TWI779527B

TWI779527B - 晶粒清潔方法

Info

Publication number: TWI779527B
Application number: TW110109840A
Authority: TW
Inventors: 盧彥豪
Original assignee: 梭特科技股份有限公司
Priority date: 2021-03-18
Filing date: 2021-03-18
Publication date: 2022-10-01
Also published as: TW202237289A

Abstract

一種晶粒清潔方法，包括以下步驟：準備步驟：一晶粒的一表面上具有至少一微粒；移動步驟：一薄膜往靠近晶粒的方向移動，使得薄膜的一清潔部接近晶粒；吸附微粒步驟：藉由一正壓吹拂清潔部，清潔部受到正壓的吹拂而往靠近晶粒的方向移動，使得清潔部吸附至少一微粒；以及移除微粒步驟：清潔部遠離晶粒，並且將至少一微粒從晶粒的表面上移除。藉此，本發明能夠將晶粒的表面上的微粒全部清除，晶粒的後續加工程序不會受到微粒的影響，提升晶粒後續加工製成的產品良率。

Description

晶粒清潔方法

本發明是涉及一種晶粒清潔方法，尤其是一種用以清除晶粒的表面上的微粒的晶粒清潔方法。

積體電路藉由大批方式，經過多道程序，製作在半導體晶圓上，晶圓進一步分割成複數晶粒。換言之，晶粒是以半導體材料製作而成未經封裝的一小塊積體電路本體。分割好的複數晶粒整齊貼附在一承載膜上，接著一承載框負責運送承載膜，然後藉由頂推件將承載膜的晶粒轉移至一基板，俾利進行後續加工程序。

然而，在運送到後製程的途中，晶粒可能因此受到汙染，導致晶粒的表面上附著許多微粒，導致晶粒的後續加工程序容易受到微粒的影響，降低晶粒後續加工製成的產品良率。

本發明的主要目的在於提供一種晶粒清潔方法，能夠將晶粒的表面上的微粒全部清除，晶粒的後續加工程序不會受到微粒的影響，提升晶粒後續加工製成的產品良率。

本發明的另一目的在於提供一種晶粒清潔方法，能夠提供具有延展性且質地柔軟的薄膜，薄膜能夠被正壓吹拂以產生形變，然後吸附微粒，完全不會傷害到晶粒的表面。

本發明的又一目的在於提供一種晶粒清潔方法，能夠更換清潔部對其他晶粒進行清潔作業，提升本發明的清潔效率。

本發明的再一目的在於提供一種晶粒清潔方法，能夠藉由負壓讓薄膜快速收縮，加快薄膜的形狀的回復速度，提升清除微粒的效率。

本發明的還一目的在於提供一種晶粒清潔方法，能夠藉由負壓吸附薄膜及藉由正壓集中吹拂薄膜，達到更精準地吸附和移除晶粒的表面上的微粒的效果。

為了達成前述的目的，本發明提供一種晶粒清潔方法，包括下列步驟：

準備步驟：一晶粒的一表面上具有至少一微粒。

移動步驟：一薄膜往靠近晶粒的方向移動，使得薄膜的一清潔部接近晶粒。

吸附微粒步驟：藉由一正壓吹拂清潔部，清潔部受到正壓的吹拂而往靠近晶粒的方向移動，使得清潔部吸附至少一微粒。

移除微粒步驟：清潔部遠離晶粒，並且將至少一微粒從晶粒的表面上移除。

較佳地，在移除微粒步驟中，藉由一負壓吸附清潔部，使得清潔部遠離晶粒。

較佳地，在準備步驟中，清潔部的一第一表面對準晶粒，一固定裝置抵靠於清潔部的一第二表面；其中，在移動步驟中，固定裝置與薄膜往靠近晶粒的方向同步移動；其中，在吸附微粒步驟中，正壓通過固定裝置吹拂清潔部；以及其中，在移除微粒步驟中，負壓通過固定裝置吸附清潔部。

較佳地，在移除微粒步驟之後進一步包括一更換步驟：另一晶粒的一表面上具有至少一微粒，薄膜橫向移動，直至薄膜上無微粒的一區塊的一第一表面對準另一晶粒且固定裝置抵靠於區塊的一第二表面為止，區塊界定為另一清潔部；以及其中，在完成更換步驟以後依序進行移動步驟、吸附微粒步驟以及移除微粒步驟，使得另一清潔部將至少一微粒從另一晶粒的表面上移除。

較佳地，在更換步驟中，至少二滾筒一邊旋轉一邊驅動薄膜橫向移動。

較佳地，在準備步驟中，固定裝置具有一軸孔，軸孔連接一氣體供應裝置及一真空裝置；其中，在吸附微粒步驟中，氣體供應裝置對軸孔供應氣體以產生氣流並且提供正壓，正壓通過軸孔吹拂清潔部；以及其中，在移除微粒步驟中，真空裝置對軸孔抽氣以產生真空並且提供負壓，負壓通過軸孔吸附清潔部。

較佳地，在吸附微粒步驟中，藉由一第一負壓吸附清潔部的周圍，同時藉由正壓吹拂清潔部的中心，使得清潔部的中心吸附至少一微粒；以及其中，在移除微粒步驟中，藉由一第二負壓吸附清潔部的中心，使得清潔部的中心遠離晶粒。

較佳地，在準備步驟中，清潔部的一第一表面對準晶粒，一固定裝置抵靠於清潔部的一第二表面；其中，在移動步驟中，固定裝置與薄膜往靠近晶粒的方向同步移動；其中，在吸附微粒步驟中，第一負壓通過固定裝置吸附清潔部的周圍，同時正壓通過固定裝置吹拂清潔部的中心；以及其中，在移除微粒步驟中，第二負壓通過固定裝置吸附清潔部的中心。

較佳地，在移除微粒步驟之後進一步包括一更換步驟：另一晶粒的一表面上具有至少一微粒，固定裝置橫向移動，直至固定裝置抵靠於薄膜上無微粒的一區塊的一第二表面且區塊的一第一表面對準另一晶粒為止，區塊界定為另一清潔部；以及其中，在完成更換步驟以後依序進行移動步驟、吸附微粒步驟以及移除微粒步驟，使得另一清潔部將至少一微粒從另一晶粒的表面上移除。

較佳地，在準備步驟中，固定裝置具有複數氣孔及一軸孔，該等氣孔連接一第一真空裝置，軸孔連接一氣體供應裝置及一第二真空裝置；其中，在吸附微粒步驟中，第一真空裝置對該等氣孔抽氣以產生真空並且提供第一負壓，第一負壓通過該等氣孔吸附清潔部的周圍，同時氣體供應裝置對軸孔供應氣體以產生氣流並且提供正壓，正壓通過軸孔吹拂清潔部的中心；以及其中，在移除微粒步驟中，第二真空裝置對軸孔抽氣以產生真空並且提供第二負壓，第二負壓通過軸孔吸附清潔部的中心。

本發明的功效在於，本發明能夠將晶粒的表面上的微粒全部清除，晶粒的後續加工程序不會受到微粒的影響，提升晶粒後續加工製成的產品良率。

再者，本發明能夠提供具有延展性且質地柔軟的薄膜，薄膜能夠被正壓吹拂以產生形變，然後吸附微粒，完全不會傷害到晶粒的表面。

另外，本發明能夠藉由更換步驟更換清潔部對其他晶粒進行清潔作業，提升本發明的清潔效率。

此外，本發明能夠藉由負壓讓薄膜快速收縮，加快薄膜的形狀的回復速度，使得清潔部能夠快速遠離晶粒，提升清除微粒的效率。

又，本發明能夠藉由負壓吸附薄膜及藉由正壓集中吹拂薄膜，達到更精準地吸附和移除晶粒的表面上的微粒的效果。

以下配合圖式及元件符號對本發明的實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。

請參閱圖1至圖8，圖1是本發明的晶粒清潔方法的流程圖，圖2是本發明的第一實施例的準備步驟S1的示意圖，圖3是本發明的第一實施例的固定裝置30、氣體供應裝置40和真空裝置50的示意圖，圖4是本發明的第一實施例的移動步驟S2的示意圖，圖5是本發明的第一實施例的吸附微粒步驟S3的示意圖，圖6是本發明的第一實施例的移除微粒步驟S4的示意圖，圖7和圖8分別是本發明的第一實施例的更換步驟S5的第一種實施態樣和第二種實施態樣的示意圖。如圖1至圖6所示，本發明提供一種晶粒清潔方法，包括下列步驟：

準備步驟S1：如圖1及圖2所示，複數個晶粒10設置在一基板11上，各晶粒10的一表面上具有複數微粒12，一薄膜20的一清潔部21的一第一表面對準其中一晶粒10，一固定裝置30抵靠於清潔部21的一第二表面。更詳而言之，如圖3所示，固定裝置30具有一軸孔31，軸孔31連接一氣體供應裝置40及一真空裝置50。

移動步驟S2：如圖1及圖4所示，固定裝置30與薄膜20往靠近晶粒10的方向同步移動，使得清潔部21接近其中一晶粒10。

吸附微粒步驟S3：如圖1及圖5所示，氣體供應裝置40對軸孔31供應氣體以產生氣流並且提供一正壓41，正壓41通過軸孔31吹拂清潔部21。清潔部21受到正壓41的吹拂而往靠近其中一晶粒10的方向移動，使得清潔部21吸附該等微粒12。較佳地，清潔部21吸附該等微粒12的方式包括：(1)藉由靜電吸附該等微粒12；(2)薄膜20的材質為高分子材料，藉由材料所賦予的鍵結力吸附該等微粒12；(3)在清潔部21的第一表面塗佈一膠層(圖未示)，藉由膠層的黏性吸附該等微粒12。

移除微粒步驟S4：如圖1及圖6所示，真空裝置50對軸孔31抽氣以產生真空並且提供一負壓51，負壓51通過軸孔31吸附清潔部21，使得清潔部21遠離其中一晶粒10，並且將該等微粒12從其中一晶粒10的表面上移除。

更換步驟S5包括以下兩種實施態樣。

第一種實施態樣：如圖7所示，另一晶粒10A的一表面上具有複數微粒12，二滾筒80一邊旋轉一邊驅動薄膜20橫向移動，直至薄膜20上無微粒的一區塊的一第一表面對準另一晶粒10A且固定裝置30抵靠於該區塊的一第二表面為止，該區塊界定為另一清潔部21A。

第二種實施態樣：如圖8所示，另一晶粒10A的一表面上具有複數微粒12，固定裝置30橫向移動，直至固定裝置30抵靠於薄膜20上無微粒的一區塊的一第二表面且該區塊的一第一表面對準另一晶粒10A為止，該區塊界定為另一清潔部21A。

在完成更換步驟S5以後依序進行移動步驟S2、吸附微粒步驟S3以及移除微粒步驟S4，使得另一清潔部21A將該等微粒12從另一晶粒10A的表面上移除。

反覆進行上述步驟，即可將全部晶粒10的表面上的複數微粒12完全清除。

請參閱圖9至圖13，圖9是本發明的第二實施例的準備步驟S1的示意圖，圖10是本發明的第二實施例的固定裝置30A、氣體供應裝置40、第一真空裝置60和第二真空裝置70的示意圖，圖11是本發明的第二實施例的移動步驟S2的示意圖，圖12是本發明的第二實施例的吸附微粒步驟S3的示意圖，圖13是本發明的第二實施例的移除微粒步驟S4的示意圖，並請配合圖1。第二實施例與第一實施例的差別在於：如圖9及圖10所示，在準備步驟S1中，固定裝置30A具有複數氣孔32，該等氣孔32連接一第一真空裝置60，軸孔31連接氣體供應裝置40和一第二真空裝置70。如圖12所示，在吸附微粒步驟S3中，第一真空裝置60對氣孔32抽氣以產生真空並且提供一第一負壓61，第一負壓61通過該等氣孔32吸附清潔部21的周圍211，同時氣體供應裝置40對軸孔31供應氣體以產生氣流並且提供一正壓41，正壓41通過軸孔31吹拂清潔部21的中心212，使得清潔部21的中心212吸附該等微粒12。如圖13所示，在移除微粒步驟S4中，第二真空裝置70對軸孔31抽氣以產生真空並且提供一第二負壓71，第二負壓71通過軸孔31吸附清潔部21的中心212，使得清潔部21的中心212遠離其中一晶粒10，並且將該等微粒12從其中一晶粒10的表面上移除。除此之外，第二實施例的其餘技術特徵皆與第一實施例相同。

藉此，本發明能夠將晶粒10的表面上的微粒12全部清除，晶粒10的後續加工程序不會受到微粒12的影響，提升晶粒10後續加工製成的產品良率。

再者，本發明能夠提供具有延展性且質地柔軟的薄膜20，薄膜20能夠被正壓41吹拂以產生形變，然後吸附微粒12，完全不會傷害到晶粒10的表面。

另外，因為清潔部21吸附的微粒12愈多，清潔效果愈差，所以本發明能夠藉由更換步驟S5更換清潔部21A對其他晶粒10A進行清潔作業，提升本發明的清潔效率。更換步驟S5的第一種實施態樣能夠藉由滾筒80自動地驅動薄膜20橫向移動，提升更換效率。更換步驟S5的第二種實施態樣能夠藉由橫向移動固定裝置30，讓同一張薄膜20上的無微粒的複數區塊成為複數清潔部21A，等到所有清潔部21、21A都沾滿微粒12(即，整張薄膜20都沾滿微粒12)，以一張乾淨的薄膜20取代沾滿微粒12的薄膜20即可，薄膜20的使用率高，完全不浪費。

此外，第一實施例能夠藉由負壓51讓薄膜20快速收縮，加快薄膜20的形狀的回復速度，使得清潔部21能夠快速遠離晶粒10，提升清除微粒12的效率。

又，第二實施例能夠藉由第一負壓61吸附清潔部21的周圍211，以及藉由正壓41集中吹拂清潔部21的中心212，清潔部21的中心212能夠提供更精準地吸附和移除晶粒10的表面上的微粒12，達到更精準地吸附和移除晶粒10的表面上的微粒12的效果。

值得一提的是，第二實施例能夠藉由第二負壓71讓薄膜20快速收縮，加快薄膜20的形狀的回復速度，使得清潔部21的中心212能夠快速遠離晶粒10，提升清除微粒12的效率。

以上所述者僅為用以解釋本發明的較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上的限制，是以，凡有在相同的發明精神下所作有關本發明的任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護的範疇。

10,10A:晶粒 11:基板 12:微粒 20:薄膜 21,21A:清潔部 211:周圍 212:中心 30,30A:固定裝置 31:軸孔 32:氣孔 40:氣體供應裝置 41:正壓 50:真空裝置 51:負壓 60:第一真空裝置 61:第一負壓 70:第二真空裝置 71:第二負壓 80:滾筒 S1:準備步驟 S2:移動步驟 S3:吸附微粒步驟 S4:移除微粒步驟 S5:更換步驟

［圖1〕是本發明的晶粒清潔方法的流程圖。［圖2〕是本發明的第一實施例的準備步驟的示意圖。［圖3〕是本發明的第一實施例的固定裝置、氣體供應裝置和真空裝置的示意圖。［圖4〕是本發明的第一實施例的移動步驟的示意圖。［圖5〕是本發明的第一實施例的吸附微粒步驟的示意圖。［圖6〕是本發明的第一實施例的移除微粒步驟的示意圖。［圖7〕是本發明的第一實施例的更換步驟的第一種實施態樣的示意圖。［圖8〕是本發明的第一實施例的更換步驟的第二種實施態樣的示意圖。［圖9〕是本發明的第二實施例的準備步驟的示意圖。［圖10〕是本發明的第二實施例的固定裝置、氣體供應裝置、第一真空裝置和第二真空裝置的示意圖。［圖11〕是本發明的第二實施例的移動步驟的示意圖。［圖12〕是本發明的第二實施例的吸附微粒步驟的示意圖。［圖13〕是本發明的第二實施例的移除微粒步驟的示意圖。

S1:準備步驟 S2:移動步驟 S3:吸附微粒步驟 S4:移除微粒步驟 S5:更換步驟

Claims

一種晶粒清潔方法，包括下列步驟：準備步驟：一晶粒的一表面上具有至少一微粒；移動步驟：一薄膜往靠近該晶粒的方向移動，使得該薄膜的一清潔部接近該晶粒；吸附微粒步驟：藉由一正壓吹拂該清潔部，該清潔部受到該正壓的吹拂而往靠近該晶粒的方向移動，使得該清潔部吸附該至少一微粒；以及移除微粒步驟：該清潔部遠離該晶粒，並且將該至少一微粒從該晶粒的該表面上移除。
如請求項1所述的晶粒清潔方法，其中，在該移除微粒步驟中，藉由一負壓吸附該清潔部，使得該清潔部遠離該晶粒。
如請求項2所述的晶粒清潔方法，其中，在該準備步驟中，該清潔部的一第一表面對準該晶粒，一固定裝置抵靠於該清潔部的一第二表面；其中，在該移動步驟中，該固定裝置與該薄膜往靠近該晶粒的方向同步移動；其中，在該吸附微粒步驟中，該正壓通過該固定裝置吹拂該清潔部；以及其中，在該移除微粒步驟中，該負壓通過該固定裝置吸附該清潔部。
如請求項3所述的晶粒清潔方法，在該移除微粒步驟之後進一步包括一更換步驟：另一晶粒的一表面上具有至少一微粒，該薄膜橫向移動，直至該薄膜上無微粒的一區塊的一第一表面對準該另一晶粒且該固定裝置抵靠於該區塊的一第二表面為止，該區塊界定為另一清潔部；以及其中，在完成該更換步驟以後依序進行該移動步驟、該吸附微粒步驟以及該移除微粒步驟，使得該另一清潔部將該至少一微粒從該另一晶粒的該表面上移除。
如請求項4所述的晶粒清潔方法，其中，在該更換步驟中，至少二滾筒一邊旋轉一邊驅動該薄膜橫向移動。
如請求項3至5中任一項所述的晶粒清潔方法，其中，在該準備步驟中，該固定裝置具有一軸孔，該軸孔連接一氣體供應裝置及一真空裝置；其中，在該吸附微粒步驟中，該氣體供應裝置對該軸孔供應氣體以產生氣流並且提供該正壓，該正壓通過該軸孔吹拂該清潔部；以及其中，在該移除微粒步驟中，該真空裝置對該軸孔抽氣以產生真空並且提供該負壓，該負壓通過該軸孔吸附該清潔部。
如請求項1所述的晶粒清潔方法，其中，在該吸附微粒步驟中，藉由一第一負壓吸附該清潔部的周圍，同時藉由該正壓吹拂該清潔部的中心，使得該清潔部的中心吸附該至少一微粒；以及其中，在該移除微粒步驟中，藉由一第二負壓吸附該清潔部的中心，使得該清潔部的中心遠離該晶粒。
如請求項7所述的晶粒清潔方法，其中，在該準備步驟中，該清潔部的一第一表面對準該晶粒，一固定裝置抵靠於該清潔部的一第二表面；其中，在該移動步驟中，該固定裝置與該薄膜往靠近該晶粒的方向同步移動；其中，在該吸附微粒步驟中，該第一負壓通過該固定裝置吸附該清潔部的周圍，同時該正壓通過該固定裝置吹拂該清潔部的中心；以及其中，在該移除微粒步驟中，該第二負壓通過該固定裝置吸附該清潔部的中心。
如請求項8所述的晶粒清潔方法，在該移除微粒步驟之後進一步包括一更換步驟：另一晶粒的一表面上具有至少一微粒，該固定裝置橫向移動，直至該固定裝置抵靠於該薄膜上無微粒的一區塊的一第二表面且該區塊的一第一表面對準該另一晶粒為止，該區塊界定為另一清潔部；以及其中，在完成該更換步驟以後依序進行該移動步驟、該吸附微粒步驟以及該移除微粒步驟，使得該另一清潔部將該至少一微粒從該另一晶粒的該表面上移除。
如請求項8或9所述的晶粒清潔方法，其中，在該準備步驟中，該固定裝置具有複數氣孔及一軸孔，該等氣孔連接一第一真空裝置，該軸孔連接一氣體供應裝置及一第二真空裝置；其中，在該吸附微粒步驟中，該第一真空裝置對該等氣孔抽氣以產生真空並且提供該第一負壓，該第一負壓通過該等氣孔吸附該清潔部的周圍，同時該氣體供應裝置對該軸孔供應氣體以產生氣流並且提供該正壓，該正壓通過該軸孔吹拂該清潔部的中心；以及其中，在該移除微粒步驟中，該第二真空裝置對該軸孔抽氣以產生真空並且提供該第二負壓，該第二負壓通過該軸孔吸附該清潔部的中心。