CN217351525U - 前驱体供应装置及气相沉积系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种前驱体供应装置及气相沉积系统。所述前驱体供应装置包括：外容器，具有第一容置空间，容置前驱体溶液；内容器，具有第二容置空间，容置固态的前驱体；进气管和出气管，与容置空间连通；导气管，与第二容置空间连通，具有固定端和自由端，固定端固设于内容器的底壁；多个扩散管，固设于自由端，并与导气管连通，且向导气管的径向方向延伸。本实用新型提供的前驱体供应装置、气相沉积系统及气相沉积方法通过固态前驱体作为前驱体溶液消耗的补偿，多个扩散管增加了流经导气管的载气与前驱体溶液的接触面积，获得了最佳的浓度补偿效果，进而提高了工艺稳定，降低了固态前驱体更换周期，提高了机台生长镓动率。

Description

前驱体供应装置及气相沉积系统

技术领域

本实用新型涉及气相沉积技术领域，尤其涉及一种前驱体供应装置及气相沉积系统。

背景技术

化学气相沉积通常需利用载气携带前驱体进行反应生成薄膜或特定结构，前驱体的供应稳定性是影响化学气相沉积质量的关键性因素。

例如，金属有机化合物(MO源)是金属有机化学气相沉积(MOCVD)等技术外延生长光电子材料的重要原料，MO源材料的质量和稳定性对外延生长质量影响是一个不可忽视的重要因素，尤其当使用固态MO源时，随着外延生长的进行固态前驱体的表面积减少，同时沟流现象加剧，造成固态前驱体的饱和蒸气压不稳定，另外，载气携带固态前驱体至传送系统中难以被载气气流接近的区域，致使反应室中流入的固态前驱体持续稳定性差，特别在使用末期更加难以控制，致使外延层中组分不均匀，影响外延生长工艺的稳定性，降低外延生长质量，导致更换源周期减短，造成源浪费，降低机台生长镓动率。

目前广泛采用的TMIn源和Cp₂Mg源室温下为固态，相比于固态前驱体，溶液前驱体具有更稳定的优势，例如，专利CN02138168.2通过席夫碱液化固态Mg源制备室温下的固态Mg源溶液，专利号TW201734253A通过固态In溶解到合适C原子数的烃溶剂制备固态In源溶液，文献Journal of Crystal Growth 124(1992)，Journal of Electronic Materials，30(2001)等报道TMIn溶液和Cp₂Mg溶液应用于MOCVD外延生长III-V族半导体材料，鉴于固态前驱体溶液更稳定的提取效率，国内已有客户使用TMIn溶液和Cp₂Mg溶液，虽然固态前驱体溶液具有更稳定的蒸气压和提取效率，但如图1所示，固态前驱体溶液的稳定状态是一种固态前驱体和饱和源溶液的一种平衡，随着载气不断携带源蒸气，固态前驱体不断消耗，随着长期使用出现蒸气压降低，前驱体溶液使用末期依然会出现不稳定的现象。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种前驱体供应装置及气相沉积系统。

为实现前述实用新型目的，本实用新型采用的技术方案包括：

第一方面，本实用新型提供一种前驱体供应装置，包括：外容器，其内部具有第一容置空间，用于容置前驱体溶液，所述第一容置空间内具有相对的第一面和第二面；内容器，其内部具有第二容置空间，且所述内容器设置于所述第一容置空间内，用于容置固态的前驱体；进气管和出气管，所述进气管与第二容置空间相连通，所述出气管与第一容置空间相连通；导气管，与所述第二容置空间相连通，具有相对的固定端和自由端，所述固定端固设于所述内容器远离所述第一面的底壁，所述自由端向所述第二面延伸；以及多个扩散管，所述扩散管固设于所述自由端，并与所述导气管连通，且向所述导气管的径向方向延伸。

进一步地，所述扩散管沿所述导气管的延伸方向设置有多层，每层所述扩散管的长度沿所述导气管的延伸方向递增，并且，该递增优选为等间距依次增加。

进一步地，多个所述扩散管以所述导气管为轴辐射状分布。

进一步地，每层所述扩散管的内径沿所述导气管的延伸方向递增。

进一步地，每层所述扩散管的内径线性递增。

进一步地，各层所述扩散管的内径的最大值在最小值的3倍以内。

实际经验得知：若是每层相同的管径容易造成越往下层的扩散管气流分布越不均匀的现象，管径依次增加一般可以达到气流在每层扩散管的均匀扩散的效果，优选每层扩散管管径线性增加，但增加幅度过大，往往会造成越往下扩散管气流不稳，优选加不超过最上端扩散管的3倍作为其上限。

进一步地，所述扩散管与第二面之间还设置有改向管，所述改向管与导气管连通且沿所述导气管的径向方向延伸，所述改向管上设置有多个朝向所述第二面的改向孔。

进一步地，部分所述改向孔设置于所述改向管的末端；

进一步地，所述改向孔与部分所述扩散管的末端在所述第二面上的投影重合；

进一步地，所述改向孔的孔径沿远离所述导气管的方向依次增大；和/或，所述改向管的管径沿远离所述导气管的方向增大，更进一步优选为最外侧改向孔与次外侧改向孔之间的管段的内径大于内侧的剩余改向管管段的直径。

进一步地，所述第二容置空间内设置有网孔板，所述网孔板临近所述底壁设置。

进一步地，所述网孔板与底壁之间的间隙为0-3mm。

进一步地，所述网孔板中的通孔呈等间距排布，所述通孔的直径为5-200μm。

进一步地，所述外容器上设置有与所述第一容置空间相连通的第一加料口。

进一步地，所述内容器设置有第二加料口，所述第二加料口与所述第二容置空间相连通。

进一步地，所述第一加料口和第二加料口均设置于所述第一面上。

进一步地，所述进气管和出气管均设置于所述第一面上。

进一步地，所述进气管上设置有进气控制阀，所述出气管上设置有出气控制阀。

第二方面，本实用新型还提供一种气相沉积系统，沿载气行进方向依次包括载气供应装置、上述前驱体供应装置以及生长装置；所述载气供应装置至少用于提供载气，所述载气经所述前驱体供应装置后携带前驱体，所述生长装置至少基于所述载气及其携带的前驱体进行气相沉积。

进一步地，所述载气供应装置与前驱体供应装置之间设置有第一流量计，所述前驱体供应装置与生长装置之间还设置有第二流量计。

第三方面，本实用新型还示例性地提供一种气相沉积方法，应用于上述气相沉积系统，包括：向前驱体供应装置的外容器内的第一容置空间填充前驱体溶液，以使所述前驱体溶液至少没过所有扩散管；向所述前驱体供应装置的内容器内的第二容置空间填充固态前驱体；使载气依次经过所述第二容置空间、导气管以及多个所述扩散管后，于所述前驱体溶液中鼓泡后进入所述第一容置空间，然后经出气管进入生长装置；于所述生长装置中基于所述载气及其携带的前驱体进行气相沉积。

基于上述技术方案，与现有技术相比，本实用新型的有益效果至少包括：

本实用新型提供的前驱体供应装置、气相沉积系统通过设置容置固态前驱体的内容器，通过内容器底下部的导气管进入到外容器内部的前驱体溶液中，最终从外容器顶部的出气管携带气态前驱体进入到外延终端应用设备，固态前驱体作为前驱体溶液消耗的补偿，解决了前驱体溶液随着前驱体溶液中的固态前驱体不断消耗，随着长期使用出现蒸气压降低，前驱体溶液使用末期更加不稳定的难题；并且，通过多个扩散管，增加了流经导气管的载气与前驱体溶液的接触面积，有效提高了载气携带前驱体蒸气饱和度，进而提高了工艺稳定，同时降低了固态前驱体更换周期，提高了机台生长镓动率。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够使本领域技术人员能够更清楚地了解本申请的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合详细附图说明如后。

附图说明

图1是本实用新型背景技术中的前驱体溶液气化及平衡状态示意图；

图2是本实用新型一典型实施案例提供的前驱体供应装置的结构示意图；

图3是本实用新型另一典型实施案例提供的前驱体供应装置的结构示意图；

图4是本实用新型另一典型实施案例提供的前驱体供应装置的部分结构示意图；

图5是本实用新型另一典型实施案例提供的前驱体供应装置的部分结构示意图；

图6是本实用新型另一典型实施案例提供的前驱体供应装置的部分结构示意图；

图7是本实用新型另一典型实施案例提供的气相沉积系统结构示意图；

图8是本实用新型另一典型实施案例提供的不同供应装置的生长测试结果对比图。

附图标记说明：

11、外容器；12、第一加料口；13、进气管；14、进气控制阀；15、进气接头；17、第一面；18、第二面；

21、内容器；22、第二加料口；23、出气管；24、出气控制阀；25、出气接头；26、网孔板；

31、导气管；32、扩散管；33、改向管；34、改向孔；

41、载气供应装置；42、第一流量计；43、第二流量计；44、生长装置。

具体实施方式

鉴于现有技术中的不足，本实用新型的发明人经长期研究和大量实践，得以提出本实用新型的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施，因此，本实用新型的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

而且，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个与另一个具有相同名称的部件或方法步骤区分开来，而不一定要求或者暗示这些部件或方法步骤之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以下通过若干实施例并结合附图进一步详细说明本实用新型的技术方案。然而，所选的实施例仅用于说明本实用新型，而不限制本实用新型的范围。

实施例1

本实施例示例一种前驱体供应装置，其结构具体如下所示：

参见图2，该前驱体供应装置包括外容器11，其内部具有第一容置空间，用于容置前驱体溶液，所述第一容置空间内具有相对的第一面17和第二面18；内容器21，其内部具有第二容置空间，且所述内容器21设置于所述第一面17上，所述第一容置空间的内部，用于容置固态的前驱体；进气管13和出气管23，所述进气管13与第二容置空间相连通，所述出气管23与第一容置空间相连通；导气管31，与所述第二容置空间相连通，具有相对的固定端和自由端，所述固定端固设于所述内容器21背向所述第一面17的底壁，所述自由端向所述第二面18延伸；以及多个扩散管32，所述扩散管32固设于所述自由端，并与所述导气管31连通，且向所述导气管31的径向方向延伸。

第二容置空间内部还设有水平的网孔板26，该网孔板26距离内容器21的底壁2mm，该网孔板26的网孔密度为100/cm²，网孔的直径为100m，网孔板26厚度为2mm，所述的固态前驱体就放置在该网孔板26上。

其中，所述的外容器11为圆筒形，其高度为360mm，内径为265mm；内容器21安装在该外容器11的定面(即上述的第一面17，且内容器21和外容器11公用该第一面17的部分面积)，内容器21亦为圆筒形，其高度为345mm，内径为180mm；扩散管32沿所述导气管31的延伸方向设置有2层，且每层均以竖直的导气管31为轴心，呈四周辐射状，从图中的由上向下的方向的每层导气管31的长度分别为150mm和75mm，每层导气管31的内径分别为9.5mm和12.5mm。

本实用新型提供的前驱体供应装置、气相沉积系统及气相沉积方法通过设置容置固态前驱体的内容器，通过内容器底下部的导气管进入到外容器内部的前驱体溶液中，最终从外容器顶部的出气管携带气态前驱体进入到外延终端应用设备，固态前驱体作为前驱体溶液消耗的补偿，解决了前驱体溶液随着前驱体溶液中的固态前驱体不断消耗，随着长期使用出现蒸气压降低，前驱体溶液使用末期更加不稳定的难题；并且，通过多个扩散管，将载气均匀分布在前驱体溶液中，增加了流经导气管的载气与前驱体溶液的接触面积，有效提高了载气携带前驱体蒸气饱和度，进而提高了工艺稳定，同时降低了固态前驱体更换周期，提高了机台生长镓动率。

为方便进行前驱体的补充以及前驱体供应装置的使用，在上述第一面17上分别设置与第一容置空间相连通的第一加料口12，和与第二容置空间相连通的第二加料口22；所述的进气管13上还设置有进气控制阀14以及进气接头15，出气管23上还设置有出气控制阀24以及出气接头25。上述的控制阀可以是电控的，也可以是手动开闭的。

当然，作为另一种实施方式，也可以将所述的第一面17设置成可开启的盖子，并设置相应的卡扣或螺纹紧固结构以及密封圈等密封结构，来替代上述加料口的功能。

使用实施例1作为三甲基铟(TMIn)的前驱体供应装置，在恒温25℃、容器内部压力800torr条件下，通入700sccm的H₂作为载气持续30天，通过检测发现TMIn和载气H₂中的浓度比基本维持在稳定不变的水平，如下表所示。

表1持续性试验时溶液和载气中的浓度变化情况

时间	实施例1的TMIn供应装置	常规的TMIn溶液装置	常规固态TMIn装置
				第1天	0.193	0.193	0.193
第15天	0.192	0.194	0.188
				第30天	0.193	0.190	0.177

本实用新型实施例提供的供应装置通过固态TMIn前驱体作为TMIn前驱体溶液消耗的补偿，解决了TMIn前驱体溶液随着前驱体溶液中的TMIn前驱体不断消耗出现的蒸气压降低进而影响TMIn输出稳定性的难题；并且，通过多个扩散管，增加了流经导气管的载气与TMIn前驱体溶液的接触面积，有效提高了载气携带前驱体蒸气饱和度，进而提高了工艺稳定，同时降低了前驱体更换周期，提高了机台生长镓动率。

在实际外延生产过程中，常规固态前驱体使用效率一般低于50％，即前驱体消耗不到一半就会出现前驱体供应波动，需要停止外延生长工艺提前更换前驱体供应装置，常规溶液前驱体供应装置随着溶液中前驱体的消耗，也会出现前驱体输出逐渐降低的问题，而本实用新型在保证前驱体输出稳定的基础上，可以将前驱体使用效率提高到90％以上，并将前驱体供应装置的使用周期延长2倍以上，极大地提高外延生长镓动率和生产效率，降低生产成本，提高企业竞争力。

此外，随着外延生产设备的高集成度的需求，设备内部个集成模块空间越来越小，本实用新型通过将内容器设置于外容器内部，取得了极高的集成度，装置的外形整齐简约，可以满足现代外延生产设备空间的限制，便于封装容器更换、异常维护等操作，降低误操作风险。

实施例2

本实施例示例一种前驱体供应装置，其结构与实施例1大体相同，区别仅在于：

外容器11其高度为540mm，内容器21高度为520mm，实践中发现，采用该实施例提供的前驱体供应装置，依然可以获得非常均匀且稳定的前驱体供应，本实用新型的这一实施例适合作为大容量的前驱体的供应装置。

实施例3

本实施例示例一种前驱体供应装置，如图3-图6所示，其结构与实施例1大体相同，区别在于：

在实施例1的结构基础上进行了进一步地改进优化，具体如下所示：

扩散管32与第二面之间还设置有改向管33，所述改向管33与导气管连通且沿所述导气管的径向方向延伸，所述改向管33上设置有多个朝向所述第二面的改向孔34。

该改向孔34可以直接在改向管33上打孔来实现，更加优选可以在改向管33上设置朝向所述第二面延长的短管并且短管末端开设上述改向孔34。

这样做的好处在于，扩散管32下方设置靠近底部第二面的改向管33及改向孔34，通过改向孔34的竖直方向的气流作用，使得各层扩散管32气流从扩散管32管口的横向流出方向立即变成纵向，最终使得各层扩散管32及改向管33的气流在容置空间内的液态前驱体中均匀分布。

作为本实施例的进一步改进，在一些实施方案中，继续如图3所示，还可以使部分所述改向孔34的位置与上层的扩散管32的末端位置在第二面的投影重叠。例如图3中，最内侧的一圈改向孔34在垂直方向上与最上层的扩散管32的末端管口是重叠的，这样做的好处在于，下层的改向孔34的鼓泡在液态前驱体中的上升，可以给上层，尤其是最上层的扩散管32末端带来较大的流体扰动，从而防止在逐渐消耗过程中，液态前驱体液位降低后，最上层的扩散管32的气体鼓泡与液态前驱体的接触距离较短而导致的局部不均匀现象，实践中也发现，应用这种设置，其前驱体供应的浓度稳定性要强于实施例1。在生产中，持续监控载气携带的前驱体浓度的变化，可以发现，采用实施例1的供应装置，前驱体浓度会偶尔发生一些微小的上下波动，而采用实施例2的供应装置则无此现象。

下表2以及图8为使用TMIn前驱体分别在实施例3、实施例1、常规溶液应用装置和常规固态供应装置中进行连续生长10个周期的蓝光LED外延片波长数据对比，因为外延片波长和TMIn前驱体浓度稳定性密切相关，当TMIn前驱体浓度出现波动时，必然带来外延片波长的波动，从图表中可以看出使用实施例3的波长集中度和波动性最小，说明整个周期内TMIn前驱体稳定性最好。

表2采用不同供应装置的连续10个生长周期外延片波长分布情况

具体的，所述扩散管32可以设置改向管33，固设在扩散管32底部，与导气管连通，在改向管33上设置有气孔，每一改向管33上的气孔数量优选为和扩散管32的层数一致，气孔位置分布于各层扩散管32的末端管口向下垂直投影的连线位置。

图4所示例的改向管的结构是本实施例的其中一种实施方式，改向管33为均等直径的直管，且位于其上的改向孔34也是均等的孔径，这种实施方式的好处在于改向管33的加工成本较低。

更进一步的，如图5所示，在另一些实施方案中，可以使所述改向孔34的孔径沿远离所述导气管的方向依次增大；和/或，所述改向管33的管径沿远离所述导气管的方向依次增大。

这样做的好处是，所述改向管33气孔孔径沿远离导气管31中心依次增大；改向管33管径可以设置线性或非线性增加，使得在每个气孔流出的气流大小一致，依次获得最为均匀的气流场，避免液态前驱体的局部位置的浓度差异，从而形成最稳定的前驱体供应状态。

再进一步的，如图6所示，在一些实施方案中，可以使最末端与次末端的所述改向孔34之间的一段所述改向管33的直径大于其余管段的直径。

这样做的好处是，最末端的改向孔34往往面临最大的阻力，并且该阻力往往相比于其他内圈的改向孔34是大幅度增加的，通过最末端的一段扩散管32的管径增大，可以补偿上述阻力的增加，进而提高鼓泡的均匀化程度。

实施例4

本实施例示例一种气相沉积系统，其具体结构如下所示：

参见图7，该气相沉积系统，沿载气行进方向依次包括载气供应装置41、上述实施例1或2所提供的前驱体供应装置以及生长装置44；所述载气供应装置41至少用于提供载气，所述载气经所述前驱体供应装置后携带前驱体，所述生长装置44至少基于所述载气及其携带的前驱体进行气相沉积。

在载气供应装置41和前驱体供应装置之间，还可以设置第一流量计42，用于监控载气的流量，在前驱体供应装置和生长装置44之间，还可以设置第二流量计43，用于监控载气及其携带的气态前驱体的流量。

上述气相沉积系统的使用方法可以如下所示：

载气供应装置41连接生长装置44和载气供应装置41前，第一加料口12和第二加料口22分别加入前驱体溶液(至少没过扩散管32)和固态前驱体，例如可以是三甲基铟(TMIn)溶液和三甲基铟(TMIn)固态前驱体或二茂镁(Cp₂Mg)溶液或固态二茂镁(Cp₂Mg)。

当载气供应装置41连接生长装置44和载气供应装置41时，高纯载气，例如H₂或N₂，通过进气管13进入到内容器21内部，载气携带固态前驱体的蒸气通过导气管31进入到填充有前驱体溶液的外容器11内部鼓泡，经过溶液挥发以及平衡过程后，载气携带前驱体最终通过出气管23进入到生长装置44。

上述仅仅是一些优选的气相沉积方法的部分示例，实际应用中，该前驱体供应装置内的固态前躯体以及前驱体溶液中的容置可以包括非金属单质、金属单质、金属卤化物、有机金属化合物中的至少一种或多种组合。比如，二甲基阱(DMH)、四氯化铪(HfCl₄)、三氯化铝(AlCl₃)、二茂镁(Cp₂Mg)、三甲基铟(TMIn)、四氯化镐(ZrCl₄)、三氯化铟(InCl₃)、碘化钛(TiI₄)、羰基钨、Ba(DPM)₂、Sr(DPM)₂、TiO(DPM)₂、Zr(DPM)₄、十硼烷、十八硼烷、硼、镁、镓、铟、锑、铜、磷、砷、锂、四氟硼酸钠、掺有烷基-酰胺配体的前体、有机金属前体、叔丁醇锆(Zr(t-OBu)₄)、四烷基二乙基氨基锆(Zr(Net₂)₄)、四烷基二乙氨基铪(Hf(Net₂)₄)、四(二甲基氨基)钛(TDMAT)、叔丁基亚氨基三(叔丁基氨基)钽(TBTDET)、五(五甲基氨基)钽(PDMAT)、五(乙基甲基氨基)钽(PEMAT)、四(二甲基氨基)锆(Zr(NMe₂)₄)、叔丁醇铪(Hf(tOBu)₄)、二氟化氙(XeF₂)、四氟化氙(XeF₄)、六氟化氙(XeF₆)以及上述两种或多种的兼容组合和混合物，且不限于此。

应当理解，上述实施例仅为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种前驱体供应装置，其特征在于，包括：

外容器，其内部具有第一容置空间，用于容置前驱体溶液，所述第一容置空间内具有相对的第一面和第二面；

内容器，其内部具有第二容置空间，且所述内容器设置于所述第一容置空间内，用于容置固态的前驱体；

进气管和出气管，所述进气管与第二容置空间相连通，所述出气管与第一容置空间相连通；

导气管，与所述第二容置空间相连通，具有相对的固定端和自由端，所述固定端固设于所述内容器远离所述第一面的底壁，所述自由端向所述第二面延伸；以及

多个扩散管，所述扩散管固设于所述自由端，并与所述导气管连通，且向所述导气管的径向方向延伸。

2.根据权利要求1所述的前驱体供应装置，其特征在于，所述扩散管沿所述导气管的延伸方向设置有多层，每层所述扩散管的长度沿所述导气管的延伸方向递增，且每层所述扩散管的长度等间距依次增加；

多个所述扩散管以所述导气管为轴辐射状分布。

3.根据权利要求2所述的前驱体供应装置，其特征在于，每层所述扩散管的内径沿所述导气管的延伸方向线性递增；

各层所述扩散管的内径的最大值在最小值的3倍以内。

4.根据权利要求1所述的前驱体供应装置，其特征在于，所述扩散管与第二面之间设置有改向管，所述改向管与导气管连通且沿所述导气管的径向方向延伸，所述改向管上设置有多个朝向所述第二面的改向孔；

部分所述改向孔设置于所述改向管的末端；所述改向孔与部分所述扩散管的末端在所述第二面上的投影重合；所述改向孔的孔径沿远离所述导气管的方向依次增大；所述改向管的管径沿远离所述导气管的方向增大。

5.根据权利要求1所述的前驱体供应装置，其特征在于，所述第二容置空间内设置有网孔板，所述网孔板临近所述底壁设置；所述网孔板与底壁之间的间隙为0-3mm。

6.根据权利要求5所述的前驱体供应装置，其特征在于，所述网孔板中的通孔呈等间距排布，所述通孔的直径为5-200μm。

7.根据权利要求1所述的前驱体供应装置，其特征在于，所述外容器上设置有与所述第一容置空间相连通的第一加料口；所述内容器设置有第二加料口，所述第二加料口与所述第二容置空间相连通；所述第一加料口和第二加料口均设置于所述第一面上。

8.根据权利要求1所述的前驱体供应装置，其特征在于，所述进气管和出气管均设置于所述第一面上；所述进气管上设置有进气控制阀，所述出气管上设置有出气控制阀。

9.一种气相沉积系统，其特征在于，沿载气行进方向依次包括载气供应装置、权利要求1-8中任意一项所述的前驱体供应装置以及生长装置；

所述载气供应装置至少用于提供载气，所述载气经所述前驱体供应装置后携带前驱体，所述生长装置至少基于所述载气及其携带的前驱体进行气相沉积。

10.根据权利要求9所述的气相沉积系统，其特征在于，所述载气供应装置与前驱体供应装置之间设置有第一流量计，所述前驱体供应装置与生长装置之间还设置有第二流量计。

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