TWI778730B - 具有共用電極的發光二極體裝置及其封裝結構 - Google Patents

Abstract

一種具有共用電極的發光二極體裝置，為共陰電極結構，包含一基板、多個發光二極體單元、多個電極單元，及一波長轉換單元。每一發光二極體單元包括多個發光源及一磊晶支撐結構，各自具有自基板依序向上形成的n型半導體層、發光層，及p型半導體層。該支撐磊晶結構具有一凹槽。每一電極單元具有多個對應設置於發光源的p型半導體層上的P型電極，及至少一自該發光二極體單元的n型半導體層延伸至該支撐磊晶結構頂面的共用N型電極。該波長轉換單元設置於基板另一面，用以轉換發光源所發出的光波長。此外，本案還提供一種為共陽電極結構的發光二極體裝置。

Description

具有共用電極的發光二極體裝置及其封裝結構

本發明是有關於一種發光二極體裝置及其封裝結構，特別是指一種具有共電極結構的發光二極體裝置及其封裝結構。

發光二極體由於具有體積小及高亮度等優勢而經常被應用於顯示面板。隨著產業發展，人們對於例如畫素、色彩亮度等顯示影像的品質要求越來越高，該發光二極體逐步往的微縮晶粒尺寸、提升單位面積下的晶粒數量的方向發展。然而，在該發光二極體的晶粒數量的提升的情況下，尺寸微縮的發展仍有其極限，因此，業界選擇以共用電極的方式形成共陰極或共陽極的發光二極體結構，藉此減少供用於晶粒對外電連接的引腳數量，而可在具有多數晶粒的情況下更進一步減少該發光二極體的體積。

然而，於共陰極或共陽極的發光二極體結構，因由多數個晶粒共同對位連接同一共用電極，而容易有因各自晶粒用於接合處的高低位置不同，而不利於連接同一共用電極的問題，且在該共用電極與基板的接合處容易產生應力，因此，後續在應用時容易因為該共用電極與基板的密著性不佳而有剝離的問題。

因此，本發明的目的，即在提供一種具有共用電極的發光二極體裝置，而有利於與一電子構件接合，並增加與該電子構件的密著性。

於是，本發明具有共用電極的發光二極體裝置，包含一基板、多個發光二極體單元、多個電極單元，及一波長轉換單元。

該基板具透光性。

該等發光二極體單元形成於該基板的其中一表面，且每一發光二極體單元包括自該基板的表面依序向上的一n型半導體層、多個間隔形成於該n型半導體層表面的發光層、一位被該等發光層環圍的中心發光層，及多個對應形成於該等發光層及該中心發光層表面的p型半導體層，該n型半導體層與每一層發光層及相應形成於該每一層發光層上的p型半導體層共同定義出一發光源，該n型半導體層與該中心發光層及相應形成於該中心發光層上的p型半導體層共同定義出一支撐磊晶結構，且該支撐磊晶結構具有一自該p型半導體層向下形成的凹槽。

該等電極單元分別對應每一個發光二極體單元設置，每一個電極單元具有多個分別對應每一個發光源的p型半導體層表面的P型電極，及至少一個自該n型半導體層表面並沿該支撐磊晶結構的周面延伸至該支撐磊晶層的頂面的共用N型電極，且該至少一共用N型電極於該支撐磊晶結構之頂面的位置彼此連接。

該波長轉換單元設置於該基板反向於該等發光二極體單元的另一表面，具有多個分別對位於該等發光二極體單元的該等發光層的波長轉換件，該等波長轉換件供用以將相對應的該等發光層所發出的激發光轉換成不同波長。

此外，本發明的另一目的，即在提供一種具有共用電極的發光二極體裝置，而有利於與一電子構件接合，並增加與該電子構件的密著性。

於是，本發明具有共用電極的發光二極體裝置，包含一基板、多個發光二極體單元、多個電極單元、多個絕緣支撐單元，及一波長轉換單元。

該基板具透光性。

該等發光二極體單元形成於該基板的其中一表面，且每一發光二極體單元具有多個彼此間隔設置的發光二極體，及一被該等發光二極體環圍的支撐磊晶結構，該等發光二極體及該支撐磊晶結構各自具有自該基板的表面依序向上的一n型半導體層、一形成於該n型半導體層表面的發光層，及一設置於該發光層上的p型半導體層，其中，該支撐磊晶結構具有一自該p型半導體層向下形成至令該n型半導體層裸露的凹槽，每一個發光二極體即為一發光源，且每一個發光二極體的該發光層是形成於該n型半導體層的部分表面而令該n型半導體層裸露，且該等發光二極體單元的n型半導體層裸露的部分彼此遠離。

該等電極單元分別對應每一個發光二極體單元設置，每一個電極單元具有多個分別對位設置於每一個發光二極體的n型半導體層表面的N型電極，及多個分別自每一個發光二極體的p型半導體層延伸至該一支撐磊晶結構的頂面的共用P型電極，且該等共用P型電極於該支撐磊晶結構之頂面的位置彼此連。

該波長轉換單元設置於該基板反向於該等發光二極體單元的另一表面，並具有多個分別對位於該等發光二極體單元設置的波長轉換件，且該等波長轉換件供用以將相對應的該等發光二極體單元所發出的激發光轉換成不同波長。

又，本發明的另一目的，即在提供一種具有共用電極的發光二極體封裝結構。

於是，本發明具有共用電極的發光二極體封裝結構，包含一如前述具有共用電極的發光二極體裝置，及一電路板。

該發光二極體裝置具有一共用N型電極，及多個P型電極。

該電路板具有線路結構，並透過多個焊料球而與該等P型電極與該共用N型電極電連接。

又，本發明的另一目的，即在提供一種具有共用電極的發光二極體封。

於是，本發明具有共用電極的發光二極體封裝結構，包含一如前所述具有共用電極的發光二極體裝置，及一電路板。

該發光二極體裝置具有多個共用P型電極，及多個N型電極。

該電路板具有線路結構，並透過多個焊料球而與該等N型電極與該等共用P型電極電連接。

本發明的功效在於：透過該支撐磊晶結構而使該電極單元可位於等高或是高度相近的位置，而有利於與外接的電子構件接合，此外，當透過焊料與外界電連接時，還可進一步利用形成於該支撐磊晶結構的凹槽供焊料或接著劑填入，以提升該發光二極體裝置與外接的電子構件間的密著性。

有關本發明之相關技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。此外，要說明的是，本發明圖式僅為表示元件間的結構及/或位置相對關係，與各元件的實際尺寸並不相關。

參閱圖1、圖2與圖3，本發明具有共用電極的發光二極體裝置2的一第一實施例，是以具有共陰極的發光二極體裝置2為例說明，該發光二極體裝置2包含一基板21、多個發光二極體單元22、多個電極單元23、一絕緣單元24、一波長轉換單元25，及一保護層26。

該基板21具透光性，於該基板21的表面定義出多個出光區211，及一框圍該等出光區211而令其彼此間隔的非出光區212。

該等發光二極體單元22以陣列排列方式形成於該基板21的其中一表面(見圖1)，圖2與圖3中僅顯示其中一個發光二極體單元22。參閱圖3，每一發光二極體單元22包括自該基板21的表面依序向上的一n型半導體層221、多個間隔形成於該n型半導體層221表面的發光層222a、一位被該等發光層222a環圍的中心發光層222b，及多個對應形成於該等發光層222a與該中心發光層222b表面的p型半導體層223。

其中，該n型半導體層221與每一層發光層222a及相應形成於該發光層222a上的p型半導體層223共同定義出一發光源220。該n型半導體層221、該中心發光層222b及相應形成於該中心發光層222b上的p型半導體層223共同定義出一與該等發光源220具有相同高度的支撐磊晶結構224(見圖3)。該支撐磊晶結構224具有自相應的該p型半導體層223的頂面向下延伸至該n型半導體層221的一壘晶壁面2241，以定義出一令該n型半導體層221裸露的凹槽225。

在一些實施例中，該壘晶壁面2241也可自相應的該p型半導體層223向下延伸至該基板21，以令該基板21經由該凹槽225裸露。由於該等發光二極體單元22的相關材料及細部的膜層結構為本技術領域所周知，且非為本案之重點，因此，於此不再多加贅述。

在本實施例中，該等發光源220分別對位形成於該等出光區211設置，以利該等發光二極體單元22於利用覆晶封裝後，該等發光源220發出的激發光能分別自該等出光區211對外出光。

該每一發光二極體單元22可具有至少三個發光源220，以令每一發光二極體單元22可至少發出紅、藍、綠三種色光，而得以利用該等色光進行全彩顯示。在本實施例中，是以該每一個發光二極體單元22具有四個間隔設置於該n型半導體層221表面的發光層222a為例，因此，該每一個發光二極體單元22會包括四個以2x2的形式間隔排列並對應設置於該等出光區211的發光源220。此外，要說明的是，於本實施例中是以該等發光源220皆發出相同波長的藍色光為例，但實際實施時，該等發光源220的數量、排列方式或發光波長等並不以此為限。

該等電極單元23分別對應每一個發光二極體單元22設置。每一個電極單元23具有多個分別對應設置於每一發光源220的p型半導體層223表面的P型電極231，及至少一個自該n型半導體層221表面並沿該支撐磊晶結構224的周面延伸至該支撐磊晶結構224的頂面的共用N型電極232，且該至少一共用N型電極232對應設置於該非出光區212。於本實施例中，該每一個電極單元23會具有四個分別對應設置於每一個p型半導體層223表面的P型電極231，及多個共用N型電極232(見圖2)。該等共用N型電極232是自該等發光源220之間的n型半導體層221表面延伸至該支撐磊晶結構224的頂面，而於該支撐磊晶結構224之頂面彼此連接，並進一步自該支撐磊晶結構224的頂面沿該磊晶壁面2241向下延伸並覆蓋自該凹槽225裸露的該n型半導體層221。

要說明的是，於一些實施例中，該等共用N型電極232也可以是僅延伸至該支撐磊晶結構224的頂面，或是僅延伸披覆於該磊晶壁面2241而未覆蓋自該凹槽225底部裸露的n型半導體層221表面。只要可令該等共用N型電極232可具有位於該支撐磊晶結構224的頂面的接合部分，而與該P型電極231位於等高位置即可。

此外，要再說明的是，無論該等共用N型電極232是否有延伸至該等凹槽225的磊晶壁面2241，均不會填滿該凹槽225，而可令該凹槽225維持一可用以容置焊料的空間。

本發明透過該支撐磊晶結構224作為該等共用N型電極232的支撐結構，而可讓該等共用N型電極232可與該等P型電極231位於等高位置，而在後續應用時有助於對外電連接，且接合其他電子構件時，亦可供焊料填置於該支撐磊晶結構224的凹槽225，以增加接合的密著性。此外，該等共用N型電極232設置於該等發光二極體單元22之間並連接於該支撐磊晶結構224的頂面，而可視為一簍空結構。該簍空結構可作為應力緩衝的空間，而可使該發光二極體裝置2在製程中或是在後續配置於顯示器元件時，該共用N型電極232與基板21之間、該共用N型電極232與其他外接的封裝構件間的接合處等所產生的應力能通過簍空結構釋放，以避免該共用N型電極232剝離，或是與該共用N型電極232連接的該等發光源220，因受力而剝離或損毀。較佳地，該等共用N型電極232如圖2所示對稱且均勻間隔地設置於該n型半導體層221，而可令該發光二極體裝置2於後續作動時，所導入的電流能均勻分布。

該絕緣單元24設置於該支撐磊晶結構224的至少部分周面，並具有多個絕緣披覆層241。該等絕緣披覆層241分別披覆支撐磊晶結構224的至少部周面及該磊晶壁面2241上，以令該等共用N型電極232與該支撐磊晶結構224的周面絕緣隔離。該絕緣單元24可選自氧化物或氮化物等絕緣材料，且可由沉積或是濺鍍等方式形成，由於該等絕緣材料的選擇及製程方法為本技術領域習知，故部再多加說明。

該波長轉換單元25設置於該基板21反向於該等發光二極體單元22的另一表面，並具有多個波長轉換件251、一遮光層252，及多個濾光件253。該等波長轉換件251分別對位於相應的該發光二極體單元22的該等發光源220(亦即該等發光層222a)的位置設置，並供用以將相應的該等發光源220所發出的激發光轉換成不同波長。其中，該等波長轉換件251可視所要轉換的波長，選自適用的螢光材料或是不同尺寸、不同種類的量子點，由於該等螢光材料及量子點的相關材料種類選擇為本技術所知悉，因此，不再多加贅述。

在本實施例中，該等波長轉換件251於對應每一個發光二極體單元22的四個發光源220的設置方式，是以對應該其中一個發光源220的位置設置一可將該發光源220發出的光轉換成綠光的波長轉換件251、對應其中兩個發光源220的位置設置可將該兩個發光源220發出的光轉換成紅光的波長轉換件251，且於第四個發光源220位置設置一不影響出光波長的穿透件(圖未示)，而可令相應的發光源220發出的光穿過而不改變波長。以該等發光源220均發出相同波長的藍光為例，該等發光源220經由該基板21自相應的出光區211向外出光，並透過相應的該等波長轉換件251將藍光分別轉換成綠光、紅光，因此，每一發光二極體單元22發出的光經由該波長轉換單元25後可對外發出藍光、綠光及紅光三種色光。

在一些實施例中，該等發光源220也可以發出相同波長的紫外光，此時即可透過相應的該等波長轉換件251將紫外光分別轉換成綠光、紅光，及藍光，以令每一發光二極體單元22發出的光經由該波長轉換單元25後可對外發出藍光、綠光及紅光三種色光。

該等濾光件253分別對位形成於該等波長轉換件251及該透光件反向於該基板21的一面上，而可用以濾除通過相應的波長轉換件251所發出的光特定波長的光線。詳細的說，該等發光源220發出的光會經由所對應的該波長轉換件251或透光件轉換成特定波長的色光，然而，為避免該等發光源220未被相應的該波長轉換件251轉換波長的光也同時對外發出，而影響出光光色，因此，藉由於該波長轉換件251上再設置該濾光件253以濾除自該發光源220發出且未被該波長轉換件251進行轉換波長的的光線(例如:濾除非可視光範圍的波長)，以進一步確保該發光二極體裝置2發出的光色能更符合預期。

於一些實施例中，也可視需求而無需設置該等濾光件253，只要該波長轉換單元25能利用該等波長轉換件251盡可能地轉換發光的波長即可。

該遮光層252對應於該非出光區212的位置設置，用以框圍該等波長轉換件251、該穿透件以及相應的該等濾光件253而令其彼此間隔。該遮光層252是以不具透光性的材料，例如黑色光阻材料(black matrix)或黑色墨水構成，並可利用微影、網印、噴塗等方式形成該基板2反向該等發光源220的表面，用以提供遮光效果以避免該等發光源220發出的色光相互影響。

該保護層26具有透光性，披覆於該遮光層252與該等波長轉換件251，可利用塗佈或沉積等方式形成，以提供保護作用。

參閱圖4與圖5，本發明具有共用電極的發光二極體裝置的一第二實施例，與該第一實施例的差異在於，該第二實施例的發光二極體裝置3為共陽極結構。

該發光二極體裝置3包含一基板31、多個發光二極體單元32、多個電極單元33、一絕緣單元34、一波長轉換單元35，及一保護層36。其中，該基板31、該波長轉換單元35(包含波長轉換件351、遮光層352，及濾光件353)與該保護層36的結構與該第一實施例(參考圖3) 的該基板21、該波長轉換單元25與該保護層26的結構及材料相同，因此，於此不再說明。

該等發光二極體單元32形成於該基板31的其中一表面，且每一發光二極體單32元具有多個彼此間隔並對應設置於該基板31的出光區311的發光二極體320，及一被該等發光二極體320環圍的支撐磊晶結構324，且每一個發光二極體320即為一發光源。該每一個發光二極體320具有自該基板31的表面依序向上的一n型半導體層321、一形成於該n型半導體層321的部分表面且讓該n型半導體層321部分裸露的發光層322，及一設置於該發光層322上的p型半導體層323，且該等發光二極體320的n型半導體層321裸露的部分彼此遠離。該支撐磊晶結構324對應形成於該基板31的非出光區312，且同樣具有自該基板31的表面依序向上的該n型半導體層321、形成於該n型半導體層321表面的該發光層322，及設置於該發光層322上的p型半導體層323，而可與該等發光二極體320具有相同的高度，不同的是，該支撐磊晶結構324具有一自該p型半導體層323向下形成的凹槽315，該凹槽315的深度可以是至讓該n型半導體層321裸露或是製令該基板2表面裸露均可，於本實施例中，是以該凹槽312的深度可令該n型半導體層321裸露為例。

該每一發光二極體單元32可具有至少三個發光二極體320，以令該每一發光二極體單元32可至少發出紅、藍、綠三種色光，而得以利用該等色光進行全彩顯示。在本第二實施例中，是以該每一個發光二極體單元32包括四個以2x2的形式間隔排列的發光二極體320，即該每一個發光二極體單元32具有四個發光源320(見圖4)，且該等發光二極體320(發光源)皆發出相同波長的藍色光為例，但實際實施時，該等發光二極體320的數量、排列方式或發光波長等並不以此為限。

該等電極單元33分別對應每一個發光二極體單元32設置。且在本實施例中，每一個電極單元33具有四個分別對位設置於該每一個發光源(發光二極體)320裸露出的n型半導體層321表面的N型電極331，及多個用於同時連接該等發光二極體320的該等p型半導體層323的共用P型電極332。其中，該等共用P型電極332分別自每一個發光二極體320的p型半導體層323沿該發光二極體320的周面，再經由該基板3表面延伸至該支撐磊晶結構324的頂面，且於該頂面彼此連接。藉由該支撐磊晶結構324將該等共用P型電極332連接並令該等共用P型電極332可與該等N型電極331位於高度相近的位置，而有助於對外連接其它電子構件。在本實施例中，該等共用P型電極332會進一步自該支撐磊晶結構324的頂面延伸覆蓋至該磊晶壁面3241，以及自該凹槽325露出之n型半導體層321表面(見圖5)。要說明的是，該等共用P型電極332沿伸至該凹槽325時，僅披覆於該磊晶壁面3241上，而不會填滿該凹槽315的內部空間。

在一些實施例中，該等共用P型電極332也可僅延伸至該支撐磊晶結構324的頂面，而無須延伸覆蓋至該磊晶壁面3241，只要可令該等共用P型電極332具有位於該支撐磊晶結構324的頂面的接合部分，而與該等N型電極331位於相近高度或等高位置即可。

該等絕緣單元34是以絕緣材料構成，具有多個絕緣披覆層341，並分別設置於該等發光二極體320、該支撐磊晶結構324的至少部面周面及/或該磊晶壁面3241上，以令該等共用P型電極332與該等發光二極體320及該支撐磊晶結構324的周面絕緣隔離。

此外，要再說明的是，前述該第一、二實施例都是以每一個發光二極體單元22、32具有一個支撐磊晶結構224、324為例說明，然，實際實施時，也可視設計及需求而於每一個發光二極體單元22、32中設置多個支撐磊晶結構224、324，只要是可讓用於共極的電極(共用N型電極232或是共用P型電極332)可延伸至該等支撐磊晶結構224、324的頂面並彼此電連接即可，並無須特別限制該支撐磊晶結構224、324的數量。

由於本案發光二極體裝置2、3的電極單元23、33位於等高或相近高度的位置，因此有助於接合其他的電子構件，參閱圖6，圖6是以如圖3所示的該發光二極體裝置2通過一接合單元5接合於一具有線路結構的電路板4而得到一具有共用電極的發光二極體封裝結構為例做說明，該接合單元5具有多個焊料球51，該等P型電極231與該等共用N型電極232分別透過該等焊料球51與該電路板4的線路結構電連接。其中，用以連接該共用N型電極232與該電路板4的焊料球51的部分會填入該凹槽225中，以提升表面焊接(Surface Mount Technology，SMT)的密著性，且該等共用N型電極232部分設置於該支撐磊晶結構224上而與該P型電極231位於等高位置，而有利於與該電路板4電連接。

參閱圖7，圖7用以說明將如圖5的該發光二極體裝置3通過該等焊料球51接合於該電路板4上，而形成一發光二極體封裝結構。詳細地說，該等N型電極331與該等共用P型電極332分別透過該等焊料球51與該電路板4的線路結構電連接。其中，用以連接該等共用P型電極332與該電路板4的焊料球51的部分會填入該凹槽325中，以提升表面焊接的密著性，且該等共用P型電極332部分設置於該支撐磊晶結構324上而與該N型電極331位於高度相近的位置，因此有利於與該電路板4電連接。

綜上所述，本發明具有共用電極的發光二極體裝置2、3透過該支撐磊晶結構224、324而使該電極單元23、33位於等高或高度相近位置，而有利於並經由與外接的電子構件接合，且該凹槽225、325可供填置焊料或接著劑，而能提升該發光二極體裝置2、3與外接的電子構件間的密著性。此外，藉由該共用N型電極232或該共用P型電極332的簍空結構還可釋放來自不同位置之接合處的應力拉扯，而可使該發光二極體裝置2、3在製程中或是在後續配置於顯示器元件時能避免該共用N型電極232或該等共用P型電極332剝離或毀損，故確實可達成本發明的目的。

惟以上所述者，僅為本發明的實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。

2、3:發光二極體裝置

21、31:基板

211、311:出光區

212、312:非出光區

22、32:發光二極體單元

220、320:發光源

221、321:n型半導體層

222a、322:發光層

222b:中心發光層

223、323:p型半導體層

224、324:支撐磊晶結構

2241、3241:磊晶壁面

225、325:凹槽

23、33:電極單元

231:P型電極

232:共用N型電極

331:N型電極

332:共用P型電極

24、34:絕緣單元

241、341:絕緣披覆層

25、35:波長轉換單元

251、351:波長轉換件

252、352:遮光層

253、353:濾光件

26、36:保護層

4:電路板

5:接合單元

51:焊料球

本發明的其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1是一俯視示意圖，說明本發明具有共用電極的發光二極體裝置的一第一實施例； 圖2是一俯視示意圖，說明該第一實施例的其中一個發光二極體單元； 圖3是一剖視示意圖，輔助說明沿圖2之III-III折線的剖視結構； 圖4是一俯視示意圖，說明本發明具有共用電極的發光二極體裝置的一第二實施例； 圖5是一剖視示意圖，輔助說明沿圖4之V-V割面線的剖視結構； 圖6是一剖視示意圖，說明該第一實施例的發光二極體裝置結合於一電路板上；及 圖7是一剖視示意圖，說明該第二實施例的發光二極體裝置結合於一電路板上。

2:發光二極體裝置

21:基板

211:出光區

212:非出光區

22:發光二極體單元

220:發光源

221:n型半導體層

222a:發光層

222b:中心發光層

223:p型半導體層

224:支撐磊晶結構

2241:磊晶壁面

225:凹槽

23:電極單元

231:P型電極

232:共用N型電極

24:絕緣單元

241:絕緣披覆層

25:波長轉換單元

251:波長轉換件

252:遮光層

253:濾光件

26:保護層

Claims (17)

1. 一種具有共用電極的發光二極體裝置，包含：一基板，具透光性；多個發光二極體單元，形成於該基板的其中一表面，且每一發光二極體單元包括自該基板的表面依序向上的一n型半導體層、多個間隔形成於該n型半導體層表面的發光層、一被該等發光層環圍的中心發光層，及多個對應形成於該等發光層及該中心發光層表面的p型半導體層，該n型半導體層與每一層發光層及相應形成於該每一層發光層上的p型半導體層共同定義出一發光源，該n型半導體層與該中心發光層及相應形成於該中心發光層上的p型半導體層共同定義出一支撐磊晶結構，且該支撐磊晶結構具有一自該p型半導體層向下形成的凹槽；多個電極單元，分別對應每一個發光二極體單元設置，每一個電極單元具有多個分別對應每一個發光源的p型半導體層表面的P型電極，及至少一個自該n型半導體層表面並沿該支撐磊晶結構的周面延伸至該支撐磊晶結構的頂面的共用N型電極，且該至少一共用N型電極於該支撐磊晶結構之頂面的位置彼此連接；及一波長轉換單元，設置於該基板反向於該等發光二極體單元的另一表面，具有多個分別對位於該等發光二極體單元的該等發光層的波長轉換件，該等波長轉換件供用以將相對應的該等發光層所發出的激發光轉換成不同波長。
2. 如請求項1所述的具有共用電極的發光二極體裝置，還包 含一設置於該支撐磊晶結構的至少部面周面的絕緣單元，該至少一共用N型電極藉由該絕緣單元與該支撐磊晶結構的周面絕緣隔離。
3. 如請求項2所述的具有共用電極的發光二極體裝置，其中，該凹槽是由一磊晶壁面定義形成，且令該n型半導體層裸露，該絕緣單元設置於該磊晶壁面的表面，該至少一條共用N型電極還自該支撐磊晶結構的頂面沿該磊晶壁面向下延伸並覆蓋自該凹槽裸露的該n型半導體層，且該至少一條共用N型電極藉由該絕緣單元與該磊晶壁面絕緣隔離。
4. 如請求項1所述的具有共用電極的發光二極體裝置，其中，該每一個電極單元具有多條共用N型電極，該等共用N型電極是自該等發光源之間的n型半導體層表面延伸至該支撐磊晶結構的頂面，且彼此連接。
5. 如請求項1所述的具有共用電極的發光二極體裝置，其中，該波長轉換單元還具有一遮光層，用以框圍該等波長轉換件而令其彼此間隔。
6. 如請求項5所述的具有共用電極的發光二極體裝置，其中，該波長轉換單元還具有多個分別對位形成於該等波長轉換件反向於該基板一面的濾光件，用以濾除自該發光源發出且未被相應的該波長轉換件轉換波長的光線。
7. 如請求項1所述的具有共用電極的發光二極體裝置，還包含一披覆該波長轉換單元的保護層，且該保護層具有透光性。
8. 如請求項1所述的具有共用電極的發光二極體裝置，其中，該等發光源是發出藍光或紫外光，該等波長轉換件是可用以將該等發光源發出的光進行波長轉換，以令每一發光二極體單元可對外發出至少藍光、綠光及紅光三種色光。
9. 一種具有共用電極的發光二極體裝置，包含：一基板，具透光性；多個發光二極體單元，形成於該基板的其中一表面，且每一發光二極體單元具有多個彼此間隔設置的發光二極體，及一被該等發光二極體環圍的支撐磊晶結構，該等發光二極體及該支撐磊晶結構各自具有自該基板的表面依序向上的一n型半導體層、一形成於該n型半導體層表面的發光層，及一設置於該發光層上的p型半導體層，其中，該支撐磊晶結構具有一自該p型半導體層向下形成至令該n型半導體層裸露的凹槽，每一個發光二極體即為一發光源，且每一個發光二極體的該發光層是形成於該n型半導體層的部分表面而令該n型半導體層裸露，且該等發光二極體單元的n型半導體層裸露的部分彼此遠離；多個電極單元，分別對應每一個發光二極體單元設置，每一個電極單元具有多個分別對位設置於每一個發光二極體的n型半導體層表面的N型電極，及多個分別自每一個發光二極體的p型半導體層延伸至該一支撐磊晶結構的頂面的共用P型電極，且該等共用P型電極於該支撐磊晶結構之頂面的位置彼此連接；及 一波長轉換單元，設置於該基板反向於該等發光二極體單元的另一表面，並具有多個分別對位於該等發光二極體單元設置的波長轉換件，且該等波長轉換件供用以將相對應的該等發光二極體單元所發出的激發光轉換成不同波長。
10. 如請求項9所述的具有共用電極的發光二極體裝置，還具有一設置於該等發光二極體及該支撐磊晶結構的至少部面周面的絕緣單元，該等共用P型電極藉由該絕緣單元與該等發光二極體及該支撐磊晶結構的周面絕緣隔離。
11. 如請求項10所述的具有共用電極的發光二極體裝置，其中，該凹槽是由一磊晶壁面定義出，且該絕緣單元還設置於該磊晶壁面的表面。
12. 如請求項9所述的具有共用電極的發光二極體裝置，其中，該轉換單元還具有一遮光層，用以框圍該等波長轉換件而令其彼此間隔獨立。
13. 如請求項12所述的具有共用電極的發光二極體裝置，其中，該波長轉換單元還具有多個分別對位形成於該等波長轉換件反向於該基板一面的濾光件，用以濾除自該發光源發出且未被相應的該波長轉換件轉換波長的光線。
14. 如請求項9所述的具有共用電極的發光二極體裝置，還包含一披覆該波長轉換單元的保護層，且該保護層具有透光性。
15. 如請求項9所述的具有共用電極的發光二極體裝置，其中，該等發光源是發出藍光或紫外光，該等波長轉換件是 可用以將該等發光源發出的光進行波長轉換，以令每一發光二極體單元可對外發出至少藍光、綠光及紅光三種色光。
16. 一種具有共用電極的發光二極體封裝結構，包含：一如請求項1所述的發光二極體裝置；及一電路板，具有線路結構，並透過多個焊料球而與該等P型電極與該共用N型電極電連接。
17. 一種具有共用電極的發光二極體封裝結構，包含：一如請求項9所述的發光二極體裝置；及一電路板，具有線路結構，並透過多個焊料球而與該等N型電極與該等共用P型電極電連接。

Images