TWI804110B - 電子裝置及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
製造電子裝置的方法包括：提供基板；提供可調元件，可調元件包括液晶層；以及將可調元件接合至基板上。
Description
本發明是有關於一種電子裝置及其製造方法。
可調元件(例如電容器、電感、微機電系統(Microelectromechanical Systems，MEMS))已應用於多種類型的電子裝置中。傳統的可調元件的效能仍有改善空間。因此需要一種可提升效能的調變元件及其製造方法。
根據本揭露的實施例，製造電子裝置的方法包括：提供基板；提供可調元件，可調元件包括液晶層；以及將可調元件接合至基板上。
根據本揭露的實施例，電子裝置包括基板以及可調元件。可調元件接合至基板上且包括液晶層。
本揭露通篇說明書與所附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域具有通常知識者應理解，電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，「含有」與「包含」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。
本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
本揭露中所敘述之一結構（或層別、元件、基材）位於另一結構（或層別、元件、基材）之上/上方，可以指二結構相鄰且直接連接，或是可以指二結構相鄰而非直接連接。非直接連接是指二結構之間具有至少一中間結構（或中間層別、中間元件、中間基材、中間間隔），一結構的下側表面相鄰或直接連接於中間結構的上側表面，另一結構的上側表面相鄰或直接連接於中間結構的下側表面。而中間結構可以是單層或多層的實體結構或非實體結構所組成，並無限制。在本揭露中，當某結構設置在其他結構「上」時，有可能是指某結構「直接」在其他結構上，或指某結構「間接」在其他結構上，即某結構和其他結構間還夾設有至少一結構。
術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該（或該些）元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。
本揭露中所敘述之電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上元件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、電阻、其他適合的元件、或上述元件的組合，但不限於此。
在本揭露中，厚度、長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度或寬度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。另外，本揭露中所提到的術語「等於」、「相等」、「相同」、「實質上」或「大致上」通常代表落在給定數值或範圍的10%範圍內。此外，用語「給定範圍為第一數值至第二數值」、「給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內」表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其他數值。若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與所屬技術領域中具有通常知識者所通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
在本揭露中，電子裝置可包括顯示裝置、背光裝置、天線裝置、感測裝置或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。在本揭露中，電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。下文將以顯示裝置做為電子裝置或拼接裝置以說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。在本揭露中，可調元件可例如電容器、電感、微機電系統(Microelectromechanical Systems，MEMS)或其他可調元件，但不限於此。
須說明的是，下文中不同實施例所提供的技術方案可相互替換、組合或混合使用，以在未違反本揭露精神的情況下構成另一實施例。
在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如“連接”、“互連”等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其他結構設於此兩個結構之間。關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定的情況。此外，用語“電性連接”、“耦接”包含任何直接及間接的電性連接手段。
在下述實施例中，相同或相似的元件將採用相同或相似的標號，且將省略其贅述。此外，不同實施例中的特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用，且依本說明書或權利要求書所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本揭露涵蓋的範圍內。另外，本說明書或權利要求書中提及的“第一”、“第二”等用語僅用以命名不同的元件或區別不同實施例或範圍，而並非用來限制元件數量上的上限或下限，也並非用以限定元件的製造順序或設置順序。
圖1至圖4是根據本揭露的一實施例的可調元件的製造流程的局部剖面示意圖。請參照圖1，製造可調元件的方法可包括提供第一基板SUB1。第一基板SUB1可包括硬質基板、可彎折基板或可撓式基板。在一些實施例，第一基板SUB1可包括光阻材料、有機或無機材料或上述之組合，但不限於此。舉例來說，第一基板SUB1可包括玻璃、陶瓷、石英、藍寶石或上述材料的組合，但不限於此。在一些實施例中，第一基板SUB1的材料可包括聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚醯亞胺(Polyimide)、液態晶體聚合物(liquid crystal polymer，LCP)、環烯烴聚合物(cyclo olefin polymer，COP）、環氧樹脂、味之素堆積膜(AjinomotoBuild-up Film，ABF)、雙馬來醯亞胺(Bismaleimide)、氟樹脂(fluororesin)及/或其他合適的材料或上述之組合，但不限於此。
在一些實施例中，製造可調元件的方法可包括在第一基板SUB1上設置第一導電層CL1及/或第一配向層AL1。第一導電層CL1可設置在第一基板SUB1上且位在第一基板SUB1與第一配向層AL1之間。在其他實施例中(未繪示)，第一導電層CL1與第一基板SUB1之間可選擇性加入其他介電層，藉由介電層可降低第一基板SUB1與第一導電層CL1之間發生剝離的機會。在一些實施例中，第一導電層CL1可為整面的導電層或圖案化導電層。在一些實施例中，第一導電層CL1可包括透明導電層、非透明導電層或上述之組合。透明導電層的材料可包括金屬氧化物、金屬網格或石墨烯，但不以此為限。金屬氧化物可包含氧化銦錫(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、鋁氧化鋅(AZO)、其他合適的材料或上述之組合，但不以此為限。非透明導電層的材料可包括金屬或合金，但不以此為限。金屬可包括銅、鋁、銀、金、鈦、鉬、任何具有高導電性的材料或上述的組合，但不以此為限。
在一些實施例中，第一配向層AL1可為圖案化配向層且可包括多個第一配向圖案ALP1。多個第一配向圖案ALP1可例如彼此間隔排列，但不限於此。在一些實施例中，多個第一配向圖案ALP1可例如以陣列或其他方式排列，但不以此為限。
請參照圖2，製造可調元件的方法還可包括提供第二基板SUB2。第二基板SUB2的材料可相同或不同於第一基板SUB1，故不再重覆敘述。
在一些實施例中，製造可調元件的方法還可包括在第二基板SUB2上設置第二導電層CL2及第二配向層AL2，但不限於此。第二導電層CL2可設置在第二基板SUB2上且位於第二基板SUB2與第二配向層AL2之間。在其他實施例中(未繪示)，第二導電層CL2與第二基板SUB2之間可選擇性加入其他介電層，藉由介電層可降低第二基板SUB2與第二導電層CL2之間發生剝離的機會。在一些實施例中，第二導電層CL2可為整面的導電層或圖案化導電層。第二導電層CL2可為透明導電層或非透明導電層。透明導電層和非透明導電層的材料可參照前述，於此不再重述。
如圖2所示，在一些實施例中，第二配向層AL2可為圖案化配向層且可包括多個第二配向圖案ALP2。在一些實施例中，製造可調元件的方法可包括提供液晶層LC。在一些實施例中，液晶層LC可例如先設置在第二配向層AL2上，但不限於此。在其他實施例中(未繪示)，液晶層LC可先設置在第一配向層AL1(參照圖1)上。
液晶層LC的種類不多加限制。舉例來說，液晶層LC可包括向列型(nematic)液晶、層列型(smectic)液晶或膽固醇(cholesteric)液晶等，但不以此為限。在其他實施例中(未繪示)，液晶層LC可根據需求以其他介電值可調變的材料所取代，例如奈米碳管或其他柱狀的異向性材料，但不以此為限。在一些實施例中，液晶層LC可透過例如滴下式液晶注入法(One Drop Filling，ODF)形成在配向層(如第二配向層AL2或第一配向層AL1)上。
在一些實施例中，設置液晶層LC之前，可先在第二配向圖案ALP2的邊緣設置密封件SM，密封件SM可選擇性與部分第二配向層AL2接觸或不接觸。舉例來說，密封件SM可選擇性設置於部分第二配向層AL2的表面S1，表面S1可例如為第二配向層AL2之遠離第二基板SUB2的表面。換句話說，密封件SM可覆蓋第二配向圖案ALP2的邊緣且延伸至部分的第二配向層AL2的表面S1上，但不以此為限。在一些實施例中，密封件SM可大致框出液晶層LC的設置區域。從俯視圖觀之，密封件SM的輪廓可包括環型，例如圓狀環型、矩形環型、多邊型環型或其他合適的外型，但不以此為限。在一些實施例中，密封件SM的材料可包括低水氣滲透性材料，例如感光型框膠(如紫外光固化膠)、有機材料或其他合適的材料，但不限於此。在一些實施例中，密封件SM的表面可呈弧形輪廓。
請參照圖3，製造可調元件的方法可包括將液晶層LC密封在第一基板SUB1和第二基板SUB2之間，以使液晶層LC設置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之間。舉例來說，可將設置有第一導電層CL1及/或第一配向層AL1的第一基板SUB1倒置在第二基板SUB2上，使第一導電層CL1可設置在第一基板SUB1和液晶層LC之間，第一配向層AL1設置在第一導電層CL1和液晶層LC之間，第二導電層CL2設置在第二基板SUB2和液晶層LC之間，且第二配向層AL2設置在第二導電層CL2和液晶層LC之間。在一些實施例中，第二配向圖案ALP2可例如分別對應第一配向圖案ALP1。在一些實施例中，於第一基板SUB1的法線方向(參考圖中方向D3)上，第二配向圖案ALP2可例如與第一配向圖案ALP1重疊。在一些實施例中，於第一基板SUB1的法線方向上看，第二配向圖案ALP2至第一基板SUB1的投影面積可相同或不同於第一配向圖案ALP1至第一基板SUB1的投影面積。透過上述製程，使液晶層LC可設置在所對應的第一配向圖案ALP1、所對應的第二配向圖案ALP2以及密封件SM之間，但不限於此。在一些實施例中，於第一基板SUB1的法線方向上，液晶層LC的厚度D可為1μm至20μm，即1μm≦D≦20μm，但不以此為限。在一些實施例中，液晶層LC的厚度D可為3μm至18μm，即3μm≦D≦18μm。在一些實施例中，液晶層LC的厚度D可為5μm至15μm，即5μm≦D≦15μm。上述液晶層LC的厚度D可根據需求而調整。舉例來說，液晶層LC的厚度D可根據液晶層LC的介電常數或其他參數不同而調整，但不限於此。
在一些實施例中，製造可調元件的方法還可包括單體化(singulation)製程。舉例來說，可沿圖3所示的虛線切割組裝的第一基板SUB1和第二基板SUB2。
請參照圖4，製造可調元件的方法可包括在第一基板SUB1和第二基板SUB2中的至少一者的側壁上形成第一接墊。舉例來說，在第一基板SUB1的側壁SW1上形成第一接墊P11，或者，在第二基板SUB2的側壁SW2上形成第一接墊P12，但不以此為限。第一接墊P11及/或第一接墊P12的材料可包括透明導電材料、非透明導電材料(例如金屬或合金)或上述之組合。在一些實施例中，第一接墊P11和及/或第一接墊P12的材料可包括鎳金、鎳鈀金、銀、金、鎳、錫、有機保焊膜(Organic Solderability Preservative，OSP)、其他導電材料或上述的組合，但不以此為限。
請參照圖4，在一些實施例中，製造可調元件的方法可包括在第一基板SUB1及/或第二基板SUB2中的至少一者的另一側壁上設置保護層PT。舉例來說，保護層PT可設置在第一基板SUB1的側壁SW1-1及/或第二基板SUB2的側壁SW2-1上，但不以此為限。在一些實施例中，保護層PT可接觸部分第一導電層CL1、第二導電層CL2及/或密封件SM，但不以此為限。保護層PT可用以降低可調元件10受損或降低水氧入侵而影響可調元件10中的液晶層LC或任何導電層的機會。
在一些實施例中，保護層PT材料可包括氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)、氮氧化矽(SiOxNy)、環氧樹脂、壓克力、阻焊劑、雙馬來醯亞胺(Bismaleimide)、聚醯亞胺(polyimide)、其他合適材料或上述的組合，但不以此為限。在一些實施例中，保護層PT可具有弧形輪廓。在形成保護層PT及/或第一接墊(如第一接墊P11及/或第一接墊P12)後，即完成可調元件10的製造。在其他實施例中(未繪示)，可調元件10可選擇性不包含保護層PT。在一些實施例中，可調元件10可作為可變電容或其他合適的電子元件。詳細來說，透過改變可調元件10的第一導電層CL1和第二導電層CL2之間的電位差來控制液晶層LC(或其他設置於兩導電層之間的介電材料)的介電變化，來達到可變電容的功效，但不限於此。
圖5及圖6分別是根據本揭露的一些實施例的可調元件的剖面示意圖。請參照圖5，可調元件10A與圖4的可調元件10的主要差異可包括下述。在可調元件10A中，第一基板SUB1及/或第二基板SUB2例如包括可導電材料。舉例來說，第一基板SUB1及/或第二基板SUB2可包括金屬基板或合金基板，但不以此為限。如此，可調元件10A可選擇性不包括第一導電層CL1及/或第二導電層CL2。在一些實施例中，可選擇性在第一基板SUB1的側壁SW1上形成第一接墊P11，或者，可選擇性在第二基板SUB2的側壁SW2上形成第一接墊P12，但不以此為限。在一些實施例中，可調元件10A可選擇性包括絕緣層，如絕緣層IN1及/或絕緣層IN2。在一些實施例中，絕緣層IN1可設置在第一基板SUB1之遠離第二基板SUB2的一側上。在一些實施例中，絕緣層IN1與第一配向層AL1可例如分別位於第一基板SUB1的相對側。在一些實施例中，絕緣層IN2可設置在第二基板SUB2之遠離第一基板SUB1的一側上。在一些實施例中，絕緣層IN2與第二配向層AL2可例如分別位於第二基板SUB2的相對側。在一些實施例中，絕緣層IN1及/或絕緣層IN2可分別用以保護第一基板SUB1及/或第二基板SUB2，或降低其他導電材料接觸第一基板SUB1或第二基板SUB2而發生短路的機會。舉例來說，絕緣層IN1及/或絕緣層IN2材料可包括環氧樹脂(epoxy)、丙烯酸類樹脂(acylic-based resin)、矽膠(silicone)、聚醯亞胺聚合物(polyimide polymer)或上述組合，但不以此為限。在一些實施例中，保護層PT可選擇性接觸部分的絕緣層IN1及/或絕緣層IN2。在一些實施例中，密封件SM可例如未突出於第一基板SUB1或第二基板SUB2。在一些實施例中，密封件SM至第一基板SUB1的投影面積例如位於第二基板SUB2至第一基板SUB1的投影面積內，但不限於此。
請參照圖6，可調元件10B與圖4的可調元件10的主要差異可包括下述。在可調元件10B中，密封件SM可設置在導電層(如第一導電層CL1或第二導電層CL2)上且未延伸至配向層(如第一配向層AL1和第二配向層AL2)之鄰近於液晶層LC的表面(如表面AS1和表面AS2)上。換句話說，密封件SM未設置在第一配向層AL1和第二配向層AL2之間。在一些實施例中，密封件SM至第一基板SUB1的投影面積與第一配向層AL1(或第二配向層AL2)至第一基板SUB1的投影面積例如未重疊，但不限於此。在一些實施例中，密封件SM之遠離液晶層LC的一側壁SW3可大致齊平於第一基板SUB1的一側壁SW1及/或第二基板SUB2的一側壁SW2，但不限於此。在一些實施例中，密封件SM之遠離液晶層LC的另一側壁SW3-1可大致齊平於與第一基板SUB1的另一側壁SW1-1及/或第二基板SUB2的另一側壁SW2-1，但不限於此。在其他實施例中(未繪示)，密封件SM可選擇性突出於第一基板SUB1及第二基板SUB2。在其他實施例中(未繪示)，密封件SM至第一基板SUB1的投影面積可部分未位於第二基板SUB2至第一基板SUB1的投影面積內，但不限於此。
在一些實施例中，可調元件10B可不包括圖4的保護層PT。在其他實施例中，可調元件10B可包括保護層PT。
圖7至圖8是根據本揭露的一實施例的電子裝置的製造流程的局部剖面示意圖。請參照圖7，製造電子裝置的方法可包括提供基板SUB。基板SUB可包括硬質基板、可彎折基板或可撓式基板。在一些實施例，基板SUB可包括光阻材料、有機或無機材料或上述之組合，但不限於此。舉例來說，基板SUB可包括玻璃、陶瓷、石英、藍寶石或上述材料的組合，但不限於此。在一些實施例中，基板SUB的材料可包括聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醯亞胺、液態晶體聚合物(LCP)、環烯烴聚合物(COP）、環氧樹脂、味之素堆積膜(ABF)、雙馬來醯亞胺、氟樹脂及/或其他合適的材料或上述之組合，但不限於此。
在一些實施例中，製造電子裝置的方法可包括在基板SUB上設置或形成導電層CL3。導電層CL3可為圖案化導電層且可包括導電圖案PP1及/或導電圖案PP2，但不以此為限。導電層CL3可包括透明導電層或非透明導電層。透明導電層和非透明導電層的材料可參照前述，於此不再重述。在一些實施例中，導電層CL3可接觸基板SUB，但不限於此。在一些實施例中，介電層(未繪示)可設置於基板SUB與導電層CL3之間，藉此降低基板SUB剝離的機會。
在一些實施例中，製造電子裝置的方法可包括在基板SUB上設置絕緣層IL，絕緣層IL可設置於導電層CL3上。絕緣層IL的材料可包括氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、環氧樹脂、壓克力、阻焊劑、矽材料、雙馬來醯亞胺、聚醯亞胺、其他材料或上述的組合，但不以此為限。
在一些實施例中，製造電子裝置的方法可包括在絕緣層IL上設置導電層CL4及/或導電層CL5。在一些實施例中，絕緣層IL可設置於導電層CL3與導電層CL4之間，導電層CL3與導電層CL4之間例如透過絕緣層IL而電性絕緣。
在一些實施例中，製造電子裝置的方法包括設置第二接墊於基板SUB上。詳細來說，導電層CL4可設置於基板SUB上，導電層CL4可為圖案化導電層，圖案化的導電層CL4可包括第二接墊P21及/或第二接墊P22，但不以此為限。第二接墊P21及/或第二接墊P22的材料可包括透明導電材料、非透明導電材料(例如金屬或合金)或上述之組合。在一些實施例中，第二接墊P21及/或第二接墊P22的材料可包括鎳金、鎳鈀金、銀、金、鎳、錫、有機保焊膜(Organic Solderability Preservative，OSP)、其他導電材料或上述的組合，但不以此為限。
在一些實施例中，在方向D4上，第二接墊P21可例如位於第二接墊P22和導電圖案PP1之間，第二接墊P22可例如位於第二接墊P21和導電圖案PP2之間，但不限於此。方向D4可例如與基板SUB的法線方向D5垂直。在一些實施例中，於方向D4上，第二接墊P21和第二接墊P22之間的間距G的寬度W1可例如小於導電圖案PP1和導電圖案PP2之間的間距G1的寬度W2，但不以此為限。在一些實施例中，於方向D4上，第二接墊P21的寬度W21、第二接墊P22的寬度W22與寬度W1的總和可小於或等於寬度W2，但不以此為限。在一些實施例中，於基板SUB的法線方向D5上，第二接墊P21及/或第二接墊P22例如未與導電圖案PP1及/或導電圖案PP2重疊，但不以此為限。
在一些實施例中，導電層CL4可包括透明導電層及/或非透明導電層。透明導電層和非透明導電層的材料可參照前述，於此不再重述。
在一些實施例中，導電層CL5可設置在導電層CL4及絕緣層IL上。在一些實施例中，導電層CL5可為圖案化導電層，導電層CL5可包括導電圖案PP3及/或導電圖案PP4，但不以此為限。在一些實施例中，導電圖案PP3例如設置在部分的第二接墊P21上且與第二接墊P21電性連接。在一些實施例中，導電圖案PP4例如設置在部分的第二接墊P22且與第二接墊P22電性連接。在一些實施例中，導電層CL4及/或導電層CL5可包括金屬層或透明導電層。
在一些實施例中，製造電子裝置的方法可包括在絕緣層IL上形成開關元件SW，但不以此為限。在一些實施例中，開關元件SW可透過黃光製程製作在絕緣層IL上。在一些實施例中，開關元件SW可透過接合製程接合在絕緣層IL上。在一些實施例中，開關元件SW例如包括薄膜晶體管（未繪示）或其他合適的結構。在一些實施例中，在方向D5上，開關元件SW可例如與導電圖案PP4部分重疊。在一些實施例中，開關元件SW可例如與導電圖案PP4電性連接。
在一些實施例中，製造電子裝置的方法可包括設置介電層PL，介電層PL可例如形成在開關元件SW及/或導電層CL5上。在一些實施例中，介電層PL可具有曝露出部分第二接墊P21的開口A1及曝露出部分第二接墊P22的開口A2，但不以此為限。在一些實施例中，介電層PL的材料可包括氮化矽、氧化矽、環氧樹脂、壓克力、阻焊劑、矽材料、雙馬來醯亞胺、聚醯亞胺、其他合適的材料或上述的組合，但不以此為限。
在一些實施例中，製造電子裝置的方法可包括在介電層PL的開口中設置導電圖案。舉例來說，在介電層PL的開口A1以及開口A2中分別設置導電材料PP5和導電材料PP6。在一些實施例中，可透過化鍍、浸沒(immersion)或電解(electrolytic)等方式形成導電材料PP5及/或導電材料PP6，但不以此為限。在一些實施例中，導電材料PP5及/或導電材料PP6的材料可包括鎳金、鎳鈀金、銀、金、鎳、錫、有機保焊膜、其他導電材料或上述的組合，但不以此為限。
在一些實施例中，導電層CL3與導電層CL4可例如連接外部電路(未繪示)以接收訊號。詳細來說，在一些實施例中，當電子裝置為天線時，導電層CL3的導電圖案PP1及/或導電圖案PP2可例如接收第一訊號，第一訊號例如為射頻訊號，但不限於此。在一些實施例中，導電層CL4的第二接墊P21及導電層CL5的導電圖案PP3可例如接收第二訊號，第二訊號例如為接地電位，但不限於此。第一訊號與第二訊號之間可具有一電位差。在一些實施例中，導電層CL4的第二接墊P22及導電層CL5的導電圖案PP4可例如電連接至開關元件SW，但不限於此。
在其他實施例中(未繪示)，導電圖案PP1及/或導電圖案PP2也可接到接地電位或直流偏壓，但不限於此。
請參照圖8，製造電子裝置的方法可包括提供基板SUB及提供可調元件10，其中可調元件10包括液晶層LC。此外，製造電子裝置的方法可包括將可調元件10接合至基板SUB上。舉例來說，可在導電材料PP5及/或導電材料PP6上分別形成接合件BE1及/或接合件BE2。在一些實施例中，接合件BE1及/或接合件BE2可包括錫球、銅柱、金屬或金屬合金，但不以此為限。
在一些實施例中，可選擇性在可調元件10B的第一接墊P11上設置一導電材料PP7，但不以此為限。在一些實施例中，可選擇性在可調元件10B的第一接墊P12上設置一導電材料PP8，但不以此為。在一些實施例中，導電材料PP7及/或導電材料PP8可包括金或其他合適金屬，但不以此為限。在一些實施例中，可將可調元件10的第一接墊P11和第一接墊P12分別接合至第二接墊P21和第二接墊P22上，以使可調元件10接合至基板SUB上。舉例來說，可透過回流焊(solder reflow)，使第一接墊P11和第一接墊P12分別接合在第二接墊P21和第二接墊P22上。在一些實施例中，將可調元件10接合至基板SUB上之後，即初步完成電子裝置1的製造。
在一些實施例中，在第二接墊P21和第二接墊P22的材料包括金屬材料或非金屬材料，例如銅或其他合適的材料。在一些實施例中，接合件BE1及/或接合件BE2的材料例如為錫時，銅與錫之間容易產生介面金屬共化物(intermetallic compound，IMC)，介面金屬共化物例如隨著時間與熱量累積而越長越厚。當介面金屬共化物太厚可能會存有導致附著性強度變差的風險，另外介面金屬共化物的易脆特性容易影響電性導通。因此，在一些實施例中，可透過在第二接墊P22和接合件BE2之間可設置導電材料PP6(例如為鎳金層)，或在第二接墊P21和接合件BE1之間設置導電材料PP5(例如為鎳金層)，可改善介面金屬共化物問題，降低銅氧化或提高可靠度，但不限於此。
在一些實施例中，可調元件10的第一接墊P12可例如透過導電材料PP8、接合件BE2、導電材料PP6與第二接墊P22電性連接，但不以此為限。在一些實施例中，第二接墊P22可例如透過導電圖案PP4電性連接至開關元件SW，但不以此為限。相似的，可調元件10的第一接墊P11可透過導電材料PP7、接合件BE1、導電材料PP5、第二接墊P21電性連接，第一接墊P11可例如透過導電圖案PP3電性連接至外部訊號(未繪示)，但不以此為限。在其他實施例中，上述之第一接墊與第二接墊之間可根據需求移除上述任一層別或於插入其他層別。在一些實施例中，可調元件10的第一接墊P12可例如透過開關元件SW接收一第三電位，可調元件10的第一接墊P11可接收一第四電位，第三電位與第四電位之間例如之間存有一電位差，透過此電位差以調控可調元件10中的液晶層LC的介電變化，使可調元件10作為可變電容或其他合適電子元件，但不限於此。在一些實施例中，第三電位例如為一正電位，正電位可根據需求而調變電位大小。在一些實施例中，第四電位例如為一接地電位或負電位，但不限於此。
在一些實施例中，電子裝置1可選擇性包括保護層PT1。保護層PT1可包覆可調元件10。在一些實施例中，保護層PT1的材料可包括氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、環氧樹脂、壓克力、阻焊劑、矽材料、雙馬來醯亞胺、聚醯亞胺、其他合適的材料或上述的組合，但不以此為限。
在其他實施例中，電子裝置1中的可調元件10可替換成本揭露支其他的可調元件。在一些實施例中，可根據需求於基板SUB上設置至少一個或多個可調元件10，且不同可調元件10的結構可以彼此相同或不同。在其他實施例中，開關元件SW的設置位置、或是開關元件SW與可調元件10的連接關係可依需求改變，而不以圖8所顯示的為限。在其他實施例中（未繪示），開關元件SW可設置在導電層CL3和導電層CL4之間。在其他實施例中（未繪示），開關元件SW與可調元件10之間可分別設置在基板SUB的相對面，開關元件SW可透過未繪示的線路(如導通孔)與導電圖案PP4電性連接。以下實施例皆可同此改變，於下便不再重述。
圖9是根據本揭露的另一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。請參照圖9，電子裝置1A與圖8的電子裝置1的主要差異可包括下述。在電子裝置1A中，可調元件10的第一接墊P11和第一接墊P12可分別透過異方性導電膜(anisotropic conductive film)ACF1和異方性導電膜ACF2接合至第二接墊P21和第二接墊P22，但不限於此，上述之異方性導電膜ACF1和異方性導電膜ACF2可根據需求以其他導電材料所取代。在其他實施例中，儘管未繪示，電子裝置1A中的異方性導電膜(例如異方性導電膜ACF1或異方性導電膜ACF2)或可選擇性替換成其他導電元件，例如導電膜、銅柱、銅漿、銀漿(如奈米銀漿)，但不限於此。
在其他實施例中（未繪示），介電層PL的開口A1與開口A2可例如彼此未分隔開，即開口A1與開口A2之間未有其他介電層PL的部分，此時開口A1與開口A2可相連形成一共同開口，第一接墊P11和第一接墊P12可例如經由設置於此共同開口中的異方性導電膜(或其他如上可替換的導電元件)與第二接墊P21和第二接墊P22電性連接。但需注意的是，第一接墊P11與第一接墊P12之間彼此未電性連接，第二接墊P21與第二接墊P22之間彼此未電性連接。
在一些實施例中，電子裝置1A可選擇性不包括圖8的接合件BE1、接合件BE2、導電材料PP5、導電材料PP6導電材料PP7及/或導電材料PP8，但不以此為限。
圖10是根據本揭露的另一實施例的可調元件的局部剖面示意圖。請參照圖10，製造可調元件10C的方法可包括提供第一基板SUB1A。第一基板SUB1A的材料可相同於前述之第一基板SUB1，故不再重覆敘述。在一些實施例中，製造可調元件的方法可包括在第一基板SUB1A上設置第一導電層CL1A及/或第一配向層AL1A，第一導電層CL1可設置在第一基板SUB1A上且位在第一基板SUB1A與第一配向層AL1A之間。在其他實施例中(未繪示)，第一導電層CL1A與第一基板SUB1A之間可選擇性加入其他介電層，藉由介電層可降低第一基板SUB1A與第一導電層CL1A之間發生剝離的機會。在一些實施例中，第一導電層CL1A可包括透明導電層、非透明導電層或上述之組合，第一導電層CL1A的材料可相同於前述之第一導電層CL1，故不再重覆敘述。在一些實施例中，可更設置第一導電元件CE1於第一基板SUB1A上，第一導電元件CE1可例如鄰近於第一導電層CL1A，但第一導電元件CE1例如與第一導電層CL1A彼此電性絕緣。一些實施例中，第一導電元件CE1與第一導電層CL1A可例如為由同層或不同導電層所形成。在一些實施例中，第一配向層AL1A可例如延伸至部分第一導電元件CE1上並填入第一導電元件CE1與第一導電層CL1A之間的間隙中，但不限於此。在其他實施例(未繪示)，第一配向層AL1A可例如未延伸至部分第一導電元件CE1上。在一些實施例中，製造可調元件10C的方法還可包括提供第二基板SUB2A，第二基板SUB2A的材料可相同或不同於第一基板SUB1A，故不再重覆敘述。在一些實施例中，製造可調元件10C的方法還可包括在第二基板SUB2A上設置第二導電層CL2A及第二配向層AL2A，第二導電層CL2A可設置在第二基板SUB2A上且位於第二基板SUB2A與第二配向層AL2A之間。在其他實施例中(未繪示)，第二導電層CL2A與第二基板SUB2A之間可選擇性加入其他介電層，藉由介電層可降低第二基板SUB2A與第二導電層CL2A之間發生剝離的機會。第二導電層CL2A可為透明導電層或非透明導電層，第二導電層CL2A的材料可相同於前述之第一導電層CL1A，故不再重覆敘述。在一些實施例中，製造可調元件10C的方法可包括提供液晶層LC，其材料可參考前述，故不再重覆敘述。
在一些實施例中，製造可調元件10C的方法可包括設置密封件SMA，透過密封件SMA將液晶層LC密封在第一基板SUB1A和第二基板SUB2A之間。在一些實施例中，密封件SMA可選擇性接觸部分的第一導電元件CE1，但不限於此。在一些實施例中，液晶層LC例如設置於第一配向層AL1A與第二配向層AL2A之間。在一些實施例中，第一配向層AL1A例如設置於液晶層LC與第一導電層CL1A之間，而第二配向層AL2A例如設置於液晶層LC與第二導電層CL2A之間。在一些實施例中，於第一基板SUB1的法線方向上看，第一導電層CL1A與第二導電層CL2A的面積可以不同。在一些實施例中，於第一基板SUB1的法線方向上看，第一配向層AL1A與第二配向層AL2A的面積可以相同或不同。
在一些實施例中，製造可調元件10C的方法可包括對第二基板SUB2A形成導通孔CV1與導通孔CV2，但不限於此。在一些實施例中，導通孔CV1與導通孔CV2的大小或外型可以相同或不同。在一些實施例中，導通孔CV1與導通孔CV2可例如透過將第一基板SUB1A形成穿孔(未標示)，並於穿孔中填入導電材料以形成導通孔CV1與導通孔CV2，但不限於此，導電材料不限單一或複合材料。在一些實施例中，製造可調元件10C的方法可包括設置一第二導電元件CE2於第一基板SUB1A和第二基板SUB2A之間，第二導電元件CE2可例如鄰近於密封件SMA。在一些實施例中，第二導電元件CE2可選擇性接觸或不接觸密封件SMA。在一些實施例中，製造可調元件10C的方法可包括在第一基板SUB1A之遠離第一導電層CL1A的一表面S上形成第一接墊P11A及/或第一接墊P12A，第一接墊P11A及/或第一接墊P12A的材料可相同或不同於前述之第一接墊P11及/或一第一接墊P12，故不再重覆敘述。在一些實施例中，第二導電層CL2A可經第二導電元件CE2電性連接第一導電元件CE1，而第一導電元件CE1可經由導通孔CV1電性連接至第一接墊P11A，但不限於此。在一些實施例中，第二導電元件CE2的材料包括錫球、銅柱、金屬或金屬合金。在一些實施例中，連接元件CE可包單層或複合層材料。在一些實施例中，第二導電元件CE2的厚度可接近於密封件SMA，但不限於此。
在一些實施例中(未繪示)，可調元件10C的第一接墊P12A可例如與圖7中之第二接墊P22電性連接，且可調元件10C的第一接墊P12A可例如與第二接墊P22電性連接，以將可調元件10C接合至圖7的基板SUB上，但不限於此。關於圖10之第一接墊(例如第一接墊P11A或第一接墊P12A)與第二接墊P22(如圖7)的接合方式可參考前述圖8或圖9的接合方式，故不再重覆敘述。
綜合以上所述，在本揭露的實施例中，可透過使用液晶型態或其他介電常數可調變的可調元件，來提供品質較佳的可調元件，此可調元件可作為可變電容。在本揭露的實施例中，可調元件的第一接墊與基板上的第二接墊接合的方式可包括表面黏著技術（Surface Mount Technology，SMT）或其他合適的接合技術，例如焊接(鉛\錫焊接)製程、異方性導電膠接合、銀膠接合、熔融接合(Fusion Bonding)、金屬熱壓接合(Metal Thermal Compression Bonding)、特殊共晶接合、聚合物黏著接合(Polymer Adhesive Bonding)…等，但不限於此。需注意的是，本揭露的“可調元件的第一接墊與基板上的第二接墊接合”意指第一接墊電性連接第二接墊，而第一接墊與第二接墊的電連接方式可例如直接連接或是透過其他導電材料而電性連接。
以上各實施例僅用以說明本揭露的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本揭露進行了詳細的說明，本領域具有通常知識者應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行組合或修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些組合、修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本揭露各實施例技術方案的範圍。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾，且各實施例間的特徵可任意互相混合替換而成其他新實施例。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露的保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一請求項構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個請求項及實施例的組合。本揭露之保護範圍當視隨附之申請專利範圍所界定者為準。
1、1A:電子裝置
10、10A、10B、10C:可調元件
A1、A2:開口
ACF1、ACF2:異方性導電膜
AL1、AL1A:第一配向層
AL2、AL2A:第二配向層
ALP1:第一配向圖案
ALP2:第二配向圖案
BE1、BE2:接合件
CE1:第一導電元件
CE2:第二導電元件
CL1、CL1A:第一導電層
CL2、CL2A:第二導電層
CV1、CV2:導通孔
CL3、CL4、CL5:導電層
D:厚度
D3、D4:方向
D5:法線方向
G、G1:間距
IN1、IN2、IL:絕緣層
LC:液晶層
P11、P11A、P12、P12A:第一接墊
P21、P22:第二接墊
PL:介電層
PP1、PP2、PP3、PP4:導電圖案
PP5、PP6、PP7、PP8:導電材料
PT、PT1:保護層
S、S1、AS1、AS2:表面
SM、SMA:密封件
SUB:基板
SUB1、SUB1A:第一基板
SUB2、SUB2A:第二基板
SW:開關元件
SW1、SW1-1、SW2、SW2-1、SW3、SW3-1:側壁
W1、W2、W21、W22:寬度
圖1至圖4是根據本揭露的一實施例的可調元件的製造流程的局部剖面示意圖。
圖5以及圖6分別是根據本揭露的一些實施例的可調元件的剖面示意圖。
圖7至圖8是根據本揭露的一實施例的電子裝置的製造流程的局部剖面示意圖。
圖9是根據本揭露的另一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。
圖10是根據本揭露的另一實施例的可調元件的局部剖面示意圖。
1:電子裝置
10:可調元件
A1、A2:開口
BE1、BE2:接合件
CL3、CL4、CL5:導電層
D4:方向
D5:法線方向
G:間距
IL:絕緣層
LC:液晶層
P11、P12:第一接墊
P21、P22:第二接墊
PL:介電層
PP1、PP2、PP3、PP4:導電圖案
PP5、PP6、PP7、PP8:導電材料
PT、PT1:保護層
SUB:基板
SW:開關元件
Claims (6)
- 一種製造電子裝置的方法，包括：提供基板；設置一接墊於所述基板上；提供可調元件，所述可調元件包括液晶層，其中製造所述可調元件的方法包括：提供第一基板；提供第二基板；提供所述液晶層；將所述液晶層密封在所述第一基板和所述第二基板之間；以及設置另一接墊於所述第一基板和所述第二基板中的至少一者上；以及將所述可調元件接合至所述基板上，其中所述另一接墊接合至所述接墊上。
- 如請求項1所述的製造電子裝置的方法，其中製造所述可調元件的方法還包括：在所述第一基板和所述第二基板中的至少一者的側壁上形成所述另一接墊。
- 一種電子裝置，包括：基板；接墊，設置於所述基板上；以及 可調元件，接合至所述基板上且包括液晶層，所述可調元件還包括：第一基板；第二基板，其中所述液晶層設置在所述第一基板和所述第二基板之間；以及另一接墊，設置於所述第一基板和所述第二基板中的至少一者上，其中所述另一接墊接合至所述接墊上。
- 如請求項3所述的電子裝置，其中所述可調元件還包括：所述另一接墊在所述第一基板和所述第二基板中的至少一者的側壁上。
- 如請求項4所述的電子裝置，其中所述可調元件還包括：第一導電層，設置在所述第一基板和所述液晶層之間；第一配向層，設置在所述第一導電層和所述液晶層之間；第二導電層，設置在所述第二基板和所述液晶層之間；以及第二配向層，設置在所述第二導電層和所述液晶層之間。
- 如請求項4所述的電子裝置，其特徵在於，所述可調元件還包括：保護層，設置在所述第一基板和所述第二基板中的所述至少一者的另一側壁上。
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