TWI821196B - 壓力場測繪設備以及使用彼之清潔玻璃基板的方法 - Google Patents
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Abstract
提供壓力場測繪設備以及使用彼之清潔玻璃基板的方法。壓力場測繪設備包括支撐基板；佈置在支撐基板上的複數個壓力感測器，每個壓力感測器被配置為回應於施加到其上的壓力而輸出信號；防水袋，圍繞支撐基板；及分析器，配置為從複數個壓力感測器的每一個接收信號，並基於所接收的信號實時輸出支撐基板上的壓力圖。藉由使用壓力場測繪設備以及使用彼之清潔玻璃基板的方法，可在清潔處理中沒有工人之間的偏差的情況下進行客觀和定量的測試，因此大大減少例如顆粒缺陷的產品缺陷。
Description
此申請案依照專利法主張2017年7月21日申請的大韓民國第10-2017-0092736號申請案的優先權，將其內容以其整體參考方式加以依靠與併入本文中。
一個或多個實施例係關於壓力場測繪設備以及使用彼之清潔玻璃基板的方法，更明確地，係關於可在清潔處理中沒有工人之間的偏差的情況下進行客觀和定量的測試的壓力場測繪設備以及使用彼之清潔玻璃基板的方法。
隨著消費者對高表面品質玻璃基板的需求增加以及越來越常使用具有較大面積的玻璃基板，在製造玻璃基板的處理過程中出現顆粒缺陷的可能性已經增加了。
關於玻璃基板製造處理，用於客觀和定量測試或評估清潔處理的設備很少，因此難以減少顆粒缺陷的發生。再者，需要減少由於清潔處理中工人之間的偏差造成的基板品質不均勻性。
一個或多個實施例包括可在清潔處理中沒有工人之間的偏差的情況下進行客觀和定量測試的壓力場測繪設備。
一個或多個實施例包括大大減少例如顆粒缺陷的產品缺陷之清潔玻璃基板的方法。
額外態樣將部分地在下面的描述中闡述，並且部分地將從描述中顯而易見，或者可通過實踐所呈現的實施例來學習。
根據一個或多個實施例，壓力場測繪設備包括：支撐基板；佈置在支撐基板上的複數個壓力感測器，複數個壓力感測器的每一個被配置為回應於施加到其上的壓力而輸出信號；防水袋，圍繞支撐基板；及分析器，配置為從複數個壓力感測器的每一個接收信號，並基於所接收的信號實時輸出支撐基板上的壓力圖。
複數個壓力感測器的每一個可包括上導體層與下導體層，下導體層與上導體層分離並設置在上導體層下面，上導體層可包括第一導體部與第二導體部，第一導體部包括第一電極而第二導體部包括第二電極，且上導體層可藉由施加到壓力感測器相應一者的壓力而變形且可接觸下導體層。
壓力場測繪設備可進一步包括複數個引線，連接至複數個壓力感測器的每一個的第一電極與第二電極，複數個引線延伸到設置在支撐基板一側上的連接器，其中分析器可配置為通過連接器和信號電纜接收信號。
第一導體部與第二導體部可與施加到壓力感測器相應一者的壓力成比例地變形，且第一導體部和第二導體部中的每一個與下導體層接觸的接觸區域可相應地增加。
第一導體部可包括複數個平行佈置的第一指狀件，且第二導體部可包括複數個平行佈置的第二指狀件，其中複數個第一指狀件與複數個第二指狀件可相對於彼此交替地佈置。
複數個壓力感測器的每一個可進一步包括第一電極與第二電極下方的間隔件，其中間隔件可分隔上導體層與下導體層。
支撐基板可為撓性基板。
複數個壓力感測器可以格子形式佈置在支撐基板上。
根據一個或多個實施例，清潔玻璃基板的方法包括：在複數個摩擦清潔部下方定位壓力場測繪設備；降低複數個摩擦清潔部的每一個至清潔位置；藉由使用壓力場測繪設備測繪由複數個摩擦清潔部分別施加至玻璃基板的壓力場；基於測繪之壓力場調整複數個摩擦清潔部的向下加壓特徵；在複數個摩擦清潔部下方定位玻璃基板；並藉有使用複數個摩擦清潔部清潔玻璃基板，其中壓力場測繪設備包括:支撐基板；佈置在支撐基板上的複數個壓力感測器，複數個壓力感測器的每一個被配置為回應於施加到其上的壓力而輸出信號；及分析設備，配置為從複數個壓力感測器的每一個接收信號，並基於所接收的信號實時輸出支撐基板上的壓力圖。
壓力場測繪可包括確定分別由複數個摩擦清潔部施加的壓力是否在參考壓力值範圍內。
向下加壓特徵的調整可包括對於施加的壓力超出參考壓力值範圍的摩擦清潔部調整摩擦清潔部的安裝高度。
複數個摩擦清潔部的每一個可通過氣壓或液壓降低到清潔位置，且向下加壓特徵的調整可包括調整施加到用於清潔之複數個摩擦清潔部的每一個的氣壓或液壓的設定值。
在執行玻璃基板的清潔時，玻璃基板可在水平方向上移動。
複數個摩擦清潔部可包括：複數個第一摩擦清潔部，在與垂直於玻璃基板的移動方向之橫向對應的第一列中彼此以一定的間隔佈置；以及複數個第二摩擦清潔部，在與橫向對應且平行於第一列的複數個第一摩擦清潔部的佈置方向的第二列中彼此以一定的間隔佈置，且第二列的一個第二摩擦清潔部可在玻璃基板的移動方向上與第一列的兩個相鄰的第一摩擦清潔部之間的位置分開設置。
玻璃基板的清潔可包括供應清潔溶液至玻璃基板上。
現在將詳細參考實施例，其示例在附圖中示出，整個附圖中相同的元件符號表示相同的元件。在這方面，本實施例可具有不同的形式，並且不應該被解釋為限於文中闡述的描述。因此，下面僅藉由參考附圖描述實施例，以解釋本說明書的態樣。本文所用的術語「與/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。例如當「至少一個」的表達方式在一系列元件之前時，修飾著整系列元件而非修飾系列的各個元件。
現在將參照附圖更全面地描述本發明的概念，附圖中示出了本發明的示例性實施例。然而，本發明構思可以許多不同的形式實施，並且不應該被解釋為限於文中闡述的實施例；反之，提供這些實施例是為了使本揭露內容徹底和完整，並且將本發明構思的概念完全傳達給本領域普通技術人員。通篇中相同的元件符號表示相同的元件。在圖式中，某些元件被誇大、省略或示意性地示出。此外，每個元件的大小並不完全反映實際大。本發明構思的實施例不受附圖中所示的相對大小或間隔的限制。
諸如第一和第二之類的術語可用於描述各種元件，但元件不應受這些術語限制。這些術語僅可用作區分元件與另一元件的目的。舉例而言，在不脫離本發明構思的精神和範圍的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，並且類似地，第二元件可以被稱為第一元件。
在本申請中使用的術語(僅使用某些實施例來描述)並不旨在限制本案實施例。在以下描述中，技術術語僅用於解釋特定示例性實施例，而不限制本案實施例。除非另有相反的說明，否則單數形式的術語可包括複數形式。「包括」或「包含」的含義指定性質、區域、固定數量、步驟、處理、元件與/或部件，但並未排除其他性質、區域、固定數量、步驟、處理、元件與/或部件。
除非另有定義，否則文中使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明構思所屬領域的普通技術人員通常理解的含義相同的含義。將進一步理解，例如在常用詞典中定義的那些術語應當被解釋為具有與其在相關領域的上下文中的含義一致的含義，並且將不被理解為理想化或過於正式的含義，除非文中明確地如此定義。
當可不同地實現特定實施例時，可與所描述的順序不同地執行特定處理順序。舉例而言，可實質上執行連續描述的兩個處理，或者可以與所描述的順序相反的順序執行。
在附圖中，例如，可根據製造技術與/或公差來預期所示形狀的修改。因此，本發明構思的實施例不應被解釋為限於圖中所示的區域的特定形狀，並且例如，應該包括在製造處理中引起的形狀變化。文中使用的術語「與/或」包括一個或多個和所述元件中的每一個的組合。再者，文中使用的術語「基板」可表示包括基板本身或包括基板和在其表面上形成的某個層或膜的堆疊結構。再者，文中使用的基板的表面可表示基板本身的暴露表面或在基板上形成的某個層或膜的外表面。
圖1是示意性地示出根據實施例的壓力場測繪設備100的概念圖。
參照圖1，壓力場測繪設備100可包括支撐基板110；複數個壓力感測器120，佈置在支撐基板110上；防水袋130，圍繞支撐基板110；及分析器140，可從複數個壓力感測器120接收信號，並實時輸出支撐基板110上的壓力圖。
根據實施例，支撐基板110可為具有可撓性的任意基板。根據實施例，支撐基板110可為膜類型。舉例而言，支撐基板110可包括聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylenenaphthalate)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)、聚(甲基)丙烯酸甲酯(PMMA)、降莰烯樹脂、聚酯、聚苯乙烯(PS)與/或等等，但不限於此。支撐基板110的厚度可為約50 ㎛至約3 mm。
複數個壓力感測器120可在支撐基板110上相對於彼此以規律間隔或不規律間隔佈置。壓力感測器120可被配置為回應於施加到其上部的壓力而輸出電信號。圖2A是示出根據實施例的壓力感測器120的概念圖。圖2B是圖2A中沿線B-B’截取的側剖視圖。
參照圖2A與2B，壓力感測器120可包括上導體層122與下導體層124。
上導體層122可包括第一導體部122a與第二導體部122b。第一導體部122a可包括第一電極122ae，而第二導體部122b可包括第二電極122be。
上導體層122可包括金屬材料，且例如可包括銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、鐵(Fe)、金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鈷(Co)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鋯(Zr)或其合金，但不限於此。在某些實施例中，上導體層122可包括具有導電性的碳基材料，如石墨、石墨烯、碳奈米管(CNT)和富勒烯。
第一導體部122a與第二導體部122b可彼此隔開一定間隔。在某些實施例中，第一導體部122a可包括複數個平行佈置的第一指狀件122af以及連接複數個第一指狀件122af的第一連接部122ac。在某些實施例中，第二導體部122b可包括複數個平行佈置的第二指狀件122bf以及連接複數個第二指狀件122bf的第二連接部122bc。
如圖2A中所示的複數個第一指狀件122af與複數個第二指狀件122bf可相對於彼此平行地交替佈置。
第一指狀件122af與第一連接部122ac可藉由施加在其上部的壓力而變形，並且可接觸下導體層124。此外，第二指狀件122bf與第二連接部122bc可藉由施加在其上部的壓力而變形，並且可接觸下導體層124。第一指狀件122af與第二指狀件122bf的變形以及第一連接部122ac與第二連接部122bc的變形可與施加在其上部的壓力成比例。
可在上導體層122上提供上絕緣層128。上絕緣層128在製造壓力感測裝置120的處理中可作為上導體層122的支撐基板。此外，上絕緣層128可保護上導體層122。
在某些實施例中，第一指狀件122af與第二指狀件122bf與/或第一連接部122ac與第二連接部122bc接觸下導體層124的區域可隨施加在其上部的壓力而變化。詳細地說，第一指狀件122af與第二指狀件122bf與/或第一連接部122ac與第二連接部122bc接觸下導體層124的區域可與在一定壓力範圍內施加到其上部的壓力成比例。
圖3A與3B是示意性地示出由施加至其的壓力引起的第一指狀件122af與第二指狀件122bf的變形狀態的側剖視圖。
參照圖3A，第一指狀件122af與第二指狀件122bf可由第一壓力P1變形並可物理上接觸下導體層124。在此實例中，第二指狀件122bf可各自具有與寬度W1對應的接觸區域，並可接觸下導體層124。
參照圖3B，當高於第一壓力P1的第二壓力P2施加於第一指狀件122af與第二指狀件122bf上時，第一指狀件122af與第二指狀件122bf可變形超過圖3A並可接觸下導體層124。當第二指狀件122bf變形更多時，第二指狀件122bf可各自具有對應於大於寬度W1之寬度W2的接觸區域並且可接觸下導體層124。
隨著第一指狀件122af與第二指狀件122bf與/或第一連接部122ac與第二連接部122bc接觸下導體層124的區域變得更寬，通過下導體層124流動的電流可隨著在第一電極122ae和第二電極122be之間施加的特定電壓而增加。因此，電流可與施加的壓力相關，並且通過測量電流的數值，可以獲得所施加的壓力的位準。
下導體層124可與上導體層122間隔開，並且可設置在上導體層122下方。下導體層124可包括諸如金屬或碳基材料的導體。用作下導體層124的材料的金屬或碳基材料如上在上導體層122上所述，因此不提供額外的描述。
在圖2B中，下導體層124被示出為在支撐基板110的整個區域上延伸，但不限於此。在某些實施例中，下導體層124可被限制在包括一個壓力感測器120的單元區域中。也就是說，兩個相鄰的壓力感測裝置120的下導體層可彼此電絕緣。
上導體層122與下導體層124可藉由間隔件126彼此電隔離。當壓力施加在上導體層122的上部時，間隔件126可保持上導體層122和下導體層124之間的間隙，因此，可在設置間隔件126的位置處保持分離，並且上導體層122可在沒有設置間隔件126的位置處變形。
間隔件126可包括任意電絕緣體，諸如，可包括聚合物樹脂、具有電絕緣性質的金屬氧化物、具有電絕緣性質的金屬氮化物、未摻雜的氧化矽、未摻雜的氮化矽或其組合。
再度參照圖1，防水袋130可配置成圍繞支撐基板110，基板110包括上方提供有複數個壓力感測器120的表面。防水袋130可圍繞支撐基板110，並例如可防止液體組分(諸如用於清潔的水或化學品)直接接觸壓力感測器120。
防水袋130可包括撓性材料。在某些實施例中，防水袋130可包括與支撐基板110的材料不同或相同的材料。舉例而言，防水袋130可包括聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)、聚(甲基)丙烯酸甲酯(PMMA)、降莰烯樹脂、聚酯、聚苯乙烯(PS)、與/或等等，但不限於此。
防水袋130可暴露連接器150，用於複數個壓力感測器120和下面描述的分析器140之間的電連接。連接器150可通過引線電連接到複數個壓力感測器120。
圖4是示出根據實施例的壓力感測裝置與連接器之間的連接配置的示意圖。
參照圖4，複數個壓力感測器120可按照一定的規則佈置。在圖4中，四個壓力感測器120被示出為在一個方向上佈置，但是壓力感測器120的數量可大於或小於四個。在某些實施例中，複數個壓力感測器120可以格子形式佈置。然而，本案實施例不限於此。佈置在一列中的複數個壓力感測器120的第一電極可共同地連接至第一引線160a。此外，佈置在一列中的複數個壓力感測器120的第二電極可共同地連接至第二引線160b。
第一引線160a與第二引線160b可電連接到連接器150的端子。連接器150可包括複數個彼此以一定間隔佈置的連接端子，或者連接器150可以是根據特定標準向外部裝置發送信號或從外部裝置接收信號的連接器，特定標準諸如序列先進技術附接(SATA)標準、平行先進技術附接(PATA)標準、或小電腦系統介面(SCSI)標準。在此，SATA標準可包括所有SATA序列標準，諸如SATA-2、SATA-3與外部SATA (e-SATA)以及SATA-1。PATA標準可包括所有IDE序列標準，諸如整合驅動電子學(IDE)與增強-IDE (E-IDE)。
分析器設備140可自複數個壓力感測器120的每一個接收電信號。電信號可以是從每個壓力感測器120測量的電流數值(下文中稱為電流值)，並且可以是藉由處理分別從壓力感測器120測量的電流值的數據而生成的二次數據。
圖5是分析器設備140的示例性方塊圖。
參照圖5，分析器設備140可包括控制器2010、輸入/輸出(I/O)裝置2020、記憶體2030與介面2040。這些元件可通過匯流排2050彼此連接。
控制器2010可包括微處理器、數位信號處理器或與其類似的處理元件中的至少一者。I/O裝置2020可包括鍵板、鍵盤與顯示器中的至少一者。記憶體2030可用以儲存由控制器2010執行的命令。舉例而言，記憶體2030可用以儲存使用者數據。
在某些實施例中，介面2040可配置為連接到連接器150 (參見圖4)。
當分析器140通過連接器150與介面2040接收信號(或數據)時，分析器設備140可處理該信號以生成如圖6所示之壓力等高線圖。圖6是壓力等高線圖，示出了關於區域的壓力位準和根據實施例製造的壓力場測繪設備施加壓力的位置。壓力等高線圖可透過例如顯示設備的I/O裝置2020輸出。
分析器140可儲存用於生成壓力等高線圖的程式與/或常式。程式與/或常式是商業上可獲得的，因此省略了它們的詳細描述。
圖7是示出根據另一實施例的壓力感測器220的概念圖。
參照圖7，除了第一電極122ae與第二電極122be經由旁路122c彼此連接之外，圖7中示出的壓力感測器220相同於圖2A中示出的壓力感測器120。因此，不再另外描述共同的細節，且下面將僅描述不同的細節。
由於提供了旁路122c，無論壓力是否施加到壓力感測裝置220，電流都可基本上在第一電極122ae和第二電極122be之間流動。當第一指狀件122af與第二指狀件122bf藉由施加到壓力感測器220的上部的壓力而變形時，第一指狀件122af與第二指狀件122bf可接觸位於其下方的下導體層124 (參見圖2B)。在此實例中，除了旁路122c之外，還可額外地形成電流在第一電極122ae和第二電極122be之間流動的路徑，因此在第一電極122ae與第二電極122be之間流動的電流可以增加。
在圖7的壓力感測器220中，藉由添加旁路122c可調整在第一電極122ae與第二電極122be之間流動的電流值的測量靈敏度。
圖8是示出根據另一實施例的壓力感測器320的側剖面圖。
參照圖8，除了在上絕緣層128上進一步設置具有圓頂形狀的突起129之外，圖8中示出的壓力感測器320相同於圖2B中示出的壓力感測器120。因此，不再另外描述共同的細節，且下面將僅描述不同的細節。
當壓力從外部施加到壓力感測器320時，突起129可促使複數個指狀件122af與122bf即使通過相對低的壓力或側向壓力也會變形。易言之，當壓力從外部施加到壓力感測裝置320時，突起129可允許壓力集中在突起129的區域上，因此儘管壓力相對較低，指狀件122af與122bf可具有足夠變形。
再者，突起129可具有凸起形狀，因此，沿側向作用的力或壓力可有效地傳遞到設置在突起129下方的指狀件122af與122bf。
因此，由於突起129，壓力感測器320的靈敏度增加。
圖9A至9C是示出根據實施例的製造壓力感測器120的方法的剖面圖。
參照圖9A，上導體層122可形成於上絕緣層128上。可使用各種方法來形成上導體層122的圖案。舉例而言，導電材料層可形成在上絕緣層128上，然後可藉由過光刻處理等等加以圖案化。或者，可在上絕緣層128上形成犧牲層圖案，並且在藉由化學氣相沉積(CVD)處理等等共形地沉積導電材料層之後，藉由移除犧牲層圖案可剝離不需要的導電材料層，從而進行圖案化。
在圖9A中，上導體層122被示出了設置在上絕緣層128的下表面上，但是向上方向和向下方向可以顛倒。
參照圖9B，間隔件126可在上導體層122的適當位置處形成。間隔件126可藉由諸如印刷處理、絲網印刷處理、刮刀處理等等形成，但不限於此。如果使用無機材料作為間隔件126，則間隔件126可藉由物理氣相沉積(PVD)處理、CVD處理等等形成。
參照圖9C，下導體層124可在支撐基板110上形成並且可耦合到圖9B中所示的結構。支撐基板110與下導體層124已經於上文參照圖1對其進行了詳細描述，因此不再提供額外描述。可藉由塗覆處理、電鍍處理、氣相沉積處理等等在支撐基板110上形成下導體層124。
圖10是依序示出根據實施例的清潔玻璃基板的方法的流程圖。
可藉由複數個摩擦清潔部清潔玻璃基板，複數個摩擦清潔部相對於玻璃基板在橫向方向上彼此以一定的間隔佈置。摩擦清潔部可以是諸如一種或多種刷子、織造織物、非織造織物、毛氈、海綿、織物等，但不限於此。
在操作S110、S120與S130中，為了清潔玻璃基板，可首先確認複數個摩擦清潔部是否能夠以適當的壓力按壓玻璃基板。當確定複數個摩擦清潔部不能用適當的壓力按壓玻璃基板時，可在操作S140中調整每個摩擦清潔部的向下加壓特性。接著，可在複數個摩擦清潔部下方配置玻璃基板，並在操作S150與S160中執行清潔處理。在下文中，將描述每個操作。
首先，可在操作S110中將壓力場測繪設備配置於複數個摩擦清潔部下方。明確地說，可將壓力場測繪設備的壓力感測器單元配置於複數個摩擦清潔部下方，且分析器可在分離後通過電纜連接到壓力感測器單元。舉例而言，如圖12中所示，如果因為複數個摩擦清潔部201所處的總寬度很大而使得複數個摩擦清潔部201難以被一個壓力感測器單元PSU覆蓋，那麼複數個壓力感測器單元PSU可同時配置在複數個摩擦清潔部201下方。
接著，在操作S120中可將複數個摩擦清潔部的每一個降低至清潔位置，且可施加壓力至壓力感測器單元。由於複數個摩擦清潔部的每一個配置在清潔位置處，施加於壓力感測器單元的壓力可以與清潔玻璃基板時施加於玻璃基板的壓力實質上相同。由於壓力感測器單元藉由防水袋130所保護(參見圖1)，壓力感測器單元安全地免於水或化學材料。
接著，在操作S130中藉由測繪複數個摩擦清潔部所施加的壓力場，可以確定向下按壓特性是否合適。下面將參考圖11詳細描述此操作。
參照圖11，首先，在操作S131中上述壓力場測繪設備可以計算每個壓力場測繪範圍內的基於位置的壓力值。也就是說，可以基於從每個壓力感測器接收的數據來計算在複數個壓力感測器的每一個位置處的壓力與/或在壓力感測器之間的位置處的壓力。
選擇性地，在操作S133中可基於計算出的基於位置的壓力值來計算每個摩擦清潔部所施加的壓力。也就是說，可藉由識別按壓邊界來確定摩擦清潔部的識別(ID)是否合適，且若ID是合適的，可基於相應邊界的壓力分佈獲得由摩擦清潔部施加的壓力。在某些實施例中，可藉由簡單地對相應邊界點處的壓力值進行平均或加權平均來確定摩擦清潔部所施加的壓力。
接著，在操作S135中可以確定摩擦清潔部施加的壓力是否在參考壓力值範圍內。若摩擦清潔部施加的壓力在參考壓力值範圍內，可以立即執行清潔玻璃基板的操作(圖10的S150)而無需額外的處理。另一方面，若摩擦清潔部施加的壓力不在參考壓力值範圍內，可以針對施加的壓力在參考壓力值範圍之外的摩擦清潔部執行調整向下按壓特性的操作(圖10的S140)。
再度參照圖10，在操作S140中，可以相對於所施加的壓力在參考壓力值範圍之外的每個摩擦清潔部調整向下按壓特性。
若摩擦清潔部固定在致動器上並且被配置成在垂直方向部分穿梭，則可藉由改變摩擦清潔部的安裝位置(例如，安裝高度)來執行調整。另一方面，若摩擦清潔部固定在致動器上，但向下按壓特性是根據外部動力源施加到致動器的氣壓或液壓或致動器施加到摩擦清潔部的氣壓或液壓確定的，則可藉由調整每個致動器的設定值來執行調整。
在調整摩擦清潔部的向下壓力特性後，在操作S150中可將玻璃基板配置於複數個摩擦清潔部下方。接著，在操作S160中複數個摩擦清潔部可清潔玻璃基板。
圖13是二維示出根據實施例的玻璃基板清潔處理的示意圖。
參照圖13，可根據一定規則佈置複數個摩擦清潔部201。舉例而言，複數個摩擦清潔部201可佈置成多列，例如第一列R1、第二列R2、第三列R3等等。第一至第三列R1至R3的每一者的摩擦清潔部201可佈置於x方向(即，側邊方向)中。再者，複數個列(例如，R1、R2、R3……)可按照第一列R1、第二列R2、第三列R3……的順序佈置於y方向中。在圖13中，僅示出了三列，但是在y方向上可以佈置比三列更少列或四列或更多列。
玻璃基板G可以配置成在y方向上行進以進行清潔。明確地說，佈置在x方向上的複數個摩擦清潔部201可以彼此以一定間隔佈置以配置一列。舉例而言，在第一列R1中，玻璃基板G可能不會在與摩擦清潔部201之間的間隔對應的部分中被清潔。因此，在下一列(例如，第二列R2)中，為了清潔玻璃基板G的未清潔部分，可以在與第一列R1相鄰的兩個摩擦清潔部之間的間隔處沿y方向設置第二列R2的摩擦清潔部。
當玻璃基板G穿過摩擦清潔部201佈置的列並沿y方向行進時，摩擦清潔部201可以在旋轉的同時清潔玻璃基板G的表面。同時，藉由在玻璃基板G上噴灑包含水與/或化學清潔劑的清潔溶液完全去除卡在玻璃基板G上的外來材料。
圖14是示出藉由使用根據實施例的壓力場測繪設備在清潔位置處相對於佈置成五列的摩擦清潔部執行壓力場測繪而獲得的結果的圖像。如圖14中所示，即使在清潔位置，也檢查了許多未偵測到向下壓力的摩擦清潔部。在相關技術中，由於用戶用肉眼識別摩擦清潔部的高度並評估安裝高度是否合適，很難檢查到向下壓力不會對玻璃基板起作用的摩擦清潔部。
圖15是示出藉由使用根據實施例的壓力場測繪設備在清潔位置處相對於佈置成五列的摩擦清潔部執行壓力場測繪而獲得的另一結果的圖像。
如圖15中所示，相對於第一列，確定大部分摩擦清潔部透過適當的壓力按壓並清潔玻璃基板。然而，確定靠近圖像右側佈置的每個摩擦清潔部的向下按壓特性逐漸降低到更接近第二列、第三列、第四列與第五列。明確地說，由於具有不良按壓特性的摩擦清潔部的分佈不是隨機的，而是具有一定的趨勢，由設備框架的左右平衡影響所有摩擦清潔部高度的主要臆測是不合適的。
如圖14與15中所示，因為可以實時檢查所有摩擦清潔部各自的按壓特性，在隨後的處理中可以更容易地確定玻璃基板的產品缺陷的原因。
圖16A與16B是表示藉由使用根據實施例的壓力場測繪系統調整各個摩擦清潔部的向下加壓特性前後的壓力等高線圖的圖像。
參照圖16A，可以看出佈置成四列的摩擦清潔部的按壓特性非常糟糕。明確地說，可以看出在第一列中幾乎不進行向下按壓。
在根據已經檢查的壓力等高線圖調整每個摩擦清潔部的向下按壓特性之後，壓力等高線圖顯示於圖16B中。如圖16B中所示，可以看出，第一列、第二列和第四列中的每一者的向下按壓特性得到顯著改善。
圖17是表示相對於圖16A與16B的變化的多個粒子缺陷位置之數目的圖表。在圖17中，橫坐標軸表示時間，而縱坐標軸表示顆粒缺陷位置的數量。
在圖17中，在時間T調整了每個摩擦清潔部的按壓特性。在調整之前(即，相對於時間T的左側)，顆粒缺陷的數量很大且其平均值為162。在調整之後(即，相對於時間T的右側)，確定顆粒缺陷的數量減少並且其平均值為約115。
如上所述，可以得出結論，藉由調節對於去除顆粒沒有貢獻的摩擦清潔部的按壓特性來增加有助於去除顆粒的摩擦清潔部的數量，從而減少顆粒缺陷位置的數量。
圖18A與18B是表示藉由使用根據另一種玻璃製品製造處理中的實施例的壓力場測繪系統調整各個摩擦清潔部的向下加壓特性前後的粒子缺陷位置的位置數目變化的圖表。
參照圖18A，確定相對於時間T，顆粒缺陷的數量顯著減少。也就是說，在時間T之前(即，在調整之前)，確定顆粒缺陷的數量是約1,100，但在時間T之後(即，在調整之後)，確定顆粒缺陷的數量是約700。
參照圖18B，確定相對於時間T，顆粒缺陷的數量顯著減少。也就是說，在時間T之前(即，在調整之前)，確定顆粒缺陷的數量是約751，但在時間T之後(即，在調整之後)，確定顆粒缺陷的數量是約413。
藉由根據上述實施例使用壓力場測繪設備與清潔玻璃基板的方法，可以進行客觀和定量的測試而不具有清潔處理中工人之間的偏差，並因此會大大減少例如顆粒缺陷的產品缺陷。
應該理解的是，文中描述的實施例應該僅被認為是描述性的，而不是為了限制的目的。通常應當認為每個實施例中的特徵或態樣的描述可用於其他實施例中的其他類似特徵或態樣。
雖然已經參考圖式描述了一個或多個實施例，但本領域普通技術人員將理解，在不脫離由所附申請專利範圍限定的本揭露內容的精神和範圍的情況下，可以在其中進行形式和細節上的各種改變。
100‧‧‧壓力場測繪設備110‧‧‧基板120‧‧‧壓力感測器122‧‧‧上導體層122a‧‧‧第一導體部122ac‧‧‧第一連接部122ae‧‧‧第一電極122af‧‧‧第一指狀件122b‧‧‧第二導體部122bc‧‧‧第二連接部122be‧‧‧第二電極122bf‧‧‧第二指狀件122c‧‧‧旁路124‧‧‧下導體層126‧‧‧間隔件128‧‧‧上絕緣層129‧‧‧突起130‧‧‧防水袋140‧‧‧分析器150‧‧‧連接器160a‧‧‧第一引線160b‧‧‧第二引線201‧‧‧摩擦清潔部220‧‧‧壓力感測器2010‧‧‧控制器2020‧‧‧輸入/輸出裝置2030‧‧‧記憶體2040‧‧‧介面2050‧‧‧匯流排P1‧‧‧第一壓力P2‧‧‧第二壓力PSU‧‧‧壓力感測器單元S110、S120、S130、S131、S133、S135、S140、S150、S160‧‧‧操作W1、W2‧‧‧寬度
從結合附圖對實施例的以下描述中，這些與/或其他態樣將變得顯而易見並且更容易理解，附圖中：
圖1是示意性地示出根據實施例的壓力場測繪設備的概念圖；
圖2A是示出根據實施例的壓力感測器的概念圖；
圖2B是根據實施例的圖2A中沿線B-B’截取的側剖視圖；
圖3A與3B是示意性地示出根據實施例的由施加到其上的壓力引起的第一和第二指狀件的變形狀態的側剖視圖；
圖4是示出根據實施例的壓力感測器與連接器之間的連接配置的示意圖；
圖5是根據實施例的分析設備的示例性方塊圖；
圖6是壓力等高線圖，示出了關於區域的壓力位準和根據實施例製造的壓力場測繪設備施加壓力的位置；
圖7是示出根據另一實施例的壓力感測器的概念圖；
圖8是示出根據另一實施例的壓力感測器的側剖視圖；
圖9A至9C是用於說明根據實施例的製造壓力感測器的方法的剖視圖；
圖10是根據實施例清潔玻璃基板的方法的流程圖；
圖11是詳細說明由複數個摩擦清潔部施加的壓力場測繪的操作的流程圖；
圖12是說明壓力場測繪方法的示意圖，其中複數個壓力感測器單元設置在摩擦清潔部下：
圖13是二維示出根據實施例的玻璃基板清潔處理的示意圖；
圖14與15是表示藉由使用根據實施例的壓力場測繪設備，對在清潔位置處排列成五列的摩擦清潔部進行壓力場測繪而獲得的結果的圖像；
圖16A與16B是表示藉由使用根據實施例的壓力場測繪系統調整各個摩擦清潔部的向下加壓特性前後的壓力等高線圖的圖像；
圖17是表示相對於圖16A與16B的變化的粒子缺陷的位置數的圖表；及
圖18A與18B是表示藉由使用根據另一種玻璃製品製造處理中的實施例的壓力場測繪系統調整各個摩擦清潔部的向下加壓特性前後的粒子缺陷位置的位置數目變化的圖表。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
140‧‧‧分析器
201‧‧‧摩擦清潔部
PSU‧‧‧壓力感測器單元
Claims (15)
- 一種壓力場測繪設備，包括：一支撐基板；複數個壓力感測器，佈置於該支撐基板上，該複數個壓力感測器的每一個被配置為回應於施加到其上的壓力而輸出一信號；及一分析器，配置為從該複數個壓力感測器的每一個接收該信號，並基於該所接收的信號輸出該支撐基板上的一壓力圖，其中該複數個壓力感測器的每一個包括一上導體層與一下導體層，該下導體層分隔於該上導體層且配置在該上導體層下方，其中該上導體層包括一第一導體部與一第二導體部，該第一導體部包括一第一電極而該第二導體部包括一第二電極，及其中該第一導體部與該第二導體部彼此分隔且該第一電極與該第二電極透過一旁路彼此連接。
- 如請求項1所述之壓力場測繪設備，其中：該上導體層藉由施加到該些壓力感測器相應一者的壓力而變形且接觸該下導體層。
- 如請求項2所述之壓力場測繪設備，進一步包括： 複數個引線，連接至該複數個壓力感測器的每一個的該第一電極與該第二電極，該複數個引線延伸到一設置在該支撐基板一側上的連接器，其中該分析器配置為透過該連接器與一信號電纜接收該信號。
- 如請求項2所述之壓力場測繪設備，其中該第一導體部與該第二導體部與施加到該些壓力感測器相應一者的壓力成比例地變形，且該第一導體部與該第二導體部中的每一者與該下導體層接觸的一接觸區域相應地增加。
- 如請求項4所述之壓力場測繪設備，其中：該第一導體部與該第二導體部包括複數個交叉指狀件。
- 如請求項2所述之壓力場測繪設備，其中：該複數個壓力感測器的每一個進一步包括一在該第一電極與該第二電極下方的間隔件，其中該間隔件分隔該上導體層與該下導體層。
- 如請求項1所述之壓力場測繪設備，其中該支撐基板係一撓性基板。
- 如請求項1所述之壓力場測繪設備，其中該複數個壓力感測器以一格子形式佈置在該支撐基板上。
- 一種清潔一玻璃基板的方法，該方法包括以下步驟：在複數個摩擦清潔部下方定位一壓力場測繪設備；降低該複數個摩擦清潔部的每一個至一清潔位置；藉由使用該壓力場測繪設備測繪由該複數個摩擦清潔部分別施加至該玻璃基板的壓力場；基於該些測繪之壓力場調整該複數個摩擦清潔部的向下加壓特徵；在該複數個摩擦清潔部下方定位一玻璃基板；及藉由使用該複數個摩擦清潔部清潔該玻璃基板，其中該壓力場測繪設備包括：一支撐基板；複數個壓力感測器，佈置於該支撐基板上，該複數個壓力感測器的每一個被配置為回應於施加到其上的壓力而輸出一信號；及一分析設備，配置為從該複數個壓力感測器的每一個接收該信號，並基於一所接收的信號輸出該支撐基板上的一壓力圖，其中該複數個壓力感測器的每一個包括一上導體層與一下導體層，該下導體層分隔於該上導體層且配置在該上導體層下方，其中該上導體層包括一第一導體部與一第二導體 部，該第一導體部包括一第一電極而該第二導體部包括一第二電極，及其中該第一導體部與該第二導體部彼此分隔且該第一電極與該第二電極透過一旁路彼此連接。
- 如請求項9所述之方法，其中測繪壓力場的步驟包括以下步驟：確定由該複數個摩擦清潔部分別施加的壓力是否在一參考壓力值範圍內。
- 如請求項10所述之方法，其中向下加壓特徵的調整步驟包括以下步驟：調整該摩擦清潔部的一安裝高度。
- 如請求項10所述之方法，其中：降低的步驟進一步包括以下步驟：透過氣壓或液壓降低該複數個摩擦清潔部的每一個，且調整的步驟進一步包括以下步驟：調整施加至用於清潔的該複數個摩擦清潔部的每一個的該氣壓或液壓的一設定值。
- 如請求項9所述之方法，其中在執行該玻璃基板的清潔時該玻璃基板在一水平方向中移動。
- 如請求項13所述之方法，其中：該複數個摩擦清潔部包括：複數個第一摩擦清潔部，在與垂直於該玻璃基板的一移動方向之一橫向對應的一第一列中彼此以一 定的間隔佈置；及複數個第二摩擦清潔部，在與一平行於該第一列的複數個第一摩擦清潔部的一佈置方向的橫向對應的一第二列中彼此以一定的間隔佈置，及該第二列的一個第二摩擦清潔部在該玻璃基板的該移動方向上與該第一列的兩個相鄰的第一摩擦清潔部之間的一位置分開設置。
- 如請求項9所述之方法，其中清潔該玻璃基板的步驟包括以下步驟：供應一清潔溶液至該玻璃基板上。
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