TWI798951B - 半穿透式太陽能電池 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum tin oxide Chemical compound 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000016776 visual perception Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0468—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
一種半穿透式太陽能電池，具有多個透光區，且包括基板、多個光電轉換元件、多個第一絕緣圖案、多個導電圖案和多個第二絕緣圖案。這些光電轉換元件設置在這些透光區之間，且各自包括光電轉換層、第一電極和第二電極。第一電極和第二電極分別設置在光電轉換層的相對兩側且電性連接光電轉換層。這些第一絕緣圖案分別覆蓋這些光電轉換元件。這些導電圖案分別對應這些光電轉換元件設置，且不重疊於這些透光區。這些第二絕緣圖案設置在這些第一絕緣圖案上，且分別包覆這些導電圖案。這些第二絕緣圖案位於這些透光區之間，且不重疊於這些透光區。
Description
本發明是有關於一種太陽能電池，且特別是有關於一種半穿透式太陽能電池。
伴隨著顯示技術的蓬勃發展，顯示器的應用也日趨廣泛。除了高規格的顯示品質外，追求省電、環保等永續發展理念的顯示器也是相關廠商的開發重點之一。由於太陽能電池為環保綠能的指標技術，因此將太陽能發電技術應用在穿戴式顯示裝置上以提升其操作續航力的需求逐漸增加。為了避免顯示面板因薄膜太陽能板的疊置而造成的顯示品質下降，薄膜太陽能板在顯示面板的顯示區須具備一定的穿透度與光電轉換面積，方能同時達到顯示以及太陽能發電的效果。
這類的薄膜太陽能板在顯示區內大都設有週期性排列的多條太陽能電池走線。由於太陽能電池走線朝向收光面一側的電極必須為光穿透式電極，其阻值相較於一般的金屬電極來得高。因此，一種設置輔助導電層來降低光穿透式電極阻值的方法被提出。其中，為了保護輔助導電層，太陽能電池走線上還需設有一絕緣層來包覆此輔助導電層，且此絕緣層是以整面性填平的方式進行覆蓋。因此，光線（例如環境光線或來自顯示面板的光線）在通過此絕緣層後容易產生色偏的現象，而影響視覺品質。
本發明提供一種半穿透式太陽能電池，能有效抑制透射光的色偏現象。
本發明的半穿透式太陽能電池，具有多個透光區，並且包括基板、多個光電轉換元件、多個第一絕緣圖案、多個導電圖案以及多個第二絕緣圖案。這些光電轉換元件設置在基板上，且位於這些透光區之間。光電轉換元件包括光電轉換層、第一電極和第二電極。第一電極和第二電極設置在光電轉換層的相對兩側，並且電性連接光電轉換層。第一電極位在基板與光電轉換層之間。這些第一絕緣圖案分別覆蓋這些光電轉換元件。這些導電圖案分別對應這些光電轉換元件設置，且不重疊於這些透光區。這些第二絕緣圖案設置在這些第一絕緣圖案上，且分別包覆這些導電圖案。這些第二絕緣圖案位於這些透光區之間，且不重疊於這些透光區。
在本發明的一實施例中，上述的半穿透式太陽能電池的各個導電圖案沿著平行於基板的一方向的寬度小於或等於第二電極沿著該方向的寬度。
在本發明的一實施例中，上述的半穿透式太陽能電池的各個第二絕緣圖案沿著平行於基板的一方向的寬度大於各個導電圖案沿著該方向的寬度。
在本發明的一實施例中，上述的半穿透式太陽能電池的多個第二絕緣圖案的材質包括並五苯、二乙二醇二甲醚或聚醯亞胺。
在本發明的一實施例中，上述的半穿透式太陽能電池的多個第一絕緣圖案部分重疊於多個透光區，並且包覆多個光電轉換元件。
在本發明的一實施例中，上述的半穿透式太陽能電池的多個第二絕緣圖案在基板上的正投影完全位在多個光電轉換元件的多個第二電極在基板上的正投影內。
在本發明的一實施例中，上述的半穿透式太陽能電池的相重疊的第二絕緣圖案和第二電極分別具有第一邊緣和第二邊緣，且第一邊緣在第二電極上的正投影與第二邊緣之間的最短距離大於0微米。
在本發明的一實施例中，上述的半穿透式太陽能電池的多個光電轉換元件的多個第二電極定義出多個透光區。
在本發明的一實施例中，上述的半穿透式太陽能電池的各個光電轉換元件的第一電極電性連接多個導電圖案的其中一者。
在本發明的一實施例中，上述的半穿透式太陽能電池的多個第二絕緣圖案背離多個光電轉換元件的一側設有顯示面板，以構成顯示裝置。
基於上述，在本發明的一實施例的半穿透式太陽能電池中，光電轉換元件被第一絕緣圖案所覆蓋。第一絕緣圖案上設有導電圖案，且此導電圖案可提升光電轉換元件的操作電性。為了保護導電圖案，其表面覆蓋有第二絕緣圖案。透過此第二絕緣圖案不重疊於透光區的設計，可有效解決光線通過半穿透式太陽能電池後的色偏問題（例如黃化現象），進而取得較佳的視覺效果。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。
圖1是本發明的一實施例的半穿透式太陽能電池的剖視示意圖。圖2是本發明的一實施例的顯示裝置的剖視示意圖。請參照圖1，半穿透式太陽能電池10包括基板100、多個光電轉換元件110和多個第一絕緣圖案130。基板100的材質包括玻璃、石英、高分子材料（例如聚醯亞胺、聚碳酸酯）、或其他合適的基板材料。這些光電轉換元件110設置在基板100上，且彼此間隔開來。在本實施例中，光電轉換元件110例如是太陽能電池走線，但不以此為限。
詳細而言，光電轉換元件110包括光電轉換層PCL、第一電極E1和第二電極E2。第一電極E1和第二電極E2設置在光電轉換層PCL的相對兩側，並且電性連接光電轉換層PCL。第一電極E1位在基板100與光電轉換層PCL之間。在本實施例中，第一電極E1沿著平行於基板100的方向（例如方向X）的寬度W1可大於第二電極E2（或光電轉換層PCL）沿著所述方向的寬度W2，以避免製程中發生底切（undercut）的現象而導致第一電極E1與第二電極E2的電性短路。第一電極E1和第二電極E2各自沿著方向Y的厚度可介於0.05微米至5微米之間。
特別注意的是，由於外部環境光線是由基板100背離光電轉換元件110的一側入射，因此第一電極E1與第二電極E2分別為透光電極與反射電極。透光電極的材質包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層。反射電極的材質包括鋁、銀、鉻、上述的合金、上述的組合、或其他具有高反射率的金屬材料。也因此，本實施例的多個第二電極E2可定義出半穿透式太陽能電池10的多個透光區TA，這些透光區TA適於讓可見光（例如：陽光或來自顯示面板的光線）通過。從另一觀點來說，多個光電轉換元件110是設置在這些透光區TA之間。
光電轉換層PCL的材質例如是非晶矽(amorphous silicon，a-Si)，且其沿著方向Y的厚度可介於0.05微米至5微米之間，但不以此為限。在其他實施例中，光電轉換層PCL的材質也可以是單晶矽、多晶矽、銅銦鎵硒、銻化鎘、或上述的組合。詳細而言，光電轉換層PCL包括第一非本徵半導體層111、本徵半導體層112以及第二非本徵半導體層113。第一非本徵半導體層111具有第一摻雜類型，第二非本徵半導體層113具有第二摻雜類型，且第一摻雜類型與第二摻雜類型各自為P型與N型中的一者。舉例來說，在本實施例中，第一非本徵半導體層111可以是P型半導體層，而第二非本徵半導體層113可以是N型半導體層。
進一步而言，多個光電轉換元件110上分別覆蓋有多個第一絕緣圖案130。這些第一絕緣圖案130彼此間隔開來，並且各自包覆對應的光電轉換元件110。也因此，第一絕緣圖案130會部分重疊於透光區TA。第一絕緣圖案130覆蓋第一電極E1的部分和第一電極E1分別具有朝向透光區TA的邊緣130e和邊緣E1e，且第一絕緣圖案130的邊緣130e與第一電極E1的邊緣E1e之間沿著方向X的距離d1可介於1微米至20微米之間。光電轉換層PCL中朝向透光區TA的邊緣PCLe與第一電極E1的邊緣E1e之間沿著方向X的距離d2可介於0微米至20微米之間。另一方面，第一絕緣圖案130沿著方向Y的厚度可介於0.25微米至25微米之間。
第一絕緣圖案130的材質可以是無機材料（例如：氮化矽、二氧化矽或三氧化二鋁）、有機材料（例如：並五苯、二乙二醇二甲醚或聚醯亞胺）、或上述的組合、或其他合適的透光材料。舉例來說，當第一絕緣圖案130的材質為無機材料時，其可具有隔絕水氧的能力以及減少漏電的優點；當第一絕緣圖案130的材質為有機材料時，其可具有較小的寄生電容以及較佳的平坦度。
為了提升光電轉換元件110的操作電性，半穿透式太陽能電池10還包括多個導電圖案150和多個第二絕緣圖案170。這些導電圖案150分別對應多個光電轉換元件110（或多個第一絕緣圖案130）設置，且不重疊於多個透光區TA。此處的重疊關係例如是指兩構件沿著方向Y的投影重疊。以下若未特別提及，則任兩構件的重疊關係都是以相同的方式來界定，便不再贅述。
導電圖案150沿著方向Y的厚度可介於0.05微米至5微米之間。另一方面，導電圖案150沿著平行於基板100的一方向（例如方向X）的寬度W3可小於第二電極E2的寬度W2，但不以此為限。在其他未繪示的實施例中，導電圖案150的寬度W3也可等於第二電極E2的寬度W2。在本實施例中，第二電極E2和導電圖案150分別具有朝向透光區TA的邊緣E2e和邊緣150e，且第二電極E2的邊緣E2e與導電圖案150的邊緣150e之間沿著方向X的距離d3可介於0微米至20微米之間。
舉例來說，這些導電圖案150可分別電性連接多個光電轉換元件110的多個第一電極E1，以降低這些第一電極E1的整體阻值，但不以此為限。為了保護這些導電圖案150，本揭露利用多個第二絕緣圖案170來包覆這些導電圖案150。亦即，這些第二絕緣圖案170分別是設置在多個第一絕緣圖案130上。在本實施例中，第二絕緣圖案170的材質為有機材料，例如：並五苯、二乙二醇二甲醚或聚醯亞胺。
特別注意的是，這些第二絕緣圖案170位在多個透光區TA之間，且不重疊於這些透光區TA。第二絕緣圖案170沿著平行於基板100的一方向（例如方向X）的寬度W4大於導電圖案150的寬度W3。第二絕緣圖案170中朝向透光區TA的邊緣170e與導電圖案150的邊緣150e之間沿著方向X的距離d4可介於1微米至60微米之間。更具體地說，第二絕緣圖案170在基板100上的正投影完全位於對應的第二電極E2在基板100上的正投影內。在本實施例中，第二絕緣圖案170的邊緣170e大致上是切齊第二電極E2的邊緣E2e，但不以此為限。第二絕緣圖案170沿著方向Y的厚度可介於0.1微米至30微米之間。
請同時參照圖2，本實施例的半穿透式太陽能電池10適於搭載在顯示面板200的顯示側200ds，以構成一顯示裝置1。更具體地說，半穿透式太陽能電池10的第二絕緣圖案170背離光電轉換元件110的一側設有顯示面板200。顯示面板200例如是液晶顯示面板、或其他合適的非自發光型顯示面板。也因此，顯示裝置1還可選擇性地包括背光模組（未繪示）。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，顯示面板200也可以是微型發光二極體（micro light emitting diode，micro-LED）面板、次毫米發光二極體（mini light emitting diode，mini-LED）面板、或其他合適的自發光型顯示面板。
詳細而言，顯示面板200發出的影像光線IB可經由半穿透式太陽能電池10的透光區TA出射顯示裝置1，而光電轉換元件110是經由第一電極E1的一側接收來自外部的環境光線EB（例如陽光），並產生電能來提供顯示面板200操作時所需的電力。透過第二絕緣圖案170不重疊於透光區TA的設計，可讓影像光線IB在通過透光區TA後不會產生色偏現象（例如黃化現象），有助於提升顯示裝置1的視覺效果。
然而，本發明並不侷限半穿透式太陽能電池10的應用範疇。舉例來說，在其他實施例中，半穿透式太陽能電池10也可應用在建築物的觀景窗上，其除了具有太陽能發電的功能外，對於色偏現象的抑制還能讓觀看窗外景色的觀賞者具有較佳的視覺體驗。
以下將列舉另一些實施例以詳細說明本揭露，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。
圖3是本發明的另一實施例的半穿透式太陽能電池的剖視示意圖。圖4是本發明的又一實施例的半穿透式太陽能電池的剖視示意圖。請參照圖3，本實施例的半穿透式太陽能電池10A與圖1的半穿透式太陽能電池10的差異在於：第二絕緣圖案的寬度不同。在本實施例中，半穿透式太陽能電池10A的第二絕緣圖案170A的邊緣170Ae相較於第二電極E2的邊緣E2e遠離透光區TA。也就是說，第二絕緣圖案170A的邊緣170Ae在第二電極E2上的正投影與第二電極E2的邊緣E2e之間沿著平行於基板100的一方向（例如方向X）的距離d5大於0微米。據此，可進一步抑制以較大角度入射並且通過透光區TA的光線產生色偏的現象，進而提升半穿透式太陽能電池10A在較大視角範圍內的視覺品質。
然而，本發明不限於此。在其他實施例中，根據不同的產品需求，半穿透式太陽能電池10B的第二絕緣圖案170B也可部分重疊於透光區TA，如圖4所示。亦即，第二絕緣圖案170B可進一步覆蓋第一絕緣圖案130朝向透光區TA的部分側壁130w。特別一提的是，第二絕緣圖案170B的邊緣170Be可選擇性地切齊第一絕緣圖案130的邊緣130e。也就是說，第一絕緣圖案130和第二絕緣圖案170B的圖案化製程可共用同一個光罩來進行曝光，有助於降低生產成本。
特別說明的是，圖3的半穿透式太陽能電池10A和圖4的半穿透式太陽能電池10B都可用於取代圖2中顯示裝置1的半穿透式太陽能電池10。
綜上所述，在本發明的一實施例的半穿透式太陽能電池中，光電轉換元件被第一絕緣圖案所覆蓋。第一絕緣圖案上設有導電圖案，且此導電圖案可提升光電轉換元件的操作電性。為了保護導電圖案，其表面覆蓋有第二絕緣圖案。透過此第二絕緣圖案不重疊於透光區的設計，可有效解決光線通過半穿透式太陽能電池後的色偏問題（例如黃化現象），進而取得較佳的視覺效果。
1:顯示裝置
10、10A、10B:半穿透式太陽能電池
100:基板
110:光電轉換元件
111:第一非本徵半導體層
112:本徵半導體層
113:第二非本徵半導體層
130:第一絕緣圖案
130e、150e、170e、170Ae、170Be、E1e、E2e、PCLe:邊緣
130w:側壁
150:導電圖案
170、170A、170B:第二絕緣圖案
200:顯示面板
200ds:顯示側
d1、d2、d3、d4、d5:距離
E1:第一電極
E2:第二電極
EB:環境光線
IB:影像光線
PCL:光電轉換層
TA:透光區
W1、W2、W3、W4:寬度
X、Y:方向
圖1是本發明的一實施例的半穿透式太陽能電池的剖視示意圖。
圖2是本發明的一實施例的顯示裝置的剖視示意圖。
圖3是本發明的另一實施例的半穿透式太陽能電池的剖視示意圖。
圖4是本發明的又一實施例的半穿透式太陽能電池的剖視示意圖。
10:半穿透式太陽能電池
100:基板
110:光電轉換元件
111:第一非本徵半導體層
112:本徵半導體層
113:第二非本徵半導體層
130:第一絕緣圖案
130e、150e、170e、E1e、E2e、PCLe:邊緣
150:導電圖案
170:第二絕緣圖案
d1、d2、d3、d4:距離
E1:第一電極
E2:第二電極
EB:環境光線
PCL:光電轉換層
TA:透光區
W1、W2、W3、W4:寬度
X、Y:方向
Claims (9)
- 一種半穿透式太陽能電池，具有多個透光區，且包括：一基板；多個光電轉換元件，設置在該基板上，且位於該些透光區之間，各該些光電轉換元件包括：一光電轉換層；以及一第一電極和一第二電極，設置在該光電轉換層的相對兩側，且電性連接該光電轉換層，其中該第一電極位在該基板與該光電轉換層之間；多個第一絕緣圖案，分別覆蓋該些光電轉換元件；多個導電圖案，分別對應該些光電轉換元件設置，且不重疊於該些透光區；以及多個第二絕緣圖案，設置在該些第一絕緣圖案上，且分別包覆該些導電圖案，該些第二絕緣圖案位於該些透光區之間，且不重疊於該些透光區，其中各該些光電轉換元件的該第一電極電性連接該些導電圖案的其中一者。
- 如請求項1所述的半穿透式太陽能電池，其中各該些導電圖案沿著平行於該基板的一方向的一寬度小於或等於該第二電極沿著該方向的一寬度。
- 如請求項1所述的半穿透式太陽能電池，其中各該些第二絕緣圖案沿著平行於該基板的一方向的一寬度大於各該些導電圖案沿著該方向的一寬度。
- 如請求項1所述的半穿透式太陽能電池，其中該些第二絕緣圖案的材質包括並五苯、二乙二醇二甲醚或聚醯亞胺。
- 如請求項1所述的半穿透式太陽能電池，其中該些第一絕緣圖案部分重疊於該些透光區，並且包覆該些光電轉換元件。
- 如請求項1所述的半穿透式太陽能電池，其中該些第二絕緣圖案在該基板上的正投影完全位在該些光電轉換元件的多個該第二電極在該基板上的正投影內。
- 如請求項6所述的半穿透式太陽能電池，其中相重疊的一該第二絕緣圖案和一該第二電極分別具有一第一邊緣和一第二邊緣，且該第一邊緣在該第二電極上的正投影與該第二邊緣之間的最短距離大於0微米。
- 如請求項1所述的半穿透式太陽能電池，其中該些光電轉換元件的多個該第二電極定義出該些透光區。
- 如請求項1所述的半穿透式太陽能電池，其中該些第二絕緣圖案背離該些光電轉換元件的一側設有一顯示面板，以構成一顯示裝置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110143346A TWI798951B (zh) | 2021-11-22 | 2021-11-22 | 半穿透式太陽能電池 |
| CN202111533283.2A CN116154023A (zh) | 2021-11-22 | 2021-12-15 | 半穿透式太阳能电池 |
| CN202123154063.7U CN216488085U (zh) | 2021-11-22 | 2021-12-15 | 半穿透式太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110143346A TWI798951B (zh) | 2021-11-22 | 2021-11-22 | 半穿透式太陽能電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI798951B true TWI798951B (zh) | 2023-04-11 |
| TW202322413A TW202322413A (zh) | 2023-06-01 |
Family
ID=81423161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| TW110143346A TWI798951B (zh) | 2021-11-22 | 2021-11-22 | 半穿透式太陽能電池 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN116154023A (zh) |
| TW (1) | TWI798951B (zh) |
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- 2021-11-22 TW TW110143346A patent/TWI798951B/zh active
- 2021-12-15 CN CN202111533283.2A patent/CN116154023A/zh active Pending
- 2021-12-15 CN CN202123154063.7U patent/CN216488085U/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116154023A (zh) | 2023-05-23 |
| TW202322413A (zh) | 2023-06-01 |
| CN216488085U (zh) | 2022-05-10 |
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