TWI774734B - 光照射裝置 - Google Patents

光照射裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI774734B
TWI774734B TW107107262A TW107107262A TWI774734B TW I774734 B TWI774734 B TW I774734B TW 107107262 A TW107107262 A TW 107107262A TW 107107262 A TW107107262 A TW 107107262A TW I774734 B TWI774734 B TW I774734B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processed
light irradiation
bulb cover
irradiation device
bulb
Prior art date
Application number
TW107107262A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201836723A (zh
Inventor
山森賢治
吉原啓太
Original Assignee
日商牛尾電機股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商牛尾電機股份有限公司 filed Critical 日商牛尾電機股份有限公司
Publication of TW201836723A publication Critical patent/TW201836723A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI774734B publication Critical patent/TWI774734B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B08B11/04—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto specially adapted for plate glass, e.g. prior to manufacture of windshields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
  • Steering Control In Accordance With Driving Conditions (AREA)

Abstract

[課題] 提供一種無關於被處理體的搬運速度，可以由較高的穩定性進行光洗淨的光照射裝置。 　　[技術內容] 光照射裝置，是將紫外線照射在沿著搬運路徑被搬運的帶狀的被處理體的一面，具備：沿著搬運路徑中被處理體的一面側的通過平面具有開口的燈泡罩、及設於前述燈泡罩內並朝前述被處理體的寬度方向延伸的紫外線燈泡、及朝前述燈泡罩內供給惰性氣體的氣體供給手段、及沿著前述搬運路徑中被處理體的他面側的通過平面具有開口的排氣空間形成構件，在前述燈泡罩的開口，設有在與前述被處理體的兩側緣部之間形成氣體流通阻力用窄路的遮蔽體。

Description

光照射裝置
[0001] 本發明，是有關於將紫外線照射在沿著搬運路徑被搬運的帶狀的被處理體的一面來進行光洗淨的光照射裝置者。
[0002] 半導體和液晶等的製造過程中光阻層的光灰化處理、奈米內印刷裝置中附著在模板的圖型面的光阻層的除去、或是液晶用的玻璃基板和矽晶圓等的乾式洗淨處理、捲取在滾子的薄片狀的薄膜的貼合面的洗淨處理，已知照射紫外線的光洗淨(乾式洗淨)方法。 　　[0003] 進行這種光洗淨用的光照射裝置，例如在專利文獻1中已揭示了，將真空紫外線照射在玻璃基板，藉由該真空紫外線及由該真空紫外線所發生的活性氧的洗淨作用而將玻璃基板的表面的污染物除去。 　　第18圖，是示意習知的光照射裝置的一例的被處理體的搬運方向的剖面圖，第19圖，是第18圖的光照射裝置的被處理體的寬度方向的剖面圖，第20圖，是將第18圖的光照射裝置的主要部分示意地說明的立體圖。 　　此光照射裝置，是沿著搬運路徑，從上游側(在第18圖為右側)的搬入口58使被處理體W被搬入，在紫外線所照射的處理領域中若來自放電燈泡51的紫外線是照射在被處理體W的一面(在第18圖為上面)之後，從搬出口59被搬出。 　　真空紫外線，因為會被大氣中的氧吸收而具有大衰減的性質，所以習知，在這種光照射裝置中，將氮氣體等的惰性氣體從外部朝配設有放電燈泡51的燈泡罩52內供給，將在放電燈泡51及被處理體之間的紫外線放射空間中的洗淨所必要的量以上的過剩的氧除去，來抑制真空紫外線的衰減。又已知，在氧濃度極端低的氣氛下將真空紫外線照射的話，臭氧的發生量因為會變非常少，所以由臭氧所產生的被處理體的表面的活性化作用不能正常起作用，光洗淨的效果反而會下降。惰性氣體，是例如，從設於被處理體W的一面側(在第18圖為上面側)的燈泡罩52內的放電燈泡51的背面側(第18圖為上面側)的氣體供給管56的氣體供給口被吐出，將燈泡罩52內的特別是紫外線放射空間置換成惰性氣體氣氛之後，主要從設於被處理體W的他面側(在第18圖為下面側)的排氣空間形成構件53的氣體排出口57被排出。 　　又，在第18圖中，55是具有排氣部55A的副腔室。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0004] 　　[專利文獻1] 日本特開2010-75888號公報
[本發明所欲解決的課題] 　　[0005] 在光照射裝置中，被處理體基本上是帶狀，具體為板狀、薄片狀的薄膜等，各種的形狀和材質者皆可作為光洗淨的處理對象。且，朝被處理體的處理領域的搬運速度，例如將薄片狀的薄膜流動的速度，因為是依據被處理體的形狀和材質、表面狀態等而被決定，所以各被處理體皆不同。 　　且伴隨被處理體被搬運而被引入處理領域的周圍(紫外線放射空間)的空氣的量，因為是依存於被處理體的搬運速度，所以各被處理體的紫外線放射空間內的氧濃度會參差不一，其結果，所期的光洗淨效果無法穩定的問題會發生。 　　[0006] 本發明，是依據如以上的狀況者，其目的是提供一種無關於被處理體的搬運速度，可以由較高的穩定性進行光洗淨的光照射裝置。 [用以解決課題的手段] 　　[0007] 本發明的光照射裝置，是將紫外線照射在沿著搬運路徑被搬運的帶狀的被處理體的一面，具備：沿著搬運路徑中被處理體的一面側的通過平面具有開口的燈泡罩、及設於前述燈泡罩內並朝前述被處理體的寬度方向延伸的紫外線燈泡、及朝前述燈泡罩內供給惰性氣體的氣體供給手段、及沿著前述搬運路徑中被處理體的他面側的通過平面具有開口的排氣空間形成構件，在前述燈泡罩的開口，設有在與前述被處理體的兩側緣部之間形成氣體流通阻力用窄路的遮蔽體。 　　[0008] 在本發明的光照射裝置中，前述遮蔽體中朝被處理體的搬運方向延伸的側緣部，是設成覆蓋前述被處理體的側緣部的他面的狀態也可以。 　　[0009] 在本發明的光照射裝置中，前述遮蔽體，其朝被處理體的搬運方向延伸的側緣部是朝被處理體的寬度方向可變位較佳。 [發明的效果] 　　[0010] 本發明的光照射裝置，是在燈泡罩的開口，設有在與被處理體的兩側緣部之間形成氣體流通阻力用窄路的遮蔽體。且，藉由形成氣體流通阻力用窄路而使燈泡罩內的空間及排氣空間形成構件內的空間之間的自由的氣體的流通被阻礙，藉由氣體的流通阻力變大，使燈泡罩內的密閉性提高。因此，無關於依據被處理體的種類及形狀被決定的搬運速度，可以藉由比以往少量的惰性氣體將紫外線放射空間內的氧濃度穩定地減少，其結果，可以抑制紫外線放射空間內的氧濃度發生參差不一，由此，紫外線放射空間中的紫外線的衰減被穩定地抑制，並且成為臭氧源的氧因為是作為附著在被處理體的空氣，其雖少量但可伴隨該被處理體的搬運而穩定地被供給，所以結局，可以由較高的穩定性進行光洗淨。
[0012] 以下，說明本發明的實施例。 　　[0013] 第1圖，是示意本發明的光照射裝置的一例的被處理體的搬運方向的剖面圖，第2圖，是第1圖的光照射裝置的被處理體的寬度方向的剖面圖，第3圖，是將第1圖的光照射裝置的主要部分示意地說明的從排氣空間側所見的立體圖。 　　本發明的光照射裝置，是在從處理腔室10的上游側(在第1圖為右側)的搬入口18沿著搬運路徑被搬運的帶狀的被處理體W的一面(在第1圖為上面)，將紫外線照射在讓來自紫外線燈泡11的紫外線被照射的處理領域，來進行光洗淨。 　　[0014] 在此光照射裝置中被光洗淨的帶狀的被處理體(工件)W，可舉例玻璃基板和印刷電路基板等的板狀體、及連續的薄片狀的薄膜等。 　　被處理體W，例如寬度是100～2000mm程度者。 　　[0015] 處理腔室10，是藉由：沿著搬運路徑的處理領域中的被處理體W的一面側(在第1圖為上面側)的通過平面具有開口12H的框體狀的燈泡罩12、及沿著處理領域中的被處理體W的他面側(在第1圖為下面側)的通過平面具有開口13H的框體狀的排氣空間形成構件13而形成。由此，處理腔室10內，是透過搬運路徑的處理領域，被區劃成：由燈泡罩12內所構成的洗淨處理空間、及由排氣空間形成構件13內所構成的排氣空間。在處理腔室10中的搬運路徑的兩端部中，各別藉由燈泡罩12及排氣空間形成構件13形成開縫狀的搬入口18及搬出口19。 　　[0016] 在燈泡罩12內，朝被處理體W的寬度方向延伸的複數紫外線燈泡11是在被處理體W的搬運方向彼此分離地設於同一平面上，並且朝該燈泡罩12內供給惰性氣體的氣體供給手段是被設置在紫外線燈泡11的背面側(在第1圖為上側)。 　　[0017] 紫外線燈泡11，是使用例如，將中心波長為172～380nm程度的真空紫外線放射的剖面是朝被處理體W的搬運方向延伸的扁平的形狀的氙準分子燈泡。 　　[0018] 氣體供給手段，具體而言，是具備由孔或是開縫所構成的多數的氣體供給口被開口的氣體供給管16，至少1個氣體供給管16，是被配置於燈泡罩12內的搬入口18的附近。 　　在第1圖的光照射裝置中，氣體供給手段，是具有複數氣體供給管16，氣體供給管16是分別與紫外線燈泡11延伸的方向平行地延伸，且，在對於相鄰接的紫外線燈泡11等距離的狀態下被配置於紫外線燈泡11的背面側。 　　[0019] 惰性氣體，是例如使用氮氣體。 　　[0020] 在排氣空間形成構件13的底部(在第1圖為下部)中，設有將該排氣空間形成構件13內的氣體強制地朝外部排氣的氣體排出口17。 　　在此光照射裝置中，來自排氣空間形成構件13的氣體排出口17的排氣量，是比來自氣體供給手段的氣體供給管16的氣體供給量更大較佳。 　　[0021] 在搬運路徑中的處理腔室10的上游側中，接近搬入口18地設置副腔室21。且，在搬運路徑中的處理腔室10的下游側，也接近搬出口19地設置副腔室22較佳。 　　副腔室21、22，是各別透過搬運路徑排氣部21A、21B、22A、22B被相面對地設置，將從排氣空間形成構件13內及燈泡罩12內透過搬入口18及搬出口19洩漏的氣體強制地朝外部排氣。 　　來自副腔室21、22的排氣量，是比來自氣體供給手段的氣體供給管16的氣體供給量更大較佳。 　　[0022] 將被處理體W沿著搬運路徑搬運的搬運手段，是在被處理體W是板狀體的情況時，使用例如設置複數搬運滾子並在該搬運滾子上被搬運的構造也可以，在被處理體W是連續的薄片狀的薄膜的情況時，使用例如薄片狀的薄膜是被張設在捲出用滾子及捲取用滾子之間，從捲出用滾子捲取於捲取用滾子的構造也可以。 　　[0023] 且在本發明的光照射裝置中，在燈泡罩12的開口12H，設有在與被處理體W的寬度方向的兩側緣部之間形成氣體流通阻力用窄路G的遮蔽體。具體而言，遮蔽體，是由與燈泡罩12的開口12H的周緣連續地沿著被處理體W的搬運平面延伸的具有容許被處理體W的通過的寬度的開口15H的板狀的框部12A所構成。由此，在框部12A的開口15H中，與被處理體W的搬運方向平行地延伸的側緣、及與被處理體W的寬度方向的側緣之間，形成有氣體流通阻力用窄路G。燈泡罩12的框部12A，是被設置在與被處理體W的處理領域相同的水平位置。 　　氣體流通阻力用窄路G的距離(間隔)，是使排氣空間形成構件13內的壓力，比燈泡罩12內的壓力更低，兩空間的壓力狀態被維持的程度的大小較佳，具體而言，燈泡罩12內的壓力及排氣空間形成構件13內的壓力的差壓是被維持在例如1Pa以上較佳。此差壓，是氣體流通阻力用窄路G的距離愈小的話會愈大。 　　[0024] 顯示本發明的光照射裝置的尺寸等的一例的話，被處理體W的寬度是例如500mm的情況，處理腔室10中的被處理體W的搬運方向的長度是445mm，被處理體W的寬度方向的長度是1090mm。 　　氣體流通阻力用窄路G的距離(間隔)是10mm，且為了配置被處理體W的處理領域及燈泡罩12的頂面(在第1圖為上面)的距離是72mm，且為了配置被處理體W的處理領域及排氣空間形成構件13的底面(在第1圖為下面)的距離是150mm。 　　燈泡罩12內的壓力是比外部氣氛(大氣壓)更高2Pa的陽壓，排氣空間形成構件13內的壓力是比外部氣氛(大氣壓)更低2Pa的陰壓，其差壓是成為4Pa。 　　紫外線燈泡11的長度是640mm、紫外線燈泡11的有效照射寬度是510mm。紫外線燈泡11的表面(在第1圖為下面)及為了配置被處理體W的處理領域的距離是4mm。 　　來自氣體供給口的惰性氣體的供給量是100L/min，來自排氣空間形成構件13的氣體排出口17的氣體的排氣量是200L/min，來自副腔室21、22的各排氣部21A、21B、22A、22B的排氣量，分別是200L/min。 　　[0025] 在上述的光照射裝置中，如以下地進行光洗淨處理。即，沿著搬運路徑，藉由搬運手段而從處理腔室10的搬入口18使被處理體W朝處理領域被搬入。伴隨朝被處理體W的處理領域的搬運，因為設於燈泡罩12的開口12H的遮蔽體(框部12A)及被處理體W的寬度方向的兩側緣的距離(氣體流通阻力用窄路G的距離)小，所以只有少量的空氣會附著在被照射物W的表面而不會被帶入處理領域的周圍。在處理領域中在被處理體W的一面被照射來自紫外線燈泡11的紫外線的話，藉由該紫外線、及藉由伴隨被處理體W的搬運而使些微地被帶入的空氣被照射紫外線而發生的臭氧，而使被處理體W的一面被光洗淨。被照射紫外線的被處理體W，其後，是沿著搬運路徑從搬出口19被搬出。 　　此一連的處理中，在燈泡罩12內，從氣體供給管16的氣體供給口使惰性氣體(氮氣體)被供給。被供給的惰性氣體，是充滿在燈泡罩12內，將紫外線燈泡11冷卻，並且將紫外線燈泡11及被處理體W之間的紫外線放射空間的空氣置換。充滿在燈泡罩12內的惰性氣體，是從設於開口12H的遮蔽體(框部12A)及被處理體W的寬度方向的兩側緣之間的氣體流通阻力用窄路G朝排氣空間形成構件13內的排氣空間每次些微流出，從排氣空間形成構件13的氣體排出口17，與在燈泡罩12內及排氣空間所發生的臭氧一起強制地被排氣。且，被供給至燈泡罩12內的惰性氣體、在燈泡罩12內及排氣空間所發生的臭氧，是透過處理腔室10的搬入口18及搬出口19朝副腔室21、22的方向流出，也從該副腔室21、22的各排氣部21A、21B、22A、22B強制地被排氣。 　　[0026] 被處理體W的搬運速度，是例如在被處理體W是薄片狀的薄膜的情況時被設成0.5～40m/min，在板狀的玻璃基板的情況時被設成0.5～9m/min。 　　[0027] 依據如以上的光照射裝置的話，在燈泡罩12的開口，設有在被處理體W的兩側緣部之間形成氣體流通阻力用窄路G的遮蔽體。且，藉由形成氣體流通阻力用窄路G而使與燈泡罩12內的空間及排氣空間形成構件13內的空間之間的自由的氣體的流通被阻礙，藉由氣體的流通阻力變大，使燈泡罩12內的密閉性被提高。因此，無關於依據被處理體W的種類及形狀被決定的搬運速度，可以藉由比以往少量的惰性氣體而將紫外線放射空間內的氧濃度穩定地減少，其結果，可以抑制紫外線放射空間內的氧濃度發生參差不一，由此，紫外線放射空間中的紫外線的衰減被穩定地抑制，並且成為臭氧源的氧是作為附著在被處理體的空氣，其雖少量但因為可伴隨該被處理體的搬運而穩定地被供給，所以結局，可以由較高的穩定性進行光洗淨。 　　[0028] 以上，雖說明了本發明的實施例，但是本發明不限定於上述的實施例，可以加上各種的變更。 　　例如遮蔽體，其朝被處理體的搬運方向延伸的側緣部的先端，是設成接近被處理體的側緣部的狀態也可以。 　　具體而言，遮蔽體，是如第4圖所示，基端部24A及先端部24B是由呈曲柄狀連續的遮蔽構件24所形成也可以。此遮蔽構件24，其基端部24A是被黏著在燈泡罩12的框部12A的下面側(在第4圖為下面側)，先端部24B是沿著被處理體W的他面側的水平位置的平行平面延伸，進一步，在先端部24B中朝被處理體W的搬運方向延伸的側緣(先端緣)是接近被處理體W的寬度方向的兩側緣部，且，在未覆蓋被處理體W的寬度方向的兩側緣部的他面的狀態下突出。由此，在被處理體W的兩側緣及遮蔽構件24的先端部24B中朝被處理體W的搬運方向延伸的側緣(先端緣)之間形成有氣體流通阻力用窄路G。此遮蔽構件24的先端部24B中朝被處理體W的搬運方向延伸的側緣(先端緣)及為了配置被處理體W的處理領域的寬度方向的側緣之間的距離d1是成為5～10mm。且，此遮蔽構件25的先端部25B中朝被處理體W的搬運方向延伸的側緣(先端緣)及為了配置被處理體W的處理領域的寬度方向的側緣之間的被處理體W的寬度方向的距離d2是成為0～5mm。在此例的光照射裝置中，燈泡罩12的框部12A及被處理體W的寬度方向的兩側緣之間的距離，是比第1圖～第3圖的光照射裝置更大也可以。又，在第4圖中，對於與第1圖～第3圖的光照射裝置相同的構成構件是附加相同符號顯示。 　　[0029] 且遮蔽體，其朝被處理體的搬運方向延伸的側緣部，是成將被處理體的側緣部的他面覆蓋的狀態者也可以。 　　具體而言，遮蔽體，是如第5圖及第6圖所示，基端部25A及先端部25B是由呈曲柄狀連續的遮蔽構件25所形成也可以。此遮蔽構件25，其基端部25A是被黏著在燈泡罩12的框部12A的下面側(在第5圖為下面側)，先端部25B是不接觸地覆蓋被處理體W的寬度方向的兩側緣部的他面(在第5圖為下面)地突出。由此，在被處理體W的他面(在第5圖為下面)及遮蔽構件25的先端部25B的上面(在第5圖為上面)之間，形成有氣體流通阻力用窄路G。此遮蔽構件25的先端部25B中朝被處理體W的搬運方向延伸的側緣及為了配置被處理體W的處理領域的寬度方向的側緣之間的被處理體W的寬度方向的距離d3是0～5mm、遮蔽構件25的先端部25B的上面及為了配置被處理體W的處理領域的他面側的通過平面之間的高度方向的距離d4是5～10mm。在此例的光照射裝置中，燈泡罩12的框部12A及被處理體W的寬度方向的兩側緣之間的距離，是比第1圖～第3圖的光照射裝置更大也可以。又，第6圖是從排氣空間側所見的立體圖。且，在第5圖及第6圖中，對於與第1圖～第3圖的光照射裝置相同的構成構件是附加相同符號顯示。 　　[0030] 且遮蔽體，是如第7圖及第8圖所示，由板狀的遮蔽構件26所形成也可以。此板狀的遮蔽構件26，是以不接觸地覆蓋：燈泡罩12的框部12A中朝被處理體W的搬運方向延伸的兩側緣部的下面(在第7圖為下面)、及被處理體W的寬度方向的兩側緣部的他面(在第7圖為下面)的方式，使被處理體W的搬運方向的兩端部被支撐地配置。由此，在被處理體W的寬度方向的兩側緣部的他面及遮蔽構件26的上面(在第7圖為上面)之間、及在燈泡罩12的框部12A中朝被處理體W的搬運方向延伸的側緣部的下面及遮蔽構件26的上面之間，形成有氣體流通阻力用窄路G。此遮蔽構件26中朝被處理體W的搬運方向延伸的內方的側緣及為了配置被處理體W的處理領域的寬度方向的側緣之間的被處理體W的寬度方向的距離是0～5mm、遮蔽構件26的上面及為了配置被處理體W的處理領域的他面側的通過平面之間的高度方向的距離是5～10mm。且，遮蔽構件26中朝被處理體W的搬運方向延伸的外方的側緣及燈泡罩12的框部12A的側緣之間的被處理體W的寬度方向的距離是0～5mm、遮蔽構件26的上面及燈泡罩12的框部12A的下面之間的高度方向的距離是5～10mm。在此例的光照射裝置中，燈泡罩12的框部12A及被處理體W的寬度方向的兩側緣之間的距離，是比第1圖～第3圖的光照射裝置更大也可以。又，第8圖是從排氣空間側所見的立體圖。且，在第7圖及第8圖中，對於與第1圖～第3圖的光照射裝置相同的構成構件是附加相同符號顯示。 　　[0031] 且遮蔽體，是如第9圖及第10圖所示，由與燈泡罩12的開口12H連續地沿著被處理體W的他面側的水平位置的平行平面延伸的板狀的框部12B所形成，該框部12B中朝被處理體W的搬運方向延伸的側緣部是不接觸地覆蓋被處理體W的寬度方向的兩側緣部的他面的狀態下突出者也可以。由此，在被處理體W的他面(在第9圖為下面)及燈泡罩12的框部12B的上面(在第9圖為上面)之間，形成有氣體流通阻力用窄路G。此框部12B中朝被處理體W的搬運方向延伸的側緣及為了配置被處理體W的處理領域的寬度方向的側緣之間的被處理體W的寬度方向的距離是0～5mm、框部12B的上面及為了配置被處理體W的處理領域的他面側的通過平面之間的高度方向的距離是5～10mm。又，第10圖是從排氣空間側所見的立體圖。且，在第9圖及第10圖中，對於與第1圖～第3圖的光照射裝置相同的構成構件是附加相同符號顯示。 　　[0032] 且例如，遮蔽體，是設成將被處理體的他面側的全面覆蓋的狀態者也可以。 　　具體而言，如第11圖及第12圖所示，由板狀的遮蔽構件27形成。此遮蔽構件27，是以不接觸地覆蓋：燈泡罩12的框部12A中朝被處理體W的搬運方向延伸的兩側緣部的下面(在第11圖為下面)、及被處理體W的他面的全面的方式，使被處理體W的搬運方向的兩端部被支撐地配置。由此，在燈泡罩12的框部12A中朝被處理體W的搬運方向延伸的側緣部的下面及遮蔽構件27的上面(在第11圖為上面)之間，形成有氣體流通阻力用窄路G。此遮蔽構件27中朝被處理體W的搬運方向延伸的側緣及燈泡罩12的框部12A的側緣之間的被處理體W的寬度方向的距離是0～5mm、遮蔽構件27的上面及燈泡罩12的框部12A的下面之間的高度方向的距離是5～10mm。在此例的光照射裝置中，燈泡罩12的框部12A及被處理體W的寬度方向的兩側緣之間的距離，是比第1圖～第3圖的光照射裝置更大也可以。又，第12圖是從排氣空間側所見的立體圖。且，在第11圖及第12圖中，對於與第1圖～第3圖的光照射裝置相同的構成構件是附加相同符號顯示。 　　[0033] 且例如，遮蔽體，其朝被處理體的搬運方向延伸的兩側緣部，是朝被處理體的寬度方向可變位也可以。 　　具體而言，如第13圖及第14圖所示，遮蔽體，是被支撐於與燈泡罩12的開口12H連續地沿著被處理體W的他面側的水平位置的平行平面延伸的板狀的框部12C的他面(在第13圖為下面)上，且不接觸地覆蓋被處理體W的寬度方向的兩側緣部的他面(在第13圖為下面)地突出的板狀的遮蔽構件28所形成。在此遮蔽構件28中被支撐於燈泡罩12的框部12C的兩側緣部的被處理體W的搬運方向的先端部及後端部，朝被處理體W的寬度方向延伸的長孔28h是形成合計4個，該長孔28h是藉由螺栓29而被螺固在燈泡罩12的框部12C，使該遮蔽構件28被固定於燈泡罩12。且，藉由調整長孔28h中的螺固的位置，就可以變更朝遮蔽構件28的被處理體W的搬運方向延伸的兩側緣部朝被處理體W的寬度方向突出的長度。在此例的光照射裝置中，在被處理體W的他面(在第13圖為下面)及遮蔽構件28的上面(在第13圖為上面)之間，形成有氣體流通阻力用窄路G。此遮蔽構件28中朝被處理體W的搬運方向延伸的側緣及為了配置被處理體W的處理領域的寬度方向的側緣之間的被處理體W的寬度方向的距離是0～5mm、遮蔽構件28的上面及為了配置被處理體W的處理領域的他面側的通過平面之間的高度方向的距離是5～10mm。又，在第13圖及第14圖中，對於與第1圖～第3圖的光照射裝置相同的構成構件是附加相同符號顯示。 　　[0034] 進一步例如，在本發明的光照射裝置中，在被處理體具有孔的情況時，設置將該孔覆蓋的遮風體也可以。 　　在如第7圖及第8圖所示的光照射裝置中雖説明了被處理體是使用具有孔的情況。 　　如第15圖及第16圖所示，板狀的遮風體30，是在被處理體W的寬度方向的中央部，在不接觸地覆蓋在搬運方向被分離地設置的複數貫通孔Wh的狀態下，使被處理體W的搬運方向的兩端部被支撐地配置。 　　由此，在被處理體W的他面中的貫通孔Wh的兩側緣部及遮風體30的上面(在第15圖為上面)之間，形成有燈泡罩12內的空間及排氣空間形成構件13內的空間之間的自由的氣體的流通被阻礙氣體流通阻力用窄路Gx。此遮風體30中朝被處理體W的搬運方向延伸的兩側緣及為了配置被處理體W的貫通孔Wh的位置之間的被處理體W的寬度方向的距離是0～5mm、遮風體30的上面及為了配置被處理體W的處理領域的他面側的通過平面之間的高度方向的距離是5～10mm。又，第16圖是從排氣空間側所見的立體圖。且，在第15圖及第16圖中，對於與第7圖及第8圖的光照射裝置相同構成構件是附加相同符號顯示。 　　依據這種光照射裝置的話，被處理體W即使是具有貫通孔Wh的情況，藉由使來自該貫通孔Wh的自由的氣體的流通被阻礙且使氣體的流通阻力變大，就可以提高燈泡罩12內的密閉性。 [實施例] 　　[0035] 以下，說明本發明的具體的實施例，但是本發明不限定於這些。 　　[0036] ＜實施例1＞ 　　製作了具有第1圖～第3圖的構成的光照射裝置[1]。具體而言，如以下。 　　‧處理腔室；被處理體的搬運方向的長度：445mm、被處理體的寬度方向的長度：1090mm、處理領域及燈泡罩的頂面的距離：72mm、處理領域及排氣空間形成構件的底面的距離：150mm、氣體流通阻力用窄路的距離(間隔)：10mm 　　‧紫外線燈泡；種類：氙準分子燈泡，中心波長：172nm、長度：640mm、有效照射寬度：510mm、處理領域的距離：4mm 　　‧燈泡罩內的壓力：比外部氣氛(大氣壓)更高2Pa的陽壓 　　‧排氣空間形成構件內的壓力：比外部氣氛(大氣壓)更低2Pa的陰壓(差壓是4Pa) 　　‧來自氣體供給口的惰性氣體的供給量：100L/min 　　‧來自排氣空間形成構件的氣體排出口的氣體的排氣量：200L/min 　　‧來自副腔室的各排氣部的排氣量：分別為200L/min 　　‧被處理體；種類：薄片狀的薄膜，寬度：500mm 　　[0037] ＜比較例1＞ 　　對於實施例1，除了不設置氣體流通阻力用窄路，且被處理體的兩側緣及燈泡罩的框部的側緣的距離為50mm以外，是同樣地製作了比較用的光照射裝置[2]。 　　[0038] 在這種光照射裝置[1]、[2]中，將被處理體的搬運速度在0～20m/min之間變化，並測量了位於搬運路徑的處理領域時的被處理體的表面的氧濃度。其結果如第17圖的圖表所示。在第17圖中，將光照射裝置[1]的結果由四角形(■)顯示，將光照射裝置[2]的結果由三角形(▲)顯示。 　　[0039] 從第17圖的圖表明顯可知，在設有氣體流通阻力用窄路的實施例的光照射裝置[1]中，位於搬運路徑的處理領域時的被處理體的表面的氧濃度的參差不一是2.5%±0.1%程度，與比較例的光照射裝置[2]中的表面的氧濃度的參差不一(2.5%±1%程度)相比較大致維持一定，因此，可確認不依存於搬運速度。
[0040]10‧‧‧處理腔室11‧‧‧紫外線燈泡12‧‧‧燈泡罩12A、12B、12C‧‧‧框部12H、13H、15H‧‧‧開口13‧‧‧排氣空間形成構件16‧‧‧氣體供給管17‧‧‧氣體排出口18‧‧‧搬入口19‧‧‧搬出口21、22‧‧‧副腔室21A、21B、22A、22B‧‧‧排氣部24、25、26、27、28‧‧‧遮蔽構件24A、25A‧‧‧基端部24B、25B‧‧‧先端部28h‧‧‧長孔29‧‧‧螺栓30‧‧‧遮風體51‧‧‧放電燈泡52‧‧‧燈泡罩53‧‧‧排氣空間形成構件55‧‧‧副腔室55A‧‧‧排氣部56‧‧‧氣體供給管57‧‧‧氣體排出口58‧‧‧搬入口59‧‧‧搬出口G、Gx‧‧‧氣體流通阻力用窄路W‧‧‧被處理體Wh‧‧‧孔
[0011] 　　[第1圖] 示意本發明的光照射裝置的一例的被處理體的搬運方向的剖面圖。 　　[第2圖] 第1圖的光照射裝置的被處理體的寬度方向的剖面圖。 　　[第3圖] 將第1圖的光照射裝置的主要部分示意地說明的從排氣空間側所見的立體圖。 　　[第4圖] 示意本發明的光照射裝置的別的一例的被處理體的寬度方向的剖面圖。 　　[第5圖] 示意本發明的光照射裝置的進一步別的一例的被處理體的寬度方向的剖面圖。 　　[第6圖] 將第5圖的光照射裝置的主要部分示意地說明的從排氣空間側所見的立體圖。 　　[第7圖] 示意本發明的光照射裝置的進一步別的一例的被處理體的寬度方向的剖面圖。 　　[第8圖] 將第7圖的光照射裝置的主要部分示意地說明的從排氣空間側所見的立體圖。 　　[第9圖] 示意本發明的光照射裝置的進一步別的一例的被處理體的寬度方向的剖面圖。 　　[第10圖] 將第9圖的光照射裝置的主要部分示意地說明的從排氣空間側所見的立體圖。 　　[第11圖] 示意本發明的光照射裝置的進一步別的一例的被處理體的寬度方向的剖面圖。 　　[第12圖] 將第11圖的光照射裝置的主要部分示意地說明的從排氣空間側所見的立體圖。 　　[第13圖] 示意本發明的光照射裝置的進一步別的一例的被處理體的寬度方向的剖面圖。 　　[第14圖] 將第13圖的光照射裝置的主要部分示意地說明的從排氣空間側所見的立體圖。 　　[第15圖] 示意本發明的光照射裝置的進一步別的一例的被處理體的寬度方向的剖面圖。 　　[第16圖] 將第15圖的光照射裝置的主要部分示意地說明的從排氣空間側所見的立體圖。 　　[第17圖] 顯示實施例及比較例中的被處理體的表面的氧濃度的圖表。 　　[第18圖] 示意習知的光照射裝置的一例的被處理體的搬運方向的剖面圖。 　　[第19圖] 第18圖的光照射裝置的被處理體的寬度方向的剖面圖。 　　[第20圖] 將第18圖的光照射裝置的主要部分示意地說明的立體圖。
10‧‧‧處理腔室
11‧‧‧紫外線燈泡
12‧‧‧燈泡罩
12A‧‧‧框部
12H‧‧‧開口
13‧‧‧排氣空間形成構件
13H‧‧‧開口
15H‧‧‧開口
16‧‧‧氣體供給管
17‧‧‧氣體排出口
G‧‧‧氣體流通阻力用窄路
W‧‧‧被處理體

Claims (3)

  1. 一種光照射裝置，是將紫外線照射在沿著搬運路徑被搬運的帶狀的被處理體的一面，具備：沿著搬運路徑中被處理體的一面側的通過平面具有開口的燈泡罩、及設於前述燈泡罩內並朝前述被處理體的寬度方向延伸的紫外線燈泡、及朝前述燈泡罩內供給惰性氣體的氣體供給手段、及沿著前述搬運路徑中被處理體的他面側的通過平面具有開口的排氣空間形成構件，在前述燈泡罩的開口，設有在與前述被處理體的兩側緣部之間形成氣體流通阻力用窄路的遮蔽體，在朝前述燈泡罩內供給惰性氣體的狀態下，藉由前述遮蔽體，而使前述燈泡罩內的壓力，比前述排氣空間形成構件內的壓力更大。
  2. 如申請專利範圍第1項的光照射裝置，其中，前述遮蔽體中朝被處理體的搬運方向延伸的側緣部的先端、及處理領域的寬度方向的側緣之間的距離d1是5~10mm。
  3. 如申請專利範圍第1或2項的光照射裝置，其中， 前述遮蔽體，其朝被處理體的搬運方向延伸的側緣部是設成朝被處理體的寬度方向可變位。
TW107107262A 2017-04-06 2018-03-05 光照射裝置 TWI774734B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017075786A JP7003431B2 (ja) 2017-04-06 2017-04-06 光照射装置
JP2017-075786 2017-04-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201836723A TW201836723A (zh) 2018-10-16
TWI774734B true TWI774734B (zh) 2022-08-21

Family

ID=63845364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107107262A TWI774734B (zh) 2017-04-06 2018-03-05 光照射裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7003431B2 (zh)
KR (1) KR102479760B1 (zh)
CN (1) CN108687057B (zh)
TW (1) TWI774734B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7281083B2 (ja) * 2019-05-14 2023-05-25 ウシオ電機株式会社 エキシマ光照射装置
KR102623544B1 (ko) 2019-06-10 2024-01-10 삼성전자주식회사 광 조사 기반 웨이퍼 세정 장치 및 그 세정 장치를 포함한 웨이퍼 세정 시스템

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006147928A (ja) * 2004-11-22 2006-06-08 Ushio Inc エキシマランプ装置
JP2009097801A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ボイラ及びボイラの蒸気温度調整方法
JP2010075888A (ja) * 2008-09-27 2010-04-08 Gs Yuasa Corporation 紫外線照射処理装置
JP2011243913A (ja) * 2010-05-21 2011-12-01 Ushio Inc 紫外線処理装置及び紫外線照射装置
CN102671891A (zh) * 2011-03-15 2012-09-19 优志旺电机株式会社 光照射装置
TW201322355A (zh) * 2011-11-25 2013-06-01 Ushio Electric Inc 光照射裝置
TW201639057A (zh) * 2015-04-16 2016-11-01 Ushio Electric Inc 光照射裝置
CN106169316A (zh) * 2015-05-18 2016-11-30 松下知识产权经营株式会社 紫外光照射装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000218248A (ja) * 1999-01-27 2000-08-08 Iwasaki Electric Co Ltd 表面処理装置
JP5601551B2 (ja) * 2013-01-21 2014-10-08 ウシオ電機株式会社 光照射装置
JP5861696B2 (ja) * 2013-03-28 2016-02-16 ウシオ電機株式会社 光照射装置
US9616469B2 (en) * 2013-09-13 2017-04-11 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light projection device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006147928A (ja) * 2004-11-22 2006-06-08 Ushio Inc エキシマランプ装置
JP2009097801A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ボイラ及びボイラの蒸気温度調整方法
JP2010075888A (ja) * 2008-09-27 2010-04-08 Gs Yuasa Corporation 紫外線照射処理装置
JP2011243913A (ja) * 2010-05-21 2011-12-01 Ushio Inc 紫外線処理装置及び紫外線照射装置
CN102671891A (zh) * 2011-03-15 2012-09-19 优志旺电机株式会社 光照射装置
TW201322355A (zh) * 2011-11-25 2013-06-01 Ushio Electric Inc 光照射裝置
TW201639057A (zh) * 2015-04-16 2016-11-01 Ushio Electric Inc 光照射裝置
CN106169316A (zh) * 2015-05-18 2016-11-30 松下知识产权经营株式会社 紫外光照射装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7003431B2 (ja) 2022-01-20
KR102479760B1 (ko) 2022-12-21
TW201836723A (zh) 2018-10-16
CN108687057A (zh) 2018-10-23
JP2018176032A (ja) 2018-11-15
CN108687057B (zh) 2023-04-11
KR20180113461A (ko) 2018-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI774734B (zh) 光照射裝置
TWI480681B (zh) Light processing device and light processing method
JP2012504865A5 (zh)
TWI583525B (zh) A template cleaning method, a pattern forming method, a light cleaning apparatus, and a nanoimprint apparatus
WO2005064663A1 (ja) 紫外線洗浄装置および洗浄方法
TWI466735B (zh) 紫外線照射裝置
JP4937679B2 (ja) 基板の帯電防止装置及び帯電防止方法
KR101568050B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI446480B (zh) 基板冷卻裝置
JP2015202997A (ja) 基板、基板製造システム、剥離装置、基板製造方法および剥離方法
KR102357879B1 (ko) 광조사 장치
JP3663674B2 (ja) 紫外線処理装置
JP7027871B2 (ja) 光照射装置
JP2009262046A (ja) 紫外光照射処理装置
JP4883133B2 (ja) 紫外光洗浄装置
JP2004179383A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006310682A (ja) 基板処理装置
JP2011243913A (ja) 紫外線処理装置及び紫外線照射装置
CN109324363B (zh) 光学膜的制造装置及制造方法
JP2012124365A (ja) 加熱処理装置、およびこれを備える塗布現像装置
JP2014193450A (ja) 光照射装置
TW201024852A (en) Excimer lamp apparatus
KR20130021649A (ko) 포토 마스크 세정 설비의 냉각장치
JP6509588B2 (ja) フイルムの表面処理装置
JPH06283296A (ja) 基板の搬送処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent