TWI820650B

TWI820650B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI820650B
Application number: TW111111428A
Authority: TW
Inventors: 橋本和幸
Original assignee: 群創光電股份有限公司
Priority date: 2021-04-09
Filing date: 2022-03-25
Publication date: 2023-11-01
Also published as: US11723131B2; CN115249466A; TW202241212A; US20220330401A1

Abstract

本公開提供一種顯示裝置。本公開的顯示裝置包括發光單元、電流源、電壓比較器及發光控制單元。電流源被配置成輸出供應電流。電壓比較器被配置成接收電壓資料及斜坡信號。發光控制單元接收發光致能信號，且耦接到發光單元、電流源及電壓比較器。電壓比較器根據電壓資料及斜坡信號向發光控制單元輸出比較信號。發光控制單元根據供應電流、發光致能信號及比較信號向發光單元輸出驅動電流。本公開的顯示裝置可提供良好的顯示效果。

Description

顯示裝置

本公開是有關於一種裝置，且特別是有關於一種顯示裝置。

對於通用顯示裝置（general display device），由於通用顯示裝置的每個像素可同時實行資料設定操作，因此通用顯示裝置存在峰值功耗（on-peak power consumption）的問題，具體來說，是在拍攝相機時出現紅外（Infrared，IR）下降及無光。此外，具有高像素每英寸（pixels per inch，PPI）面板的通用顯示裝置也存在電路面積過大的缺點。

本公開的顯示裝置包括發光單元、電流源、電壓比較器及發光控制單元。電流源被配置成輸出供應電流。電壓比較器被配置成接收電壓資料及斜坡信號。發光控制單元被配置成接收發光致能信號且耦接到發光單元、電流源及電壓比較器。電壓比較器根據電壓資料及斜坡信號向發光控制單元輸出比較信號。發光控制單元根據供應電流及比較信號向發光單元輸出驅動電流。

本公開的顯示裝置包括像素陣列。像素陣列包括多個像素單元。所述多個像素單元被劃分成多個像素群組。所述多個像素群組分別接收多個發光致能信號、多個電壓資料及共用斜坡信號。所述多個像素群組分別根據所述多個發光致能信號、所述多個電壓資料及所述共用斜坡信號而在多個發光週期期間被點亮且在多個資料設定週期期間進行設定。分別與所述多個像素群組對應的所述多個資料設定週期在時間上彼此不重疊。

基於以上內容，根據本公開的顯示裝置，顯示裝置可提供良好的顯示效果。

為使上述內容更易於理解，以下將詳細闡述附圖所隨附的若干實施例。

現將詳細參照本公開的示例性實施例，在附圖中示出所述示例性實施例的實例。只要可能便在附圖及說明中使用相同的參考編號指代相同或相似的元件。

在本公開的說明書及隨附權利要求通篇中，使用某些用語指代特定元件。所屬領域中的技術人員應理解，電子裝置製造商可使用不同的名稱來指代相同的元件。本文並不旨在對功能相同但名稱不同的那些元件進行區分。在以下說明及請求項中，例如“包括（comprise）”及“包含（include）”等詞語是開放式用語且應被解釋為“包括但不限於…”。

在本申請的整個說明書（包括隨附權利要求）通篇中使用的用語“耦接（coupling）（或連接（connection））”可指任何直接或間接的連接方式。舉例來說，如果文本闡述第一裝置耦接（或連接）到第二裝置，則應被解釋為第一裝置可直接連接到第二裝置，或者第一裝置可通過其他裝置或某些連接方式間接連接到第二裝置。在本申請的整個說明書（包括隨附權利要求）通篇中提到的用語“第一（first）”、“第二（second）”及相似用語僅用於對離散的元件進行命名或對不同的實施例或範圍進行區分。因此，所述用語不應被視為限制元件數量的上限或下限且不應用於限制元件的配置次序。另外，只要可能，在圖式及實施例中使用相同參考編號的組件/元件/步驟表示相同或相似的部件。在不同的實施例中，可使用相同的參考編號或使用相同的用語相互指代組件/元件/步驟的相關說明。

本公開的顯示裝置可為有源矩陣發光二極體（active matrix light emitting diode，AM-LED）顯示裝置，但本公開並不限於此。在本公開的一些實施例中，本公開的顯示裝置可例如適用於液晶、發光二極體、量子點（Quantum Dot，QD）、螢光、磷光體、其他合適的顯示介質或前述材料的組合，但本公開並不限於此。發光二極體可包括例如有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）、亞毫米發光二極體（sub-millimeter light emitting diode，迷你LED）、微型發光二極體（micro light emitting diode，微型LED）或量子點發光二極體（QLED或QDLED）或其他合適的材料。所述材料可任意配置及組合，但本公開並不限於此。本公開的顯示裝置可包括外圍系統，例如驅動系統、控制系統、光源系統、隔板系統（shelf system）及類似系統，以支持發光裝置。

應注意，在以下實施例中，在不背離本公開的精神的條件下，可對若干不同實施例的技術特徵進行替換、重新組合及混合以完成其他實施例。只要每一實施例的特徵不違反本公開的精神或彼此衝突，所述特徵便可任意混合並一起使用。

圖1是根據本公開實施例的顯示裝置的示意圖。參照圖1，顯示裝置100包括像素陣列，且像素陣列包括多個像素單元，其中所述多個像素單元中的每一者可包括如圖1中所示的電路架構。在本公開的實施例中，顯示裝置100包括電流源110、電壓比較器120、發光(emitting)控制單元130及發光單元140。電流源110耦接在操作電壓VDD_LEU與發光控制單元130之間。發光控制單元130進一步耦接到電壓比較器120及發光單元140，且接收發光致能(emission enable signal)信號EM。發光單元140耦接在發光控制單元130與電壓VSS_LEU之間。電壓VSS_LEU低於操作電壓VDD_LEU。在本公開的實施例中，電流源110被配置成向發光控制單元130輸出供應電流SI。電壓比較器120被配置成接收電壓資料VD及斜坡信號(ramp signal)SS。電壓比較器120根據電壓資料VD及斜坡信號SS向發光控制單元130輸出比較信號CS，且發光控制單元130根據供應電流SI、發光致能信號EM及比較信號CS向發光單元140輸出驅動電流DI。在本公開的實施例中，發光致能信號EM、電壓資料VD及斜坡信號SS可通過資料線和/或掃描線從分別配置在顯示裝置100的平面外或配置在顯示裝置100的平面內的多個驅動電路提供。

圖2是根據本公開的圖1所示實施例的信號的示意圖。參照圖1及圖2，電壓比較器120可接收電壓資料VD及斜坡信號SS。在時間t1處，斜坡信號SS的電壓開始上升以形成斜坡波形。由於斜坡信號SS的電壓低於電壓資料VD的電壓，因此電壓比較器120輸出具有高電壓準位的比較信號CS。在從時間t1到時間t3的致能週期期間，發光控制單元130接收具有高電壓準位的發光致能信號EM。在時間t2之後，由於斜坡信號SS的電壓高於電壓資料VD的電壓，因此電壓比較器120輸出具有低電壓準位的比較信號CS。因此，在從時間t1到時間t2的發光週期(emission period)EP期間，發光控制單元130輸出驅動電流DI以驅動發光單元140。

在本公開的實施例中，電壓比較器120可進一步接收脈衝寬度調變（pulse-width modulation，PWM）掃描信號，且根據脈衝寬度調變掃描信號對電壓資料VD實行電壓編程。顯示裝置100可通過控制電壓資料VD的電壓準位來確定發光週期EP。如果電壓資料VD的電壓準位較高，則發光週期EP的時間長度較長。如果電壓資料VD的電壓準位較低，則發光週期EP的時間長度較短。驅動電流DI的發光週期EP的時間長度是由電壓資料VD及斜坡信號SS確定。換句話說，像素單元可通過電壓資料VD調光，以確定像素單元的轉向燈週期（turn light period）的時間長度。另外，在本公開的實施例中，斜坡信號SS是斜坡上升信號，但本公開並不限於此。在本公開的一個實施例中，斜坡信號SS可為斜坡下降信號。

圖3是根據本公開另一實施例的顯示裝置的示意圖。參照圖3，顯示裝置300包括像素陣列，且像素陣列包括多個像素單元，其中所述多個像素單元中的每一者可包括如圖3中所示的電路架構。在本公開的實施例中，顯示裝置300包括電流源310、電壓比較器320、發光控制單元330及發光單元340。電流源310耦接在操作電壓VDD_LEU與發光控制單元330之間。發光控制單元330進一步耦接到電壓比較器320及發光單元340，且接收發光致能信號EM。發光單元340耦接在發光控制單元330與電壓VSS_LEU之間。電壓VSS_LEU低於操作電壓VDD_LEU。在本公開的實施例中，電流源330被配置成向發光控制單元330輸出供應電流。電壓比較器320被配置成通過資料線DL接收電壓資料VD，且通過信號線RL接收斜坡信號SS。電壓比較器320根據電壓資料VD及斜坡信號SS向發光控制單元330輸出比較信號，且發光控制單元330根據供應電流、發光致能信號EM及比較信號CS向發光單元340輸出驅動電流。在本公開的實施例中，發光致能信號EM、電壓資料VD及斜坡信號SS可從分別配置在顯示裝置300的平面外或配置在顯示裝置300的平面內的多個驅動電路提供。

在本公開的實施例中，電流源310包括電晶體311、電晶體312及電容器313。電晶體311的第一端子耦接到資料線DL且接收電壓資料VD，且電晶體311的控制端子接收脈衝振幅調變掃描信號SPAM。電晶體312的第一端子接收操作電壓VDD_LEU，電晶體312的控制端子耦接到電晶體311的第二端子，且電晶體312的第二端子耦接到發光控制單元330。電容器313的第一端子耦接到電晶體311的第二端子，且電容器313的第二端子耦接到電晶體312的第一端子。在本公開的實施例中，電晶體311及312是P型電晶體。在本公開的實施例中，電流源310接收用於對電晶體312的控制端子的電壓進行電壓編程的脈衝振幅調變掃描信號SPAM，從而對通過電晶體312的第二端子輸出的供應電流的電流進行調變。

在本公開的實施例中，電壓比較器320包括多個電晶體321、322及325、電容器323、以及反相器電路324。電晶體321的第一端子耦接到資料線DL且接收電壓資料VD，且電晶體321的控制端子接收脈衝寬度調變掃描信號SPWM。電晶體322的第一端子接收斜坡信號SS，電晶體322的控制端子接收發光致能信號EM，且電晶體322的第二端子耦接到電晶體321的第二端子。電容器323的第一端子耦接到電晶體322的第二端子及電晶體321的第二端子。反相器電路324的輸入端子耦接到電容器323的第二端子，且反相器電路324的輸出端子耦接到發光控制單元330。電晶體325的第一端子耦接到反相器電路324的輸入端子，電晶體325的控制端子接收脈衝寬度調變掃描信號SPWM，且電晶體325的第二端子耦接到反相器電路324的輸出端子。在本公開的實施例中，電晶體321、322及325是P型電晶體。電壓比較器320根據脈衝寬度調變掃描信號SPWM對電壓資料VD實行電壓編程，使得電晶體321的第二端子可輸出脈衝寬度調變電壓。

在本公開的實施例中，反相器電路324包括電晶體3241及電晶體3242。電晶體3241的第一端子接收操作電壓VDD，電晶體3241的控制端子耦接到反相器電路324的輸入端子，且電晶體3241的第二端子耦接到反相器電路324的輸出端子。電晶體3242的第一端子接收電壓VSS，電晶體3242的控制端子耦接到反相器電路324的輸入端子，且電晶體3242的第二端子耦接到反相器電路324的輸出端子。電壓VSS低於操作電壓VDD。在本公開的實施例中，電晶體3241是P型電晶體，且電晶體3242是N型電晶體。

在本公開的實施例中，發光控制單元330包括多個電晶體331到335。電晶體331的控制端子耦接到電壓比較器320。電晶體332的第一端子耦接到操作電壓VDD，電晶體332的控制端子接收發光致能信號EM，且電晶體332的第二端子耦接到電晶體331的第一端子。電晶體333的第一端子耦接到電晶體331的第二端子，電晶體333的控制端子耦接到電壓比較器320，且電晶體333的第二端子耦接到電壓VSS。電壓VSS低於操作電壓VDD。電晶體334的第一端子耦接到電晶體331的第二端子，電晶體334的控制端子接收發光致能信號EM，且電晶體334的第二端子耦接到電壓VSS。電晶體335的第一端子耦接到電流源310，電晶體335的控制端子耦接到電晶體331的第二端子，且電晶體335的第二端子耦接到發光單元340。在本公開的實施例中，電晶體321及322是P型電晶體，且電晶體323及324是N型電晶體。

圖4是根據本公開的圖3所示實施例的信號的示意圖。參照圖3及圖4，在從時間t0到時間t1的週期期間，脈衝寬度調變掃描信號SPWM的電壓從高電壓準位改變為低電壓準位，從而接通電晶體321及325。資料線DL傳輸具有脈衝寬度調變資料的電壓資料VD。在從時間t1到時間t2的週期期間，脈衝振幅調變掃描信號SPAM的電壓從高電壓準位改變為低電壓準位，從而接通電晶體311。資料線DL傳輸具有脈衝振幅調變資料的電壓資料VD。在從時間t0到時間t2的資料設定週期期間，發光致能信號EM的電壓從低電壓準位改變為高電壓準位，從而關斷電晶體322及332，且接通電晶體334。在從時間t2到時間t5的發光週期期間，發光致能信號EM的電壓從高電壓準位改變為低電壓準位，從而接通電晶體322及332，且關斷電晶體334。

在第一斜坡信號類型401中，電壓比較器320可接收斜坡信號SS。在從時間t0到時間t2的資料設定週期期間，斜坡信號SS具有高電壓準位，節點電壓N1從相對高的電壓準位改變為閾值電壓（Vth）。在從時間t0到時間t2的資料設定週期期間，由於電晶體334接通，因此節點電壓N2維持處於低電壓準位。在時間t2處，斜坡信號SS（斜坡下降信號）開始下降，且節點電壓N1及N2從閾值電壓（Vth）改變為相對高的電壓準位，使得電晶體335接通以向發光單元340提供驅動電流。在時間t2處，發光單元340被點亮。在從時間t2到時間t5的發光週期期間，斜坡信號SS的電壓下降，且節點電壓N1同步下降。在時間t4之後，由於節點電壓N1低於閾值電壓，因此在電壓反相之後，電晶體331關斷且電晶體333接通。因此，節點電壓N2從高電壓準位改變為低電壓準位，使得電晶體335關斷且發光單元340也關斷。其中，顯示裝置300可對發光單元340實行有效的調光功能。應注意，首先在接通週期（點亮週期）P1期間點亮發光單元340（所有發光單元均被點亮），且然後在關斷週期（調光週期）P2期間關斷發光單元340以實行資料設定（所有發光單元被依序或同時關斷）。

在第二斜坡信號類型402中，電壓比較器320可接收斜坡信號SS’。在從時間t0到時間t2的資料設定週期期間，斜坡信號SS’具有低電壓準位，且節點電壓N1從相對低的電壓準位改變為閾值電壓（Vth）。在從時間t0到時間t2的資料設定週期期間，由於電晶體334接通，因此節點電壓N2維持處於低電壓準位。在時間t2處，斜坡信號SS’（斜坡上升信號）開始上升，且節點電壓N1從閾值電壓（Vth）改變為相對低的電壓準位，使得電晶體335關斷且發光單元340也關斷。在從時間t2到時間t3的週期期間，斜坡信號SS’的電壓上升，且節點電壓N1同步上升。在時間t3之後，由於節點電壓N1高於閾值電壓，因此在電壓反相之後，節點電壓N2從低電壓準位改變為高電壓準位，使得電晶體331接通且電晶體333關斷。因此，電晶體335接通且發光單元340點亮。其中，顯示裝置300可對發光單元340實行有效的調光功能。應注意，首先在關斷週期（調光週期）P2’期間關斷發光單元340以實行資料設定（所有發光單元均被關斷），且然後在接通週期（點亮週期）P1’期間點亮發光單元340（所有發光單元被依序或同時點亮）。

圖5是根據本公開又一實施例的顯示裝置的示意圖。參照圖5，顯示裝置500包括像素陣列，且像素陣列包括多個像素單元，其中所述多個像素單元中的每一者可包括如圖5中所示的電路架構。在本公開的實施例中，顯示裝置500包括電流源510、電壓比較器520、發光控制單元530及發光單元540。電流源510耦接在操作電壓VDD_LEU與發光控制單元530之間。發光控制單元530進一步耦接到電壓比較器520及發光單元540，且接收發光致能信號EM。發光單元540耦接在發光控制單元530與電壓VSS_LEU之間。電壓VSS_LEU低於操作電壓VDD_LEU。在本公開的實施例中，電流源530被配置成向發光控制單元530輸出供應電流。電壓比較器520被配置成通過資料線DL接收電壓資料VD，且通過信號線RL接收斜坡信號SS。電壓比較器520根據電壓資料VD及斜坡信號SS向發光控制單元530輸出比較信號CS，且發光控制單元530根據供應電流、發光致能信號EM及比較信號CS向發光單元540輸出驅動電流。在本公開的實施例中，發光致能信號EM、電壓資料VD及斜坡信號SS可從分別配置在顯示裝置500的平面外或配置在顯示裝置500的平面內的多個驅動電路提供。

在本公開的實施例中，電流源510包括電晶體511、電晶體512及電容器513。電晶體511的第一端子耦接到資料線DL且接收電壓資料VD，且電晶體511的控制端子接收脈衝振幅調變掃描信號SPAM。電晶體512的第一端子接收操作電壓VDD_LEU，電晶體512的控制端子耦接到電晶體511的第二端子，且電晶體512的第二端子耦接到發光控制單元530。電容器513的第一端子耦接到電晶體511的第一端子，且電容器513的第二端子耦接到電晶體512的第二端子。在本公開的實施例中，電晶體511及512是P型電晶體。在本公開的實施例中，電流源510接收用於對電晶體512的控制端子的電壓進行電壓編程的脈衝振幅調變掃描信號SPAM，從而對通過電晶體512的第二端子輸出的供應電流的電流進行調變。

在本公開的實施例中，電壓比較器520包括多個電晶體521、522及525、電容器523、反相器電路524、以及電晶體525。電晶體521的第一端子耦接到資料線DL且接收電壓資料VD，且電晶體521的控制端子接收脈衝寬度調變掃描信號SPWM。電晶體522的第一端子接收斜坡信號SS，電晶體522的控制端子接收發光致能信號EM，且電晶體522的第二端子耦接到電晶體521的第二端子。電容器523的第一端子耦接到電晶體522的第二端子及電晶體521的第二端子。反相器電路524的輸入端子耦接到電容器523的第二端子，且反相器電路524的輸出端子耦接到反相器電路526。電晶體525的第一端子耦接到反相器電路524的輸入端子，電晶體525的控制端子接收脈衝寬度調變掃描信號SPWM，且電晶體525的第二端子耦接到反相器電路524的輸出端子。反相器電路526的輸入端子耦接到反相器電路524的輸出端子，且反相器電路526的輸出端子耦接到發光控制單元530。在本公開的實施例中，電晶體521、522及525是P型電晶體。電壓比較器520根據脈衝寬度調變掃描信號SPWM對電壓資料VD實行電壓編程，使得電晶體521的第二端子可輸出脈衝寬度調變電壓。

在本公開的實施例中，反相器電路524包括電晶體5241及電晶體5242。電晶體5241的第一端子接收操作電壓VDD，電晶體5241的控制端子耦接到反相器電路524的輸入端子，且電晶體5241的第二端子耦接到反相器電路524的輸出端子。電晶體5242的第一端子接收電壓VSS，電晶體5242的控制端子耦接到反相器電路524的輸入端子，且電晶體5242的第二端子耦接到反相器電路524的輸出端子。電壓VSS低於操作電壓VDD。在本公開的實施例中，電晶體5241是P型電晶體，且電晶體5242是N型電晶體。

在本公開的實施例中，反相器電路526包括電晶體5261及電晶體5262。電晶體5261的第一端子接收操作電壓VDD，電晶體5261的控制端子耦接到反相器電路526的輸入端子，且電晶體5261的第二端子耦接到反相器電路526的輸出端子。電晶體5262的第一端子接收電壓VSS，電晶體5262的控制端子耦接到反相器電路526的輸入端子，且電晶體5262的第二端子耦接到反相器電路526的輸出端子。在本公開的實施例中，電晶體5261是P型電晶體，且電晶體5262是N型電晶體。

在本公開的實施例中，發光控制單元530包括多個電晶體531到535。電晶體531的控制端子耦接到電壓比較器520。電晶體532的第一端子耦接到操作電壓VDD，電晶體532的控制端子接收發光致能信號EM，且電晶體532的第二端子耦接到電晶體531的第一端子。電晶體533的第一端子耦接到電晶體531的第二端子，電晶體533的控制端子耦接到電壓比較器520，且電晶體533的第二端子耦接到電壓VSS。電晶體534的第一端子耦接到電晶體531的第二端子，電晶體534的控制端子接收發光致能信號EM，且電晶體534的第二端子耦接到電壓VSS。電晶體535的第一端子耦接到電流源510，電晶體535的控制端子耦接到電晶體531的第二端子，且電晶體535的第二端子耦接到發光單元540。在本公開的實施例中，電晶體521及522是P型電晶體，且電晶體523及524是N型電晶體。

圖6是根據本公開的圖5所示實施例的信號的示意圖。參照圖5及圖6，在從時間t0到時間t1的週期期間，脈衝寬度調變掃描信號SPWM的電壓從高電壓準位改變為低電壓準位，從而接通電晶體521及525。資料線DL傳輸具有脈衝寬度調變資料的電壓資料VD。在從時間t1到時間t2的週期期間，脈衝振幅調變掃描信號SPAM的電壓從高電壓準位改變為低電壓準位，從而接通電晶體511。資料線DL傳輸具有脈衝振幅調變資料的電壓資料VD。在從時間t0到時間t2的資料設定週期期間，發光致能信號EM的電壓從低電壓準位改變為高電壓準位，從而關斷電晶體522及532，且接通電晶體534。在從時間t2到時間t5的發光週期期間，發光致能信號EM的電壓從高電壓準位改變為低電壓準位，從而接通電晶體522及532，且關斷電晶體534。

在第一信號類型601中，電壓比較器520可接收斜坡信號SS’。在從時間t0到時間t2的資料設定週期期間，斜坡信號SS’具有高電壓準位，節點電壓N1從相對低的電壓準位改變為閾值電壓（Vth）。在從時間t0到時間t2的資料設定週期期間，由於電晶體534接通，因此節點電壓N2維持處於低電壓準位。在時間t2處，斜坡信號SS’（斜坡上升信號）開始上升，節點電壓N1從閾值電壓（Vth）改變為相對低的電壓準位，且節點電壓N2從低電壓準位改變為高電壓準位，使得電晶體535接通以向發光單元540提供驅動電流。在時間t2處，發光單元540被點亮。在從時間t2到時間t5的發光週期期間，斜坡信號SS’的電壓上升，且節點電壓N1同步上升。在時間t4之後，由於節點電壓N1高於閾值電壓，因此電晶體531關斷且電晶體533接通。因此，節點電壓N2從高電壓準位改變為低電壓準位，使得電晶體535關斷且發光單元540也關斷。其中，顯示裝置500可對發光單元540實行有效的調光功能。應注意，首先在從時間t2到時間t4的接通週期（點亮週期）P1期間點亮發光單元540（所有發光單元均被點亮），且然後在從時間t4到時間t5的關斷週期（調光週期）P2期間關斷發光單元540以實行資料設定（所有發光單元被依序或同時關斷）。接通週期P1與關斷週期P2的時間長度之和的總時間長度等於發光週期（時間t2到時間t5）。

在第一信號類型602中，電壓比較器520可接收斜坡信號SS。在從時間t0到時間t2的資料設定週期期間，斜坡信號SS具有高電壓準位，節點電壓N1從相對高的電壓準位改變為閾值電壓（Vth）。在從時間t0到時間t2的資料設定週期期間，由於電晶體534接通，因此節點電壓N2維持處於低電壓準位。在時間t2處，斜坡信號SS（斜坡下降信號）開始下降，且節點電壓N1從閾值電壓（Vth）改變為相對高的電壓準位。節點電壓N2維持處於低電壓準位，使得電晶體535關斷且發光單元540也關斷。在從時間t2到時間t3的關斷週期（調光週期）P2’期間，斜坡信號SS的電壓下降，且節點電壓N1同步下降。在時間t3之後，由於節點電壓N1低於閾值電壓，節點電壓N2從低電壓準位改變為高電壓準位，因此在電壓反相之後，電晶體531接通且電晶體533關斷。因此，電晶體535接通且發光單元540點亮。其中，顯示裝置500可對發光單元540實行有效的調光功能。應注意，首先在關斷週期（調光週期）P2’期間關斷發光單元540以實行資料設定（所有發光單元均被關斷），且然後在從時間t3到時間t5的接通週期（點亮週期）P1’期間點亮發光單元350（所有發光單元被依序或同時點亮）。接通週期P1’與關斷週期P2’的時間長度之和的總時間長度等於發光週期（時間t2到時間t5）。

圖7是根據本公開的另一實施例的電流源的示意圖。參照圖7，圖3及圖5所示上述實施例的電流源310及電流源510可由具有閾值電壓補償功能的電流源710代替。在本公開的實施例中，電流源710包括多個電晶體711到713、715及716、以及電容器714。電晶體711的第一端子耦接到資料線且接收電壓資料，且電晶體711的控制端子接收脈衝振幅調變掃描信號SPAM。電晶體712的第一端子接收操作電壓，電晶體712的控制端子接收發光致能信號EM，且電晶體712的第二端子耦接到電晶體711的第二端子。電晶體713的第一端子耦接到電晶體712的第二端子，且電晶體713的第二端子耦接到發光控制單元。電容器714的第一端子耦接到電晶體712的第一端子，且電容器714的第二端子耦接到電晶體713的控制端子。電晶體715的第一端子耦接到電晶體713的第二端子，電晶體715的控制端子接收脈衝振幅調變掃描信號，且電晶體715的第二端子耦接到電晶體713的控制端子。電晶體716的第一端子耦接到電晶體715的第二端子，電晶體716的控制端子接收脈衝寬度調變掃描信號SPWM，且電晶體716的第二端子耦接到重置電壓Vrst。

圖8是根據本公開又一實施例的電流源的示意圖。參照圖8，圖3及圖5所示上述實施例的電流源310及電流源510可由具有閾值電壓補償功能的電流源810代替。在本公開的實施例中，電流源810包括多個電晶體811到813、及816到818、電容器814、以及電容器815。電晶體811的第一端子耦接到資料線且接收電壓資料，且電晶體811的控制端子接收脈衝振幅調變掃描信號SPAM。電晶體812的第一端子耦接到電晶體811的第二端子，電晶體812的控制端子接收發光致能信號EM，且電晶體812的第二端子耦接到參考電壓Vref。電晶體813的第一端子耦接到電晶體811的第二端子，電晶體813的控制端子接收脈衝寬度調變掃描信號SPWM，且電晶體813的第二端子耦接到參考電壓Vref。電容器814的第一端子耦接到電晶體811的第二端子。電容器815的第一端子耦接到電容器814的第二端子，且電容器815的第二端子接收操作電壓。電晶體816的第一端子耦接到電容器815的第二端子及操作電壓，電晶體816的控制端子耦接到電容器815的第一端子。電晶體817的第一端子耦接到電容器815的第一端子，電晶體817的控制端子接收脈衝振幅調變掃描信號SPAM，且電晶體817的第二端子耦接到電晶體816的第二端子。電晶體818的第一端子耦接到電容器815的第一端子，電晶體818的控制端子接收脈衝寬度調變掃描信號SPWM，且電晶體818的第二端子耦接到重置電壓Vrst。

圖9A是根據本公開第一實施例的信號及調光操作的示意圖。參照圖9A，實施例的顯示裝置包括像素陣列。像素陣列包括多個像素單元，且所述多個像素單元分別作為圖4所示上述實施例的第一斜坡信號類型401來操作。可通過參照圖3所示實施例的像素電路來實現實施例的顯示裝置的所述多個像素單元。將所述多個像素單元劃分成用於接收不同的發光致能信號的多個像素群組，且所述多個像素群組接收共用斜坡信號SS。在本公開的實施例中，將所述多個像素單元劃分成兩個像素群組G1及G2。像素群組G1及G2可分別接收發光致能信號EM1及EM2，且接收共用斜坡信號SS。共用斜坡信號SS包括多個子斜坡下降信號。在從時間t0到時間t1的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM1（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM2（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G1可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G2可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮）。同時點亮像素群組G2的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G2的所有發光單元。在從時間t1到時間t2的週期期間，對應於具有低電壓準位的發光致能信號EM1（對應於上述實施例中闡述的致能週期）及具有高電壓準位的發光致能信號EM2（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期），像素群組G1可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），且像素群組G2可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷）。同時點亮像素群組G1的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G1的所有發光單元。

應注意，分別與共用斜坡信號SS的子斜坡下降信號對應的所述多個斜坡週期分別和發光致能信號EM1及EM2的資料設定週期及發光週期重疊。實施例的顯示裝置的一個垂直掃描週期VSP包括一個資料設定週期及一個發光週期。像素群組G1及G2是在不同的發光週期期間被點亮，而且是分別根據發光致能信號EM1及EM2在不同的資料設定週期期間進行設定。分別與像素群組G1及G2對應的不同的資料設定週期在時間上彼此不重疊。此外，與發光致能信號EM1及EM2中的一者對應的資料設定週期和與發光致能信號EM1及EM2中的另一者對應的發光週期重疊。因此，實施例的顯示裝置可有效地降低峰值功耗，具體來說，如果所有像素單元均在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），則可避免IR下降及無光的發生。

圖9B是根據本公開第二實施例的信號及調光操作的示意圖。參照圖9B，實施例的顯示裝置包括像素陣列。像素陣列包括多個像素單元，且所述多個像素單元分別作為圖6所示上述實施例的第二斜坡信號類型602來操作。可通過參照圖5所示實施例的像素電路來實現實施例的顯示裝置的所述多個像素單元。將所述多個像素單元劃分成用於接收不同的發光致能信號的多個像素群組，且所述多個像素群組接收共用斜坡信號SS。在本公開的實施例中，類似於圖9A所示上述實施例，將所述多個像素單元劃分成兩個像素群組G1及G2。像素群組G1及G2可分別接收發光致能信號EM1及EM2，且接收共用斜坡信號SS。共用斜坡信號SS包括多個子斜坡下降信號。

與圖9A所示上述實施例不同，在從時間t0到時間t1的週期期間，首先關斷像素群組G2的所有發光單元，且然後在不同或相同的資料設定週期之後，依序或同時點亮像素群組G2的所有發光單元。在從時間t1到時間t2的週期期間，首先關斷像素群組G1的所有發光單元，且然後在不同或相同的資料設定週期之後，依序或同時點亮像素群組G1的所有發光單元。因此，實施例的顯示裝置可有效地降低峰值功耗，具體來說，如果所有像素單元均在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），則可避免IR下降及無光的發生。

圖9C是根據本公開第三實施例的信號及調光操作的示意圖。參照圖9C，實施例的顯示裝置包括像素陣列。像素陣列包括多個像素單元，且所述多個像素單元分別作為圖4所示上述實施例的第二斜坡信號類型402來操作。可通過參照圖3所示實施例的像素電路來實現實施例的顯示裝置的所述多個像素單元。將所述多個像素單元劃分成用於接收不同的發光致能信號的多個像素群組，且所述多個像素群組接收共用斜坡信號SS’。在本公開的實施例中，類似於圖9B所示上述實施例，將所述多個像素單元劃分成兩個像素群組G1及G2。像素群組G1及G2可分別接收發光致能信號EM1及EM2。與圖9B所示上述實施例不同，像素群組G1及G2可分別接收共用斜坡信號SS’。共用斜坡信號SS’包括多個子斜坡上升信號。

在從時間t0到時間t1的週期期間，首先關斷像素群組G2的所有發光單元，且然後在不同或相同的資料設定週期之後，依序或同時點亮像素群組G2的所有發光單元。在從時間t1到時間t2的週期期間，首先關斷像素群組G1的所有發光單元，且然後在不同或相同的資料設定週期之後，依序或同時點亮像素群組G1的所有發光單元。

類似於圖9B所示上述實施例，在從時間t0到時間t1的週期期間，首先關斷像素群組G2的所有發光單元，且然後在不同或相同的資料設定週期之後，依序或同時點亮像素群組G2的所有發光單元。在從時間t1到時間t2的週期期間，同時點亮像素群組G1的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G1的所有發光單元。因此，實施例的顯示裝置可有效地降低峰值功耗，具體來說，如果所有像素單元均在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），則可避免IR下降及無光的發生。

圖9D是根據本公開第四實施例的信號及調光操作的示意圖。參照圖9D，實施例的顯示裝置包括像素陣列。像素陣列包括多個像素單元，且所述多個像素單元分別作為圖6所示上述實施例的第一斜坡信號類型601來操作。可通過參照圖5所示實施例的像素電路來實現實施例的顯示裝置的所述多個像素單元。將所述多個像素單元劃分成用於接收不同的發光致能信號的多個像素群組，且所述多個像素群組接收共用斜坡信號SS’。在本公開的實施例中，類似於圖9A所示上述實施例，將所述多個像素單元劃分成兩個像素群組G1及G2。像素群組G1及G2可分別接收發光致能信號EM1及EM2。與圖9A所示上述實施例不同，像素群組G1及G2可分別接收共用斜坡信號SS’。共用斜坡信號SS’包括多個子斜坡上升信號。

類似於圖9A所示上述實施例，在從時間t0到時間t1的週期期間，同時點亮像素群組G2的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G2的所有發光單元。在從時間t1到時間t2的週期期間，同時點亮像素群組G1的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G1的所有發光單元。因此，實施例的顯示裝置可有效地降低峰值功耗，具體來說，如果所有像素單元均在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），則可避免IR下降及無光的發生。

圖10A是根據本公開第四實施例的信號及調光操作的示意圖。參照圖10A，實施例的顯示裝置包括像素陣列。像素陣列包括多個像素單元，且所述多個像素單元分別作為圖6所示上述實施例的第一斜坡信號類型601來操作。可通過參照圖5所示實施例的像素電路來實現實施例的顯示裝置的所述多個像素單元。將所述多個像素單元劃分成用於接收不同的發光致能信號的多個像素群組，且所述多個像素群組接收共用斜坡信號SS’。在本公開的實施例中，將所述多個像素單元劃分成四個像素群組G1到G4。像素群組G1到G4可分別接收發光致能信號EM1到EM4，且接收共用斜坡信號SS’。共用斜坡信號SS’包括多個子斜坡上升信號。在從時間t0到時間t1的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM1（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM2到EM4（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G1可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G2到G4可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮）。同時點亮像素群組G2到G4的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G2到G4的所有發光單元。在從時間t1到時間t2的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM2（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM1、EM3及EM4（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G2可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G1、G3及G4可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮）。同時點亮像素群組G2的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G2的所有發光單元。在從時間t2到時間t3的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM3（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM1、EM2及EM4（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G3可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G1、G2及G4可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮）。同時點亮像素群組G3的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G3的所有發光單元。在從時間t3到時間t4的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM4（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM1到EM3（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G4可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G1到G3可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮）。同時點亮像素群組G4的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G4的所有發光單元。

應注意，分別與共用斜坡信號SS’的子斜坡上升信號對應的所述多個斜坡週期分別和發光致能信號EM1到EM4的資料設定週期及發光週期重疊。實施例的顯示裝置的一個垂直掃描週期VSP包括一個資料設定週期及三個發光週期。像素群組G1到G4是在不同的發光週期期間被點亮，而且是分別根據發光致能信號EM1到EM4在不同的資料設定週期期間進行設定。分別與像素群組G1到G4對應的不同的資料設定週期在時間上彼此不重疊。此外，與發光致能信號EM1到EM4中的一者對應的資料設定週期和與發光致能信號EM1及EM2中的另三者對應的發光週期重疊。因此，實施例的顯示裝置可有效地降低峰值功耗，具體來說，如果所有像素單元均在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），則可避免IR下降及無光的發生。

圖10B是根據本公開第五實施例的信號及調光操作的示意圖。參照圖10B，在本公開的實施例中，將所述多個像素單元劃分成四個像素群組G1到G4。像素群組G1到G4可分別接收發光致能信號EM1到EM4，且接收共用斜坡信號SS’。共用斜坡信號SS’包括多個子斜坡上升信號。與圖10A所示實施例不同，在從時間t0到時間t1的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM1到EM3（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM4（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G1可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G4可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），其中像素群組G2及G3不接收例如如上述實施例中闡述的脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號。像素群組G2及G3可在閒置模式下進行操作（無操作狀態）。換句話說，即使像素群組G2及G3接收具有高電壓準位的發光致能信號EM2及EM3，如果沒有脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號，則像素群組G2及G3在閒置模式下進行操作。同時點亮像素群組G4的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G4的所有發光單元。在從時間t1到時間t2的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM2到EM4（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM1（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G2可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G1可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），其中像素群組G3及G4例如不接收如上述實施例中闡述的脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號。像素群組G3及G4可在閒置模式下進行操作（無操作狀態）。換句話說，即使像素群組G3及G4接收具有高電壓準位的發光致能信號EM3及EM4，如果沒有脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號，則像素群組G3及G4在閒置模式下進行操作。同時點亮像素群組G1的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G1的所有發光單元。在從時間t2到時間t3的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM1、EM3及EM4（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM2（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G3可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G2可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），其中像素群組G1及G4不接收例如如上述實施例中闡述的脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號。像素群組G1及G4可在閒置模式下進行操作（無操作狀態）。換句話說，即使像素群組G1及G4接收具有高電壓準位的發光致能信號EM1及EM4，如果沒有脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號，則像素群組G1及G4在閒置模式下進行操作。同時點亮像素群組G2的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G2的所有發光單元。在從時間t3到時間t4的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM1、EM2及EM4（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM3（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G4可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G3可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），其中像素群組G1及G2不接收例如如上述實施例中闡述的脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號。像素群組G1及G2可在閒置模式下進行操作（無操作狀態）。換句話說，即使像素群組G1及G2接收具有高電壓準位的發光致能信號EM1及EM2，如果沒有脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號，則像素群組G1及G2在閒置模式下進行操作。同時點亮像素群組G3的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G3的所有發光單元。因此，實施例的顯示裝置可通過控制發光致能信號EM1到EM4來實現時間及空間上的1/4占空比（duty ratio），從而更有效地降低峰值功耗，具體來說，如果所有像素單元均在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），則可避免IR下降及無光的發生。

圖10C是根據本公開第六實施例的信號及調光操作的示意圖。參照圖10C，在本公開的實施例中，將所述多個像素單元劃分成四個像素群組G1到G4。像素群組G1到G4可分別接收發光致能信號EM1到EM4，且接收共用斜坡信號SS’。共用斜坡信號SS’包括多個子斜坡上升信號。與圖10A所示實施例不同，在從時間t0到時間t1的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM1及EM3（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM2及EM4（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G1可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G2及G4可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），其中像素群組G3不接收例如如上述實施例中闡述的脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號。像素群組G3可在閒置模式下進行操作（無操作狀態）。換句話說，即使像素群組G3接收具有高電壓準位的發光致能信號EM3，如果沒有脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號，則像素群組G3在閒置模式下進行操作。同時點亮像素群組G2及G4的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G2及G4的所有發光單元。在從時間t1到時間t2的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM2及EM4（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM1及EM3（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G2可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G1及G3可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），其中像素群組G4不接收例如如上述實施例中闡述的脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號。像素群組G4可在閒置模式下進行操作（無操作狀態）。換句話說，即使像素群組G4接收具有高電壓準位的發光致能信號EM4，如果沒有脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號，則像素群組G4在閒置模式下進行操作。同時點亮像素群組G1及G3的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G1及G3的所有發光單元。在從時間t2到時間t3的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM1及EM3（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM2及EM4（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G3可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G2及G4可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），其中像素群組G1不接收例如如上述實施例中闡述的脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號。像素群組G1可在閒置模式下進行操作（無操作狀態）。換句話說，即使像素群組G1接收具有高電壓準位的發光致能信號EM1，如果沒有脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號，則像素群組G1在閒置模式下進行操作。同時點亮像素群組G2及G4的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G2及G4的所有發光單元。在從時間t3到時間t4的週期期間，對應於具有高電壓準位的發光致能信號EM2及EM4（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期）及具有低電壓準位的發光致能信號EM1及EM3（對應於上述實施例中闡述的致能週期），像素群組G4可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），且像素群組G1及G3可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），其中像素群組G2不接收例如如上述實施例中闡述的脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號。像素群組G2可在閒置模式下進行操作（無操作狀態）。換句話說，即使像素群組G2接收具有高電壓準位的發光致能信號EM3，如果沒有脈衝振幅調變掃描信號和/或脈衝寬度調變掃描信號，則像素群組G2在閒置模式下進行操作。同時點亮像素群組G1及G3的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷像素群組G1及G3的所有發光單元。因此，實施例的顯示裝置可通過控制發光致能信號EM1到EM4來實現時間及空間上的1/2占空比，從而更有效地降低峰值功耗，具體來說，如果所有像素單元均在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），則可避免IR下降及無光的發生。

圖11是根據本公開第七實施例的信號及調光操作的示意圖。參照圖11，實施例的顯示裝置包括像素陣列。像素陣列包括多個像素單元，且所述多個像素單元分別作為圖6所示上述實施例的第一斜坡信號類型601來操作。可通過參照圖5所示實施例的像素電路來實現實施例的顯示裝置的所述多個像素單元。將所述多個像素單元劃分成用於接收不同的發光致能信號的多個像素群組，且所述多個像素群組接收共用斜坡信號SS’。在本公開的實施例中，將所述多個像素單元劃分成四個像素群組。應注意，像素單元的所述四個像素群組分別對應於像素陣列的不同的行，且像素陣列的與像素單元的不同的像素群組對應的不同的行交替且依序配置。如圖11中所示，第一像素群組包括像素陣列的行(4(n-1)+1)、像素陣列的行(4n+1)、像素陣列的行(4(n+1)+1)、像素陣列的行(4(n+2)+1)等，其中n可等於2或大於2。第二像素群組包括像素陣列的行(4(n-1)+2)、像素陣列的行(4n+2)、像素陣列的行(4(n+1)+2)等。第三像素群組包括像素陣列的行(4(n-1)+3)、像素陣列的行(4n+3)、像素陣列的行(4(n+1)+3)等。第四像素群組包括像素陣列的行(4(n-2)+4)、像素陣列的行(4(n-1)+4)、像素陣列的行(4n+4)、像素陣列的行(4(n+1)+4)等。

所述四個像素群組可分別接收發光致能信號EM1到EM4，且接收共用斜坡信號SS’。共用斜坡信號SS’包括多個子斜坡上升信號。在從時間t1到時間t2的週期期間，對應於具有低電壓準位的發光致能信號EM4（對應於上述實施例中闡述的致能週期）及具有高電壓準位的發光致能信號EM1到EM3（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期），第四像素群組可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），且第一像素群組可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），其中第二像素群組及第三像素群組可在閒置模式下進行操作。同時點亮第四像素群組的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷第四像素群組的所有發光單元。在從時間t2到時間t3的週期期間，對應於具有低電壓準位的發光致能信號EM1（對應於上述實施例中闡述的致能週期）及具有高電壓準位的發光致能信號EM2到EM4（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期），第一像素群組可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），且第二像素群組可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），其中第三像素群組及第四像素群組可在閒置模式下進行操作。同時點亮第一像素群組的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷第一像素群組的所有發光單元。在從時間t3到時間t4的週期期間，對應於具有低電壓準位的發光致能信號EM2（對應於上述實施例中闡述的致能週期）及具有高電壓準位的發光致能信號EM1、EM3及EM4（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期），第二像素群組可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），且第三像素群組可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），其中第一像素群組及第四像素群組可在閒置模式下進行操作。同時點亮第二像素群組的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷第二像素群組的所有發光單元。在從時間t4到時間t5的週期期間，對應於具有低電壓準位的發光致能信號EM3（對應於上述實施例中闡述的致能週期）及具有高電壓準位的發光致能信號EM1、EM2及EM4（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期），第三像素群組可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），且第四像素群組可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），其中第一像素群組及第二像素群組可在閒置模式下進行操作。同時點亮第三像素群組的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷第三像素群組的所有發光單元。在顯示裝置的一個垂直掃描週期VSP期間，像素陣列的每一行在一個發光週期期間實行一個發光操作，且在一個資料設定週期期間實行一個資料設定操作。因此，實施例的顯示裝置可通過基於本實施例的交錯發光方式控制發光致能信號EM1到EM4來實現時間及空間上的1/4占空比，從而更有效地降低峰值功耗，具體來說，如果所有像素單元均在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），則可避免IR下降及無光的發生。

圖12是根據本公開第八實施例的信號及調光操作的示意圖。參照圖12，實施例的顯示裝置包括像素陣列。像素陣列包括多個像素單元，且所述多個像素單元分別作為圖6所示上述實施例的第一斜坡信號類型601來操作。可通過參照圖5所示實施例的像素電路來實現實施例的顯示裝置的所述多個像素單元。將所述多個像素單元劃分成用於接收不同的發光致能信號的多個像素群組，且所述多個像素群組接收共用斜坡信號SS’。在本公開的實施例中，將所述多個像素單元劃分成四個像素群組。應注意，像素單元的所述四個像素群組分別對應於像素陣列的不同的行，且像素陣列的與像素單元的不同的像素群組對應的所述不同的行交替但非依序配置。

在本公開的實施例中，所述四個像素群組可分別接收發光致能信號EM1到EM4，且接收共用斜坡信號SS’。共用斜坡信號SS’包括多個子斜坡上升信號。與圖11所示實施例不同，在從時間t1到時間t2的週期期間，對應於具有低電壓準位的發光致能信號EM4（對應於上述實施例中闡述的致能週期）及具有高電壓準位的發光致能信號EM1到EM3（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期），第四像素群組可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），且第一像素群組可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），其中第二像素群組及第三像素群組可在閒置模式下進行操作。同時點亮第四像素群組的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷第四像素群組的所有發光單元。在從時間t2到時間t3的週期期間，對應於具有低電壓準位的發光致能信號EM1（對應於上述實施例中闡述的致能週期）及具有高電壓準位的發光致能信號EM2到EM4（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期），第一像素群組可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），且第三像素群組可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），其中第二像素群組及第四像素群組可在閒置模式下進行操作。同時點亮第一像素群組的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷第一像素群組的所有發光單元。在從時間t3到時間t4的週期期間，對應於具有低電壓準位的發光致能信號EM3（對應於上述實施例中闡述的致能週期）及具有高電壓準位的發光致能信號EM1、EM2及EM4（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期），第三像素群組可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），且第二像素群組可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），其中第一像素群組及第四像素群組可在閒置模式下進行操作。同時點亮第三像素群組的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷第三像素群組的所有發光單元。在從時間t4到時間t5的週期期間，對應於具有低電壓準位的發光致能信號EM2（對應於上述實施例中闡述的致能週期）及具有高電壓準位的發光致能信號EM1、EM3及EM4（對應於上述實施例中闡述的資料設定週期），第二像素群組可在調光模式下進行操作（發光單元被依序或同時點亮），且第四像素群組可在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），其中第一像素群組及第三像素群組可在閒置模式下進行操作。同時點亮第二像素群組的所有發光單元，且然後在不同或相同的發光週期之後依序或同時關斷第二像素群組的所有發光單元。在顯示裝置的一個垂直掃描週期VSP期間，像素陣列的每一行在一個發光週期期間實行一個發光操作，且在一個資料設定週期期間實行一個資料設定操作。因此，實施例的顯示裝置可通過基於本實施例的跳躍發光方式控制發光致能信號EM1到EM4來實現時間及空間上的1/4占空比，從而更有效地降低峰值功耗，具體來說，如果所有像素單元均在資料設定模式下進行操作（發光單元被關斷），則可避免IR下降及無光的發生。

圖13是根據本公開又一實施例的顯示裝置的示意圖。參照圖13，顯示裝置1300包括像素陣列，且像素陣列包括多個像素單元，其中所述多個像素單元中的每一者可包括如圖13中所示的電路架構。在本公開的實施例中，顯示裝置1300包括電流源1310、電壓比較器1320、發光控制單元1331、發光控制單元1332、發光單元1341及發光單元1342。電流源1310耦接到像素陣列且被配置成向像素陣列中的發光單元1341及發光單元1342輸出供應電流SI。類似於上述實施例，電流源1310可接收用於電壓編程的脈衝振幅調變掃描信號。

電流源1310耦接在操作電壓VDD_LEU與發光控制單元1331之間，且耦接在操作電壓VDD_LEU與發光控制單元1332之間。發光控制單元1331進一步耦接到電壓比較器1320及發光單元1341，且接收發光致能信號EM1。發光控制單元1332進一步耦接到電壓比較器1320及發光單元1342，且接收發光致能信號EM2。發光單元1341耦接在發光控制單元1331與電壓VSS_LEU之間。電壓VSS_LEU低於操作電壓VDD_LEU。發光單元1342耦接在發光控制單元1332與電壓VSS_LEU之間。換句話說，可將所述多個像素單元劃分成多個像素群組，且將像素群組耦接到共用電流源1310及共用電壓比較器1320。

在本公開的實施例中，電流源1310被配置成向發光控制單元1331及發光控制單元1332輸出供應電流SI。電壓比較器1320被配置成接收電壓資料VD及斜坡信號SS。電壓比較器1320根據電壓資料VD及斜坡信號SS向發光控制單元1331及發光控制單元1332輸出比較信號CS。發光控制單元1331可根據供應電流SI、發光致能信號EM1及比較信號CS向發光單元1341輸出驅動電流DI1。發光控制單元1332可根據供應電流S1、發光致能信號EM2及比較信號CS向發光單元1342輸出驅動電流DI2。在本公開的實施例中，發光致能信號EM1、發光致能信號EM2、電壓資料VD及斜坡信號SS可通過資料線和/或掃描線從分別配置在顯示裝置1300的平面外或配置在顯示裝置1300的平面內的多個驅動電路提供。

應注意，例如，圖11及圖12所示實施例中的像素陣列中的奇數行中的每一行可由發光控制單元1331及發光單元1341實現，且圖11及圖12所示實施例中的像素陣列中的偶數行中的與對應的一個奇數行相鄰的每一行可由發光控制單元1332及發光單元1342實現。換句話說，由於奇數行中的每一行的發光單元及偶數行中的與對應的一個奇數行相鄰的每一行的發光單元共享電流源1310及電壓比較器1320，因此圖11及圖12所示實施例的顯示裝置能夠通過使用偶數行及奇數行上的像素對所述電路進行分時（time-sharing）來減小電路面積。

總之，本公開的一個實施例的顯示裝置能夠通過針對用於顯示裝置的像素陣列的不同的像素群組上的資料設定操作及調光操作進行分時來降低峰值功耗，具體來說，如果所有像素單元均在資料設定操作模式下進行操作，則可避免IR下降及無光的發生。此外，本公開的另一實施例的顯示裝置可通過使用偶數行及奇數行上的像素對所述電路進行分時來減小電路面積。

對於所屬領域中的技術人員來說顯而易見的是，在不背離本公開的範圍或精神的條件下，可對所公開的實施例進行各種修改及變化。鑒於以上內容，本公開旨在涵蓋落入以上權利要求及其等同內容的範圍內的修改及變化。

100、300、500、1300:顯示裝置 110、310、510、710、810、1310:電流源 120、320、520、1320:電壓比較器 130、330、530、1331、1332:發光控制單元 140、340、540、1341、1342:發光單元 311、312、321、322、3241、3242、325、331、332、333、334、335、511、512、521、522、5241、5242、525、5261、5262、531、532、533、534、711、712、713、715、716、811、812、813、816、817、818:電晶體 313、323、513、523、714、814、815:電容器 324、524、526:反相器電路 401、601:第一斜坡信號類型 402、602:第二斜坡信號類型 CS:比較信號 DI、DI1、DI2:驅動電流 DL:資料線 RL:信號線 EM、EM1、EM2、EM3、EM4:發光致能信號 P1、P1’:接通週期 P2、P2’:關斷週期 SPAM:脈衝振幅調變掃描信號 SPWM:脈衝寬度調變掃描信號 SI:供應電流 SS、SS’:斜坡信號 VD:電壓資料 VDD_LEU、VSS_LEU、VDD、VSS:電壓 t1~t5:時間 N1、N2:節點電壓 Vrst:重置電壓 Vref:參考電壓 VSP:垂直掃描週期 G1、G2、G3、G4:像素群組

圖1是根據本公開實施例的顯示裝置的示意圖。圖2是根據本公開的圖1所示實施例的信號的示意圖。圖3是根據本公開另一實施例的顯示裝置的示意圖。圖4是根據本公開的圖3所示實施例的信號的示意圖。圖5是根據本公開又一實施例的顯示裝置的示意圖。圖6是根據本公開的圖5所示實施例的信號的示意圖。圖7是根據本公開另一實施例的電流源的示意圖。圖8是根據本公開又一實施例的電流源的示意圖。圖9A是根據本公開第一實施例的信號及調光操作（dimming operation）的示意圖。圖9B是根據本公開第二實施例的信號及調光操作的示意圖。圖9C是根據本公開第三實施例的信號及調光操作的示意圖。圖9D是根據本公開第四實施例的信號及調光操作的示意圖。圖10A是根據本公開第四實施例的信號及調光操作的示意圖。圖10B是根據本公開第五實施例的信號及調光操作的示意圖。圖10C是根據本公開第六實施例的信號及調光操作的示意圖。圖11是根據本公開第七實施例的信號及調光操作的示意圖。圖12是根據本公開第八實施例的信號及調光操作的示意圖。圖13是根據本公開又一實施例的顯示裝置的示意圖。

100:顯示裝置

110:電流源

120:電壓比較器

130:發光控制單元

140:發光單元

CS:比較信號

DI:驅動電流

EM:發光致能信號

SI:供應電流

SS:斜坡信號

VD:電壓資料

VDD_LEU、VSS_LEU:供應電流

Claims

一種顯示裝置，包括：一發光單元；一電流源，被配置成輸出一供應電流；一電壓比較器，被配置成接收一電壓資料及一斜坡信號；以及一發光控制單元，被配置成接收一發光致能信號，且耦接到所述發光單元、所述電流源及所述電壓比較器；其中所述電壓比較器根據所述電壓資料及所述斜坡信號向所述發光控制單元輸出一比較信號，且所述發光控制單元根據所述供應電流、所述發光致能信號及所述比較信號向所述發光單元輸出一驅動電流，其中所述電壓比較器還被配置成接收一脈衝寬度調變掃描信號，所述電壓比較器根據所述脈衝寬度調變掃描信號對所述電壓資料實行電壓編程。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述驅動電流的一發光週期的一時間長度是由所述電壓資料及所述斜坡信號確定。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述電壓比較器包括：一第一電晶體，其中所述第一電晶體的一第一端子耦接到一資料線且接收所述電壓資料，且所述第一電晶體的一控制端子接收一脈衝寬度調變掃描信號；一第二電晶體，其中所述第二電晶體的一第一端子接收所述斜坡信號，所述第二電晶體的一控制端子接收所述發光致能信號，且所述第二電晶體的一第二端子耦接到所述第一電晶體的一第二端子；一第一電容器，其中所述第一電容器的一第一端子耦接到所述第二電晶體的所述第二端子及所述第一電晶體的所述第二端子；一第一反相器電路，其中所述第一反相器電路的一輸入端子耦接到所述第一電容器的一第二端子，且所述第一反相器電路的一輸出端子耦接到所述發光控制單元；以及一第三電晶體，其中所述第三電晶體的一第一端子耦接到所述第一反相器電路的所述輸入端子，所述第三電晶體的一控制端子接收所述電壓資料，且所述第三電晶體的一第二端子耦接到所述第一反相器電路的所述輸出端子。
如請求項3所述的顯示裝置，其中所述第一反相器電路包括：一第四電晶體，其中所述第四電晶體的一第一端子接收一操作電壓，所述第四電晶體的控制端子耦接到所述第一反相器電路的所述輸入端子，且所述第四電晶體的一第二端子耦接到所述第一反相器電路的所述輸出端子；以及一第五電晶體，其中所述第五電晶體的一第一端子接收一電壓，所述第五電晶體的一控制端子耦接到所述第一反相器電路的所述輸入端子，且所述第五電晶體的一第二端子耦接到所述第一反相器電路的所述輸出端子。
如請求項3所述的顯示裝置，其中所述電壓比較器還包括：一第二反相器電路，其中所述第二反相器電路的一輸入端子耦接到所述第一反相器電路的所述輸出端子，且所述第二反相器電路的一輸出端子耦接到所述發光控制單元。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述發光控制單元包括：一第六電晶體，其中所述第六電晶體的一控制端子耦接到所述電壓比較器；一第七電晶體，其中所述第七電晶體的一第一端子耦接到一操作電壓，所述第七電晶體的控制端子接收所述發光致能信號，且所述第七電晶體的第二端子耦接到所述第六電晶體的一第一端子；一第八電晶體，其中所述第八電晶體的第一端子耦接到所述第六電晶體的一第二端子，所述第八電晶體的一控制端子耦接到所述電壓比較器，且所述第八電晶體的一第二端子耦接到一電壓；一第九電晶體，其中所述第九電晶體的一第一端子耦接到所述第六電晶體的所述第二端子，所述第九電晶體的一控制端子接收所述發光致能信號，且所述第九電晶體的一第二端子耦接到所述電壓；以及第十電晶體，其中所述第十電晶體的一第一端子耦接到所述電流源，所述第十電晶體的一控制端子耦接到所述第六電晶體的所述第二端子，且所述第十電晶體的一第二端子耦接到所述發光單元。
一種顯示裝置，包括：一發光單元；一電流源，被配置成輸出一供應電流；一電壓比較器，被配置成接收一電壓資料及一斜坡信號；以及一發光控制單元，被配置成接收一發光致能信號，且耦接到所述發光單元、所述電流源及所述電壓比較器；其中所述電壓比較器根據所述電壓資料及所述斜坡信號向所述發光控制單元輸出一比較信號，且所述發光控制單元根據所述供應電流、所述發光致能信號及所述比較信號向所述發光單元輸出一驅動電流，其中所述電流源還接收用於電壓編程的一脈衝振幅調變掃描信號。
如請求項7所述的顯示裝置，其中所述電流源包括：一第十一電晶體，其中所述第十一電晶體的一第一端子耦接到一資料線且接收所述電壓資料，所述第十一電晶體的一控制端子接收所述脈衝振幅調變掃描信號；一第十二電晶體，其中所述第十二電晶體的一第一端子接收一操作電壓，所述第十二電晶體的控制端子耦接到所述第十一電晶體的一第二端子，且所述第十二電晶體的一第二端子耦接到所述發光控制單元；以及一第二電容器，其中所述第二電容器的一第一端子耦接到所述第十一電晶體的所述第二端子，且所述第二電容器的一第二端子耦接到所述第十二電晶體的所述第二端子。
如請求項7所述的顯示裝置，其中所述電流源包括：一第十三電晶體，其中所述第十三電晶體的一第一端子耦接到一資料線且接收所述電壓資料，且所述第十三電晶體的一控制端子接收所述脈衝振幅調變掃描信號；一第十四電晶體，其中所述第十四電晶體的一第一端子接收一操作電壓，所述第十四電晶體的一控制端子接收所述發光致能信號，且所述第十四電晶體的一第二端子耦接到所述第十三電晶體的一第二端子；一第十五電晶體，其中所述第十五電晶體的一第一端子耦接到所述第十四電晶體的所述第二端子，且所述第十五電晶體的一第二端子耦接到所述發光控制單元；一第三電容器，其中所述第三電容器的一第一端子耦接到所述第十四電晶體的所述第一端子，且所述第三電容器的一第二端子耦接到所述第十五電晶體的一控制端子；一第十六電晶體，其中所述第十六電晶體的一第一端子耦接到所述第十五電晶體的所述第二端子，所述第十六電晶體的一控制端子接收所述脈衝振幅調變掃描信號，且所述第十六電晶體的一第二端子耦接到所述第十五電晶體的所述控制端子；以及一第十七電晶體，其中所述第十七電晶體的一第一端子耦接到所述第十六電晶體的所述第二端子，所述第十七電晶體的一控制端子接收一脈衝寬度調變掃描信號，且所述第十七電晶體的一第二端子耦接到一重置電壓。
如請求項7所述的顯示裝置，其中所述電流源包括：一第十八電晶體，其中所述第十八電晶體的一第一端子耦接到一資料線且接收所述電壓資料，且所述第十八電晶體的一控制端子接收所述脈衝振幅調變掃描信號；一第十九電晶體，其中所述第十九電晶體的一第一端子耦接到所述第十八電晶體的一第二端子，所述第十九電晶體的一控制端子接收所述發光致能信號，且所述第十九電晶體的一第二端子耦接到一參考電壓；一第二十電晶體，其中所述第二十電晶體的一第一端子耦接到所述第十八電晶體的所述第二端子，所述第二十電晶體的一控制端子接收一脈衝寬度調變掃描信號，且所述第二十電晶體的一第二端子耦接到所述參考電壓；一第四電容器，其中所述第四電容器的一第一端子耦接到所述第十八電晶體的所述第二端子；一第五電容器，其中所述第五電容器的一第一端子耦接到所述第四電容器的一第二端子，且所述第五電容器的一第二端子接收一操作電壓；一第二十一電晶體，其中所述第二十一電晶體的一第一端子耦接到所述第五電容器的所述第二端子及所述操作電壓，所述第二十一電晶體的一控制端子耦接到所述第五電容器的所述第一端子；一第二十二電晶體，其中所述第二十二電晶體的一第一端子耦接到所述第五電容器的所述第一端子，所述第二十二電晶體的一控制端子接收所述脈衝振幅調變掃描信號，且所述第二十二電晶體的第二端子耦接到所述第二十一電晶體的一第二端子；以及一第二十三電晶體，其中所述第二十三電晶體的一第一端子耦接到所述第五電容器的所述第一端子，所述第二十三電晶體的一控制端子接收所述脈衝寬度調變掃描信號，且所述第二十三電晶體的一第二端子耦接到一重置電壓。
如請求項7所述的顯示裝置，其中所述斜坡信號是一斜坡上升信號或一斜坡下降信號。
一種顯示裝置，包括：一像素陣列，包括多個像素單元，其中所述多個像素單元被劃分成多個像素群組，且所述多個像素群組耦接到一共用電壓比較器，其中所述共用電壓比較器被配置成接收一脈衝寬度調變掃描信號，並根據所述脈衝寬度調變掃描信號對一電壓資料實行電壓編程，其中所述多個像素群組分別接收多個發光致能信號、多個電壓資料及一共用斜坡信號，且所述多個像素群組分別根據所述多個發光致能信號、所述多個電壓資料及所述共用斜坡信號而在多個發光週期期間被點亮且在多個資料設定週期期間進行設定，其中分別與所述多個像素群組對應的所述多個資料設定週期在時間上彼此不重疊。
如請求項12所述的顯示裝置，其中所述多個資料設定週期中的與所述多個發光致能信號中的一者對應的資料設定週期和所述多個發光週期中的與所述多個發光致能信號中的至少另一者對應的一發光週期重疊。
如請求項12所述的顯示裝置，其中所述共用斜坡信號包括多個子斜坡信號，其中分別與所述多個子斜坡信號對應的多個斜坡週期分別和所述多個發光致能信號中的一個發光致能信號的一資料設定週期及一發光週期重疊。
如請求項12所述的顯示裝置，其中所述多個像素群組分別與所述像素陣列的不同的行對應，且所述像素陣列的與所述不同的多個像素群組對應的所述不同的行交替且依序配置。
如請求項12所述的顯示裝置，其中所述像素陣列的與所述不同的多個像素群組對應的不同的行交替但非依序配置。
如請求項12所述的顯示裝置，其中還包括：一電流源，耦接到所述像素陣列，且被配置成向所述像素陣列輸出一供應電流，其中所述電流源接收用於電壓編程的一脈衝振幅調變掃描信號。
如請求項12所述的顯示裝置，其中當所述多個像素群組在所述多個發光週期期間被點亮時，所述多個像素群組分別接收一脈衝寬度調變掃描信號。
如請求項12所述的顯示裝置，其中所述多個像素群組耦接到一共用電流源。