TWI810267B - 紅色螢光體及發光裝置 - Google Patents
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Abstract
提供一種紅色螢光體，其係以通式：MSiAlN3(其中，M係從Mg、Ca、Sr、Ba所選出的至少1種以上的元素)表示，M的一部分被Eu取代並以與CaAlSiN3結晶相相同的結晶構造為母體結晶的紅色螢光體，容積密度為0.70g/cm3以上2.30g/cm3以下。此外，提供一種發光元件，其具有前述紅色螢光體、和可以激發前述紅色螢光體的半導體發光元件。
Description
本發明係關於LED(Light Emitting Diode)或LD(Laser Diode)用的紅色螢光體、及使用此紅色螢光體的發光裝置。
白色LED係藉由半導體發光元件和螢光體的組合來發出偽白色光的裝置，作為其代表性的例子，已知有藍色LED和YAG黃色螢光體的組合。但是，此方式的白色LED，就其色度座標值而言，雖然進入白色區域，但紅色發光成分不足，因此有如下的問題：在照明用途方面演色性低，在如液晶背光的影像顯示裝置方面色再現性差。因此，有人提出了：為了補充不足的紅色發光成分，而與YAG螢光體一起併用發出紅色光的氮化物或氮氧化物螢光體(專利文獻1)。
作為發出紅色光的氮化物螢光體，已知有如下者：以具有與CaAlSiN3(一般也記載為CASN)相同的結晶構造的無機化合物為母體結晶，在其中以例如Eu2+等的光學活性的元素進行活化。專利文獻2中記載了：在CASN的母體結晶中活化Eu2+而製成螢光體者(即，Eu活化的CASN螢光體)係以高亮度發光。CASN螢光體的發光色，即使在紅色區域，也包含許多更長波 長側的光譜成分，因此雖然能夠實現高濃度的演色性，但由於視感度低的光譜成分亦變多，因此就白色LED用而言，要求更進一步的亮度提升。
另外，專利文獻2中記載了：得到在進一步以Sr取代前述CaAlSiN3的Ca的一部分之也記為(Sr,Ca)AlSiN3的母體結晶(一般也記載為SCASN)中，活化Eu2+的螢光體(即，Eu活化的SCASN螢光體)。
此外，有人公開了：藉由將SCASN螢光體的結晶晶格控制在特定的範圍，能夠使發光光譜變窄，得到高亮度的紅色螢光體(專利文獻3)。
專利文獻1 日本特開2004-071726號公報
專利文獻2 國際公開第2005/052087號
專利文獻3 國際公開第2015/002139號
液晶顯示器的背光、照明等的發光裝置經常要求發光特性的改善，因此需要各構件的特性提升，也對LED所使用的螢光體要求發光特性的改善。此外，除了發光特性本身的改善外，也要求例如以使白色LED的發光特性的每個個別製品的變異變小的方式改善生產精度，改善LED製品的良率。
本發明的目的在於提供一種紅色螢光體(在本說明書中，以下也標記為「本紅色螢光體」)，其能夠更穩定地製作例如白色LED的發光元件，特別是能夠抑制與色度有關的LED製品間的變異(在本說明書中也簡稱為「色度變異」)，以CASN螢光體、SCASN螢光體為代表，以通式：MSiAlN3(其中，M係從Mg、Ca、Sr、Ba所選出的至少1種以上的元素)表示，M的一部分被Eu取代並以與CaAlSiN3結晶相相同的結晶構造為母體結晶。本發明人等為了解決上述課題而銳意檢討，結果發現了：若將本紅色螢光體的容積密度控制在特定的範圍，則能夠穩定地製作色度變異進一步受到抑制的發光元件，例如白色LED。
即，本發明的實施形態能夠提供以下的態樣。
(1)一種紅色螢光體，其係以通式：MSiAlN3(其中，M係從Mg、Ca、Sr、Ba所選出的至少1種以上的元素)表示，M的一部分被Eu取代並以與CaAlSiN3結晶相相同的結晶構造為母體結晶的紅色螢光體，容積密度為0.70g/cm3以上2.30g/cm3以下。
(2)如前述(1)記載的紅色螢光體，其安息角為60°以下。
(3)如前述(1)或(2)記載的紅色螢光體，其中M為Ca，容積密度為0.70g/cm3以上1.80g/cm3以下。
(4)如前述(1)或(2)記載的紅色螢光體，其中M為Ca及Sr，容積密度為1.20g/cm3以上2.30g/cm3以下。
(5)如前述(1)至(4)中任一項記載的紅色螢光體，其安息角為20°以上。
(6)如前述(1)至(5)中任一項記載的紅色螢光體，其安息角為45°以下。
(7)一種發光元件，其具有如前述(1)至(6)中任一項記載的紅色螢光體、和可以激發前述紅色螢光體的半導體發光元件。
(8)一種發光裝置，其具有如前述(7)記載的發光元件。
本發明的實施形態中能夠提供的具有特定範圍的容積密度的本紅色螢光體，可以和可以激發螢光體的半導體發光元件組合而構成發光元件，能夠提供如下的發光元件：抑制例如以白色LED的色度為代表的發光特性變異，發光特性更穩定。另外，在本發明的實施形態中，能夠提供具有該發光元件、和收納發光元件的器具的發光裝置。作為這樣的發光裝置，例如，可舉出：照明裝置、背光裝置、影像顯示裝置及訊號裝置。
以下，針對供實施本發明用的形態，詳細地進行說明。本說明書中的數值範圍，只要沒有特別的說明，設為包含其上限值及下限值者。
本發明的螢光體係以通式：MSiAlN3(其中，M係從Mg、Ca、Sr、Ba所選出的至少1種以上的元素)表示，M較佳為包含Ca、Sr者。M較佳為單獨的Ca，或者以Sr和Ca的莫耳數比成為Sr/(Ca+Sr)=0.35以上0.95以下的方式將Sr、Ca分配為M。此外，更佳為Sr和Ca的莫耳數比為Sr/(Ca+Sr)=0.40以上0.90以下。
本紅色螢光體係主結晶相具有與CaAlSiN3結晶相相同的構造。螢光體的主結晶相是否為與CaAlSiN3結晶相同的構造，能夠藉由粉末X線繞射來確認。在結晶構造與CaAlSiN3不同的情況下，發光色成為不是紅色、螢光強度大幅降低，因而不佳。結晶相較佳為前述結晶的單相，但只要對螢光體特性沒有太大的影響，則可以包含異相。
CaAlSiN3結晶、或(Sr,Ca)AlSiN3結晶的骨架構造，係藉由(Si,Al)-N4正四面體鍵結而構成，Ca原子、Sr原子位於其間隙者。藉由Ca2+、Sr2+的一部分被發揮作為發光中心的作用的Eu2+取代而成為紅色螢光體。
本發明的螢光體的活化元素的Eu含有率，若太少，則有對發光的貢獻變小的傾向，若太多，則有發生因Eu2+間的能量傳遞所產生的螢光體的濃度消光的傾向，因此較佳為0.01at%以上1.0at%以下，特佳為0.03at%以上0.5at%以下。
又，本紅色螢光體中，以無法避免的成分的形式包含微量的氧(O)。然後，M元素的占有率、Si/Al比、N/O等係以一邊維持結晶構造一邊保持整體電中性的方式調整。
本紅色螢光體較佳為容積密度為0.70g/cm3以上2.30g/cm3以下。若容積密度小於0.70g/cm3或者大於2.30g/cm3，則使用此螢光體所作成的LED的色度變異變大。
一般而言，粉體的容積密度能夠用以下的方法求出：測定放入量筒的已知重量的粉體試料的體積的方法(方法1)；或測定通過體積計放入容器內的已知體積的粉體試料的質量的方法(方法2)；或使用專用的測定用容器進行測定的方法(方法3)。此等之中，理想的是使用方法1及方法3。以下，針對方法3詳細地進行說明。首先，準備足夠進行測定的量的試料。將輔助圓筒安裝於乾燥的一定容量的圓筒形的測定用容器，放入需要量的試料。以50~60次/分鐘將附輔助圓筒的測定用容器進行複數次振實(tap)。卸除輔助圓筒，從容器的上面刮掉過量的粉體，測定重量。藉由減去預先測定好的空的圓筒形容器的質量，來測定粉體的質量。藉由算出每單位體積的試料的重量來求出容積密度。此容積密度較佳為重複進行測定，更佳為進行複數次測定，以這些測定值的平均值的形式求出。
一般而言，粉體的容積密度能夠藉由粉體的粒徑、粒度分布、表面狀態來進行控制。
本紅色螢光體較佳為以雷射繞射散射法測定的質量中位徑(D50)為30μm以下。若質量中位徑超過30μm，則容積密度無法落入特定的範圍，使用此螢光體所作成的LED的色度變異變大。此外，若質量中位徑小於5μm，則螢光體的發光特性降低，因而不佳。又，質量中位徑，係由體積中位徑換算、算出的值，該體積中位徑係從按照JIS R1622：1995及R1629：1997而以雷射繞射散射法進行測定的累積分布曲線得到。
本紅色螢光體係進一步跨距值(span value)較佳為1.6以下，再佳為0.1以上1.5以下。又，所謂跨距值，係意指以(D90-D10)/D50算出的值，此處，所謂D10及D90，係從與上述質量中位徑同樣地進行測定的質量基準的累積分布曲線所得到的10%徑及90%徑。跨距值成為表示粒度分布的分布寬度，即本紅色螢光體的粒子大小的變異的指標。若跨距值小，則容積密度容易落入特定的範圍，能夠使使用螢光體所作成的LED的色度變異變小。
又，粉體的表面狀態能夠依製造時的後處理方法改變。作為本紅色螢光體的後處理方法，例如，可舉出：清洗、螢光體粒子的表面被覆，但從提升生產性和容積密度的觀點來看，較佳為進行清洗。作為清洗方法，沒有特別的限制，但較佳為以酸性、鹼性、極性的水溶液進行清洗，可以以1種清洗水溶液進行清洗，也可以使用2種以上的清洗水溶液進行複數次清洗。
此外，本紅色螢光體係以通式：MSiAlN3(其中，M係從Mg、Ca、Sr、Ba所選出的至少1種以上的元素)表示。作為M，可舉出：Mg、Ca、Sr、Ba等，因此M在螢光體組成中所占的質量比例高，本紅色螢光體的較佳容積密度的範圍係依M的種類而改變。例如，在M為單獨的Ca的情況下，容積密度較佳為0.70g/cm3以上1.80g/cm3以下，在M為Ca及Sr的情況下，容積密度較佳為1.20g/cm3以上2.30g/cm3以下。
本紅色螢光體係安息角較佳為60°以下，更佳為45°以下。此外，本紅色螢光體係安息角較佳為20°以上。由於安息角表示螢光體的流動性，因此成為表示螢光體用於LED時的分散程度的指標。若安息角為20°以上60°以下，則能夠使製作的LED的色度變異變小。
安息角的測定方法有如下的方法：測定在將試料放入容器並使其自然落下而堆積在水平面時粉末形成的角度的方法(注入法)；使試料從容器底部的小孔自然落下，測定殘留在容器內的粉末形成的角度的方法(排出法)；將粉末放入容器內，傾斜容器而測定粉末形成的角度的方法(傾斜法)。此等之中，理想的是使用注入法。以下，針對注入法詳細地進行說明。使試料從一定高度的漏斗落下至水平的基板上，從生成的圓錐狀堆積物的直徑及高度算出底角，將此底角作為安息角。此安息角較佳為重複進行測定，更佳為進行複數次測定，以這些測定值的平均值的形式求出。
本紅色螢光體的製造方法沒有特別的限制。此處，例示如下的方法：在氮氣環境中、在既定的溫度範圍，將能構成以前述通式所表示的組成物的原料混合粉末進行燒成。
此製造方法中，作為原料，適合使用構成元素的氮化物，即氮化鈣、氮化鍶、氮化矽、氮化鋁、氮化銪，但也可以使用氧化物。例如，作為從發揮作為發光中心的作用來看添加量非常少的銪源，可以使用容易取得的氧化銪。
混合上述的原料的方法沒有特別的限定，但與空氣中的水分及氧激烈地進行反應的氮化鈣、氮化鍶、氮化銪適合在由惰性氣體環境所置換過的手套箱內操作。
燒成容器，較佳為以在高溫的氮氣環境下穩定，很難與原料混合粉末及其反應生成物進行反應的材質構成，可舉出：氮化硼製、高熔點金屬容器、碳製等。
從手套箱取出填充有原料混合粉末的燒成容器，快速地放置於燒成爐，在氮氣環境中、以1600℃以上2000℃以下進行燒成。若燒成溫度太低，則未反應殘留量變多，若太高，則與CaAlSiN3結晶相相同的結晶構造的母體結晶分解，因而不佳。
燒成時間係選擇不會產生如下的不良狀況的時間範圍：存在許多未反應物、或粒成長不足、或者是生產性降低，較佳為2小時以上24小時以下。
燒成氣體環境的壓力係根據燒成溫度而選擇。本發明的本紅色螢光體能夠在到約1800℃為止的溫度下、在大氣壓下穩定而存在，但在此以上的溫度下，為了抑制螢光體的分解，需要作成加壓氣體環境。氣體環境壓力越高，螢光體的分解溫度變得越高，但若考慮工業生產性，則較佳為設為小於1MPa。
燒成物的狀態，係依原料摻合、燒成條件而為各式各樣的粉體狀、塊狀、燒結體。在用作螢光體的情況下，組合解碎、粉碎及/或分級操作來將燒成物製成既定尺寸的粉末。
在本紅色螢光體的製造方法方面，較佳為在粉碎步驟後，設置清洗步驟。如前述記載，清洗步驟中使用的水溶液較佳為酸性、鹼性、極性的水溶液。清洗步驟係使粉碎步驟後的螢光體分散於上述記載的水溶液，攪拌數分鐘至數小時的步驟。藉由清洗步驟，能夠將源自燒成容器的雜質元素、燒成步驟中產生的異相、原料中所含的雜質元素、粉碎步驟中混入的雜質元素溶解去除，藉由使螢光體的表面清潔，能夠提升所得到的螢光體粉末的容積密度。
在製造本紅色螢光體方面，可以進一步進行以進一步去除雜質為目的之酸處理步驟、以提升結晶性為目的之退火處理步驟。
本紅色螢光體，可以和可以激發螢光體的半導體發光元件組合而構成發光元件，也可以進一步得到具有前述發光元件的發光裝置。從半導體發光元件， 將特別是含有350nm以上500nm以下的波長的紫外光、可見光照射至本紅色螢光體，從而能夠得到發出紅色光的發光元件。此外，藉由組合紫外LED或藍色LED這樣的半導體發光元件、和本紅色螢光體，進一步根據需要而和其他的發出綠~黃色光的螢光體、及/或藍色螢光體組合，可容易地得到發出白色光的發光元件。
針對本發明的實施例，一邊參照表1一邊詳細地進行說明。表1係顯示實施例及比較例的螢光體的D10、D50、D90、跨距值、容積密度、及安息角者。
以成為Ca：Eu：Al：Si=0.994：0.006：1.00：1.00的比率，使用α型氮化矽粉末(Si3N4，宇部興產股份有限公司製SN-E10等級)、氮化鈣粉末(Ca3N2，Materion公司製)、氮化鋁粉末(AlN，Tokuyama股份有限公司製E等級)、氧化銪(Eu2O3，信越化學工業股份有限公司製RU等級)作為實施例1的螢光體的原料。
首先，以V型混合機，將原料之中的Si3N4、AlN、Eu2O3進行10分鐘的乾式混合。為了使混合後的原料的大小一致，以孔眼開度250μm的尼龍製篩將混合後的原料進行分級，作成原料混合物。
使通過篩的原料混合物移動至能夠保持水分1質量ppm以下、氧1質量ppm以下的氮氣環境的手套箱中，在其中將Ca3N2摻合至原料混合物，進行乾式混合。為了使以乾式混合過的原料的大小一致，再度以孔眼開度250μm的尼龍製篩進行分級。將分級後的原料250g填充於附蓋子的圓筒型氮化硼製容器(Denka股份有限公司製N-1等級)。
從手套箱取出填充有原料的容器，快速地設置於碳加熱器的電爐，將爐內充分地進行真空排氣至0.1Pa以下。在進行過真空排氣的情況下，開始加熱，在650℃下導入氮氣，將爐內氣體環境壓力設為0.1MPa。導入氣體後亦在那樣的情況下升溫至1850℃，在1850℃下進行8小時的燒成。
冷卻後，從爐回收的試料係紅色的塊狀物，進行研缽粉碎，最後使其全部通過孔眼開度150μm的篩。
對於所得到的螢光體樣品，使用X線繞射裝置(Rigaku股份有限公司製UltimaIV)，進行使用CuKα線的粉末X線繞射。所得到的X線繞射圖案係觀察到與CaAlSiN3結晶相同的繞射圖案。
將通過篩者浸於鹽酸中1小時，進行清洗。清洗後，進行過濾以將螢光體和處理液分離。螢光體係 在100℃~120℃的乾燥機中乾燥12小時，乾燥後以孔眼開度150μm的篩進行分級，成為僅通過篩者。
質量中位徑及跨距值係使用粒度分布測定裝置(Microtrac．Bel股份有限公司製Microtrac MT3000II)，按照JIS R1622：及R1629，由以雷射繞射散射法進行測定的體積平均徑算出D10、D50(質量中位徑)、D90，此外，求出跨距值((D90-D10)/D50)。
容積密度係用以下的方法進行測定。測定用容器使用定容容器(25cc)的圓筒型容器，利用秤來秤取其質量。將輔助圓筒安裝於測定用容器，放入試料至滿出來為止，以50~60次/分鐘的速度將附輔助圓筒的測定用容器進行50次振實，卸除輔助圓筒。使用刮平板，將從測定用容器的上端面隆起的試料刮平。此時，刮平板係以不壓縮粉末的方式使其從刮平方向起向後傾斜而使用。用秤測量連同測定用容器的質量，減去測定用容器的質量而計算試料的質量。將此測定進行3次。算出將在各測定所計算的試料的質量除以測定用容器的容積的值的平均值而作為容積密度。
安息角係用以下的方法進行測定。從管嘴內徑10mm的市售的玻璃製漏斗的上緣2~4cm的高度，以每分鐘20~60g的速度，使試料20g透過該漏斗落下在基板上，由生成的圓錐狀的堆積物的直徑及高度算出底角。將此測定進行3次，將底角的平均值作為安息角。
除了以成為表1所示的D10、D50(質量中位徑)、D90的方式變更粉碎、分級條件外，以與實施例1相同的條件製作實施例2的螢光體粉末。將在實施例2所得到的螢光體的特性與實施例1的結果一起顯示於表1。
除了以成為表1所示的D10、D50(質量中位徑)、D90的方式變更粉碎、分級條件，酸清洗之後，增加利用乙醇水溶液的清洗外，以與實施例1相同的條件製作實施例3的螢光體粉末。在實施例3所得到的螢光體的特性也一起顯示於表1。
以成為Sr：Ca：Eu：Al：Si=0.850：0.130：0.020：1.00：1.00的比率，使用α型氮化矽粉末(Si3N4，宇部興產股份有限公司製SN-E10等級)、氮化鍶(Sr2N，Materion公司製)、氮化鈣粉末(Ca3N2，Materion公司製)、氮化鋁粉末(AlN，Tokuyama股份有限公司製E等級)、氧化銪 (Eu2O3，信越化學工業股份有限公司製RU等級)作為實施例4的螢光體的原料。
接著，以V型混合機，將原料之中的Si3N4、AlN、Eu2O3進行10分鐘的乾式混合。為了使混合後的原料的大小一致，以孔眼開度250μm的尼龍製篩將混合後的原料進行分級，作成原料混合物。
使通過篩的原料混合物移動至能夠保持水分1質量ppm以下、氧1質量ppm以下的氮氣環境的手套箱中，在其中將Sr2N和Ca3N2摻合至原料混合物，進行乾式混合。為了使以乾式混合過的原料的大小一致，再度以孔眼開度250μm的尼龍製篩進行分級。將分級後的原料250g填充於附蓋子的圓筒型氮化硼製容器(Denka股份有限公司製N1等級)。
從手套箱取出填充有原料的容器，快速地設置於碳加熱器的電爐，將爐內充分地進行真空排氣至0.1Pa以下。在進行過真空排氣的情況下，開始加熱，在650℃下導入氮氣，將爐內氣體環境壓力設為0.9MPa。導入氣體後亦在那樣的情況下升溫至1950℃，在1950℃下進行8小時的燒成。
冷卻後，從爐回收的試料係紅色的塊狀物，進行研缽粉碎，最後使其全部通過孔眼開度150μm的篩。
對於所得到的螢光體樣品，使用X線繞射裝置(Rigaku股份有限公司製UltimaIV)，進行使用CuKα線的粉末X線繞射。所得到的X線繞射圖案係觀察到與(Sr,Ca)AlSiN3結晶相同的繞射圖案。
將通過篩者浸於鹽酸中1小時，進行清洗。清洗後，進行過濾以將螢光體和處理液分離。螢光體係在100℃~120℃的乾燥機中乾燥12小時，乾燥後以孔眼開度150μm的篩進行分級，成為僅通過篩者。
對所得到的螢光體樣品，測定與在實施例1~3所得到的螢光體同樣的粉體特性，將結果顯示於表1。
除了以成為表1所示的D10、D50(質量中位徑)、D90的方式變更粉碎、分級條件外，以與實施例4相同的條件製作實施例5的螢光體粉末。將在實施例5所得到的螢光體的特性與實施例1~4的結果一起顯示於表1。
除了酸清洗之後，不實施利用乙醇水溶液的清洗外，以與實施例3相同的條件製作比較例1的螢光體粉末。將在比較例1所得到的螢光體的特性與實施例1~5的結果一起顯示於表1。
除了以成為表1所示的D10、D50(質量中位徑)、D90的方式變更粉碎、分級條件外，以與實施例4相同的條件製作比較例2的螢光體粉末。將在比較例2所得到的螢光體的特性與實施例1~5、比較例1的結果一起顯示於表1。
使用在上述實施例1所得到的紅色螢光體，製作LED。即，對具有熱硬化性且在常溫下具有流動性的矽酮樹脂(信越化學工業股份有限公司製，商品名：KER6150)添加螢光體粒子10質量%，加以攪拌混合而調製漿料。接著，向安裝有在波長450~460nm具有波峰的藍色LED晶片的頂視型封裝注入上述漿料6mg後，在150℃的溫度下加熱2小時以使漿料硬化。依此方式操作，製作如下的LED：具備有實施例1的紅色螢光體粒子，吸收波長420~480nm的範圍的光，且放出超過480nm且800nm以下的範圍的光。
除了使用在實施例2所得到的紅色螢光體粒子外，以與實施例6相同的條件製作LED。
除了使用在實施例3所得到的紅色螢光體粒子外，以與實施例6相同的條件製作LED。
除了使用在實施例4所得到的紅色螢光體粒子外，以與實施例6相同的條件製作LED。
除了使用在實施例5所得到的紅色螢光體粒子外，以與實施例6相同的條件製作LED。
除了使用在比較例1所得到的紅色螢光體粒子外，以與實施例6相同的條件製作LED。
除了使用在比較例2所得到的紅色螢光體粒子外，以與實施例6相同的條件製作LED。
針對在上述實施例6~10、比較例3~4製作之各自的LED，製作各50個LED，使用LED測定裝置(Instrument System公司製，商品名：CAS140B)，測定色度評價。將其結果整理在以下所示的表2。又，色度評價係顯示CIE色度座標之一、XYZ表色系的x值和y值的各標準差σ。
由表2所示的實施例、比較例的結果得知：藉由將紅色螢光體的容積密度控制在特定的範圍，使用此螢光體的LED係色度偏移變小。
本發明的本紅色螢光體可得到被藍色光激發而顯示出紅色發光且色度變異比先前小的LED。即，本發明的本紅色螢光體，係能夠適合用作使用其的發光元件，例如組合發出藍色光之可以進行激發的半導體發光元件和螢光體而構成的白色LED用的螢光體之一者，此外，前述發光元件能夠適合用於照明器具、影像顯示裝置等的發光裝置。
Claims (7)
- 一種紅色螢光體，其係以通式：MSiAlN3(其中，M係從Mg、Ca、Sr、Ba所選出的至少1種以上的元素)表示，M的一部分被Eu取代並以與CaAlSiN3結晶相相同的結晶構造為母體結晶的紅色螢光體，容積密度為0.70g/cm3以上2.30g/cm3以下，安息角為20°以上45°以下，且以雷射繞射散射法測定的質量中位徑D50為5μm以上30μm以下。
- 如請求項1的紅色螢光體，其中M為Ca，容積密度為0.70g/cm3以上1.80g/cm3以下。
- 如請求項1的紅色螢光體，其中M為Ca及Sr，容積密度為1.20g/cm3以上2.30g/cm3以下。
- 如請求項1至3中任一項的紅色螢光體，其安息角為27°以上。
- 如請求項1至3中任一項的紅色螢光體，其安息角為35°以下。
- 一種發光元件，其具有如請求項1至5中任一項的紅色螢光體、和可以激發該紅色螢光體的半導體發光元件。
- 一種發光裝置，其具有如請求項6的發光元件。
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