TWI796296B

TWI796296B - 液晶介質

Info

Publication number: TWI796296B
Application number: TW106113337A
Authority: TW
Inventors: 哈拉德賀奇曼; 瑪提娜威得侯斯特
Original assignee: 德商馬克專利公司
Priority date: 2016-04-21
Filing date: 2017-04-20
Publication date: 2023-03-21
Also published as: KR20230082004A; US20190218457A1; TW201739905A; CN107304360A; EP3235894A3; EP3235894A2; KR20230078974A; DE102017002925A1; KR20170120505A; US11453824B2; US20170306232A1; EP3235894B1; TW202346547A; JP2018009143A; CN116478701A; JP2022101586A

Abstract

本發明係關於一種液晶介質及其用於主動式矩陣顯示器，尤其是基於VA、PSA、PS-VA、PM-VA、SS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS效應之主動式矩陣顯示器的用途。

Description

液晶介質

本發明係關於一種液晶介質(LC介質)、其用於電光目的，尤其是用於基於ECB效應之具有主動式矩陣定址之電光顯示器及用於IPS (平面內切換)顯示器或FFS (邊緣場切換)顯示器之用途以及含有此介質之顯示器。

電控雙折射(electrically controlled birefringence，ECB)效應或DAP (對準相之變形)效應之原理首次描述於1971年(M.F. Schieckel及K. Fahrenschon, 「Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields」, Appl. Phys. Lett. 19 (1971), 3912)。隨後係J.F. Kahn之論文(Appl. Phys. Lett. 20 (1972), 1193)以及G. Labrunie及J. Robert之論文(J. Appl. Phys. 44 (1973), 4869)。 J. Robert及F. Clerc之論文(SID 80 Digest Techn. Papers (1980), 30)、J. Duchene之論文(Displays 7 (1986), 3)及H. Schad之論文(SID 82 Digest Techn. Papers (1982), 244)顯示，液晶相必須具有高彈性常數比率K₃ /K₁ 值、高光學各向異性Δn值及Δε≤-0.5之介電各向異性值，以便適用於基於ECB效應之高資訊顯示元件。基於ECB效應之電光顯示元件具有垂面邊緣排列(VA技術=垂直排列)。介電負性液晶介質亦可用於使用所謂的IPS或FFS效應之顯示器中。除IPS(平面內切換)顯示器(例如：Yeo, S.D.，論文15.3: 「An LC Display for the TV Application」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV，第II冊，第758及759頁)及早已熟知的TN(扭轉向列)顯示器以外，例如以MVA(多域垂直排列，例如：Yoshide, H.等人，論文3.1: 「MVA LCD for Notebook or Mobile PCs ...」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV，第I冊，第6至9頁，及Liu, C.T.等人，論文15.1: 「A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology ...」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV，第II冊，第750至753頁)、PVA(圖案化垂直排列，例如：Kim, Sang Soo, 論文15.4: 「Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV，第II冊，第760至763頁)、ASV(先進大視角，例如：Shigeta, Mitzuhiro及Fukuoka, Hirofumi, 論文15.2: 「Development of High Quality LCDTV」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV，第II冊，第754至757頁)模式使用ECB效應之顯示器，如所謂的VAN(垂直排列向列型)顯示器，本身已被確立為當前最重要的三種較新類型之液晶顯示器(尤其用於電視應用)中之一者。以一般形式比較該等技術，例如在Souk, Jun, SID Seminar 2004, seminar M-6: 「Recent Advances in LCD Technology」, Seminar Lecture Notes, M-6/1至M-6/26，及Miller, Ian, SID Seminar 2004, seminar M-7: 「LCD-Television」, Seminar Lecture Notes, M-7/1至M-7/32中。儘管現代ECB顯示器之響應時間已藉由使用過激勵定址方法而顯著改良，例如：Kim, Hyeon Kyeong等人，論文9.1: 「A 57-in. Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第I冊, 第106至109頁，但視訊相容響應時間之達成，尤其是關於灰度轉換仍係尚未得到圓滿解決之問題。此效應在電光顯示元件中之工業應用需要須滿足多個要求之LC相。在此，對濕氣、空氣及諸如熱、紅外、可見光及紫外輻射以及直流及交流電場之物理影響的化學抗性尤其重要。另外，工業可用之LC相需要在適合溫度範圍內及低黏度下具有液晶中間相。迄今為止所揭示之具有液晶中間相之化合物系列中無一者包括一個符合所有此等要求之化合物。因此一般製備兩種至25種、較佳三種至18種化合物之混合物來獲得可用作LC相之物質。然而，以此方式不可能輕易地製備最佳相，因為迄今尚未能獲得具有顯著負介電各向異性及足夠的長期穩定性的液晶材料。已知矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)。可用於個別像素之單獨轉換的非線性元件係例如主動元件(亦即電晶體)。隨後使用術語「主動式矩陣」，其中以下兩種類型之間可存在區別： 1. 矽晶圓上之MOS(金屬氧化物半導體)電晶體作為基板 2. 玻璃板上之薄膜電晶體(TFT)作為基板。在類型1之情況中，所用電光效應通常為動態散射或客體-主體效應。使用單晶矽作為基板材料限制了顯示器尺寸，因為即使各種部分顯示器之模組總成亦會在接合處產生問題。在更有前景之類型2(其係較佳的)之情況中，所使用之電光效應通常係TN效應。對以下兩種技術進行區分：包含諸如CdSe之化合物半導體的TFT，或基於多晶或非晶矽的TFT。後一技術在全世界廣泛使用。將TFT矩陣應用於顯示器之一個玻璃板的內部，而另一玻璃板在其內部攜帶透明相對電極。相比於像素電極之大小，TFT極小且對影像幾乎無不良影響。此技術亦可擴展為全彩色顯示器(fully colour-capable display)，其中以濾光器元件與各可轉換像素相對之方式佈置紅光、綠光及藍光濾光器之馬賽克(mosaic)。本文之術語MLC顯示器涵蓋具有整合式非線性元件的任何矩陣顯示器，亦即除主動式矩陣以外，亦涵蓋具有被動元件，諸如變阻器或二極體(MIM=金屬-絕緣體-金屬)的顯示器。此類型之MLC顯示器尤其適用於TV應用(例如袖珍TV)或汽車或飛機構造中之高資訊顯示器。除關於對比度及響應時間之角度依賴性的問題以外，由於液晶混合物之比電阻不夠高，所以在MLC顯示器中亦有困難[TOGASHI, S., SEKIGUCHI, K., TANABE, H., YAMAMOTO, E., SORIMACHI, K., TAJIMA, E., WATANABE, H., SHIMIZU, H., Proc. Eurodisplay 84, 1984年9月：A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings，第141頁及以下各頁，Paris；STROMER, M., Proc. Eurodisplay 84, 1984年9月：Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays，第145頁及以下各頁, Paris]。隨著電阻減小，MLC顯示器之對比度劣化。由於液晶混合物之比電阻通常因與顯示器內表面相互作用而在MLC顯示器之壽命期間下降，故對於必須在長操作期內具有可接受的電阻值的顯示器而言，高(初始)電阻極其重要。因此，仍非常需要在具有大工作溫度範圍及低臨限電壓的同時具有快速響應時間的MLC顯示器，從而可幫助產生各種灰度。常用的MLC-TN顯示器之不足之處係歸因於其相對較低的對比度、相對較高的視角依賴性及難以在此等顯示器中產生灰度。 VA顯示器具有顯著較佳的視角依賴性且因此主要用於電視及監視器。然而，在此仍需要改進響應時間，尤其是考慮到要用於訊框率(影像變化頻率/再新率)大於60 Hz的電視。然而，同時必須不減弱諸如低溫穩定性之特性。

本發明係基於以下目標：提供液晶混合物，尤其是用於監視器及TV應用，基於ECB效應或基於IPS或FFS效應之液晶混合物，該等液晶混合物無上文指出之缺點，或僅在降低程度上具有上文指出之缺點。特定言之，必須確保監視器及電視在極高及極低溫度下亦工作，且同時具有極短響應時間，且同時具有改良的可靠性，尤其是在長操作時間之後不展現影像殘留或展現顯著減少的影像殘留。出人意料地，若以下式I1及式I2之化合物及一或多種以下式EY之化合物在各情況下用於液晶混合物中，尤其是具有負介電各向異性的LC混合物中，較佳用於VA、IPS及FFS顯示器，此外用於PM(被動型矩陣)-VA顯示器，則可能減小旋轉黏度γ₁ 與彈性常數K₃₃ 之比率(γ₁ /K₃₃ )，由此來改進響應時間且同時達成高可靠性及低溫穩定性(LTS)。出人意料地，式I1及式I2之化合物與式EY之化合物之組合產生同時具有極低旋轉黏度及高介電各向異性之絕對值以及高可靠性及高LTS的液晶介質。因此可能製備具有極短響應時間，同時具有優良相特性及優良低溫特性之液晶化合物，較佳VA、IPS及FFS混合物。本發明因此係關於一種較佳具有負介電各向異性(Δε)的液晶介質，其包含式I1之化合物及/或式I2之化合物及一或多種式EY之化合物，　

其中個別基團各自彼此獨立且在每次出現時相同或不同地具有以下含義中之一者： R¹ 及R^1* 表示H、具有至多15個C原子的未經取代、經CN或CF₃ 單取代或經鹵素至少單取代的烷基或烯基，此外其中，在此等基團中之一或多個CH₂ 基團可經-O-、-S-、

、-C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-OC-O-或-O-CO-以O原子不直接彼此鍵聯之方式置換，或具有3至6個C原子的環烷基環， L¹ 及L² 表示F、Cl、CF₃ 或CHF₂ ，較佳F，其限制條件為LC介質不包含式I3之化合物，

。本發明此外係關於一種具有主動式矩陣式定址，尤其是基於ECB、VA、PS-VA、PVA、PM-VA、SS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS效應，尤其是基於UB-FFS或PS-FFS效應的電光顯示器，其特徵在於，其包含如上文及下文所描述之液晶介質作為介電質。根據本發明之液晶介質較佳展現非常寬的向列相範圍且清澈點≥68℃，較佳≥70℃，極有利的電容臨限值，相對較高的保持率值，且同時展現在-20℃及-30℃下之極佳低溫穩定性以及低旋轉黏度及短響應時間。根據本發明之液晶介質的進一步特徵在於以下事實：除旋轉黏度γ₁ 改良之外，亦可觀測到相對較高的彈性常數K₃₃ 值，從而改良響應時間。

在上式及下式中，烷基或烷氧基可以係直鏈或分支鏈的。其較佳為直鏈，具有2、3、4、5、6或7個C原子且相應地較佳表示乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基或庚氧基，此外甲基、辛基、壬基、癸基、十一基、十二基、十三基、十四基、十五基、甲氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基或十四烷氧基。氧雜烷基較佳表示直鏈2-氧雜丙基(=甲氧基甲基)；2-(=乙氧基甲基)或3-氧雜丁基(=2-甲氧基乙基)；2-、3-或4-氧雜戊基；2-、3-、4-或5-氧雜己基；2-、3-、4-、5-或6-氧雜庚基；2-、3-、4-、5-、6-或7-氧雜辛基；2-、3-、4-、5-、6-、7-或8-氧雜壬基；或2-、3-、4-、5-、6-、7-、8-或9-氧雜癸基。烯基可以係直鏈或分支鏈的。其較佳為直鏈的且具有2至10個C原子。相應地，其尤其表示乙烯基；丙-1-或-2-烯基；丁-1-、-2-或-3-烯基；戊-1-、-2-、-3-或-4-烯基；己-1-、-2-、-3-、-4-或-5-烯基；庚-1-、-2-、-3-、-4-、-5-或-6-烯基；辛-1-、-2-、-3-、-4-、-5-、-6-或-7-烯基；壬-1-、-2-、-3-、-4-、-5-、-6-、-7-或-8-烯基；或癸-1-、-2-、-3-、-4-、-5-、-6-、-7-、-8-或-9-烯基。若烷基或烯基經鹵素至少單取代，則此基團較佳為直鏈，且鹵素較佳為F或Cl。在多取代之情況下，鹵素較佳為F。所得基團亦包括全氟化基團。在單取代之情況下，氟或氯取代基可處於任何所期望的位置，但較佳處於ω位置。特別優選「烯基」表示乙烯基、丙-1-烯基、丙-2-烯基或丁-3-烯基的化合物。以下給出根據本發明之混合物之一些較佳實施例。液晶介質較佳包含式I1之化合物及式I2之化合物以及一或多種式EY之化合物。在液晶介質中，式I1及式I2之化合物較佳以按整個混合物計≥3重量%，較佳≥5重量%之量採用。特別優選包含5-30重量%、極尤其較佳10-20重量%之式I1及式I2之化合物的液晶介質。在液晶介質中，式EY之化合物較佳以按整個混合物計≥2重量%、較佳≥5重量%之量採用。特別優選包含3-20重量%、極其較佳5-15重量%之式EY之化合物的液晶介質。根據本發明之液晶介質中式I1、式I2及式EY之化合物之總濃度較佳為10-35重量%。在式EY之化合物中，R¹ 及R^1* 較佳表示具有≥2，尤其較佳2至6個C原子且L¹ =L² =F的烷氧基。特別優選選自由以下子式組成之群的式EY之化合物：

。特別優選式EY1至EY14之化合物。非常特別優選式EY9之化合物。根據本發明之液晶介質之更佳實施例如下所指示： a) 另外包含一或多種選自式IIA、式IIB及式IIC之化合物之群的化合物的液晶介質，

其中 R^2A 、R^2B 及R^2C 各自彼此獨立地表示H、具有至多15個C原子的未經取代、經CN或CF₃ 單取代或經鹵素至少單取代的烷基或烯基，此外其中，在此等基團中之一或多個CH₂ 基團可經-O-、-S-、

、-C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-OC-O-或-O-CO-以O原子不直接彼此鍵聯之方式置換，或具有3至6個C原子的環烷基環， L^1-4 各自彼此獨立地表示F、Cl、CF₃ 或CHF₂ ， Z² 及Z² ^' 各自彼此獨立地表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CHCH₂ O-， p 表示1或2， q 表示0或1， v 表示1至6之整數，及 (O) 表示氧原子或單鍵。在式IIA及式IIB之化合物中，Z² 基團在每次出現時可具有相同或不同含義。在式IIB之化合物中，Z² 及Z² ^' 基團可以彼此獨立地且在每次出現時各自具有相同或不同含義。在式IIA、式IIB及式IIC之化合物中，R^2A 、R^2B 及R^2C 各自較佳表示具有1-6個C原子的烷基，尤其是CH₃ 、C₂ H₅ 、n-C₃ H₇ 、n-C₄ H₉ 、n-C₅ H₁₁ 。在式IIA及IIB之化合物中，L¹ 、L² 、L³ 及L⁴ 較佳表示L¹ =L² =F且L³ =L⁴ =F，此外L¹ =F且L² =Cl，L¹ =Cl且L² =F，L³ =F且L⁴ =Cl，L³ =Cl且L⁴ =F。式IIA及式IIB中之Z² 及Z² ^' 較佳各自彼此獨立地表示單鍵，此外表示-C₂ H₄ -或-CH₂ O-橋鍵。若在式IIB中，Z² =-C₂ H₄ -或-CH₂ O-，則Z² ^' 較佳為單鍵，或若Z² ^' =-C₂ H₄ -或-CH₂ O-，則Z² 較佳為單鍵。在式IIA及式IIB之化合物中，(O)C_v H_2v ₊ ₁ 較佳表示OC_v H_2v ₊ ₁ ，此外C_v H_2v ₊ ₁ 。在式IIC之化合物中，(O)C_v H_2v ₊ ₁ 較佳表示C_v H_2v ₊ ₁ 。在式IIC之化合物中，L³ 及L⁴ 較佳各自表示F。較佳的式IIA、式IIB及式IIC之化合物如下所指示：

，其中烷基及烷基*各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子的直鏈烷基，且烯基表示具有2-6個C原子的直鏈烯基。根據本發明尤其較佳的混合物包含一或多種選自式IIA-2、式IIA-8、式IIA-14、式IIA-26、式IIA-28、式IIA-33、式IIA-39、式IIA-45、式IIA-46、式IIA-47、式IIB-2、式IIB-11、式IIB-16及式IIC-1之化合物。式IIA及/或式IIB之化合物在整個混合物中之比例較佳為至少20重量%。根據本發明尤其較佳的介質包含至少一種式IIC-1之化合物，

，其中烷基及烷基*具有上文所指出之含義，其量較佳為＞3重量%，尤其＞5重量%且尤其較佳5-25重量%。 b) 另外包含一或多種式III之化合物的液晶介質，

其中 R³¹ 及R³² 各自彼此獨立地表示具有至多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基烷基或烷氧基，

表示

、、

、

或

，及 Z³ 表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-C₄ H₈ -、-CF=CF-。較佳的式III之化合物如下所指示：

其中烷基及烷基* 各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子的直鏈烷基。根據本發明之介質較佳包含至少一種式IIIa及/或式IIIb之化合物。式III之化合物在整個混合物中之比例較佳為至少5重量%。 c) 另外包含一或多種下式之四環化合物的液晶介質

其中 R^7-10 各自彼此獨立地具有式IIA中關於R^2A 所指出之含義中之一者，且 w及x 各自彼此獨立地表示1至6的整數。特別優選包含至少一種式V-9之化合物的混合物。 d) 另外包含一或多種式Y-1至Y-6之化合物的液晶介質，

其中R¹⁴ -R¹⁹ 各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子的烷基或烷氧基，且z及m各自彼此獨立地表示1至6的整數。根據本發明之介質尤其較佳包含一或多種式Y-1至Y-6之化合物，其量較佳≥5重量%。 e) 另外包含一或多種式T-1至T-21之氟化聯三苯的液晶介質，

其中 R表示具有1-7個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有2-7個C原子的烯基，(O)表示氧原子或單鍵，且m=0、1、2、3、4、5或6且n表示0、1、2、3或4。 R較佳表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。根據本發明之介質較佳包含式T-1至T-21之聯三苯，其量為2-30重量%，尤其是5-20重量%。特別優選式T-1、式T-2、式T-20及式T-21之化合物。在此等化合物中，R較佳表示烷基，此外烷氧基，其各自具有1-5個C原子。在式T-20之化合物中，R較佳表示烷基或烯基，尤其是烷基。在式T-21之化合物中，R較佳表示烷基。若混合物之Δn值≥0.1，則較佳在根據本發明之混合物中採用聯三苯。較佳混合物包含2-20重量%之一或多種選自化合物T-1至T-21之群的聯三苯化合物。特別優選式T-4之化合物。 f) 另外包含一或多種式B-1至B-4之聯苯的液晶介質，

其中烷基及烷基* 各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子的直鏈烷基，烯基及烯基* 各自彼此獨立地表示具有2-6個C原子的直鏈烯基，且烷氧基表示具有1-6個C原子的直鏈烷氧基。式B-1至B-4之聯苯在整個混合物中之比例較佳為至少3重量%，尤其是≥5重量%。在式B-1至B-4之化合物中，式B-2之化合物係尤其較佳的。尤其較佳聯苯為

，其中烷基*表示具有1-6個C原子的烷基。根據本發明之介質尤其較佳包含一或多種式B-1a及/或式B-2c之化合物。 g) 包含至少一種式Z-1至Z-7之化合物的液晶介質，

其中 R 表示具有1-7個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有2-7個C原子的烯基，烷基表示具有1-6個C原子之烷基，且 (O)烷基表示烷基或O烷基。 h) 包含至少一種式O-1至O-17之化合物的液晶介質，

其中R¹ 及R² 具有在式IIA中關於R^2A 所指出的含義且式O-17之化合物與式I1及式I2之化合物不同。R¹ 及R² 較佳各自獨立地表示具有1-6個C原子的直鏈烷基，或R¹ 表示具有1-6個C原子的直鏈烷基且R² 表示具有2-6個C原子的烯基。較佳介質包含一或多種式O-1、式O-3、式O-4、式O-5、式O-9、式O-12、式O-14、式O-15、式O-16及/或式O-17之化合物。根據本發明之混合物極尤其較佳包含式O-9、O-12、O-16及/或O-17之化合物，尤其是其量為5-30%。較佳的式O-9及式O-17之化合物如下所指示：

根據本發明之介質尤其較佳包含式O-9a及/或式O-9b之三環化合物以及一或多種式O-17a及式O-17b之雙環化合物。式O-9a及/或式O-9b之化合物以及一或多種選自式O-17a及式O-17b之雙環化合物的化合物之總比例較佳為5-40%，極尤其較佳為15-35%。極尤其較佳混合物包含化合物O-9a及O-17a：

。按整個混合物計，化合物O-9a及O-17a較佳以15-35%，尤其較佳15-25%且特別較佳18-22%之濃度存在於混合物中。極尤其較佳混合物包含化合物O-9b及O-17a：

。按整個混合物計，化合物O-9b及O-17a較佳以15-35%，尤其較佳15-25%且特別較佳18-22%之濃度存在於混合物中。極尤其較佳混合物包含以下三種化合物：

。按整個混合物計，化合物O-9a、O-9b及O-17a較佳以15-35%，尤其較佳15-25%且特別較佳18-22%之濃度存在於混合物中。此外，較佳的式O-17之化合物為選自下式之化合物之群的化合物

在各情況下，其量較佳≥3重量%，尤其是≥10重量%。 i) 包含一或多種式BA之化合物的液晶介質

其中烯基及烯基* 各自彼此獨立地表示具有2-12個C原子的直鏈烯基，

表示

、

或

， Z³ 表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-C₄ H₈ -、-CF=CF-。較佳的式BA之化合物如下所指示：

。較佳混合物包含5-60重量%，較佳10-55重量%，尤其是20-50重量%之式O-17e之化合物

。此外優選包含以下的液晶混合物：化合物O-17e

及化合物O-17i

，其總量較佳為3-60重量%。 j) 根據本發明之較佳液晶介質包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之物質，諸如，式N-1至N-5之化合物，

其中R^1N 及R^2N 各自彼此獨立地具有在式IIA中關於R^2A 所指出的含義，較佳表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈烯基，且 Z¹ 及Z² 各自彼此獨立地表示-C₂ H₄ -、-CH=CH-、-(CH₂ )₄ -、-(CH₂ )₃ O-、-O(CH₂ )₃ -、-CH=CHCH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ CH=CH-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ -或單鍵。 k) 較佳混合物包含一或多種選自以下之群的化合物：式BC之二氟二苯并𠳭烷化合物、式CR之𠳭烷、式PH-1及式PH-2之氟化菲、式BF-1及式BF-2之氟化二苯并呋喃以及式BS-1及式BS-2之氟化二苯并噻吩，

其中 R^B1 、R^B2 、R^CR1 、R^CR2 、R¹ 、R² 各自彼此獨立地具有在式IIA中之R^2A 之含義。c係0、1或2。d係1或2。R¹ 及R² 較佳彼此獨立地表示分別具有1至6或2至6個C原子的烷基、烷氧基、烯基或烯氧基。根據本發明之混合物較佳包含式BC、式CR、式PH-1、式PH-2、式BF-1、式BF-2、式BS-1及/或式BS-2之化合物，其量為3至20重量%，尤其是3至15重量%。尤其較佳的式BC、式CR、式BF及式BS之化合物係化合物BC-1至BC-7及CR-1至CR-5，

其中烷基及烷基* 各自彼此獨立地表示具有具有1-6個C原子的直鏈烷基，且烯基及烯基* 各自彼此獨立地表示具有2-6個C原子的直鏈烯基，且烯基氧基表示具有2-6個C原子的直鏈烯基氧基。極特別優選包含一種、兩種或三種式BC-2及/或BF-1a之化合物的混合物。 l) 較佳混合物包含一或多種式In之茚滿化合物，

其中 R¹¹ 、R¹² 、 R¹³ 各自彼此獨立地表示分別具有1-6個C原子或2-6個C原子的直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基， R¹² 及R¹³ 另外表示鹵素，較佳F，

表示

， i 表示0、1或2。較佳的式In之化合物係如下所指示之式In-1至In-16之化合物：

特別優選式In-1、式In-2、式In-3及式In-4之化合物。式In及子式In-1至In-16之化合物較佳以≥5重量%，尤其是5-30重量%且極尤其較佳5-25重量%之濃度用於根據本發明之混合物中。 m) 較佳混合物另外包含一或多種式L-1至L-11之化合物，

其中 R、R¹ 及R² 各自彼此獨立地具有如技術方案3中關於R^2A 所指出的含義，(O)表示氧原子或單鍵，且烷基表示具有1-6個C原子的烷基。s表示1或2。特別優選式L-1及式L-4，尤其是式L-4之化合物。式L-1至L-11之化合物較佳以5-50重量%，尤其是5-40重量%且極尤其較佳10-40重量%之濃度使用。 n) 除可聚合化合物之外，介質不包含含烯基化合物。 o) 介質另外包含一或多種選自下式之化合物：

。在式Q-1至Q-9之化合物中，R^Q 及X^Q 各自彼此獨立地具有在式IIA中之R^2A 之含義。R^Q 及X^Q 較佳表示具有1-6個C原子，尤其是具有2-5個C原子的直鏈烷基。尤其較佳的混合物概念如下所指定：(所用首字母縮寫詞於表1-3及表A中加以說明。此處n及m各自彼此獨立地表示1-6)。根據本發明之混合物較佳包含 - PYP-n-m，尤其是PYP-2-3及/或PYP-2-4，其濃度以整個混合物計較佳＞5%，尤其是8-30%，及/或 - CPY-n-Om，尤其是CPY-2-O2、CPY-3-O2及/或CPY-5-O2，其濃度以整個混合物計較佳＞5%，尤其是10-30%，及/或 - B-nO-Om，其濃度較佳為1-15%，及/或 - CY-n-Om，較佳CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2及/或CY-5-O4，其濃度以整個混合物計較佳＞5%，尤其是15-50%，及/或 - CCY-n-Om，較佳CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1及/或CCY-5-O2，其濃度以整個混合物計較佳＞5%，尤其是10-30%，及/或 - CLY-n-Om，較佳CLY-2-O4、CLY-3-O2及/或CLY-3-O3，其濃度以整個混合物計較佳＞5%，尤其是10-30%，及/或 - CK-n-F，較佳CK-3-F、CK-4-F及/或CK-5-F，以整個混合物計，較佳＞5%，尤其是5-25%。此外優選包含以下混合物概念之根據本發明之混合物： (n及m各自彼此獨立表示1-6。) - CPY-n-Om及CY-n-Om，其濃度以整個混合物計較佳為10-80%，及/或 - CPY-n-Om及CK-n-F，其濃度以整個混合物計較佳為10-70%，及/或 - CPY-n-Om及PY-n-Om，較佳CPY-2-O2及/或CPY-3-O2及PY-3-O2，其濃度以整個混合物計較佳為10-40%，及/或 - CPY-n-Om及CY-n-Om，其濃度以整個混合物計較佳為10-80%，及/或 - CC-3-V1，較佳以3-15%之量及/或 - CC-V-V，較佳以5-60%之量及/或 - CC-3-V，較佳以5-60%之量及/或 - PGIY-n-Om，較佳以3-15%之量，及/或 - CC-n-2V1，較佳以3-20%之量。根據本發明之液晶介質之向列相較佳為≤-20℃至≥70℃，尤其較佳地≤-30℃至≥80℃，極尤其較佳≤-40℃至≥90℃。表述「具有向列相」在本文中意謂：一方面，在相應溫度下在低溫下未觀察到近晶相及結晶，且另一方面，在加熱時不會自向列相出現清澈現象。低溫研究係在相應溫度下用流量式黏度計進行，且藉由於層厚度對應於電光用途之測試單元中儲存至少100小時進行檢驗。若在相應測試單元中於-20℃溫度下之儲存穩定性為1000小時或更長時間，則稱該介質在此溫度下穩定。在-30℃及-40℃之溫度下，對應的時間分別為500小時及250小時。在高溫下，藉由習知方法用毛細管量測清澈點。液晶混合物較佳具有至少60 K之向列相範圍及在20℃下至多30 mm² · s^-1 之流動黏度ν₂₀ 。在液晶混合物中雙折射值Δn一般在0.07與0.16之間，較佳在0.08與0.13之間。根據本發明之液晶混合物的Δε為-0.5至-8.0，尤其是-2.5至-6.0，其中Δε表示介電各向異性。20℃下之旋轉黏度γ₁ 較佳≤150 mPa·s，尤其是≤130 mPa·s。根據本發明之液晶介質具有相對較小的臨限電壓(V₀ )值。其較佳在1.7 V至3.0 V範圍內，尤其較佳≤2.5 V且極尤其較佳≤2.3 V。對於本發明，除非另外明確指定，否則術語「臨限電壓」係指電容臨限值(V₀ )，亦稱為弗雷德里克臨限值(Freedericks threshold)。另外，根據本發明之液晶介質在液晶單元中具有高電壓保持率值。一般而言，相比於具有較高定址電壓或臨限電壓之液晶介質，具有低定址電壓或臨限電壓之液晶介質展現較低的電壓保持率，且反之亦然。對於本發明，術語「介電正性化合物」表示Δε＞1.5的化合物，術語「介電中性化合物」表示-1.5≤Δε≤1.5的化合物且術語「介電負性化合物」表示Δε＜-1.5的化合物。在本文中，化合物之介電各向異性係藉由以下步驟測定：將10%化合物溶解於液晶主體中，且測定所得混合物在各情況下在至少一個測試單元中之電容，測試單元之層厚度為20 µm且在1 kHz下具有垂面及沿面表面排列。量測電壓通常為0.5 V至1.0 V，但始終低於所研究之各別液晶混合物之電容臨限值。本發明所指示之所有溫度值係以℃為單位。根據本發明之混合物適用於所有VA-TFT應用，諸如VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA (聚合物穩定VA)、SS (表面穩定)-VA及PS-VA (聚合物穩定VA)。此外，其適用於具有負Δε之IPS (平面內切換)及FFS (邊緣場切換)，尤其是UB-FFS。根據本發明之顯示器中的向列型液晶混合物一般包含兩種組分A及B，其自身由一或多種個別化合物組成。組分A具有顯著負介電各向異性且賦予向列相≤-0.5之介電各向異性。除一或多種式I1、式I2及式EY之化合物以外，其較佳亦包含一或多種式IIA、IIB及/或IIC之化合物，此外一或多種式III之化合物。組分A之比例較佳在45%與100%之間，尤其是在60%與100%之間。對於組分A，較佳選擇Δε值≤-0.8的一種(或多種)個別化合物。此值必須愈負，則在整體混合物中A之比例愈小。組分B具有明顯向列態(nematogeneity)，且在20℃下，流動黏度不大於30 mm² ·s^- ¹ 、較佳不大於25 mm² ·s^- ¹ 。根據文獻，熟習此項技術者已知多種適合材料。特別優選式III之化合物。組分B中之尤其較佳的個別化合物係在20℃下流動黏度不大於18 mm² ∙s^- ¹ ，較佳不大於12 mm² ∙s^- ¹ 的極低黏度向列型液晶。組分B為單變性或互變性向列型，無近晶相且能夠在降至極低溫度時阻止液晶混合物中出現近晶相。舉例而言，若各種高向列態材料在各情況下添加至近晶液晶混合物中，則此等材料之向列態可經由所達成之近晶相的抑制程度來加以比較。混合物亦可視情況包含組分C，其包含介電各向異性Δε≥1.5之化合物。此等所謂的正性化合物通常以整個混合物計以≤20重量%之量存在於負介電各向異性之混合物中。若根據本發明之混合物包含一或多種介電各向異性∆ε≥1.5之化合物，則此等化合物較佳為一或多種式P-1及/或式P-2之化合物，

其中 R 表示各自分別具有1至6個或2至6個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烯基，且 X 表示F、Cl、CF₃ 、OCF₃ 、OCHFCF₃ 或CCF₂ CHFCF₃ ，較佳F或OCF₃ 。式P-1及/或式P-2之化合物較佳以0.5-10重量%，尤其是0.5-8重量%之濃度用於根據本發明之混合物中。特別優選下式之化合物

，其較佳以0.5-3重量%之量採用。另外，此等液晶相亦可包含超過18種組分，較佳18至25種組分。除一或多種式I之化合物以外，該等相較佳包含4至15種，尤其是5至12種且尤其較佳＜10種式IIA、式IIB及/或式IIC及視情況存在的式III之化合物。除式I1、I2及EY之化合物及式IIA、式IIB及/或式IIC及及視情況存在的式III之化合物以外，其他成分亦可例如以整個混合物之至多45%、但較佳至多35%、尤其是至多10%之量存在。其他成分較佳選自向列型或向列原基物質，尤其是以下各類已知物質：氧偶氮苯、苯亞甲基苯胺、聯苯、聯三苯、苯甲酸苯酯或苯甲酸環己酯、環己烷甲酸苯酯或環己烷甲酸環己酯、苯基環己烷、環己基聯苯、環己基環己烷、環己基萘、1,4-雙環己基聯苯或環己基嘧啶、苯基-或環己基二噁烷、視情況經鹵化之芪、苯甲基苯基醚、二苯乙炔(tolan)及經取代之肉桂酸酯。適合作為此類液晶相之成分的最重要的化合物之特徵在於式IV， R²⁰ -L-G-E-R²¹ IV 其中L及E各自表示來自由1,4-二取代之苯及環己烷環、4,4'-二取代之聯苯、苯基環己烷及環己基環己烷系統、2,5-二取代之嘧啶及1,3-二噁烷環、2,6-二取代之萘、二氫萘及四氫萘、喹唑啉及四氫喹唑啉形成之群的碳環或雜環系統。 G表示 -CH=CH- -N(O)=N- -CH=CQ- -CH=N(O)- -C≡C- -CH₂ -CH₂ - -CO-O- -CH₂ -O- -CO-S- -CH₂ -S- -CH=N- -COO-Phe-COO- -CF₂ O- -CF=CF- -OCF₂ - -OCH₂ - -(CH₂ )₄ - -(CH₂ )₃ O- 或C-C單鍵，Q表示鹵素，較佳氯，或-CN，且R²⁰ 及R²¹ 各自表示具有至多18個、較佳至多8個碳原子的烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰氧基，或此等基團中之一者可替代地表示CN、NC、NO₂ 、NCS、CF₃ 、SF₅ 、OCF₃ 、F、Cl或Br。在大多數此等化合物中，R²⁰ 及R²¹ 彼此不同，此等基團中之一者通常為烷基或烷氧基。所提出之取代基的其他變化形式亦係常見的。許多此類物質或其混合物亦可商購。所有此等物質可藉由根據文獻已知之方法製備。對於熟習此項技術者不言而喻，根據本發明之VA、IPS或FFS混合物亦可包含例如H、N、O、Cl及F已經相應同位素置換之化合物。此外可將可聚合化合物(所謂的反應性液晶原(RM)，例如U.S. 6,861,107中所揭示)以按根據本發明之混合物計較佳0.01-5重量%，尤其較佳0.2-2重量%之濃度添加至該混合物中。此等混合物亦可視情況包含引發劑，如例如在U.S. 6,781,665中所述。較佳將引發劑，例如來自BASF之Irganox-1076，以0-1%之量添加至包含可聚合化合物之混合物中。此類型之混合物可用於所謂的聚合物穩定VA (PS-VA)模式或PSA (聚合物穩定排列，polymer sustained alignment)模式，其中反應性液晶原之聚合意欲在液晶混合物中發生。對此其前提條件係液晶混合物自身不包含亦在式M之化合物聚合之條件下聚合的可聚合組分。聚合較佳在以下條件下進行：使用具有規定強度之UV-A光一段規定的時間，且施加電壓(通常10至30 V交流電壓，頻率在60 Hz至1 kHz範圍內)，使可聚合組分在單元中聚合。所用UV-A光源通常為強度為50 mW/cm² 之金屬鹵化物蒸氣燈或高壓汞燈。此等條件係以下條件：其中例如含有烯基或烯氧基側鏈之液晶化合物，諸如下式之化合物不聚合

其中n=2、3、4、5或6。在本發明之一較佳實施例中，可聚合化合物係選自式M之化合物 R^Ma -A^M1 -(Z^M1 -A^M2 )_m1 -R^Mb M 其中個別基團具有以下含義： R^Ma 及R^Mb 各自彼此獨立地表示P、P-Sp-、H、鹵素、SF₅ 、NO₂ 、烷基、烯基或炔基，其中基團R^Ma 及R^Mb 中之至少一者較佳表示或含有基團P或P-Sp-， P 表示可聚合基團， Sp 表示間隔基團或單鍵， A^M1 及A^M2 各自彼此獨立地表示芳族、雜芳族、脂環或雜環基，較佳具有4至25個環原子，較佳C原子，其亦包括或可含有環化環，且其可視情況經L單取代或多取代， L 表示P、P-Sp-、OH、CH₂ OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R^x )₂ 、-C(=O)Y¹ 、-C(=O)R^x 、-N(R^x )₂ 、視情況經取代的矽烷基、視情況經取代的具有6至20個C原子的芳基，或具有1至25個C原子的直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中另外，一或多個H原子可經以下置換：F、Cl、P或P-Sp-，較佳P、P-Sp-、H、OH、CH₂ OH、鹵素、SF₅ 、NO₂ 、烷基、烯基或炔基， Y¹ 表示鹵素， Z^M1 表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-(CH₂ )_n1 -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-(CF₂ )_n1 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-、-COO-、-OCO-CH=CH-、CR⁰ R⁰⁰ 或單鍵， R⁰ 及R⁰⁰ 各自彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子的烷基， R^x 表示P、P-Sp-、H、鹵素、具有1至25個C原子的直鏈、分支鏈或環烷基，此外其中，一或多個不相鄰的CH₂ 基團可經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以使O及/或S原子不直接彼此鍵聯之方式置換，且此外其中，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換，具有6至40個C原子的視情況經取代之芳基或芳氧基，或具有2至40個C原子的視情況經取代之雜芳基或雜芳氧基， m1 表示0、1、2、3或4，且 n1 表示1、2、3或4，其中所存在之基團R^Ma 、R^Mb 及取代基L中之至少一者、較佳一者、兩者或三者、尤其較佳一或兩者表示基團P或P-Sp-或含有至少一個基團P或P-Sp-。尤其較佳的式M之化合物為如下化合物，其中 R^M ^a 及R^M ^b 各自彼此獨立地表示P、P-Sp-、H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、SF₅ 或具有1至25個C原子的直鏈或分支鏈烷基，此外其中，一或多個不相鄰的CH₂ 基團可各自彼此獨立地經-C(R⁰ )=C(R⁰⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O及/或S原子不直接彼此鍵聯之方式置換，且此外其中，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-置換，其中基團R^Ma 及R^Mb 中之至少一者較佳表示或含有基團P或P-Sp-， A^M1 及A^M2 各自彼此獨立地表示1,4-伸苯基；萘-1,4-二基；萘-2,6-二基；菲-2,7-二基；蒽-2,7-二基；茀-2,7-二基；香豆素；黃酮，此外其中，此等基團中之一或多個CH基團可經N置換；環己烷-1,4-二基，此外其中，一或多個不相鄰的CH₂ 基團可經O及/或S置換；1,4-伸環己烯基；雙環[1.1.1]戊-1,3-二基；雙環[2.2.2]辛-1,4-二基；螺[3.3]庚-2,6-二基；哌啶-1,4-二基；十氫萘-2,6-二基；1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基；茚滿-2,5-二基或八氫-4,7-亞甲基茚滿-2,5-二基，其中所有此等基團可未經取代或經L單取代或多取代， L 表示P、P-Sp-、OH、CH₂ OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R^x )₂ 、-C(=O)Y¹ 、-C(=O)R^x 、-N(R^x )₂ 、視情況經取代之矽烷基、視情況經取代之具有6至20個C原子的芳基、或具有1至25個C原子的直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，此外其中，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換， P 表示可聚合基團， Y¹ 表示鹵素， R^x 表示P、P-Sp-、H、鹵素、具有1至25個C原子的直鏈、分支鏈或環烷基，此外其中，一或多個不相鄰的CH₂ 基團可經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O及/或S原子不直接彼此鍵聯之方式置換，且此外其中，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換，具有6至40個C原子的視情況經取代之芳基或芳氧基或具有2至40個C原子的視情況經取代之雜芳基或雜芳氧基。極特別優選其中R^Ma 及R^Mb 中之一者或兩者表示P或P-Sp-之式M之化合物。用於根據本發明之液晶介質及PS-VA顯示器或PSA顯示器之適合且較佳的RM選自例如下式：

其中個別基團具有以下含義： P¹ 、P² 及P³ 各自彼此獨立地表示可聚合基團，其較佳具有上文及下文關於P所指出之含義中之一者，尤其較佳表示丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氧雜環丁烷基、乙烯氧基或環氧基， Sp¹ 、Sp² 及Sp³ 各自彼此獨立地表示單鍵或間隔基團，其較佳具有上文及下文關於Sp所指出的含義中之一者，且尤其較佳為-(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ )_p1 -O-、-(CH₂ )_p1 -CO-O-或-(CH₂ )_p1 -O-CO-O-，其中p1為1至12之整數，且其中在最後提及的基團中，與相鄰環之鍵聯經由O原子發生，其中基團P¹ -Sp¹ -、P² -Sp² -及P³ -Sp³ -中之一者亦可表示R^aa ， R^aa 表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，此外其中，一或多個不相鄰的CH₂ 基團可各自彼此獨立地經-C(R⁰ )=C(R⁰⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O原子及/或S原子不直接彼此鍵聯的方式置換，且此外其中，一或多個H原子可經F、Cl、CN或P¹ -Sp¹ -置換，尤其較佳地具有1至12個C原子之視情況單氟化或多氟化之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧羰基或烷基羰氧基(其中烯基及炔基具有至少兩個C原子且分支鏈基團具有至少三個C原子)， R⁰ 、R⁰⁰ 各自彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至12個C原子之烷基， R^y 及R^z 各自彼此獨立地表示H、F、CH₃ 或CF₃ ， Z^M1 表示-O-、-CO-、-C(R^y R^z )-或-CF₂ CF₂ -， Z^M2 及Z^M3 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CF₂ O-、-OCF₂ -或-(CH₂ )_n -，其中n為2、3或4， L 在每次出現時相同或不同地表示F、Cl、CN或具有1至12個C原子之視情況經單或多氟化之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧羰基或烷基羰氧基，較佳F， L'及L" 各自彼此獨立地表示H、F或Cl， r 表示 0、1、2、3或4， s 表示0、1、2或3， t 表示0、1或2，且 x 表示0或1。適合可聚合化合物列出於例如表D中。根據本申請案之液晶介質較佳總共包含0.1至10%，較佳0.2至4.0%，尤其較佳0.2至2.0%之可聚合化合物。特別優選式M及式RM-1至RM-121之可聚合化合物。根據本發明之混合物可另外包含習知添加劑，諸如穩定劑、抗氧化劑、UV吸收劑、奈米粒子、微米粒子等。根據本發明之液晶顯示器之結構對應於如在例如EP-A 0 240 379中所述之常見幾何結構。以下實例旨在解釋本發明，而不對其進行限制。在上文及下文中，百分比資料表示重量百分比；所有溫度以攝氏度表示。在整個專利申請案中，1,4-伸環己基環及1,4-伸苯基環描繪如下：

；

。伸環己基環為反-1,4-伸環己基環。在整個專利申請案及實施例中，藉助於首字母縮寫詞指示液晶化合物之結構。除非另外指示，否則根據表1-3轉化成化學式。所有基團C_n H_2n ₊ ₁ 、C_m H_2m ₊ ₁ 及C_m _' H_2m _' ₊₁ 或C_n H_2n 及C_m H_2m 為直鏈烷基或伸烷基，在各情況下分別具有n個、m個、m'個或z個C原子。n、m、m'及z各自彼此獨立地表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12，較佳表示1、2、3、4、5或6。在表1中編碼對應化合物之環要素，在表2中列出橋連基且在表3中指示化合物之左側或右側側鏈之符號的含義。表 1 ：環要素

表 2 ：橋連基

表 3 ：側鏈

除式IIA及/或式IIB及/或式IIC之化合物及式I1、式I2及式EY之化合物以外，根據本發明之混合物較佳包含一或多種來自如下所指示之表A之化合物。表 A 使用以下縮寫： (n、m、m'、z：各自彼此獨立地為1、2、3、4、5或6； (O)C_m H_2m+1 意謂OC_m H_2m+1 或C_m H_2m+1 )

可根據本發明使用之液晶混合物以本身習知之方式製備。一般而言，將以較少量使用之所需量之組分有利地在高溫下溶解於構成主要成分之組分中。亦有可能在有機溶劑中，例如在丙酮、氯仿或甲醇中混合各組分之溶液，且例如藉由在充分混合後蒸餾來再次移除溶劑。藉助於適合添加劑，根據本發明之液晶相可按某種方式改質使得其可用於迄今為止已揭示之任何類型之顯示器中，例如ECB、VAN、IPS、GH或ASM-VA LCD顯示器。介電質亦可包含熟習此項技術者已知及文獻中所述之其他添加劑，諸如UV吸收劑、抗氧化劑、奈米粒子及自由基清除劑。舉例而言，可添加0-15%之多色染料、穩定劑或對掌性摻雜劑。用於根據本發明之混合物之適合穩定劑尤其是表B中所列的彼等物質。舉例而言，可添加0-15%之多色染料，此外導電鹽，較佳4-己氧基苯甲酸乙基二甲基十二烷基銨、四苯基氫硼化四丁基銨或冠醚之複合鹽(參見例如Haller等人，Mol. Cryst. Liq. Cryst.,第24 卷，第249-258頁(1973))以改良導電性，或可添加物質以改良向列相之介電各向異性、黏度及/或排列。此類型之物質描述於例如DE-A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430及28 53 728中。表 B 表B展示一般添加至根據本發明之混合物中之可能摻雜劑。混合物較佳包含0-10重量%，尤其是0.01-5重量%且尤其較佳0.01-3重量%之摻雜劑。若混合物僅包含一種摻雜劑，則其以0.01-4重量%、較佳0.1-1.0重量%之量採用。

表 C 可例如以0-10重量%之量添加至根據本發明之混合物中之穩定劑展示如下。

根據本發明之介質尤其較佳包含Tinuvin® 770 (雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯)，以液晶介質計，其量較佳為0.001-5重量%。表 D 表D展示可較佳在根據本發明之LC介質中用作反應性液晶原化合物之例示性化合物。若根據本發明之混合物包含一或多種反應性化合物，則其較佳以0.01-5重量%之量採用。亦可能需要添加引發劑或兩種或更多種引發劑之混合物進行聚合。按混合物計，較佳以0.001-2重量%之量添加引發劑或引發劑混合物。適合引發劑係例如Irgacure (BASF)或Irganox (BASF)。

在一較佳實施例中，根據本發明之混合物包含一或多種可聚合化合物，其較佳選自式RM-1至RM-102之可聚合化合物。此類型之介質尤其適合於PS-FFS及PS-IPS應用。在表D中示出的反應性液晶原中，化合物RM-1、RM-2、RM-3、RM-4、RM-5、RM-9、RM-17、RM-42、RM-48、RM-68、RM-87、RM-91、RM-98、RM-99及RM-101係尤其較佳的。式M及式RM-1至RM-102之反應性液晶原或可聚合化合物另外適合作為穩定劑。在此情況下，可聚合化合物不聚合，而是以＞1%之濃度添加至液晶介質中。實施例 ：以下實例旨在闡明本發明而不對其進行限制。在實例中，m.p.表示熔點且C表示液晶物質之以攝氏度為單位的澄清點；沸騰溫度用b.p.表示。此外： C表示結晶固體狀態，S表示近晶相(指數表示相類型)，N表示向列狀態，Ch表示膽固醇相，I表示各向同性相，T_g 表示玻璃轉化溫度。兩個符號之間的數字表示以攝氏度為單位之轉化溫度。用於測定式I化合物之光學各向異性Δn的主體混合物為市售混合物ZLI-4792 (Merck KGaA)。使用市售混合物ZLI-2857測定介電各向異性Δε。待研究化合物之物理資料係由在添加待研究化合物之後主體混合物之介電常數的變化且外推至100%所用化合物而獲得。一般而言，視溶解性而定，將10%待研究化合物溶解於主體混合物中。除非另外指示，否則份數或百分比資料表示重量份或重量百分比。在上文及下文中，符號及縮寫具有以下含義： V_o 在20℃下之電容臨限電壓[V]， Δn 在20℃且589 nm下量測之光學各向異性 Δε 在20℃且1 kHz下之介電各向異性 cl.p. 澄清點[℃] K₁ 彈性常數，在20℃下之「展曲」變形[pN] K₃ 彈性常數，在20℃下之「彎曲」變形[pN] γ₁ 在20℃下量測之旋轉黏度[mPa·s]，其藉由磁場中之旋轉方法測定 LTS 在測試單元中測定之低溫穩定性(向列相)。用於量測臨限電壓之顯示器具有兩個間隔20 µm之平面平行外板及電極層，其中在外板之內部的頂部具有包含SE-1211 (Nissan Chemicals)之排列層，其實現液晶之垂面排列。除非另外明確指示，否則本申請案中之所有濃度係關於相應混合物或混合物組分。除非另外明確指示，否則所有物理性質均根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」，status 1997年11月, Merck KGaA, Germany測定，且適用於20℃之溫度。實例 M1

實例 P1 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M1之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P2 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M1之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 P3 為製備PS-VA混合物，將99.8%根據實例M1之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 P4 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M1之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 P5 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M1之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P6 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M1之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 P7 為製備PS-VA混合物，將99.8%根據實例M1之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 P8 為製備PS-VA混合物，將99.8%根據實例M1之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 P9 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M1之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M2

實例 P10 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M2之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P11 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M2之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P12 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M2之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P13 為製備PS-VA混合物，將99.8%根據實例M2之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 P14 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M2之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 P15 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M2之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P16 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M2之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M3

實例 P17 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M3之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P18 為製備PS-VA混合物，將99.8%根據實例M3之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 P19 為製備PS-VA混合物，將99.8%根據實例M3之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 P20 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M3之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P21 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M3之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 M4

實例 M5

實例 P22 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M5之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P23 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M5之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P24 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 P25 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 P26 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M5之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P27 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M6

實例 M7

實例 P28 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M7之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P29 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M7之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P30 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M7之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 P31 為製備PS-VA混合物，將99.8%根據實例M7之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合

。實例 P32 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M7之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 P33 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M7之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 P34 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M7之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 M8

實例 M9

實例 P35 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M9之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 P36 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M9之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合

。實例 P37 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M9之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 P38 為製備PS-VA混合物，將99.75%根據實例M9之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合

。實例 P39 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M9之混合物與0.299%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。實例 P40 為製備PS-VA混合物，將99.7%根據實例M9之混合物與0.299%下式之可聚合化合物

及0.001% Irganox-1076 (BASF)混合。根據實例P39及實例P40之混合物較佳適合於PS-VA應用，尤其是2D及3D TV應用。用於PS-VA應用之上述混合物實例當然亦適用於PS-IPS及PS-FFS應用。為改良可靠性，根據實例M1至M9及P1至P40之混合物可另外用一種或兩種選自下述化合物a)至h)之群的穩定劑來穩定，其中在各情況下，以混合物計以0.01-0.04%之量添加穩定劑。

實例 M10 為製備穩定的VA混合物，將99.999%根據實例M1之混合物與0.001%下式化合物混合

。實例 M11 為製備穩定的VA混合物，將99.99%根據實例M1之混合物與0.01%下式化合物混合

。實例 M12 為製備穩定的VA混合物，將99.999%根據實例M7之混合物與0.001%下式化合物混合

。

Claims

一種液晶介質，其包含式I1之化合物、式I2之化合物及一或多種式EY之化合物

其中個別基團各自彼此獨立且在每次出現時相同或不同地具有以下含義中之一者：R¹及R^1* 表示H、具有至多15個C原子的未經取代、經CN或CF₃單取代或經鹵素至少單取代之烷基或烯基，此外其中，在此等基團中之一或多個CH₂基團可經-O-、-S-、
、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-、-OC-O-或-O-CO-以O原子不直接彼此鍵聯之方式置換，或具有3至6個C原子之環烷基環，L¹及L² 表示F、Cl、CF₃或CHF₂；選自由式T-1至T-21之一或多種化合物

其中R 表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之直鏈烯基，(O) 表示氧原子或單鍵，m 表示0、1、2、3、4、5或6，及n 表示0、1、2、3或4，及一或多種選自式BS-2之化合物，
其中R¹及R²各自彼此獨立地表示H、具有至多15個C原子的未經取代、經CN或CF₃單取代或經鹵素至少單取代之烷基或烯基，此外其中，在此等基團中之一或多個CH₂基團可經-O-、-S-、
、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-、-OC-O-或-O-CO-以O原子不直接彼此鍵聯之方式置換，或具有3至6個C原子之環烷基環，及d 表示1或2，且其限制條件為該液晶介質不包含式I3之化合物，
如請求項1之液晶介質，其中其包含一或多種選自下式化合物之群的化合物EY：
如請求項1或2之液晶介質，其中其另外包含一或多種選自式IIA、式IIB及式IIC之化合物之群的化合物，

其中R^2A、R^2B及R^2C 各自彼此獨立地表示H、具有至多15個C原子的未經取代、經CN或CF₃單取代或經鹵素至少單取代之烷基或烯基，此外其中，在此等基團中之一或多個CH₂基團可經-O-、-S-、
、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-、-OC-O-或-O-CO-以O原子不直接彼此鍵聯之方式置換，L^1-4 各自彼此獨立地表示F或Cl，Z²及Z^2' 各自彼此獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-CH=CH-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C₂F₄-、-CF=CF-、-CH=CHCH₂O-，p 表示1或2，q 表示0或1，及v 表示1至6之整數。
如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式III之化合物，
其中R³¹及R³² 各自彼此獨立地表示具有至多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基烷基或烷氧基，
表示
、
、
、
或
，及Z³ 表示單鍵、-CH₂CH₂-、-CH=CH-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C₂F₄-、-C₄H₉-、-CF=CF-。
如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式O-1至O-17之化合物，

其中R¹及R²各自彼此獨立地具有在請求項3中關於R^2A所指出的含義，且該等式O-17之化合物與請求項1中之該等式I1及式I2之化合物不相同。
如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式In之茚滿化合物，
其中R¹¹、R¹²、R¹³ 分別表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基，或具有2至6個C原子的直鏈烷氧基烷基或烯基，R¹²及R¹³ 另外亦表示鹵素，
表示
i 表示0、1或2。
如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種選自下式之聯苯：

其中烷基*表示具有1至6個C原子之烷基。
如請求項1或2之液晶介質，其中其另外包含一或多種選自以下化合物之群的化合物：
如請求項1或2之液晶介質，其中其另外包含一或多種選自以下化合物之群的化合物：
如請求項1或2之液晶介質，其中式I1及式I2之化合物在整個混合物中之比例係5-30重量%。
如請求項1或2之液晶介質，其中式EY之化合物在整個混合物中之比例係3-20重量%。
如請求項1或2之液晶介質，其中式I1、式I2及式EY之化合物在整個混合物中之比例係10-35重量%。
如請求項1或2之液晶介質，其中該介質包含至少一種可聚合化合物。
如請求項1或2之液晶介質，其中該介質包含一或多種選自由自由基清除劑、抗氧化劑及UV穩定劑組成之群的添加劑。
一種用於製備如請求項1至14中任一項之液晶介質的方法，其特徵在於在各情況下，使式I1及I2之化合物與至少一種式EY之化合物及至少一種其他液晶化合物混合，且視情況添加一或多種添加劑及視情況添加至少一種可聚合化合物。
一種如請求項1至14中任一項之液晶介質的用途，其係用於電光顯示器。
一種具有主動式矩陣定址之電光顯示器，其特徵在於其含有如請求項1至14中任一項之液晶介質作為介電質。
如請求項17之電光顯示器，其中其係VA、PSA、PS-VA、PM-VA、SS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS顯示器。