TWI773566B - 半導體封裝和印刷電路板組件 - Google Patents
半導體封裝和印刷電路板組件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI773566B TWI773566B TW110139317A TW110139317A TWI773566B TW I773566 B TWI773566 B TW I773566B TW 110139317 A TW110139317 A TW 110139317A TW 110139317 A TW110139317 A TW 110139317A TW I773566 B TWI773566 B TW I773566B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- semiconductor die
- substrate
- semiconductor package
- semiconductor
- cover plate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
- H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4093—Snap-on arrangements, e.g. clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/467—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing gases, e.g. air
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/0026—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus provided with connectors and printed circuit boards [PCB], e.g. automotive electronic control units
- H05K5/0047—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus provided with connectors and printed circuit boards [PCB], e.g. automotive electronic control units having a two-part housing enclosing a PCB
- H05K5/0052—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus provided with connectors and printed circuit boards [PCB], e.g. automotive electronic control units having a two-part housing enclosing a PCB characterized by joining features of the housing parts
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/02—Details
- H05K5/0217—Mechanical details of casings
- H05K5/0221—Locks; Latches
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/02—Details
- H05K5/03—Covers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/2902—Disposition
- H01L2224/29034—Disposition the layer connector covering only portions of the surface to be connected
- H01L2224/29035—Disposition the layer connector covering only portions of the surface to be connected covering only the peripheral area of the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
本發明公開一種半導體封裝,包括:基板,具有頂面和底面;半導體晶粒,安裝在該基板的該頂面上;以及兩部分式蓋子,安裝在該基板的該頂面的周邊上並容納該半導體晶粒,其中該蓋子包括環形蓋基座和可拆卸地安裝在該環形蓋基座上的蓋板。
Description
本發明涉及半導體技術領域,尤其涉及一種半導體封裝和印刷電路板組件。
隨著對更高性能的需求所驅動的積體電路(integrated circuit,IC)器件的集成度不斷提高,所有應用級別的IC器件都在每單位面積上整合了更多的電路元件。對更小封裝尺寸和更高器件密度的需求也導致了更高的功率密度,同時對高效散熱的需求變得極其重要。
管理由運行中的半導體晶片產生的熱量已成為一個重要的技術問題。隨著溫度升高,晶片故障率增加,熱量可能對半導體晶片造成永久性損壞。因此,有效散熱成為半導體封裝的關鍵問題。
隨著高性能CPU(central processing unit,中央處理器)和其他半導體器件的功率水平和發熱的增加,常用封裝組件的熱性能正成為一個限制因素。許多此類器件安裝在倒裝晶片封裝中,其中晶片在主動側(active side)底部填充熱界面材料並與熱界面材料(也稱為“TIM”或“TIM 1”)直接接觸,並附有金屬或陶瓷蓋在主動側的相對面。蓋子(lid)作為晶粒的物理保護以及封裝加強件,而熱界面材料有助於消散多餘的熱量。在某些情況下,散熱器可能會安裝在帶有另一個TIM層(也稱為“TIM 2”)的蓋子上。
眾所周知,球柵陣列(ball grid array,BGA)器件和電路板之間的連接是透過放置在晶片封裝下側的接觸墊(contact pad)實現的。互補接觸墊陣列
(complementary contact pad array)或著陸區(landing area)位於電路板的表面上,在該電路板的表面上將放置BGA器件。與具有環形加強環的半導體封裝相比,帶蓋子的半導體封裝提供更好的翹曲和SMT(Surface Mounted Technology,表面安裝技術)控制。
然而,上述配置的熱性能和散熱效率仍然不能令人滿意。隨著新興裝置設計的功率水平穩步上升,該行業一直需要提供改進的半導體封裝熱性能以確保性能和可靠性。
有鑑於此,本發明提供一種半導體封裝和印刷電路板組件,該半導體封裝和印刷電路板組件具有良好翹曲控制和SMT控制以及增強的熱性能。
根據本發明的第一方面,公開一種半導體封裝,包括:基板,具有頂面和底面;半導體晶粒,安裝在該基板的該頂面上;以及蓋子,安裝在該基板的該頂面的周邊上並容納該半導體晶粒,其中該蓋子包括環形蓋基座和可拆卸地安裝在該環形蓋基座上的蓋板。
根據本發明的第二方面,公開一種印刷電路板組件,包括:印刷電路板;安裝在該印刷電路板上的半導體封裝,該半導體封裝包括:具有頂面和底面的基板;安裝在該基板的該頂面上的半導體晶粒;安裝在該基板的該頂面的周邊上並圍繞該半導體晶粒的環形蓋基座;以及強制冷卻模組,安裝在該環形蓋基座和該半導體晶粒上。
本發明的半導體封裝由於包括:基板,具有頂面和底面;半導體晶粒,安裝在該基板的該頂面上;以及蓋子,安裝在該基板的該頂面的周邊上並
容納該半導體晶粒,其中該蓋子包括環形蓋基座和可拆卸地安裝在該環形蓋基座上的蓋板。採用這種方式,在將半導體封裝安裝在印刷電路板上之後,就可以將可拆卸安裝的蓋板移除,並安裝其他用於冷卻的裝置,例如,強制冷卻模組等,從而更加高效的對半導體封裝及其中的半導體晶粒進行散熱,提高散熱效率,保證半導體晶粒工作和運行的穩定和高效。
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11:半導體封裝
100:基板
100a:頂面
100b:底面
102:焊球
104:焊盤
110:半導體晶粒
110a:主動表面
110b:後表面
110p:週邊部分
112:連接元件
200:PCB
202:焊盤
300:蓋子
301,302,303:黏合層
310:環形蓋基座
310a:垂直壁
310t,320t:螺紋孔
310b:水平內凸緣
310h:中央開口
310g:凹槽
320:蓋板
320a:中央散熱塊
320b:凸緣
330:緊固裝置
400,410:腔
500:強制冷卻模組
501:進液口
502:出液口
530:緊固裝置
550:液體冷卻劑
透過閱讀後續的詳細描述和實施例可以更全面地理解本發明,本實施例參照附圖給出,其中:
圖1是根據本發明實施例的示例性帶蓋(或蓋子)半導體封裝(lidded semiconductor)的示意性截面圖。
圖2是根據本發明實施例的將圖1中的帶蓋半導體封裝安裝到PCB上之後的示例性印刷電路板組件(printed circuit board assembly,PCBA)的示意性截面圖。
圖3是根據本發明實施例的將圖2中的蓋板(cover plate)更換為強制冷卻模組(forced cooling module)後的示例性PCBA的剖視示意圖。
圖4是根據本發明另一實施例的示例性有蓋(或帶蓋)半導體封裝的截面示意圖。
圖5為本發明另一實施例的將圖4中的蓋板更換為強制冷卻模組後的PCBA的剖面示意圖。
圖6是根據本發明另一實施例的示例性有蓋半導體封裝的截面示意圖。
圖7為本發明另一實施例的將圖6中的蓋板更換為強制冷卻模組後的PCBA的剖面示意圖。
圖8為本發明又一實施例的帶蓋半導體封裝的剖面示意圖。
圖9為本發明另一實施例的將圖8中的蓋板更換為強制冷卻模組後的PCBA的剖面示意圖。
圖10是根據本發明又一實施例的示例性有蓋半導體封裝的示意性截面圖。
圖11是根據本發明另一實施例的將圖10中的蓋板更換為強制冷卻模組後的示例性PCBA的橫截面示意圖。
在下面對本發明的實施例的詳細描述中,參考了附圖,這些附圖構成了本發明的一部分,並且在附圖中透過圖示的方式示出了可以實踐本發明的特定的優選實施例。對這些實施例進行了足夠詳細的描述,以使所屬技術領域具有通常知識者能夠實踐它們,並且應當理解,在不脫離本發明的精神和範圍的情況下,可以利用其他實施例,並且可以進行機械,結構和程式上的改變。本發明。因此,以下詳細描述不應被理解為限制性的,並且本發明的實施例的範圍僅由所附申請專利範圍限定。
將理解的是,儘管術語“第一”、“第二”、“第三”、“主要”、“次要”等在本文中可用於描述各種元件、組件、區域、層和/或部分,但是這些元件、組件、區域、這些層和/或部分不應受到這些術語的限制。這些術語僅用於區分一個元件、組件、區域、層或部分與另一區域、層或部分。因此,在不脫離本發明構思的教導的情況下,下面討論的第一或主要元件、組件、區域、層或部分可以稱為第二或次要元件、組件、區域、層或部分。
此外,為了便於描述,本文中可以使用諸如“在...下方”、“在...之下”、“在...下”、“在...上方”、“在...之上”之類的空間相對術語,以便於描述一個元件或特徵與之的關係。如圖所示的另一元件或特徵。除了在圖中描述的方位之外,空間相對術語還意圖涵蓋設備在使用或運行中的不同方位。
該裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或以其他定向),並且在此使用的空間相對描述語可以同樣地被相應地解釋。另外,還將理解的是,當“層”被稱為在兩層“之間”時,它可以是兩層之間的唯一層,或者也可以存在一個或複數個中間層。
術語“大約”、“大致”和“約”通常表示規定值的±20%、或所述規定值的±10%、或所述規定值的±5%、或所述規定值的±3%、或規定值的±2%、或規定值的±1%、或規定值的±0.5%的範圍內。本發明的規定值是近似值。當沒有具體描述時,所述規定值包括“大約”、“大致”和“約”的含義。本文所使用的術語僅出於描述特定實施例的目的,並不旨在限制本發明。如本文所使用的,單數術語“一”,“一個”和“該”也旨在包括複數形式,除非上下文另外明確指出。本文所使用的術語僅出於描述特定實施例的目的,並不旨在限制本發明構思。如本文所使用的,單數形式“一個”、“一種”和“該”也旨在包括複數形式,除非上下文另外明確指出。
將理解的是,當將“元件”或“層”稱為在另一元件或層“上”、“連接至”、“耦接至”或“鄰近”時,它可以直接在其他元件或層上、與其連接、耦接或相鄰、或者可以存在中間元件或層。相反,當元件稱為“直接在”另一元件或層“上”、“直接連接至”、“直接耦接至”或“緊鄰”另一元件或層時,則不存在中間元件或層。
注意:(i)在整個附圖中相同的特徵將由相同的附圖標記表示,並且不一定在它們出現的每個附圖中都進行詳細描述,並且(ii)一系列附圖可能顯示單個專案的不同方面,每個方面都與各種參考標籤相關聯,這些參考標籤可能會出現在整個序列中,或者可能只出現在序列的選定圖中。
積體電路(IC)晶片的封裝可涉及將IC晶片附接到基板(例如,封裝基板),該基板在晶片與IC器件的其他電子部件之間提供機械支撐和電連接等。基
板類型包括例如有芯基板(cored substrate),該有芯基板包括薄芯、厚芯(層壓BT(bismaleimide-triazine resin,雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂)或FR-4型纖維板材料)和層壓芯,以及無芯基板。例如,有芯封裝基板可以圍繞中心芯層逐層構建,導電材料層(通常是銅)被絕緣電介質層隔開,層間連接形成有穿孔或微孔(通孔)。
熱設計和材料選擇仍然是電子封裝的一個問題,尤其是倒裝晶片球柵陣列封裝(flip chip ball grid array package,FCBGA)。由於矽和層壓材料之間的熱膨脹係數不同,較大的晶片尺寸會表現出更大的封裝翹曲。因此,大型晶粒封裝更難焊接安裝,並且可能會在晶粒和外部散熱器之間的接合線(bond line)厚度上產生更大的變化。
本發明涉及一種具有兩部分蓋子的帶蓋半導體封裝,該兩部分蓋子包括可移除地固定到蓋子基座(base)的蓋板(cover plate)。將帶蓋的半導體封裝安裝到電路板(circuit board)上後,可以移除蓋板並用強制冷卻系統或模組代替,強制冷卻系統或模組可以直接與晶片表面接觸,而無需在強制冷卻系統(或模組)與晶片之間的界面施加熱界面材料。可以省去通常安裝在蓋子上的傳統散熱器。
圖1是示出根據本發明實施例的示例性帶蓋半導體封裝(或半導體封裝)的示意性橫截面圖。如圖1所示,帶蓋半導體封裝1(或半導體封裝1)包括基板100,例如封裝基板或中介層(interposer)基板,但不限於此。為簡單起見,圖中未示出基板100中的走線或互連結構。應當理解,基板100可以包括用於將半導體晶粒110電連接到諸如印刷電路板((printed circuit board,PCB)或系統板的外部電路系統的電路、跡線和/或互連結構。根據一個實施例,焊球102例如BGA球設置在基板100的底面(底表面)100b上。
根據本發明的實施例,半導體晶粒110可以例如以倒裝晶片方式安裝
在基板100的頂面(頂表面)100a上,這樣即可以方便對半導體晶粒110的散熱設計,以便在半導體晶粒110的另一面(如後表面)進行散熱設計。半導體晶粒110具有向下面向基板100的主動表面(active surface)110a。諸如導電凸塊、微凸塊、柱等的連接元件112可以設置在主動表面(或有源表面)110a上。連接元件112接合到設置在基板100的頂面100a上的相應的焊盤104。
半導體晶粒110和基板100之間的間隙可以填充有底部填充層120,底部填充層120包括諸如環氧樹脂的絕緣材料,但不限於此。例如,具有接近連接元件112的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion,CTE)的底部填充樹脂(底部填充層)可以沉積並固化在半導體晶粒110和基板100之間的間隙中。底部填充樹脂的使用能夠實現晶片和基板的結構耦合,有效地降低剪切應力,從而降低施加在焊點上的應變。底部填充層120的設置不僅可以保護連接元件112的結構穩定性,而且還可以防護連接元件112等電性連接元件不被後續的冷卻介質(例如冷卻液、氣體等)所影響,從而保證半導體封裝的正常工作和運行。
根據一個實施例,蓋子(或蓋、蓋結構)300透過黏合層301固定到基板100的頂面100a的周邊上。根據一個實施例,蓋子300可以包括不銹鋼、鋁、銅或它們的合金,但是不限於此。半導體晶粒110由蓋子300容納。蓋子300用作半導體晶粒110的物理保護以及封裝加強件以減輕組裝過程中的封裝翹曲。蓋子300可以是金屬材質,以便散熱並且機械強度更大。當然蓋子300也可以是其他例如塑料等材質。
根據一個實施例,蓋子300包括環形蓋子基座(環形蓋基座或蓋基座)310和透過緊固裝置330(例如螺栓、磁鐵或夾子或夾具等)固定到環形蓋基座310上的蓋板320。環形蓋基座310包括與半導體晶粒110間隔開的垂直壁(vertical wall)310a和向內突出超過豎直壁310a並與半導體晶粒110的週邊部分110p重疊的水平內凸緣(horizontal inner flange)310b。根據一個實施例,水平內凸緣(或
內凸緣)310b透過黏合劑層302黏附到半導體晶粒110的週邊部分110p,從而氣密地密封半導體晶粒110周圍的環形腔(或腔、腔室、腔體)400,環形腔(或腔、腔室、腔體)400可以作為安裝的間隙,以防止在安裝蓋子300時磕碰或擠壓到半導體晶粒110,從而留出安裝餘量或裕度,腔(或環形腔、腔室、腔體)400內可以是空氣。根據一個實施例,水平內凸緣310b還限定了暴露半導體晶粒110的後表面110b的中央開口310h。環形蓋基座310的輪廓可以是圓環形、多邊環形等。環形蓋基座310可以是一體的部件,例如一體成形的。水平內凸緣310b可以進一步的將晶粒110固定的更加穩定,提高半導體封裝的結構穩定性。
根據一個實施例,蓋板320包括中央散熱塊320a,中央散熱塊320a設置在中央開口310h內並且在不使用黏合劑層或熱界面材料的情況下與半導體晶粒110的後表面110b直接接觸。與中央散熱塊320a一體形成的向外突出的凸緣320b與環形蓋基座310重疊。蓋板320可以是一體的部件,而不是分離的部件的組合。根據一個實施例,中央散熱塊320a比凸緣320b厚。在一些實施例中,可以在中央散熱塊320a和半導體晶粒110的後表面110b之間使用黏合層(黏合劑層)或熱界面材料層。根據一個實施例,可以在環形蓋基座310和蓋板320中分別設置螺紋孔310t和320t。在一實施例中,環狀蓋基座310與蓋板320的材質例如可為不銹鋼、鋁、銅或其合金,但不以此為限。根據一實施例,環形蓋基座310和蓋板320可以由不同的材料製成。環形蓋基座310和蓋板320是分體的兩個部件,因此可以透過不同的製程形成,它們所採用的材質也可以不同,當然也可以相同。此外在將半導體封裝安裝到印刷電路板之後,蓋板320將會移除,因此蓋板320可以採用機械強度和散熱性能一般的材料以節省成本,而環形蓋基座310可以機械強度和散熱性能更好的材料以提高性能。
圖2是根據本發明的一個實施例示出在圖1中的有蓋半導體封裝1安裝到PCB上之後的示例性印刷電路板組件(PCBA)2的示意性橫截面圖,其中相同
的區域、層或元件由相同的數字編號或標籤指定。如圖2所示,可以使用傳統的表面安裝技術(SMT)將帶蓋半導體封裝1安裝到PCB 200上。諸如BGA球的焊球102接合到PCB 200上的對應的焊盤202。為了滿足精度要求,可以使用自動貼裝機將帶蓋半導體封裝1放置在PCB 200上。可以執行焊料回流製程以形成牢固結合到PCB 200和帶蓋半導體封裝1的均勻焊料結構。當將帶蓋半導體封裝1安裝到PCB 200上時,蓋子300確保良好的翹曲和SMT控制。
圖3是根據本發明實施例的將圖2中的蓋板320替換為強制冷卻模組之後的示例性PCBA 3的示意性橫截面圖,其中相同的區域、層或元件由相同的數字表示數字或標籤。如圖3所示,在將帶蓋半導體封裝1安裝到PCB 200上之後,可以移除蓋板320以透過中心開口310h暴露半導體晶粒110的後表面110b。強制冷卻模組500可以安裝在環形蓋基座310上和半導體晶粒110上。強制冷卻模組500可以透過使用例如螺栓、磁鐵、夾子(夾具)或黏合劑等緊固裝置530固定在環形蓋基座310上。
根據一個實施例,強制冷卻模組500與半導體晶粒110的後表面110b直接接觸,而在其間不使用任何熱界面材料,以加快冷卻和散熱速度,並且安裝與組裝更加方便快捷。強制冷卻模組500可以包括用於冷卻操作半導體晶粒110的裝置。例如,用於冷卻的裝置可以包括風扇或液體冷卻劑。根據一個實施例,強制冷卻模組500可以包括允許液體冷卻劑流過的通道(未示出)。根據一個實施例,強制冷卻模組500上可以設置進液口501和出液口502。進液口501和出液口502與通道連通,可以分別位於通道的遠端。可以提供帶有端部接頭或適配器的導管或管道(未示出)以與液體入口501或液體出口502連接,用於使冷卻劑流入或流出強制冷卻模組500。強制冷卻模組500還可以是例如風扇、氣體或液體冷卻裝置等。
請參考圖4及圖5,圖4為本發明另一實施例的帶蓋半導體封裝的剖面
示意圖。圖5是根據本發明另一實施例的將圖4中的蓋板320替換為強制冷卻模組之後的示例性PCBA 5的示意性橫截面圖,其中相同的區域、層或元件由相同的數字表示數字或標籤。
如圖4所示,同樣地,帶蓋半導體封裝4包括基板100,例如封裝基板或中介層基板,但不限於此。為簡單起見,未示出基板100中的走線或互連結構。根據一實施例,焊球102例如BGA球設置在基板100的底面100b上。
根據本發明的實施例,半導體晶粒110可以例如以倒裝晶片方式安裝在基板100的頂面100a上。半導體晶粒110具有向下面向基板100的有源表面110a。諸如導電凸塊、微凸塊、柱等的連接元件112可以設置在有源表面110a上。連接元件112接合到設置在基板100的頂面100a上的相應的焊盤104。
半導體晶粒110和基板100之間的間隙可以填充有底部填充層120,底部填充層120包括諸如環氧樹脂的絕緣材料,但不限於此。例如,可以在半導體晶粒110和基板100之間的間隙中沉積和固化熱膨脹係數接近連接元件112的熱膨脹係數的底部填充樹脂。
根據一個實施例,蓋子300透過黏合層301固定到基板100的頂面100a的周邊上。根據一個實施例,蓋子300可以包括不銹鋼、鋁、銅或它們的合金,但是不限於此。半導體晶粒110由蓋子300容納。蓋子300用作半導體晶粒110的物理保護以及封裝加強件以減輕組裝過程中的封裝翹曲。
根據一個實施例,同樣地,蓋子300包括環形蓋基座310和可拆卸地安裝在環形蓋基座310上的蓋板320。蓋板320可以透過緊固裝置330(例如螺栓、磁鐵或夾子)固定在環形蓋基座310上。環形蓋底310由與半導體晶粒110間隔開的垂直壁310a組成,但不包括向內突出超過垂直壁310a的水平內凸緣。
根據一個實施例,蓋板320包括中央散熱塊320a和與中央散熱塊320a一體形成的向外突出的凸緣320b。向外突出的凸緣320b與環形蓋基座310重疊。
根據一個實施例,螺紋孔310t和320t可分別設置在環形蓋基座310和蓋板320中。在一實施例中,環狀蓋基座310與蓋板320的材質例如可為不銹鋼、鋁、銅或其合金,但不以此為限。根據一實施例,環形蓋基座310和蓋板320可以由不同的材料製成。根據一個實施例,中央散熱塊320a與半導體晶粒110的後表面110b間隔開。腔(腔室、空腔、環形腔)410被限定在蓋子300和半導體晶粒110的後表面110b之間,腔(環形腔)410可以作為安裝的間隙,以防止在安裝蓋子300及強制冷卻模組500時磕碰或擠壓到半導體晶粒110,從而留出安裝餘量或裕度,腔410內可以是空氣。本實施例中蓋子300的蓋板320與半導體晶粒110的後表面110b之間沒有直接接觸,之間可以隔著空氣,或者可以在這之間加入其它加快散熱的材料。
如圖5所示,在將帶蓋的(帶蓋)半導體封裝4安裝到PCB 200上之後,可以移除蓋板320以暴露半導體晶粒110的後表面110b。強制冷卻模組500可以安裝在環形蓋基座310和半導體晶粒110上方。同樣地,強制冷卻模組500可以透過使用緊固裝置530(例如螺栓、磁鐵或夾具或夾子)固定到環形蓋基座310。
根據一個實施例,強制冷卻模組500不與半導體晶粒110的後表面110b直接接觸。強制冷卻模組500可以包括用於冷卻操作半導體晶粒110的裝置。例如,用於冷卻的裝置冷卻可以包括風扇或液體冷卻劑。根據一個實施例,強制冷卻模組500可以包括允許液體冷卻劑流過的通道(未示出)。根據一個實施例,強制冷卻模組500上可以設置進液口501和出液口502。進液口501和出液口502與通道連通,可以分別位於通道的遠端。
請參考圖6及圖7,圖6為本發明另一實施例的帶蓋半導體封裝的剖面示意圖。圖7是根據本發明的另一實施例示出在圖6中的蓋板320被替換為強制冷卻模組之後的示例性PCBA 7的示意性橫截面圖,其中相同的區域、層或元件由相同的數字表示數字或標籤。
如圖6所示,同樣地,有蓋半導體封裝6包括基板100,例如封裝基板或中介層基板,但不限於此。為簡單起見,未示出基板100中的走線或互連結構。根據一個實施例,焊球102例如BGA球設置在基板100的底面100b上。
根據本發明的實施例,半導體晶粒110可以例如以倒裝晶片方式安裝在基板100的頂面100a上。半導體晶粒110具有向下面向基板100的有源表面110a。諸如導電凸塊、微凸塊、柱等的連接元件112可以設置在有源表面110a上。連接元件112接合到設置在基板100的頂面100a上的相應的焊盤104。
半導體晶粒110和基板100之間的間隙可以填充有底部填充層120,底部填充層120包括諸如環氧樹脂的絕緣材料,但不限於此。例如,可以在半導體晶粒110和基板100之間的間隙中沉積和固化熱膨脹係數接近連接元件112的熱膨脹係數的底部填充樹脂。
根據一個實施例,蓋子300透過黏合層301固定到基板100的頂面100a的周邊上。根據一個實施例,蓋子300可以包括不銹鋼、鋁、銅或它們的合金,但是不限於此。半導體晶粒110由蓋子300容納。蓋子300用作半導體晶粒110的物理保護以及封裝加強件以減輕組裝過程中的封裝翹曲。
根據一個實施例,同樣地,蓋子300包括環形蓋基座310和可拆卸地安裝在環形蓋基座310上的蓋板320。蓋板320可以透過黏合層303固定在環形蓋基座310上。環形蓋基座310由與半導體晶粒110間隔開的垂直壁310a組成。
根據一個實施例,蓋板320包括中央散熱塊320a和與中央散熱塊320a一體形成的向外突出的凸緣(或外凸凸緣)320b。外凸凸緣320b與環狀蓋基座310重疊。外凸凸緣320b與環狀蓋基座310之間設置有黏合層303。根據一實施例,例如環狀蓋基座310與蓋板320可以由不銹鋼、鋁、銅或其合金製成,但不限於此。根據一實施例,環形蓋基座310和蓋板320可以由不同的材料製成。根據一個實施例,中央散熱塊320a與半導體晶粒110的後表面110b間隔開。腔(或
腔體、腔室)410限定在蓋子300和半導體晶粒110的後表面110b之間。腔(環形腔)410可以作為安裝的間隙,以防止在安裝蓋子300及強制冷卻模組500時磕碰或擠壓到半導體晶粒110,從而留出安裝餘量或裕度。
如圖7所示,在將帶蓋的半導體封裝6安裝到PCB 200上之後,可以移除蓋板320以暴露半導體晶粒110的後表面110b。強制冷卻模組500可以安裝在環形蓋基座310和半導體晶粒110上方。根據一個實施例,強制冷卻模組500可以透過使用黏合劑層540固定到環形蓋基座310。
根據一個實施例,強制冷卻模組500可以包括用於冷卻操作半導體晶粒110的裝置。例如,用於冷卻的裝置可以包括風扇或液體冷卻劑。根據一個實施例,強制冷卻模組500可以包括容納在腔室中的液體冷卻劑550,並且液體冷卻劑550與半導體晶粒110直接接觸,這樣可以進一步加快半導體晶粒110散熱,極大的提高散熱效率。根據一個實施例,液體入口501和液體出口502可以是設置在強制冷卻模組500上。液體入口501和液體出口502與腔室連通。
請參考圖8及圖9,圖8為本發明又一實施例的帶蓋半導體封裝的剖面示意圖。圖9為根據本發明另一實施例的將圖8中的蓋板320替換為強制冷卻模組之後的示例性PCBA 9的示意性橫截面圖,其中相同的區域、層或元件由相同的數字表示數字或標籤。
如圖8所示,帶蓋半導體封裝8包括基板100,例如封裝基板或中介層基板(interposer substrate),但不限於此。為簡單起見,未示出基板100中的走線或互連結構。應當理解,基板100可以包括用於將半導體晶粒110電連接到諸如PCB或系統板的外部電路系統的電路、跡線和/或互連結構。根據一實施例,焊球102例如BGA球設置在基板100的底面100b上。
根據本發明的實施例,半導體晶粒110可以例如以倒裝晶片方式安裝在基板100的頂面100a上。半導體晶粒110具有向下面向基板100的有源表面
110a。諸如導電凸塊、微凸塊、柱等的連接元件112可以設置在有源表面110a上。連接元件112接合到設置在基板100的頂面100a上的相應的焊盤104。
半導體晶粒110和基板100之間的間隙可以填充有底部填充層120,底部填充層120包括諸如環氧樹脂的絕緣材料,但不限於此。例如,可以在半導體晶粒110和基板100之間的間隙中沉積和固化熱膨脹係數接近連接元件112的熱膨脹係數的底部填充樹脂。
根據一個實施例,蓋子300透過黏合層301固定到基板100的頂面100a的周邊上。根據一個實施例,蓋子300可以包括不銹鋼、鋁、銅或它們的合金,但是不限於此。半導體晶粒110由蓋子300容納。蓋子300用作半導體晶粒110的物理保護以及封裝加強件以減輕組裝過程中的封裝翹曲。
根據一個實施例,蓋子300包括環形蓋子基座310和固定到環形蓋子基座310的蓋板320。環形蓋子基座310包括與半導體晶粒110間隔開的豎直壁310a和向內突出的水平內凸緣310b,水平內凸緣310b超出垂直壁310a並與半導體晶粒110的週邊部分110p重疊。根據一個實施例,水平內凸緣310b透過黏合劑層302黏附到半導體晶粒110的週邊部分110p從而密封環形腔400圍繞半導體晶粒110。根據一個實施例,水平內凸緣310b限定了暴露半導體晶粒110的後表面110b的中央開口310h,以便後續安裝強制冷卻模組500。
根據一個實施例,蓋板320包括中央散熱塊320a,其設置在中央開口310h內並且在不使用黏合劑層或熱界面材料的情況下與半導體晶粒110的後表面110b直接接觸。與中心散熱塊320a一體形成的向外突出的凸緣320b與環形蓋基座310重疊。根據一個實施例,蓋板320可以透過使用黏合劑層303黏附到環形蓋基座310。在一實施例中,環狀蓋基座310與蓋板320的材質例如可為不銹鋼、鋁、銅或其合金,但不以此為限。根據一實施例,環形蓋基座310和蓋板320可以由不同的材料製成。
如圖9所示,在將帶蓋的半導體封裝8安裝到PCB 200上之後,可以移除蓋板320以暴露半導體晶粒110的後表面110b。可以將強制冷卻模組500安裝在環形蓋基座310和半導體晶粒110上。根據一個實施例,強制冷卻模組500可以透過使用黏合劑層540固定到環形蓋基座310。
根據一個實施例,強制冷卻模組500可以包括用於冷卻操作半導體晶粒110的裝置。例如,用於冷卻的裝置可以包括風扇或液體冷卻劑。根據一個實施例,強制冷卻模組500可以包括流過通道的液體冷卻劑,或者液體冷卻劑可以與半導體晶粒110直接接觸。根據一個實施例,液體入口501和液體出口502可以是設置在強制冷卻模組500上。本實施例中不僅可以極大的提高半導體晶粒110的散熱效率,而且還可以通過環形蓋基座310加固半導體晶粒110的安裝穩定性,使半導體封裝和PCBA的運行更加穩定和高效。
請參考圖10與圖11,圖10是本發明又一實施例的帶蓋半導體封裝的剖面示意圖。圖11是根據本發明的另一實施例示出在圖10中的蓋板320被替換為強制冷卻模組之後的示例性PCBA 10的示意性橫截面圖,其中相同的區域、層或元件由相同的數字表示數字或標籤。
如圖10所示,帶蓋半導體封裝10包括基板100,例如封裝基板或中介層基板,但不限於此。為簡單起見,未示出基板100中的走線或互連結構。根據一實施例,焊球102例如BGA球設置在基板100的底面100b上。
根據本發明的實施例,半導體晶粒110可以例如以倒裝晶片方式安裝在基板100的頂面100a上。半導體晶粒110具有向下面向基板100的有源表面110a。諸如導電凸塊、微凸塊、柱等的連接元件112可以設置在有源表面110a上。連接元件112接合到設置在基板100的頂面100a上的相應的焊盤104。
半導體晶粒110和基板100之間的間隙可以填充有底部填充層120,底部填充層120包括諸如環氧樹脂的絕緣材料,但不限於此。例如,可以在半導體
晶粒110和基板100之間的間隙中沉積和固化熱膨脹係數接近連接元件112的熱膨脹係數的底部填充樹脂。
根據一個實施例,蓋子300透過黏合層301固定到基板100的頂面100a的周邊上。根據一個實施例,蓋子300可以包括不銹鋼、鋁、銅或它們的合金,但是不限於此。半導體晶粒110由蓋子300容納。蓋子300用作半導體晶粒110的物理保護以及封裝加強件以減輕組裝過程中的封裝翹曲。
根據一個實施例,同樣地,蓋子300包括環形蓋基座310和與環形蓋基座310可移除地接合的蓋板320。蓋板320可以透過環形蓋基座310的凹槽310g安裝。蓋基座(環形蓋基座)310由與半導體晶粒110間隔開的垂直壁310a組成。根據一個實施例,例如,環形蓋基座310和蓋板320可以由不銹鋼、鋁、銅或其合金製成,但是不限於此。根據一實施例,環形蓋基座310和蓋板320可以由不同的材料製成。根據一個實施例,蓋板320與半導體晶粒110的後表面110b間隔開。在蓋子300和半導體晶粒110之間限定空腔(或腔、腔體、腔室)410。
如圖11所示,在將帶蓋的半導體封裝10安裝到PCB 200上之後,可以移除蓋板320以暴露半導體晶粒110的後表面110b。可以在環形蓋上安裝強制冷卻模組500基座310和半導體晶粒110上。根據一個實施例,強制冷卻模組500可以透過凹槽310g與環形蓋基座310接合。凹槽310g的設置可以使強制冷卻模組500安裝後更加穩固,從而保證PCBA的結構穩定性。
根據一個實施例,強制冷卻模組500可以包括用於冷卻操作半導體晶粒110的裝置。例如,用於冷卻的裝置可以包括風扇或液體冷卻劑。根據一個實施例,強制冷卻模組500可以包括流過通道的液體冷卻劑,或者液體冷卻劑可以與半導體晶粒110直接接觸。根據一個實施例,液體入口501和液體出口502可以是設置在強制冷卻模組500上。
使用本發明是有利的,因為在將帶蓋半導體封裝組裝到PCB上時,
蓋子確保良好的翹曲控制,從而提高SMT製程的可靠性。在SMT製程後,可將蓋子的蓋板或部分蓋板更換為強制冷卻系統模組,以提高半導體晶粒和PCBA的熱性能。
儘管已經對本發明實施例及其優點進行了詳細說明,但應當理解的是,在不脫離本發明的精神以及申請專利範圍所定義的範圍內,可以對本發明進行各種改變、替換和變更。所描述的實施例在所有方面僅用於說明的目的而並非用於限制本發明。本發明的保護範圍當視所附的申請專利範圍所界定者為准。本領域技術人員皆在不脫離本發明之精神以及範圍內做些許更動與潤飾。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1:半導體封裝
100:基板
100a:頂面
100b:底面
102:焊球
104:焊盤
110:半導體晶粒
110a:主動表面
110b:後表面
110p:週邊部分
112:連接元件
300:蓋子
301,302:黏合層
310:環形蓋基座
310a:垂直壁
310t,320t:螺紋孔
310b:水平內凸緣
310h:中央開口
320:蓋板
320a:中央散熱塊
320b:凸緣
330:緊固裝置
400:腔
Claims (19)
- 一種半導體封裝,包括:基板,具有頂面和底面;半導體晶粒,安裝在該基板的該頂面上;以及蓋子,安裝在該基板的該頂面的周邊上並容納該半導體晶粒,其中該蓋子包括環形蓋基座和可拆卸地安裝在該環形蓋基座上的蓋板;其中該環形蓋基座包括與該半導體晶粒間隔開的豎直壁和向內突出超過該豎直壁的水平內凸緣,其中該水平內凸緣與該半導體晶粒的週邊部分重疊。
- 如請求項1之半導體封裝,其中,該半導體晶粒以倒裝晶片的方式安裝在該基板的該頂面上。
- 如請求項2之半導體封裝,其中該半導體晶粒具有向下面向該基板的有源表面和設置在該有源表面上的連接元件,其中該連接元件接合到設置在該基板的該頂面上的對應的焊盤。
- 如請求項2之半導體封裝,其中,該半導體晶粒與該基板之間的間隙填充有底部填充層。
- 如請求項1之半導體封裝,其中,該蓋子為金屬蓋。
- 如請求項1之半導體封裝,其中,該蓋板透過緊固裝置固定在該環形蓋基座上。
- 如請求項6之半導體封裝,其中該緊固裝置包括螺栓、磁體或夾具。
- 如請求項1之半導體封裝,其中該蓋板透過凹槽與該環形蓋基座接合。
- 如請求項1之半導體封裝,其中該水平內凸緣透過黏合層黏合到該半導體晶粒的週邊部分,從而氣密地密封該半導體晶粒周圍的環形腔。
- 如請求項1之半導體封裝,其中該水平內凸緣限定暴露該半導體晶粒的後表面的中央開口。
- 如請求項10之半導體封裝,其中該蓋板包括設置在該中央開口內並且與該半導體晶粒的後表面直接接觸的中央散熱塊。
- 如請求項11之半導體封裝,其中該蓋板還包括與該環形蓋基座重疊的向外突出的凸緣。
- 如請求項12之半導體封裝,其中該中央散熱塊比該向外突出的凸緣厚。
- 如請求項1之半導體封裝,其中,該環形蓋基座和蓋板由不銹鋼、鋁、銅或其合金製成。
- 如請求項1之半導體封裝,其中,該環形蓋基座與該蓋板的材質不同。
- 一種印刷電路板組件,包括:印刷電路板;安裝在該印刷電路板上的半導體封裝,該半導體封裝包括:具有頂面和底面的基板;安裝在該基板的該頂面上的半導體晶粒;安裝在該基板的該頂面的周邊上並圍繞該半導體晶粒的環形蓋基座;以及強制冷卻模組,安裝在該環形蓋基座和該半導體晶粒上;其中該強制冷卻模組與該半導體晶粒的後表面直接接觸。
- 如請求項16之印刷電路板組件,其中,該強制冷卻模組透過緊固裝置固定在該環形蓋基座上。
- 如請求項17之印刷電路板組件,其中該緊固裝置包括螺栓、磁鐵、夾子或黏合劑。
- 如請求項16的印刷電路板組件,其中該強制冷卻模組包括風 扇或液體冷卻劑。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063105377P | 2020-10-26 | 2020-10-26 | |
US63/105,377 | 2020-10-26 | ||
US202163177992P | 2021-04-22 | 2021-04-22 | |
US63/177,992 | 2021-04-22 | ||
US17/493,853 | 2021-10-05 | ||
US17/493,853 US12080614B2 (en) | 2020-10-26 | 2021-10-05 | Lidded semiconductor package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202218061A TW202218061A (zh) | 2022-05-01 |
TWI773566B true TWI773566B (zh) | 2022-08-01 |
Family
ID=78516488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110139317A TWI773566B (zh) | 2020-10-26 | 2021-10-22 | 半導體封裝和印刷電路板組件 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12080614B2 (zh) |
EP (1) | EP3993022A1 (zh) |
CN (1) | CN114496950A (zh) |
TW (1) | TWI773566B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20240038633A1 (en) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Embedded cooling systems and methods of manufacturing embedded cooling systems |
TW202407897A (zh) * | 2022-08-04 | 2024-02-16 | 創世電股份有限公司 | 半導體功率元件 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0260370A2 (en) * | 1986-09-17 | 1988-03-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor device comprising a housing with cooling means |
US20040084764A1 (en) * | 2002-09-16 | 2004-05-06 | Junichi Ishimine | Package structure, printed circuit board mounted with the same, electronic apparatus having the printed circuit board |
US20090283902A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Raschid Jose Bezama | Semiconductor Package Structures Having Liquid Coolers Integrated with First Level Chip Package Modules |
US20140284040A1 (en) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | International Business Machines Corporation | Heat spreading layer with high thermal conductivity |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04122054A (ja) | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH09139451A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-05-27 | Hitachi Ltd | 放熱フィン付半導体装置およびその実装方法ならびに取り外し方法 |
US6140141A (en) | 1998-12-23 | 2000-10-31 | Sun Microsystems, Inc. | Method for cooling backside optically probed integrated circuits |
JP2001044310A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその搭載方法 |
TW502422B (en) * | 2001-06-07 | 2002-09-11 | Ultra Tera Corp | Method for encapsulating thin flip-chip-type semiconductor device |
JP4034173B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2008-01-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置及びその半導体集積回路チップ |
US6724080B1 (en) | 2002-12-20 | 2004-04-20 | Altera Corporation | Heat sink with elevated heat spreader lid |
US7599626B2 (en) * | 2004-12-23 | 2009-10-06 | Waytronx, Inc. | Communication systems incorporating control meshes |
US7486516B2 (en) * | 2005-08-11 | 2009-02-03 | International Business Machines Corporation | Mounting a heat sink in thermal contact with an electronic component |
US8779582B2 (en) | 2010-10-20 | 2014-07-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Compliant heat spreader for flip chip packaging having thermally-conductive element with different metal material areas |
US10043730B2 (en) | 2015-09-28 | 2018-08-07 | Xilinx, Inc. | Stacked silicon package assembly having an enhanced lid |
-
2021
- 2021-10-05 US US17/493,853 patent/US12080614B2/en active Active
- 2021-10-18 EP EP21203120.7A patent/EP3993022A1/en active Pending
- 2021-10-20 CN CN202111222808.0A patent/CN114496950A/zh active Pending
- 2021-10-22 TW TW110139317A patent/TWI773566B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0260370A2 (en) * | 1986-09-17 | 1988-03-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor device comprising a housing with cooling means |
US20040084764A1 (en) * | 2002-09-16 | 2004-05-06 | Junichi Ishimine | Package structure, printed circuit board mounted with the same, electronic apparatus having the printed circuit board |
US20090283902A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Raschid Jose Bezama | Semiconductor Package Structures Having Liquid Coolers Integrated with First Level Chip Package Modules |
US20140284040A1 (en) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | International Business Machines Corporation | Heat spreading layer with high thermal conductivity |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220130734A1 (en) | 2022-04-28 |
CN114496950A (zh) | 2022-05-13 |
TW202218061A (zh) | 2022-05-01 |
US12080614B2 (en) | 2024-09-03 |
EP3993022A1 (en) | 2022-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6317326B1 (en) | Integrated circuit device package and heat dissipation device | |
EP1134804B1 (en) | Thermally enhanced semiconductor carrier | |
TWI613774B (zh) | 功率覆蓋結構及其製造方法 | |
US7808781B2 (en) | Apparatus and methods for high-performance liquid cooling of multiple chips with disparate cooling requirements | |
TWI773566B (zh) | 半導體封裝和印刷電路板組件 | |
US5926371A (en) | Heat transfer apparatus which accommodates elevational disparity across an upper surface of a surface-mounted semiconductor device | |
US8008133B2 (en) | Chip package with channel stiffener frame | |
US6821816B1 (en) | Relaxed tolerance flip chip assembly | |
CN110323143B (zh) | 包括多芯片模块的电子卡 | |
TW201501248A (zh) | 功率覆蓋結構及其製造方法 | |
US8304922B2 (en) | Semiconductor package system with thermal die bonding | |
US6069027A (en) | Fixture for lid-attachment for encapsulated packages | |
US12087664B2 (en) | Semiconductor package having liquid-cooling lid | |
US20230187383A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JPH02170494A (ja) | 電子回路パッケージ | |
TW202240813A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP4647673B2 (ja) | 放熱型多穿孔半導体パッケージ | |
JP2019114759A (ja) | 回路モジュール、回路モジュールの製造方法 | |
US20230060065A1 (en) | Lidded semiconductor package | |
US11658091B2 (en) | Methods of manufacturing semiconductor packaging device and heat dissipation structure | |
US20230015149A1 (en) | Semiconductor Package with Liquid Flow-Over Segmented Inset Lid |