JP7385947B2 - 使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 158
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 title claims description 117
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 title claims description 102
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003491 array Methods 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 96
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/005—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by heat treatment
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
- B01D53/75—Multi-step processes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/96—Regeneration, reactivation or recycling of reactants
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0071—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by heating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
- H01J37/32844—Treating effluent gases
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B01D2258/02—Other waste gases
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Description
本発明は、使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置に係り、より詳細には、半導体製造工程中の捕集装置が、捕集運転中に捕集された反応副産物の除去を介して再度捕集可能な状態に再生されることにより、捕集装置の使用周期を増加させる技術に関する。
一般に、半導体製造工程は大きく前工程（Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ工程）と後工程（Ａｓｓｅｍｂｌｙ工程）からなる。前工程とは、各種プロセスチャンバー（Ｃｈａｍｂｅｒ）内でウェーハ（Ｗａｆｅｒ）上に薄膜を蒸着し、蒸着された薄膜を選択的にエッチングする過程を繰り返し行い、特定のパターンを加工することにより、いわゆる半導体チップ（Ｃｈｉｐ）を製造する工程をいい、後工程とは、前記前工程で製造されたチップを個別に分離した後、リードフレームと結合して完成品に組み立てる工程をいう。
このとき、前記ウェーハ上に薄膜を蒸着するか、或いはウェーハ上に蒸着された薄膜をエッチングする工程は、プロセスチャンバー内にガス注入システムを介して薄膜蒸着のための前駆体ガスなどの必要とする工程ガスとエッチングのためのガスを注入して高温で行われる。この時、プロセスチャンバーの内部には、蒸着に使用されなかった各種反応副産物、未反応発火性ガス、腐食性異物及び有毒成分を含有した有害ガスなどが多量に発生するが、これらを排気ガスとして排出する。
このため、半導体製造装備には、プロセスチャンバーから排出された排気ガス中に含まれている反応副産物を捕集するために、前記プロセスチャンバーと真空ポンプとの間に反応副産物捕集装置を設置して、排気ガス中に含まれている反応副産物を捕集した後、真空ポンプの後段に位置したスクラバー（Ｓｃｒｕｂｂｅｒ）で未反応ガスを最終浄化させた後、大気中に放出する。
一方、前記反応副産物捕集装置は、使用周期の間に内部捕集タワーで反応副産物を捕集すると、ハウジングの内部空間又は内部捕集タワーの捕集プレートに反応副産物が付着するか或いは積み重ねられ、もはや反応副産物捕集工程を行うことができなくなる。したがって、半導体製造工程を行うためには、反応副産物捕集装置を新しいものに交換するか、或いは反応副産物捕集装置の内部捕集タワーとハウジングの内部を洗浄して再生された捕集装置に交換する。
このような捕集装置の交換過程は、半導体製造工程が遅れたり製造コストが高くなったりすることができるという欠点がある。
したがって、捕集装置の使用周期を延長することができる技術が必要な実情であるが、未だこのような技術が提供されていない。
本発明は、かかる問題点を解決するためのもので、その目的は、半導体製造工程中にプロセスチャンバーと真空ポンプとの間、又は真空ポンプとスクラバーとの間に位置した捕集装置が、捕集運転中に反応副産物の捕集が飽和状態又はプロセスチャンバードライクリーニング（Ｄｒｙ ｃｌａｎｉｎｇ）周期に達すると、運転を停止し、加熱反応によって内部捕集タワーに生成された反応副産物を除去することにより、内部捕集タワーの再生を介して追加の捕集反応が可能となるように構成された反応副産物捕集装置を提供することにある。
上記目的を達成し、従来の欠点を除去するための課題を行う本発明は、半導体製造工程中にプロセスチャンバーと真空ポンプ又は真空ポンプとスクラバーとの間に設置され、蒸着工程後に排出される排気ガス中に含まれている反応副産物を捕集して排出するようにハウジングの内部に流入する排気ガスを加熱するヒーターと、ハウジングの内部に流入した排気ガスから反応副産物を捕集する内部捕集タワーと、を含む反応副産物捕集装置であって、
内部捕集タワーに設置され、加熱反応を介して反応副産物を除去する再生ヒーター；を含むことで、内部捕集タワーの内外部空間を確保して追加捕集反応が起こるように構成されたことを特徴とする、使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置を提供することにより達成される。
内部捕集タワーに設置され、加熱反応を介して反応副産物を除去する再生ヒーター；を含むことで、内部捕集タワーの内外部空間を確保して追加捕集反応が起こるように構成されたことを特徴とする、使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置を提供することにより達成される。
好ましい実施形態において、前記再生ヒーターは、内部捕集タワーにジグザグ状且つ交互に熱伝導が行われるように設置されたことを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記再生ヒーターは、内部捕集タワーの外側に接触又は近接して設置される外部再生ヒーターと、内側空間に設置される内側再生ヒーターと、から構成されることを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記外側再生ヒーターは、１つで構成されるか或いは２つ以上で分離構成され、内部捕集タワーの外部を包むように構成されたことを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記内側再生ヒーターは、１つで構成されるか或いは２つ以上で分離構成され、内部捕集タワーの外部を包むように構成されたことを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記反応副産物捕集装置は、プロセスチャンバー内でＴｉＣｌ４、ＮＨ３ガスを用いたＴｉＮ蒸着工程時に発生する排気ガス中に含まれている反応副産物を捕集する捕集装置であって、ヒーターによってハウジングの内部空間を１２０℃以下の温度域帯に加熱させて内部捕集タワーを用いて排気ガス中の反応副産物を捕集し、捕集反応が終了すると、再生ヒーターを４００℃以上に加熱させて内部捕集タワー内外部の反応副産物を除去する再生運転を介して追加の捕集反応空間を確保するように構成されたことを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記内部捕集タワーは、ヒーターによって外郭に分配されて下降した排気ガスの流れを中央部へ誘導しながら捕集反応を行う上部捕集部と、
下降した排気ガスの流れを外郭へ誘導しながら捕集反応を行い、再生ヒーターが設置されて反応副産物を除去するように構成された中間捕集部と、
外郭に下降した排気ガスを中央部のガス排出口へ誘導しながら捕集反応を行う下部捕集部と、から構成されたことを特徴とする。
下降した排気ガスの流れを外郭へ誘導しながら捕集反応を行い、再生ヒーターが設置されて反応副産物を除去するように構成された中間捕集部と、
外郭に下降した排気ガスを中央部のガス排出口へ誘導しながら捕集反応を行う下部捕集部と、から構成されたことを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記上部捕集部は、平板状をして、中央部には主流動孔が形成され、主流動孔の周辺には円形配列された複数の補助流動孔が形成され、上面の周りには排気ガス流れ誘導用三角プレート及び渦流発生用十字形プレートが円形配列され、下面には四角プレートが円形配列されることにより、主流動孔と補助流動孔を介して下降した排気ガスの均一な下降を誘導するように形成されたことを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記上部捕集部は、下部に設置された一定長さの離隔材と支持部によって、中間捕集部と一定高さに離隔して設置されたことを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記中間捕集部は、一定間隔で離隔して配列された複数の垂直型捕集プレートから構成され、垂直型捕集プレートには再生ヒーターを貫通する再生ヒーター貫通孔が形成され、隣接する垂直型捕集プレート間を連結しながら再生ヒーターを固定する再生ヒーター固定部が設置されたことを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記中間捕集部は、内側空間には、周りに沿って一定間隔離隔して配列された複数の垂直型捕集プレートよりも相対的に小さいサイズを有する垂直型捕集プレートが設置され、再生ヒーターから熱伝導されるように構成されたことを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記中間捕集部は、表面に流動孔が形成された外郭捕集プレート部、中間捕集プレート部、及び内側捕集プレート部で多重構成するが、排気ガスが直接ガス排出口に流入しないように上部からの排気ガス流入は遮断し、外郭から内側へ排気ガスを誘導しながら捕集反応が行われるように構成され、ハウジングの下板に設置された支持台に締結され、浮いた状態で中間捕集部の全体荷重を支持するように構成されたことを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記外郭捕集プレート部は、下部が開放された構造で構成され、上面捕集プレートと各側面捕集プレートは、多数の流動孔が形成され、外側には多数の渦流発生片が傾斜角度で複数個配列されるように設置されたことを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記中間捕集プレート部は、下部が開放された構造で構成されるが、外郭捕集プレート部の上面と離隔材によって一定間隔離隔するように構成され、上面捕集プレートは、閉塞構造で構成されるが、各側面捕集プレートは、多数の流動孔が形成されたことを特徴とする。
好ましい実施形態において、前記内側捕集プレート部は、下部と上部が開放された構造で構成されて中間捕集プレート部に固定され、各側面捕集プレートは、多数の流動孔が形成されたことを特徴とする。
上述した特徴を有する本発明による使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置は、半導体製造工程中にプロセスチャンバーと真空ポンプとの間、又は真空ポンプとスクラバーとの間に位置した捕集装置が、捕集運転中に反応副産物捕集が飽和状態又はプロセスチャンバードライクリーニング（Ｄｒｙ ｃｌｅａｎｉｎｇ）周期に達すると、運転を停止し、再生ヒーターの加熱反応を介して内部捕集タワーの捕集プレート及び周辺領域の反応副産物と捕集プレートの内部空間部に形成された反応副産物とを除去することにより、内部捕集タワーの再生が可能であるという効果を持つ。
また、本発明は、内部捕集タワーが捕集運転中に交換なしで再生可能となることにより、内部捕集タワーの追加の捕集反応が可能であって反応副産物捕集装置の交換や洗浄過程なしに使用周期を延長させることにより、全体的な半導体製造効率を増大させて製造コストを下げることができるという効果を持つ。
上述したように、本発明は、様々な効果を有する有用な発明であり、産業上その利用が大きく期待される発明である。
以下、本発明の実施形態の構成とその作用を添付図面に連携させて詳細に説明する。また、本発明を説明するにあたり、関連する公知の機能或いは構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不明確にするおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
図１は本発明の一実施形態による再生ヒーターを備えた反応副産物捕集装置の構成を示す断面図、図２及び図３は本発明の一実施形態による再生ヒーターを備えた反応副産物捕集装置の内部を示す斜視図、図４は本発明の一実施形態による再生ヒーターが設置された内部捕集タワーを示す斜視図である。図５は本発明の一実施形態による内部捕集タワーの外側に設置された外側再生ヒーターを示す斜視図、図６は本発明の一実施形態による内部捕集タワーの内側に設置された内側再生ヒーターを示す斜視図である。
図示の如く、本発明による使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置は、半導体製造工程中にプロセスチャンバーと真空ポンプ又はプロセスチャンバードライクリーニング（Ｄｒｙ ｃｌｅａｎｉｎｇ）周期に設置され、蒸着工程後に排出される排気ガス中に含まれている反応副産物を捕集して排出するように形成されたハウジング１と、前記ハウジングの内部に流入した排気ガスを加熱するヒーター２と、ハウジングの内部に流入した排気ガスから反応副産物を捕集する内部捕集タワー３と、内部捕集タワーに設置され、加熱反応によって反応副産物を除去する再生ヒーター４と、を含んで構成される。
上述したように再生ヒーター４を備えた本発明による捕集装置は、運転しながら捕集反応が持続し、捕集装置の内部に設置された内部捕集タワーにおける反応副産物捕集反応が飽和状態又はプロセスチャンバードライクリーニング（Ｄｒｙ ｃｌｅａｎｉｎｇ）周期に達すると、捕集運転を中断し、再生運転を介して内部捕集タワーを加熱させて、内部捕集タワーを構成する捕集プレートに付着した或いは内部捕集タワーの内部、外部空間部に粉末状に積み重ねられた反応副産物を砕いて除去することにより、再度捕集可能な状態に作って捕集装置の使用周期を増加させる。
ハウジング１は、プロセスチャンバーから真空ポンプへ排出される排気ガスを上部から流入させて収容し、下部へ排出するように垂直型に構成されるが、流入したガスを収容するハウジング本体１１と、上方向に突出したガス流入口１２ａが形成された上板１２と、ガス排出口１３ａが上部と下部の両方向に突出するように設置された下板１３と、を含んで構成される。
前記ハウジング本体１１は、本発明の一実施形態による形状が四角筒形に示されているが、このような形状のみ本発明を限定するものではなく、円筒形、多角筒形のように必要とする形状に構成できるのは言うまでもない。ただし、以下では、説明の便宜上、四角筒形の形状を基準に説明する。
また、ハウジング本体１１の内壁には、垂直方向に沿って一定間隔でハウジング１の内部を通過する排気ガスに渦流を発生させ、ハウジングの内部空間に留まる時間を増加させるための複数の渦流発生片１０ａを含んで構成することができる。
このとき、渦流発生片１０ａの断面形状は、水平形状を有する平プレート形状をするように形成するか、或いは内部側の端が上部又は下部に折り曲げられて傾斜面を持つように形成するか、或いはラウンドされるように形成することができる。このような形状を有する渦流発生片は、下降する排気ガスの流れに負荷として作用して方向及び速度差による渦流を発生させる。
前記ガス排出口１３ａは、下板１３の上部に突出した周りに沿って渦流発生部１３ａ’が複数個突出するように形成することができる。このように渦流発生部１３ａ’が形成されると、ガス排出口に流入する排気ガスの流れに渦流が発生して排出されるまで、最大限捕集される時間を遅らせることにより捕集効率を増大させることができる。
ヒーター２は、ハウジングに流入した排気ガスを加熱させて均一に配分する手段であって、上側に放熱フィン２ａが放射状に形成されて加熱された排気ガスを均一に分配するように構成できる。
また、ヒーター２に電源を供給し且つハウジングの内部温度に応じて全供給源を制御するための温度を測定するヒーター電源供給部２１がハウジングの上板１２に設置される。
内部捕集タワー３は、複数個の金属材質の捕集プレートで構成され、ハウジングの内部に流入してヒーターによって再加熱された排気ガスの流路流れを切り替えながら、金属材質捕集プレートの表面と接触又は近接した排気ガスの温度を低下させて、排気ガス中に含まれている反応副産物を粉末又は薄膜の形態で捕集するように構成される。
内部捕集タワーは、複数の金属材質捕集プレートから構成され、排気ガス中の反応副産物のみ捕集することができれば、如何なる形状の内部捕集タワーも構わない。
ただし、本発明は、内部捕集タワー３の再生のために備えられる再生ヒーター４が熱伝導効率を高めることができるように捕集プレートに形成された再生ヒーター貫通孔３０１と、再生ヒーター固定部３０２とが備えられ、再生ヒーターが設置されるように構成される。
このような再生ヒーター貫通孔３０１と再生ヒーター固定部３０２が備えられることで、再生ヒーターがジグザグ状に交互に内部捕集装置に均一に設置されて加熱作用を行うことにより、捕集運転の終了後に再生運転が開始すると、反応副産物を除去して内部捕集装置を再生させる。
前記内部捕集タワー３は、本発明の好適な一実施形態では、流入する排気ガスの流れを内部捕集タワー３の中央部と外郭に交互に誘導してハウジングの内部に長く遅らせながら、高効率の捕集反応が行われるように、ヒーターによって外郭に分配されて下降した排気ガスの流れを中央部へ誘導しながら捕集反応を行う上部捕集部３１と、下降した排気ガスの流れを外郭へ誘導しながら捕集反応を行い、再生ヒーター４が設置されて反応副産物を除去するように構成された中間捕集部３２と、外郭に下降した排気ガスを中央部のガス排出口１３ａへ誘導しながら捕集反応を行う下部捕集部３３と、から構成される。
前記上部捕集部３１は、平板状をしてハウジング本体の上端部の内部空間を塞いで上部ヒーターから外郭に分配され、下降する排気ガスが直接下部に下降せず、中央部の主流動孔３１１に誘導して主流を持つようにし、一部の排気ガスは、主流動孔３１１の周辺に円形配列された複数の補助流動孔３１２へ誘導して補助流れを持つように分配しながら捕集反応が行われるように構成される。
また、上部捕集部３１は、均一な排気ガス流れを誘導するか或いは渦流を発生させて捕集効率を高めるために、上面の周りには垂直に突出した三角プレート３１３が円形配列されて排気流れを均一に誘導し、内側には垂直に突出した十字形プレート３１４が円形配列されて渦流を発生させて排気ガス流れを遅らせるように形成され、下面には垂直に突出した四角プレート３１５が円形配列されて主流動孔３１１と補助流動孔３１２を介して下降した排気ガスの均一な下降を誘導するように形成される。一方、前記三角プレート３１３は、渦流片がさらに形成されて渦流も発生させるように構成することができる。
また、上部捕集部３１は、下部に設置された一定長さの離隔材３１６と支持部３１７によって中間捕集部３２と一定の高さに離隔して設置される。支持部３１７は、少なくとも４つの離隔材が固定されるように中間捕集部３２の上端形状に沿って一定幅の帯状プレートで形成されて多数のホールが形成され、両側を螺合又は溶接によって固定するように構成される。
前記中間捕集部３２は、上部捕集部３１から中央部へ流入した排気ガスの中から反応副産物を捕集した後、外郭へ誘導するように一定間隔で離隔して、四角周りに沿って配列された複数個の垂直型捕集プレート３２１から構成される。
より詳細に中間捕集部３２を説明すると、複数の垂直型捕集プレート３２１は、四角形の周りに沿って一定間隔離隔して複数個が配列されて設置され、内側空間にも相対的に小さいサイズを有する垂直型捕集プレートが１つ又は少数個設置される。
このような形状を有することにより、中間捕集部３２の内側空間部には、上部から誘導されて下降する排気ガスが収容されながら周りに沿って一定間隔離隔したまま配列された個別垂直型捕集プレート３２１の上面から下面の方向に流れながら接触又は近接して、排気ガス中に含まれている反応副産物が捕集されながら外郭方向に排出される。
このとき、個別垂直型捕集プレート３２１の外側も、上部捕集部３１の補助流動孔３１２から下降する排気ガスとも接触又は近接しながら反応副産物を捕集する。
前記中間捕集部３２の内部から外郭方向へ誘導される排気ガスは、中間捕集部３２の中央部側に向かって上部捕集部３１から持続的に排気ガスが流入するため、下降する排気ガスの流れ上、主に下部側で主流がなされる。
一実施形態として、垂直型捕集プレート３２１は、下端部に複数の流動孔３２１ｂが形成された下端水平プレート３２１ａの両端に大きな垂直サイズの垂直型捕集プレート３２１ｃが対称に形成されたものと、下端部に複数の流動孔が形成された下端プレートの両端に大きな垂直サイズの垂直型捕集プレート３２１が対称に形成され、中央部に相対的に垂直サイズが小さい垂直型捕集プレート３２１ｄが形成されたものを格子状に組み立てて一つの四角筒体形中間捕集部３２を構成することもできる。
また、前記外郭に形成された大きな垂直サイズの垂直型捕集プレート３２１は、面上に直交するように両側に突設された垂直型補助捕集プレート３２１ｅが備えられ、十字形断面を持つように形成して捕集断面を大きく形成することができる。
このように十字断面の形態で形成すると、捕集面積の増大だけでなく、排気ガスの流動流れに渦流を発生させ、排気ガスの流れを遅らせながら捕集反応時間を増大させるという効果がある。
一方、中間捕集部３２を構成し、周りに沿って一定間隔で配列された垂直型捕集プレート３２１には、再生ヒーター４が貫通する再生ヒーター貫通孔３０１が形成され、隣り合う垂直型捕集プレート間を連結しながら再生ヒーター４を固定する再生ヒーター固定部３０２が設置される。
前記下部捕集部３３は、中間捕集部３２の排気ガスが直接ガス排出口１３ａに流入しないように上部からの排気ガス流入を遮断し、外郭から内側へ排気ガスを誘導しながら捕集反応が行われるようにした後、ハウジングの下板の中央部から上部に突出したガス排出口１３ａの上部へ流入して下降するように表面に複数の流動孔が形成された外郭捕集プレート部３３１、中間捕集プレート部３３２、及び内側捕集プレート部３３３で多重構成され、排気ガスの流れを誘導するように構成される。
このとき、下部捕集部３３は、ハウジングの下板に設置された支持台３３４に締結され、浮いた状態で中間捕集部３２の全体荷重を支持しながら排気ガスの円滑な流入流れがなされるように構成される。
前記多重構成された外郭捕集プレート部３３１、中間捕集プレート部３３２及び内側捕集プレート部３３３は、外郭捕集プレート部３３１から内側捕集プレート部３３３に行くほど下端部がさらにハウジングの下板に近接して形成され、流入した排気ガスが順次流入する形状を持つように構成することが好ましい。
一実施形態によって具体的に説明すると、外郭捕集プレート部３３１は、下部が開放された四角筒構造（円筒形又は多角筒形可能）で構成され、上面捕集プレートと各側面捕集プレートは、多数の同一サイズを有する流動孔が形成できる。このとき、外郭捕集プレート部３３１の各側面の外側には、多数の渦流発生片３３１ａが外側に行くほど上方を向く傾斜角度で複数配列されるように設置され、排気ガスの流れを誘導しながら渦流を発生させて捕集効率を上げるように構成することができる。
また、中間捕集プレート部３３２は、下部が開放された四角筒構造（円筒形又は多角筒形可能）で構成されるが、外郭捕集プレート部３３１の上面と離隔材３３２ａによって一定間隔離隔するように構成され、上面捕集プレートは、閉塞構造で構成されるが、各側面捕集プレートは、複数の流動孔が形成され、下部孔が大きく上部孔が小さく形成されて下部側に排気ガスの主流入が行われるように形成できる。このとき、中間捕集プレート部３３２に形成された孔は、外郭捕集プレート部３３１よりも小さく形成することが排気ガスの円滑な流れと捕集反応に好ましい。
また、内側捕集プレート部３３３は、下部と上部が開放された四角筒構造（円筒形又は多角筒形可能）で構成され、中間捕集プレート部に溶接などで締結されて固定され、各側面捕集プレートは、多数の流動孔が形成されるが、下部孔が大きく上部孔が小さく形成されることにより、下部側に排気ガスの主流入が行われるように形成できる。このとき、内側捕集プレート部３３３に形成された孔は、外郭捕集プレート部３３１よりも小さく形成することが、排気ガスの円滑な流れと捕集反応に好ましい。
再生ヒーター４は、捕集反応によって内部捕集タワー３及び周辺空間部が反応副産物で満たされるか、或いはプロセスチャンバードライクリーニング（Ｄｒｙ ｃｌｅａｎｉｎｇ）周期に達する場合、内部捕集タワー及び周辺に積み重ねられた反応副産物を加熱して砕いて脱離させて除去するか、或いは下部に崩れて積み重ねられるようにして全体体積を減らすことにより、追加的な捕集反応空間が確保されて、再度追加捕集反応が起こるようにして使用周期を延長するように作る構成である。
このために、再生ヒーター４は、曲率管と一般管とを組み合わせて内部捕集タワー３にジグザグ状且つ交互に熱伝導が行われるように設置される。この時、ジグザグ状は、上下交番する設置形態だけでなく、左右に交番する形態で構成することもできる。
具体的には、再生ヒーター４は、一実施形態として、中間捕集部３２を構成する垂直型捕集プレート３２１に形成された再生ヒーター貫通孔３０１と再生ヒーター固定部３０２によってジグザグ状且つ交互に設置されることができる。この時、ジグザグ状は、上下交番する設置形態だけでなく、左右に交番する形態で構成することもできる。
上述したようにジグザグ状に上下に交番しながら内部捕集タワーを取り囲んで設置されると、金属材質の優れた熱伝導効果のために速やかに昇温して反応副産物の金属材質からの脱離温度に到達する。金属材質の捕集プレートからの脱離原理は、固い形態で捕集プレートに固着した反応副産物が捕集反応時の温度条件よりも高い高温の温度条件で乾燥収縮しながら砕かれ、最初付着した表面から脱離する原理である。
上述したようにジグザグ状に上下に交番しながら内部捕集タワーを取り囲んで設置されると、金属材質の優れた熱伝導効果のために速やかに昇温して反応副産物の金属材質からの脱離温度に到達する。金属材質の捕集プレートからの脱離原理は、固い形態で捕集プレートに固着した反応副産物が捕集反応時の温度条件よりも高い高温の温度条件で乾燥収縮しながら砕かれ、最初付着した表面から脱離する原理である。
一実施形態として、再生ヒーター４は、内部捕集タワー３の外側に設置される曲率管と一般管とを組み合わせて形成された外側再生ヒーター４１と、内側に設置される曲率管と一般管とを組み合わせて形成された内側再生ヒーター４２とから構成されることができる。
このように構成されると、内部捕集タワー３を構成する中間捕集部３２の周りに形成された捕集プレートの表面及び周辺に形成された反応副産物だけでなく、内側空間部に形成された捕集プレートの表面及び周辺の空間に積み重ねられた反応副産物も同時に迅速に除去する。
前記外側再生ヒーター４１と内側再生ヒーター４２は、外部に設置される一つの電源供給部によって電源が印加されるか、或いはそれぞれ分離されて電源が印加されるように構成されることができる。このとき、前記外側再生ヒーターと内側再生ヒーターの下部がハウジングの下板を貫通するように構成して、外側再生ヒーターと内側再生ヒーターの内部に備えられる電源線が外部と連結されるように構成される。また、電源供給部は、ヒーター電源供給部２１を一緒に使用するか、或いは別途の専用再生ヒーター用電源供給部で構成することができる。
外側再生ヒーター４１は、１つで構成されて内部捕集タワーの外部を包むように構成されるか、或いは設置の便宜のために２つ以上で分離構成されることができる。。
同様に、内側再生ヒーター４２も、１つで構成されて内部捕集タワーの内部に設置されるか、或いは設置の便宜のために２つ以上で分離構成されることができる。
前記外側再生ヒーター４１は、設置時に中間捕集部３２を構成する周りに沿って一定間隔離隔して配列された垂直型捕集プレート３２１に形成された再生ヒーター貫通孔３０１と再生ヒーター固定部３０２によってジグザグ状且つ交互に設置される。
前記内側再生ヒーターは、設置時に中間捕集部３２を構成する内部空間に設置された垂直型捕集プレート３２１と接触又は近接して周辺を経由するように設置される。すなわち、中央部空間部に形成される垂直型捕集プレート３２１の大きさが周りに設置されたものよりも大きさが小さく、複数個が備えられないことにより、熱伝導が行われるように設置すれば十分である。
図７は本発明の一実施形態による反応副産物捕集装置の内部におけるガス流れを示す例示図であり、図８は本発明の一実施形態による反応副産物捕集装置の内部における一次捕集傾向を示す例示図であり、図９は本発明の一実施形態による再生過程を介して確保された反応副産物捕集装置の内部の捕集領域を示す例示図であり、図１０は本発明の一実施形態による反応副産物捕集装置の内部における追加捕集反応後の二次捕集傾向を示す例示図である。
以下、上述した構成を有する本発明による内部捕集タワー及び再生ヒーターを備えて排気ガス中に反応副産物を捕集する捕集反応、及び反応副産物を除去する再生反応時の温度条件について説明する。
まず、排気ガスの流れは、一実施形態として説明すると、ヒーター２によって加熱されながらハウジングの内部外郭へ流入した排気ガスが内部捕集タワー３の上部捕集部３１によって中央部へ流入し、中間捕集部３２によって再び外郭へ流れ、下部捕集部３３によって再び中央部へ流入した後、ガス排出口１３ａの上端へ流入した後で下降する流れを持つ。
捕集反応は、上述したような排気ガスの流れの中で、本発明の捕集装置がプロセスチャンバー内でＴｉＣｌ４、ＮＨ３ガスを用いたＴｉＮ（チタン窒化物）蒸着工程時に発生する排気ガス中に含まれている粒子状反応副産物を捕集する捕集装置で構成される場合、内部捕集タワー３を構成する各捕集プレートの反応副産物捕集反応温度は、ヒーター電源供給部２１によって１２０℃以下の温度領域帯に形成され、捕集反応が起こりながら一次捕集反応が起こるように構成する。
このような条件で内部捕集タワーでの反応副産物捕集反応が飽和状態に達すると、図８のようにハウジングの内部に反応副産物が付着するか或いは積み重ねられ、もはや正常な反応副産物捕集反応が行われない状態となって捕集運転を中断する。
その後、再生反応を開始するが、本発明の一実施形態による排気ガス成分である場合、既に形成された反応副産物を内部捕集タワー３から砕いて脱離させて除去するために、捕集反応温度よりも高い４００℃以上に加熱させる。
加熱が始まり、捕集反応時の温度条件よりも高い４００℃の高温の温度条件に達すると、反応開始温度に達して再生反応が始まりながら、内部捕集タワーを構成する捕集プレートの表面と内外部空間部に付着するか或いは積み重ねられた、既に形成された反応副産物が硬い形態から破砕形態に変わり始める。以後、５５０～６００℃に達すると、再生反応が最高潮に至り、ほとんどの反応副産物が砕かれて下部空間に積み重ねられながら、図９のように内部捕集タワーの内外部に新たな捕集空間が形成される。
その後、再生ヒーターの稼働を中断して再生反応を終了する。
その次に、ハウジング内の温度をヒーター電源供給部２１によって１２０℃以下の温度領域帯に形成して再び捕集反応が起こるようにすることにより、二次捕集反応が起こるように運転する。このような追加捕集反応が起こると、図９で確保された内部捕集タワーの内外部空間に反応副産物が付着するか或いは積み重ねられて図１０のような状態に達する。
このような状態に達すると、さらに再生反応を開始することができる。しかし、一度の再生運転を行った捕集装置を新しい捕集装置に交換し、交換した捕集装置の内部を洗浄する過程を経ることが好ましい。
一実施形態として説明した温度条件は、プロセスチャンバーで起こる蒸着工程に使用される工程ガスによって異なり得るが、捕集反応に適用される温度よりも反応副産物の除去による再生反応の温度が高く形成されるように温度が調節されることは同様に適用される。
本発明は、上述した特定の好適な実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲で請求する本発明の要旨を逸脱することなく、当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、誰でも様々な変形実施が可能であるのはもとより、それらの変更も、特許請求の範囲記載の範囲内にある。
１ ハウジング
２ ヒーター
２ａ 放熱フィン
３ 内部捕集タワー
４ 再生ヒーター
１０ａ 渦流発生片
１１ ハウジング本体
１２ 上板
１２ａ ガス流入口
１３ａ ガス排出口
１３ 下板
２１ 電源供給部
３１ 上部捕集部
３２ 中間捕集部
３３ 下部捕集部
４１ 外側再生ヒーター
４２ 内側再生ヒーター
３０１ 再生ヒーター貫通孔
３０２ 再生ヒーター固定部
３１１ 主流動孔
３１２ 補助流動孔
３１３ 三角プレート
３１４ 十字形プレート
３１５ 四角プレート
３１６ 離隔材
３１７ 支持部
３２１ 垂直型捕集プレート
３２１ａ 下端水平プレート
３２１ｂ 流動孔
３２１ｃ 垂直型捕集プレート
３２１ｄ 垂直型捕集プレート
３２１ｅ 垂直型補助捕集プレート
３３１ 外郭捕集プレート部
３３１ａ 渦流発生片
３３２ 中間捕集プレート部
３３２ａ 離隔材
３３３ 内側捕集プレート部
３３４ 支持台
２ ヒーター
２ａ 放熱フィン
３ 内部捕集タワー
４ 再生ヒーター
１０ａ 渦流発生片
１１ ハウジング本体
１２ 上板
１２ａ ガス流入口
１３ａ ガス排出口
１３ 下板
２１ 電源供給部
３１ 上部捕集部
３２ 中間捕集部
３３ 下部捕集部
４１ 外側再生ヒーター
４２ 内側再生ヒーター
３０１ 再生ヒーター貫通孔
３０２ 再生ヒーター固定部
３１１ 主流動孔
３１２ 補助流動孔
３１３ 三角プレート
３１４ 十字形プレート
３１５ 四角プレート
３１６ 離隔材
３１７ 支持部
３２１ 垂直型捕集プレート
３２１ａ 下端水平プレート
３２１ｂ 流動孔
３２１ｃ 垂直型捕集プレート
３２１ｄ 垂直型捕集プレート
３２１ｅ 垂直型補助捕集プレート
３３１ 外郭捕集プレート部
３３１ａ 渦流発生片
３３２ 中間捕集プレート部
３３２ａ 離隔材
３３３ 内側捕集プレート部
３３４ 支持台
Claims (14)
- 半導体製造工程中にプロセスチャンバーと真空ポンプとの間、又は真空ポンプとスクラバーとの間に設置され、蒸着工程後に排出される排気ガス中に含まれている反応副産物を捕集して排出するようにハウジングの内部に流入する排気ガスを加熱するヒーター、及びハウジングの内部に流入した排気ガスから反応副産物を捕集する内部捕集タワーを含む反応副産物捕集装置であって、
前記内部捕集タワーに設置されて加熱反応を介して反応副産物を除去する再生ヒーターを含むことにより前記内部捕集タワーの内外部空間を確保して追加捕集反応が起こるように構成され、
前記内部捕集タワーは、ヒーターによって外郭に分配されて下降した排気ガスの流れを中央部へ誘導しながら捕集反応を行う上部捕集部を有し、
前記上部捕集部は、平板状をして、中央部には主流動孔が形成され、主流動孔の周辺には円形配列された複数の補助流動孔が形成され、上面周りには排気ガス流れ誘導用三角プレート及び渦流発生用十字形プレートが円形配列され、下面には四角プレートが円形配列されて主流動孔と補助流動孔を介して下降した排気ガスの均一な下降を誘導するように形成されたことを特徴とする、使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。 - 前記再生ヒーターは、内部捕集タワーにジグザグ状且つ交互に熱伝導が行われるように設置されたことを特徴とする、請求項１に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。
- 前記再生ヒーターは、内部捕集タワーの外側に接触又は近接して設置される外側再生ヒーターと、内側空間に設置される内側再生ヒーターとから構成されたことを特徴とする、請求項１又は２に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。
- 前記外側再生ヒーターは、１つで構成されるか或いは２つ以上で分離構成され、内部捕集タワーの外部を包むように構成されたことを特徴とする、請求項３に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。
- 前記内側再生ヒーターは、１つで構成されるか或いは２つ以上で分離構成され、内部捕集タワーの外部を包むように構成されたことを特徴とする、請求項３に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。
- 前記反応副産物捕集装置は、プロセスチャンバー内でＴｉＣｌ４、ＮＨ３ガスを用いたＴｉＮ蒸着工程時に発生する排気ガス中に含まれている反応副産物を捕集する捕集装置であって、
ヒーターによってハウジングの内部空間を１２０℃以下の温度領域帯に加熱させて内部捕集タワーを用いて排気ガス中に反応副産物を捕集し、捕集反応が終了すると、再生ヒーターを４００℃以上に加熱させて内部捕集タワーの内外部の反応副産物を除去する再生運転を介して追加捕集反応空間を確保するように構成されたことを特徴とする、請求項１に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。 - 前記内部捕集タワーは、
下降した排気ガスの流れを外郭へ誘導しながら捕集反応を行い、再生ヒーターが設置されて反応副産物を除去するように構成された中間捕集部と、
外郭へ下降した排気ガスを中央部のガス排出口へ誘導しながら捕集反応を行う下部捕集部と、
をさらに有することを特徴とする、請求項１に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。 - 前記上部捕集部は、下部に設置された一定長さの離隔材と支持部によって中間捕集部と一定高さに離隔して設置されたことを特徴とする、請求項７に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。
- 前記中間捕集部は、一定間隔で離隔して配列された複数の垂直型捕集プレートから構成され、垂直型捕集プレートには再生ヒーターが貫通する再生ヒーター貫通孔が形成され、隣接する垂直型捕集プレート間を連結しながら再生ヒーターを固定する再生ヒーター固定部が設置されたことを特徴とする、請求項７に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。
- 前記中間捕集部は、内側空間には周りに沿って一定間隔離隔して配列された複数の垂直型捕集プレートよりも相対的に小さい大きさを有する垂直型捕集プレートが設置され、再生ヒーターから熱伝導されるように構成されたことを特徴とする、請求項９に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。
- 前記中間捕集部は、表面に流動孔が形成された外郭捕集プレート部、中間捕集プレート部、及び内側捕集プレート部から多重構成し、排気ガスが直接ガス排出口へ流入しないように上部からの排気ガス流入は遮断し、外郭から内側へ排気ガスを誘導しながら捕集反応が行われるように構成され、ハウジングの下板に設置された支持台に締結され、浮いた状態で中間捕集部の全体荷重を支持するように構成されたことを特徴とする、請求項７に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。
- 前記外郭捕集プレート部は、下部が開放された構造で構成され、上面捕集プレートと各側面捕集プレートは、多数の流動孔が形成され、外側には多数の渦流発生片が傾斜角度で複数配列されるように設置されたことを特徴とする、請求項１１に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。
- 前記中間捕集プレート部は、下部が開放された構造で構成され、外郭捕集プレート部の上面と離隔材とによって一定間隔で離隔するように構成され、上面捕集プレートは、閉塞構造で構成され、各側面捕集プレートは、多数の流動孔が形成されたことを特徴とする、請求項１１に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。
- 前記内側捕集プレート部は、下部と上部が開放された構造で構成されて中間捕集プレート部に固定され、各側面捕集プレートは、多数の流動孔が形成されたことを特徴とする、請求項１１に記載の使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210177718A KR102416322B1 (ko) | 2021-12-13 | 2021-12-13 | 사용된 내부포집타워의 자가 재생 기능을 가지는 반응부산물 포집장치 |
| KR10-2021-0177718 | 2021-12-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023087618A JP2023087618A (ja) | 2023-06-23 |
| JP7385947B2 true JP7385947B2 (ja) | 2023-11-24 |
Family
ID=82402472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022031395A Active JP7385947B2 (ja) | 2021-12-13 | 2022-03-02 | 使用された内部捕集タワーの自己再生機能を有する反応副産物捕集装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11623175B1 (ja) |
| JP (1) | JP7385947B2 (ja) |
| KR (1) | KR102416322B1 (ja) |
| CN (1) | CN116262969A (ja) |
| TW (1) | TWI802318B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230130785A (ko) * | 2022-03-04 | 2023-09-12 | 주식회사 미래보 | 가스 흐름 유도를 통해 포집가용 영역 확장이 가능한 반응부산물 포집장치 |
| KR102439402B1 (ko) * | 2022-03-29 | 2022-09-02 | 주식회사 미래보 | 포집 가용 영역이 확장된 반응부산물 포집장치 |
| KR102596727B1 (ko) * | 2023-02-27 | 2023-11-02 | 주식회사 엠엠티 | 반도체 제조 부산물 포집장치 |
| KR102590737B1 (ko) * | 2023-03-23 | 2023-10-19 | 주식회사 미래보 | 포집 공간 효율을 높인 반도체 공정용 반응부산물 포집장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098283A (ja) | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 排気系、捕集ユニット及びこれを用いた処理装置 |
| JP2010062194A (ja) | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び排気トラップ |
| JP2019121798A (ja) | 2017-12-27 | 2019-07-22 | ミラエボ カンパニー リミテッド | 半導体工程における副産物取込装置 |
| JP2021064665A (ja) | 2019-10-11 | 2021-04-22 | ミラエボ カンパニー リミテッド | 冷却流路を備えた半導体プロセスの反応副産物捕集装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100311145B1 (ko) | 1999-01-27 | 2001-11-02 | 황인길 | 반도체 장비의 파우더 포집장치 |
| US6554879B1 (en) * | 1999-08-03 | 2003-04-29 | Ebara Corporation | Trap apparatus |
| KR100631924B1 (ko) | 2005-01-24 | 2006-10-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 설비의 잔류부산물 포집장치 |
| KR100564272B1 (ko) | 2005-05-27 | 2006-03-29 | 이승룡 | 반도체 부산물 트랩장치 |
| KR102209205B1 (ko) | 2019-08-21 | 2021-02-01 | 주식회사 미래보 | 반도체 공정용 유로방향 전환식 반응부산물 포집장치 |
| US20220111324A1 (en) * | 2021-12-21 | 2022-04-14 | Intel Corporation | Manifold assembly for trap filter systems |
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2021
- 2021-12-13 KR KR1020210177718A patent/KR102416322B1/ko active IP Right Grant
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2022
- 2022-03-02 JP JP2022031395A patent/JP7385947B2/ja active Active
- 2022-03-11 CN CN202210238025.XA patent/CN116262969A/zh active Pending
- 2022-03-11 TW TW111109083A patent/TWI802318B/zh active
- 2022-03-18 US US17/698,999 patent/US11623175B1/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098283A (ja) | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 排気系、捕集ユニット及びこれを用いた処理装置 |
| JP2010062194A (ja) | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び排気トラップ |
| JP2019121798A (ja) | 2017-12-27 | 2019-07-22 | ミラエボ カンパニー リミテッド | 半導体工程における副産物取込装置 |
| JP2021064665A (ja) | 2019-10-11 | 2021-04-22 | ミラエボ カンパニー リミテッド | 冷却流路を備えた半導体プロセスの反応副産物捕集装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116262969A (zh) | 2023-06-16 |
| KR102416322B1 (ko) | 2022-07-05 |
| TW202324566A (zh) | 2023-06-16 |
| JP2023087618A (ja) | 2023-06-23 |
| TWI802318B (zh) | 2023-05-11 |
| US11623175B1 (en) | 2023-04-11 |
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