TWI788602B - 光酸產生劑及光微影用樹脂組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供一種對i射線具有高感光度、對抗蝕劑溶液的相溶性及溶解性優異、另外耐熱穩定性優異的非離子系光酸產生劑。本發明是一種非離子系光酸產生劑（A），其特徵在於由下述通式（1）表示。

Description

光酸產生劑及光微影用樹脂組成物
本發明是有關於一種光酸產生劑及光微影用樹脂組成物。進一步詳細而言，是有關於一種適於作用紫外線(i射線)而產生強酸的非離子系光酸產生劑、及含有其的光微影用樹脂組成物。
先前以來，於以半導體的製造為代表的微細加工領域中，廣泛應用利用波長365nm的i射線作為曝光光的光微影步驟。
作為光微影步驟中所使用的抗蝕劑材料，例如一直使用：含有具有羧酸的第三丁基酯基、或苯酚的碳酸第三丁酯基的聚合物與光酸產生劑的樹脂組成物。作為光酸產生劑，已知：三芳基鋶鹽(專利文獻1)、具有萘骨架的苯甲醯甲基鋶鹽(專利文獻2)等離子系光酸產生劑；以及具有肟磺酸酯結構的光酸產生劑(專利文獻3)、具有磺醯基重氮甲烷結構的光酸產生劑(專利文獻4)等非離子系光酸產生劑。進而藉由進行曝光後加熱(曝光後烘烤，Post-exposure-bake，PEB)，聚合物中的第三丁基酯基、或碳酸第三丁酯基因該強酸而解離，形成羧酸或酚性羥基，紫外線照射部變得易溶於鹼性顯影液中。利用該現象而進行圖案形成。
但是，伴隨著光微影步驟成為更微細的加工，藉由鹼性顯影液而未曝光部的圖案發生膨潤的膨脹的影響變大，從而需要 抑制抗蝕劑材料的膨潤。
為了解決該些問題而提出有如下方法：使抗蝕劑材料中的聚合物含有脂環式骨架或含氟骨架等而設為疏水性，藉此抑制抗蝕劑材料的膨潤。
由於離子系光酸產生劑對含有該些脂環式骨架及含氟骨架等的疏水性材料的相溶性不足，故存在因抗蝕劑材料中產生相分離，而無法發揮充分的抗蝕劑性能，從而無法形成圖案的問題。另一方面，雖然非離子系光酸產生劑對疏水性材料的相溶性良好，但存在於鹼性顯影步驟中於曝光部產生浮渣的問題。另外，有對i射線的感度不足的問題；以及因耐熱穩定性不足而於曝光後加熱(PEB)中分解，故而裕度(allowance)窄的問題。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開昭50-151997號公報
[專利文獻2]日本專利特開平9-118663號公報
[專利文獻3]日本專利特開平6-67433號公報
[專利文獻4]日本專利特開平10-213899號公報
因此，目的在於提供一種對i射線具有高感光度、對抗蝕劑溶液的相溶性及溶解性優異、另外耐熱穩定性優異的非離子系光酸產生劑。
本發明者為了達成所述目的而進行了研究，結果完成了本發明。
即，本發明是一種非離子系光酸產生劑(A)及光微影用樹脂組成物(Q)，所述非離子系光酸產生劑(A)的特徵在於由下述通式(1)表示；所述光微影用樹脂組成物(Q)包含該非離子系光酸產生劑(A)。
Figure 108141053-A0305-02-0004-1
[式(1)中，X表示氧原子、或硫原子，R1表示氫原子、或可具有羧酸基的碳數1~12的烷基，R2表示氫原子、或碳數1~12的烷基，Rf表示氫的一部分或全部經氟取代的碳數1~12的烴基]
本發明的非離子系光酸產生劑(A)於為非離子系的萘二甲醯亞胺骨架上具有醚基、或硫醚基，可對萘環上的電子狀態產生作用，故對i射線具有非常高的吸收，從而成為高感度。藉此，藉由照射i射線，非離子系光酸產生劑(A)容易地分解，而可產 生作為強酸的磺酸。另外，由於側鏈上具有酯結構，故對丙二醇單甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA)等具有酯結構的溶劑的溶解性優異。另外，醚基、或硫醚基與C=O基以碳數1的距離接近，故對金屬基板的配向性優異，抗蝕劑圖案形狀的形成性優異。
由於一併具有萘二甲醯亞胺骨架，故具有200℃以上的熱分解溫度，耐熱穩定性優異，可進行曝光後加熱(PEB)。
因此，含有本發明的非離子系光酸產生劑(A)的光微影用樹脂組成物(Q)對i射線的感度優異，另外，對抗蝕劑溶液的相溶性、及溶解性良好。另外，曝光後加熱(PEB)中的容許幅度廣，故而作業性優異。
本發明的非離子系光酸產生劑(A)由下述通式(1)表示。
Figure 108141053-A0305-02-0005-2
[式(1)中，X表示氧原子、或硫原子，R1表示氫原子、或可具有羧酸基的碳數1~12的烷基，R2表示氫原子、或碳數1 ~12的烷基，Rf表示氫的一部分或全部經氟取代的碳數1~12的烴基]
由於X為氧原子、或硫原子，故可對萘環上的電子狀態產生作用，並對i射線具有非常高的吸收。
R1表示氫原子、或可具有羧酸基的碳數1~12的烷基。
作為碳數1~12的烷基，可列舉：直鏈的烷基、及分支的烷基、環狀的烷基。
作為直鏈烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基、癸基、及十二烷基等。
作為分支的烷基，例如可列舉：異丙基、異丁基、第三丁基、異戊基、及2-乙基己基等。
作為環狀的烷基，可列舉：環戊基、環己基、及3-甲基環己基等。
作為具有羧酸基的碳數1~12的烷基，例如可列舉：羧甲基、2-羧基乙基、4-羧基丁基、2-羧基丁基、6-羧基己基、3-羧基庚基、4-羧基環己基、4-羧甲基環己基等。
該些R1中，就溶劑溶解性的觀點、以及合成容易度的觀點而言，較佳為氫原子、及碳數1~12的烷基，進而佳為氫原子、碳數1~8的烷基，特佳為氫原子、及直鏈的碳數1~8的烷基。
R2表示氫原子、或碳數1~12的烷基。
作為碳數1~12的烷基，可列舉：直鏈的烷基、分支的烷基、 及環狀的烷基。作為直鏈的烷基、分支的烷基、及環狀的烷基，可使用與所述相同者。
該些R2中，就抗蝕劑圖案的形狀的觀點而言，較佳為氫原子、及碳數1~8的烷基，進而佳為氫原子、及碳數1~4的烷基，特佳為氫原子、及第三丁基。
Rf為氫的一部分或全部經氟取代的碳數1~12的烴基。由於Rf的氫的一部分或全部經氟取代，故具有充分的感光度，並且可產生強酸。
作為碳數1~12的烴基的氫的一部分或全部經氟取代的基團，可列舉：由CxFy表示的氫原子經氟原子取代的直鏈烷基(Rf1)、分支鏈烷基(Rf2)、環烷基(Rf3)、及芳基(Rf4)等。
作為氫原子經氟原子取代的直鏈烷基(Rf1)，例如可列舉：三氟甲基(x=1，y=3)、五氟乙基(x=2，y=5)、七氟丙基(x=3，y=7)、九氟丁基(x=4，y=9)、全氟己基(x=6，y=13)、及全氟辛基(x=8，y=17)等。
作為氫原子經氟原子取代的分支鏈烷基(Rf2)，例如可列舉：全氟異丙基(x=3，y=7)、全氟第三丁基(x=4，y=9)、及全氟-2-乙基己基(x=8，y=17)等。
作為氫原子經氟原子取代的環烷基(Rf3)，例如可列舉：全氟環丁基(x=4，y=7)、全氟環戊基(x=5，y=9)、全氟環己基(x=6，y=11)、及全氟(1-環己基)甲基(x=7，y=13)等。
作為氫原子經氟原子取代的芳基(Rf4)，例如可列舉： 五氟苯基(x=6，y=5)、及3-三氟甲基四氟苯基(x=7，y=7)等。
Rf中，就磺酸酯部分的分解性、光阻劑的脫保護性、及原料的獲取容易度的觀點而言，較佳為氫原子經氟原子取代的直鏈烷基(Rf1)、及芳基(Rf4)，進而佳為三氟甲基(x=1，y=3、CF3)、五氟乙基(x=2，y=5、C2F5)、七氟丙基(x=3，y=7、C3F7)、九氟丁基(x=4，y=9、C4F9)及五氟苯基(x=6，y=5、C6F5)，特佳為三氟甲基(x=1，y=3、CF3)。
構成本發明的非離子系光酸產生劑(A)的取代基{-X-CH(R1)-COO-R2}的鍵結位置並無特別限制，藉由處於2位，可提升貯存穩定性(耐淬滅劑胺(quencher amine)性)，藉由處於3位，可提升量子產率，藉由處於4位，可提升莫耳吸光係數。
作為取代基{-X-CH(R1)-COO-R2}的鍵結位置，就合成方面、及感度方面而言，較佳為3位、或4位。
本發明的非離子系光酸產生劑(A)的合成方法若能夠合成目標物，則並無特別限定，例如，使3-羥基-1,8-萘二甲酸酐與下述通式(2)的化合物、或4-溴-羥基-1,8-萘二甲酸酐與下述通式(3)的化合物等反應而獲得前驅物(P1)，且使前驅物(P1)與羥基胺反應，繼而，與所對應的磺酸酐或磺醯氯反應，藉此可合成非離子系光酸產生劑(A)。
[化3]
Figure 108141053-A0305-02-0009-4
[式(2)中，R1表示氫原子、或可具有羧酸基的碳數1~12的烷基，R2表示氫原子、或碳數1~12的烷基，Hal表示氯、溴、或碘]
Figure 108141053-A0305-02-0009-5
[式(3)中，R1表示氫原子、或可具有羧酸基的碳數1~12的烷基，R2表示氫原子、或碳數1~12的烷基。SH表示硫醇基]
作為3-羥基-1,8-萘二甲酸酐與通式(2)的化合物、或4-溴-羥基-1,8-萘二甲酸酐與通式(3)的化合物等的反應條件，是於溫度-30℃~100℃下進行1小時~50小時，為了快速且產率良好地結束反應，較佳為使用反應溶媒及鹼觸媒。
作為反應溶媒，並無特別限定，較佳為乙腈、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿等。作為鹼觸媒，例如較佳為吡啶、甲基嗎啉、二甲基胺基吡啶、2,6-二甲吡啶、三乙胺、咪唑、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene，DBU)、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉等，通常相對於3-羥基-1,8-萘二甲酸酐而添加1mol%~100mol%。
3-羥基-1,8-萘二甲酸酐與通式(2)的化合物、或4-溴-羥基-1,8-萘二甲酸酐與通式(3)的化合物等的莫耳比通常是以1：1~1：4進行。
關於使前驅物(P1)與羥基胺反應、繼而與所對應的磺酸酐或磺醯氯反應而獲得的本發明的非離子系光酸產生劑(A)，視需要可藉由利用適當的有機溶媒進行再結晶而進行精製。
為了使本發明的非離子系光酸產生劑(A)容易地溶解於抗蝕劑材料，亦可預先溶於不阻礙反應的溶劑中。
作為溶劑，可列舉：碳酸酯(碳酸伸丙酯、碳酸伸乙酯、碳酸-1,2-伸丁酯、碳酸二甲酯及碳酸二乙酯等)；酯(乙酸乙酯、乳酸乙酯、β-丙內酯、β-丁內酯、γ-丁內酯、δ-戊內酯及ε-己內酯等)；醚(乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇二甲醚、三乙二醇二乙醚、三丙二醇二丁醚等)；及醚酯(乙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯及二乙二醇單丁醚乙酸酯等)等。
於使用溶劑的情況下，相對於本發明的光酸產生劑100重量份，溶劑的使用比例較佳為15重量份~1000重量份，進而佳為30重量份~500重量份。
本發明的光微影用樹脂組成物(Q)包含非離子系光酸產生劑(A)作為必須成分，因此藉由進行紫外線照射及曝光後加熱(PEB)，而使曝光部與未曝光部對顯影液的溶解性產生差異。非離子系光酸產生劑(A)可單獨使用一種，或組合兩種以上使用。
作為光微影用樹脂組成物(Q)，可列舉負型化學增幅樹脂(QN)與非離子系光酸產生劑(A)的混合物；以及正型化學增幅樹脂(QP)與非離子系光酸產生劑(A)的混合物。
作為負型化學增幅樹脂(QN)，包含：含酚性羥基的樹脂(QN1)與交聯劑(QN2)。
作為含酚性羥基的樹脂(QN1)，若為含有酚性羥基的樹脂，則並無特別限制，例如可使用酚醛清漆樹脂，聚羥基苯乙烯，羥基苯乙烯的共聚物，羥基苯乙烯與苯乙烯的共聚物，羥基苯乙烯、苯乙烯及(甲基)丙烯酸衍生物的共聚物，苯酚-苯二甲醇縮合樹脂，甲酚-苯二甲醇縮合樹脂，含有酚性羥基的聚醯亞胺，含有酚性羥基的聚醯胺酸，苯酚-二環戊二烯縮合樹脂等。該些中，較佳為酚醛清漆樹脂，聚羥基苯乙烯，羥基苯乙烯的共聚物，羥基苯乙烯與苯乙烯的共聚物，羥基苯乙烯、苯乙烯及(甲基)丙烯酸衍生物的共聚物，苯酚-苯二甲醇縮合樹脂。此外，該些含酚性羥基的樹脂(QN1)可單獨使用一種，亦可混合兩種以上使用。
所述酚醛清漆樹脂例如可藉由於觸媒的存在下使酚類與醛類縮合來獲得。
作為所述酚類，例如可列舉：苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、鄰乙基苯酚、間乙基苯酚、對乙基苯酚、鄰丁基苯酚、間丁基苯酚、對丁基苯酚、2,3-二甲苯酚、2,4-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、2,6-二甲苯酚、3,4-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、2,3,5-三甲苯酚、3,4,5-三甲苯酚、鄰苯二酚、間苯二酚、鄰苯三酚、α-萘酚、β-萘 酚等。
另外，作為所述醛類，可列舉：甲醛、三聚甲醛(paraformaldehyde)、乙醛、苯甲醛等。
作為具體的酚醛清漆樹脂，例如可列舉：苯酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂、甲酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂、苯酚-萘酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂等。
另外，所述含酚性羥基的樹脂(QN1)中亦可含有酚性低分子化合物作為成分的一部分。
作為所述酚性低分子化合物，例如可列舉：4,4'-二羥基二苯基甲烷、4,4'-二羥基二苯基醚、三(4-羥基苯基)甲烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-1-苯基乙烷、三(4-羥基苯基)乙烷、1,3-雙[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯、1,4-雙[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯、4,6-雙[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]-1,3-二羥基苯、1,1-雙(4-羥基苯基)-1-[4-〔1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基〕苯基]乙烷、1,1,2,2-四(4-羥基苯基)乙烷、4,4'-{1-[4-〔1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基〕苯基]亞乙基}雙酚等。該些酚性低分子化合物可單獨使用一種，亦可混合兩種以上使用。
於將含酚性羥基的樹脂(QN1)設為100重量%的情況下，該酚性低分子化合物於含酚性羥基的樹脂(QN1)中的含有比例較佳為40重量%以下，更佳為1重量%~30重量%。
就所得的絕緣膜的解析性、熱衝擊性、耐熱性、殘膜率等觀點而言，含酚性羥基的樹脂(QN1)的重量平均分子量較佳 為2000以上，更佳為2000~20000左右。
另外，於將除去溶劑的組成物的整體設為100重量%的情況下，負型化學增幅樹脂(QN)中的含酚性羥基的樹脂(QN1)的含有比例較佳為30重量%~90重量%，更佳為40重量%~80重量%。於該含酚性羥基的樹脂(QN1)的含有比例為30重量%~90重量%的情況下，使用感光性絕緣樹脂組成物而形成的膜具有基於鹼性水溶液的充分的顯影性，故而較佳。
作為交聯劑(QN2)，若為可藉由自非離子系光酸產生劑(A)產生的強酸而將含酚性羥基的樹脂(QN1)交聯的化合物，則並無特別限定。
作為交聯劑(QN2)，例如可列舉：雙酚A系環氧化合物、雙酚F系環氧化合物、雙酚S系環氧化合物、酚醛清漆樹脂系環氧化合物、可溶酚醛樹脂系環氧化合物、聚(羥基苯乙烯)系環氧化合物、氧雜環丁烷化合物、含羥甲基的三聚氰胺化合物、含羥甲基的苯並胍胺(benzoguanamine)化合物、含羥甲基的脲(urea)化合物、含羥甲基的酚化合物、含烷氧基烷基的三聚氰胺化合物、含烷氧基烷基的苯並胍胺化合物、含烷氧基烷基的脲化合物、含烷氧基烷基的酚化合物、含羧甲基的三聚氰胺樹脂、含羧甲基的苯並胍胺樹脂、含羧甲基的脲樹脂、含羧甲基的酚樹脂、含羧甲基的三聚氰胺化合物、含羧甲基的苯並胍胺化合物、含羧甲基的脲化合物及含羧甲基的酚化合物等。
該些交聯劑(QN2)中，較佳為含羥甲基的酚化合物、 含甲氧基甲基的三聚氰胺化合物、含甲氧基甲基的酚化合物、含甲氧基甲基的甘脲化合物、含甲氧基甲基的脲化合物及含乙醯氧基甲基的酚化合物，進而佳為含甲氧基甲基的三聚氰胺化合物(例如六甲氧基甲基三聚氰胺等)、含甲氧基甲基的甘脲化合物及含甲氧基甲基的脲化合物等。含甲氧基甲基的三聚氰胺化合物以塞梅爾(CYMEL)300、CYMEL301、CYMEL303、CYMEL305(三井氰胺(股)製造)等商品名而市售，含甲氧基甲基的甘脲化合物以CYMEL1174(三井氰胺(股)製造)等商品名而市售，另外，含甲氧基甲基的脲(Urea)化合物以MX290(三和化學(股)製造)等商品名而市售。
就殘膜率的降低、圖案的扭曲或膨潤以及顯影性的觀點而言，相對於含酚性羥基的樹脂(QN1)中的所有酸性官能基，交聯劑(QN2)的含量通常為5莫耳%~60莫耳%，較佳為10莫耳%~50莫耳%，進而佳為15莫耳%~40莫耳%。
作為正型化學增幅樹脂(QP)，可列舉：將含有酚性羥基、羧基、或磺醯基等一種以上的酸性官能基的鹼可溶性樹脂(QP1)中的酸性官能基的氫原子的一部分或全部以酸解離性基取代而成的保護基導入樹脂(QP2)。
此外，酸解離性基是可於強酸的存在下解離的基團，所述強酸由非離子系光酸產生劑(A)產生。
關於保護基導入樹脂(QP2)，其自身為鹼不溶性或鹼難溶性。
作為鹼可溶性樹脂(QP1)，例如可列舉：含酚性羥基的 樹脂(QP11)、含羧基的樹脂(QP12)、及含磺酸基的樹脂(QP13)等。
作為含酚性羥基的樹脂(QP11)，可使用與所述含酚性羥基的樹脂(QN1)相同者。
作為含羧基的樹脂(QP12)，若為具有羧基的聚合物，則並無特別限制，例如可藉由使含羧基的乙烯基單體(Ba)、與視需要的含疏水基的乙烯基單體(Bb)進行乙烯基聚合而獲得。
作為含羧基的乙烯基單體(Ba)，例如可列舉：不飽和單羧酸[(甲基)丙烯酸、丁烯酸及桂皮酸等]、不飽和多元(2元~4元)羧酸[(無水)順丁烯二酸、衣康酸、反丁烯二酸及檸康酸等]、不飽和多元羧酸烷基(碳數1~10的烷基)酯[順丁烯二酸單烷基酯、反丁烯二酸單烷基酯及檸康酸單烷基酯等]、以及該些的鹽[鹼金屬鹽(鈉鹽及鉀鹽等)、鹼土金屬鹽(鈣鹽及鎂鹽等)、胺鹽及銨鹽等]。
就聚合性及獲取容易度的觀點而言，該些中較佳的是不飽和單羧酸，進而佳的是(甲基)丙烯酸。
作為含疏水基的乙烯基單體(Bb)，可列舉(甲基)丙烯酸酯(Bb1)、及芳香族烴單體(Bb2)等。
作為(甲基)丙烯酸酯(Bb1)，例如可列舉：烷基的碳數為1~20的(甲基)丙烯酸烷基酯[例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正己酯及(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯等] 及含脂環基的(甲基)丙烯酸酯[(甲基)丙烯酸二環戊基酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯及(甲基)丙烯酸異冰片酯等]等。
作為芳香族烴單體(Bb2)，例如可列舉：具有苯乙烯骨架的烴單體[例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、2,4-二甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、異丙基苯乙烯、丁基苯乙烯、苯基苯乙烯、環己基苯乙烯及苄基苯乙烯]及乙烯基萘等。
含羧基的樹脂(QP12)中，(Ba)/(Bb)的添加單體莫耳比通常為10~100/0~90，就顯影性的觀點而言，較佳為10~80/20~90，進而佳為25~85/15~75。
作為含磺酸基的樹脂(QP13)，若為具有磺酸基的聚合物，則並無特別限制，例如可藉由使含磺酸基的乙烯基單體(Bc)與視需要的含疏水基的乙烯基單體(Bb)進行乙烯基聚合而獲得。
作為含疏水基的乙烯基單體(Bb)，可使用與所述相同者。
作為含磺酸基的乙烯基單體(Bc)，例如可列舉：乙烯基磺酸、(甲基)烯丙基磺酸、苯乙烯磺酸、α-甲基苯乙烯磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸及該些的鹽。作為鹽，可列舉：鹼金屬(鈉及鉀等)鹽、鹼土金屬(鈣及鎂等)鹽、1級~3級胺鹽、銨鹽及四級銨鹽等。
含磺酸基的樹脂(QP13)中，(Bc)/(Bb)的添加單體莫耳比通常為10~100/0~90，就顯影性的觀點而言，較佳為10~80/20~90，進而佳為25~85/15~75。
鹼可溶性樹脂(QP1)的親水性-親油性均衡 (hydrophile-lipophile balance，HLB)值根據鹼可溶性樹脂(QP1)的樹脂骨架而較佳範圍不同，較佳為4~19，進而佳為5~18，特佳為6~17。
HLB值若為4以上，則於進行顯影時顯影性更良好；若為19以下，則硬化物的耐水性更良好。
此外，本發明中的HLB值是基於小田法的HLB值，是指親水性-疏水性均衡值，可根據有機化合物的有機性的值與無機性的值的比率來計算。
HLB≒10×無機性/有機性
另外，無機性的值及有機性的值詳細記載於：文獻「界面活性劑的合成及其應用」(槇書店發行，小田、寺村著)的501頁；或「新．界面活性劑入門」(藤本武彥著，三洋化成工業股份有限公司發行)的198頁。
作為保護基導入樹脂(QP2)中的酸解離性基，例如可列舉：經取代的甲基、1-經取代的乙基、1-分支烷基、矽烷基、鍺烷基(germyl group)、烷氧基羰基、醯基及環式酸解離性基等。該些可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。
作為經取代的甲基，例如可列舉：甲氧基甲基、甲硫基甲基、乙氧基甲基、乙硫基甲基、甲氧基乙氧基甲基、苄氧基甲基、苄硫基甲基、苯甲醯甲基、溴苯甲醯甲基、甲氧基苯甲醯甲 基、甲硫基苯甲醯甲基、α-甲基苯甲醯甲基、環丙基甲基、苄基、二苯基甲基、三苯基甲基、溴苄基、硝基苄基、甲氧基苄基、甲硫基苄基、乙氧基苄基、乙硫基苄基、胡椒基(piperonyl)、甲氧基羰基甲基、乙氧基羰基甲基、正丙氧基羰基甲基、異丙氧基羰基甲基、正丁氧基羰基甲基、第三丁氧基羰基甲基等。
作為1-經取代的乙基，例如可列舉：1-甲氧基乙基、1-甲硫基乙基、1,1-二甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-乙硫基乙基、1,1-二乙氧基乙基、1-乙氧基丙基、1-丙氧基乙基、1-環己氧基乙基、1-苯氧基乙基、1-苯硫基乙基、1,1-二苯氧基乙基、1-苄氧基乙基、1-苄硫基乙基、1-環丙基乙基、1-苯基乙基、1,1-二苯基乙基、1-甲氧基羰基乙基、1-乙氧基羰基乙基、1-正丙氧基羰基乙基、1-異丙氧基羰基乙基、1-正丁氧基羰基乙基、1-第三丁氧基羰基乙基等。
作為1-分支烷基，例如可列舉：異丙基、第二丁基、第三丁基、1,1-二甲基丙基、1-甲基丁基、1,1-二甲基丁基等。
作為矽烷基，例如可列舉：三甲基矽烷基、乙基二甲基矽烷基、甲基二乙基矽烷基、三乙基矽烷基、異丙基二甲基矽烷基、甲基二異丙基矽烷基、三異丙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、甲基二-第三丁基矽烷基、三-第三丁基矽烷基、苯基二甲基矽烷基、甲基二苯基矽烷基、三苯基矽烷基等三-二價碳基矽烷基。
作為鍺烷基，例如可列舉：三甲基鍺烷基、乙基二甲基鍺烷基、甲基二乙基鍺烷基、三乙基鍺烷基、異丙基二甲基鍺烷 基、甲基二異丙基鍺烷基、三異丙基鍺烷基、第三丁基二甲基鍺烷基、甲基二-第三丁基鍺烷基、三-第三丁基鍺烷基、苯基二甲基鍺烷基、甲基二苯基鍺烷基、三苯基鍺烷基等三-二價碳基鍺烷基。
作為烷氧基羰基，例如可列舉：甲氧基羰基、乙氧基羰基、異丙氧基羰基、第三丁氧基羰基等。
作為醯基，例如可列舉：乙醯基、丙醯基、丁醯基、庚醯基、己醯基、戊醯基、特戊醯基、異戊醯基、月桂醯基、肉豆蔻醯基(myristoyl)、軟脂醯基(palmitoyl)、硬脂醯基、乙二醯基、丙二醯基、丁二醯基、戊二醯基、己二醯基、庚二醯基(pimeloyl)、辛二醯基、壬二醯基、癸二醯基、丙烯醯基、丙炔醯基、甲基丙烯醯基、丁烯醯基、油醯基、順丁烯二醯基、反丁烯二醯基、中康醯基(mesaconoyl)、莰二醯基、苯甲醯基、鄰苯二甲醯基、間苯二甲醯基、對苯二甲醯基、萘甲醯基、甲苯甲醯基、氫阿托醯基(hydratropoyl)、阿托醯基(atropoyl)、桂皮醯基、呋喃甲醯基、噻吩甲醯基(thenoyl)、菸醯基(nicotinoyl)、異菸醯基、對甲苯磺醯基、甲磺醯基等。
作為環式酸解離性基，例如可列舉：環丙基、環戊基、環己基、環己烯基、4-甲氧基環己基、四氫吡喃基、四氫呋喃基、四氫噻喃基(tetrahydrothiopyranyl)、四氫硫呋喃基(tetrahydrothiofuranyl)、3-溴四氫吡喃基、4-甲氧基四氫吡喃基、4-甲氧基四氫噻喃基、3-四氫噻吩-1,1-二氧化物基等。
該些酸解離性基中，較佳為第三丁基、苄基、1-甲氧基 乙基、1-乙氧基乙基、三甲基矽烷基、第三丁氧基羰基、第三丁氧基羰基甲基、四氫吡喃基、四氫呋喃基、四氫噻喃基及四氫硫呋喃基等。
保護基導入樹脂(QP2)中酸解離性基的導入率{酸解離性基的數量相對於保護基導入樹脂(QP2)中未經保護的酸性官能基與酸解離性基的合計數的比例}雖然視酸解離性基或該基所導入的鹼可溶性樹脂的種類而不能籠統地規定，但較佳為10%~100%，進而佳為15%~100%。
保護基導入樹脂(QP2)的藉由凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)測定的聚苯乙烯換算重量平均分子量(以下稱為「Mw」)較佳為1,000~150,000，進而佳為3,000~100,000。
另外，保護基導入樹脂(QP2)的Mw與藉由凝膠滲透層析法(GPC)測定的聚苯乙烯換算數量平均分子量(以下稱為「Mn」)的比(Mw/Mn)通常為1~10，較佳為1~5。
以光微影用樹脂組成物(Q)的固體成分的重量為基準，非離子系光酸產生劑(A)的含量較佳為0.001重量%~20重量%，進而佳為0.01重量%~15重量%，特佳為0.05重量%~7重量%。
若為0.001重量%以上，則可更良好地發揮對紫外線的感度，若為20重量%以下，則可更良好地發揮對鹼性顯影液不溶部分的物性。
使用本發明的光微影用樹脂組成物(Q)的抗蝕劑例如 可藉由以下方式形成：使用旋轉塗佈、簾幕式塗佈、輥塗、噴霧塗佈、網版印刷等公知的方法，將溶解(於包含無機微粒子的情況下，為溶解與分散)於既定的有機溶劑而成的樹脂溶液塗佈於基板上，然後藉由加熱或熱風吹附而使溶劑乾燥。
作為使光微影用樹脂組成物(Q)溶解的有機溶劑，若可使樹脂組成物溶解，並能夠將樹脂溶液調整為可應用於旋轉塗佈等的物性(黏度等)，則並無特別限定。例如可使用N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、甲苯、乙醇、環己酮、甲醇、甲基乙基酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙酮及二甲苯等公知的溶媒。
就乾燥溫度等觀點而言，該些溶劑中，較佳為沸點為200℃以下者(甲苯、乙醇、環己酮、甲醇、甲基乙基酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙酮及二甲苯)，亦能夠單獨或組合兩種以上使用。
於使用有機溶劑的情況下，溶劑的調配量並無特別限定，以光微影用樹脂組成物(Q)的固體成分的重量為基準，通常較佳為30重量%~1,000重量%，進而佳為40重量%~900重量%，特佳為50重量%~800重量%。
塗佈後的樹脂溶液的乾燥條件根據所使用的溶劑而不同，較佳為於50℃~2000℃下、在2分鐘~30分鐘的範圍內實施，藉由乾燥後的光微影用樹脂組成物(Q)的殘留溶劑量(重量%)等來適當決定。
於基板上形成抗蝕劑後，進行配線圖案形狀的光照射。然後，於進行曝光後加熱(PEB)後，進行鹼性顯影，而形成配線圖案。
作為光照射的方法，可列舉介隔具有配線圖案的光罩，利用光化射線進行抗蝕劑的曝光的方法。作為光照射所使用的光化射線，若可使本發明的光微影用樹脂組成物(Q)中的非離子系光酸產生劑(A)分解，則並無特別限制。
作為光化射線，有低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、氙燈、金屬鹵素燈、電子束照射裝置、X射線照射裝置、雷射(氬雷射、色素雷射、氮雷射、發光二極體(light emitting diode，LED)、氦鎘雷射等)等。該些中，較佳為高壓水銀燈及超高壓水銀燈。
作為曝光後加熱(PEB)的溫度，通常為40℃~200℃，較佳為50℃~190℃，進而佳為60℃~180℃。若未滿40℃，則無法充分進行脫保護反應或交聯反應，因此紫外線照射部與紫外線未照射部的溶解性的差異不足而無法形成圖案；若高於200℃，則存在生產性降低的問題。
作為加熱時間，通常為0.5分鐘~120分鐘，若未滿0.5分鐘，則時間與溫度的控制困難；若多於120分鐘，則存在生產性降低的問題。
作為鹼性顯影的方法，可列舉使用鹼性顯影液而溶解去除為配線圖案形狀的方法。作為鹼性顯影液，若為使光微影用樹 脂組成物(Q)的紫外線照射部與紫外線未照射部的溶解性產生差異的條件，則並無特別限制。
作為鹼性顯影液，有氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液、碳酸氫鈉水溶液及四甲基銨鹽水溶液等。
該些鹼性顯影液亦可添加水溶性的有機溶劑。作為水溶性的有機溶劑，有甲醇、乙醇、異丙醇、四氫呋喃、N-甲基吡咯啶酮等。
作為顯影方法，有使用鹼性顯影液的浸漬方式、沖淋方式、及噴霧方式，較佳為噴霧方式。
顯影液的溫度較佳為於25℃~40℃下使用。顯影時間根據抗蝕劑的厚度而適當決定。
[實施例]
以下，藉由實施例及比較例對本發明進一步加以說明，但本發明並不限定於該些例子。以下，只要未作特別說明，則%表示重量%，份表示重量份。
<實施例1>
於三角燒瓶中使3-羥基-1,8-萘二甲酸酐(東京化成工業公司製造)21份、及碳酸鉀27份分散於乙腈400份中之後，投入氯乙酸第三丁酯(東京化成工業公司製造)30份並於75℃下反應6小時。
繼而，將碳酸鉀過濾去除後，滴加投入50%羥基胺水溶液(東京化成工業公司製造)18份並於室溫下反應2小時。反應結束後，將反應液投入至離子交換水中，然後投入鹽酸，直至成為pH5為 止。攪拌片刻後，將析出物過濾回收，於70℃下進行減壓乾燥，而獲得淡黃色固體的前驅物。
使乾燥後的前驅物溶解於二氯甲烷500份、及吡啶20份中之後，冷卻為10℃，滴加投入三氟甲磺酸酐(三菱材料電子化成公司製造，EF-18)42份。滴加投入後，於室溫下反應1小時，然後藉由離子交換水進行水洗。將該水洗後的反應液濃縮，並投入甲醇，藉此使結晶析出。將該結晶過濾回收，並於50℃下減壓乾燥，藉此獲得本發明的非離子系光酸產生劑(A-1)。
<實施例2>
將氯乙酸第三丁酯30份變更為2-溴丁酸乙酯(東京化成工業公司製造)40份，除此以外，進行與實施例1相同的操作，獲得本發明的非離子系光酸產生劑(A-2)。
<實施例3>
將氯乙酸第三丁酯30份變更為2-溴己酸甲酯(東京化成工業公司製造)40份，除此以外，進行與實施例1相同的操作，獲得本發明的非離子系光酸產生劑(A-3)。
<實施例4>
將3-羥基-1,8-萘二甲酸酐21份變更為4-溴-1,8-萘二甲酸酐(東京化成工業公司製造)28份、將碳酸鉀27份變更為三乙胺11份、以及將氯乙酸第三丁酯30份變更為硫代乙醇酸丁酯(東京化成工業公司製造)16份，除此以外，進行與實施例1相同的操作，獲得本發明的非離子系光酸產生劑(A-4)。
<實施例5>
將硫代乙醇酸丁酯16份變更為硫代乙醇酸2-乙基己酯(東京化成工業公司製造)22份，除此以外，進行與實施例4相同的操作，獲得本發明的非離子系光酸產生劑(A-5)。
<實施例6>
將硫代乙醇酸丁酯16份變更為硫代蘋果酸(東京化成工業公司製造)16份、將三乙胺11份變更為35份，除此以外，進行與實施例4相同的操作，獲得本發明的非離子系光酸產生劑(A-6)。
<實施例7>
將硫代乙醇酸丁酯16份變更為硫代乳酸(東京化成工業公司製造)12份、將三乙胺11份變更為22份，除此以外，進行與實施例4相同的操作，獲得本發明的非離子系光酸產生劑(A-7)。
<實施例8>
將實施例1中所得的光酸產生劑(A-1)10份溶解於乙酸乙酯100份、氯化氫-乙酸乙酯溶液(約4mol/L)(和光純藥公司製造)50份中之後，於75℃下反應6小時而除去酯基。繼而，藉由水洗將酸去除後，將溶劑減壓去除，藉此獲得本發明的非離子系光酸產生劑(A-8)。
<實施例9>
於三角燒瓶中使2-溴丁酸40份、二甲基胺基吡啶4份、及第三丁醇80份溶解於二氯甲烷800份中之後，投入1-(3-二甲基胺基丙基)-3-乙基碳二醯亞胺鹽酸鹽50份並於室溫下反應3小時。 繼而，利用1%鹽酸水溶液清洗後，將溶劑減壓去除，藉此獲得溴丁酸第三丁酯。
繼而，將氯乙酸第三丁酯30份變更為藉由所述而獲得的2-溴丁酸第三丁酯40份，除此以外，進行與實施例1相同的操作，獲得本發明的非離子系光酸產生劑(A-9)。
<實施例10>
將2-溴丁酸變更為2-溴己酸，除此以外，進行與實施例9相同的操作，獲得本發明的非離子系光酸產生劑(A-10)。
<實施例11>
將光酸產生劑(A-1)變更為實施例9中所得的光酸產生劑(A-9)，除此以外，進行與實施例8相同的操作，獲得本發明的非離子系光酸產生劑(A-11)。
<實施例12>
將光酸產生劑(A-1)變更為實施例11中所得的光酸產生劑(A-11)，除此以外，進行與實施例8相同的操作，獲得本發明的非離子系光酸產生劑(A-12)。
<比較例1>
直接使用由下述式(4)表示的1,8-萘二甲醯亞胺三氟甲磺酸酯(奧德里奇(Aldrich)公司製造)。
[化5]
Figure 108141053-A0305-02-0027-6
<比較例2>
依據化學學會會刊(J.Chem.Soc.)(C),1966,p523記載的方法來合成由下述式(5)表示的3-甲氧基-1,8-萘二甲醯亞胺對甲苯磺酸並加以使用。
Figure 108141053-A0305-02-0027-7
<實施例1~實施例9、比較例1~比較例2>
作為光酸產生劑的性能評價，藉由以下方法對實施例1~實施例9中所得的非離子系光酸產生劑(A-1)~非離子系光酸產生劑(A-9)、用於比較的非離子系光酸產生劑(A'-1)~非離子系光酸產生劑(A'-2)的莫耳吸光係數、光分解率、抗蝕劑感度、溶劑溶解性進行評價，將其結果記載於表1中。
<莫耳吸光係數>
藉由乙腈將所合成的光酸產生劑稀釋為0.025mmol/L，使用紫外可見分光光度計(島津製作所公司製造，UV-2550)，於200nm至500nm的範圍內測定1cm的單元長的吸光度。由下述式算出i射線(365nm)的莫耳吸光係數(ε365)。
ε365(L．mol-1．cm-1)=A365/(0.00025mol/L×1cm)
[式中，A365表示365nm的吸光度]
<光分解率>
將所述製備的0.025mmol/L的溶液放入至直徑1cm的試管內，並照射50mJ/cm2(365nm)的光。由該溶液的光照射前後的液相層析(liquid chromatography，LC)的面積比算出光酸產生劑的光分解率。
光分解率(%)=(S0-S1)/S0×100
S0：光照射前的光酸產生劑的LC峰值面積
S1：光照射後的光酸產生劑的LC峰值面積
<抗蝕劑感度>
將利用非離子系光酸產生劑0.2份、環境穩定的化學放大光阻劑(Environmentally Stable Chemically Amplified Photoresist，ESCAP)系聚合物(羥基苯乙烯與丙烯酸第三丁酯共聚物)100 份、及丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)900份製備的抗蝕劑溶液旋轉塗佈於矽晶圓上之後，於100℃下乾燥4分鐘，藉此獲得6μm的膜厚的抗蝕劑膜。
使用紫外線照射裝置(奧克(ORC)製作所股份有限公司製造，HMW-661F-01)，以既定量的藉由L-34(肯高(kenko)光學股份有限公司製造，截止未滿340nm的光的濾波器)濾波器限定了波長的紫外光對該抗蝕劑膜進行全面曝光。此外，累計曝光量是對365nm的波長進行測定。繼而，於110℃下進行90秒後烘烤(after-bake)，然後利用2.38%氫氧化四甲基銨(tetramethylammonium hydroxide，TMAH)水溶液浸漬處理60秒而進行顯影。由該曝光部分的抗蝕劑膜被完全去除的最小曝光量(Eth)，依照以下的基準評價抗蝕劑感度。
○：最小曝光量為50mJ/cm2以下
△：最小曝光量超過50mJ/cm2且為100mJ/cm2以下
×：最小曝光量超過100mJ/cm2
<溶劑溶解性>
取0.3g所合成的光酸產生劑至試管中，於25℃的溫度調節下添加丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)各0.2g~0.5g，添加至光酸產生劑完全溶解為止。將該溶解時的固體成分濃度設為溶劑溶解性。此外，於即便添加30g仍不完全溶解的情況下，評價為不溶解者。
[表1]
Figure 108141053-A0305-02-0030-8
本發明的非離子系光酸產生劑對i射線(365nm)的莫耳吸光係數高、另外光分解率優異，故作為薄膜抗蝕劑用途而言有用。另外，可知對溶劑的溶解性亦為5%以上，對於用作光阻劑而言具有充分的性能。
另一方面，可知於包含不具有取代基的萘基醯亞胺骨架的比較例1中，對i射線的吸收不充分，且萘基骨架彼此容易發生分子配向而結晶性變高，故對溶劑的溶解性過低。另外，可知於Rf的氫原子未經氟取代的比較例2中，雖然對i射線的吸收充分，但光分解率低。另外，可知取代基為甲氧基，不具有充分的極性及大小，故溶劑溶解性不足。
[產業上之可利用性]
本發明的非離子系光酸產生劑(A)對i射線具有高感光度、對抗蝕劑溶液的相溶性及溶解性優異、另外耐熱穩定性優 異，故作為以半導體的製造為代表的微細加工用的光微影材料而言有用。

Claims (4)

  1. 一種非離子系光酸產生劑（A），其特徵在於由下述通式（1）表示；
    Figure 03_image015
    式（1）中，X表示氧原子、或硫原子，R1表示氫原子、或可具有羧酸基的碳數1～12的烷基，R2表示氫原子、或碳數1～12的烷基，Rf表示氫的一部分或全部經氟取代的碳數1～12的烴基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的非離子系光酸產生劑（A），其中於通式（1）中，Rf為CF3 、C2 F5 、C3 F7 、C4 F9 、或C6 F5 。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的非離子系光酸產生劑（A），其中於通式（1）中，R2為氫原子、或碳數1～4的烷基。
  4. 一種光微影用樹脂組成物（Q），包含如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的非離子系光酸產生劑（A）。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112094232B (zh) * 2020-09-18 2022-04-08 河北凯力昂生物科技有限公司 一种n-羟基萘酰亚胺甲磺酸酯的合成方法
WO2022080195A1 (ja) * 2020-10-13 2022-04-21 日本ゼオン株式会社 感放射線性樹脂組成物
WO2023162552A1 (ja) * 2022-02-24 2023-08-31 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型感光性組成物、鋳型付き基板の製造方法、及びめっき造形物の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016110399A1 (de) * 2015-01-09 2016-07-14 Kraussmaffei Technologies Gmbh Schüttgut-dosiervorrichtung und extrusionsvorrichtung mit einer solchen schüttgut-dosiervorrichtung

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1516512A (en) 1974-05-02 1978-07-05 Gen Electric Chalcogenium salts
JP3024621B2 (ja) 1990-01-30 2000-03-21 和光純薬工業株式会社 レジスト材料用酸発生剤
EP0571330B1 (de) 1992-05-22 1999-04-07 Ciba SC Holding AG Hochauflösender I-Linien Photoresist mit höherer Empfindlichkeit
JPH09118663A (ja) 1995-08-22 1997-05-06 Nippon Soda Co Ltd 新規スルホニウム塩化合物、重合開始剤、該化合物を含有する硬化性組成物および硬化方法
WO2011087011A1 (ja) * 2010-01-13 2011-07-21 株式会社Adeka 新規スルホン酸誘導体化合物及び新規ナフタル酸誘導体化合物
US20160368879A1 (en) * 2013-07-05 2016-12-22 San-Apro Ltd. Photoacid generator, and resin composition for photolithography
US9383644B2 (en) 2014-09-18 2016-07-05 Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications
EP2998297A1 (en) 2014-09-18 2016-03-23 Heraeus Materials Korea Corporation Photo-acid generating compounds, compositions comprising said compounds, composite and process for making said composite as well as uses of said compounds
JP6621386B2 (ja) 2015-08-06 2019-12-18 東京応化工業株式会社 感光性組成物
CN107810179B (zh) * 2015-08-21 2021-10-22 贺利氏电子化工有限责任公司 在阻剂应用中作为光酸产生剂的磺酸衍生物化合物
JP6896404B2 (ja) * 2016-11-30 2021-06-30 キヤノン株式会社 露光装置及び物品の製造方法
JP2018091939A (ja) 2016-11-30 2018-06-14 株式会社Adeka ネガ型感光性組成物、その硬化物およびその硬化方法
KR102438543B1 (ko) 2016-12-12 2022-08-30 산아프로 가부시키가이샤 광산 발생제 및 포토리소그래피용 수지 조성물
JP6747990B2 (ja) 2017-01-12 2020-08-26 サンアプロ株式会社 光酸発生剤及びフォトリソグラフィー用樹脂組成物
JP7022006B2 (ja) * 2018-05-10 2022-02-17 サンアプロ株式会社 光酸発生剤及びフォトリソグラフィー用樹脂組成物

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016110399A1 (de) * 2015-01-09 2016-07-14 Kraussmaffei Technologies Gmbh Schüttgut-dosiervorrichtung und extrusionsvorrichtung mit einer solchen schüttgut-dosiervorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
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