TWI789897B

TWI789897B - 在電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面

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Publication number: TWI789897B
Application number: TW110133098A
Authority: TW
Inventors: 有生鄭; 彬張
Original assignee: 香港商王氏港建移動科技有限公司
Priority date: 2021-07-07
Filing date: 2021-09-06
Publication date: 2023-01-11
Also published as: TW202302338A

Abstract

一種在電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面，包括：黏附在金屬層表面上的聚合物薄層，所述聚合物薄層的厚度小於或等於35微米。通過在電子電路結構的金屬材層的表面設有聚合物薄層，且聚合物薄層的厚度小於或等於35微米，此結構下的電子電路結構的導熱性能大大提升，從而將電子電路結構產生的熱量更好的散發出去，提高電子電路結構的使用壽命。

Description

在電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面

本發明涉及電子電路結構領域技術，尤其是指一種在電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面。

電子電路結構表面電氣絕緣是必需的，因此通常把聚合物用作電絕緣材料設於電路板的表面（聚合物-金屬界面）。在很多情況下，電路板上的電子部件或者電路會產生熱量，聚合物一般具有很差的導熱性，因而聚合物絕緣體容易成為散熱問題的瓶頸。改善聚合物導熱性的常規方法和工業實踐是添加大量的導熱填料，一般含量會超過 60％整體重量。填料含量高的問題是會在絕緣體裡面產生缺陷，這可能導致電氣絕緣體內部擊穿而漏電。為了防止這種情況發生，絕緣層需要更厚，這種惡性循環會導致導熱性更差。此外部件的熱導率並不是組分熱導率的線性求和，填充填料會導致收益遞減，此外，聚合物金屬界面的實際導熱率通常比預期的差，這主要是因為聚合物-金屬界面並不是完美的，其本身會成為阻擋熱傳導的因素。

有鑑於此，本發明針對現有技術存在之缺失，其主要目的是提供一種在電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面其解決了現有之電路板導熱性差的問題。

為實現上述目的，本發明採用如下之技術方案：

一種在電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面，包括：黏附在金屬層表面上的聚合物薄層，所述聚合物薄層的厚度小於或等於35微米。作為一種優選方案，所述聚合物薄層的厚度優選小於或等於25微米，最優選小於或等於12微米。

作為一種優選方案，所述聚合物薄層為熱固性材質或熱塑性材質。

作為一種優選方案，所述聚合物薄層包含小於或等於40％重量的填料。作為一種優選方案，所述聚合物薄層可以是但不限於環氧、矽酮、PPSU、PPS或它們的化合物。

作為一種優選方案，所述填料可以是但不限於滑石、二氧化矽、二氧化鈦、氮化硼或三氧化二鋁或它們的混合。

作為一種優選方案，所述填料的分佈是均勻的，或者，所述填料的分佈是不均勻的。

作為一種優選方案，不同粒徑的所述填料均勻混合在一起或分成單獨的梯度層。

作為一種優選方案，所述金屬層的厚度大於或等於1微米。

作為一種優選方案，所述金屬層可以是但不限於鋁或銅的合金。

本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果，具體而言，由上述技術方案可知，通過在電子電路結構的金屬材層的表面設有聚合物薄層，且聚合物薄層的厚度小於或等於 35 微米，此結構下的電子電路結構的導熱性能大大提升，從而將電子電路結構產生的熱量更好的散發出去，提高電子電路結構的使用壽命。

為更清楚地闡述本發明的結構特徵和功效，下面結合附圖與具體實施例來對本發明進行詳細說明。

請參照圖1至圖4所示，其顯示出了本發明之較佳實施例的具體結構，是一種在電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面，包括：

金屬層10，設於電子電路結構的表面，且金屬層10由介電材質和導電金屬材質複合而成，可選地，介電材質為樹脂或者玻璃纖維，導電金屬材質為銅箔。以及聚合物薄層20，疊設於金屬層10的表面，聚合物薄層20的厚度小於35 μm，優選的，聚合物薄層20的厚度優選小於或等於25微米，最優選小於或等於12微米。聚合物薄層20的厚度越薄，其散熱性越好。當然，在電子電路通過4000V放電測試不失效情況下，聚合物薄層20厚度最小可以薄至10微米。

優選的，所述聚合物薄層20為熱固性材質或熱塑性材質，更優選的，選用熱塑性材質。例如，聚合物薄層20可以是但不限於環氧、矽酮、PPSU、PPS或它們的化合物。

所述聚合物薄層20包含小於或等於40％重量的填料201，可選地，填料 201的重量佔聚合物薄層20重量的10％或20％。且填料201的顆粒直徑是小於聚合物薄層20的厚度。填料20材料可以是但不限於滑石、二氧化矽、二氧化鈦、氮化硼或三氧化二鋁或它們的混合。

填料201在聚合物薄層20內有兩種分佈狀態，填料201的分佈是均的，或者，填料201的分佈是不均勻的。不同粒徑的填料201均勻混合在一起或分成單獨的梯度層，如圖1和圖2為兩種示例。

圖1中的聚合物薄層20為單層結構，填料201在聚合物薄層20內均勻分佈。當然，填料201也可以在單層結構的聚合物薄層20中不均勻分佈，例如，靠近金屬層10的填料201粒徑小於遠離金屬層10的填料201粒徑。

圖2中的聚合物薄層20分成單獨的梯度層，在該示例中，聚合物薄層20 包括疊設在金屬層10表面的第一聚合物薄層21以及疊設在第一聚合物薄層21遠離金屬層10表面的第二聚合物薄層22，且第一聚合物薄層21內的填料 201的顆粒直徑小於第二聚合物薄層22內的填料201的顆粒直徑。直徑較小的填料201能提供更高的導熱性，也就說，在靠近金屬層10填充粒徑更小的填料201，以使通過系統的整體熱傳遞最大化。

可選地，金屬層 10 直接接觸的填料 201 粒徑優選，小於 10 微米，更優選 1 微米或更小。不與金屬層 10 直接接觸的的填料 201 尺寸優選大於接觸金屬層 10 的填料 201 粒徑，其粒徑大於或等於 1 微米，優選大於或等於5 微米。

金屬層10的厚度大於或等於1微米。且金屬層10可以是但不限於鋁或銅的合金。如圖3所示，在一個實施例中，聚合物薄層20遠離金屬層10的表面疊設有金屬芯層30。可選地，金屬芯層30為鋁材質或者銅材質，當然也可以為其他的金屬材質，此時的電子電路結構為金屬芯印刷電路板。

可選地，金屬層10和金屬芯層30均為銅材質；此時，在電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面為銅基材層、聚合物薄層20和銅芯層的複合結構，當銅芯層的厚度等於大於0.5mm時，在電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面為硬質電路板；當銅芯層的厚度小於等於80μm時，在電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面為柔性電路板。

如圖4所示，在一個實施例中，聚合物薄層20遠離金屬層10的表面疊設有中心層40，中心層40可以是由金屬芯材質製成的中心層，中心層40也可以是非金屬材料製成的中心層，此時的電路板為高性能的多層印刷電路板。更為具體的結構可以見圖4，以中心層40為中心，在中心層40的正面依次有第一聚合物薄層21、第二聚合物薄層22、第一聚合物薄層21以及金屬層10，並且還可以在該金屬層10的表面又再次設置第一聚合物薄層21、第二聚合物薄層22、第一聚合物薄層21以及金屬層10，形成多層結構。而在中心層 40的反面，所設置的複合材質與上述中心層40的正面是對稱的，因此在此不再贅述。

在一個實施例中，中心層40為不導電的導熱材料，可選地，氧化鋁。例如，使用本發明的產品可以在熱塑性的情況下使用熔化聚合物或在熱固性的情況下固化聚合物所需的溫度進行加工。對於熱固性塑膠，可以通過溫度以及其他機制（例如水分或輻射）來完成固化。

對在電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面進行熱傳導分析測試： 1、聚合物薄層20的固體材料選用杜邦公司的3熔體流動速率（MFR）EVA 樹脂（Elvax40L-03）和杜邦公司的52 MFR EVA樹脂（ Elvax40W）； 2、填料201選用高級陶瓷納米技術公司生產的1.5μm和50μm直徑的 Al ₂O ₃； 3、選用萊特公司提供的直徑為12.7mm的鋁盤導熱載體； 4、將1中的兩種EVA樹脂和2中兩不同直徑的Al ₂O ₃，在緩衝攪拌器中進行不同的混合，且緩衝攪拌器的溫度在100°C； 5、將4中混合的材料放在熱壓機上壓製成不同厚度的絕緣聚合物薄膜； 6、將5中不同厚度的絕緣聚合物薄膜貼到3中的鋁盤導熱載體； 7、將鋁盤導熱載體放入熱導率分析儀上，再用激光加熱絕緣聚合物薄膜，從而熱導率分析儀測出不同絕緣聚合物薄膜的導熱率。

不同絕緣聚合物薄膜的測試數據見下表：

實施例	聚合物薄層厚度（mm）	聚合物薄層材料	填料材料	填料在聚合物薄層中的重量佔比	導熱係數（W/mK）
比較例1	0.31	3 MFR EVA	0	0	3.2
比較例2	0.32	52 MFR EVA	0	0	3.1
發明實例1	0.13	3 MFR EVA	0	0	12.7
發明實例2	0.14	52 MFR EVA	0	0	11.1
發明實例3	0.21	3 MFR EVA	0	0	6.7
發明實例3a	0.32	3 MFR EVA	1.5μm 直徑的Al ₂O ₃	20％	3.8

發明實例4a	0.33	3 MFR EVA	1.5μm 直徑的Al ₂O ₃和50μm直徑的Al ₂O ₃	1.5μm 直徑的Al ₂O ₃佔比10％，50 μm直徑的Al ₂O ₃佔比10％	4.0
發明實例5a	第一聚合物薄層厚度為0.07，第二聚合物薄層厚度為0.23	第一聚合物薄層和第二聚合物薄層均為3 MFR EVA	第一聚合物薄層中的填料為1.5μm 直徑的Al ₂O ₃，第二聚合物薄層中的填料為50μm 直徑的Al ₂O ₃	第一聚合物薄層内的填料佔第一聚合物薄層的 20％，第二聚合物薄層内的填料佔第二聚合物薄層的20％	4.7
發明實例3b	0.14	3 MFR EVA	1.5μm 直徑的 Al ₂O ₃	20％	12.2
發明實例4b	0.13	3 MFR EVA	1.5μm 直徑的 Al ₂O ₃和50μm直徑的Al ₂O ₃	1.5μm 直徑的Al ₂O ₃佔比10％，50 μm直徑的Al ₂O ₃佔比10％	11.7
發明實例5b	第一聚合物薄層厚度為0.07，第二聚合物薄層厚度為0.06	第一聚合物薄層和第二聚合物薄層均為3 MFR EVA	第一聚合物薄層中的填料為1.5μm 直徑的Al ₂O ₃，第二聚合物薄層中的填料為50μm直徑的Al ₂O ₃	第一聚合物薄層内的填料佔第一聚合物薄層的20％，第二聚合物薄層内的填料占第二聚合物薄層的20％	13.0

從表格可看出，比較例1與比較例2對比，以及，發明實施1和發明實例2對比，可看出，厚度基本一致的聚合物薄層20中高的MFR意味著較低的分子量，也就是說，通常較低的分子量導致較低的導熱係數。

比較例1與發明實例1比對，以及，比較例2與發明實施2比對，發現聚合物薄層厚度越薄導熱係數越好，則反之。同樣可從發明實例1與發明實例3a對比看出，即使發明實例3a中填充有填料，但是發明實例3a中的聚合物薄層厚度遠遠大於發明實例1中的厚度，所以發明實例1的導熱係數遠遠高於發明實例3a的導熱係數。

發明實施3a與發明實施3b比對，發明實施4a與發明實施4b比對，以及發明實施5a與發明實施5b比對，可看出，在填料材料、聚合物薄層材料和填料在聚合物薄層中的重量佔比均相同，只有聚合物薄層厚度不一致的情況下，發現聚合物薄層厚度越薄導熱係數越好，則反之。

發明實施4a中的聚合物薄層為單層結構，兩種不同顆粒直徑填料混合均勻。發明實施5a中的聚合物薄層為雙層結構，顆粒直徑小的填料靠近金屬層10，顆粒直徑大的填料遠離金屬層10。發明實施4a與發明實施5a比對，可看出，同時填充了兩種不同顆粒直徑填料的聚合物薄層，顆粒直徑越小的填料越靠近金屬層10，聚合物薄層導熱係數越高。同樣的，發明實施4b 和發明實施5b比對，也說明了顆粒直徑越小的填料越靠近金屬層10，聚合物薄層導熱係數越高。

以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明的技術範圍作任何限制，故凡是依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何細微修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。

10:金屬基材層 20:聚合物薄層 21:第一聚合物薄層 22:第二聚合物薄層 201:填料 30:金屬芯層 40:中心層。

圖 1 是本發明之實施例中聚合物薄層為單層結構的示意圖；圖 2 是本發明之實施例中聚合物薄層為雙層結構的示意圖；圖 3 是本發明之實施例金屬芯印刷電路板結構的示意圖；圖 4 是本發明之實施例多層印刷電路板的示意圖。

10:金屬基材層

20:聚合物薄層

30:金屬芯層

201:填料

Claims

一種在電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面，其特徵在於，包括：黏附在金屬層(10)表面上的聚合物薄層(20)，所述聚合物薄層(20)的厚度小於或等於35微米，並且包含小於或等於40%重量的填料(201)，所述填料(201)的分佈是均勻的，或者，所述填料(201)的分佈是不均勻的，所述聚合物薄層(20)中與金屬層(10)接觸的填料(201)的粒徑是小於聚合物薄層(20)中不與金屬層(10)接觸的填料(201)的粒徑。
如請求項1所述的電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面，其特徵在於：所述聚合物薄層(20)的厚度小於或等於25微米。
如請求項1所述的電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面，其特徵在於：所述聚合物薄層(20)為熱固性材質或熱塑性材質。
如請求項3所述的電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面，其特徵在於：所述聚合物薄層(20)包括環氧、矽酮、PPSU、PPS或它們的化合物。
如請求項1所述的電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面，其特徵在於：所述填料(201)包括滑石、二氧化矽、二氧化鈦、氮化硼、三氧化二鋁或它們的混合。
如請求項1所述的電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面，其特徵在於：所述金屬層(10)的厚度大於或等於1微米。
如請求項1所述的電子電路或組件中有用的金屬聚合物界面，其特徵在於：所述金屬層(10)包括鋁或銅的合金。