TWI801366B - 用於基板支撐件的非接觸式溫度校正工具和使用該溫度校正工具的方法 - Google Patents
用於基板支撐件的非接觸式溫度校正工具和使用該溫度校正工具的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI801366B TWI801366B TW107108391A TW107108391A TWI801366B TW I801366 B TWI801366 B TW I801366B TW 107108391 A TW107108391 A TW 107108391A TW 107108391 A TW107108391 A TW 107108391A TW I801366 B TWI801366 B TW I801366B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate support
- temperature
- resistance
- temperature sensor
- processing chamber
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 166
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000013529 heat transfer fluid Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
- G01J5/0007—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter of wafers or semiconductor substrates, e.g. using Rapid Thermal Processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0044—Furnaces, ovens, kilns
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/80—Calibration
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R35/00—Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0019—Circuit arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
本揭露的實施例關於：用於量測溫度的方法和一種用於校正在一處理腔室中的一基板支撐件的溫度控制而不與該基板支撐件的一表面相接觸的工具。在一實施例中，具有一溫度感測器的一測試夾具可移除地被裝設至該處理腔室的一腔室主體的一上表面，以使得該溫度感測器具有一視域，該視域包含該基板支撐件的與被設置在該基板支撐件中的一電阻性線圈相鄰的一區域。該基板支撐件的該區域的一或多個校正溫度量測係由該溫度感測器來獲取並且對應於每一校正溫度量測的該電阻性線圈的一或多個校正電阻量測被同時地獲取。被設置在該基板支撐件中的一加熱元件的溫度控制係基於該等校正溫度量測和該等校正電阻量測來校正。
Description
本揭露的實施例一般性地關於：用於量測溫度的方法和一種用於校正在一處理腔室中的一基板支撐件的溫度控制的工具。
在進行對溫度靈敏的半導體程序(例如：退火)期間，當在處理腔室中對於基板進行處理時，繼續地量測一半導體基板的溫度。用於量測半導體基板的溫度的現有的解決方案涉及到校正被設置在一基板支撐件內的加熱元件的溫度控制，其中在該基板支撐件上對該基板進行處理，而同時接觸到基板或基板支撐件的表面。此些解決方案可導致：將污染物引入處理腔室中。舉例而言，用於校正加熱元件的解決方案中的一者係：使用具有一些熱電偶的校正基板。然而，可能會不理想地將作為污染物的在熱電偶內的銅引入腔室中。雖然可能會有用於減低具有污染物的風險的臨時的權變方案，在一校正基板上使用熱電偶通常是不理想的。
用於量測半導體基板或基板支撐件的溫度的另一現有的解決方案涉及到：裝載彈簧的熱電偶的使用。然而，已經發現到裝載彈簧的熱電偶具有與基板或基板支撐件之間的不佳的或不一致的接觸，因此產生不準確的溫度量測。
因而，需要用於量測溫度的改善的方法和用於校正一基板支撐件的溫度控制的改善的設備。
本揭露的實施例一般性地關於：用於量測溫度的方法和一種用於校正在一處理腔室中的一基板支撐件的溫度控制而不與該基板支撐件的一表面相接觸的工具。在一實施例中，揭示一種用於量測被設置在一處理腔室中的一第一基板支撐件的溫度的方法。具有一第一溫度感測器的一測試夾具可移除地被裝設至該處理腔室的一腔室主體的一上表面，以使得被裝設至該測試夾具的該第一溫度感測器具有一視域，該視域包含該第一基板支撐件的與被設置在該第一基板支撐件中的一第一電阻性線圈相鄰的一第一區域。該第一基板支撐件的該第一區域的一或多個校正溫度量測係由該第一溫度感測器獲取並且對應於每一校正溫度量測的該第一電阻性線圈的一或多個校正電阻量測同時地被獲取。被設置在該第一基板支撐件中的一第一加熱元件的溫度控制係基於該等校正溫度量測和該等校正電阻量測來校正。
本揭露的另一實施例提供：一種用於量測被設置在一處理腔室中的基板支撐件的溫度的測試夾具。該測試夾具包含：一覆蓋板、一或多個冷卻通道，該等冷卻通道與該覆蓋板進行熱接觸、穿過該覆蓋板形成的一第一開口和一第二開口，以及裝設在該第一開口上方的一第一非接觸式溫度感測器和裝設在該第二開口上方的一第二非接觸式溫度感測器，以使得該第一非接觸式溫度感測器和該第二非接觸式溫度感測器經配置以穿過該覆蓋板的該等開口來量測在該覆蓋板下方的表面的溫度。該覆蓋板的尺寸被設定為：當該處理腔室的一蓋子為打開時覆蓋該處理腔室的一腔室主體的一上表面。
本揭露的實施例一般性地關於：用於校正在一處理腔室中的一基板支撐件的溫度量測而不與該基板支撐件的表面相接觸的方法和一工具。特定地，溫度感測器(例如(但不限於)：高溫計)被使用以校正溫度的量測。高溫計允許溫度的量測而不與基板支撐件相接觸(即使是在處於低溫的情況下)，因此降低具有污染的任何的風險而同時保持了量測的準確度和精確度。然後利用該等量測以校正被設置在基板支撐件中的加熱元件的控制。雖然在被描述於本揭露中的特定的實施例中選擇高溫計以作為溫度感測器，理解到：亦可選擇其他的非接觸式溫度感測器(例如：紅外線溫度計、紅外線掃描系統、紅外線熱像儀等等)。被描述於此揭露中的方法和工具的基礎原理可經調適以校正：被嵌入在基板支撐件中的各種各樣的加熱元件。
第1圖係被設置在處理腔室100上的測試夾具110的前視圖的示意性表示，該測試夾具用於量測被設置於該處理腔室其中的基板支撐件的溫度。雖然處理腔室100被示例說明為具有二個基板支撐件150a、150b，考慮到：測試夾具110可經調適以量測可被設置在腔室100內的任何的數目的基板支撐件的溫度，而不與基板支撐件的表面相接觸。處理腔室100可經配置以執行半導體製造程序(例如，對於在基板上的材料進行蝕刻、植入、退火、沉積，及電漿處理)。在被顯示於第1圖中的實施例中，處理腔室100經調適以用於對一基板進行退火。
處理腔室100具有：腔室主體170和被耦接至主體170的蓋子130。蓋子130可被打開以顯露出腔室主體170的內部。腔室主體170具有二個側壁172、174和底板176。底板176將二個側壁172和174耦接在一起。腔室主體170具有：分隔壁178，該分隔壁將被界定在腔室主體170內的二個處理空間180a、180b分隔開來。基板支撐件150a被設置在處理空間180a中，而基板支撐件150b被設置在處理空間180b中(其中該處理空間180b具有基板支撐件150b)。基板支撐件150a、150b中的每一者可位於分別的處理空間180a、180b內的中心處。基板支撐件150a、150b中的每一者可選擇地包含：真空吸盤或靜電吸盤。基板支撐件150a、150b中的每一者具有：圓柱形的基部150a0、150b0和圓形的頂表面150a1、150b1。頂表面150a1、150b1經配置以當(例如)在處於最高達到550攝氏度的溫度的情況下進行處理時支撐一基板。頂表面150a1、150b1可從與位於其上的被處理的基板相容並且與在腔室中的處理環境相容的材料中製成。示例性的材料包含：石英和陶瓷(例如：可承受高溫的氧化鋁和氮化鋁)。
基板支撐件150a、150b中的每一者具有至少二個可控制的加熱區域—圓形的內區154a、154b和被設置在內區154a、154b周圍的環形的外區152a、152b。內區154a、154b中的每一者具有內嵌式加熱元件153a、153b。加熱元件153a、153b可為：電阻性加熱元件或其他的適當的加熱器。加熱元件153a、153b中的每一者的溫度係藉由從一或多個電源供應器(未被顯示出)處供應電流的方式來進行控制。內區154a、154b中的每一者亦具有：用於量測與加熱元件153a、153b中的每一者相鄰的基板支撐件150a、150b的溫度的內嵌式熱電偶157a、157b。熱電偶157a、157b中的每一者藉由分別的連接線158a、158b被耦接至控制器140。
外區152a、152b中的每一者具有內嵌式加熱元件151a、151b。在一實施例中，內嵌式加熱元件151a、151b可為：電阻性加熱元件或其他的適當的加熱器。加熱元件151a、151b中的每一者的溫度係藉由從一或多個電源供應器(未被顯示出)處供應電流的方式來進行控制。
電阻性線圈155a、155b被設置在與每一加熱元件151a、151b相鄰的基板支撐件150a、150b中。電阻性線圈155a、155b中的每一者係藉由分別的連接線156a、156b被連接至歐姆計159a、159b以量測分別的電阻性線圈155a、155b的電阻。歐姆計159a、159b經配置以量測在電阻性線圈155a、155b中的電阻並且藉由分別的連接線156a’、156b’提供電阻資訊至控制器140。
控制器140包含：中央處理單元(CPU)142、記憶體144，及支援電路146。控制器140可被利用以調節：從電源供應器(未被顯示出)處施加至加熱元件151a、151b和153a、153b的功率，以及接收：關於由個別的熱電偶157a、157b量測的加熱元件153a、153b的溫度的資訊和關於由分別的歐姆計159a、159b量測的電阻性線圈155a、155b的每一者的電阻的資訊。CPU 142可為：可以被使用在工業定型(industrial setting)中的具有任何的形式的一般性目的電腦處理器。記憶體144可為：隨機存取記憶體、唯讀記憶體、軟碟，或硬碟機，或其他的形式的數位儲存。支援電路146 傳統上係被耦接至CPU 142並且可包含：快取、時脈電路、輸入/輸出系統、電源供應器等等。
第2圖係被設置在處理腔室100上的測試夾具110的側視圖的示意性表示，該測試夾具用於量測基板支撐件150a、150b的溫度而不與基板支撐件的表面相接觸。在進行校正期間，處理腔室100的蓋子130被舉升至 打開位置，並且測試夾具110被放置在腔室主體170的頂部。測試夾具110被放置在腔室主體170的頂部上。當測試夾具110經配置以校正單一的基板支撐件時，測試夾具110僅需被配置有由在圖式中的具有下標「a」的參照編號所識別的測試夾具元件。在進行校正之後，測試夾具110被移除並且蓋子130被蓋上以將腔室主體170密封 而用於對基板進行處理。
如同在第2圖和第3圖中所顯示者，測試夾具110包含：覆蓋板305、至少一個冷卻通道315、外部開口112a和112b，以及二個非接觸式溫度感測器120a、120b。非接觸式溫度感測器120a、120b可為：紅外線溫度計、高溫計、紅外線掃描系統、紅外線熱像儀等等。在一實施例中，非接觸式溫度感測器120a、120b係高溫計。
測試夾具110的覆蓋板305係從鋁或其他的適當的材料中製成。覆蓋板305可具有：在0.5吋至0.75吋之間的厚度。外部開口112a、112b係穿過覆蓋板305形成並且位於基板支撐件150a、150b的分別的環形的外區152a、152b的上方。可選擇地，覆蓋板305可包含：穿過覆蓋板305形成的至少二個內部開口312a、312b，該等內部開口312a、312b與基板支撐件150a、150b的內區154a、154b對齊。外部開口112a、112b被利用以允許分別的非接觸式溫度感測器120a、120b在進行校正程序期間穿過覆蓋板305以偵測在基板支撐件150a、150b的外區152a、152b中的溫度。內部開口312a、312b可被利用以允許非接觸式溫度感測器120a、120b被放置在嵌入於分別的內區154a和154b中的熱電偶157a、157b的上方以驗證：由非接觸式溫度感測器120a、120b所獲得的溫度量測。石英窗口118a、118b可被設置在外部開口112a、112b中。石英窗口118a、118b對於由基板支撐件150a、150b所發射的幅射而言係可透射的，以使得基板支撐件150a、150b的溫度可由非接觸式溫度感測器120a、120b來進行量測。
非接觸式溫度感測器120a、120b被裝設在覆蓋板305的分別的外部開口112a、112b的上方。附接至覆蓋板305和非接觸式溫度感測器120a、120b的托架114a、114b被利用以將非接觸式溫度感測器120a、120b分隔於基板支撐件150a、150b的頂部之上。在非接觸式溫度感測器120a、120b係高溫計的實施例中，托架114a、114b將非接觸式溫度感測器120a、120b與基板支撐件150a、150b的頂部分隔開與高溫計的焦距相稱的一距離，以用於進行基板支撐件的溫度的準確的和可靠的量測。夾具、螺釘或其他的緊固構件可進一步地被使用以固持非接觸式溫度感測器120a、120b至托架114a、114b。當被緊固時，非接觸式溫度感測器120a、120b具有：穿過分別的石英窗口118a、118b至基板支撐件150a、150b中的每一者的與分別的電阻性線圈155a、155b相鄰的區域的分別的視域122a、122b。非接觸式溫度感測器120a、120b經配置以獲得在基板支撐件150a、150b中的每一者上的分別的區域的溫度量測並且藉由連接線124a和124b將資訊傳送至控制器140。在所顯示的實施例中，非接觸式溫度感測器120a、120b可以是：型號為Lumasense® IGA 6-23 MB10的高溫計。非接觸式溫度感測器120a、120b可量測在寬廣範圍內(例如，在大約50攝氏度與1000攝氏度之間)的溫度並且具有在大約210 mm至5000mm之間的焦距。
冷卻通道315避免覆蓋板305發生以下情況： 由於基板支撐件150a、150b所產生的熱的緣故所造成的過熱情況。在一實例中，冷卻通道315係由不銹鋼管製成 並且被設置在形成於覆蓋板305中的凹槽中。封裝化合物(未被顯示出)被使用以填充：在不銹鋼管周圍的凹槽，以確保：覆蓋板305的有效的冷卻。在冷卻通道315上將複數個短小突出物(tab)304a、304b，及304c耦接至覆蓋板305以使得冷卻通道315保持在形成於覆蓋板305中的凹槽內。在替代性的實施例中，短小突出物可由其他的緊固構件代替。接頭302a和302b被耦接至冷卻通道315的入口和出口以促進對於傳熱流體源(未被顯示出)的容易的連接，而用於在冷卻通道315內循環傳熱流體(例如：水)以控制覆蓋板305的溫度。
測試夾具110包含複數個手柄116，以使得： 測試夾具110可被容易地放置在腔室主體170上並且在已經執行校正之後被移除。塑膠蓋160可被設置在覆蓋板305的頂部的上方以避免：覆蓋板305的潛在熱表面的顯露。如同蓋子130會在處理腔室100的操作期間發揮的作用，塑膠蓋160亦避免經過內部開口312a和312b的熱損失，因此有助於非接觸式溫度感測器120a、120b可靠地量測基板支撐件150a、150b的溫度。
測試夾具110被使用於利用電阻性線圈155a、155b來校正基板支撐件150a、150b的溫度的量測而不與基板支撐件的表面接觸。初始地，處理腔室100的蓋子130被移動至打開狀態以將測試夾具110容納於腔室主體170的上表面上。測試夾具110的覆蓋板305在進行校正程序期間作為處理腔室100的蓋子。覆蓋板305包含與被耦接至腔室主體170的感測器接合的連鎖裝置(未被顯示出)以模擬蓋子130的封閉，而促進處理腔室100的操作。非接觸式溫度感測器120a、120b係藉由托架114a、114b被裝設在測試夾具110的外部開口112a、112b的上方，以使得在基板支撐件150、150b與非接觸式溫度感測器120a、120b之間的距離大致上 等於非接觸式溫度感測器的焦距。非接觸式溫度感測器120a、120b具有：聚焦在與分別的基板支撐件150a、150b的分別的電阻性線圈155a、155b相鄰的區域的分別的視域122a、122b。歐姆計159a、159b的每一者連接至分別的電阻性線圈155a、155b以當電阻與基板支撐件150a、150b的溫度成比例地變化時直接地量測電阻性線圈的電阻。
被設置在處理腔室100中的基板支撐件150a、150b二者可在同一時間被校正。在第一基板支撐件150a的校正程序的一實例中，基板支撐件150a以50ºC的增量被加熱至550ºC。在每一溫度增量處使用非接觸式溫度感測器120a來獲取基板支撐件150a的外區152a的數個校正溫度量測t1
、t2
，…， tN
。同時地，對應於每一校正溫度量測的電阻性線圈155a的數個校正電阻量測r1
、r2
，…，rN
被獲取。在每一溫度處，決定基板支撐件150a的量測的校正溫度與電阻性線圈155a的量測的校正電阻之間的關係。複數個電阻參數k1
、k2
，…， kN
(每一者代表在每一溫度下的關係)被決定為校正程序的產物。最終的電阻參數k可被決定為：界定一溫度範圍內的關係的線性的最佳擬合線段的斜率。電阻性線圈155a的量測的電阻與對應於電阻性線圈155a的量測的電阻的基板支撐件150a的溫度T之間的此關係可被界定為： T = k * f(R)…………………………………(i) 其中「k」係繪製在X-Y笛卡爾坐標平面上的經過點t1
、t2
， …，tN
，及r1
、r2
，…，rN
的線性的最佳擬合線段的斜率；及 「f」代表：使得基板支撐件150a的溫度T可從被設置在基板支撐件150a內的電阻性線圈155a的量測的電阻R決定的關係。
亦同時地使用此相同的程序並且藉由利用非接觸式溫度感測器120b來獲取量測的方式來校正基板支撐件150b的外區152b的溫度。為了要進行驗證，相對於基板支撐件150b來增加基板支撐件150a的溫度以在非接觸式溫度感測器120a、120b對於控制器140的連接被交換的情況下推論出非接觸式溫度感測器120a、120b中的何者與基板支撐件150a、150b相關聯。在進行校正程序期間，基板支撐件150a、150b的外區152a、152b的溫度被維持在以下所述的範圍中：相較於內區154a、154b更熱10攝氏度以內並且相較於內區154a、154b更冷30攝氏度以內的溫度範圍，以避免基板支撐件的破裂。在進行校正之後，從腔室主體170移除測試夾具110並且將處理腔室100的蓋子130蓋上。
在對於在位於處理腔室100中的基板支撐件150a、150b上的基板進行後續的處理期間，基板支撐件150a、150b的外區152a、152b(以及因此在其上的基板的外區域)的溫度可從已知的最終的電阻參數k和前述的電阻性線圈155a、155b的量測的電阻與對應於電阻性線圈155a、155b的量測的電阻的溫度之間的關係(i)中決定。
第4圖係根據本揭露的另一實施例的一流程圖，該流程圖係針對用於量測在處理腔室中的基板支撐件的溫度而不與基板支撐件的表面相接觸的方法400。方法400在方塊410處藉由將具有溫度感測器的測試夾具裝設在處理腔室的腔室主體的上表面上來作為開始。在一實例中，測試夾具110被裝設在處理腔室100的腔室主體170的上表面上。測試夾具110具有設置於其上的非接觸式溫度感測器120a，其中利用此一方式使得：非接觸式溫度感測器120a具有覆蓋基板支撐件150a的與嵌入於基板支撐件150a內(意即：外區152a的區域)的電阻性線圈155a相鄰的一區域的一視域。
在方塊420處，溫度感測器被使用以量測：位於處理腔室中的基板支撐件的校正溫度。在前文所描述的實例中，非接觸式溫度感測器120a被使用以量測基板支撐件150a在外區152a中的校正溫度。校正溫度T係從由被加熱元件151a加熱的基板支撐件150a所發射的幅射中量測的，該幅射穿過石英窗口118a並且到達非接觸式溫度感測器120a的感測端。
在方塊430處，被設置在基板支撐件的外區中的電阻性線圈的校正電阻係藉由歐姆計來量測。在前文所描述的實例中，使用被連接至電阻性線圈155a的歐姆計159a來量測被設置在基板支撐件150a的外區152a中的電阻性線圈155a的校正電阻R。在藉由非接觸式溫度感測器120a來獲取校正溫度量測的同時獲取校正電阻量測。
在方塊440處，基於在基板支撐件的外區的量測的校正溫度與電阻性線圈的量測的校正電阻之間的關係來決定電阻參數。在前文所描述的實例中，在每一溫度處決定基板支撐件150a的外區152a的量測的校正溫度與電阻性線圈155a的量測的校正電阻之間的關係。複數個電阻參數k1
、k2
， …，kN
(每一者代表：處於溫度量測的每一者的情況下的關係)被決定為：校正程序的產物。最終的電阻參數k被決定為：界定在溫度範圍內的量測的校正溫度與校正電阻量測之間的關係的線性的最佳擬合線段的斜率。隨後藉由此已知的最終的電阻參數k和電阻性線圈155a的量測的電阻Ri
與對應於電阻性線圈155a的量測的電阻的溫度之間的關係(i)來促進基板支撐件150a的外區152a的溫度Ti
的決定。
在方塊450處，基於電阻參數來校正被設置在基板支撐件中的加熱元件的溫度控制。在前文所描述的實例中，設置在基板支撐件150a的外區152a中的加熱元件151a的控制係基於最終的電阻參數k來校正。
在方塊460處，測試夾具被移除。在前文所描述的實例中，藉由使用手柄116的方式將測試夾具110從腔室主體170移除。
在方塊470處，處理腔室的蓋子被蓋上以開始 處理基板。在前述的實例中，在腔室主體170上將蓋子130蓋上，以使得處理腔室100準備好要進行處理。如同在方塊410-450中概述的方法400被使用以在進行處理期間校正基板支撐件(例如：基板支撐件150a)和被放置在該基板支撐件上的任何的基板的溫度的量測。
在方塊480處，在進行被放置在基板支撐件上的基板的處理期間量測被設置在基板支撐件的外區中的電阻性線圈的電阻。在前文所描述的實例中，使用歐姆計來量測被設置在基板支撐件150a中的電阻性線圈155a的電阻(如Ra
)。
在方塊490處，基於最終的電阻參數k和被設置在基板支撐件的外區中的電阻性線圈的量測的電阻來決定基板支撐件的外區的溫度。在前文所描述的實例中，基板支撐件150a的外區152a和被放置在該基板支撐件150a上的基板的溫度Ti
可從電阻性線圈155a的量測的電阻和最終的電阻參數k中決定。量測的電阻Ri
被使用在電阻性線圈155a的量測的電阻R與對應於電阻性線圈155a的量測的電阻的溫度T之間的關係(i)中，以使得： Ti
= k * f(Ri
)…………………………………(ii)
第5圖係用於在處理腔室中同時地校正二個基板支撐件的溫度的量測的方法的流程圖。
在方塊510處，使用如同在第4圖的流程圖的方塊410-450中所概述的方法400並且基於第一電阻參數來校正被設置在第一基板支撐件中的第一加熱元件的控制。在前文所描述的實例中，使用非接觸式溫度感測器120a和如同在第4圖的流程圖的方塊410-450中概述的方法400並且基於第一電阻參數ka
來校正基板支撐件150a的加熱元件151a。
在方塊520處，使用如同在第4圖的流程圖的方塊410-450中概述的方法400並且基於第二電阻參數 來校正被設置在第二基板支撐件中的第二加熱元件的控制。在前文所描述的實例中，使用非接觸式溫度感測器120b和如同在第4圖的流程圖的方塊410-450中概述的方法400並且基於第二電阻參數kb
來校正基板支撐件150b的加熱元件151b。
在方塊530處，相對於第二基板支撐件來增加第一基板支撐件的溫度以推論出第一溫度感測器和第二溫度感測器中的何者與第一基板支撐件和第二基板支撐件相關聯。在前文所描述的實例中，相對於基板支撐件150b來增加基板支撐件150a的溫度以推論出非接觸式溫度感測器120a、120b中的何者與基板支撐件150a、150b中的每一者相關聯。
在此揭露中所描述的方法和測試夾具提供： 一種準確地校正基板支撐件的加熱元件並且不與基板或基板支撐件的表面接觸的改善的方式。藉由使用溫度感測器(特別是可量測基板或基板支撐件的溫度而不接觸其表面的非接觸式溫度感測器)來促進該改善。缺乏接觸消除了在處理腔室中有金屬污染的風險。此外，因為非接觸式溫度感測器能夠利用±2攝氏度的精確度來可靠地和準確地量測寬廣範圍中的溫度，基板支撐件可被校正至期望的溫度準確度。
雖然前述者係關於本揭露的特定的實施例，理解到：此些實施例僅示例說明本發明的原理和應用。因而理解到：可對於示例說明性的實施例作出許多的修正以達成其他的實施例，而不偏離本發明的精神和範疇(如同由隨附的申請專利範圍所界定者)。
100‧‧‧處理腔室110‧‧‧測試夾具112a、112b‧‧‧外部開口114a、114b‧‧‧托架116‧‧‧手柄118a、118b‧‧‧石英窗口120a、120b‧‧‧非接觸式溫度感測器122a、122b‧‧‧視域124a、124b‧‧‧連接線130‧‧‧蓋子140‧‧‧控制器142‧‧‧中央處理單元144‧‧‧記憶體146‧‧‧支援電路150a、150b‧‧‧基板支撐件150a0、150b0‧‧‧圓柱形的基部150a1、150b1‧‧‧頂表面151a、151b‧‧‧內嵌式加熱元件152a、152b‧‧‧環形的外區153a、153b‧‧‧內嵌式加熱元件154a、154b‧‧‧圓形的內區155a、155b‧‧‧電阻性線圈156a、156b‧‧‧連接線156a’、156b’‧‧‧連接線157a、157b‧‧‧熱電偶158a、158b‧‧‧連接線159a、159b‧‧‧歐姆計160‧‧‧塑膠蓋172‧‧‧側壁174‧‧‧側壁176‧‧‧底板178‧‧‧分隔壁180a、180b‧‧‧處理空間302a、302b‧‧‧接頭304a、304b、304c‧‧‧短小突出物305‧‧‧覆蓋板312a、312b‧‧‧內部開口315‧‧‧冷卻通道400‧‧‧方法410‧‧‧方塊/步驟420‧‧‧方塊/步驟430‧‧‧方塊/步驟440‧‧‧方塊/步驟450‧‧‧方塊/步驟460‧‧‧方塊/步驟470‧‧‧方塊/步驟480‧‧‧方塊/步驟490‧‧‧方塊/步驟500‧‧‧方塊/步驟510‧‧‧方塊/步驟520‧‧‧方塊/步驟530‧‧‧方塊/步驟
為了使得可詳細地理解前文引述本揭露的特徵的方式，本揭露的更為特定的描述(在前文中簡短地概括者)可藉由參照實施例來獲得，該等實施例中的一些者被示例說明於隨附的圖式中。然而，應注意到：隨附的圖式僅示例說明示例性的實施例，因而不被認為是對其範疇作出限制(因為本揭露可容許其他的同等有效的實施例)。
第1圖係一處理腔室的一前視圖的示意性表示，該處理腔室具有裝設於其上的一測試夾具，該測試夾具用於量測被設置在該處理腔室中的一基板支撐件的溫度。
第2圖係該處理腔室的一側視圖的示意性表示，該處理腔室具有裝設於其上的該測試夾具。
第3圖係測試夾具的覆蓋板的一實施例的俯視圖。
第4圖係用於量測在處理腔室中的基板支撐件的溫度而不與基板支撐件的表面相接觸的方法的流程圖。
第5圖係用於同時地量測被設置在處理腔室中的二個基板支撐件的溫度的一方法的流程圖。
為了要促進理解，在可能的情況中已經使用相同的元件符號以指定給圖式共用的相同的元件。考慮到：一實施例的元件和特徵可被有利地併入其他的實施例中，而無需進一步的詳述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100‧‧‧處理腔室
110‧‧‧測試夾具
112a、112b‧‧‧外部開口
114a、114b‧‧‧托架
116‧‧‧手柄
118a、118b‧‧‧石英窗口
120a、120b‧‧‧非接觸式溫度感測器
122a、122b‧‧‧視域
124a、124b‧‧‧連接線
130‧‧‧蓋子
140‧‧‧控制器
142‧‧‧中央處理單元
144‧‧‧記憶體
146‧‧‧支援電路
150a、150b‧‧‧基板支撐件
150a0、150b0‧‧‧圓柱形的基部
150a1、150b1‧‧‧頂表面
151a、151b‧‧‧內嵌式加熱元件
152a、152b‧‧‧環形的外區
153a、153b‧‧‧內嵌式加熱元件
154a、154b‧‧‧圓形的內區
155a、155b‧‧‧電阻性線圈
156a、156b‧‧‧連接線
156a’、156b’‧‧‧連接線
157a、157b‧‧‧熱電偶
158a、158b‧‧‧連接線
159a、159b‧‧‧歐姆計
160‧‧‧塑膠蓋
172‧‧‧側壁
174‧‧‧側壁
176‧‧‧底板
178‧‧‧分隔壁
180a、180b‧‧‧處理空間
Claims (15)
- 一種量測在一處理腔室中的溫度的方法，包含以下步驟：當該處理腔室的一蓋子為打開時，可移除地將一測試夾具裝設至該處理腔室的一腔室主體的一上表面，該測試夾具具有一第一溫度感測器，該第一溫度感測器具有一視域，該視域包含一第一基板支撐件的與被設置在位於該處理腔室的該第一基板支撐件中的一第一電阻性線圈相鄰的一第一區域；利用該第一溫度感測器來獲得該第一基板支撐件的該第一區域的一或多個溫度量測並且同時地獲得對應於每一溫度量測的該第一電阻性線圈的一或多個校正電阻量測；及基於該第一基板支撐件的該量測的溫度和被設置在該第一基板支撐件中的該第一電阻性線圈的該量測的校正電阻來校正被設置在該第一基板支撐件中的一加熱元件的控制。
- 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：移除該測試夾具；及將該處理腔室的一蓋子蓋上。
- 如請求項1所述之方法，其中獲得該第一基 板支撐件的該第一區域的一或多個溫度量測並且同時地獲得該第一電阻性線圈的一或多個校正電阻量測的步驟進一步包含以下步驟：獲得複數個溫度量測和校正電阻量測；決定複數個電阻參數，每一電阻參數係基於該第一基板支撐件的該量測的溫度與被設置在該第一基板支撐件中的該第一電阻性線圈的該量測的校正電阻之間的一關係且表示一實際的溫度與該第一電阻性線圈的一量測的電阻之間的該關係。
- 如請求項3所述之方法，進一步包含以步驟：當處理在該第一基板支撐件上的一基板時，量測該第一電阻性線圈的一電阻；及基於該第一電阻參數和被設置在該第一基板支撐件中的該第一電阻性線圈的該量測的電阻決定該第一基板支撐件的一溫度。
- 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：基於一第二基板支撐件的該量測的溫度和被設置在一第二基板中的一第二電阻性線圈的該量測的校正電阻，校正被設置在位於該處理腔室中的該第二基板支撐件中的一加熱元件的控制。
- 如請求項5所述之方法，其中校正被設置在 該第二基板支撐件中的該加熱元件的控制的步驟包含以下步驟：利用被固定至該測試夾具的一第二溫度感測器來獲得該第二基板支撐件的一第一區域的一或多個溫度量測並且同時地獲得對應於該一或多個溫度量測的被設置在該第二基板支撐件中的該第二電阻性線圈的一或多個校正電阻量測。
- 如請求項5所述之方法，其中校正被設置在該第一基板支撐件中的該加熱元件的控制和校正被設置在該第二基板支撐件中的該加熱元件的控制為同時地進行。
- 如請求項7所述之方法，進一步包含以下步驟：相對於該第二基板支撐件來增加該第一基板支撐件的該溫度以推論出該第一溫度感測器和該第二溫度感測器中的何者與該第一基板支撐件和該第二基板支撐件中的每一者相關聯。
- 如請求項3所述之方法，其中該電阻參數可被表示為該第一基板的該量測的溫度與被設置在該第一基板支撐件中的該第一電阻性線圈的該量測的校正電阻之間的關係的一最佳擬合圖形線。
- 一種用於量測在一處理腔室中的溫度的測 試夾具，包含：一覆蓋板，該覆蓋板的尺寸被設定為當該處理腔室的一蓋子為打開時覆蓋該處理腔室的一腔室主體的一上表面；一或多個冷卻通道，該等冷卻通道與該覆蓋板進行熱接觸；穿過該覆蓋板形成的一第一開口和一第二開口；複數個短小突出物，其中在該等冷卻通道上，該複數個短小突出物耦接至該覆蓋板以使得該等冷卻通道保持在形成於該覆蓋板中的一凹槽內；及被裝設在該第一開口上方的一第一非接觸式溫度感測器和被裝設在該第二開口上方的一第二非接觸式溫度感測器，該第一非接觸式溫度感測器和該第二非接觸式溫度感測器經配置以穿過該覆蓋板的該等開口來量測在該覆蓋板下方的表面的溫度。
- 如請求項10所述之測試夾具，其中該覆蓋板進一步包含：複數個手柄。
- 如請求項10所述之測試夾具，其中該覆蓋板係從鋁中製成。
- 如請求項10所述之測試夾具，進一步包含以下步驟： 一第一托架，該第一托架將該第一非接觸式溫度感測器分隔於該第一開口的上方，以及一第二托架，該第二托架將該第二非接觸式溫度感測器分隔於該第二開口的上方。
- 如請求項10所述之測試夾具，其中該第一開口和該第二開口中的每一者進一步包含：一石英窗口。
- 如請求項10所述之測試夾具，進一步包含：一塑膠蓋，該塑膠蓋被設置在該覆蓋板的上方。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/461,952 | 2017-03-17 | ||
| US15/461,952 US10763141B2 (en) | 2017-03-17 | 2017-03-17 | Non-contact temperature calibration tool for a substrate support and method of using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201839366A TW201839366A (zh) | 2018-11-01 |
| TWI801366B true TWI801366B (zh) | 2023-05-11 |
Family
ID=63519552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107108391A TWI801366B (zh) | 2017-03-17 | 2018-03-13 | 用於基板支撐件的非接觸式溫度校正工具和使用該溫度校正工具的方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10763141B2 (zh) |
| EP (1) | EP3596436B1 (zh) |
| JP (1) | JP6854359B2 (zh) |
| KR (1) | KR102321219B1 (zh) |
| CN (1) | CN110573847B (zh) |
| TW (1) | TWI801366B (zh) |
| WO (1) | WO2018169765A1 (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102072525B1 (ko) * | 2015-09-28 | 2020-02-03 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
| US10636630B2 (en) * | 2017-07-27 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber and method with thermal control |
| US10760976B2 (en) * | 2018-04-12 | 2020-09-01 | Mattson Technology, Inc. | Thermal imaging of heat sources in thermal processing systems |
| CN113748322A (zh) | 2019-04-26 | 2021-12-03 | 应用材料公司 | 用于校准光发射光谱仪的方法 |
| DE102019111696A1 (de) * | 2019-05-06 | 2020-11-12 | Harald Ibele | Verfahren zur Temperaturmessung und Temperaturmessvorrichtung |
| DE102019207663A1 (de) * | 2019-05-24 | 2020-11-26 | Ers Electronic Gmbh | Kalibrierungsanordnung und entsprechendes Kalibrierungsverfahren |
| US12004267B2 (en) * | 2019-06-07 | 2024-06-04 | Watlow Electric Manufacturing Company | System and method for calibrating a control system operating an electric heater |
| CN115211228A (zh) * | 2020-02-24 | 2022-10-18 | 沃特洛电气制造公司 | 控制加热器的控制系统的动态校准 |
| TWI734438B (zh) * | 2020-04-09 | 2021-07-21 | 台達電子工業股份有限公司 | 熱控系統、熱控方法與溫度校正裝置 |
| CN115669217A (zh) * | 2020-05-19 | 2023-01-31 | 沃特洛电气制造公司 | 用于电阻加热器的被动和主动校准方法 |
| US11359972B2 (en) | 2020-09-15 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Temperature calibration with band gap absorption method |
| JP7534047B2 (ja) | 2020-12-07 | 2024-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置の制御方法及び検査装置 |
| CN113049144B (zh) * | 2021-03-29 | 2024-04-09 | 中国空气动力研究与发展中心设备设计与测试技术研究所 | 一种用于温度测量系统进行全系统宽低温综合校准设备的隔热腔 |
| CN114779147B (zh) * | 2022-04-07 | 2022-11-22 | 中国工程物理研究院计量测试中心 | 一种远程控制非接触式静电电压表的检定方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030080112A1 (en) * | 2000-02-01 | 2003-05-01 | Van Bilsen Frank B.M. | System of controlling the temperature of a processing chamber |
| US7031861B2 (en) * | 2003-03-26 | 2006-04-18 | Maquet Critical Care Ab | Apparatus and method for calibrating a resistance thermometer and gas analyzer employing same |
| TW200714879A (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-16 | Aimtron Technology Corp | Temperature measurement circuit calibrated through shifting a conversion reference level |
| US20140092935A1 (en) * | 2011-02-22 | 2014-04-03 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Mems-based calorimeter, fabrication, and use thereof |
| TW201428247A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-07-16 | Dust Networks Inc | 精確溫度測量的裝置、感測器和方法 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113919A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High frequency heater |
| JPH0611027B2 (ja) * | 1985-06-28 | 1994-02-09 | 株式会社日立製作所 | 分子線エピタキシ装置 |
| US5650082A (en) * | 1993-10-29 | 1997-07-22 | Applied Materials, Inc. | Profiled substrate heating |
| US6189483B1 (en) * | 1997-05-29 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Process kit |
| US6113703A (en) * | 1998-11-25 | 2000-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing the upper and lower faces of a wafer |
| US6423949B1 (en) * | 1999-05-19 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone resistive heater |
| JP2000339039A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Tokyo Electron Ltd | 加熱手段の温度制御方法、その装置及び熱処理装置 |
| US7734439B2 (en) * | 2002-06-24 | 2010-06-08 | Mattson Technology, Inc. | System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers |
| US7079760B2 (en) * | 2003-03-17 | 2006-07-18 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for thermally treating a substrate |
| US20070076780A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Champetier Robert J | Devices, systems and methods for determining temperature and/or optical characteristics of a substrate |
| US20070283709A1 (en) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Veeco Instruments Inc. | Apparatus and methods for managing the temperature of a substrate in a high vacuum processing system |
| US9301340B2 (en) * | 2006-06-26 | 2016-03-29 | Tp Solar, Inc. | IR conveyor furnace having single belt with multiple independently controlled processing lanes |
| JP4262763B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2009-05-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| US9157152B2 (en) * | 2007-03-29 | 2015-10-13 | Tokyo Electron Limited | Vapor deposition system |
| US7942969B2 (en) * | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| US8092637B2 (en) * | 2008-02-28 | 2012-01-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Manufacturing method in plasma processing apparatus |
| US9758871B2 (en) * | 2008-12-10 | 2017-09-12 | Sumco Techxiv Corporation | Method and apparatus for manufacturing epitaxial silicon wafer |
| JP5544907B2 (ja) * | 2010-02-04 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスシャワー用の構造体及び基板処理装置 |
| US8888360B2 (en) * | 2010-12-30 | 2014-11-18 | Veeco Instruments Inc. | Methods and systems for in-situ pyrometer calibration |
| JP5976016B2 (ja) * | 2011-02-22 | 2016-08-23 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニバーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | マイクロデバイス、被分析物の熱特性を判定する方法、反応に係る熱量を測定する方法 |
| US8552346B2 (en) * | 2011-05-20 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for controlling temperature of a multi-zone heater in an process chamber |
| US8506161B2 (en) | 2011-06-21 | 2013-08-13 | Advanced Energy Industries, Inc. | Compensation of stray light interference in substrate temperature measurement |
| US10242890B2 (en) * | 2011-08-08 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with heater |
| US20140356985A1 (en) * | 2013-06-03 | 2014-12-04 | Lam Research Corporation | Temperature controlled substrate support assembly |
| JP2017502529A (ja) * | 2013-11-11 | 2017-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 赤外線カメラを使用した低温ｒｔｐ制御 |
| JP2015112575A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | キヤノン株式会社 | マイクロ流体デバイス及びその温度制御方法 |
| US9435692B2 (en) | 2014-02-05 | 2016-09-06 | Lam Research Corporation | Calculating power input to an array of thermal control elements to achieve a two-dimensional temperature output |
| US9212949B2 (en) * | 2014-03-28 | 2015-12-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for temperature measurement and calibration of semiconductor workpieces using infrared |
| JP2016038478A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | キヤノンファインテック株式会社 | 加熱装置および画像形成装置 |
| WO2016190905A1 (en) * | 2015-05-22 | 2016-12-01 | Applied Materials, Inc. | Azimuthally tunable multi-zone electrostatic chuck |
| JP6688172B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2020-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび方法 |
-
2017
- 2017-03-17 US US15/461,952 patent/US10763141B2/en active Active
-
2018
- 2018-03-09 WO PCT/US2018/021650 patent/WO2018169765A1/en active Application Filing
- 2018-03-09 KR KR1020197030019A patent/KR102321219B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-09 JP JP2019550738A patent/JP6854359B2/ja active Active
- 2018-03-09 EP EP18766901.5A patent/EP3596436B1/en active Active
- 2018-03-09 CN CN201880017941.2A patent/CN110573847B/zh active Active
- 2018-03-13 TW TW107108391A patent/TWI801366B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030080112A1 (en) * | 2000-02-01 | 2003-05-01 | Van Bilsen Frank B.M. | System of controlling the temperature of a processing chamber |
| US7031861B2 (en) * | 2003-03-26 | 2006-04-18 | Maquet Critical Care Ab | Apparatus and method for calibrating a resistance thermometer and gas analyzer employing same |
| TW200714879A (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-16 | Aimtron Technology Corp | Temperature measurement circuit calibrated through shifting a conversion reference level |
| US20140092935A1 (en) * | 2011-02-22 | 2014-04-03 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Mems-based calorimeter, fabrication, and use thereof |
| TW201428247A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-07-16 | Dust Networks Inc | 精確溫度測量的裝置、感測器和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6854359B2 (ja) | 2021-04-07 |
| KR102321219B1 (ko) | 2021-11-03 |
| KR20190119669A (ko) | 2019-10-22 |
| TW201839366A (zh) | 2018-11-01 |
| JP2020512547A (ja) | 2020-04-23 |
| CN110573847B (zh) | 2021-12-21 |
| EP3596436A1 (en) | 2020-01-22 |
| CN110573847A (zh) | 2019-12-13 |
| EP3596436A4 (en) | 2020-12-30 |
| US20180269089A1 (en) | 2018-09-20 |
| US10763141B2 (en) | 2020-09-01 |
| EP3596436B1 (en) | 2023-12-20 |
| WO2018169765A1 (en) | 2018-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI801366B (zh) | 用於基板支撐件的非接觸式溫度校正工具和使用該溫度校正工具的方法 | |
| US6798036B2 (en) | Temperature measuring method and apparatus in semiconductor processing apparatus, and semiconductor processing method and apparatus | |
| KR101781032B1 (ko) | 다중 구역 저항 가열 장치, 상기 다중 구역 저항 가열 장치와 결합되는 반응기, 화학 기상 증착 장치용 가열 시스템, 및 기판의 저항 가열 방법 | |
| JP4515509B2 (ja) | 基板表面温度計測方法、及び、これを用いた基板処理装置 | |
| JP4357715B2 (ja) | 熱処理装置の温度校正方法 | |
| JP6080842B2 (ja) | プロセスチャンバ内の複数区域ヒータの温度を制御するための方法および装置 | |
| CN107636817A (zh) | 方位可调整的多区域静电夹具 | |
| KR20170000788A (ko) | 온도 제어 방법 | |
| KR20140114900A (ko) | 기판을 지지하기 위한 기판 홀더 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP6537329B2 (ja) | 温度制御装置、温度制御方法およびプログラム | |
| KR101783362B1 (ko) | 온도 측정용 판 형상체 및 그것을 구비한 온도 측정 장치 | |
| CN102759417A (zh) | 温度测定装置、温度校正装置及温度校正方法 | |
| JP2001077041A (ja) | 熱処理装置の温度校正方法 | |
| US11747209B2 (en) | System and method for thermally calibrating semiconductor process chambers | |
| JP2023526426A (ja) | 抵抗ヒーターのための受動的及び能動的な較正方法 | |
| JPH06204143A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP4829833B2 (ja) | 温度推定方法および温度推定装置 | |
| JP6401350B2 (ja) | 試料の熱分析時における温度調整の較正方法 | |
| TW202245074A (zh) | 基板處理設備、溫度量測方法及溫度控制方法 | |
| JP2004157989A (ja) | 温度制御装置及び処理装置 | |
| TW202220082A (zh) | 用於基板支撐件的非接觸式溫度監視的設備、系統及方法 | |
| JP2001289714A (ja) | 基板の温度計測方法及び計測装置、並びに基板の処理装置 | |
| JP2003249456A (ja) | 基板処理装置 |