028314A (ja) 2008-07-16 2010-02-04 Seiko Epson Corp 画像処理装置及び方法並びにプログラム
CN102203984A (zh) * 2008-11-04 2011-09-28 加州理工学院 具有可溶性阳极的混合型电化学发生器
US8033663B2 (en) * 2009-02-17 2011-10-11 Essilor International (Compagnie Generale D'optique) Abrasion-resistant tintable coating
WO2011063332A2 (en) * 2009-11-23 2011-05-26 3M Innovative Properties Company Microwell array articles and methods of use
WO2011088401A2 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Board Of Regents, The University Of Texas System Development of a high-throughput screen for the identification of novel antifungal drug candidates
JP2012183530A (ja) 2011-02-18 2012-09-27 Sanyo Chem Ind Ltd 高分子凝集剤
JP5700547B2 (ja) 2011-05-30 2015-04-15 国立大学法人京都大学 バイオチップ形成用感光性樹脂組成物、及びバイオチップ
JP2015096559A (ja) 2012-03-02 2015-05-21 電気化学工業株式会社 樹脂組成物
JP6255695B2 (ja) 2012-10-05 2018-01-10 株式会社リコー 非水系光重合性組成物、インクジェットインク、及びインクカートリッジ
EP3011390B1 (de) 2013-06-19 2018-02-21 Ev Group E. Thallner GmbH Kombination aus einem stempel und einer prägemasse für die prägelithographie
US9970123B2 (en) 2013-07-12 2018-05-15 Ppg Industries Ohio, Inc. Electroconductive composite substrates coated with electrodepositable coating compositions and methods of preparing them
US10351651B2 (en) 2013-10-30 2019-07-16 Nissan Chemical Industries, Ltd. Imprint material containing silsesquioxane compound and modified silicone compound
JP6271525B2 (ja) 2014-02-06 2018-01-31 隆夫 染谷 電極および電極の製造方法
WO2016018918A1 (en) * 2014-07-29 2016-02-04 Ofs Fitel, Llc Uv-curable silsesquioxane-containing write-through optical fiber coatings for fabrication of optical fiber bragg gratings, and fibers made therefrom
WO2017007753A1 (en) 2015-07-07 2017-01-12 Illumina, Inc. Selective surface patterning via nanoimrinting
JP6604791B2 (ja) * 2015-09-16 2019-11-13 株式会社松風 光透過性を有する１ペースト型の可視光硬化性シリコーン組成物、及びこれを用いた光硬化性樹脂成型物の作製方法
JP6773809B2 (ja) 2016-04-29 2020-10-21 エルケム・シリコーンズ・フランス・エスアエスＥＬＫＥＭ ＳＩＬＩＣＯＮＥＳ Ｆｒａｎｃｅ ＳＡＳ （メタ）アクリレート官能基を有するオルガノポリシロキサンの製造方法
JP6893721B2 (ja) * 2016-10-03 2021-06-23 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 紫外線硬化型シリコーン樹脂組成物、及びそれを用いた物品

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107077064A (zh) * 2014-06-23 2017-08-18 卡本有限公司 用于制备三维物体的具有多重硬化机制的聚氨酯树脂

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020018798A1 (en) 2020-01-23
EP3823997A4 (en) 2022-04-20
US20200024661A1 (en) 2020-01-23
BR112020026299A2 (pt) 2021-03-30
KR20210034551A (ko) 2021-03-30
IL279472A (en) 2021-01-31
EP3823997A1 (en) 2021-05-26
CN112673029A (zh) 2021-04-16
TW202012506A (zh) 2020-04-01
US11884976B2 (en) 2024-01-30
JP2021530575A (ja) 2021-11-11
BR112020026299B1 (pt) 2024-03-05
MX2020014067A (es) 2021-05-27
CA3103448A1 (en) 2020-01-23
AU2019305036A1 (en) 2021-01-07
JP7408587B2 (ja) 2024-01-05
SG11202012638TA (en) 2021-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI822818B (zh) 樹脂組成物與併入其之流體槽
TW202020005A (zh) 樹脂組成物與併入其之流體槽
US20220404699A1 (en) Resin composition and flow cells incorporating the same
EP4291952A1 (en) Resin composition and flow cells incorporating the same
RU2778014C1 (ru) Смоляная композиция и проточные ячейки, включающие данную смоляную композицию
US20240132954A1 (en) Resin composition and flow cells incorporating the same
RU2773387C1 (ru) Смоляная композиция и проточные ячейки, включающие данную смоляную композицию
US20230102870A1 (en) Curable resin compositions
TW202328330A (zh) 可固化的樹脂組成物
WO2024042149A1 (en) Flow cells with swellable resin
WO2024003104A1 (en) Nanoimprint lithography resin composition