TWI774397B

TWI774397B - 薄膜光伏結構

Info

Publication number: TWI774397B
Application number: TW110119348A
Authority: TW
Inventors: 柯崇文; 張宇帆; 張裕洋; 黃松健; 劉修銘
Original assignee: 位速科技股份有限公司
Priority date: 2021-05-28
Filing date: 2021-05-28
Publication date: 2022-08-11
Also published as: TW202247503A

Abstract

一種薄膜光伏結構，包含一基板、一第一導電層、一光伏層、一第二導電層及複數第一絕緣區。第一導電層設置於基板上，且第一導電層具有複數第一蝕刻區以將第一導電層劃分為複數第一導電區。光伏層設置於第一導電層上，且光伏層具有複數光伏蝕刻區以將光伏層劃分為複數光伏區。第二導電層設置於光伏層上，且第二導電層具有複數第二蝕刻區以將第二導電層劃分為複數第二導電區。複數第一絕緣區分別設置於複數第二蝕刻區下方且於該光伏區的上表面，且各第一絕緣區所具有之一第一絕緣區寬度大於各第二蝕刻區所具有之一第二蝕刻區寬度。

Description

薄膜光伏結構

本發明係關於一種光伏結構，詳細而言，係關於一種薄膜光伏結構。

於現有的綠能科技中，太陽能電池（即：光伏電池）已被廣泛地應用。太陽能電池可被區分為無機太陽能電池與有機太陽能電池兩類，目前市場中最高市佔率的仍是傳統的無機太陽能電池，如Si、CdTe、CIGS等。儘管有機太陽能電池的使用壽命及電池效率都無法和無機太陽能電池相比，不過有機太陽能電池仍因為具有較高的設計自由度和適應性，例如：獨特的色彩、形狀和透明度選擇等，故能在使用時整合到建築中，與建築帷幕牆合併設計而更富創意與變化。

然而，製備大面積的有機太陽能電池模組，必須利用蝕刻方式讓上下導電層分別形成單一獨立的電池單元，再利用串聯方式將各個單一的電池單元串聯、或是並聯複數個電池單元以達到符合使用的規格。實務上，這些蝕刻上下導電層的製程時常會因為蝕刻設備與製程條件難以搭配而導致上下電極之間存有漏電的疑慮。

另一方面，即使上導電層不須蝕刻，改以蒸鍍遮罩或是網印方式定義上導電層的圖形，也不可避免地會在製造過程中產生模組失效的機率。

有鑑於此，如何提供一種薄膜光伏結構，使其能針對容易出現漏電或短路的區域予以保護，乃為此一業界亟待解決之問題。

本發明之一目的在於提供一種薄膜光伏結構，其可針對第一蝕刻區和第二蝕刻區覆蓋絕緣材料以形成絕緣區，使得此具有絕緣區的結構不僅能用以阻絕第一導電層及第二導電層在蝕刻時可能導致之接觸所產生的漏電和短路機會，也可避免以蝕刻程序形成第二蝕刻區時，因過蝕刻效應而對第一導電層造成破壞。因此，利用絕緣材料覆蓋第一蝕刻區和第二蝕刻區便可阻絕第一導電層和第二導電層因接觸所可能產生的短路機會，有效提升光伏電池的光電轉換效率，並大幅提升大面積模組化之薄膜光伏電池的生產良率。

為達上述目的，本發明之薄膜光伏結構包含：一基板；一第一導電層，設置於基板上，且第一導電層具有複數第一蝕刻區以將第一導電層劃分為複數第一導電區；一光伏層，設置於第一導電層上，且光伏層具有複數光伏蝕刻區以將光伏層劃分為複數光伏區；一第二導電層，設置於光伏層上，且第二導電層具有複數第二蝕刻區以將第二導電層劃分為複數第二導電區；以及複數第一絕緣區，分別設置於複數第二蝕刻區下方且於該等光伏區的上表面，且各第一絕緣區所具有之一第一絕緣區寬度大於各第二蝕刻區所具有之一第二蝕刻區寬度。

於本發明之薄膜光伏結構中，更包含複數第二絕緣區，各第二絕緣區填充於各第一蝕刻區且包覆各第一蝕刻區之一上週緣。

於本發明之薄膜光伏結構中，更包含複數第二絕緣區，各第二絕緣區部分填充於各第一蝕刻區且包覆各第一蝕刻區之一上週緣。

於本發明之薄膜光伏結構中，更包含複數第二絕緣區，各第一蝕刻區進一步朝上貫穿各光伏區，且各第二絕緣區填充於各第一蝕刻區並包覆各第一蝕刻區之一上週緣。

於本發明之薄膜光伏結構中，各第二蝕刻區與各光伏蝕刻區部分重疊，且各第一絕緣區部分填充於各光伏蝕刻區內。

於本發明之薄膜光伏結構中，第二蝕刻區所具有之第二蝕刻區寬度介於20微米~500微米之間，且第一絕緣區所具有之第一絕緣區寬度介於25微米~1000微米之間。

於本發明之薄膜光伏結構中，各該第一導電區及其所對應的該光伏區與該第二導電區形成一次光伏結構；一個該次光伏結構的該第二導電區設置於相鄰的另一個該次光伏結構的該第一導電區的上表面而電性連接，使二個相鄰的該次光伏結構係形成串聯。

為達上述目的，本發明再提供之薄膜光伏結構包含：一基板；一第一導電層，設置於該基板上，且該第一導電層具有複數第一蝕刻區以將該第一導電層劃分為複數第一導電區；一光伏層，設置於該第一導電層上，且該光伏層具有複數光伏蝕刻區以將該光伏層劃分為複數光伏區；一第二導電層，設置於該光伏層上，且該第二導電層具有複數第二蝕刻區以將該第二導電層劃分為複數第二導電區；以及複數第二絕緣區，各該第二絕緣區填充於各該第一蝕刻區且延續覆蓋並接觸於所對應的各該第一導電區的上表面，各該第二絕緣區的上方係被所對應的光伏區所覆蓋。

為達上述目的，本發明又提供之薄膜光伏結構包含：一基板；一第一導電層，設置於該基板上，且該第一導電層具有複數第一蝕刻區以將該第一導電層劃分為複數第一導電區；一光伏層，設置於該第一導電層上，且該光伏層具有複數光伏蝕刻區以將該光伏層劃分為複數光伏區；一第二導電層，設置於該光伏層上，且該第二導電層具有複數第二蝕刻區以將該第二導電層劃分為複數第二導電區；以及複數第二絕緣區，各該第一蝕刻區進一步朝上貫穿各該光伏區，各該第二絕緣區充於各該第一蝕刻區且部分延續覆蓋並接觸於各該光伏區的上表面，且各第二絕緣區的上方係被所對應的該第二導電區所覆蓋。

本發明係關於一種薄膜光伏結構，其可透過絕緣區的設置，隔絕第一導電層與第二導電層之間的漏電路徑，同時縮減彼此的短路機會，以進一步提升光伏轉換效能。

請參閱第1圖，其為本發明之薄膜光伏結構1的第一實施例。薄膜光伏結構1包含一基板11、一第一導電層12、一光伏層13、一第二導電層14及複數第一絕緣區15。

第一導電層12設置於基板11上，且第一導電層12具有複數第一蝕刻區121以將第一導電層12劃分為複數第一導電區122，第一蝕刻區121係介於二個相鄰的第一導電區122之間。光伏層13設置於第一導電層12上，且光伏層13具有複數光伏蝕刻區131以將光伏層13劃分為複數光伏區132，光伏蝕刻區131係介於二個相鄰的光伏區132之間，部分的光伏區132充填於第一蝕刻區121並與基板11接觸。第二導電層14設置於光伏層13上，且第二導電層14具有複數第二蝕刻區141以將第二導電層14劃分為複數第二導電區142，第二蝕刻區141係介於二個相鄰的第二導電區142之間。各第一導電區122及其所對應的光伏區132與第二導電區142形成一個次光伏結構，因此薄膜光伏結構1實際上也包含了複數個次光伏結構。相鄰的次光伏結構係形成串聯以提升電壓，例如在第1圖中有左側、中間及右側共三個次光伏結構，而位於左側的次光伏結構的第二導電區142是沉積設置於光伏區132的上表面及光伏蝕刻區131，並且也沉積設置於與左側的次光伏結構相鄰的次光伏結構(位於中間的次光伏結構)的第一導電區122的上表面而電性連接，因此左側的次光伏結構與中間的次光伏結構得以串聯，類似地中間的次光伏結構與右側的次光伏結構也得以串聯，依此類推所以薄膜光伏結構1得以提升整體電壓。複數第一絕緣區15分別設置於複數第二蝕刻區141下方且於光伏層13的光伏區132的上表面，且各第一絕緣區15所具有之一第一絕緣區寬度W1大於各第二蝕刻區141所具有之一第二蝕刻區寬度W2。

其中，基板11之厚度介於20微米~3000微米之間，且基板11之材質可為透光塑料及玻璃等其中一種。第一導電層12之層厚度介於20奈米~10微米之間，且第一蝕刻區121之寬度介於10~500微米之間。

光伏層13可為習知之結構，其包含至少一電子傳輸層、至少一電洞傳輸層，以及介於至少一電子傳輸層與至少一電洞傳輸層之間的至少一吸光層（圖未示出）。光伏層13之厚度介於50奈米~2微米之間，且光伏層13可由塗佈、噴塗、印刷、濺鍍、蒸鍍、浸泡等其中一種方式所形成。光伏蝕刻區131之寬度則介於20微米~2毫米之間。

第二導電層14之厚度介於10奈米~2000奈米之間，其可由金、銀、銅、鋁或是其合金，或透明導電金屬氧化物等材料所構成，例如可以氧化銦錫（indium-tin oxide）、氧化銦鋅（indium-zinc oxide）、氧化銦鎵鋅（indium gallium zinc oxide）、鋁摻雜氧化鋅（aluminum-doped zinc oxide）等其中至少一種作為第二導電層14。

第二蝕刻區141所具有之第二蝕刻區寬度W2介於20微米~500微米之間。第二蝕刻區寬度W2必須小於下方之第一絕緣區15所具有之第一絕緣區寬度W1，且第一絕緣區寬度W1介於25微米~1000微米之間。

詳細而言，於本發明中，由於複數第一絕緣區15需分別設置於複數第二蝕刻區141下方，故形成步驟乃是先將複數第一絕緣區15以例如網印方式形成於複數光伏區132上之特定位置後，再將第二導電層14形成於光伏層13上，隨後在對應各第一絕緣區15的位置進行蝕刻以形成複數第二蝕刻區141。

如第1圖所示，鑑於各第一絕緣區15所具有之第一絕緣區寬度W1大於各第二蝕刻區141所具有之第二蝕刻區寬度W2，當以溼式蝕刻、雷射蝕刻或機械刮除等方式形成複數第二蝕刻區141時，第二蝕刻區141的蝕刻深度便會因為接觸到第一絕緣區15而停止。換言之，可透過複數第一絕緣區15的設置，避免在形成複數第二蝕刻區141的過程中對第二導電層14下方的光伏層13產生過蝕刻的情況，從而確保薄膜光伏電池不會產生漏電或短路。

請參閱第2圖所示之第二實施例，其與第一實施例相同處就不再贅述，與第一實施例不同處之一是光伏區132並不充填於第一蝕刻區121，且不與基板11接觸。另外，於本發明第二實施例之薄膜光伏結構1中，更包含複數第二絕緣區16，各第二絕緣區16例如以網印方式填充於各第一蝕刻區121且包覆各第一蝕刻區121之一上週緣121a。換言之，各第二絕緣區16的最大寬度大於各第一蝕刻區121的寬度，各第二絕緣區16填充於各第一蝕刻區121且延續覆蓋並接觸於所對應的各第一導電區122的上表面。進一步地，第二絕緣區16填充於第一蝕刻區121且部分延續覆蓋並接觸於相鄰的二個次光伏結構的第一導電區122的上表面，例如位在第2圖中左側的第二絕緣區16填充於第一蝕刻區121且部分延續覆蓋並接觸於彼此相鄰的圖中左側次光伏結構的第一導電區122及中間次光伏結構的第一導電區122。另外，光伏區132係覆蓋於所對應的第二絕緣區16的上方。

如此一來，當對第一導電層12蝕刻而形成複數第一蝕刻區121後，第一蝕刻區121之上週緣121a因蝕刻過程中所產生的金屬微粒將會被第二絕緣區16所包覆，避免後續第二導電區142形成於光伏蝕刻區131內後可能透過該金屬微粒而與其他第一導電區122導通所導致的短路情況。

於第3圖所示之第三實施例中，薄膜光伏結構1同樣可更包含複數第二絕緣區16，而與第二實施例之差異則在於第三實施例之各第二絕緣區16僅透過沿側壁設置之方式部分填充於各第一蝕刻區121且包覆各第一蝕刻區121之上週緣121a，光伏區132並充填於部分的第一蝕刻區121且與基板11接觸。此種第二絕緣區16之設置方式同樣可使第二絕緣區16包覆第一蝕刻區121之上週緣121a的金屬微粒，避免後續第二導電區142形成於光伏蝕刻區131內後可能透過該金屬微粒而與其他第一導電區122導通所導致的短路情況。換言之，各第二絕緣區16包含左第二絕緣區16’及右第二絕緣區16’’，左第二絕緣區16’及右第二絕緣區16’’係彼此為間隔設置於相鄰的二個第一導電區122之側壁且分別延續覆蓋並接觸於對應的相鄰的二個第一導電區122的上表面，而光伏區132則充填於左第二絕緣區16’及右第二絕緣區16’’之間且與基板11接觸。左第二絕緣區16’的末端及右第二絕緣區16’’的末端所形成的最大間距大於各第一蝕刻區121的寬度，左第二絕緣區16’的末端及右第二絕緣區16’’僅填充於各第一蝕刻區121的一部分且延續覆蓋並接觸於所對應的第一導電區122的上表面。

於第4圖所示之第四實施例中，薄膜光伏結構1同樣更包含複數第二絕緣區16，而與第二實施例之差異則在於第四實施例之各第一蝕刻區121進一步朝上貫穿各光伏區132（即：第一蝕刻區121乃是在光伏層13設置於第一導電層12上後，同時蝕刻光伏層13及第一導電層12所形成），且各第二絕緣區16填充於各第一蝕刻區121並包覆各第一蝕刻區121之上週緣121a及側邊121b，換言之，各第二絕緣區16的最大寬度大於各第一蝕刻區121的寬度，各第二絕緣區16填充於各第一蝕刻區121且部分延續覆蓋並接觸於各光伏區132的上表面。另外，各第二絕緣區16的上方係被所對應的第二導電區142所覆蓋。

由於第四實施例之第一蝕刻區121乃是在光伏層13設置於第一導電層12上後，同時蝕刻光伏層13及第一導電層12所形成，故將第二絕緣區16填充於第一蝕刻區121內後，便得以避免後續設置之第二導電區142與其他第一導電區122導通所導致的短路情況。

於第5圖所示之第五實施例中，各第二蝕刻區141與各光伏蝕刻區131部分重疊，故除了各第一絕緣區15所具有之第一絕緣區寬度W1大於各第二蝕刻區141所具有之第二蝕刻區寬度W2外，各第一絕緣區15尚可部分填充於各光伏蝕刻區131內並與第一導電區122接觸，藉此增加第一絕緣區15的附著力。換言之，光伏蝕刻區131的寬度大於第一絕緣區寬度W1。

詳細而言，透過蝕刻光伏層13而形成複數光伏蝕刻區131後，便先將各第一絕緣區15部分填充於各光伏蝕刻區131之一側周緣，而後將第二導電層14設置於光伏層13上後，才在對應於第一絕緣區15的區域進行蝕刻以形成第二蝕刻區141。此種設置方式同樣可避免在形成複數第二蝕刻區141的過程中對第二導電層14下方的光伏層13產生過蝕刻的情況，從而確保薄膜光伏電池不會產生漏電或短路。

第6圖所示之第六實施例則為基於第5圖之第五實施例的變化。於第六實施例中，除第五實施例之結構外，薄膜光伏結構1更包含複數第二絕緣區16，各第二絕緣區16填充於各第一蝕刻區121且包覆各第一蝕刻區121之上週緣121a。當對第一導電層12蝕刻而形成複數第一蝕刻區121後，第一蝕刻區121之上週緣121a因蝕刻過程中所產生的金屬微粒將會被第二絕緣區16所包覆，避免後續第二導電區142形成於光伏蝕刻區131內後可能透過該金屬微粒而與其他第一導電區122導通所導致的短路情況。換言之，各第二絕緣區16的最大寬度大於各第一蝕刻區121的寬度，各第二絕緣區16填充於各第一蝕刻區121且延續覆蓋並接觸於各第一導電區122的上表面。進一步地，第二絕緣區16填充於第一蝕刻區121且部分延續覆蓋並接觸於相鄰的二個第一導電區122的上表面，例如位在第6圖中左側的第二絕緣區16填充於第一蝕刻區121且部分延續覆蓋並接觸於彼此相鄰的圖中左側的第一導電區122及圖中中間的第一導電區122。

第7圖所示之第七實施例同樣為基於第5圖之第五實施例的變化。於第七實施例中，除第五實施例之結構外，薄膜光伏結構1更包含複數第二絕緣區16，各第二絕緣區16部分填充於各第一蝕刻區121且包覆各第一蝕刻區121之上週緣121a。第七實施例之各第二絕緣區16僅透過沿側壁設置之方式部分填充於各第一蝕刻區121且包覆各第一蝕刻區121之上週緣121a，故此種第二絕緣區16之設置方式同樣可使第二絕緣區16包覆第一蝕刻區121之上週緣121a的金屬微粒，避免後續第二導電區142形成於光伏蝕刻區131內後可能透過該金屬微粒而與其他第一導電區122導通所導致的短路情況。換言之，各第二絕緣區16包含左第二絕緣區16’及右第二絕緣區16’’，左第二絕緣區16’及右第二絕緣區16’’係彼此為間隔設置於相鄰的二個第一導電區122之側壁且分別延續覆蓋並接觸於對應的相鄰的二個第一導電區122的上表面，而光伏區132則充填於左第二絕緣區16’及右第二絕緣區16’’之間且與基板11接觸。左第二絕緣區16’的末端及右第二絕緣區16’’的末端所形成的最大間距大於各第一蝕刻區121的寬度，左第二絕緣區16’的末端及右第二絕緣區16’’僅填充於各第一蝕刻區121的一部分且延續覆蓋並接觸於所對應的第一導電區122的上表面。

第8圖所示之第八實施例同樣為基於第5圖之第五實施例的變化。於第八實施例中，除第五實施例之結構外，薄膜光伏結構1更包含複數第二絕緣區16，各第一蝕刻區121進一步朝上貫穿各光伏區132（即：第一蝕刻區121乃是在光伏層13設置於第一導電層12上後，同時蝕刻光伏層13及第一導電層12所形成），且各第二絕緣區16填充於各第一蝕刻區121並包覆各第一蝕刻區121之上週緣121a及側邊121b。換言之，各第二絕緣區16的最大寬度大於各第一蝕刻區121的寬度，各第二絕緣區16填充於各第一蝕刻區121且部分延續覆蓋並接觸於穿各光伏區132的上表面。由於第八實施例之第一蝕刻區121乃是在光伏層13設置於第一導電層12上後，同時蝕刻光伏層13及第一導電層12所形成，故將第二絕緣區16填充於第一蝕刻區121內後，便得以避免後續設置之第二導電區142與其他第一導電區122導通所導致的短路情況。

需說明的是，前述之第一絕緣區15及第二絕緣區16是由印刷、塗覆或噴塗等其中一種方式製備而成，且第一絕緣區15及第二絕緣區16所使用之材料係選自UV膠、環氧樹脂、感光聚醯亞胺型樹脂、氧化矽、二氧化矽、氮化矽等材料之其中之一。

綜上所述，由於本發明之薄膜光伏結構1可分別對第一蝕刻區121和第二蝕刻區141內覆蓋絕緣材料以分別形成第二絕緣區16及第一絕緣區15，使得此具有第二絕緣區16及第一絕緣區15絕緣區之結構不僅能用以阻絕第一導電區122及第二導電區142在蝕刻時可能導致與其他導電區之接觸所產生的漏電和短路機會，也可避免以蝕刻程序形成第二蝕刻區141時，因過蝕刻效應而對光伏層13和第一導電層12所造成之破壞。因此，利用絕緣材料覆蓋第一蝕刻區121和第二蝕刻區141便可阻絕第一導電層12和第二導電層14因接觸其他導電層所可能產生的短路機會，有效提升光伏電池的光電轉換效率，並大幅提升大面積模組化之薄膜光伏電池的生產良率。

上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣，以及闡釋本發明之技術特徵，並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍。本發明之權利保護範圍應以申請專利範圍為準。

1:薄膜光伏結構 11:基板 12:第一導電層 121:第一蝕刻區 121a:上週緣 121b:側邊 122:第一導電區 13:光伏層 131:光伏蝕刻區 132:光伏區 14:第二導電層 141:第二蝕刻區 142:第二導電區 15:第一絕緣區 16:第二絕緣區 16’:左第二絕緣區 16’’:右第二絕緣區 W1:第一絕緣區寬度 W2:第二蝕刻區寬度

第1圖為本發明之薄膜光伏結構的第一實施例示意圖。第2圖為本發明之薄膜光伏結構的第二實施例示意圖。第3圖為本發明之薄膜光伏結構的第三實施例示意圖。第4圖為本發明之薄膜光伏結構的第四實施例示意圖。第5圖為本發明之薄膜光伏結構的第五實施例示意圖。第6圖為本發明之薄膜光伏結構的第六實施例示意圖。第7圖為本發明之薄膜光伏結構的第七實施例示意圖。第8圖為本發明之薄膜光伏結構的第八實施例示意圖。

1:薄膜光伏結構

11:基板

12:第一導電層

121:第一蝕刻區

122:第一導電區

13:光伏層

131:光伏蝕刻區

132:光伏區

14:第二導電層

141:第二蝕刻區

142:第二導電區

15:第一絕緣區

W1:第一絕緣區寬度

W2:第二蝕刻區寬度

Claims

一種薄膜光伏結構，包括：一基板(11)；一第一導電層(12)，設置於該基板(11)上，且該第一導電層(12)具有複數第一蝕刻區(121)以將該第一導電層(12)劃分為複數第一導電區(122)；一光伏層(13)，設置於該第一導電層(12)上，且該光伏層(13)具有複數光伏蝕刻區(131)以將該光伏層(13)劃分為複數光伏區(132)；一第二導電層(14)，設置於該光伏層(13)上，且該第二導電層(14)具有複數第二蝕刻區(141)以將該第二導電層(14)劃分為複數第二導電區(142)；以及複數第一絕緣區(15)，分別設置於該等第二蝕刻區(141)下方且於該等光伏區(132)的上表面，且各該第一絕緣區(15)所具有之一第一絕緣區寬度(W1)大於各該第二蝕刻區(141)所具有之一第二蝕刻區寬度(W2)；其中，各該第一導電區(122)及其所對應的該光伏區(132)與該第二導電區(142)形成一次光伏結構；一個該次光伏結構的該第二導電區(142)設置於相鄰的另一個該次光伏結構的該第一導電區(122)的上表面而電性連接，使二個相鄰的該次光伏結構係形成串聯。
如請求項1所述之薄膜光伏結構，更包含複數第二絕緣區(16)，各該第二絕緣區(16)填充於各該第一蝕刻區(121)且包覆各該第一蝕刻區(121)之一上週緣(121a)。
如請求項1所述之薄膜光伏結構，更包含複數第二絕緣區(16)，各該第二絕緣區(16)部分填充於各該第一蝕刻區(121)且包覆各該第一蝕刻區(121)之一上週緣(121a)。
如請求項1所述之薄膜光伏結構，更包含複數第二絕緣區(16)，各該第一蝕刻區(121)進一步朝上貫穿各該光伏區(132)，且各該第二絕緣區(16)填充於各該第一蝕刻區(121)並包覆各該第一蝕刻區(121)之一上週緣(121a)。
如請求項1所述之薄膜光伏結構，其中各該第二蝕刻區(141)與各該光伏蝕刻區(131)部分重疊，且各該第一絕緣區(15)部分填充於各該光伏蝕刻區(131)內。
如請求項5所述之薄膜光伏結構，更包含複數第二絕緣區(16)，各該第二絕緣區(16)填充於各該第一蝕刻區(121)且包覆各該第一蝕刻區(121)之一上週緣(121a)。
如請求項5所述之薄膜光伏結構，更包含複數第二絕緣區(16)，各該第二絕緣區(16)部分填充於各該第一蝕刻區(121)且包覆各該第一蝕刻區(121)之一上週緣(121a)。
如請求項5所述之薄膜光伏結構，更包含複數第二絕緣區(16)，各該第一蝕刻區(121)進一步朝上貫穿各該光伏區(132)，且各該第二絕緣區(16)填充於各該第一蝕刻區(121)並包覆各該第一蝕刻區(121)之一上週緣(121a)。
如請求項1所述之薄膜光伏結構，其中該第二蝕刻區(141)所具有之該第二蝕刻區寬度(W2)介於20微米~500微米之間，且該第一絕緣區(15)所具有之該第一絕緣區寬度(W1)介於25微米~1000微米之間。
一種薄膜光伏結構，包括：一基板(11)；一第一導電層(12)，設置於該基板(11)上，且該第一導電層(12)具有複數第一蝕刻區(121)以將該第一導電層(12)劃分為複數第一導電區(122)；一光伏層(13)，設置於該第一導電層(12)上，且該光伏層(13)具有複數光伏蝕刻區(131)以將該光伏層(13)劃分為複數光伏區(132)；一第二導電層(14)，設置於該光伏層(13)上，且該第二導電層(14)具有複數第二蝕刻區(141)以將該第二導電層(14)劃分為複數第二導電區(142)；以及複數第二絕緣區(16)，各該第二絕緣區(16)填充於各該第一蝕刻區(121)且延續覆蓋並接觸於所對應的各該第一導電區(122)的上表面，各該第二絕緣區(16)的上方係被所對應的該光伏區(132)所覆蓋；其中，各該第一導電區(122)及其所對應的該光伏區(132)與該第二導電區(142)形成一次光伏結構；一個該次光伏結構的該第二導電區(142)設置於相鄰的另一個該次光伏結構的該第一導電區(122)的上表面而電性連接，使二個相鄰的該次光伏結構係形成串聯。
一種薄膜光伏結構，包括：一基板(11)；一第一導電層(12)，設置於該基板(11)上，且該第一導電層(12)具有複數第一蝕刻區(121)以將該第一導電層(12)劃分為複數第一導電區(122)；一光伏層(13)，設置於該第一導電層(12)上，且該光伏層(13)具有複數光伏蝕刻區(131)以將該光伏層(13)劃分為複數光伏區(132)；一第二導電層(14)，設置於該光伏層(13)上，且該第二導電層(14)具有複數第二蝕刻區(141)以將該第二導電層(14)劃分為複數第二導電區(142)；以及複數第二絕緣區(16)，各該第一蝕刻區(121)進一步朝上貫穿各該光伏區(132)，各該第二絕緣區(16)填充於各該第一蝕刻區(121)且部分延續覆蓋並接觸於各該光伏區(132)的上表面，且各該第二絕緣區(16)的上方係被所對應的該第二導電區(142)所覆蓋；其中，各該第一導電區(122)及其所對應的該光伏區(132)與該第二導電區(142)形成一次光伏結構；一個該次光伏結構的該第二導電區(142)設置於相鄰的另一個該次光伏結構的該第一導電區(122)的上表面而電性連接，使二個相鄰的該次光伏結構係形成串聯。