TWI819728B - 顯示裝置及其製作方法 - Google Patents
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Abstract
一種顯示裝置,包括:第一基板、第一配向層、第二基板、第二配向層以及顯示介質。第一配向層設置於第一基板上。第二基板位於第一基板的對向。第二配向層設置於第二基板上,且第一配向層及第二配向層位於第一基板與第二基板之間。顯示介質位於第一配向層與第二配向層之間,其中,第一配向層及第二配向層面向顯示介質的表面具有由微結構圍成的不規則區塊。此外,上述顯示裝置的製作方法也被提出。
Description
本發明是有關於一種光電裝置及其製造方法,且特別是有關於一種顯示裝置及其製造方法。
反射式液晶顯示器以其節能環保的優勢而受到市場關注,其利用液晶分子的雙穩態特性來使環境光反射或穿透,進而產生亮態或暗態,以達成顯示之目的,因此完全不需額外設置背光源。
然而,目前的反射式液晶顯示器在暗態下顏色偏白霧,以致顯示品質不佳。另外,目前反射式液晶顯示器的反應時間過長,因此無法實現主動驅動。
本發明提供一種顯示裝置,在暗態下具有提高的透明度且具有縮短的反應時間。
本發明還提供一種顯示裝置的製作方法,能夠免除傳統用於形成配向層的印刷製程。
本發明的一個實施例提出一種顯示裝置,包括:第一基板;第一配向層,設置於第一基板上;第二基板,位於第一基板的對向;第二配向層,設置於第二基板上,且第一配向層及第二配向層位於第一基板與第二基板之間;以及顯示介質,位於第一配向層與第二配向層之間,其中,第一配向層及第二配向層面向顯示介質的表面具有由微結構圍成的不規則區塊。
在本發明的一實施例中,上述的不規則區塊的直徑介於20 μm至700 μm之間。
在本發明的一實施例中,上述的第一配向層或所述第二配向層的厚度小於或等於300
Å。
在本發明的一實施例中,上述的微結構具有不規則曲線的形狀。
在本發明的一實施例中,上述的不規則曲線的線長介於10 μm至900 μm之間。
在本發明的一實施例中,上述的不規則曲線的線寬介於0.2 μm至0.4 μm之間。
在本發明的一實施例中,上述的微結構包括聚合物或寡聚物。
本發明的一個實施例提出一種顯示裝置的製作方法,包括:提供面板,面板包括第一基板、第二基板以及顯示介質組成物,其中,顯示介質組成物位於第一基板與第二基板之間,且顯示介質組成物包括顯示介質及可聚合單體;對面板進行熱處理,其中熱處理的溫度高於所述顯示介質轉變為等向性液體的溫度;以及在對面板進行熱處理後且在將面板降溫後,對面板進行照光處理。
在本發明的一實施例中,上述的熱處理的溫度高於顯示介質轉變為等向性液體的溫度。
在本發明的一實施例中,上述的面板的降溫速率小於7℃/分鐘。
在本發明的一實施例中,上述的照光處理的溫度介於20℃至60℃之間。
在本發明的一實施例中,上述的照光處理使用非偏振光。
在本發明的一實施例中,上述的非偏振光的波長介於200 nm至450 nm之間。
在本發明的一實施例中,上述的照光處理的照光能量介於50 mW/cm
2至200 mW/cm
2之間。
在本發明的一實施例中,上述的照光處理的時間介於50秒至400秒之間。
在本發明的一實施例中,上述的可聚合單體在顯示介質組成物中的重量百分比介於0.2重量%至2.0重量%之間。
在本發明的一實施例中,上述的可聚合單體包括丙烯酸基團及苯環基團。
在本發明的一實施例中,上述的可聚合單體選自以下化合物或其組合:
、
、
、
、
以及
。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
在附圖中,為了清楚起見,放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中,相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反地,當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,「連接」可以指物理及/或電性連接。再者,「電性連接」或「耦接」可為二元件間存在其它元件。
應當理解,儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分,但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此,下面討論的第一「元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的,而不是限制性的。如本文所使用的,除非內容清楚地指示,否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式,包括「至少一個」或表示「及/或」。如本文所使用的,術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解,當在本說明書中使用時,術語「包含」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或部件的存在,但不排除一個或多個其它特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外,諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係,如圖所示。應當理解,相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如,如果一個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此,示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向,取決於附圖的特定取向。類似地,如果一個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其它元件「下」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此,示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。
考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即,測量系統的限制),本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值。例如,「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內,或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者,本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質,來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差,而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此,可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此,本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀,而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如,示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外,所示的銳角可以是圓的。因此,圖中所示的區域本質上是示意性的,並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀,並且不是旨在限制權利要求的範圍。
圖1是依照本發明一實施例的顯示裝置的製作方法的流程圖。圖2A至圖2C是依照本發明一實施例的顯示裝置的製作方法的步驟流程的剖面示意圖。以下將搭配圖1以及圖2A至圖2C舉例說明依照本發明一實施例的顯示裝置10的製作方法。
在本實施例中,顯示裝置10的製造方法可以包括以下步驟。首先,請參照圖1及圖2A,在步驟S1提供面板100,面板100例如包括第一基板110、第二基板120以及顯示介質組成物MX,其中,顯示介質組成物MX位於第一基板110與第二基板120之間,且顯示介質組成物MX可以包括顯示介質DM及可聚合單體RM。
在一些實施例中,面板100的製作還可以先在第一基板110上形成畫素陣列層AR。具體言之,可提供第一基板110。第一基板110的材質可為玻璃、石英、有機聚合物或其它適當材料。接著,可利用半導體製程技術,於第一基板110上形成畫素陣列層AR。畫素陣列層AR至少包括多個主動元件(未繪示)、多個畫素電極(未繪示)、多條資料線(未繪示)以及多條掃描線(未繪示),其中,主動元件例如為具有源極、閘極與汲極的薄膜電晶體,資料線可與主動元件的源極電性連接,掃描線可與主動元件的閘極電性連接,且畫素電極可與主動元件的汲極電性連接,但不限於此。
在一些實施例中,面板100的製作還可以先在第二基板120上形成共用電極層CM。第二基板120的材質可與第一基板110的材質類似,於此不再贅述。在一些實施例中,還可以在形成共用電極層CM之前於第二基板120上形成彩色濾光層,以使顯示裝置10具有全彩化的顯示功效。
面板100的製作還包括製備顯示介質組成物MX,舉例而言,可以將顯示介質DM與可聚合單體RM混合,使得顯示介質組成物MX包括顯示介質DM以及可聚合單體RM。顯示介質DM例如膽固醇型液晶(cholesteric liquid crystal)。
可聚合單體RM是能夠在照光處理下發生聚合反應的反應性單體。在本實施例中,可聚合單體RM可以選自下表一所列化合物或其組合,但不限於此。在一些實施例中,可聚合單體RM可以具有非線性(non-linear)結構,且可聚合單體RM可以具有非剛性(non-rigid)結構。在一些實施例中,可聚合單體RM可以包括丙烯酸(acrylate)基團及苯環(phenyl)基團。在一些實施例中,可聚合單體RM可以包括兩個以上的苯環基團,且苯環基團之間可以藉由可轉動官能基連結,可轉動官能基例如-O-C(=O)-,但不限於此。
[表一]
可 聚 合 單 體 | |
在本實施例中,可聚合單體RM在顯示介質組成物MX中的重量百分比可以介於0.2重量%至2.0重量%之間。較佳地是,可聚合單體RM在顯示介質組成物MX中的重量百分比可以介於0.2重量%至1重量%之間,例如0.3重量%、0.5重量%或0.8重量%,但不限於此。可聚合單體RM的重量百分比可以視其它參數而定,例如照光處理的時間、照光處理的能量等。在一實施例中,可聚合單體RM在顯示介質組成物MX中的重量百分比可介於0.4重量%至1重量%之間;藉此,於後續形成之面板100(可參考圖2C)能具有高穿透率(例如但不限於:86.83%)及低霧度(例如但不限於:18.8%)。
接著,可將第一基板110與第二基板120組立在一起,並將顯示介質組成物MX填入第一基板110的畫素陣列層AR與第二基板120的共用電極層CM之間。舉例而言,可先在第一基板110的畫素陣列層AR上、或在第二基板120的共用電極層CM上塗佈框膠(sealant,未繪示)。然後,將顯示介質組成物MX滴入畫素陣列層AR或共用電極層CM與框膠圍出的空間中。之後,再於接近真空的環境下,令第一基板110及第二基板120中之一者趨向第一基板110及第二基板120中之另一者,進而使第一基板110與第二基板120透過框膠相黏合,以將顯示介質組成物MX密封在第一基板110的畫素陣列層AR與第二基板120的共用電極層CM之間,即可完成面板100的製作。換言之,可採用液晶滴入法(one drop fill;ODF)填入顯示介質組成物MX來製作面板100,但不限於此。在其他實施例中,亦可採用液晶注入法(LC injection)或其他適當方法填入顯示介質組成物MX來製作面板100。
接著,請參照圖1及圖2B,在步驟S2對面板100進行熱處理,其中熱處理的溫度高於顯示介質DM轉變為等向性(isotropic)液體的溫度。舉例而言,顯示介質DM由非等向性(anisotropic)轉變為等向性(isotropic)液體的臨界溫度為T
oC,在本實施例中,熱處理的溫度可高於或等於T
oC+20
oC,但不以此為限。具體而言,在本實施例中,可以將面板100放置於烘箱中,且烘箱的溫度可以預先設定在高於顯示介質DM轉變為等向性(isotropic)液體的溫度,例如介於100℃至150℃之間,例如120℃,使得顯示介質組成物MX能夠吸收烘箱所供應的熱能HT而轉變為等向性液體。
接著,請參照圖1及圖2C,在步驟S3,於對面板100進行熱處理後且將面板100降溫後,後對面板100進行照光處理,即熟化處理(curing)。具體而言,在本實施例中,可以採用不大於7℃/分鐘(例如5℃/分鐘)的降溫速率將面板100降溫至60℃以下,隨後在介於60℃至室溫(約為20℃)之間的溫度(例如50℃)下使用光束LB對面板100進行照光處理。在照光處理完成之後,可聚合單體RM會可在第一基板110的畫素陣列層AR上形成第一配向層130,且在第二基板120的共用電極層CM上形成第二配向層140,其中,第一配向層130面向顯示介質DM的表面131以及第二配向層140的面向顯示介質DM的表面141上沉積有微結構MS。因此,在顯示裝置的製作方法中,能夠免除傳統用於形成配向層的印刷製程。
圖3A至圖3C是以不同降溫速率獲得的顯示介質結晶的晶相照片。從圖3A至圖3C可以看出,降溫速率會影響顯示介質的晶相大小。如圖3A所示,當降溫速率大於7℃/分鐘(例如約10℃/分鐘)時,其域尺寸(domain size)太小,造成焦錐態(focal conic state)的散射太多,因而產生高霧度(haze)。如圖3B所示,當降溫速率為約5℃/分鐘時,可得到中等尺寸的晶相。如圖3C所示,當降溫速率為約0.5℃/分鐘時,則可得到低霧度的大尺寸晶相。
照光處理使用的光束LB可以是非偏振光,例如非偏振紫外光。在一些實施例中,光束LB的波長可以介於200 nm至450 nm之間,例如300 nm、365 nm或420 nm。在一些實施例中,光束LB的能量可以介於50 mW/cm
2至200 mW/cm
2之間,例如80 mW/cm
2、100 mW/cm
2或150 mW/cm
2。在某些實施例中,照光處理的時間可以介於50秒至400秒之間,例如100秒、200秒或300秒。在一些實施例中,照光處理的總照光能量可以介於10至20焦耳(J)之間,例如12 J、15 J或18 J。照光處理的條件不限於以上所述,且可視實際需求做適當的設定。
圖4是依照本發明一實施例的顯示裝置10的微結構的局部放大示意圖。請同時參照圖2C及圖4,顯示裝置10包括:第一基板110;第一配向層130,設置於第一基板110上;畫素陣列層AR,位於第一基板110與第一配向層130之間;第二基板120,位於第一基板110的對向;第二配向層140,設置於第二基板120上,且第一配向層130及第二配向層140位於第一基板110與第二基板120之間;共用電極層CM,位於第二基板120與第二配向層140之間;以及顯示介質DM,位於第一配向層130與第二配向層140之間,其中,第一配向層130及第二配向層140面向顯示介質DM的表面131、141具有由微結構MS圍成的不規則區塊BK的形貌。
在本實施例中,微結構MS、第一配向層130以及第二配向層140可以是可聚合單體RM聚合之後沉積吸附於第一基板110及第二基板120上所形成的。微結構MS、第一配向層130以及第二配向層140可以包括由可聚合單體RM經聚合反應形成的聚合物,例如寡聚物。微結構MS可以凸出於第一配向層130的表面131及第二配向層140的表面141,且多個微結構MS可以共同圍繞出多個不規則區塊BK。具體而言,每一微結構MS可以包括由聚合反應形成的多個微粒,且多個微結構MS大致上形成一城牆狀結構(wall),而每一不規則區塊BK是由城牆狀結構圍繞出。
在一些實施例中,第一配向層130以及第二配向層140的厚度不大於300
Å,例如150
Å、220
Å或280
Å ,而且第一配向層130或第二配向層140的電容不大於10μF,例如5μF或8μF,以進一步降低驅動顯示介質DM所需的功耗。
從圖4可以看出,微結構MS可以具有不規則曲線的形狀,例如不規則曲線C1~C13,其中,不規則曲線C1~C13的線長可以介於10 μm至900 μm之間,如下表二所示。舉例而言,在本實施例中,不規則曲線C1~C13可以圍繞出多個不規則區塊BK,多個不規則區塊BK包括由不規則曲線C1~C6共同圍繞出的不規則區塊BK1及由不規則曲線C12~C13也可以共同圍繞出的另一個不規則區塊BK2,其中不規則區塊BK1、BK2的形狀不同。另外,在一些實施例中,不規則曲線C1~C13的線寬W可以介於0.2 μm至0.4 μm之間,例如0.3 μm。在某些實施例中,不規則區塊BK的直徑D可以介於20 μm至700 μm之間,例如50 μm、200 μm或500 μm。
[表二]
不規則曲線 | 線長(μm) |
C1 | 309.586 |
C2 | 103.013 |
C3 | 102.625 |
C4 | 96.823 |
C5 | 499.783 |
C6 | 175.36 |
C7 | 28.413 |
C8 | 166.337 |
C9 | 37.162 |
C10 | 29.358 |
C11 | 13.324 |
C12 | 222.439 |
C13 | 720.676 |
圖5是依照本發明一實施例的微結構MS的粒徑分析圖。從圖5可知,可聚合單體RM聚合後的粒徑皆小於1.0 μm,且主要分佈於0.2 μm至0.4 μm之間。
圖6A是依照本發明一實施例的顯示裝置10在顯示介質DM處於垂直態(Hometropic state)的顯微照片。圖6B是依照本發明一實施例的顯示裝置10在顯示介質DM處於平面態(或稱反射態,Planar state)的顯微照片。圖6C是圖6A與圖6B重疊的影像。從圖6A可以看出,可聚合單體RM經過照光熟化處理之後生成的白色聚合物沉積而形成微結構MS2。從圖6B及圖6C可以看出,由可聚合單體RM聚合沉積所形成的微結構MS2促使平面態的顯示介質RM呈現區塊的渦狀(swirl)排列(圖中編號1、2、5~10、12~13之處),且這些微結構MS也會影響平面態及焦錐態的顯示介質RM的晶相。
圖6D是依照本發明一實施例的顯示裝置10在顯示介質DM處於焦錐態的顯微照片。圖6E是依照本發明一實施例的顯示裝置10的顯示介質DM處於焦錐態的排列示意圖。從圖6D可以看出,可聚合單體聚集的痕跡能夠限制顯示介質(例如液晶分子)的排列,從而形成很透明的狀態。從圖6E可以看出,顯示介質DM在焦錐態下呈現扇形近晶(fan shaped-smectic)排列的透明狀態。
此外,還對顯示裝置10的顯示介質在不同狀態下的反應時間進行了測試,測試結果列於下表三。從表三可知,相較於未使用任何可聚合單體來形成配向層的比較例1,依照本發明的實施例1能夠明顯縮短顯示介質從垂直態轉換至平面態的反應時間,且從垂直態轉換至平面態的反應時間與從平面態轉換至垂直態的反應時間僅17.88ms,因此能夠滿足主動驅動對於從垂直態轉換至平面態的時間與從平面態轉換至垂直態的反應時間之和需少於42ms的要求。實施例2為降低聚合單體之重量百分比的實施例,其也可達到主動驅動對於從垂直態轉換至平面態的時間與從平面態轉換至垂直態的反應時間之和需少於42ms的要求。更佳的是,實施例1、2可達到主動驅動對於從垂直態轉換至平面態的時間與從平面態轉換至垂直態的反應時間之和需少於20ms的要求。
[表三]
實施例1 | 實施例2 | 比較例1 | ||
顯示介質 | ZAU-5717 | ZAU-5717 | ZAU-5717 | |
可聚合單體(重量%) | 1.8 | 0.3 | 0 | |
反應時間(ms) | 平面態→垂直態 | 3.9 | 4.25 | 3.7 |
垂直態→平面態 | 13.98 | 12.58 | 47.55 |
綜上所述,本發明的顯示裝置的製作方法藉由利用包含可聚合單體的顯示介質組成物來形成配向層,能夠免除傳統用於形成配向層的印刷製程,且所形成的配向層不僅能夠提高顯示裝置於暗態下的透明度,還能夠明顯縮短顯示介質從垂直態轉換至平面態的反應時間,使得本發明的顯示裝置能夠實現主動驅動。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20:顯示裝置
100:面板
110:第一基板
120:第二基板
130:第一配向層
131、141:表面
140:第二配向層
AR:畫素陣列層
BK、BK1、BK2:不規則區塊
C1~C13:不規則曲線
CM:共用電極層
D:直徑
DM:顯示介質
HT:熱能
LB:光束
MS:微結構
MX:顯示介質組成物
PS:間隔物
RM:可聚合單體
S1、S2、S3:步驟
W:線寬
圖1是依照本發明一實施例的顯示裝置的製作方法的流程圖。
圖2A至圖2C是依照本發明一實施例的顯示裝置的製作方法的步驟流程的剖面示意圖。
圖3A至圖3C是以不同降溫速率獲得的顯示介質結晶的晶相照片。
圖4是依照本發明一實施例的顯示裝置的第二配向層的局部表面放大圖。
圖5是依照本發明一實施例的微結構的粒徑分析圖。
圖6A是依照本發明一實施例的顯示裝置在顯示介質處於垂直態(Hometropic state)的顯微照片。
圖6B是依照本發明一實施例的顯示裝置在顯示介質處於平面態(Planar state)的顯微照片。
圖6C是圖6A與圖6B重疊的影像。
圖6D是依照本發明一實施例的顯示裝置在顯示介質處於焦錐態的顯微照片。
圖6E是依照本發明一實施例的顯示裝置的顯示介質處於焦錐態的排列示意圖。
10:顯示裝置
110:第一基板
120:第二基板
130:第一配向層
131、141:表面
140:第二配向層
AR:畫素陣列層
CM:共用電極層
DM:顯示介質
LB:光束
MS:微結構
Claims (17)
- 一種顯示裝置,包括:第一基板;第一配向層,設置於所述第一基板上;第二基板,位於所述第一基板的對向;第二配向層,設置於所述第二基板上,且所述第一配向層及所述第二配向層位於所述第一基板與所述第二基板之間;以及顯示介質,位於所述第一配向層與所述第二配向層之間,其中,所述第一配向層及所述第二配向層面向所述顯示介質的表面具有由微結構圍成的不規則區塊;所述不規則區塊的直徑介於20μm至700μm之間。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述微結構大致上形成城牆狀結構,而所述不規則區塊是由城牆狀結構圍繞出。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述第一配向層或所述第二配向層的厚度小於或等於300Å。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述微結構具有不規則曲線的形狀。
- 如請求項4所述的顯示裝置,其中所述不規則曲線的線長介於10μm至900μm之間。
- 如請求項4所述的顯示裝置,其中所述不規則曲線的線寬介於0.2μm至0.4μm之間。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述微結構包括聚合物或寡聚物。
- 一種顯示裝置的製作方法,包括:提供面板,所述面板包括第一基板、第二基板以及顯示介質組成物,其中,所述顯示介質組成物位於所述第一基板與所述第二基板之間,且所述顯示介質組成物包括顯示介質及可聚合單體;對所述面板進行熱處理,其中所述熱處理的溫度高於所述顯示介質轉變為等向性液體的溫度;以及在對所述面板進行熱處理後且在將面板降溫後,對所述面板進行照光處理,其中在對所述面板完成所述照光處理後,所述可聚合單體在所述第一基板上形成第一配向層且在所述第二基板上形成第二配向層,所述第一配向層面向所述顯示介質的表面以及所述第二配向層的面向所述顯示介質的表面上具有微結構圍成的不規則區塊,且所述不規則區塊的直徑介於20μm至700μm之間。
- 如請求項8所述的顯示裝置的製作方法,其中所述面板的降溫速率小於7℃/分鐘。
- 如請求項8所述的顯示裝置的製作方法,其中所述照光處理的溫度介於20℃至60℃之間。
- 如請求項8所述的顯示裝置的製作方法,其中所述照光處理使用非偏振光。
- 如請求項10所述的顯示裝置的製作方法,其中所述非偏振光的波長介於200nm至450nm之間。
- 如請求項7所述的顯示裝置的製作方法,其中所述照光處理的照光能量介於50mW/cm2至200mW/cm2之間。
- 如請求項7所述的顯示裝置的製作方法,其中所述照光處理的時間介於50秒至400秒之間。
- 如請求項7所述的顯示裝置的製作方法,其中所述可聚合單體在所述顯示介質組成物中的重量百分比介於0.2重量%至2.0重量%之間。
- 如請求項8所述的顯示裝置的製作方法,其中所述可聚合單體包括丙烯酸基團及苯環基團。
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