TWI791906B - 使用用於像素對準之校正迴圈之缺陷位置判定 - Google Patents

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曉春 李
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Abstract

在一半導體晶圓缺陷檢測系統處執行半導體晶圓影像對準之一方法。在該方法中，將一半導體晶圓裝載至該半導體晶圓缺陷檢測系統中。針對該半導體晶圓執行預檢測對準。在執行該預檢測對準之後，實行一第一掃描帶以產生該半導體晶圓上之一第一區之一第一影像。判定該第一影像中之一目標結構相對於一已知點之一偏移。使用該偏移針對該第一影像執行缺陷識別。在實行該第一掃描帶且判定該偏移之後，實行一第二掃描帶以產生該半導體晶圓上之一第二區之一第二影像。在實行該第二掃描帶時，使用該偏移來執行該半導體晶圓之運行時間對準。

Description

使用用於像素對準之校正迴圈之缺陷位置判定
本發明係關於用於半導體晶圓之缺陷檢測，且更明確言之，本發明係關於用於缺陷偵測之晶圓影像對準。
可藉由使用一檢測工具產生一目標晶粒之一目標影像，且從該目標影像減去一參考晶粒之一參考影像(或反之亦然)而在一半導體晶圓上識別缺陷。目標影像與參考影像之間之差異可表示缺陷。為了此缺陷識別精確，目標影像中之各自像素應對應於晶粒上之與參考影像中之各自像素相同的位置。因此，晶圓應在檢測工具中精確對準以確保目標影像與參考影像之間之像素之此對應。然而，一檢測工具中之目標與參考晶圓影像對準呈現巨大挑戰。舉例而言，檢測期間之一半導體晶圓之局部加熱可能導致晶粒大小之局部變化。此等局部變化劣化對準且藉此劣化識別缺陷位置之精確度。在另一實例中，一晶圓上之晶粒列及行與檢測工具中之晶圓卡盤之x平移及y平移台之間之任何誤對準將劣化缺陷位置識別之精確度。諸如振動之其他因素亦可能影響晶圓影像對準及因此缺陷位置識別之精確度。
圖1係展示在一半導體晶圓缺陷檢測系統中執行之一先前技術晶圓對準方法100之一流程圖。關於具有複數個晶粒308 (圖3)之一半導體晶圓300描述方法100。在方法100中，在已將晶圓300裝載至檢測系統之一晶圓卡盤上之前首先執行一預對準器步驟102。預對準器步驟102涉及定位晶圓300之晶圓凹口302及晶圓中心304。藉由定位晶圓凹口302，預對準器步驟102確保在晶圓300最初被裝載至卡盤上時，晶圓300正確地定向且晶粒軸與晶圓卡盤平移台之軸大致對準。
預對準器步驟102後接著一低放大率對準步驟104及一高放大率對準步驟106，該兩者在已將晶圓300裝載至卡盤上之後執行。低放大率對準步驟104包含粗略θ校正。通常，低放大率對準步驟104將實體上使晶圓300旋轉。高放大率對準步驟106包含精細θ校正，其比步驟104之粗略θ校正更精確。晶圓對準之低放大率步驟104及高放大率步驟106定位跨晶圓重複之兩個或兩個以上使用者選定對準目標。高放大率對準步驟106亦可包含在x方向上(即，沿晶圓300上之晶粒308之一列)計算一熱縮放因數。舉例而言，識別一列中之兩個晶粒中之各自目標結構之位置且量測目標結構之間之距離。比較量測距離與目標結構之間之預期距離，此為已知的，此係因為其基於x方向上之晶粒節距(例如，如佈局中指定)。量測距離與預期距離之間之比率提供x方向熱縮放因數。在晶圓檢測之前，在檢測程序之一設定階段期間發生低放大率晶圓對準步驟104及高放大率晶圓對準步驟106。
在檢測程序之設定階段期間，高放大率對準步驟106後接著一XY預映射步驟108，其中實行(即，執行)晶圓300上之指定預映射掃描帶(swath)，使得產生晶圓300上之對應區之影像。一「掃描帶」係晶圓300之任意長度之一窄矩形區。「掃描帶」用於指代區本身、區之影像、或擷取區之影像之動作，此取決於背景內容。(在片語「實行掃描帶」之背景內容中，術語「掃描帶」指代擷取區之影像之動作。)區之高度可對應於(例如，近似等於)用於實行掃描帶之時域積分(TDI)相機之像素高度。舉例而言，實行晶圓上半部上之一第一掃描帶306-1及晶圓下半部上之一第二掃描帶306-2。亦可實行跨晶圓中間之一掃描帶。基於預映射掃描帶之影像資料，改進x方向熱縮放因數且計算一y方向熱縮放因數。舉例而言，識別第一掃描帶306-1及第二掃描帶306-2中之晶粒中之各自目標結構之位置且量測y方向上(即，沿晶圓300上之晶粒308之一行)之目標結構之間之距離。比較量測距離與y方向上之目標結構之間之預期距離，此為已知的，此係因為其基於y方向上之晶粒節距(例如，如佈局中指定)。量測距離與預期距離之間之比率提供y方向熱縮放因數。在晶圓之隨後檢測期間可使用x方向及y方向熱縮放因數來判定晶圓上偵測之缺陷之位置。類似於晶圓對準目標，可由使用者選定預映射目標(即，預映射步驟中使用之目標結構)。預映射掃描帶影像僅用於對準；其等未用於缺陷偵測。
一旦XY預映射步驟108完成，晶圓檢測便可開始。然而，對準(例如，如藉由θ校正及/或x方向及y方向熱縮放因數指示)可能隨時間漂移，舉例而言隨著晶圓300之局部加熱改變。因此，可週期性地中斷晶圓檢測以執行還原或改良全域晶圓對準之一絕對預映射步驟110。可根據具有一指定持續時間(例如，10分鐘)之一計時器來執行絕對預映射步驟110之反覆：一旦計時器超時，便執行絕對預映射步驟110之另一反覆。接著，計時器經重設且再次開始倒計時，在此之後絕對預映射步驟110之反覆完成且晶圓檢測恢復。
在掃描帶之實行期間，在檢測晶圓時執行一運行時間對準步驟112。運行時間對準步驟112改進在XY預映射步驟108及/或絕對預映射步驟110期間判定之對準資訊。隨著掃描帶進行，即時量測連續晶粒中之等效影像區塊之間之誤對準。可使用結果來執行精細θ校正以確保水平地掃描晶圓。可亦或替代地使用結果來調整用於影像擷取之一TDI相機之計時以保持TDI相機與晶圓之水平平移同步。由於在晶圓檢測期間(即，在用於缺陷偵測之掃描帶影像之運行時間擷取期間)執行運行時間對準步驟112，因此限制可用於在運行時間對準步驟112期間判定對準資訊的時間。可使用來自XY預映射步驟108及/或絕對預映射步驟110之對準資訊來指定用於運行時間對準步驟112中之一起始點(例如，一搜尋窗)以計算對準資訊，從而允許在可用限制時間內執行運行時間對準步驟112。
一旦已實行一檢測掃描帶(即，已使用TDI相機使一對應區成像)，便執行一像素與設計對準步驟114，其中比較如在運行時間期間(即，在實行掃描帶期間)收集之各自晶粒之影像中之目標結構之位置與一已知點。在一個實例中，已知點係晶粒之佈局中之目標結構之一位置，如在指定佈局之一檔案中(例如，在一gds檔案或類似檔案中)提供。由於此比較所致計算偏移且將該等偏移連同各自檢測晶粒之各自影像一起提供至識別晶圓300上之缺陷之位置的一缺陷偵測演算法。然而，雖然像素與設計對準步驟114中計算之偏移用於缺陷偵測，但其等未用於對準步驟(例如，步驟108、110及112)之隨後反覆中。在用於缺陷偵測之相同掃描帶影像上發生步驟114中之像素與設計對準。
雖然方法100使晶圓影像對準，但由方法100提供之對準程度可能不足以精確地判定晶圓上之缺陷之位置，尤其當晶粒幾何形狀縮小時。
因此，需要用於目標-參考晶圓影像對準之經改良方法及系統。
在一些實施例中，在一半導體晶圓缺陷檢測系統處執行半導體晶圓影像對準之一方法。在該方法中，將一半導體晶圓裝載至半導體晶圓缺陷檢測系統中。針對半導體晶圓執行預檢測對準。在執行預檢測對準之後，實行一第一掃描帶以產生半導體晶圓上之一第一區之一第一影像。判定第一影像中之一目標結構相對於一已知點之一偏移。使用偏移針對第一掃描帶之第一影像執行缺陷識別。在實行第一掃描帶且判定偏移之後，實行一第二掃描帶以產生半導體晶圓上之一第二區之一第二影像。在實行第二掃描帶時，使用偏移來執行半導體晶圓之運行時間對準。
在一些實施例中，一半導體晶圓缺陷檢測系統包含一半導體晶圓檢測工具，且進一步包含一或多個處理器及儲存一或多個程式以由該一或多個處理器實行的記憶體。一或多個程式包含用於執行上文方法的指令。在一些實施例中，一非暫時性電腦可讀儲存媒體儲存一或多個程式以由一半導體晶圓缺陷檢測系統之一或多個處理器實行。一或多個程式包含用於執行上文方法的指令。
方法、半導體晶圓缺陷檢測系統及電腦可讀儲存媒體允許運用缺陷位置之高精確度判定來執行缺陷偵測。
相關申請案
本申請案主張2018年10月19日申請之標題為「Defect Location Accuracy」之美國臨時專利申請案第62/748,043號之優先權，該案之全部內容據此出於全部目的而以引用之方式併入。
現將詳細參考各項實施例，在隨附圖式中繪示各項實施例之實例。在以下詳細描述中，陳述眾多特定細節以便提供對各項所描述實施例之透徹理解。然而，一般技術者將明白，可在無此等特定細節之情況下實踐各項所描述實施例。在其他例項中，尚未詳細描述眾所周知的方法、程序、組件、電路及網路以免不必要地混淆實施例之態樣。
圖2係展示根據一些實施例之在一半導體晶圓缺陷檢測系統(例如，系統500，圖5)中對準一半導體晶圓(例如，晶圓300，圖3)之一方法200之一流程圖。方法200包含方法100之步驟102至步驟114 (圖1)。然而，將在像素與設計對準步驟114之一特定反覆中計算之偏移116前饋至絕對預映射步驟110之一隨後反覆，其使用偏移116來執行晶圓影像對準。替代地或另外，將偏移前饋至運行時間對準步驟112之一隨後反覆，其使用偏移116來執行晶圓影像對準。可使用偏移116作為用於在絕對預映射步驟110及/或運行時間對準步驟112之隨後反覆中判定對準資訊的一起始點(例如，可定義一搜尋窗)。偏移116亦被提供至識別晶圓300上之缺陷之位置之一缺陷偵測演算法且由該缺陷偵測演算法使用，與在方法100中一樣。
關於根據一些實施例之使一半導體晶圓目標與參考影像對準之一方法400進一步描述將一偏移(諸如偏移116)用於晶圓影像對準。圖4係展示在一半導體晶圓缺陷檢測系統(例如，系統500，圖5)中執行之方法400之一流程圖。在方法400中，將一半導體晶圓(例如，晶圓300，圖3)裝載(402)至半導體晶圓缺陷檢測系統中。半導體晶圓可包含具有相同設計及佈局的複數個晶粒(例如，晶粒308，圖3) (即，共用一共同設計及佈局之晶粒)。接著，針對半導體晶圓執行(404)預檢測對準(例如，預對準步驟102，圖2，在將晶圓裝載至晶圓卡盤507 (圖5)上之前；低放大率對準步驟104及/或高放大率對準步驟106，圖2，在已將晶圓裝載至晶圓卡盤507上之後)。在一些實施例中，預檢測對準包含計算(406)晶圓之中心之一位置。
半導體晶圓之檢測開始。實行(408)一第一掃描帶以產生半導體晶圓上之一第一區之一第一影像(即，產生一第一掃描帶影像)。第一掃描帶係在晶圓檢測運行時間期間實行之一檢測掃描帶且因此與預映射掃描帶相異。為允許第一影像之適當分析，判定(410)第一影像中之一目標結構相對於一已知點之一偏移(例如，PDA偏移116，圖2) (例如，在像素與設計對準步驟114中，圖2)。在一些實施例中，已知點係(412)晶圓上之晶粒之共同佈局中之目標結構之一位置，如在指定佈局之一檔案中(例如，在一gds檔案或類似檔案中)提供。目標結構可為晶粒上之許多目標結構之一者且可已基於具有用於目標識別之一所要穩健性程度(例如，滿足一臨限值之用於目標識別之一穩健性程度)而選定以供使用。在一些其他實施例中，已知點係(414)晶圓之一中心(例如，晶圓中心304，圖3，如在步驟406中計算)。
使用偏移來執行(416)針對第一影像之缺陷識別。
實行(418)一第二掃描帶以產生半導體晶圓上之一第二區之一第二影像(即，產生一第二掃描帶影像)。如同第一掃描帶，第二掃描帶係在運行時間期間實行之一檢測掃描帶且因此與預映射掃描帶相異。實行第二掃描帶可包含產生並緩衝第二區中之一第一晶粒之一影像及第二區中之一第二晶粒(例如，鄰近第一晶粒)之一影像(及根據一些實施例，亦在第二區中之額外晶粒之影像)。即使第二區比第一晶粒及第二晶粒更窄(例如，具有一更低高度)，第一晶粒及第二晶粒仍可被認為在第二區中(例如，使得實行第二掃描帶捕獲跨第一晶粒及第二晶粒之一條紋)。在實行第二掃描帶時，使用偏移來執行(420)半導體晶圓之運行時間對準(例如，在運行時間對準步驟112 (圖2)中)。
在一些實施例中，執行(420)運行時間對準包含至少部分基於偏移來判定(422)半導體晶圓之一旋轉校正因數。晶圓或其影像旋轉達對應於(例如，等於)旋轉校正因數之一數量。舉例而言，為判定(422)旋轉校正因數，識別第二區中之第一晶粒之影像中之目標結構之一位置與第二區中之第二晶粒之影像中之目標結構之一位置之間的差異。至少部分基於偏移來指定針對旋轉校正因數之一搜尋窗，且根據所識別差異在搜尋窗內執行針對旋轉校正因數之一搜尋(即，發現考量所識別差異之搜尋窗內之一旋轉校正因數)。
在一些實施例中，執行(420)運行時間對準額外地或替代地包含至少部分基於偏移來判定(424)第二區中之一晶粒之一比例因數(例如，一熱縮放因數)。比例因數指示如在執行運行時間對準時量測之晶粒之一尺寸與晶粒之一已知尺寸之間的差。根據比例因數調整用於產生影像之一TDI相機(例如，TDI相機508，圖5)之一操作速率。舉例而言，為判定比例因數，識別第二區中之第一晶粒之影像中之目標結構之一位置與第二區中之第二晶粒之影像中之目標結構之一位置之間的差異。至少部分基於偏移來指定針對比例因數之一搜尋窗，且根據所識別差異在搜尋窗內執行針對比例因數之一搜尋(即，發現考量所識別差異之搜尋窗內之一比例因數)。
可在步驟418之前或之後執行步驟416，或步驟416及418之執行可重疊。
可針對作為檢測晶圓之部分實行之連續掃描帶重複步驟408、410 (例如，包含步驟412或414)、416、418及420 (例如，包含步驟422及/或424)。舉例而言，步驟410中判定之偏移可被視為一第一偏移。相對於已知點判定第二影像(如步驟418中產生)中之目標結構之一第二偏移。使用第二偏移來執行針對第二影像之缺陷識別(例如，作為步驟416之一第二反覆)。接著，實行一第三掃描帶以產生半導體晶圓上之一第三區之一第三影像(例如，作為步驟418之一第二反覆)。在實行第三掃描帶時，使用第二偏移來執行半導體晶圓之運行時間對準(例如，作為步驟420之一第二反覆)。
方法400可包含額外步驟。在一些實施例中，在執行(404)初始預檢測對準之後且在產生(408)第一影像之前，針對半導體晶圓執行一第二預檢測對準(例如，XY預映射步驟108，圖2)。執行第二預檢測對準包含實行半導體晶圓上之指定複數個掃描帶(例如，預映射掃描帶) (包含晶圓上半部上之一掃描帶及晶圓下半部上之一掃描帶(例如，掃描帶306-1及306-2，圖3) )以檢測半導體晶圓上之指定複數個各自區，且進一步包含基於實行指定複數個掃描帶(即，基於檢測指定複數個各自區)來對準半導體晶圓。指定複數個掃描帶可能不同於步驟408及418之第一掃描帶及/或第二掃描帶。在一些實施例中，在檢測半導體晶圓期間週期性地重複(例如，基於一計時器)針對半導體晶圓之第二預檢測對準：在重新實行指定複數個掃描帶且相應地對準晶圓及/或晶圓影像(例如，執行絕對預映射步驟110)時停止檢測。可至少部分基於步驟410中判定之偏移來執行在檢測半導體晶圓期間執行之第二預檢測對準之一各自例項。舉例而言，第二預檢測對準之一特定例項可使用步驟410中判定之偏移作為一起始點(例如，偏移指定在第二預檢測對準之特定例項中使用之一搜尋窗)。
圖5係根據一些實施例之一半導體晶圓缺陷檢測系統500之一方塊圖。系統500包含一半導體晶圓檢測工具504及一相關聯電腦系統，該相關聯電腦系統包含一或多個處理器502 (例如，CPU)、使用者介面510、記憶體514、及使此等組件互連之一或多個通信匯流排503。系統500亦可包含用於與遠端電腦系統通信(例如，從遠端電腦系統擷取配方及/或將資料傳輸至遠端電腦系統)的一或多個網路介面(有線及/或無線，未展示)。
檢測工具504包含一照明源505、照明及收集光學器件506、一晶圓卡盤507、及一TDI相機508。將半導體晶圓(例如，晶圓300，圖3)裝載至晶圓卡盤507上以供檢測。照明源505產生一光束，藉由光學器件506之照明光學器件將該光束提供至晶圓卡盤507上之一半導體晶圓。光學器件506之收集光學器件收集如從晶圓表面散射開之光束且將散射光束提供至TDI相機508，該TDI相機508使散射光束成像。
使用者介面510可包含一顯示器511及一或多個輸入裝置512 (例如，一鍵盤、滑鼠、顯示器511之觸敏表面等)。顯示器511可顯示缺陷識別之結果。
記憶體514包含揮發性及/或非揮發性記憶體。記憶體514 (例如，記憶體514內之非揮發性記憶體)包含一非暫時性電腦可讀儲存媒體。記憶體514視情況包含定位成遠離處理器502之一或多個儲存裝置及/或可移除地插入至電腦系統中之一非暫時性電腦可讀儲存媒體。在一些實施例中，記憶體514 (例如，記憶體514之非暫時性電腦可讀儲存媒體)儲存以下模組及資料、或其等之一子集或超集：一作業系統516，其包含用於處置各種基本系統服務且用於執行硬體相依任務的程序；一檢測模組518；及/或一缺陷識別模組524 (例如，用於執行步驟416，圖4)。檢測模組518可包含一預檢測對準模組520 (例如，用於執行步驟102至110，圖2；步驟404，圖4)、一運行時間對準模組522 (例如，用於執行步驟112，圖2；步驟420，圖4)、一影像產生模組(即，一掃描帶實行模組) 524 (例如，用於執行步驟408及418，圖4)、及/或一偏移判定模組528 (例如，用於執行114，圖2；步驟410，圖4)。
因此，記憶體514 (例如，記憶體514之非暫時性電腦可讀儲存媒體)包含用於執行方法200及/或方法400 (圖2、圖4)之全部或一部分的指令。儲存於記憶體514中之模組之各者對應於用於執行本文中描述之一或多個功能之一指令集。單獨模組無需實施為單獨軟體程式。可組合或以其他方式重新配置模組及模組之各個子集。在一些實施例中，記憶體514儲存上文識別之模組及/或資料結構之一子集或超集。
相較於作為一結構示意圖，圖5更意欲作為一半導體晶圓缺陷檢測系統中可能存在之各種特徵之一功能描述。舉例而言，檢測工具504之組件之配置可變化(例如，以此項技術中已知之方式)。單獨展示之品項可被組合且一些品項可被分離。此外，系統500之功能性可在多個裝置之間劃分。舉例而言，儲存於記憶體514中之模組之一部分可替代地儲存於透過一或多個網路與系統500通信耦合之一或多個電腦系統中。
出於說明之目的，已參考特定實施例描述前述描述。然而，上文闡釋性論述不意欲為詳盡的或將發明申請專利範圍之範疇限於所揭示之精確形式。鑑於上文教示，許多修改及變動係可行的。選取實施例以便最佳地說明作為發明申請專利範圍及其等之實務應用之基礎之原理，以藉此使熟習此項技術者能夠最佳地使用具有如適合預期之特定使用之各種修改之實施例。
100:晶圓對準方法 102:預對準器步驟 104:低放大率對準步驟 106:高放大率對準步驟 108:XY預映射步驟 110:絕對預映射步驟 112:運行時間對準步驟 114:像素與設計對準步驟 116:偏移 200:方法 300:半導體晶圓 302:晶圓凹口 304:晶圓中心 306-1:第一掃描帶 306-2:第二掃描帶 308:晶粒 400:方法 402:步驟 404:步驟 406:步驟 408:步驟 410:步驟 412:步驟 414:步驟 416:步驟 418:步驟 420:步驟 422:步驟 424:步驟 500:半導體晶圓缺陷檢測系統 502:處理器 503:通信匯流排 504:半導體晶圓檢測工具 505:照明源 506:照明及收集光學器件 507:晶圓卡盤 508:時域積分(TDI)相機 510:使用者介面 511:顯示器 512:輸入裝置 514:記憶體 516:作業系統 518:檢測模組 520:預檢測對準模組 522:運行時間對準模組 524:缺陷識別模組/影像產生模組 528:偏移判定模組
為了更好地理解各項所描述實施例，應結合以下圖示參考下文實施方式。
圖1係展示在一半導體晶圓缺陷檢測系統中對準一半導體晶圓之一先前技術方法之一流程圖。
圖2係展示根據一些實施例之在一半導體晶圓缺陷檢測系統中對準一半導體晶圓之一方法之一流程圖。
圖3係具有複數個晶粒之一半導體晶圓之一平面圖。
圖4係展示根據一些實施例之在一半導體晶圓缺陷檢測系統中對準一半導體晶圓之一方法之一流程圖。
圖5係根據一些實施例之一半導體晶圓缺陷檢測系統之一方塊圖。
貫穿圖式及說明書，相同元件符號係指對應部分。
500:半導體晶圓缺陷檢測系統
502:處理器
503:通信匯流排
504:半導體晶圓檢測工具
505:照明源
506:照明及收集光學器件
507:晶圓卡盤
508:時域積分(TDI)相機
510:使用者介面
511:顯示器
512:輸入裝置
514:記憶體
516:作業系統
518:檢測模組
520:預檢測對準模組
522:運行時間對準模組
524:缺陷識別模組/影像產生模組
528:偏移判定模組

Claims (16)

  1. 一種半導體晶圓缺陷檢測系統，其包括： 一半導體晶圓檢測工具； 一或多個處理器；及 記憶體，其儲存一或多個程式以由該一或多個處理器實行，該一或多個程式包括用於以下項之指令： 針對一半導體晶圓執行預檢測對準； 在執行該預檢測對準之後，實行一第一掃描帶以產生該半導體晶圓上之一第一區之一第一影像； 判定該第一影像中之一目標結構相對於一已知點之一偏移； 使用該偏移針對該第一影像執行缺陷識別； 在實行該第一掃描帶且判定該偏移之後，實行一第二掃描帶以產生該半導體晶圓上之一第二區之一第二影像；且 在實行該第二掃描帶時，使用該偏移來執行該半導體晶圓之運行時間對準。
  2. 如請求項1之系統，其中： 該半導體晶圓包括具有一共同佈局的複數個晶粒；且 該已知點係該共同佈局中之該目標結構之一位置，其中在指定該佈局之一檔案中提供該共同佈局中之該目標結構之該位置。
  3. 如請求項1之系統，其中該已知點係該晶圓之一中心。
  4. 如請求項3之系統，其中用於執行該預檢測對準之該等指令包括用於計算該晶圓之該中心之一位置的指令。
  5. 如請求項1之系統，其中用於使用該偏移來執行該半導體晶圓之運行時間對準的該等指令包括用於以下項之指令： 至少部分基於該偏移來判定該半導體晶圓之一旋轉校正因數；且 使該晶圓或該晶圓之一影像旋轉達對應於該旋轉校正因數之一數量。
  6. 如請求項5之系統，其中： 用於實行該第二掃描帶之該等指令包括用於產生並緩衝該第二區中之一第一晶粒之一影像及該第二區中之一第二晶粒之一影像的指令；且 用於判定該半導體晶圓之該旋轉校正因數之該等指令包括用於以下項之指令： 識別該第二區中之該第一晶粒之該影像中之該目標結構之一位置與該第二區中之該第二晶粒之該影像中之該目標結構之一位置之間的一差異； 至少部分基於該偏移來指定針對該旋轉校正因數之一搜尋窗；且 根據該所識別差異在該搜尋窗內搜尋該旋轉校正因數。
  7. 如請求項6之系統，其中該第一晶粒鄰近該第二掃描帶中之該第二晶粒。
  8. 如請求項1之系統，其中： 該半導體晶圓缺陷檢測系統包括一時域積分(TDI)相機； 用於實行該第一掃描帶及該第二掃描帶之該等指令包括用於使用該TDI相機來產生該第一影像及該第二影像的指令；且 用於使用該偏移來執行該半導體晶圓之運行時間對準的該等指令包括用於以下項之指令： 至少部分基於該偏移來判定該第二區中之一晶粒之一比例因數，其中該比例因數指示如在執行該運行時間對準時量測之該晶粒之一尺寸與該晶粒之一已知尺寸之間的一差；且 根據該比例因數來調整該TDI相機之一操作速率。
  9. 如請求項8之系統，其中： 用於實行該第二掃描帶之該等指令包括用於產生並緩衝該第二區中之一第一晶粒之一影像及該第二區中之一第二晶粒之一影像的指令；且 用於判定該比例因數之該等指令包括用於以下項之指令： 識別該第二區中之該第一晶粒之該影像中之該目標結構之一位置與該第二區中之該第二晶粒之該影像中之該目標結構之一位置之間的一差； 至少部分基於該偏移來指定針對該比例因數之一搜尋窗；且 根據該所識別差異在該搜尋窗內搜尋該比例因數。
  10. 如請求項9之系統，其中該第一晶粒鄰近該第二區中之該第二晶粒。
  11. 如請求項1之系統，其中該一或多個程式進一步包括用於在執行該初始預檢測對準之後且在產生該第一影像之前針對該半導體晶圓執行一第二預檢測對準的指令，用於執行該第二預檢測對準之該等指令包括用於以下項之指令： 實行指定複數個掃描帶以檢測該半導體晶圓上之指定複數個各自區，該指定複數個掃描帶包括待在該晶圓之一上半部上實行之一第一掃描帶及待在該晶圓之一下半部上實行之一第二掃描帶；且 基於該指定複數個掃描帶之該實行來對準該半導體晶圓。
  12. 如請求項11之系統，該一或多個程式進一步包括用於在檢測該半導體晶圓期間針對該半導體晶圓週期性地重複該第二預檢測對準的指令，其中將至少部分基於該偏移來執行在檢測該半導體晶圓期間執行之該第二預檢測對準之一各自例項。
  13. 如請求項11之系統，其中該第二掃描帶與該指定複數個掃描帶相異。
  14. 如請求項1之系統，其中該偏移係一第一偏移，該一或多個程式進一步包括用於以下項之指令： 判定該第二影像中之該目標結構相對於該已知點之一第二偏移； 使用該第二偏移針對該第二影像執行缺陷識別； 在實行該第二掃描帶且判定該第二偏移之後，實行一第三掃描帶以產生該半導體晶圓上之一第三區之一第三影像；且 在實行該第三掃描帶時，使用該第二偏移來執行該半導體晶圓之運行時間對準。
  15. 一種半導體晶圓影像對準之方法，該方法包括在一半導體晶圓缺陷檢測系統處： 將一半導體晶圓裝載至該半導體晶圓缺陷檢測系統中； 針對該半導體晶圓執行預檢測對準； 在執行該預檢測對準之後，實行一第一掃描帶以產生該半導體晶圓上之一第一區之一第一影像； 判定該第一影像中之一目標結構相對於一已知點之一偏移； 使用該偏移針對該第一影像執行缺陷識別； 在實行該第一掃描帶且判定該偏移之後，實行一第二掃描帶以產生該半導體晶圓上之一第二區之一第二影像；及 在實行一第二掃描帶時，使用該偏移來執行該半導體晶圓之運行時間對準。
  16. 一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其儲存一或多個程式以由一半導體晶圓缺陷檢測系統之一或多個處理器實行，該一或多個程式包括用於以下項之指令： 針對一半導體晶圓執行預檢測對準； 在執行該預檢測對準之後，實行一第一掃描帶以產生該半導體晶圓上之一第一區之一第一影像； 判定該第一影像中之一目標結構相對於一已知點之一偏移； 使用該偏移針對該第一影像執行缺陷識別； 在實行該第一掃描帶且判定該偏移之後，實行一第二掃描帶以產生該半導體晶圓上之一第二區之一第二影像；且 在實行該第二掃描帶時，使用該偏移來執行該半導體晶圓之運行時間對準。
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