TWI781635B - 固態金屬有機源的集中供給系統 - Google Patents
固態金屬有機源的集中供給系統 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI781635B TWI781635B TW110118978A TW110118978A TWI781635B TW I781635 B TWI781635 B TW I781635B TW 110118978 A TW110118978 A TW 110118978A TW 110118978 A TW110118978 A TW 110118978A TW I781635 B TWI781635 B TW I781635B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- transmission pipeline
- solid metal
- organic
- storage tank
- sources
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
本發明係關於一種固態金屬有機源的集中供給系統,應用於金屬有機化學氣相沉積和原子層沉積製程設備,所述集中供給系統包括儲罐、固態金屬有機源、加熱系統、載氣供應源、壓縮機、第一傳輸管道至第五傳輸管道、複數個閥門及一個或複數個金屬有機化學氣相沉積或原子層沉積製程設備。本發明之系統可避免使用鋼瓶儲存固態金屬有機源的缺點,解決固態有機金屬源使用中蒸氣壓不穩定的問題。
Description
本申請主張2020年9月8日提交的中國申請案號202010934991.6的優先權之利益。藉由引用將上述申請案的全部內容併入本文中。
本發明涉及一種應用於有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)或原子層沉積(ALD)技術的供給系統,更具體而言,涉及在一種因應有機金屬氣相沉積技術之製程設備的固態金屬有機源的集中供給系統。
目前,化合物半導體(涵蓋LED、太陽能、光通信、功率器件以及射頻微波器件等)產業處於快速發展階段,外延晶片需求量成倍數增長。
隨著超大規模積體電路的廣泛應用,28nm以下製程已經成為主流,製程中原子層沉積(ALD)技術被廣泛地採用,而原子層沉積設備大量地使用固態的金屬有機源,主要有鉭、鎢、鈷、鋯、鉿以及衆多其它過渡金屬元素的有機源。
由於設備及製程條件,固態金屬有機源(簡稱MO源)在運輸、儲存及使用過程中容易受到環境、溫度等影響產生結塊(板結)、溝流等。造
成蒸氣壓不穩定,使得晶片良率下降;固態MO源很難像液態MO源那樣有著很高的使用效率,即使在藉由特殊設計的包裝容器(316L不銹鋼鋼瓶)下也是如此。
MO源為高純度金屬有機化合物,或稱作化合物半導體微結構材料,是先進的金屬有機化學氣相沉積(簡稱MOCVD)、金屬有機分子束外延(簡稱MOMBE)和原子層沉積(ALD)等技術生長半導體微結構材料的支撑材料,其優異的電學、光學和磁學等性能,可將半導體和積體電路推向更高的頻率、更快的速度、更低的噪音和更大的功率。
因此,MO源的集中供應,對於半導體產業發展具有重要的意義(在半導體IC晶片CVD製程中對於使用量大的金屬有機源就有採用集中供給的例子,如四乙氧基矽TEOS等)。因此,針對上述問題,有必要提出較佳地解決方案。
針對習知技術的缺陷,本發明要解決的問題主要為以下兩點:
(1)使用量較大的MO源,以三甲基銦為代表,它作為主要的MO源,在其工作容器(鋼瓶)的設計上,各供應商為其付出了很大的成本,設計製造了多種(數代產品)旨在穩定其蒸氣壓、提高使用效率的鋼瓶。這些設計本質上是為了讓載氣藉由固態MO源的路徑更長以達到飽和蒸氣壓的目的,如:多腔(體)鋼瓶以及鋼瓶的串聯使用;還有就是防止固態MO源板結在使用時形成溝流而在鋼瓶裡加入各種類型的填充料等等,這樣無疑給MO源供應商在裝瓶
上帶來的很多麻煩,增加了裝瓶時間,對產品質量(造成水、氧指標超標)造成潛在的風險。但還是無法從根本上改變固態MO源的自身特點,鋼瓶的造價越來越高,且原先的鋼瓶只能作為廢棄物處置,造成資源的極大浪費和生產成本的提高。
(2)使用量很小的MO源:
A.以二茂鎂(雙環戊二烯鎂)為代表,由於該摻雜源在使用過程中用量很少(摻雜濃度為10-1X),長期以來幾乎沒有供應商投入精力去研究其包裝容器(鋼瓶),一瓶二茂鎂在MOCVD機台上可以用上好幾年,被工程師稱之為“萬年鍋”,目前國內外各家供應商均提供200mL的鋼瓶作為工作鋼瓶,內裝50克二茂鎂(歐美等國都使用100克),在使用一段時間後不可避免地出現固體板結、溝流、造成蒸氣壓下降,摻雜溶度不夠的現象。
由於工程師們意識到時間用久後會出現的問題,開始制定一年不管出不出現問題都必須進行更換,這樣就造成大多數的二茂鎂殘留,退回廠家。這種情形下工程師們提出減少裝瓶量,從原來的50克減少的25~30克,這樣一來就出現裝瓶高度降低一半,造成蒸氣壓不穩定的問題。
近幾年由於MOCVD機台的大型化,各家都推出了4”的32片機,相當於2吋128片,各種金屬有機化合物源(MO源)的用量加大,因此由於為節省成本減少裝瓶量也更造成了蒸氣壓下降和不穩定。
B.ALD技術中所用的固態有機金屬源大都價格昂貴,使用量很少,品種較多,基本上都為每瓶200克及以下包裝,且各種源之間的包裝容器(鋼瓶)也不盡相同。儘管這樣還是幾乎所有的固態源都是在很多剩餘量的情况下被退回供應商,造成浪費。
本發明主要是為了解決固態金屬有機源在使用過程中由於各種原因易出現各種蒸氣壓不穩定的問題,即採用將固態金屬有機源與惰性氣體配製成一定濃度的標準氣體。這樣便可使多台設備同時使用,實現集中供給。
在製備混合氣體這一步,可以是在現場進行,如針對三甲基銦TMIn這樣的使用量比較大的固態金屬有機源;也可以是在生產廠家預先製備好的高壓混合氣體鋼瓶,如44L鋼瓶,同樣達到多機台同時使用的目的,客戶使用也更加便利。
本發明的目的並不限定於以上所述的技術問題,藉由下述的記載,本領域所屬技術人員可以明確地理解到未提及或者其他的目的。
本發明在充分瞭解上述問題後,提出了將固態MO源用工作惰性氣體(通常為氫氣和氮氣)配置成一定濃度的標準氣體,直接在MOCVD或ALD機台用於各種各類外延(磊晶)或薄膜生長,從而可以解決固態MO源的集中供給以及固態MO源在使用中出現的種種問題。
以往這種配製混合氣體的方式被主要應用於氣態或者是液態的摻雜或半導體上離子注入用的MO源,例如:Ⅲ-V族化合物半導體中的N型摻雜用的氣態的SiH4(矽烷)和氫氣的混合氣體,液態的DETe或DiPTe(二乙基碲或二異丙基碲)和氫氣的混合氣體200ppm(0.02%),AsH3(砷烷)與氫氣的混合氣體等。
為了達到上述目的,本發明所採用的技術方案是:
一種固態金屬有機源的集中供給系統,其結構特點是,包括儲罐、固態金屬有機源、加熱系統、載氣供應源、壓縮機、第一傳輸管道、第二傳輸管道、複數個第三傳輸管道、第四傳輸管道、第五傳輸管道、複數個閥門
及一個或複數個金屬有機化學氣相沉積或原子層沉積製程設備;所述儲罐用以將預先混合供有機化學氣相沉積製程的混合氣體儲存至其中,並與所述第一傳輸管道及所述第二傳輸管道連接,所述第一傳輸管道末端分支為複數個所述第三傳輸管道,複數個所述第三傳輸管道用於連接一個或複數個所述金屬有機化學氣相沉積或原子層沉積製程設備,所述第二傳輸管道連接所述壓縮機;所述固態金屬有機源置於所述加熱系統中,藉由加熱使所述固態金屬有機源汽化,所述加熱系統藉由所述第四傳輸管道與所述壓縮機連接;所述載氣供應源藉由所述第五傳輸管道與所述加熱系統連接,其可提供惰性氣體至所述加熱系統中,使所述惰性氣體作為所述固態金屬有機源的載體形成所述混合氣體;所述壓縮機將所述混合氣體壓縮後藉由所述第二傳輸管道送至所述儲罐中進行儲存,所述儲罐的容積可以為44L高壓氣體鋼瓶或200~1000L氣體儲罐。複數個所述閥門設置於所述第一傳輸管道、所述第二傳輸管道及所述第五傳輸管道上,其用於打開或關閉相應所述氣體,當不需使用時,將所述第一傳輸管道、所述第二傳輸管道和第五傳輸管道上任意一個或幾個閥門關閉,使所述混合氣體儲存於所述儲罐以備用。
所述固態金屬有機源可包括以下任一者:
用於金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程設備的固態金屬有機化合物:三甲基銦TMIn、二茂鎂Cp2Mg、四溴化碳CBr4等。
用於原子層沉積(ALD)製程設備的固態金屬有機化合物:五(四二甲胺基)鉭PDMAT、第三丁基乙炔六羰基二鈷CCTBA、四(乙基甲基胺)鉿(鋯)TEMAHf(Zr)以及其它固態金屬有機源,如:鎢、鉬、釕、鍶、鈦、鋯、鉿、鈷、鎳、鈧及稀土等。
本發明也可應用於液態金屬有機源。
所述惰性氣體包括以下任一者:氫氣、氮氣、氬氣。
較佳地,所述第一傳輸管道管末端分支的複數個所述第三傳輸管道為並聯分支。
較佳地,所述儲罐還包括:壓力計;所述壓力計用於測量所述儲罐中的壓力,判斷儲罐中混合氣體的總量,用以啟動或停止混合氣體的製備和壓縮機的工作。
較佳地,所述閥門皆以自動控制模組連接;所述自動控制模組用於自動開關所述閥門。
較佳地,所述壓力計還包括:顯示面板控制單元;所述顯示面板控制單元用於顯示所述壓力計的數值,並與所述加熱系統、所述載氣供應源、所述壓縮機以及所述自動控制模組連動以控制其運作。
使用上述固態金屬有機源的集中供給系統,具有以下特點:
(1)現在的MOCVD機台正朝著大型化方向發展,MO源的用量也隨之大幅度增加,這樣勢必需要增加MOCVD機台內部的MO源(包括恒溫設備)的容置空間,使得機台更加龐大。採用此系統後使得機台變得更加緊凑,不必考慮很大的容置空間來放置各種MO源及恒溫設備。
(2)無需擔心蒸氣壓的穩定與否,使得MO源的使用和特種氣體一樣只需考慮其流量而不用再像過去那樣需要查看恒溫設備的溫度等(由於蒸氣壓是溫度的函數logP=A+B/T,P為壓力、T為溫度、A及B為常數),減少設備投入,降低能耗,從而降低生產成本。
(3)對於MO源供應商來說,節省了大量的鋼瓶製作費用,針對現在不斷推出的大型機台,用戶在使用固態MO源(如:三甲基銦和二茂鎂)時,為了達到穩定蒸氣壓的目的需要掛4只鋼瓶(兩瓶串聯後再並聯使用),而對於MO源供應商來講,通常需要有銷售量2.5~3倍的鋼瓶進行周轉,鋼瓶作為固定資產所占的成本非常大。
(4)可以實現多機台使用一套固態金屬有機源的集中供給系統,類似於現在使用的載氣(氫氣和氮氣)、高純氨氣、矽烷、砷烷、磷烷等。
(5)大大降低安全風險,通常在MO源使用完後或者由於蒸氣壓不穩必須進行鋼瓶的更換,目前MOCVD機台上主要使用的MO源有:三甲基鎵、三甲基銦、三乙基鎵、三甲基鋁、二茂鎂,且每個品種的MO源會掛兩到四瓶不等,由於這些MO源均屬四類危險品,具有很高的化學活性,遇水爆炸、遇空氣燃燒。更換鋼瓶時有發生由於操作失誤造成小範圍冒煙、起火甚至發生爆炸的情况。因此有些國家如日本、美國加州都有在一個車間裡最多允許放置的MO源的總量限制。採用MO源的集中供給方式(液態MO源的中央供給系統我們已有授權的專利,也有其它的專利可以參考和借鑒),可以將大量的MO源與MOCVD機台分離,安放在廠務系統統一設置的氣櫃裡,將會帶來革命性變化,大大降低安全隱患。
此外,本發明也可應用於液態金屬有機源尤其是用量很少的液態摻雜源,如四氯化碳CCl4、二乙基碲DETe或二異丙基碲DiPTe、三甲基銻TMSb或三乙基銻TESb、二甲基鋅DMZn或二乙基鋅DEZn等。
本發明對於用量較大的固態金屬有機源採用現場製備混氣集中供給方式,而對於摻雜源及ALD製程上用量很少的金屬有機源可採用在工廠製成標準混合氣體罐裝在常用的44L的標準高壓氣體鋼瓶中,方便客戶使用。
1:儲罐
2:固態金屬有機源
3:加熱系統
4:載氣供應源
5:壓縮機
6:第一傳輸管道
7:第二傳輸管道
8:第三傳輸管道
9:第四傳輸管道
10:第五傳輸管道
11:閥門
12:金屬有機化學氣相沉積製程設備
13:原子層沉積製程設備
14:壓力計
15:自動控制模組
16:顯示面板控制單元
100:固態金屬有機源的集中供給系統
第1圖及第2圖係為根據本發明提供的一種固態金屬有機源的集中供給系統的概略結構圖;第3圖係為根據本發明提供的一種固態金屬有機源的集中供給系統中,於儲罐上設置壓力計的概略結構圖;第4圖及第5圖係為根據本發明提供的一種固態金屬有機源的集中供給系統中,於閥門上設置自動控制模組,以及於壓力計上設置顯示面板控制單元的概略結構圖。
以下,參照附圖來詳細說明本發明的較佳實施例。本發明的優點和特徵以及實現它們的方法可藉由附圖和後面詳細說明的實施例來予以明確。但是,本發明並不侷限於下面記載的實施例,可以藉由互不相同的各種形態得以實現,本實施例僅用於使本發明能被充分公開,供本發明所屬技術領域的具有一般知識的人員能夠完全理解發明的範疇,本發明的範圍藉由本發明的申請專利範圍予以確定。在整個說明書中,相同的附圖標記代表相同的構成要素。
如果沒有進行特殊的定義,本說明書中使用的所有術語(包括技術及科學術語)可以作為本發明所屬技術領域的具有一般知識的人員能夠共同理解的意思來使用。並且,通常使用的在辭典中有定義的術語,在沒有進行明確的特殊定義的情况下,不會進行異常或過度解釋。
如第1圖及第2圖所示,本發明提供一種固態金屬有機源的集中供給系統100,其包括儲罐1、固態金屬有機源2、加熱系統3、載氣供應源4、壓縮
機5、第一傳輸管道6、第二傳輸管道7、複數個第三傳輸管道8、第四傳輸管道9、第五傳輸管道10、複數個閥門11及複數個金屬有機化學氣相沉積製程設備12或原子層沉積製程設備13;第1圖及第2圖中僅例示性示出3個金屬有機化學氣相沉積製程設備12或原子層沉積製程設備13,其金屬有機化學氣相沉積製程設備12或原子層沉積製程設備13可為至少1個以上,如2個、3個、4個或更多,特此說明。
所述儲罐1用以將預先混合供有機化學氣相沉積製程的混合氣體儲存至其中,並與所述第一傳輸管道6及所述第二傳輸管道7連接,所述第一傳輸管道6末端分支為複數個所述第三傳輸管道8,複數個所述第三傳輸管道8用於連接複數個所述金屬有機化學氣相沉積製程設備12,所述第二傳輸管道7連接所述壓縮機5;所述固態金屬有機源2置於所述加熱系統3中,藉由加熱使所述固態金屬有機源2汽化,所述加熱系統3藉由所述第四傳輸管道9與所述壓縮機5連接;所述載氣供應源4藉由所述第五傳輸管道10與所述加熱系統3連接,其可提供惰性氣體至所述加熱系統3中,使所述惰性氣體作為所述固態金屬有機源2的載體形成所述混合氣體;所述壓縮機5將所述混合氣體壓縮後藉由所述第二傳輸管道7送至所述儲罐1中進行儲存,所述儲罐1的容積可為44L高壓氣體鋼瓶或200~1000L的氣體儲罐;複數個所述閥門11設置於所述第一傳輸管道6、所述第二傳輸管道7及所述第五傳輸管道10上,其用於打開或關閉相應的所述氣體,當不需使用時,將所述第一傳輸管道6、所述第二傳輸管道7或所述第五傳輸管道10的閥門11全部或任意幾個關閉,使所述混合氣體儲存於所述儲罐1以備用,複數個所述第三傳輸管道8連接一個或複數個所述金屬有機化學氣相沉積製程設備12或原子層沉積製程設備13,所述金屬有機化學氣相沉積製程設備12或原子層沉積製程設備13可根據製程要求設置位於機台上的質量流量計(MFC)至所需值進行相應製程。
所述第一傳輸管道6管末端分支的複數個所述第三傳輸管道8為並聯分支,使用並聯分支的方式可同時提供所述混合氣體至一個或複數個所述金屬有機化學氣相沉積製程設備12或原子層沉積製程設備13進行相應製程,達到集中供給所述混合氣體的目的,達到靈活運用所述固態金屬有機源的集中供給系統100。
所述固態金屬有機源2可選用常見用於金屬有機化學氣相沉積製程的金屬有機化合物作為其來源,如三甲基銦TMIn、二茂鎂Cp2Mg、四溴化碳CBr4等。而常見用於原子層沉積(ALD)製程設備的固態金屬有機化合物可選用如五(四二甲胺基)鉭PDMAT、第三丁基乙炔六羰基二鈷CCTBA、四(乙基甲基胺)鉿(鋯)TEMAHf(Zr)等。或可選用其他用於金屬有機化學氣相沉積製程的固態金屬有機源,如鎢、鉬、釕、鍶、鈦、鋯、鉿、鈷、鎳、鈧及稀土等,並不以此為限。
作為固態金屬有機源2的載體的惰性氣體,可選用常見用於金屬有機化學氣相沉積或原子層沉積製程的惰性氣體,如氫氣、氮氣、氬氣中任一者,或可選用其他用於金屬有機化學氣相沉積或原子層沉積製程的惰性氣體作為固態金屬有機源載氣,並不以此為限。
如第3圖所示,在所述固態金屬有機源的集中供給系統100的儲罐1頂端,較佳地包括壓力計14;所述壓力計14可測量所述儲罐1中的壓力,以判斷所述混合氣體的總量,當所述金屬有機化學氣相沉積製程設備12或原子層沉積製程設備13工作後,因使用所述混合氣體而使儲罐1的壓力減小時,可由壓力計13的數值來判斷儲罐1中的壓力是否低於預設壓力;如低於預設壓力時,即打開所述第五傳輸管道10和所述第二傳輸管道7上的閥門11,所述載氣供應源4藉由所述第五傳輸管道10將所述惰性氣體送至所述加熱系統3中,所述加熱系統3將所述固態金屬有機源2加熱汽化後,與作為載氣的所述惰性氣體混合形成所述
混合氣體後,藉由所述第四傳輸管道9將所述混合氣體送至壓縮機5中進行壓縮,再藉由所述第二傳輸管道7送至儲罐1中;查看壓力計14查看儲罐1中的壓力是否達到所述預設壓力,當達到預設壓力時,即停止製造所述混合氣體,並關閉所述第二傳輸管道7的閥門11,儲存所述混合氣體於儲罐1中。
如第4圖及第5圖所示,在所述固態金屬有機源的集中供給系統100的閥門11上,可較佳地包括用以連接各所述閥門11的自動控制模組15;所述自動控制模組15用於自動開啟與閉合所述閥門。
較佳地,所述壓力計14還包括顯示面板控制單元16,所述顯示面板控制單元16用於顯示所述壓力計14的數值,並與所述加熱系統3、所述載氣供應源4、所述壓縮機5以及所述自動控制模組15連動;操作人員可直接由所述顯示面板控制單元16查看所述儲罐1中所述混合氣體之總量,當所述儲罐1中的壓力低於預設壓力時,操作人員即可直接操作所述顯示面板控制單元16,使所述加熱系統3、所述載氣供應源4、所述壓縮機5以及所述自動控制模組15運作,以填充所述混合氣體至所述儲罐1中。當達到預設壓力時,所述顯示面板控制單元16即顯示已達到預設壓力,操作人員即可控制所述顯示面板控制單元16使所述加熱系統3、所述載氣供應源4、所述壓縮機5以及所述自動控制模組15停止運作,可使填充所述混合氣體至儲罐1的操作步驟更為簡單方便。
或更佳地,安裝自動控制程序至所述顯示面板控制單元16中,使填充所述混合氣體至所述儲罐1中的操作步驟自動化。填充所述混合氣體至所述儲罐1全程由所述自動控制程序控制,不需操作人員進行控制,操作人員僅需查看所述顯示面板控制單元16顯示所述儲罐1中混合氣體的壓力數值即可,更精簡化填充所述混合氣體至所述儲罐1的操作步驟。
綜上所述,本發明的固態金屬有機源的集中供給系統100,具有整體結構簡單,製造、安裝或運輸均方便等優點。此外,本發明的關鍵特點在
於,本發明可在不改變原有金屬有機化學氣相沉積製程設備任何使用習慣的前提下,藉由本發明設計的系統,不須另外對使用者的金屬有機化學氣相沉積或原子層沉積製程設備及工作環境進行其他任何改造,由於系統提供標準金屬有機源混合氣體,沒有以往使用固態源時蒸氣壓不穩定造成產品良率下降甚至報廢的煩惱,可實現長時間不需更換金屬有機源的目的,進而減少因更換用完的金屬有機源鋼瓶而產生的非生產時間,提高了生產效率,降低生產成本;再者,由於本發明的固態金屬有機源的集中供給系統100可以一對多的方式進行供給,可提供更廣泛的應用性。
本領域的普通技術人員將理解,在不脫離由申請專利範圍限定的發明構思的精神和範圍的情况下,可對上述實施例進行形式和細節上的各種改變。例示性實施例應被視為僅是說明的意義,而不是為了限制的目的。因此,發明構思的範圍不是由例示性實施例的詳細描述來限定,而是由申請專利範圍來限定,並且在所述範圍內的所有差別將被解釋為包括在本發明構思中。
1:儲罐
2:固態金屬有機源
3:加熱系統
4:載氣供應源
5:壓縮機
6:第一傳輸管道
7:第二傳輸管道
8:第三傳輸管道
9:第四傳輸管道
10:第五傳輸管道
11:閥門
12:金屬有機化學氣相沉積製程設備
100:固態金屬有機源的集中供給系統
Claims (9)
- 一種固態金屬有機源的集中供給系統,其包括:一儲罐、一固態金屬有機源、一加熱系統、一載氣供應源、一壓縮機、一第一傳輸管道、一第二傳輸管道、複數個第三傳輸管道、一第四傳輸管道、一第五傳輸管道、複數個閥門,以及一個或複數個金屬有機化學氣相沉積設備或原子層沉積製程設備;該儲罐用以將預先混合供有機化學氣相沉積製程的一混合氣體儲存至其中,且該儲罐的容積為44公升高壓氣體鋼瓶或200公升~1000公升氣體儲罐,並與該第一傳輸管道及該第二傳輸管道連接,該第一傳輸管道末端分支為複數個該第三傳輸管道,複數個該第三傳輸管道用於連接一個或複數個該金屬有機化學氣相沉積設備或原子層沉積製程設備,該第二傳輸管道連接該壓縮機;該固態金屬有機源置於該加熱系統中,藉由加熱使該固態金屬有機源汽化,該加熱系統藉由該第四傳輸管道與該壓縮機連接;該載氣供應源藉由該第五傳輸管道與該加熱系統連接,其可提供一惰性氣體至該加熱系統中,使該惰性氣體作為該固態金屬有機源的載體形成該混合氣體;該壓縮機將該混合氣體壓縮後藉由該第二傳輸管道送至該儲罐中進行儲存;複數個該閥門設置於該第一傳輸管道、該第二傳輸管道及該第五傳輸管道上,其用於打開或關閉相應氣體,當不需使用時, 將該第一傳輸管道、該第二傳輸管道和該第五傳輸管道上任意一個或複數個該閥門關閉,使該混合氣體儲存於該儲罐以備用。
- 如請求項1所述的固態金屬有機源的集中供給系統,其中該第一傳輸管道管末端分支的複數個該第三傳輸管道為並聯分支。
- 如請求項1或請求項2所述的固態金屬有機源的集中供給系統,其中該儲罐還包括一壓力計;該壓力計用於測量該儲罐中的壓力,以判斷該混合氣體總量。
- 如請求項1或請求項2所述的固態金屬有機源的集中供給系統,其中該閥門皆以一自動控制模組連接;該自動控制模組用於自動打開或關閉各個閥門,以控制各氣體的流出。
- 如請求項4所述的固態金屬有機源的集中供給系統,其中該壓力計還包括一顯示面板控制單元;該顯示面板控制單元用於顯示該壓力計的數值,並與該加熱系統、該載氣供應源、該壓縮機以及該自動控制模組連動以控制其運作。
- 如請求項1所述的固態金屬有機源的集中供給系統,其中該固態金屬有機源中:用於該金屬有機化學氣相沉積製程設備的固態金屬有機化合物包括以下任一者:三甲基銦TMIn、二茂鎂Cp2Mg、四溴化碳CBr4; 用於該原子層沉積製程設備的固態金屬有機化合物包括以下任一者:五(四二甲胺基)鉭PDMAT、第三丁基乙炔六羰基二鈷CCTBA、四(乙基甲基胺)鉿(鋯)TEMAHf(Zr)。
- 如請求項1所述的固態金屬有機源的集中供給系統,其中該固態金屬有機源包括稀土。
- 如請求項1所述的固態金屬有機源的集中供給系統,其中該固態金屬有機源包括以下任一者:鎢、鉬、釕、鍶、鈦、鋯、鉿、鈷、鎳、鈧。
- 如請求項1所述的固態金屬有機源的集中供給系統,其中該惰性氣體包括以下任一者:氫氣、氮氣、氬氣。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010934991.6A CN114150294A (zh) | 2020-09-08 | 2020-09-08 | 固态金属有机源的集中供给系统 |
CN202010934991.6 | 2020-09-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202211304A TW202211304A (zh) | 2022-03-16 |
TWI781635B true TWI781635B (zh) | 2022-10-21 |
Family
ID=80462300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110118978A TWI781635B (zh) | 2020-09-08 | 2021-05-26 | 固態金屬有機源的集中供給系統 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022045337A (zh) |
CN (1) | CN114150294A (zh) |
TW (1) | TWI781635B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040083787A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-06 | Niklas Bondestam | Method of monitoring evaporation rate of source material in a container |
CN101320675A (zh) * | 2007-06-05 | 2008-12-10 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置、电极温度调整装置、电极温度调整方法 |
TW201247930A (en) * | 2011-05-10 | 2012-12-01 | Tokyo Electron Ltd | Gas supply apparatus, thermal treatment apparatus, gas supply method, and thermal treatment method |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0927455A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体基板の製造方法と原料ガスの供給装置 |
CN1258000C (zh) * | 2002-03-28 | 2006-05-31 | 中国科学院半导体研究所 | 化学原料新型配送系统 |
CN104928650B (zh) * | 2014-03-17 | 2017-09-26 | 江苏南大光电材料股份有限公司 | 液体金属有机化合物供给系统 |
CN103924214B (zh) * | 2014-04-25 | 2016-11-16 | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 | 一种蒸汽输送mo源连续供应系统 |
CN103924218B (zh) * | 2014-04-25 | 2016-10-19 | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 | 可持续供应mo源的装置 |
CN205115595U (zh) * | 2015-08-13 | 2016-03-30 | 圆融光电科技股份有限公司 | 金属有机化合物源的供应系统 |
CN108531885A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-14 | 江苏南大光电材料股份有限公司 | 固体金属有机化合物串联式温差使用系统及其应用 |
TWI821363B (zh) * | 2018-08-31 | 2023-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 前驅物遞送系統 |
-
2020
- 2020-09-08 CN CN202010934991.6A patent/CN114150294A/zh active Pending
-
2021
- 2021-05-26 TW TW110118978A patent/TWI781635B/zh active
- 2021-08-30 JP JP2021139692A patent/JP2022045337A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040083787A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-06 | Niklas Bondestam | Method of monitoring evaporation rate of source material in a container |
CN101320675A (zh) * | 2007-06-05 | 2008-12-10 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置、电极温度调整装置、电极温度调整方法 |
TW201247930A (en) * | 2011-05-10 | 2012-12-01 | Tokyo Electron Ltd | Gas supply apparatus, thermal treatment apparatus, gas supply method, and thermal treatment method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202211304A (zh) | 2022-03-16 |
JP2022045337A (ja) | 2022-03-18 |
CN114150294A (zh) | 2022-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0853137A1 (en) | High pressure MOCVD reactor system | |
Masi et al. | Simulation of carbon doping of GaAs during MOVPE | |
CN105316660A (zh) | 气相生长装置及气相生长方法 | |
US20130233240A1 (en) | Methods and apparatuses for epitaxial films with high germanium content | |
CN104928650B (zh) | 液体金属有机化合物供给系统 | |
CN112458434B (zh) | 固态前驱体的封装容器及其在气相沉积过程中的应用 | |
TWI781635B (zh) | 固態金屬有機源的集中供給系統 | |
CN108531885A (zh) | 固体金属有机化合物串联式温差使用系统及其应用 | |
CN101235486A (zh) | 一种封装固体高纯金属有机化合物的容器及其应用 | |
CN217351525U (zh) | 前驱体供应装置及气相沉积系统 | |
TWI545226B (zh) | Liquid metal organic compound supply system | |
CN213680876U (zh) | Mocvd固态掺杂金属有机化合物的封装容器 | |
US5821155A (en) | Method of growing n-type III-V semiconductor materials on a substrate using SiI4 | |
US7141497B2 (en) | MOCVD apparatus and method | |
US20120052657A1 (en) | Method of forming film and substrate processing apparatus | |
CN217384362U (zh) | 用于测试有源钢瓶蒸汽稳定性的测试装置 | |
CN102851651B (zh) | 有机金属化学气相沉积系统及有机金属化学气相沉积方法 | |
Kuech et al. | OMVPE of compound semiconductors | |
JP2002212735A (ja) | 有機金属気相成長装置及び材料ガス供給方法 | |
CN112144038B (zh) | 一种用于MOCVD设备GaAs基外延掺杂源供给系统 | |
JPH10147871A (ja) | 気相成長装置の気化装置 | |
Houng | Chemical beam epitaxy | |
Woelk | Performance of a central delivery system for metalorganic precursors | |
CN114791309A (zh) | 用于测试有源钢瓶蒸汽稳定性的测试装置及其方法 | |
JP2681939B2 (ja) | 減圧mocvd装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |