TWI783733B - 曲面電子裝置及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種曲面電子裝置及其製造方法,包括基材、元件層及調控層,元件層係設在基材上,元件層係由佈設在基材的複數個電子元件及其連接線路所構成,而調控層係設在元件層上,並在元件層上形成至少一個圖案區及至少一個空白區,其中空白區提供其中一部份的電子元件露出調控層,且調控層與基材分別具有不同的吸熱率,使得基材在對應空白區與圖案區位置在製造過程中產生不同的軟化程度,以避免基材在拉伸過程造成元件層的損壞。
Description
本發明係有關於電子裝置,尤指一種曲面電子裝置及其製造方法。
隨著影像顯示技術的發展,以及觸控技術普遍地被運用在各種電子產品,使得電子產品普遍地採用視覺化的觸控操作方式,因此在電子產品上經常可以看到觸控顯示器。
又,顯示器的形式也從平面式顯示器逐漸發展到曲面式顯示器,例如曲面顯示器或者是曲面觸控顯示器,或者是許多汽車製造廠商也逐漸以觸控顯示器來取代許多的實體按鍵及旋鈕,讓駕駛者在可以使用觸控顯示器進行各種功能的操作,或者當駕駛者在駕駛車輛時,可以操作駕駛座旁的觸控顯示器所顯示的各項功能的操作,甚至為了配合汽車內裝的起伏曲線造型更是發展出多曲面顯示器。
而為達到應用端需要的特殊之外型,需搭配成型技術來實現,例如射出成形、熱壓成形、熱塑成形…等,其中以熱塑成型技術較適合應用於具有導線或已承載電子元件之曲面顯示器應用。而熱塑成型技術,為了達到所需求曲線造型,其基材必需選用可熱塑之材質(以下稱:熱塑基材),請參閱圖1所示,熱塑基材上承載電子元件以及電子元件的連接線路等。請參閱圖1、2所示,在熱塑基材的成型過程中,通常是先將熱塑基材1放置在模具2中進行加熱,讓熱塑基材1加熱到達適當軟化溫度,再將加壓氣體灌入模具2中,讓熱塑基材1在模具2中成型,但是熱塑基材1在模具2內成型的過程中,將可能使得導致熱塑基材1的電子元件10損壞或連接線路12斷裂而無法作動,尤其是熱塑基材1在彎曲變形量越大的區域,電子元件10損壞或連接線路12斷裂的問題更為嚴重(如圖3所示)。
由於,熱塑基材必須依照曲面顯示器的規格要求製作成對應的曲面形狀,因此無法從調整熱塑基材的形狀的方式來減少彎曲變形量,故熱塑基材需要有新穎結構及其製造方法,解決熱塑基材在彎曲變形過程中,造成電子元件損壞或連接線路斷裂的問題。
有鑑於先前技術的問題,本發明之目的,係提供在熱塑基材的不同區域分別調控拉伸程度,用以解決熱塑基材在彎曲變形過程中,造成電子元件損壞或連接線路斷裂的問題。
根據本發明之一目的,係提供一種曲面電子裝置,包括基材、元件層及調控層,元件層係設在基材上,元件層係由佈設在基材的複數個電子元件及其連接線路所構成,而調控層係設在元件層上,並在元件層上形成至少一個圖案區及至少一個空白區,其中空白區提供其中一部份的電子元件露出調控層,且調控層與基材分別具有不同的吸熱率,使得基材對應空白區與圖案區有不同的軟化程度,進而讓基材在塑性變形過程中,避免造成元件層的電子元件或連接線路的損壞。
其中,電子元件係為發光元件或觸控發光元件,更進一步發光元件係為發光二極體、迷你發光二極體(Mini LED)、微發光二極體(Micro LED)或有機發光二極體(OLED)。
其中,當電子元件係為發光元件,則連接線路提供發光元件連接到外部,或者當電子元件觸控發光元件,觸控發光元件包括發光元件及觸控線路,連接線路提供發光元件及觸控線路連接到外部。
其中,基材係為承載膜,或者基材係為承載膜與軟性薄膜之軟性疊構體。
其中,軟性薄膜是聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、環烯烴聚合物(COP)或其組合。
其中,承載膜是聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)、LCP或其組合等熱塑材料。
其中,調控層係為吸熱材料,進一步而言,吸熱材料係為金屬材料、陶瓷材料或高分子聚合物與有色材料的吸熱混合物。
其中,金屬材料係可為鐵、鎳、鉻、鈦、鋁、銅。
其中,陶瓷材料可為二氧化矽或氧化鋁。
其中,高分子材料壓克力系、環氧系、矽系樹脂。
其中,有色材料係可為碳黑粉末、石墨粉末、鐵黑粉末、鐵紅粉末或鉻綠粉末。
其中,調控層對紅外線輻射熱能的熱吸收率為0.1~0.95。
其中,紅外線輻射波長為750奈米(nm)~1毫米(mm)之間,進一步為750奈米(nm)~1400奈米(nm)之間。
其中,基材對應圖案區的位置,係分別依照基材的熱塑彎曲的程度,而分別具有不同高於基材的吸熱率。
根據本發明之一目的,係提供一種曲面電子裝置製造方法,包括下列步驟,基材上設置元件層,元件層係由佈設在基材上的複數個電子元件及其連接線路所構成,再於元件層上設置調控層,調控層在元件層上形成至少一個圖案區及至少一個空白區,基材、元件層及調控層構成半成品,其中空白區的位置係對應至少其中一部分的電子元件,而圖案區則覆蓋元件層於空白區以外的所有位置,將半成品放置在熱塑成形的模具中進行熱塑成形,再成形的過程中依照圖案區與空白區的吸熱率的差異,使得基材對應圖案區與空白區的軟化程度不同。
其中,調控層係以網印、噴墨、黃光微影、雷射或壓印製程設置到元件層上。
其中,調控層分次將不同高於基材的吸熱率的吸熱材料,分別設置在不同的彎曲程度的圖案區上,使得基材在各個不同的圖案區吸熱率的差異而有不同的拉伸程度。
據上所述,本發明的基材藉由調控層調整吸熱率,使得基材在模具加熱後,基材在對應圖案區的位置與空白區的位置的吸收的熱量不同,而使得基材在對應圖案區的位置與空白區的位置具有不同的拉伸變化量,進而可以解決元件層損壞的問題。
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,下面結合附圖及實施例,對本發明進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發明,但並不用於限定本發明。
請參閱圖4及5所示,本發明係一種曲面電子裝置,包括基材30、元件層32及調控層34,元件層32係設在基材30上,元件層32係由佈設在基材30的複數個電子元件320及其連接線路322所構成,而調控層34係設在元件層32上,並在元件層32上形成至少一個圖案區340及至少一個空白區342,其中空白區342提供其中一部份的電子元件320露出調控層34,且基材30對應圖案區340與空白區342的位置分別具有不同的吸熱率,使得基材30對應圖案區340與空白區342的位置在塑性變形過程中產生不同的變形量(如圖6所示)。
在本發明中,基材30在塑性變形過程中產生不同的變形量的原因是,基材30對應圖案區340與空白區342的位置分別具有不同的吸熱率,使得基材30對應圖案區340與空白區342的位置在相同的加熱條件下,基材30對應圖案區340與空白區342的位置分別產生不同的軟化程度,由於基材30對應圖案區340與空白區342的位置分別具有不同的軟化程度,因此,在熱塑型模具中相同或接近的變形形狀下,基材30對應圖案區340的位置之拉伸變形量將較大於基材30對應空白區342的位置之拉伸變形量。
在本發明之一實施例中,曲面電子裝置係為曲面顯示器,而電子元件320係為發光元件或觸控發光元件,更進一步發光元件係為發光二極體、迷你發光二極體(Mini LED)、微發光二極體(Micro LED)或有機發光二極體(OLED)。
在該實施例中,連接線路322提供發光元件連接到外部,或者連接線路322提供觸控發光元件的發光元件及觸控線路連接到外部。
在該實施例中,基材30係為承載膜300,或者基材30係為承載膜300與軟性薄膜302之軟性疊構體。其中,軟性薄膜302是聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、環烯烴聚合物(COP)或其組合。其中,承載膜300是聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)、液晶高分子材料(LCP)或其組合等熱塑材料。
為了讓基材30在模具內的相同的吸熱條件下,讓基材30在對應元件層32有設置電子元件320與連接線路322等之間有不同的拉伸程度,使得電子元件320及連接線路322在模具拉伸過程中避免損壞,在本實施例中,調控層34係為吸熱材料,吸熱材料係為金屬材料、陶瓷材料或高分子聚合物與有色材料的吸熱混合物。金屬材料係可為鐵、鎳、鉻、鈦、鋁、銅。陶瓷材料可為二氧化矽或氧化鋁。高分子材料壓克力系、環氧系、矽系樹脂。
在實施例中,有色材料係可為碳黑粉末、石墨粉末、鐵黑粉末(例如:黑色氧化鐵,iron oxide black)。以曲面顯示器而言,圖案區340選用吸收率最高之黑色材料(如:碳黑、石墨、鐵黑),基材30在相對圖案區340的位置吸熱量大於空白區342,使得基材30在相對圖案區340的位置的軟化程度大於空白區342,使得基材30在相對圖案區340的位置可於拉伸量上較大於空白區342,同時黑色材料在發光元件混光後可減少像素和像素之間的干涉現象,來達到各像素的發光元件之出光的CIE色域分布穩定性的效果。
又,基材30依照不同的彎曲形狀需要不同的軟化程度,因此,基材30在各圖案區340係依照熱塑彎曲的程度,而分別具有不同的吸熱率,而各圖案區340要讓其所對應的圖案區340分別具有不同的吸熱率而言,係將各圖案區340使用不同的有色材料,或者是吸熱材料添加不同量的黑色材料,進一步而言,添加越多的量的黑色材料,將使得各圖案區340對應的基材30具有越高的吸熱率。
在本發明中,調控層34對紅外線輻射熱能的熱吸收率為0.1~0.95。紅外線輻射波長為750奈米(nm)~1毫米(mm)之間,進一步為750奈米(nm)~1400奈米(nm)之間。
請參閱圖6所示,基材30上佈設複數個連接電子元件320的焊墊,並且在其中九個位置設有圖案區340,其餘的位置則為空白區342,經過熱塑成形後,請參閱圖7所示,基材30上在圖案區340的拉伸變形量大於空白區342的拉伸變形量,進一步在放大觀察,請參閱圖8、9圖所示,其中圖案區340的X方向於變形前寬度X1與變形後寬度X2相較,變形後寬度X2的寬度比變形前寬度X1增加約27.32%,圖案區340的Y方向於變形前寬度Y1與變形後寬度Y2相較,變形後寬度Y2的寬度比變形前寬度Y1增加約28.68%。
而空白區342的X方向於變形前寬度X3與變形後寬度X4相較,變形後寬度X4比變形前寬度X3增加約23.49%。空白區342的Y方向於變形前寬度Y3與變形後寬度Y4相較,變形後寬度Y4比變形前寬度X3增加約21.01%。
再者,圖案區340在變形後的面積大約比變形前的面積增加大約58.90%,空白區342在變形後的面積大約比變形前的面積增加大約54.07%,由前述可知,在圖案區340的變形量是大於空白區342,換言之,基材30的拉伸量確實可以藉由圖案區340的設置而增加。
在本發明的圖式及相關的圖例都是以圖案區340來增加基材30的吸熱量,使得基材30對應圖案區340的位置軟化程度大於基材30對應空白區342的位置,但是本發明實際實施時,並不限於此。圖案區340亦可為隔熱材料(或放熱材料),以圖案區340來降低基材30的吸熱量,使得基材30對應圖案區340的位置軟化程度較小於基材30對應空白區342的位置。
為了讓圖案區340可以均勻且更快速的吸收熱量,在本發明中,圖案區340的表面係設有微結構,微結構係將表面熱量均勻的傳導到基材30上,用以增加基材30相對於圖案區340的吸熱量,或者圖案區340的表面係設有微結構,微結構係將表面熱量反射出去,用以減少基材30相對於圖案區340位置的吸熱量。換言之,本發明主要係由圖案區340與空白區342來調控基材30對應位置的熱吸收效率,使得基材30在對應圖案區340與空白區342的位置有不同的熱吸收率,即屬於本發明所欲主張的範圍。
為了讓連接線路322在拉伸變形的過程中更不易被斷裂,在本發明中連接線路322係可依照拉伸程度(變形量)的大小設計其寬度,連接線路322的拉伸程度越大的寬度越大,較佳者是讓連接線路322在完成拉伸後的寬度趨於一致。或者連接線路322的形狀為波浪狀(或者稱為S形狀),使得連接線路322在拉伸過程中,連接線路322有足夠的冗餘長度提供變形拉伸,甚至者是讓連接線路322在完成拉伸後的寬度趨於一致且無波浪狀。
請參閱圖10所示,本發明係提供一種曲面電子裝置製造方法,包括下列步驟:
(S101)基材30上設置元件層32,元件層32係由佈設在基材30上的複數個電子元件320及其連接線路322所構成;
(S102)在元件層32上設置調控層34,調控層34在元件層32上形成至少一個圖案區340及至少一個空白區342,基材30、元件層32及調控層34構成半成品,其中空白區342的位置係對應至少其中一部分的電子元件320,而圖案區340則覆蓋元件層32於空白區342以外的所有位置;
(S103)將半成品放置在熱塑成形的模具中進行熱塑成形,再成形的過程中依照圖案區340與空白區342的吸熱率的差異,使得基材30對應圖案區340與空白區342的拉伸程度不同。
在本發明中,調控層34設置道元件層32的方式,係為網印、噴墨、黃光微影、雷射或壓印製程。再者,調控層34係可分次將不同高於基材30的吸熱率的吸熱材料,分別設置在不同的彎曲程度的圖案區340上,使得基材30在各個不同的圖案區340吸熱率的差異而有不同的拉伸程度。
綜上所述,本發明的基材30利用調控層34的圖案區340與空白區342來調整其熱吸收率,使得圖案區340與空白區342的軟化程度有所差異,藉以達到解決元件層32上的連接線路322,尤其是,圖案區340選用吸收率最高之黑色材料,除了可以增加基材30的軟化程度外,黑色材料可以減少像素和像素之間的干涉現象,來達到各像素的發光元件之出光的CIE色域分布穩定性的效果。
上列詳細說明係針對本發明的可行實施例之具體說明,惟前述的實施例並非用以限制本發明之專利範圍,凡未脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更,均應包含於本案之專利範圍中。
1:熱塑基材
10:電子元件
12:連接線路
2:模具
30:基材
300:承載膜
302:軟性薄膜
32:元件層
320:電子元件
322:連接線路
34:調控層
340:圖案區
342:空白區
S101~S103:步驟流程
圖1係基材上承載電子元件以及連接線路的示意圖。
圖2係傳統熱塑基材在模具進行加熱及塑形的示意圖。
圖3係傳統熱塑基材在塑形後連接線路斷裂的示意圖。
圖4係本發明的曲面電子裝置的立體外觀示意圖。
圖5係本發明的曲面電子裝置的剖面及其塑形後的剖面示意圖。
圖6係本發明的基材的圖案區與空白區在塑形前的示意圖。
圖7係本發明的基材的圖案區與空白區在塑形後的示意圖。
圖8係圖6的圖案區與空白區放大示意圖。
圖9係圖7的圖案區與空白區放大示意圖。
圖10係本發明之曲面電子裝置的製造流程圖。
300:承載膜
302:軟性薄膜
32:元件層
320:電子元件
322:連接線路
340:圖案區
342:空白區
Claims (14)
- 一種曲面電子裝置,包括: 一基材; 一元件層,係設在該基材上,該元件層係由佈設在該基材的複數個電子元件及其連接線路所構成;及 一調控層,係設在該元件層上,並在該元件層上形成至少一個圖案區及至少一個空白區,其中該空白區提供至少其中一部份的該電子元件露出該調控層,且該基材在對應該圖案區的位置與該基材對應該空白區的位置分別具有相異的吸熱率。
- 如請求項1所述的曲面電子裝置,其中該電子元件係為一發光元件,該連接線路提供該發光元件連接到外部。
- 如請求項1所述的曲面電子裝置,其中各該電子元件係分別為一發光元件及其對應的一觸控線路,該連接線路提供各該發光元件及各該觸控線路連接到外部。
- 如請求項1所述的曲面電子裝置,其中該基材係為一承載膜。
- 如請求項1所述的曲面電子裝置,其中該基材係為一承載膜與一軟性薄膜之一軟性疊構體。
- 如請求項1所述的曲面電子裝置,其中該調控層係為吸熱材料。
- 如請求項1所述的曲面電子裝置,其中該基材對應各該圖案區的位置,係依照該基材的熱塑彎曲的程度,而分別具有相異的吸熱率。
- 如請求項1所述的曲面電子裝置,其中該圖案區的表面係設有微結構,該微結構係將表面熱量均勻的傳導到該基材上,用以增加該基材相對於該圖案區的吸熱量。
- 如請求項1所述的曲面電子裝置,其中該圖案區的表面係設有微結構,該微結構係將表面熱量反射出去,用以減少該基材相對於該圖案區位置的吸熱量。
- 一種曲面電子裝置製造方法,包括下列步驟: 在一基材上設置一元件層,該元件層係由佈設在該基材上的複數個電子元件及其連接線路所構成; 在該元件層上設置一調控層,該調控層在該元件層上形成至少一個圖案區及至少一個空白區,使得該基材、該元件層及該調控層構成半成品,其中該空白區的位置係對應至少其中一部分的該電子元件,而該圖案區則覆蓋該元件層於該空白區以外的所有位置; 將該半成品放置在熱塑成形的模具中進行熱塑成形,再成形的過程中依照該圖案區與該空白區的吸熱率的差異,使得該基材對應該圖案區與該空白區的拉伸程度不同。
- 如請求項10所述的曲面電子裝置製造方法,該調控層係以網印、噴墨、黃光微影、雷射或壓印製程設置到該元件層上。
- 如請求項11所述的曲面電子裝置製造方法,該調控層分次將不同高於基材的吸熱率的吸熱材料,分別設置在不同的彎曲程度的圖案區上,使得基材在各個不同的圖案區吸熱率的差異而有不同的拉伸程度。
- 如請求項10所述的曲面電子裝置製造方法,該調控層係以網印、噴墨、黃光微影、雷射或壓印製程,使得該圖案區的表面具有微結構,該微結構係將表面熱量均勻的傳導到該基材上,用以增加該基材相對於該圖案區的吸熱量。
- 如請求項10所述的曲面電子裝置製造方法,該調控層係以網印、噴墨、黃光微影、雷射或壓印製程,使得該圖案區的表面具有微結構,該微結構係將表面熱量反射出去,用以減少該基材相對於該圖案區位置的吸熱量。
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