TWI802318B - 對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,安裝在半導體製程中的製程腔體與真空泵或真空泵與洗滌器之間,以對在沉積製程之後排出的排放氣體中所包含的反應副產物進行捕獲之後排出,其包括:加熱器(2),用於對流入到外殼(1)內部的排放氣體進行加熱;內部捕獲塔(3),用於對流入到外殼內部的排放氣體中的反應副產物進行捕獲;以及再生加熱器(4),安裝在內部捕獲塔(3)中並通過加熱反應對反應副產物進行去除,以確保內部捕獲塔(3)的內外部空間,藉此實現額外的捕獲反應。

Description

對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置
本發明涉及一種對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,尤其涉及一種在半導體製程中,透過對捕獲裝置在捕獲運行過程中所捕獲到的反應副產物進行去除而再生成為可再次進行捕獲的狀態並藉此延長捕獲裝置的使用週期的技術。
通常來講,半導體製程大體上包括前製程(Fabrication製程)以及後製程(Assembly製程),前製程是指通過在各種製程腔體(Chamber)內重複執行在晶圓(Wafer)上沉積形成薄膜之後對沉積形成的薄膜進行選擇性蝕刻的過程而加工出特定圖案並藉此製造出半導體晶片(Chip)的製程,而後製程是指通過將在所述前製程中製造出的晶片單獨分離之後與導線架進行結合而組裝出成品的製程。
此時,上述在晶圓上沉積形成薄膜或對在晶圓上沉積形成的薄膜進行蝕刻的製程是透過氣體注入系統向製程腔體的內部注入例如用於執行薄膜沉積的前驅體氣體等所需要的氣體並在高溫條件下執行。此時,在製程腔體的內部將產生大量的含有在沉積過程中沒有使用到的各種反應副產物、未反應的易燃氣體和腐蝕性異物、以及有毒成分的有害氣體等並作為排放氣體進行排出。
因此,在半導體製造裝置中為了對從製程腔體排出的排放氣體中所包含的反應副產物進行捕獲而在所述製程腔體與真空泵之間安裝反應副產物捕獲裝置,從而在對排放氣體中所包含的反應副產物進行捕獲之後在位於真空泵後端的洗滌器(Scrubber)中對未反應氣體進行最終淨化並排放到大氣中。
此外,當利用所述反應副產物捕獲裝置於使用週期內在內部捕獲塔中對反應副產物進行捕獲時,會因為反應副產物附著或沉積在外殼內部空間或內部捕獲塔的捕獲板中而無法繼續執行反應副產物的捕獲製程。因此,為了執行半導體製程而需要更換新的反應副產物捕獲裝置,或更換成透過對反應副產物捕獲裝置的內部捕獲塔和外殼內部進行洗滌而進行再生的捕獲裝置。
如上所述的捕獲裝置的更換過程,會導致半導體製程延誤或製造成本增加的問題。
因此,需要一種可以延長捕獲裝置的使用週期的技術,但是目前為止並沒有與其相關的技術。
《先前技術文獻》 <專利文獻1>:韓國註冊專利第10-0311145號(2001.09.24核准); <專利文獻2>:韓國註冊專利第10-0564272號(2006.03.20核准); <專利文獻3>:韓國註冊專利第10-0631924號(2006.09.27核准); <專利文獻4>:韓國註冊專利第10-2209205號(2021.01.25核准)。
本發明旨在解決如上所述的習知問題,其目的在於提供一種當位於半導體製程中的製程腔體與真空泵之間,或位於真空泵與洗滌器之間的捕獲裝置在捕獲運行過程中進入的反應副產物捕獲達到飽和狀態或達到製程腔體的乾式清洗(Dry cleaning)週期時停止運行,並透過加熱反應去除在內部捕獲塔中生成的反應副產物,從而可以透過對內部捕獲塔進行再生而執行額外的捕獲反應的反應副產物捕獲裝置。
為了達成如上所述的目的並解決習知問題,本發明提供一種對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,安裝在半導體製程中的製程腔體與真空泵或真空泵與洗滌器之間,以對在沉積製程之後排出的排放氣體中所包含的反應副產物進行捕獲之後排出,其包括:加熱器,用於對流入到外殼內部的所述排放氣體進行加熱;內部捕獲塔,用於對流入到所述外殼內部的所述排放氣體中的所述反應副產物進行捕獲;以及再生加熱器,安裝在所述內部捕獲塔中並通過加熱反應對所述反應副產物進行去除,從而確保所述內部捕獲塔的內外部空間,藉此實現額外的捕獲反應。
作為較佳的實施例,所述再生加熱器在所述內部捕獲塔中以「之」字形交替配置並藉此實現熱傳導。
作為較佳的實施例,所述再生加熱器包括:外側再生加熱器,以與所述內部捕獲塔的外側接觸或接近的方式進行安裝;以及內側再生加熱器,安裝在所述內部空間中。
作為較佳的實施例,所述外側再生加熱器以一個構成,或者以兩個以上分離構成並對所述內部捕獲塔的外部進行圍繞。
作為較佳的實施例,所述內側再生加熱器以一個構成,或者以兩個以上分離構成並對所述內部捕獲塔的外部進行圍繞。
作為較佳的實施例,所述反應副產物捕獲裝置為用於對在所述製程腔體內利用TiCl4、NH3氣體執行TiN沉積製程時產生的所述排放氣體中所包含的所述反應副產物進行捕獲的捕獲裝置,透過利用所述加熱器將所述外殼的內部空間加熱至120℃以下的溫度範圍並利用所述內部捕獲塔對所述排放氣體中的所述反應副產物進行捕獲,接下來通過在捕獲反應結束之後將所述再生加熱器加熱至400℃以上而對所述內部捕獲塔的內外部的所述反應副產物進行去除的再生運行,以確保額外的捕獲反應空間。
作為較佳的實施例,所述內部捕獲塔包括:上端捕獲部,在將透過所述加熱器分配到外圍並下降的所述排放氣體的流動誘導到中央部的同時執行捕獲反應;中間捕獲部,在將下降的所述排放氣體的流動誘導到外圍的同時執行捕獲反應,且透過安裝所述再生加熱器而對所述反應副產物進行去除;以及下端捕獲部,在將從外圍下降的所述排放氣體誘導到中央部的氣體排出口的同時執行捕獲反應。
作為較佳的實施例,所述上端捕獲部以平板形態構成且在中央部形成主流動孔,而在所述主流動孔周邊形成圓形排列的複數個輔助流動孔,透過在上側面周圍圓形排列的排放氣體流動誘導用的三角形板和渦流生成用的十字形板、以及在下側面圓形排列的四邊形板,來誘導通過所述主流動孔及所述輔助流動孔下降的所述排放氣體均勻下降。
作為較佳的實施例,所述上端捕獲部透過安裝在下部的一定長度的間隔材料和支撐部,以與所述中間捕獲部相距一定高度安裝。
作為較佳的實施例,所述中間捕獲部由相距一定間隔排列的複數個垂直型捕獲板構成,在所述垂直型捕獲板中形成可供所述再生加熱器貫通的再生加熱器貫通孔,而且安裝有在相鄰的所述垂直型捕獲板之間進行連接的同時對所述再生加熱器進行固定的再生加熱器固定部。
作為較佳的實施例,所述中間捕獲部在內側空間安裝有與沿著周圍相距一定間隔排列的複數個第一垂直型捕獲板相比大小相對較小的第二垂直型捕獲板,從而從所述再生加熱器實現熱傳導。
作為較佳的實施例,所述中間捕獲部由在表面形成有流動孔的外圍捕獲板部、中間捕獲板部以及內側捕獲板部多重構成,而且為了防止所述排放氣體直接流入到所述氣體排出口,在阻斷所述排放氣體從上部流入並將所述排放氣體從外圍誘導到內側的同時執行捕獲反應,而且透過結合到安裝在所述外殼的下板上的支撐架上而以被撐起的狀態對所述中間捕獲部的整體荷重進行支撐。
作為較佳的實施例,所述外圍捕獲板部以下部開放的結構構成,在上側面的捕獲板以及各個側面的捕獲板中形成複數個流動孔,在外側以傾斜角度排列安裝有複數個渦流形成片。
作為較佳的實施例,所述中間捕獲板部以下部開放的結構構成,而且透過間隔材料與所述外圍捕獲板部的上側面相距一定間隔,上側面的捕獲板以封閉結構構成且在各個側面的捕獲板上形成有複數個流動孔。
作為較佳的實施例,所述內側捕獲板部以下部和上部開放的結構構成並固定到所述中間捕獲板部,在各個側面的捕獲板上形成有複數個流動孔。
透過如上所述特徵之適用本發明的對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,當位於半導體製程中的製程腔體與真空泵之間,或位於真空泵與洗滌器之間的捕獲裝置在捕獲運行過程中進入的反應副產物達到捕獲飽和狀態或達到製程腔體的乾式清洗(Dry cleaning)週期時停止運行,並通過加熱反應去除內部捕獲塔的捕獲板以及周邊區域的反應副產物和在捕獲板的內部空間部中生成的反應副產物,從而可以對內部捕獲塔進行再生。
此外,本發明可以在內部捕獲塔的捕獲運行過程中進行再生而不需要進行更換,從而可以實現內部捕獲塔的額外的捕獲反應,因此可以在不對反應副產物捕獲裝置執行更換或洗滌過程的情況下延長使用週期和提升整體的半導體製造效率,並藉此降低製造成本。
如上所述,本發明是具有多種效果的有用發明,具有良好的產業應用前景。
接下來,將結合附圖對適用本發明的實施例的結構及其作用進行詳細的說明如下。此外,在對本發明進行說明的過程中,當判定對相關的公知功能或構成的具體說明可能會導致本發明的要旨變得不清晰時,將省略與其相關的詳細說明。
圖1是對適用本發明一實施例之配備有再生加熱器的副產物捕獲裝置的結構進行圖示的剖面圖;圖2和圖3是對適用本發明一實施例之配備有再生加熱器的副產物捕獲裝置的內部進行圖示的立體圖;圖4是對適用本發明一實施例之安裝有再生加熱器的內部捕獲塔進行圖示的立體圖;圖5是對安裝在適用本發明一實施例之內部捕獲塔的外側的外側再生加熱器進行圖示的立體圖;圖6是對安裝在適用本發明一實施例之內部捕獲塔的內側的內側再生加熱器進行圖示的立體圖。
如圖所示,適用本發明的對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,包括:外殼1,通過安裝在半導體製程中的製程腔體與真空泵之間或製程腔體的乾式清洗(Dry cleaning)週期而對沉積製程之後排出的排放氣體中所包含的反應副產物進行捕獲和排出;加熱器2,用於對流入到所述外殼內部的排放氣體進行加熱;內部捕獲塔3,用於對流入到外殼內部的排放氣體中的反應副產物進行捕獲;以及再生加熱器4,安裝在內部捕獲塔並通過加熱反應對反應副產物進行去除。
如上所述之配備有再生加熱器4的適用本發明的捕獲裝置在運行過程中會持續執行捕獲反應,當安裝在捕獲裝置內部的內部捕獲塔中的反應副產物的捕獲反應進入飽和狀態或達到製程腔體乾式清洗(Dry cleaning)週期時,將停止捕獲運行並透過再生運行對內部捕獲塔進行加熱而對附著在構成內部捕獲塔的捕獲板中或以粉末形態沉積在內部捕獲塔內部、外部空間的反應副產物進行破碎去除,從而轉換成可再次捕獲的狀態,並藉此延長捕獲裝置的使用週期。
所述外殼1採用可供從製程腔體排出到真空泵的排放氣體從上部流入並對其進行收容之後向下部排出的垂直型結構,包括:外殼主體11,對所流入的氣體進行收容;上板12,形成有向上側方向凸出的氣體流入口12a;以及下板13,向上部和下部兩側方向凸出安裝有氣體排出口13a。
在適用本發明的一實施例中,所述外殼主體11的形狀是以四邊筒形進行圖示,但是本發明並不限定於如上所述的形狀,也可以以如圓筒形、多邊筒形等所需要的形狀構成。但是,在接下來的內容中將為了說明的便利而以四邊筒形形狀為基準進行說明。
此外,在外殼主體11的內部可以包括複數個渦流形成片10a,以用於透過在沿著垂直方向以一定的間隔穿過外殼1內部的排放氣體中形成渦流而延長在外殼內部空間中的滯留時間。
此時,渦流形成片10a的截面形狀可以形成為水平的平板形狀,或形成為以內部一側末端向上部或下部折曲的具有傾斜面的形狀,或形成為圓角形狀。如上所述形狀的渦流形成片可以在下降的排放氣體的流動中形成負載作用,並透過方向以及速度差異而形成渦流。
所述氣體排出口13a可以沿著向下板13上部凸出的周圍凸出形成複數個渦流形成片13a'。透過形成如上所述的渦流形成片13a',可以在流入到氣體排出口的排放氣體的流動中形成渦流,從而在排出之前最大限度地延長捕獲時間,並藉此提升捕獲效率。
加熱器2是用於對流入到外殼的排放氣體進行加熱並均勻分配的裝置,在上側以放射狀形成有散熱器2a,從而可以均勻地對經過加熱的排放氣體進行分配。
此外,在外殼的上板12上,安裝有用於向加熱器2供應電源並根據外殼內部溫度對電源供應進行控制的測定溫度的加熱器電源供應部21。
內部捕獲塔3由複數個金屬材質的捕獲板構成,可以在對流入到外殼內部並被加熱器再加熱的排放氣體的流路進行轉換的同時降低與金屬材質捕獲板的表面接觸或接近的排放氣體的溫度,從而將排放氣體中所包含的反應副產物以粉末或薄膜形態進行捕獲。
內部捕獲塔可以是任意形狀的內部捕獲塔,只要由複數個金屬材質捕獲板構成且可以對排放氣體中的反應副產物進行捕獲即可。
但是,本發明為了提升用於對內部捕獲塔3進行再生的再生加熱器4的熱傳導效率,在捕獲板中形成再生加熱器貫通孔301和再生加熱器固定部302,並藉此對再生加熱器進行安裝。
透過配備如上所述的再生加熱器貫通孔301和再生加熱器固定部302,可以使得再生加熱器以「之」字形形態交替地均勻安裝在內部捕獲裝置中並具有加熱作用,從而在捕獲運行結束之後再生運行開始時對反應副產物進行去除,並藉此對內部捕獲裝置進行再生。
在本發明的較佳實施例中,所述內部捕獲塔3為了透過將所流入的排放氣體的流動交替地誘導到內部捕獲塔3的中央部和外圍而延長在外殼內部的遲滯時間,並藉此實現高效率的捕獲反應,包括:上端捕獲部31,在將通過加熱器分配到外圍並下降的排放氣體的流動誘導到中央部的同時執行捕獲反應;中間捕獲部32,在將下降的排放氣體的流動誘導到外圍的同時執行捕獲反應,且透過安裝再生加熱器4而對反應副產物進行去除;以及下端捕獲部33,在將從外圍下降的排放氣體誘導到中央部的氣體排出口13a的同時執行捕獲反應。
所述上端捕獲部31以平板形態構成,透過對外殼主體的上端部內部空間進行堵塞而防止從上部加熱器分配到外圍並下降的排放氣體直接下降到下部,透過將其誘導到中央部的主流動孔311而形成主流動,同時透過將一部分排放氣體誘導到在主流動孔311周邊圓形排列的複數個輔助流動孔312而形成輔助流動,並在此過程中實現捕獲反應。
此外,上端捕獲部31為了通過誘導排放氣體的均勻流動或形成渦流而提升捕獲效率,透過在上側面周圍圓形排列垂直凸出的三角形板313而誘導排放氣體的均勻流動,並透過在內側圓形排列垂直凸出的十字形板314而形成渦流並使得排放氣體的流動發生遲滯,同時透過在下側面圓形排列垂直凸出的四邊形板315而誘導通過主流動孔311以及輔助流動孔312下降的排放氣體均勻下降。此外,在所述三角形板313上還可以透過形成渦流片而生成渦流。
此外,上端捕獲部31透過安裝在下部的一定長度的間隔材料316以及支撐部317與中間捕獲部32相距一定高度安裝。為了對至少四個以上的間隔材料進行固定,支撐部317沿著中間捕獲部32的上端形狀以一定寬度的帶狀形態的板構成且形成有複數個孔,從而對兩側進行螺栓結合或焊接固定。
所述中間捕獲部32由相距一定間隔且沿著四邊形周圍排列的複數個垂直型捕獲板321構成,以便於在從上端捕獲部31流入到中央部的排放氣體中捕獲反應副產物之後誘導到外圍。
具體來講,在中間捕獲部32中沿著四邊形周圍相距一定間隔排列安裝有複數個垂直型捕獲板321,而且在內側空間也安裝有一個或少量的大小相對較小的垂直型捕獲板。
透過採用如上所述的形狀,中間捕獲部32的內側空間部將對從上部誘導下降的排放氣體進行收容並在沿著周圍相距一定間隔排列的個別垂直型捕獲板321的上部表面向下部表面方向流動的同時接觸或接近,從而在對排放氣體中所包含的反應副產物進行捕獲的同時向外圍方向排出。
此時,個別垂直型捕獲板321的外側也將與從上端捕獲部31的輔助流動孔312下降的排放氣體接觸或接近並對反應副產物進行捕獲。
從所述中間捕獲部32的內部誘導到外圍方向的排放氣體,將從上部的上端捕獲部31向中間捕獲部32的中央部一側持續流入排放氣體,因此在下降的排放氣體的流動上將主要在下部一側形成主流動。
作為一實施例,垂直型捕獲板321可以在下端部形成有複數個流動孔321b的下端水平板321a的兩端對稱形成垂直大小相對較大的第一垂直型捕獲板321c,也可以在下端部形成有複數個流動孔的下部板的兩端對稱形成垂直大小相對較大的垂直型捕獲板321且在中央部形成垂直大小相對較小的第二垂直型捕獲板321d,之後以柵格形式嵌入組合而構成一個四邊筒形中間捕獲部32。
此外,在所述外圍上形成的大小相對較大的垂直型捕獲板321中形成有與面垂直相交並向兩側凸出的垂直型輔助捕獲板321e,從而形成十字形截面並藉此形成較大的捕獲截面。
透過以如上所述形成的十字形截面,不僅可以增加捕獲面積,還可以在排放氣體的流動中形成渦流並使得排放氣體的流動發生遲滯,從而增加捕獲反應時間。
此外,可以構成中間捕獲部32並在沿著周圍相距一定間隔排列的垂直型捕獲板321上形成可供再生加熱器4貫通的再生加熱器貫通孔301,並安裝在相鄰的垂直型捕獲板之間進行連接的同時對再生加熱器4進行固定的再生加熱器固定部302。
所述下端捕獲部33由在表面形成有複數個流動孔的外圍捕獲板部331、中間捕獲板部332以及內側捕獲板部333多重構成,並對排放氣體的流動進行誘導,從而為了防止中間捕獲部32的排放氣體直接流入到氣體排出口13a而阻斷排放氣體從上部流入並將排放氣體從外圍誘導到內側的同時,執行捕獲反應,接下來使其流入到從外殼下板的中央部向上部凸出的氣體排出口13a的上部並下降。
此時,下端捕獲部33透過結合到安裝在外殼的下板上的支撐架334上而以被撐起的狀態對中間捕獲部32的整體荷重進行支撐,並確保排放氣體順利流入。
所述多重構成的外圍捕獲板部331、中間捕獲板部332以及內側捕獲板部333,形成為下端部從外圍捕獲板部331向內側捕獲板部333逐漸接近外殼的下板的方式,從而以可供所流入的排放氣體依次流入的形狀結構為宜。
接下來,將對一實施例進行具體的說明。外圍捕獲板部331可以以下部開放的四邊筒形結構(也可以是圓筒形或多邊筒形)構成,在上側面的捕獲板以及各個側面的捕獲板中可以形成複數個相同大小的流動孔。此時,在外圍捕獲板部331的各個側面的外側可以以向外側逐漸向上部傾斜的傾斜角度排列安裝複數個渦流形成片331a,從而在對排放氣體的流動進行誘導的同時形成渦流並藉此提升捕獲效率。
此外,中間捕獲板部332可以以下部開放的四邊筒形結構(也可以是圓筒形或多邊筒形)構成,並透過間隔材料332a與外圍捕獲板部331的上側面相距一定間隔構成,而上側面捕獲板部可以以堵塞的結構構成且在各個側面捕獲板中形成複數個流動孔,而且可以透過以下部孔較大而上部孔較小的方式形成而使得排放氣體主要向下部一側流入。此時,透過在中間捕獲板部332形成小於外圍捕獲板部331的孔而確保排放氣體順利流動並實現捕獲反應為宜。
此外,內側捕獲板部333可以以下部和上部開放的四邊筒形結構(也可以是圓筒形或多邊筒形)構成,並透過如焊接等方式結合固定到中間捕獲板部,在各個側面捕獲板中形成複數個流動孔,而且可以透過以下部孔較大而上部孔較小的方式形成而使得排放氣體主要向下部一側流入。此時,透過在內側捕獲板部333形成小於外圍捕獲板部331的孔而確保排放氣體順利流動並實現捕獲反應為宜。
再生加熱器4可以在因為捕獲反應而導致內部捕獲塔3以及周邊空間部被反應副產物填滿或達到製程腔體乾式清洗(Dry cleaning)週期的情況下,透過對沉積在內部捕獲塔以及周邊的反應副產物進行加熱而將其破碎脫落去除,或者透過使其塌陷並聚集到下部而減小其整體體積,從而透過確保額外的捕獲反應空間而再次實現額外的捕獲反應,並藉此延長使用週期。
為此,再生加熱器4可以透過對曲率管和一般管進行組合而在內部捕獲塔3中以「之」字形交替配置,並藉此實現熱傳導。此時,「之」字形形態不僅可以採用上下交替的安裝形態,也可以採用左右交替的安裝形態。
具體來講,作為再生加熱器4的一實施例,可以藉由在構成中間捕獲部32的垂直型捕獲板321中形成的再生加熱貫通孔301以及再生加熱器固定部302以「之」字形交替安裝。此時,「之」字形形態不僅可以採用上下交替的安裝形態,也可以採用左右交替的安裝形態。
通過按照如上所述的以「之」字形上下交替的同時圍繞內部捕獲塔的方式進行安裝,可以藉由金屬材質的優秀熱傳導效果迅速升溫,並使得反應副產物達到從金屬材質脫落的溫度。從金屬材質的捕獲板脫落的原理在於,以堅固的形態固定附著在捕獲板上的反應副產物在高於捕獲反應時的溫度的高溫條件下會發生乾燥收縮並破碎,從而從最初的附著表面脫落。
作為一實施例,再生加熱器4可以由安裝在內部捕獲塔3的外側且由曲率管和一般管組合而成的外側再生加熱器41以及安裝在內側且由曲率管和一般管組合而成的內側再生加熱器42構成。
透過採用如上所述的構成,可以快速去除在形成於構成內部捕獲塔3的中間捕獲部32周圍的捕獲板表面以及周邊形成的反應副產物,同時還可以快速去除沉積在內側空間部形成的捕獲板表面以及周邊空間上的反應副產物。
所述外側再生加熱器41以及內側再生加熱器42可以利用安裝在外部的銅作為一個電源供應部加載電源,也可以各自分離並加載電源。此時,可以以所述外側再生加熱器以及內側再生加熱器的下部貫通外殼的下板的方式構成,從而使得配備於外側再生加熱器以及內側再生加熱器的內部的電源線與外部連接。此外,電源供應部可以共用加熱器電源供應部21或使用單獨的專用再生加熱器用電源供應部構成。
所述外側再生加熱器41可以由一個構成並對內部捕獲塔外部進行圍繞,或者可以為了安裝的便利而由兩個以上分離構成。
同理,內側再生加熱器42可以由一個構成並安裝在內部捕獲塔內部,或者為了安裝的便利而由兩個以上分離構成。
在對所述外側再生加熱器41進行安裝時,可以藉由在沿著構成中間捕獲部32的周圍相距一定間隔排列的垂直型捕獲板321中形成的再生加熱貫通孔301以及再生加熱器固定部302以「之」字形交替安裝。
在對所述內側再生加熱器進行安裝時,可以以與在構成中間捕獲部32的內部空間中安裝的垂直型捕獲板321接觸或接近的方式經由周邊進行安裝。即,因為在中央部空間部形成的垂直型捕獲板321的大小小於安裝在周圍的垂直型捕獲板且並沒有配備複數個,因此只需要以可實現熱傳導的方式安裝即可。
圖7是對適用本發明一實施例之反應副產物捕獲裝置內部的氣流進行圖示的示意圖;圖8是對適用本發明一實施例之反應副產物捕獲裝置內部的第一次捕獲傾向進行圖示的示意圖;圖9是對通過適用本發明一實施例之再生過程確保的反應副產物捕獲裝置內部的捕獲區域進行圖示的示意圖;以及圖10是對適用本發明一實施例之反應副產物捕獲裝置內部的追加捕獲反應之後的第二次捕獲傾向進行圖示的示意圖。
接下來,將對透過配備上述說明的構成之適用本發明的內部捕獲塔以及再生加熱器而執行對排放氣體中的反應副產物進行捕獲的捕獲反應以及對反應副產物進行去除的再生反應時的溫度條件進行說明。
首先,將對排放氣體的流動的一實施例進行說明。被加熱器2加熱並流入到外殼內部外圍的排放氣體將通過內部捕獲塔3的上端捕獲部31流入到中央部,並通過中間捕獲部32重新流動到外圍,進而通過下端捕獲部33重新流入到中央部之後並到氣體排出口13a的上端之後形成下降的氣流。
關於捕獲反應,當本發明的捕獲裝置是用於在如上所述的排放氣體的流動中對在製程腔體內利用TiCl 4、NH 3氣體執行TiN(鈦氮化物)沉積製程時產生的排放氣體中所包含的反應副產物進行捕獲的捕獲裝置時,作為構成內部捕獲塔3的各個捕獲板的反應副產物捕獲反應溫度,通過利用加熱器電源供應部21加熱至120℃以下的溫度範圍而誘發捕獲反應,並藉此實現第一次捕獲反應。
在如上所述的條件下,當內部捕獲塔中的反應副產物捕獲反應達到飽和狀態時,如圖8所示,會因為反應副產物附著或沉積在外殼內部而進入無法繼續正常執行反應副產物捕獲反應的狀態並停止捕獲運行。
接下來將開始再生反應,對於適用本發明之一實施例的排放氣體成分,為了將已形成的反應副產物從內部捕獲塔3破碎脫落去除而加熱至高於捕獲反應溫度的400℃以上。
在開始加熱並達到高於捕獲反應時的溫度條件(即400℃的高溫溫度條件)時,會因為達到反應開始溫度而開始再生反應,因此附著或沉積在構成內部捕獲塔的捕獲板表面以及內外部空間部中的已形成的反應副產物將開始從堅固的形態轉換成破碎的形態。接下來在達到550~600℃時,再生反應將達到最高峰並使得大部分反應副產物破碎並堆積在下部空間,從而如圖9所示地在內部捕獲塔內外部形成新的捕獲空間。
接下來,通過停止運行再生加熱器而結束再生反應。
接下來,利用電源供應部21將外殼內的溫度重新調整至120℃以下的溫度範圍並再次開始捕獲反應,從而實現第二次捕獲反應。通過實現如上所述的額外的捕獲反應,反應副產物將附著或沉積在所述圖9中確保的內部捕獲塔內外部空間,從而達到如圖10所示的狀態。
在達到如上所述的狀態之後,可以再次開始再生反應。但是,在執行一次再生運行之後將捕獲裝置更換為新的捕獲裝置,並執行對更換下來的捕獲裝置內部進行洗滌的過程為宜。
通過上述實施例進行說明的溫度條件可能會根據在製程腔體內執行的沉積製程中所使用的製程氣體存在一定的差異,但是用於去除反應副產物的再生反應的溫度均高於在捕獲反應中適用的溫度。
本發明並不限定於如上所述的特定較佳實施例,在不脫離申請專利範圍中所界定的本發明之要旨的範圍內,具有本發明所屬技術領域之一般知識的人員可以進行各種變化實施,且所述變化包含在申請專利範圍中所記載的範圍內。
1:外殼
10a:渦流形成片
11:外殼主體
12:上板
12a:氣體流入口
13:下板
13a:氣體排出口
13a':渦流形成片
2:加熱器
2a:散熱器
21:加熱器電源供應部
3:內部捕獲塔
301:再生加熱器貫通孔
302:再生加熱器固定部
31:上端捕獲部
311:主流動孔
312:輔助流動孔
313:三角形板
314:十字形板
315:四邊形板
316:間隔材料
317:支撐部
32:中間捕獲部
321:垂直型捕獲板
321a:下端水平板
321b:流動孔
321c:第一垂直型捕獲板
321d:第二垂直型捕獲板
321e:垂直型輔助捕獲板 33:下端捕獲部 331:外圍捕獲板部 331a:渦流形成片 332:中間捕獲板部 332a:間隔材料 333:內側捕獲板部 334:支撐架 4:再生加熱器 41:外側再生加熱器 42:內側再生加熱器
圖1是對適用本發明一實施例之配備有再生加熱器的副產物捕獲裝置的結構進行圖示的剖面圖; 圖2和圖3是對適用本發明一實施例之配備有再生加熱器的副產物捕獲裝置的內部進行圖示的立體圖; 圖4是對適用本發明一實施例之安裝有再生加熱器的內部捕獲塔進行圖示的立體圖; 圖5是對安裝在適用本發明一實施例之內部捕獲塔的外側的外側再生加熱器進行圖示的立體圖; 圖6是對安裝在適用本發明一實施例之內部捕獲塔的內側的內側再生加熱器進行圖示的立體圖; 圖7是對適用本發明一實施例之反應副產物捕獲裝置內部的氣流進行圖示的示意圖; 圖8是對適用本發明一實施例之反應副產物捕獲裝置內部的第一次捕獲傾向進行圖示的示意圖; 圖9是對通過適用本發明一實施例之再生過程確保的反應副產物捕獲裝置內部的捕獲區域進行圖示的示意圖;以及 圖10是對適用本發明一實施例之反應副產物捕獲裝置內部的追加捕獲反應之後的第二次捕獲傾向進行圖示的示意圖。
1:外殼
10a:渦流形成片
11:外殼主體
12:上板
12a:氣體流入口
13:下板
13a:氣體排出口
13a':渦流形成片
2:加熱器
2a:散熱器
21:加熱器電源供應部
3:內部捕獲塔
301:再生加熱器貫通孔
31:上端捕獲部
311:主流動孔
313:三角形板
314:十字形板
315:四邊形板
316:間隔材料
317:支撐部
32:中間捕獲部
33:下端捕獲部
331:外圍捕獲板部
331a:渦流形成片
332:中間捕獲板部
332a:間隔材料
333:內側捕獲板部
334:支撐架
4:再生加熱器

Claims (14)

  1. 一種對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,安裝在半導體製程中的一製程腔體與一真空泵或所述真空泵與一洗滌器之間,以對在沉積製程之後排出的排放氣體中所包含的反應副產物進行捕獲之後排出,其包括:一加熱器(2),用於對流入到一外殼(1)內部的所述排放氣體進行加熱;一內部捕獲塔(3),用於對流入到所述外殼內部的所述排放氣體中的所述反應副產物進行捕獲;以及一再生加熱器(4),安裝在所述內部捕獲塔(3)中並通過加熱反應對所述反應副產物進行去除,從而確保所述內部捕獲塔(3)的內外部空間,藉此實現額外的捕獲反應,其中,所述再生加熱器(4)在所述內部捕獲塔(3)中以「之」字形交替配置,並藉此實現熱傳導。
  2. 根據請求項1所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述再生加熱器(4)包括:一外側再生加熱器(41),以與所述內部捕獲塔(3)的外側接觸或接近的方式進行安裝;以及一內側再生加熱器(42),安裝在所述內部空間中。
  3. 根據請求項2所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述外側再生加熱器(41)以一個構成,或者以兩個以上分離構成並對所述內部捕獲塔的外部進行圍繞。
  4. 根據請求項2所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述內側再生加熱器(42)以一個構成,或者以兩個以上分離構成並對所述內部捕獲塔的外部進行圍繞。
  5. 根據請求項1所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述反應副產物捕獲裝置為用於對在所述製程腔體內利用TiCl4、NH3氣體執行TiN沉積製程時產生的所述排放氣體中所包含的所述反應副產物進行捕獲的捕獲裝置,通過利用所述加熱器(2)將所述外殼 的內部空間加熱至120℃以下的溫度範圍並利用所述內部捕獲塔(3)對所述排放氣體中的所述反應副產物進行捕獲,接下來通過在捕獲反應結束之後將所述再生加熱器(4)加熱至400℃以上而對所述內部捕獲塔(3)的內外部的所述反應副產物進行去除的再生運行,以確保額外的捕獲反應空間。
  6. 根據請求項1所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述內部捕獲塔(3)包括:一上端捕獲部(31),在將通過所述加熱器分配到外圍並下降的所述排放氣體的流動誘導到中央部的同時執行捕獲反應;一中間捕獲部(32),在將下降的所述排放氣體的流動誘導到外圍的同時執行捕獲反應,且通過安裝所述再生加熱器(4)對所述反應副產物進行去除;以及一下端捕獲部(33),在將從外圍下降的所述排放氣體誘導到一中央部的氣體排出口(13a)的同時執行捕獲反應。
  7. 根據請求項6所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述上端捕獲部(31)以平板形態構成且在中央部形成一主流動孔(311),而在所述主流動孔(311)周邊形成圓形排列的複數個輔助流動孔(312),透過在上側面周圍圓形排列的排放氣體流動誘導用的三角形板(313)和渦流生成用的十字形板(314)、以及在下側面圓形排列的四邊形板(315),來誘導通過所述主流動孔(311)及所述輔助流動孔(312)下降的所述排放氣體均勻下降。
  8. 根據請求項6或7所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述上端捕獲部(31)透過安裝在下部的一定長度的一間隔材料(316)和一支撐部(317),以與所述中間捕獲部(32)相距一定高度安裝。
  9. 根據請求項6所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述中間捕獲部(32)由相距一定間隔排列的複數個垂直型捕獲板(321)構成,在所述垂直型捕獲板(321)中形成可供所述再生加熱器(4)貫通的一再生加熱器貫通孔(301),而且安裝有在相鄰 的所述垂直型捕獲板之間進行連接的同時對所述再生加熱器(4)進行固定的一再生加熱器固定部(302)。
  10. 根據請求項9所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述中間捕獲部(32)在內側空間安裝有與沿著周圍相距一定間隔排列的複數個第一垂直型捕獲板(321c)相比大小相對較小的第二垂直型捕獲板(321d),從而從所述再生加熱器(4)實現熱傳導。
  11. 根據請求項6所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述中間捕獲部(32)由在表面形成有流動孔的一外圍捕獲板部(331)、一中間捕獲板部(332)、以及一內側捕獲板部(333)多重構成,而且為了防止所述排放氣體直接流入到所述氣體排出口(13a),在阻斷所述排放氣體從上部流入並將所述排放氣體從外圍誘導到內側的同時執行捕獲反應,而且透過結合到安裝在所述外殼的下板上的一支撐架(334)上而以被撐起的狀態對所述中間捕獲部(32)的整體荷重進行支撐。
  12. 根據請求項11所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述外圍捕獲板部(331)以下部開放的結構構成,在上側面的捕獲板以及各個側面的捕獲板中形成複數個流動孔,在外側以傾斜角度排列安裝有複數個渦流形成片(331a)。
  13. 根據請求項11所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述中間捕獲板部(332)以下部開放的結構構成,而且透過一間隔材料(332a)與所述外圍捕獲板部(331)的上側面相距一定間隔,上側面的捕獲板以封閉結構構成且在各個側面的捕獲板上形成有複數個流動孔。
  14. 根據請求項11所述之對於使用過的內部捕獲塔具有自我再生功能的反應副產物捕獲裝置,其中,所述內側捕獲板部(333)以下部和上部開放的結構構成並固定到所述中間捕獲板部,在各個側面的捕獲板上形成有複數個流動孔。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230130785A (ko) * 2022-03-04 2023-09-12 주식회사 미래보 가스 흐름 유도를 통해 포집가용 영역 확장이 가능한 반응부산물 포집장치
KR102439402B1 (ko) * 2022-03-29 2022-09-02 주식회사 미래보 포집 가용 영역이 확장된 반응부산물 포집장치
KR102596727B1 (ko) * 2023-02-27 2023-11-02 주식회사 엠엠티 반도체 제조 부산물 포집장치
KR102590737B1 (ko) * 2023-03-23 2023-10-19 주식회사 미래보 포집 공간 효율을 높인 반도체 공정용 반응부산물 포집장치
KR102670829B1 (ko) * 2023-05-16 2024-05-31 주식회사 엠엠티 히터 블록 및 이를 구비하는 파우더 포집장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW499546B (en) * 1999-08-03 2002-08-21 Ebara Corp Trap apparatus
TW200834721A (en) * 2006-10-10 2008-08-16 Tokyo Electron Ltd Collecting unit for semiconductor process

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100311145B1 (ko) 1999-01-27 2001-11-02 황인길 반도체 장비의 파우더 포집장치
KR100631924B1 (ko) 2005-01-24 2006-10-04 삼성전자주식회사 반도체 설비의 잔류부산물 포집장치
KR100564272B1 (ko) 2005-05-27 2006-03-29 이승룡 반도체 부산물 트랩장치
JP2010062194A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び排気トラップ
KR102036273B1 (ko) * 2017-12-27 2019-10-24 주식회사 미래보 반도체 공정 부산물 포집장치
KR102209205B1 (ko) 2019-08-21 2021-02-01 주식회사 미래보 반도체 공정용 유로방향 전환식 반응부산물 포집장치
JP6804611B1 (ja) * 2019-10-11 2020-12-23 ミラエボ カンパニー リミテッド 冷却流路を備えた半導体プロセスの反応副産物捕集装置
US20220111324A1 (en) * 2021-12-21 2022-04-14 Intel Corporation Manifold assembly for trap filter systems

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW499546B (en) * 1999-08-03 2002-08-21 Ebara Corp Trap apparatus
TW200834721A (en) * 2006-10-10 2008-08-16 Tokyo Electron Ltd Collecting unit for semiconductor process

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