TWI815653B - 用於交通運輸裝置的風險控制系統及風險控制方法 - Google Patents

Abstract

本揭露關於一種用於交通運輸裝置的風險控制系統，包括發光元件、處理元件及使用者提醒元件。處理元件與發光元件電性連接，並輸出提示訊號。使用者提醒元件與處理元件電性連接，並接收提示訊號。

Description

用於交通運輸裝置的風險控制系統及風險控制方法

本揭露係關於風險控制技術，尤指一種用於交通運輸裝置的風險控制技術。

電子裝置廣泛應用，因此電子裝置可能需要多種形態符合不同使用情境，例如，目前交通運輸裝置常搭載電子裝置(例如顯示裝置)。為了使顯示裝置與交通運輸裝置的儀表板或中控台的造型搭配，顯示裝置常需要彎曲。然而，當顯示裝置彎曲時，其第一區域時常會承受很大的應力，在長期使用下會有破裂的風險，因而影響顯示裝置的顯示及使用者的駕駛安全。此外，目前缺乏有效的偵測方式，使用者通常須等到晶片破裂而無法使用時才能得知，導致駕駛安全降低。

因此，需要一種用於交通運輸裝置的風險控制系統及方法來改善上述問題。

本揭露提供一種風險控制系統，用於交通運輸裝置。風險控制系統包含發光元件、處理元件及使用者提醒元件。處理元件與發光元件電性連接，並輸出提示訊號。使用者提醒元件與處理元件電性連接，並接收提示訊號。

本揭露另提供一種風險控制方法，用於交通運輸裝置。風險控制方法包含步驟：提供發光元件；提供與發光元件電性連接的處理元件，以輸出提示訊號；以及提供與處理元件電性連接的使用者提醒元件，以接收提示訊號。

從下列的詳細描述並結合附圖，本揭露的其他的新穎特徵將變得更為清楚。

1:風險控制系統

2:發光元件

21:基板

3:處理元件

31、32:接腳

4:控制元件

5:使用者提醒元件

6:系統控制端

7:第一區域

71:內部電路區

72:導電墊

73:晶片基板

730:邊緣區域

7a:第一邊緣

7b:第二邊緣

7c:第三邊緣

7d:第四邊緣

74:第一連接層

75:第一絕緣層

76:第二絕緣層

77:第二連接層

78:第三絕緣層

8:導體結構

81:第一導電結構

81a、82a、83a、84a:第一端

81b、82b、83b、84b:第二端

82:第二導電結構

83:第三導電結構

84:第四導電結構

8A:第一金屬層

8B:第二金屬層

9:導電墊

10:接觸通孔

A:發光區

B:非發光區

S1:提示訊號

W:第一距離

S2:輸入訊號

S3:輸出訊號

A-A’:剖線

B-B’:剖線

C-C’:剖線

C:晶片

圖1是本揭露一實施例的風險控制系統的架構示意圖。

圖2是本揭露一實施例的第一區域的細部示意圖。

圖3是本揭露一實施例的風險控制系統的運作示意圖。

圖4是本揭露另一實施例的第一區域的細部示意圖。

圖5是本揭露另一實施例的第一區域的細部示意圖。

圖6是本揭露另一實施例的第一區域的細部示意圖。

圖7是本揭露一實施例的發光元件、處理元件、控制元件及使用者提醒元件的配置示意圖。

圖8是本揭露另一實施例的發光元件、處理元件、控制元件及使用者提醒元件的配置示意圖。

圖9A是本揭露一實施例的第一區域及導體結構的示意圖。

圖9B是圖9A的第一區域及導體結構對應對應剖線A-A’、剖線B-B’及剖線C-C’的剖面圖。

當結合附圖閱讀時，下列實施例用於清楚地展示本揭露的上述及其他技術內容、特徵及/或效果。透過具體實施方式的闡述，人們將進一步瞭解本揭露所採用的技術手段及效果，以達到上述的目的。此外，由於本揭露所揭示的內容應易於理解且可為本領域技術人員所實施，因此，所有不脫離本揭露的概念的相等置換或修改應包含在請求項中。

應注意的是，在本文中，除了特別指明者之外，「一」元件不限於單一的該元件，還可指一或更多的該元件。此外「a元件以及b元件的其中至少一者」之描述包含了只有a元件的態樣、只有b元件的態樣以及同時有a元件及b元件的態樣。

此外，說明書及請求項中例如「第一」或「第二」等序數只是描述所請求的元件，而不代表或不表示所請求的元件具有任何順序的序數，且不是所請求的元件及另一所請求的元件之間或製造方法的步驟之間的順序。這些序數的使用只是為了將具有特定名稱的一個請求元件與具有相同名稱的另一請求元件區分開來。

此外，說明書及請求項中例如「相鄰」一詞是用於描述相互鄰近，不必然表示相互接觸。

此外，本揭露中關於“當...”或“...時”等描述表示”當下、之前或之後”等態樣，而不限定為同時發生之情形，在此先行敘明。本揭露中關於“設置於...上”等類似描述係表示兩元件的對應位置關係，並不限定兩元件之間是否有所接觸，除非特別有限定，在此先行敘明。再者，本揭露記載多個功效時，若在功效之間使用“或”一詞，係表示功效可獨立存在，但不排除多個功效可同時存在。

此外，說明書及請求項中例如「連接」或「耦接」一詞不只指與另一元件直接連接，也可指與另一元件間接連接或電性連接。另外，電性連接包含直接連接、間接連接或二元件間以無線電訊號交流的態樣。

此外，說明書及請求項中，「約」、「大約」、「實質上」、「大致上」之用語通常表示在一值與一給定值的差距在該給定值的10%內，或5%內，或3%之內，或2%之內，或1%之內，或0.5%之內的範圍。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「實質上」、「大致上」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「實質上」、「大致上」之含義。此外，用語「範圍為第一數值至第二數值」、「範圍介於第一數值至第二數值之間」表示所述範圍包含第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。

為方便說明，下文中所指的“在一方向上”，可代表“大致在該方向上”或者“大致在該方向的反方向上”，且不限於此。此外，實際方向與所述方向之間可大約有60度以內(≦60°)的偏離，且不限於此。

此外，本揭露所揭示的不同實施例的技術特徵可結合形成另一實施例。

此外，本揭露涉及具備電子裝置的系統，電子裝置可具備電子元件，且電子裝置的類型可包含車用裝置、測試裝置、清潔裝置、異物移除裝置、顯示裝置、背光裝置、天線裝置、感測裝置、拼接裝置、半導體裝置、觸控電子裝置(touch display)、曲面電子裝置(curved display)、非矩形電子裝置(free shape display)，或者上述之任意組合，且不以此為限。顯示裝置可例如包含液晶(liquid crystal)、發光二極體(light emitting diode)、螢光(luorescence)、磷光(phosphor)、其它合適的顯示介質、或前述之組合，但不以此為限。發光二極體可例如包含有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot，QD，其可 例如是QLED、QDLED)或其他適合之材料或上述材料的任意排列組合，但不以此為限。顯示裝置可包含顯示面板或觸控面板，並可為非自發光型顯示裝置(例如包含液晶)或自發光型顯示裝置(例如包含發光二極體)。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統、層架系統...等周邊系統以支援顯示裝置、天線裝置或拼接裝置。為方便說明，下文將以系統為用於交通運輸裝置的系統之態樣進行說明，但本揭露不以此為限。

請參考圖1。圖1是本揭露一實施例的風險控制系統1的示意圖。其中，風險控制系統1可用於交通運輸裝置。交通運輸裝置可例如是汽車、電動車、機車、公車、火車、電車、高鐵、輪船、飛機等可配置顯示裝置的交通工具，且不限於此。

如圖1所示，風險控制系統1包括一發光元件2、一處理元件3、一控制元件4及一使用者提醒元件5。發光元件2具有一基板21，且基板21可包括一發光區A及一非發光區B。其中，由一俯視方向(例如Z方向，或者發光方向的反方向)觀之，非發光區B與發光區A相鄰，根據一些實施例，非發光區B圍繞發光 區A；本文中「圍繞」的定義可以是位於周邊位置，例如非發光區B位於發光區A的周邊位置，但不限於此。此外，非發光區B設置有至少一第一區域7，其中第一區域7可視為一電路區域或一晶片的位置，但不以此為限。第一區域7包括一內部電路區71(顯示於圖2)。發光元件2與處理元件3電性連接，例如發光元件2上的第一區域7可與處理元件3電性連接。此外，處理元件3與使用者提醒元件5之間可經由控制元件4而電性連接。基板21可例如為電路板、陣列基板、薄膜晶體管基板、燈板或燈條，但不以此為限。

本揭露的特色之一在於，處理元件3可用於判斷第一區域7是否發生破裂。而當處理元件3判斷第一區域7發生破裂時，處理元件3可提供一提示訊號S1至控制元件4。使用者提醒元件5可透過控制元件4而間接接收提示訊號S1，例如控制元件4可接收提示訊號S1，並根據提示訊號S1控制使用者提醒元件5做動，但不限於此。更多細節請參考後續段落關於圖2的說明。

接著說明各元件的細節。

關於發光元件2，在一實施例中，發光元件2的類型可包括光源、背光模組(backlight module)、顯示裝置(display device)、自發光裝置(self-emission device)、自發光顯示裝置(self-emission device)、非自發光顯示裝置(self-emission device)，且不限於此。在一實施例中，發光元件2的基板21的材質可包括玻璃、鋼材或聚醯亞胺(polyimide，PI)，或者其它可做為基板21的合適材質，且不限於此。

關於處理元件3，在一實施例中，處理元件3可例如是一晶片，可包括微處理器。處理元件3用於傳遞或接收訊號，以及對訊號進行分析。在一實施例中，處理元件3可設置於第一區域7外部，例如可設置於發光元件2的其它部位，或者可設置於發光元件2外部。在一實施例中，處理元件3亦可設置於第一區域7中，例如設置於第一區域7的一晶片基板73(標示於圖2)上，且處理元件3可 與第一區域7中的內部電路區71電性連接或不電性連接。在一實施例中，處理元件3亦可設置於控制元件4內部。此外，一個處理元件3可用於與一或多個第一區域7電性連接，以判斷該一或多個第一區域7是否發生破裂。本揭露不限於此。

關於控制元件4，在一實施例中，控制元件4可例如是具備控制功能的任何元件，例如微處理器(processor)、微控制器(microcontroller，MCU)或電子控制元件(electronic control unit，ECU)，且不限於此。控制元件4用於傳遞或接收訊號，以及控制使用者提醒元件5的做動。在一實施例中，控制元件4可設置於第一區域7外部，例如可設置於發光元件2的其它部位，或者可設置於發光元件2外部。在一實施例中，控制元件4可設置於交通運輸裝置的一系統控制端6，例如交通運輸裝置的儀表板、車機或中控台，且不限於此。在一實施例中，控制元件4亦可設置於第一區域7中，且控制元件4可與第一區域7中的內部電路區71電性連接或不電性連接。本揭露不限於此。

關於使用者提醒元件5，在一實施例中，使用者提醒元件5的類型包括喇叭、蜂鳴器、警報器或警示燈，且不限於此。在一實施例中，使用者提醒元件5可設置於交通運輸裝置的系統控制端6。在一實施例中，使用者提醒元件5亦可設置於發光元件2。在一實施例中，使用者提醒元件5的做動包括發出聲音、發出蜂鳴、發出警報或發出警示燈光等，且不限於此。在一實施例中，系統控制端6可設置一或多個同類型或不同類型的使用者提醒元件5。本揭露不限於此。

在一些實施例中，至少一晶片C電性連接發光元件2，晶片C位於發光元件2的基板21上的第一區域7。晶片C可驅動發光元件2或晶片C可進一步驅動基板21。晶片C可具有晶片基板73，內部電路區71可設置於晶片基板73上，其中內部電路區71設置有晶片C的內部電路。根據一些實施例，導體結構8可設置於晶片基板73上且鄰近內部電路區71，但不以此為限。根據一些實施例，晶片 基板73的邊緣可視為第一區域7的邊緣。在一實施例中，第一區域7可例如是覆晶封裝的區域，覆晶封裝例如是玻璃覆晶封裝(chip on glass，COG)區、塑料薄膜覆晶封裝(chip on polyimide、chip on PI，COP)區或基板覆晶封裝(chip on board，COB)區等，且不限於此。在一實施例中，第一區域7的晶片C可透過異方性導電膠膜(anisotropic conductive film，ACF)技術或錫鉛凸塊(solder bumping)技術設置於發光元件2的基板21上，且不限於此。

接著以圖2說明第一區域7的細節。圖2是本揭露一實施例的第一區域7的細部示意圖，並請同時參考圖1。為使說明清楚，圖2未顯示控制元件4及使用者提醒元件5。

如圖2所示，晶片基板73可具有一邊緣區域730，其中以俯視方向(Z)觀之，邊緣區域730圍繞內部電路區71。邊緣區域730的外緣可包括一第一邊緣7a、一第二邊緣7b、與第一邊緣相對的一第三邊緣7c以及與第二邊緣相對的一第四邊緣7d。此外，內部電路區71可電性連接複數個導電墊72。

此外，發光元件2更包括一導體結構8。導體結構8可設置於晶片基板73的邊緣區域730。在一實施例中，導體結構8可用於做為訊號走線，但不限於此。在一實施例中，導體結構8的材質包括鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉬鎢組合物(MoW)、鈦(Ti)或錫(Tin)，或者上述之任意組合，且不限於此。

在一實施例中，由俯視方向(Z)觀之，導體結構8設置於晶片基板73的邊緣區域730，導體結構8圍繞內部電路區71。在一實施例中，由俯視方向(Z)觀之，導體結構8介於第一區域7的邊緣7a~7d與內部電路區71之間。在一實施例中，在垂直於其中一邊緣7a~7d的一延伸方向(例如X方向或Y方向)上，該其中一邊緣7a~7d與一部分的導體結構8之間具有一距離，以下稱之為第一距離W。第一距離W亦可視為其中一邊緣7a~7d與導體結構8之間的最短距離，亦即第一邊 緣7a、第二邊緣7b、第三邊緣7c及第四邊緣7d各自與導體結構8的最短距離可為第一距離W，但不限於此。

進一步地，在一實施例中，第一距離W可大於或等於1微米(micrometer，μm)，且可小於或等於1毫米(millimeter，mm)，亦即1μm≦W≦1mm。在一實施例中，第一距離W可大於或等於1.25微米(micrometer，μm)，且可小於或等於0.75毫米(millimeter，mm)，亦即1.25μm≦W≦0.75mm。在一實施例中，第一距離W可大於或等於1.5微米(micrometer，μm)，且可小於或等於0.5毫米(millimeter，mm)，亦即1.5μm≦W≦0.5mm。透過上述數值設定，可確保導體結構8與邊緣7a~7d鄰近，有利於處理元件3偵測邊緣7a~7d處是否發生破裂。可本揭露不限於此。

在一實施例中，導體結構8的一端可透過一導電墊9而與處理元件3的一接腳(pin)31電性連接，且導體結構8的另一端可透過另一導電墊9與處理元件3的另一接腳32電性連接，但不限於此。導電墊9與內部電路區71可電性連接或者非電性連接，但不限於此。

接著說明風險控制系統1的運作方式。圖3是本揭露一實施例的風險控制系統1的運作示意圖，並請同時參考圖1及圖2。

如圖2及圖3所示，處理元件3可經由接腳31(標示於圖2)提供一輸入訊號S2至導體結構8，輸入訊號S2通過導體結構8而形成一輸出訊號S3，處理元件3經由另一接腳32(標示於圖2)接收來自導體結構8的輸出訊號S3，以根據輸入訊號S2及輸出訊號S3提供提示訊號S1。控制元件4根據提示訊號S1控制使用者提醒元件5做動。

在一實施例中，處理元件3可比較輸入訊號S2及輸出訊號S3，並根據輸入訊號S2與輸出訊號S3的相似度決定是否提供提示訊號S1，而控制元件4在收到提示訊號S1時，可控制使用者提醒元件5進行做動(例如發出警報聲響，或 者警示燈亮起，且不限於此)。換言之，處理元件3可根據輸入訊號S2及輸出訊號S3判斷第一區域7是否發生破裂或異常。其中，「比較輸入訊號S2及輸出訊號S3」可例如是比較電壓或阻抗是否有差異，且不限於此。此外，在一實施例中，提示訊號S1可為脈衝訊號，但不限於此。

在一實施例中，當輸出訊號S3大於或等於0.9倍的輸入訊號S2時(亦即0.9*S2≦S3)，處理元件3不提供提示訊號至控制元件4，故使用者提醒元件5不做動，反之，當輸出訊號S3小於0.9倍的輸入訊號S2時(亦即0.9*S2>S3)，處理元件3提供提示訊號至控制元件4，控制元件4控制使用者提醒元件5做動。在一實施例中，當輸出訊號S3小於0.925倍的輸入訊號S2時(亦即0.925*S2>S3)，處理元件3提供提示訊號至控制元件4，控制元件4控制使用者提醒元件5做動。在一實施例中，當輸出訊號S3小於0.95倍的輸入訊號S2時(亦即0.95*S2>S3)，處理元件3提供提示訊號S1至控制元件4，控制元件4控制使用者提醒元件5做動。本揭露不限於此。

上述設計的原因在於，第一區域7通常會從邊緣處開始往內部破裂，而當輸出訊號S3與輸入訊號S2相似度較低時，表示輸入訊號S2在通過導體結構8的過程中產生了許多損耗或者發生斷路的情形，亦代表第一區域7的邊緣7a~7d發生破裂的可能性很高，因此處理元件3可藉此判斷第一區域7是否發生破碎，而風險控制系統1可透過使用者提醒元件5提醒使用者。

藉此，當第一區域7剛開始破裂時(例如尚未破裂至內部電路區71時)，風險控制系統1可即時偵測並通知使用者，可大幅減少破裂的第一區域7被使用的風險，可提升使用交通運輸裝置的安全性。

此外，在一實施例中，處理元件3可在發光元件2開機時即提供輸入訊號S2至導體結構8，亦即風險控制系統1可在發光元件2開機時偵測第一區域7有無破裂。在一實施例中，處理元件3可週期性提供輸入訊號S2至導體結構8， 亦即風險控制系統1可週期性偵測第一區域7有無破裂。在一實施例中，當發光元件2為顯示裝置時，處理元件3可在顯示裝置更新畫面時提供輸入訊號2至導體結構8，亦即風險控制系統1可在顯示裝置更新畫面時偵測第一區域7有無破裂。本揭露不限於此。

藉此，風險控制系統1的運作方式已可被理解。

本揭露的第一區域7亦可具備不同實施態樣。圖4是本揭露另一實施例的第一區域7的細部示意圖，並請同時參考圖1至圖3。其中，圖4實施例的部分特徵可適用圖2實施例的說明，故以下主要針對差異處進行說明。

如圖4所示，本實施例的處理元件3設置於第一區域7中，例如可設置於內部電路區71。需注意的是，雖然處理元件3設置於內部電路區71，但處理元件3可與內部電路區71電性連接或未電性連接。此外，處理元件3可與導體結構8的兩端電性連接，以提供輸入訊號S2至導體結構8，以及從導體結構8接收輸出訊號S3。處理元件3與導體結構8之間可未設置導電墊9，但不限於此。

與圖2實施例相似，在圖4實施例中，由俯視方向(Z)觀之，導體結構8鄰近第一區域7的邊緣7a~7d，且圍繞內部電路區71。此外，第一區域7的邊緣7a~7d各自與導體結構8的最短距離亦可為第一距離W，其中第一距離W的細節可適用圖2實施例的說明，且不限於此。

本揭露的第一區域7亦可具備不同實施態樣。圖5是本揭露另一實施例的第一區域7的細部示意圖，並請同時參考圖1至圖3。其中，圖5實施例的部分特徵可適用圖2實施例的說明，故以下主要針對差異處進行說明。

如圖5所示，本實施例的第一區域7設置有多個導體結構，例如一第一導電結構81、一第二導電結構82、一第三導電結構83及一第四導電結構84。第一導電結構81設置於第一邊緣7a及內部電路區71之間，並鄰近第一邊緣7a。第二導電結構82設置於第二邊緣7b及內部電路區71之間，並鄰近第二邊緣7b。第 三導電結構83設置於第三邊緣7c及內部電路區71之間，並鄰近第三邊緣7c。第四導電結構84設置於第四邊緣7d及內部電路區71之間，並鄰近第四邊緣7d。

在一實施例中，在垂直於第一邊緣7a的一延伸方向(例如Y方向)上，第一邊緣7a與第一導電結構81之間具有第一距離W。在垂直於第二邊緣7b的一延伸方向(例如X方向)上，第二邊緣7b與第二導電結構82之間具有第一距離W。在垂直於第三邊緣7c的一延伸方向(例如Y方向)上，第三邊緣7c與第三導電結構83之間具有第一距離W。在垂直於第四邊緣7d的一延伸方向(例如X方向)上，第四邊緣7d與第四導電結構84之間具有第一距離W。其中第一距離W的細節可適用圖2實施例的說明，故不再詳述。

在一實施例中，第一導電結構81的一第一端81a及一第二端81b、第二導電結構82的一第一端82a及一第二端82b、第三導電結構83的一第一端83a及一第二端83b，以及第四導電結構84的一第一端84a及一第二端84b可分別透過導電墊9而與處理元件3的不同接腳電性連接；需注意的是，為使圖式清楚，圖5以第四導電結構84與處理元件3之間的電性連接做為代表，其它導電結構81、82、83與處理元件3之間的電性連接並未呈現。處理元件3可分別傳遞輸入訊號S2至第一導電結構81的第一端81a、第二導電結構82的第一端82a、第三導電結構83的第一端83a及第四導電結構84的第一端84a，並分別從第一導電結構81的第二端81b、第二導電結構82的第二端82b、第三導電結構83的第二端83b及第四導電結構84的第二端84b接收輸出訊號S3。

請同時參考圖3及圖5，在一實施例中，處理元件3可比較輸入訊號S2以及來自第一導電結構81的輸出訊號S3的相似度，並決定是否提供提示訊號S1至控制元件4。或者，處理元件3可比較輸入訊號S2以及來自第二導電結構82的輸出訊號S3的相似度，並決定是否提供提示訊號S1至控制元件4。或者，處理元件3可比較輸入訊號S2以及來自第三導電結構83的輸出訊號S3的相似度，並 決定是否提供提示訊號S1至控制元件4。或者，處理元件3可比較輸入訊號S2以及來自第四導電結構84的輸出訊號S3的相似度，並決定是否提供提示訊號S1至控制元件4。也就是說，只要上述任一組比對的相似度低於預設值(預設值可參考圖2實施例的說明)，表示邊緣7a~7d有破裂的可能性很高，因此處理元件3可立即提供提示訊號S1至控制元件4，進而讓使用者提醒元件5做動。

藉此，風險控制系統1可分區偵測各邊緣7a~7d是否有破裂。本揭露不限於此。

本揭露的第一區域7亦可具備不同實施態樣。圖6是本揭露另一實施例的第一區域7的細部示意圖，並請同時參考圖1至圖3及圖5。其中，圖6實施例的部分特徵可適用圖5實施例的說明，故以下主要針對差異處進行說明。

圖6實施例與圖5實施例的差異在於，圖6實施例的處理元件3設置於內部電路區71之中。搭配設置於內部電路區71中的處理元件3，第一導電結構81的第一端81a及第二端81b與處理元件3電性連接，且第一導電結構81配置成部分沿著第一邊緣7a延伸，且部分沿著第四邊緣7d延伸的迴路結構，其中在垂直於第一邊緣7a的延伸方向(例如Y方向)上，第一邊緣7a與第一導電結構81的最短距離為第一距離W。第二導電結構82的第一端82a及第二端82b與處理元件3電性連接，且第二導電結構82配置成部分沿著第二邊緣7b延伸，且部分沿著第三邊緣7c延伸的迴路結構，其中在垂直於第二邊緣7b的延伸方向(例如X方向)上，第二邊緣7b與第二導電結構82的最短距離為第一距離W。第三導電結構83的第一端83a及第二端83b與處理元件3電性連接，且第三導電結構83配置成部分沿著第三邊緣7c延伸，且部分沿著第四邊緣7d延伸的迴路結構，其中在垂直於第三邊緣7c的延伸方向(例如Y方向)上，第三邊緣7c與第三導電結構83的最短距離為第一距離W。第四導電結構84的第一端84a及第二端84b與處理元件3電性連接，且第四導電結構84配置成部分沿著第四邊緣7d延伸，且部分沿著第三邊緣7c延伸 的迴路結構，其中在垂直於第四邊緣7d的延伸方向(例如X方向)上，第四邊緣7d與第四導電結構84的最短距離為第一距離W。其中第一距離W的細節可適用圖5實施例的說明。

此外，處理元件3可分別根據各導電結構81~84的輸入訊號S2及輸出訊號S3來偵測各邊緣7a~7d是否有破裂，此部分的細節可參考圖5實施例的說明。本揭露不限於此。

藉此，可實現處理元件3分區偵測之設計。

接著說明處理元件3及控制元件4的配置方式。

圖7是本揭露一實施例的發光元件2、處理元件3、控制元件4及使用者提醒元件5的配置示意圖，並請同時參考圖1至圖6。需注意的是，圖7以圖5實施例的第一區域7做為舉例，而本領域技術人士可推知其它實施例搭配圖7實施例的情形。

如圖7所示，每個導體結構81~84(例如第三導電結構83)的二端(例如83a、83b)可分別透過導電墊9與處理元件3電性連接(為使圖式清楚，圖7以第三導電結構83與處理元件3之間的電性連接做為代表)，處理元件3根據輸入至各導體結構81~84的輸入訊號S2以及來自各導體結構81~84的輸出訊號S3決定是否提供提示訊號S1，當控制元件4接收提示訊號S1時，控制元件4可控制使用者提醒元件5進行做動。在本實施例中，處理元件3與控制元件4分開設置，但不限於此。

圖8是本揭露另一實施例的發光元件2、處理元件3、控制元件4及使用者提醒元件5的配置示意圖，並請同時參考圖1至圖7。需注意的是，圖8以圖5實施例的第一區域7做為舉例，而本領域技術人士可推知其它實施例搭配圖8實施例的情形。

圖8實施例與圖7實施例相似，兩者的差異在於在圖8實施例中，處理元件3整合至控制元件4整合，例如處理元件3設置於控制元件4之中，但不限於此。

接著說明第一區域7與導體結構8結構上的細節。

圖9A是本揭露一實施例的第一區域7及導體結構8的示意圖，並請同時參考圖1及圖2。圖9B是圖9A的第一區域7及導體結構8對應對應剖線A-A’、剖線B-B’及剖線C-C’的剖面圖。

如圖9A所示，由俯視方向(例如Z方向)觀之，一個導體結構8可包括多個金屬層，例如多個第一金屬層8A及多個第二金屬層8B。如圖9A所示，在俯視方向上，第一金屬層8A可與第二金屬層8B至少部分重疊，且兩者的重疊之處具有一接觸通孔(contact hole)10，接觸通孔10內可設置有導體，使得第一金屬層8A與第二金屬層8B電性連接。如圖9B所示，由剖面方向觀之，第一金屬層8A與第二金屬層8B在Z方向的反方向上具備不同高度，亦即位於第一區域7的不同層。

如圖9A及9B所示，由剖面方向觀之，第一區域7包括晶片基板73、一第一連接層74、一第一絕緣層75、一第二絕緣層76、一第三絕緣層78(例如一無機層)及一第二連接層77，其中在俯視方向上，第一連接層74設置於晶片基板73與第一絕緣層75之間，第一連接層74設置於晶片基板73與第三絕緣層78之間，第三絕緣層78設置於第一連接層74與第一絕緣層75之間，第一絕緣層75設置於一第三絕緣層78與第二絕緣層76之間，第二絕緣層76設置於第一絕緣層75與第二連接層77之間，且第二連接層77設置於第二絕緣層76與發光元件2的基板21之間。此外，由剖線A-A’形成的剖面觀之，第一金屬層8A設置於第二絕緣層76與第一絕緣層75之間。而由剖線B-B’形成的剖面觀之，第二金屬層8B設置於第三絕緣層78與第一絕緣層75之間。而由剖線C-C’形成的剖面觀之，第一金 屬層8A設置於第二絕緣層76與第一絕緣層75之間，第二金屬層8B設置於第三絕緣層78與第一絕緣層75之間，且第一金屬層8A與第二金屬層8B透過接觸通孔10內部設置的導體而電性連接。如圖9B所示，導體結構8可以是多層金屬層。需注意的是，在其它實施例中，導體結構8亦可以是單層金屬層。

在一實施例中，晶片基板73的材質可以是晶圓(wafer)，且不限於此。在另一實施例中，晶片基板73的材質亦可以是玻璃，且不限於此。

在一實施例中，第一區域7可透過異方性導電膠膜(anisotropic conductive film，ACF)技術或錫凸塊(solder bumping)技術設置於發光元件2的基板21上，且不限於此。

在一實施例中，第一連接層74及第二連接層77可分別包括一或多個金屬層及/或一或多個絕緣層，其中金屬層的材質可包括鋁、銅、鉬、鉬鎢組合物、鈦或錫，或者上述之任意組合，且不限於此。絕緣層的材質可包括氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al₂O₃)、聚醯亞胺、感光聚醯亞胺(photosensitive polyimide，PSPI)或增層材料(ajinomoto build-up film，ABF)等，且不限於此，並且可透過濺鍍(sputtering)、黃光蝕刻或雷射製程等方式製造，且不限於此。在一實施例中，第一連接層74及第二連接層77的金屬層可形成內部電路區71的一部分，但不限於此。

在一實施例中，第一絕緣層75及第二絕緣層76的材質可包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、聚醯亞胺、感光聚醯亞胺或增層材料(等，且不限於此，並且可透過濺鍍、黃光蝕刻或雷射製程等方式製造，且不限於此。

此外，請參考圖1及圖9B，在一實施例中，當發光元件2為顯示裝置時，其發光區A可包括閘極電極及資料電極，其中在Z方向上，第一金屬層8A或第二金屬層8B可與閘極電極或資料電極可位於不同層，亦即位於不同高度，但不限於此。

藉此，第一區域7與導體結構8結構特徵已可被理解。

此外，本揭露亦提供一種風險控制方法，可透過風險控制系統1執行。其中該方法包括步驟：提供發光元件2；提供與發光元件2電性連接的處理元件3，以輸出提示訊號S1；以及提供與處理元件3電性連接的使用者提醒元件5，並經由控制元件4接收提示訊號S1，以及根據提示訊號S1進行做動。上述步驟的細節可參考風險控制系統1的前述實施例的說明，故不再詳述。需注意的是，上述步驟只是舉例，只要合理，步驟之間的順序可依照需求調整，或者上述步驟可依照需求增減。藉此，風險控制方法已可被理解。

在一實施例中，本揭露至少可透過比對風險控制系統1中元件的有無及/或元件的配置方式做為物件是否落入專利保護範圍的舉證，且不限於此。此外，元件的觀察方式可使用光學顯微鏡(optical microscope，OM)或掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)來觀察元件，且不限於此。

藉此本揭露的風險控制系統可用於偵測交通運輸裝置的發光元件、基板或晶片基板是否破裂或異常，可解決現有技術的問題。或者，風險控制系統可即時通知使用者，避免破裂的元件被繼續使用。或者，透過本揭露的導體結構的配置，本揭露可在發光元件、基板、第一區域或晶片基板剛開始破裂時即偵測到破裂。

本揭露各實施例間的細節或特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。

上述實施例只是為了方便說明而舉例而已，本揭露所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非只限於上述實施例。

1:風險控制系統

2:發光元件

3:處理元件

4:控制元件

5:使用者提醒元件

6:系統控制端

7:第一區域

21:基板

A:發光區

B:非發光區

S1:提示訊號

Claims (8)

1. 一種用於交通運輸裝置的風險控制系統，包含：一發光元件；一處理元件，電性連接該發光元件，並輸出一提示訊號；一使用者提醒元件，電性連接該處理元件且接收該提示訊號；以及一晶片，電性連接該發光元件，其中該晶片包括：一晶片基板，具有一邊緣區域；一內部電路區；以及一導體結構，設置於該邊緣區域，其中該導體結構電性連接該處理元件；以及其中一部分的該導體結構介於晶片基板的一邊緣與該內部電路區之間，且在垂直於該邊緣的一延伸方向的一方向上，該邊緣與該導體結構具有一距離，其中該距離大於或等於1微米且小於或等於1毫米。
2. 如請求項1所述的風險控制系統，其中該內部電路區設置於該晶片基板，其中由一俯視方向(top view)觀之，該導體結構設置成圍繞該內部電路區。
3. 如請求項2所述的風險控制系統，其中該處理元件設置於該晶片基板。
4. 如請求項2所述的風險控制系統，其中該處理元件設置於該發光元件外部。
5. 如請求項2所述的風險控制系統，其中該導體結構包含一第一金屬層及一第二金屬層，且由一剖面方向觀之，該第一金屬層與該第二金屬層之間透過一接觸通孔進行電性連接。
6. 如請求項1所述的風險控制系統，其中該使用者提醒元件的類型包含喇叭、蜂鳴器、警報器或警示燈。
7. 如請求項1所述的風險控制系統，其中該處理元件根據一輸入訊號及一輸出訊號提供該提示訊號，其中當該輸出訊號大於或等於0.9倍的輸入訊號時，該使用者提醒元件不做動，當該輸出訊號小於0.9倍的輸入訊號時，該使用者提醒元件做動。
8. 一種用於交通運輸裝置的風險控制方法，包含步驟：提供一發光元件；提供與該發光元件電性連接的一處理元件，以輸出一提示訊號；提供與該處理元件電性連接的一使用者提醒元件，以接收該提示訊號；提供與該發光元件電性連接的一晶片，其中該晶片包括具有一邊緣區域的一晶片基板、一內部電路區以及設置於該邊緣區域的一導體結構，且該導體結構電性連接該處理元件；其中一部分的該導體結構介於晶片基板的一邊緣與該內部電路區之間，且在垂直於該邊緣的一延伸方向的一方向上，該邊緣與該導體結構具有一距離，其中該距離大於或等於1微米且小於或等於1毫米。

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