TWI791342B - 異質整合半導體封裝結構 - Google Patents

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Abstract

一種異質整合半導體封裝結構，包括一散熱組件、多個晶片、一封裝組件、多個連接件以及一電路基板。散熱組件具有一連接面，且包括一兩相流散熱元件以及內埋於連接面的一第一重分佈線路結構層。晶片配置於散熱組件的連接面，且與第一重分佈線路結構層電性連接。封裝組件包圍晶片的周圍，且包括配置於一下表面的一第二重分佈線路結構層以及電性連接第一重分佈線路結構層與第二重分佈線路結構層的多個導電通孔。連接件配置於封裝組件上，且電性連接第二重分佈線路結構層。電路基板透過連接件與封裝組件的第二重分佈線路結構層電性連接。

Description

異質整合半導體封裝結構
本發明是有關於一種封裝結構，且特別是有關於一種異質整合半導體封裝結構。
隨著人工智能(Artificial Intelligence,AI)高算力時代的來臨，高性能運算(High Performance Computing,HPC)異質整合封裝模組均面臨高發熱密度(power density)，或者是，大面積但具有高功耗(power dissipation)的散熱設計需求。目前的封裝架構是晶片以主動面朝下的方式組裝於重分佈線路結構層上，封裝膠體密封晶片並覆蓋晶片的背面，且重分佈線路結構層透過焊球與電路基板電性連接。因此，在目前的封裝架構下，內熱阻頗高，且晶片主動面朝下的傳熱能力不足，明顯抬升了晶片溫度。此外，當外接散熱模組時，外接散熱模組與晶片的背面之間被封裝膠體隔開，因而使得晶片所產生的熱無法均勻的傳遞至外接散熱模組，也侷限了外接散熱模組的散熱能力。
本發明提供一種異質整合半導體封裝結構，其具有提升散熱的效果。
本發明的異質整合半導體封裝結構，其包括一散熱組件、多個晶片、一封裝組件、多個連接件以及一電路基板。散熱組件具有一連接面，且包括一兩相流散熱元件以及內埋於連接面的一第一重分佈線路結構層。晶片配置於散熱組件的連接面，且與第一重分佈線路結構層電性連接。封裝組件配置於散熱組件的連接面，且包圍晶片的周圍。封裝組件具有鄰近連接面的一上表面以及相對於上表面的一下表面，且包括配置於下表面的一第二重分佈線路結構層以及電性連接第一重分佈線路結構層與第二重分佈線路結構層的多個導電通孔。連接件配置於封裝組件上，且電性連接第二重分佈線路結構層。電路基板透過連接件與封裝組件的第二重分佈線路結構層電性連接。
基於上述，在本發明的異質整合半導體封裝結構的設計中，晶片連接至具有兩相流散熱元件的散熱組件上，因此可利用高效均溫熱擴散機制，來提升外接散熱模組的散熱效能。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10、100a、100b、100c、100d、100e、100f:異質整合半導體封裝結構
20、120:晶片
21、123:背面
30:銅片
40:封裝體
110:散熱組件
111:連接面
112:兩相流散熱元件
114:第一重分佈線路結構層
121:主動面
125:焊球
127:第一焊球
129:第二焊球
130a、130b:封裝組件
131:上表面
132:導電通孔
132a:一端
133:下表面
134:第二重分佈線路結構層
135:表面
136a:封裝件
136b:蓋體
137:凹槽
138:底面
140:連接件
150:電路基板
160:熱傳導塊
170、175:導熱元件
180:導熱組件
A:空氣間隙
S1、S2、S3:間距
圖1是依照本發明的一實施例的一種異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。
圖2A至圖2D繪示為圖1異質整合半導體封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。
圖3是依照本發明的另一實施例的一種異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。
圖4A至圖4D繪示為圖3異質整合半導體封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。
圖5是依照本發明的另一實施例的一種異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。
圖6是依照本發明的另一實施例的一種異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。
圖7A至圖7B繪示為圖6異質整合半導體封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。
圖8是依照本發明的另一實施例的一種異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。
圖9A至圖9B繪示為圖8異質整合半導體封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。
圖10是依照本發明的另一實施例的一種異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。
圖11是現有技術的異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。
圖1是依照本發明的一實施例的一種異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。圖2A至圖2D繪示為圖1異質整合半導體封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。
本發明異質整合半導體封裝結構的發明精神亦適用於一般半導體封裝結構設計。請先參考圖1，在本實施例中，異質整合半導體封裝結構100a包括一散熱組件110、多個晶片120、一封裝組件130a、多個連接件140以及一電路基板150。散熱組件110具有一連接面111，且包括一兩相流散熱元件112以及內埋於連接面111的一第一重分佈線路結構層114。晶片120配置於散熱組件110的連接面111，且與第一重分佈線路結構層114電性連接。封裝組件130a配置於散熱組件110的連接面111，且包圍晶片120的周圍。封裝組件130a具有鄰近連接面111的一上表面131以及相對於上表面131的一下表面133，且包括配置於下表面133的一第二重分佈線路結構層134以及電性連接第一重分佈線路結構層114與第二重分佈線路結構層134的多個導電通孔132。連接件140配置於封裝組件130a上，且電性連接第二重分佈線路結構層134。電路基板150透過連接件140與封裝組件130a的第二重分佈線路結構層134電性連接。
詳細來說，本實施例的散熱組件110的兩相流散熱元件112例如是均溫板(Vapor Chamber,VC)、脈衝式熱管(Pulsating Heat Pipe,PHP)、迴路式熱管(Loop Heat Pipe,LHP)或主動式兩相流微流道元件。晶片120連接至具有兩相流散熱元件112的散熱組件110上，因此可利用高效均溫熱擴散機制，來提升外接散熱模組的散熱效能。再者，本實施例的每一晶片120具有彼此相對的一主動面121以及一背面123，其中晶片120是以主動面121朝向散熱組件110的連接面111。每一晶片120的背面123與第二重分佈線路結構層134之間具有一間距S1。如圖1所示，本實施例的異質整合半導體封裝結構100a還包括多個焊球125，其中焊球125配置於晶片120與第一重分佈線路結構層114之間，且晶片120是透過焊球125與第一重分佈線路結構層114電性連接。
此外，本實施例的封裝組件130a還包括一封裝件136a，其中封裝件136a包覆晶片120的周圍以及導電通孔132的周圍，且連接第一重分佈線路結構層114與第二重分佈線路結構層134，並填充於焊球125以及晶片120之間。此處，封裝件136a的材質例如為一高分子材料，如環氧樹脂，而導電通孔132例如是模塑通孔(through molding via,TMV)，但不以此為限。於一實施例中，散熱組件110的邊緣可切齊於或略大於或小於該封裝組件130a的邊緣。連接件140例如是多個焊球，但不以此為限。
在異質整合半導體封裝結構100a的製作上，首先，請參考圖2A，提供散熱組件110，其中散熱組件110包括兩相流散熱元件112以及內埋於連接面111的第一重分佈線路結構層114。也就是說，本實施例的散熱組件110具有線路結構(即第一重分佈 線路結構層114)的設計。
接著，請參考圖2B，配置晶片120於散熱組件110的連接面111上，其中晶片120透過焊球125與散熱組件110的第一重分佈線路結構層114電性連接。此處，第一重分佈線路結構層114的分佈面積大於晶片120的配置區域，因此第一重分佈線路結構層114可視為是一種扇出線路。
接著，請參考圖2C，形成封裝組件130a於晶片120與散熱組件110的連接面111上，其中封裝組件130a包括導電通孔132、第二重分佈線路結構層134以及封裝件136a。導電通孔132位於第一重分佈線路結構層114與第二重分佈線路結構層134之間，且導電通孔132電性連接第一重分佈線路結構層114與第二重分佈線路結構層134。第二重分佈線路結構層134配置於封裝組件130a的下表面133上，且結構性及電性連接導電通孔132。封裝件136a包覆晶片120的周圍以及導電通孔132的周圍，且連接第一重分佈線路結構層114與第二重分佈線路結構層134，並填充於焊球125以及晶片120之間。此處，封裝件136a的材質例如為一高分子材料，而導電通孔132例如是模塑通孔(through molding via,TMV)，但不以此為限。
之後，請參考圖2D，翻轉上述圖2C的結構，且形成連接件140於封裝組件130a的下表面133上，其中連接件140位於第二重分佈線路結構層134上，且連接件140與第二重分佈線路結構層134電性連接。此處，連接件140例如是焊球。
最後，請參考圖1，提供電路基板150，其中電路基板150透過連接件140與第二重分佈線路結構層134電性連接。至此，已完成異質整合半導體封裝結構100a的製作。
簡言之，在本實施例的異質整合半導體封裝結構100a的設計中，晶片120以主動面121朝上的方式連接至具有兩相流散熱元件112的散熱組件110上，因此可利用高效均溫熱擴散機制，來提升外接散熱模組的散熱效能。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖3是依照本發明的另一實施例的一種異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。圖4A至圖4D繪示為圖3異質整合半導體封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。
請先參考圖1以及圖3，本實施例的異質整合半導體封裝結構100b與圖1的異質整合半導體封裝結構100a相似，兩者的差異在於：在本實施例中，異質整合半導體封裝結構100b還包括多個熱傳導塊160以及一導熱元件170。熱傳導塊160配置於散熱組件110的連接面111，且環繞晶片120的周圍與焊球125的周圍，並連接至第一重分佈線路結構層114。此處，熱傳導塊160的材質例如是高導熱材料，可透過黏合、焊接或錫球連接至第一重分佈線路結構層114。於一實施例中，熱傳導塊160上可製作溫度感 測電路，用以量測溫度。導熱元件170接觸熱傳導塊160以及晶片120的背面123，其中導熱元件170與第二重分佈線路結構層134之間具有一間距S2。晶片120與熱傳導塊160位於導熱元件170與散熱組件110之間，而封裝件130a更包覆熱傳導塊160的周圍以及導熱元件170的周圍。此處，導熱元件170例如是一矽基板、一石墨片、一金屬板、一均溫板、一脈衝式熱管或一迴路式熱管。
在製作上，本實施例的異質整合半導體封裝結構100b的製作方法與上述的異質整合半導體封裝結構100a的製作方法相似，兩者的差異在於：於圖2B的步驟之後，即配置晶片120於散熱組件110的連接面111上之後，請參考圖4A，形成熱傳導塊160於散熱組件110的連接面111上，其中熱傳導塊160環繞晶片120的周圍與焊球125的周圍，並連接至第一重分佈線路結構層114。
接著，請參考圖4B，提供導熱元件170以接觸熱傳導塊160以及晶片120的背面123，其中晶片120與熱傳導塊160位於導熱元件170與散熱組件110之間。
接著，請參考圖4C，形成封裝組件130a於晶片120與散熱組件110的連接面111上，其中封裝組件130a包括導電通孔132、第二重分佈線路結構層134以及封裝件136a。導電通孔132電性連接第一重分佈線路結構層114與第二重分佈線路結構層134。第二重分佈線路結構層134配置於封裝組件130a的下表面133上。封裝件136a包覆晶片120的周圍、導電通孔132的周圍、熱傳導 塊160的周圍以及導熱元件170的周圍，且連接第一重分佈線路結構層114與第二重分佈線路結構層134，並填充於焊球125以及晶片120之間。
之後，請參考圖4D，翻轉圖4C的結構，且形成連接件140於封裝組件130a的第二重分佈線路結構層134上，其中連接件140與第二重分佈線路結構層134電性連接。
最後，請參考圖3，提供電路基板150，其中電路基板150透過連接件140與第二重分佈線路結構層134電性連接。至此，已完成異質整合半導體封裝結構100b的製作。
簡言之，在本實施例的異質整合半導體封裝結構100b的設計中，晶片120以主動面121朝上的方式連接至具有兩相流散熱元件112的散熱組件110上，因此可利用高效均溫熱擴散機制，來提升外接散熱模組的散熱效能。再者，由於設置了熱傳導塊160，因此可利用導熱結構來提升外接散熱模組的散熱量。此外，由於設置了導熱元件170，因此可利用高效均溫熱擴散機制，來可有效地降低異質整合半導體封裝結構100b的內熱阻值。
圖5是依照本發明的另一實施例的一種異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。請同時參考圖3以及圖5，本實施例的異質整合半導體封裝結構100c與圖3的異質整合半導體封裝結構100b相似，兩者的差異在於：在本實施例中，異質整合半導體封裝結構100c還包括一導熱組件180，內埋於電路基板150。此處，導熱組件180例如是一均溫板、一脈衝式熱管、一迴路式熱管或 一液冷微流道。
由於本實施例的異質整合半導體封裝結構100c在封裝組件130a內設置了導熱元件170以及在電路基板150內設置了導熱組件180，因此可利用高效均溫熱擴散機制，來可有效地降低異質整合半導體封裝結構100c的內熱阻值，進而提升異質整合半導體封裝結構100c的散熱效果。
圖6是依照本發明的另一實施例的一種異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。圖7A至圖7B繪示為圖6異質整合半導體封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。請先參考圖1以及圖6，本實施例的異質整合半導體封裝結構100d與圖1的異質整合半導體封裝結構100a相似，兩者的差異在於：在本實施例中，封裝組件130b的材質與結構設計不同於上述的封裝組件130a的材質與結構設計。
詳細來說，在本實施例中，封裝組件130b除了包括導電通孔132以及第二重分佈線路結構層134之外，封裝組件130b還包括一蓋體136b，其中蓋體136b具有一凹槽137，且晶片120位於凹槽137內。如圖6所示，散熱組件110的連接面111至凹槽137的一底面138之間具有一空氣間隙A。於一實施例中，晶片120與凹槽137的底面138具有間隙，即沒有接觸。於另一實施例中，晶片120亦可直接接觸凹槽137的底面138。導電通孔132與第二重分佈線路結構層134內埋於蓋體136b內，且每一導電通孔132的一端132a以及第二重分佈線路結構層134的一表面135暴 露於蓋體136b外。此處，蓋體136b的材質例如為矽，而導電通孔132例如是為多個矽穿孔(Through Silicon Via,TSV)。
此外，本實施例的異質整合半導體封裝結構100d還包括多個第一焊球127以及多個第二焊球129。第一焊球127配置於晶片120與第一重分佈線路結構層114之間，其中晶片120透過第一焊球127與第一重分佈線路結構層114電性連接。第二焊球129配置於封裝組件130b的上表面131與第一重分佈線路結構層114之間。導電通孔132透過第二焊球129與第一重分佈線路結構層114電性連接。
在製作上，本實施例的異質整合半導體封裝結構100d的製作方法與上述的異質整合半導體封裝結構100a的製作方法相似，兩者的差異在於：於圖2B的步驟之後，即配置晶片120於散熱組件110的連接面111上之後，請參考圖7A，提供封裝組件130b於晶片120與散熱組件110的連接面111上，其中封裝組件130b包括導電通孔132、第二重分佈線路結構層134以及蓋體136b。蓋體136b具有一凹槽137，且晶片120位於凹槽137內。導電通孔132與第二重分佈線路結構層134內埋於蓋體136b內，且每一導電通孔132的一端132a以及第二重分佈線路結構層134的表面135暴露於蓋體136b外。
接著，請再參考圖7A，形成第一焊球127以及第二焊球129。第一焊球127形成於晶片120與第一重分佈線路結構層114之間，其中晶片120透過第一焊球127與第一重分佈線路結構層 114電性連接。第二焊球129形成於封裝組件130b的上表面131與第一重分佈線路結構層114之間。導電通孔132透過第二焊球129與第一重分佈線路結構層114電性連接。
之後，請參考圖7B，翻轉上述圖7A的結構，且形成連接件140於封裝組件130b的第二重分佈線路結構層134上，其中連接件140與第二重分佈線路結構層134電性連接。
最後，請參考圖6，提供電路基板150，其中電路基板150透過連接件140與第二重分佈線路結構層134電性連接。至此，已完成異質整合半導體封裝結構100d的製作。
簡言之，在本實施例的異質整合半導體封裝結構100d的設計中，晶片120以主動面121朝上的方式連接至具有兩相流散熱元件112的散熱組件110上，且可透過直接接觸矽材質的蓋體136b(其相較傳統模塑高分子材料的熱傳特性佳)，以有效地降低異質整合半導體封裝結構100d的內熱阻值，因此可利用高效均溫熱擴散機制，來提升外接散熱模組的散熱效能。
圖8是依照本發明的另一實施例的一種異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。圖9A至圖9B繪示為圖8異質整合半導體封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。請先參考圖6以及圖8，本實施例的異質整合半導體封裝結構100e與圖6的異質整合半導體封裝結構100d相似，兩者的差異在於：在本實施例中，異質整合半導體封裝結構100e還包括一導熱元件175，內埋於封裝組件130b的蓋體136b內，且對應晶片120設置，其中導熱元 件175與晶片120之間具有一間距S3。此處，導熱元件175例如是一均溫板、一脈衝式熱管或一迴路式熱管。
在製作上，本實施例的異質整合半導體封裝結構100e的製作方法與上述的異質整合半導體封裝結構100d的製作方法相似，兩者的差異在於：於圖7A的步驟的同時，即提供封裝組件130b於晶片120與散熱組件110的連接面111上的同時，請參考圖9A，內埋導熱元件175於蓋體136b內，其中導熱元件175對應晶片120設置。
接著，請再參考圖9A，形成第一焊球127以及第二焊球129。第一焊球127形成於晶片120與第一重分佈線路結構層114之間，其中晶片120透過第一焊球127與第一重分佈線路結構層114電性連接。第二焊球129形成於封裝組件130b的上表面131與第一重分佈線路結構層114之間。導電通孔132透過第二焊球129與第一重分佈線路結構層114電性連接。
之後，請參考圖9B，翻轉上述圖9B的結構，且形成連接件140於封裝組件130b的第二重分佈線路結構層134上，其中連接件140與第二重分佈線路結構層134電性連接。
最後，請參考圖8，提供電路基板150，其中電路基板150透過連接件140與第二重分佈線路結構層134電性連接。至此，已完成異質整合半導體封裝結構100e的製作。
簡言之，在本實施例的異質整合半導體封裝結構100e的設計中，晶片120以主動面121朝上的方式連接至具有兩相流散 熱元件112的散熱組件110上，因此可利用高效均溫熱擴散機制，來提升外接散熱模組的散熱效能。此外，由於異質整合半導體封裝結構100e在封裝組件130b的蓋體136b中內埋了導熱元件175，因此可利用高效均溫熱擴散機制，來可有效地降低異質整合半導體封裝結構100e的內熱阻值。
圖10是依照本發明的另一實施例的一種異質整合半導體封裝結構的剖面示意圖。請同時參考圖8以及圖10，本實施例的異質整合半導體封裝結構100f與圖8的異質整合半導體封裝結構100e相似，兩者的差異在於：在本實施例中，異質整合半導體封裝結構100f還包括一導熱組件180，內埋於電路基板150。此處，導熱組件180例如是一均溫板、一脈衝式熱管、一迴路式熱管或一液冷微流道。
由於本實施例的異質整合半導體封裝結構100f在封裝組件130b內設置了導熱元件175以及在電路基板150內設置了導熱組件180，因此可利用高效均溫熱擴散機制，來可有效地降低異質整合半導體封裝結構100f的內熱阻值，進而提升異質整合半導體封裝結構100f的散熱效果。
請同時參考圖5、圖10以及圖11，為了明確地說明本實施例的圖5中的異質整合半導體封裝結構100c以及圖10中異質整合半導體封裝結構100f優於圖11中現有技術的異質整合半導體封裝結構10，使用ANSYS Icepak 17.2進行熱傳模擬分析。模擬的邊界條件1：h=1040W/m2K@面積8×8cm2(模擬典型的氣冷 散熱模組)，其Rca=0.15℃/W；邊界條件2：h=100W/m2K@面積12×12cm2(模擬典型的機殼內氣流散熱)。於每一異質整合半導體封裝結構中，有四顆晶片，且每顆發熱100W，面積1×1cm2，厚度0.3毫米。四顆晶片以2×2陣列排列，因此總發熱面積為2.1×2.1cm2，總發熱量400W。
更進一步來說，圖11現有技術的異質整合半導體封裝結構10於晶片20的背面21直接外接銅片30，其中銅片30的長寬尺寸與異質整合半導體封裝結構封裝體40的大小相同，其中銅片30的長度、寬度及高度分別為80毫米、80毫米及1.5毫米。圖5中的異質整合半導體封裝結構100c的兩相流散熱元件112具體化為矽均溫板，其長度、寬度及高度分別為80毫米、80毫米及1.5毫米；導熱元件170具體化為銅片，其長度、寬度及高度分別為46毫米、46毫米及1.0毫米；而導熱組件180具體化為銅均溫板，其長度、寬度及高度分別為90毫米、90毫米及0.4毫米。圖10中的異質整合半導體封裝結構100f的兩相流散熱元件112具體化為矽均溫板，其長度、寬度及高度分別為80毫米、80毫米及1.5毫米；導熱元件175具體化為矽均溫板之蒸汽腔室，其長度、寬度及高度分別為60毫米、60毫米及0.6毫米；而導熱組件180具體化為銅均溫板，其長度、寬度及高度分別為90毫米、90毫米及0.4毫米。
模擬結果如下：表一
Figure 110144569-A0305-02-0019-1
假設晶片20、120的最高溫度不得超過100℃，則異質整合半導體封裝結構10、100c、100f的最大容許散熱能力如下：
Figure 110144569-A0305-02-0019-2
由上述的模擬結果可得知，本實施例的異質整合半導體封裝結構100c及異質整合半導體封裝結構100f具有性能至少提升50%的能力，具有較佳的散熱效果。
綜上所述，在本發明的異質整合半導體封裝結構的設計 中，晶片連接至具有兩相流散熱元件的散熱組件上，因此可利用高效均溫熱擴散機制，來提升外接散熱模組的散熱效能。此外，在封裝組件內可設置了導熱元件及/或在電路基板內設置了導熱組件，因此可利用高效均溫熱擴散機制，來可有效地降低異質整合半導體封裝結構的內熱阻值，進而提升異質整合半導體封裝結構的散熱效果。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100a:異質整合半導體封裝結構
110:散熱組件
111:連接面
112:兩相流散熱元件
114:第一重分佈線路結構層
120:晶片
121:主動面
123:背面
125:焊球
130a:封裝組件
131:上表面
132:導電通孔
133:下表面
134:第二重分佈線路結構層
136a:封裝件
140:連接件
150:電路基板
S1:間距

Claims (20)

  1. 一種異質整合半導體封裝結構，包括： 一散熱組件，具有一連接面，且包括一兩相流散熱元件以及內埋於該連接面的一第一重分佈線路結構層； 多個晶片，配置於該散熱組件的該連接面，且與該第一重分佈線路結構層電性連接； 一封裝組件，配置於該散熱組件的該連接面，且包圍該些晶片的周圍，該封裝組件具有鄰近該連接面的一上表面以及相對於該上表面的一下表面，且包括配置於該下表面的一第二重分佈線路結構層以及電性連接該第一重分佈線路結構層與該第二重分佈線路結構層的多個導電通孔； 多個連接件，配置於該封裝組件上，且電性連接該第二重分佈線路結構層；以及 一電路基板，透過該些連接件與該封裝組件的該第二重分佈線路結構層電性連接。
  2. 如請求項1所述的異質整合半導體封裝結構，其中各該晶片具有彼此相對的一主動面以及一背面，且該主動面朝向該散熱組件的該連接面。
  3. 如請求項2所述的異質整合半導體封裝結構，其中各該晶片的該背面與該第二重分佈線路結構層之間具有一間距。
  4. 如請求項1所述的異質整合半導體封裝結構，更包括： 多個焊球，配置於該些晶片與該第一重分佈線路結構層之間，其中該些晶片透過該些焊球與該第一重分佈線路結構層電性連接。
  5. 如請求項4所述的異質整合半導體封裝結構，其中該封裝組件更包括一封裝件，包覆該些晶片的周圍以及該些導電通孔的周圍，且連接該第一重分佈線路結構層與該第二重分佈線路結構層，並填充於該些焊球以及該些晶片之間。
  6. 如請求項5所述的異質整合半導體封裝結構，其中該封裝件的材質為一高分子材料。
  7. 如請求項5所述的異質整合半導體封裝結構，更包括： 多個熱傳導塊，配置於該散熱組件的該連接面，且環繞該些晶片的周圍與該些焊球的周圍，並連接至該第一重分佈線路結構層；以及 一導熱元件，接觸該些熱傳導塊以及該些晶片，其中該些晶片與該些熱傳導塊位於該導熱元件與該散熱組件之間，而該封裝件更包覆該些熱傳導塊的周圍以及該導熱元件的周圍。
  8. 如請求項7所述的異質整合半導體封裝結構，其中該導熱元件與該第二重分佈線路結構層之間具有一間距。
  9. 如請求項7所述的異質整合半導體封裝結構，其中該導熱元件包括一矽基板、一石墨片、一金屬板、一均溫板、一脈衝式熱管或一迴路式熱管。
  10. 如請求項1所述的異質整合半導體封裝結構，其中該封裝組件包括一蓋體，具有一凹槽，且該些晶片位於該凹槽內，而該些導電通孔與該第二重分佈線路結構層內埋於該蓋體內，且各該導電通孔的一端以及該第二重分佈線路結構層的一表面暴露於該蓋體外。
  11. 如請求項10所述的異質整合半導體封裝結構，其中該蓋體的材質為矽，而該些導電通孔為多個矽穿孔。
  12. 如請求項10所述的異質整合半導體封裝結構，其中該散熱組件的該連接面至該凹槽的一底面之間具有一空氣間隙。
  13. 如請求項10所述的異質整合半導體封裝結構，更包括： 多個第一焊球，配置於該些晶片與該第一重分佈線路結構層之間，其中該些晶片透過該些第一焊球與該第一重分佈線路結構層電性連接；以及 多個第二焊球，配置於該些封裝組件的該上表面與該第一重分佈線路結構層之間，其中該些導電通孔透過該些第二焊球與該第一重分佈線路結構層電性連接。
  14. 如請求項10所述的異質整合半導體封裝結構，更包括： 一導熱元件，內埋於該蓋體內，且對應該些晶片設置，其中該導熱元件與該些晶片之間具有一間距。
  15. 如請求項14所述的異質整合半導體封裝結構，其中該導熱元件包括一均溫板、一脈衝式熱管或一迴路式熱管。
  16. 如請求項1所述的異質整合半導體封裝結構，更包括： 一導熱組件，內埋於該電路基板。
  17. 如請求項16所述的異質整合半導體封裝結構，其中該導熱組件包括一均溫板、一脈衝式熱管、一迴路式熱管或一液冷微流道。
  18. 如請求項1所述的異質整合半導體封裝結構，其中該兩相流散熱元件包括一均溫板、一脈衝式熱管或一迴路式熱管。
  19. 如請求項1所述的異質整合半導體封裝結構，其中該些連接件包括多個焊球。
  20. 如請求項1所述的異質整合半導體封裝結構，其中該散熱組件的邊緣切齊於、略大於或小於該封裝組件的邊緣。
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