TWI780870B - Integrated circuit product and chip floorplan arrangement thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本發明涉及積體電路(integrated circuit, IC)之封裝,尤指積體電路封裝之晶片(chip)和/或小晶片(chiplet)(以下統稱為晶片)排佈(floorplan arrangement)。The present invention relates to the packaging of integrated circuits (integrated circuit, IC), especially to the chip (chip) and/or small chip (chiplet) (hereinafter collectively referred to as chip) arrangement (floorplan arrangement) of integrated circuit packaging.
先進封裝為目前積體電路的趨勢。然而,不佳的晶片排佈可能有以下的缺點:浪費面積(導致成品過大而缺乏競爭力)、晶片散熱不佳(降低晶片效能)、輸出和/或輸入走線困難(增加封裝的難度)和/或晶片的相對位置不理想(造成晶片接腳的浪費)。因此,需要一種晶片排佈來解決上述的問題的至少其中之一。Advanced packaging is the current trend of integrated circuits. However, poor die layout can have the following disadvantages: wasted area (resulting in an uncompetitive finished product that is too large), poor heat dissipation from the die (reducing die performance), and difficult output and/or input routing (increasing packaging difficulty) And/or the relative position of the chip is not ideal (resulting in waste of chip pins). Therefore, a wafer arrangement is needed to solve at least one of the above-mentioned problems.
有鑑於此,如何減輕或消除上述相關領域中晶片排佈的缺失,實為有待解決的問題。In view of this, how to alleviate or eliminate the lack of chip arrangement in the above-mentioned related fields is a problem to be solved.
本說明書提供一種積體電路產品的實施例,其包含:一第一晶片;一第二晶片;一第三晶片;一第四晶片;一第五晶片;一第六晶片;一第七晶片;以及一第八晶片。該第一晶片、該第二晶片、該第三晶片、及該第四晶片的面積及組成元件實質上相同;該第五晶片、該第六晶片、該第七晶片、及該第八晶片的面積及組成元件實質上相同;該第一晶片、該第二晶片、該第三晶片、及該第四晶片分別位於該積體電路產品之四個邊;且該第五晶片、該第六晶片、該第七晶片、及該第八晶片位於該積體電路產品之一中心區域。This specification provides an embodiment of an integrated circuit product, which includes: a first chip; a second chip; a third chip; a fourth chip; a fifth chip; a sixth chip; a seventh chip; and an eighth chip. The areas and components of the first wafer, the second wafer, the third wafer, and the fourth wafer are substantially the same; the fifth wafer, the sixth wafer, the seventh wafer, and the eighth wafer The areas and components are substantially the same; the first chip, the second chip, the third chip, and the fourth chip are respectively located on the four sides of the integrated circuit product; and the fifth chip, the sixth chip , the seventh chip, and the eighth chip are located in a central area of the integrated circuit product.
本說明書另提供一種積體電路產品的實施例,積體電路產品具有一第一邊、一第二邊、一第三邊、及一第四邊。積體電路產品包含:一第一邏輯晶片,位於該第一邊;一第二邏輯晶片,位於該第二邊;一第三邏輯晶片,位於該第三邊;一第四邏輯晶片,位於該第四邊;一第一記憶體晶片;一第二記憶體晶片;一第三記憶體晶片;及一第四記憶體晶片。該第一邏輯晶片、該第二邏輯晶片、該第三邏輯晶片、及該第四邏輯晶片的排佈,相對於該積體電路產品之一中心呈點對稱,且該第一記憶體晶片、該第二記憶體晶片、該第三記憶體晶片、及該第四記憶體晶片的排佈,相對於該中心呈點對稱。The specification further provides an embodiment of an integrated circuit product. The integrated circuit product has a first side, a second side, a third side, and a fourth side. The integrated circuit product includes: a first logic chip located on the first side; a second logic chip located on the second side; a third logic chip located on the third side; a fourth logic chip located on the The fourth side; a first memory chip; a second memory chip; a third memory chip; and a fourth memory chip. The arrangement of the first logic chip, the second logic chip, the third logic chip, and the fourth logic chip is point-symmetrical with respect to a center of the integrated circuit product, and the first memory chip, The arrangement of the second memory chip, the third memory chip, and the fourth memory chip is point-symmetrical with respect to the center.
上述實施例的優點之一,是可提升積體電路產品的散熱效能、減少輸出和/或輸入走線的困難度、及提高積體電路產品競爭力。One of the advantages of the above embodiments is that it can improve the heat dissipation performance of integrated circuit products, reduce the difficulty of output and/or input wiring, and improve the competitiveness of integrated circuit products.
本發明的其他優點將搭配以下的說明和圖式進行更詳細的解說。Other advantages of the present invention will be explained in more detail with the following description and drawings.
以下將配合相關圖式來說明本發明的實施例。在圖式中,相同的標號表示相同或類似的元件或方法流程。Embodiments of the present invention will be described below in conjunction with related figures. In the drawings, the same reference numerals represent the same or similar elements or method flows.
圖1為本發明一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。積體電路產品100包含第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、第四邏輯晶片118、第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128。圖1顯示積體電路產品100的俯視圖,圖2及圖3各自顯示本發明一實施例的積體電路產品之簡化後的側視圖(沿著圖1之A-A'橫截面)。在圖2的實施例中,積體電路產品100包含基板150,圖1所示的該些邏輯晶片及該些記憶體晶片位於基板150的上方。基板150與邏輯晶片之間以及基板150與記憶體晶片之間有複數個微凸塊152,基板150下方有複數個凸塊154。在圖3的實施例中,積體電路產品100包含中介層(interposer)140,圖1所示的該些邏輯晶片及該些記憶體晶片位於中介層140的上方。中介層140與基板150之間有複數個微凸塊152,基板150下方有複數個凸塊154。第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118可以是具有計算能力的邏輯電路,例如系統單晶片(System on a chip, SoC)。邏輯晶片可以存取記憶體晶片來實現特定的功能,例如,邏輯晶片藉由讀取並執行儲存於記憶體晶片中的程式碼或程式指令來實現該功能。FIG. 1 is a schematic diagram of a simplified chip layout of an integrated circuit product according to an embodiment of the present invention. The
回到圖1。積體電路產品100具有第一邊102、第二邊104、第三邊106、及第四邊108。積體電路產品100的該四個邊可以是基板150的四個邊。積體電路產品100還具有中心101。第一邏輯晶片112被安排於第一邊102,也就是說,第一邏輯晶片112位於第一邊102,意思是,第一邏輯晶片112鄰接(adjacent)第一邊102(即,第一邏輯晶片112的一邊與第一邊102實質上對齊,或第一邏輯晶片112實質上切齊基板150)。類似地,第二邏輯晶片114位於(等效於被安排於、鄰接)第二邊104、第三邏輯晶片116位於第三邊106以及第四邏輯晶片118位於第四邊108。Back to Figure 1. The
排佈成環狀第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118位於積體電路產品100的四個邊緣。第一邏輯晶片112鄰接第四邏輯晶片118及第二邏輯晶片114;第二邏輯晶片114鄰接第一邏輯晶片112及第三邏輯晶片116;第三邏輯晶片116鄰接第二邏輯晶片114及第四邏輯晶片118;以及第四邏輯晶片118鄰接第三邏輯晶片116、及第一邏輯晶片112。The
第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128不鄰接積體電路產品100的任一邊,而是被第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118共同環繞。更明確地說,如圖4所示,第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128位於積體電路產品100的中心區域160,中心區域160與第一邊102、第二邊104、第三邊106、及第四邊108的距離分別是d1、d2、d3及d4(d1、d2、d3、d4實質上相等)。如圖1所示,中心區域160被第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118完全包圍,也就是中心區域160的四個邊分別與第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118完全鄰接。The
在一些實施例中,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118的面積實質上相同,而且第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128的面積實質上相同。In some embodiments, the areas of the
在一些實施例中,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118的組成元件實質上相同,而且第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128的組成元件實質上相同。前述的組成元件包含但不限於電晶體、電阻、電容、和/或電感。在另一些實施例中,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118的組成元件在種類及數量上相同,而且第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128的組成元件在種類及數量上相同。In some embodiments, the constituent elements of the
第一邏輯晶片112鄰接第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124及第二邏輯晶片114,而且第一邏輯晶片112與第一記憶體晶片122之間的相對位置實質上等於第二邏輯晶片114與第二記憶體晶片124之間的相對位置。更明確地說,請同時參閱圖1及圖5。第一邏輯晶片112及第一記憶體晶片122形成第一多邊形132,第二邏輯晶片114及第二記憶體晶片124形成第二多邊形134,且倘若將第一多邊形132相對於積體電路產品100的中心101順時鐘旋轉90度,則會與第二多邊形134完全重疊;即,第一多邊形132與第二多邊形134呈旋轉對稱(旋轉對稱中心為中心101,而旋轉角為90度)。同理,第三邏輯晶片116鄰接第三記憶體晶片126、第四記憶體晶片128及第四邏輯晶片118,而且第三邏輯晶片116與第三記憶體晶片126之間的相對位置實質上等於第四邏輯晶片118與第四記憶體晶片128之間的相對位置。換句話說,在一些實施例中,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118分別與第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128形成積體電路產品100的一個組成單位,也就是說,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118可以分別存取或耦接於第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128。這樣的安排的優點之一在於,第一邏輯晶片112(第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、或第四邏輯晶片118)的對外(即積體電路產品100的外部)接腳可以安排在第一邊102(第二邊104、第三邊106、或第四邊108),而對內的接腳(例如與第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、或第四記憶體晶片128溝通的接腳)可以安排在與記憶體晶片相鄰的邊上。如此一來,因為積體電路產品100的晶片排佈簡單(只需將第一多邊形旋轉90度、180度、及270度),所以積體電路產品100的不同區域可以使用相同的光罩來製造,因而可大幅簡化製程而且不會浪費接腳。The
換個角度來看,第一邏輯晶片112鄰接第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、及第四邏輯晶片118,而且第一邏輯晶片112與第二記憶體晶片124之間的相對位置實質上等於第四邏輯晶片118與第一記憶體晶片122之間的相對位置。更明確地說,請同時參閱圖1及圖6。第四邏輯晶片118及第一記憶體晶片122形成第三多邊形136,第一邏輯晶片112及第二記憶體晶片124形成第四多邊形138,且倘若將第三多邊形136相對於積體電路產品100的中心101順時鐘旋轉90度,則會與第四多邊形138完全重疊;即,第三多邊形136與第四多邊形138呈旋轉對稱(旋轉對稱中心為中心101,而旋轉角為90度)。同理,第三邏輯晶片116鄰接第三記憶體晶片126、第四記憶體晶片128及第二邏輯晶片114,而且第三邏輯晶片116與第四記憶體晶片128之間的相對位置實質上等於第二邏輯晶片114與第三記憶體晶片126之間的相對位置。換句話說,在另一些實施例中,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118分別與第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、第四記憶體晶片128、及第一記憶體晶片122形成積體電路產品100的一個組成單位,也就是說,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118可以分別存取或耦接於第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、第四記憶體晶片128、及第一記憶體晶片122。這樣的安排的優點與上一段所述的優點相類似或相同,故不再贅述。From another perspective, the
倘若第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118相對於中心101旋轉180度,則第一邏輯晶片112與第三邏輯晶片116實質上重疊,且第二邏輯晶片114與第四邏輯晶片118實質上重疊,換言之,第一邏輯晶片112與第三邏輯晶片116呈現點對稱(point symmetry)(對稱中心為中心101),且第二邏輯晶片114與第四邏輯晶片118呈現點對稱。類似地,第一記憶體晶片122與第三記憶體晶片126相對於中心101呈現點對稱,且第二記憶體晶片124與第四記憶體晶片128相對於中心101呈現點對稱。換言之,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、第四邏輯晶片118、第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128的整體排佈相對於中心101呈現點對稱。If first logic die 112, second logic die 114, third logic die 116, and fourth logic die 118 are rotated 180 degrees relative to
在另一些實施例中,積體電路產品100是一個正方形。In other embodiments, the
圖7為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。圖7顯示積體電路產品200的俯視圖。積體電路產品200包含第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、第四邏輯晶片218、第一記憶體晶片222、第二記憶體晶片224、第三記憶體晶片226、第四記憶體晶片228、第一其他晶片232、第二其他晶片234、第三其他晶片236、及第四其他晶片238。類似於積體電路產品100,積體電路產品200包含基板,且可包含或不包含中介層(請參考圖2及圖3)。FIG. 7 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention. FIG. 7 shows a top view of the
在一些實施例中,第一其他晶片232、第二其他晶片234、第三其他晶片236、及第四其他晶片238是輸入/輸出晶片,包含輸入/輸出電路,第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、及第四邏輯晶片218利用輸入/輸出電路傳送或接收信號。在其他的實施例中,第一其他晶片232、第二其他晶片234、第三其他晶片236、及第四其他晶片238是不包含任何電路的矽晶片。In some embodiments, the first
第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、及第四邏輯晶片218分別位於積體電路產品200的第一邊202、第二邊204、第三邊206、及第四邊208,且第一記憶體晶片222、第二記憶體晶片224、第三記憶體晶片226、及第四記憶體晶片228位於積體電路產品200的中心區域260。請參考圖4,積體電路產品200的中心區域260即第一記憶體晶片222、第二記憶體晶片224、第三記憶體晶片226、及第四記憶體晶片228所在的區域。The
在一些實施例中,第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、及第四邏輯晶片218的面積實質上相同;第一記憶體晶片222、第二記憶體晶片224、第三記憶體晶片226、及第四記憶體晶片228的面積實質上相同;以及第一其他晶片232、第二其他晶片234、第三其他晶片236、及第四其他晶片238的面積實質上相同。In some embodiments, the areas of the
在一些實施例中,第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、及第四邏輯晶片218的組成元件實質上相同,第一記憶體晶片222、第二記憶體晶片224、第三記憶體晶片226、及第四記憶體晶片228的組成元件實質上相同,而且第一其他晶片232、第二其他晶片234、第三其他晶片236、及第四其他晶片238的組成元件實質上相同。前述的組成元件包含但不限於電晶體、電阻、電容、和/或電感。在另一些實施例中,第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、及第四邏輯晶片218的組成元件在種類及數量上相同,第一記憶體晶片222、第二記憶體晶片224、第三記憶體晶片226、及第四記憶體晶片228的組成元件在種類及數量上相同,而且第一其他晶片232、第二其他晶片234、第三其他晶片236、及第四其他晶片238的組成元件在種類及數量上相同。In some embodiments, the constituent elements of the
類似圖1的實施例,第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、及第四邏輯晶片218共同環繞積體電路產品200的中心區域260。更明確地說,中心區域260的四個邊分別與第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、及第四邏輯晶片218完全鄰接,也就是說積體電路產品200的中心區域260被第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、及第四邏輯晶片218完全包圍。Similar to the embodiment of FIG. 1 , the first logic die 212 , the second logic die 214 , the third logic die 216 , and the fourth logic die 218 collectively surround the central region 260 of the
第一其他晶片232、第二其他晶片234、第三其他晶片236、及第四其他晶片238位於積體電路產品200的中心區域260之外。更明確地說,第一其他晶片232、第二其他晶片234、第三其他晶片236、及第四其他晶片238分別位於積體電路產品200的四個角落。也就是說,第一其他晶片232的第一頂點233與積體電路產品200的第一頂點203對齊、第二其他晶片234的第二頂點235與積體電路產品200的第二頂點205對齊、第三其他晶片236的第三頂點237與積體電路產品200的第三頂點207對齊,以及第四其他晶片238的第四頂點239與積體電路產品200的第四頂點209對齊。The first
倘若第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、及第四邏輯晶片218相對於中心201旋轉180度,則第一邏輯晶片212與第三邏輯晶片216實質上重疊,且第二邏輯晶片214與第四邏輯晶片218實質上重疊,換言之,第一邏輯晶片212與第三邏輯晶片216呈現點對稱(對稱中心為中心201),且第二邏輯晶片214與第四邏輯晶片218呈現點對稱。類似地,第一記憶體晶片222與第三記憶體晶片226相對於中心201呈現點對稱,且第二記憶體晶片224與第四記憶體晶片228相對於中心201呈現點對稱。類似地,第一其他晶片232與第三其他晶片236相對於中心201呈現點對稱,且第二其他晶片234與第四其他晶片238相對於中心201呈現點對稱。換言之,第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、第四邏輯晶片218、第一記憶體晶片222、第二記憶體晶片224、第三記憶體晶片226、第四記憶體晶片228、第一其他晶片232、第二其他晶片234、第三其他晶片236、及第四其他晶片238的整體排佈相對於中心201呈現點對稱。If the first logic die 212, the second logic die 214, the third logic die 216, and the fourth logic die 218 are rotated 180 degrees relative to the
在另一些實施例中,積體電路產品200是一個正方形。In other embodiments, the
第一邏輯晶片212鄰接第一記憶體晶片222、第二記憶體晶片224、及第一其他晶片232,而且第一邏輯晶片212與第一記憶體晶片222之間的相對位置實質上等於第二邏輯晶片214與第二記憶體晶片224之間的相對位置。更明確地說,請同時參閱圖5及圖7。第一邏輯晶片212、第一記憶體晶片222、及第一其他晶片232形成第一多邊形132,第二邏輯晶片214、第二記憶體晶片224、及第二其他晶片234形成第二多邊形134,且倘若將第一多邊形132相對於積體電路產品200的中心201順時鐘旋轉90度,則會與第二多邊形134完全重疊。同理,第三邏輯晶片216鄰接第三記憶體晶片226、第四記憶體晶片228、及第三其他晶片236,而且第三邏輯晶片216與第三記憶體晶片226之間的相對位置實質上等於第四邏輯晶片218與第四記憶體晶片228之間的相對位置。換句話說,在一些實施例中,第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、及第四邏輯晶片218可以分別存取或耦接於第一記憶體晶片222、第二記憶體晶片224、第三記憶體晶片226、及第四記憶體晶片228。The
換個角度來看,第一邏輯晶片212鄰接第一記憶體晶片222、第二記憶體晶片224、第一其他晶片232及第四其他晶片238,而且第一邏輯晶片212與第二記憶體晶片224之間的相對位置實質上等於第四邏輯晶片218與第一記憶體晶片222之間的相對位置。更明確地說,請同時參閱圖6及圖7。第四邏輯晶片218、第一記憶體晶片222、及第四其他晶片238形成第三多邊形136,第一邏輯晶片212、第二記憶體晶片224、及第一其他晶片232形成第四多邊形138,且倘若將第三多邊形136相對於積體電路產品200的中心201順時鐘旋轉90度,則會與第四多邊形138完全重疊。同理,第三邏輯晶片216鄰接第三記憶體晶片226、第四記憶體晶片228、第二其他晶片234、及第三其他晶片236,而且第三邏輯晶片216與第四記憶體晶片228之間的相對位置實質上等於第二邏輯晶片214與第三記憶體晶片226之間的相對位置。換句話說,在另一些實施例中,第一邏輯晶片212、第二邏輯晶片214、第三邏輯晶片216、及第四邏輯晶片218可以分別存取或耦接於第二記憶體晶片224、第三記憶體晶片226、第四記憶體晶片228、及第一記憶體晶片222。From another point of view, the
圖8為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。圖8顯示積體電路產品300的俯視圖。積體電路產品300包含第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、第四邏輯晶片318、第一記憶體晶片322、第二記憶體晶片324、第三記憶體晶片326、第四記憶體晶片328、第一其他晶片332、第二其他晶片334、第三其他晶片336、及第四其他晶片338。類似於積體電路產品100,積體電路產品300包含基板,且可包含或不包含中介層(請參考圖2及圖3)。FIG. 8 is a schematic diagram of a simplified chip layout of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention. FIG. 8 shows a top view of the
在一些實施例中,第一其他晶片332、第二其他晶片334、第三其他晶片336、及第四其他晶片338是輸入/輸出晶片,包含輸入/輸出電路。在其他的實施例中,第一其他晶片332、第二其他晶片334、第三其他晶片336、及第四其他晶片338是不包含任何電路的矽晶片。In some embodiments, first
第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318分別位於積體電路產品300的第一邊302、第二邊304、第三邊306、及第四邊308,且第一記憶體晶片322、第二記憶體晶片324、第三記憶體晶片326、及第四記憶體晶片328位於積體電路產品300的中心區域360。請參考圖4,積體電路產品300的中心區域360即第一記憶體晶片322、第二記憶體晶片324、第三記憶體晶片326、及第四記憶體晶片328所在的區域。The
在一些實施例中,第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318的面積實質上相同;第一記憶體晶片322、第二記憶體晶片324、第三記憶體晶片326、及第四記憶體晶片328的面積實質上相同;以及第一其他晶片332、第二其他晶片334、第三其他晶片336、及第四其他晶片338的面積實質上相同。In some embodiments, the areas of the
在一些實施例中,第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318的組成元件實質上相同,第一記憶體晶片322、第二記憶體晶片324、第三記憶體晶片326、及第四記憶體晶片328的組成元件實質上相同,而且第一其他晶片332、第二其他晶片334、第三其他晶片336、及第四其他晶片338的組成元件實質上相同。前述的組成元件包含但不限於電晶體、電阻、電容、和/或電感。在另一些實施例中,第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318的組成元件在種類及數量上相同,第一記憶體晶片322、第二記憶體晶片324、第三記憶體晶片326、及第四記憶體晶片328的組成元件在種類及數量上相同,而且第一其他晶片332、第二其他晶片334、第三其他晶片336、及第四其他晶片338的組成元件在種類及數量上相同。In some embodiments, the components of the
在圖8的實施例中,第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318共同環繞積體電路產品300的中心區域360。更明確地說,第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318沒有完全包圍積體電路產品300的中心區域360,因為積體電路產品300的中心區域360的四個邊沒有與第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318完全鄰接。In the embodiment of FIG. 8 , the first logic die 312 , the second logic die 314 , the third logic die 316 , and the fourth logic die 318 collectively surround the central area 360 of the
第一其他晶片332、第二其他晶片334、第三其他晶片336、及第四其他晶片338位於積體電路產品300的中心區域360之外。第一其他晶片332、第二其他晶片334、第三其他晶片336、及第四其他晶片338各自僅有一邊與積體電路產品300的其中一邊鄰接。更明確地說,第一其他晶片332、第二其他晶片334、第三其他晶片336、及第四其他晶片338的一邊分別與第一邊302、第二邊304、第三邊306、及第四邊308鄰接,而第一其他晶片332、第二其他晶片334、第三其他晶片336、及第四其他晶片338的其他三邊不與積體電路產品300的邊鄰接。The first
第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318分別位於積體電路產品300的四個角落。也就是說,第一邏輯晶片312的第一頂點313與積體電路產品300的第一頂點303對齊、第二邏輯晶片314的第二頂點315與積體電路產品300的第二頂點305對齊、第三邏輯晶片316的第三頂點317與積體電路產品300的第三頂點307對齊,以及第四邏輯晶片318的第四頂點319與積體電路產品300的第四頂點309對齊。The
倘若第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318相對於中心301旋轉180度,則第一邏輯晶片312與第三邏輯晶片316實質上重疊,且第二邏輯晶片314與第四邏輯晶片318實質上重疊,換言之,第一邏輯晶片312與第三邏輯晶片316呈現點對稱(對稱中心為中心301),且第二邏輯晶片314與第四邏輯晶片318呈現點對稱。類似地,第一記憶體晶片322與第三記憶體晶片326相對於中心301呈現點對稱,且第二記憶體晶片324與第四記憶體晶片328相對於中心301呈現點對稱。類似地,第一其他晶片332與第三其他晶片336相對於中心301呈現點對稱,且第二其他晶片334與第四其他晶片338相對於中心301呈現點對稱。換言之,第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、第四邏輯晶片318、第一記憶體晶片322、第二記憶體晶片324、第三記憶體晶片326、第四記憶體晶片328、第一其他晶片332、第二其他晶片334、第三其他晶片336、及第四其他晶片338的整體排佈相對於積體電路產品300的中心301呈現點對稱。If the first logic die 312, the second logic die 314, the third logic die 316, and the fourth logic die 318 are rotated 180 degrees relative to the
在另一些實施例中,積體電路產品300是一個正方形。In other embodiments, the
第一邏輯晶片312鄰接第一記憶體晶片322、第二記憶體晶片324、及第一其他晶片332,而且第一邏輯晶片312與第一記憶體晶片322之間的相對位置實質上等於第二邏輯晶片314與第二記憶體晶片324之間的相對位置。更明確地說,請同時參閱圖5及圖8。第一邏輯晶片312、第一記憶體晶片322、及第一其他晶片332形成第一多邊形132,第二邏輯晶片314、第二記憶體晶片324、及第二其他晶片334形成第二多邊形134,且倘若將第一多邊形132相對於積體電路產品300的中心301順時鐘旋轉90度,則會與第二多邊形134完全重疊。同理,第三邏輯晶片316鄰接第三記憶體晶片326、第四記憶體晶片328、及第三其他晶片336,而且第三邏輯晶片316與第三記憶體晶片326之間的相對位置實質上等於第四邏輯晶片318與第四記憶體晶片328之間的相對位置。換句話說,在一些實施例中,第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318可以分別存取或耦接於第一記憶體晶片322、第二記憶體晶片324、第三記憶體晶片326、及第四記憶體晶片328。The
換個角度來看,第一其他晶片332鄰接第一邏輯晶片312、第四邏輯晶片318、及第一記憶體晶片322,而且第一邏輯晶片312與第二記憶體晶片324之間的相對位置實質上等於第四邏輯晶片318與第一記憶體晶片322之間的相對位置。更明確地說,請同時參閱圖6及圖8。第四邏輯晶片318、第一記憶體晶片322、及第四其他晶片338形成第三多邊形136,第一邏輯晶片312、第二記憶體晶片324、及第一其他晶片332形成第四多邊形138,且倘若將第三多邊形136相對於積體電路產品300的中心301順時鐘旋轉90度,則會與第四多邊形138完全重疊。同理,第三其他晶片336鄰接第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第三記憶體晶片326,而且第三邏輯晶片316與第四記憶體晶片328之間的相對位置實質上等於第二邏輯晶片314與第三記憶體晶片326之間的相對位置。換句話說,在另一些實施例中,第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318可以分別存取或耦接於第二記憶體晶片324、第三記憶體晶片326、第四記憶體晶片328、及第一記憶體晶片322。From another point of view, the first
圖1、圖7及圖8中的第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、第四記憶體晶片128、第一記憶體晶片222、第二記憶體晶片224、第三記憶體晶片226、第四記憶體晶片228、第一記憶體晶片322、第二記憶體晶片324、第三記憶體晶片326、及第四記憶體晶片328是第三代高頻寬記憶體(high bandwidth memory generation 3, HBM3),其形狀為正方形。然而,上述之記憶體晶片也可以是第二代高頻寬記憶體(high bandwidth memory generation 2, HBM2),如圖9~11所示。積體電路產品400之第一記憶體晶片422、第二記憶體晶片424、第三記憶體晶片426、第四記憶體晶片428、積體電路產品500之第一記憶體晶片522、第二記憶體晶片524、第三記憶體晶片526、第四記憶體晶片528、以及積體電路產品600之第一記憶體晶片622、第二記憶體晶片624、第三記憶體晶片626、第四記憶體晶片628是第二代高頻寬記憶體。因為第二代高頻寬記憶體不是正方形,所以積體電路產品400的中心401、積體電路產品500的中心501以及積體電路產品600的中心601沒有被記憶體晶片覆蓋。圖9、圖10及圖11的說明可以分別對應於圖1、圖7及圖8的說明,故不再贅述。The
綜上所述,由於邏輯電路通常較記憶體晶片產生更多熱,所以藉由將邏輯晶片安排在積體電路產品的四周可以提升積體電路產品的散熱效能。再者,由於邏輯晶片通常需要接收信號及傳送號,所以將邏輯晶片安排在積體電路產品的四周可以減少輸出和/或輸入走線的困難度。此外,本案所提出的晶片排佈可以使晶片在積體電路產品中緊密排列,因此得以充分利用基板面積以提高積體電路產品競爭力。再者,將積體電路產品上的晶片以點對稱的方式排佈,除了可以避免接腳浪費,還有利於使用相同的光罩來製造積體電路產品的不同部位,因而可簡化光罩複雜度。To sum up, since the logic circuit usually generates more heat than the memory chip, the heat dissipation performance of the integrated circuit product can be improved by arranging the logic chip around the integrated circuit product. Furthermore, since the logic chips usually need to receive signals and transmit signals, arranging the logic chips around the integrated circuit product can reduce the difficulty of output and/or input routing. In addition, the chip arrangement proposed in this case can make the chips closely arranged in the integrated circuit product, so the substrate area can be fully utilized to improve the competitiveness of the integrated circuit product. Furthermore, arranging the chips on the integrated circuit product in a point-symmetrical manner not only avoids waste of pins, but also facilitates the use of the same photomask to manufacture different parts of the integrated circuit product, thus simplifying the complexity of the photomask. Spend.
從另一角度而言,將積體電路產品上的晶片以前述的點對稱方式進行排佈,半導體製造商便可利用同一套光罩製造出面積接近4倍大小的積體電路產品,故可大幅降低積體電路產品的製造成本。From another point of view, by arranging the chips on the integrated circuit products in the aforementioned point-symmetric manner, semiconductor manufacturers can use the same set of photomasks to manufacture integrated circuit products whose area is nearly four times the size, so it can Significantly reduce the manufacturing cost of integrated circuit products.
請注意,前述積體電路產品上的晶片排佈方式只是示範性的實施例,並非侷限本發明的實際實施方式。例如,在某些實施例中,可將前述的第一至第四記憶體晶片改以相對於積體電路產品的中心軸(通過中心且與任一邊垂直)呈現線對稱的方式排佈在積體電路產品的中心區域,並將前述的第一至第四邏輯晶片改以相對於積體電路產品的中心軸呈現線對稱的方式,分別排佈在積體電路產品的中心區域的外圍。Please note that the arrangement of chips on the aforementioned integrated circuit product is only an exemplary embodiment, and does not limit the actual implementation of the present invention. For example, in some embodiments, the aforementioned first to fourth memory chips can be changed to be arranged on the product in a line-symmetrical manner with respect to the central axis of the integrated circuit product (passing through the center and perpendicular to any side). The central area of the integrated circuit product, and the aforementioned first to fourth logic chips are changed to be line-symmetrical with respect to the central axis of the integrated circuit product, and are respectively arranged on the periphery of the central area of the integrated circuit product.
在說明書及申請專利範圍中使用了某些詞彙來指稱特定的元件,而本領域內的技術人員可能會用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來做為區分元件的方式,而是以元件在功能上的差異來做為區分的基準。在說明書及申請專利範圍中所提及的「包含」爲開放式的用語,應解釋成「包含但不限定於」。另外,「耦接」一詞在此包含任何直接及間接的連接手段。因此,若文中描述第一元件耦接於第二元件,則代表第一元件可通過電性連接或無線傳輸、光學傳輸等信號連接方式而直接地連接於第二元件,或通過其它元件或連接手段間接地電性或信號連接至第二元件。Certain words are used to refer to specific elements in the specification and scope of claims, but those skilled in the art may use different terms to refer to the same element. This specification and the scope of the patent application do not use the difference in name as a way to distinguish components, but use the difference in function of components as a basis for differentiation. The "comprising" mentioned in the specification and scope of patent application is an open term and should be interpreted as "including but not limited to". In addition, the term "coupled" herein includes any direct and indirect means of connection. Therefore, if it is described that the first element is coupled to the second element, it means that the first element can be directly connected to the second element through electrical connection or signal connection means such as wireless transmission or optical transmission, or through other elements or connections. The means is indirectly electrically or signally connected to the second element.
在說明書中所使用的「和/或」的描述方式,包含所列舉的其中一個項目或多個項目的任意組合。另外,除非說明書中特別指明,否則任何單數格的用語都同時包含複數格的含義。The description of "and/or" used in the specification includes any combination of one or more of the listed items. In addition, unless otherwise specified in the specification, any singular term also includes a plural meaning.
圖式的某些元件的尺寸及相對大小會被加以放大,或者某些元件的形狀會被簡化,以便能更清楚地表達實施例的內容。因此,除非申請人有特別指明,圖式中各元件的形狀、尺寸、相對大小及相對位置等僅是便於說明,而不應被用來限縮本發明的專利範圍。此外,本發明可用許多不同的形式來體現,在解釋本發明時,不應僅侷限於本說明書所提出的實施例態樣。The dimensions and relative sizes of some elements in the drawings will be exaggerated, or the shapes of some elements will be simplified in order to express the contents of the embodiments more clearly. Therefore, unless otherwise specified by the applicant, the shapes, dimensions, relative sizes and relative positions of the elements in the drawings are only for illustration purposes only, and should not be used to limit the patent scope of the present invention. In addition, the present invention can be embodied in many different forms, and when explaining the present invention, it should not be limited only to the embodiments presented in this specification.
為了說明上的方便,說明書中可能會使用一些與空間中的相對位置有關的敘述,對圖式中某元件的功能或是該元件與其他元件間的相對空間關係進行描述。例如,「於…上」、「在…上方」、「於…下」、「在…下方」、「高於…」、「低於…」、「向上」、「向下」等等。所屬技術領域中具有通常知識者應可理解,這些與空間中的相對位置有關的敘述,不僅包含所描述的元件在圖式中的指向關係(orientation),也包含所描述的元件在使用、運作、或組裝時的各種不同指向關係。例如,若將圖式上下顛倒過來,則原先用「於…上」來描述的元件,就會變成「於…下」。因此,在說明書中所使用的「於…上」的描述方式,解釋上包含了「於…下」以及「於…上」兩種不同的指向關係。同理,在此所使用的「向上」一詞,解釋上包含了「向上」以及「向下」兩種不同的指向關係。For the convenience of description, some descriptions related to relative positions in space may be used in the description to describe the function of a certain component in the drawings or the relative spatial relationship between the component and other components. For example, "on," "above," "below," "below," "above," "below," "up," "down," and the like. Those with ordinary knowledge in the technical field should understand that these descriptions related to relative positions in space not only include the orientation of the described components in the drawings, but also include the use and operation of the described components. , or various pointing relationships during assembly. For example, if the drawing is turned upside down, the element originally described as "on" will become "below". Therefore, the description of "on" used in the specification includes two different pointing relationships of "below" and "on". In the same way, the term "upward" used here includes two different pointing relationships of "upward" and "downward".
在說明書及申請專利範圍中,若描述第一元件位於第二元件上、在第二元件上方、連接、接合、耦接於第二元件或與第二元件相接,則表示第一元件可直接位在第二元件上、直接連接、直接接合、直接耦接於第二元件,亦可表示第一元件與第二元件間存在其他元件。相對之下,若描述第一元件直接位在第二元件上、直接連接、直接接合、直接耦接、或直接相接於第二元件,則代表第一元件與第二元件間不存在其他元件。In the description and scope of the patent application, if it is described that the first element is located on the second element, above the second element, connected, bonded, coupled to the second element, or in contact with the second element, it means that the first element can directly Located on the second element, directly connected, directly bonded, or directly coupled to the second element may also mean that there are other elements between the first element and the second element. In contrast, if it is described that the first element is directly on the second element, directly connected, directly bonded, directly coupled, or directly connected to the second element, it means that there are no other elements between the first element and the second element .
以上僅為本發明的較佳實施例,凡依本發明請求項所做的等效變化與修改,皆應屬本發明的涵蓋範圍。The above are only preferred embodiments of the present invention, and all equivalent changes and modifications made according to the claims of the present invention shall fall within the scope of the present invention.
100、200、300、400、500、600...積體電路產品(integrated circuit product)100, 200, 300, 400, 500, 600. . . Integrated circuit product
112、212、312...第一邏輯晶片(first logic chip)112, 212, 312. . . first logic chip
114、214、314...第二邏輯晶片(second logic chip)114, 214, 314. . . second logic chip
116、216、316...第三邏輯晶片(third logic chip)116, 216, 316. . . third logic chip
118、218、318...第四邏輯晶片(fourth logic chip)118, 218, 318. . . fourth logic chip
122、222、322、422、522、622...第一記憶體晶片(first memory chip)122, 222, 322, 422, 522, 622. . . first memory chip
124、224、324、424、524、624...第二記憶體晶片(second memory chip)124, 224, 324, 424, 524, 624. . . second memory chip
126、226、326、426、526、626...第三記憶體晶片(third memory chip)126, 226, 326, 426, 526, 626. . . third memory chip
128、228、328、428、528、628...第四記憶體晶片(fourth memory chip)128, 228, 328, 428, 528, 628. . . fourth memory chip
150...基板(substrate)150. . . Substrate
152...微凸塊(micro bump)152. . . Micro bump
154...凸塊(bump)154. . . Bump (bump)
140...中介層(interposer)140. . . interposer
102、202、302...第一邊(first side)102, 202, 302. . . first side
104、204、304...第二邊(second side)104, 204, 304. . . second side
106、206、306...第三邊(third side)106, 206, 306. . . third side
108、208、308...第四邊(fourth side)108, 208, 308. . . fourth side
101、201、301、401、501、601...中心(center)101, 201, 301, 401, 501, 601. . . center
160、260、360...中心區域(central region)160, 260, 360. . . central region
d1、d2、d3、d4...距離(distance)d1, d2, d3, d4. . . distance
132...第一多邊形(first polygon)132. . . first polygon
134...第二多邊形(second polygon)134. . . second polygon
136...第三多邊形(third polygon)136. . . third polygon
138...第四多邊形(fourth polygon)138. . . fourth polygon
232、332...第一其他晶片(first other chip)232, 332. . . first other chip
234、334...第二其他晶片(second other chip)234, 334. . . second other chip
236、336...第三其他晶片(third other chip)236, 336. . . third other chip
238、338...第四其他晶片(fourth other chip)238, 338. . . Fourth other chip
233、203、313、303...第一頂點(first vertex)233, 203, 313, 303. . . first vertex
235、205、315、305...第二頂點(second vertex)235, 205, 315, 305. . . second vertex
237、207、317、307...第三頂點(third vertex)237, 207, 317, 307. . . third vertex
239、209、319、309...第四頂點(fourth vertex)239, 209, 319, 309. . . fourth vertex
圖1為本發明一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。FIG. 1 is a schematic diagram of a simplified chip layout of an integrated circuit product according to an embodiment of the present invention.
圖2顯示本發明一實施例的積體電路產品之簡化後的側視圖。FIG. 2 shows a simplified side view of an integrated circuit product according to an embodiment of the present invention.
圖3顯示本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的側視圖。FIG. 3 shows a simplified side view of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖4顯示本發明積體電路產品之中心區域與邊緣的關係。FIG. 4 shows the relationship between the central area and the edge of the integrated circuit product of the present invention.
圖5顯示本發明一實施例的積體電路產品之組成單位。FIG. 5 shows the constituent units of an integrated circuit product according to an embodiment of the present invention.
圖6顯示本發明另一實施例的積體電路產品之組成單位。FIG. 6 shows the constituent units of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖7為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。FIG. 7 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖8為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。FIG. 8 is a schematic diagram of a simplified chip layout of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖9為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。FIG. 9 is a schematic diagram of a simplified chip layout of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖10為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。FIG. 10 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖11為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。FIG. 11 is a schematic diagram of a simplified chip layout of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
100...積體電路產品
101...中心
102...第一邊
104...第二邊
106...第三邊
108...第四邊
112...第一邏輯晶片
114...第二邏輯晶片
116...第三邏輯晶片
118...第四邏輯晶片
122...第一記憶體晶片
124...第二記憶體晶片
126...第三記憶體晶片
128...第四記憶體晶片
100. . . Integrated
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI539537B (en) * | 2013-10-07 | 2016-06-21 | 精材科技股份有限公司 | Chip package and method for forming the same |
TW202109894A (en) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | Integrated chip and method of forming the same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7353077B2 (en) * | 2005-07-29 | 2008-04-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Methods for optimizing die placement |
TWI409917B (en) * | 2009-01-23 | 2013-09-21 | Himax Tech Ltd | Chip layout for reducing warpage and method thereof |
US8946868B2 (en) * | 2009-09-30 | 2015-02-03 | Silicon Laboratories Inc. | Multiple die layout for facilitating the combining of an individual die into a single die |
US8901747B2 (en) * | 2010-07-29 | 2014-12-02 | Mosys, Inc. | Semiconductor chip layout |
TWI420614B (en) * | 2011-05-10 | 2013-12-21 | Po Cheng Hsueh | A die detection method for 3d die stacking |
US9159716B2 (en) * | 2013-08-30 | 2015-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Stacked chip layout having overlapped active circuit blocks |
-
2021
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI539537B (en) * | 2013-10-07 | 2016-06-21 | 精材科技股份有限公司 | Chip package and method for forming the same |
TW202109894A (en) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | Integrated chip and method of forming the same |
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