TWI803283B - 奈米網狀銻酸鉍及其合成方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種奈米網狀銻酸鉍及其合成方法，該方法包括以下步驟：將一介面活性劑添加至一溶劑中，以形成一溶液，其中該溶劑包括水；將一鉍化合物和一銻化合物添加至該溶液中，以形成一混合物；以及以水熱法加熱該混合物，以得到該奈米網狀銻酸鉍。在本揭露中，是通過介面活性劑介導的生長來合成具有主要暴露(001)平面之垂直交叉單晶奈米棒結構的奈米網狀銻酸鉍。具有該結構的奈米網狀銻酸鉍能有效地克服金屬氧化物之低導電度的缺點。

Description

奈米網狀銻酸鉍及其合成方法
本揭露是關於一種奈米網狀銻酸鉍（Bismuth antimonate (BiSbO 4)）及其合成方法，特別是有關於一種利用介面活性劑合成奈米網狀銻酸鉍之方法。
近年來，可攜式消費性電子產品廣泛普及，而在輕、薄、短、小、長壽命的發展趨勢下，推進了二次電池的開發，二次電池的能量密度也因此被大幅提升。具有高能量密度之二次電池的應用範圍相當廣，不限定於前述可攜式消費性電子產品，對於電動車輛之電池系統的應用也正在發展研究中。
二次電池通常包括了正極、負極、電解液和隔板等。作為負極的材料，普遍使用的是碳系材料，然而為了進一步提升二次電池的電池容量，可應用於負極的材料被積極的研究與開發。在眾多負極材料之中，金屬氧化物因具有優異的脫/嵌鋰能力而受到重視，其理論比容量普遍較高，可達500~1000 mA·h/g。然而，金屬氧化物大多為絕緣體，本身導電性低，使其反應性極低而致使電容貢獻普遍不穩且不高。
因此，有必要提供一種新穎的金屬氧化物材料及其合成方法，以解決先前技術所存在的問題。
有鑑於此，本揭露目的在於提供一種奈米網狀銻酸鉍及其合成方法，該方法是通過介面活性劑介導的生長來合成具有主要暴露(001)平面之垂直交叉單晶奈米棒結構的奈米網狀銻酸鉍。具有該結構的奈米網狀銻酸鉍能有效地克服金屬氧化物之低導電度的缺點。
為達成上述目的，本揭露提供一種奈米網狀銻酸鉍之合成方法，其包括以下步驟： 步驟100：將一介面活性劑添加至一溶劑中，以形成一溶液，其中該溶劑包括水； 步驟200：將一鉍化合物和一銻化合物添加至該溶液中，以形成一混合物；以及 步驟300：以水熱法加熱該混合物，以得到該奈米網狀銻酸鉍。
在本揭露的一實施例中，該介面活性劑是一陽離子介面活性劑。
在本揭露的一實施例中，該介面活性劑包括溴化十六烷基三甲基銨（Cetyltrimethylammonium bromide, CTAB）、烷基二甲基氯化銨（Alkyl Dimethyl Ammonium Chloride, ADAC）、三甲基十八烷基氯化銨（Trimethylstearylammonium Chloride, TSAC）和烷基的碳數為8~10的烷基羥乙基二甲基氯化銨（Alkyl hydroxyethyl dimethyl ammonium chloride, AHDAC）。
在本揭露的一實施例中，該鉍化合物中的鉍原子與該銻化合物中的銻原子的莫耳數比是介於1：1至3：1之間。
在本揭露的一實施例中，該鉍化合物包括硝酸鉍（Bi(NO 3) 3）、三氯化鉍（BiCl 3）、碘化鉍(III)（Bismuth(III) iodide）、三溴化鉍（Bismuth tribromide）、醋酸鉍（bismuth acetate）、亞硫酸鉍（Bismuth sulfite）和三氧化二鉍（Bi 2O 3）。
在本揭露的一實施例中，該銻化合物包括硝酸銻（Sb(NO 3) 3）、三氯化銻（SbCl 3）、碘化銻(III)（Antimony(III) iodide）、三溴化銻（Antimony tribromide）、醋酸銻（Antimony acetate）、亞硫酸銻（Antimony sulfite）和三氧化二銻（Sb 2O 3）。
在本揭露的一實施例中，該介面活性劑是以介於2毫克/毫升（mg/mL）至4毫克/毫升之間的濃度被包括在該溶劑中。
在本揭露的一實施例中，該水熱法的加熱溫度是介於170 °C至200 °C之間，且該水熱法的加熱時間是介於12至48小時之間。
為達上述目的，本揭露提供一種奈米網狀銻酸鉍，其是藉由如上述任一實施例所述的奈米網狀銻酸鉍之合成方法製成。
在本揭露的一實施例中，該奈米網狀銻酸鉍是應用於一鹼金屬離子電池或一超級電容器。
相較於先前技術，本揭露所提供的奈米網狀銻酸鉍及其合成方法是通過介面活性劑介導的生長來合成具有主要暴露(001)平面之垂直交叉單晶奈米棒結構的奈米網狀銻酸鉍，具有該結構的奈米網狀銻酸鉍能有效地克服金屬氧化物之低導電度的缺點。
為詳細說明本揭露之技術內容、所達成目的及功效，以下茲舉例並配合圖式詳予說明。
請參閱第1圖，第1圖為本揭露一實施例中奈米網狀銻酸鉍之合成方法的步驟流程圖，該方法包括下列步驟。
在步驟100中，將介面活性劑添加至溶劑中，以形成一溶液。在一些實施例中，該溶劑可以包括水，例如去離子水，但本揭露不受限於此。在一些實施例中，該介面活性劑是一陽離子介面活性劑，且其可以包括溴化十六烷基三甲基銨（CTAB）、烷基二甲基氯化銨（ADAC）、三甲基十八烷基氯化銨（TSAC）以及烷基的碳數為8~10的烷基羥乙基二甲基氯化銨（AHDAC），但本揭露不受限於此。在一些實施例中，該介面活性劑於該溶劑中的濃度包括，但不限於，2 mg/mL、3 mg/mL、4 mg/mL或者此等值之間的任何值。在一些實施例中，該介面活性劑於該溶劑中的濃度最佳為3 mg/mL。
在步驟200中，將鉍化合物和銻化合物添加至該溶液中，以形成一混合物。在一些實施例中，該鉍化合物中的鉍原子與該銻化合物中的銻原子的莫耳數比包括，但不限於，1：1、2：1、3：1或者此等值之間的任何值。在一些實施例中，該鉍化合物中的鉍原子與該銻化合物中的銻原子的莫耳數比最佳為2：1。此外，在此需說明的是，被添加到該溶液中的該鉍化合物與該銻化合物的重量是根據前述鉍原子和銻原子的莫耳數比來進行換算的，因此會根據不同的鉍化合物與銻化合物而有不同的重量，此為本領域技術人員的常規實驗操作，故在此不贅述。在一些實施例中，該鉍化合物可以包括硝酸鉍、三氯化鉍、碘化鉍(III)、三溴化鉍、醋酸鉍、亞硫酸鉍和三氧化二鉍，但本揭露不受限於此。在一些實施例中，該銻化合物包括硝酸銻、三氯化銻、碘化銻(III)、三溴化銻、醋酸銻、亞硫酸銻和三氧化二銻，但本揭露不受限於此。
在步驟300中，以水熱法加熱該混合物，以得到如本揭露所述的奈米網狀銻酸鉍。在一些實施例中，該水熱法的加熱溫度包括，但不限於，170 °C、180 °C、190 °C、 200 °C或者此等值之間的任何值。在一些實施例中，該水熱法的加熱溫度最佳為170 °C。在一些實施例中，該水熱法的加熱時間包括，但不限於，12小時、24小時、36小時、48小時或者此等值之間的任何值。在一些實施例中，該水熱法的加熱時間最佳為24小時。在一些實施例中，步驟300所得到的奈米網狀銻酸鉍可以被應用在鹼金屬離子電池（例如鉀金屬離子電池）或超級電容器。
以下依上述實施例舉出一具體實作範例來進一步詳細說明本揭露的奈米網狀銻酸鉍之合成方法。
將0.075 g（即，75 mg）的溴化十六烷基三甲基銨（CTAB）添加至裝有 25 mL去離子水的血清瓶中，以500 rpm的轉速攪拌30分鐘，得到一CTAB水溶液。接續，將0.4851 g的Bi(NO 3) 3·5H 2O與0.1458 g的Sb 2O 3添加至該CTAB水溶液中，得到一混合物。將該混合物移入一鐵氟龍內襯高壓釜反應器中，並通過水熱法在170 °C下反應24小時。接續，使用無水乙醇和去離子水（體積比為5：4）藉由離心3次來收集沉澱物。在以1 M HCl溶液洗滌該沉澱物後，將洗滌後的沉澱物移入一爐中在 200 °C下退火 24 小時，得到如本揭露所述的奈米網狀銻酸鉍。
接續，對前述所得到的奈米網狀銻酸鉍的形態特性和結構特性進行分析。請參閱圖2至圖3。圖2是前述所得到的奈米網狀銻酸鉍的掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)影像圖，其顯示了其形態輪廓。其中，所形成的網狀結構是由一個長寬接近1微米的平面構成，且由長約 200奈米和寬約50奈米的直奈米棒組成。為了更清楚地呈現奈米網狀銻酸鉍中的(001)的暴露面，圖3內的左圖的示意圖表示不同的晶帶軸(zone axes)，說明垂直於[001]晶帶軸的暴露網狀表面屬於(001)平面（圈選區域）。圖3內的中圖與右圖分別表示前述所得到的奈米網狀銻酸鉍的穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope，TEM)影像圖和選區電子繞射(Selected Area Electron Diffraction，SAED)圖，其也可以證明晶帶軸是[001]，其垂直於(001)平面，並且清楚地表現出兩個生長方向（左側白色箭頭和右側灰色箭頭），這是一個由垂直交叉的單晶組成的結構。並且，可從TEM影像圖去觀察到(001)平面，不僅是最大表面積之晶面，也是對鹼金屬離子（例如鉀離子）擴散最有幫助的接觸晶面，使得後續可以應用於鹼金屬離子電池及電容領域。
進一步地，為了電化學測量，本揭露以鉀金屬離子電池作為一應用範例，使用電池領域的常規方式將前述所得到的奈米網狀銻酸鉍製備成一電極，並以該電極作為負極，組裝成用於電池(Batteries)的鈕扣型全電池(Coin-Type Full Cells)以及組裝成用於混合電容器(Hybrid Capacitors)的鈕扣型全電池。由其實驗結果得知，其在能量密度和功率密度方面皆可表現出優異的性能。
如上所述，本揭露的奈米網狀銻酸鉍及其合成方法係通過介面活性劑介導的生長，在水熱固相擴散反應發生時控制並增強棒狀BiSbO 4以(001)方向生長，從而形成了具有主要暴露(001)平面之垂直交叉單晶奈米棒結構的奈米網狀銻酸鉍，而具有該結構的奈米網狀銻酸鉍能有效地克服金屬氧化物之低導電度的缺點。此外，當其被應用於例如為鉀離子的鹼金屬離子電池時，可使鉀離子快速擴散並反應貢獻足夠的能量密度。
雖然本揭露已以較佳實施例揭露，然其並非用以限制本揭露，任何熟習此項技藝之人士，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種更動與修飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100-300:步驟
［圖1］係本揭露一實施例中奈米網狀銻酸鉍之合成方法的步驟流程圖。 ［圖2］係本揭露一實施例中奈米網狀銻酸鉍的掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)影像圖。 ［圖3］係本揭露一實施例中奈米網狀銻酸鉍的(001)面之示意圖 / 穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope，TEM)影像圖 / 選區電子繞射(Selected Area Electron Diffraction，SAED)圖（由左至右）。
無
100-300:步驟

Claims (6)

  1. 一種奈米網狀銻酸鉍之合成方法，包括以下步驟：步驟100：將一介面活性劑添加至一溶劑中，以形成一溶液，其中該溶劑包括水，該介面活性劑是一陽離子介面活性劑，該介面活性劑是以介於2毫克/毫升至4毫克/毫升之間的濃度被包括在該溶劑中；步驟200：將一鉍化合物和一銻化合物添加至該溶液中，以形成一混合物，其中該鉍化合物中的鉍原子與該銻化合物中的銻原子的莫耳數比是介於1：1至3：1之間；以及步驟300：以水熱法加熱該混合物，以得到該奈米網狀銻酸鉍，其中該水熱法的加熱溫度是介於170℃至200℃之間，且該水熱法的加熱時間是介於12至48小時之間。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該介面活性劑包括溴化十六烷基三甲基銨、烷基二甲基氯化銨、三甲基十八烷基氯化銨以及烷基的碳數為8~10的烷基羥乙基二甲基氯化銨。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該鉍化合物包括硝酸鉍、三氯化鉍、碘化鉍(III)、三溴化鉍、醋酸鉍、亞硫酸鉍和三氧化二鉍。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該銻化合物包括硝酸銻、三氯化銻、碘化銻(III)、三溴化銻、醋酸銻、亞硫酸銻和三氧化二銻。
  5. 一種奈米網狀銻酸鉍，該奈米網狀銻酸鉍是以如請求項1所述之方法製成。
  6. 如請求項5所述之奈米網狀銻酸鉍，其中該奈米網狀銻酸鉍是應用於一鹼金屬離子電池或一超級電容器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Title
專書 賴深偉, 〝多元銻基化合物光催化劑的製備及其性能研究〞, 福建師範大學, 2015年6月 *
專書 賴深偉, 〝多元銻基化合物光催化劑的製備及其性能研究〞, 福建師範大學, 2015年6月。

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