TWI778294B - 用於被動光學網路之自動增益控制 - Google Patents

用於被動光學網路之自動增益控制 Download PDF

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維爾吉尼尤斯 丹格拉斯
伊格 馬克維奇
里查達斯 維道可里斯
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Abstract

一種自動增益控制電路控制叢發模式放大器的增益。峰值檢測器包括耦接到放大器的輸出之輸入。複數個電阻器被串聯耦接在第一放大器的輸入與第一放大器的輸出之間，以供設定放大器的增益。第一增益級是響應於峰值檢測器的輸出訊號，以供禁能複數個電阻器的第一電阻器來改變第一放大器的增益。第二增益級是響應於峰值檢測器的輸出訊號，以供禁能複數個電阻器的第二電阻器來改變第一放大器的增益。每個叢發模式，比較器響應於峰值檢測器的輸出訊號，致使脈衝產生器以致能第一增益級與第二增益級。

Description

用於被動光學網路之自動增益控制
本發明是概括關於被動光學網路，且尤指用於叢發模式跨阻抗放大器之快速自動增益控制。
十億位元被動光學網路(GPON,gigabit passive optical network)是透過光纖纜線而提供在網際網路服務提供者(ISP,internet service provider)與終端使用者之間的高速資料通訊。GPON使用點對多點架構(1：32)，用光纖分離器以從單一個光源來服務多個端點。舉例來說，GPON包括在ISP中央局或交換中心的一光學線路端子(OLT,optical line terminal)，以及位在接近終端使用者的複數個光學網路單元(ONU,optical network unit)或光學網路端子(ONT,optical network terminal)。各個ONU服務個別終端使用者。GPON是共享式網路，在此共享式網路中，OLT送出串流的資料封包而作為所有ONU可見之下游(downstream)的訊務。各個ONU讀取對應於特定ONU位址之資料封包的內容。加密防止關於下游的訊務之竊聽。GPON不需要提供在集線器與顧客之間的個別光纖。
OLT可包括在資料接收通道中之具有自動增益控制(AGC,automatic gain control)的叢發模式(BM,burst mode)跨阻抗放大器(TIA,trans impedance amplifier)。圖1顯示在OLT之內的習用TIA 10，其包括在資料 接收通道中之前端放大器12、單端到差動(SE2DIFF,single-ended to differential)放大器14、與共同模式位準(CML,common mode level)驅動器16。AGC 20具有耦接到SE2DIFF放大器14的輸出之輸入與控制前端放大器12的增益之輸出。AGC 20檢測在SE2DIFF放大器14之後的訊號位準且設定TIA 10的增益。
透過OLT與ONU的各個資料封包轉移包括保護時間、隨後為前文、且接著為資料酬載。針對於TIA 10的前文開始之後的各個資料封包是需要安定時間，以達成鎖定或達到穩態的操作。AGC 20典型包括具有長時間常數的低通濾波之電路。隨著資料速度提高，習用AGC 20的時間競逐者可能超過分配給TIA 10以在前文期間達到穩態的時間。對於較高資料速度而言，需要較快速的AGC。
在一態樣中，提供一種用於控制放大器增益之自動增益控制電路。該自動增益控制電路包含：峰值檢測器，其包括耦接到所述放大器的輸出之輸入；第一比較器，其包括耦接到所述峰值檢測器的輸出之第一輸入與耦接用於接收第一參考電壓之第二輸入；第一切換電路，其包括導通路徑與耦接到所述第一比較器的輸出之控制輸入，其中所述導通路徑的第一端子被耦接到所述放大器的所述輸出；及第一電阻器，其包括耦接到所述放大器的輸入之第一端子與耦接到所述第一切換電路的所述導通路徑的第二端子之第二端子。
在另一態樣中，提供一種用於控制第一放大器增益之自動增益控制電路。該自動增益控制電路包含：峰值檢測器，其包括耦接到所述第一放大器的輸出之輸入；複數個電阻器，其串聯耦接在所述第一放大器的輸入與所述第一放大器的所述輸出之間，以供設定所述第一放大器的所述增益；第一增 益級，其響應於所述峰值檢測器的輸出訊號，以供禁能所述複數個電阻器的第一電阻器來改變所述第一放大器的所述增益；及第二增益級，其響應於所述峰值檢測器的所述輸出訊號，以供禁能所述複數個電阻器的第二電阻器來改變所述第一放大器的所述增益。
在另一態樣中，提供種製造用於控制第一放大器增益之自動增益控制電路的方法。該方法包含：提供峰值檢測器，其包括耦接到所述第一放大器的輸出之輸入；提供複數個電阻器，其串聯耦接在所述第一放大器的輸入與所述第一放大器的所述輸出之間，以供設定所述第一放大器的增益；提供第一增益級，其響應於所述峰值檢測器的輸出訊號，以供禁能所述複數個電阻器的第一電阻器來改變所述第一放大器的所述增益；且提供第二增益級，其響應於所述峰值檢測器的所述輸出訊號，以供禁能所述複數個電阻器的第二電阻器來改變所述第一放大器的所述增益。
10:跨阻抗放大器(TIA)
12:前端放大器
14:單端到差動(SE2DIFF)放大器
16:共同模式位準(CML)驅動器
20:自動增益控制(AGC)
100:十億位元被動光學網路(GPON)
102:光學線路端子(OLT)
104、108:光纖纜線
106:光學分離器
110、112、114:光學網路單元(ONU)
120:三工器光學器件
122:電吸收調變器雷射(EML)驅動器
124:叢發模式(BM)跨阻抗放大器(TIA)
126:叢發模式(BM)限制放大器(LAM)
130:自動增益控制(AGC)
148:端子
150:前端跨阻抗放大器
152:單端到差動(SE2DIFF)放大器
154:共同模式位準(CML)驅動器
156:端子
160:前端虛擬放大器
162、164、166、168、170:電阻器分割網路
172:電源供應器端子
180:節點
182:峰值檢測器
184、186、188、190:比較器
192:鎖存器
194:脈衝產生器
196、198、200:鎖存器
201:端子
202、204、206:MOS電晶體
210、212、214、216:電阻器
230、232、234:波形
V180:輸出電壓
圖1說明具有自動增益控制之習用的跨阻抗放大器；圖2說明具有OLT、光學分離器與複數個ONU之十億位元被動光學網路；圖3說明GPON之OLT的進一步細節；圖4說明用於OLT內的BM TIA之自動增益控制；且圖5說明自動增益控制的時序圖。
本發明是在參照圖式的下述說明以一個多個實施例來描述，其中，同樣的標號代表相同或類似元件。儘管本發明是關於用於達成本發明目的 之最佳模式而描述，熟習此技藝人士將理解的是，說明是意圖涵蓋如可包括在本發明的精神與範圍內之替代、修改、與均等者，如由隨附的申請專利範圍與申請專利範圍的均等者所界定，如由以下揭露內容與圖式所支持。
圖2說明GPON 100，其透過光纖纜線而提供在ISP與終端使用者之間的高速資料通訊。GPON 100包括位在ISP居家辦公室或交換中心之內的OLT 102。OLT 102作成和網際網路的連接。OLT 102是透過光纖纜線104而耦接到光學分離器106，其透過光纖纜線108而提供到位在接近終端使用者的ONU 110、112、與114之多個相等的光學訊號路徑。在一個實施例中，光學分離器106連接高達32個ONU，且導致對於終端使用者的光纖纜線與訊號。GPON 100是共享網路，在該共享網路中，OLT 102是透過光纖纜線104與108而將作為下游訊務之串流的資料封包傳送到ONU 110-114。各個ONU 110-114讀取對應於特定ONU位址之資料封包的內容。加密防止在下游訊務之竊聽。
圖3顯示OLT 102的進一步細節，OLT 102包括三工器(triplexer)光學器件120，其耦接到網際網路與電吸收調變器雷射(EML,electro-absorption modulator laser)驅動器122。EML驅動器122亦可使用外部調變雷射或分佈式反饋雷射。EML驅動器122的輸入被耦接到來自ONU 110-114之發送(Tx-in)通道。EML驅動器122操作高達每秒為10十億位元(10G)，且使用對於Tx-in通道之時脈與資料恢復(CDR,clock and data recovery)。三工器光學器件120被進而耦接到叢發模式(BM)跨阻抗放大器(TIA)124的輸入。在一個實施例中，BM TIA 124操作高達10G。替代而言，BM TIA 124操作高達1.25G或2.5G。BM TIA 124的輸出被耦接到BM限制放大器(LAM,limiting amplifier)126的輸入，且BM LAM 126的輸出被耦接到對於ONU 110-114的接收(Rx-out)通道。OLT 102更包括用於控制資料轉移的微控制單元。
圖4說明具有AGC 130之BM TIA 124的進一步細節。BM TIA 124包括來自三工器光學器件120的端子148，其耦接到前端跨阻抗放大器150的輸入。前端跨阻抗放大器150的輸入接收輸入電流IIN，且輸出在節點180提供輸出電壓V180，該輸出電壓V180隨著輸入電流IIN的大小而改變，雖然相對極性可被改變。在一個實施例中，電壓V180係隨著增大的輸入電流IIN而減低。前端跨阻抗放大器150的輸出被耦接到單端到差動(SE2DIFF)放大器152的輸入。SE2DIFF放大器152具有差動輸出，其耦接到共同模式位準(CML)驅動器154的差動輸入。顯示為端子156之CML驅動器154的差動輸出被耦接到在Rx-out通道之BM LAM 126的輸入。
AGC 130包括前端虛擬放大器160，其被裝配以如同前端放大器150的類似方式而操作且提供穩定的參考電壓，該參考電壓大約相同於V180，假定為零輸入電流IIN。前端虛擬放大器160的輸出是透過電阻器分割網路162、164、166、168、與170而耦接到操作於接地電位之電源供應器端子172。
峰值檢測器182監測在節點180的電壓V180。峰值檢測器182的輸出被耦接到比較器184、186、188、與190的反相輸入。在電阻器162與164之間的節點被耦接到比較器184的非反相輸入。在電阻器164與166之間的節點被耦接到比較器186的非反相輸入。在電阻器166與168之間的節點被耦接到比較器188的非反相輸入。在電阻器168與170之間的節點被耦接到比較器190的非反相輸入。
比較器184的輸出被耦接到鎖存器192的資料輸入，且鎖存器192的輸出被耦接到脈衝產生器194的輸入。比較器186的輸出被耦接到鎖存器196的資料輸入，比較器188的輸出被耦接到鎖存器198的資料輸入，且比較器190的輸出被耦接到鎖存器200的資料輸入。鎖存器196的輸出被耦接到比較器188的致能輸入，且鎖存器198的輸出被耦接到比較器190的致能輸入。脈衝產生器194將致能訊號提供到鎖存器196、198、與200。在端子201的重設(RESET) 被耦接到鎖存器192、196、198、與200的重設輸入。
鎖存器196的輸出被進而耦接到金屬氧化物半導體(MOS,metal oxide semiconductor)電晶體202的閘極，鎖存器198的輸出被耦接到MOS電晶體204的閘極，且鎖存器200的輸出被耦接到MOS電晶體206的閘極。電阻器210、212、214、與216被串聯耦接在前端放大器150的輸入與節點180之間。電晶體202的汲極被耦接到在電阻器210與212之間的節點，電晶體204的汲極被耦接到在電阻器212與214之間的節點，且電晶體206的汲極被耦接到在電阻器214與216之間的節點。電晶體202-206的源極被共同耦接到節點180。
AGC 130檢測在節點180的峰值電壓、與對應的峰值輸入電流IIN，且設定在一個叢發週期期間之TIA124的增益。AGC 130提供針對於BM TIA124之多級的數位增益控制，而且提供快速安定時間。在本實例中，AGC 130提供四階層的增益控制。裝置190、200、與206代表第一增益級，裝置188、198、與204代表第二增益級，且裝置186、196、與202代表第三增益級。如同190、200、與206，另外增益級提供更多階層的增益控制。前端虛擬放大器160模擬前端放大器150(在零輸入電流IIN而提供如同節點180的相同輸出電壓)，且設定用於比較器184-190的AGC臨限位準。
即，前端虛擬放大器160建立用於比較器184-190的參考電壓。在一個實施例中，前端虛擬放大器160提供1.7伏特以產生用於比較器184-190之範圍為40-800毫伏特(mv)的參考電壓。在2.5G與10G應用中，電阻器162-168被選擇以分別產生用於比較器184-190之40mv、200mv、250mv、與350mv的參考電壓。在1.25G應用中，電阻器162-168被選擇以分別產生用於比較器184-190之40mv、300mv、500mv、與800mv的參考電壓。
參閱圖4與5，考慮在一個叢發模式資料封包期間之具有AGC 130的BM TIA124的操作。時間t0標記資料封包的起始。參閱波形230與232，在 時間t0，在端子201的重設訊號變為邏輯1，且在叢發模式資料封包期間之輸入訊號148的保護時間t0-t1而將鎖存器192、196、198、與200重設為邏輯0。重設232是在時間t1之前而返回邏輯0。當峰值檢測器182的輸出訊號超過參考電壓V162，比較器184的輸出具有邏輯1。否則，比較器184的輸出為邏輯0。當峰值檢測器182的輸出訊號超過其參考電壓，比較器186的輸出具有邏輯1。否則，比較器186的輸出為邏輯0。當比較器188被致能且峰值檢測器182的輸出訊號超過其參考電壓，比較器188的輸出具有邏輯1。否則，比較器188的輸出為邏輯0。當比較器190被致能且峰值檢測器182的輸出訊號超過其參考電壓，比較器190的輸出具有邏輯1。否則，比較器190的輸出為邏輯0。
在時間t1開始，前端跨阻抗放大器150接收輸入電流IIN且將對應電壓V180提供到SE2DIFF放大器152。時間t1-t2是叢發模式資料封包的前文部分。峰值檢測器182是AGC 130的輸入且監測V180，以將對應於V180的峰值之電壓提供到比較器184-190的第一輸入。比較器184-190比較峰值檢測器182的輸出和由電阻器162-170所形成的參考電壓。
若IIN為小於50μa，則無資料訊號，且AGC 130繼續等待直到下個RESET週期。在本實例中，峰值檢測器182確定輸入電流IIN大小為大於50μa，其致使峰值檢測器182的輸出電壓超過比較器184的40mv臨限。比較器184的輸出訊號變為邏輯1。鎖存器192儲存來自比較器184的邏輯1且觸發脈衝產生器194以產生25ns脈衝，如同在圖5的AGC CONTROL(控制)波形234。AGC CONTROL(脈衝產生器194的輸出)致能鎖存器196、198、與200。假設峰值檢測器182的輸出電壓為小於比較器186-190的臨限，則比較器186-190的輸出為邏輯0且鎖存器196-200的輸出為邏輯0，且電晶體202-206均為非導通。跨於前端放大器150的電阻是電阻器210-216的串聯總和，即：R210+R212+R214+R216。前端放大器150具有對應於最小輸入電流IIN而由反饋電阻R210+R212+R214 +R216所給定的最大增益。
若輸入電流IIN的大小為大於150μa，則峰值檢測器182的輸出電壓超過比較器186的200mv臨限。比較器186的輸出變為邏輯1，其被儲存在鎖存器196。假設峰值檢測器182的輸出電壓並未超過比較器188與190的臨限。來自鎖存器196的邏輯1將電晶體202接通，且來自鎖存器198與200的邏輯0將電晶體204-206關斷。導通的電晶體202禁能電阻器210，即：透過電阻器210的導通路徑是由電晶體202的低的汲極-源極電阻所短路。跨於前端放大器150的電阻是電阻器212-216的串聯總和，即：R212+R214+R216。前端放大器150具有對應於較大的輸入電流IIN大小而由反饋電阻R212+R214+R216所給定的較小增益。
若輸入電流IIN的大小為大於300μa，則峰值檢測器182的輸出電壓超過比較器188的250mv臨限。比較器188的輸出變為邏輯1，其被儲存在鎖存器198。假設峰值檢測器182的輸出電壓並未超過比較器190的臨限。來自鎖存器196與198的邏輯1將電晶體202與204接通，且來自鎖存器200的邏輯0將電晶體206關斷。導通的電晶體204禁能電阻器212，即：透過電阻器212的導通路徑是由電晶體204的低的汲極-源極電阻所短路。跨於前端放大器150的電阻是電阻器214-216的串聯總和，即：R214+R216。前端放大器150具有對應於較大的輸入電流IIN大小而由反饋電阻R214+R216所給定的較小增益。
若輸入電流IIN的大小為大於500μa，則峰值檢測器182的輸出電壓超過比較器190的350mv臨限。比較器190的輸出變為邏輯1，其被儲存在鎖存器200。來自鎖存器196-200的邏輯1將電晶體202-206接通。導通的電晶體206禁能電阻器214，即：透過電阻器214的導通路徑是由電晶體206的低的汲極-源極電阻所短路。跨於前端放大器150的電阻是電阻器216，即：R216。前端放大器150具有對應於最大輸入電流IIN而由反饋電阻R216所給定的最小增益。
在圖5，當AGC控制變為邏輯0(來自194的25ns脈衝之結 束)，給定輸入電流IIN之AGC 130被鎖定具有適當增益。在時間t2之後的叢發模式資料封包的酬載部分期間，輸入電流IIN 148是透過具有針對於給定速度的適當增益之BM TIA 124而被處理。AGC 130在保護時間期間針對下個叢發模式而重設，且針對於給定速度的適當增益被再次設定，如上所述。設定AGC 130的增益所需要的時間是針對於10G模式為25.6ns，且針對於2.5G模式為12.8ns，相較於先前技藝實施為更快速。AGC 130支援GPON 100的鎖定時間需求，即：BM TIA 124是在時間t1之後的25ns之內安定而在叢發模式資料封包的前文部分期間。AGC 130提供BM TIA 124之穩定操作。AGC 130被顯示為有四個增益級，雖然如同190、200、206、與216之另外的增益級可經附加。
儘管本發明的一個或多個實施例已經詳細說明，熟習此技藝人士將理解的是，對於那些實施例的修改與調適可在並未脫離如於以下申請專利範圍所陳述之本發明範圍的情況下而作成。
124:叢發模式(BM)跨阻抗放大器(TIA)
130:自動增益控制(AGC)
148:端子
150:前端跨阻抗放大器
152:單端到差動(SE2DIFF)放大器
154:共同模式位準(CML)驅動器
156:端子
160:前端虛擬放大器
162、164、166、168、170:電阻器分割網路
172:電源供應器端子
180:節點
182:峰值檢測器
184、186、188、190:比較器
192:鎖存器
194:脈衝產生器
196、198、200:鎖存器
201:端子
202、204、206:MOS電晶體
210、212、214、216:電阻器
V180:輸出電壓

Claims (12)

  1. 一種用於控制放大器增益之自動增益控制電路，其包含：峰值檢測器，其包括耦接到所述放大器的輸出之輸入；第一比較器，其包括耦接到所述峰值檢測器的輸出之第一輸入與耦接用於接收第一參考電壓之第二輸入；第一導通路徑，其包括第一電阻器，所述第一電阻器耦接於所述放大器的輸入和所述放大器的輸出之間；及第一切換電路，所述第一切換電路包括耦接到所述第一比較器的輸出之所述第一切換電路的控制輸入、耦接到所述第一電阻器的第一端子之第一導通端子、與耦接到所述第一電阻器的第二端子之第二導通端子。
  2. 如請求項1所述之自動增益控制電路，其中所述第一切換電路包括：鎖存器，其包括耦接到所述第一比較器的所述輸出之資料輸入；及電晶體，其包括耦接到所述第一電阻器的所述第一端子之第一導通端子、耦接到所述第一電阻器所述第二端子之第二導通端子、與耦接到所述鎖存器的輸出之控制輸入。
  3. 如請求項2所述之自動增益控制電路，其更包括：第二比較器，其包括耦接到所述峰值檢測器的所述輸出之第一輸入與耦接用於接收第二參考電壓之第二輸入；及脈衝產生器，其包括耦接到所述第二比較器的輸出之輸入與耦接到所述鎖存器的致能輸入之輸出。
  4. 如請求項1所述之自動增益控制電路，其更包括：第二比較器，其包括耦接到所述峰值檢測器的所述輸出之第一輸入與耦接用於接收第二參考電壓之第二輸入； 所述第一導通路徑包括第二電阻器，其耦接於所述放大器的所述輸入和所述放大器的所述輸出之間；第二切換電路，所述第二切換電路具有耦接到所述第二比較器的輸出之所述第二切換電路的控制輸入、耦接到所述第二電阻器的第一端子之第一導通端子、與耦接到所述第一電阻器的第二端子之第二導通端子。
  5. 一種用於控制放大器增益之自動增益控制電路，其包含：峰值檢測器，其包括耦接到所述放大器的輸出之輸入；複數個電阻器，其串聯耦接在所述放大器的輸入與所述放大器的所述輸出之間，以供設定所述放大器的所述增益；第一增益級，其響應於所述峰值檢測器的輸出訊號，以供禁能所述複數個電阻器的第一電阻器來改變所述放大器的所述增益，其中所述第一增益級包括：(a)第一比較器，其包括耦接到所述峰值檢測器的輸出之第一輸入與耦接用於接收第一參考電壓之第二輸入，(b)第一導通路徑，其包括第一切換電路，所述第一切換電路具有耦接到所述第一比較器的輸出之所述第一切換電路的控制輸入，其中所述第一導通路徑的第一端子被耦接到所述放大器的所述輸出，及(c)所述複數個電阻器的所述第一電阻器，其包括耦接到所述放大器的輸入之第一端子與耦接到所述第一導通路徑的第二端子之第二端子；及第二增益級，其響應於所述峰值檢測器的所述輸出訊號，以供禁能所述複數個電阻器的第二電阻器來改變所述放大器的所述增益。
  6. 如請求項5所述之自動增益控制電路，其中所述第一增益級包括：第二比較器，其包括耦接到所述峰值檢測器的所述輸出之第一輸入與耦接 用於接收第二參考電壓之第二輸入；及第二導通路徑，其包括第二切換電路，所述第二切換電路具有耦接到所述第二比較器的輸出之所述第二切換電路的控制輸入，其中所述第二導通路徑禁能所述第二電阻器。
  7. 如請求項5所述之自動增益控制電路，其中所述第一切換電路包括：鎖存器，其包括耦接到所述第一比較器的所述輸出之資料輸入；及電晶體，其包括耦接到所述第一電阻器之第一導通端子、耦接到所述放大器的所述輸出之第二導通端子、與耦接到所述鎖存器的輸出之控制輸入。
  8. 如請求項7所述之自動增益控制電路，其中所述鎖存器包括耦接用於接收重設訊號之重設輸入。
  9. 如請求項8所述之自動增益控制電路，其更包括：第二比較器，其包括耦接到所述峰值檢測器的所述輸出之第一輸入與耦接用於接收第二參考電壓之第二輸入；及脈衝產生器，其包括耦接到所述第二比較器的輸出之輸入與耦接到所述鎖存器的致能輸入之輸出。
  10. 一種製造用於控制放大器增益之自動增益控制電路的方法，其包含：提供峰值檢測器，其包括耦接到所述放大器的輸出之輸入；提供複數個電阻器，其串聯耦接在所述放大器的輸入與所述放大器的所述輸出之間，以供設定所述放大器的增益；提供第一增益級，其響應於所述峰值檢測器的輸出訊號，以供禁能所述複數個電阻器的第一電阻器來改變所述放大器的所述增益，其中所述第一增益級包括： (a)第一比較器，其包括耦接到所述峰值檢測器的輸出之第一輸入與耦接用於接收第一參考電壓之第二輸入，(b)第一導通路徑，其包括第一切換電路，所述第一切換電路具有耦接到所述第一比較器的輸出之所述第一切換電路的控制輸入，其中所述第一導通路徑的第一端子被耦接到所述放大器的所述輸出，及(c)所述複數個電阻器的所述第一電阻器，其包括耦接到所述放大器的輸入之第一端子與耦接到所述第一導通路徑的第二端子之第二端子；及提供第二增益級，其響應於所述峰值檢測器的所述輸出訊號，以供禁能所述複數個電阻器的第二電阻器來改變所述放大器的所述增益。
  11. 如請求項10所述之方法，其中提供所述第一增益級包括：提供第二比較器，其包括耦接到所述峰值檢測器的所述輸出之第一輸入與耦接用於接收第二參考電壓之第二輸入；且提供第二導通路徑，其包括第二切換電路，所述第二切換電路具有耦接到所述第二比較器的輸出之所述第二切換電路的控制輸入，其中所述第二導通路徑禁能所述第二電阻器。
  12. 如請求項10所述之方法，其中提供所述第一切換電路包括：提供鎖存器，其包括耦接到所述第一比較器的所述輸出之資料輸入；且提供電晶體，其包括耦接到所述第一電阻器之第一導通端子、耦接到所述放大器的所述輸出之第二導通端子、與耦接到所述鎖存器的輸出之控制輸入。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113890493B (zh) * 2021-09-03 2024-04-12 厦门优迅高速芯片有限公司 一种跨阻增益可切换跨阻放大器及单端转差分放大电路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4924190A (en) * 1987-07-21 1990-05-08 Plessey Overseas Limited Amplifiers
US8614603B1 (en) * 2010-06-09 2013-12-24 Rockwell Collins, Inc. Auto leveling receiver

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5369711A (en) * 1990-08-31 1994-11-29 Bellsouth Corporation Automatic gain control for a headset
US5303308A (en) * 1992-07-07 1994-04-12 Gn Netcom A/S Audio frequency signal compressing system
JP2000151290A (ja) 1998-11-05 2000-05-30 Nec Corp 初段増幅回路
JP3259707B2 (ja) * 1999-02-26 2002-02-25 日本電気株式会社 Ａｇｃ付きバーストモード光受信回路
JP4169985B2 (ja) 2002-02-19 2008-10-22 三菱電機株式会社 前置増幅器の利得切り替え回路
CN100521517C (zh) * 2003-08-15 2009-07-29 三菱电机株式会社 前置放大器的增益切换电路和方法
US20060216042A1 (en) * 2005-03-24 2006-09-28 Yeo Kok S Automatic gain control circuit for infrared receiver
KR100826882B1 (ko) * 2005-12-05 2008-05-06 한국전자통신연구원 버스트 모드 광 수신기에서 디지털 자동이득제어 방법 및장치
US7265626B2 (en) * 2005-12-20 2007-09-04 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Fast-setting digital automatic gain control
US7830992B2 (en) * 2007-07-26 2010-11-09 Jiening Ao Amplifier with a quadrature amplitude modulation (QAM) modulated and a continuous wave automatic gain control (AGC) circuit
JP5272021B2 (ja) * 2009-01-19 2013-08-28 株式会社日立製作所 トランスインピーダンスアンプおよびｐｏｎシステム
JP5596860B2 (ja) * 2011-06-30 2014-09-24 日本電信電話株式会社 自動利得調整回路
CN104242844B (zh) * 2014-09-25 2017-10-24 厦门优迅高速芯片有限公司 一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路
KR102157730B1 (ko) * 2014-10-28 2020-09-18 한국전자통신연구원 차지 펌핑을 이용한 고속 피크 검출 장치 및 버스트모드 트랜스 임피던스 증폭 장치
EP3272038B1 (en) * 2015-07-31 2022-02-09 Hewlett Packard Enterprise Development LP Optical receivers
US10522576B2 (en) 2016-07-27 2019-12-31 WcSystems Corporation Wide dynamic range photo sensor
CN107026626B (zh) * 2017-06-19 2023-07-07 上海先积集成电路有限公司 一种自动增益控制电路和实现方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4924190A (en) * 1987-07-21 1990-05-08 Plessey Overseas Limited Amplifiers
US8614603B1 (en) * 2010-06-09 2013-12-24 Rockwell Collins, Inc. Auto leveling receiver

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