TWI790703B - 托盤及其金屬有機化學氣相沉積反應器 - Google Patents

Abstract

一種托盤以及金屬有機化學氣相沉積反應器，其中，所述托盤，可沿其中心軸轉動，具有第一托盤面和設於所述第一托盤面外圍的第二托盤面，所述第二托盤面高於第一托盤面，所述第一托盤面內設有一凹陷於所述第一托盤面的基片槽，每個所述基片槽內設置複數個支撑台，所述支撑台用於支撑所處理基片金屬有機化學氣相沉積反應器能防止飛片提高波長和溫度的一致性，能滿足顯示器的要求。

Description

托盤及其金屬有機化學氣相沉積反應器

本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種托盤及其金屬有機化學氣相沉積反應器。

金屬有機化合物化學氣相沉積(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)反應器包括反應腔、托盤和氣體噴淋頭，其中，所述托盤位於所述反應腔內底部，可沿其旋轉軸轉動，所述托盤包括複數個基片槽，各個所述基片槽用於承載待處理基片，所述氣體噴淋頭用於向反應腔內輸送反應氣體，所述反應氣體用於在待處理基片表面形成外延層。目前，利用所述金屬有機化合物化學氣相沉積反應器製備的外延層包括：第Ⅲ族元素和第V族元素的化合物(如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、GaP等)。

然而，利用習知的金屬有機化合物化學氣相沉積反應器製作外延層的性能較差，難以滿足顯示器的性能要求。

本發明解决的技術問題是提供一種托盤及其金屬有機化學氣相沉積反應器，以防止待處理基片飛出，還能夠提高氣流和溫度的一致性，能夠滿足顯示器的性能要求。

為解决上述技術問題，本發明提供一種托盤，包括：所述托盤，可沿其中心軸轉動，具有第一托盤面和設於所述第一托盤面外圍的第二托盤面，所述第二托盤面高於第一托盤面，所述第一托盤面內設有一凹陷於所述第一托盤面的基片槽，每個所述基片槽內設置複數個支撑台，所述支撑台用於支撑所述待處理基片。

可選的，所述第二托盤面與第一托盤面的高度差為：50微米~130微米。

可選的，所述支撑台的上表面與第一托盤面之間的高度差使得當所述待處理基片置於所述支撑台時，所述待處理基片的上表面到支撑台對應的上表面具有第一距離，所述第一托盤面到支撑台對應的上表面具有第二距離，所述第一距離減去第二距離的差值為：-80微米~80微米。

可選的，所述第一距離減去第二距離的差值為：-50微米~50微米。

可選的，所述第一距離與第二距離相等。

可選的，所述中心軸與托盤的交點為托盤的旋轉中心，所述基片槽包括遠心端和近心端，所述遠心端到旋轉中心的距離大於近心端到旋轉中心的距離；所述基片槽還包括基片槽底部，所述支撑台的上表面高於等於基片槽底部。

可選的，所述支撑台的上表面平行於水平面，所述支撑台的上表面高於基片槽底部，所述基片槽底部的凹陷深度沿由旋轉中心向托盤邊緣延伸的方向逐漸增大。

可選的，所述基片槽底部平行於水平面，所述支撑台的上表面高於基片槽底部，所述遠心端的支撑台的上表面高於近心端的支撑台的上表面。

可選的，還包括：設於所述第一托盤面上的至少一個擋塊，所述擋塊位於所述遠心端。

可選的，還包括：設置於所述遠心端基片槽內側壁的隔熱材料；所述隔熱材料包括：氧化鋁、氮化硼、氮化鋁或者氧化鋯中的一種或者多種組合。

可選的，所述支撑台是由基片槽的內側壁向基片槽的中心延伸。

可選的，所述支撑台的上表面高於基片槽底部，所述支撑台位於所述基片槽的底部，且所述支撑台與基片槽之間具有間隙。

可選的，還包括：位於所述基片槽遠心端內表面的第一發射材料層；位於所述基片槽近心端內表面的第二發射材料層，所述第一發射材料層材料的發射率大於第二發射材料層材料的發射率。

可選的，所述支撑台為基片槽底部。

可選的，所述支撑台的上表面與第二托盤面之間的高度差使得當所述待處理基片置於所述支撑台時，所述第二托盤面與待處理基片的高度差為：80微米~130微米。

可選的，所述第二托盤面與待處理基片表面的高度差為：100微米~130微米。

可選的，所述第一托盤面為圓環形，且所述圓環形的徑向寬度為：0毫米~5毫米。

可選的，所述第一托盤面為圓環形，且所述圓環形的徑向寬度為：2毫米~4毫米。

相應的，本發明還提供一種包含上述托盤的金屬有機化學氣相沉積反應器，包括：反應腔；上述托盤，位於所述反應腔內；旋轉驅動裝置，用於使所述托盤沿其中心軸轉動。

可選的，還包括：加熱裝置，位於所述托盤下方，用於對所述托盤加熱；氣體噴淋頭，位於所述反應腔內，與所述托盤相對設置；氣體輸送裝置，用於向氣體噴淋頭內輸送反應氣體。

可選的，所述旋轉驅動裝置使所述托盤沿其中心軸轉動的轉速大於等於200轉/分鐘。

可選的，所述待處理基片表面向上依次包括過渡層、位於所述過渡層上的負極層、位於所述負極層上的發光層和位於發光層上的正極層。

可選的，所述過渡層的材料為未摻雜離子的氮化鎵；所述負極層的材料為摻雜矽離子的N型氮化鎵；所述發光層的材料為銦鎵氮化合物；所述正極層的材料為摻雜鎂離子的P型氮化鎵。

可選的，所述待處理基片的尺寸包括：2吋、3吋、4吋、5吋、6吋、8吋和12吋中的至少一個。

與習知技術相比，本發明實施例的技術方案具有以下有益效果：本發明技術方案提供的金屬有機化學氣相沉積反應器中，在待處理基片上形成發光層的溫度較低，待處理基片翹曲的不嚴重，由於所述待處理基片與第一托盤面的高度差較小，使得待處理基片各個位置的溫度一致性較好，因此，有利於提高在所述待處理基片表面所形成的外延層波長的均勻性。而在待處理基片上形成非發光層的溫度較高，待處理基片的翹曲較嚴重，翹曲嚴重使待處理基片邊緣區域到支撑台上表面的距離大於基片中心區域到支撑台上表面的距離，所述第二托盤面的高度高於第一托盤面，則所述第二托盤面能夠補償所述待處理基片邊緣區域與中心區域溫度的差異，有利於提高待處理基片不同區域溫度的一致性，因此，有利於提高在待處理基片表面所形成的外延 層厚度的均一性。所述外延層的厚度較均一，有利於提高器件的電性能。綜上，所形成的外延層的波長和厚度均一性均較好，能夠滿足顯示器的性能要求。

100:反應腔

200:托盤

201:隔熱材料

202:基片槽

203:支撑台

204:擋塊

240:第一發射材料層

250:第二發射材料層

290:基片槽底部

300:旋轉驅動裝置

400:氣體噴淋頭

500:氣體輸送裝置

A:第一托盤面

B:區域

C:第二托盤面C

H1,H2,H3:距離

M,N:線

W:待處理基片

X:旋轉方向

Z:豎直方向

第1圖為本發明一種金屬有機化學氣相沉積反應器的結構示意圖；第2圖是第1圖區域B的一種放大示意圖；第3圖是第2圖沿M線的一種剖面結構示意圖；第4圖為第2圖沿N線的一種剖面結構示意圖；第5圖為第2圖沿N線的另一種剖面結構示意圖；第6圖為第2圖沿N線的又一種剖面結構示意圖；第7圖為第2圖沿N線的再一種剖面結構示意圖；第8圖為第2圖沿N線的還有一種剖面結構示意圖。

正如先前技術所述，利用習知的金屬有機化合物化學氣相沉積反應器形成外延層的性能較差，難以滿足顯示器的性能要求。

研究發現：

利用習知金屬有機化合物化學氣相沉積反應器形成外延層主要用於製備照明用的藍綠光LED器件，而照明用的藍綠光LED器件對發光波長均勻性要求不高，因而對外延層的翹曲控制沒有那麽嚴格，也就是說，即使外延層發生翹曲，也能夠滿足照明的需求。為了防止待處理基片在離心力的作用下發生飛片，通常使待處理基片的表面低於第一托盤面，且當所述待處理基片置於 基片槽內，待處理基片表面到第一托盤面之間的距離較大。然而，所述待處理基片的表面低於第一托盤面，且當所述待處理基片至於基片槽內，待處理基片表面到第一托盤面之間的距離較大，雖然能夠防止飛片，但是，氣流和溫度的一致性較差，使得利用習知金屬有機化合物化學氣相沉積反應器形成外延層中的發光層的波長一致性較差，因此，難以滿足顯示器的高性能要求。

為了解决上述技術問題，本發明技術方案提供一種托盤及其包含所述托盤的金屬有機化學氣相沉積反應器，其中，所述托盤包括：所述托盤，可沿其中心軸轉動，具有第一托盤面和位於所述第一托盤面外圍的第二托盤面，所述第二托盤面高於第一托盤面，所述第一托盤面內設有複數個凹陷於所述第一托盤面的基片槽，每個所述基片槽內設置複數個支撑台，所述支撑台用於支撑所述待處理基片。包含所述托盤的金屬有機化學氣相沉積反應器不僅能夠防止待處理基片飛出，還能提高待處理基片表面氣流和溫度的一致性，從而提高待處理基片表面所形成的外延層波長和厚度的均勻性，能夠滿足顯示器的性能要求。

為使本發明的上述目的、特徵和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。

第1圖是本發明一種金屬有機化學氣相沉積反應器的結構示意圖；第2圖是第1圖區域B的一種放大示意圖；第3圖是第2圖沿M線的一種剖面結構示意圖。

請參考第1圖至第3圖，金屬有機化學氣相沉積反應器包括：反應腔100；托盤200，位於所述反應腔100內，具有第一托盤面A(見第2圖)和設於第一托盤面A外圍的第二托盤面C(見第2圖)，所述第二托盤面C高於第一托盤面A，所述第一托盤面A內設有複數個凹陷於所述第一托盤面A的基片槽202，每 個所述基片槽202內設置複數個支撑台203(見第3圖)，所述支撑台203用於支撑所述待處理基片W。

所述反應腔100內用於進行金屬有機化學氣相沉積製程，所述托盤200內設置複數個基片槽202，每個基片槽202用於容納待處理基片，通過金屬有機化學氣相沉積製程在所述待處理基片表面形成外延層，所述外延層用於製備顯示器。

所述外延層包括：位於所述待處理基片表面的過渡層、位於所述過渡層上的負極層、位於所述負極層上的發光層和位於發光層上的正極層。

在本實施例中，所述過渡層的材料為未摻雜離子的氮化鎵；所述負極層的材料為摻雜矽離子的N型氮化鎵；所述發光層的材料為銦鎵氮化合物；所述正極層的材料為摻雜鎂離子的P型氮化鎵。

在待處理基片W上形成過渡層、負極層和正極層的溫度較高，待處理基片W的翹曲較嚴重，使待處理基片W邊緣區域到支撑台203上表面的距離大於基片中心區域到支撑台203上表面的距離，所述第二托盤面C的高度高於第一托盤面A，則所述第二托盤面C能夠補償所述待處理基片W邊緣區域與中心區域溫度的差異，有利於提高待處理基片W不同區域溫度的一致性，因此，有利於提高所形成的外延層厚度的均一性。所述外延層厚度較均一，有利於提高器件的電性能。

在一種實施例中，所述支撑台203的上表面與第二托盤面C之間的高度差使得當所述待處理基片W置於所述支撑台203時，所述第二托盤面C與待處理基片W的高度差為：80微米~130微米，使得所述第二托盤面C對待處理基片W邊緣區域溫度的保溫效果較好，有利於提高所形成的外延層的厚度一致性較好。

在另一種實施例中，所述第二托盤面C與待處理基片W的高度差為：100微米~130微米，使所述第二托盤面C補償待處理基片W邊緣區域的能力更好，使待處理基片W邊緣區域與中心區域的溫度差異更小，有利於進一步提高所形成的外延層的均一性。

所述第二托盤面C與第一托盤面A的高度差為：50微米~130微米，若所述第二托盤面C與第一托盤面A的高度差小於50微米，使得所述第二托盤面C補償待處理基片W邊緣區域的能力較差，則待處理基片W邊緣區域與中心區域的溫度差較大，使得在所述待處理基片W表面所形成的外延層的厚度一致性較差；若所述第二托盤面C與第一托盤面A的高度差大於130微米，使得所述第二托盤面C補償待處理基片W邊緣區域的能力過强，使待處理基片W邊緣區域的溫度高於中心區域的溫度，還容易引起局部的擾流，則在待處理基片W表面所形成的外延層的厚度一致性仍較差。

在一種實施例中，所述第一托盤面A為圓環形，所述圓環形的徑向寬度L為：0毫米~5毫米。選擇所述圓環形的徑向寬度L的意義在於：若所述圓環形的徑向寬度L大於5毫米，則所述第二托盤面C難以起到補償待處理基片W邊緣區域溫度的效果。

在另一種實施例中，所述第一托盤面A為圓環形，所述圓環形的徑向寬度L為：2毫米~4毫米。選擇所述圓環形的徑向寬度L的意義在於：若所述圓環形的徑向寬度L大於4毫米，則所述第二托盤面C補償待處理基片W邊緣區域溫度的效果較差；若所述圓環形的徑向寬度L小於2毫米，使得在待處理基片W表面形成發光層時，待處理基片W表面的溫度一致性較差，則所形成的發光層的波長均勻性較差。

如下對所述第一托盤面A與待處理基片W的情況進行詳細說明：第4圖為第2圖沿N線的一種剖面結構示意圖。

所述中心軸與托盤200的交點為托盤的旋轉中心，所述基片槽202包括遠心端和近心端，所述遠心端到旋轉中心的距離大於近心端到旋轉中心的距離；所述基片槽202還包括基片槽底部290，所述支撑台203的上表面高於等於基片槽底部290。在製備外延層的過程中，所述托盤200在旋轉驅動裝置300的作用下繞其中心軸沿著X方向轉動，具體的，所述旋轉驅動裝置使所述托盤沿其中心軸轉動的轉速大於等於200轉/分鐘，使得待處理基片易在離心力的作用下易向遠離旋轉中心的方向偏移。

在本實施例中，由於製備製程的改進，使得在反應腔100內生長過渡層和負極層時，待處理基片的翹曲沒有那麽嚴重，因此，當待處理基片置於基片槽202內所述待處理基片表面無需一定要低於所述第一托盤面A才能防止飛片。具體的，支撑台203上表面與第一托盤面A之間的高度差使得當所述待處理基片置於所述支撑台203，所述待處理基片的上表面到支撑台203對應的上表面有第一距離H1，所述第一托盤面A到支撑台203對應的上表面具有第二距離H2，所述第一距離H1減去第二距離H2的差值為：-80微米~80微米，由於所述待處理基片的重心低於第一托盤面A，使得所述待處理基片在形成過渡層和負極層時不易飛出，而形成發光層時，待處理基片更加不易發生翹曲，因此，待處理基片在形成發光層時也不易飛出。同時，由於所述第一距離H1減去第二距離H2的差值為：-80微米~80微米，使得用於形成外延層的氣流到達待處理基片的擾動減小，有利於提高待處理基片上的氣流和溫度的一致性。而銦離子的分布與溫度的均一性分布密切相關，因此，溫度的一致性有利於提高銦離子的分布均勻性，則所形成的發光層的波長一致性較好，能夠滿足顯示器的性能要求。

在一種實施例中，所述第一距離H1減去第二距離H2的差值為：-50微米~50微米。選擇所述第一距離H1減去第二距離H2的差值的意義在於：使得用於形成外延層的氣流到達待處理基片的擾動更小，有利於提高待處理基片表 面溫度的一致性和外延層厚度的一致性，進而有利於提高發光層的波長一致性，以滿足顯示器的性能要求。

在另一種實施例中，所述第一距離H1等於第二距離H2，這樣選擇的意義在於：使形成外延層的氣流到達待處理基片的表面幾乎沒有擾動，有利於提高待處理基片表面溫度的一致性和外延層厚度的一致性，進而有利於提高發光層的波長一致性，以滿足顯示器的性能要求。在本實施例中，待處理基片具有缺口，所述缺口朝向所述遠心端。

在本實施例中，所述支撑台203由基片槽202的內側壁向基片槽202的中心延伸。

為了實現所述第一距離H1減去第二距離H2的差值為：-80微米~80微米，使托盤200的厚度不變，抬高所述支撑台203的高度和基片槽202的底部。同時抬高所述支撑台203的高度和基片槽202的底部，有利於縮小待處理基片溫度的一致性，進而提高在所述待處理基片表面形成的外延層的一致性。

所述待處理基片的尺寸包括：2吋、3吋、4吋、5吋、6吋、8吋和12吋中的至少一種。

在本實施例中，還包括：設置於所述遠心端基片槽202內側壁的隔熱材料201；所述隔熱材料201包括：氧化鋁、氮化硼、氮化鋁或氧化鋯等中的一種或者多種組合。所述隔熱材料201用於減少遠心端基片槽202側壁傳遞至待處理基片的熱量，有利於縮小待處理基片邊緣遠心端和近心端所生長的外延層的厚度一致性。

金屬有機化學氣相沉積反應器還包括：加熱裝置，位於所述托盤200下方，用於對所述托盤200加熱；氣體噴淋頭400，位於所述反應腔100內，與所述托盤200結構相對設置；氣體輸送裝置500，用於向氣體噴淋頭400內輸送反應氣體。

在本實施例中，所述基片槽202還包括基片槽底部290，所述支撑台203的上表面高於基片槽底部290。在其他實施例中，所述支撑台的上表面為基片槽底部。

第5圖為第2圖沿N線的另一種剖面結構示意圖。

在本實施例中，還包括：位於所述基片槽202遠心端內表面的第一發射材料層240；位於所述基片槽202近心端內表面的第二發射材料層250，所述第一發射材料層240材料的發射率大於第二發射材料層250材料的發射率，這樣設計的意義在於：儘管所述待處理基片在離心力的作用下易向遠離旋轉中心的方向偏移，使得遠心端的待處理基片與基片槽202側壁之間的間隙小於近心端的待處理基片與基片槽202側壁之間的間隙，但是，所述第一發射材料層240材料的發射率大於第二發射材料層250材料的發射率，使得所述待處理基片遠心端與近心端邊緣區域的溫度差異較小，有利於提高待處理基片表面外延層的一致性。

第6圖為第2圖沿N線的又一種剖面結構示意圖。

在本實施例中，所述支撑台203的上表面平行於水平面，即垂直於豎直方向Z，所述支撑台203的上表面高於基片槽底部290，且所述基片槽底部290的凹陷深度沿由旋轉中心向托盤200邊緣延伸的方向逐漸增大，這樣設計的意義在於：儘管所述待處理基片在離心力的作用下易向遠離旋轉中心的方向偏移，使得遠心端的待處理基片與基片槽202之間的間隙小於近心端的待處理基片與基片槽202之間的間隙，但是，所述基片槽底部290的凹陷深度沿由旋轉中心向托盤200邊緣延伸的方向逐漸增大，使得所述待處理基片遠心端與近心端邊緣區域的溫度差異較小，有利於提高待處理基片表面外延層的一致性。

第7圖為第2圖沿N線的再一種剖面結構示意圖。

在本實施例中，所述基片槽底部290表面平行於水平面，即垂直於豎直方向Z，所述支撑台203的上表面高於基片槽底部290，所述遠心端的支撑台203的上表面高於近心端的支撑台203的上表面，使待處理基片置於基片槽202時，待處理基片底部到遠心端基片槽202底部表面的距離大於待處理基片底部到近心端基片槽202底部表面的距離，這樣設計的意義在於：儘管所述待處理基片在離心力的作用下易向遠離旋轉中心的方向偏移，使得遠心端的待處理基片與基片槽202之間的間隙小於近心端的待處理基片與基片槽202之間的間隙，但是，所述支撑台203的上表面高於基片槽底部290，且所述支撑台203的遠心端高於支撑台203的近心端的頂部，所述基片槽底部290表面平行於水平面，使得待處理基片底部到遠心端基片槽202底部表面的距離H3大於待處理基片底部到近心端基片槽202底部表面的距離，則所述待處理基片遠心端與近心端邊緣區域的溫度差異較小，有利於提高待處理基片表面外延層的一致性。

第8圖為第2圖沿N線的還有一種剖面結構示意圖。

在本實施例中，還包括：設於所述第一托盤面A上的至少一個擋塊204，所述擋塊204位於所述遠心端。所述旋轉驅動裝置300驅動所述托盤200沿其中心軸轉動時，所述擋塊204位於所述遠心端，有利於進一步防止待處理基片在離心力的作用下飛出。

在本實施例中，所述支撑台203的上表面高於基片槽底部290，所述支撑台203位於所述基片槽底部290，且所述支撑台203與基片槽202之間具有間隙，由於所述支撑台203與待處理基片接觸的面積較小，使得通過支撑台203 熱傳導給待處理基片的熱量較小，因此，有利於縮小待處理基片邊緣區域的溫度一致性，有利於提高待處理基片表面外延層的一致性。

綜上，在待處理基片上形成發光層的溫度較低，待處理基片翹曲的不嚴重，由於所述待處理基片與第一托盤面的高度差較小，使得待處理基片各個位置的溫度一致性較好，因此，有利於提高在所述待處理基片表面所形成的外延層波長的均勻性。而在待處理基片上形成非發光層(所述非發光層是指除發光層之外的外延層，具體包括過渡層、負極層和正極層)的溫度較高，待處理基片的翹曲較嚴重，翹曲嚴重使待處理基片邊緣區域到支撑台上表面的距離大於基片中心區域到支撑台上表面的距離，所述第二托盤面的高度高於第一托盤面，則所述第二托盤面能夠補償所述待處理基片邊緣區域與中心區域溫度的差異，有利於提高待處理基片不同區域溫度的一致性，因此，有利於提高在待處理基片表面所形成的外延層厚度的均一性。所述外延層的厚度較均一，有利於提高器件的電性能。綜上，所形成的外延層的波長和厚度均一性均較好，能夠滿足顯示器的性能要求。

雖然本發明披露如上，但本發明並非限定於此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護範圍應當以申請專利範圍所限定的範圍為準。

100:反應腔

200:托盤

202:基片槽

300:旋轉驅動裝置

400:氣體噴淋頭

500:氣體輸送裝置

B:區域

X:旋轉方向

Claims (24)

1. 一種托盤，其中，包括：該托盤，可沿其中心軸轉動，具有一第一托盤面和設於該第一托盤面外圍的一第二托盤面，該第二托盤面與該第一托盤面直接相鄰設置，該第二托盤面高於該第一托盤面，該第一托盤面內設有一凹陷於該第一托盤面的一基片槽，每個該基片槽內設置複數個支撑台，該支撑台用於支撑一待處理基片。
2. 如請求項1所述的托盤，其中，該第二托盤面與該第一托盤面的高度差為：50微米~130微米。
3. 如請求項1所述的托盤，其中，該支撑台的上表面與該第一托盤面之間的高度差使得當該待處理基片置於該支撑台時，該待處理基片的上表面到該支撑台對應的上表面具有一第一距離，該第一托盤面到該支撑台對應的上表面具有一第二距離，該第一距離減去該第二距離的差值為：-80微米~80微米。
4. 如請求項3所述的托盤，其中，該第一距離減去該第二距離的差值為：-50微米~50微米。
5. 如請求項4所述的托盤，其中，該第一距離與該第二距離相等。
6. 如請求項1所述的托盤，其中，該中心軸與該托盤的交點為該托盤的旋轉中心，該基片槽包括一遠心端和一近心端，該遠心端到旋轉中心的距離大於該近心端到旋轉中心的距離；該基片槽還包括一基片槽底部，該支撑台的上表面高於等於該基片槽底部。
7. 如請求項6所述的托盤，其中，該支撑台的上表面平行於水平面，該支撑台的上表面高於該基片槽底部，該基片槽底部的凹陷深度沿由旋轉中心向該托盤邊緣延伸的方向逐漸增大。
8. 如請求項6所述的托盤，其中，該基片槽底部平行於水平面，該支撑台的上表面高於該基片槽底部，該遠心端的支撑台的上表面高於該近心端的支撑台的上表面。
9. 如請求項6所述的托盤，其中，還包括：設於該第一托盤面上的至少一個擋塊，該擋塊位於該遠心端，用於阻擋該待處理基片飛出。
10. 如請求項6所述的托盤，其中，還包括：設置於該遠心端基片槽內側壁的一隔熱材料；該隔熱材料包括：氧化鋁、氮化硼、氮化鋁或者氧化鋯中的一種或者多種組合。
11. 如請求項1所述的托盤，其中，該支撑台是由該基片槽的內側壁向該基片槽的中心延伸。
12. 如請求項6所述的托盤，其中，該支撑台的上表面高於該基片槽底部，該支撑台位於該基片槽底部，且該支撑台與該基片槽的側壁之間具有間隙。
13. 如請求項1所述的托盤，其中，還包括：位於該基片槽遠心端內表面的一第一發射材料層；位於該基片槽近心端內表面的一第二發射材料層，該第一發射材料層材料的發射率大於該第二發射材料層材料的發射率。
14. 如請求項6所述的托盤，其中，該支撑台為該基片槽底部。
15. 如請求項1所述的托盤，其中，該支撑台的上表面與該第二托盤面之間的高度差使得當該待處理基片置於該支撑台時，該第二托盤面與該待處理基片表面的高度差為：80微米~130微米。
16. 如請求項15所述的托盤，其中，該第二托盤面與該待處理基片的高度差為：100微米~130微米。
17. 如請求項1所述的托盤，其中，該第一托盤面為一圓環形，該圓環形的徑向寬度為：0毫米~5毫米。
18. 如請求項17所述的托盤，其中，該第一托盤面為一圓環形，該圓環形的徑向寬度為：2毫米~4毫米。
19. 一種包含托盤的金屬有機化學氣相沉積反應器，其特徵在於，包括：一反應腔；如請求項1至請求項18任一項的所述托盤，位於該反應腔內；一旋轉驅動裝置，用於使該托盤沿其中心軸轉動。
20. 如請求項19所述的金屬有機化學氣相沉積反應器，其中，還包括：一加熱裝置，位於該托盤下方，用於對該托盤加熱；一氣體噴淋頭，位於該反應腔內，與該托盤相對設置；一氣體輸送裝置，用於向該氣體噴淋頭內輸送反應氣體。
21. 如請求項19所述的金屬有機化學氣相沉積反應器，其中，該旋轉驅動裝置使該托盤沿其中心軸轉動的轉速大於等於200轉/分鐘。
22. 如請求項19所述的金屬有機化學氣相沉積反應器，其中，該待處理基片表面向上依次包括一過渡層、位於該過渡層上的一負極層、位於該負極層上的一發光層和位於該發光層上的一正極層。
23. 如請求項22所述的金屬有機化學氣相沉積反應器，其中，該過渡層的材料為未摻雜離子的氮化鎵；該負極層的材料為摻雜矽離子的N型氮化鎵；該發光層的材料為銦鎵氮化合物；該正極層的材料為摻雜鎂離子的P型氮化鎵。
24. 如請求項19所述的金屬有機化學氣相沉積反應器，其中，該待 處理基片的尺寸包括：2吋、3吋、4吋、5吋、6吋、8吋和12吋中的至少一個。

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