TWI809469B - 用於印刷電路板的ｅｍｉ式遮蔽補強板及其製備方法 - Google Patents

Abstract

一種用於印刷電路板的EMI式遮蔽補強板及其製備方法，該EMI式遮蔽補強板包括EMI式遮蔽複合膜及黏著層，該EMI式遮蔽複合膜包括：消光性黑色聚醯亞胺層、聚醯亞胺層、至少二接著劑層以及電磁波遮罩層，其中，該電磁波遮罩層位於該消光性黑色聚醯亞胺層及該聚醯亞胺層之間，且該消光性黑色聚醯亞胺層、該電磁波遮罩層及該聚醯亞胺層通過該接著劑層彼此結合。本揭露在補強板的功能基礎上，額外附加EMI的電磁遮罩防護功能，可在具有電磁遮罩效果的同時，使軟性電路板具有較高的傳輸品質、較佳的抗化性以及較佳的接著性。

Description

用於印刷電路板的EMI式遮蔽補強板及其製備方法

本揭露涉及印刷電路板(printed circuit board，PCB)技術領域，特別是涉及用於PCB的EMI式遮蔽補強板。

電子及通訊產品趨向多功能、複雜化，以及市場對電路基板的構裝需要更輕、薄、短、小，而且在功能上也期待更強大、更高速的訊號傳輸，因此，線路密度勢必提高，使得載板線路彼此間的距離越來越近。另一方面，工作頻率亦朝向高寬頻化發展。為了因應這些變化，若線路佈局、佈線不經過適當地設計，電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)的情形將越來越嚴重。於是，必須有效管理電磁相容(electromagnetic compatibility，EMC)，以維持電子產品的正常訊號傳遞及提高可靠度。此外，由於軟性電路板(flexible printed circuit，FPC)具有輕薄且可彎曲的特性，使得軟性電路板在可攜帶式資訊與通訊電子產業的發展上佔有舉足輕重的地位。

電磁遮罩膜在移動通訊、醫療顯示、軍工電子等高端製造領域有很好的應用前景。隨著5G時代的到來，終端產品對電磁遮罩膜的要求越來越高，而遮罩層厚度也將隨之增加，此導致常態下熟化製程後的浸錫測試會有大面積爆板情形、表面貼焊(surface mount technology，SMT)後大面積爆板、或者SMT線路間導通阻值攀升明顯。同時，較高厚度的遮罩層(金屬層)若搭配較薄厚度的絕緣層以及導電膠接觸層，會導致一系列耐候性問題，如：高溫高濕或者冷熱衝擊測試條件下的導通阻值攀升明顯、接著力下降、甚至遮罩層脫層等。對於這些問題的防範，目前業界多使用：基板+導電膠+表面處理後的鋼片進行補強。

本揭露主要解決的技術問題是如何提供一種用於印刷電路板，尤其是用於軟性印刷電路板的EMI式遮蔽補強板及其製備方法，其在補強板功能基礎上，額外具有EMI的遮罩防護功能，故可在具有電磁遮罩效果的同時，使軟性印刷電路板具有較高的傳輸品質、較佳的抗化性以及較佳的接著性。使用本揭露所提供之EMI式遮蔽補強板於軟性印刷電路板上，使疊構變為基板+EMI式遮蔽補強板，不僅可以滿足客戶對電磁干擾的要求，還可為下游省去一道工序，為產品的輕薄化提供更多的可能。

為解決上述技術問題，本揭露提供一種用於印刷電路板的EMI式遮蔽補強板，包括EMI式遮蔽複合膜形成於該EMI式遮蔽複合膜上之黏著層，其中，該EMI式遮蔽複合膜包括：消光性黑色聚醯亞胺層；聚醯亞胺(PI)層；電磁波遮罩層，係位於該消光性黑色聚醯亞胺層及該聚醯亞胺層之間；以及至少二接著劑層，係分別形成於該消光性黑色聚醯亞胺層與電磁波遮罩層之間及該電磁波遮罩層與聚醯亞胺層之間。

於一具體實施態樣中，該EMI式遮蔽補強板復包括另一聚醯亞胺層，使該消光性黑色聚醯亞胺層與電磁波遮罩層之間，且復包括二該接著劑 層，分別形成於該消光性黑色聚醯亞胺層與另一聚醯亞胺層之間及該另一聚醯亞胺層與電磁波遮罩層之間。

於一具體實施態樣中，該EMI式遮蔽複合膜的總厚度符合下式關係：

Z=T+E+mX+nY。

式中，Z表示該EMI式遮蔽複合膜的總厚度；T表示該消光性黑色聚醯亞胺層的厚度；E表示該電磁波遮罩層的厚度；m表示該聚醯亞胺層的層數；X表示該聚醯亞胺層的厚度；n表示該接著劑層的層數；以及Y表示該接著劑層的厚度。

於一具體實施態樣中，該消光性黑色聚醯亞胺層的厚度為5μm至75μm。

於一具體實施態樣中，該電磁波遮罩層的厚度為0.2μm至40μm。

於一具體實施態樣中，該聚醯亞胺層的厚度為12.5μm至75μm。

於一具體實施態樣中，形成該電磁波遮罩層之材質係選自銀、銅、鋅、鎳及鋁所組成群組中之至少一種。

於一具體實施態樣中，該黏著層的厚度為3μm至40μm。

於一具體實施態樣中，該黏著層係環氧樹脂層、丙烯酸樹脂層、胺基甲酸酯系樹脂層或聚醯亞胺樹脂層。

於一具體實施態樣中，該EMI式遮蔽補強板復包括貼合於該黏著層另一面上的離型層，使該黏著層位於該離型層與EMI式遮蔽複合膜之間。

於一具體實施態樣中，該聚醯亞胺層係黃色聚醯亞胺層。

本揭露復提供一種製備所述之EMI式遮蔽補強板的方法，包括：

於該消光性黑色聚醯亞胺層的表面上塗佈接著劑，並與該電磁波遮罩層壓合，以得到第一半成品；

於該聚醯亞胺層的表面上塗佈接著劑，並與該第一半成品之電磁波遮罩層壓合，以得到該EMI式遮蔽複合膜；

熟化該EMI式遮蔽複合膜；以及

於該經熟化之EMI式遮蔽複合膜的聚醯亞胺層表面上塗覆該黏著層，以得到用於印刷電路板的該EMI式遮蔽補強板。

除上述方法之外，本揭露另提供一種製備所述之EMI式遮蔽補強板的方法，包括：

於該消光性黑色聚醯亞胺層的表面上塗佈接著劑，並與該聚醯亞胺層壓合，以得到第二半成品；

於該電磁波遮罩層的表面上塗佈接著劑，並與該第二半成品之該聚醯亞胺層壓合，以得到第三半成品；

於另一聚醯亞胺層的表面上塗佈接著劑，並與該第三半成品之電磁波遮罩層壓合，以得到該EMI式遮蔽複合膜；

熟化該EMI式遮蔽複合膜；以及

於該經熟化之EMI式遮蔽複合膜的聚醯亞胺層表面上塗覆該黏著層，以得到用於印刷電路板的該EMI式遮蔽補強板。

本揭露的有益效果至少具有以下幾點：

1、本揭露通過消光性黑色聚醯亞胺層及聚醯亞胺層(如黃色聚醯亞胺層)的組合，降低EMI式遮蔽複合膜貼覆至電路板後的翹曲高度，同時有利於保護電路圖案；

2、本揭露的EMI式遮蔽補強板無需增加工序，即可達到EMI遮蔽效果；

3、本揭露在補強板中植入電磁波遮罩層，對投射至補強板的電磁波產生強烈的遮罩作用，使絕大部分射頻與微波能量被遮蔽，透射分量極小，從而獲得很大的遮罩衰減，可以明顯消除環境電磁波輻射的污染。本揭露的EMI式遮蔽補強板具有優異的電磁遮罩性能，且為產品的輕薄化提供更多的可能；

4、本揭露的EMI式遮蔽補強板非常平坦，亦具有優異的反彈力，操作性佳。

11:消光性黑色聚醯亞胺層

12:接著劑層

13:聚醯亞胺層

14:電磁波遮罩層

15:黏著層

16:離型層

100:EMI式遮蔽複合膜

圖1係本揭露EMI式遮蔽補強板之實施例之結構示意圖。

圖2係本揭露EMI式遮蔽補強板之另一實施例之結構示意圖。

以下藉由特定的具體實施例說明本揭露的實施方式，本揭露所屬技術領域中具有通常知識者可根據本文所記載的內容輕易地瞭解本揭露的範圍及功效。然而，本文所記載的具體實施例並非用以限定本揭露，所列舉的各技術特徵或方案可彼此組合，本揭露亦可藉由其它不同的實施方式加以實現或應用，本文所記載的各項細節亦可根據不同的觀點與應用，在不悖離本揭露下賦予不同的變化或修飾。

須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本揭露可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本揭露所能產生之功效及所能達成之 目的下，均應仍落在本揭露所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如「上」、「第一」、「第二」、「第三」等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本揭露可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本揭露可實施之範疇。

本文中該的「包括」、「包含」或「具有」特定要件時，除非另有說明，否則可另包含其他元件、組成分、結構、區域、部位、裝置、系統、步驟或連接關係等要件，而非排除該等其他要件。

除非本文中另有明確說明，否則本文中該的單數形式「一」及「該」亦包含複數形式，且本文中該的「或」與「及/或」可互換使用。

本文中該的數值範圍是包含且可合併的，落在本文該數值範圍內的任何數值皆可作為最大值或最小值以導出其次範圍；舉例而言，「0.2μm至40μm」的數值範圍應可理解為包含最小值為0.2μm及最大值為40μm之間的任何次範圍，例如：0.2μm至35μm、0.5μm至40μm、及0.5μm至35μm等次範圍；此外，若一數值落在本文該的各範圍內(如最大值與最小值之間)，即應視作包括在本揭露的範圍內。

一種用於印刷電路板的EMI式遮蔽補強板，包括EMI式遮蔽複合膜形成於該EMI式遮蔽複合膜上之黏著層，其中，該EMI式遮蔽複合膜包括：消光性黑色聚醯亞胺層；聚醯亞胺層；電磁波遮罩層，係位於該消光性黑色聚醯亞胺層及該聚醯亞胺層之間；以及至少二接著劑層，係分別形成於該消光性黑色聚醯亞胺層與電磁波遮罩層之間及該電磁波遮罩層與聚醯亞胺層之間。

如圖1所示，EMI式遮蔽補強板包括EMI式遮蔽複合膜100及黏著層15，且EMI式遮蔽複合膜100包括消光性黑色聚醯亞胺層11、聚醯亞胺層13、接著劑層12以及電磁波遮罩層14，其中，電磁波遮罩層14位於消光性黑色聚醯亞胺層11及聚醯亞胺層13之間。

於圖2所示之另一具體實施態樣中，EMI式遮蔽複合膜100的疊構層數增加，具有兩層聚醯亞胺層13，電磁波遮罩層14則位於兩層聚醯亞胺層13之間。於其他具體實施態樣中，EMI式遮蔽複合膜100的疊構層數可繼續增加，例如具有三層、四層以上的聚醯亞胺層，所增加的聚醯亞胺層可位於消光性黑色聚醯亞胺層11與電磁波遮罩層14之間，亦可位電磁波遮罩層14與黏著層15之間，而接著劑層12亦隨疊構之層數增加而增加。

本揭露的EMI式遮蔽補強板中，EMI式遮蔽複合膜的總厚度Z符合下式關係：

Z=T+E+mX+nY

式中，T表示消光性黑色聚醯亞胺層的厚度，可為5μm至75μm、10μm至60μm、或12.5μm至50μm，例如5、6、7、8、9、10、11、12、12.5、13、14、15、16、17、18、19、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70或75μm。

式中，E表示電磁波遮罩層的厚度，可為0.2μm至40μm、1μm至40μm、或5μm至36μm，例如0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、39或40μm。

式中，m表示聚醯亞胺層的層數，X表示聚醯亞胺層的厚度。m為1以上之正整數，包括但不限於1、2、3，X可為12.5μm至75μm、12.5μm至50μm、或12.5μm至30μm，例如12.5、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70或75μm。

式中，n表示接著劑層的層數，Y表示接著劑層的厚度。n為1以上之正整數，包括但不限於1、2、3、4，Y可根據特定Z值而定，例如0.5μm至 50μm、1μm至40μm、或3μm至40μm，例如0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、17.5、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、35、40、45或50μm。

式中，Z表示該EMI式遮蔽複合膜的總厚度，可為26.5至500μm、50至400μm、或50至300μm，例如26.5、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、85、90、95、100、125、150、175、200、225、250、275、300、325、350、375、400、425、450、475或500μm。

本揭露的EMI式遮蔽補強板使用消光性黑色聚醯亞胺層，其具有低的熱膨脹係數，對遮蔽補強板在平坦性方面起到正向作用，且可以保護FPC線路。

本揭露的EMI式遮蔽補強板中，形成電磁波遮罩層之材質係選自銀、銅、鋅、鎳及鋁所組成群組中之至少一種，例如為銀箔、銅箔、鋅箔、鎳箔、鋁箔等其中的一種或上揭金屬元素的混合物金屬層。電磁波遮罩層對投射至其表面的電磁波產生強烈的遮罩作用，可使絕大部分射頻與微波能量被遮蔽，透射分量極小，從而獲得很大的遮罩衰減，可以明顯消除環境電磁波輻射的污染。當電磁波遮罩層厚度達到3μm以上，可以達到80dB的遮蔽率。本揭露除了通過使遮蔽補強板各層的熱膨脹係數相近外，又設置如金屬箔的電磁波遮罩層，其可作為遮蔽補強板結構上的支撐，令壓合後平坦性更佳。

本揭露的EMI式遮蔽補強板中，黏著層係環氧樹脂層、丙烯酸樹脂層、胺基甲酸酯系樹脂層或聚醯亞胺樹脂層。於一具體實施態樣中，黏著層的厚度為3μm至40μm，例如3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、25、30、35、40μm。

於一具體實施態樣中，本揭露的EMI式遮蔽補強板復包括貼合於該黏著層另一面上的離型層，如圖1及圖2所示之離型層16。離型層可為離型膜或離型紙，用於保持黏著層的黏性，以利於後續與電路板之黏合或其他壓合製程使用。

於一具體實施態樣中，聚醯亞胺層可為習知聚醯亞胺層，例如黃色聚醯亞胺層，聚醯亞胺層與消光性黑色聚醯亞胺層併用可使本揭露之EMI式遮蔽補強板具有穩定的物性。

本揭露復提供一種製備所述EMI式遮蔽補強板的方法，包括以下步驟：

S1：於消光性黑色聚醯亞胺層的表面上塗佈接著劑(例如熱硬化接著劑，以下亦同)，置於烘箱加熱乾燥後，用熱滾輪使該接著劑與電磁波遮罩層(例如銅箔，以下亦同)接觸並壓合，得到第一半成品；

S2：於聚醯亞胺層的表面上塗佈接著劑，置於烘箱加熱乾燥後，用熱滾輪使該聚醯亞胺層的表面上之接著劑與第一半成品之電磁波遮罩層接觸並壓合，得到EMI式遮蔽複合膜；

S3：將所得的EMI式遮蔽複合膜熟化，例如在160℃的條件下熟化2小時；

S4：於經熟化之EMI式遮蔽複合膜的聚醯亞胺層的表面上塗覆黏著層，形成用於印刷電路板的EMI式遮蔽補強板。

本揭露還提供一種製備所述EMI式遮蔽補強板的方法，包括以下步驟：

S1：於消光性黑色聚醯亞胺層的表面上塗佈接著劑，置於烘箱加熱乾燥後，用熱滾輪使該接著劑與聚醯亞胺層接觸並壓合，得到第二半成品；

S2：於電磁波遮罩層的表面塗佈接著劑，置於烘箱加熱乾燥後，用熱滾輪使該電磁波遮罩層的表面上之接著劑與第二半成品之該聚醯亞胺層壓合，得到第三半成品；

S3：於另一聚醯亞胺層的表面上塗佈接著劑，置於烘箱加熱乾燥後，用熱滾輪使該另一聚醯亞胺層的表面上之接著劑與第三半成品之電磁波遮罩層壓合，得到EMI式遮蔽複合膜；

S4：將所得的EMI式遮蔽複合膜熟化，例如在160℃的條件下熟化2小時；

S5：於經熟化之EMI式遮蔽複合膜的聚醯亞胺層的表面上塗覆黏著層，形成用於印刷電路板的EMI式遮蔽補強板。

實施例1至9、比較例1至9

依前述之製備方法製備EMI式遮蔽補強板不同厚度及疊構的實施例，如下表1所示。另製備比較例樣品，其不包括消光性黑色聚醯亞胺層，而使用一般性黃色聚醯亞胺層/接著劑層，其餘與實施例相同。表1中，各實施例及比較例的目標厚度與疊構總厚度之間容許±5μm的誤差。

實施例：消光性黑色聚醯亞胺層+一或多層黃色聚醯亞胺層+電磁波遮罩層，各層以接著劑層彼此結合形成疊構。該消光性黑色聚醯亞胺層使用PI Advanced Materials(PIAM)公司GDA系列產品，該黃色聚醯亞胺層使用PIAM公司GF系列產品，該電磁波遮罩層使用南亞塑膠公司VF系列銅箔。

比較例：一或多層黃色聚醯亞胺層，各層以接著劑層彼此結合形成疊構，且各比較例之疊構厚度與所對應實施例之疊構厚度相同。

表1

測試例1

實施例及比較例樣品經熟化後，於聚醯亞胺層的表面上塗覆黏著層，該黏著層材料均使用SONY公司所生產的純膠(商品名D3450)。將EMI式遮蔽補強板裁切為25cm×25cm的尺寸，於180℃條件下壓合至74.5±1μm的三層雙面軟性銅箔基板上，再以160℃的條件進行熟化。接著，將各個實施例與比較例樣品置於光滑平面上，靜置20分鐘後，量測四個邊角的翹曲高度，進行平坦度測試，結果亦如下表2所示。

表2：翹曲高度(cm)

如表2所示，在總厚度相同的條件下，相較於未使用EMI式遮蔽

複合膜的樣品，使用本揭露EMI式遮蔽複合膜的翹曲高度相對較小，因而具有較佳的平坦性。而且，隨著總厚度增加，平坦性更為明顯。EMI式遮蔽補強板的最高翹曲高度

1cm，為超級平坦型補強板。

測試例2

以同樣的實施例及比較例，比對在相同R角下，實施例及比較例樣品的補強板試片對天平的反彈力大小來評估材料的柔軟性，結果記錄於下表3。測試試片規格：10mm×30mm，測試R角：2.35mm。

測試步驟：

1.調整分析天平水準，使水準泡位於水平儀器中心。

2.接通儀器電源，按一下TARE鍵，將儀器清零。

3.打開玻璃門，將試片一端固定於托盤上方的夾座上，另一端卡在托盤中心的卡座上，使試片成U字形，完畢後關上玻璃門。

4.依逆時針方向慢慢旋轉儀器右端旋鈕，使卡座緩慢下降，直至其與下方墊塊接觸，此時試片R角即為2.35mm。

5.待「OK」指示燈亮後，即可讀取反彈力讀數。

6.測試完畢後，將旋鈕順時針旋至原位，打開玻璃門，取下試片。

7.重複3至6步驟，測試其它試片。

表3：反彈力(g)

如表3所示，在總厚度相同的條件下，使用本揭露EMI式遮蔽複合膜的樣品的反彈力整體與未使用EMI式遮蔽複合膜的樣品相當，具有符合水準的柔軟性。

測試例3

以實施例1所述之方法製備EMI式遮蔽補強板，但進一步調控其電磁波遮罩層(銅箔)的厚度，另同以實施例1所述之方法製備比較例樣品，惟其不含電磁波遮罩層。測試兩者的遮罩效果，結果記錄於下表4。

表4

如表4所示，電磁波遮罩層的厚度達到3.0μm以上時，即可達到80dB以上的高遮蔽率，且遮蔽效果隨電磁波遮罩層的厚度增加而上升。

11:消光性黑色聚醯亞胺層

12:接著劑層

13:聚醯亞胺層

14:電磁波遮罩層

15:黏著層

16:離型層

100:EMI式遮蔽複合膜

Claims (13)

1. 一種用於印刷電路板的EMI式遮蔽補強板，包括EMI式遮蔽複合膜及形成於該EMI式遮蔽複合膜上之黏著層，其中，該EMI式遮蔽複合膜包括：消光性黑色聚醯亞胺層；聚醯亞胺層；電磁波遮罩層，係位於該消光性黑色聚醯亞胺層與該聚醯亞胺層之間；以及至少二接著劑層，係分別形成於該消光性黑色聚醯亞胺層與該電磁波遮罩層之間及該電磁波遮罩層與該聚醯亞胺層之間，其中，該電磁波遮罩層的厚度為2μm至40μm，且該電磁波遮罩層為金屬層。
2. 如請求項1所述之EMI式遮蔽補強板，復包括另一聚醯亞胺層，係位於該消光性黑色聚醯亞胺層與該電磁波遮罩層之間，且該形成於消光性黑色聚醯亞胺層與該電磁波遮罩層之間的該接著劑層為二層，分別形成於該消光性黑色聚醯亞胺層與該另一聚醯亞胺層之間及該另一聚醯亞胺層與該電磁波遮罩層之間。
3. 如請求項1所述之EMI式遮蔽補強板，其中，該EMI式遮蔽複合膜的總厚度符合下式關係：Z=T+E+mX+nY式中，Z表示該EMI式遮蔽複合膜的總厚度；T表示該消光性黑色聚醯亞胺層的厚度；E表示該電磁波遮罩層的厚度；m表示該聚醯亞胺層的層數；X表示 該聚醯亞胺層的厚度；n表示該接著劑層的層數；以及Y表示該接著劑層的厚度。
4. 如請求項1所述之EMI式遮蔽補強板，其中，該消光性黑色聚醯亞胺層的厚度為5μm至75μm。
5. 如請求項1所述之EMI式遮蔽補強板，其中，該電磁波遮罩層的厚度為3μm至40μm。
6. 如請求項1所述之EMI式遮蔽補強板，其中，該聚醯亞胺層的厚度為12.5μm至75μm。
7. 如請求項1所述之EMI式遮蔽補強板，其中，形成該金屬層之材質係選自銀、銅、鋅、鎳及鋁所組成群組中之至少一種。
8. 如請求項1所述之EMI式遮蔽補強板，其中，該黏著層的厚度為3μm至40μm。
9. 如請求項1所述之EMI式遮蔽補強板，其中，該黏著層係環氧樹脂層、丙烯酸樹脂層、胺基甲酸酯系樹脂層或聚醯亞胺樹脂層。
10. 如請求項1所述之EMI式遮蔽補強板，復包括貼合於該黏著層另一面上的離型層，使該黏著層位於該離型層與EMI式遮蔽複合膜之間。
11. 如請求項1所述之EMI式遮蔽補強板，其中，該聚醯亞胺層係黃色聚醯亞胺層。
12. 一種製備如請求項1所述之EMI式遮蔽補強板的方法，包括：於該消光性黑色聚醯亞胺層的表面上塗佈接著劑，並與該電磁波遮罩層壓合，以得到第一半成品；於該聚醯亞胺層的表面上塗佈接著劑，並與該第一半成品之電磁波遮罩層壓合，以得到該EMI式遮蔽複合膜；熟化該EMI式遮蔽複合膜；以及 於該經熟化之EMI式遮蔽複合膜的聚醯亞胺層表面上塗覆該黏著層，以得到用於印刷電路板的該EMI式遮蔽補強板。
13. 一種製備如請求項1所述之EMI式遮蔽補強板的方法，包括：於該消光性黑色聚醯亞胺層的表面上塗佈接著劑，並與該聚醯亞胺層壓合，以得到第二半成品；於該電磁波遮罩層的表面上塗佈接著劑，並與該第二半成品之該聚醯亞胺層壓合，以得到第三半成品；於另一聚醯亞胺層的表面上塗佈接著劑，並與該第三半成品之電磁波遮罩層壓合，以得到該EMI式遮蔽複合膜；熟化該EMI式遮蔽複合膜；以及於該經熟化之EMI式遮蔽複合膜的聚醯亞胺層表面上塗覆該黏著層，以得到用於印刷電路板的該EMI式遮蔽補強板。

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