TWI794951B - 偵測發光模組數量的方法 - Google Patents

Abstract

一種偵測發光模組數量的方法，適用於一微控制器分析一發光裝置中之複數發光模組的數量，每一發光模組具有一控制晶片及一與該控制晶片電連接之發光晶粒，該控制晶片中設有一緩衝區，於一裝置設置步驟中，將該發光裝置接上該微控制器，於一數據充填步驟中，該微控制器持續對該複數控制晶片輸出一連串位元數據，每個位元數據依序填充至該複數緩衝區中，於一數量分析步驟中，當該複數緩衝區被填滿數據時，第n+1個位元數據會回傳至該微控制器，以使該微控制器計算該複數發光模組的數量。

Description

偵測發光模組數量的方法

本發明是有關於一種偵測數量的方法，尤其是一種偵測發光模組數量的方法。

目前已有許多設備可以設置發光裝置，以使設備可以對外發出絢麗的燈效，而該發光裝置必須受到正確的的燈效控制，才能對外發出燈效。

而可控制不同規格發光裝置的電腦或微控制器，必須正確與該發光裝置進行匹配，以取得該發光裝置的型號（規格），電腦或微控制器才能對該發光裝置輸出正確的燈效控制指令。

傳統上，用戶必須對電腦或微控制器手動設定該發光裝置的型號，以使電腦或微控制器取得該發光裝置的型號。當用戶不知道該發光裝置的型號時，還可以對電腦或微控制器設定該發光裝置之複數發光模組（LEDs）的數量，以使電腦或微控制器匹配出該發光裝置的型號，以輸出正確的燈效控制指令。

但是，有一些發光裝置的組成和配置複雜，讓用戶無法得知發光模組的數量，並造成用戶手動配置或佈局的麻煩。舉例來說，有一些發光裝置會設置不透明的漫射燈罩或導光體，或是在相同的結構中設置了不同數量的發光模組，導致用戶無法從外觀取得發光模組的數量，如果用戶無法得知該發光裝置的型號時，用戶就無法對電腦或微控制器進行正確的設定。

由上述說明可知，目前發光裝置具有下列缺點：

一、無法取得數量：

有一些發光裝置結構複雜，或是設置的發光模組被漫射燈罩或導光體所遮蔽，用戶無法直接對電腦或微控制器設定該複數發光模組的數量。

二、無法輸出控制指令：

因為無法取得該發光裝置之複數發光模組的數量，導致電腦或微控制器無法匹配出該發光裝置的型號，並輸出正確的燈效控制指令。

三、無法分別控制：

如果電腦或微控制器無法得知發光裝置的型號，就無法進一步瞭解發光裝置中發光模組的數量及位址，無法進一步分別控制每一個發光模組的燈效。

因此，如何讓電腦或微控制器自動偵測連接之發光裝置中設置之發光模組的數量，以進一步取得該發光裝置的型號，是相關技術人員亟需努力的目標。

有鑑於此，本發明之目的是在提供一種偵測發光模組數量的方法，適用於一微控制器分析一發光裝置中之複數發光模組的數量，每一發光模組具有一控制晶片，及一與該控制晶片電連接之發光晶粒，該控制晶片中設有一緩衝區，偵測發光模組數量的方法包含一裝置設置步驟、一數據充填步驟，及一數量分析步驟。

於該裝置設置步驟中，將該發光裝置接上該微控制器，以使該微控制器可與該複數控制晶片傳輸資料。

於該數據充填步驟中，該微控制器持續對該複數控制晶片輸出一連串位元數據，每個位元數據依序填充至該複數緩衝區中。

於該數量分析步驟中，當該複數緩衝區被填滿數據時，第n+1個位元數據會回傳至該微控制器，以使該微控制器計算該複數發光模組的數量。

本發明的又一技術手段，是在於上述之該數據充填步驟中，該微控制器輸出該串位元數據的同時進行位元數據的數量計數，當該微控制器收到第n+1個位元數據時，以n值計算該複數緩衝區的數量。

本發明的另一技術手段，是在於上述之該數量分析步驟中，設該複數緩衝區的數量為b，且每一緩衝區的儲存容量為m，將存入該複數緩衝區的資料量n除以該緩衝區的儲存容量m，可取得該複數緩衝區的數量b。

本發明的再一技術手段，是在於上述之該數據充填步驟中，該一連串位元數據中包括複數位元資料組，且每一位元資料組的資料量與該緩衝區的儲存容量相同，該微控制器輸出一連串位元數據時會對所輸出的位元資料組進行計數以取得c，於該數量分析步驟中，當該微控制器收到回傳的第n+1個位元數據，該微控制器將計數資料c-1作為緩衝區的數量為b。

本發明的又一技術手段，是在於上述之該數據充填步驟中，該微控制器具有一儲能模組，當該微控制器輸出一連串位元數據時會對該儲能模組進行儲能，該儲能模組具有一電容，該電容儲能時產生一電容電壓。

本發明的另一技術手段，是在於上述之數量分析步驟更包含一數據溢出子步驟，及一數據比對子步驟。

本發明的再一技術手段，是在於上述之該數據溢出子步驟中，當該微控制器收到回傳的第n+1個位元數據時，同步偵測該電容電壓。

本發明的又一技術手段，是在於上述之該數據比對子步驟中，該微控制器中預存有一電壓/發光模組數量對應表，該電壓/發光模組數量對應表用以提供該微控制器依據所偵測的電容電壓比對出該複數發光模組的數量。

本發明的另一技術手段，是在於上述之偵測發光模組數量的方法更包含一於該數量分析步驟後的型號分析步驟，該微控制器中預存有一數量/型號比對表，該數量/型號比對表用以提供該微控制器依據該發光模組的數量並分析出該發光裝置的型號。

本發明的再一技術手段，是在於上述之該裝置設置步驟中，當該發光裝置與該微控制器電性連接時，該微控制器與該複數控制晶片為串接設置。

本發明之有益功效在於，每一個發光模組中設置了相同記憶容量之記憶體的控制晶片，以使該微控制器可以對該發光裝置輸出該一連串位元數據。而該複數控制晶片會依序收到該一連串位元數據。收到位元數據的控制晶片會將位元數據填入該記憶體中，且該控制晶片不對外傳送該一連串位元數據。當該控制晶片的記憶體被填滿數據時，該控制晶片再將該一連串位元數據向下一個控制晶片傳輸。當該複數控制晶片的記憶體都被位元數據填滿時，該微控制器才會收到該一連串位元數據。當該微控制器收到該一連串位元數據時，就可以該一連串位元數據中之位元數據的輸出總量，進一步分析出該發光模組的數量。

有關本發明之相關申請專利特色與技術內容，在以下配合參考圖式之三個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚地呈現。在進行詳細說明前應注意的是，類似的元件是以相同的編號來做表示。

參閱圖1，為本發明一種偵測發光模組數量的方法之一第一較佳實施例，該偵測發光模組數量的方法包含適用於一微控制器3分析一發光裝置4中之複數發光模組的數量。

該微控制器3是一種具有複數連接端口31的控制電路，可與電腦的主機板連接，以使電腦控制該發光裝置4的燈效，該微控制器3也可以獨立運作不與電腦連接，實際實施時，該微控制器3也可以是電腦，並以主機板連接該發光裝置4，不應以此為限。

該發光裝置4為一種發光燈條，實際實施時，該發光裝置4可以是其他的可發出燈效的裝置，不應以此為限。該發光裝置4可分離地與該微控制器3的其中之一連接端口31電連接以與該微控制器3傳輸資訊。該發光裝置4中設置複數發光模組，每一發光模組具有一控制晶片，及一與該控制晶片電連接之發光晶粒，該發光晶粒為三原色（RGB）發光二極體，該複數發光模組的控制晶片成串接設置。

於該第一較佳實施例，該發光裝置4中設置三個發光模組，分別為第一發光模組41、第二發光模組42及第三發光模組43。該第一發光模組41包括一第一控制晶片411及一第一發光晶粒412。該第二發光模組42包括一第二控制晶片421及一第二發光晶粒422。該第三發光模組43包括一第三控制晶片431及一第三發光晶粒432。實際實施時，該發光裝置4可以設置任一數量的發光模組，不應以此為限。

較佳地，該微控制器3的連接端口31具有一輸出端311及一輸入端312，當該發光裝置4與該微控制器3電性連接時，該輸出端311、該第一控制晶片411、該第二控制晶片421、該第三控制晶片431，及該輸入端312為串接設置。

該微控制器3可分別對該複數控制晶片進行設定，以使該複數控制晶片分別驅動該複數發光晶粒的燈效。其中，該複數控制晶片中分別設有一緩衝區，且該複數控制晶片的規格相同，因此該複數控制晶片的緩衝區具有相同的儲存空間，該複數緩衝區用以儲存該微控制器3的資料。

於該第一較佳實施例，該第一控制晶片411中設置一第一緩衝區413，該第二控制晶片421中設置一第二緩衝區423，該第三控制晶片431中設置一第三緩衝區433。

參閱圖2，本發明之偵測發光模組數量的方法包括一裝置設置步驟910、一數據充填步驟920、一數量分析步驟930，及一型號分析步驟940。

於該裝置設置步驟910中，將該發光裝置4接上該微控制器3的連接端口31，以使該微控制器3可與該複數控制晶片傳輸資料，當該微控制器3與該發光裝置4電連接，該微控制器3的連接端口31與該複數發光模組的控制晶片為串接設置，實際實施時，該發裝裝置4可以中的電路可以為其他設置，再以該微控制器的控制指令進行操控，不應以此為限。

於該數據充填步驟920中，該微控制器3持續對該複數控制晶片輸出一連串位元數據，該連串位元數據由複數位元數據所組成，該複數位元數據依序填充至該複數緩衝區中，該微控制器3輸出該連串位元數據的同時進行位元數據的數量計數。

於該第一較佳實施例，該微控制器3由該輸出端311對該發光裝置4輸出該連串位元數據，該第一發光模組41的第一控制晶片411會先收到該連串位元數據，並將位元數據存入該第一緩衝區413中。當該第一緩衝區413的儲存容量未被位元數據填滿時，該第一控制晶片411不會輸出該連串位元數據。當第一緩衝區413的儲存容量被位元數據填滿時，該第一控制晶片411才會對該第二控制晶片421輸出該連串位元數據。

該第二發光模組42的第二控制晶片421收到該連串位元數據時，將該位元數據存入該第一緩衝區413中，當該第二緩衝區423的儲存容量未被位元數據填滿時，該第二控制晶片421不會輸出該連串位元數據。當第二緩衝區423的儲存容量被位元數據填滿時，該第二控制晶片421才會對該第三控制晶片431輸出該連串位元數據。

該第三發光模組43的第三控制晶片431收到該連串位元數據時將位元數據存入該第三緩衝區433中，當該第三緩衝區433的儲存容量未被位元數據填滿時，該第三控制晶片431不會輸出該連串位元數據。當第三緩衝區433的儲存容量被位元數據填滿時，該第三控制晶片431才會對該微控制器3輸出該連串位元數據。

於該數量分析步驟930中，當該複數緩衝區全部被數據填滿時，該微控制器3輸出的該連串位元數據已經輸出n個位元數據，也表示該複數緩衝區中儲存了n個位元數據，而第n+1個位元數據會回傳至該微控制器3，以使該微控制器3計算該複數發光模組的數量。

當該微控制器3收到第n+1個位元數據時，以n值計算該複數緩衝區的數量，設該複數緩衝區的數量為b，且每一緩衝區的儲存容量為m，將存入該複數緩衝區的資料量n除以該緩衝區的儲存容量m，可取得該複數發光緩衝區的數量b。

請參閱圖3，為該第一較佳實施例的時序圖，縱軸由上而下分別為，該微控制器3之輸出端311輸出的位元數據、該第一緩衝區413填充位元數據、該第二緩衝區423填充位元數據、該第三緩衝區433填充位元數據、該微控制器3的輸入端312接收的位元數據，及該微控制器3中的計數模組的運作，橫軸為該微控制器3輸出數據，及數據在該複數緩衝區的運作狀態。

其中，該微控制器3之輸出端311輸出的該連串位元數據在圖3中區分為該第一封包、第二封包、第三封包，及第四封包，且該微控制器3之計數模組對該連串位元數據的位元數據進行計數。

於該第一封包中，該微控制器3之輸出端311持續輸出位元數據，該第一控制晶片411將該位元數據存入該第一緩衝區413並鎖住位元數據的傳輸，所以該第一控制晶片411不會對該第二控制晶片421輸出位元數據，令該第二控制晶片421、該第三控制晶片431，以及該微控制器3的輸入端312不會收到位元數據。

於該第二封包中，該微控制器3之輸出端311持續輸出位元數據，該第一控制晶片411中的第一緩衝區413已存滿位元數據，該第一控制晶片411對該第二控制晶片421輸出位元數據，該第二控制晶片421將該位元數據存入該第二緩衝區423並鎖住位元數據的傳輸，因此該第二控制晶片421不會對該第三控制晶片431輸出位元數據，令該第三控制晶片431，以及該微控制器3的輸入端312不會收到位元數據。

於該第三封包中，該微控制器3之輸出端311持續輸出位元數據，該第二控制晶片421中的第二緩衝區423已存滿位元數據，該第二控制晶片421對該第三控制晶片431輸出位元數據，該第三控制晶片431將該位元數據存入該第三緩衝區433並鎖住位元數據的傳輸，因此該第三控制晶片431不會對該微控制器3輸出位元數據，令該微控制器3的輸入端312不會收到位元數據。

於該第四封包中，該微控制器3之輸出端311持續輸出位元數據，該第三控制晶片431中的第三緩衝區433已存滿位元數據，該第三控制晶片431將位元數據對該微控制器3輸出，以使該微控制器3的輸入端312收到位元數據。當該微控制器3收到一個位元數據時，該微控制器3停止接收位元數據同時停止計數並分析該複數發光模組的數量。

於該第一較佳實施例，該第一緩衝區413、該第二緩衝區423，及該第三緩衝區433的儲存容量為5個位元數據，所以m=5，該第一緩衝區413、該第二緩衝區423，及該第三緩衝區433中總共儲存了15個位元數據，所以該微控制器3的計數資料為15，而該微控制器3的輸入端312收到的位元數據是該微控制器3的輸出端311所輸出的該連串位元數據的第16個位元數據，當該微控制器3收到第16個位元數據時，將該連串位元數據的計數資料16減1就可以取得n=15，然後再利用15/5=3（n/m=b），最終可以取得該複數緩衝區的數量b為3個。

實際實施時，該微控制器3中可預存該複數緩衝區的儲存容量，當該微控制器3輸出上述儲存容量的位元數據時，計數資料+1，當該微控制器收到該發光裝的位元數據時，停止計數資料並以該計數資料作為該複數發光模組的數量。

最後於該型號分析步驟940中，該微控制器3中預存有一數量/型號比對表，該數量/型號比對表用以提供該微控制器3依據該發光模組的數量並分析出該發光裝置4的型號。舉例來說，設有3組發光模組的發光裝置4的型號為1號燈條，設有10組發光模組的發光裝置4的型號為2號燈條，設有20組發光模組的發光裝置4的型號為3號燈條。該微控制器3以3組發光模組比對出該發光裝置4的型號為1號燈條，進一步取得該發光裝置4的燈效控制指令，對該發光裝置4進行燈效控制。由於控制RGB燈效的技術為習知技術，也非本發明的重點，於此不再詳述。

在本發明之一第二較佳實施例中，於該數據充填步驟920中，該一連串位元數據中包括複數位元資料組，其中，該複數位元資料組分別為一固定值的二進制資料，且每一位元資料組的資料量與該複數緩衝區的儲存容量相同，該微控制器3輸出一連串位元數據時會對所輸出的位元資料組進行計數以取得c。

再於該數量分析步驟930中，當該微控制器3收到回傳的位元資料組為第c組，該微控制器3將計數資料c-1作為該複數緩衝區的數量為b。

請參閱圖4，為該第二較佳實施例的時序圖，縱軸由上而下分別為，該微控制器3之輸出端311輸出的位元數據組、該第一緩衝區413填充的位元數據組、該第二緩衝區423填充的位元數據組、該第三緩衝區433填充的位元數據組、該微控制器3的輸入端312接收的位元數據組並進行該發光模組的計數，橫軸為該微控制器3輸出的該連串位元數據以及對應該複數緩衝區的資料傳輸。其中，該連串位元數據具有複數位元數據組，分別為第一封包、第二封包、第三封包，及第四封包。

於該第一封包中，該微控制器3之輸出端311輸出一個位元數據組，該微控制器3對該位元數據組進行計數（c=1），該第一控制晶片411將該位元數據組存入該第一緩衝區413並鎖住該位元數據組的傳輸。

於該第二封包中，該微控制器3之輸出端311輸出一個位元數據組，該微控制器3對該位元數據組進行計數（c=2），因為該第一緩衝區413已存入一個位元數據組，因此該第一控制晶片411將該位元數據組發送至該第二控制晶片421，該第二控制晶片421將該位元數據組存入該第二緩衝區423並鎖住該位元數據組的傳輸。

於該第三封包中，該微控制器3之輸出端311輸出一個位元數據組，該微控制器3對該位元數據組進行計數（c=3），因為該第一緩衝區413與該第二緩衝區423已分別存入一個位元數據組，因此該第一控制晶片411將該位元數據組發送至該第二控制晶片421，且該第二控制晶片421將該位元數據組發送至該第三控制晶片431，該第三控制晶片431將該位元數據組存入該第三緩衝區433並鎖住該位元數據組的傳輸。

於該第四封包中，該微控制器3之輸出端311輸出一個位元數據組，該微控制器3對該位元數據組進行計數（c=4），因為該第一緩衝區413、該第二緩衝區423，及該第三緩衝區433已經分別存入一個位元數據組，因此該第一控制晶片411將該位元數據組發送至該第二控制晶片421，該第二控制晶片421將該位元數據組發送至該第三控制晶片431，該第三控制晶片431將該位元數據組發送至該微控制器3之輸入端312。

當該微控制器3之輸入端312收到該位元數據組，該微控制器3進行該複數控制模組的數量分析，以該位元數據組的計數資料減1，可以取得該複數控制模組的數量，所以4-1=3（c-1）分析出該複數控制模組的數量為3組。其中，每一位元數據組具有24個位元數據（bits），該微控制器3輸出3組位元數據組，其存入該複數緩衝區的位元數據數量為72個（n），該微控制器3收到的第1個位元數據為73個（n+1）。

參閱圖5，為本發明的一第三較佳實施例，於該數據充填步驟920中，該微控制器3具有一儲能模組32，當該微控制器3輸出一連串位元數據時會對該儲能模組32進行儲能，該儲能模組32具有一輸入電壓Vin、一電阻R、一電容C，及一電容電壓Vc，該儲能模組32與該微控制器3的輸出端311電連接，以取得該連串位元數據的電壓。

於該第三較佳實施例，該連串位元數據為穩定的方波，因此該電容C可以穩定的儲存該連串位元數據的電壓，該電容C的偵測電壓為該電容電壓Vc，該微控制器3以該電容電壓Vc分析該發光模組的數量。

配合參閱圖6，該數量分析步驟930更包含一數據溢出子步驟931，及一數據比對子步驟932。

於該數據溢出子步驟931中，當該微控制器3收到回傳的第n+1個位元數據時，同步偵測該電容電壓Vc。

於該數據比對子步驟932中，該微控制器3中預存有一電壓/發光模組數量對應表，該電壓/發光模組數量對應表用以提供該微控制器3依據所偵測的電容電壓Vc比對出該複數發光模組的數量。

請配合參閱表1，及圖7，表1為該第三較佳實施例之電壓/發光模組數量對應表，該電容C隨著充電時間所量測的電容電壓Vc，輸出數據的位元長度，該複數發光模組的數量。於圖7中，縱軸為量測的電容電壓Vc，橫軸為量測的時間（Time）。

該複數發光模組的數量越多，該電容C充電的時間越長，所偵測的電容電壓Vc也就越高，該微控制器3利用量測所得的該電容電壓Vc，可以比對出該微控制器3輸出之數據的位元長度（或是數據的輸出時間），以及該複數發光模組的數量。

Vin	Vc	位元數據長度	發光模組數量
5	1	22	1
5	2	51	2
5	3	92	4
5	4	161	7

表1

請參閱表2，最後執行該型號分析步驟940，該微控制器3中預存有一數量/型號比對表，該數量/型號比對表用以提供該微控制器3依據該發光模組的數量並分析出該發光裝置4的型號。舉例來說，如果該複數發光模組的數量為15，該微控制器3就可以判斷該發光裝置4的型號為記憶體。

發光模組數量	發光裝置型號
10	電腦風扇
12	電源供應器
15	記憶體
100	燈條

表2

由上述說明可知，本發明一種偵測發光模組數量的方法確實具有下列功效：

一、自動取得數量：

該微控制器3對該發光裝置4輸出該連串位元數據，再以接收之位元數據為基礎，自動分析並取得該發光裝置4中複數發光模組的數量。

二、輸出燈光控制指令：

當該微控制器3取得該發光裝置4中之複數發光模組的數量，就可以比對出該發光裝置4的型號，以及該發光裝置4的燈效控制指令，以使該微控制器3對該發光裝置4輸出正確的燈效控制指令。

三、可分別控制：

因為該微控制器3可自動分析出該發光裝置4的型號，及該複數發光模組的數量，該微控制器3可分別對該複數控制晶片輸出燈效控制指令，以分別控制複數發光模組的燈效。

綜上所述，該微控制器3的輸出端311可以對該發光裝置4輸出該連串位元數據，該微控制器3的輸入端312可以接收該發光裝置4返回的位元數據，並以返回的位元數據為基礎分析出該複數發光模組的數量，以進一步取得該發光裝置4的型號，以及該發光裝置4的燈效控制指令，故確實可以達成本發明之目的。

惟以上所述者，僅為本發明之三個較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

3:微控制器 31:連接端口 311:輸出端 312:輸入端 32:儲能模組 Vin:輸入電壓 C:電容 R:電阻 Vc:電容電壓 4:發光裝置 41:第一發光模組 411:第一控制晶片 412:第一發光晶粒 413:第一緩衝區 42:第二發光模組 421:第二控制晶片 422:第二發光晶粒 423:第二緩衝區 43:第三發光模組 431:第三控制晶片 432:第三發光晶粒 433:第三緩衝區 910~940:步驟 931~932:子步驟

圖1是一裝置設置示意圖，為本發明一種偵測發光模組數量的方法之一第一較佳實施例，說明一發光裝置，及一微控制器的裝置設置態樣； 圖2是一流程圖，說明於該第一較佳實施例中，該偵測發光模組數量的方法； 圖3是一時序圖，說明於該第一較佳實施例中，該微控制器輸出的位元模組，進入該發光裝置並返回該微控制器的時序； 圖4是一時序圖，為本發明一種偵測發光模組數量的方法之一第二較佳實施例，說明該微控制器輸出的位元模組進入該發光裝置並返回該微控制器的時序； 圖5是一裝置示意圖，為本發明一種偵測發光模組數量的方法之一第三較佳實施例，說明該發光裝置及該微控制器，以及該微控制器中設置一儲能模組的裝置設置態樣； 圖6是一流程圖，說明於該第三較佳實施例中，該偵測發光模組數量的方法；及 圖7是一圖表，說明於該第三較佳實施例中，該儲能模組之時間/電容電壓的圖表。

910~940:步驟

Claims (10)

1. 一種偵測發光模組數量的方法，適用於一微控制器分析一發光裝置中之複數發光模組的數量，每一發光模組具有一控制晶片，及一與該控制晶片電連接之發光晶粒，該控制晶片中設有一緩衝區，其包含下列步驟：一裝置設置步驟，將該發光裝置接上該微控制器，以使該微控制器可與該複數控制晶片傳輸資料；一數據充填步驟，該微控制器持續對該複數控制晶片輸出一連串位元數據，每個位元數據依序填充至該複數緩衝區中；及一數量分析步驟，當該複數緩衝區被填滿數據時，第n+1個位元數據會回傳至該微控制器，以使該微控制器計算該複數發光模組的數量。
2. 如請求項1所述之偵測發光模組數量的方法，其中，於該數據充填步驟中，該微控制器輸出該串位元數據的同時進行位元數據的數量計數，當該微控制器收到第n+1個位元數據時，以n值計算該複數緩衝區的數量。
3. 如請求項2所述之偵測發光模組數量的方法，其中，於該數量分析步驟中，設該複數緩衝區的數量為b，且每一緩衝區的儲存容量為m，將存入該複數緩衝區的資料量n除以該緩衝區的儲存容量m，可取得該複數緩衝區的數量b。
4. 如請求項1所述之偵測發光模組數量的方法，其中，於該數據充填步驟中，該一連串位元數據中包括複數位元資料組，且每一位元資料組的資料量與該緩衝區的儲存容量相同，該微控制器輸出一連串位元數據時會對所輸出的位元資料組進行計數以取得c，於該數量分析步驟中，當該微控制器收到回傳的第n+1個位元數據，該微控制器將計數資料c-1作為緩衝區的數量為b。
5. 如請求項1所述之偵測發光模組數量的方法，其中，於該數據充填步驟中，該微控制器具有一儲能模組，當該微控制器輸出一連串位元數據時會對該儲能模組進行儲能，該儲能模組具有一電容，該電容儲能時產生一電容電壓。
6. 如請求項5所述之偵測發光模組數量的方法，其中，該數量分析步驟更包含一數據溢出子步驟，及一數據比對子步驟。
7. 如請求項6所述之偵測發光模組數量的方法，其中，於該數據溢出子步驟中，當該微控制器收到回傳的第n+1個位元數據時，同步偵測該電容電壓。
8. 如請求項7所述之偵測發光模組數量的方法，其中，於該數據比對子步驟中，該微控制器中預存有一電壓/發光模組數量對應表，該電壓/發光模組數量對應表用以提供該微控制器依據所偵測的電容電壓比對出該複數發光模組的數量。
9. 如請求項1所述之偵測發光模組數量的方法，更包含一於該數量分析步驟後的型號分析步驟，該微控制器中預存有一數量/型號比對表，該數量/型號比對表用以提供該微控制器依據該發光模組的數量並分析出該發光裝置的型號。
10. 如請求項1所述之偵測發光模組數量的方法，其中，於該裝置設置步驟中，當該發光裝置與該微控制器電性連接時，該微控制器與該複數控制晶片為串接設置。

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