TWI781965B - 用於估計聚合物材料之參數的可攜式裝置及方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係有關於一種用於估計聚合物材料之至少一參數特性的可攜式裝置，其特徵在於：該裝置包含至少一紅外線光源，各紅外線光源能夠朝向該聚合物材料發射代表最大發射能量的一譜線，其選自10微米、9.5微米、7.2微米、6微米、3.5微米、2.7微米波長中之一者或1000cm-1
、1050cm-1
、1350cm-1
、1700cm-1
、2900cm-1
、3700cm-1
波數中之一者，能夠接收被該聚合物材料反射以響應該譜線之紅外線輻射的至少一紅外線檢測器，用於根據出現於在已被該聚合物材料反射且已被該紅外線檢測器接收之該紅外線輻射中之該譜線的能量來判定該聚合物材料之該參數特性的一單元。
Description
本發明係有關於一種用於估計聚合物材料之參數的裝置。
本發明的應用領域係有關於在特別是在用於發電之核能電廠中的牆壁或管道上用作塗層的聚合物。
本發明有關於測量材料上之一或多個參數，以非限定性方式言之，該材料可為： -聚合物塗層，通常為構成油漆的塗料， -聚合物組件，例如用於輸送流體的導管， -電纜。
此類塗料或組件在工業環境中常見，例如有這些塗料及組件必須抵擋之嚴苛溫度及濕度條件的核電生產基地。在可應用於核能電廠的安全規則中，需要表面塗層的密封性質，例如塗佈於形成反應器建築物外殼之內部水泥牆以抵擋嚴苛溫度及濕度條件的聚合物塗料。此類塗層的分層或剝落可能導致阻礙及堵塞在反應器建築物外殼內藉由噴灑液滴來噴水、已知簡寫為EAS的緊急灑水器電路，例如在操作測試期間，或在意外情形下，導致釋放熱水造成在外殼內起源於塗層剝落的壓力及溫度實質上升，用於緊急系統EAS之情況的尺寸被確定。
這些需求更一般而言有關基於聚合物的所有材料，例如所謂高密度聚合物管或導管，在此循環流體可能在高溫。在此，該管的內表面必須做相關檢查。需要監視的另一個例子是也為聚合物組合物的電纜，在此劣化是損失電氣絕緣的同義詞。
根據針對各工業的法規及安全標準需求要求操作員監視例如塗料之表面塗層與例如導管及纜線的一些組件的狀態。由於它們有聚合物結構，必須實施適宜的控制方法。
在例如塗層塗佈於核能電廠的情形下，在核能電廠之建築物的內壁必須保證密封功能，眾所周知，關於所求準則，目視檢查沒能估計作為參數的老化真實狀態，例如龜裂或起泡。事實上，龜裂或者是起泡出現且立即宣佈深度劣化診斷，或這些症狀都沒有出現且操作員無法判斷。即使用肉眼看不到劣化，然而後者可能已經在塗層的薄層微結構開始，等同失去例如密封之保護特徵的劣化跡象。表明在這些情況中，即使外觀健壯，然而塗層會無法抵擋溫度及濕度實質短暫上升的折磨，這可能使外加塗層也構成對於操作員有害的廢料。
因此，挑戰是要經由老化狀態的相關評估來預見此類情況，甚至在開始出現脆化之前。
以此方式，操作員期待一種用於測量劣化的方法，其係以先前界定的劣化準則與先前設定的維護程式來預見維護需要。
為了控制塗層，已知在塗料生產階段期間生產模型磚塊(model briquette)。模型磚塊塗上聚合物塗層，然後在相關建築物內部的箱子中保存。此方法係基於磚塊老化為保護塗層老化之代表的假設。在分析實驗室中以程式設定方式控制模型磚塊。這涉及模型磚塊在其保存處所、分析實驗室之間的定期運送(往返)。有數個缺點：
磚塊有時會在運送期間遺失或損壞。為了取代模型磚塊，例如核能電廠建築物牆壁之水泥的核心取樣(core sampling)是必要的。此操作需要一定實質的維護動作，因為必須重填及重新塗上核心取樣所產生的孔洞。
磚塊塗層的老化狀態不完全代表整個建築物。
再者，另一個問題可能必須檢查被判定聚合物的存在。例如，在如上述環境中，目的可能是要，在上述環境或其他環境的反應器建築物中，且更一般言之，也在各種環境之工業特徵的其他建築物中，檢查形成例如接頭的產品真的構成規格所規定的聚合物材料。
本發明旨在排除先前技術的缺點且用必須執行起來很簡單且適於有系統地檢測聚合物材料之老化示蹤劑的裝置及方法來解決估計聚合物材料之參數的上述問題。
為此目的，本發明的第一目標是一種用於估計聚合物材料之至少一參數的裝置，其特徵在於該裝置包含： 能夠朝向該聚合物材料發射具有第一紅外線輻射的至少一紅外線光源，該第一紅外線輻射有具有至少一規定波長的至少一發射譜線，該至少一規定波長對應至該聚合物材料之至少一老化示蹤劑的檢測， 能夠接收第二紅外線輻射的至少一紅外線檢測器，該第二紅外線輻射被該聚合物材料反射以響應該第一紅外線輻射的發射， 一單元，其用於根據在該第二紅外線輻射中有該規定波長之至少一線來判定該聚合物材料之該參數。
根據一具體實施例，提供一種用於估計聚合物材料之至少一參數特性的可攜式裝置，其特徵在於該裝置包含： 至少一紅外線光源， 各紅外線光源能夠朝向該聚合物材料發射代表最大發射能量的一譜線，其選自10微米、9.5微米、7.2微米、6微米、3.5微米、2.7微米波長中之一者或1000cm-1
、1050cm-1
、1350cm-1
、1700cm-1
、2900cm-1
、3700cm-1
波數中之一者， 至少一紅外線檢測器，其能夠接收已被該至少一紅外線光源發射而被該聚合物材料反射以響應該譜線的紅外線輻射， 一判定單元，其用於根據出現於在該紅外線輻射中之該譜線的能量來判定該聚合物材料之該參數特性，該紅外線輻射已被該聚合物材料反射且已被該紅外線檢測器接收。
選定的波長數值及波數是藉由發射有最大能量位於這些數值中之一者的線對應至有聚合物材料之老化示蹤劑的檢測時由本發明人判定的。
因此，本發明致能根據老化示蹤劑之檢測來判定聚合物的參數，且這是用執行起來很簡單的可攜式裝置。
因此，本發明裝置避免用紅外線光譜的所有波長輻照聚合物材料，反而只用位於上述波長或波數中之一或多個的一關注線輻照它，以免必須用光譜儀選出被該紅外線檢測器接收的一或多個波長。
根據一具體實施例，可有數個紅外線光源。
根據一具體實施例，可有數條譜線。
根據一具體實施例，各紅外線光源能夠朝向該聚合物材料發射一條唯一譜線，如上述。在下文，已被聚合物材料反射且已被紅外線檢測器接收以響應紅外線光源(s)發射上述譜線(s)的紅外線輻射也稱為第二紅外線輻射。
根據一具體實施例，該譜線為窄發射頻帶。
根據一具體實施例，該聚合物材料之該參數特性為至少一老化示蹤劑在該聚合物材料中的存在及/或含量。
根據一具體實施例，該聚合物材料之該參數特性為該聚合物的一鑑別。
根據一具體實施例，各紅外線光源能夠朝向該聚合物材料以一或多個時間脈衝的形式發射該譜線。
根據一具體實施例，該(等)時間脈衝為矩形。
根據一具體實施例，提供用於與時間脈衝(s)同步地起動至少一紅外線檢測器的數個控制構件。
根據一具體實施例，該裝置包含一控制構件用於在第一規定時間寬度包含於或等於脈衝中之至少一者之各個時間寬度期間取得該紅外線輻射之數個第一測量值，以算出代表該等第一測量值之一第一數值的估計，該參數至少從該第一數值算出。
根據一具體實施例，該裝置包含一控制構件用於在包含於或等於兩個相繼脈衝間之各個時間寬度的第二規定時間寬度期間取得該第二紅外線輻射的數個第二測量值，以算出代表該等第二測量值之一第二數值的估計，該參數至少從該第一數值與該第二數值的差算出。
根據一具體實施例，該裝置進一步包含至少一手動控制構件用於觸發由該至少一紅外線光源發射該譜線。
根據一具體實施例，該至少一紅外線光源為至少一紅外線發光二極體或至少一雷射光源。
根據一具體實施例，該至少一紅外線檢測器為光二極體或光導體型且能夠根據它所接收之該紅外線輻射來產生一電氣光電流(electrical photocurrent)。
根據一具體實施例，提供至少兩個紅外線光源作為紅外線光源，彼等能夠各自朝向該聚合物材料發射各代表最大發射能量的兩條不同譜線，該等譜線各自選自10微米、9.5微米、7.2微米、6微米、3.5微米、2.7微米波長中之兩個不同者或1000cm-1
、1050cm-1
、1350cm-1
、1700cm-1
、2900cm-1
、3700cm-1
波數中之兩個不同者。
根據一具體實施例，該至少一紅外線光源之該譜線的半高寬度小於或等於1微米。
根據一具體實施例，用於判定該聚合物材料之該參數特性的該單元包含至少一濾波器或電路或濾波單元用於抑制或衰減在已由該紅外線檢測器提供來自該紅外線輻射之一訊號中的一連續分量。
根據一具體實施例，用於判定該聚合物材料之該參數特性的該單元包含用於放大在該濾波器或電路或濾波單元下游之經濾波訊號的一放大器，在該放大器下游的一類比-數位轉換器以及用於處理及儲存資料的構件，以從由該類比-數位轉換器提供的數位訊號(s)來判定該聚合物材料之該參數特性。
根據本發明之一具體實施例，該判定單元經組配為可至少根據一檢測訊號的振幅來計算該聚合物材料之該參數特性，從檢測訊號從該紅外線檢測器與從在對應至該至少一譜線之該至少一波長被接收的該紅外線輻射獲得。
根據本發明之一具體實施例，該判定單元經組配為可根據一檢測訊號的振幅與一發射訊號的振幅來計算該聚合物材料之該參數特性，該檢測訊號從該紅外線檢測器與從在對應至該至少一線之該至少一波長被接收的該紅外線輻射獲得，該發射訊號用來控制該至少一紅外線光源發射該至少一譜線。
根據本發明之一具體實施例，該裝置包含用於冷卻該至少一紅外線檢測器的冷卻模組及/或用於冷卻該至少一紅外線光源的冷卻模組。
根據本發明之一具體實施例，該裝置包含一恆溫器與連接至該冷卻模組用於自動溫度穩定化的一電子單元，其用於使該至少一紅外線檢測器及/或該至少一紅外線光源維持在由該恆溫器規定的一溫度。
根據本發明之一具體實施例，該裝置有手槍的形狀，其包含附接至瞄準模組的抓握手柄，該瞄準模組在遠離該手柄的前端包含該至少一紅外線光源與該至少一紅外線檢測器，該手槍包含至少一手動控制構件用於觸發該至少一紅外線光源發射該至少一譜線，其中，該手動控制構件位在該手槍中使該手柄連接至該瞄準模組的一區域附近。
根據本發明之一具體實施例，該至少一光源及/或該至少一紅外線檢測器被至少一外部區塊覆蓋， 該至少一光源能夠發射該至少一譜線且該至少一紅外線檢測器能夠通過對於該聚合物材料呈透明且轉向它的外部區塊來接收該紅外線輻射。
根據本發明之一具體實施例，該裝置包含頂著該聚合物材料的一支撐防護罩， 該外部區塊有外部遠側面，其同時朝向該聚合物材料且相對於也轉向該聚合物材料之該表面的該防護罩之一外部遠側面縮回。
本發明的第二目標為一種用於估計聚合物材料之至少一參數的方法，其特徵在於： 用至少一紅外線光源朝向該聚合物材料送出以有至少一規定波長之至少一發射譜線為特徵的第一紅外線輻射，該至少一規定波長對應至該聚合物材料之該至少一老化示蹤劑之檢測， 被該聚合物材料反射以響應該第一紅外線輻射之送出的第二紅外線輻射被至少一紅外線檢測器接收， 用一判定單元根據在該第二紅外線輻射中有規定波長的至少一譜線來判定該聚合物材料的參數。
根據本發明之一具體實施例，提供一種用於估計聚合物材料之至少一參數特性的方法，其特徵在於： 用至少一紅外線光源朝向該聚合物材料發射代表最大發射能量的至少一發射譜線，其選自10微米、9.5微米、7.2微米、6微米、3.5微米、2.7微米波長中之至少一者或1000cm-1
、1050cm-1
、1350cm-1
、1700cm-1
、2900cm-1
、3700cm-1
波數中之一者， 用至少一紅外線檢測器接收被該聚合物材料反射以響應已被該至少一紅外線光源發射之譜線的紅外線輻射， 用一判定單元根據出現於在已被該聚合物材料反射且已被該紅外線檢測器接收之該第二紅外線輻射中之該至少一譜線的能量來判定該聚合物材料之該參數特性。
以下所述具體實施例為用於估計聚合物材料M之參數的裝置1與用於估計聚合物材料M之參數的方法，該方法用此裝置1實施。此參數可為至少一老化示蹤劑的存在及/或至少一老化示蹤劑的含量及/或聚合物材料M的鑑別。
附圖中，用於估計該參數的裝置1包含一或多個紅外線光源101，一或多個紅外線檢測器102，與用於判定該參數的單元2。
一般而言，根據本發明，紅外線光源(s)101朝向聚合物材料M送出具有有規定波長之一或多個發射譜線的第一紅外線輻射111，該等規定波長對應至聚合物材料之至少一老化示蹤劑的檢測。
根據一具體實施例，各紅外線光源有發射波長的一窄頻帶，其包含對應至聚合物材料M之老化示蹤劑的所謂關注規定波長或關注峰值。
根據一具體實施例，該紅外線光源只以包含該發射譜線或在該發射譜線左右之至少一發射光譜區(或頻帶)發射，該發射譜線具有對應至聚合物材料M之老化示蹤劑之檢測的規定紅外線輻射波長。
根據一具體實施例，紅外線光源101為一紅外線發光二極體。此一二極體以位於上述線附近的上述發射光譜區發射。此發射光譜區例如可用高斯分布表示，其中心譜線對應至最大發射能量。該二極體因此可以該線與該線位於其中的頻帶為特徵。
根據另一具體實施例，紅外線光源101為一雷射光源。此一雷射光源為實質單色光。就此情形而言，該光源只以規定波長發射，或以在上述線左右有實質零寬度的發射光譜區發射。
根據一具體實施例，裝置1可包含表面1010，在其中或下面的是光源(s)101及/或紅外線檢測器(s)102，且旨在轉向待測試聚合物材料M。在一具體實施例中，光源(s)101及/或紅外線檢測器(s)102被至少一外部區塊1011覆蓋，至少一外部區塊1011對於第一及第二紅外線輻射111及112呈透明且經設置成外部區塊的遠側面1013靠近聚合物材料M的表面200而不與後者接觸。此外部區塊1011傳輸紅外線光源(s)101朝向材料M的輻射111以及材料M朝向紅外線檢測器(s)的輻射111而不改變，除了根據如圖1-b所示用於此具體實施例的幾何光學定律來修改第一及第二紅外線輻射111及112由折射引起的軌跡以外。在遠側面1013與聚合物材料M表面200之間留下空缺的薄容積1014限制在藉由與紅外線輻射111及/或112相互作用來測量時由存在之空氣造成的微擾且避免空氣中的氧藉由吸收來衰減有特定波長的輻射。此區塊例如可由鍺製成。
紅外線檢測器(s)102經組配為可接收被聚合物材料M(被表面200)反射的第二紅外線輻射112，以響應送出來自紅外線光源(s)101的第一紅外線輻射111。
裝置1包含用於根據第二紅外線輻射112中有規定波長之至少一發射譜線來判定聚合物材料M之參數的單元2。
在至少一發射光譜區(或頻帶)包含發射譜線或在發射譜線左右的情形下，例如在二極體作為光源101而且沒有任何其他輻射光源的情形下，第二輻射的能量包含在與執行發射之二極體關聯的頻帶中。紅外線檢測器102不知道頻帶的概念而且只集成來自該光源的能量，例如二極體。因此，建立一接收頻帶。
根據一具體實施例，單元2根據在對應至譜線(s)之規定波長(s)從紅外線檢測器102及第二紅外線輻射112獲得之第二訊號之存在及/或振幅來判定聚合物材料M的參數。
判定單元2可被組配為可根據從以下兩者相除獲得的比來算出聚合物材料M的參數：在對應至至少一譜線之至少一規定波長從紅外線檢測器102及第二紅外線輻射112獲得的第二訊號之振幅，用來控制至少一紅外線光源101用於送出在至少一規定波長有至少一譜線之第一紅外線輻射111的第一訊號之振幅。
根據本發明之一具體實施例，在2微米至10微米之間的波長區間中，亦即，在1000cm-1
至5000cm-1
之間的波數區間中，選擇有規定波長的至少一譜線R1、R2、R3、R4、R5、R6。根據本發明之一具體實施例，發射包含有規定波長之至少一線R1、R2、R3、R4、R5、R6的至少一光譜區B1、B2、B3、B4、B5、B6之半高寬度小於或等於1微米。根據本發明之一具體實施例，發射包含有規定波長之至少一線R1、R2、R3、R4、R5、R6的至少一光譜區B1、B2、B3、B4、B5、B6之半高寬度(FWM)大於或等於0.2微米且小於或等於1微米。例如，發射包含有規定波長之至少一線R1、R2、R3、R4、R5、R6的至少一光譜區B1、B2、B3、B4、B5、B6之此半高寬度可等於0.2微米。
根據本發明之一具體實施例，在下述波長中之至少一者中選擇有規定波長之至少一譜線R1、R2、R3、R4、R5、R6，特別是各自在6微米及/或9.5微米及/或在3.5微米及/或7.2微米及/或在10微米及/或在2.7微米，彼等各自對應至用於判定聚合物材料M之參數的關注線R1、R2、R3、R4、R5、R6。
根據一具體實施例，如果參數為老化示蹤劑之存在及/或至少一老化示蹤劑之含量，從第二紅外線輻射112中在規定波長(s)的線(s)R1、R2、R3、R4、R5、R6，且視需要從各自在線(s)R1、R2、R3、R4、R5、R6左右的紅外線光譜發射頻帶(s)B1、B2、B3、B4、B5、B6，判定此存在及/或此含量。
如果該參數為聚合物材料M的鑑別，單元2也可包含用於比較發射在第二紅外線輻射112中有規定波長之線(s)(R1、R2、R3、R4、R5、R6)左右之至少一光譜頻帶(B1、B2、B3、B4、B5、B6)與至少一預定聚合物之至少一預錄光譜特徵(pre-recorded spectral signature)的比較構件，用於識別相對於該預定聚合物的聚合物材料M。
如果該參數為聚合物材料M的鑑別，單元2也包含比較構件用於比較： -在一方面是紅外線檢測器(s)112的檢測訊號(或紅外線檢測器(s)的響應(s))，其係從第二紅外線輻射112在位於規定波長(s)之線(s)左右的頻帶(s)中(例如，在檢測訊號及規定波長(s)的振幅中)獲得， -另一方面是譜線(s)或光譜特徵的一或多個特徵值(檢測訊號及規定波長(s)的振幅)，彼等已預錄於單元2的記憶體中且已預定用於有一或多個已知鑑別(s)(例如，組合物)的一或多個聚合物材料(s)， 以判定第二紅外線輻射112的譜線(s)是否對應至已知鑑別的特徵值或光譜特徵。
在以微米表示的數值為各自包含於紅外線輻射之發射頻帶中的波長的文字中，以cm-1
表示的數值為定義為波長之倒數且被化學家使用較多的波數，前者被光學、光電材料的製造商使用較多。同樣，用R表示單詞「線」的用法會對應至以紅外線輻射之發射頻帶B發射有用微米標示尺寸之波長的譜線，用P表示單詞「峰值或關注峰值」的用法會對應至有以聚合物材料M之關注分量之cm-1
特性標示尺寸之波數的光譜峰值。
估計裝置1可使用於所有聚合物(特別是，塗料、氯丁橡膠、電纜等等)。特別是，在6微米的譜線對應至所有聚合物的氧化，這是經由羰基揭露。事實上，接下來，羰基顯現形成對應關注峰值P1的約1700cm-1
，在下文中，它是在包含於發射頻帶B1中有約6微米之規定波長的第一線R1。但是，例如氯丁橡膠的老化也是由在約1000cm-1
與約1100cm-1
之間顯現的其他原因引起(它的負載降低)，且這是經由在約9.5微米或1050cm-1
形成關注峰值P2之規定波長的第二線R2看見。第三線R3位在約3.5微米的規定波長處，其對應至位在約2900cm-1
的關注峰值P3。除3000cm-1
外，觀察可應用於所有或若干聚合物之不同老化模態的其他老化原因。例如，有規定波長藉由老化模態與其頻帶關聯的譜線。
例如，羰基的濃度為老化示蹤劑，它可用比爾-蘭伯特定律(Beer-Lambert law)判定。將扮演老化示蹤劑之角色的此一物理參數是造成氧化分解反應的直接原因。
不考慮組件或環氧化物塗層的類型，由於它有聚合物結構，第一老化事件的產生在材料結構的分子水平刻度上發生。實驗顯示，根據圖示圖3紅外線反射率之統計曲線(縱坐標為密度)之功能箱形圖的統計處理，紅外線反射率光譜的分析揭露出現聚合物劣化的關注峰值。
該功能箱形圖方法為一種出自箱形圖的統計方法，它可應用於函數而不是一組標量。
這些峰值做成對應至在紅外線頻率的線，在此用功能箱形圖獲得之曲線的統計離散程度是寬的，特別是朝向各自對應至規定波長各自在約9.5微米及7.2微米之第二譜線R2及第四譜線R4、約在1050cm-1
的峰值P2與約在1350cm-1
的峰值P4。放在該光譜之這些區域中的檢測器102刻畫老化的特徵。根據一具體實施例，每個關注峰值或關注線對應至包含與檢測老化示蹤劑及估計參數相關之資訊的光譜區。此相關資訊能夠經由功能箱形圖方法用統計分析找到。
在聚合物的情形下，分析指在發射在中波段紅外線之頻帶中之IR波後的反射率光譜；它是在統計分析後從此反射率觀察到奇異點。
圖3圖示功能箱形圖之一實施例。它是以紅外線輻射111、112的反射率變化為縱坐標和波長倒數cm-1
為橫座標圖示。圖3圖示密度函數的四分位數，特別是： 1) 黑色為中數曲線， 2) 深灰色為在函數四分位數25%、75%之間或中央資料之50%的所有曲線， 3) 淺灰色為在5%、95%之間或無異常值之資料之極限的所有曲線。
在此圖3中，未圖示異常值。
因此，圖3以箭頭圖示對應至關注峰值的線R1、R2、R3、R4、R5、R6。特別是，圖3圖示第五譜線R5是約在1000cm-1
對應至約10微米之規定波長的第五關注峰值P5，與第二譜線R2是約在約1050cm-1
對應至約9.5微米之規定波長的第二關注峰值P2，彼等各自符合矽石與水解矽石的峰值，以及第六譜線R6是約在約3700cm-1
對應至約2.7微米之規定波長的第六關注峰值P6。
上述統計方法已確定用於上述波長或上述波數中之數個或所有之反射率的分佈函數。因此，根據一具體實施例，使用來自兩個獨立紅外線光源之至少兩條不同譜線的波長或不同波數。這克服可能由聚合物材料之表面狀態引起的測量值離散程度。這更有效地檢測聚合物材料的老化程度及/或鑑別。
根據一具體實施例，紅外線光源以發生發射的光譜頻帶B為特徵，此頻帶大約為譜線R，在此發射的能量通常為最大值。
在譜線R1、R2、R3、R4、R5、R6之一或多個左右可選擇由該(等)紅外線光源發射的光譜頻帶。特別是，可選擇至少兩個獨立譜線。
根據一具體實施例，在已處理由以這些光譜頻帶輻射之材料之溫度造成且造成絕對必須排除之實質雜訊的寄生訊號後監控該等關注譜線。
因此，只要繼續以在上述線中之一或多個左右之窄光譜波長頻帶的紅外線照射且測量反射率的相對密度以特徵化老化。
投射光束的較佳選擇領域因而其反射率的測量最好出現在波數區間[1000cm-1
；4000cm-1
]，如圖3之實施例所示，其對應至波長的相關區間[2.5微米；10微米]。此選擇來自以下事實：測量構件從10微米開始變貴，且在2.5微米以下沒有相關觀察法。
根據一具體實施例，在譜線之規定波長左右發射的紅外線光源101與峰值或關注線一樣多。
根據一具體實施例，指示紅外線光源101以根據第一判定方向朝向聚合物材料M發射第一紅外線輻射。例如，在二極體用於光源101的情形下，該二極體可包含透鏡。對於給定光源101，檢測器102最好經安置成第二受測紅外線輻射112的反射有等於送出第一紅外線輻射111之入射角度的反射角度且在第二反射紅外線輻射112中重現所有(或大部份)的發射能量；為此，尋求反射率將來自它的鏡面反射。
當然，聚合物材料M的反射也可能在由聚合物材料表面200所限定的半空間中擴散，其係包含裝置1。
根據一具體實施例，至少一紅外線檢測器102能夠接收聚合物材料M的紅外線反射率光譜，以響應紅外線光源(s)101所發射的第一紅外線輻射(s)111。根據一具體實施例，至少一紅外線檢測器102能夠接收在規定波長(s)的譜線(s)R1、R2、R3、R4、R5、R6於第二紅外線輻射112中。根據一具體實施例，至少一紅外線檢測器102能夠接收位於在規定波長(s)之譜線(s)R1、R2、R3、R4、R5、R6左右的頻帶(s)B1、B2、B3、B4、B5、B6於第二紅外線輻射112中。紅外線檢測器102的接收波長頻帶例如至少包含規定波長(s)及/或有規定波長(s)之譜線(s)R1、R2、R3、R4、R5、R6及/或紅外線光源(s)101所發射之波長頻帶(s)。至少一紅外線檢測器102例如在接收波長中的寬頻帶。根據一具體實施例，至少一紅外線檢測器102放在材料M的鏡面及/或擴散反射中。至少一紅外線檢測器102為光檢測器，它可為例如光二極體或光導體型。例如，紅外線檢測器102能夠根據第二紅外線輻射112產生電氣光電流。獲取電子設備獲取來自紅外線檢測器102的類比訊號。
根據一具體實施例，紅外線光源(s)101能夠朝向聚合物材料M以例如可為矩形之一或多個時間脈衝i、i+1、i+2的形式發射第一紅外線輻射111，如圖4所示。根據一具體實施例，裝置1包含藉由例如可為有規定重覆頻率fR
之矩形及/或有周期性的脈衝控制訊號來控制光源(s)101的模組12，使得該(等)光源以例如為矩形及/或有周期性的一或多個時間脈衝的形式發射第一紅外線輻射111。
由紅外線光源101發射的相繼時間脈衝i、i+1、i+2各自可具有例如各個規定時間寬度(紅外線光源101的第一開啟狀態)τi
、τi+1
及τi+2
，且各自有相繼脈衝i、i+1、i+2的起動Ai
、Ai+1
及Ai+2
，其時間間隔各自為時段Ti
及Ti+1
。在開啟狀態中找到的脈衝i、i+1、i+2之間，光源101處於與第一開啟狀態(例如，高位或開啟)不同的第二關閉狀態(例如，低位或關閉)，在相繼脈衝i、i+1之間的此一關閉狀態有時段Ti
-τi
。
根據一具體實施例，脈衝i、i+1、i+2可以規定周期T重覆，各時段Ti
也等於周期T=Ti
=Ti+1
，其對應至重覆頻率fR
=1/T。根據一具體實施例，脈衝的各個時間寬度τi
、τi+1
及τi+2
可等於相同的時間寬度τ=τi
=τi+1
=τi+2
。 例如，τi+1
≤Ti
及τi+2
≤Ti
當然，各個時間寬度τi
、τi+1
及τi+2
可彼此不同。當然，時段Ti
及Ti+1
可彼此不同。
此特徵致能在從聚合物材料M收到之第二紅外線輻射112中檢測出規定波長線(s)，甚至此聚合物材料M之熱輻射的存在。此熱輻射由受測樣本(聚合物材料M)的溫度引起且連續發射的能量可約達被此聚合物材料M以在規定波長譜線(s)左右之窄光譜頻帶反射之第二紅外線輻射112的一千倍以上，因此會干擾此第二輻射112的檢測及受測反射率。
根據一具體實施例，裝置1包含至少一手動控制構件103用於觸發由至少一紅外線光源101送出第一紅外線輻射111，例如根據時間脈衝或一串時間脈衝i、i+1、i+2。根據一具體實施例，手動控制構件103可用預加應力構件(prestres member，例如彈簧或其他)預加應力以從觸發由光源101送出第一紅外線輻射111的第二手動致動位置回到未致動觸發由光源101送出第一紅外線輻射111的第一位置，該控制構件可在第一及第二位置之間移動。使用者必須使控制構件103保持在第二手動致動位置按下用以觸發由光源101送出第一紅外線輻射111。手動控制構件103可為按鈕或觸發器型。
根據一具體實施例，紅外線檢測器(s)102的控制與光源(s)101同步，如圖4、圖5及圖6所示。裝置1或單元2可包含數個控制構件用於與時間脈衝(s)(i、i+1、i+2)同步地起動至少一紅外線檢測器102。
根據一具體實施例，控制模組12同時連接至光源(s)101及紅外線檢測器(s)102，使得紅外線檢測器(s)102在時間脈衝i、i+1、i+2(在時間寬度τi
的第一開啟狀態中)期間起動，如圖5中代表測得數值的點所示，且在時間脈衝i、i+1、i+2之間關掉(與第一開啟狀態不同的第二關閉狀態)。
根據一具體實施例，控制模組12同時連接至光源(s)101及紅外線檢測器(s)102，使得紅外線檢測器(s)102在時間脈衝i、i+1、i+2(在時間寬度τi
的第一開啟狀態中)期間起動，如圖5中代表測得數值的點所示，而且在時間脈衝i、i+1、i+2之間也起動(與第一開啟狀態不同的第二關閉狀態)，如圖5所示。根據一具體實施例，紅外線檢測器102在各時間脈衝i、i+1、i+2期間取得收到第二紅外線輻射112的數個測量值(圖5中用點表示)。
如圖5所示，根據一具體實施例，裝置1包含控制構件21用於在包含於或等於脈衝i之第一開啟狀態的各個時間寬度τi
的第一規定時間寬度γi1
(因此，γi1
≤τi
)期間取得第二紅外線輻射112的數個第一測量值300，以算出代表在規定時間寬度γi1
期間取得之第一測量值300之第一數值
的估計，該參數從第一數值
算出。
根據一具體實施例，裝置1包含控制構件21用於在包含於或等於脈衝i與後面脈衝i+1之間之第二關閉狀態的各個時間寬度Ti
-τi
的第二規定時間寬度γi2
或在脈衝i與前面脈衝i-1之間之第二關閉狀態的各個時間寬度Ti-1
-τi-1
之間(因此γi2
≤Ti
-τi
或γi2
≤Ti -1
-τi -1
)期間取得第二紅外線輻射112的數個第二測量值301，以算出代表在第二規定時間寬度γi2
期間取得之第二測量值301之第二數值
的估計，該參數從第二數值算出。
根據一具體實施例，該參數從第一數值及第二數值算出，例如從第一數值與第二數值的差算出。此補償開啟狀態相對於關閉狀態之測量值300的零點偏移(zero offset)。
根據一具體實施例，第一數值從選擇相對於此第一數值有小於規定距離的第一測量值300算出。根據一具體實施例，第二數值從選擇相對於此第二數值有小於規定距離的第二測量值301算出。以此方式，排除測量值300及301中的異常值(圖5中以十字表示)。根據一具體實施例，在統計處理應用於這些測量值時，圖5中在脈衝i期間獲取的多個測量值用來減少電子雜訊。根據一具體實施例，第一數值例如可為第一測量值300的中數、第一測量值300之平均的穩健估計或另一中心估計(非高斯分布)。根據一具體實施例，第二數值例如可為第二測量值301的中數，第二測量值301之平均的穩健估計或另一中心估計(非高斯分布)。根據一具體實施例，頻率處理(經由濾波器11)接著應用於第一數值，或應用於第一數值與第二數值的差，以排除聚合物樣本M的熱雜訊。
以下參考圖2及圖6描述判定單元2的具體實施例。
根據一具體實施例，裝置1包含萃取構件用於從接收來自紅外線檢測器(s)102的第二紅外線輻射112萃取出聚合物材料M對於由紅外線光源(s)101發射有規定波長(s)的譜線(s)及/或對於在譜線(s)左右的頻帶(s)的響應。這些萃取構件例如包含下述元件中之一或多個。
根據一具體實施例，裝置1包含至少一電路及/或濾波器11用於抑制或衰減已用紅外線檢測器102提供來自第二紅外線輻射112之一訊號中的一連續分量。溫度大於絕對零的所有物體根據溫度發射輻射，其遵循定義黑體根據波長及其絕對溫度之單色發光的蒲郎克定律。在周遭溫度，發射範圍低於長波紅光(long red wave)的範圍且人眼看不見。物件的發射率表示輻射紅外線能量的數量。用裝置1測量的物件傾向以在1至20微米之間的波長範圍發射此熱輻射。因此，被紅外線檢測器102收到的第二紅外線輻射112會包含連續分量與替代分量(響應有規定譜線(s)之第一紅外線輻射111的第二紅外線輻射112)。
根據一具體實施例，電路及/或濾波器11為至少一電路及/或裝置1的至少一高通濾波器及/或裝置1的至少一帶通濾波器。這致能只讓有用訊號的光譜通過且排除對應至光譜之連續分量的熱輻射。分解當前第二紅外線輻射112的傅立葉級數給出由代表訊號平均值之連續分量構成的光譜和振幅隨著在sin(x)/x處之頻率而有所不同的一套諧波。例如，高通濾波器可為一階(first order)濾波器。有1/(2T)的截止頻率的一階高通濾波器致能大幅地衰減連續分量，在此T為時間脈衝的重覆周期。但是復原訊號的連續分量取決於濾波器的衰減。在吾等的案例中，此問題不重要，因為可用高位脈衝與低位脈衝的差決定矩形訊號的振幅。在濾波器11的下游可裝設未圖示的放大器。可提供放大器10與高通濾波器11用於在經濾波訊號中提取由該等光源之輻射111產生的矩形訊號。
已安置驗證提議脈衝獲取架構的試驗台。在用非限定性實施例構成的單通道原型中，由發光二極體形成的光源102已用有4 kHz重覆頻率fR
及20%循環比(cyclic ratio)的矩形脈衝控制訊號控制。該台由紅外線檢測器、發光二極體及跨阻抗放大器(transimpedance amplifier)構成。目的是在光檢測器(紅外線檢測器)中產生比由溫度產生之訊號夠小的矩形訊號。使用發射矩形訊號的LED。發源於檢測器的光電流隨後送到跨阻抗放大器。測量連續分量給出約有40A的光電流，其將會對應至由熱輻射產生的訊號。然後，濾波(高通)及放大該訊號以重建由LED產生的替代分量。12dB的衰減，0.3 Hz的截止頻率，以及1pA/V的增益，致能復原比連續背景小一千倍以上的訊號(有4 kHz重覆頻率fR
及20%循環比的矩形脈衝)。此測量驗證單通道原型的脈衝架構。
因此，根據一具體實施例，本發明裝置考慮到處理熱輻射所產生的雜訊。根據一具體實施例，解決方案包括根據有振幅及規定波長和規定重覆頻率fR
的矩形訊號來發射脈衝照射，用檢測器102測量其反射的訊號會依時用傅立葉展開處理，效果是排除熱輻射的雜訊。
根據一具體實施例，裝置1包含例如帕耳帖型(Peltier type)的冷卻模組13用於冷卻紅外線檢測器(s)102及/或例如帕耳帖型用於冷卻光源(s)101的冷卻模組13’。這使光源101及檢測器102冷卻到穩定溫度。特別是，帕耳帖冷卻模組的尺寸小，使得裝置1更緊湊。
帕耳帖型的冷卻模組13、13’是由數個熱電元件(thermoelement)的堆疊製成。熱電元件由兩個半導體組件組成。在連續電流強加於帕耳帖型冷卻模組13、13’的端子時，發生熱吸收。然後，被吸收的熱傳輸到組件的熱部件(hot part)，它有從模組13、13’之一側熱傳遞到另一側的效果。
根據一具體實施例，裝置1包含恆溫器與用於自動溫度穩定化的電子單元9或溫度控制器(基於比例、積分器及差分型的調節器)，其連接至例如帕耳帖型的冷卻模組(s)13、13’用於使至少一紅外線檢測器(102)及/或至少一紅外線光源(101)保持在恆溫器所規定的溫度。例如，溫度控制器9調節LED光源101及檢測器102的溫度，通常在-30°C的給定準則左右。
單元9可為類比或數位式且嵌入系統晶片(SOC)，例如微控制器、可程式邏輯電路(現場可程式閘陣列，FPGA)，或專屬積體電路(特殊應用積體電路，ASIC)。
根據一具體實施例，裝置1包含在電路及/或濾波器11下游的放大器10用於放大經濾波訊號。此放大器10可為跨阻抗放大器。
根據一具體實施例，裝置1包含在放大器10下游的類比-數位轉換器5。提供用於控制及監視類比-數位轉換器5的電子系統。類比-數位轉換器5致能產生對應至聚合物材料M在各規定波長之反射率的數位訊號。
根據一具體實施例，裝置1包含構件107，其用於處理及儲存資料以至少從有規定波長(s)之線(s)在紅外線檢測器(s)從第二紅外線輻射112獲得之檢測訊號中的重要性，或從該紅外線檢測器(s)之響應在第二紅外線輻射112中有規定波長(s)之線(s)左右的頻帶中的重要性，判定該參數。在上述實施例中，用於處理及儲存資料的構件107從類比-數位轉換器5所提供的數位訊號(s)來判定該參數，該(等)數位訊號各自根據各自的線(s)及各自的規定波長(s)對應至此振幅。根據一具體實施例，用於處理及儲存資料的構件107可包含用傅立葉轉換處理的模組，而不是或除電路及/或濾波器11以外。再者，用於處理及儲存資料的的這些構件107可包含控制構件21用於取得如上述之測量值且用於選擇如上述之測量值。
根據一具體實施例，裝置1包含用於下載電腦程式的構件109，它可包含實施用於上述判定之嵌入演算法的軟體程式。構件107、109可包含用於此目的的電子裝載系統，例如微控制器、FPGA、ASIC等等。
根據一具體實施例，裝置1包含防護罩110用於使紅外線光源101及紅外線檢測器102面向及/或靠近聚合物材料M中必須接收第一紅外線輻射111且反射第二紅外線輻射112的區域S。根據一具體實施例，防護罩110經配置成，每次在防護罩110頂著聚合物材料M的表面200時，外部區塊1011與聚合物材料M的表面200有一距離。例如，外部區塊1011有同時朝向聚合物材料M表面200且相對於也轉向聚合物材料M表面200之防護罩110外部遠側面113縮回的外部遠側面1013。例如，第一紅外線輻射111對於待測試聚合物材料M表面200的入射角度可大於或等於10度或20度且小於或等於60或70度且可藉由使防護罩110及/或外部區塊1011頂著此表面200來保證。例如，第二紅外線輻射112對於待測試聚合物材料M表面200的反射角度可大於或等於10度或20度且小於或等於60或70度且可藉由使防護罩110及/或外部區塊1011頂著此表面200來保證。例如，紅外線光源(s)101與待測試聚合物材料M表面200的距離可大於或等於1毫米且小於或等於10厘米且可藉由使防護罩110頂著此表面200來保證。例如，紅外線檢測器(s)102與待測試聚合物材料M表面200的距離可大於或等於1毫米且小於或等於10厘米且可藉由使防護罩110頂著此表面200來保證。
根據一具體實施例，裝置1有手槍100的形狀，其包含附接至瞄準模組15的抓握手柄14，瞄準模組15在遠離手柄15之前端16包含光源101及檢測器102(及/或在光源101及檢測器102前面且靠近它的應用表面1010及防護罩110)。控制構件103例如靠近使手柄14連接至瞄準模組15的手槍100之區域17。此手柄從而也致能引進裝置1至導管中或頂著管子的內表面。當然，裝置1可採用任何其他形狀，例如筆的形狀或其類似者。
根據一具體實施例，裝置1包含資訊指示構件104，它可為視覺及/或聲音型且可為指示參數的資訊，例如存在老化示蹤劑(s)，或指示沒有老化示蹤劑(s)的資訊，及/或指示老化示蹤劑(s)之含量的資訊及/或指示聚合物材料M之鑑別的資訊。指示構件104可為或包含例如顯示螢幕104。可用指示構件104指示裝置1的其他操作特性。
根據一具體實施例，裝置1可包含控制介面105，它可不同於控制構件103且例如可為例如控制鍵盤105，其在遠離光源101及檢測器102的背面18上，例如區域17的背面18。
根據一具體實施例，裝置1包含自主電力供應構件106用於供應電力給至少包括光源101、檢測器102及單元2的上述元件。這些自主電力供應構件106例如為可拆卸或不可拆卸的蓄電池或可充電或不可充電電池。根據一具體實施例，裝置1為可攜式。
根據一具體實施例，裝置1包含通訊構件108用於對外傳輸指示參數的資訊，它可為指示存在老化示蹤劑(s)的資訊，或指示沒有老化示蹤劑(s)的資訊，及/或指示老化示蹤劑(s)之含量的資訊及/或指示聚合物材料M之鑑別的資訊。通訊構件108可為朝向遠端單元或遠端平台的上行及/或下行通訊，例如行動終端機(行動電話或其他)、伺服器或其類似者。
根據一具體實施例，裝置1的單元2包含一或多個微控制器、FPGA、ASIC 19用於控制上述不同元件。 例如，微控制器19繼續以下的時序： A-藉由按下觸發器103的測量順序， B-光源101及檢測器102的溫度設定點控制， C-用於送出光源101之ON/OFF脈衝的控制， D-用於接收及儲存來自轉換器5之測量值的控制， E-在回到步驟C後用於抑制由光源101之周遭溫度引起之雜訊的傅立葉頻率處理控制(用於進行步驟C、D、E等等)，
F-一旦接收所有光源101的訊號：送出測量值(例如，4個光源的4個測量值)給處理模組107用於把測量值轉換成特徵化老化或聚合物材料的相關資料。
例如，為了取得一系列的測量值，藉由施加防護罩110以安置及楔入頂著待測試材料M之表面200的手槍100，將裝置1或手槍100放在聚合物材料M的牆上。接下來，根據固定不變的協定，按下控制構件103或觸發器103。這使得有可能做數個照射且繼續用構件107處理及儲存資料，該等測量值先前已顯示於有使測量生效或不生效之視覺或聲音指示器的控制螢幕104上。
配有裝置1的操作員在不同的處所可輕易迅速地取得材料的參數測量值。例如，它可導致在核能電廠之反應器建築物內的控制活動。不同的聚合物材料M可用同一個設備1控制。裝置1上可現場即時顯示測量的結果及/或老化或鑑別的診斷。該測量裝置刪除測量聚合物材料之反射率或吸光度特徵的光譜且不需要使用光譜儀，特別是FTIR或濾波器型的光譜儀。該測量裝置不需要光學濾波器及機械系統用於從一波長切換到另一個波長。這致能生產可攜式裝置，重量輕且便於引進用來取得例如管路內的測量值。該測量裝置不需要機械轉換部件且不需要隔離腔室。
1‧‧‧可攜式裝置2‧‧‧判定單元5‧‧‧類比-數位轉換器9‧‧‧電子單元10‧‧‧放大器11‧‧‧濾波器或電路或濾波單元12‧‧‧控制模組13、13'‧‧‧冷卻模組14‧‧‧抓握手柄15‧‧‧瞄準模組16‧‧‧前端17‧‧‧區域18‧‧‧背面19‧‧‧微控制器、FPGA、ASIC21‧‧‧控制構件100‧‧‧手槍101‧‧‧(紅外線)光源1010‧‧‧(應用)表面1011‧‧‧外部區塊1013‧‧‧外部遠側面1014‧‧‧薄容積102‧‧‧紅外線檢測器103‧‧‧手動控制構件104‧‧‧控制螢幕105‧‧‧控制介面106‧‧‧自主電力供應構件107‧‧‧構件108‧‧‧通訊構件109‧‧‧構件110‧‧‧防護罩111、112‧‧‧第一、第二紅外線輻射113‧‧‧外部遠側面200‧‧‧表面300‧‧‧第一測量值301‧‧‧第二測量值B1至B6…光譜區fR‧‧‧規定重覆頻率M‧‧‧聚合物材料P、P1至P6‧‧‧峰值或關注峰值R1至R6‧‧‧線S‧‧‧區域
閱讀參考附圖只用非限定性實施例舉例說明的以下說明會更加明白本發明，其中： 圖1-a根據本發明之一具體實施例圖示估計裝置的一般方塊圖， 圖1-b根據本發明之一具體實施例圖示估計裝置之一部份， 圖2的方塊圖根據本發明之一具體實施例圖示用於獲取估計裝置之測量值的部件， 圖3以波長之倒數為橫座標圖示聚合物之紅外線光譜反射率的變化， 圖4根據本發明之一具體實施例圖示用於控制估計裝置之紅外線光源之訊號的計時圖， 圖5根據本發明之一具體實施例圖示由估計裝置之紅外線檢測器取得之測量值的計時圖， 圖6根據本發明之一具體實施例圖示估計裝置的方塊圖。
1‧‧‧可攜式裝置
14‧‧‧抓握手柄
15‧‧‧瞄準模組
16‧‧‧前端
17‧‧‧區域
18‧‧‧背面
100‧‧‧手槍
101‧‧‧(紅外線)光源
1010‧‧‧(應用)表面
1011‧‧‧外部區塊
1013‧‧‧外部遠側面
102‧‧‧紅外線檢測器
103‧‧‧手動控制構件
104‧‧‧控制螢幕
105‧‧‧控制介面
106‧‧‧自主電力供應構件
107‧‧‧構件
108‧‧‧通訊構件
109‧‧‧構件
110‧‧‧防護罩
111、112‧‧‧第一、第二紅外線輻射
113‧‧‧外部遠側面
200‧‧‧表面
M‧‧‧聚合物材料
Claims (23)
- 一種用於估計聚合物材料之至少一參數特性的可攜式裝置，其特徵在於該裝置包含：至少一紅外線光源，各紅外線光源能夠朝向該聚合物材料發射代表最大發射能量的一譜線，其選自10微米、9.5微米、7.2微米、6微米、3.5微米、2.7微米波長中之一者或1000cm-1、1050cm-1、1350cm-1、1700cm-1、2900cm-1、3700cm-1波數中之一者，至少一紅外線檢測器，其能夠接收譜線，該譜線響應於已被該至少一紅外線光源發射之該譜線而被該聚合物材料反射，一判定單元，其係根據出現於該譜線中的能量來判定該聚合物材料之該參數特性，該譜線響應於已被該至少一紅外線光源發射之該譜線而已被該聚合物材料反射且已被該紅外線檢測器接收，其中該至少一紅外線光源之該譜線的半高寬度小於或等於1微米，其中響應於已被該至少一紅外線光源發射之該譜線而已被該聚合物材料反射且已被該紅外線檢測器接收之該譜線的該半高寬度小於或等於1微米。
- 如請求項1之裝置，其特徵在於：該譜線為窄頻帶發射。
- 如請求項1之裝置，其特徵在於：該聚 合物材料之該參數特性為至少一老化示蹤劑在該聚合物材料中的存在及/或含量。
- 如請求項1之裝置，其特徵在於：該聚合物材料之該參數特性為該聚合物的一鑑別。
- 如請求項1之裝置，其特徵在於：各紅外線光源能夠朝向該聚合物材料以一或多個時間脈衝的形式發射該譜線。
- 如請求項5之裝置，其特徵在於：該(等)時間脈衝為矩形。
- 如請求項5或6之裝置，其特徵在於：數個控制構件被提供俾用於與該(等)時間脈衝同步地起動該至少一紅外線檢測器。
- 如請求項5或6之裝置，其特徵在於：該裝置包含一控制構件，其用於在一第一規定時間寬度期間取得該譜線的數個第一測量值，以算出代表該等第一測量值之一第一數值的估計，該第一規定時間寬度包含於或等於該等脈衝中之至少一者之一個別時間寬度，該譜線響應於已被該至少一紅外線光源發射之該譜線而已被該聚合物材料反射，該參數至少從該第一數值算出。
- 如請求項8之裝置，其特徵在於：該裝置包含一控制構件，其用於在一第二規定時間寬度期間取得該譜線的數個第二測量值，以算出代表該等第二測量值之一第二數值的估計，該第二規定時間寬度包含於或等於在兩個相繼脈衝之間之一個別時間寬度，該譜線響應於已 被該至少一紅外線光源發射之該譜線而已被該聚合物材料反射，該參數至少從該第一數值與該第二數值的差來算出。
- 如請求項1至6中之任一項的裝置，其特徵在於：該裝置進一步包含至少一手動控制構件，其用於觸發由該至少一紅外線光源發射該譜線。
- 如請求項1至6中之任一項的裝置，其特徵在於：該至少一紅外線光源為至少一紅外線發光二極體或至少一雷射光源。
- 如請求項1至6中之任一項的裝置，其特徵在於：該至少一紅外線檢測器為光二極體或光導體型且能夠根據它所接收的作為響應於已被該至少一紅外線光源發射之該譜線而已被該聚合物材料反射之該譜線來產生一電氣光電流。
- 如請求項1至6中之任一項的裝置，其特徵在於：提供作為紅外線光源的至少兩個紅外線光源，彼等能夠各自朝向該聚合物材料發射各自代表一最大發射能量的兩條不同譜線，該等譜線各自選自10微米、9.5微米、7.2微米、6微米、3.5微米、2.7微米波長中之兩個不同者或1000cm-1、1050cm-1、1350cm-1、1700cm-1、2900cm-1、3700cm-1波數中之兩個不同者。
- 如請求項1至6中之任一項的裝置，其特徵在於：用於判定該聚合物材料之該參數特性的該單元包含至少一濾波器或電路或濾波單元，其用於抑制或衰減由該紅外線檢測器提供來自作為響應於已被該至少一紅外 線光源發射之該譜線而已被該聚合物材料反射之該譜線之一訊號中的一連續分量。
- 如請求項14之裝置，其特徵在於：用於判定該聚合物材料之該參數特性的該單元包含用於放大在該濾波器或電路或濾波單元下游之經濾波訊號的一放大器，在該放大器下游的一類比-數位轉換器，以及用於處理及儲存資料的構件，以從由該類比-數位轉換器提供的該(等)數位訊號來判定該聚合物材料之該參數特性。
- 如請求項1至6中之任一項的裝置，其特徵在於：該判定單元經組配為可至少根據一檢測訊號的振幅來算出該聚合物材料之該參數特性，該檢測訊號係從該紅外線檢測器與從作為響應於已被該至少一紅外線光源發射之該譜線而已被該聚合物材料反射且被該紅外線檢測器接收的該譜線來獲得。
- 如請求項1至6中之任一項的裝置，其特徵在於：該判定單元經組配為可根據一檢測訊號之振幅來算出該聚合物材料之該參數特性，該檢測訊號係從該紅外線檢測器與從作為響應於已被該至少一紅外線光源發射之該譜線而已被該聚合物材料反射且被該紅外線檢測器接收的該譜線來獲得，該振幅相對於用來控制該至少一紅外線光源以發射該至少一譜線的一發射訊號之振幅。
- 如請求項1至6中之任一項的裝置，其特徵在於：該裝置包含用於冷卻該至少一紅外線檢測器的一冷卻模組及/或用於冷卻該至少一紅外線光源的一冷卻 模組。
- 如請求項18之裝置，其特徵在於：該裝置包含一恆溫器與連接至該冷卻模組用於自動溫度穩定化的一電子單元，其用於使該至少一紅外線檢測器及/或該至少一紅外線光源維持在由該恆溫器規定的一溫度。
- 如請求項1至6中之任一項的裝置，其特徵在於：該裝置有一手槍的形狀，其包含附接至一瞄準模組的一抓握手柄，該瞄準模組在遠離該手柄的一前端包含該至少一紅外線光源與該至少一紅外線檢測器，該手槍包含至少一手動控制構件用於觸發由該至少一紅外線光源發射該至少一譜線，其中，該手動控制構件位在該手槍中使該手柄連接至該瞄準模組的一區域附近。
- 如請求項1至6中之任一項的裝置，其特徵在於：該至少一光源及/或該至少一紅外線檢測器被至少一外部區塊覆蓋，該至少一光源能夠發射該至少一譜線且該至少一紅外線檢測器能夠通過該外部區塊來接收作為響應於已被該至少一紅外線光源發射之該譜線而已被該聚合物材料反射之該譜線，該外部區塊對於該譜線呈透明且轉向該聚合物材料。
- 如請求項21之裝置，其特徵在於：該裝置包含頂靠著該聚合物材料的一支撐防護罩，該外部區塊有一外部遠側面，其同時定向朝該聚合物材料且其相對於該防護罩之一外部遠側面呈縮回，也轉向 該聚合物材料之表面。
- 一種用於估計聚合物材料之至少一參數特性的方法，其特徵在於：用至少一紅外線光源朝向該聚合物材料發射代表最大發射能量的至少一發射譜線，其選自10微米、9.5微米、7.2微米、6微米、3.5微米、2.7微米波長中之至少一者或1000cm-1、1050cm-1、1350cm-1、1700cm-1、2900cm-1、3700cm-1波數中之一者，用至少一紅外線檢測器來接收譜線，該譜線響應於已被該至少一紅外線光源發射之該譜線而被該聚合物材料反射，用一判定單元以根據出現於該至少一譜線中的能量來判定該聚合物材料之該參數特性，該至少一譜線響應於已被該至少一紅外線光源發射之該譜線而已被該聚合物材料反射且已被該紅外線檢測器接收，其中該至少一紅外線光源之該譜線的半高寬度小於或等於1微米，其中響應於已被該至少一紅外線光源發射之該譜線而已被該聚合物材料反射且已被該紅外線檢測器接收之該譜線的該半高寬度小於或等於1微米。
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