TWI812642B - 用以控制一基材上之一陶瓷層的一厚度的方法及處理系統及應用其之卷對卷系統 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 257
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 167
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 42
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 46
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 44
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910001848 post-transition metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 203
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 24
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 8
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000012983 electrochemical energy storage Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 230000034408 response to ionizing radiation Effects 0.000 description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000625 lithium cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- BFZPBUKRYWOWDV-UHFFFAOYSA-N lithium;oxido(oxo)cobalt Chemical compound [Li+].[O-][Co]=O BFZPBUKRYWOWDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- PYSRRFNXTXNWCD-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylethenyl)furan-2,5-dione Chemical compound O=C1OC(=O)C(C=CC=2C=CC=CC=2)=C1 PYSRRFNXTXNWCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRDJTSOMGCYWFZ-UHFFFAOYSA-N C(=CC1=CC=CC=C1)C=CC#N.C(=CC1=CC=CC=C1)C=CC#N Chemical compound C(=CC1=CC=CC=C1)C=CC#N.C(=CC1=CC=CC=C1)C=CC#N MRDJTSOMGCYWFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910014689 LiMnO Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 229920000147 Styrene maleic anhydride Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002102 lithium manganese oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VLXXBCXTUVRROQ-UHFFFAOYSA-N lithium;oxido-oxo-(oxomanganiooxy)manganese Chemical compound [Li+].[O-][Mn](=O)O[Mn]=O VLXXBCXTUVRROQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920005569 poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920013636 polyphenyl ether polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920000131 polyvinylidene Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000002459 porosimetry Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M50/00—Constructional details or processes of manufacture of the non-active parts of electrochemical cells other than fuel cells, e.g. hybrid cells
- H01M50/40—Separators; Membranes; Diaphragms; Spacing elements inside cells
- H01M50/409—Separators, membranes or diaphragms characterised by the material
- H01M50/449—Separators, membranes or diaphragms characterised by the material having a layered structure
- H01M50/457—Separators, membranes or diaphragms characterised by the material having a layered structure comprising three or more layers
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Abstract
一種用以控制一基材上之一陶瓷層的一厚度的方法，包括提供具有一前側及一背側之基材，基材塗佈有陶瓷層於前側及背側之至少一者上；使陶瓷層之至少一第一位置處於離子化輻射；偵測回應於離子化輻射之在陶瓷層之此至少一第一位置釋放之一射出物；及基於偵測之射出物，評估於此至少一第一位置之陶瓷層之厚度。
Description
本揭露之數個實施例是有關於一種用以控制一基材上之一陶瓷層的一厚度的方法及處理系統。本揭露之數個實施例更特別有關於一種離子化輻射方法及離子化輻射系統，用以控制沈積於一基材上之一陶瓷層的厚度。本揭露之數個實施例特別是有關於一種方法及一種處理系統，用以製造例如是數個電池、數個燃料電池及數個蓄電池(accumulator)之數個電化學能儲存裝置之一元件，更特別是選自由隔離件(separator)、電解質、陰極及陽極所組成之群組的至少一元件。
用以沈積在基材上之陶瓷層的技術包括舉例為印刷沈積、濺射沈積、熱蒸發、及化學氣相沈積。濺射沈積製程可使用以沈積材料層於基材上，例如是導電材料或絕緣材料層。陶瓷塗佈的材料可使用於數種應用中及數種技術領域中。舉例來說，
一種應用係在電化學能儲存器之領域中，例如是電池、燃料電池裝置及蓄電池。此外，用於隔離件之基材時常藉由物理氣相沈積(physical vapor deposition，PVD)、或化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)陶瓷塗佈。物理氣相沈積舉例為濺射沈積製程。再者，數種應用包括陰極、陽極、電解質及類似者。
基材上之陶瓷層的厚度可亦理解為基材上之陶瓷層的均勻性。厚度往往可能在基材之長度上變化。此厚度變化可能容易受到不同的參數影響，例如是沈積率、從一模組至另一者導引基材的速度、反應氣體之氣流的總量及/或定向、或供應之蒸發及/或電漿功率或類似者。
為了控制沈積於基材上之陶瓷層的均勻性，數種一般技術可應用，例如是紫外線技術、感應電流技術、或光學技術。此些技術係決定於基材及陶瓷層之本質(nature)及/或性質，及可能無法一概而論。舉例來說，此些技術可能無法適用於塗佈有高度透明之陶瓷層的非透明及/或非反射之基材。
有鑑於上述，克服在此技術領域中至少一些問題的數種方法及數種系統係有利的。本揭露特別是著重於提供用以控制一基材上之一陶瓷層的一厚度之數種方法及數種系統，特別是提供用以製造一光化學裝置之至少一元件的數種真空處理系統及數種真空處理方法，而克服此技術領域中至少一些問題。
有鑑於上述，提出一種用以控制一基材上之一陶瓷層的一厚度的方法及處理系統。再者，提出一種用以製造一電化學裝置之一元件的真空處理系統及真空處理方法。本揭露之其他方面、優點、及特徵係透過申請專利範圍、說明、及所附的圖式更為清楚。
根據本揭露之一方面，提出一種用以控制一基材上之一陶瓷層的一厚度的方法。此方法包括提供基材，基材具有一前側及一背側。此外，基材塗佈有陶瓷層於前側及背側之至少一者上。此方法更包括使陶瓷層之至少一第一位置處於離子化輻射。此外，此方法包括偵測回應於離子化輻射之陶瓷層之此至少一第一位置釋放的一射出物。此方法更包括基於偵測之射出物，評估在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度。
根據本揭露之其他方面，此方法包括使陶瓷層之至少一第二位置處於離子化輻射。此外，此至少一第二位置不同於此至少一第一位置。再者，此方法包括偵測回應於離子化輻射之在陶瓷層之此至少一第二位置釋放之一射出物。此方法更包括基於偵測之射出物，評估在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度。
根據本揭露之其他方面，此方法包括比較在第一位置的厚度及在第二位置的厚度。此方法更包括比較在第一位置之陶瓷層的厚度及在第二位置之陶瓷層的厚度。此外，此方法包括調整在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度成為在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度。
根據本揭露之另一方面，提出一種用以控制一基材上之一陶瓷層的一厚度的處理系統。處理系統包括至少一輻射單元，裝配以朝向陶瓷層之至少一第一位置射出離子化輻射。處理系統更包括至少一第一感測器，配置在此至少一輻射單元中之一第一位置。此外，此至少一第一感測器裝配，以偵測回應於離子化輻射之在陶瓷層之第一位置釋放之一射出物。處理系統更包括至少一控制器，裝配以基於偵測之射出物，評估在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度。
根據本揭露之其他方面，處理系統包括至少一輻射單元，更裝配以朝向陶瓷層之至少一第二位置射出離子化輻射。處理系統更包括至少一第二感測器，配置在此至少一輻射單元中之一第二位置。此外，此至少一第二感測器裝配，以偵測回應於離子化輻射之在陶瓷層之第二位置釋放之一射出物。處理系統包括至少一控制器，更裝配以基於偵測之射出物，評估在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度。
根據本揭露之其他方面，處理系統包括至少一控制器，裝配以比較在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度與在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度。此外，此至少一控制器係裝配，以調整在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度成為在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度。
根據本揭露之另一方面，提出一種用以控制一基材上之一陶瓷層的一厚度的處理系統。處理系統包括至少一輻射單
元、至少一第一感測器、至少一第二感測器及至少一控制器。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
100、200:方法
101-104、201-205:操作
300:卷對卷系統
301:裝載/卸載腔室
302:軟質基材
303:真空裝置
304:退捲模組
305:再捲模組
306:導引滾軸
307:塗佈鼓
308:張力模組
309:蒸發腔室
310:沈積模組
311:蒸發裝置
312:電源
313:電漿源
314:氣體導引裝置
316:氣體組件
317:吸取裝置
318:處理系統
319:樞軸裝置
321:電漿
322:蒸發方向
323、324:箭頭
400:放大圖
401:輻射單元
402:第一感測器
403:控制器
404:第二感測器
為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露之更特有的說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例且說明於下文中：第1圖繪示根據此處所述實施例之用以控制基材上之陶瓷層之厚度的方法的流程圖，此基材包括此至少一第一位置；第2圖繪示根據此處所述實施例之用以控制基材上之陶瓷層之厚度的方法的流程圖，此基材包括至少一第一位置，不同於至少一第二位置；第3圖繪示卷對卷系統之剖面圖，卷對卷系統包括此處實施例中所述之用以控制基材上之陶瓷層之厚度的系統；第4圖繪示此處實施例中所述之根據第3圖之控制系統的剖面圖；以及第5圖繪示此處其他實施例中所述之根據第3圖之控制系統的剖面圖。
詳細的參照現在將以本揭露的數種實施例達成，本揭露的數種實施例的一或多個例子係繪示於圖式中。在圖式之下方說明中，相同參考編號係意指相同的元件。特別是，有關於個
別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明本揭露的方式提供且不意味為本揭露之一限制。再者，所說明或敘述而做為一實施例之部份的特徵可用於其他實施例或與其他實施例結合，以取得再其他之實施例。可預期的是，本說明包括此些調整及變化。
在本揭露之數種實施例更詳細說明之前，有關於此處所使用之一些名稱及用語的一些方面係說明。
於本揭露中，此處所使用之名稱「控制」可以廣泛的方式理解，及可包括適用於基材上之陶瓷層的厚度之操作。名稱「控制」可包含例如是測量、評估、調整、改變(adapting)、均衡(equalizing)、使均勻(making uniform)、監視、檢查(overseeing)、比較、校正、及類似者之名稱。
如上已說明，名稱「厚度」應可廣義理解，及可包含例如是均勻性、密度、寬度、深度、幅度(breadth)、直徑、均質性、及類似者之名稱。特別是，名稱「厚度」可有關於接觸基材之陶瓷層的表面與相反、在基材上之至少兩個不同位置之間之陶瓷層的表面之間的距離。
再者，此處所使用之名稱「陶瓷層」可廣義理解及可包含陶瓷成份。陶瓷層之陶瓷成份可包括數種元素。舉例來說，陶瓷成份可包括兩種、三種、四種或更多種元素，及/或由兩種、三種、四種或更多種元素所組成。舉例來說，在組成陶瓷成份之三個元素的情況中，陶瓷成份可從下方化學式取得：AxByCZ
其中A選自由過渡金屬、後過渡金屬、及類金屬所組成之群組，其中B選自由氧化物、氮化物、及碳化物所組成之群組，其中C選自A及B之群組；x係為A之化學計量數、y係為B之化學計量數、及/或z係為C之化學計量數。
舉例來說，在組成陶瓷成份之兩個元素的情況中，陶瓷成份可從下方化學式取得：AxBy其中A選自由過渡金屬、後過渡金屬、及類金屬所組成之群組，其中B選自氧化物、氮化物、及碳化物之群組；x係為A之化學計量數及/或y係為B之化學計量數。上述化學式可概括而用於構成陶瓷成份之多於三個元素。在其他實施例中，陶瓷層可為從上述化學式取得之成份的組合。
此外，名稱「陶瓷層」可包含至少一不導電、導電性非常差及高透明層，包括金屬鋁、矽、鉛、鋯、鈦、鉿、鑭、鎂、鋅、錫、鈰、釔、鈣、鋇、鍶及其組合。儘管矽時常意指為類金屬，在本揭露之內文中，無論何時述及金屬時應包括矽。鋁可為有利的。一般來說，根據此處所述之數個實施例，藉由特別是選擇抗鹼輸入材料，陶瓷層可最佳化來用於包含強鹼性電解質的電化電池。舉例來說，鋯或鈦可使用來取代鋁而作為形成陶瓷層之無機元件。陶瓷層可包括氧化鋯或氧化鈦來取代氧化鋁。在特別的實施例中，陶瓷層可為高度透明及不導電層。
在其他實施例中，「陶瓷層」可包括多孔及無孔層。名稱「多孔」可特別是以廣泛方式理解，及可包含例如是多孔性之名稱。舉例來說，多孔性可經由常見的方法決定，例如是舉例為藉由壓汞法(mercury porosimetry)之方法及/或可以假設所有孔係為開放孔來從材料之體積及密度計算。在本揭露中，「多孔」例如是多孔陶瓷層，可與開放孔之可及性(accessibility)相關。也就是說，陶瓷層可為多孔的，使得某些元素可通過陶瓷層。根據此處所述之數個實施例，陶瓷層可有利地為多孔層。
根據此處所述之數個實施例，形成於軟質基材上之陶瓷層的厚度可等同於或大於25nm，特別是等同於或大於50nm，特別是等同於或大於100nm，及/或等同於或小於1000nm，特別是等同於或小於500nm，特別是等同於或小於150nm。當實行數個實施例時，可達成電化學能儲存裝置之高能量密度。
在舉例為藉由蒸發之陶瓷材料沈積，特別是藉由反應蒸發之陶瓷材料沈積期間，陶瓷層可能不完全以化學計量形成，或以非化學計量形成。在本揭露之內文中，「化學計量(stoichiometry)」例如是陶瓷層之化學計量，可理解為化學反應中之反應物和生成物之相對數量的計算。因此，「非化學計量」或「不完全化學計量」可意指為生成物不包括全部的反應物之情況。在氧化鋁作為塗佈層之材料的例子中，完全的化學計量反應可為4Al+3O2=2Al2O3。如果氧化鋁沒有以完全化學計量或非化學計量形成時，反應之生成物可舉例為Al2O2.5。因此，具有x≠
1.5之AlOx的任何組成可視為非化學計量或沒有以完全化學計量形成。在此一非化學計量的陶瓷層中，特別是在電化學能儲存裝置充電及/或放電期間，可存在可與電化學能儲存裝置之元素反應的未束縛超量原子。在鋰離子電池之例子中，例如是在鋰離子電池之充電及/或放電期間，未束縛超量原子可與通過陶瓷層之鋰離子反應。在氧化鋁作為陶瓷層之材料的例子中，未束縛超量原子可為鋁(Al)。
再者，此處所述之「基材」應以廣泛的方式理解，及可包括一般使用於電化學裝置之至少一元件中的基材，例如是隔離件、電解質、陰極及陽極。特別是，此處所使用之名稱「基材」應特別是包含軟質基材、電絕緣基材、不導電基材、透明基材、非透明基材、反射基材、及非反射基材。
在本揭露中，名稱「透明」可特別是理解為相對透明度，相對透明度可為基材之透明度及配置於基材上之陶瓷層的透明度的比及/或商數(quotient)。「非透明」基材可包含相對透明度的比可大於1，特別是大於5之基材。根據本揭露之「透明基材」可包含不為如此處所述之非透明的基材。再者，透明度可藉由利用波長之常見方法測量，波長之範圍可從紫外線(UV)至紅外線(IR)。
再者，名稱「反射」可特別是理解為相對反射率，相對反射率可為基材之反射率及配置於基材上之陶瓷層之反射率的比及/或商數。根據本揭露之「非反射基材」可包含相對反射率
之比可大於1，特別是大於5之基材。「反射基材」可包含不為如此處所述之「非反射基材」的基材。再者，反射率可藉由類似之方式測量。
在特定實施例中，基材可選擇而為非透明及非反射。
在其他特定實施例中，「基材」可有利地沒有此處所述之元素A及B的至少一者。
根據此處所述之數個實施例，此處所述之方法、設備及系統可使用於製造電化學裝置及/或電化學裝置之元件的情況中，或用於製造電化學裝置及/或電化學裝置之元件的應用，例如是隔離件、電解質、陰極及陽極。
如此處所使用，「電化學能裝置」應理解為可為可交換或不可交換的電化學能儲存器。名稱「蓄電池(accumulator)」及「電池(battery)」係在本應用中沒有區別的。此外，名稱「電化學能裝置」及「電化電池」可在下文中同義地使用。電化電池舉例亦包含電容器。在此處所述之數個實施例中，電化電池可理解為能量儲存器之最低功能單元。在工業實行中，多個電化電池可通常以串聯或並聯之方式連接，以增加儲存器的整個能量容量。在本文中，可參照多個電化電池。工業設計之電池可因而具有單一個電池，或以並聯或串聯連接之多個電化電池。
在充電及/或放電之電化學反應的情況中，陶瓷層及/或基材之高多孔性可增加離子導電性。在鋰離子電池之情況中，
陶瓷層及/或基材之高多孔性可有利於促使鋰離子循環遷移通過此兩個電極之間的陶瓷層及/或基材中之孔。
在其他實施例中，基材可為適用於選自由隔離件、電解質、陰極及陽極所組成之群組之一者的基材。
在隔離件之情況中，基材可以微孔聚乙烯(microporous polyethylene)、聚丙烯(polypropylene)、及/或聚烯(polyolefin)製成、及/或其之層疊製成。
在鋰離子電池之其他實施例中，電絕緣隔離件可選擇地包括基材，可具有選自群組的聚合物材料。群組為：聚丙烯腈(polyacrylonitrile)、聚酯(polyester)、聚醯胺(polyamide)、聚醯亞胺(polyimide)、聚烯(polyolefin)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)、羧甲纖維素(carboxymethyl cellulose)、聚丙烯酸(polyacrylic acid)、聚乙烯(polyethylene)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚苯醚(polyphenyl ether)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride)、聚偏二氯乙烯(polyvinylidene chloride)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride)、聚二氟乙烯-六氟丙烯共聚高分子(poly(vinylidenefluoride-co-hexafluoropropylene))、聚乳酸(polylactic acid)、聚丙烯(polypropylene)、聚丁烯(polybutylene)、聚對苯二甲酸二丁酯(polybutylene terephthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)、聚苯乙烯(polystyrene)、丙烯腈-
丁二烯-苯乙烯共聚物(acrylonitrile butadiene styrene)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate))、聚甲醛(polyoxymethylene)、聚碸(polysulfone)、苯乙烯-丙烯腈(styrene-acrylonitrile)、苯乙烯-丁二烯橡膠(styrene-butadiene rubber)、乙烯醋酸乙烯酯共聚物(ethylene vinyl acetate)、苯乙烯-馬來酸酐共聚物(styrene maleic anhydride)、及其之組合。在舉例為鋰基電化電池中所發現的劇烈減少條件(strongly reducing conditions)中為穩定之任何其他聚合物材料可亦使用。根據此處所述之數個實施例，藉由特別是選擇抗鹼輸入材料，隔離件可最佳化而用於包含強鹼性電解質之電化電池。舉例來說，隔離件可包括聚烯或聚丙烯腈來取代聚酯。
在此處所述之數個實施例中，聚合物材料可具有例如是大於200℃的高熔點。包括具有高熔點之聚合物材料的隔離件可在具有快速充電周期之電化電池中為有用的。
在陰極之情況中，軟質基材可以鋁製成及/或包括鋁。在此情況中，陰極層可形成於軟質基材上。陶瓷層可形成於陰極層上。舉例來說，軟質基材在陰極之情況中可具有5至12μm之厚度及/或陰極層可具有達100μm之厚度。軟質基材可額外地或替代地為此處所述之聚合物材料或包括此處所述之聚合物材料，舉例為聚酯，鋁層沈積於軟質基材上。聚合物基材可較薄於舉例為鋁基材及/或沈積的鋁層。沈積的鋁層可具有約0.5μm至約1μm的厚度。當實行數個實施例時，陰極的厚度可減少。
在陽極之情況中，軟質基材可以銅製成及/或包括銅。在此情況中，陽極層可形成於軟質基材上。陶瓷層可形成於陽極層上。舉例來說，軟質基材在陽極之情況中可具有5至12μm的厚度及/或陽極層可具有達100μm之厚度。軟質基材可額外地或替代地為此處所述之聚合物材料或包括如此處所述之聚合物材料，舉例為聚酯，銅層沈積於軟質基材上。聚合物基材可較薄於舉例為銅基材及/或沈積之銅層。沈積之銅層可具有約0.5μm至約1μm之厚度。當實行數個實施例時，陽極之厚度可減少。
在鋰離子電池之特別情況中，陽極可包括基材，包含於碳石墨(carbon graphite)(LiC6)之晶體結構之原子層中的鋰層可形成於此基材上。再者，陰極可包括基材，鋰錳氧化物(LiMnO4)或鋰鈷氧化物(LiCoO)可形成於此基材上。
於本揭露中，此處所使用之「處於」可以廣泛的方式理解，且可包含例如是供應、曝光之名稱，且也包含例如是「陶瓷層係歷經」及類似者的表示。在本揭露之內文中，「使陶瓷層處於」可藉由裝配以使陶瓷層處於離子化輻射的任何裝置執行。
再者，名稱「位置(position)」應以廣泛的方式理解，及可意指為可為一點或一區域(area)的一位置。名稱「位置」可包含例如是定位(location)、表面、區(region)、區域、地點(site)、空間、地方(place)及類似者之名稱。特別是，此些名稱應理解為等同於彼此。
在本揭露中，名稱「離子化輻射」應理解為攜帶足夠能量來從原子或分子射出至少一電子的輻射。處於適合之離子化輻射的原子及分子可理解為受到激化(excited)及/或離子化。特別是，名稱「離子化輻射」可包括伽瑪(gamma)射線、X射線、及短長波輻射之至少一者。在特定實施例中，離子化輻射可選擇，以激化及/或離子化此處所述之元素A及B的至少一者。在其他實施例中，雖然基材可為非透明及/或非反射的，「離子化輻射」應特別是理解為促使透明陶瓷層受到激化及/或離子化。
因此，名稱「射出物(emission)」可理解為回應於此處所述之「離子化輻射」來藉由離子化及/或激發之原子或分子所釋放的能量。此外，能量可以光子及/或電子的形式釋放。特別是，名稱「射出物」可包括X射線螢光(X-ray fluorescence，XRF)射出物。
再者，名稱「評估(assessing)」可廣義理解，及可包含例如是測量、估計(estimating)、計算、估量(evaluating)、計數(counting)、決定及類似者之名稱。「評估厚度」之動作可藉由裝配以測量基材上之陶瓷層之厚度的任何裝置執行。
第1圖繪示根據此處所述實施例之用以控制基材上之陶瓷層之厚度的方法的流程圖。如第1圖中範例性所示，用以控制基材上之陶瓷層的厚度的方法100包括提供101基材，基材具有前側及背側。此外，基材可塗佈有陶瓷層於前側及背側之至少一者上及/或上方。此外，基材可塗佈有陶瓷層於前側及背側之至少
一者上及/或上方。再者，方法100可包括使陶瓷層之至少一第一位置處於102離子化輻射。方法100更包括偵測103回應於離子化輻射之在陶瓷層之此至少一第一位置釋放的射出物。此外，方法100包括基於偵測之射出物，評估104在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度。
藉由提供用以控制基材上之陶瓷層的厚度的方法，可增加用以沈積陶瓷層於基材上之方法的效率。特別是，如此處所述之方法可有利地提供基材上之特定位置的陶瓷層之厚度的反饋。此處所述的方法可特別是在製造電化學裝置之至少一元件期間為有利的，電化學裝置之至少一元件例如是隔離件、電解質、陰極及陽極。特別是，此處所述之方法可促使控制原位(in-situ)製造之元件的品質，舉例為陶瓷層之厚度及/或均勻性。再者，藉由提供此處所述之方法，可增加用於製造電化學工業中之至少一元件的接續操作。
更特別是，藉由提供此處所述之方法，特別是在沈積陶瓷層於基材上期間之可變化沈積率及/或可變化蒸發率的情況中，陶瓷層的厚度可有利地控制。名稱「可變化」可特別是理解為隨著時間變化及/或沈積區域變化的沈積率及/或蒸發率。再者，名稱「可變化」可包含例如是易變(inconstant)、改變及類似者之名稱。舉例來說，在沈積陶瓷材料期間，特別是藉由蒸發陶瓷磁料期間，已蒸發之材料可能堵住坩鍋，及沈積及/或蒸發率可能反而有所變化。
在本揭露之其他實施例中，方法可更包括提供將沈積於基材上及/或上方之陶瓷層的預定厚度。特別是，在本揭露之實施例中，預定厚度可為在沈積期間之將沈積之陶瓷層的厚度。在此情況中，本揭露之方法可理解為沈積於基材上及/或上方之陶瓷層的厚度的原位控制。表示「原位控制」可理解為在沈積期間之初步品質控制。藉由提供陶瓷層之厚度的初步及/或原位控制，此處所述之方法可有利地增強製造電化學裝置之至少一元件的處理。在其他實施例中，預定厚度可為可處於最終品質控制之終端產品之陶瓷層的厚度。在此情況中，此處所述之方法可有利地提供將製造之產品的品質控制，例如是電化學裝置的元件。
根據此處所述之數個實施例，陶瓷層之預定厚度可等同於或大於25nm，特別是等同於或大於50nm，特別是等同於或大於100nm，及/或等同於或小於1000nm，特別是等同於或小於500nm，特別是等同於或小於150nm。再者，預定厚度可決定於陶瓷層沈積於其上之基材的本質。在用於隔離件之基材的情況中，此處所述之陶瓷層的預定厚度可實質上等同於100nm。在用於陰極及/或陽極之基材的情況中，如此處所述之陶瓷層的預定厚度可實質上等同於50nm。名稱「實質上」可理解為包含預定厚度之偏差，舉例為從準確的預定厚度之達10%，特別是達5%之預定厚度之偏差。
在其他實施例中，將達成之陶瓷層的厚度可包括公差。在特定實施例中，厚度可包括公差，可為在沈積期間將沈積
於基材上及/或上方之所欲的陶瓷層的公差。此公差可理解為「原位公差」。在其他實施例中，厚度可包括公差，可為在產品中之沈積於基材上及/或上方之所欲之陶瓷層的公差。此產品例如是電化學裝置的元件。
陶瓷層厚度之公差可決定於不同的參數，例如是陶瓷層所沈積於其上之基材的本質。在特定之實施例中，公差之範圍可從5%至10%。
此外，此方法可包括有鑑於此處所述之公差，比較在第一位置之陶瓷層的厚度與預定厚度，以驗證符合製造限制(未繪示於第1圖中)。此處所述之「有鑑於」可特別是理解為名稱「在其中(within)」，或表示「加或減(plus or minus)」。也就是說，此處所述之公差可視為具有預定厚度作為平均值之一範圍。
第2圖繪示參照第1圖說明之方法的實施例之流程圖，更包括陶瓷層之至少一第二位置於基材上。如第2圖中範例性所示，方法200更包括使陶瓷層之至少一第二位置處於201離子化輻射。再者，此至少一第二位置可特別是不同於此至少一第一位置。藉由提供陶瓷層上之第二位置，此處所述之方法200可有利地包含陶瓷層上之不同位置及選擇之更大的面積。再者，提供陶瓷層之第二位置可加速基材之實質上整個長度上及/或上方之陶瓷層之厚度的控制。在此情況中，名稱「實質上」可特別是理解包含從基材之整個長度之達10%的偏差，特別是達5%的偏差。陶瓷層之第二位置可在陶瓷層沈積期間有利地達成均勻性。
在其他實施例中(未繪示於第2圖中)，本揭露之方法可包括三或多個不同於彼此的不同位置。此處所述的優點可有利地提供至少此處所述的此些優點，及可甚至在某些程度上改善該些優點。
如第2圖中所示，方法200可包括偵測202回應於離子化輻射之在陶瓷層之此至少一第二位置的射出物。偵測103及偵測202可同時地執行或在不同時間點執行。方法200可更包括評估203在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度。特別是，評估104及評估203可同時地執行或在不同時間點執行。
在可與此處所述任何實施例結合之其他實施例中，方法200可包括比較204在陶瓷層之此至少一第一位置的厚度及在陶瓷層之此至少一第二位置的厚度。再者，方法200可包括調整205在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度成為在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度。
此處所述之名稱「調整」應特別是理解為「均衡」，及亦理解為「使均勻」。也就是說，在調整205之後，在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度可有利地對應於在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度。
再者，處於102及處於201、偵測103及偵測202、及評估104及評估203之組合的至少一者可同時地執行或在不同時間點執行。
藉由提供可包括如此處所述之比較204及調整205的方法，可增加沈積陶瓷層於基材上。再者，可確保沈積陶瓷層於基材上的再現性及重複性。因此，相較於用以沈積陶瓷層於基材上的一般方法，此處所述實施例的方法可改善電化學裝置之元件的品質。
更特別是，藉由提供此處所述之方法，特別是在沈積率及/或蒸發率在沈積陶瓷層於基材上期間為非固定的情況中，陶瓷層之厚度可有利地控制。甚至更特別是，此處所述之方法可調整沈積於基材上的陶瓷層，以形成具有固定厚度之陶瓷層於實質上整個基材上及/或上方。在此情況中，名稱「實質上」可特別是理解為包含從基材之整個長度至達10%的偏差，特別是達5%之偏差。藉由形成具有固定厚度的陶瓷層，此處所述的方法可更增加基材上及/或上方之陶瓷層的均勻性。
根據可與此處所述任何實施例結合之其他實施例，方法可包括調整在陶瓷層之一區中的陶瓷層之厚度成為在此至少一第一位置及之陶瓷層的厚度及在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度的至少一者(未繪示於第2圖中)。此處所述之名稱「區」應特別是理解為陶瓷層之至少第三位置。再者，名稱「調整」應如此處所述理解，也就是均衡、「使均勻」及類似者。在該些特定實施例中，此方法可至少提供如此處所述的優點。
根據其他實施例(未繪示於第2圖中)，此方法可包括有鑑於公差，提供預定厚度。此外，此方法可包括有鑑於公差，
比較在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度與預定厚度。再者，此方法可包括有鑑於公差，比較在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度與預定厚度。
在特定實施例中，此方法可包括根據下述情況(1)至(3)之至少一者調整陶瓷層的厚度：(1)有鑑於公差，在此至少一第一位置所評估之陶瓷層的厚度及在此至少一第二位置所評估之陶瓷層的厚度的其中一者係在預定厚度中，及有鑑於公差，在此至少一第一位置所評估之陶瓷層的厚度及在此至少一第二位置所評估之陶瓷層的厚度的另一者係在預定厚度外：有鑑於公差，調整在預定厚度外之厚度，特別是有鑑於公差而調整成包括於預定厚度中的一數值；(2)有鑑於公差，在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度及在此至少一第二位置之陶瓷層之厚度係皆在預定厚度中：(2a)不調整；或(2b)決定在此至少一第一位置所評估之陶瓷層之厚度及在此至少一第二位置所評估之陶瓷層的厚度之何者係較靠近預定厚度，另一者係更遠於預定厚度；調整更遠於預定厚度之厚度成為較靠近預定厚度的厚度；
(3)有鑑於公差，在此至少一第一位置所評估之陶瓷層的厚度及在此至少一第二位置所評估之陶瓷層的厚度皆在預定厚度外：有鑑於公差而進行調整，直到在此至少一第一位置之所評估之陶瓷層的厚度及在此至少一第二位置之所評估陶瓷層的厚度的至少一者在預定厚度中；根據(1)或(2)，更選擇地進行調整。
在其他實施例中(未繪示於第2圖中)，此方法可包含基材上之陶瓷層的三或多個位置。
根據其他實施例，此方法可更包括提供基材，基材具有前側及背側。此外，此方法可包括形成陶瓷層於基材之前側及背側之至少一者上(未繪示於第2圖中)。特別是，陶瓷層可藉由任何的一般方法形成，更特別是可藉由反應蒸發形成。反應蒸發例如是PVD、CVD及類似者。
在其他特定實施例中，陶瓷層可由至少一第一形成位置及至少一第二形成位置形成(未繪示於第2圖中)。此至少一第一形成位置可特別是對應於此至少一第一位置。此至少一第二形成位置可特別是對應於此至少一第二位置。在特定實施例中，此至少一第一形成位置可特別是對應於此至少一第一位置，及此至少一第二形成位置可特別是對應於此至少一第二位置。
在本揭露之內文中，一對應位置可解理為在舉例為軟質基材及/或陶瓷層之至少一尺寸方向中對應。此對應位置例如是一形成位置，對應於離子化輻射可導引朝向的一位置。特別是，第一形成位置可對應於在基材之長度方向中的第一位置，也就是沿著基材之傳送方向，其中第一形成位置及第一位置沿著傳送方向彼此對準及/或沿著長度方向彼此分隔。再者，第一形成位置可在基材之寬度方向中對應於第一位置，基材之寬度方向也就是垂直於基材的傳送方向，其中第一形成位置及第一位置係以相同寬度配置。此相同可亦對應地應用於第二形成位置及第二位置及任何其他個別位置。
第3圖繪示用以製造電化學裝置之至少一元件的卷對卷系統的示意圖。如第3圖中範例性所示，卷對卷系統300可包括裝載/卸載腔室301。裝載/卸載腔室301可裝配，以裝載軟質基材302至卷對卷系統300中及/或從卷對卷系統300卸載軟質基材302。根據此處所述之數個實施例，裝載/卸載腔室可在處理軟質基材302期間保持在真空下。真空裝置303可設置以排氣裝載/卸載腔室301，真空裝置303例如是真空幫浦。
根據此處所述之數個實施例，裝載/卸載腔室301可包括退捲模組304及/或再捲模組305。退捲模組304可包括退捲滾軸，用以退捲軟質基材302。在處理期間，軟質基材302可退捲(由箭頭323表示)及/或藉由一或多個導引滾軸306導引至塗佈鼓
307。在處理之後，軟質基材302可捲繞(箭頭324)於再捲模組305中之再捲滾軸上。
再者，裝載/卸載腔室301可包括張力模組308，舉例為包括一或多個張力滾軸。裝載/卸載腔室301可亦額外地或替代地包括樞軸裝置319，例如是舉例為樞軸臂。樞軸裝置319可裝配以相對於再捲模組305為可移動的。
根據此處所述之數個實施例，退捲模組304、再捲模組305、導引滾軸306、樞軸裝置319、及張力模組308可為基材傳送機構及/或滾軸組件之一部份。
根據此處所述之數個實施例，卷對卷系統300可包括蒸發腔室309。蒸發腔室309可包括沈積模組310。蒸發腔室309可藉由真空裝置303排氣，真空裝置303可亦使用以排氣裝載/卸載腔室301。蒸發腔室309可額外地或替代地具有一真空裝置，可亦使用以排氣裝載/卸載腔室301的此真空裝置與真空裝置303分離。
如第3圖中所範例性繪示，沈積模組310可包括蒸發裝置311。蒸發裝置311可裝配以蒸發金屬。根據此處所述之數個實施例，蒸發裝置可包括一或多個蒸發皿。蒸發裝置可更包括一或多個線，佈線至蒸發裝置中。特別是，各蒸發皿可有一條線。此一或多個線可包括將蒸發之材料及/或以將蒸發的材料製成。特別是，此一或多個線可提供將蒸發之材料。
根據此處所述之數個實施例，材料源可包括一或多個電極束源。此一或多個電極束源可提供一或多個電極束，以蒸發將蒸發之材料。根據此處所述之數個實施例，蒸發裝置311可為一或多個感應加熱坩鍋。感應加熱坩鍋可舉例為裝配，以在真空環境中藉由射頻(RF)感應加熱來蒸發金屬，特別是藉由中頻(MF)感應加熱。再者，金屬可提供於可交換的坩鍋中，例如是舉例為在一或多個石墨容器中。可交換的坩鍋可包括絕緣材料，絕緣材料圍繞坩鍋。一或多個感應線圈可纏繞在坩鍋及絕緣材料。根據此處所述之數個實施例，此一或多個感應線圈可為水冷卻。在使用可交換的坩鍋之處，無需設置線至蒸發裝置311中。可交換的坩鍋可預先裝載有金屬及可定期地替換或補充。藉由分批提供金屬，蒸發之金屬的總量可有利地控制。
相較於一般使用電阻加熱坩鍋來蒸發金屬的蒸發方法，利用感應加熱坩鍋係提供在坩鍋之內側產生的加熱製程，且不是外部源經由熱傳導提供加熱製程。感應加熱坩鍋具有坩鍋之所有壁非常快速及均勻加熱的優點。金屬之蒸發溫度可比一般電阻加熱坩鍋更嚴密地控制。當使用感應加熱坩鍋時，坩鍋可不須加熱而高於金屬的蒸發溫度。當實行數個實施例時，可提供更可控及有效的金屬蒸發，以使形成於軟質基材上的陶瓷層更為均質。藉由減少蒸發金屬噴濺之可能性，坩鍋之溫度的精密控制可亦避免/減少陶瓷層中之銷孔及通孔缺陷。在隔離件中之銷孔及通孔缺陷可能導致電化電池中的短路。
根據此處所述之數個實施例，感應加熱坩鍋可舉例為由一或多個感應線圈(未繪示於圖式中)所圍繞。感應線圈可為感應加熱坩鍋之組成部份。再者，感應線圈及感應加熱坩鍋可提供為分離部件。分別地提供感應加熱坩鍋及感應線圈可提供蒸發設備之簡易維護。
根據此處所述之數個實施例，可設置電源312(見於第4圖中)。電源312可連接於感應線圈。電源可為交流(AC)電源，可裝配以提供具有低電壓及高電流及高頻率的電力。再者，反應功率可舉例為藉由包括共振線圈來增加。根據此處所述之數個實施例，除了導電材料或取代導電材料而言，感應加熱坩鍋可舉例為包括鐵磁材料。磁性材料可舉例為改善感應加熱製程，及可提供金屬之蒸發溫度的較佳控制。
根據此處所述之數個實施例，卷對卷系統300之塗佈鼓307可分離裝載/卸載腔室301與蒸發腔室309。塗佈鼓307可裝配，以導引軟質基材302至蒸發腔室309中。塗佈鼓307可配置於處理系統中，使得軟質基材302可通過蒸發裝置311的上方。根據此處所述之數個實施例，塗佈鼓307可進行冷卻。
沈積模組310可包括電漿源313。電漿源313係裝配，以在蒸發裝置311及塗佈鼓307之間產生電漿321。電漿源313可舉例為電子束裝置，裝配以利用電子束點燃電漿321。根據此處所述之其他實施例，電漿源可為中空陽極沈積電漿源。藉由進一步減少蒸發金屬噴濺的可能性，電漿321可有助於避免/減少基材上
之多孔塗層中的銷孔及通孔。電漿可亦更激發已蒸發之金屬的粒子。根據此處所述之數個實施例，電漿可增加沈積於軟質基材上之多孔塗層的密度及均勻性。
根據此處所述之數個實施例，沈積模組310可包括氣體供應器，用以供應處理氣體。氣體供應器可包括氣體導引裝置314。氣體導引裝置314可配置，而用於可控制地導引處理氣體至沈積模組310及/或蒸發腔室309中。氣體導引裝置可舉例為包括噴嘴及供應管，連接於舉例為處理氣體供應器，用以提供處理氣體至沈積模組310及/或蒸發腔室309中。
處理氣體可為反應氣體。特別是，處理氣體可為與蒸發裝置311所蒸發之金屬反應的反應氣體。舉例來說，處理氣體可為及/或包括氧、臭氧、氬及其之組合。
針對氧包括於處理氣體中的情況來說，氧氣可舉例為與已蒸發之金屬反應，以形成陶瓷層於軟質基材302上。例如是隔離件或隔離膜、陰極及陽極的電化學能儲存裝置的元件可包括AlOy。例如是鋁的金屬可藉由感應加熱坩鍋蒸發，及氧可經由氣體導引裝置提供至已蒸發的金屬。
根據此處所述之數個實施例，卷對卷系統300可包括氣體組件316。氣體組件316可裝配以供應氧化氣體，例如是氧。根據此處所述之數個實施例，卷對卷系統300可包括加熱組件(未繪示)。加熱組件可裝配，以提高供應之氧化氣體、軟質基材302及陶瓷層之至少一者的溫度。
根據此處所述之數個實施例，卷對卷系統300可包括吸取裝置317。吸取裝置317可裝配，以吸取超量之氧化氣體，也就是沒有使用來氧化陶瓷層之氧化氣體。吸取裝置317可相對於軟質基材302配置而相反於氣體組件316。因此，由氣體組件316供應之處理氣體可提供至陶瓷層，行經軟質基材302，及由吸取裝置317吸取，而可避免卷對卷系統300之污染。
根據此處所述之數個實施例，卷對卷系統300可包括處理系統318(繪示於第3-5圖中)。處理系統318可適用於取得監控訊號，包括沈積於基材上之陶瓷層的厚度及/或均勻性及成份之至少一者的資訊。
第4圖繪示根據第3圖之卷對卷系統300的放大圖400，包括處理系統318，用以控制基材上之陶瓷層的厚度。如第4圖中範例性所示，處理系統318包括至少一輻射單元401，裝配以如此處所述射出離子化輻射。離子化輻射係導引朝向陶瓷層之至少一第一位置。此外，處理系統318包括至少一第一感測器402，配置在此至少一輻射單元401中之第一位置。再者，此至少一第一感測器402係裝配，以偵測回應於離子化輻射之在陶瓷層之此至少一第一位置釋放的射出物。處理系統318更包括至少一控制器403，裝配以基於偵測之射出物來評估在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度。
在其他實施例中，此至少一第一感測器可配置在輻射單元中之任何位置。在特定實施例中，此至少一第一感測器可
配置在由陶瓷層定義之平面的平行平面。特別是，此至少一第一感測器可配置在一平面中，此平面係面對沒有陶瓷材料之基材的表面。更特別是，此至少一第一感測器可配置，以面對此至少一第一位置。
在特別的實施例中，繪示於第4圖中之處理系統係裝配，以操作根據第1圖之用以控制基材上之陶瓷層的厚度之方法進行操作。
第5圖繪示根據第4圖之實施例的處理系統之示意圖；此至少一輻射單元401可更裝配以如此處所述射出離子化輻射而朝向陶瓷層之至少一第二位置。特別是，陶瓷層之此至少一第二位置可有利地不同於陶瓷層之此至少一第一位置。處理系統318可更包括至少一第二感測器404，配置於在此至少一輻射單元401中之第二位置。特別是，第二位置可有利地不同於第一位置。此外，此至少一第二感測器404可裝配，以回應於離子化輻射來偵測在陶瓷層之此至少一第二位置所釋放的射出物。再者，此至少一控制器403可更裝配，以基於偵測之射出物評估在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度。
在其他實施例中，此至少一第二感測器可配置在輻射單元中之任何位置。在特定實施例中，此至少一第二感測器可配置在由陶瓷層定義之平面的平行平面。特別是，此至少一第二感測器可配置在一平面中，此平面係面對沒有陶瓷材料之基材的表面。更特別是，此至少一第二感測器可配置，以面對此至少一
第二位置。在特定實施例中，此至少一第一感測器可配置，以面對此至少一第一位置，及此至少一第二感測器可配置，以面對此至少一第二位置。
在其他實施例中，此至少一控制器403可裝配，以比較在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度與在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度。在特定實施例中，此至少一控制器可裝配，以有鑑於此處所述之公差，比較在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度及在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度之至少一者與預定厚度。
再者，此至少一控制器可裝配，以調整在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度成為在此至少一第二位置之陶瓷層的厚度。
在其他實施例中，此至少一控制器可有利地裝配，以如此處所述調整在陶瓷層之一區中之陶瓷層的厚度成為在此至少一第一位置之陶瓷層的厚度及在此至少一第二位置之陶瓷層之厚度的至少一者。
在特定實施例中，第5圖中所示之處理系統係裝配，以操作根據第2圖之用以控制基材上之陶瓷層之厚度的方法進行操作。
在其他實施例中，控制器403可連接於沈積模組310、氣體導引裝置314、電漿源313及電源312之至少一者。根據此處所述之數個實施例，控制器403可裝配，以調整供應至沈積模組310之功率，供應至電漿源313之功率，及/或氣體導引裝置
314導引至沈積模組310中之處理氣體的總量及/或處理氣體之氣流的定向的至少一者。
根據此處所述之數個實施例，氣體導引裝置314可配置，以在大約平行於金屬之蒸發方向322的方向中提供處理氣體的氣流。根據此處所述之數個實施例，氣體導引裝置提供之氣流的定向可根據陶瓷層之均勻性及成份的至少一者調整。當實行數個實施例時，可確保反應氣體及已蒸發之金屬之間更有效率的反應來形成陶瓷層。藉由能夠更準確地控制與已蒸發之金屬作用的處理氣體的總量，配置氣體導引裝置314以在本質上平行於來自蒸發裝置311之金屬之蒸發方向322的方向中引導反應氣體可亦有助於較佳地控制塗佈製程。
根據此處所述之數個實施例，電漿321可於本質上垂直於金屬之蒸發方向322的方向中導引。當實行數個實施例時，可避免蒸發金屬之噴濺及/或可減少陶瓷層之銷孔缺陷。
此處所述之方法及處理系統可分別藉由硬體元件、由適當軟體程式化之電腦、及此兩者之任何結合或任何其他方法執行及操作。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
特別是，此書面說明係使用包括最佳模式之數個例子來揭露本揭露，且亦能夠實施所述之標的，包括製造及使用任何設備或系統及執行任何併入之方法。當數種特定之實施例係已經於前述中揭露時，上述實施例之非互斥之特徵可彼此結合。可專利之範圍係由申請專利範圍定義，且如果申請專利範圍具有非相異於申請專利範圍之字面語言之結構元件時，或如果申請專利範圍包括等效結構元件，且等效結構元件與申請專利範圍之字面語言具有非實質差異時，其他例子係在申請專利範圍之範疇中。
302:軟質基材
307:塗佈鼓
311:蒸發裝置
312:電源
313:電漿源
314:氣體導引裝置
318:處理系統
321:電漿
322:蒸發方向
400:放大圖
401:輻射單元
402:第一感測器
403:控制器
404:第二感測器
Claims (17)
- 一種用以控制一基材上之一陶瓷層的一厚度的方法，包括：提供(101)該基材，該基材具有一前側及一背側，該基材塗佈有該陶瓷層於該前側及該背側之至少一者上；利用至少一輻射單元(401)使該陶瓷層之至少一第一位置處於(102)離子化輻射及使該陶瓷層之至少一第二位置處於(201)離子化輻射，其中該陶瓷層之該至少一第一位置及該至少一第二位置係對應於該基材未與一基材支撐件接觸的部分，且該至少一第二位置不同於該至少一第一位置；利用配置在該至少一輻射單元(401)中之一第一位置的至少一第一感測器(402)偵測(103)回應於該離子化輻射之在該陶瓷層之該至少一第一位置釋放的一射出物；基於偵測之該射出物，評估(104)在該至少一第一位置之該陶瓷層的厚度；利用配置在該至少一輻射單元(401)中之一第二位置的至少一第二感測器(404)偵測(202)回應於該離子化輻射之在該陶瓷層之該至少一第二位置釋放之一射出物；以及評估(203)在該至少一第二位置之該陶瓷層的厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之用以控制該基材上之該陶瓷層的該厚度的方法，更包括：比較(204)在該至少一第一位置的該厚度及在該至少一第二位置的該厚度；以及 調整(205)在該至少一第一位置之該陶瓷層的該厚度成為在該至少一第二位置之該陶瓷層的該厚度。
- 如申請專利範圍第2項所述之用以控制該基材上之該陶瓷層的該厚度的方法，更包括調整一區中之該陶瓷層之一厚度，該區中之該陶瓷層之該厚度係對應於在該至少一第一位置之該陶瓷層的該厚度及在該至少一第二位置的該陶瓷層的該厚度之至少一者。
- 如申請專利範圍第1-3項之任一者所述之用以控制該基材上之該陶瓷層的該厚度的方法，提供該基材包括：提供該基材，該基材具有該前側及該背側；以及形成該陶瓷層於該基材上。
- 如申請專利範圍第1-3項之任一者所述之用以控制該基材上之該陶瓷層的該厚度的方法，其中該陶瓷層藉由反應蒸發形成。
- 如申請專利範圍第4項所述之用以控制該基材上之該陶瓷層的該厚度的方法，其中該陶瓷層藉由反應蒸發形成。
- 如申請專利範圍第1-3項之任一者所述之用以控制該基材上之該陶瓷層的該厚度的方法，其中該陶瓷層係由至少一第一形成位置及一第二形成位置形成，該第一形成位置對應於該陶瓷層之該至少一第一位置及該第二形成位置對應於該陶瓷層之該至少一第二位置。
- 如申請專利範圍第5項所述之用以控制該基材上之該陶瓷層的該厚度的方法，其中該陶瓷層係由至少一第一形成位置及一第二形成位置形成，該第一形成位置對應於該陶瓷層之該至 少一第一位置及該第二形成位置對應於該陶瓷層之該至少一第二位置。
- 如申請專利範圍第1-3項之任一者所述之用以控制該基材上之該陶瓷層的該厚度的方法，其中該陶瓷層係為選自下述化學式之其中一陶瓷成份：AxBy其中A選自由複數個過渡金屬、複數個後過渡金屬、及複數個類金屬所組成之群組；其中B選自氧化物、氮化物、及碳化物之群組；及x係為A之化學計量數及y係為B之化學計量數。
- 如申請專利範圍第7項所述之用以控制該基材上之該陶瓷層的該厚度的方法，其中該陶瓷層係為選自下述化學式之其中一陶瓷成份：AxBy其中A選自由複數個過渡金屬、複數個後過渡金屬、及複數個類金屬所組成之群組；其中B選自氧化物、氮化物、及碳化物之群組；及x係為A之化學計量數及y係為B之化學計量數。
- 如申請專利範圍第9項所述之用以控制該基材上之該陶瓷層的該厚度的方法，其中該離子化輻射係裝配以離子化A及B之至少一者。
- 如申請專利範圍第10項所述之用以控制該基材上之該陶瓷層的該厚度的方法，其中該離子化輻射係裝配以離子化A及B之至少一者。
- 一種用以控制一基材上之一陶瓷層的一厚度的處理系統(318)，包括：至少一輻射單元(401)，裝配以朝向該陶瓷層之至少一第一位置及至少一第二位置射出離子化輻射，其中該至少一第二位置不同於該至少一第一位置；至少一第一感測器(402)，配置在該至少一輻射單元(401)中之一第一位置，該至少一第一感測器(402)係裝配，以偵測回應於該離子化輻射之在該陶瓷層之該至少一第一位置釋放之一射出物，其中該陶瓷層之該至少一第一位置係對應於該基材未與一基材支撐件接觸的部分；至少一第二感測器(404)，配置在該至少一輻射單元(401)中之一第二位置，該至少一第二感測器(404)係裝配，以偵測回應於該離子化輻射之在該陶瓷層之該至少一第二位置釋放之一射出物，其中該陶瓷層之該至少一第二位置係對應於該基材未與一基材支撐件接觸的部分；以及至少一控制器(403)，裝配以基於偵測之該射出物，評估在該至少一第一位置及該至少一第二位置之該陶瓷層的厚度。
- 如申請專利範圍第13項所述之用以控制該基材上之該陶瓷層之該厚度的處理系統(318)，該至少一控制器(403)係裝配以：比較在該至少一第一位置之該陶瓷層的該厚度與在該至少一第二位置之該陶瓷層的該厚度；以及調整在該至少一第一位置之該陶瓷層的該厚度成為在該至少一第二位置之該陶瓷層的該厚度。
- 如申請專利範圍第14項所述之用以控制該基材上之該陶瓷層之該厚度的處理系統(318)，其中該至少一控制器(403)係裝配，以調整一區中的該陶瓷層之一厚度，該區中之該陶瓷層之該厚度係對應於在該至少一第一位置之該陶瓷層之該厚度及在該至少一第二位置之該陶瓷層之該厚度之至少一者。
- 一種卷對卷系統，包括至少一如申請專利範圍第15項所述之處理系統。
- 一種卷對卷系統，包括至少一如申請專利範圍第13項所述之處理系統。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ??PCT/EP2017/073778 | 2017-09-20 | ||
| WOPCT/EP2017/073778 | 2017-09-20 | ||
| PCT/EP2017/073778 WO2019057272A1 (en) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | METHOD AND TREATMENT SYSTEM FOR REGULATING A THICKNESS OF A CERAMIC LAYER ON A SUBSTRATE |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201932620A TW201932620A (zh) | 2019-08-16 |
| TWI812642B true TWI812642B (zh) | 2023-08-21 |
Family
ID=60043151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107132755A TWI812642B (zh) | 2017-09-20 | 2018-09-18 | 用以控制一基材上之一陶瓷層的一厚度的方法及處理系統及應用其之卷對卷系統 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (2) | KR20230035447A (zh) |
| CN (1) | CN111148859A (zh) |
| TW (1) | TWI812642B (zh) |
| WO (1) | WO2019057272A1 (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2017-09-20 WO PCT/EP2017/073778 patent/WO2019057272A1/en active Application Filing
- 2017-09-20 KR KR1020237007024A patent/KR20230035447A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-09-20 CN CN201780095089.6A patent/CN111148859A/zh active Pending
- 2017-09-20 KR KR1020207010909A patent/KR20200057028A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111148859A (zh) | 2020-05-12 |
| TW201932620A (zh) | 2019-08-16 |
| KR20230035447A (ko) | 2023-03-13 |
| WO2019057272A1 (en) | 2019-03-28 |
| KR20200057028A (ko) | 2020-05-25 |
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