TWI815428B - 發光二極體顯示面板的製造方法 - Google Patents
發光二極體顯示面板的製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI815428B TWI815428B TW111116847A TW111116847A TWI815428B TW I815428 B TWI815428 B TW I815428B TW 111116847 A TW111116847 A TW 111116847A TW 111116847 A TW111116847 A TW 111116847A TW I815428 B TWI815428 B TW I815428B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- initial
- driving substrate
- light
- emitting diode
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 276
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 73
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims abstract description 22
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 23
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 13
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims description 7
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 139
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Abstract
一種發光二極體顯示面板的製造方法包括以下步驟。利用框膠,在真空環境下將初始驅動基板與初始保護基板結合在一起。之後,切割初始驅動基板與初始保護基板,以移除框膠、初始驅動基板的第一周邊部與初始保護基板的第二周邊部,並分別形成驅動基板與保護基板,其中第一周邊部與第二周邊部兩者內緣彼此不切齊。之後,令外界氣體充滿驅動基板與保護基板之間的負壓空間,並分開驅動基板與保護基板。之後,在驅動基板上形成多條連接走線。之後,裝設多個發光二極體於驅動基板的上表面。
Description
本發明是有關於一種顯示器的製造方法,且特別是有關於一種發光二極體(Light Emitting Diode,LED)顯示面板的製造方法。
現有發光二極體顯示面板通常包括玻璃基板、分別設置於玻璃基板相對兩側的兩層電路層以及裝設於其中一層電路層的多個發光二極體。一般而言,在發光二極體顯示面板的製造過程中,這兩層電路層的製作會先後進行而不同時進行。換句話說,在其中一層電路層尚未完成以前,另一層電路層不會開始製作。
在目前常見的製程中,當其中一層電路層完成之後,並且準備製作另一層電路層時,會先在做好的電路層上塗佈一層可剝膠,以保護製作完成的電路層免於在後續製程中損傷。待所有電路層完成之後,剝除可剝膠。之後,裝設多個發光二極體於其中一層電路層上。不過,由於可剝膠對電路層的保護效果相當有限,以至於現有發光二極體顯示面板的良率難以進一步提升。
本發明至少一實施例提出一種發光二極體顯示面板的製造方法,其利用負壓空間,讓初始驅動基板與初始保護基板結合在一起,以使初始保護基板能保護初始驅動基板,從而有助於提升良率。
本發明至少一實施例所提出的發光二極體顯示面板的製造方法包括利用框膠,在真空環境下將初始驅動基板與初始保護基板結合在一起,其中在初始驅動基板與初始保護基板結合在一起之後,框膠位於初始驅動基板與初始保護基板之間。初始驅動基板與初始保護基板之間形成負壓空間,而框膠圍繞負壓空間。之後,切割初始驅動基板與初始保護基板,以移除框膠、初始驅動基板的第一周邊部以及初始保護基板的第二周邊部,並分別形成驅動基板與保護基板,其中第一周邊部與第二周邊部兩者內緣彼此不切齊。在切割初始驅動基板與初始保護基板之後,令外界氣體充滿負壓空間。在外界氣體充滿負壓空間之後,分開驅動基板與保護基板。在分開驅動基板與保護基板之後,在驅動基板上形成多條連接走線,其中驅動基板具有上表面、下表面以及位於上表面與下表面之間的第一側面。這些連接走線形成於上表面、第一側面與下表面上。之後,裝設多個發光二極體於驅動基板的上表面,其中這些發光二極體電性連接這些連接走線。
在本發明至少一實施例中,令外界氣體充滿負壓空間的步驟包括令靜電消除風扇提供去離子氣流至負壓空間內。
在本發明至少一實施例中,上述製造方法還包括在真空環境下將初始驅動基板與初始保護基板結合在一起之前,在初始驅動基板與初始保護基板其中至少一者上形成框膠與多個間隔件,其中框膠圍繞這些間隔件。
在本發明至少一實施例中,上述製造方法更包括在驅動基板上形成這些連接走線之後,裝設電連接器於驅動基板的下表面。
在本發明至少一實施例中,上述製造方法更包括在驅動基板上形成覆蓋層,其中覆蓋層形成於上表面、第一側面與下表面上,並覆蓋這些連接走線。
在本發明至少一實施例中,上述製造方法更包括在切割初始驅動基板與初始保護基板之前,在初始驅動基板上形成電路層,其中電路層位於負壓空間外。
在本發明至少一實施例中,上述製造方法更包括在初始驅動基板上形成電路層之前,翻轉結合在一起的初始驅動基板與初始保護基板。
在本發明至少一實施例中,在切割初始驅動基板與初始保護基板之後,保護基板凸出於驅動基板的第一側面。
在本發明至少一實施例中,在切割初始驅動基板與初始保護基板之後,驅動基板凸出於保護基板的第二側面。
在本發明至少一實施例中,上述保護基板具有第二側面,而第一側面與第二側面之間的相鄰距離大於或等於1公厘。
在本發明至少一實施例中,上述初始驅動基板包括支撐基板以及畫素電路層。畫素電路層設置於支撐基板上,其中在形成負壓空間之後,負壓空間位於畫素電路層與初始保護基板之間。
綜上所述,利用上述負壓空間,初始保護基板能穩固地貼附在初始驅動基板上,以保護畫素電路層避免刮傷以及免於後續製程的損傷,從而提升發光二極體顯示面板的良率。
在以下的內文中,為了清楚呈現本案的技術特徵,圖式中的元件(例如層、膜、基板以及區域等)的尺寸(例如長度、寬度、厚度與深度)會以不等比例的方式放大。因此,下文實施例的說明與解釋不受限於圖式中的元件所呈現的尺寸與形狀,而應涵蓋如實際製程及/或公差所導致的尺寸、形狀以及兩者的偏差。例如,圖式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非線性的特徵,而圖式所示的銳角可以是圓的。所以,本案圖式所呈示的元件主要是用於示意,並非旨在精準地描繪出元件的實際形狀,也非用於限制本案的申請專利範圍。
其次,本案內容中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字不僅涵蓋明確記載的數值與數值範圍,而且也涵蓋發明所屬技術領域中具有通常知識者所能理解的可允許偏差範圍,其中此偏差範圍可由測量時所產生的誤差來決定,而此誤差例如是起因於測量系統或製程條件兩者的限制。舉例而言,兩物件(例如基板的平面或走線)「實質上平行」或「實質上垂直」,其中「實質上平行」與「實質上垂直」分別代表這兩物件之間的平行與垂直可包括允許偏差範圍所導致的不平行與不垂直。
此外,「約」可表示在上述數值的一個或多個標準偏差內,例如±30%、±20%、±10%或±5%內。本案文中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字可依光學性質、蝕刻性質、機械性質或其他性質來選擇可以接受的偏差範圍或標準偏差,並非單以一個標準偏差來套用以上光學性質、蝕刻性質、機械性質以及其他性質等所有性質。
圖1A至圖1M是本發明至少一實施例的發光二極體顯示面板的製造方法示意圖。請參閱圖1A與圖1B,首先,提供初始驅動基板100,其中圖1A繪示初始驅動基板100的俯視示意圖,而圖1B繪示圖1A中沿線1B-1B剖面的剖面示意圖。
初始驅動基板100包括支撐基板109與畫素電路層101,而畫素電路層101設置於支撐基板109上。支撐基板109具有第一表面109a與第二表面109b,其中第一表面109a相對於第二表面109b,而畫素電路層101設置於第一表面109a上。此外,支撐基板109可以是剛性基板,例如玻璃基板或陶瓷基板。
畫素電路層101可包括多層膜層(未繪示),例如多層導電圖案層、多層絕緣層與半導體圖案層。半導體圖案層可由矽所製成,而導電圖案層可由金屬或透明導電材料所製成,其中透明導電材料可以是金屬氧化物,例如氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)。這些膜層的形成方法可以包括沉積與光刻(photolithography),其中前述沉積可以是物理氣相沉積(Physical vapor deposition,PVD)。
這些導電圖案層、這些絕緣層與半導體圖案層在第一表面109a上彼此堆疊,並可形成多個控制元件,其中這些控制元件可以是電晶體,例如薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)。初始驅動基板100還可包括多個導電層103與絕緣保護層102,其中這些導電層103與絕緣保護層102皆設置在畫素電路層101上,且這些導電層103電性連接畫素電路層101中的這些控制元件。
絕緣保護層102覆蓋這些導電層103,並且具有多個開口102a與102b,其中這些開口102a與102b讓這些導電層103裸露出來。換句話說,絕緣保護層102局部覆蓋這些導電層103,其中絕緣保護層102不覆蓋位於開口102a與102b內的導電層103。由於絕緣保護層102覆蓋這些導電層103,因此導電層103可以被夾置在畫素電路層101與部分絕緣保護層102 之間。
之後,在初始驅動基板100上形成框膠191與多個間隔件192,其中框膠191圍繞這些間隔件192。這些間隔件192可以是顯影後的光阻,所以形成這些間隔件192的方法可包括光阻塗佈、曝光與顯影。此外,框膠191可以在這些間隔件192形成之後才開始形成。
須說明的是,圖1A描繪框膠191與這些間隔件192,但省略繪示畫素電路層101、絕緣保護層102以及這些導電層103,以清楚呈現框膠191與這些間隔件192。另外,圖1B僅繪示初始驅動基板100的部分剖面結構,其中在圖1B中,虛框內的一對曲線代表省略線,以表示被省略繪示的初始驅動基板100之其他部分,所以這對曲線並不是代表孔洞。
請參閱圖1C與圖1D,之後,利用框膠191,在真空環境181下將初始驅動基板100與初始保護基板120結合在一起。在初始驅動基板100與初始保護基板120結合在一起之後,框膠191會位於初始驅動基板100與初始保護基板120之間,並且黏合初始驅動基板100以及初始保護基板120。
在圖1C與圖1D所示的實施例中,真空環境181可以形成於腔體(chamber)180內,而結合初始驅動基板100與初始保護基板120的流程可在腔體180內的真空環境181下進行,其中腔體180可以是滴下式液晶注入法(One Drop Filling,ODF)適用的真空腔體。
由於初始驅動基板100與初始保護基板120是在真空環境181下結合,因此初始驅動基板100以及初始保護基板120之間會形成負壓空間V1,其中框膠191圍繞負壓空間V1,而負壓空間V1會位於畫素電路層101與初始保護基板120之間。
值得一提的是,在本實施例中,框膠191與這些間隔件192皆形成在初始驅動基板100上。不過,在其他實施例中,框膠191與這些間隔件192也可以形成在初始保護基板120上。或者,框膠191與間隔件192分別形成於初始驅動基板100上與初始保護基板120上。例如,框膠191形成於初始保護基板120上,而這些間隔件192形成於初始驅動基板100上。因此,在真空環境181下將初始驅動基板100與初始保護基板120結合在一起之前,可以在初始驅動基板100與初始保護基板120其中至少一者上形成框膠191與這些間隔件192。
請參閱圖1E至圖1G,在將初始驅動基板100與初始保護基板120結合在一起之後,可以在初始驅動基板100上形成電路層111與絕緣保護層112,如圖1G所示。此外,在初始驅動基板100上形成電路層111與絕緣保護層112之前,可以翻轉結合在一起的初始驅動基板100與初始保護基板120,以使支撐基板109的第二表面109b朝上,如圖1E與圖1F所示。
請參閱圖1G,電路層111與絕緣保護層112皆形成於第二表面109b上,其中絕緣保護層112覆蓋電路層111,並具有多個開口112a與112b。在開口112a與112b中,絕緣保護層112沒有覆蓋電路層111,以使絕緣保護層112局部覆蓋電路層111,而電路層111可以被夾置在支撐基板109與部分絕緣保護層112 之間。
在形成絕緣保護層112與電路層111之後,可以在開口112a內形成導電層113,其中導電層113可以覆蓋位於開口112a內的部分電路層111,並且能直接接觸電路層111,以使導電層113能電性連接電路層111。此外,電路層111與絕緣保護層112皆位於負壓空間V1外,其中電路層111與畫素電路層101分別位於支撐基板109的相對兩側。
負壓空間V1能造成壓力差,而此壓力差與框膠191能使初始保護基板120穩固地貼附在初始驅動基板100上。因此,當翻轉結合在一起的初始驅動基板100與初始保護基板120時,負壓空間V1能使初始保護基板120與初始驅動基板100難以分離,讓具剛性特質的初始保護基板120保護鄰近負壓空間V1的畫素電路層101,以避免畫素電路層101暴露出來而容易遭到刮傷的風險。
由於負壓空間V1能使初始保護基板120與初始驅動基板100難以分離,因此在形成絕緣保護層112與電路層111的過程中,初始保護基板120能保護畫素電路層101免於在形成絕緣保護層112與電路層111的過程中損傷。例如,形成電路層111的方法包括蝕刻,而初始保護基板120能保護畫素電路層101免於被蝕刻藥液腐蝕。
由此可知,透過負壓空間V1與框膠191而穩固地貼附在初始驅動基板100上的初始保護基板120能保護畫素電路層101避免刮傷以及免於後續製程的損傷。相較於現有常用的可剝膠,初始保護基板120更能有效保護初始驅動基板100,以提升發光二極體顯示面板的良率。
請參閱圖1H與圖1I,之後,切割初始驅動基板100與初始保護基板120,以移除框膠191、部分初始驅動基板100以及部分初始保護基板120,從而分別形成驅動基板10與保護基板121。具體而言,初始驅動基板100具有驅動基板10與第一周邊部11,其中第一周邊部11圍繞驅動基板10。初始保護基板120具有保護基板121,其中第二周邊部122圍繞保護基板121。
第一周邊部11內不具有任何電路,其中第一周邊部11中的畫素電路層101可只包括絕緣層,不包括導電圖案層與半導體圖案層。在切割初始驅動基板100與初始保護基板120之後,不僅框膠191被移除,而且第一周邊部11與第二周邊部122也被移除。由於第一周邊部11內不具有任何電路,因此即使第一周邊部11被移除,在正常情況下,保留下來的驅動基板10的功能不受影響。
特別說明的是,由於驅動基板10是移除第一周邊部11而形成,因此驅動基板10實質上包括畫素電路層101、絕緣保護層102、這些導電層103以及支撐基板109。此外,驅動基板10還可包括電路層111、絕緣保護層112、導電層113與至少一個間隔件192,如圖1I所示。
在切割初始驅動基板100與初始保護基板120之後,第一周邊部11的內緣11e與第二周邊部122的內緣122e彼此不切齊。換句話說,在切割初始驅動基板100與初始保護基板120的過程中,單一刀具193不會一次切割初始驅動基板100與初始保護基板120。例如,刀具193可以先切割初始驅動基板100。之後,刀具193再切割初始保護基板120。
驅動基板10具有第一側面10s,而保護基板121具有第二側面121s,如圖1I所示。第一側面10s與第二側面121s是在切割初始驅動基板100與初始保護基板120之後而形成,其中第一側面10s對應第一周邊部11的內緣11e,而第二側面121s對應第二周邊部122的內緣122e。
第一周邊部11的內緣11e與第二周邊部122內緣122e彼此不切齊,所以第一側面10s與第二側面121s也彼此不切齊。以圖1I為例,驅動基板10可以凸出於保護基板121的第二側面121s。此外,第一側面10s與第二側面121s之間的相鄰距離G12可以大於或等於1公厘,而相鄰距離G12等於驅動基板10凸出於第二側面121s的長度,如圖1I所示。
特別說明的是,在移除第一周邊部11與第二周邊部122之後,負壓空間V1基本上仍存在驅動基板10與保護基板121之間。所以,即使沒有框膠191,負壓空間V1仍可以造成壓力差,而此壓力差依然能使保護基板121貼附在驅動基板10上。因此,雖然圖1I描繪彼此分開的保護基板121與驅動基板10,但在實際情況中,受到負壓空間V1的影響,此時的保護基板121與驅動基板10仍結合在一起而未分離。
請參閱圖1J,在切割初始驅動基板100與初始保護基板120之後,令外界氣體充滿負壓空間V1,其中外界氣體可以包括去離子氣流171,而靜電消除風扇170可提供去離子氣流171至負壓空間V1內。當靜電消除風扇170產生去離子氣流171時,由於驅動基板10凸出於保護基板121的第二側面121s,因而有利於分開驅動基板10與保護基板121兩者的側邊(即第一側面10s以及第二側面121s)。例如,工作人員可以利用驅動基板10凸出於第二側面121s的部分,徒手扳開或頂住接腳(pin)頂開彼此結合的驅動基板10與保護基板121,以使靜電消除風扇170能提供去離子氣流171至負壓空間V1內。
當去離子氣流171進入負壓空間V1內時,去離子氣流171能中和驅動基板10內的靜電。在實際情況中,在去離子氣流171進入負壓空間V1之後,利用靜電量測儀所量測的驅動基板10之靜電值可低於100伏特。如此,去離子氣流171能有助於降低或防止畫素電路層101遭到靜電破壞的風險。
由於外界氣體(包括去離子氣流171)充滿負壓空間V1,所以外界氣體能消除負壓空間V1造成的壓力差,即外界氣體實質上能消除負壓空間V1。因此,在失去負壓空間V1的影響之下,保護基板121無法貼附在驅動基板10上,以分開保護基板121以及驅動基板10,從而移除保護基板121。
請參閱圖1K與圖1L,其中圖1K繪示驅動基板10的俯視示意圖,而圖1L繪示圖1K中沿線1L-1L剖面而繪製的剖面示意圖。在分開驅動基板10與保護基板121之後,即移除保護基板121之後,在驅動基板10上形成多條連接走線131,其中這些連接走線131的形成方法可包括沉積與光刻,其中前述沉積可以是物理氣相沉積。
驅動基板10還具有上表面10u與下表面10d,其中第一側面10s位於上表面10u與下表面10d之間的。這些連接走線131形成於上表面10u、第一側面10s與下表面10d上,其中這些連接走線131可以從上表面10u沿著第一側面10s延伸至下表面10d。這些連接走線131可覆蓋絕緣保護層102與112,並延伸至開口102b與112b中,以使連接走線131能經由開口102b與112b而連接導電層103與電路層111。如此,連接走線131能將導電層103與電路層111電性連接。
之後,可以在驅動基板10上形成覆蓋層132,其中覆蓋層132形成於上表面10u、第一側面10s與下表面10d上,並覆蓋這些連接走線131,以保護這些連接走線131。覆蓋層132可為絕緣層,所以覆蓋層132不電性連接這些連接走線131,以避免這些連接走線131短路。
須說明的是,圖1K描繪間隔件192、這些連接走線131以及覆蓋層132,但省略繪示畫素電路層101、絕緣保護層102以及這些導電層103,以清楚呈現覆蓋層132、這些間隔件192與這些連接走線131。此外,從圖1K可以得知,這些連接走線131與一些間隔件192交錯排列,其中相鄰兩個間隔件192之間可以設置一條連接走線131,如圖1K所示。
請參閱圖1M,之後,裝設多個發光二極體140(圖1M僅繪示一個)於驅動基板10的上表面10u,以使這些發光二極體140電性連接這些導電層103與畫素電路層101,其中這些導電層103可分別電性連接發光二極體140的陽極與陰極。由於這些導電層103電性連接畫素電路層101中的這些控制元件,例如薄膜電晶體(TFT),因此透過這些導電層103,畫素電路層101中的這些控制元件能電性連接這些發光二極體140,以使這些控制元件能控制這些發光二極體140發光。
這些發光二極體140至少一者可利用多個連接件141來電性連接導電層103,其中連接件141可以是焊料或銦塊。在尺寸方面,發光二極體140可以是微型發光二極體(micro LED)或次毫米發光二極體(mini LED)。由於連接走線131能將導電層103與電路層111電性連接,因此這些發光二極體140能透過導電層103與畫素電路層101而電性連接於這些連接走線131,並透過連接走線131而電性連接於電路層111與導電層113。
在驅動基板10上形成這些連接走線131之後,可以裝設電連接器150於驅動基板10的下表面10d,以使電連接器150電性連接電路層111,其中電連接器150可透過導電材料151而電性連接導電層113,並且透過導電層113而電性連接電路層111。至此,發光二極體顯示面板300基本上已製造完成。
導電材料151可以是異方向性導電膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)。電連接器150可以是電路板組成(circuit board assembly)。例如,電連接器150可以包括軟性電路板(Flexible Printed Circuit,FPC)以及裝設於軟性電路板上的驅動晶片(未繪示)。
由於這些發光二極體140能透過連接走線131而電性連接於電路層111與導電層113,因此電連接器150能經由導電層113、電路層111、連接走線131與畫素電路層101而電性連接這些發光二極體140。如此,電連接器150的驅動晶片能輸入電信號至畫素電路層101,以使畫素電路層101內的這些控制元件能控制這些發光二極體140發光,以使發光二極體顯示面板300顯示影像。
圖2A與圖2B是本發明另一實施例的發光二極體顯示面板的製造方法示意圖。請參閱圖2A與圖2B,本實施例的製造方法與前述實施例的製造方法相似,因此兩者相同特徵與功效原則上不再重複敘述。以下主要敘述兩者差異,其中圖2A與圖2B僅繪示本實施例與前述實施例之間差異。
在初始驅動基板100與初始保護基板120結合在一起,並形成電路層111、絕緣保護層112與導電層113之後,切割初始驅動基板100與初始保護基板120,以移除框膠191、初始驅動基板100的第一周邊部21以及初始保護基板120的第二周邊部124,從而分別形成驅動基板20與保護基板123。
第一周邊部21內不具有任何電路,而第一周邊部21中的畫素電路層101可以只包括絕緣層,不包括導電圖案層與半導體圖案層。第一周邊部21的內緣21e與第二周邊部124的內緣124e彼此不切齊。因此,在移除第一周邊部21與第二周邊部124之後,驅動基板10具有第一側面20s,而保護基板123具有第二側面123s,其中第一側面20s與第二側面123s也彼此不切齊。
有別於前述實施例中的第一周邊部11與第二周邊部124,在本實施例中,保護基板123凸出於驅動基板20的第一側面20s,其中第一側面20s與第二側面123s之間的相鄰距離G22可以大於或等於1公厘,而相鄰距離G22等於保護基板123凸出於第一側面20s的長度,如圖2B所示。之後,可進行如圖1I至圖1M所揭露的步驟,從而完成發光二極體顯示面板。
綜上所述,利用上述負壓空間與框膠,初始保護基板能穩固地貼附在初始驅動基板上,以保護畫素電路層避免刮傷以及免於後續製程的損傷。相較於現有常用的可剝膠,本發明至少一實施例所揭露的製造方法更有效保護初始驅動基板,以提升發光二極體顯示面板的良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明精神和範圍內,當可作些許更動與潤飾,因此本發明保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20:驅動基板
10d:下表面
10s、20s:第一側面
10u:上表面
11、21:第一周邊部
11e、21e、122e、124e:內緣
100:初始驅動基板
101:畫素電路層
102、112:絕緣保護層
102a、102b、112a、112b:開口
103、113:導電層
109:支撐基板
109a:第一表面
109b:第二表面
111:電路層
120:初始保護基板
121、123:保護基板
121s、123s:第二側面
122、124:第二周邊部
131:連接走線
132:覆蓋層
140:發光二極體
141:連接件
150:電連接器
151:導電材料
170:靜電消除風扇
171:去離子氣流
180:腔體
181:真空環境
191:框膠
192:間隔件
193:刀具
300:發光二極體顯示面板
G12、G22:相鄰距離
V1:負壓空間
圖1A至圖1M是本發明至少一實施例的發光二極體顯示面板的製造方法示意圖。
圖2A與圖2B是本發明另一實施例的發光二極體顯示面板的製造方法示意圖。
10:驅動基板
101:畫素電路層
102:絕緣保護層
103、113:導電層
109:支撐基板
111:電路層
112:絕緣保護層
121:保護基板
170:靜電消除風扇
171:去離子氣流
192:間隔件
V1:負壓空間
Claims (11)
- 一種發光二極體顯示面板的製造方法,包括: 利用一框膠,在一真空環境下將一初始驅動基板與一初始保護基板結合在一起,其中在該初始驅動基板與該初始保護基板結合在一起之後,該框膠位於該初始驅動基板與該初始保護基板之間,該初始驅動基板與該初始保護基板之間形成一負壓空間,而該框膠圍繞該負壓空間; 切割該初始驅動基板與該初始保護基板,以移除該框膠、該初始驅動基板的一第一周邊部以及該初始保護基板的一第二周邊部,並分別形成一驅動基板與一保護基板,其中該第一周邊部與該第二周邊部兩者內緣彼此不切齊; 在切割該初始驅動基板與該初始保護基板之後,令一外界氣體充滿該負壓空間; 在該外界氣體充滿該負壓空間之後,分開該驅動基板與該保護基板; 在分開該驅動基板與該保護基板之後,在該驅動基板上形成多條連接走線,其中該驅動基板具有一上表面、一下表面以及一位於該上表面與該下表面之間的一第一側面,該些連接走線形成於該上表面、該第一側面與該下表面上;以及 裝設多個發光二極體於該驅動基板的該上表面,其中該些發光二極體電性連接該些連接走線。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板的製造方法,其中令該外界氣體充滿該負壓空間的步驟包括: 令一靜電消除風扇提供一去離子氣流至該負壓空間內。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板的製造方法,還包括: 在該真空環境下將該初始驅動基板與該初始保護基板結合在一起之前,在該初始驅動基板與該初始保護基板其中至少一者上形成該框膠與多個間隔件,其中該框膠圍繞該些間隔件。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板的製造方法,更包括: 在該驅動基板上形成該些連接走線之後,裝設一電連接器於該驅動基板的該下表面。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板的製造方法,更包括: 在該驅動基板上形成一覆蓋層,其中該覆蓋層形成於該上表面、該第一側面與該下表面上,並覆蓋該些連接走線。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板的製造方法,更包括: 在切割該初始驅動基板與該初始保護基板之前,在該初始驅動基板上形成一電路層,其中該電路層位於該負壓空間外。
- 如請求項6所述之發光二極體顯示面板的製造方法,更包括: 在該初始驅動基板上形成該電路層之前,翻轉結合在一起的該初始驅動基板與該初始保護基板。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板的製造方法,其中在切割該初始驅動基板與該初始保護基板之後,該保護基板凸出於該驅動基板的該第一側面。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板的製造方法,其中在切割該初始驅動基板與該初始保護基板之後,該驅動基板凸出於該保護基板的一第二側面。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板的製造方法,其中該保護基板具有一第二側面,該第一側面與該第二側面之間的相鄰距離大於或等於1公厘。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板的製造方法,其中該初始驅動基板包括: 一支撐基板;以及 一畫素電路層,設置於該支撐基板上,其中在形成該負壓空間之後,該負壓空間位於該畫素電路層與該初始保護基板之間。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW111116847A TWI815428B (zh) | 2022-05-04 | 2022-05-04 | 發光二極體顯示面板的製造方法 |
CN202211226859.5A CN115528060A (zh) | 2022-05-04 | 2022-10-09 | 发光二极管显示面板的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW111116847A TWI815428B (zh) | 2022-05-04 | 2022-05-04 | 發光二極體顯示面板的製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI815428B true TWI815428B (zh) | 2023-09-11 |
TW202345129A TW202345129A (zh) | 2023-11-16 |
Family
ID=84701325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111116847A TWI815428B (zh) | 2022-05-04 | 2022-05-04 | 發光二極體顯示面板的製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115528060A (zh) |
TW (1) | TWI815428B (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070091062A1 (en) * | 2003-11-21 | 2007-04-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates |
CN100489920C (zh) * | 2002-10-10 | 2009-05-20 | 巴科股份有限公司 | 发光显示器装置 |
CN102358609A (zh) * | 2004-09-27 | 2012-02-22 | 高通Mems科技公司 | 用于具有集成型干燥剂的显示装置的系统和方法 |
US20170287410A1 (en) * | 2016-04-04 | 2017-10-05 | Siu Wai Ho | Modular Electrofluidic Display Device |
US20200006447A1 (en) * | 2011-11-29 | 2020-01-02 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
CN113380776A (zh) * | 2021-05-06 | 2021-09-10 | 杭州美卡乐光电有限公司 | Led显示模组的制造方法 |
-
2022
- 2022-05-04 TW TW111116847A patent/TWI815428B/zh active
- 2022-10-09 CN CN202211226859.5A patent/CN115528060A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100489920C (zh) * | 2002-10-10 | 2009-05-20 | 巴科股份有限公司 | 发光显示器装置 |
US20070091062A1 (en) * | 2003-11-21 | 2007-04-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates |
CN102358609A (zh) * | 2004-09-27 | 2012-02-22 | 高通Mems科技公司 | 用于具有集成型干燥剂的显示装置的系统和方法 |
US20200006447A1 (en) * | 2011-11-29 | 2020-01-02 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
US20170287410A1 (en) * | 2016-04-04 | 2017-10-05 | Siu Wai Ho | Modular Electrofluidic Display Device |
CN113380776A (zh) * | 2021-05-06 | 2021-09-10 | 杭州美卡乐光电有限公司 | Led显示模组的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202345129A (zh) | 2023-11-16 |
CN115528060A (zh) | 2022-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI677125B (zh) | 無邊框顯示裝置、無邊框顯示面板及其製造方法 | |
US11699707B2 (en) | Array substrate, display panel and manufacturing method thereof | |
CN109962095B (zh) | 无边框显示装置、无边框显示面板及其制造方法 | |
JP5345303B2 (ja) | 表示装置とその製造方法 | |
CN101178490B (zh) | 电光装置的制造方法 | |
US9329422B2 (en) | Lamination substrate and manufacturing method of the same | |
JP5407649B2 (ja) | 電気光学装置およびその製造方法、電子機器 | |
CN108333819B (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
TWI815428B (zh) | 發光二極體顯示面板的製造方法 | |
JP2010107935A (ja) | 平板表示装置及びその製造方法 | |
JP2011040268A (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 | |
US20220336426A1 (en) | Driving substrate, light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP4207815B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 | |
US7704795B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
US20240145453A1 (en) | Display panel and display device | |
CN114093902A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
TWI790627B (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
KR20200024550A (ko) | 곡면형 디스플레이의 제조방법 | |
WO2021174488A1 (zh) | 一种显示背板及其制备方法、显示母板和显示面板 | |
KR20200024523A (ko) | 곡면형 디스플레이의 제조방법 | |
US11643362B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
US20230246142A1 (en) | Package structure and manufacturing method thereof | |
WO2024011646A1 (zh) | 显示面板、显示装置、拼接显示装置 | |
US20210319726A1 (en) | Stretchable display panel, preparation method thereof, and stretchable electronic device | |
JP2009069731A (ja) | 電気光学装置の製造方法 |