TWI787324B - 液晶顯示元件、液晶組成物及其用途 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種液晶組成物、以及包含該組成物的AM元件,所述液晶組成物滿足上限溫度高、下限溫度低、黏度小、光學各向異性適當、彈性常數大、負介電各向異性大之類的特性的至少一種,或於該些特性的至少兩種之間具有適當的平衡。一種液晶組成物,其含有作為第一成分的具有小的黏度且具有負的介電各向異性的特定化合物,而且含有作為第二成分的具有負的介電各向異性的特定化合物,亦可含有作為第三成分的具有高的上限溫度或小的黏度的特定化合物、或者作為第一添加物的具有聚合性基的特定化合物。
Description
本發明是有關於一種液晶組成物、含有該組成物的液晶顯示元件等。特別是有關於一種介電各向異性為負的液晶組成物、及含有該組成物且具有共面切換(in-plane switching,IPS)、垂直配向(vertical alignment,VA)、邊緣場切換(Fringe Field switching,FFS)、電場感應光反應配向(field-induced photo-reactive alignment,FPA)等模式的液晶顯示元件。本發明亦是有關於一種聚合物穩定配向型的液晶顯示元件。
液晶顯示元件中,基於液晶分子的運作模式的分類為相變(phase change,PC)、扭轉向列(twisted nematic,TN)、超扭轉向列(super twisted nematic,STN)、電控雙折射(electrically controlled birefringence,ECB)、光學補償彎曲(optically compensated bend,OCB)、共面切換(in-plane switching,IPS)、垂直配向(vertical alignment,VA)、邊緣場切換(fringe field switching,FFS)、電場感應光反應配向(field-induced photo-reactive alignment,FPA)等模式。基於元件的驅動方式的分類為被動矩陣(passive matrix,PM)與主動矩陣(active matrix,AM)。PM被分類為靜態式(static)、多工式(multiplex)等,AM被分類為薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)、金屬-絕緣體-金屬(metal insulator metal,MIM)等。TFT的分類為非晶矽(amorphous silicon)及多晶矽(polycrystal silicon)。後者根據製造步驟而分類為高溫型與低溫型。基於光源的分類為利用自然光的反射型、利用背光的透過型、以及利用自然光與背光兩者的半透過型。
液晶顯示元件含有具有向列相的液晶組成物。該組成物具有適當的特性。藉由提高該組成物的特性,可獲得具有良好特性的AM元件。將該些特性中的關聯歸納於下述表1中。基於市售的AM元件來對組成物的特性進一步進行說明。向列相的溫度範圍與元件可使用的溫度範圍相關聯。向列相的較佳上限溫度為約70℃以上,而且向列相的較佳下限溫度為約-10℃以下。組成物的黏度與元件的響應時間相關聯。為了以元件顯示動態圖像,較佳為響應時間短。理想為短於1毫秒的響應時間。因此,較佳為組成物的黏度小。進而佳為低溫下的黏度小。
組成物的光學各向異性與元件的對比度相關聯。根據元件的模式,而需要光學各向異性大或光學各向異性小,即光學各向異性適當。組成物的光學各向異性(Δn)與元件的單元間隙(d)的積(Δn×d)被設計成使對比度為最大。積的適當的值依存於運作模式的種類。VA模式的元件中,該值為約0.30 μm至約0.40 μm的範圍,IPS模式或FFS模式的元件中,該值為約0.20 μm至約0.30 μm的範圍。該些情況下,對單元間隙小的元件而言較佳為具有大的光學各向異性的組成物。組成物的介電各向異性大有助於元件中的臨限電壓低、電力消耗小與對比度大。因而,較佳為介電各向異性大。組成物中的比電阻大有助於使元件中的電壓保持率大與對比度大。因而,較佳為於初始階段中具有大的比電阻的組成物。較佳為長時間使用後具有大的比電阻的組成物。組成物對紫外線或熱的穩定性與元件的壽命相關聯。於該穩定性高時,元件的壽命長。此種特性對用於液晶監視器、液晶電視等的AM元件而言較佳。
通用的液晶顯示元件中,液晶分子的垂直配向可藉由特定的聚醯亞胺配向膜而達成。於聚合物穩定配向(polymer sustained alignment,PSA)型的液晶顯示元件中,將聚合體與配向膜組合。首先,將添加有少量聚合性化合物的組成物注入至元件中。其次,一面對該元件的基板之間施加電壓,一面對組成物照射紫外線。聚合性化合物進行聚合而於組成物中生成聚合體的網狀結構。該組成物中,可利用聚合體來控制液晶分子的配向,因此元件的響應時間縮短,圖像的殘像得到改善。具有TN、ECB、OCB、IPS、VA、FFS、FPA之類的模式的元件中可期待聚合體的此種效果。
具有TN模式的AM元件中使用具有正的介電各向異性的組成物。具有VA模式的AM元件中使用具有負的介電各向異性的組成物。具有IPS模式或FFS模式的AM元件中使用具有正或負的介電各向異性的組成物。聚合物穩定配向型的AM元件中使用具有正或負的介電各向異性的組成物。與本發明的第一成分類似的化合物揭示於以下的專利文獻1中。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-31694號
[發明所欲解決之課題] 本發明的其中一目的為提供一種液晶組成物,其滿足向列相的上限溫度高、向列相的下限溫度低、黏度小、光學各向異性適當、彈性常數大、負的介電各向異性大、比電阻大、對紫外線的穩定性高、對熱的穩定性高之類的特性的至少一種。另一目的為提供一種於該些特性的至少兩種之間具有適當平衡的液晶組成物。另一目的為提供一種含有此種組成物的液晶顯示元件。又一目的為提供一種具有響應時間短、低溫下的響應時間短、電壓保持率大、臨限電壓低、對比度大、壽命長之類的特性的AM元件。 [解決課題之手段]
本發明是有關於一種液晶組成物、以及含有該組成物的液晶顯示元件,所述液晶組成物含有選自式(1)所表示的化合物中的至少一種化合物作為第一成分,且具有負的介電各向異性。式(1)中,R1
為碳數2至12的烯基;R2
為碳數1至12的烷基或碳數2至12的烯基;環A為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、或2-氯-1,4-伸苯基;L1
為氟或氯;Z1
為單鍵、伸乙基、羰基氧基、或亞甲基氧基;a為1、2、或3。 [發明的效果]
本發明的一優點為提供一種液晶組成物,其滿足向列相的上限溫度高、向列相的下限溫度低、黏度小、光學各向異性大、負的介電各向異性大、比電阻大、對紫外線的穩定性高、對熱的穩定性高之類的特性的至少一種。另一優點為提供一種於該些特性的至少兩種之間具有適當平衡的液晶組成物。另一優點為提供一種含有此種組成物的液晶顯示元件。又一優點為提供一種AM元件,其具有響應時間短、電壓保持率大、臨限電壓低、對比度大、壽命長之類的特性。
該說明書中的用語的使用方法如以下般。有時將「液晶組成物」及「液晶顯示元件」的用語分別簡稱為「組成物」及「元件」。「液晶顯示元件」是液晶顯示面板及液晶顯示模組的總稱。「液晶性化合物」是具有向列相、層列相等液晶相的化合物,以及不具有液晶相但出於調節向列相的溫度範圍、黏度、介電各向異性之類的特性的目的而混合至組成物中的化合物的總稱。該化合物例如具有1,4-伸環己基或1,4-伸苯基之類的六員環,其分子結構為棒狀(rod like)。「聚合性化合物」是出於使組成物中生成聚合體的目的而添加的化合物。具有烯基的液晶性化合物於其意義方面並非為聚合性。
液晶組成物是藉由將多種液晶性化合物混合來製備。於該液晶組成物中視需要添加光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合起始劑、聚合抑制劑、極性化合物之類的添加物。即便於添加有添加物的情況下,液晶性化合物的比例亦是由基於不包含添加物的液晶組成物的質量的質量百分率(質量%)來表示。添加物的比例是由基於不包含添加物的液晶組成物的質量的質量百分率(質量%)來表示。即,液晶性化合物或添加物的比例是基於液晶性化合物的總質量而算出。有時使用質量百萬分率(ppm)。聚合起始劑及聚合抑制劑的比例是例外地基於聚合性化合物的質量來表示。
有時將「向列相的上限溫度」簡稱為「上限溫度」。有時將「向列相的下限溫度」簡稱為「下限溫度」。「比電阻大」是指組成物於初始階段中具有大的比電阻,而且於長時間使用後具有大的比電阻。「電壓保持率大」是指元件於初始階段中不僅在室溫下,而且在接近於上限溫度的溫度下亦具有大的電壓保持率,而且於長時間使用後不僅在室溫下,而且在接近於上限溫度的溫度下亦具有大的電壓保持率。有時藉由經時變化試驗來研究組成物或元件的特性。「提高介電各向異性」的表述於介電各向異性為正的組成物時,是指其值正向地增加,於介電各向異性為負的組成物時,是指其值負向地增加。
有時將式(1)所表示的化合物簡稱為「化合物(1)」。有時將選自式(1)所表示的化合物中的至少一種化合物簡稱為「化合物(1)」。「化合物(1)」是指式(1)所表示的一種化合物、兩種化合物的混合物、或三種以上化合物的混合物。對於其他式所表示的化合物亦相同。「至少一個‘A’」的表述是指‘A’的數量為任意。「至少一個‘A’可經‘B’取代」的表述是指於‘A’的數量為一個時,‘A’的位置為任意,於‘A’的數量為兩個以上時,它們的位置亦可無限制地選擇。該規則亦適用於「至少一個‘A’經‘B’取代」的表述。
於該說明書中使用「至少一個-CH2
-可經-O-取代」之類的表述。該情況下,-CH2
-CH2
-CH2
-可藉由不鄰接的-CH2
-經-O-取代而轉換為-O-CH2
-O-。然而,鄰接的-CH2
-不會經-O-取代。這是因為該取代中生成-O-O-CH2
-(過氧化物)。即,該表述是指「一個-CH2
-可經-O-取代」與「至少兩個不鄰接的-CH2
-可經-O-取代」兩者。該規則不僅適用於取代為-O-的情況,亦適用於取代為-CH=CH-或-COO-之類的二價基的情況。
成分化合物的化學式中,將末端基R2
的記號用於多種化合物。該些化合物中,任意的兩個R2
所表示的兩個基可相同,或者亦可不同。例如,有化合物(1-1)的R2
為乙基,且化合物(1-2)的R2
為乙基的情況。亦有化合物(1-1)的R3
為乙基,而化合物(1-2)的R2
為丙基的情況。該規則亦適用於其他末端基等的記號。式(1)中,於下標‘a’為2時,存在兩個環A。該化合物中,兩個環A所表示的兩個環可相同,或亦可不同。於下標‘a’大於2時,該規則亦適用於任意的兩個環A。該規則亦適用於Z4
、環E等記號。該規則亦適用於化合物(4-27)中的兩個-Sp2
-P5
之類的情況。
由六邊形包圍的A、B、C、D等記號分別與環A、環B、環C、環D等環相對應,且表示六員環、縮合環等環。化合物(4)中,將該六邊形的一邊橫切的斜線表示環上的任意氫可經-Sp1
-P1
等基取代。‘f’等下標表示經取代的基的數量。於下標‘f’為0(零)時,不存在此種取代。於下標‘f’為2以上時,於環G上存在多個-Sp1
-P1
。-Sp1
-P1
所表示的多個基可相同,或者亦可不同。「環A及環B獨立地為X、Y、或Z」的表述中,由於主語為多個,故使用「獨立地」。於主語為「環A」時,由於主語為單數,故不使用「獨立地」。
2-氟-1,4-伸苯基是指下述兩種二價基。化學式中,氟可為朝左(L),亦可為朝右(R)。該規則亦適用於四氫吡喃-2,5-二基或藉由自環去除兩個氫而生成的左右非對稱的二價基。該規則亦適用於羰基氧基(-COO-或-OCO-)之類的二價鍵結基。
液晶性化合物的烷基為直鏈狀或分支狀,不包含環狀烷基。直鏈狀烷基優於分支狀烷基。於分支狀烷基的情況下,不具有不對稱碳原子。該些情況對於烷氧基、烯基等末端基亦相同。為了提昇上限溫度,與1,4-伸環己基相關的立體構型是反式構型優於順式構型。
本發明為下述項等。
項1. 一種液晶組成物,其含有選自式(1)所表示的化合物中的至少一種化合物作為第一成分,且具有負的介電各向異性。式(1)中,R1
為碳數2至12的烯基;R2
為碳數1至12的烷基或碳數2至12的烯基;環A為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、或2-氯-1,4-伸苯基;L1
為氟或氯;Z1
為單鍵、伸乙基、羰基氧基、或亞甲基氧基;a為1、2、或3。
項2. 如項1所述的液晶組成物,其含有選自式(1-1)至式(1-10)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物作為第一成分。式(1-1)至式(1-10)中,R1
為碳數2至12的烯基;R2
為碳數1至12的烷基或碳數2至12的烯基。
項3. 如項1或項2所述的液晶組成物,其中第一成分的比例為3質量%至25質量%的範圍。
項4. 如項1至項3中任一項所述的液晶組成物,其含有選自式(2)所表示的化合物中的至少一種化合物作為第二成分。式(2)中,R3
及R4
獨立地為氫、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至12的烯基氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基;環B及環D獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、1,4-伸苯基、四氫吡喃-2,5-二基、至少一個氫經氟或氯取代的1,4-伸苯基、萘-2,6-二基、至少一個氫經氟或氯取代的萘-2,6-二基、色原烷-2,6-二基、或者至少一個氫經氟或氯取代的色原烷-2,6-二基;環C為2,3-二氟-1,4-伸苯基、2-氯-3-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-5-甲基-1,4-伸苯基、3,4,5-三氟萘-2,6-二基、7,8-二氟色原烷-2,6-二基、3,4,5,6-四氟茀-2,7-二基、4,6-二氟二苯并呋喃-3,7-二基、4,6-二氟二苯并噻吩-3,7-二基、或1,1,6,7-四氟茚滿-2,5-二基;Z2
及Z3
獨立地為單鍵、伸乙基、羰基氧基、或亞甲基氧基;b為0、1、2、或3,c為0或1,而且b與c之和為3以下。
項5. 如項1至項4中任一項所述的液晶組成物,其含有選自式(2-1)至式(2-35)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物作為第二成分。 式(2-1)至式(2-35)中,R3
及R4
獨立地為氫、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至12的烯基氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基。
項6. 如項4或項5所述的液晶組成物,其中第二成分的比例為20質量%至75質量%的範圍。
項7. 如項1至項6中任一項所述的液晶組成物,其含有選自式(3)所表示的化合物中的至少一種化合物作為第三成分。式(3)中,R5
及R6
獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數2至12的烯基;環E及環F獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、或2,5-二氟-1,4-伸苯基;Z4
為單鍵、伸乙基、或羰基氧基;d為1、2、或3。
項8. 如項1至項7中任一項所述的液晶組成物,其含有選自式(3-1)至式(3-13)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物作為第三成分。式(3-1)至式(3-13)中,R5
及R6
獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數2至12的烯基。
項9. 如項7或項8所述的液晶組成物,其中第三成分的比例為15質量%至70質量%的範圍。
項10. 如項1至項9中任一項所述的液晶組成物,其含有選自式(4)所表示的聚合性化合物中的至少一種化合物作為第一添加物。式(4)中,環G及環J獨立地為環己基、環己烯基、苯基、1-萘基、2-萘基、四氫吡喃-2-基、1,3-二噁烷-2-基、嘧啶-2-基、或吡啶-2-基,該些環中,至少一個氫可經氟、氯、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基取代;環I為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、1,4-伸苯基、萘-1,2-二基、萘-1,3-二基、萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、萘-1,6-二基、萘-1,7-二基、萘-1,8-二基、萘-2,3-二基、萘-2,6-二基、萘-2,7-二基、四氫吡喃-2,5-二基、1,3-二噁烷-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、或吡啶-2,5-二基,該些環中,至少一個氫可經氟、氯、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基取代;Z5
及Z6
獨立地為單鍵或碳數1至10的伸烷基,該伸烷基中,至少一個-CH2
-可經-O-、-CO-、-COO-、或-OCO-取代,至少一個-CH2
-CH2
-可經-CH=CH-、-C(CH3
)=CH-、-CH=C(CH3
)-、或-C(CH3
)=C(CH3
)-取代,該些基中,至少一個氫可經氟或氯取代;P1
、P2
、及P3
獨立地為聚合性基;Sp1
、Sp2
、及Sp3
獨立地為單鍵、或碳數1至10的伸烷基,該伸烷基中,至少一個-CH2
-可經-O-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代,至少一個-CH2
-CH2
-可經-CH=CH-或-C≡C-取代,該些基中,至少一個氫可經氟或氯取代;e為0、1、或2;f、g、及h獨立地為0、1、2、3、或4,而且f、g、及h之和為1以上。
項11. 如項10所述的液晶組成物,其中式(4)中,P1
、P2
、及P3
獨立地為選自式(P-1)至式(P-5)所表示的聚合性基的群組中的基。式(P-1)至式(P-5)中,M1
、M2
、及M3
獨立地為氫、氟、碳數1至5的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至5的烷基。
項12. 如項1至項11中任一項所述的液晶組成物,其含有選自式(4-1)至式(4-29)所表示的聚合性化合物的群組中的至少一種化合物作為第一添加物。 式(4-1)至式(4-29)中,P4
、P5
、及P6
獨立地為選自式(P-1)至式(P-3)所表示的聚合性基的群組中的基;此處,M1
、M2
、及M3
獨立地為氫、氟、碳數1至5的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至5的烷基;Sp1
、Sp2
、及Sp3
獨立地為單鍵、或碳數1至10的伸烷基,該伸烷基中,至少一個-CH2
-可經-O-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代,至少一個-CH2
-CH2
-可經-CH=CH-或-C≡C-取代,該些基中,至少一個氫可經氟或氯取代。
項13. 如項10至項12中任一項所述的液晶組成物,其中第一添加物的比例為0.03質量%至10質量%的範圍。
項14. 一種液晶顯示元件,其含有如項1至項13中任一項所述的液晶組成物。
項15. 如項14所述的液晶顯示元件,其中液晶顯示元件的運作模式為IPS模式、VA模式、FFS模式、或FPA模式,液晶顯示元件的驅動方式為主動矩陣方式。
項16. 一種聚合物穩定配向型的液晶顯示元件,其含有如項1至項13中任一項所述的液晶組成物,該液晶組成物中所含有的第一添加物進行聚合。
項17. 一種液晶組成物的用途,所述液晶組成物為如項1至項13中任一項所述的液晶組成物,其用於液晶顯示元件中。
項18. 一種液晶組成物的用途,所述液晶組成物為如項1至項13中任一項所述的液晶組成物,其用於聚合物穩定配向型的液晶顯示元件中。
本發明亦包括以下項。(a)所述組成物,其進而含有光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、與化合物(4)不同的聚合性化合物、聚合起始劑、聚合抑制劑、極性化合物之類的添加物的至少一種作為第二添加物。(b)一種AM元件,其含有所述組成物。(c)一種聚合物穩定配向(PSA)型的AM元件,其含有所述組成物,所述組成物進而含有聚合性化合物。(d)一種聚合物穩定配向(PSA)型的AM元件,其含有所述組成物,且該組成物中的聚合性化合物進行聚合。(e)一種元件,其含有所述組成物,而且具有PC、TN、STN、ECB、OCB、IPS、VA、FFS、或FPA的模式。(f)一種透過型元件,其含有所述組成物。(g)將所述組成物作為具有向列相的組成物的用途。(h)藉由在所述組成物中添加光學活性化合物而作為光學活性組成物的用途。
以如下順序對本發明的組成物進行說明。第一,對組成物的構成進行說明。第二,對成分化合物的主要特性、以及該化合物給組成物帶來的主要效果進行說明。第三,對組成物中的成分的組合、成分的較佳的比例及其根據進行說明。第四,對成分化合物的較佳的形態進行說明。第五,示出較佳的成分化合物。第六,對可添加於組成物中的添加物進行說明。第七,對成分化合物的合成方法進行說明。最後,對組成物的用途進行說明。
第一,對組成物的構成進行說明。該組成物含有多種液晶性化合物。該組成物亦可含有添加物。添加物有時分為第一添加物與第二添加物。添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合起始劑、聚合抑制劑、極性化合物等。就液晶性化合物的觀點而言,該組成物被分類為組成物A與組成物B。組成物A除了含有選自化合物(1)、化合物(2)及化合物(3)中的液晶性化合物以外,亦可進而含有其他液晶性化合物、添加物等。「其他液晶性化合物」是與化合物(1)、化合物(2)及化合物(3)不同的液晶性化合物。此種化合物是出於進一步調整特性的目的而混合於組成物中。
組成物B實質上僅包含選自化合物(1)、化合物(2)及化合物(3)中的液晶性化合物。「實質上」的用語是指組成物雖可含有添加物,但不含其他液晶性化合物。與組成物A相比較,組成物B的成分的數量少。就降低成本的觀點而言,組成物B優於組成物A。就可藉由混合其他液晶性化合物來進一步調整特性的觀點而言,組成物A優於組成物B。
第二,對成分化合物的主要特性、以及該化合物給組成物帶來的主要效果進行說明。基於本發明的效果,將成分化合物的主要特性歸納於表2中。表2的記號中,L是指大或高,M是指中等程度的,S是指小或低。記號L、M、S是基於成分化合物之間的定性比較的分類,0(零)是指值為零,或接近於零。
於將成分化合物混合於組成物中時,成分化合物給組成物的特性帶來的主要效果如以下般。化合物(1)降低黏度,而且提高介電各向異性。化合物(2)提高介電各向異性,而且降低下限溫度。化合物(3)提高上限溫度或降低黏度。化合物(4)藉由聚合而提供聚合體,該聚合體縮短元件的響應時間,特別是縮短低溫下的響應時間,而且改善圖像的殘像。
第三,對組成物中的成分的組合、成分的較佳的比例及其根據進行說明。組成物中的成分的較佳的組合為第一成分+第二成分、第一成分+第二成分+第三成分、第一成分+第二成分+第一添加物、第一成分+第二成分+第三成分+第一添加物。進而佳的組合為第一成分+第二成分+第三成分、第一成分+第二成分+第三成分+第一添加物。
為了提高介電各向異性,第一成分的較佳的比例為約3質量%以上,為了降低黏度,第一成分的較佳的比例為約25質量%以下。進而佳的比例為約3質量%至約20質量%的範圍。特佳的比例為約3質量%至約15質量%的範圍。
為了提高介電各向異性,第二成分的較佳的比例為約20質量%以上,為了降低下限溫度,第二成分的較佳的比例為約75質量%以下。進而佳的比例為約25質量%至約70質量%的範圍。特佳的比例為約30質量%至約65質量%的範圍。
為了降低黏度或為了提高彈性常數,第三成分的較佳的比例為約15質量%以上,為了提高介電各向異性,第三成分的較佳的比例為約70質量%以下。進而佳的比例為約10質量%至約60質量%的範圍。特佳的比例為約10質量%至約50質量%的範圍。
第一添加物是出於適合於聚合物穩定配向型元件的目的而添加於組成物中。為了使液晶分子配向,第一添加物的較佳的比例為約0.03質量%以上,為了防止元件的顯示不良,第一添加物的較佳的比例為約10質量%以下。進而佳的比例為約0.1質量%至約2質量%的範圍。特佳的比例為約0.2質量%至約1.0質量%的範圍。
第四,對成分化合物的較佳的形態進行說明。式(1)、式(2)及式(3)中,R1
為碳數2至12的烯基。為了降低黏度,較佳的R1
為乙烯基、1-丙烯基、或3-丁烯基。R2
為碳數1至12的烷基或碳數2至12的烯基。為了降低黏度,較佳的R2
為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、乙烯基、1-丙烯基、或3-丁烯基。R3
及R4
獨立地為氫、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至12的烯基氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基。為了降低黏度,較佳的R3
及R4
為碳數2至12的烯基,為了提高對紫外線或熱的穩定性,較佳的R3
及R4
為碳數1至12的烷基,為了提高介電各向異性,較佳的R3
及R4
為碳數1至12的烷氧基。R5
及R6
獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烯基。為了降低黏度,較佳的R5
及R6
為碳數2至12的烯基,為了提高對紫外線或熱的穩定性,較佳的R5
及R6
為碳數1至12的烷基。
較佳的烷基為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、或辛基。為了降低黏度,進而佳的烷基為甲基、乙基、丙基、丁基、或戊基。
較佳的烷氧基為甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、或庚氧基。為了降低黏度,進而佳的烷氧基為甲氧基或乙氧基。
較佳的烯基為乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、或5-己烯基。為了降低黏度,進而佳的烯基為乙烯基、1-丙烯基、3-丁烯基、或3-戊烯基。該些烯基中的-CH=CH-的較佳的立體構型依存於雙鍵的位置。為了降低黏度等原因,於1-丙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1-己烯基、3-戊烯基、3-己烯基之類的烯基中較佳為反式構型。於2-丁烯基、2-戊烯基、2-己烯基之類的烯基中較佳為順式構型。
至少一個氫經氟或氯取代的烷基的較佳的例子為氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基、7-氟庚基、或8-氟辛基。為了提高介電各向異性,進而佳的例子為2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、或5-氟戊基。
至少一個氫經氟或氯取代的烯基的較佳的例子為2,2-二氟乙烯基、3,3-二氟-2-丙烯基、4,4-二氟-3-丁烯基、5,5-二氟-4-戊烯基、或6,6-二氟-5-己烯基。為了降低黏度,進而佳的例子為2,2-二氟乙烯基或4,4-二氟-3-丁烯基。
環A為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、或2-氯-1,4-伸苯基。為了降低黏度,較佳的環A為1,4-伸環己基,為了提高光學各向異性,較佳的環A為1,4-伸苯基,為了提高介電各向異性,較佳的環A為2-氟-1,4-伸苯基。
環B及環D獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、1,4-伸苯基、四氫吡喃-2,5-二基、至少一個氫經氟或氯取代的1,4-伸苯基、萘-2,6-二基、至少一個氫經氟或氯取代的萘-2,6-二基、色原烷-2,6-二基、或者至少一個氫經氟或氯取代的色原烷-2,6-二基。為了降低黏度,較佳的環B及環D為1,4-伸環己基,為了提高介電各向異性,較佳的環B及環D為四氫吡喃-2,5-二基,為了提高光學各向異性,較佳的環B及環D為1,4-伸苯基。四氫吡喃-2,5-二基為或,較佳為。
環C為2,3-二氟-1,4-伸苯基、2-氯-3-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-5-甲基-1,4-伸苯基、3,4,5-三氟萘-2,6-二基、7,8-二氟色原烷-2,6-二基、3,4,5,6-四氟茀-2,7-二基(FLF4)、4,6-二氟二苯并呋喃-3,7-二基(DBFF2)、4,6-二氟二苯并噻吩-3,7-二基(DBTF2)、或1,1,6,7-四氟茚滿-2,5-二基(InF4)。為了降低黏度,較佳的環C為2,3-二氟-1,4-伸苯基,為了降低光學各向異性,較佳的環C為2-氯-3-氟-1,4-伸苯基,為了提高介電各向異性,較佳的環C為7,8-二氟色原烷-2,6-二基。
環E及環F獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、或2,5-二氟-1,4-伸苯基。為了降低黏度,或者為了提高上限溫度,較佳的環E或環F為1,4-伸環己基,為了降低下限溫度,較佳的環E或環F為1,4-伸苯基。
Z1
、Z2
、及Z3
獨立地為單鍵、伸乙基、羰基氧基、或亞甲基氧基。為了降低黏度,較佳的Z1
、Z2
、或Z3
為單鍵,為了降低下限溫度,較佳的Z1
、Z2
、或Z3
為伸乙基,為了提高介電各向異性,較佳的Z1
、Z2
、或Z3
為亞甲基氧基。Z4
為單鍵、伸乙基、或羰基氧基。為了降低黏度,較佳的Z4
為單鍵,為了降低下限溫度,較佳的Z4
為伸乙基。
L1
為氟或氯。為了降低黏度,較佳的L1
為氟,為了提高光學各向異性,較佳的L1
為氯。
a為1、2、或3。為了降低黏度,較佳的a為1,為了提高上限溫度,較佳的a為2或3。b為1、2、或3,c為0或1,而且b與c之和為3以下。為了降低黏度,較佳的b為1,為了提高上限溫度,較佳的b為2或3。為了降低黏度,較佳的c為0,為了提高上限溫度,較佳的c為1。d為1、2、或3。為了降低黏度,較佳的d為1,為了提高上限溫度,較佳的d為2或3。
式(4)中,P1
、P2
、及P3
獨立地為聚合性基。較佳的P1
、P2
、或P3
為選自式(P-1)至式(P-5)所表示的聚合性基的群組中的基。進而佳的P1
、P2
、或P3
為式(P-1)、式(P-2)、或式(P-3)所表示的基。特佳的P1
、P2
、或P3
為式(P-1)或式(P-2)所表示的基。最佳的P1
、P2
、或P3
為式(P-1)所表示的基。式(P-1)所表示的較佳的基為-OCO-CH=CH2
或-OCO-C(CH3
)=CH2
。式(P-1)至式(P-5)的波形線表示鍵結的部位。
式(P-1)至式(P-5)中,M1
、M2
、及M3
獨立地為氫、氟、碳數1至5的烷基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至5的烷基。為了提高反應性,較佳的M1
、M2
、或M3
為氫或甲基。進而佳的M1
為氫或甲基,進而佳的M2
或M3
為氫。
Sp1
、Sp2
、及Sp3
獨立地為單鍵或碳數1至10的伸烷基,該伸烷基中,至少一個-CH2
-可經-O-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-取代,至少一個-CH2
-CH2
-可經-CH=CH-或-C≡C-取代,該些基中,至少一個氫可經氟或氯取代。較佳的Sp1
、Sp2
、或Sp3
為單鍵、-CH2
-CH2
-、-CH2
O-、-OCH2
-、-COO-、-OCO-、-CO-CH=CH-、或-CH=CH-CO-。進而佳的Sp1
、Sp2
、或Sp3
為單鍵。
環G及環J獨立地為環己基、環己烯基、苯基、1-萘基、2-萘基、四氫吡喃-2-基、1,3-二噁烷-2-基、嘧啶-2-基、或吡啶-2-基,該些環中,至少一個氫可經氟、氯、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基取代。較佳的環G或環J為苯基。環I為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、1,4-伸苯基、萘-1,2-二基、萘-1,3-二基、萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、萘-1,6-二基、萘-1,7-二基、萘-1,8-二基、萘-2,3-二基、萘-2,6-二基、萘-2,7-二基、四氫吡喃-2,5-二基、1,3-二噁烷-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、或吡啶-2,5-二基,該些環中,至少一個氫可經氟、氯、碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基、或者至少一個氫經氟或氯取代的碳數1至12的烷基取代。較佳的環I為1,4-伸苯基或2-氟-1,4-伸苯基。
Z5
及Z6
獨立地為單鍵或碳數1至10的伸烷基,該伸烷基中,至少一個-CH2
-可經-O-、-CO-、-COO-、或-OCO-取代,至少一個-CH2
-CH2
-可經-CH=CH-、-C(CH3
)=CH-、-CH=C(CH3
)-、或-C(CH3
)=C(CH3
)-取代,該些基中,至少一個氫可經氟或氯取代。較佳的Z5
或Z6
為單鍵、-CH2
-CH2
-、-CH2
O-、-OCH2
-、-COO-、或-OCO-。進而佳的Z5
或Z6
為單鍵。
e為0、1、或2。較佳的e為0或1。f、g、及h獨立地為0、1、2、3、或4,f、g、及h之和為1以上。較佳的f或h為1或2,較佳的g為0或1。
有時式(1)所表示的化合物亦包含於式(3)所表示的化合物中。將此種化合物視為屬於式(1)所表示的化合物。即,設為第一成分的化合物,而非設為第三成分的化合物。
第五,示出較佳的成分化合物。較佳的化合物(1)為項2所述的化合物(1-1)至化合物(1-10)。該些化合物中,較佳為第一成分的至少一種為化合物(1-3)或化合物(1-4)。且較佳為第一成分的至少兩種為化合物(1-3)及化合物(1-4)的組合。
較佳的化合物(2)為項5所述的化合物(2-1)至化合物(2-35)。該些化合物中,較佳為第二成分的至少一種為化合物(2-1)、化合物(2-2)、化合物(2-3)、化合物(2-6)、化合物(2-7)、化合物(2-12)、化合物(2-8)、或化合物(2-14)、化合物(2-25)。且較佳為第二成分的至少兩種為化合物(2-1)及化合物(2-24)、化合物(2-2)及化合物(2-12)、化合物(2-3)及化合物(2-6)、化合物(2-18)及化合物(2-12)、化合物(2-25)及化合物(2-7)、或化合物(2-8)及化合物(2-14)的組合。
較佳的化合物(3)為項8所述的化合物(3-1)至化合物(3-13)。該些化合物中,較佳為第三成分的至少一種為化合物(3-1)、化合物(3-4)、化合物(3-5)、或化合物(3-6)。且較佳為第三成分的至少兩種為化合物(3-1)及化合物(3-5)、化合物(3-1)及化合物(3-6)的組合。
較佳的化合物(4)為項12所述的化合物(4-1)至化合物(4-29)。該些化合物中,較佳為第一添加物的至少一種為化合物(4-1)、化合物(4-2)、化合物(4-24)、化合物(4-25)、化合物(4-26)、或化合物(4-27)。且較佳為第一添加物的至少兩種為化合物(4-1)及化合物(4-2)、化合物(4-1)及化合物(4-18)、化合物(4-2)及化合物(4-24)、化合物(4-2)及化合物(4-25)、化合物(4-2)及化合物(4-26)、化合物(4-25)及化合物(4-26)、或化合物(4-18)及化合物(4-24)的組合。
第六,對可添加於組成物中的添加物進行說明。此種添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、消光劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合起始劑、聚合抑制劑、極性化合物等。出於引起液晶分子的螺旋結構來賦予扭角(torsion angle)的目的,而將光學活性化合物添加於組成物中。此種化合物的例子為化合物(5-1)至化合物(5-5)。光學活性化合物的較佳的比例為約5質量%以下。進而佳的比例為約0.01質量%至約2質量%的範圍。
為了防止由大氣中的加熱所引起的比電阻下降,或者為了在長時間使用元件後,不僅於室溫下而且於接近於上限溫度的溫度下亦維持大的電壓保持率,而將抗氧化劑添加於組成物中。抗氧化劑的較佳的例子為化合物(6-1)至化合物(6-3)等。
化合物(6-2)由於揮發性小,因此對於在長時間使用元件後,不僅於室溫下而且於接近於上限溫度的溫度下亦維持大的電壓保持率而言有效。為了獲得所述效果,抗氧化劑的較佳的比例為約50 ppm以上,為了不降低上限溫度,或者為了不提高下限溫度,抗氧化劑的較佳的比例為約600 ppm以下。進而佳的比例為約100 ppm至約300 ppm的範圍。
紫外線吸收劑的較佳的例子為二苯甲酮衍生物、苯甲酸酯衍生物、三唑衍生物等。另外,具有立體阻礙的胺之類的光穩定劑亦較佳。光穩定劑的較佳的例子為化合物(7-1)至化合物(7-16)等。為了獲得所述效果,該些吸收劑或穩定劑的較佳的比例為約50 ppm以上,為了不降低上限溫度,或者為了不提高下限溫度,該些吸收劑或穩定劑的較佳的比例為約10000 ppm以下。進而佳的比例為約100 ppm至約10000 ppm的範圍。
消光劑是藉由接受液晶化合物所吸收的光能量,並轉換為熱能量來防止液晶化合物的分解的化合物。消光劑的較佳的例子為化合物(8-1)至化合物(8-7)等。為了獲得所述效果,該些消光劑的較佳的比例為約50 ppm以上,為了不提高下限溫度,該些消光劑的較佳的比例為約20000 ppm以下。進而佳的比例為約100 ppm至約10000 ppm的範圍。
為了適合於賓主(guest host,GH)模式的元件,而將偶氮系色素、蒽醌系色素等之類的二色性色素(dichroic dye)添加於組成物中。色素的較佳的比例為約0.01質量%至約10質量%的範圍。為了防止起泡,而將二甲基矽酮油、甲基苯基矽酮油等消泡劑添加於組成物中。為了獲得所述效果,消泡劑的較佳的比例為約1 ppm以上,為了防止顯示不良,消泡劑的較佳的比例為約1000 ppm以下。進而佳的比例為約1 ppm至約500 ppm的範圍。
為了適合於聚合物穩定配向(PSA)型元件,而使用聚合性化合物。化合物(4)適合於該目的。亦可將化合物(4)以及與化合物(4)不同的聚合性化合物一起添加於組成物中。亦可代替化合物(4)而將與化合物(4)不同的聚合性化合物添加於組成物中。此種聚合性化合物的較佳的例子為丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基化合物、乙烯基氧基化合物、丙烯基醚、環氧化合物(氧雜環丙烷、氧雜環丁烷)、乙烯基酮等化合物。進而佳的例子為丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的衍生物。藉由改變化合物(4)的種類,或者藉由以適當的比使與化合物(4)不同的聚合性化合物與化合物(4)組合,可調整聚合的反應性或液晶分子的預傾角。藉由將預傾角最佳化,可達成元件的短的響應時間。液晶分子的配向穩定化,因此可達成大的對比度或長壽命。
聚合性化合物藉由紫外線照射而聚合。亦可於光聚合起始劑等起始劑存在下進行聚合。用以進行聚合的適當條件、或起始劑的適當類型及量已為本發明所屬技術領域中具有通常知識者所知,並記載於文獻中。例如作為光聚合起始劑的豔佳固(Irgacure)651(註冊商標;巴斯夫(BASF))、豔佳固(Irgacure)184(註冊商標;巴斯夫(BASF))、或德牢固(Darocur)1173(註冊商標;巴斯夫(BASF))適合於自由基聚合。基於聚合性化合物的質量,光聚合起始劑的較佳的比例為約0.1質量%至約5質量%的範圍。進而佳的比例為約1質量%至約3質量%的範圍。
於保管聚合性化合物時,為了防止聚合,亦可添加聚合抑制劑。聚合性化合物通常是以未去除聚合抑制劑的狀態添加於組成物中。聚合抑制劑的例子為對苯二酚、甲基對苯二酚之類的對苯二酚衍生物、4-第三丁基鄰苯二酚、4-甲氧基苯酚、啡噻嗪等。
極性化合物為具有極性的有機化合物。此處,不含具有離子鍵的化合物。氧、硫、及氮之類的原子的電性偏陰性且存在具有部分負電荷的傾向。碳及氫為中性或存在具有部分正電荷的傾向。極性是因部分電荷在化合物中的不同種的原子間不均等地分佈而產生。例如,極性化合物具有-OH、-COOH、-SH、-NH2
、>NH、>N-之類的部分結構的至少一種。
第七,對成分化合物的合成方法進行說明。該些化合物可利用已知的方法來合成。例示合成方法。化合物(1-4)的合成例記載於實施例一項中。化合物(2-6)是利用日本專利特開2000-53602號中所記載的方法來合成。化合物(4-3)是利用日本專利特開昭52-53783號公報中所記載的方法來合成。化合物(5-18)是利用日本專利特開平7-101900號公報中所記載的方法來合成。抗氧化劑已被市售。化合物(6-1)可自西格瑪奧德里奇公司(Sigma-Aldrich Corporation)獲取。化合物(6-2)是利用美國專利3660505號說明書中所記載的方法來合成。化合物(7-7)及化合物(8-5)已被市售。
未記載合成方法的化合物可利用以下成書中所記載的方法來合成:「有機合成(Organic Syntheses)」(約翰威立父子出版公司(John Wiley & Sons, Inc.))、「有機反應(Organic Reactions)」(約翰威立父子出版公司(John Wiley & Sons, Inc.))、「綜合有機合成(Comprehensive Organic Synthesis)」(培格曼出版公司(Pergamon Press))、「新實驗化學講座」(丸善)等。組成物是利用公知的方法,由以所述方式獲得的化合物來製備。例如,將成分化合物混合,然後藉由加熱而使其相互溶解。
最後,對組成物的用途進行說明。大部分的組成物具有約-10℃以下的下限溫度、約70℃以上的上限溫度、以及約0.07至約0.20的範圍的光學各向異性。可藉由控制成分化合物的比例或者藉由混合其他液晶性化合物,來製備具有約0.08至約0.25的範圍的光學各向異性的組成物。進而亦可藉由嘗試錯誤,來製備具有約0.10至約0.30的範圍的光學各向異性的組成物。含有該組成物的元件具有大的電壓保持率。該組成物適合於AM元件。該組成物特別適合於透過型的AM元件。該組成物可用作具有向列相的組成物,或可藉由添加光學活性化合物而用作光學活性組成物。
該組成物可用於AM元件。進而亦可用於PM元件。該組成物可用於具有PC、TN、STN、ECB、OCB、IPS、FFS、VA、FPA等模式的AM元件及PM元件。特佳為用於具有VA模式、OCB模式、IPS模式或FFS模式的AM元件。於具有IPS模式或FFS模式的AM元件中,於未施加電壓時,液晶分子的排列可為與玻璃基板平行,或者亦可為垂直。該些元件可為反射型、透過型或半透過型。較佳為用於透過型元件。亦可用於非晶矽-TFT元件或多晶矽-TFT元件。亦可用於將該組成物進行微膠囊化而製作的向列曲線排列相(nematic curvilinear aligned phase,NCAP)型元件或使組成物中形成有三維網狀高分子的聚合物分散(polymer dispersed,PD)型元件。
製造聚合物穩定配向型元件的方法的一例如以下般。組裝具有兩塊基板的元件,該兩塊基板被稱為陣列基板與彩色濾光片基板。該基板具有配向膜。該基板的至少一個具有電極層。將液晶性化合物混合來製備液晶組成物。於該組成物中添加聚合性化合物。視需要可進而添加添加物。將該組成物注入至元件中。於對該元件施加電壓的狀態下進行光照射。較佳為紫外線。藉由光照射來使聚合性化合物進行聚合。藉由該聚合而生成含有聚合體的組成物。聚合物穩定配向型元件是以如上所述的順序來製造。
該順序中,於施加電壓時,液晶分子藉由配向膜及電場的作用而進行配向。依據該配向,聚合性化合物的分子亦進行配向。由於聚合性化合物是在該狀態下藉由紫外線來進行聚合,故生成維持該配向的聚合體。藉由該聚合體的效果,元件的響應時間縮短。由於圖像的殘像為液晶分子的運作不良,故藉由該聚合體的效果,殘像亦同時得到改善。再者,亦可使組成物中的聚合性化合物預先進行聚合,將該組成物配置於液晶顯示元件的基板之間。 [實施例]
藉由實施例來對本發明進一步進行詳細說明。本發明不受該些實施例的限制。本發明包含實施例1的組成物與實施例2的組成物的混合物。本發明亦包含將實施例的組成物的至少兩種混合而成的混合物。所合成的化合物是藉由核磁共振(nuclear magnetic resonance,NMR)分析等方法來鑑定。化合物、組成物及元件的特性是利用下述記載的方法來測定。
NMR分析:測定時使用布魯克拜厄斯賓(Bruker BioSpin)公司製造的DRX-500。1
H-NMR的測定中,使試樣溶解於CDCl3
等氘化溶媒中,於室溫下以500 MHz、累計次數16次的條件進行測定。使用四甲基矽烷作為內部標準。19
F-NMR的測定中,使用CFCl3
作為內部標準,以累計次數24次來進行。於核磁共振波譜的說明中,s是指單峰(singlet),d是指雙重峰(doublet),t是指三重峰(triplet),q是指四重峰(quartet),quin是指五重峰(quintet),sex是指六重峰(sextet),m是指多重峰(multiplet),br是指寬峰(broad)。
氣相層析分析:測定時使用島津製作所製造的GC-14B型氣相層析儀。載體氣體為氦氣(2 mL/min)。將試樣氣化室設定為280℃,將檢測器(火焰離子化檢測器(flame ionization detector,FID))設定為300℃。於進行成分化合物的分離時,使用安捷倫科技有限公司(Agilent Technologies Inc.)製造的毛細管柱DB-1(長度30 m、內徑0.32 mm、膜厚0.25 μm;固定液相為二甲基聚矽氧烷;無極性)。該管柱於200℃下保持2分鐘後,以5℃/min的比例昇溫至280℃。將試樣製備成丙酮溶液(0.1質量%)後,將其1 μL注入至試樣氣化室中。記錄計為島津製作所製造的C-R5A型層析儀組件(Chromatopac)或其同等品。所獲得的氣相層析圖顯示出與成分化合物相對應的峰值的保持時間及峰值的面積。
用以稀釋試樣的溶媒可使用氯仿、己烷等。為了將成分化合物分離,可使用如下的毛細管柱。安捷倫科技有限公司製造的HP-1(長度30 m、內徑0.32 mm、膜厚0.25 μm)、瑞斯泰克公司(Restek Corporation)製造的Rtx-1(長度30 m、內徑0.32 mm、膜厚0.25 μm)、澳大利亞SGE國際公司(SGE International Pty. Ltd)製造的BP-1(長度30 m、內徑0.32 mm、膜厚0.25 μm)。出於防止化合物峰值的重疊的目的,可使用島津製作所製造的毛細管柱CBP1-M50-025(長度50 m、內徑0.25 mm、膜厚0.25 μm)。
組成物中所含有的液晶性化合物的比例可利用以下的方法來算出。利用氣相層析法(FID)來對液晶性化合物的混合物進行分析。氣相層析圖中的峰值的面積比相當於液晶性化合物的比例(質量比)。於使用上文記載的毛細管柱時,可將各種液晶性化合物的修正係數視為1。因而,液晶性化合物的比例(質量%)可根據峰值的面積比來算出。
測定試樣:於測定組成物及元件的特性時,將組成物直接用作試樣。於測定化合物的特性時,藉由將該化合物(15質量%)混合於母液晶(85質量%)中來製備測定用試樣。根據藉由測定而獲得的值,利用外推法來算出化合物的特性值。(外推值)={(試樣的測定值)-0.85×(母液晶的測定值)}/0.15。於在該比例下,層列相(或結晶)於25℃下析出時,將化合物與母液晶的比例以10質量%:90質量%、5質量%:95質量%、1質量%:99質量%的順序變更。利用該外推法來求出與化合物相關的上限溫度、光學各向異性、黏度、以及介電各向異性的值。
測定方法:利用下述方法來進行特性的測定。該些方法大多是社團法人電子資訊技術產業協會(Japan Electronics and Information Technology Industries Association;稱為JEITA)所審議製定的JEITA標準(JEITA·ED-2521B)中所記載的方法或者將其加以修飾而成的方法。用於測定的TN元件中,未安裝薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)。
(1)向列相的上限溫度(NI;℃):於具備偏光顯微鏡的熔點測定裝置的加熱板上放置試樣,以1℃/min的速度進行加熱。測定試樣的一部分自向列相變化為各向同性液體時的溫度。有時將向列相的上限溫度簡稱為「上限溫度」。
(2)向列相的下限溫度(TC
;℃):將具有向列相的試樣放入玻璃瓶中,於0℃、-10℃、-20℃、-30℃、及-40℃的冷凍器中保管10天後,觀察液晶相。例如,於試樣於-20℃下保持向列相的狀態,而於-30℃下變化為結晶或層列相時,將TC
記載為<-20℃。有時將向列相的下限溫度簡稱為「下限溫度」。
(3)黏度(體積黏度;η;於20℃下測定;mPa·s):測定時使用東京計器股份有限公司製造的E型旋轉黏度計。
(4)黏度(旋轉黏度;γ1;於25℃下測定;mPa·s):於測定時使用東陽特克尼卡(Toyo Technica)股份有限公司的旋轉黏性率測定系統LCM-2型。於兩片玻璃基板的間隔(單元間隙)為10 μm的VA元件中注入試樣。對該元件施加矩形波(55 V、1 ms)。測定藉由該施加所產生的暫態電流(transient current)的峰值電流(peak current)與峰值時間(peak time)。使用該些測定值及介電各向異性來獲得旋轉黏度的值。介電各向異性是利用測定(6)中所記載的方法進行測定。
(5)光學各向異性(折射率各向異性;Δn;於25℃下測定):使用波長589 nm的光,利用在接目鏡上安裝有偏光板的阿貝折射計來進行測定。將主稜鏡的表面向一個方向摩擦後,將試樣滴加於主稜鏡上。折射率n∥是於偏光的方向與摩擦的方向平行時進行測定。折射率n⊥是於偏光的方向與摩擦的方向垂直時進行測定。光學各向異性的值是根據Δn=n∥-n⊥的式子來計算。
(6)介電各向異性(Δε;於25℃下測定):介電各向異性的值是根據Δε=ε∥-ε⊥的式子來計算。介電常數(ε∥及ε⊥)是以如下方式測定。 1)介電常數(ε∥)的測定:於經充分清洗的玻璃基板上塗佈十八烷基三乙氧基矽烷(0.16 mL)的乙醇(20 mL)溶液。利用旋轉器使玻璃基板旋轉後,於150℃下加熱1小時。於兩片玻璃基板的間隔(單元間隙)為4 μm的VA元件中放入試樣,利用藉由紫外線而硬化的黏接劑將該元件密封。對該元件施加正弦波(0.5 V、1 kHz),2秒後測定液晶分子的長軸方向上的介電常數(ε∥)。 2)介電常數(ε⊥)的測定:於經充分清洗的玻璃基板上塗佈聚醯亞胺溶液。將該玻璃基板煅燒後,對所獲得的配向膜進行摩擦處理。於兩片玻璃基板的間隔(單元間隙)為9 μm、扭轉角為80度的TN元件中放入試樣。對該元件施加正弦波(0.5 V,1 kHz),2秒後測定液晶分子的短軸方向上的介電常數(ε⊥)。
(7)臨限電壓(Vth;於25℃下測定;V):測定時使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為鹵素燈。於兩片玻璃基板的間隔(單元間隙)為4 μm、摩擦方向為反平行的正常顯黑模式(normally black mode)的VA元件中放入試樣,使用藉由紫外線而硬化的黏接劑將該元件密封。對該元件施加的電壓(60 Hz、矩形波)是以每次0.02 V自0 V階段性地增加至20 V。此時,自垂直方向對元件照射光,並測定透過元件的光量。製成該光量達到最大時透過率為100%、且該光量為最小時透過率為0%的電壓-透過率曲線。臨限電壓是由透過率達到10%時的電壓來表示。
(8)電壓保持率(VHR-1;於25℃下測定;%):測定中使用的TN元件具有聚醯亞胺配向膜,而且兩片玻璃基板的間隔(單元間隙)為5 μm。於放入試樣後,利用藉由紫外線而硬化的黏接劑將該元件密封。對該TN元件施加脈衝電壓(5 V、60微秒)來充電。利用高速電壓計,於16.7毫秒期間測定所衰減的電壓,求出單位週期中的電壓曲線與橫軸之間的面積A。面積B為未衰減時的面積。電壓保持率是由面積A相對於面積B的百分率來表示。
(9)電壓保持率(VHR-2;於80℃下測定;%):除代替25℃而於80℃下進行測定以外,以與所述相同的順序來測定電壓保持率。由VHR-2來表示所獲得的值。
(10)電壓保持率(VHR-3;於25℃下測定;%):照射紫外線後,測定電壓保持率,來評價對紫外線的穩定性。測定中使用的TN元件具有聚醯亞胺配向膜,而且單元間隙為5 μm。於該元件中注入試樣,照射光20分鐘。光源為超高壓水銀燈USH-500D(牛尾(USHIO)電機製造),元件與光源的間隔為20 cm。VHR-3的測定中,於16.7毫秒期間測定所衰減的電壓。具有大的VHR-3的組成物對紫外線具有大的穩定性。VHR-3較佳為90%以上,進而佳為95%以上。
(11)電壓保持率(VHR-4;於25℃下測定;%):將注入有試樣的TN元件於80℃的恆溫槽內加熱500小時後,測定電壓保持率,來評價對熱的穩定性。VHR-4的測定中,於16.7毫秒期間測定所衰減的電壓。具有大的VHR-4的組成物對熱具有大的穩定性。
(12)響應時間(τ;於25℃下測定;ms):測定時使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為鹵素燈。低通濾波器(Low-pass filter)設定為5 kHz。於兩片玻璃基板的間隔(單元間隙)為4 μm、摩擦方向為反平行的正常顯黑模式(normally black mode)的VA元件中放入試樣。使用藉由紫外線而硬化的黏接劑將該元件密封。對該元件施加矩形波(60 Hz、10 V、0.5秒)。此時,自垂直方向對元件照射光,並測定透過元件的光量。於該光量達到最大時視作透過率為100%,於該光量為最小時視作透過率為0%。響應時間是由透過率自90%變化為10%所需要的時間(下降時間;fall time;毫秒)來表示。
(13)比電阻(ρ;於25℃下測定;Ωcm):於具備電極的容器中注入試樣1.0 mL。對該容器施加直流電壓(10 V),測定10秒後的直流電流。比電阻是根據下式而算出。 (比電阻)={(電壓)×(容器的電容)}/{(直流電流)×(真空的介電常數)}
第1步驟 於氮氣環境下,將化合物(T-1)(215.0 g、1.13 mol)、丙酮(1075 mL)、碳酸鉀(171.1 g、1.24 mol)、及碘化乙基(193.1 g、1.24 mol)放入反應器中,進行6小時加熱回流。將反應混合物注入至水中,利用甲苯萃取水層。利用食鹽水對混在一起的有機層進行清洗後,利用無水硫酸鎂加以乾燥,並進行減壓濃縮。藉由減壓蒸餾(0.7 kPa、67℃)將殘渣純化,藉此獲得化合物(T-2)(240.5 g、1.10 mol;98%)。
第2步驟 於氮氣環境下,將鎂(5.76 g、0.24 mol)取入反應器中,向反應器中緩慢加入化合物(T-2)(40.0 g、0.18 mol)的四氫呋喃(THF)(250 mL)溶液,於室溫下攪拌2小時。其次,加入硼酸三甲酯(28.6 ml、0.26 mol)的THF(150 ml)溶液並攪拌12小時。其次冷卻至0℃,加入1 N鹽酸(548 ml)並攪拌2小時。將反應混合物注入至水中,利用乙酸乙酯萃取水層。利用食鹽水對混在一起的有機層進行清洗後,利用無水硫酸鎂加以乾燥,並進行減壓濃縮。藉由自庚烷的再結晶將殘渣純化,從而獲得化合物(T-3)(29.3 g、0.16 mol;87%)。
第3步驟 於氮氣環境下,將化合物(T-3)(28.0 g、0.15 mol)、化合物(T-4)(41.0 g、0.14 mol)、四(三苯基膦)鈀(1.40 g、1.21 mmol)、碳酸鉀(60.1 g、0.43 mol)、四丁基溴化銨(TBAB)(14.0 g、0.04 mol)、甲苯(140 ml)、索米斯(Solmix)(註冊商標)A-11(140 ml)、以及水(140 ml)放入反應器中,進行3小時加熱回流。將反應混合物注入至水中,利用甲苯萃取水層。利用水對混在一起的有機層進行清洗,利用無水硫酸鎂加以乾燥。將該溶液於減壓下濃縮,藉由矽膠層析法(容積比,甲苯:庚烷=1:8)將殘渣純化,從而獲得化合物(T-5)(34.7 g、0.12 mol;81%)。
第4步驟 於氮氣環境下,將化合物(T-5)(34.7 g、0.12 mol)、以及THF(250 ml)放入反應器中,冷卻至-70℃。向其中緩慢加入正丁基鋰(1.64 M;正己烷溶液;75.3 ml)並攪拌1小時。其次緩慢加入化合物(T-6)(20.2 g、0.13 mol)的THF(100 ml)溶液,恢復至室溫並攪拌12小時。將反應混合物注入至水中,並利用乙酸乙酯萃取水層。利用食鹽水對混在一起的有機層進行清洗,利用無水硫酸鎂加以乾燥。將該溶液於減壓下濃縮,藉由矽膠層析法(容積比,乙酸乙酯:甲苯=1:4)將殘渣純化,從而獲得化合物(T-7)(43.8 g、0.12 mol;100%)。
第5步驟 於氮氣環境下,將化合物(T-7)(43.8 g、0.12 mol)、乙二醇(8.76 g、0.14 mol)、對甲苯磺酸一水合物(para-toluene sulfonic acid monohydrate,PTSA)(2.24 g、0.01 mol)、以及甲苯(438 ml)放入反應器中,進行8小時加熱回流。將反應混合物注入至水中,利用甲苯萃取水層。利用碳酸氫鈉水及食鹽水對混在一起的有機層進行清洗,利用無水硫酸鎂加以乾燥。將該溶液於減壓下濃縮,藉由矽膠層析法(容積比,乙酸乙酯:甲苯=1:8)將殘渣純化,進而藉由自甲苯與庚烷的混合溶媒(容積比,1:4)的再結晶進行純化,從而獲得化合物(T-8)(27.5 g、0.08 mol;66%)。
第6步驟 將化合物(T-8)(27.5 g、0.08 mol)、5%鈀碳(1.38 g)、THF(275 ml)、以及異丙醇(IPA)(138 ml)放入反應器中,於氫環境下攪拌12小時。藉由過濾將觸媒去除後,於減壓下進行濃縮,藉由矽膠管柱層析法(容積比,乙酸乙酯:甲苯=1:8)將殘渣純化,從而獲得化合物(T-9)(26.6 g、0.07 mol;96%)。
第7步驟 於氮氣環境下,將化合物(T-9)(26.6 g、0.07 mol)、甲酸(53.3 ml、1.04 mol)、TBAB(7.23 g、0.02 mol)、以及甲苯(130 ml)放入反應器中,於室溫下攪拌2小時。將反應混合物注入至水中,利用碳酸氫鈉水而恢復為中性。利用甲苯萃取水層,利用食鹽水對混在一起的有機層進行清洗,利用無水硫酸鎂加以乾燥。將該溶液於減壓下濃縮,藉由矽膠管柱層析法(容積比,乙酸乙酯:甲苯=1:4)將殘渣純化,進而藉由自甲苯與庚烷的混合溶媒(容積比,1:1)的再結晶進行純化,從而獲得化合物(T-10)(17.9 g、0.06 mol;77%)。
第8步驟 於氮氣環境下,將(甲氧基甲基)三苯基氯化鏻(23.6 g、0.07 mol)以及THF(140 ml)放入反應器中,冷卻至-30℃。其次,加入第三丁醇鉀(6.75 g、0.06 mol),維持-30℃而攪拌1小時。其次,緩慢滴加化合物(T-10)(17.9 g、0.06 mol)的THF(220 ml)溶液,滴加後恢復至室溫並攪拌3小時。將反應混合物注入至食鹽水中,利用甲苯萃取水層。利用食鹽水對混在一起的有機層進行清洗,利用無水硫酸鎂加以乾燥。將該溶液於減壓下濃縮,藉由矽膠管柱層析法(容積比,甲苯:庚烷=1:2)將殘渣純化,從而獲得化合物(T-11)(19.5 g、0.06 mol;100%)。
第9步驟 於氮氣環境下,將化合物(T-11)(19.5 g、0.06 mol)、PTSA(3.27 g、0.02 mol)、甲醇(700 ml)、以及甲苯(100 ml)放入反應器中,進行10小時加熱回流。將反應混合物注入至碳酸氫鈉水中,利用甲苯萃取水層。利用食鹽水對混在一起的有機層進行清洗,利用無水硫酸鎂加以乾燥。將該溶液於減壓下濃縮,藉由矽膠管柱層析法(容積比,甲苯:庚烷=1:2)將殘渣純化,進而藉由自甲苯與庚烷的混合溶媒(容積比,1:4)的再結晶進行純化,從而獲得化合物(T-12)(17.2 g、0.05 mol;81%)。
第10步驟 於氮氣環境下,將化合物(T-12)(17.2 g、0.05 mol)、甲酸(34.4 ml、1.04 mol)、TBAB(4.47 g、0.01 mol)、以及甲苯(172 ml)放入反應器中,於室溫下攪拌2小時。將反應混合物注入至水中,利用碳酸氫鈉水而恢復為中性。利用甲苯萃取水層,利用食鹽水對混在一起的有機層進行清洗,利用無水硫酸鎂加以乾燥。將該溶液於減壓下濃縮,從而獲得化合物(T-13)(19.1 g、0.06 mol;100%)。
第11步驟 於氮氣環境下,將甲基三苯基溴化鏻(21.4 g、0.06 mol)以及THF(180 ml)放入反應器中,冷卻至-30℃。其次,加入第三丁醇鉀(6.22 g、0.06 mol),維持-30℃而攪拌1小時。其次,緩慢滴加化合物(T-13)(19.1 g、0.06 mol)的THF(200 ml)溶液,滴加後恢復至室溫並攪拌3小時。將反應混合物注入至食鹽水中,利用甲苯萃取水層。利用食鹽水對混在一起的有機層進行清洗,並利用無水硫酸鎂加以乾燥。將該溶液於減壓下濃縮,藉由矽膠管柱層析法(容積比,甲苯:庚烷=1:2)將殘渣純化,進而藉由自乙酸乙酯與IPA的混合溶媒(容積比,1:4)的再結晶進行純化,從而獲得化合物(1-4)(10.2 g、0.03 mol;68%)。
1
H-NMR(CDCl3
;δ ppm):7.47-7.45 (m, 2H), 7.33-7.26 (m, 5H), 7.02-6.98 (m, 1H), 5.87-5.80 (m, 1H), 5.04-5.00 (m, 1H), 4.95-4.93 (m, 1H), 4.14 (q, J=7.0 Hz, 2H), 2.51 (tt, J=12.2 Hz, J=3.3 Hz, 1H), 2.06-2.02 (m, 1H), 1.97-1.90 (m, 4H), 1.58-1.46 (m, 6H), 1.33-1.27 (m, 2H).
以下表示組成物的實施例。成分化合物基於下述表3的定義而以記號表示。表3中,與1,4-伸環己基相關的立體構型為反式構型。位於經記號化的化合物後的括弧內的編號表示化合物所屬的化學式。記號(-)是指其他液晶性化合物。液晶性化合物的比例(百分率)是基於不包含添加物的液晶組成物的質量的質量百分率(質量%)。最後,歸納組成物的特性值。
[比較例1] 自日本專利特開2007-31694號中所揭示的組成物中選擇實施例11。根據在於該組成物含有與作為第一成分的化合物(1)類似的化合物,並具有最小的體積黏度(η)。由於旋轉黏度(γ1)的值並未記載,因此利用測定方法(4)中記載的方法進行測定。 3-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 13% 5-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 13% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 4% 2-HHB(2F,3F)-1 (2-8) 8% 3-HHB(2F,3F)-1 (2-8) 8% 3-HB(2F)-O2 (3) 13% 3-HB(F)-O2 (3) 13% 3-HHB(2F)-O2 (3) 7% 5-HHB(2F)-O2 (3) 7% 3-HHB(F)-O2 (3) 7% 5-HHB(F)-O2 (3) 7% NI=71.2℃;Tc<-20℃;η=23.0 mPa·s;Δn=0.091;Δε=-3.1;γ1=171.6 mPa·s.
[實施例1] V-HB(F)-O2 (1-1) 2% V2-BB(F)-O2 (1-2) 2% 1V2-BB(F)-O2 (1-2) 2% V-HHB(F)-O2 (1-3) 2% V-HBB(F)-O2 (1-4) 2% V-HH2BB(F)-O2 (1-8) 2% V-H2BBB(F)-O2 (1-9) 2% V-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 6% 3-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 5% 3-DhB(2F,3F)-O2 (2-4) 2% 3-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 7% V2-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 7% 2O-B(2F)B(2F,3F)-O2 (2-7) 2% 2-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 5% V-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 4% V-HHB(2F,3F)-O4 (2-8) 4% 3-HchB(2F,3F)-O2 (2-12) 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 3% V-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 3% V-HH2BB(2F,3F)-O2 (2-24) 2% V-H2BBB(2F,3F)-O2 (2-25) 2% 3-HH-V (3-1) 15% 2-HH-3 (3-1) 5% V-HH-V1 (3-1) 4% V-HHB-1 (3-5) 2% V-HBB-2 (3-6) 2% NI=79.7℃;Tc<-20℃;η=14.8 mPa·s;Δn=0.121;Δε=-3.9;γ1=109.4 mPa·s.
[實施例2] V-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 4% V-HHB(F)-O2 (1-3) 5% V-HBB(F)-O2 (1-4) 5% 3-H2B(2F,3F)-O2 (2-2) 5% 2-H1OB(2F,3F)-O2 (2-3) 5% 3-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 3% 5-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 3% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% V-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% 3-HH2B(2F,3F)-O2 (2-9) 3% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 3% V-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 3% 3-HHB(2F,3Cl)-O2 (2-11) 2% 5-HHB(2F,3Cl)-O2 (2-11) 3% 3-HchB(2F,3F)-O2 (2-12) 2% 2-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 3% 3-BB(2F)B(2F,3F)-O2 (2-20) 2% 3-BB(F)B(2F,3F)-O2 (2-21) 2% V-HH2BB(2F,3F)-O2 (2-24) 3% V-H2BBB(2F,3F)-O2 (2-25) 3% 3-HH-V (3-1) 24% V-HH-V1 (3-1) 3% VFF-HH-VFF (3-1) 2% 5-HB-O2 (3-2) 2% V2-BB-1 (3-3) 2% 3-HBB-2 (3-6) 2% NI=84.7℃;Tc<-20℃;η=13.4 mPa·s;Δn=0.112;Δε=-3.7;γ1=116.1 mPa·s.
[實施例3] V-HB(F)-O2 (1-1) 3% V-HH2BB(F)-O2 (1-8) 2% V-H2BBB(F)-O2 (1-9) 2% 3-B(2F,3F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% 3-dhB(F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% V-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 4% 3-H1OB(2F,3F)-O2 (2-3) 4% 3-B(2F)B(2F,3F)-O2 (2-7) 2% 2-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 9% 4-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 4% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 7% 3-HBB(2F,3Cl)-O2 (2-15) 2% 5-HBB(2F,3Cl)-O2 (2-15) 3% 3-BB(2F,3F)B-3 (2-19) 3% 3-HH1OCro(7F,8F)-5 (2-27) 4% 3-HH-V (3-1) 26% 3-HH-V1 (3-1) 5% 3-HH-VFF (3-1) 3% V2-HHB-1 (3-5) 2% 1-BB(F)B-2V (3-7) 3% V2-BB2B-1 (3-9) 3% NI=87.2℃;Tc<-20℃;η=15.7 mPa·s;Δn=0.107;Δε=-3.5;γ1=131.5 mPa·s.
[實施例4] V2-BB(F)-O2 (1-2) 3% 1V2-BB(F)-O2 (1-2) 3% V-HHB(F)-O2 (1-3) 3% 3-HEB(2F,3F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% 3-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 8% 5-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 5% 3-chB(2F,3F)-O2 (2-5) 3% V-chB(2F,3F)-O2 (2-5) 3% 2-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 8% 2-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 4% 3-H1OCro(7F,8F)-5 (2-26) 3% 3-HH-V (3-1) 28% 2-HH-3 (3-1) 5% 3-HHEH-3 (3-4) 3% 5-B(F)BB-3 (3-8) 3% 5-HB(F)BH-3 (3-12) 3% 1O1-HBBH-5 (-) 3% NI=76.7℃;Tc<-20℃;η=12.9 mPa·s;Δn=0.098;Δε=-3.3;γ1=112.0 mPa·s.
[實施例5] V-HBB(F)-O2 (1-4) 9% 3-dhB(2F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% V-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 6% 3-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 5% 3-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 3% 5-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 3% 2-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 5% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 8% V-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% V-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 3% 2-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 8% 3-HH-V (3-1) 20% 3-HH-V1 (3-1) 3% 2-HH-3 (3-1) 3% 1-BB-3 (3-3) 4% 1-BB-5 (3-3) 3% 3-HHB-1 (3-5) 3% 3-HHEBH-3 (3-11) 3% NI=85.6℃;Tc<-20℃;η=13.9 mPa·s;Δn=0.116;Δε=-3.5;γ1=118.0 mPa·s.
[實施例6] V-HHB(F)-O2 (1-3) 7% 3-DhB(2F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% V-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 9% 3-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 5% 3-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 5% 2-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 5% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 7% 2-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 10% 5-BB(2F)B(2F,3F)-O2 (2-20) 2% 3-BB(F)B(2F,3F)-O2 (2-21) 2% 3-HH-V (3-1) 20% 3-HH-V1 (3-1) 3% 2-HH-3 (3-1) 3% V-HH-V1 (3-1) 3% VFF-HH-VFF (3-1) 2% 3-HB-O2 (3-2) 3% 3-HB(F)HH-2 (3-10) 3% 5-HBB(F)B-2 (3-13) 3% NI=83.6℃;Tc<-20℃;η=14.6 mPa·s;Δn=0.111;Δε=-3.5;γ1=108.0 mPa·s.
[實施例7] V-HB(F)-O2 (1-1) 2% 1V2-BB(F)-O2 (1-2) 3% V-HHB(F)-O2 (1-3) 5% 3-DhB(2F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% V-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 3% 3-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 5% 5-H2B(2F,3F)-O2 (2-2) 3% 2-H1OB(2F,3F)-O2 (2-3) 3% 2-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 5% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 10% 4-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 2% 2-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 6% 3-HchB(2F,3F)-O2 (2-12) 3% 3-HH1OCro(7F,8F)-5 (2-27) 3% 3-HH-V (3-1) 20% 2-HH-3 (3-1) 10% V-HBB-3 (3-6) 5% 2-BB(F)B-2V (3-7) 3% 3-BB(F)B-2V (3-7) 3% NI=82.7℃;Tc<-20℃;η=14.4 mPa·s;Δn=0.104;Δε=-3.4;γ1=106.0 mPa·s.
[實施例8] V-HB(F)-O2 (1-1) 5% V2-BB(F)-O2 (1-2) 6% V-HHB(F)-O2 (1-3) 3% V-HBB(F)-O2 (1-4) 3% 3-dhB(F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% V-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 6% 3-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 6% 2-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% 4-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% V-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% 5-HchB(2F,3F)-O2 (2-12) 3% 3-HDhB(2F,3F)-O2 (2-13) 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% 5-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% V-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 3% 3-dhBB(2F,3F)-O2 (2-16) 3% 3-H1OCro(7F,8F)-5 (2-26) 3% 3-HH-V (3-1) 20% F3-HH-V (3-1) 3% 3-HBB-2 (3-6) 8% NI=84.1℃;Tc<-20℃;η=18.4 mPa·s;Δn=0.115;Δε=-3.7;γ1=128.6 mPa·s.
[實施例9] V-HH2BB(F)-O2V (1-8) 4% 5-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 5% 3-H1OB(2F,3F)-O2 (2-3) 5% 3-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 6% 2O-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 5% 4-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% V-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 7% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 7% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% 4-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% 2-HH-5 (3-1) 3% 3-HH-4 (3-1) 3% 5-HH-V (3-1) 3% 3-HH-V (3-1) 25% 3-HH-V1 (3-1) 5% 1V2-BB-1 (3-3) 3% 3-HHEBH-4 (3-11) 3% 5-HBB(F)B-3 (3-13) 3% NI=89.2℃;Tc<-20℃;η=9.2 mPa·s;Δn=0.104;Δε=-3.4;γ1=109.4 mPa·s.
[實施例10] V-HB(F)-O2 (1-1) 4% 1V2-BB(F)-O2 (1-2) 4% 3-DhB(2F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% 3-HEB(2F,3F)B(2F,3F)-O2 (2) 5% 3-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 8% 3-H2B(2F,3F)-O2 (2-2) 4% 2O-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 5% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 12% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 7% V2-HchB(2F,3F)-O2 (2-12) 3% V-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% 2-BB(2F,3F)B-3 (2-19) 3% 2-BB(2F,3F)B-4 (2-19) 3% 3-HH-V (3-1) 25% 5-HH-O1 (3-1) 3% 5-B(F)BB-2 (3-8) 3% 3-HHEBH-5 (3-11) 3% NI=84.7℃;Tc<-20℃;η=16.1 mPa·s;Δn=0.116;Δε=-3.8;γ1=132.7 mPa·s.
[實施例11] V-HHB(F)-O2 (1-3) 4% 3-dhB(2F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% 5-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 5% 3-H1OB(2F,3F)-O2 (2-3) 5% 5-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 5% 2-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 5% V-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 5% V-HHB(2F,3F)-O4 (2-8) 5% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 8% 5-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 3% V-HH2BB(2F,3F)-O2 (2-24) 4% 3-HH-V (3-1) 20% 2-HH-3 (3-1) 10% 7-HB-1 (3-2) 3% 1-BB-3 (3-3) 3% 3-HHEH-5 (3-4) 3% 3-HHB-3 (3-5) 3% V2-HHB-1 (3-5) 3% 2-BB(F)B-3 (3-7) 3% NI=84.3℃;Tc<-20℃;η=11.0 mPa·s;Δn=0.103;Δε=-3.2;γ1=110.3 mPa·s.
[實施例12] V-HB(F)-O2 (1-1) 9% 3-DhB(F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% 3-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 10% 2O-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 2% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 7% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 7% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 8% V-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% 3-H1OCro(7F,8F)-5 (2-26) 2% 3-HH1OCro(7F,8F)-5 (2-27) 2% 3-HH-V (3-1) 11% 3-HH-V1 (3-1) 10% 2-HH-3 (3-1) 10% 3-HHB-O1 (3-5) 3% VFF-HHB-1 (3-5) 3% V-HBB-3 (3-6) 5% 2-BB(F)B-5 (3-7) 3% NI=81.4℃;Tc<-20℃;η=14.2 mPa·s;Δn=0.105;Δε=-3.5;γ1=110.4 mPa·s.
[實施例13] V-HchB(F)-O2 (1-10) 6% 3-dhB(F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% 2-H1OB(2F,3F)-O2 (2-3) 3% 3-H1OB(2F,3F)-O2 (2-3) 3% 3-chB(2F,3F)-O2 (2-5) 3% 3-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 5% 2-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 4% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 4% 4-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 4% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 9% 2-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% 5-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% 2-BB(2F,3F)B-3 (2-19) 3% 3-HH-V (3-1) 27% 2-HH-3 (3-1) 5% 3-HB-O2 (3-2) 3% V-HBB-2 (3-6) 3% NI=84.3℃;Tc<-20℃;η=14.0 mPa·s;Δn=0.107;Δε=-3.8;γ1=113.4 mPa·s.
[實施例14] V-HHB(F)-O2 (1-3) 4% V-HBB(F)-O2 (1-4) 4% V-HchB(F)-O2 (1-10) 3% 3-DhB(2F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% 3-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 10% 5-BB(2F,3F)-O2 (2-6) 5% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 5% V-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 7% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% 4-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 3% V-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 5% 3-HH-V (3-1) 22% 3-HH-V1 (3-1) 9% 3-HH-O1 (3-1) 3% 1-BB-3 (3-3) 3% 3-HHB-1 (3-5) 3% VFF-HHB-1 (3-5) 3% NI=85.5℃;Tc<-20℃;η=11.8 mPa·s;Δn=0.107;Δε=-3.3;γ1=103.4 mPa·s.
[實施例15] 1V2-BB(F)-O2 (1-2) 5% V-HH2BB(F)-O2 (1-8) 3% V-HchB(F)-O2 (1-10) 3% 3-dhB(F)B(2F,3F)-O2 (2) 3% V-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 5% 3-H2B(2F,3F)-O2 (2-2) 5% 2-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 5% 4-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 6% 2-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 4% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 (2-10) 3% V2-HchB(2F,3F)-O2 (2-12) 4% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 7% 5-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 7% 2-BB(2F,3F)B-3 (2-19) 3% 3-HH-V (3-1) 23% V-HH-V1 (3-1) 5% 3-HB-O2 (3-2) 6% 5-HB-O2 (3-2) 3% NI=88.9℃;Tc<-20℃;η=13.3 mPa·s;Δn=0.112;Δε=-3.6;γ1=116.6 mPa·s.
[實施例16] V-HHB(F)-O2 (1-3) 4% V-HBB(F)-O2 (1-4) 4% 3-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 10% V-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 11% 2-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 5% V-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 11% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 7% V-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 2% 5-HFLF4-3 (2-28) 4% 2-HH-3 (3-1) 15% 3-HH-4 (3-1) 4% 1-BB-3 (3-3) 3% 3-HHB-1 (3-5) 5% V-HBB-2 (3-6) 12% NI=87.2℃;Tc<-20℃;η=22.7 mPa·s;Δn=0.112;Δε=-3.3;γ1=113.1 mPa·s.
[實施例17] V-HHB(F)-O2 (1-3) 4% V-HBB(F)-O2 (1-4) 4% 3-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 10% V-HB(2F,3F)-O2 (2-1) 11% 2-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 3% 3-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 5% V-HHB(2F,3F)-O2 (2-8) 11% 3-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 7% V-HBB(2F,3F)-O2 (2-14) 2% 2O-DBTF2-O4 (2-34) 4% 2-HH-3 (3-1) 15% 3-HH-4 (3-1) 4% 1-BB-3 (3-3) 3% 3-HHB-1 (3-5) 5% V-HBB-2 (3-6) 12% NI=86.8℃;Tc<-20℃;η=20.3 mPa·s;Δn=0.115;Δε=-3.3;γ1=109.5 mPa·s.
比較例1的組成物的旋轉黏度為171.6 mPa·s。另一方面,實施例1至實施例15的組成物的旋轉黏度為103.4 mPa·s至132.7 mPa·s。如此,實施例的組成物與比較例的組成物相比,具有小的旋轉黏度。因而,可得出本發明的液晶組成物具有優異的特性的結論。 [產業上之可利用性]
本發明的液晶組成物可用於液晶監視器、液晶電視等中。
無
無
Claims (13)
- 一種液晶組成物,其含有選自式(1)所表示的化合物中的至少一種化合物作為第一成分、選自式(2)所表示的化合物中的至少一種化合物作為第二成分,以及選自式(3)所表示的化合物中的至少一種化合物作為第三成分,且具有負的介電各向異性,其中所述第一成分的比例為3質量%至25質量%的範圍,所述第二成分的比例為20質量%至75質量%的範圍,且所述第三成分的比例為15質量%至70質量%的範圍,
- 如申請專利範圍第1項所述的液晶組成物,其含有選自式(4)所表示的聚合性化合物中的至少一種化合物作為第一添加物,
- 如申請專利範圍第1項所述的液晶組成物,其含有選自式(4-1)至式(4-29)所表示的聚合性化合物的群組中的至少一種化合物作為第一添加物,
- 如申請專利範圍第5項所述的液晶組成物,其中所述第一添加物的比例為0.03質量%至10質量%的範圍。
- 一種液晶顯示元件,其含有如申請專利範圍第1項所述的液晶組成物。
- 如申請專利範圍第9項所述的液晶顯示元件,其中液晶顯示元件的運作模式為共面切換模式、垂直配向模式、邊緣場切換模式、或電場感應光反應配向模式,液晶顯示元件的驅動方式為主動矩陣方式。
- 一種聚合物穩定配向型的液晶顯示元件,其含有如申請專利範圍第5項所述的液晶組成物,所述液晶組成物中所含有的第一添加物進行聚合。
- 一種液晶組成物的用途,所述液晶組成物為如申請專利範圍第1項所述的液晶組成物,其用於液晶顯示元件中。
- 一種液晶組成物的用途,所述液晶組成物為如申請專利範圍第5項所述的液晶組成物,其用於聚合物穩定配向型的液晶顯示元件中。
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