TWI821104B - 一種晶圓載台裝置 - Google Patents
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- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 31
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 29
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 10
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- -1 electricity Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011554 ferrofluid Substances 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 239000002122 magnetic nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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Abstract
本發明公開一種晶圓載台裝置,包括:旋轉台元件,包括支撐台和壓接部,所述支撐台用於支撐晶圓,所述壓接部用於壓緊所述晶圓;磁流體軸,包括內軸和外軸,所述內軸和外軸之間設置有磁流體,所述內軸包括端部件和筒狀件,二者圍合形成容納空間;升降元件,包括主體部分和升降體,所述主體部分位於所述容納空間,所述升降體可滑動地密封裝配於所述端部件,所述升降體與所述壓接部相作用。上述晶圓載台裝置可以更為充分地對內軸的內部空間進行利用,以提高設備的結構緊湊性和集成度,能夠有效地縮減晶圓載台裝置的佔用空間,以便於安裝。
Description
本發明涉及晶圓製造技術領域,具體涉及一種晶圓載台裝置。
離子束刻蝕和離子束沉積是兩種常見的晶圓加工工藝。其中,離子束刻蝕是利用具有一定能量的離子轟擊材料表面,使材料原子發生濺射,從而達到刻蝕目的,屬於純物理過程;離子束沉積則是利用離子源將用作沉積的材料離子化,在電場作用下射向晶圓表面沉積成膜層,目的是改變工件表面性能,屬氣相沉積方法。
在工藝過程中,離子源一般是處於固定位置,然後通過旋轉晶圓來調整加工位置,並且整個加工過程均是在真空環境中。為此,現有技術中存在用於支撐晶圓的載台裝置,其能夠提供驅動力,以滿足晶圓加工所需要的運動形式。
但是,現有的載台裝置普遍存在體型較大、佔用空間較多的問題。
本發明的目的是提供一種晶圓載台裝置,其結構緊湊性高,可有效縮減佔用體積。
為解決上述技術問題,本發明提供一種晶圓載台裝置,包括:旋轉台元件,包括支撐台和壓接部,所述支撐台用於支撐晶圓,所述壓接部用於壓緊所述晶圓;磁流體軸,包括內軸和外軸,所述內
軸和外軸之間設置有磁流體,所述內軸包括端部件和筒狀件,二者圍合形成容納空間;升降元件,包括主體部分和升降體,所述主體部分位於所述容納空間,所述升降體可滑動地密封裝配於所述端部件,所述升降體與所述壓接部相作用。
採用上述方案,磁流體軸的內軸呈桶狀,其內部能夠形成容納空間,用於驅使壓接部相對支撐台進行位移的升降元件的主體部分位於該容納空間中,這樣,可以更為充分地對內軸的內部空間進行利用,以提高設備的結構緊湊性和集成度,能夠有效地縮減晶圓載台裝置的佔用空間,以便於安裝。
可選地,主體部分包括氣缸和升降板,氣缸具有活塞桿,活塞桿與升降板相連,升降板連接有若干升降體。
可選地,主體部分還包括波紋管,波紋管的兩端分別與升降板、端部件相連,且波紋管外套安裝於升降體。
可選地,升降元件還包括頂針,頂針可滑動地密封裝配於端部件。
可選地,一個所述升降體和一個所述頂針共用一個波紋管進行密封裝配。
可選地,所述主體部分包括氣缸和升降板,所述氣缸具有活塞桿,所述活塞桿與所述升降板相連,所述頂針和所述升降體均安裝於所述升降板,所述頂針的軸向尺寸小於所述升降體。
可選地,所述磁流體軸設置有第一冷卻通道。
可選地,所述端部件朝向所述支撐體的一側設置有槽體,所述端部件朝向所述支撐體的一側還設置有密封板,所述密封板覆蓋所述槽體的槽口,所述第一冷卻通道包括所述槽體的槽內空間。
可選地,還包括:殼體元件,殼體元件的內部空間與大氣環境相連通,殼體元件包括支撐板,外軸密封裝配於支撐板;驅動元件,驅動元件的至少局部位於殼體元件內,且驅動元件與內軸傳動
連接。
可選地,驅動元件包括定子、動子和安裝構件,動子與內軸傳動連接,安裝構件用於對驅動元件進行安裝。
可選地,安裝構件設置有第二冷卻通道。
可選地,安裝構件包括相連的第一連接部和第二連接部,第一連接部和外軸相連,第二冷卻通道形成在第一連接部和第二連接部之間。
可選地,第一連接部設置有第一止擋,第二連接部設置有第二止擋,定子通過第一止擋和第二止擋進行定位裝配。
可選地,還包括旋轉板,所述動子通過所述旋轉板和所述內軸進行連接。
可選地,還包括公轉軸,所述公轉軸和所述殼體元件相連。
可選地,支撐台包括熱台部和冷台部。
可選地,冷台部朝向熱台部的一面設置有第三冷卻通道;還包括密封部,密封部設置在冷台部和熱台部之間。
可選地,還包括背氦部,背氦部位於所述支撐台靠近所述晶圓的一側。
可選地,還包括旋轉接頭,旋轉接頭與端部件相連。
可選地,還包括過渡板,旋轉接頭通過過渡板與端部件相連。
1:殼體元件
11:支撐板
2:旋轉台元件
21:支撐台
211:熱台部
212:冷台部
212a:第三冷卻通道
212a-1:進口
212a-2:出口
213:密封部
214:背氦部
22:壓接部
3:磁流體軸
31:內軸
311:端部件
311a:第一冷卻通道
312:筒狀件
313:密封板
31a:容納空間
32:外軸
33:磁流體
34:軸承
35:旋轉板
4:驅動元件
41:定子
42:動子
43:安裝構件
431:第一連接部
432:第二連接部
433:第二冷卻通道
5:升降元件
51:主體部分
511:氣缸
511a:活塞桿
512:升降板
513:波紋管
52:升降體
53:頂針
6:旋轉接頭
7:過渡板
8:公轉軸
圖1為本發明所提供晶圓載台裝置的一種具體實施方式的結構示意圖;
圖2為圖1中磁流體軸的結構示意圖;
圖3為圖1中升降元件的結構示意圖;
圖4為圖1中支撐台的結構示意圖;
圖5為圖1中驅動元件的結構示意圖。
為了使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案,下面結合圖式和具體實施例對本發明作進一步的詳細說明。
本文中所述“若干”是指數量不確定的多個,通常為兩個以上;且當採用“若干”表示某幾個部件的數量時,並不表示這些部件在數量上的相互關係。
本文中所述“第一”、“第二”等詞,僅是為了便於描述結構和/或功能相同或者相類似的兩個以上的結構或者部件,並不表示對於順序和/或重要性的某種特殊限定。
磁流體又稱為磁性液體或鐵磁流體,其是一種固液兩相組成的膠體材料,固相主要指磁性固體納米顆粒,液相是指能夠承載固體磁性納米顆粒的液體,磁流體具有液態載體的流動性、潤滑性、密封性,同時具有固體納米顆粒的強磁性及其它特性。
磁流體密封就是用永久磁鐵將磁流體固定在內軸和外軸之間,由於內軸和外軸之間的空隙很小,且其磁場強度特別大,從而能承受較大的沿軸線方向的推力,以達到密封的效果。內軸、外軸以及設置在二者之間的磁流體可以合稱為磁流體軸。
請參考圖1至圖5,圖1為本發明所提供晶圓載台裝置的一種具體實施方式的結構示意圖,圖2為圖1中磁流體軸的結構示意圖,圖3為圖1中升降元件的結構示意圖,圖4為圖1中支撐台的結構示意圖,圖5為圖1中驅動元件的結構示意圖。
如圖1所示,本發明提供一種晶圓載台裝置,包括:旋轉台元件2,包括支撐台21和壓接部22,其中,支撐台21用於支撐晶圓,壓接部22用於壓緊晶圓,以保證晶圓固定的可靠性,壓接部22可以為一體式的環形結構,也可以包括在周向上分佈的若干分體;
磁流體軸3,包括內軸31和外軸32,內軸31和外軸32能夠相對轉動,內軸31和外軸32之間設置有磁流體33,用於實現內軸31和外軸32之間的密封,內軸31包括端部件311和筒狀件312,二者圍合形成容納空間31a;升降元件5,包括主體部分51和升降體52,主體部分51位於容納空間31a,升降體52可滑動地密封裝配於端部件311,升降體52與壓接部22相作用,用於控制壓接部22相對地靠近或者遠離支撐台21,其中,當壓接部22相對地遠離支撐台21時,可以方便晶圓的放置或者取出,而當壓接部22相對地靠近支撐台21時,則可以實現對於晶圓的壓緊固定。
採用上述方案,磁流體軸3的內軸31呈桶狀,其內部能夠形成容納空間31a,用於驅使壓接部22相對支撐台21進行位移的升降元件5的主體部分51位於該容納空間31a中,這樣,可以更為充分地對內軸31的內部空間進行利用,以提高設備的結構緊湊性和集成度,能夠有效地縮減晶圓載台裝置的佔用空間,以便於安裝。
這裡,本發明實施例並不限定升降元件5的具體結構形式,在實際應用中,本領域技術人員可以根據需要進行選擇。例如,該升降元件5可以採用氣缸、液壓油缸等能夠直接輸出直線位移的驅動元件,此時,前述的升降體52可以為這些驅動元件的活塞桿;或者,該升降元件5也可以採用電機等能夠直接輸出旋轉位移的驅動元件,此時,還需要搭配齒輪齒條機構、絲杠機構等形式的位移轉換機構,以將直接輸出的旋轉位移轉換為所需要的直線位移,以採用齒輪齒條機構作為示例,前述的升降體52則可以為齒條。
在圖3的實施方式中,升降元件5可以採用標準氣缸,主體部分51可以包括氣缸511和升降板512,氣缸511具有活塞桿511a,活塞桿511a能夠進行伸縮,從而帶動升降板512進行升降,前述的升降體52可以安裝於升降板512。採用這種結構,升降板512相當於過渡連接件,其上可以安裝多根升降體52(圖式中為兩根升降
體52),進而可以通過一個氣缸511來實現多點驅動,如此,一方面,可以減少氣缸511的使用數量,以節約成本,並可避免使用多個氣缸511時所造成的動作不一致的問題,另一方面,多點驅動也更有利於保證壓接部22升降的穩定性。
需要指出的是,通過升降板512進行過渡連接以實現一個氣缸511產生多個驅動點的方案僅是本發明實施例的一種優選方案,但並不表示在具體實踐中就只能使用一個氣缸511,實際上,氣缸511的數量也可以是多個,以便產生更大的驅動力。
進一步地,主體部分51還可以包括波紋管513,波紋管513的兩端可以分別與升降板512、端部件311相連,且波紋管513可以外套安裝於升降體52,用於實現升降體52與端部件311的密封裝配。同時,波紋管513具有一定的彈性變形能力,在氣缸511充氣時以驅使壓接部22向上升起時,波紋管513可以被壓縮,在氣缸511洩氣時,波紋管513的彈性力還可以釋放,以利於壓接部22的快速復位。並且,波紋管513的設置還可以對氣缸511的行程進行限定。
可以理解的是,滑動密封的方式並不局限於波紋管513,也可以是通過設置密封圈等形式的環形密封件來實現。
壓接部22對於晶圓的壓緊固定可以是依靠自身的重力,也可以是依靠升降元件5的作用力,這具體和升降體52與壓接部22的連接方式存在關聯。在升降體52與壓接部22為固定連接(連接方式不作限定)時,壓接部22可以在升降元件5的作用下對晶圓進行壓緊。在升降體52與壓接部22僅為抵接接觸時,也就是說,升降體52僅能夠對壓接部22產生頂升力、但不能夠產生下拉力時,壓接部22可以是在自身重力的作用下對晶圓進行壓緊。具體到本發明實施例中,優選採用前者中的方案,以用於保證對於晶圓壓接固定的可靠性。
升降元件5除了用於驅使壓接部22進行位移外,還可
以直接地驅使晶圓相對支撐台21進行位移,以方便晶圓的裝片和取片操作。具體而言,升降元件5還可以包括頂針53,頂針53可滑動地密封裝配於端部件311,用於和晶圓相作用。
結合圖3,頂針53也可以安裝於升降板512,且頂針53的軸向尺寸要小於升降體52,這樣,升降體52的支撐高度高於頂針53。在升降板512驅使升降體52和頂針53進行頂升時,升降體52可以先驅使壓接部22遠離支撐台21,然後頂針53才開始與晶圓相接觸、並驅使晶圓遠離支撐台21;在升降板512驅使升降體52和頂針53進行下降時,升降體52可以先驅使晶圓穩定地放置於支撐台21,然後壓接部22才會壓緊於晶圓;如此設置,可以較好地避免晶圓和壓接部22動作過程中的干涉問題。
頂針53與端部件311密封連接的方式可以參見前述有關升降體52與端部件311密封連接的描述。實際上,在圖式3所示出的方案中,一個升降體52和一個頂針53可以是採用同一波紋管513進行密封裝配,這樣,還可以減少波紋管513的使用數量。
請繼續參考圖1,本發明所提供晶圓載台裝置還可以包括:殼體元件1,殼體元件1的內部空間可以與大氣環境相連通,殼體元件1可以包括支撐板11,外軸32可以密封安裝(具體的密封方式不做限定,例如可以設置密封圈、密封墊等)於支撐板11,內軸31的容納空間31a可以與殼體元件1的內部空間相連通,也就是說,容納空間31a也是處在大氣環境中;驅動元件4,驅動元件4可以位於殼體元件1內,且驅動元件4可以與內軸31傳動連接,用於通過內軸31來帶動支撐台21進行轉動,以滿足晶圓加工所需要的運動形式。
採用這種方案,殼體元件1可以實現外部真空環境(晶圓加工時所處的環境)與內部大氣環境的隔離,驅動元件4整體裝配在殼體元件1內,這樣,驅動元件4不需要採用專門的真空部件,只
需要採用常規部件即可,成本可以較低,能夠方便裝配和維護;磁流體軸3包括通過磁流體33進行密封的內軸31和外軸32,在外軸32與支撐板11密封裝配時,也可以實現容納空間31a與外部真空環境的隔離,同時,容納空間31a也是與大氣環境相連通,因此,容納空間31a也是處在大氣環境中,這樣,所有在容納空間31a內裝配的部件(如前述的主體部分51等)也無需採用專門的真空部件,只需要採用常規部件即可,能夠更大程度地降低成本,以提高裝配和維護的便捷性。
這裡,本發明實施例並不對殼體元件1的具體結構形式進行限定,只要其能夠實現容納驅動元件4的技術效果即可。
結合圖1,殼體元件1還連接有公轉軸8,公轉軸8也連接有驅動元件(圖中未示出),在驅動元件的作用下,殼體元件1連同磁流體軸3、旋轉台元件2等可以整體進行轉動,以便調整支撐台21的角度;驅動元件4則是用於實現支撐台21的自轉。公轉軸8可以為空心的筒狀件,以用於將殼體元件1的內部空間和外界環境相連通。
驅動元件4具體可以是採用電機,包括定子41、動子42和安裝構件43。其中,動子42可以與內軸31傳動連接,安裝構件43用於對驅動元件4進行安裝,且安裝構件43內設置有第二冷卻通道433,用於對電機進行冷卻控溫,以保證電機的工作性能。
動子42與內軸31的連接方式可以是多樣的,只要能夠保證動力傳遞的可靠性即可,例如,可以是採用帶輪、鏈輪、齒輪等進行傳動連接,以便調整傳動比。在圖式的實施方式中,如圖1、圖2和圖5所示,動子42可以通過旋轉板35與內軸31進行連接,以便適應動子42和內軸31的安裝位置;可以理解的是,若安裝位置允許,動子42也可以直接與內軸31相連。
同樣地,安裝構件43的結構形式也可以是多樣的,只
要能夠保證安裝構件43的安裝可靠性即可。在圖式的實施方式中,如圖5所示,安裝構件43可以包括第一連接部431和第二連接部432,第一連接部431可以和外軸32相連;第二連接部432可以與第一連接部431相連,具體的連接方式包括但不限於螺紋連接、螺釘連接、過盈配合、卡接、焊接等;第二冷卻通道433可以形成在第一連接部431和第二連接部432之間,具體可以是通過在第一連接部431和/或第二連接部432相對接的面設置槽體;第二冷卻通道433的軸向兩側均可以設置有密封圈、密封填料等形式的密封構件,用於保證密封性能。
這樣,驅動元件4集成裝配於外軸32,外軸32又是裝配於支撐板11,相當於整個設備均集成裝配於支撐板11,結構緊湊性高,有利於縮減體積;並且,第二冷卻通道433的設置也可以提高電機的冷卻性能,能夠在長期工作的條件下對於電機的工作溫度進行控制,以利於保證電機的工作穩定性和工作效率。
事實上,安裝構件43並不局限於和外軸32相連,其也可以是直接固定於支撐板11,這樣,也可以實現對於驅動元件4的安裝固定。
另外,第二冷卻通道433中所通入冷卻介質的種類在此可以不作限定,具體實踐中,本領域技術人員可以根據實際需要進行設置,只要能夠滿足使用的要求即可。例如,該冷卻介質可以為氣態冷卻介質,如冷卻風;或者,該冷卻介質也可以為液態冷卻介質,如冷卻水。
進一步的細化說明,第一連接部431可以設置有第一止擋,第二連接部432可以設置有第二止擋,定子41可以通過第一止擋和第二止擋進行軸向上的固定裝配。
如先前技術部分所述,常見的晶圓加工工藝包括離子束刻蝕和離子束沉積,這兩種工藝對於環境溫度的要求是不同的。一
般而言,離子束刻蝕要求存在冷卻環境,離子束沉積則要求存在熱環境。
基於此,本發明實施例所提供的支撐台21可以包括熱台部211和冷台部212,熱台部211能夠進行加熱,以提供離子束沉積所需要的熱環境,冷台部212能夠進行冷卻,以提供離子束刻蝕所需要的冷環境。這樣,本發明實施例所提供晶圓載台裝置可以相容離子束刻蝕和離子束沉積兩種晶圓加工工藝。
這裡,本發明實施例並不限定熱台部211的供熱方式以及冷台部212的供冷方式,只要能夠滿足相應的功能即可。
熱台部211可以是通過電加熱的方式進行供熱,如內嵌加熱絲等。冷台部212可以是通過對流熱換的方式進行供冷;這個實施方式可以參照圖4,冷台部212朝向熱台部211的一面可以設置有第三冷卻通道212a,支撐台21還可以包括密封部213,密封部213可以設置在冷台部212和熱台部211之間,以保證第三冷卻通道212a的密封性能;冷台部212可以設置有與第三冷卻通道212a相連通的進口212a-1和出口212a-2,以實現冷卻介質的迴圈進出;冷卻介質的種類同樣可以包括氣態冷卻介質和液態冷卻介質。
在一些可選的實施方式中,支撐台21還可以包括背氦部214,背氦部214可以位於熱台部211背離冷台部212的一側,即靠近晶圓的一側,用於在晶圓加工時適時地通入氦氣,以滿足晶圓加工的需求。
如前所述,在實施離子束沉積時,需要相對較高的環境溫度,該溫度通常會高於120℃。但是,磁流體軸3的使用溫度僅在-40℃-120℃之間。當溫度超過120℃時,磁流體33的密封性就會受到影響,並且,會導致磁流體軸3的軸承34過熱,軸承34的壽命和使用狀態均會受到影響,進而會造成磁流體軸3的旋轉不穩定,嚴重影響磁流體軸3的正常使用。
為此,本發明實施例可以在端部件311設置有第一冷卻通道311a,用於對磁流體軸3的溫度進行控制。第一冷卻通道311a的形成方式可以是在端部件311朝向支撐台21的一側設置槽體,然後覆蓋密封板313(密封板313的固定方式包括但不限於焊接、螺釘連接、鉚接等),以對槽口進行封堵。
需要指出的是,第一冷卻通道311a並不限於設置在端部件311,其也可以設置在筒狀件312,同樣地,其還可以設置於外軸32,這些在具體實踐中均是可以採用的方案。
進一步地,本發明所提供晶圓載台裝置還可以包括旋轉接頭6和過渡板7,旋轉接頭6和過渡板7均可以位於筒狀件312的內側,即均可以位於前述的容納空間31a中,以充分地利用內軸31的內部空間;旋轉接頭6可以通過過渡板7與端部件311相連。採用這種結構,過渡板7的設置可以調整旋轉接頭6的安裝位置;而且,還能夠解決旋轉接頭6與端部件311直接連接時介面不匹配的問題,也就是說,過渡板7的軸向兩端可以具有兩種形式的介面,一種形式的介面可用於和端部件311相連,另一種形式的介面可用於旋轉接頭6相連。
可以理解的是,上述的過渡板7實際上也可以不存在,此時,旋轉接頭6可以直接與端部件311相連,這並不影響旋轉接頭6向內軸31傳遞旋轉驅動力。
上述旋轉接頭6為一種氣、電、液混合接頭,其內部可以通過氦氣管道、冷卻液管道、導電線、信號線等。
以上僅是本發明的優選實施方式,應當指出,對於本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本發明的保護範圍。
1:殼體元件
11:支撐板
2:旋轉台元件
21:支撐台
22:壓接部
3:磁流體軸
4:驅動元件
5:升降元件
8:公轉軸
Claims (20)
- 一種晶圓載台裝置,其特徵在於,包括:旋轉台元件,包括支撐台和壓接部,所述支撐台用於支撐晶圓,所述壓接部用於壓緊所述晶圓;磁流體軸,包括內軸和外軸,所述內軸和外軸之間設置有磁流體,所述內軸包括端部件和筒狀件,二者圍合形成容納空間;升降元件,包括主體部分和升降體,所述主體部分位於所述容納空間,所述升降體可滑動地密封裝配於所述端部件,所述升降體與所述壓接部相作用。
- 如請求項1所述晶圓載台裝置,其中,所述主體部分包括氣缸和升降板,所述氣缸具有活塞桿,所述活塞桿與所述升降板相連,所述升降板連接有若干所述升降體。
- 如請求項2所述晶圓載台裝置,其中,所述主體部分還包括波紋管,所述波紋管的兩端分別與所述升降板、所述端部件相連,且所述波紋管外套安裝於所述升降體。
- 如請求項1所述晶圓載台裝置,其中,所述升降元件還包括頂針,所述頂針可滑動地密封裝配於所述端部件。
- 如請求項4所述晶圓載台裝置,其中,一個所述升降體和一個所述頂針共用一個波紋管進行密封裝配。
- 如請求項4所述晶圓載台裝置,其中,所述主體部分包括氣缸和升降板,所述氣缸具有活塞桿,所述活塞桿與所述升降板相連,所述頂針和所述升降體均安裝於所述升降板,所述頂針的軸向尺寸小於所述升降體。
- 如請求項1所述晶圓載台裝置,其中,所述磁流體軸設置有第一冷卻通道。
- 如請求項7所述晶圓載台裝置,其中,所述端部件朝 向所述支撐體的一側設置有槽體,所述端部件朝向所述支撐體的一側還設置有密封板,所述密封板覆蓋所述槽體的槽口,所述第一冷卻通道包括所述槽體的槽內空間。
- 如請求項1至8中任一項所述晶圓載台裝置,其特徵在於,還包括:殼體元件,所述殼體元件的內部空間與大氣環境相連通,所述殼體元件包括支撐板,所述外軸密封裝配於所述支撐板;驅動元件,所述驅動元件的至少局部位於所述殼體元件內,且所述驅動元件與所述內軸傳動連接。
- 如請求項9所述晶圓載台裝置,其中,所述驅動元件包括定子、動子和安裝構件,所述動子與所述內軸傳動連接,所述安裝構件用於對所述驅動元件進行安裝。
- 如請求項10所述晶圓載台裝置,其中,所述安裝構件設置有第二冷卻通道。
- 如請求項11所述晶圓載台裝置,其中,所述安裝構件包括相連的第一連接部和第二連接部,所述第一連接部和所述外軸相連,所述第二冷卻通道形成在所述第一連接部和所述第二連接部之間。
- 如請求項12所述晶圓載台裝置,其中,所述第一連接部設置有第一止擋,所述第二連接部設置有第二止擋,所述定子通過所述第一止擋和所述第二止擋進行定位裝配。
- 如請求項10所述晶圓載台裝置,其中,還包括旋轉板,所述動子通過所述旋轉板和所述內軸進行連接。
- 如請求項9所述晶圓載台裝置,其中,還包括公轉軸,所述公轉軸和所述殼體元件相連。
- 如請求項1至8中任一項所述晶圓載台裝置,其特徵在於,所述支撐台包括熱台部和冷台部。
- 如請求項16所述晶圓載台裝置,其中,所述冷台部朝向所述熱台部的一面設置有第三冷卻通道;還包括密封部(213),所述密封部設置在所述冷台部和所述熱台部之間。
- 如請求項16所述晶圓載台裝置,其中,還包括背氦部,所述背氦部位於所述支撐台靠近所述晶圓的一側。
- 如請求項1至8中任一項所述晶圓載台裝置,其特徵在於,還包括旋轉接頭,所述旋轉接頭與所述端部件相連。
- 如請求項19所述晶圓載台裝置,其中,還包括過渡板,所述旋轉接頭通過所述過渡板與所述端部件相連。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210417221.3 | 2022-04-20 | ||
CN202210417221.3A CN116960050A (zh) | 2022-04-20 | 2022-04-20 | 一种晶圆载台装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI821104B true TWI821104B (zh) | 2023-11-01 |
TW202343655A TW202343655A (zh) | 2023-11-01 |
Family
ID=88419017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112101640A TWI821104B (zh) | 2022-04-20 | 2023-01-13 | 一種晶圓載台裝置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116960050A (zh) |
TW (1) | TWI821104B (zh) |
WO (1) | WO2023202120A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN118073268B (zh) * | 2024-04-22 | 2024-06-18 | 盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司 | 一种晶圆举升装置和晶圆举升方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200135434A1 (en) * | 2018-10-25 | 2020-04-30 | Tokyo Electron Limited | Stage device and processing apparatus |
CN111243926A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种载台系统 |
US20200373133A1 (en) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | Tokyo Electron Limited | Stage device and processing apparatus |
TW202145434A (zh) * | 2020-05-29 | 2021-12-01 | 大陸商北京魯汶半導體科技有限公司 | 離子束刻蝕旋轉平臺 |
US20220085693A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-17 | Tokyo Electron Limited | Rotary mechanism and substrate processing apparatus |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104752275B (zh) * | 2013-12-29 | 2018-01-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室以及半导体加工设备 |
JP2017183423A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 株式会社東京精密 | プローバ及びプローブコンタクト方法 |
CN111341720A (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-26 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种晶圆卸载和压紧装置 |
-
2022
- 2022-04-20 CN CN202210417221.3A patent/CN116960050A/zh active Pending
- 2022-12-19 WO PCT/CN2022/139934 patent/WO2023202120A1/zh unknown
-
2023
- 2023-01-13 TW TW112101640A patent/TWI821104B/zh active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023202120A1 (zh) | 2023-10-26 |
CN116960050A (zh) | 2023-10-27 |
TW202343655A (zh) | 2023-11-01 |
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