TWI801342B

TWI801342B - 液晶顯示元件的製造方法、液晶組成物及其用途、液晶顯示元件

Info

Publication number: TWI801342B
Application number: TW106123298A
Authority: TW
Inventors: 黄名鴻; 張立心; 齋藤将之; 頼育宏
Original assignee: 日商捷恩智股份有限公司
Priority date: 2016-07-14
Filing date: 2017-07-12
Publication date: 2023-05-11
Also published as: JP6780587B2; JP2018016784A; TW201809236A

Abstract

本發明的一個目的為一種聚合物穩定配向型的液晶顯示元件，其具有響應時間短、電壓保持率大、臨限電壓低、對比度比大、壽命長之類的特性。本發明的另一目的為製造此種聚合物穩定配向型的元件的方法。本發明的方法是藉由將含有聚合性化合物（1）的液晶組成物封入於元件中，對該元件以特定的照度照射紫外線，來製造聚合物穩定配向型的液晶顯示元件。

例如，環A及環C為苯基；環B為1,4-伸苯基；Z¹ 及Z² 為單鍵；P¹ 、P² 及P³ 為聚合性基；Sp¹ 、Sp² 及Sp³ 為單鍵；a、b及c為0、1、2、3或4；d為1或2。

Description

液晶顯示元件的製造方法、液晶組成物及其用途、液晶顯示元件

本發明是有關於一種液晶顯示元件的製造方法等。尤其，本發明是有關於一種製造聚合物穩定配向型的液晶顯示元件的方法。

液晶顯示元件中，基於液晶分子的運作模式的分類為相變（phase change，PC）、扭轉向列（twisted nematic，TN）、超扭轉向列（super twisted nematic，STN）、電控雙折射（electrically controlled birefringence，ECB）、光學補償彎曲（optically compensated bend，OCB）、面內切換（in-plane switching，IPS）、垂直配向（vertical alignment，VA）、邊緣場切換（fringe field switching，FFS）、電場感應光反應配向（field-induced photo-reactive alignment，FPA）等模式。基於元件的驅動方式的分類為被動矩陣（passive matrix，PM）與主動矩陣（active matrix，AM）。PM被分類為靜態式（static）與多工式（multiplex）等，AM被分類為薄膜電晶體（thin film transistor，TFT）、金屬-絕緣體-金屬（metal insulator metal，MIM）等。TFT根據材料而分類為非晶矽（amorphous silicon）與多晶矽（polycrystal silicon）。後者根據製造步驟而進一步分類為高溫型與低溫型。基於光源的分類為利用自然光的反射型、利用背光的透過型、以及利用自然光與背光兩者的半透過型。

液晶顯示元件含有具有向列相的液晶組成物。該組成物具有適當的特性。藉由提高該組成物的特性，可獲得具有良好特性的AM元件。將該些特性中的關聯歸納於下述表1中。基於市售的AM元件來對組成物的特性進一步進行說明。向列相的溫度範圍與元件可使用的溫度範圍相關聯。向列相的較佳的上限溫度為約70℃以上，而且向列相的較佳的下限溫度為約-10℃以下。組成物的黏度與元件的響應時間相關聯。為了以元件顯示動態影像，較佳為響應時間短。理想為短於1毫秒的響應時間。因此，較佳為組成物的黏度小。更佳為低溫下的黏度小。

[表1]

組成物的光學各向異性與元件的對比度比相關聯。根據元件的模式，而需要大的光學各向異性或小的光學各向異性，即適當的光學各向異性。組成物的光學各向異性（Δn）與元件的單元間隙（d）的積（Δn×d）被設計成使對比度比成為最大。適當的積的值依存於運作模式的種類。VA模式的元件中，該值為約0.30 μm至約0.40 μm的範圍，IPS模式或FFS模式的元件中，該值為約0.20 μm至約0.30 μm的範圍。該些情況下，對單元間隙小的元件而言較佳為具有大的光學各向異性的組成物。組成物的介電各向異性大有助於使元件中的臨限電壓低、消耗電力小與對比度比大。因此，較佳為介電各向異性大。組成物中的比電阻大有助於使元件中的電壓保持率大與對比度比大。因而，較佳為於初始階段中具有大的比電阻的組成物。較佳為於長時間使用後亦具有大的比電阻的組成物。組成物對紫外線或熱的穩定性與元件的壽命相關聯。該穩定性高時，元件的壽命長。此種特性對於用於液晶投影儀、液晶電視等中的AM元件而言較佳。

於聚合物穩定配向（polymer sustained alignment，PSA）型的液晶顯示元件中使用含有聚合物的液晶組成物。首先，將添加有少量聚合性化合物的組成物注入至元件中。繼而，一邊對該元件的基板之間施加電壓，一邊對組成物照射紫外線。聚合性化合物進行聚合而於組成物中生成聚合物的網眼結構。該組成物中，可利用聚合物來控制液晶分子的配向，因此元件的響應時間縮短，圖像的殘像得到改善。於具有TN、ECB、OCB、IPS、VA、FFS、FPA之類的模式的元件中可期待聚合物的此種效果。

於具有TN模式的AM元件中使用具有正的介電各向異性的組成物。於具有VA模式的AM元件中使用具有負的介電各向異性的組成物。於具有IPS模式、FFS模式或FPA模式的AM元件中使用具有正或負的介電各向異性的組成物。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2014-167127號公報 [專利文獻2]日本專利特開2012-241125號公報 [專利文獻3]國際公開2013-161576號公報 [專利文獻4]日本專利特開2014-221902號公報 [專利文獻5]國際公開2013-175892號公報 [專利文獻6]國際公開2014-024648號公報 [專利文獻7]國際公開2014-091946號公報 [專利文獻8]中國申請案公開104342170號公報 [專利文獻9]中國申請案公開104342167號公報

[發明所欲解決之課題] 本發明的一個目的為提供一種含有聚合性化合物的液晶組成物，此處，聚合性化合物具有與液晶性化合物的高的相容性。另一目的為提供一種藉由自該聚合性化合物產生的聚合物的作用可達成液晶分子的垂直配向的液晶組成物。另一目的為提供一種液晶組成物，其滿足向列相的上限溫度高、向列相的下限溫度低、黏度小、光學各向異性適當、負介電各向異性大、比電阻大、對紫外線的穩定性高、對熱的穩定性高之類的特性的至少一種。另一目的為提供一種於該些特性中，至少兩種之間具有適當的平衡的液晶組成物。另一目的為提供一種含有此種組成物的液晶顯示元件。另一目的為提供一種聚合物穩定配向型的液晶顯示元件，其具有響應時間短、電壓保持率大、臨限電壓低、對比度比大、壽命長之類的特性。又一目的為提供一種製造此種聚合物穩定配向型的元件的方法。 [解決課題之手段]

本發明是有關於一種製造方法。一種製造方法，其為根據含有液晶組成物的液晶顯示元件來製造聚合物穩定配向型的液晶顯示元件的製造方法，所述液晶組成物含有聚合性化合物作為添加物且具有向列相及負介電各向異性，且所述添加物為選自式（1）所表示的聚合性化合物的組群中的至少一種化合物，將所述液晶組成物封入於具有配向膜及電極的兩個基板之間，一邊對所述基板之間施加特定的電壓，一邊對所述基板照射照度為3 mW/cm² 至200 mW/cm² 的範圍的第一紫外線14秒至580秒，繼而，不對所述基板之間施加電壓而對所述基板照射照度為3 mW/cm² 至100 mW/cm² 的範圍的第二紫外線10分鐘至60分鐘。式（1）的記號的定義參照項1。 [化1]

[發明的效果]

本發明的一個優點為提供一種含有聚合性化合物的液晶組成物，此處，聚合性化合物具有與液晶性化合物的高的相容性。另一優點為提供一種藉由自該聚合性化合物產生的聚合物的作用可達成液晶分子的垂直配向的液晶組成物。另一優點為提供一種液晶組成物，其滿足向列相的上限溫度高、向列相的下限溫度低、黏度小、光學各向異性適當、負介電各向異性大、比電阻大、對紫外線的穩定性高、對熱的穩定性高之類的特性的至少一種。另一優點為提供一種於該些特性中，至少兩種之間具有適當的平衡的液晶組成物。另一優點為提供一種含有此種組成物的液晶顯示元件。另一優點為提供一種聚合物穩定配向型的液晶顯示元件，其具有響應時間短、電壓保持率大、臨限電壓低、對比度比大、壽命長之類的特性。又一優點為提供一種製造此種聚合物穩定配向型的元件的方法。

該說明書中的用語的使用方法如下所述。有時將「液晶組成物」及「液晶顯示元件」的用語分別簡稱為「組成物」及「元件」。「液晶顯示元件」為液晶顯示面板及液晶顯示模組的總稱。「液晶性化合物」為具有向列相、層列相等液晶相的化合物，及雖不具有液晶相，但出於調節向列相的溫度範圍、黏度、介電各向異性之類的特性的目的而混合於組成物中的化合物的總稱。該化合物具有例如1,4-伸環己基或1,4-伸苯基之類的六員環，且其分子結構為棒狀（rod like）。「聚合性化合物」是出於使組成物中生成聚合物的目的而添加的化合物。具有烯基的液晶性化合物於其意義方面並非為聚合性。

液晶組成物是藉由將多種液晶性化合物混合來製備。於該液晶組成物中視需要來添加光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合起始劑、聚合抑制劑、極性化合物之類的添加物。即便於添加有添加物的情況下，液晶性化合物的比例亦是由基於不含添加物的液晶組成物的重量的重量百分率（重量%）表示。添加物的比例是由基於不含添加物的液晶組成物的重量的重量百分率（重量%）表示。即，液晶性化合物或添加物的比例是基於液晶性化合物的總重量而算出。有時使用重量百萬分率（ppm）。聚合起始劑及聚合抑制劑的比例是例外地基於聚合性化合物的重量來表示。

有時將「向列相的上限溫度」簡稱為「上限溫度」。有時將「向列相的下限溫度」簡稱為「下限溫度」。「比電阻大」是指組成物於初始階段中具有大的比電阻，而且於長時間使用後亦具有大的比電阻。「電壓保持率大」是指元件於初始階段中不僅在室溫下，而且在接近於上限溫度的溫度下亦具有大的電壓保持率，而且於長時間使用後，不僅在室溫下，而且在接近於上限溫度的溫度下亦具有大的電壓保持率。為了對組成物或元件的特性進行研究，有時進行經時變化試驗。關於「提高介電各向異性」的表述，當介電各向異性為正的組成物時，是指其值正向地增加，當介電各向異性為負的組成物時，是指其值負向地增加。

有時將式（1）所表示的化合物簡稱為「化合物（1）」。有時將選自式（1）所表示的化合物的群組中的至少一種化合物簡稱為「化合物（1）」。「化合物（1）」是指式（1）所表示的一種化合物、兩種化合物的混合物或三種以上化合物的混合物。對於其他式所表示的化合物而言亦相同。「至少一個‘A’」的表述是指‘A’的數量為任意。「至少一個‘A’可經‘B’取代」的表述是指當‘A’的數量為一個時，‘A’的位置為任意，當‘A’的數量為兩個以上時，該些的位置亦可無限制地選擇。該規則亦適用於「至少一個‘A’經‘B’取代」的表述。

於該說明書中使用「至少一個-CH₂ -可經-O-取代」之類的表述。該情況下，-CH₂ -CH₂ -CH₂ -可藉由不鄰接的-CH₂ -經-O-取代而轉換為-O-CH₂ -O-。然而，鄰接的-CH₂ -不會經-O-取代。這是因為於該取代中生成-O-O-CH₂ -（過氧化物）。即，該表述是指「一個-CH₂ -可經-O-取代」與「至少兩個不鄰接的-CH₂ -可經-O-取代」兩者。該規則不僅適用於向-O-的取代，亦適用於向-CH=CH-或-COO-之類的二價基的取代。

成分化合物的化學式中，將末端基R¹ 的記號用於多種化合物。該些化合物中，任意的兩個R¹ 所表示的兩個基可相同，或亦可不同。例如，有化合物（2-1）的R¹ 為乙基，且化合物（2-2）的R¹ 為乙基的情況。亦有化合物（2-1）的R¹ 為乙基，且化合物（2-2）的R¹ 為丙基的情況。該規則亦適用於其他末端基等的記號。式（2）中，當e為2時，存在兩個環D。該化合物中，兩個環D所表示的兩個環可相同，或亦可不同。當e大於2時，該規則亦適用於任意的兩個環D。該規則亦適用於Z¹ 、環F等記號。該規則亦適用於化合物（1-4）中的兩個-Sp² -P⁵ 之類的情況。

由六角形包圍的A、B、C、D等記號分別與環A、環B、環C、環D等環相對應，且表示六員環、縮合環等環。橫切該六角形的一邊的斜線表示環上的任意的氫可經-Sp¹ -P¹ 等基取代。‘c’等下標表示取代的基的數量。當下標‘c’為0（零）時，無此種取代。當下標‘a’為2以上時，於環A上存在多個-Sp¹ -P¹ 。-Sp¹ -P¹ 所表示的多個基可相同，或亦可不同。「環A及環C獨立地為X、Y或Z」的表述中，由於主語為多個，故使用「獨立地」。當主語為「環A」時，由於主語為單數，故不使用「獨立地」。

液晶性化合物的烷基為直鏈狀或分支狀，且不包含環狀烷基。直鏈狀烷基優於分支狀烷基。該些情況對於烷氧基、烯基等末端基而言亦相同。為了提高上限溫度，對於與1,4-伸環己基相關的立體構型而言，反式構型優於順式構型。2-氟-1,4-伸苯基是指下述兩種二價基。化學式中，氟可為朝左（L），亦可為朝右（R）。該規則亦適用於四氫吡喃-2,5-二基之類的藉由自環去除兩個氫而生成的非對稱的二價基。該規則亦適用於羰基氧基（-COO-或-OCO-）之類的二價的鍵結基。 [化2]

本發明為下述項等。

項1. 一種製造方法，其為根據含有液晶組成物的液晶顯示元件來製造聚合物穩定配向型的液晶顯示元件的製造方法，所述液晶組成物含有聚合性化合物作為添加物且具有向列相及負介電各向異性，且所述添加物為選自式（1）所表示的聚合性化合物的組群中的至少一種化合物，將所述液晶組成物封入於具有配向膜及電極的兩個基板之間，一邊對所述基板之間施加特定的電壓，一邊對所述基板照射照度為3 mW/cm² 至200 mW/cm² 的範圍的第一紫外線14秒至580秒，繼而，不對所述基板之間施加電壓而對所述基板照射照度為3 mW/cm² 至100 mW/cm² 的範圍的第二紫外線10分鐘至60分鐘， [化3]

式（1）中，環A及環C獨立地為苯基、1-萘基或2-萘基，該些環中，至少一個氫可經氟、氯、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基取代；環B為1,4-伸苯基、萘-1,2-二基、萘-1,3-二基、萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、萘-1,6-二基、萘-1,7-二基、萘-1,8-二基、萘-2,3-二基、萘-2,6-二基或萘-2,7-二基，該些環中，至少一個氫可經氟、氯、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基取代；Z¹ 及Z² 獨立地為單鍵或碳數1至10的伸烷基，該伸烷基中，至少一個-CH₂ -可經-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，至少一個-CH₂ -CH₂ -可經-CH=CH-、-C(CH₃ )=CH-、-CH=C(CH₃ )-或-C(CH₃ )=C(CH₃ )-取代，該些基中，至少一個氫可經氟或氯取代；P¹ 、P² 及P³ 獨立地為聚合性基；Sp¹ 、Sp² 及Sp³ 獨立地為單鍵或碳數1至10的伸烷基，該伸烷基中，至少一個-CH₂ -可經-O-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，至少一個-CH₂ -CH₂ -可經-CH=CH-或-C≡C-取代，該些基中，至少一個氫可經氟或氯取代；a、b及c獨立地為0、1、2、3或4，而且a、b及c的和為1以上；d為1或2。

項2. 如項1所述的製造方法，其中如項1所述的紫外線照射中，一邊對所述基板之間施加特定的電壓，一邊對所述基板照射照度為70 mW/cm² 至110 mW/cm² 的範圍的第一紫外線19秒至120秒，繼而，不對所述基板之間施加電壓而對所述基板照射照度為3 mW/cm² 至30 mW/cm² 的範圍的第二紫外線10分鐘至30分鐘。

項3. 如項1或項2所述的製造方法，其中如項1所述的式（1）中，P¹ 、P² 及P³ 獨立地為選自式（P-1）至式（P-5）所表示的聚合性基的組群中的基， [化4]

式（P-1）至式（P-5）中，M¹ 、M² 及M³ 獨立地為氫、氟、碳數1至5的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至5的烷基。

項4. 如項1至項3中任一項所述的製造方法，其中含有選自式（1-1）至式（1-4）所表示的聚合性化合物的組群中的至少一種化合物作為添加物， [化5]

式（1-1）至式（1-4）中，P⁴ 、P⁵ 及P⁶ 獨立地為選自式（P-1）至式（P-3）所表示的聚合性基的組群中的基， [化6]

此處，M¹ 、M² 及M³ 獨立地為氫、氟、碳數1至5的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至5的烷基；Sp¹ 、Sp² 及Sp³ 獨立地為單鍵或碳數1至10的伸烷基，該伸烷基中，至少一個-CH₂ -可經-O-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，至少一個-CH₂ -CH₂ -可經-CH=CH-或-C≡C-取代，該些基中，至少一個氫可經氟或氯取代。

項5. 如項1至項4中任一項所述的製造方法，其中添加物的比例為0.03重量%至10重量%的範圍。

項6. 如項1至項5中任一項所述的製造方法，其中含有選自式（2）所表示的化合物的組群中的至少一種化合物作為第一成分， [化7]

式（2）中，R¹ 及R² 獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至12的烯基氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基；環D及環F獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、四氫吡喃-2,5-二基、1,4-伸苯基、至少一個氫經氟或氯取代的1,4-伸苯基、萘-2,6-二基、至少一個氫經氟或氯取代的萘-2,6-二基、色原烷-2,6-二基、或者至少一個氫經氟或氯取代的色原烷-2,6-二基；環E為2,3-二氟-1,4-伸苯基、2-氯-3-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-5-甲基-1,4-伸苯基、3,4,5-三氟萘-2,6-二基或7,8-二氟色原烷-2,6-二基；Z³ 及Z⁴ 獨立地為單鍵、伸乙基、羰基氧基或亞甲基氧基；e為1、2或3，f為0或1，而且e與f的和為3以下。

項7. 如項1至項6中任一項所述的製造方法，其中含有選自式（2-1）至式（2-19）所表示的化合物的組群中的至少一種化合物作為第一成分， [化8]

[化9]

式（2-1）至式（2-19）中，R¹ 及R² 獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至12的烯基氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基。

項8. 如項6或項7所述的製造方法，其中第一成分的比例為10重量%至80重量%的範圍。

項9. 如項1至項8中任一項所述的製造方法，其含有選自式（3）所表示的化合物的組群中的至少一種化合物作為第二成分， [化10]

式（3）中，R³ 及R⁴ 獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數2至12的烯基；環G及環I獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z⁵ 為單鍵、伸乙基或羰基氧基；g為1、2或3。

項10. 如項1至項9中任一項所述的製造方法，其含有選自式（3-1）至式（3-10）所表示的化合物的組群中的至少一種化合物作為第二成分， [化11]

式（3-1）至式（3-10）中，R³ 及R⁴ 獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數2至12的烯基。

項11. 如項9或項10所述的製造方法，其中第二成分的比例為15重量%至90重量%的範圍。

項12. 一種液晶組成物，其用於如項1至項11中任一項所述的製造方法中。

項13. 一種液晶顯示元件，其含有如項12所述的液晶組成物。

項14. 一種液晶顯示元件，其中如項13所述的液晶顯示元件中，添加物進行聚合。

項15. 如項13或項14所述的液晶顯示元件，其中液晶顯示元件的運作模式為IPS模式、VA模式、FFS模式或FPA模式，且液晶顯示元件的驅動方式為主動矩陣方式。

項16. 一種液晶組成物的用途，其是將如項12所述的液晶組成物用於液晶顯示元件中。

項17. 一種液晶組成物的用途，其是將如項12所述的液晶組成物用於聚合物穩定配向型的液晶顯示元件中。

本發明亦包括以下項。（a）所述液晶顯示元件的製造方法，其藉由將所述液晶組成物配置於兩個基板之間，在對該組成物施加電壓的狀態下照射光，使該組成物中所含的具有聚合性基的化合物進行聚合，來製造所述液晶顯示元件。（b）所述液晶組成物，其向列相的上限溫度為70℃以上，波長589 nm下的光學各向異性（於25℃下測定）為0.08以上，而且頻率1 kHz下的介電各向異性（於25℃下測定）為-2以下。

本發明亦包括以下項。（c）所述組成物，雖然日本專利特開2006-199941號公報中所記載的化合物（5）至化合物（7）是介電各向異性為正的液晶性化合物，但所述組成物含有選自該些化合物的組群中的至少一種化合物。（d）所述組成物，其含有至少兩種所述聚合性化合物。（e）所述組成物，其進而含有與所述聚合性化合物不同的聚合性化合物。（f）所述組成物，其含有光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合起始劑、聚合抑制劑、極性化合物之類的添加物的一種、兩種或至少三種。（g）一種AM元件，其含有所述組成物。（h）一種元件，其含有所述組成物，而且具有TN、ECB、OCB、IPS、FFS、VA或FPA的模式。（i）一種透過型元件，其含有所述組成物。（j）將所述組成物作為具有向列相的組成物的用途。（k）將藉由在所述組成物中添加光學活性化合物而製備的組成物作為光學活性組成物的用途。

以如下順序對本發明的組成物進行說明。第一，對組成物的構成進行說明。第二，對成分化合物的主要特性及該化合物給組成物或元件帶來的主要效果進行說明。第三，對組成物中的成分的組合、成分的較佳的比例及其根據進行說明。第四，對成分化合物的較佳的形態進行說明。第五，示出較佳的成分化合物。第六，對可添加於組成物中的添加物進行說明。第七，對成分化合物的合成方法進行說明。第八，對組成物的用途進行說明。最後，對製造元件的方法進行說明。

第一，對組成物的構成進行說明。該組成物含有多種液晶性化合物。該組成物亦可含有添加物。添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合起始劑、聚合抑制劑、極性化合物等。就液晶性化合物的觀點而言，該組成物被分類為組成物A與組成物B。組成物A除了含有選自化合物（2）及化合物（3）中的液晶性化合物以外，亦可進而含有其他液晶性化合物、添加物等。「其他液晶性化合物」是與化合物（2）及化合物（3）不同的液晶性化合物。此種化合物是出於進一步調整特性的目的而混合於組成物中。

組成物B實質上僅包含選自化合物（2）及化合物（3）中的液晶性化合物。「實質上」是指組成物B雖可含有添加物，但不含其他液晶性化合物。與組成物A相比較，組成物B的成分的數量少。就降低成本的觀點而言，組成物B優於組成物A。就可藉由混合其他液晶性化合物來進一步調整特性的觀點而言，組成物A優於組成物B。

第二，對成分化合物的主要特性及該化合物給組成物或元件帶來的主要效果進行說明。基於本發明的效果，將成分化合物的主要特性歸納於表2中。表2的記號中，L是指大或高，M是指中等程度的，S是指小或低。記號L、M、S是基於成分化合物之間的定性比較的分類。記號0是指值接近於零。

[表2]

成分化合物的主要效果如下所述。化合物（1）藉由聚合而形成聚合物。該聚合物使液晶分子的配向穩定化，因此縮短元件的響應時間，而且改善圖像的殘像。化合物（2）提高介電各向異性的絕對值，而且降低下限溫度。化合物（3）提高上限溫度或降低黏度。

第三，對組成物中的成分的組合、成分的較佳的比例及其根據進行說明。組成物中的成分的較佳的組合為化合物（1）+化合物（2）、或化合物（1）+化合物（2）+化合物（3）。尤佳的組合為化合物（1）+化合物（2）+化合物（3）。

化合物（1）是出於適合於聚合物穩定配向型的元件的目的而添加至組成物中。化合物（1）容易進行聚合。化合物（1）的反應性高。化合物（1）及其聚合物有助於液晶分子的配向。為了使液晶分子進行配向，化合物（1）的較佳的比例為約0.03重量%以上，為了防止元件的顯示不良，化合物（1）的較佳的比例為約10重量%以下。尤佳的比例為約0.1重量%至約2重量%的範圍。特佳的比例為約0.2重量%至約1.0重量%的範圍。

為了提高介電各向異性，化合物（2）的較佳的比例為約10重量%以上，為了降低下限溫度，化合物（2）的較佳的比例為約80重量%以下。尤佳的比例為約25重量%至約70重量%的範圍。特佳的比例為約30重量%至約65重量%的範圍。

為了提高上限溫度或為了降低黏度，化合物（3）的較佳的比例為約15重量%以上，為了提高介電各向異性，化合物（3）的較佳的比例為約90重量%以下。尤佳的比例為約25重量%至約70重量%的範圍。特佳的比例為約30重量%至約60重量%的範圍。

第四，對成分化合物的較佳的形態進行說明。式（1）中，環A及環C獨立地為苯基、1-萘基或2-萘基，該些環中，至少一個氫可經氟、氯、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基取代。較佳的環A或環C為苯基。環B為1,4-伸苯基、萘-1,2-二基、萘-1,3-二基、萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、萘-1,6-二基、萘-1,7-二基、萘-1,8-二基、萘-2,3-二基、萘-2,6-二基或萘-2,7-二基，該些環中，至少一個氫可經氟、氯、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基取代。較佳的環B為1,4-伸苯基或2-氟-1,4-伸苯基。

Z¹ 及Z² 獨立地為單鍵或碳數1至10的伸烷基，該伸烷基中，至少一個-CH₂ -可經-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，至少一個-CH₂ -CH₂ -可經-CH=CH-、-C(CH₃ )=CH-、-CH=C(CH₃ )-或-C(CH₃ )=C(CH₃ )-取代，該些基中，至少一個氫可經氟或氯取代。較佳的Z¹ 或Z² 為單鍵、-CH₂ -CH₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-或-OCO-。尤佳的Z¹ 或Z² 為單鍵。

P¹ 、P² 及P³ 獨立地為聚合性基。較佳的P¹ 、P² 或P³ 為選自式（P-1）至式（P-5）所表示的聚合性基的組群中的基。尤佳的P¹ 、P² 或P³ 為式（P-1）、式（P-2）或式（P-3）所表示的基。特佳的P¹ 、P² 或P³ 為式（P-1）或式（P-2）所表示的基。最佳的P¹ 、P² 或P³ 為式（P-1）所表示的基。式（P-1）所表示的較佳的基為-OCO-CH=CH₂ 或-OCO-C(CH₃ )=CH₂ 。式（P-1）至式（P-5）的波形線表示鍵結的部位。 [化12]

式（P-1）至式（P-5）中，M¹ 、M² 及M³ 獨立地為氫、氟、碳數1至5的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至5的烷基。為了提高反應性，較佳的M¹ 、M² 或M³ 為氫或甲基。尤佳的M¹ 為氫或甲基。尤佳的M² 或M³ 為氫。

Sp¹ 、Sp² 及Sp³ 獨立地為單鍵或碳數1至10的伸烷基，該伸烷基中，至少一個-CH₂ -可經-O-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，至少一個-CH₂ -CH₂ -可經-CH=CH-或-C≡C-取代，該些基中，至少一個氫可經氟或氯取代。較佳的Sp¹ 、Sp² 或Sp³ 為單鍵、-CH₂ -CH₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-CO-CH=CH-或-CH=CH-CO-。尤佳的Sp¹ 、Sp² 或Sp³ 為單鍵。

a、b及c獨立地為0、1、2、3或4，而且a、b及c的和為1以上。較佳的和為2、3或4。尤佳的和為3或4。較佳的d為1。

式（2）及式（3）中，R¹ 及R² 獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至12的烯基氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基。為了提高穩定性，較佳的R¹ 或R² 為碳數1至12的烷基，為了提高介電各向異性，較佳的R¹ 或R² 為碳數1至12的烷氧基。R³ 及R⁴ 獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數2至12的烯基。為了降低黏度，較佳的R³ 或R⁴ 為碳數2至12的烯基，為了提高穩定性，較佳的R³ 或R⁴ 為碳數1至12的烷基。

較佳的烷基為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基或辛基。為了降低黏度，尤佳的烷基為甲基、乙基、丙基、丁基或戊基。

較佳的烷氧基為甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基或庚氧基。為了降低黏度，尤佳的烷氧基為甲氧基或乙氧基。

較佳的烯基為乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基或5-己烯基。為了降低黏度，尤佳的烯基為乙烯基、1-丙烯基、3-丁烯基或3-戊烯基。該些烯基中的-CH=CH-的較佳的立體構型依存於雙鍵的位置。出於為了降低黏度等原因，於1-丙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1-己烯基、3-戊烯基、3-己烯基之類的烯基中較佳為反式構型。於2-丁烯基、2-戊烯基、2-己烯基之類的烯基中較佳為順式構型。

較佳的烯基氧基為乙烯基氧基、烯丙基氧基、3-丁烯基氧基、3-戊烯基氧基或4-戊烯基氧基。為了降低黏度，尤佳的烯基氧基為烯丙基氧基或3-丁烯基氧基。

至少一個氫經氟或氯取代的烷基的較佳的例子為氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基、7-氟庚基或8-氟辛基。為了提高介電各向異性，尤佳的例子為2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基或5-氟戊基。

至少一個氫經氟或氯取代的烯基的較佳的例子為2,2-二氟乙烯基、3,3-二氟-2-丙烯基、4,4-二氟-3-丁烯基、5,5-二氟-4-戊烯基或6,6-二氟-5-己烯基。為了降低黏度，尤佳的例子為2,2-二氟乙烯基或4,4-二氟-3-丁烯基。

環D及環F獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、四氫吡喃-2,5-二基、1,4-伸苯基、至少一個氫經氟或氯取代的1,4-伸苯基、萘-2,6-二基、至少一個氫經氟或氯取代的萘-2,6-二基、色原烷-2,6-二基、或者至少一個氫經氟或氯取代的色原烷-2,6-二基。為了降低黏度或為了提高上限溫度，較佳的環D或環F為1,4-伸環己基，為了降低下限溫度，較佳的環D或環F為1,4-伸苯基。環E為2,3-二氟-1,4-伸苯基、2-氯-3-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-5-甲基-1,4-伸苯基、3,4,5-三氟萘-2,6-二基或7,8-二氟色原烷-2,6-二基。為了降低黏度，較佳的環E為2,3-二氟-1,4-伸苯基，為了提高介電各向異性，較佳的環E為7,8-二氟色原烷-2,6-二基。為了提高上限溫度，對於與1,4-伸環己基相關的立體構型而言，反式構型優於順式構型。四氫吡喃-2,5-二基為 [化13]

或 [化14]

，較佳為 [化15]

。

環G及環I獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或2,5-二氟-1,4-伸苯基。為了降低黏度或為了提高上限溫度，較佳的環G或環I為1,4-伸環己基，為了提高光學各向異性，較佳的環G或環I為1,4-伸苯基。

Z³ 及Z⁴ 獨立地為單鍵、伸乙基、羰基氧基或亞甲基氧基。為了降低黏度，較佳的Z³ 或Z⁴ 為單鍵，為了降低下限溫度，較佳的Z³ 或Z⁴ 為伸乙基，為了提高介電各向異性，較佳的Z³ 或Z⁴ 為亞甲基氧基。Z⁵ 為單鍵、伸乙基或羰基氧基。為了提高穩定性，較佳的Z⁵ 為單鍵。

e為1、2或3，f為0或1，而且e與f的和為3以下。為了降低黏度，較佳的e為1，為了提高上限溫度，較佳的e為2或3。為了降低黏度，較佳的f為0，為了降低下限溫度，較佳的f為1。g為1、2或3。為了降低黏度，較佳的g為1，為了提高上限溫度，較佳的g為2或3。

第五，示出較佳的成分化合物。較佳的化合物（1）為化合物（1-1）至化合物（1-4）。該些化合物中，較佳為添加物的至少一種為化合物（1-1）或化合物（1-2）。較佳為添加物的至少兩種為化合物（1-1）及化合物（1-2）的組合。

較佳的化合物（2）為化合物（2-1）至化合物（2-19）。該些化合物中，較佳為第一成分的至少一種為化合物（2-1）、化合物（2-2）、化合物（2-3）、化合物（2-4）、化合物（2-6）、化合物（2-7）、化合物（2-8）或化合物（2-9）。較佳為第一成分的至少兩種為化合物（2-1）及化合物（2-6）、化合物（2-1）及化合物（2-9）、化合物（2-3）及化合物（2-6）、化合物（2-3）及化合物（2-9）、化合物（2-4）及化合物（2-6）或化合物（2-4）及化合物（2-9）的組合。

較佳的化合物（3）為化合物（3-1）至化合物（3-10）。該些化合物中，較佳為第二成分的至少一種為化合物（3-1）、化合物（3-3）、化合物（3-5）或化合物（3-6）。較佳為第二成分的至少兩種為化合物（3-1）及化合物（3-3）、化合物（3-1）及化合物（3-5）的組合。

第六，對可添加於組成物中的添加物進行說明。此種添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合起始劑、聚合抑制劑、極性化合物等。出於引起液晶分子的螺旋結構來賦予扭轉角（torsion angle）的目的，而將光學活性化合物添加於組成物中。此種化合物的例子為化合物（4-1）至化合物（4-5）。光學活性化合物的較佳的比例為約5重量%以下。尤佳的比例為約0.01重量%至約2重量%的範圍。

[化16]

為了防止由大氣中的加熱所引起的比電阻下降或為了於長時間使用元件後，不僅在室溫下，而且在接近於上限溫度的溫度下亦維持大的電壓保持率，而將抗氧化劑添加於組成物中。抗氧化劑的較佳的例子為n為1至9的整數的化合物（5）等。 [化17]

化合物（5）中，較佳的n為1、3、5、7或9。尤佳的n為7。n為7的化合物（5）由於揮發性小，故對於在長時間使用元件後，不僅在室溫下，而且在接近於上限溫度的溫度下亦維持大的電壓保持率而言有效。為了獲得所述效果，抗氧化劑的較佳的比例為約50 ppm以上，為了不降低上限溫度或為了不提高下限溫度，抗氧化劑的較佳的比例為約600 ppm以下。尤佳的比例為約100 ppm至約300 ppm的範圍。

紫外線吸收劑的較佳的例子為二苯甲酮衍生物、苯甲酸酯衍生物、三唑衍生物等。另外，具有立體阻礙的胺之類的光穩定劑亦較佳。為了獲得所述效果，該些吸收劑或穩定劑的較佳的比例為約50 ppm以上，為了不降低上限溫度或為了不提高下限溫度，該些吸收劑或穩定劑的較佳的比例為約10000 ppm以下。尤佳的比例為約100 ppm至約10000 ppm的範圍。

為了適合於賓主（guest host，GH）模式的元件，而將偶氮系色素、蒽醌系色素等之類的二色性色素（dichroic dye）添加於組成物中。色素的較佳的比例為約0.01重量%至約10重量%的範圍。為了防止起泡，而將二甲基矽酮油、甲基苯基矽酮油等消泡劑添加於組成物中。為了獲得所述效果，消泡劑的較佳的比例為約1 ppm以上，為了防止顯示不良，消泡劑的較佳的比例為約1000 ppm以下。尤佳的比例為約1 ppm至約500 ppm的範圍。

為了適合於聚合物穩定配向（PSA）型的元件，而將聚合性化合物添加於組成物中。化合物（1）適合於該目的。可將與化合物（1）不同的聚合性化合物和化合物（1）一起添加於組成物中。此種聚合性化合物的較佳的例子為丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基化合物、乙烯基氧基化合物、丙烯基醚、環氧化合物（氧雜環丙烷、氧雜環丁烷）、乙烯基酮等化合物。尤佳的例子為丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的衍生物。亦可將少量的較佳的聚合性化合物與化合物（1）一起添加於組成物中。添加於組成物中的聚合性化合物的較佳的比例為約0.03重量%至約10重量%的範圍。

此種聚合性化合物藉由紫外線照射而聚合。亦可於光聚合起始劑等適當的起始劑存在下進行聚合。用以進行聚合的適當條件、起始劑的適當類型及適當的量已為本領域技術人員所知，且記載於文獻中。例如作為光聚合起始劑的豔佳固（Irgacure）651（註冊商標；巴斯夫（BASF））、豔佳固（Irgacure）184（註冊商標；巴斯夫（BASF））或德牢固（Darocur）1173（註冊商標；巴斯夫（BASF））適合於自由基聚合。基於聚合性化合物的重量，光聚合起始劑的較佳的比例為約0.1重量%至約5重量%的範圍。尤佳的比例為約1重量%至約3重量%的範圍。

保管此種聚合性化合物時，為了防止聚合，亦可添加聚合抑制劑。聚合性化合物通常是以未去除聚合抑制劑的狀態添加於組成物中。聚合抑制劑的例子為對苯二酚、甲基對苯二酚之類的對苯二酚衍生物、4-第三丁基鄰苯二酚、4-甲氧基苯酚、啡噻嗪等。

極性化合物為具有極性的有機化合物。此處，不含具有離子鍵的化合物。氧、硫及氮之類的原子的電性偏陰性且存在具有部分負電荷的傾向。碳及氫為中性或存在具有部分正電荷的傾向。極性是因部分電荷於化合物中的不同種的原子間不均等地分佈而產生。例如，極性化合物具有-OH、-COOH、-SH、-NH₂ 、＞NH、＞N-之類的部分結構的至少一種。

第七，對成分化合物的合成方法進行說明。該些化合物可利用已知的方法來合成。例示合成方法。化合物（1-1）是利用WO2013-161576公報中所記載的方法來合成。化合物（2-6）是利用日本專利特開2000-53602號公報中所記載的方法來合成。化合物（3-1）是利用日本專利特開昭59-176221號公報中所記載的方法來合成。一部分化合物（5）為市售品。式（5）的n為1的化合物可自西格瑪奧德里奇公司（Sigma-Aldrich Corporation）獲取。n為7的化合物（5）等是利用美國專利3660505號說明書中所記載的方法來合成。

未記載合成方法的化合物可利用以下成書中所記載的方法來合成：「有機合成（Organic Syntheses）」（約翰威立父子出版公司（John Wiley & Sons, Inc.））、「有機反應（Organic Reactions）」（約翰威立父子出版公司（John Wiley & Sons, Inc.））、「綜合有機合成（Comprehensive Organic Synthesis）」（培格曼出版公司（Pergamon Press））、「新實驗化學講座」（丸善）等。組成物是利用公知的方法，由以所述方式獲得的化合物來製備。例如，將成分化合物混合，然後藉由加熱而使其相互溶解。

第八，對組成物的用途進行說明。大部分的組成物具有約-10℃以下的下限溫度、約70℃以上的上限溫度及約0.07至約0.20的範圍的光學各向異性。亦可藉由控制成分化合物的比例或藉由混合其他液晶性化合物，來製備具有約0.08至約0.25的範圍的光學各向異性的組成物。進而，亦可藉由試錯法來製備具有約0.10至約0.30的範圍的光學各向異性的組成物。含有該組成物的元件具有大的電壓保持率。該組成物適合於AM元件。該組成物尤其適合於透過型的AM元件。該組成物可用作具有向列相的組成物，且可藉由添加光學活性化合物而用作光學活性組成物。

該組成物可用於AM元件。進而亦可用於PM元件。該組成物可用於具有PC、TN、STN、ECB、OCB、IPS、FFS、VA、FPA等模式的AM元件及PM元件。特佳為用於具有TN、OCB、IPS模式或FFS模式的AM元件。於具有IPS模式或FFS模式的AM元件中，當未施加電壓時，液晶分子的配向可為與玻璃基板平行，或亦可為垂直。該些元件可為反射型、透過型或半透過型。較佳為用於透過型元件。亦可用於非晶矽-TFT元件或多晶矽-TFT元件。亦可用於將該組成物進行微膠囊化而製作的向列曲線排列相（nematic curvilinear aligned phase，NCAP）型元件或使組成物中形成有三維網狀高分子的聚合物分散（polymer dispersed，PD）型元件。

最後，對製造元件的方法進行說明。製造聚合物穩定配向型的液晶顯示元件（簡稱為PSA元件）的方法的一例如下所述。組裝具有兩個基板的元件，所述兩個基板被稱為陣列基板與彩色濾光片基板。該基板的至少一個具有配向膜及電極。將液晶性化合物混合來製備液晶組成物。於該組成物中添加聚合性化合物。視需要亦可進而添加添加物。將該組成物注入至元件中。在對該元件施加電壓的狀態下進行光照射。較佳為紫外線。藉由光照射而使聚合性化合物進行聚合。藉由該聚合而生成含有聚合物的組成物。PSA元件是以此種程序來製造。

該程序中，當施加電壓時，液晶分子藉由配向膜及電場的作用而進行配向。依據該配向，聚合性化合物的分子亦進行配向。由於在該狀態下聚合性化合物藉由紫外線來進行聚合，故生成維持該配向的聚合物。藉由該聚合物的效果，元件的響應時間縮短。由於圖像的殘像為液晶分子的運作不良，故藉由該聚合物的效果，殘像亦同時得到改善。此外，亦可使組成物中的聚合性化合物預先進行聚合，將該組成物配置於液晶顯示元件的基板之間。

利用圖對本發明的較佳的態樣進行說明。圖1表示液晶顯示元件的一例。該元件具有透明基板（上側基板1、下側基板2）、電極（上側電極3、電極4）及垂直配向膜（上側配向膜5、下側配向膜6）。將具有負介電各向異性且含有聚合性化合物的液晶組成物配置於基板之間。液晶分子7可藉由垂直配向膜的作用而實質進行垂直配向。

對基板以至少兩階段照射紫外線。第一階段中，一邊對基板間施加特定的電壓一邊進行照射。較佳的照度為約3 mW/cm² 至約200 mW/cm² 的範圍，較佳的照射時間為約14秒至約580秒的範圍。有時將該紫外線稱為「第一紫外線」。藉由該紫外線而大部分的聚合性化合物進行聚合。第一紫外線中，尤佳的照度為約70 mW/cm² 至約110 mW/cm² 的範圍，尤佳的照射時間為約19秒至約120秒的範圍。特佳的照度為約80 mW/cm² 至約100 mW/cm² 的範圍，特佳的照射時間為約20秒至約112秒的範圍。

第二階段中，不對基板間施加電壓而照射紫外線。較佳的照度為約3 mW/cm² 至約100 mW/cm² 的範圍，較佳的照射時間為約10分鐘至約60分鐘的範圍。有時將該紫外線稱為「第二紫外線」。藉由該紫外線而剩餘部分的聚合性化合物轉換為聚合物。第二紫外線中，尤佳的照度為約3 mW/cm² 至約30 mW/cm² 的範圍，尤佳的照射時間為約10分鐘至約30分鐘的範圍。特佳的照度為約3 mW/cm² 至約6 mW/cm² 的範圍，特佳的照射時間為約11分鐘至約15分鐘的範圍。 [實施例]

藉由實施例來對本發明進一步進行詳細說明。本發明不受該些實施例的限制。本發明包含實施例1的組成物與實施例2的組成物的混合物。本發明亦包含將實施例的組成物的至少兩種混合而成的混合物。所合成的化合物是利用核磁共振（nuclear magnetic resonance，NMR）分析等方法來鑑定。化合物及組成物的特性是利用下述記載的方法來測定。

NMR分析：測定時使用布魯克拜厄斯賓（Bruker BioSpin）公司製造的DRX-500。¹ H-NMR的測定中，使試樣溶解於CDCl₃ 等氘化溶劑中，於室溫下以500 MHz、累計次數16次的條件進行測定。使用四甲基矽烷作為內部標準。¹⁹ F-NMR的測定中，使用CFCl₃ 作為內部標準，以累計次數24次來進行。核磁共振光譜的說明中，s是指單峰（singlet），d是指雙重峰（doublet），t是指三重峰（triplet），q是指四重峰（quartet），quin是指五重峰（quintet），sex是指六重峰（sextet），m是指多重峰（multiplet），br是指寬峰（broad）。

氣相層析分析：測定時使用島津製作所製造的GC-14B型氣相層析儀。載體氣體為氦氣（2 mL/min）。將試樣氣化室設定為280℃，將檢測器（火焰離子化檢測器（flame ionization detector，FID））設定為300℃。進行成分化合物的分離時，使用安捷倫科技有限公司（Agilent Technologies Inc.）製造的毛細管柱DB-1（長度30 m、內徑0.32 mm、膜厚0.25 μm；固定液相為二甲基聚矽氧烷；無極性）。該管柱於200℃下保持2分鐘後，以5℃/min的比例升溫至280℃。將試樣製備成丙酮溶液（0.1重量%）後，將其1 μL注入至試樣氣化室中。記錄計為島津製作所製造的C-R5A型層析儀組件（Chromatopac）或其同等品。所獲得的氣相層析圖顯示出與成分化合物相對應的峰值的保持時間及峰值的面積。

用以稀釋試樣的溶劑可使用氯仿、己烷等。為了將成分化合物分離，可使用如下的毛細管柱。安捷倫科技有限公司（Agilent Technologies Inc.）製造的HP-1（長度30 m、內徑0.32 mm、膜厚0.25 μm）、瑞斯泰克公司（Restek Corporation）製造的Rtx-1（長度30 m、內徑0.32 mm、膜厚0.25 μm）、澳大利亞SGE國際公司（SGE International Pty. Ltd）製造的BP-1（長度30 m、內徑0.32 mm、膜厚0.25 μm）。出於防止化合物峰值的重疊的目的，可使用島津製作所製造的毛細管柱CBP1-M50-025（長度50 m、內徑0.25 mm、膜厚0.25 μm）。

組成物中所含有的液晶性化合物的比例可利用如下所述的方法來算出。利用氣相層析儀（FID）來對液晶性化合物的混合物進行檢測。氣相層析圖中的峰值的面積比相當於液晶性化合物的比例（重量比）。使用上文記載的毛細管柱時，可將各種液晶性化合物的修正係數視為1。因此，液晶性化合物的比例（重量%）可根據峰值的面積比來算出。

測定試樣：測定組成物及元件的特性時，將組成物直接用作試樣。測定化合物的特性時，藉由將該化合物（15重量%）混合於母液晶（85重量%）中來製備測定用試樣。根據藉由測定而獲得的值，利用外推法來算出化合物的特性值。（外推值）=｛（試樣的測定值）-0.85×（母液晶的測定值）｝/0.15。當於該比例下，層列相（或結晶）於25℃下析出時，將化合物與母液晶的比例以10重量%：90重量%、5重量%：95重量%、1重量%：99重量%的順序變更。利用該外推法來求出與化合物相關的上限溫度、光學各向異性、黏度及介電各向異性的值。

使用下述母液晶。成分化合物的比例是以重量%表示。 [化18]

測定方法：利用下述方法來進行特性的測定。該些方法大多是社團法人電子資訊技術產業協會（Japan Electronics and Information Technology Industries Association；簡稱為JEITA）所審議製定的JEITA標準（JEITA·ED-2521B）中所記載的方法或將其修飾而成的方法。用於測定的TN元件上未安裝薄膜電晶體（TFT）。

（1）向列相的上限溫度（NI；℃）：於具備偏光顯微鏡的熔點測定裝置的加熱板上放置試樣，以1℃/min的速度進行加熱。測定試樣的一部分自向列相變化為各向同性液體時的溫度。有時將向列相的上限溫度簡稱為「上限溫度」。

（2）向列相的下限溫度（T_C ；℃）：將具有向列相的試樣放入玻璃瓶中，於0℃、-10℃、-20℃、-30℃及-40℃的冷凍器中保管10天後，觀察液晶相。例如，當試樣於-20℃下保持向列相的狀態，而於-30℃下變化為結晶或層列相時，將TC記載為「＜-20℃」。有時將向列相的下限溫度簡稱為「下限溫度」。

（3）黏度（體積黏度；η；於20℃下測定；mPa·s）：測定時使用東京計器股份有限公司製造的E型旋轉黏度計。

（4）黏度（旋轉黏度；γ1；於25℃下測定；mPa·s）：依據M.今井（M. Imai）等人的「分子晶體與液晶（Molecular Crystals and Liquid Crystals）」第259期第37頁（1995）中所記載的方法來進行測定。於兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為20 μm的VA元件中注入試樣。對該元件於39伏特至50伏特的範圍內，以1伏特為單位來階段性地施加電壓。不施加電壓0.2秒後，以僅施加一個矩形波（矩形脈衝；0.2秒）與不施加電壓（2秒）的條件反覆施加。測定藉由該施加而產生的暫態電流（transient current）的峰值電流（peak current）與峰值時間（peak time）。根據該些測定值與M.今井等人的論文第40頁的計算式（8）來獲得旋轉黏度的值。該計算所需要的介電各向異性是以「（6）介電各向異性」來測定。

（5）光學各向異性（折射率各向異性；Δn；於25℃下測定）：使用波長為589 nm的光，利用在接目鏡上安裝有偏光板的阿貝折射計來進行測定。將主稜鏡的表面向一個方向摩擦後，將試樣滴加於主稜鏡上。折射率（n∥）是在偏光的方向與摩擦的方向平行時進行測定。折射率（n⊥）是在偏光的方向與摩擦的方向垂直時進行測定。光學各向異性的值是根據Δn=n∥-n⊥的式子來計算。

（6）介電各向異性（Δε；於25℃下測定）：介電各向異性的值是根據Δε=ε∥-ε⊥的式子來計算。介電常數（ε∥及ε⊥）是以如下方式測定。 1）介電常數（ε∥）的測定：於經充分洗滌的玻璃基板上塗佈十八烷基三乙氧基矽烷（0.16 mL）的乙醇（20 mL）溶液。利用旋轉器使玻璃基板旋轉後，於150℃下加熱1小時。於兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為4 μm的VA元件中放入試樣，利用以紫外線而硬化的黏接劑將該元件密封。對該元件施加正弦波（0.5 V、1 kHz），2秒後測定液晶分子的長軸方向上的介電常數（ε∥）。

2）介電常數（ε⊥）的測定：於經充分洗滌的玻璃基板上塗佈聚醯亞胺溶液。將該玻璃基板進行煅燒後，對所獲得的配向膜進行摩擦處理。於兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為9 μm且扭轉角為80度的TN元件中注入試樣。對該元件施加正弦波（0.5 V、1 kHz），2秒後測定液晶分子的短軸方向上的介電常數（ε⊥）。

（7）臨限電壓（Vth；於25℃下測定；V）：測定時使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為鹵素燈。於兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為4 μm且摩擦方向為反平行的正常顯黑模式（normally black mode）的VA元件中放入試樣，使用以紫外線而硬化的黏接劑將該元件密封。對該元件施加的電壓（60 Hz、矩形波）是以0.02 V為單位，自0 V階段性地增加至20 V。此時，自垂直方向對元件照射光，測定透過元件的光量。製成當該光量達到最大時透過率為100%，且當該光量為最小時透過率為0%的電壓-透過率曲線。臨限電壓是由透過率達到10%時的電壓表示。

（8）電壓保持率（VHR；於60℃下測定；%）：將含有聚合性化合物的組成物封入於兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為3.2 μm的PSA元件中。對該元件一邊施加15 V的電壓一邊照射主波長為365 nm的紫外線（90 mW/cm² ）111秒。繼而，直至98.5重量%的聚合性化合物被消耗為止，不施加電壓而照射主波長為335 nm的紫外線（3 mW/cm² ）。紫外線的照射中，使用艾古非（EYE GRAPHICS）股份有限公司製造的金屬鹵化物燈。對該元件施加脈衝電壓（1 V且0.7微秒）來進行充電。利用高速電壓計在1667毫秒之間測定所衰減的電壓，求出單位週期中的電壓曲線與橫軸之間的面積A。將未衰減時的面積設為面積B，電壓保持率是由面積A相對於面積B的百分率表示。

（9）響應時間（τ；於25℃下測定；ms）：測定時使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為鹵素燈。低通濾波器（Low-pass filter）設定為5 kHz。

1）不含聚合性化合物的組成物：於兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為4 μm且摩擦方向為反平行的正常顯黑模式（normally black mode）的VA元件中注入試樣。使用以紫外線而硬化的黏接劑將該元件密封。對該元件施加矩形波（60 Hz、10 V、0.5秒）。此時，自垂直方向對元件照射光，測定透過元件的光量。當該光量達到最大時視作透過率為100%，當該光量為最小時視作透過率為0%。響應時間是由透過率自90%變化為10%所需要的時間（下降時間；fall time；毫秒）表示。

（2）含有聚合性化合物的組成物：於兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為3.2 μm且摩擦方向為反平行的正常顯黑模式（normally black mode）的PSA元件中注入試樣。使用以紫外線而硬化的黏接劑將該元件密封。對該元件一邊施加15 V的電壓一邊照射主波長為365 nm的紫外線（90 mW/cm² ）111秒。繼而，直至98.5重量%的聚合性化合物被消耗為止，不施加電壓而照射主波長為335 nm的紫外線（3 mW/cm² ）。紫外線的照射中，使用艾古非（EYE GRAPHICS）股份有限公司製造的紫外線照射裝置US4-X0801D-CH型（金屬鹵化物燈M08-L41C）。對該元件施加矩形波（60 Hz、10 V、0.5秒）。此時，自垂直方向對元件照射光，測定透過元件的光量。當該光量達到最大時視作透過率為100%，當該光量為最小時視作透過率為0%。響應時間是由透過率自0%變化為90%所需要的時間（上升時間；rise time；毫秒）表示。

（10）比電阻（ρ；於25℃下測定；Ωcm）：於具備電極的容器中注入試樣1.0 mL。對該容器施加直流電壓（10 V），測定10秒後的直流電流。比電阻是根據下式來算出。（比電阻）=｛（電壓）×（容器的電容）｝/｛（直流電流）×（真空的介電常數）｝。

（11）照度（mW/cm² ）：測定第一紫外線的照度時，使用牛尾（USHIO）電機股份有限公司的具備感測器UVD-S365的紫外線照度計UIT-250型。測定第二紫外線的照度時，使用牛尾（USHIO）電機股份有限公司的具備感測器UVD-S313的紫外線照度計UIT-250型。

（12）預傾角（度）：測定預傾角時，使用新泰克（Shintech）股份有限公司製造的奧普奇普羅（Opti-Pro）。

以下示出組成物的實施例。成分化合物基於下述表3的定義而以記號表示。表3中，與1,4-伸環己基相關的立體構型為反式構型。位於經記號化的化合物後的括弧內的編號表示化合物所屬的化學式。（-）的記號是指其他液晶性化合物。液晶性化合物的比例（百分率）是基於不含添加物的液晶組成物的重量的重量百分率（重量%）。

[表3]

[實施例1] 3-H1OB(2F,3F)-O2 （2-3） 11.5% 3-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 11% V-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 12% 2-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 2.5% 3-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 10% V-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 8% 2-HH-3 （3-1） 21% 3-HH-4 （3-1） 7% 1-BB-3 （3-3） 15% 3-HHB-1 （3-5） 2% 於該組成物中，以0.3重量%的比例添加化合物（1-1-1）。 [化19]

該組成物的特性如下所述。NI=75.5℃；Tc＜-20℃；η=17.4 mPa·s；Δn=0.107；Δε=-3.0。

將該組成物封入於兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為3.5 μm的PSA元件中。對該元件一邊施加15 V的電壓一邊照射主波長為365 nm的第一紫外線（90 mW/cm² ）111秒。繼而，不對該元件施加電壓而照射主波長為335 nm的第二紫外線（3 mW/cm² ）30分鐘。基於所添加的聚合性化合物，未反應的聚合性化合物的比例成為1.5重量%以下。以所述方式製造PSA元件，並測定電壓保持率。VHR=94.4%。

[比較例1] 將實施例1的組成物封入於PSA元件中。對該元件一邊施加15 V的電壓一邊照射主波長為365 nm的第一紫外線（90 mW/cm² ）111秒。繼而，不對該元件施加電壓而照射主波長為335 nm的第二紫外線（3 mW/cm² ）120分鐘。即，不施加電壓而對元件照射第二紫外線更長時間。對該PSA元件的電壓保持率進行測定。VHR=75.5%。

以下示出實施例2至實施例13。該些實施例中，使用多種液晶組成物，利用與實施例1相同的方法來製作PSA元件。紫外線照射的條件設為與實施例1的條件相同。 [實施例2] 3-HB(2F,3F)-O2 （2-1） 3% 3-H2B(2F,3F)-O2 （2-2） 8% 3-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 10% V-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 10% 2-HH1OB(2F,3F)-O2 （2-8） 3% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 （2-8） 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 10% 5-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 5% V-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 5% 2-HH-3 （3-1） 18% 3-HH-O1 （3-1） 3% 3-HH-V （3-1） 5% 1-BB-3 （3-3） 10% 1-BB-5 （3-3） 5% 3-HBB-2 （3-6） 2% 於所述組成物中，以0.3重量%的比例添加化合物（1-1-1）。 [化20]

該組成物與PSA元件的特性如下所述。NI=76.6℃；Tc＜-20℃；η=17.7 mPa·s；Δn=0.108；Δε=-3.0；VHR=94.2%。

[實施例3] V-HB(2F,3F)-O2 （2-1） 5% 3-BB(2F,3F)-O2 （2-4） 10% 5-BB(2F,3F)-O2 （2-4） 5% 2-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 3% 3-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 8% V-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 5% V-HH1OB(2F,3F)-O2 （2-8） 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 8% 4-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 6% 3-HH1OCro(7F,8F)-5 （2-14） 3% 2-HH-3 （3-1） 20% 3-HH-4 （3-1） 10% 1-BB-3 （3-3） 8% 3-HHEH-3 （3-4） 3% 3-HHEBH-3 （3-9） 3% 於所述組成物中，以0.3重量%的比例添加化合物（1-1-1）。 [化21]

該組成物與PSA元件的特性如下所述。NI=75.6℃；Tc＜-20℃；η=19.7 mPa·s；Δn=0.101；Δε=-2.9；VHR=94.0%。

[實施例4] 3-H2B(2F,3F)-O2 （2-2） 19% 5-H2B(2F,3F)-O2 （2-2） 10% 3-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 5% 4-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 5% 3-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 10% 4-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 6% 5-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 4% 3-HDhB(2F,3F)-O2 （2-15） 5% 2-HH-3 （3-1） 20% 3-HH-V1 （3-1） 7% 3-HHB-1 （3-5） 5% 3-HHB-3 （3-5） 4% 於所述組成物中，以0.5重量%的比例添加化合物（1-1-1）。 [化22]

該組成物與PSA元件的特性如下所述。NI=79.6℃；Tc＜-20℃；η=19.0 mPa·s；Δn=0.090；Δε=-3.3；VHR=97.4%。

[實施例5] 3-HB(2F,3F)-O2 （2-1） 10% 5-HB(2F,3F)-O2 （2-1） 5% 2O-BB(2F,3F)-O2 （2-4） 5% 3-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 8% V-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 10% 3-HH2B(2F,3F)-O2 （2-7） 5% 5-HH2B(2F,3F)-O2 （2-7） 5% V-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 3% 3-HHB(2F,3Cl)-O2 （2-11） 3% 5-HHB(2F,3Cl)-O2 （2-11） 3% 2-HH-3 （3-1） 25% 3-HB-O2 （3-2） 5% 5-HB-O2 （3-2） 5% V2-BB-1 （3-3） 5% 5-HB(F)BH-3 （3-10） 3% 於所述組成物中，以0.3重量%的比例添加化合物（1-2-1）。 [化23]

該組成物與PSA元件的特性如下所述。NI=76.2℃；Tc＜-20℃；η=17.9 mPa·s；Δn=0.091；Δε=-2.9；VHR=94.0%。

[實施例6] 2-H1OB(2F,3F)-O2 （2-3） 10% 5-BB(2F,3F)-O2 （2-4） 5% V2-BB(2F,3F)-O2 （2-4） 3% 2-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 2% 3-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 12% 3-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 8% 5-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 5% V-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 5% 3-HchB(2F,3F)-O2 （2-18） 3% 5-HchB(2F,3F)-O2 （2-18） 3% 2-HH-3 （3-1） 22% F3-HH-V （3-1） 3% 1-BB-3 （3-3） 10% 3-HHB-O1 （3-5） 3% V-HBB-2 （3-6） 3% 3-HHEBH-4 （3-9） 3% 於所述組成物中，以0.3重量%的比例添加化合物（1-1-1）。 [化24]

該組成物與PSA元件的特性如下所述。NI=81.0℃；Tc＜-20℃；η=19.7 mPa·s；Δn=0.110；Δε=-3.0；VHR=94.1%。

[實施例7] 3-HB(2F,3F)-O2 （2-1） 10% 3-B(2F,3F)B(2F,3F)-O2 （2-5） 3% V-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 8% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 （2-8） 5% 2-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 10% 4-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 3% 3-HEB(2F,3F)B(2F,3F)-O2 （2-10） 3% 3-HBB(2F,3Cl)-O2 （2-12） 3% 5-HBB(2F,3Cl)-O2 （2-12） 3% 2-HH-3 （3-1） 26% 2-HH-5 （3-1） 5% 3-HH-4 （3-1） 5% 3-HH-V （3-1） 7% V2-BB2B-1 （3-7） 3% 1O1-HBBH-5 （-） 3% 於所述組成物中，以0.2重量%的比例添加化合物（1-1-1），進而以0.2重量%的比例添加化合物（1-2-1）。 [化25]

該組成物與PSA元件的特性如下所述。NI=79.9℃；Tc＜-20℃；η=20.0 mPa·s；Δn=0.092；Δε=-2.8；VHR=94.5%。

[實施例8] 3-BB(2F,3F)-O2 （2-4） 10% 5-BB(2F,3F)-O2 （2-4） 5% 2-HH1OB(2F,3F)-O2 （2-8） 16% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 （2-8） 12% 3-HDhB(2F,3F)-O2 （2-15） 7% 2-HH-3 （3-1） 26% 3-HH-4 （3-1） 3% 1-BB-3 （3-3） 4% 1-BB-5 （3-3） 5% 3-HHB-1 （3-5） 6% 3-HBB-2 （3-6） 3% 3-HHEBH-5 （3-9） 3% 於所述組成物中，以0.3重量%的比例添加化合物（1-1-1）。 [化26]

該組成物與PSA元件的特性如下所述。NI=75.3℃；Tc＜-20℃；η=19.3 mPa·s；Δn=0.095；Δε=-3.1；VHR=92.5%。

[實施例9] 3-HB(2F,3F)-O2 （2-1） 4% 3-H1OB(2F,3F)-O2 （2-3） 10% 3-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 10% V-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 5% 3-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 8% 5-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 6% 3-H1OCro(7F,8F)-5 （2-13） 3% 3-dhBB(2F,3F)-O2 （2-16） 3% 3-chB(2F,3F)-O2 （2-17） 3% V2-HchB(2F,3F)-O2 （2-18） 3% 2-HH-3 （3-1） 20% 5-HH-O1 （3-1） 3% 1V2-HH-2V1 （3-1） 3% 3-HH-V （3-1） 5% 1-BB-3 （3-3） 8% V-HBB-3 （3-6） 3% 3-HB(F)HH-2 （3-8） 3% 於所述組成物中，以0.3重量%的比例添加化合物（1-1-1）。 [化27]

該組成物與PSA元件的特性如下所述。NI=75.4℃；Tc＜-20℃；η=19.6 mPa·s；Δn=0.100；Δε=-3.0；VHR=94.2%。

[實施例10] 3-HB(2F,3F)-O2 （2-1） 7% 5-HB(2F,3F)-O2 （2-1） 13% 3-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 10% 4-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 8% 5-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 8% 3-HH1OCro(7F,8F)-5 （2-14） 3% 3-B(2F)B(2F,3F)-O2 （2-19） 3% 2-HH-3 （3-1） 25% 5-HH-V （3-1） 4% 3-HH-VFF （3-1） 3% 7-HB-1 （3-2） 5% 3-HHEH-5 （3-4） 3% V-HHB-1 （3-5） 5% V-HBB-3 （3-6） 3% 於所述組成物中，以0.5重量%的比例添加化合物（1-2-1）。 [化28]

該組成物與PSA元件的特性如下所述。NI=70.9℃；Tc＜-20℃；η=18.8 mPa·s；Δn=0.092；Δε=-2.8；VHR=93.7%。

[實施例11] 3-H1OB(2F,3F)-O2 （2-3） 10% 3-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 10% 4-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 3% V-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 9% 2-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 10% V-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 5% V-chB(2F,3F)-O2 （2-17） 3% 2-HH-3 （3-1） 21% 3-HH-4 （3-1） 7% 1-BB-3 （3-3） 10% 3-HHB-1 （3-5） 3% VFF-HHB-1 （3-5） 3% 3-HBB-2 （3-6） 3% 於所述組成物中，以0.3重量%的比例添加化合物（1-1-1）。 [化29]

該組成物與PSA元件的特性如下所述。NI=80.9℃；Tc＜-20℃；η=17.6 mPa·s；Δn=0.104；Δε=-2.8；VHR=94.4%。

[實施例12] 3-BB(2F,3F)-O2 （2-4） 8% 5-BB(2F,3F)-O2 （2-4） 5% 2-HH1OB(2F,3F)-O2 （2-8） 10% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 （2-8） 10% 3-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 10% 5-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 5% 3-HDhB(2F,3F)-O2 （2-15） 5% 2-HH-3 （3-1） 16% 3-HH-4 （3-1） 10% 3-HH-V （3-1） 8% 1V2-BB-1 （3-3） 5% 3-HHB-3 （3-5） 5% VFF2-HHB-1 （3-5） 3% 於所述組成物中，以0.3重量%的比例添加化合物（1-2-1）。 [化30]

該組成物與PSA元件的特性如下所述。NI=82.0℃；Tc＜-20℃；η=17.8 mPa·s；Δn=0.099；Δε=-3.1；VHR=93.9%。

[實施例13] 3-H2B(2F,3F)-O2 （2-2） 12% 5-H2B(2F,3F)-O2 （2-2） 3% 3-BB(2F,3F)-O2 （2-4） 10% 5-BB(2F,3F)-O2 （2-4） 6% 2-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 5% 3-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 9% 4-HHB(2F,3F)-O2 （2-6） 5% 3-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 5% V-HBB(2F,3F)-O2 （2-9） 5% 2-HH-3 （3-1） 18% 3-HH-4 （3-1） 5% 3-HHB-1 （3-5） 8% 3-HHB-3 （3-5） 6% V2-HHB-1 （3-5） 3% 於所述組成物中，以0.3重量%的比例添加化合物（1-1-1）。 [化31]

該組成物與PSA元件的特性如下所述。NI=78.8℃；Tc＜-20℃；η=18.4 mPa·s；Δn=0.098；Δε=-2.9；VHR=94.1%。

得知：與比較例1的PSA元件相比，實施例1至實施例13的PSA元件具有大的電壓保持率（VHR）。因此，可得出藉由本發明的方法而製造的PSA元件具有優異特性的結論。 [產業上之可利用性]

利用本發明的方法而製造的液晶顯示元件可用於液晶投影儀、液晶電視等。

1‧‧‧上側基板 2‧‧‧下側基板 3‧‧‧上側電極 4‧‧‧電極 5‧‧‧上側配向膜（垂直配向膜） 6‧‧‧下側配向膜（垂直配向膜） 7‧‧‧液晶分子

圖1是表示液晶顯示元件的一例的圖式。

1‧‧‧上側基板

2‧‧‧下側基板

3‧‧‧上側電極

4‧‧‧電極

5‧‧‧上側配向膜(垂直配向膜)

6‧‧‧下側配向膜(垂直配向膜)

7‧‧‧液晶分子

Claims

一種液晶顯示元件的製造方法，其為根據含有液晶組成物的液晶顯示元件來製造聚合物穩定配向型的液晶顯示元件的製造方法，所述液晶組成物含有聚合性化合物作為添加物且具有向列相及負介電各向異性，且所述添加物僅包含選自式(1)所表示的聚合性化合物的組群中的一種化合物作為聚合性化合物，將所述液晶組成物封入於具有配向膜及電極的兩個基板之間，一邊對所述基板之間施加電壓，一邊對所述基板照射照度為70mW/cm²至110mW/cm²的範圍的第一紫外線14秒至580秒，繼而，不對所述基板之間施加電壓而對所述基板照射照度為3mW/cm²至30mW/cm²的範圍的第二紫外線10分鐘至60分鐘，
式(1)中，環A及環C獨立地為苯基、1-萘基或2-萘基，該些環中，至少一個氫可經氟、氯、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基取代；環B為1,4-伸苯基、萘-1,2-二基、萘-1,3-二基、萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、萘-1,6-二基、萘-1,7-二基、萘-1,8-二基、萘-2,3-二基、萘-2,6-二基或萘-2,7-二基，該些環中，至少一個氫可經氟、氯、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基取代；Z¹及Z²獨立地為單鍵或碳數1至10的伸烷基，所述伸烷基中，至少一個-CH₂-可經-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，至少一個-CH₂-CH₂-可經-CH=CH-、-C(CH₃)=CH-、-CH=C(CH₃)-或-C(CH₃)=C(CH₃)-取代，該些基中，至少一個氫可經氟或氯取代；P¹、P²及P³獨立地為聚合性基；Sp¹、Sp²及Sp³獨立地為單鍵或碳數1至10的伸烷基，所述伸烷基中，至少一個-CH₂-可經-O-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，至少一個-CH₂-CH₂-可經-CH=CH-或-C≡C-取代，該些基中，至少一個氫可經氟或氯取代；a、b及c獨立地為0、1、2、3或4，而且a、b及c的和為1以上；d為1或2。
如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件的製造方法，其中如申請專利範圍第1項所述的紫外線照射中，一邊對所述基板之間施加電壓，一邊對所述基板照射照度為70mW/cm²至110mW/cm²的範圍的第一紫外線19秒至120秒，繼而，不對所述基板之間施加電壓而對所述基板照射照度為3mW/cm²至30mW/cm²的範圍的第二紫外線10分鐘至30分鐘。
如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件的製造方法，其中如申請專利範圍第1項所述的式(1)中，P¹、P²及P³獨立地為選自式(P-1)至式(P-5)所表示的聚合性基的組群中的基，
式(P-1)至式(P-5)中，M¹、M²及M³獨立地為氫、氟、碳數1至5的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至5的烷基。
如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件的製造方法，其中僅含有選自式(1-1)至式(1-4)所表示的聚合性化合物的組群中的一種化合物作為所述添加物，
式(1-1)至式(1-4)中，P⁴、P⁵及P⁶獨立地為選自式(P-1)至式(P-3)所表示的聚合性基的組群中的基，
此處，M¹、M²及M³獨立地為氫、氟、碳數1至5的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至5的烷基；Sp¹、Sp²及Sp³獨立地為單鍵或碳數1至10的伸烷基，所述伸烷基中，至少一個-CH₂-可經-O-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代，至少一個-CH₂-CH₂-可經-CH=CH-或-C≡C-取代，該些基中，至少一個氫可經氟或氯取代。
如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件的製造方法，其中所述添加物的比例為0.03重量%至10重量%的範圍。
如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件的製造方法，其中含有選自式(2)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物作為第一成分，
式(2)中，R¹及R²獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至12的烯基氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基；環D及環 F獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、四氫吡喃-2,5-二基、1,4-伸苯基、至少一個氫經氟或氯取代的1,4-伸苯基、萘-2,6-二基、至少一個氫經氟或氯取代的萘-2,6-二基、色原烷-2,6-二基、或者至少一個氫經氟或氯取代的色原烷-2,6-二基；環E為2,3-二氟-1,4-伸苯基、2-氯-3-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-5-甲基-1,4-伸苯基、3,4,5-三氟萘-2,6-二基或7,8-二氟色原烷-2,6-二基；Z³及Z⁴獨立地為單鍵、伸乙基、羰基氧基或亞甲基氧基；e為1、2或3，f為0或1，而且e與f的和為3以下。
如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件的製造方法，其中含有選自式(2-1)至式(2-19)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物作為第一成分，

式(2-1)至式(2-19)中，R¹及R²獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至12的烯基氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基。
如申請專利範圍第6項所述的液晶顯示元件的製造方法，其中所述第一成分的比例為10重量%至80重量%的範圍。
如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件的製造方法，其中含有選自式(3)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物作為第二成分，
式(3)中，R³及R⁴獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數2至12的烯基；環G及環I獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z⁵為單鍵、伸乙基或羰基氧基；g為1、2或3。
如申請專利範圍第6項所述的液晶顯示元件的製造方法，其中含有選自式(3)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物作為第二成分，
式(3)中，R³及R⁴獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1 至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數2至12的烯基；環G及環I獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z⁵為單鍵、伸乙基或羰基氧基；g為1、2或3。
如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件的製造方法，其中含有選自式(3-1)至式(3-10)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物作為第二成分，

式(3-1)至式(3-10)中，R³及R⁴獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數2至12的烯基。
如申請專利範圍第9項所述的液晶顯示元件的製造方法，其中所述第二成分的比例為15重量%至90重量%的範圍。