JPWO2019054107A1 - 液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
高い上限温度、低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな弾性定数、負に大きな誘電率異方性のような特性の少なくとも1つを充足する、またはこれらの特性の少なくとも2つのあいだで適切なバランスを有する液晶組成物、およびこの組成物を含むAM素子を提供する。第一成分として小さな粘度を有し、負の誘電率異方性を有する特定の化合物を含有し、そして第二成分として負の誘電率異方性を有する特定の化合物を含有し、第三成分として高い上限温度または小さな粘度を有する特定の化合物、または第一添加物として重合性基を有する特定の化合物を含有してもよい液晶組成物である。
Description
本発明は、液晶組成物、この組成物を含有する液晶表示素子などに関する。特に、誘電率異方性が負の液晶組成物、およびこの組成物を含有し、IPS、VA、FFS、FPAなどのモードを有する液晶表示素子に関する。高分子支持配向型の液晶表示素子にも関する。
液晶表示素子において、液晶分子の動作モードに基づいた分類は、PC(phase change)、TN(twisted nematic)、STN(super twisted nematic)、ECB(electrically controlled birefringence)、OCB(optically compensated bend)、IPS(in-plane switching)、VA(vertical alignment)、FFS(fringe field switching)、FPA(field-induced photo-reactive alignment)などのモードである。素子の駆動方式に基づいた分類は、PM(passive matrix)とAM(active matrix)である。PMは、スタティック(static)、マルチプレックス(multiplex)などに分類され、AMは、TFT(thin film transistor)、MIM(metal insulator metal)などに分類される。TFTの分類は非晶質シリコン(amorphous silicon)および多結晶シリコン(polycrystal silicon)である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。
液晶表示素子はネマチック相を有する液晶組成物を含有する。この組成物は適切な特性を有する。この組成物の特性を向上させることによって、良好な特性を有するAM素子を得ることができる。これらの特性における関連を下記の表1にまとめる。組成物の特性を市販されているAM素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は約70℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は約−10℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。1ミリ秒でもより短い応答時間が望ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はさらに好ましい。
組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。素子のモードに応じて、大きな光学異方性または小さな光学異方性、すなわち適切な光学異方性が必要である。組成物の光学異方性(Δn)と素子のセルギャップ(d)との積(Δn×d)は、コントラスト比を最大にするように設計される。積の適切な値は動作モードの種類に依存する。この値は、VAモードの素子では約0.30μmから約0.40μmの範囲であり、IPSモードまたはFFSモードの素子では約0.20μmから約0.30μmの範囲である。これらの場合、小さなセルギャップの素子には大きな光学異方性を有する組成物が好ましい。組成物における大きな誘電率異方性は、素子における低いしきい値電圧、小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、大きな誘電率異方性が好ましい。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比とに寄与する。したがって、初期段階において大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあと、大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。紫外線や熱に対する組成物の安定性は、素子の寿命に関連する。この安定性が高いとき、素子の寿命は長い。このような特性は、液晶モニター、液晶テレビなどに用いるAM素子に好ましい。
汎用の液晶表示素子において、液晶分子の垂直配向は、特定のポリイミド配向膜によって達成される。高分子支持配向(PSA;polymer sustained alignment)型の液晶表示素子では、配向膜に重合体を組み合わせる。まず、少量の重合性化合物を添加した組成物を素子に注入する。次に、この素子の基板のあいだに電圧を印加しながら、組成物に紫外線を照射する。重合性化合物は重合して、組成物中に重合体の網目構造を生成する。この組成物では、重合体によって液晶分子の配向を制御することが可能になるので、素子の応答時間が短縮され、画像の焼き付きが改善される。重合体のこのような効果は、TN、ECB、OCB、IPS、VA、FFS、FPAのようなモードを有する素子に期待できる。
TNモードを有するAM素子においては正の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。VAモードを有するAM素子においては負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。IPSモードまたはFFSモードを有するAM素子においては正または負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。高分子支持配向型のAM素子においては正または負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。本発明の第一成分に類似する化合物は次の特許文献1に開示されている。
本発明の1つの目的は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな弾性定数、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性のような特性の少なくとも1つを充足する液晶組成物を提供することである。別の目的は、これらの特性の少なくとも2つのあいだで適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。別の目的は、このような組成物を含有する液晶表示素子を提供することである。別の目的は、短い応答時間、低温での短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、長い寿命のような特性を有するAM素子を提供することである。
本発明は、第一成分として式(1)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有し、負の誘電率異方性を有する液晶組成物、およびこの組成物を含有する液晶表示素子に関する。
式(1)において、R1は、炭素数2から12のアルケニルであり;R2は、炭素数1から12のアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルであり;環Aは、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、または2−クロロ−1,4−フェニレンであり;L1は、フッ素または塩素であり;Z1は、単結合、エチレン、カルボニルオキシ、またはメチレンオキシであり;aは、1、2、または3である。
式(1)において、R1は、炭素数2から12のアルケニルであり;R2は、炭素数1から12のアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルであり;環Aは、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、または2−クロロ−1,4−フェニレンであり;L1は、フッ素または塩素であり;Z1は、単結合、エチレン、カルボニルオキシ、またはメチレンオキシであり;aは、1、2、または3である。
本発明の1つの長所は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、大きな光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性のような特性の少なくとも1つを充足する液晶組成物を提供することである。別の長所は、これらの特性の少なくとも2つのあいだで適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。別の長所は、このような組成物を含有する液晶表示素子を提供することである。別の長所は、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、長い寿命のような特性を有するAM素子を提供することである。
この明細書における用語の使い方は次のとおりである。「液晶組成物」および「液晶表示素子」の用語をそれぞれ「組成物」および「素子」と略すことがある。「液晶表示素子」は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有しないが、ネマチック相の温度範囲、粘度、誘電率異方性のような特性を調節する目的で組成物に混合される化合物の総称である。この化合物は、例えば1,4−シクロヘキシレンや1,4−フェニレンのような六員環を有し、その分子構造は棒状(rod like)である。「重合性化合物」は、組成物中に重合体を生成させる目的で添加する化合物である。アルケニルを有する液晶性化合物は、その意味では重合性ではない。
液晶組成物は、複数の液晶性化合物を混合することによって調製される。この液晶組成物に、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、色素、消泡剤、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、極性化合物のような添加物が必要に応じて添加される。液晶性化合物の割合は、添加物を添加した場合であっても、添加物を含まない液晶組成物の質量に基づいた質量百分率(質量%)で表される。添加物の割合は、添加物を含まない液晶組成物の質量に基づいた質量百分率(質量%)で表される。すなわち、液晶性化合物や添加物の割合は、液晶性化合物の全質量に基づいて算出される。質量百万分率(ppm)が用いられることがある。重合開始剤および重合禁止剤の割合は、例外的に重合性化合物の質量に基づいて表される。
「ネマチック相の上限温度」を「上限温度」と略すことがある。「ネマチック相の下限温度」を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期段階において大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあと、大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。組成物や素子の特性が経時変化試験によって検討されることがある。「誘電率異方性を上げる」の表現は、誘電率異方性が正である組成物のときは、その値が正に増加することを意味し、誘電率異方性が負である組成物のときは、その値が負に増加することを意味する。
式(1)で表される化合物を「化合物(1)」と略すことがある。式(1)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を「化合物(1)」と略すことがある。「化合物(1)」は、式(1)で表される1つの化合物、2つの化合物の混合物、または3つ以上の化合物の混合物を意味する。他の式で表される化合物についても同様である。「少なくとも1つの‘A’」の表現は、‘A’の数は任意であることを意味する。「少なくとも1つの‘A’は、‘B’で置き換えられてもよい」の表現は、‘A’の数が1つのとき、‘A’の位置は任意であり、‘A’の数が2つ以上のときも、それらの位置は制限なく選択できる。このルールは、「少なくとも1つの‘A’が、‘B’で置き換えられた」の表現にも適用される。
「少なくとも1つの−CH2−は−O−で置き換えられてもよい」のような表現がこの明細書で使われる。この場合、−CH2−CH2−CH2−は、隣接しない−CH2−が−O−で置き換えられることによって−O−CH2−O−に変換されてもよい。しかしながら、隣接した−CH2−が−O−で置き換えられることはない。この置き換えでは−O−O−CH2−(ペルオキシド)が生成するからである。すなわち、この表現は、「1つの−CH2−は−O−で置き換えられてもよい」と「少なくとも2つの隣接しない−CH2−は−O−で置き換えられてもよい」の両方とを意味する。このルールは、−O−への置き換えだけでなく、−CH=CH−や−COO−のような二価基への置き換えにも適用される。
成分化合物の化学式において、末端基R2の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、任意の2つのR2が表す2つの基は同一であってもよく、または異なってもよい。例えば、化合物(1−1)のR2がエチルであり、化合物(1−2)のR2がエチルであるケースがある。化合物(1−1)のR3がエチルであり、化合物(1−2)のR2がプロピルであるケースもある。このルールは、他の末端基などの記号にも適用される。式(1)において、添え字‘a’が2のとき、2つの環Aが存在する。この化合物において、2つの環Aが表す2つの環は、同一であってもよく、または異なってもよい。このルールは、添え字‘a’が2より大きいとき、任意の2つの環Aにも適用される。このルールは、Z4、環Eなどの記号にも適用される。このルールは、化合物(4−27)における2つの−Sp2−P5のような場合にも適用される。
六角形で囲んだA、B、C、Dなどの記号は、それぞれ環A、環B、環C、環Dなどの環に対応し、六員環、縮合環などの環を表す。化合物(4)において、この六角形の一辺を横切る斜線は、環上の任意の水素が−Sp1−P1などの基で置き換えられてもよいことを表す。‘f’などの添え字は、置き換えられた基の数を示す。添え字‘f’が0(ゼロ)のとき、そのような置き換えはない。添え字‘f’が2以上のとき、環G上には複数の−Sp1−P1が存在する。−Sp1−P1が表す複数の基は、同一であってもよく、または異なってもよい。「環Aおよび環Bは独立して、X、Y、またはZである」の表現では、主語が複数であるから、「独立して」を用いる。主語が「環A」であるときは、主語が単数であるから「独立して」を用いない。
2−フルオロ−1,4−フェニレンは、下記の2つの二価基を意味する。化学式において、フッ素は左向き(L)であってもよいし、右向き(R)であってもよい。このルールは、テトラヒドロピラン−2,5−ジイルや環から2つの水素を除くことによって生成した、左右非対称な二価基にも適用される。このルールは、カルボニルオキシ(−COO−または−OCO−)のような二価の結合基にも適用される。
液晶性化合物のアルキルは、直鎖状または分岐状であり、環状アルキルを含まない。直鎖状アルキルは、分岐状アルキルよりも好ましい。分岐状アルキルの場合、不斉炭素原子を有しない。これらのことは、アルコキシ、アルケニルなどの末端基についても同様である。1,4−シクロヘキシレンに関する立体配置は、上限温度を上げるためにシスよりもトランスが好ましい。
本発明は、下記の項などである。
項1. 第一成分として、式(1)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有し、負の誘電率異方性を有する液晶組成物。
式(1)において、R1は、炭素数2から12のアルケニルであり;R2は、炭素数1から12のアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルであり;環Aは、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、または2−クロロ−1,4−フェニレンであり;L1は、フッ素または塩素であり;Z1は、単結合、エチレン、カルボニルオキシ、またはメチレンオキシであり;aは、1、2、または3である。
式(1)において、R1は、炭素数2から12のアルケニルであり;R2は、炭素数1から12のアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルであり;環Aは、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、または2−クロロ−1,4−フェニレンであり;L1は、フッ素または塩素であり;Z1は、単結合、エチレン、カルボニルオキシ、またはメチレンオキシであり;aは、1、2、または3である。
項2. 第一成分として、式(1−1)から式(1−10)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を含有する、項1に記載の液晶組成物。
式(1−1)から式(1−10)において、R1は、炭素数2から12のアルケニルであり;R2は、炭素数1から12のアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルである。
式(1−1)から式(1−10)において、R1は、炭素数2から12のアルケニルであり;R2は、炭素数1から12のアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルである。
項3. 第一成分の割合が3質量%から25質量%の範囲である、項1または2に記載の液晶組成物。
項4. 第二成分として、式(2)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有する、項1から3のいずれか1項に記載の液晶組成物。
式(2)において、R3およびR4は独立して、水素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、炭素数2から12のアルケニルオキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルであり;環Bおよび環Dは独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた1,4−フェニレン、ナフタレン−2,6−ジイル、少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられたナフタレン−2,6−ジイル、クロマン−2,6−ジイル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられたクロマン−2,6−ジイルであり;環Cは、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン、2−クロロ−3−フルオロ−1,4−フェニレン、2,3−ジフルオロ−5−メチル−1,4−フェニレン、3,4,5−トリフルオロナフタレン−2,6−ジイル、7,8−ジフルオロクロマン−2,6−ジイル、3,4,5,6−テトラフルオロフルオレン−2,7−ジイル、4,6−ジフルオロジベンゾフラン−3,7−ジイル、4,6−ジフルオロジベンゾチオフェン−3,7−ジイル、または1,1,6,7−テトラフルオロインダン−2,5−ジイルであり;Z2およびZ3は独立して、単結合、エチレン、カルボニルオキシ、またはメチレンオキシであり;bは、0、1、2、または3であり、cは、0または1であり、そしてbとcの和は3以下である。
式(2)において、R3およびR4は独立して、水素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、炭素数2から12のアルケニルオキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルであり;環Bおよび環Dは独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた1,4−フェニレン、ナフタレン−2,6−ジイル、少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられたナフタレン−2,6−ジイル、クロマン−2,6−ジイル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられたクロマン−2,6−ジイルであり;環Cは、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン、2−クロロ−3−フルオロ−1,4−フェニレン、2,3−ジフルオロ−5−メチル−1,4−フェニレン、3,4,5−トリフルオロナフタレン−2,6−ジイル、7,8−ジフルオロクロマン−2,6−ジイル、3,4,5,6−テトラフルオロフルオレン−2,7−ジイル、4,6−ジフルオロジベンゾフラン−3,7−ジイル、4,6−ジフルオロジベンゾチオフェン−3,7−ジイル、または1,1,6,7−テトラフルオロインダン−2,5−ジイルであり;Z2およびZ3は独立して、単結合、エチレン、カルボニルオキシ、またはメチレンオキシであり;bは、0、1、2、または3であり、cは、0または1であり、そしてbとcの和は3以下である。
項5. 第二成分として、式(2−1)から式(2−35)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を含有する、項1から4のいずれか1項に記載の液晶組成物。
式(2−1)から式(2−35)において、R3およびR4は独立して、水素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、炭素数2から12のアルケニルオキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルである。
式(2−1)から式(2−35)において、R3およびR4は独立して、水素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、炭素数2から12のアルケニルオキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルである。
項6. 第二成分の割合が20質量%から75質量%の範囲である、項4または5に記載の液晶組成物。
項7. 第三成分として、式(3)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有する、項1から6のいずれか1項に記載の液晶組成物。
式(3)において、R5およびR6は独立して、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルであり;環Eおよび環Fは独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,5−ジフルオロ−1,4−フェニレンであり;Z4は、単結合、エチレン、またはカルボニルオキシであり;dは、1、2、または3である。
式(3)において、R5およびR6は独立して、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルであり;環Eおよび環Fは独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,5−ジフルオロ−1,4−フェニレンであり;Z4は、単結合、エチレン、またはカルボニルオキシであり;dは、1、2、または3である。
項8. 第三成分として、式(3−1)から式(3−13)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を含有する、項1から7のいずれか1項に記載の液晶組成物。
式(3−1)から式(3−13)において、R5およびR6は独立して、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルである。
式(3−1)から式(3−13)において、R5およびR6は独立して、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルである。
項9. 第三成分の割合が15質量%から70質量%の範囲である、項7または8に記載の液晶組成物。
項10. 第一添加物として、式(4)で表される重合性化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有する、項1から9のいずれか1項に記載の液晶組成物。
式(4)において、環Gおよび環Jは独立して、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、テトラヒドロピラン−2−イル、1,3−ジオキサン−2−イル、ピリミジン−2−イル、またはピリジン−2−イルであり、これらの環において、少なくとも1つの水素は、フッ素、塩素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルで置き換えられてもよく;環Iは、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、ナフタレン−1,2−ジイル、ナフタレン−1,3−ジイル、ナフタレン−1,4−ジイル、ナフタレン−1,5−ジイル、ナフタレン−1,6−ジイル、ナフタレン−1,7−ジイル、ナフタレン−1,8−ジイル、ナフタレン−2,3−ジイル、ナフタレン−2,6−ジイル、ナフタレン−2,7−ジイル、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、またはピリジン−2,5−ジイルであり、これらの環において、少なくとも1つの水素は、フッ素、塩素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルで置き換えられてもよく;Z5およびZ6は独立して、単結合または炭素数1から10のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、少なくとも1つの−CH2−は、−O−、−CO−、−COO−、または−OCO−で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−CH2−は、−CH=CH−、−C(CH3)=CH−、−CH=C(CH3)−、または−C(CH3)=C(CH3)−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素は、フッ素または塩素で置き換えられてもよく;P1、P2、およびP3は独立して、重合性基であり;Sp1、Sp2、およびSp3は独立して、単結合、または炭素数1から10のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、少なくとも1つの−CH2−は、−O−、−COO−、−OCO−、または−OCOO−で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−CH2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素は、フッ素または塩素で置き換えられてもよく;eは、0、1、または2であり;f、g、およびhは独立して、0、1、2、3、または4であり、そしてf、g、およびhの和は、1以上である。
式(4)において、環Gおよび環Jは独立して、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、テトラヒドロピラン−2−イル、1,3−ジオキサン−2−イル、ピリミジン−2−イル、またはピリジン−2−イルであり、これらの環において、少なくとも1つの水素は、フッ素、塩素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルで置き換えられてもよく;環Iは、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、ナフタレン−1,2−ジイル、ナフタレン−1,3−ジイル、ナフタレン−1,4−ジイル、ナフタレン−1,5−ジイル、ナフタレン−1,6−ジイル、ナフタレン−1,7−ジイル、ナフタレン−1,8−ジイル、ナフタレン−2,3−ジイル、ナフタレン−2,6−ジイル、ナフタレン−2,7−ジイル、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、またはピリジン−2,5−ジイルであり、これらの環において、少なくとも1つの水素は、フッ素、塩素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルで置き換えられてもよく;Z5およびZ6は独立して、単結合または炭素数1から10のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、少なくとも1つの−CH2−は、−O−、−CO−、−COO−、または−OCO−で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−CH2−は、−CH=CH−、−C(CH3)=CH−、−CH=C(CH3)−、または−C(CH3)=C(CH3)−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素は、フッ素または塩素で置き換えられてもよく;P1、P2、およびP3は独立して、重合性基であり;Sp1、Sp2、およびSp3は独立して、単結合、または炭素数1から10のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、少なくとも1つの−CH2−は、−O−、−COO−、−OCO−、または−OCOO−で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−CH2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素は、フッ素または塩素で置き換えられてもよく;eは、0、1、または2であり;f、g、およびhは独立して、0、1、2、3、または4であり、そしてf、g、およびhの和は、1以上である。
項11. 式(4)において、P1、P2、およびP3が独立して、式(P−1)から式(P−5)で表される重合性基の群から選択された基である、項10に記載の液晶組成物。
式(P−1)から式(P−5)において、M1、M2、およびM3は独立して、水素、フッ素、炭素数1から5のアルキル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から5のアルキルである。
式(P−1)から式(P−5)において、M1、M2、およびM3は独立して、水素、フッ素、炭素数1から5のアルキル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から5のアルキルである。
項12. 第一添加物として、式(4−1)から式(4−29)で表される重合性化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を含有する、項1から11のいずれか1項に記載の液晶組成物。
式(4−1)から式(4−29)において、P4、P5、およびP6は独立して、式(P−1)から式(P−3)で表される重合性基の群から選択された基であり:
ここで、M1、M2、およびM3は独立して、水素、フッ素、炭素数1から5のアルキル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から5のアルキルであり;Sp1、Sp2、およびSp3は独立して、単結合、または炭素数1から10のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、少なくとも1つの−CH2−は、−O−、−COO−、−OCO−、または−OCOO−で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−CH2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素は、フッ素または塩素で置き換えられてもよい。
式(4−1)から式(4−29)において、P4、P5、およびP6は独立して、式(P−1)から式(P−3)で表される重合性基の群から選択された基であり:
ここで、M1、M2、およびM3は独立して、水素、フッ素、炭素数1から5のアルキル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から5のアルキルであり;Sp1、Sp2、およびSp3は独立して、単結合、または炭素数1から10のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、少なくとも1つの−CH2−は、−O−、−COO−、−OCO−、または−OCOO−で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−CH2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素は、フッ素または塩素で置き換えられてもよい。
項13. 第一添加物の割合が0.03質量%から10質量%の範囲である、項10から12のいずれか1項に記載の液晶組成物。
項14. 項1から13のいずれか1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
項15. 液晶表示素子の動作モードが、IPSモード、VAモード、FFSモード、またはFPAモードであり、液晶表示素子の駆動方式がアクティブマトリックス方式である、項14に記載の液晶表示素子。
項16. 項1から13のいずれか1項に記載の液晶組成物を含有し、この液晶組成物に含有された第一添加物が重合されている、高分子支持配向型の液晶表示素子。
項17. 項1から13のいずれか1項に記載の液晶組成物の、液晶表示素子における使用。
項18. 項1から13のいずれか1項に記載の液晶組成物の、高分子支持配向型の液晶表示素子における使用。
本発明は、次の項も含む。(a)第二添加物として、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、色素、消泡剤、化合物(4)とは異なる重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、極性化合物のような添加物の少なくとも1つをさらに含有する上記の組成物。(b)上記の組成物を含有するAM素子。(c)重合性化合物をさらに含有する上記の組成物を含有する高分子支持配向(PSA)型のAM素子。(d)上記の組成物を含有し、この組成物中の重合性化合物が重合されている、高分子支持配向(PSA)型のAM素子。(e)上記の組成物を含有し、そしてPC、TN、STN、ECB、OCB、IPS、VA、FFS、またはFPAのモードを有する素子。(f)上記の組成物を含有する透過型の素子。(g)上記の組成物を、ネマチック相を有する組成物としての使用。(h)上記の組成物に光学活性化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用。
本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物の構成を説明する。第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、組成物における成分の組み合わせ、成分の好ましい割合およびその根拠を説明する。第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。第五に、好ましい成分化合物を示す。第六に、組成物に添加してもよい添加物を説明する。第七に、成分化合物の合成法を説明する。最後に、組成物の用途を説明する。
第一に、組成物の構成を説明する。この組成物は、複数の液晶性化合物を含有する。この組成物は、添加物を含有してもよい。添加物は、第一添加物と第二添加物に分けることがある。添加物は、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、色素、消泡剤、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、極性化合物などである。この組成物は、液晶性化合物の観点から組成物Aと組成物Bに分類される。組成物Aは、化合物(1)、化合物(2)および化合物(3)から選択された液晶性化合物の他に、その他の液晶性化合物、添加物などをさらに含有してもよい。「その他の液晶性化合物」は、化合物(1)、化合物(2)および化合物(3)とは異なる液晶性化合物である。このような化合物は、特性をさらに調整する目的で組成物に混合される。
組成物Bは、実質的に、化合物(1)、化合物(2)および化合物(3)から選択された液晶性化合物のみからなる。「実質的に」の用語は、組成物が添加物を含有してもよいが、その他の液晶性化合物を含有しないことを意味する。組成物Bは組成物Aに比較して成分の数が少ない。コストを下げるという観点から、組成物Bは組成物Aよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって特性をさらに調整できるという観点から、組成物Aは組成物Bよりも好ましい。
第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。成分化合物の主要な特性を本発明の効果に基づいて表2にまとめる。表2の記号において、Lは大きいまたは高い、Mは中程度の、Sは小さいまたは低い、を意味する。記号L、M、Sは、成分化合物のあいだの定性的な比較に基づいた分類であり、0(ゼロ)は、値がゼロ、またはゼロに近いことを意味する。
成分化合物を組成物に混合したとき、成分化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果は次のとおりである。化合物(1)は、粘度を下げ、そして誘電率異方性を上げる。化合物(2)は、誘電率異方性を上げ、そして下限温度を下げる。化合物(3)は、上限温度を上げる、または粘度を下げる。化合物(4)は、重合によって重合体を与え、この重合体は、素子の応答時間を短縮し、特に低温での応答時間を短縮し、そして画像の焼き付きを改善する。
第三に、組成物における成分の組み合わせ、成分の好ましい割合およびその根拠を説明する。組成物における成分の好ましい組み合わせは、第一成分+第二成分、第一成分+第二成分+第三成分、第一成分+第二成分+第一添加物、第一成分+第二成分+第三成分+第一添加物である。さらに好ましい組み合わせは、第一成分+第二成分+第三成分、第一成分+第二成分+第三成分+第一添加物である。
第一成分の好ましい割合は、誘電率異方性を上げるために約3質量%以上であり、粘度を下げるために約25質量%以下である。さらに好ましい割合は約3質量%から約20質量%の範囲である。特に好ましい割合は約3質量%から約15質量%の範囲である。
第二成分の好ましい割合は、誘電率異方性を上げるために約20質量%以上であり、下限温度を下げるために約75質量%以下である。さらに好ましい割合は約25質量%から約70質量%の範囲である。特に好ましい割合は約30質量%から約65質量%の範囲である。
第三成分の好ましい割合は、粘度を下げるためにまたは弾性定数を上げるために約15質量%以上であり、誘電率異方性を上げるために約70質量%以下である。さらに好ましい割合は約10質量%から約60質量%の範囲である。特に好ましい割合は約10質量%から約50質量%の範囲である。
第一添加物は、高分子支持配向型の素子に適合させる目的で、組成物に添加される。第一添加物の好ましい割合は、液晶分子を配向させるために約0.03質量%以上であり、素子の表示不良を防ぐために約10質量%以下である。さらに好ましい割合は、約0.1質量%から約2質量%の範囲である。特に好ましい割合は、約0.2質量%から約1.0質量%の範囲である。
第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。式(1)、式(2)および式(3)において、R1は炭素数2から12のアルケニルである。好ましいR1は、粘度を下げるためにビニル、1−プロペニル、または3−ブテニルである。R2は、炭素数1から12のアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルである。好ましいR2は、粘度を下げるためにメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、ビニル、1−プロペニル、または3−ブテニルである。R3およびR4は独立して、水素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、炭素数2から12のアルケニルオキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルである。好ましいR3およびR4は、粘度を下げるために炭素数2から12のアルケニルであり、紫外線や熱に対する安定性を上げるために炭素数1から12のアルキルであり、誘電率異方性を上げるために炭素数1から12のアルコキシである。R5およびR6は独立して、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルケニルである。好ましいR5およびR6は、粘度を下げるために炭素数2から12のアルケニルであり、紫外線や熱に対する安定性を上げるために炭素数1から12のアルキルである。
好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。さらに好ましいアルキルは、粘度を下げるためにメチル、エチル、プロピル、ブチル、またはペンチルである。
好ましいアルコキシは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、またはヘプチルオキシである。さらに好ましいアルコキシは、粘度を下げるためにメトキシまたはエトキシである。
好ましいアルケニルは、ビニル、1−プロペニル、2−プロペニル、1−ブテニル、2−ブテニル、3−ブテニル、1−ペンテニル、2−ペンテニル、3−ペンテニル、4−ペンテニル、1−ヘキセニル、2−ヘキセニル、3−ヘキセニル、4−ヘキセニル、または5−ヘキセニルである。さらに好ましいアルケニルは、粘度を下げるために、ビニル、1−プロペニル、3−ブテニル、または3−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−CH=CH−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。粘度を下げるためなどから1−プロペニル、1−ブテニル、1−ペンテニル、1−ヘキセニル、3−ペンテニル、3−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。2−ブテニル、2−ペンテニル、2−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。
少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられたアルキルの好ましい例は、フルオロメチル、2−フルオロエチル、3−フルオロプロピル、4−フルオロブチル、5−フルオロペンチル、6−フルオロヘキシル、7−フルオロヘプチル、または8−フルオロオクチルである。さらに好ましい例は、誘電率異方性を上げるために2−フルオロエチル、3−フルオロプロピル、4−フルオロブチル、または5−フルオロペンチルである。
少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられたアルケニルの好ましい例は、2,2−ジフルオロビニル、3,3−ジフルオロ−2−プロペニル、4,4−ジフルオロ−3−ブテニル、5,5−ジフルオロ−4−ペンテニル、または6,6−ジフルオロ−5−ヘキセニルである。さらに好ましい例は、粘度を下げるために2,2−ジフルオロビニルまたは4,4−ジフルオロ−3−ブテニルである。
環Aは、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、または2−クロロ−1,4−フェニレンである。好ましい環Aは、粘度を下げるために1,4−シクロヘキシレンであり、光学異方性を上げるために1,4−フェニレンであり、誘電率異方性を上げるために2−フルオロ−1,4−フェニレンである。
環Bおよび環Dは独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた1,4−フェニレン、ナフタレン−2,6−ジイル、少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられたナフタレン−2,6−ジイル、クロマン−2,6−ジイル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられたクロマン−2,6−ジイルである。好ましい環Bおよび環Dは、粘度を下げるために1,4−シクロヘキシレンであり、誘電率異方性を上げるためにテトラヒドロピラン−2,5−ジイルであり、光学異方性を上げるために1,4−フェニレンである。テトラヒドロピラン−2,5−ジイルは、
または
であり、好ましくは
である。
または
であり、好ましくは
である。
環Cは、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン、2−クロロ−3−フルオロ−1,4−フェニレン、2,3−ジフルオロ−5−メチル−1,4−フェニレン、3,4,5−トリフルオロナフタレン−2,6−ジイル、7,8−ジフルオロクロマン−2,6−ジイル、3,4,5,6−テトラフルオロフルオレン−2,7−ジイル(FLF4)、4,6−ジフルオロジベンゾフラン−3,7−ジイル(DBFF2)、4,6−ジフルオロジベンゾチオフェン−3,7−ジイル(DBTF2)、又は1,1,6,7−テトラフルオロインダン−2,5−ジイル(InF4)である。
好ましい環Cは、粘度を下げるために2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンであり、光学異方性を下げるために2−クロロ−3−フルオロ−1,4−フェニレンであり、誘電率異方性を上げるために7,8−ジフルオロクロマン−2,6−ジイルである。
好ましい環Cは、粘度を下げるために2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンであり、光学異方性を下げるために2−クロロ−3−フルオロ−1,4−フェニレンであり、誘電率異方性を上げるために7,8−ジフルオロクロマン−2,6−ジイルである。
環Eおよび環Fは独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,5−ジフルオロ−1,4−フェニレンである。好ましい環Eまたは環Fは、粘度を下げるために、または上限温度を上げるために、1,4-シクロヘキシレンであり、下限温度を下げるために1,4−フェニレンである。
Z1、Z2、およびZ3は独立して、単結合、エチレン、カルボニルオキシ、またはメチレンオキシである。好ましいZ1、Z2、またはZ3は粘度を下げるために単結合であり、下限温度を下げるためにエチレンであり、誘電率異方性を上げるためにメチレンオキシである。Z4は、単結合、エチレン、またはカルボニルオキシである。好ましいZ4は、粘度を下げるために単結合であり、下限温度を下げるためにエチレンである。
L1はフッ素または塩素である。好ましいL1は、粘度を下げるためにフッ素であり、光学異方性を上げるために塩素である。
aは、1、2、または3である。好ましいaは、粘度を下げるために1であり、上限温度を上げるために2または3である。bは、1、2、または3であり、cは、0または1であり、そして、bとcの和は3以下である。好ましいbは粘度を下げるために1であり、上限温度を上げるために2または3である。好ましいcは、粘度を下げるために0であり、上限温度を上げるために1である。dは、1、2、または3である。好ましいdは、粘度を下げるために1であり、上限温度を上げるために2または3である。
式(4)において、P1、P2、およびP3は独立して、重合性基である。好ましいP1、P2、またはP3は、式(P−1)から式(P−5)で表される重合性基の群から選択された基である。さらに好ましいP1、P2、またはP3は、式(P−1)、式(P−2)、または式(P−3)で表される基である。特に好ましいP1、P2、またはP3は、式(P−1)または式(P−2)で表される基である。最も好ましいP1、P2、またはP3は、式(P−1)で表される基である。式(P−1)で表される好ましい基は、−OCO−CH=CH2または−OCO−C(CH3)=CH2である。式(P−1)から式(P−5)の波線は、結合する部位を示す。
式(P−1)から式(P−5)において、M1、M2、およびM3は独立して、水素、フッ素、炭素数1から5のアルキル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から5のアルキルである。好ましいM1、M2、またはM3は、反応性を上げるために水素またはメチルである。さらに好ましいM1は水素またはメチルであり、さらに好ましいM2またはM3は水素である。
Sp1、Sp2、およびSp3は独立して、単結合または炭素数1から10のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、少なくとも1つの−CH2−は、−O−、−COO−、−OCO−、または−OCOO−で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−CH2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素は、フッ素または塩素で置き換えられてもよい。好ましいSp1、Sp2、またはSp3は、単結合、−CH2−CH2−、−CH2O−、−OCH2−、−COO−、−OCO−、−CO−CH=CH−、または−CH=CH−CO−である。さらに好ましいSp1、Sp2、またはSp3は、単結合である。
環Gおよび環Jは独立して、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、テトラヒドロピラン−2−イル、1,3−ジオキサン−2−イル、ピリミジン−2−イル、またはピリジン−2−イルであり、これらの環において、少なくとも1つの水素は、フッ素、塩素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルで置き換えられてもよい。好ましい環Gまたは環Jは、フェニルである。環Iは、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、ナフタレン−1,2−ジイル、ナフタレン−1,3−ジイル、ナフタレン−1,4−ジイル、ナフタレン−1,5−ジイル、ナフタレン−1,6−ジイル、ナフタレン−1,7−ジイル、ナフタレン−1,8−ジイル、ナフタレン−2,3−ジイル、ナフタレン−2,6−ジイル、ナフタレン−2,7−ジイル、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、またはピリジン−2,5−ジイルであり、これらの環において、少なくとも1つの水素は、フッ素、塩素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルで置き換えられてもよい。好ましい環Iは、1,4−フェニレンまたは2−フルオロ−1,4−フェニレンである。
Z5およびZ6は独立して、単結合または炭素数1から10のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、少なくとも1つの−CH2−は、−O−、−CO−、−COO−、または−OCO−で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−CH2−は、−CH=CH−、−C(CH3)=CH−、−CH=C(CH3)−、または−C(CH3)=C(CH3)−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素は、フッ素または塩素で置き換えられてもよい。好ましいZ5またはZ6は、単結合、−CH2−CH2−、−CH2O−、−OCH2−、−COO−、または−OCO−である。さらに好ましいZ5またはZ6は、単結合である。
eは、0、1、または2である。好ましいeは、0または1である。f、g、およびhは独立して、0、1、2、3、または4であり、f、g、およびhの和は、1以上である。好ましいfまたはhは、1または2であり、好ましいgは、0または1である。
式(1)で表される化合物は、式(3)で表される化合物にも含まれることがある。この様な化合物は、式(1)で表される化合物に属すると看做す。すなわち、第一成分の化合物とし、第三成分の化合物とはしない。
第五に、好ましい成分化合物を示す。好ましい化合物(1)は、項2に記載の化合物(1−1)から化合物(1−10)である。これらの化合物において、第一成分の少なくとも1つが、化合物(1−3)または化合物(1−4)であることが好ましい。第一成分の少なくとも2つが、化合物(1−3)および化合物(1−4)の組み合わせであることが好ましい。
好ましい化合物(2)は、項5に記載の化合物(2−1)から化合物(2−35)である。これらの化合物において、第二成分の少なくとも1つが、化合物(2−1)、化合物(2−2)、化合物(2−3)、化合物(2−6)、化合物(2−7)、化合物(2−12)、化合物(2−8)、または化合物(2−14)、化合物(2−25)であることが好ましい。第二成分の少なくとも2つが、化合物(2−1)および化合物(2−24)、化合物(2−2)および化合物(2−12)、化合物(2−3)および化合物(2−6)、化合物(2−18)および化合物(2−12)、化合物(2−25)および化合物(2−7)、または化合物(2−8)および化合物(2−14)の組み合わせであることが好ましい。
好ましい化合物(3)は、項8に記載の化合物(3−1)から化合物(3−13)である。これらの化合物において、第三成分の少なくとも1つが、化合物(3−1)、化合物(3−4)、化合物(3−5)、または化合物(3−6)であることが好ましい。第三成分の少なくとも2つが化合物(3−1)および化合物(3−5)、化合物(3−1)および化合物(3−6)の組み合わせであることが好ましい。
好ましい化合物(4)は、項12に記載の化合物(4−1)から化合物(4−29)である。これらの化合物において、第一添加物の少なくとも1つが、化合物(4−1)、化合物(4−2)、化合物(4−24)、化合物(4−25)、化合物(4−26)、または化合物(4−27)であることが好ましい。第一添加物の少なくとも2つが、化合物(4−1)および化合物(4−2)、化合物(4−1)および化合物(4−18)、化合物(4−2)および化合物(4−24)、化合物(4−2)および化合物(4−25)、化合物(4−2)および化合物(4−26)、化合物(4−25)および化合物(4−26)、または化合物(4−18)および化合物(4−24)の組み合わせであることが好ましい。
第六に、組成物に添加してもよい添加物を説明する。このような添加物は、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、消光剤、色素、消泡剤、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、極性化合物などである。液晶分子のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性化合物が組成物に添加される。このような化合物の例は、化合物(5−1)から化合物(5−5)である。光学活性化合物の好ましい割合は約5質量%以下である。さらに好ましい割合は約0.01質量%から約2質量%の範囲である。
大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するために、または素子を長時間使用したあと、室温だけではなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を維持するために、酸化防止剤が組成物に添加される。酸化防止剤の好ましい例は、化合物(6−1)から化合物(6−3)などである。
化合物(6−2)は、揮発性が小さいので、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を維持するのに有効である。酸化防止剤の好ましい割合は、その効果を得るために約50ppm以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように約600ppm以下である。さらに好ましい割合は、約100ppmから約300ppmの範囲である。
紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。立体障害のあるアミンのような光安定剤もまた好ましい。光安定剤の好ましい例は、化合物(7−1)から化合物(7−16)などである。これらの吸収剤や安定剤における好ましい割合は、その効果を得るために約50ppm以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないために約10000ppm以下である。さらに好ましい割合は約100ppmから約10000ppmの範囲である。
消光剤は、液晶化合物が吸収した光エネルギーを受容し、熱エネルギーに変換することにより、液晶化合物の分解を防止する化合物である。消光剤の好ましい例は、化合物(8−1)から化合物(8−7)などである。これらの消光剤における好ましい割合は、その効果を得るために約50ppm以上であり、下限温度を上げないために約20000ppm以下である。さらに好ましい割合は約100ppmから約10000ppmの範囲である。
GH(guest host)モードの素子に適合させるために、アゾ系色素、アントラキノン系色素などのような二色性色素(dichroic dye)が組成物に添加される。色素の好ましい割合は、約0.01質量%から約10質量%の範囲である。泡立ちを防ぐために、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどの消泡剤が組成物に添加される。消泡剤の好ましい割合は、その効果を得るために約1ppm以上であり、表示不良を防ぐために約1000ppm以下である。さらに好ましい割合は、約1ppmから約500ppmの範囲である。
高分子支持配向(PSA)型の素子に適合させるために重合性化合物が用いられる。化合物(4)はこの目的に適している。化合物(4)と共に化合物(4)とは異なる重合性化合物を組成物に添加してもよい。化合物(4)の代わりに、化合物(4)とは異なる重合性化合物を組成物に添加してもよい。このような重合性化合物の好ましい例は、アクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、ビニルオキシ化合物、プロペニルエーテル、エポキシ化合物(オキシラン、オキセタン)、ビニルケトンなどの化合物である。さらに好ましい例は、アクリレートまたはメタクリレートの誘導体である。化合物(4)の種類を変えることによって、または化合物(4)に、化合物(4)とは異なる重合性化合物を適切な比で組み合せることによって、重合の反応性や液晶分子のプレチルト角を調整することができる。プレチルト角を最適化することによって、素子の短い応答時間を達成することができる。液晶分子の配向が安定化されるので、大きなコントラスト比や長い寿命を達成することができる。
重合性化合物は紫外線照射によって重合する。光重合開始剤などの開始剤存在下で重合させてもよい。重合のための適切な条件や、開始剤の適切なタイプおよび量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。例えば光重合開始剤であるIrgacure651(登録商標;BASF)、Irgacure184(登録商標;BASF)、またはDarocur1173(登録商標;BASF)がラジカル重合に対して適切である。光重合開始剤の好ましい割合は、重合性化合物の質量に基づいて約0.1質量%から約5質量%の範囲である。さらに好ましい割合は約1質量%から約3質量%の範囲である。
重合性化合物を保管するとき、重合を防止するために重合禁止剤を添加してもよい。重合性化合物は、通常は重合禁止剤を除去しないまま組成物に添加される。重合禁止剤の例は、ヒドロキノン、メチルヒドロキノンのようなヒドロキノン誘導体、4−t−ブチルカテコール、4-メトキシフェノール、フェノチアジンなどである。
極性化合物は、極性をもつ有機化合物である。ここでは、イオン結合を有する化合物は含まれない。酸素、硫黄、および窒素のような原子は、より電気的に陰性であり、部分的な負電荷をもつ傾向にある。炭素および水素は中性であるか、または部分的な正電荷をもつ傾向がある。極性は、化合物中の別種の原子間で部分電荷が均等に分布しないことから生じる。例えば、極性化合物は、−OH、−COOH、−SH、−NH2、>NH、>N−のような部分構造の少なくとも1つを有する。
第七に、成分化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物(1−4)の合成例は、実施例の項に記載する。化合物(2−6)は、特開2000−53602号に記載された方法で合成する。化合物(4−3)は、特開昭52−53783号公報に記載された方法で合成する。化合物(5−18)は、特開平7−101900号公報に記載された方法で合成する。酸化防止剤は市販されている。化合物(6−1)は、アルドリッチ(Sigma-Aldrich Corporation)から入手できる。化合物(6−2)は、米国特許3660505号明細書に記載された方法によって合成する。化合物(7−7)および化合物(8−5)は、市販されている。
合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス(Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc.)、オーガニック・リアクションズ(Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc.)、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス(Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press)、新実験化学講座(丸善)などの成書に記載された方法によって合成できる。組成物は、このようにして得た化合物から公知の方法によって調製される。例えば、成分化合物を混合し、そして加熱によって互いに溶解させる。
最後に、組成物の用途を説明する。大部分の組成物は、約−10℃以下の下限温度、約70℃以上の上限温度、そして約0.07から約0.20の範囲の光学異方性を有する。成分化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、約0.08から約0.25の範囲の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。さらには、試行錯誤によって約0.10から約0.30の範囲の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。この組成物はAM素子に適する。この組成物は透過型のAM素子に特に適する。この組成物は、ネマチック相を有する組成物としての使用や、光学活性化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用が可能である。
この組成物はAM素子への使用が可能である。さらにPM素子への使用も可能である。この組成物は、PC、TN、STN、ECB、OCB、IPS、FFS、VA、FPAなどのモードを有するAM素子およびPM素子への使用が可能である。VA、OCB、IPSモードまたはFFSモードを有するAM素子への使用は特に好ましい。IPSモードまたはFFSモードを有するAM素子において、電圧が無印加のとき、液晶分子の配列がガラス基板に対して並行であってもよく、または垂直であってもよい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン−TFT素子または多結晶シリコン−TFT素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したNCAP(nematic curvilinear aligned phase)型の素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたPD(polymer dispersed)型の素子にも使用できる。
高分子支持配向型の素子を製造する方法の一例は、次のとおりである。アレイ基板とカラーフィルター基板と呼ばれる2つの基板を有する素子を組み立てる。この基板は配向膜を有する。この基板の少なくとも1つは、電極層を有する。液晶性化合物を混合して液晶組成物を調製する。この組成物に重合性化合物を添加する。必要に応じて添加物をさらに添加してもよい。この組成物を素子に注入する。この素子に電圧を印加した状態で光照射する。紫外線が好ましい。光照射によって重合性化合物を重合させる。この重合によって、重合体を含有する組成物が生成する。高分子支持配向型の素子は、このような手順で製造する。
この手順において、電圧を印加したとき、液晶分子が配向膜および電場の作用によって配向する。この配向に従って重合性化合物の分子も配向する。この状態で重合性化合物が紫外線によって重合するので、この配向を維持した重合体が生成する。この重合体の効果によって、素子の応答時間が短縮される。画像の焼き付きは、液晶分子の動作不良であるから、この重合体の効果によって焼き付きも同時に改善されることになる。なお、組成物中の重合性化合物を予め重合させ、この組成物を液晶表示素子の基板のあいだに配置することも可能であろう。
実施例によって本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれらの実施例によっては制限されない。本発明は、実施例1の組成物と実施例2の組成物との混合物を含む。本発明は、実施例の組成物の少なくとも2つを混合した混合物をも含む。合成した化合物は、NMR分析などの方法により同定した。化合物、組成物および素子の特性は、下記に記載した方法により測定した。
NMR分析:測定には、ブルカーバイオスピン社製のDRX−500を用いた。1H−NMRの測定では、試料をCDCl3などの重水素化溶媒に溶解させ、測定は、室温で、500MHz、積算回数16回の条件で行った。テトラメチルシランを内部標準として用いた。19F−NMRの測定では、CFCl3を内部標準として用い、積算回数24回で行った。核磁気共鳴スペクトルの説明において、sはシングレット、dはダブレット、tはトリプレット、qはカルテット、quinはクインテット、sexはセクステット、mはマルチプレット、brはブロードであることを意味する。
ガスクロマト分析:測定には島津製作所製のGC−14B型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム(2mL/分)である。試料気化室を280℃に、検出器(FID)を300℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムDB−1(長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm;固定液相はジメチルポリシロキサン;無極性)を用いた。このカラムは、200℃で2分間保持したあと、5℃/分の割合で280℃まで昇温した。試料はアセトン溶液(0.1質量%)に調製したあと、その1μLを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のC−R5A型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。
試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のHP−1(長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm)、Restek Corporation製のRtx−1(長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm)、SGE International Pty. Ltd製のBP−1(長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm)。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリカラムCBP1−M50−025(長さ50m、内径0.25mm、膜厚0.25μm)を用いてもよい。
組成物に含有される液晶性化合物の割合は、次のような方法で算出してよい。液晶性化合物の混合物をガスクロマトグラフィー(FID)で分析する。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は液晶性化合物の割合(質量比)に相当する。上に記載したキャピラリカラムを用いたときは、各々の液晶性化合物の補正係数を1とみなしてよい。したがって、液晶性化合物の割合(質量%)は、ピークの面積比から算出することができる。
測定試料:組成物および素子の特性を測定するときは、組成物をそのまま試料として用いた。化合物の特性を測定するときは、この化合物(15質量%)を母液晶(85質量%)に混合することによって測定用の試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法によって化合物の特性値を算出した。(外挿値)={(試料の測定値)−0.85×(母液晶の測定値)}/0.15。この割合でスメクチック相(または結晶)が25℃で析出するときは、化合物と母液晶の割合を10質量%:90質量%、5質量%:95質量%、1質量%:99質量%の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、および誘電率異方性の値を求めた。
測定方法:特性の測定は下記の方法で行った。これらの多くは、社団法人電子情報技術産業協会(Japan Electronics and Information Technology Industries Association;JEITAという)で審議制定されるJEITA規格(JEITA・ED−2521B)に記載された方法、またはこれを修飾した方法であった。測定に用いたTN素子には、薄膜トランジスター(TFT)を取り付けなかった。
(1)ネマチック相の上限温度(NI;℃):偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、1℃/分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。
(2)ネマチック相の下限温度(TC;℃):ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、0℃、−10℃、−20℃、−30℃、および−40℃のフリーザー中に10日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−20℃ではネマチック相のままであり、−30℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、TCを<−20℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
(3)粘度(バルク粘度;η;20℃で測定;mPa・s):測定には東京計器株式会社製のE型回転粘度計を用いた。
(4)粘度(回転粘度;γ1;25℃で測定;mPa・s):測定には、東陽テクニカ株式会社の回転粘性率測定システムLCM−2型を用いた。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が10μmのVA素子に試料を注入した。この素子に矩形波(55V、1ms)を印加した。この印加によって発生した過渡電流(transient current)のピーク電流(peak current)とピーク時間(peak time)を測定した。これらの測定値および誘電率異方性を用いて、回転粘度の値を得た。誘電率異方性は、測定(6)に記載された方法で測定した。
(5)光学異方性(屈折率異方性;Δn;25℃で測定):測定は、波長589nmの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率n‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率n⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δn=n‖−n⊥、の式から計算した。
(6)誘電率異方性(Δε;25℃で測定):誘電率異方性の値は、Δε=ε‖−ε⊥、の式から計算した。誘電率(ε‖およびε⊥)は次のように測定した。
1)誘電率(ε‖)の測定:よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン(0.16mL)のエタノール(20mL)溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、150℃で1時間加熱した。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が4μmであるVA素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にサイン波(0.5V、1kHz)を印加し、2秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率(ε‖)を測定した。
2)誘電率(ε⊥)の測定:よく洗浄したガラス基板にポリイミド溶液を塗布した。このガラス基板を焼成した後、得られた配向膜にラビング処理をした。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が9μmであり、ツイスト角が80度であるTN素子に試料を入れた。この素子にサイン波(0.5V、1kHz)を印加し、2秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率(ε⊥)を測定した。
1)誘電率(ε‖)の測定:よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン(0.16mL)のエタノール(20mL)溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、150℃で1時間加熱した。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が4μmであるVA素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にサイン波(0.5V、1kHz)を印加し、2秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率(ε‖)を測定した。
2)誘電率(ε⊥)の測定:よく洗浄したガラス基板にポリイミド溶液を塗布した。このガラス基板を焼成した後、得られた配向膜にラビング処理をした。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が9μmであり、ツイスト角が80度であるTN素子に試料を入れた。この素子にサイン波(0.5V、1kHz)を印加し、2秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率(ε⊥)を測定した。
(7)しきい値電圧(Vth;25℃で測定;V):測定には大塚電子株式会社製のLCD5100型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が4μmであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード(normally black mode)のVA素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子に印加する電圧(60Hz、矩形波)は0Vから20Vまで0.02Vずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率100%であり、この光量が最小であったときが透過率0%である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が10%になったときの電圧で表した。
(8)電圧保持率(VHR−1;25℃で測定;%):測定に用いたTN素子はポリイミド配向膜を有し、そして2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)は5μmであった。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。このTN素子にパルス電圧(5Vで60マイクロ秒)を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で16.7ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Aを求めた。面積Bは減衰しなかったときの面積であった。電圧保持率は面積Bに対する面積Aの百分率で表した。
(9)電圧保持率(VHR−2;80℃で測定;%):25℃の代わりに、80℃で測定した以外は、上記と同じ手順で電圧保持率を測定した。得られた値をVHR−2で表した。
(10)電圧保持率(VHR−3;25℃で測定;%):紫外線を照射したあと、電圧保持率を測定し、紫外線に対する安定性を評価した。測定に用いたTN素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは5μmであった。この素子に試料を注入し、光を20分間照射した。光源は超高圧水銀ランプUSH−500D(ウシオ電機製)であり、素子と光源の間隔は20cmであった。VHR−3の測定では、16.7ミリ秒のあいだ減衰する電圧を測定した。大きなVHR−3を有する組成物は紫外線に対して大きな安定性を有する。VHR−3は90%以上が好ましく、95%以上がさらに好ましい。
(11)電圧保持率(VHR−4;25℃で測定;%):試料を注入したTN素子を80℃の恒温槽内で500時間加熱したあと、電圧保持率を測定し、熱に対する安定性を評価した。VHR−4の測定では、16.7ミリ秒のあいだ減衰する電圧を測定した。大きなVHR−4を有する組成物は熱に対して大きな安定性を有する。
(12)応答時間(τ;25℃で測定;ms):測定には大塚電子株式会社製のLCD5100型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。ローパス・フィルター(Low-pass filter)は5kHzに設定した。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が4μmであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード(normally black mode)のVA素子に試料を入れた。この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子に矩形波(60Hz、10V、0.5秒)を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率100%であり、この光量が最小であったときが透過率0%であるとみなした。応答時間は透過率90%から10%に変化するのに要した時間(立ち下がり時間;fall time;ミリ秒)で表した。
(13)比抵抗(ρ;25℃で測定;Ωcm):電極を備えた容器に試料1.0mLを注入した。この容器に直流電圧(10V)を印加し、10秒後の直流電流を測定した。比抵抗は次の式から算出した。
(比抵抗)={(電圧)×(容器の電気容量)}/{(直流電流)×(真空の誘電率)
(比抵抗)={(電圧)×(容器の電気容量)}/{(直流電流)×(真空の誘電率)
第1工程
窒素雰囲気下、化合物(T−1)(215.0g、1.13mol)、アセトン(1075mL)、炭酸カリウム(171.1g、1.24mol)、およびヨウ化エチル(193.1g、1.24mol)を反応器に入れ、6時間加熱還流を行なった。反応混合物を水に注ぎ、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。残渣を減圧蒸留(0.7kPa,67℃)で精製することにより、化合物(T−2)(240.5g、1.10mol;98%)を得た。
窒素雰囲気下、化合物(T−1)(215.0g、1.13mol)、アセトン(1075mL)、炭酸カリウム(171.1g、1.24mol)、およびヨウ化エチル(193.1g、1.24mol)を反応器に入れ、6時間加熱還流を行なった。反応混合物を水に注ぎ、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。残渣を減圧蒸留(0.7kPa,67℃)で精製することにより、化合物(T−2)(240.5g、1.10mol;98%)を得た。
第2工程
窒素雰囲気下、マグネシウム(5.76g、0.24mol)を反応器にとり、化合物(T−2)(40.0g、0.18mol)のテトラヒドロフラン(THF)(250mL)溶液を反応器にゆっくりと加え、室温で2時間攪拌した。次にホウ酸トリメチル(28.6ml,0.26mol)のTHF(150ml)溶液を加え、12時間攪拌した。次に0℃に冷却し、1N塩酸(548ml)を加え、2時間攪拌した。反応混合物を水に注ぎ、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。残渣をヘプタンからの再結晶により精製し、化合物(T−3)(29.3g、0.16mol;87%)を得た。
窒素雰囲気下、マグネシウム(5.76g、0.24mol)を反応器にとり、化合物(T−2)(40.0g、0.18mol)のテトラヒドロフラン(THF)(250mL)溶液を反応器にゆっくりと加え、室温で2時間攪拌した。次にホウ酸トリメチル(28.6ml,0.26mol)のTHF(150ml)溶液を加え、12時間攪拌した。次に0℃に冷却し、1N塩酸(548ml)を加え、2時間攪拌した。反応混合物を水に注ぎ、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。残渣をヘプタンからの再結晶により精製し、化合物(T−3)(29.3g、0.16mol;87%)を得た。
第3工程
窒素雰囲気下、化合物(T−3)(28.0g、0.15mol)、化合物(T−4)(41.0g、0.14mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.40g、1.21mmol)、炭酸カリウム(60.1g、0.43mol)、テトラブチルアンモニウムブロミド(TBAB)(14.0g、0.04mol)、トルエン(140ml)、ソルミックス(登録商標)A−11(140ml)、および水(140ml)を反応器に入れて、3時間加熱還流を行った。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(容積比、トルエン:ヘプタン=1:8)で精製して、化合物(T−5)(34.7g、0.12mol;81%)を得た。
窒素雰囲気下、化合物(T−3)(28.0g、0.15mol)、化合物(T−4)(41.0g、0.14mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.40g、1.21mmol)、炭酸カリウム(60.1g、0.43mol)、テトラブチルアンモニウムブロミド(TBAB)(14.0g、0.04mol)、トルエン(140ml)、ソルミックス(登録商標)A−11(140ml)、および水(140ml)を反応器に入れて、3時間加熱還流を行った。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(容積比、トルエン:ヘプタン=1:8)で精製して、化合物(T−5)(34.7g、0.12mol;81%)を得た。
第4工程
窒素雰囲気下、化合物(T−5)(34.7g、0.12mol)、およびTHF(250ml)を反応器に入れ、−70℃に冷却した。そこへn−ブチルリチウム(1.64M;n−ヘキサン溶液;75.3ml)をゆっくりと加え1時間撹拌した。次に化合物(T−6)(20.2g、0.13mol)のTHF(100ml)溶液をゆっくりと加え室温に戻しつつ12時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(容積比、酢酸エチル:トルエン=1:4)で精製して、化合物(T−7)(43.8g、0.12mol;100%)を得た。
窒素雰囲気下、化合物(T−5)(34.7g、0.12mol)、およびTHF(250ml)を反応器に入れ、−70℃に冷却した。そこへn−ブチルリチウム(1.64M;n−ヘキサン溶液;75.3ml)をゆっくりと加え1時間撹拌した。次に化合物(T−6)(20.2g、0.13mol)のTHF(100ml)溶液をゆっくりと加え室温に戻しつつ12時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(容積比、酢酸エチル:トルエン=1:4)で精製して、化合物(T−7)(43.8g、0.12mol;100%)を得た。
第5工程
窒素雰囲気下、化合物(T−7)(43.8g、0.12mol)、エチレングリコール(8.76g、0.14mol)、パラトルエンスルホン酸一水和物(PTSA)(2.24g、0.01mol)、およびトルエン(438ml)を反応器に入れ、8時間加熱還流を行なった。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を重曹水および食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(容積比、酢酸エチル:トルエン=1:8)で精製し、さらにトルエンとヘプタンとの混合溶媒(容積比、1:4)からの再結晶により精製して、化合物(T−8)(27.5g、0.08mol;66%)を得た。
窒素雰囲気下、化合物(T−7)(43.8g、0.12mol)、エチレングリコール(8.76g、0.14mol)、パラトルエンスルホン酸一水和物(PTSA)(2.24g、0.01mol)、およびトルエン(438ml)を反応器に入れ、8時間加熱還流を行なった。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を重曹水および食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(容積比、酢酸エチル:トルエン=1:8)で精製し、さらにトルエンとヘプタンとの混合溶媒(容積比、1:4)からの再結晶により精製して、化合物(T−8)(27.5g、0.08mol;66%)を得た。
第6工程
化合物(T−8)(27.5g、0.08mol)、5%パラジウム炭素(1.38g)、THF(275ml)、およびイソプロピルアルコール(IPA)(138ml)を反応器に入れて、水素雰囲気下で12時間攪拌した。濾過により触媒を除去したのち、減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(容積比、酢酸エチル:トルエン=1:8)で精製して、化合物(T−9)(26.6g、0.07mol;96%)を得た。
化合物(T−8)(27.5g、0.08mol)、5%パラジウム炭素(1.38g)、THF(275ml)、およびイソプロピルアルコール(IPA)(138ml)を反応器に入れて、水素雰囲気下で12時間攪拌した。濾過により触媒を除去したのち、減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(容積比、酢酸エチル:トルエン=1:8)で精製して、化合物(T−9)(26.6g、0.07mol;96%)を得た。
第7工程
窒素雰囲気下、化合物(T−9)(26.6g、0.07mol)、ギ酸(53.3ml、1.04mol)、TBAB(7.23g、0.02mol)、およびトルエン(130ml)を反応器に入れて、室温で2時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ込み、重曹で中性に戻した。水層をトルエンで抽出し、一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(容積比、酢酸エチル:トルエン=1:4)で精製し、さらにトルエンとヘプタンとの混合溶媒(容積比、1:1)からの再結晶により精製して、化合物(T−10)(17.9g、0.06mol;77%)を得た。
窒素雰囲気下、化合物(T−9)(26.6g、0.07mol)、ギ酸(53.3ml、1.04mol)、TBAB(7.23g、0.02mol)、およびトルエン(130ml)を反応器に入れて、室温で2時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ込み、重曹で中性に戻した。水層をトルエンで抽出し、一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(容積比、酢酸エチル:トルエン=1:4)で精製し、さらにトルエンとヘプタンとの混合溶媒(容積比、1:1)からの再結晶により精製して、化合物(T−10)(17.9g、0.06mol;77%)を得た。
第8工程
窒素雰囲気下、(メトキシメチル)トリフェニルホスホニウムクロリド(23.6g、0.07mol)およびTHF(140ml)を反応器に入れて、−30℃に冷却した。次にカリウムt−ブトキシド(6.75g、0.06mol)を加え、−30℃を維持して1時間撹拌した。次に化合物(T−10)(17.9g、0.06mol)のTHF(220ml)溶液をゆっくりと滴下し、滴下後室温に戻しつつ3時間攪拌した。反応混合物を食塩水へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(容積比、トルエン:ヘプタン=1:2)で精製し、化合物(T−11)(19.5g、0.06mol;100%)を得た。
窒素雰囲気下、(メトキシメチル)トリフェニルホスホニウムクロリド(23.6g、0.07mol)およびTHF(140ml)を反応器に入れて、−30℃に冷却した。次にカリウムt−ブトキシド(6.75g、0.06mol)を加え、−30℃を維持して1時間撹拌した。次に化合物(T−10)(17.9g、0.06mol)のTHF(220ml)溶液をゆっくりと滴下し、滴下後室温に戻しつつ3時間攪拌した。反応混合物を食塩水へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(容積比、トルエン:ヘプタン=1:2)で精製し、化合物(T−11)(19.5g、0.06mol;100%)を得た。
第9工程
窒素雰囲気下、化合物(T−11)(19.5g、0.06mol)、PTSA(3.27g、0.02mol)、メタノール(700ml)、およびトルエン(100ml)を反応器に入れて、10時間加熱還流を行なった。反応混合物を重曹水へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(容積比、トルエン:ヘプタン=1:2)で精製し、さらにトルエンとヘプタンとの混合溶媒(容積比、1:4)からの再結晶により精製して、化合物(T−12)(17.2g、0.05mol;81%)を得た。
窒素雰囲気下、化合物(T−11)(19.5g、0.06mol)、PTSA(3.27g、0.02mol)、メタノール(700ml)、およびトルエン(100ml)を反応器に入れて、10時間加熱還流を行なった。反応混合物を重曹水へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(容積比、トルエン:ヘプタン=1:2)で精製し、さらにトルエンとヘプタンとの混合溶媒(容積比、1:4)からの再結晶により精製して、化合物(T−12)(17.2g、0.05mol;81%)を得た。
第10工程
窒素雰囲気下、化合物(T−12)(17.2g、0.05mol)、ギ酸(34.4ml、1.04mol)、TBAB(4.47g、0.01mol)、およびトルエン(172ml)を反応器に入れて、室温で2時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ込み、重曹で中性に戻した。水層をトルエンで抽出し、一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、化合物(T−13)(19.1g、0.06mol;100%)を得た。
窒素雰囲気下、化合物(T−12)(17.2g、0.05mol)、ギ酸(34.4ml、1.04mol)、TBAB(4.47g、0.01mol)、およびトルエン(172ml)を反応器に入れて、室温で2時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ込み、重曹で中性に戻した。水層をトルエンで抽出し、一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、化合物(T−13)(19.1g、0.06mol;100%)を得た。
第11工程
窒素雰囲気下、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド(21.4g、0.06mol)およびTHF(180ml)を反応器に入れて、−30℃に冷却した。次にカリウムt−ブトキシド(6.22g、0.06mol)を加え、−30℃を維持して1時間撹拌した。次に化合物(T−13)(19.1g、0.06mol)のTHF(200ml)溶液をゆっくりと滴下し、滴下後室温に戻しつつ3時間攪拌した。反応混合物を食塩水へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(容積比、トルエン:ヘプタン=1:2)で精製し、さらに酢酸エチルとIPAとの混合溶媒(容積比、1:4)からの再結晶により精製して、化合物(1−4)(10.2g、0.03mol;68%)を得た。
窒素雰囲気下、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド(21.4g、0.06mol)およびTHF(180ml)を反応器に入れて、−30℃に冷却した。次にカリウムt−ブトキシド(6.22g、0.06mol)を加え、−30℃を維持して1時間撹拌した。次に化合物(T−13)(19.1g、0.06mol)のTHF(200ml)溶液をゆっくりと滴下し、滴下後室温に戻しつつ3時間攪拌した。反応混合物を食塩水へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(容積比、トルエン:ヘプタン=1:2)で精製し、さらに酢酸エチルとIPAとの混合溶媒(容積比、1:4)からの再結晶により精製して、化合物(1−4)(10.2g、0.03mol;68%)を得た。
1H−NMR(CDCl3;δppm):7.47−7.45(m,2H)、7.33−7.26(m,5H)、7.02−6.98(m,1H)、5.87−5.80(m,1H)、5.04−5.00(m,1H)、4.95−4.93(m,1H)、4.14(q,J=7.0Hz,2H)、2.51(tt,J=12.2Hz,J=3.3Hz,1H)、2.06−2.02(m,1H)、1.97−1.90(m,4H)、1.58−1.46(m,6H)、1.33−1.27(m,2H).
組成物の実施例を以下に示す。成分化合物は、下記の表3の定義に基づいて記号によって表した。表3において、1,4−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。記号化された化合物の後にあるかっこ内の番号は、化合物が属する化学式を表す。(−)の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合(百分率)は、添加物を含まない液晶組成物の質量に基づいた質量百分率(質量%)である。最後に、組成物の特性値をまとめた。
[比較例1]
特開2007−31694号に開示された組成物の中から、実施例11を選んだ。根拠はこの組成物が、第一成分である化合物(1)に類似する化合物を含有し、最も小さいバルク粘度(η)を有するからである。回転粘度(γ1)の値が記載されていなかったため、測定方法(4)に記載の方法で測定した。
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 13%
5−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 13%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 4%
2−HHB(2F,3F)−1 (2−8) 8%
3−HHB(2F,3F)−1 (2−8) 8%
3−HB(2F)−O2 (3) 13%
3−HB(F)−O2 (3) 13%
3−HHB(2F)−O2 (3) 7%
5−HHB(2F)−O2 (3) 7%
3−HHB(F)−O2 (3) 7%
5−HHB(F)−O2 (3) 7%
NI=71.2℃;Tc<−20℃;η=23.0mPa・s;Δn=0.091;Δε=−3.1;γ1=171.6mPa・s.
特開2007−31694号に開示された組成物の中から、実施例11を選んだ。根拠はこの組成物が、第一成分である化合物(1)に類似する化合物を含有し、最も小さいバルク粘度(η)を有するからである。回転粘度(γ1)の値が記載されていなかったため、測定方法(4)に記載の方法で測定した。
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 13%
5−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 13%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 4%
2−HHB(2F,3F)−1 (2−8) 8%
3−HHB(2F,3F)−1 (2−8) 8%
3−HB(2F)−O2 (3) 13%
3−HB(F)−O2 (3) 13%
3−HHB(2F)−O2 (3) 7%
5−HHB(2F)−O2 (3) 7%
3−HHB(F)−O2 (3) 7%
5−HHB(F)−O2 (3) 7%
NI=71.2℃;Tc<−20℃;η=23.0mPa・s;Δn=0.091;Δε=−3.1;γ1=171.6mPa・s.
[実施例1]
V−HB(F)−O2 (1−1) 2%
V2−BB(F)−O2 (1−2) 2%
1V2−BB(F)−O2 (1−2) 2%
V−HHB(F)−O2 (1−3) 2%
V−HBB(F)−O2 (1−4) 2%
V−HH2BB(F)−O2 (1−8) 2%
V−H2BBB(F)−O2 (1−9) 2%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 6%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−DhB(2F,3F)−O2 (2−4) 2%
3−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 7%
V2−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 7%
2O−B(2F)B(2F,3F)−O2 (2−7) 2%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 4%
V−HHB(2F,3F)−O4 (2−8) 4%
3−HchB(2F,3F)−O2 (2−12) 3%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
V−HH2BB(2F,3F)−O2 (2−24) 2%
V−H2BBB(2F,3F)−O2 (2−25) 2%
3−HH−V (3−1) 15%
2−HH−3 (3−1) 5%
V−HH−V1 (3−1) 4%
V−HHB−1 (3−5) 2%
V−HBB−2 (3−6) 2%
NI=79.7℃;Tc<−20℃;η=14.8mPa・s;Δn=0.121;Δε=−3.9;γ1=109.4mPa・s.
V−HB(F)−O2 (1−1) 2%
V2−BB(F)−O2 (1−2) 2%
1V2−BB(F)−O2 (1−2) 2%
V−HHB(F)−O2 (1−3) 2%
V−HBB(F)−O2 (1−4) 2%
V−HH2BB(F)−O2 (1−8) 2%
V−H2BBB(F)−O2 (1−9) 2%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 6%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−DhB(2F,3F)−O2 (2−4) 2%
3−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 7%
V2−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 7%
2O−B(2F)B(2F,3F)−O2 (2−7) 2%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 4%
V−HHB(2F,3F)−O4 (2−8) 4%
3−HchB(2F,3F)−O2 (2−12) 3%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
V−HH2BB(2F,3F)−O2 (2−24) 2%
V−H2BBB(2F,3F)−O2 (2−25) 2%
3−HH−V (3−1) 15%
2−HH−3 (3−1) 5%
V−HH−V1 (3−1) 4%
V−HHB−1 (3−5) 2%
V−HBB−2 (3−6) 2%
NI=79.7℃;Tc<−20℃;η=14.8mPa・s;Δn=0.121;Δε=−3.9;γ1=109.4mPa・s.
[実施例2]
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 4%
V−HHB(F)−O2 (1−3) 5%
V−HBB(F)−O2 (1−4) 5%
3−H2B(2F,3F)−O2 (2−2) 5%
2−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 5%
3−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 3%
5−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HH2B(2F,3F)−O2 (2−9) 3%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 3%
V−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 3%
3−HHB(2F,3Cl)−O2 (2−11) 2%
5−HHB(2F,3Cl)−O2 (2−11) 3%
3−HchB(2F,3F)−O2 (2−12) 2%
2−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
3−BB(2F)B(2F,3F)−O2 (2−20) 2%
3−BB(F)B(2F,3F)−O2 (2−21) 2%
V−HH2BB(2F,3F)−O2 (2−24) 3%
V−H2BBB(2F,3F)−O2 (2−25) 3%
3−HH−V (3−1) 24%
V−HH−V1 (3−1) 3%
VFF−HH−VFF (3−1) 2%
5−HB−O2 (3−2) 2%
V2−BB−1 (3−3) 2%
3−HBB−2 (3−6) 2%
NI=84.7℃;Tc<−20℃;η=13.4mPa・s;Δn=0.112;Δε=−3.7;γ1=116.1mPa・s.
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 4%
V−HHB(F)−O2 (1−3) 5%
V−HBB(F)−O2 (1−4) 5%
3−H2B(2F,3F)−O2 (2−2) 5%
2−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 5%
3−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 3%
5−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HH2B(2F,3F)−O2 (2−9) 3%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 3%
V−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 3%
3−HHB(2F,3Cl)−O2 (2−11) 2%
5−HHB(2F,3Cl)−O2 (2−11) 3%
3−HchB(2F,3F)−O2 (2−12) 2%
2−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
3−BB(2F)B(2F,3F)−O2 (2−20) 2%
3−BB(F)B(2F,3F)−O2 (2−21) 2%
V−HH2BB(2F,3F)−O2 (2−24) 3%
V−H2BBB(2F,3F)−O2 (2−25) 3%
3−HH−V (3−1) 24%
V−HH−V1 (3−1) 3%
VFF−HH−VFF (3−1) 2%
5−HB−O2 (3−2) 2%
V2−BB−1 (3−3) 2%
3−HBB−2 (3−6) 2%
NI=84.7℃;Tc<−20℃;η=13.4mPa・s;Δn=0.112;Δε=−3.7;γ1=116.1mPa・s.
[実施例3]
V−HB(F)−O2 (1−1) 3%
V−HH2BB(F)−O2 (1−8) 2%
V−H2BBB(F)−O2 (1−9) 2%
3−B(2F,3F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
3−dhB(F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 4%
3−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 4%
3−B(2F)B(2F,3F)−O2 (2−7) 2%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 9%
4−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 4%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 7%
3−HBB(2F,3Cl)−O2 (2−15) 2%
5−HBB(2F,3Cl)−O2 (2−15) 3%
3−BB(2F,3F)B−3 (2−19) 3%
3−HH1OCro(7F,8F)−5 (2−27) 4%
3−HH−V (3−1) 26%
3−HH−V1 (3−1) 5%
3−HH−VFF (3−1) 3%
V2−HHB−1 (3−5) 2%
1−BB(F)B−2V (3−7) 3%
V2−BB2B−1 (3−9) 3%
NI=87.2℃;Tc<−20℃;η=15.7mPa・s;Δn=0.107;Δε=−3.5;γ1=131.5mPa・s.
V−HB(F)−O2 (1−1) 3%
V−HH2BB(F)−O2 (1−8) 2%
V−H2BBB(F)−O2 (1−9) 2%
3−B(2F,3F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
3−dhB(F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 4%
3−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 4%
3−B(2F)B(2F,3F)−O2 (2−7) 2%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 9%
4−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 4%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 7%
3−HBB(2F,3Cl)−O2 (2−15) 2%
5−HBB(2F,3Cl)−O2 (2−15) 3%
3−BB(2F,3F)B−3 (2−19) 3%
3−HH1OCro(7F,8F)−5 (2−27) 4%
3−HH−V (3−1) 26%
3−HH−V1 (3−1) 5%
3−HH−VFF (3−1) 3%
V2−HHB−1 (3−5) 2%
1−BB(F)B−2V (3−7) 3%
V2−BB2B−1 (3−9) 3%
NI=87.2℃;Tc<−20℃;η=15.7mPa・s;Δn=0.107;Δε=−3.5;γ1=131.5mPa・s.
[実施例4]
V2−BB(F)−O2 (1−2) 3%
1V2−BB(F)−O2 (1−2) 3%
V−HHB(F)−O2 (1−3) 3%
3−HEB(2F,3F)B(2F,3F)−O2
(2) 3%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 8%
5−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−chB(2F,3F)−O2 (2−5) 3%
V−chB(2F,3F)−O2 (2−5) 3%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 8%
2−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 4%
3−H1OCro(7F,8F)−5 (2−26) 3%
3−HH−V (3−1) 28%
2−HH−3 (3−1) 5%
3−HHEH−3 (3−4) 3%
5−B(F)BB−3 (3−8) 3%
5−HB(F)BH−3 (3−12) 3%
1O1−HBBH−5 (−) 3%
NI=76.7℃;Tc<−20℃;η=12.9mPa・s;Δn=0.098;Δε=−3.3;γ1=112.0mPa・s.
V2−BB(F)−O2 (1−2) 3%
1V2−BB(F)−O2 (1−2) 3%
V−HHB(F)−O2 (1−3) 3%
3−HEB(2F,3F)B(2F,3F)−O2
(2) 3%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 8%
5−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−chB(2F,3F)−O2 (2−5) 3%
V−chB(2F,3F)−O2 (2−5) 3%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 8%
2−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 4%
3−H1OCro(7F,8F)−5 (2−26) 3%
3−HH−V (3−1) 28%
2−HH−3 (3−1) 5%
3−HHEH−3 (3−4) 3%
5−B(F)BB−3 (3−8) 3%
5−HB(F)BH−3 (3−12) 3%
1O1−HBBH−5 (−) 3%
NI=76.7℃;Tc<−20℃;η=12.9mPa・s;Δn=0.098;Δε=−3.3;γ1=112.0mPa・s.
[実施例5]
V−HBB(F)−O2 (1−4) 9%
3−dhB(2F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 6%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 3%
5−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 3%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 8%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
V−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 3%
2−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 8%
3−HH−V (3−1) 20%
3−HH−V1 (3−1) 3%
2−HH−3 (3−1) 3%
1−BB−3 (3−3) 4%
1−BB−5 (3−3) 3%
3−HHB−1 (3−5) 3%
3−HHEBH−3 (3−11) 3%
NI=85.6℃;Tc<−20℃;η=13.9mPa・s;Δn=0.116;Δε=−3.5;γ1=118.0mPa・s.
V−HBB(F)−O2 (1−4) 9%
3−dhB(2F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 6%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 3%
5−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 3%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 8%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
V−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 3%
2−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 8%
3−HH−V (3−1) 20%
3−HH−V1 (3−1) 3%
2−HH−3 (3−1) 3%
1−BB−3 (3−3) 4%
1−BB−5 (3−3) 3%
3−HHB−1 (3−5) 3%
3−HHEBH−3 (3−11) 3%
NI=85.6℃;Tc<−20℃;η=13.9mPa・s;Δn=0.116;Δε=−3.5;γ1=118.0mPa・s.
[実施例6]
V−HHB(F)−O2 (1−3) 7%
3−DhB(2F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 9%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 5%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 7%
2−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 10%
5−BB(2F)B(2F,3F)−O2 (2−20) 2%
3−BB(F)B(2F,3F)−O2 (2−21) 2%
3−HH−V (3−1) 20%
3−HH−V1 (3−1) 3%
2−HH−3 (3−1) 3%
V−HH−V1 (3−1) 3%
VFF−HH−VFF (3−1) 2%
3−HB−O2 (3−2) 3%
3−HB(F)HH−2 (3−10) 3%
5−HBB(F)B−2 (3−13) 3%
NI=83.6℃;Tc<−20℃;η=14.6mPa・s;Δn=0.111;Δε=−3.5;γ1=108.0mPa・s.
V−HHB(F)−O2 (1−3) 7%
3−DhB(2F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 9%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 5%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 7%
2−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 10%
5−BB(2F)B(2F,3F)−O2 (2−20) 2%
3−BB(F)B(2F,3F)−O2 (2−21) 2%
3−HH−V (3−1) 20%
3−HH−V1 (3−1) 3%
2−HH−3 (3−1) 3%
V−HH−V1 (3−1) 3%
VFF−HH−VFF (3−1) 2%
3−HB−O2 (3−2) 3%
3−HB(F)HH−2 (3−10) 3%
5−HBB(F)B−2 (3−13) 3%
NI=83.6℃;Tc<−20℃;η=14.6mPa・s;Δn=0.111;Δε=−3.5;γ1=108.0mPa・s.
[実施例7]
V−HB(F)−O2 (1−1) 2%
1V2−BB(F)−O2 (1−2) 3%
V−HHB(F)−O2 (1−3) 5%
3−DhB(2F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 3%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
5−H2B(2F,3F)−O2 (2−2) 3%
2−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 3%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 10%
4−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 2%
2−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 3%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 6%
3−HchB(2F,3F)−O2 (2−12) 3%
3−HH1OCro(7F,8F)−5 (2−27) 3%
3−HH−V (3−1) 20%
2−HH−3 (3−1) 10%
V−HBB−3 (3−6) 5%
2−BB(F)B−2V (3−7) 3%
3−BB(F)B−2V (3−7) 3%
NI=82.7℃;Tc<−20℃;η=14.4mPa・s;Δn=0.104;Δε=−3.4;γ1=106.0mPa・s.
V−HB(F)−O2 (1−1) 2%
1V2−BB(F)−O2 (1−2) 3%
V−HHB(F)−O2 (1−3) 5%
3−DhB(2F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 3%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
5−H2B(2F,3F)−O2 (2−2) 3%
2−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 3%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 10%
4−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 2%
2−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 3%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 6%
3−HchB(2F,3F)−O2 (2−12) 3%
3−HH1OCro(7F,8F)−5 (2−27) 3%
3−HH−V (3−1) 20%
2−HH−3 (3−1) 10%
V−HBB−3 (3−6) 5%
2−BB(F)B−2V (3−7) 3%
3−BB(F)B−2V (3−7) 3%
NI=82.7℃;Tc<−20℃;η=14.4mPa・s;Δn=0.104;Δε=−3.4;γ1=106.0mPa・s.
[実施例8]
V−HB(F)−O2 (1−1) 5%
V2−BB(F)−O2 (1−2) 6%
V−HHB(F)−O2 (1−3) 3%
V−HBB(F)−O2 (1−4) 3%
3−dhB(F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 6%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 6%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
4−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
5−HchB(2F,3F)−O2 (2−12) 3%
3−HDhB(2F,3F)−O2 (2−13) 3%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
5−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
3−dhBB(2F,3F)−O2 (2−16) 3%
3−H1OCro(7F,8F)−5 (2−26) 3%
3−HH−V (3−1) 20%
F3−HH−V (3−1) 3%
3−HBB−2 (3−6) 8%
NI=84.1℃;Tc<−20℃;η=18.4mPa・s;Δn=0.115;Δε=−3.7;γ1=128.6mPa・s.
V−HB(F)−O2 (1−1) 5%
V2−BB(F)−O2 (1−2) 6%
V−HHB(F)−O2 (1−3) 3%
V−HBB(F)−O2 (1−4) 3%
3−dhB(F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 6%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 6%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
4−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
5−HchB(2F,3F)−O2 (2−12) 3%
3−HDhB(2F,3F)−O2 (2−13) 3%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
5−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
3−dhBB(2F,3F)−O2 (2−16) 3%
3−H1OCro(7F,8F)−5 (2−26) 3%
3−HH−V (3−1) 20%
F3−HH−V (3−1) 3%
3−HBB−2 (3−6) 8%
NI=84.1℃;Tc<−20℃;η=18.4mPa・s;Δn=0.115;Δε=−3.7;γ1=128.6mPa・s.
[実施例9]
V−HH2BB(F)−O2V (1−8) 4%
5−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 5%
3−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 6%
2O−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 5%
4−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 7%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 7%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
4−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
2−HH−5 (3−1) 3%
3−HH−4 (3−1) 3%
5−HH−V (3−1) 3%
3−HH−V (3−1) 25%
3−HH−V1 (3−1) 5%
1V2−BB−1 (3−3) 3%
3−HHEBH−4 (3−11) 3%
5−HBB(F)B−3 (3−13) 3%
NI=89.2℃;Tc<−20℃;η=9.2mPa・s;Δn=0.104;Δε=−3.4;γ1=109.4mPa・s.
V−HH2BB(F)−O2V (1−8) 4%
5−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 5%
3−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 6%
2O−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 5%
4−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 7%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 7%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
4−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
2−HH−5 (3−1) 3%
3−HH−4 (3−1) 3%
5−HH−V (3−1) 3%
3−HH−V (3−1) 25%
3−HH−V1 (3−1) 5%
1V2−BB−1 (3−3) 3%
3−HHEBH−4 (3−11) 3%
5−HBB(F)B−3 (3−13) 3%
NI=89.2℃;Tc<−20℃;η=9.2mPa・s;Δn=0.104;Δε=−3.4;γ1=109.4mPa・s.
[実施例10]
V−HB(F)−O2 (1−1) 4%
1V2−BB(F)−O2 (1−2) 4%
3−DhB(2F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
3−HEB(2F,3F)B(2F,3F)−O2
(2) 5%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 8%
3−H2B(2F,3F)−O2 (2−2) 4%
2O−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 5%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 12%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 7%
V2−HchB(2F,3F)−O2 (2−12) 3%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
2−BB(2F,3F)B−3 (2−19) 3%
2−BB(2F,3F)B−4 (2−19) 3%
3−HH−V (3−1) 25%
5−HH−O1 (3−1) 3%
5−B(F)BB−2 (3−8) 3%
3−HHEBH−5 (3−11) 3%
NI=84.7℃;Tc<−20℃;η=16.1mPa・s;Δn=0.116;Δε=−3.8;γ1=132.7mPa・s.
V−HB(F)−O2 (1−1) 4%
1V2−BB(F)−O2 (1−2) 4%
3−DhB(2F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
3−HEB(2F,3F)B(2F,3F)−O2
(2) 5%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 8%
3−H2B(2F,3F)−O2 (2−2) 4%
2O−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 5%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 12%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 7%
V2−HchB(2F,3F)−O2 (2−12) 3%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
2−BB(2F,3F)B−3 (2−19) 3%
2−BB(2F,3F)B−4 (2−19) 3%
3−HH−V (3−1) 25%
5−HH−O1 (3−1) 3%
5−B(F)BB−2 (3−8) 3%
3−HHEBH−5 (3−11) 3%
NI=84.7℃;Tc<−20℃;η=16.1mPa・s;Δn=0.116;Δε=−3.8;γ1=132.7mPa・s.
[実施例11]
V−HHB(F)−O2 (1−3) 4%
3−dhB(2F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
5−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 5%
5−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 5%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
V−HHB(2F,3F)−O4 (2−8) 5%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 8%
5−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
V−HH2BB(2F,3F)−O2 (2−24) 4%
3−HH−V (3−1) 20%
2−HH−3 (3−1) 10%
7−HB−1 (3−2) 3%
1−BB−3 (3−3) 3%
3−HHEH−5 (3−4) 3%
3−HHB−3 (3−5) 3%
V2−HHB−1 (3−5) 3%
2−BB(F)B−3 (3−7) 3%
NI=84.3℃;Tc<−20℃;η=11.0mPa・s;Δn=0.103;Δε=−3.2;γ1=110.3mPa・s.
V−HHB(F)−O2 (1−3) 4%
3−dhB(2F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
5−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 5%
5−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 5%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
V−HHB(2F,3F)−O4 (2−8) 5%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 8%
5−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
V−HH2BB(2F,3F)−O2 (2−24) 4%
3−HH−V (3−1) 20%
2−HH−3 (3−1) 10%
7−HB−1 (3−2) 3%
1−BB−3 (3−3) 3%
3−HHEH−5 (3−4) 3%
3−HHB−3 (3−5) 3%
V2−HHB−1 (3−5) 3%
2−BB(F)B−3 (3−7) 3%
NI=84.3℃;Tc<−20℃;η=11.0mPa・s;Δn=0.103;Δε=−3.2;γ1=110.3mPa・s.
[実施例12]
V−HB(F)−O2 (1−1) 9%
3−DhB(F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 10%
2O−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 2%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 7%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 7%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 8%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
3−H1OCro(7F,8F)−5 (2−26) 2%
3−HH1OCro(7F,8F)−5 (2−27) 2%
3−HH−V (3−1) 11%
3−HH−V1 (3−1) 10%
2−HH−3 (3−1) 10%
3−HHB−O1 (3−5) 3%
VFF−HHB−1 (3−5) 3%
V−HBB−3 (3−6) 5%
2−BB(F)B−5 (3−7) 3%
NI=81.4℃;Tc<−20℃;η=14.2mPa・s;Δn=0.105;Δε=−3.5;γ1=110.4mPa・s.
V−HB(F)−O2 (1−1) 9%
3−DhB(F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 10%
2O−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 2%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 7%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 7%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 8%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
3−H1OCro(7F,8F)−5 (2−26) 2%
3−HH1OCro(7F,8F)−5 (2−27) 2%
3−HH−V (3−1) 11%
3−HH−V1 (3−1) 10%
2−HH−3 (3−1) 10%
3−HHB−O1 (3−5) 3%
VFF−HHB−1 (3−5) 3%
V−HBB−3 (3−6) 5%
2−BB(F)B−5 (3−7) 3%
NI=81.4℃;Tc<−20℃;η=14.2mPa・s;Δn=0.105;Δε=−3.5;γ1=110.4mPa・s.
[実施例13]
V−HchB(F)−O2 (1−10) 6%
3−dhB(F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
2−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 3%
3−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 3%
3−chB(2F,3F)−O2 (2−5) 3%
3−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 5%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 4%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 4%
4−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 4%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 9%
2−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
5−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
2−BB(2F,3F)B−3 (2−19) 3%
3−HH−V (3−1) 27%
2−HH−3 (3−1) 5%
3−HB−O2 (3−2) 3%
V−HBB−2 (3−6) 3%
NI=84.3℃;Tc<−20℃;η=14.0mPa・s;Δn=0.107;Δε=−3.8;γ1=113.4mPa・s.
V−HchB(F)−O2 (1−10) 6%
3−dhB(F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
2−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 3%
3−H1OB(2F,3F)−O2 (2−3) 3%
3−chB(2F,3F)−O2 (2−5) 3%
3−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 5%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 4%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 4%
4−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 4%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 9%
2−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
5−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
2−BB(2F,3F)B−3 (2−19) 3%
3−HH−V (3−1) 27%
2−HH−3 (3−1) 5%
3−HB−O2 (3−2) 3%
V−HBB−2 (3−6) 3%
NI=84.3℃;Tc<−20℃;η=14.0mPa・s;Δn=0.107;Δε=−3.8;γ1=113.4mPa・s.
[実施例14]
V−HHB(F)−O2 (1−3) 4%
V−HBB(F)−O2 (1−4) 4%
V−HchB(F)−O2 (1−10) 3%
3−DhB(2F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 10%
5−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 5%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 7%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
4−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
3−HH−V (3−1) 22%
3−HH−V1 (3−1) 9%
3−HH−O1 (3−1) 3%
1−BB−3 (3−3) 3%
3−HHB−1 (3−5) 3%
VFF−HHB−1 (3−5) 3%
NI=85.5℃;Tc<−20℃;η=11.8mPa・s;Δn=0.107;Δε=−3.3;γ1=103.4mPa・s.
V−HHB(F)−O2 (1−3) 4%
V−HBB(F)−O2 (1−4) 4%
V−HchB(F)−O2 (1−10) 3%
3−DhB(2F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 10%
5−BB(2F,3F)−O2 (2−6) 5%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 7%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
4−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 3%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 5%
3−HH−V (3−1) 22%
3−HH−V1 (3−1) 9%
3−HH−O1 (3−1) 3%
1−BB−3 (3−3) 3%
3−HHB−1 (3−5) 3%
VFF−HHB−1 (3−5) 3%
NI=85.5℃;Tc<−20℃;η=11.8mPa・s;Δn=0.107;Δε=−3.3;γ1=103.4mPa・s.
[実施例15]
1V2−BB(F)−O2 (1−2) 5%
V−HH2BB(F)−O2 (1−8) 3%
V−HchB(F)−O2 (1−10) 3%
3−dhB(F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−H2B(2F,3F)−O2 (2−2) 5%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
4−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 6%
2−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 4%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 3%
V2−HchB(2F,3F)−O2 (2−12) 4%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 7%
5−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 7%
2−BB(2F,3F)B−3 (2−19) 3%
3−HH−V (3−1) 23%
V−HH−V1 (3−1) 5%
3−HB−O2 (3−2) 6%
5−HB−O2 (3−2) 3%
NI=88.9℃;Tc<−20℃;η=13.3mPa・s;Δn=0.112;Δε=−3.6;γ1=116.6mPa・s.
1V2−BB(F)−O2 (1−2) 5%
V−HH2BB(F)−O2 (1−8) 3%
V−HchB(F)−O2 (1−10) 3%
3−dhB(F)B(2F,3F)−O2 (2) 3%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 5%
3−H2B(2F,3F)−O2 (2−2) 5%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
4−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 6%
2−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 4%
3−HH1OB(2F,3F)−O2 (2−10) 3%
V2−HchB(2F,3F)−O2 (2−12) 4%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 7%
5−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 7%
2−BB(2F,3F)B−3 (2−19) 3%
3−HH−V (3−1) 23%
V−HH−V1 (3−1) 5%
3−HB−O2 (3−2) 6%
5−HB−O2 (3−2) 3%
NI=88.9℃;Tc<−20℃;η=13.3mPa・s;Δn=0.112;Δε=−3.6;γ1=116.6mPa・s.
[実施例16]
V−HHB(F)−O2 (1−3) 4%
V−HBB(F)−O2 (1−4) 4%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 10%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 11%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 11%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 7%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 2%
5−HFLF4−3 (2−28) 4%
2−HH−3 (3−1) 15%
3−HH−4 (3−1) 4%
1−BB−3 (3−3) 3%
3−HHB−1 (3−5) 5%
V−HBB−2 (3−6) 12%
NI=87.2℃;Tc<−20℃;η=22.7mPa・s;Δn=0.112;Δε=−3.3;γ1=113.1mPa・s.
V−HHB(F)−O2 (1−3) 4%
V−HBB(F)−O2 (1−4) 4%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 10%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 11%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 11%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 7%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 2%
5−HFLF4−3 (2−28) 4%
2−HH−3 (3−1) 15%
3−HH−4 (3−1) 4%
1−BB−3 (3−3) 3%
3−HHB−1 (3−5) 5%
V−HBB−2 (3−6) 12%
NI=87.2℃;Tc<−20℃;η=22.7mPa・s;Δn=0.112;Δε=−3.3;γ1=113.1mPa・s.
[実施例17]
V−HHB(F)−O2 (1−3) 4%
V−HBB(F)−O2 (1−4) 4%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 10%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 11%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 11%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 7%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 2%
2O−DBTF2−O4 (2−34) 4%
2−HH−3 (3−1) 15%
3−HH−4 (3−1) 4%
1−BB−3 (3−3) 3%
3−HHB−1 (3−5) 5%
V−HBB−2 (3−6) 12%
NI=86.8℃;Tc<−20℃;η=20.3mPa・s;Δn=0.115;Δε=−3.3;γ1=109.5mPa・s.
V−HHB(F)−O2 (1−3) 4%
V−HBB(F)−O2 (1−4) 4%
3−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 10%
V−HB(2F,3F)−O2 (2−1) 11%
2−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 3%
3−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 5%
V−HHB(2F,3F)−O2 (2−8) 11%
3−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 7%
V−HBB(2F,3F)−O2 (2−14) 2%
2O−DBTF2−O4 (2−34) 4%
2−HH−3 (3−1) 15%
3−HH−4 (3−1) 4%
1−BB−3 (3−3) 3%
3−HHB−1 (3−5) 5%
V−HBB−2 (3−6) 12%
NI=86.8℃;Tc<−20℃;η=20.3mPa・s;Δn=0.115;Δε=−3.3;γ1=109.5mPa・s.
比較例1の組成物の回転粘度は、171.6mPa・sであった。一方、実施例1から15の組成物の回転粘度は、103.4mPa・sから132.7mPa・sであった。このように、実施例の組成物は、比較例の組成物と比べて、小さな回転粘度を有している。したがって、本発明の液晶組成物は優れた特性を有すると結論される。
本発明の液晶組成物は、液晶モニター、液晶テレビなどに用いることができる。
Claims (18)
- 第一成分の割合が3質量%から25質量%の範囲である、請求項1または2に記載の液晶組成物。
- 第二成分として、式(2)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有する、請求項1から3のいずれか1項に記載の液晶組成物。
式(2)において、R3およびR4は独立して、水素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、炭素数2から12のアルケニルオキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルであり;環Bおよび環Dは独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた1,4−フェニレン、ナフタレン−2,6−ジイル、少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられたナフタレン−2,6−ジイル、クロマン−2,6−ジイル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられたクロマン−2,6−ジイルであり;環Cは、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン、2−クロロ−3−フルオロ−1,4−フェニレン、2,3−ジフルオロ−5−メチル−1,4−フェニレン、3,4,5−トリフルオロナフタレン−2,6−ジイル、7,8−ジフルオロクロマン−2,6−ジイル、3,4,5,6−テトラフルオロフルオレン−2,7−ジイル、4,6−ジフルオロジベンゾフラン−3,7−ジイル、4,6−ジフルオロジベンゾチオフェン−3,7−ジイル、または1,1,6,7−テトラフルオロインダン−2,5−ジイルであり;Z2およびZ3は独立して、単結合、エチレン、カルボニルオキシ、またはメチレンオキシであり;bは、0、1、2、または3であり、cは、0または1であり、そしてbとcの和は3以下である。 - 第二成分の割合が20質量%から75質量%の範囲である、請求項4または5に記載の液晶組成物。
- 第三成分として、式(3)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有する、請求項1から6のいずれか1項に記載の液晶組成物。
式(3)において、R5およびR6は独立して、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルであり;環Eおよび環Fは独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,5−ジフルオロ−1,4−フェニレンであり;Z4は、単結合、エチレン、またはカルボニルオキシであり;dは、1、2、または3である。 - 第三成分の割合が15質量%から70質量%の範囲である、請求項7または8に記載の液晶組成物。
- 第一添加物として、式(4)で表される重合性化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有する、請求項1から9のいずれか1項に記載の液晶組成物。
式(4)において、環Gおよび環Jは独立して、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、テトラヒドロピラン−2−イル、1,3−ジオキサン−2−イル、ピリミジン−2−イル、またはピリジン−2−イルであり、これらの環において、少なくとも1つの水素は、フッ素、塩素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルで置き換えられてもよく;環Iは、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、1,4−フェニレン、ナフタレン−1,2−ジイル、ナフタレン−1,3−ジイル、ナフタレン−1,4−ジイル、ナフタレン−1,5−ジイル、ナフタレン−1,6−ジイル、ナフタレン−1,7−ジイル、ナフタレン−1,8−ジイル、ナフタレン−2,3−ジイル、ナフタレン−2,6−ジイル、ナフタレン−2,7−ジイル、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、またはピリジン−2,5−ジイルであり、これらの環において、少なくとも1つの水素は、フッ素、塩素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキルで置き換えられてもよく;Z5およびZ6は独立して、単結合または炭素数1から10のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、少なくとも1つの−CH2−は、−O−、−CO−、−COO−、または−OCO−で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−CH2−は、−CH=CH−、−C(CH3)=CH−、−CH=C(CH3)−、または−C(CH3)=C(CH3)−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素は、フッ素または塩素で置き換えられてもよく;P1、P2、およびP3は独立して、重合性基であり;Sp1、Sp2、およびSp3は独立して、単結合、または炭素数1から10のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、少なくとも1つの−CH2−は、−O−、−COO−、−OCO−、または−OCOO−で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−CH2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素は、フッ素または塩素で置き換えられてもよく;eは、0、1、または2であり;f、g、およびhは独立して、0、1、2、3、または4であり、そしてf、g、およびhの和は、1以上である。 - 第一添加物として、式(4−1)から式(4−29)で表される重合性化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を含有する、請求項1から11のいずれか1項に記載の液晶組成物。
式(4−1)から式(4−29)において、P4、P5、およびP6は独立して、式(P−1)から式(P−3)で表される重合性基の群から選択された基であり:
ここで、M1、M2、およびM3は独立して、水素、フッ素、炭素数1から5のアルキル、または少なくとも1つの水素がフッ素または塩素で置き換えられた炭素数1から5のアルキルであり;Sp1、Sp2、およびSp3は独立して、単結合、または炭素数1から10のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、少なくとも1つの−CH2−は、−O−、−COO−、−OCO−、または−OCOO−で置き換えられてもよく、少なくとも1つの−CH2−CH2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素は、フッ素または塩素で置き換えられてもよい。 - 第一添加物の割合が0.03質量%から10質量%の範囲である、請求項10から12のいずれか1項に記載の液晶組成物。
- 請求項1から13のいずれか1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
- 液晶表示素子の動作モードが、IPSモード、VAモード、FFSモード、またはFPAモードであり、液晶表示素子の駆動方式がアクティブマトリックス方式である、請求項14に記載の液晶表示素子。
- 請求項1から13のいずれか1項に記載の液晶組成物を含有し、この液晶組成物に含有された第一添加物が重合されている、高分子支持配向型の液晶表示素子。
- 請求項1から13のいずれか1項に記載の液晶組成物の、液晶表示素子における使用。
- 請求項1から13のいずれか1項に記載の液晶組成物の、高分子支持配向型の液晶表示素子における使用。
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