TWI821943B - 輸入/輸出電路及其製造方法以及積體電路封裝方法 - Google Patents

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TWI821943B
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Abstract

提供用於積體電路的多功率供應模式輸入/輸出(IO)電路的系統及方法，該積體電路包括複數個功率軌，一或多個供應模式功率軌與積體電路的每一供應模式相關聯，並且核心功率軌與積體電路的核心電路相關聯。IO電路可進一步包括複數個晶片連接點，每一晶片連接點連接到一或多個功率軌，晶片連接點經配置用於連接到一或多個封裝連接點。

Description

輸入/輸出電路及其製造方法以及積體電路封裝方法
本案係關於一種輸入/輸出電路，特別係關於包含複數個功率軌及複數個晶片連接點的輸入/輸出電路及其製造方法以及積體電路封裝方法。
積體電路可採用在一片半導體材料(通常矽)上實施的一組電子電路的形式。在許多實施中，積體電路經設計以提供某些計算功能。在一些情況下，計算功能可基於從積體電路外部的一或多個來源輸入至積體電路的資料或信號。在某些實例中，積體電路可進一步輸出該積體電路基於其計算功能產生的資料或信號至積體電路外部的目標。
本案的一實施例提供一種積體電路的多功率供應模式輸入/輸出電路，包含複數個功率軌以及複數個晶片連接點。其中一或多個供應模式功率軌與積體電路的每一供應模式相關聯，且核心功率軌與積體電路的核心電路相關聯。每一晶片連接點連接到一或多個功率軌，晶片連接點經配置為連接到一或多個封裝連接點。
本案的另一實施例提供一種製造輸入/輸出電路的 方法，包含：提供與積體電路核心的操作電壓相關聯的第一軌；提供與第一供應電壓位準相關聯的第二軌；提供與第二供應電壓位準相關聯的第三軌；將來自第一軌、第二軌及第三軌的連接佈線至複數個晶片連接點，每一晶片連接點連接到第一軌、第二軌及第三軌中的一或多者；以及將每一晶片連接點連接到一或多個封裝連接點。
本案的另一實施例提供一種積體電路的封裝方法，包含：提供積體電路封裝，積體電路封裝包含：複數個功率軌，其中一或多個供應模式功率軌與複數個供應模式中的每一者相關聯，並且核心功率軌與核心電路的操作電壓相關聯；以及複數個晶片連接點，每一晶片連接點經連接至一或多個功率軌；將核心電路連接至核心功率軌；以及將晶片連接點連接到一或多個封裝連接點。
100:積體電路
102:核心電路
104:晶片連接點
106:輸入/輸出驅動器電路
200:輸入/輸出電路
202:核心連接
204:晶片連接點
206:封裝連接點
208:功率軌、第一輸入/輸出電壓軌
210:功率軌、第二輸入/輸出電壓軌
212:功率軌、核心電壓軌
214:晶片連接點
216:晶片連接點
218:晶片連接點
220:晶片連接點
222:晶片連接點
224:晶片連接點
226:晶片連接點
228:共用封裝連接點
230:靜電放電電路
232:位準偏移器
234:靜電放電電路
236:位準偏移器
238:靜電放電電路
240:位準偏移器
242:靜電放電電路
300:電路
302:功率軌
304:功率軌
306:功率軌
308:晶片連接點
310:晶片連接點
312:晶片連接點
314:晶片連接點
316:晶片連接點
318:封裝連接點
320:封裝連接點
322:封裝連接點
324:封裝連接點
326:封裝連接點
328:輸入/輸出電路單元
330:輸入/輸出電路單元
332:輸入/輸出電路單元
334:輸入/輸出電路單元
336:核心功率單元
338:核心輸入/輸出連接點
340:核心輸入/輸出連接點
400:電路
402:功率軌
404:功率軌
406:功率軌
408:輸入/輸出電路單元
410:輸入/輸出電路單元
412:輸入/輸出電路單元、核心功率單元
414:輸入/輸出電路單元
416:晶片連接點
418:晶片連接點
420:晶片連接點
422:晶片連接點
424:封裝連接點
426:封裝連接點
428:封裝連接點
500:電路
502:功率軌
504:功率軌
506:功率軌
508:功率軌
510:晶片連接點
512:晶片連接點
514:晶片連接點
516:晶片連接點
518:晶片連接點
520:晶片連接點
522:晶片連接點
524:封裝連接點
526:封裝連接點
528:封裝連接點
530:封裝連接點
532:封裝連接點
534:封裝連接點
536:封裝連接點
538:封裝連接點
540:封裝連接點
602:步驟
604:步驟
606:步驟
608:步驟
702:積體電路封裝
704:步驟
706:功率軌
708:晶片連接點
710:步驟
712:核心電路
714:步驟
本案之態樣當結合附圖閱讀時將從以下實施方式中最佳地理解。應注意，根據行業中的標準實踐，各個特徵不必按比例繪製。實際上，為了論述清晰起見，各個特徵的尺寸可任意增加或減小。
第1圖為圖示提供用於與外部電路整合的多個功率供應模式的積體電路的示意圖。
第2圖為圖示根據一些實施例的多個供應模式輸入/輸出(input/output；IO)驅動器的示意圖。
第3圖為圖示根據實施例的積體電路的第一多功率供應模式輸入/輸出(IO)電路的示意圖。
第4圖為圖示根據實施例的積體電路的第二多功率供應模式輸入/輸出(IO)電路的示意圖。
第5圖為圖示用以根據三個供應模式進行通訊的多功率供應模式輸入/輸出電路的示意圖。
第6圖為圖示經由輸入輸出電路提供輸入/輸出信號至積體電路的方法的流程圖。
第7圖為圖示示例性方法的步驟的流程圖。
除非另有說明，否則不同附圖中對應的數字及符號通常代表對應的部件。附圖經圖示以清楚地示出實施例的相對態樣並且不必按比例繪製。
以下揭示內容提供了用於實施所提供的標的之不同特徵的許多不同實施例，或實例。下文描述了元件和佈置之特定實例以簡化本案。當然，該等實例僅為實例且並不意欲作為限制。例如，在以下描述中之第一特徵在第二特徵之上或上方之形式可包括其中第一特徵與第二特徵直接接觸形成之實施例，且亦可包括其中可於第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵，以使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸之實施例。此外，本案可在一些各種實例中重複元件符號及/或字母。此重複係用於簡便和清晰的目的，且其本身不指定所論述的一些各個實施例及/或配置之間的關係。
此外，諸如「在……下方」、「在……之下」、「下部」、「在……之上」、「上部」等等空間相對術語可在 本文中為了便於描述之目的而使用，以描述如附圖中所示之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。空間相對術語意欲涵蓋除了附圖中所示的定向之外的在使用或操作中的裝置的不同定向。裝置可經其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)並且本文所使用的空間相對描述詞可同樣相應地解釋。
描述了本案的一些實施例。可在該等實施例中描述的階段之前、期間及/或之後提供額外的操作。對於不同實施例，可替代或消除所描述的一些該等階段。可將額外的特徵添加至電路。對於不同實施例，可替代或消除下文描述的一些特徵。儘管一些實施例係用以特定次序執行的操作來論述，但是該等操作可以另一邏輯次序來執行。
如上所述，積體電路為通常經配置用於基於資料輸入及/或資料輸出執行計算功能的電路組合。積體電路的設計及製造為耗時且通常成本高昂的。在某些情況下，積體電路的計算功能可能由根據不同實體規範操作的多個不同系統所需要。例如，圖形處理積體電路可提供圖形相關計算，該圖形相關計算將有益於多個不同類型的行動裝置。然而，彼等不同類型的行動裝置可根據不同的實體規範操作。例如，第一製造商的第一行動裝置可在第一電壓位準(例如，1.8V)下操作，而第二行動裝置可在第二電壓位準(例如，3.3V)下操作。此舉可藉由提供製造商特定的積體電路來解決，一積體電路用以在1.8V下與第一行動裝置通訊，且第二積體電路用以在3.3V下與第二行動裝 置通訊。然而，在某些情況下，提供可與使用不同供應模式的不同裝置一起操作的單個積體電路可能是有利的(例如，在第一1.8V供應模式下用第一行動裝置操作，並且在第二3.3V供應模式下用第二行動裝置操作)。
在實施例中，可能需要積體電路在2至n個不同供應模式(例如，2、3、4……個供應模式)下操作。例如，SD3.0卡可用以在1.8V/3.3V雙供應模式下操作，RGMII電路可用以在1.8V/2.5V/3.3V三供應模式下操作，RFEE/SPMI電路可用以在1.2V/1.8V雙供應模式下運行，電路可用以為成熟技術(例如，N7~C018節點AP)提供1.8V MIPI介面並且為更新的N5節點AP提供1.2V介面，以及PMIC電路可用以在四種或更多種功率供應模式下操作。
本文描述的系統及方法的實施例提供接合或系統封裝配置以通過多種供應模式輸入/輸出至積體電路，該積體電路諸如可在電路設計中提供功率、效能和區域優勢的通用輸入/輸出(general purpose input/output；GPIO)。本文的實施例可提供晶片連接點(例如，在晶片的表面上，圍繞晶片的周邊)，其中某些彼等連接點(例如，引腳、焊料凸塊、銲線連接點、倒裝晶片連接、其他電路互連機構)可經配置用於連接至在第一供應模式下操作的外部電路，而彼等連接點中的其他者經配置用於連接至在第二、不同供應模式下操作的外部電路。積體電路可經連接至多個外部電路，該等外部電路可全部在相同的供 應模式下操作或可在不同的供應模式下操作。
第1圖為圖示根據實施例的提供用於與外部電路整合的多個功率供應模式的積體電路的示意圖。積體電路100包括核心電路102。核心電路102用以提供計算功能，其中核心電路102用以在核心電壓位準(例如，在0.9V的高電壓位準)下操作。積體電路進一步包括促進與一或多個外部電路通訊的複數個晶片連接點104。在第1圖的實例中，晶片連接點104為經配置用於線結合或倒裝晶片連接至一或多個外部電路的點。經由晶片連接點104去往/來自核心電路102及外部電路的通訊由IO驅動器促進，諸如第1圖中所示的多供應模式通用IO驅動器電路106。在實施例中，IO驅動器電路106用以將去往/來自在核心電壓位準下操作的核心電路與在具有不同電壓位準(例如，1.2V的高電壓供應模式，3.3V的高電壓供應模式)的供應模式下操作的外部電路的通信介面連接。
晶片連接點104及對應的IO驅動器電路106可採取多種形式。晶片連接點104可沿著積體電路100的多個側面形成，其中IO驅動器電路106位於附近以促進通訊。例如，晶片連接點104可位於積體電路100的兩側上，其中一個IO驅動器電路106位於雙列直插式封裝結構中的每一側。在另一實例中，晶片連接點104可位於積體電路100的四個側面上(例如，如第1圖中所示)，其中四個(或更多個)IO驅動器電路106沿積體電路100的四個側面定位。
第2圖為圖示根據實施例的多供應模式IO驅動器的示意圖。IO電路200包括促進核心電路(例如，第1圖的核心電路102處)與IO電路之間的通訊的核心連接202。彼等核心連接202可採用促進串列或並列通訊資料位元的一或多個引腳的形式。IO電路200進一步包括晶片連接點204。晶片連接點204促進經由封裝連接點206與外部電路通訊。如本文所進一步描述，晶片連接點204中的每一者經連接至封裝連接點206的一或多者。封裝連接點206使用引腳、凸塊、導線凸塊或其他互連機制與外部電路通訊。
IO電路200進一步包括用於在IO電路內傳送信號的複數個功率軌208、210、212。在實施例中，IO電路包括複數個功率軌、與積體電路的每一供應模式相關聯的一或多個供應模式功率軌208、210，以及與積體電路的核心電路相關聯的核心電壓軌212。第一IO電壓軌208在第一電壓模式的操作電壓(例如，1.2V)下操作，第二IO電壓軌210在第二電壓模式的操作電壓(例如，1.8V)下操作，並且核心電壓軌212在核心的操作電壓(例如，0.9V、1.2V)下工作。
每個晶片連接點204連接至功率軌208、210、212中的一或多者，其中晶片連接點204、其與功率軌208、210、212中的一或多者的連接以及促進其中的信號的任何電路皆在本文中稱為單元。例如，晶片連接點214經連接至第一供應模式功率單元中的第一IO電壓軌208(如 實心點所示)。該功率單元包括靜電放電電路230(例如，二極體，其一端子連接至晶片連接點214，一端子連接至第一IO電壓軌208，及一端子連接至接地軌)，該靜電放電電路用以防止第一IO電壓軌208上的大電流，諸如當人觸摸與晶片連接點214相關聯的觸點時可能產生的電流。
晶片連接點216與第一供應模式的IO單元相關聯。作為至核心電路的輸入，或來自核心電路的輸出或兩者，核心電路與晶片連接點216之間的通訊由位準偏移器232得以促進，該位準偏移器將來自核心電壓位準(例如，0.9V)的信號轉換至第一電壓模式的操作電壓(例如，1.2V)及/或反之亦然。
晶片連接點218經連接至多模式功率單元中的第一IO電壓軌208和第二IO電壓軌210。與和晶片連接點214相關聯的功率單元類似，多模式功率單元提供靜電放電電路234，用於減輕第一IO電壓軌208及第二IO電壓軌210中任一者上的大的、非所要的電流。
晶片連接點220與第二供應模式的IO單元相關聯。作為至核心電路的輸入，或來自核心電路的輸出或兩者，核心電路與晶片連接點220之間的通訊由位準偏移器236得以促進，該位準偏移器將來自核心電壓位準(例如，0.9V)的信號轉換至第二電壓模式的操作電壓(例如，1.8V)及/或反之亦然。
晶片連接點222經連接至第二供應模式功率軌中 的第二IO電壓軌210。該功率單元包括靜電放電電路238(例如，二極體，其一端子連接至晶片連接點222，一端子連接至第二IO電壓軌210，及一端子連接至接地軌)，該靜電放電電路用以防止第二IO電壓軌210上的大電流。
在具有位準偏移器240的第一模式IO單元的第二實例中，晶片連接點224經連接至第一IO電壓軌208及核心電壓軌212。單元的每一類型可存在於多供應模式IO驅動器中的一或多個實例中。
晶片連接點226連接至核心功率單元中的核心電壓軌212。該功率單元包括靜電放電電路242(例如，二極體，其一端子連接至晶片連接點226，一端子連接至核心電壓軌212，及一端子連接至接地軌)，該靜電放電電路242用以防止核心電壓軌212上的大電流(例如，可能不利地影響或損壞核心電路的電流)。
如第2圖中所示，晶片連接點214至226中的每一者可連接至一或多個封裝連接點206，其中可以經由彼等外部電路連接至封裝連接點來進行到外部電路的連接。在第2圖的實例中，晶片連接點214、216、218、222和226中的每一者皆電連接至一封裝連接點，而晶片連接點220、224各者皆連接至共用封裝連接點228。為了促進將多個晶片連接點連接至一共用的封裝連接點，或者將多個封裝連接點連接至一共用的晶片連接點，晶片連接點的位置可彼此相距不超過閾值距離(例如，200μm、100μm、 1mm)，如在靜電放電電路230處所示，以提高將封裝連接點連接至多個晶片連接點(例如，相鄰晶片連接點、其間具有1、2、3個晶片連接點的晶片連接點)的能力。
在實施例中，外部電路可電連接至某些封裝連接點206，而非其他封裝連接點。例如，用以在第一供應模式電壓(例如，1.2V)下操作的外部電路可用以連接至與第一模式功率單元、第一模式IO單元、多模式功率單元，及核心功率單元中的一或多者相關聯的封裝連接點。在實施例中，外部電路可不連接至第二模式IO單元及第二模式功率單元。用以在第二供應模式電壓(例如，1.8V)下操作的第二外部電路可用以連接至與第二模式功率單元、第二模式IO單元、多模式功率單元，及核心功率單元中的一或多者相關聯的封裝連接點。在實施例中，第二外部電路可不連接至與第一模式功率單元及第一模式IO單元相關聯的封裝連接點。以此方式，在實施例中，在不同供應模式下操作的多個不同類型的外部電路可經由多模式供應IO驅動器連接到核心電路並與核心電路一起操作，而除了彼等外部電路連接至的封裝連接點之外，幾乎沒有配置改變。
第3圖為圖示根據實施例的積體電路的第一多功率供應模式輸入/輸出(IO)電路的示意圖。電路300在操作於0.9V的電壓下之核心與外部電路之間介面連接，該外部電路可在1.2V的第一供應模式及/或1.8V的第二供應模式下操作。電路300包括複數個功率軌、與積體電路 的每一供應模式相關聯的一或多個供應模式功率軌，以及與積體電路的核心電路相關聯的核心功率軌。特定言之，功率軌302與積體電路的核心電路相關聯，功率軌304與第一供應模式相關聯，並且功率軌306與第二供應模式相關聯。IO電路200進一步包括複數個晶片連接點308~316。每一晶片連接點連接至功率軌302、304、306中的一或多者，晶片連接點經配置為連接至一或多個封裝連接點318~326。
在第3圖的實例中，每一晶片連接點308~316與IO電路單元328~336相關聯。IO電路單元328~336中的每一者與IO電路功能相關聯。示例性IO電路功能包括功率提供功能、輸入/輸出功能及靜電放電功能。如第3圖中的實線點所示，每一IO電路單元328~336與至一或多個功率軌302、304、306的連接相關聯。例如，與功率提供功能相關聯的IO電路單元與和供應模式相關聯的功率軌的連接相關聯，與輸入/輸出功能相關聯的IO電路單元與和供應模式相關聯的功率軌及和核心電路相關聯的核心功率軌的連接相關聯，以及與靜電放電功能關聯的IO單元與至功率軌之一者的連接相關聯。
在第3圖的實例中，電路300進一步包括兩個核心IO連接點338、340，用於從核心電路接收資料或向核心電路提供資料(例如，一次8個、16個、32個、64個、128個、256個、512個位元)，其中核心電路用以執行計算功能。每一核心IO連接連接點338、340經連接至 核心功率軌302。在第3圖的實例中，第一核心IO連接點338與和功率軌304相關聯的第一IO單元332相關聯，並且第二核心連接點340與和功率軌304相關聯的第二IO單元334相關聯。
在第3圖的實例中，IO電路300用以提供N=2個供應模式，並且IO電路包含N+1=3個功率軌。實際上，在第3圖的實例中，電路300正好包括N+1=3個功率軌。
在第3圖的實例中，每一晶片連接點308~316經配置用於連接至單個封裝連接點(例如，每一者恰好一個封裝連接點)。特定言之，與第一供應模式的IO電路單元328相關聯的晶片連接點308連接到封裝連接點318；與第二供應模式的IO功率單元330相關聯的晶片連接點310連接到封裝連接點320；與第一供應模式的IO功能單元332相關的晶片連接點312連接到封裝連接點322；與第二供應模式的IO功能單元334相關聯的晶片連接點314連接到封裝連接點324；與核心功率單元336相關聯的晶片連接點316連接到封裝連接點326。
在第3圖的實例中，電路300用以與在第一功率模式下操作的第一外部電路通信，其中第一外部電路將連接到用於VDDPST的封裝連接點318、用於信號通信的封裝連接點322，以及用於VDD的封裝連接點326。電路300進一步用以與在第二功率模式下操作的第二外部電路通信(例如，同時，在替代方案中)，其中第二外部電路將連接到用於VDDPST的封裝連接點320、用於信號 通信的封裝連接點324，以及用於VDD的封裝連接點326。
在實施例中，除了將外部電路連接至正確的封裝連接點之外，電路300可與第一外部電路或第二外部電路中的任一者通訊而無配置改變。例如，來自核心的輸出信號可在彼等供應模式的適當信號位準下從電路300在兩個封裝連接點322、324上傳輸，其中彼等信號將被任何連接的外部電路接收。
第4圖為圖示根據實施例的積體電路的第二多功率供應模式輸入/輸出(IO)電路的示意圖。電路400包括複數個功率軌402、404、406。一功率軌402與積體電路的核心電路相關聯，一功率軌404與第一供應模式相關聯，並且另一功率軌406與積體電路的第二功率模式相關聯。電路400包括四個IO電路單元408~414。分別與第一及第二供應模式相關聯的IO電路單元410、414的功能類似於第3圖中的其對應物，核心功率單元412亦是如此。在第4圖的實例中，第3圖的1.2V和1.8V功率單元在IO電路單元328、330處的功能(包括其中的任何ESD保護)經組合成與第一及第二功率模式相關聯的單個IO電路單元408。
在第4圖的實例中，晶片連接點416~422中的至少一者連接至多個封裝連接點。特定言之，與和第一及第二功率模式相關聯的IO電路單元408相關聯的晶片連接點416經連接到封裝連接點424，與分別和第一功率模式 相關聯的IO電路單元410及與第二功率模式相關聯的IO電路單元414相關聯的晶片連接點418和422兩者經連接到封裝連接點426，而與核心功率單元412相關聯的晶片連接點420連接到封裝連接點428。
在第4圖的實例中，外部電路連接到用於VDDPST的封裝連接點424、用於輸入/輸出信號傳輸的封裝連接點426及用於VDD的封裝連接點428。在實施例中，該外部電路可用以在第一供應模式或第二供應模式中的任一者下操作。在實施例中，在不同供應模式下操作的外部電路連接到共用封裝連接點(例如，封裝連接點426)的實施中，電路400可經配置(例如，藉由設定配置參數、位元值、開關)以兩種可用的供應模式之一者操作。以此方式，封裝連接點426的信號經發送並期望在選定的供應模式電壓位準下得以接收。
如上所述，在實施例中，多功率供應模式輸入/輸出電路可支持多於兩種供應模式。第5圖為圖示用以根據三個供應模式進行通訊的多功率供應模式輸入/輸出電路的示意圖。電路500包括複數個功率軌502-508，與積體電路的每一供應模式相關聯的一或多個供應模式功率軌(亦即，與1.2V供應模式相關聯的功率軌504，與1.8V供應模式相關聯的功率軌506，以及與3.3V供應模式相關的功率軌508)。核心功率軌502與積體電路的核心電路相關聯。該電路包括連接到不同IO電路單元的複數個晶片連接點510~522，該等IO電路單元經由連接到如上所 述的一或多個功率軌502~508來提供不同的功能。晶片連接點510~522中的每一者經配置用於連接到一或多個封裝連接點524~540。特定言之，晶片連接點510、518及522分別連接到封裝連接點524、534及538，以為三種各自的功率模式中的每一者提供VDDPST。晶片連接點512、516及520經連接至封裝連接點526、532及538，以為三種各自的功率模式中的每一者提供信號通信埠。晶片連接點514連接到每一封裝連接點528、530和540以提供VDD。用以在第一供應模式下操作的外部電路將連接到封裝連接點524、526及528。用以在第二供應模式下操作的外部電路將連接到封裝連接點530、532及534。用以在第三供應模式下操作的外部電路將連接到封裝連接點536、538及540。在實施例中，可以提供單個封裝連接點(例如，封裝連接點528)用於連接到在三種供應模式中的任一者下操作的外部電路，以減少電路的封裝連接點的數量(例如，從9個到7個)。
第6圖為圖示經由輸入輸出電路提供輸入/輸出信號至積體電路的方法的流程圖。在步驟602，提供了與積體電路核心的操作電壓相關聯的第一軌。在步驟604，提供與第一供應電壓位準相關聯的第二軌；並且在步驟606，提供與第二供應電壓位準相關聯的第三軌。在步驟608，提供複數個晶片連接點，每一晶片連接點連接到一或多個軌道，晶片連接點經配置為連接到一或多個封裝連接點。
第7圖為圖示示例性方法的步驟的流程圖。在該 方法中，在步驟704提供積體電路封裝702。積體電路封裝包含複數個功率軌706，一或多個供應模式功率軌與複數個供應模式中的每一者相關聯，並且核心功率軌與核心電路的操作電壓相關聯；以及複數個晶片連接點708，每一晶片連接點連接到一或多個功率軌。在步驟710，核心電路712連接到核心功率軌；並且在步驟714，晶片連接點連接到一或多個封裝連接點。
如本文所述的系統及方法可採取多種形式。在一實例中，提供用於包括複數個功率軌的積體電路的多功率供應模式輸入/輸出(IO)電路的系統及方法，一或多個供應模式功率軌與積體電路的每一供應模式相關聯，並且核心功率軌與積體電路的核心電路相關聯。IO電路進一步包括複數個晶片連接點，每一晶片連接點連接到一或多個功率軌，晶片連接點經配置用於連接到一或多個封裝連接點。
在另一實例中，在經由IO電路向積體電路提供輸入/輸出信號的方法中，提供了與積體電路核心的操作電壓相關聯的第一軌。提供與第一供應電壓位準相關聯的第二軌，並且提供與第二供應電壓位準相關聯的第三軌。提供複數個晶片連接點，每一晶片連接點連接到一或多個軌道，晶片連接點經配置為連接到一或多個封裝連接點。
作為進一步的實例，積體電路封裝包括核心電路及積體電路封裝，該積體電路封裝包括配置用於連接到外部電路以及IO電路的複數個封裝連接點。IO電路包括複數個功率軌，一或多個供應模式功率軌與複數個供應模式中 的每一者相關聯，並且核心功率軌與核心電路的操作電壓相關聯；以及複數個晶片連接點，每一晶片連接點連接到一或多個功率軌，該晶片連接點經連接到一或多個封裝連接點。
作為另一實例，在一種方法中，提供積體電路封裝。積體電路封裝包含複數個功率軌，一或多個供應模式功率軌與複數個供應模式中的每一者相關聯，並且核心功率軌與核心電路的操作電壓相關聯；以及複數個晶片連接點，每一晶片連接點連接到一或多個功率軌。核心電路連接到核心功率軌，並且晶片連接點連接到一或多個封裝連接點。
本案的一實施例提供一種積體電路的多功率供應模式輸入/輸出電路，包含複數個功率軌以及複數個晶片連接點。其中一或多個供應模式功率軌與積體電路的每一供應模式相關聯，且核心功率軌與積體電路的核心電路相關聯。每一晶片連接點連接到一或多個功率軌，晶片連接點經配置為連接到一或多個封裝連接點。
在一些實施例中，其中每一晶片連接點與輸入/輸出電路單元相關聯，其中每一輸入/輸出電路單元提供複數個輸入/輸出電路功能中的一者。
在一些實施例中，其中輸入/輸出電路功能中的一者為：功率提供功能；輸入/輸出功能；或靜電放電功能。
在一些實施例中，其中每一輸入/輸出電路單元進一步與至一或多個功率軌的連接相關聯。
在一些實施例中，其中與功率提供功能相關聯的輸入/輸出電路單元與至供應模式功率軌的連接相關聯。其中與輸入/輸出功能相關聯的輸入/輸出電路單元與至供應模式功率軌及核心功率軌的連接相關聯。其中與靜電放電功能關聯的輸入/輸出電路單元與至功率軌之一者的連接相關聯。
在一些實施例中，輸入/輸出電路進一步包含第一核心輸入/輸出連接點。第一核心輸入/輸出連接點用於從核心電路接收資料或提供資料至核心電路，其中核心電路用以執行計算功能。其中第一核心輸入/輸出連接點連接至核心功率軌。
在一些實施例中，其中第一核心輸入/輸出連接點與第一輸入/輸出電路單元相關聯，其中第二核心輸入/輸出連接點與第二輸入/輸出單元相關聯。
在一些實施例中，其中輸入/輸出電路用以提供N種供應模式，其中輸入/輸出電路包含N+1個功率軌。
在一些實施例中，其中第一晶片連接點經配置用於連接至多個封裝連接點。
在一些實施例中，其中第二晶片連接點經配置用於連接恰好一個封裝連接點。
在一些實施例中，其中第一晶片連接點與輸入/輸出功能相關聯，其中第二晶片連接點與功率提供功能相關聯。
在一些實施例中，其中第一晶片連接點與靜電放電 功能相關聯。
在一些實施例中，其中與輸入/輸出功能相關聯的輸入/輸出電路單元包含位準移位電路。其中與靜電放電功能相關聯的輸入/輸出電路單元包含靜電放電電路。
本案的另一實施例提供一種製造輸入/輸出電路的方法，包含：提供與積體電路核心的操作電壓相關聯的第一軌；提供與第一供應電壓位準相關聯的第二軌；提供與第二供應電壓位準相關聯的第三軌；將來自第一軌、第二軌及第三軌的連接佈線至複數個晶片連接點，每一晶片連接點連接到第一軌、第二軌及第三軌中的一或多者；以及將每一晶片連接點連接到一或多個封裝連接點。
在一些實施例中，其中輸入/輸出電路用以經由封裝連接點的第一子集與第一外部電路通信；以及其中輸入/輸出電路用以經由封裝連接點的第二子集與第二外部電路通信。
在一些實施例中，其中每一晶片連接點與輸入/輸出單元相關聯，其中複數個輸入/輸出單元中的每一者用以提供選自由以下各項組成的群組的功能：功率提供功能；輸入/輸出功能；或靜電放電功能。
在一些實施例中，方法進一步包含：提供從封裝連接點傳導的電流的靜電放電，封裝連接點連接到與靜電放電功能輸入/輸出單元相關聯的晶片連接點。
在一些實施例中，方法進一步包含：對於與輸入/輸出功能相關聯的輸入/輸出單元，向第二軌及第三軌中的 一者與第一軌之間的信號提供位準移位。
本案的另一實施例提供一種積體電路的封裝方法，包含：提供積體電路封裝，積體電路封裝包含：複數個功率軌，其中一或多個供應模式功率軌與複數個供應模式中的每一者相關聯，並且核心功率軌與核心電路的操作電壓相關聯；以及複數個晶片連接點，每一晶片連接點經連接至一或多個功率軌；將核心電路連接至核心功率軌；以及將晶片連接點連接到一或多個封裝連接點。
在一些實施例中，封裝方法進一步包含：將封裝連接點的第一子集連接到用以在第一電壓下操作的第一外部電路；或替代地將封裝連接點的第二子集連接到用以在第二電壓下操作的第二外部電路。
上述內容概括了若干實施例之特徵，以便熟習該項技術者可較佳地理解本案之態樣。熟習該項技術者應理解，其可輕易地使用本揭示內容作為用於設計或修改其他製程及結構之基礎，該等其他製程及結構用於實現本文介紹之實施例的相同目的及/或達成相同優點。熟習該項技術者亦應瞭解，該等同等構造不背離本揭示案之精神及範疇，且在不背離本揭示案之精神及範疇之情況下，熟習該項技術者可以進行各種改變、替代及更改。
200:輸入/輸出電路
202:核心連接
204:晶片連接點
206:封裝連接點
208:功率軌、第一輸入/輸出電壓軌
210:功率軌、第二輸入/輸出電壓軌
212:功率軌、核心電壓軌
214:晶片連接點
216:晶片連接點
218:晶片連接點
220:晶片連接點
222:晶片連接點
224:晶片連接點
226:晶片連接點
228:共用封裝連接點
230:靜電放電電路
232:位準偏移器
234:靜電放電電路
236:位準偏移器
238:靜電放電電路
240:位準偏移器
242:靜電放電電路

Claims (10)

  1. 一種一積體電路的多功率供應模式輸入/輸出電路，包含：複數個功率軌，其中一或多個供應模式功率軌與該積體電路的每一供應模式相關聯，且一核心功率軌與該積體電路的一核心電路相關聯；以及複數個晶片連接點，每一該些晶片連接點連接到一或多個該些功率軌，該些晶片連接點經配置為連接到一或多個封裝連接點。
  2. 如請求項1所述之輸入/輸出電路，其中每一該些晶片連接點與一輸入/輸出電路單元相關聯，其中每一該輸入/輸出電路單元提供複數個輸入/輸出電路功能中的一者；其中該些輸入/輸出電路功能中的一者為：一功率提供功能；一輸入/輸出功能；或一靜電放電功能；其中每一該輸入/輸出電路單元進一步與至一或多個該些功率軌的一連接相關聯；其中與該功率提供功能相關聯的該輸入/輸出電路單元與至該供應模式功率軌的一連接相關聯；其中與該輸入/輸出功能相關聯的該輸入/輸出電路單元與至該供應模式功率軌及該核心功率軌的一連接相關聯； 其中與該靜電放電功能關聯的該輸入/輸出電路單元與至該些功率軌之一者的一連接相關聯。
  3. 如請求項1所述之輸入/輸出電路，進一步包含：一第一核心輸入/輸出連接點，用於從該核心電路接收資料或提供資料至該核心電路，其中該核心電路用以執行一計算功能；其中該第一核心輸入/輸出連接點連接至該核心功率軌。
  4. 如請求項1所述之輸入/輸出電路，其中該輸入/輸出電路用以提供N種供應模式，其中該輸入/輸出電路包含N+1個該些功率軌。
  5. 如請求項1所述之輸入/輸出電路，其中一第一晶片連接點經配置用於連接至多個該些封裝連接點；其中一第二晶片連接點經配置用於連接恰好一個該封裝連接點；其中該第一晶片連接點與一輸入/輸出功能相關聯，其中該第二晶片連接點與一功率提供功能相關聯；其中該第一晶片連接點與一靜電放電功能相關聯。
  6. 如請求項2所述之輸入/輸出電路，其中與一 輸入/輸出功能相關聯的該輸入/輸出電路單元包含一位準移位電路；其中與一靜電放電功能相關聯的該輸入/輸出電路單元包含一靜電放電電路。
  7. 一種製造一輸入/輸出電路的方法，包含：提供與一積體電路核心的一操作電壓相關聯的一第一軌；提供與一第一供應電壓位準相關聯的一第二軌；提供與一第二供應電壓位準相關聯的一第三軌；將來自該第一軌、該第二軌及該第三軌的連接佈線至複數個晶片連接點，每一該些晶片連接點連接到該第一軌、該第二軌及該第三軌中的一或多者；以及將每一該些晶片連接點連接到一或多個封裝連接點。
  8. 如請求項7所述的方法，其中每一該些晶片連接點與一輸入/輸出單元相關聯，其中複數個輸入/輸出單元中的每一者用以提供選自由以下各項組成的群組的一功能：一功率提供功能；一輸入/輸出功能；或一靜電放電功能；其中該方法進一步包含提供從該封裝連接點傳導的電流的靜電放電，該封裝連接點連接到與一靜電放電功能輸入/ 輸出單元相關聯的該晶片連接點；其中該方法進一步包含對於與該輸入/輸出功能相關聯的該輸入/輸出單元，向該第二軌及該第三軌中的一者與該第一軌之間的一信號提供位準移位。
  9. 一種積體電路的封裝方法，包含：提供一積體電路封裝，該積體電路封裝包含：複數個功率軌，其中一或多個供應模式功率軌與複數個供應模式中的每一者相關聯，並且一核心功率軌與一核心電路的一操作電壓相關聯；以及複數個晶片連接點，每一該些晶片連接點經連接至一或多個該些功率軌；將該核心電路連接至該核心功率軌；以及將該晶片連接點連接到一或多個封裝連接點。
  10. 如請求項9所述的封裝方法，進一步包含：將該些封裝連接點的一第一子集連接到用以在一第一電壓下操作的一第一外部電路；或替代地將該些封裝連接點的一第二子集連接到用以在一第二電壓下操作的一第二外部電路。
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