TWI769233B - 固體攝像裝置及電子機器 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於使固體攝像裝置之性能進一步提高。 本發明提供一種固體攝像裝置，其係將第1基板、第2基板及第3基板依序積層而構成，上述第1基板具有：第1半導體基板，其形成有排列有像素之像素部；及第1多層配線層，其積層於上述第1半導體基板上；上述第2基板具有：第2半導體基板，其形成有具有特定功能之電路；及第2多層配線層，其積層於上述第2半導體基板上；上述第3基板具有：第3半導體基板，其形成有具有特定功能之電路；及第3多層配線層，其積層於上述第3半導體基板上；且上述第1基板與上述第2基板係以上述第1多層配線層與上述第2多層配線層對向之方式貼合，用以將上述第1基板、上述第2基板及上述第3基板中之任意兩者電性連接之第1連接構造包含通孔，上述通孔具有於一貫通孔及另一貫通孔中埋入有導電材料之構造、或於該等貫通孔之內壁成膜有導電材料之構造，該一貫通孔係以使上述第1多層配線層、上述第2多層配線層及上述第3多層配線層中之任一者中所含之第1配線露出之方式設置，該另一貫通孔係以使上述第1多層配線層、上述第2多層配線層及上述第3多層配線層中之除包含上述第1配線之多層配線層以外之任一者中所含之第2配線露出之方式設置。

Description

固體攝像裝置及電子機器
本發明係關於一種固體攝像裝置及電子機器。
作為固體攝像裝置，開發出具有將像素晶片及邏輯晶片等積層而成之構造者，該像素晶片係設置有像素部，該邏輯晶片係搭載有執行與固體攝像裝置之動作相關之各種信號處理之邏輯電路。例如，於專利文獻1中，揭示有一種3層積層型之固體攝像裝置，其積層有像素晶片、邏輯晶片、及搭載有保持在像素晶片之像素部中所獲取之像素信號之記憶電路的記憶體晶片。 再者，於本說明書中，於對固體攝像裝置之構造進行說明時，將形成有像素晶片、邏輯晶片或記憶體晶片之半導體基板與形成於該半導體基板上之多層配線層組合所得之構成亦稱為「基板」。而且，將該「基板」自積層構造之上側(觀察光入射之側)朝向下側依序分別稱為「第1基板」、「第2基板」、「第3基板」、・・・而予以區分。再者，積層型之固體攝像裝置係藉由將各基板以晶圓之狀態積層之後，切割為複數個積層型固體攝像裝置(積層型固體攝像裝置晶片)而製造。於本說明書中，為了方便起見，所謂「基板」亦可意指切割前之晶圓之狀態，且亦可意指切割後之晶片之狀態。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2014-99582號公報
[發明所欲解決之問題] 對於如專利文獻1中所記載之積層型之固體攝像裝置，作為配備於上下之基板之信號線間及電源線間之電性連接方法，構思出若干個方法。例如存在經由焊墊而於晶片之外部連接之方法、或藉由TSV(Through-Silicon Via，矽穿孔)而於晶片之內部連接之方法等。目前為止，關於配備於該基板之信號線間及電源線間之電性連接方法之變化，未必可以說進行了詳細之研究。藉由對該變化進行詳細研究，有可能會獲得關於用以獲得更高性能之固體攝像裝置之適當之構造的見解。 因此，於本發明中，提出一種可進一步提高性能之新穎且經改良之固體攝像裝置及電子機器。 [解決問題之技術手段] 根據本發明，提供一種固體攝像裝置，其係將第1基板、第2基板及第3基板依序積層而構成，上述第1基板具有：第1半導體基板，其形成有排列有像素之像素部；及第1多層配線層，其積層於上述第1半導體基板上；上述第2基板具有：第2半導體基板，其形成有具有特定功能之電路；及第2多層配線層，其積層於上述第2半導體基板上；上述第3基板具有：第3半導體基板，其形成有具有特定功能之電路；及第3多層配線層，其積層於上述第3半導體基板上；且上述第1基板與上述第2基板係以上述第1多層配線層與上述第2多層配線層對向之方式貼合，用以將上述第1基板、上述第2基板及上述第3基板中之任意兩者電性連接之第1連接構造包含通孔，上述通孔具有於一貫通孔及另一貫通孔中埋入有導電材料之構造、或於該等貫通孔之內壁成膜有導電材料之構造，該一貫通孔係以使上述第1多層配線層、上述第2多層配線層及上述第3多層配線層中之任一者中所含之第1配線露出之方式設置，該另一貫通孔係以使上述第1多層配線層、上述第2多層配線層及上述第3多層配線層中之除包含上述第1配線之多層配線層以外之任一者中所含之第2配線露出之方式設置。 又，根據本發明，提供一種電子機器，其具備對觀察對象進行電子攝影之固體攝像裝置，上述固體攝像裝置係將第1基板、第2基板及第3基板依序積層而構成，上述第1基板具有：第1半導體基板，其形成有排列有像素之像素部；及第1多層配線層，其積層於上述第1半導體基板上；上述第2基板具有：第2半導體基板，其形成有具有特定功能之電路；及第2多層配線層，其積層於上述第2半導體基板上；上述第3基板具有：第3半導體基板，其形成有具有特定功能之電路；及第3多層配線層，其積層於上述第3半導體基板上；且上述第1基板與上述第2基板係以上述第1多層配線層與上述第2多層配線層對向之方式貼合，用以將上述第1基板、上述第2基板及上述第3基板中之任意兩者電性連接之第1連接構造包含通孔，上述通孔具有於一貫通孔及另一貫通孔中埋入有導電材料之構造、或於該等貫通孔之內壁成膜有導電材料之構造，該一貫通孔係以使上述第1多層配線層、上述第2多層配線層及上述第3多層配線層中之任一者中所含之第1配線露出之方式設置，該另一貫通孔係以使上述第1多層配線層、上述第2多層配線層及上述第3多層配線層中之除包含上述第1配線之多層配線層以外之任一者中所含之第2配線露出之方式設置。 根據本發明，於將3個基板積層而構成之固體攝像裝置中，作為像素基板之第1基板與第2基板係以面對面(face to face)(關於詳細情況將於下文進行敍述)之方式貼合，並且設置有具有於一貫通孔及另一貫通孔埋入有導電材料之構造、或於該等貫通孔之內壁成膜有導電材料之構造之通孔(即下述雙接點型之2層間或3層間之通孔)，該一貫通孔係以使第1基板之第1多層配線層、第2基板之第2多層配線層及第3基板之第3多層配線層中之任一者中所包含之第1配線露出之方式設置，該另一貫通孔係以使該等第1多層配線層、第2多層配線層、及第3多層配線層中之除包含該第1配線之多層配線層以外的任一者中所包含之第2配線露出之方式設置。根據該構成，作為用以將配備於第2基板之信號線及電源線與配備於第3基板之信號線及電源線分別電性連接之第2連接構造、及/或用以將配備於第1基板之信號線及電源線與配備於第3基板之信號線及電源線分別電性連接之第3連接構造，進而設置各種連接構造，藉此，可實現關於連接構造之多種變化。由此，可實現如可進一步提高性能之優異之固體攝像裝置。 [發明之效果] 如以上所作說明般，根據本發明，可進一步提高固體攝像裝置之性能。再者，上述效果未必為限定性者，亦可與上述效果一起或取代上述效果，而發揮本說明書中所示之任一效果或根據本說明書可掌握之其他效果。
以下，一面參照隨附圖式，一面對本發明之較佳之實施形態進行詳細說明。再者，於本說明書及圖式中，對具有實質上相同之功能構成之構成要素，藉由附上相同之符號而省略重複說明。 又，於以下所示之各圖式中，為了進行說明，存在誇張地表現一部分構成構件之大小之情形。各圖式中所圖示之各構成構件之相對之大小未必準確地表現出實際之構成構件間之大小關係。 再者，說明係按以下之順序進行。 1.固體攝像裝置之整體構成 2.關於連接構造之配置 3.關於第2基板之方向 3-1.基於PWELL(P井)之面積的研究 3-2.基於消耗電力及GND(Ground，接地)配線之配置的研究 4.固體攝像裝置之構成之變化 4-1.第1構成例 4-2.第2構成例 4-3.第3構成例 4-4.第4構成例 4-5.第5構成例 4-6.第6構成例 4-7.第7構成例 4-8.第8構成例 4-9.第9構成例 4-10.第10構成例 4-11.第11構成例 4-12.第12構成例 4-13.第13構成例 4-14.第14構成例 4-15.第15構成例 4-16.第16構成例 4-17.第17構成例 4-18.第18構成例 4-19.第19構成例 4-20.第20構成例 4-21.總結 5.應用例 6.補充 (1.固體攝像裝置之整體構成) 圖1係表示本發明之一實施形態之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。如圖1所示，本實施形態之固體攝像裝置1係將第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C積層而構成之3層積層型之固體攝像裝置。圖中，虛線A-A表示第1基板110A與第2基板110B之貼合面，虛線B-B表示第2基板110B與第3基板110C之貼合面。第1基板110A係設置像素部之像素基板。於第2基板110B及第3基板110C，設置有用以進行與固體攝像裝置1之動作相關之各種信號處理之電路。第2基板110B及第3基板110C例如為設置有邏輯電路之邏輯基板或設置有記憶電路之記憶基板。固體攝像裝置1係將自第1基板110A之下述背面側入射之光於像素部進行光電轉換之背面照射型之CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)影像感測器。再者，以下，於關於圖1之說明中，作為一例，對第2基板110B為邏輯基板且第3基板110C為記憶基板之情形進行說明。 於積層型之固體攝像裝置1中，能以對應於各基板之功能之方式更適當地構成各電路，故而可更容易地實現固體攝像裝置1之高功能化。若為圖示之構成例，則能以對應於各基板之功能之方式適當地構成第1基板110A中之像素部、以及第2基板110B及第3基板110C中之邏輯電路或記憶電路，故而可實現高功能之固體攝像裝置1。 再者，以下，將第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C之積層方向亦稱為z軸方向。又，將於z軸方向上第1基板110A所位於之方向定義為z軸之正方向。又，將於與z軸方向垂直之面(水平面)上相互正交之2方向分別亦稱為x軸方向及y軸方向。又，以下，於各基板中，將下述半導體基板101、121、131於基板主面方向上對向地具備之2個面中之設置有電晶體等功能零件之側之面、或設置有用以使該功能零件動作之下述多層配線層105、125、135之側之面亦稱為正面(前側表面)，將與該正面對向之另一側之面亦稱為背面(後側表面)。而且，於各基板中，將具備該正面之側亦稱為正面側(前側)，將具備該背面之側亦稱為背面側(後側)。 第1基板110A主要具有例如含有矽(Si)之半導體基板101、及形成於該半導體基板101上之多層配線層105。於半導體基板101上，主要形成有像素呈二維狀排列而成之像素部、及對像素信號進行處理之像素信號處理電路。各像素主要包含：光電二極體(PD)，其接收來自觀察對象之光(觀察光)並進行光電轉換；及驅動電路，其具有用以讀出藉由該PD而獲取之與觀察光對應之電信號(像素信號)之電晶體等。於像素信號處理電路中，對像素信號執行例如類比-數位轉換(AD轉換)等各種信號處理。再者，於本實施形態中，像素部並不限定於使像素呈二維狀排列而構成者，亦可使像素呈三維狀排列而構成。又，於本實施形態中，亦可取代半導體基板101而使用由除半導體以外之材料形成之基板。例如，亦可取代半導體基板101而使用藍寶石基板。於此情形時，亦可應用在該藍寶石基板之上堆積進行光電轉換之膜(例如有機光電轉換膜)而形成像素之形態。 於形成有像素部及像素信號處理電路之半導體基板101之正面積層有絕緣膜103。於絕緣膜103之內部，形成有包含信號線配線之多層配線層105，該信號線配線係用以傳遞像素信號、及用以將驅動電路之電晶體驅動之驅動信號等各種信號。多層配線層105中進而包含電源配線或接地配線(GND配線)等。再者，以下，為了簡化說明，有時將信號線配線簡單地記載為信號線。又，有時將電源配線及GND配線一併記載為電源線。多層配線層105之最下層之配線可藉由埋入有例如鎢(W)等導電材料之接點107而與像素部或像素信號處理電路電性連接。再者，實際上，藉由重複特定厚度之層間絕緣膜之形成及配線層之形成，可形成複數層配線層，但於圖1中，為了簡化說明，將該等複數層層間絕緣膜統稱為絕緣膜103，將複數層配線層統稱為多層配線層105。 再者，於多層配線層105，可形成有焊墊151，該焊墊151係作為用以於與外部之間進行各種信號之交換之外部輸入輸出部(I/O(input-output)部)而發揮功能。焊墊151可沿著晶片之外周設置。 第2基板110B例如為邏輯基板。第2基板110B主要具有例如含有Si之半導體基板121、及形成於該半導體基板121上之多層配線層125。於半導體基板121上形成有邏輯電路。於該邏輯電路中，執行與固體攝像裝置1之動作相關之各種信號處理。例如，於該邏輯電路中，可對用以驅動第1基板110A之像素部之驅動信號之控制(即像素部之驅動控制)、或與外部之信號之交換進行控制。再者，於本實施形態中，亦可取代半導體基板121而使用由除半導體以外之材料形成之基板。例如，亦可取代半導體基板121而使用藍寶石基板。於此情形時，亦可應用在該藍寶石基板之上堆積有半導體膜(例如Si膜)且於該半導體膜中形成有邏輯電路之形態。 於形成有邏輯電路之半導體基板121之正面，積層有絕緣膜123。於絕緣膜123之內部，形成有用以傳遞與邏輯電路之動作相關之各種信號之多層配線層125。於多層配線層125，進而包含電源配線或GND配線等。多層配線層125之最下層之配線可藉由埋入有例如W等導電材料之接點127而與邏輯電路電性連接。再者，與第1基板110A之絕緣膜103及多層配線層105同樣地，關於第2基板110B，絕緣膜123亦可為複數層層間絕緣膜之統稱，多層配線層125亦可為複數層配線層之統稱。 第3基板110C例如為記憶基板。第3基板110C主要具有例如含有Si之半導體基板131、及形成於該半導體基板131上之多層配線層135。於半導體基板131上形成有記憶電路。於該記憶電路中，暫時保持有利用第1基板110A之像素部所獲取且由像素信號處理電路進行了AD轉換之像素信號。藉由於記憶電路暫時保持像素信號，可實現全域快門方式，並且可更高速地進行自固體攝像裝置1向外部之該像素信號之讀出。因此，於高速攝影時，亦可拍攝失真被抑制之更高品質之圖像。再者，於本實施形態中，亦可取代半導體基板131而使用由除半導體以外之材料形成之基板。例如，亦可取代半導體基板131而使用藍寶石基板。於此情形時，亦可應用在該藍寶石基板之上堆積有用以形成記憶元件之膜(例如相變材料膜)，且使用該膜而形成有記憶電路之形態。 於在形成有記憶電路之半導體基板131之正面，積層有絕緣膜133。於絕緣膜133之內部，形成有用以傳遞與記憶電路之動作相關之各種信號之多層配線層135。於多層配線層135，進而包含電源配線或GND配線等。多層配線層135之最下層之配線可藉由埋入有例如W等導電材料之接點137而與記憶電路電性連接。再者，與第1基板110A之絕緣膜103及多層配線層105同樣地，關於第3基板110C，絕緣膜133亦可為複數層層間絕緣膜之統稱，多層配線層135亦可為複數層配線層之統稱。 再者，於多層配線層135，可形成有焊墊151，該焊墊151係作為用以於與外部之間進行各種信號之交換之I/O部而發揮功能。焊墊151可沿著晶片之外周設置。 第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C係分別以晶圓之狀態製作。其後，將該等基板貼合，進行用以獲得配備於各基板之信號線彼此及電源線彼此之電性連接之各步驟。 具體而言，首先，以為晶圓狀態之第1基板110A之半導體基板101之正面(設置有多層配線層105之側之面)與為晶圓狀態之第2基板110B之半導體基板121之正面(設置有多層配線層125之側之面)對向之方式，將該第1基板110A與該第2基板110B貼合。以下，將此種使2個基板之半導體基板之正面彼此對向並貼合之狀態亦稱為面對面(FtoF，Face to Face)。 其次，以為晶圓狀態之第2基板110B之半導體基板121之背面(與設置有多層配線層125之側為相反側之面)與為晶圓狀態之第3基板110C之半導體基板131之正面(設置有多層配線層135之側之面)對向之方式，對第1基板110A及第2基板110B之積層構造體進而貼合該第3基板110C。再者，此時，關於第2基板110B，於貼合步驟之前，使半導體基板121厚度變薄，且於其背面側形成特定厚度之絕緣膜129。以下，將此種使2個基板之半導體基板之正面與背面對向並貼合之狀態亦稱為面對背(FtoB，Face to Back)。 其次，使第1基板110A之半導體基板101厚度變薄，且於其背面上形成絕緣膜109。繼而，為了將第1基板110A內之信號線及電源線與第2基板110B內之信號線及電源線分別電性連接，而形成TSV157。再者，於本說明書中，為了簡化說明，有時將使一基板內之配線與另一基板內之配線電性連接簡單地略記為使一基板與另一基板電性連接。此時，於表現為使基板彼此電性連接時，實際電性連接之配線既可為信號線，亦可為電源線。又，於本說明書中，所謂TSV意指自第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任一基板之一面貫通半導體基板101、121、131中之至少1個半導體基板而設置之通孔。於本實施形態中，如上所述，亦可取代半導體基板101、121、131而使用包含除半導體以外之材料之基板，於本說明書中，為了方便起見，將貫通此種包含除半導體以外之材料之基板而設置之通孔亦稱為TSV。 TSV157係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A之信號線及電源線與配備於該第2基板110B之信號線及電源線分別電性連接。具體而言，TSV157係藉由形成第1貫通孔及第2貫通孔，且於該等第1及第2貫通孔埋入導電材料而形成，該第1貫通孔係使第1基板110A之多層配線層105內之特定配線自第1基板110A之背面側露出，該第2貫通孔係使第2基板110B之多層配線層125內之特定配線露出且與該第1貫通孔不同。藉由TSV157而將該第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與該第2基板110B之多層配線層125內之特定配線電性連接。再者，如此藉由互不相同之2個貫通孔(至少貫通一半導體基板之開口部)將複數個基板之配線間電性連接之TSV亦被稱為雙接點。 於圖1所示之構成例中，TSV157係藉由對貫通孔埋入構成下述多層配線層105、125、135之第1金屬(例如銅(Cu))而形成。但，構成TSV157之導電材料亦可與第1金屬不同，作為該導電材料，可使用任意之材料。 形成TSV157後，其次，於第1基板110A之半導體基板101之背面側，介隔絕緣膜109而形成彩色濾光片層111(CF層111)及微透鏡陣列113(ML陣列113)。 CF層111係使複數個CF呈二維狀排列而構成。ML陣列113係使複數個ML呈二維狀排列而構成。CF層111及ML陣列113係形成於像素部之正上方，針對1個像素之PD配設1個CF及1個ML。 CF層111之各CF具有例如紅色、綠色及藍色之任一種顏色。通過CF之觀察光入射至像素之PD，而獲取像素信號，藉此，對觀察對象，可獲取該彩色濾光片之顏色之成分之像素信號(即，可實現彩色之攝像)。實際上，與1個CF對應之1個像素作為副像素而發揮功能，可藉由複數個副像素而形成1個像素。例如，於固體攝像裝置1中，可藉由設置有紅色之CF之像素(即，紅色之像素)、設置有綠色之CF之像素(即，綠色之像素)、設置有藍色之CF之像素(即，藍色之像素)、及未設置有CF之像素(即，白色之像素)之4種顏色之副像素而形成1個像素。但，於本說明書中，為進行說明，為了方便起見，不區分副像素與像素，而將與1個副像素對應之構成亦簡稱為像素。再者，CF之排列方法並無特別限定，例如可為三角形排列、條紋排列、對角排列或矩形排列等各種排列。 ML陣列113係以各ML位於各CF之正上方之方式形成。藉由設置ML陣列113，利用ML而聚光之觀察光會經由CF入射至像素之PD，故而可獲得使觀察光之聚光效率提高，且使作為固體攝像裝置1之感度提高之效果。 形成CF層111及ML陣列113後，其次，為了使設置於第1基板110A之多層配線層105及第3基板110C之多層配線層135之焊墊151露出，而形成焊墊開口部153a、153b。焊墊開口部153a係以自第1基板110A之背面側到達設置於第1基板110A之多層配線層105之焊墊151之金屬面為止之方式形成。焊墊開口部153b係以自第1基板110A之背面側貫通第1基板110A及第2基板110B，且到達設置於第3基板110C之多層配線層135之焊墊151之金屬面為止之方式形成。經由焊墊開口部153a、153b，藉由例如打線接合而將焊墊151與外部之其他電路電性連接。即，可經由該外部之其他電路使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 再者，於本說明書中，於如圖1所示般在圖中存在複數個焊墊開口部153之情形時，為了方便起見，對焊墊開口部153a、焊墊開口部153b、・・・之符號之末尾分別附上不同之字母，藉此，將該等複數個焊墊開口部153加以區分。 繼而，藉由將以晶圓狀態積層並加工而得之積層晶圓構造體切割成各固體攝像裝置1之每一者，而完成固體攝像裝置1。 以上，對固體攝像裝置1之概略構成進行了說明。如以上所作說明般，於固體攝像裝置1中，藉由TSV157使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，且經由配備於固體攝像裝置1之外部之配線等電性連接器件將藉由焊墊開口部153a、153b而露出之焊墊151彼此連接，藉此，可將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。即，可經由TSV157、焊墊151及焊墊開口部153a、153b使配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。再者，於本說明書中，將圖1所示之TSV157、焊墊151及焊墊開口部153a、153b般之可將配備於基板之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之構造亦統稱為連接構造。雖然於圖1所示之構成中未使用，但下述電極接合構造159(存在於基板彼此之貼合面，且分別形成於該貼合面之電極彼此以直接接觸之狀態接合之構造)亦包含於連接構造。 再者，第1基板110A之多層配線層105、第2基板110B之多層配線層125及第3基板110C之多層配線層135可將由電阻相對較低之第1金屬形成之複數個第1金屬配線層141積層而構成。第1金屬例如為銅(Cu)。藉由使用Cu配線，可實現更高速之信號之交換。但，關於焊墊151，考慮與打線接合之導線之接著性等，可由與第1金屬不同之第2金屬形成。因此，於圖示之構成例中，於設置有焊墊151之第1基板110A之多層配線層105及第3基板110C之多層配線層135，與該焊墊151同層地包含由第2金屬形成之第2金屬配線層143。第2金屬例如為鋁(Al)。Al配線除被用作焊墊151以外，例如亦可被用作通常形成為寬幅之配線之電源配線或GND配線。 又，第1金屬及第2金屬並不限定於上文所例示之Cu及Al。作為第1金屬及第2金屬，可使用各種金屬。或者，多層配線層105、125、135之各配線層亦可由除金屬以外之導電材料形成。該等配線層只要由導電材料形成便可，其材料並無限定。又，亦可並非使用2種導電材料，而藉由相同之導電材料形成包含焊墊151之多層配線層105、125、135之全部。 又，於本實施形態中，TSV157、以及構成下述電極接合構造159之電極及通孔亦由第1金屬(例如Cu)形成。例如，於第1金屬為Cu之情形時，該等構造可藉由金屬鑲嵌法或雙道金屬鑲嵌法而形成。但，本實施形態並不限定於該例，該等構造中之一部分或全部亦可由第2金屬、與第1金屬及第2金屬之任一者均不同之其他金屬、或其他非金屬之導電材料形成。例如，TSV157及構成電極接合構造159之通孔亦可藉由於開口部埋入W等埋入性良好之金屬材料而形成。於通孔直徑相對較小之情形時，考慮埋入性，可較佳地應用該使用有W之構造。又，TSV157亦可未必於貫通孔埋入導電材料而形成，亦可藉由於貫通孔之內壁(側壁及底部)成膜導電材料而形成。 又，於圖1及以後之各圖式中存在省略圖示之情形，於固體攝像裝置1中，關於以第1金屬及第2金屬等導電材料與半導體基板101、121、131接觸之方式圖示之部位，存在用以使該兩者電性絕緣之絕緣材料。該絕緣材料例如可為矽氧化物(SiO2 )、或矽氮化物(SiN)等各種公知之材料。該絕緣材料既可介於導電材料與半導體基板101、121、131之間，亦可存在於遠離兩者之接觸部位之半導體基板101、121、131之內部。例如，關於TSV157，於設置在半導體基板101、121、131之貫通孔之內側壁與埋入至該貫通孔之導電材料之間，可存在絕緣材料(即，可於該貫通孔之內側壁成膜有絕緣材料)。或者，關於TSV157，亦可為於自設置在半導體基板101、121、131之貫通孔在水平面內方向上離開特定距離之部位，且該半導體基板101、121、131之內部之部位存在絕緣材料。又，於圖1及以後之各圖式中存在省略圖示之情形，於第1金屬為Cu之情形時，關於Cu與半導體基板101、121、131或絕緣膜103、109、123、129、133接觸之部位，為了防止Cu之擴散而存在位障金屬。作為該位障金屬，可使用例如鈦氮化物(TiN)或鉭氮化物(TaN)等各種公知之材料。 又，形成於各基板之半導體基板101、121、131之各構成(設置於第1基板110A之像素部及像素信號處理電路、設置於第2基板110B之邏輯電路及設置於第3基板110C之記憶電路)、多層配線層105、125、135、以及絕緣膜103、109、123、129、133之具體構成或形成方法可與各種公知者相同，故而此處省略詳細之說明。 例如，絕緣膜103、109、123、129、133只要由具有絕緣性之材料形成便可，其材料並無限定。絕緣膜103、109、123、129、133例如可由SiO2 或SiN等形成。又，絕緣膜103、109、123、129、133之各者亦可並非由1種絕緣材料形成，亦可將複數種絕緣材料積層而形成。又，例如，關於在絕緣膜103、123、133中形成有要求更高速之信號之傳遞之配線的區域，亦可使用具有絕緣性之Low-k(low-kay，低介電常數)材料。藉由使用Low-k材料，可使配線間之寄生電容變小，故而可更有助於信號之高速傳輸。 除此以外，關於形成於各基板之半導體基板101、121、131之各構成、多層配線層105、125、135、及絕緣膜103、109、123、129、133之具體構成或形成方法，例如可適當應用本案申請人之先前申請即專利文獻1中所記載者。 又，於以上所說明之構成例中，於第1基板110A搭載有對像素信號進行AD轉換等信號處理之像素信號處理電路，但本實施形態並不限定於該例。該像素信號處理電路之功能中之一部分或全部亦可設置於第2基板110B。於此情形時，例如可實現所謂之逐個像素類比-數位變換(像素ADC(Analog to Digital Converter))方式之固體攝像裝置1，其係於將複數個像素以朝向行(column)方向及列(row)方向之兩者排列之方式呈陣列狀配置之像素陣列中，將利用配備於各像素之PD所獲取之像素信號針對每一像素傳輸至第2基板110B之像素信號處理電路，並針對每一像素進行AD轉換。藉此，與針對像素陣列之每一行具備1個AD轉換電路並逐次進行行中所包含之複數個像素之AD轉換之通常之逐行類比-數位變換(行ADC)方式的固體攝像裝置1相比，可更高速地進行像素信號之AD轉換及讀出。再者，於可執行像素ADC地構成固體攝像裝置1之情形時，會針對每一像素設置將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此電性連接之連接構造。 又，於以上所說明之構成例中，對第2基板110B為邏輯基板且第3基板110C為記憶基板之情形進行了說明，但本實施形態並不限定於該例。第2基板110B及第3基板110C只要為具有除像素基板以外之功能之基板便可，其功能可任意地決定。例如，固體攝像裝置1亦可不具有記憶電路。於此情形時，例如，第2基板110B及第3基板110C任一者均可作為邏輯基板而發揮功能。或者，亦可為邏輯電路及記憶電路分散地形成於第2基板110B及第3基板110C，且該等基板協動而發揮作為邏輯基板及記憶基板之功能。或者，亦可為第2基板110B係記憶基板，第3基板110C係邏輯基板。 又，於以上所說明之構成例中，於各基板中，使用Si基板作為半導體基板101、121、131，但本實施形態並不限定於該例。作為半導體基板101、121、131，例如亦可使用砷化鎵(GaAs)基板或碳化矽(SiC)基板等其他種類之半導體基板。或者，亦可如上所述，取代半導體基板101、121、131而使用例如藍寶石基板等由除半導體以外之材料形成之基板。 (2.關於連接構造之配置) 如參照圖1所作說明般，於固體攝像裝置1中，可經由連接構造而使配備於各基板之信號線及/或電源線遍及複數個基板相互電性連接。該等連接構造之水平面內之配置係考慮各基板(各晶片)之構成、性能等，以可提高固體攝像裝置1整體之性能之方式適當決定。此處，對固體攝像裝置1中之連接構造之水平面內之配置的若干個變化進行說明。 圖2A及圖2B係用以對固體攝像裝置1中之連接構造之水平面內之配置的一例進行說明之圖。圖2A及圖2B係例如表示於固體攝像裝置1中，於第1基板110A搭載有對像素信號進行AD轉換等處理之像素信號處理電路之情形時之連接構造之配置。 於圖2A中，概略性地表示構成固體攝像裝置1之第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C。而且，利用虛線模擬地表示經由第1基板110A之下表面(與第2基板110B對向之面)與第2基板110B之上表面(與第1基板110A對向之面)之連接構造之電性連接，利用實線模擬地表示經由第2基板110B之下表面(與第3基板110C對向之面)與第3基板110C之上表面(與第2基板110B對向之面)之連接構造之電性連接。 於第1基板110A之上表面，示出像素部206及連接構造201之位置。連接構造201係作為用以將電源信號及GND信號等各種信號與外部進行交換之I/O部而發揮功能。具體而言，連接構造201可為設置於第1基板110A之上表面之焊墊151。或者，如圖1所示，於在第1基板110A之多層配線層105、第2基板110B之多層配線層125、或第3基板110C之多層配線層135內設置有焊墊151之情形時，連接構造201可為以使該焊墊151露出之方式設置之焊墊開口部153。或者，連接構造201可為下述引出線開口部155。如圖2A所示，於第1基板110A中，於其晶片之中央設置有像素部206，且構成I/O部之連接構造201係配置於該像素部206之周圍(即，沿著晶片之外周)配置。又，雖未圖示，但像素信號處理電路亦可配置於該像素部206之周圍。 於圖2B中，概略性地表示第1基板110A之下表面之連接構造202之位置、第2基板110B之上表面之連接構造203之位置、第2基板110B之下表面之連接構造204之位置、及第3基板110C之上表面之連接構造205之位置。該等連接構造202～205可為設置於基板間之TSV157或下述電極接合構造159。或者，如圖1所示，於在第2基板110B之多層配線層125、或第3基板110C之多層配線層135內設置有焊墊151之情形時，連接構造202～205中之位於連接構造201之正下方者可為以使該焊墊151露出之方式設置之焊墊開口部153。或者，該連接構造202～205可為下述引出線開口部155。再者，於圖2B中，與圖2A所示之表現電性連接之直線之形態一致地表示出連接構造202～205。即，關於第1基板110A之下表面之連接構造202、及第2基板110B之上表面之連接構造203係利用虛線表示，且關於第2基板110B之下表面之連接構造204、及第3基板110C之上表面之連接構造205係利用實線表示。 如上所述，於圖示之構成例中，像素信號處理電路係搭載於第1基板110A之像素部206之周圍。因此，於第1基板110A中，利用像素部206所獲取之像素信號係於在該像素信號處理電路中進行AD轉換等處理之後，被傳輸至配備於第2基板110B之電路。又，如上所述，於第1基板110A中，構成I/O部之連接構造201亦配置於第1基板110A之像素部206之周圍。由此，如圖2B所示，第1基板110A之下表面之連接構造202係為了將像素信號處理電路及I/O部與配備於第2基板110B之電路電性連接，而對應於存在該像素信號處理電路及該I/O部之區域，沿著晶片之外周配置。又，與此對應地，第2基板110B之上表面之連接構造203亦沿著晶片之外周配置。 另一方面，搭載於第2基板110B及第3基板110C之邏輯電路或記憶電路可形成於晶片之整個面，故而對應於搭載有該電路之位置，如圖2B所示，第2基板110B之下表面之連接構造204、及第3基板110C之上表面之連接構造205係遍及晶片之整個面而配置。 圖2C及圖2D係用以對固體攝像裝置1中之連接構造之水平面內之配置之另一例進行說明的圖。圖2C及圖2D係例如表示固體攝像裝置1構成為可執行像素ADC之情形時之連接構造之配置。於此情形時，像素信號處理電路係搭載於第2基板110B，而非第1基板110A。 於圖2C中，與圖2A同樣地概略性地表示構成固體攝像裝置1之第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C。而且，利用虛線或點線模擬地表示經由第1基板110A之下表面(與第2基板110B對向之面)與第2基板110B之上表面(與第1基板110A對向之面)之連接構造之電性連接，利用實線模擬地表示經由第2基板110B之下表面(與第3基板110C對向之面)與第3基板110C之上表面(與第2基板110B對向之面)之連接構造之電性連接。表示第1基板110A之下表面與第2基板110B之上表面之電性連接之線中之虛線係表示於圖2A中亦存在之例如與I/O部相關之電性連接，點線係表示於圖2A中不存在之與像素ADC相關之電性連接。 於圖2D中，與圖2B同樣地概略性地表示第1基板110A之下表面之連接構造202之位置、第2基板110B之上表面之連接構造203之位置、第2基板110B之下表面之連接構造204之位置、及第3基板110C之上表面之連接構造205之位置。再者，於圖2D中，與圖2C所示之表現電性連接之直線之形態一致地示出連接構造202～205。即，關於第1基板110A之下表面之連接構造202及第2基板110B之上表面之連接構造203中之對應於在圖2A中亦存在之例如與I/O部相關之電性連接者係利用虛線表示，關於可對應於與像素ADC相關之電性連接者係利用點線表示。又，關於第2基板110B之下表面之連接構造204、及第3基板110C之上表面之連接構造205係利用實線表示。 如上所述，於圖示之構成例中，像素信號處理電路係搭載於第2基板110B，且構成為可實現像素ADC。即，利用像素部206之各像素所獲取之像素信號係針對每一像素被傳輸至搭載於正下方之第2基板110B之像素信號處理電路，於該像素信號處理電路中進行AD轉換等處理。因此，如圖2C及圖2D所示，於該構成例中，第1基板110A之下表面之連接構造202係為了將來自I/O部之信號傳輸至配備於第2基板110B之電路，而對應於存在該I/O部之區域，沿著晶片之外周配置(圖中虛線所示之連接構造202)，並且為了將來自像素部206之各像素之像素信號傳輸至配備於第2基板110B之電路，而遍及存在該像素部206之區域之整體配置(圖中點線所示之連接構造202)。 關於配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此之電性連接，與圖2A及圖2B所示之構成例相同，故而如圖2C及圖2D所示，第2基板110B之下表面之連接構造204、及第3基板110C之上表面之連接構造205係遍及晶片之整個面而配置。 圖2E及圖2F係用以對固體攝像裝置1中之連接構造之水平面內之配置之又一例進行說明的圖。圖2E及圖2F係例如表示於第2基板110B搭載有記憶電路之情形時之連接構造之配置。 於圖2E中，與圖2A同樣地，概略性地表示構成固體攝像裝置1之第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C。而且，利用虛線或點線模擬地表示經由第1基板110A之下表面(與第2基板110B對向之面)與第2基板110B之上表面(與第1基板110A對向之面)之連接構造之電性連接，利用實線或點線模擬地表示經由第2基板110B之下表面(與第3基板110C對向之面)與第3基板110C之上表面(與第2基板110B對向之面)之連接構造之電性連接。表示第1基板110A之下表面與第2基板110B之上表面之電性連接之線中之虛線係表示於圖2A中亦存在之例如與I/O部相關之電性連接，點線係表示於圖2A中不存在之與記憶電路相關之電性連接。又，表示第2基板110B之下表面與第3基板110C之上表面之電性連接之線中之實線係表示於圖2A中亦存在之例如和與記憶電路之動作未直接關聯之信號相關之電性連接，點線係表示於圖2A中不存在之與記憶電路相關之電性連接。 於圖2F中，與圖2B同樣地，概略性地表示第1基板110A之下表面之連接構造202之位置、第2基板110B之上表面之連接構造203之位置、第2基板110B之下表面之連接構造204之位置、及第3基板110C之上表面之連接構造205之位置。再者，於圖2F中，與圖2E所示之表現電性連接之直線之形態一致地表示出連接構造202～205。即，關於第1基板110A之下表面之連接構造202及第2基板110B之上表面之連接構造203中之對應於在圖2A中亦存在之例如與I/O部相關之電性連接者係利用虛線表示，關於可對應於與記憶電路相關之電性連接者係利用點線表示。又，關於第2基板110B之下表面之連接構造204及第3基板110C之上表面之連接構造205中之對應於在圖2A中亦存在之例如和與記憶電路之動作未直接關聯之信號相關之電性連接係利用實線表示，關於可對應於與記憶電路相關之電性連接者係利用點線表示。 如上所述，於圖示之構成例中，記憶電路係搭載於第2基板110B。於此情形時，像素信號處理電路係搭載於第1基板110A，於第1基板110A中利用像素部206獲取且由該像素信號處理電路進行AD轉換而得之像素信號可被傳輸至第2基板110B之記憶電路並予以保持。而且，為了將第2基板110B之記憶電路中所保持之像素信號例如讀出至外部，而於第2基板110B之記憶電路與第3基板110C之邏輯電路之間進行信號之傳輸。 因此，於該構成例中，作為第1基板110A之下表面之連接構造202，為了將來自I/O部及像素信號處理電路之信號傳輸至第2基板110B，會配置對應於搭載有該I/O部及像素信號處理電路之區域沿著晶片之外周配置者(圖中虛線所示之連接構造202)、及用以將經AD轉換之像素信號傳輸至第2基板110B之記憶電路者(圖中點線所示之連接構造202)。此時，為了使延遲時間一致，較理想的是自第1基板110A之電路至第2基板110B之記憶電路之像素信號之傳輸路徑的配線長、及第2基板110B之記憶電路與第3基板110C之邏輯電路之間之信號之傳輸路徑的配線長分別儘可能均等。因此，例如，如圖2F所示，用以於第1基板110A之電路2與第2基板110B之記憶電路之間、及第2基板110B之記憶電路與第3基板110C之電路之間交換信號之連接構造202～205可集中地設置於水平面內之中央附近。但，只要可使配線長大致均勻，則連接構造202～205亦可未必如圖示之例般設置於水平面內之中央附近。 以上，對固體攝像裝置1中之連接構造之水平面內之配置之若干個示例進行了說明。再者，本實施形態並不限定於以上所說明之例。於固體攝像裝置1中搭載於各基板之構成可適當決定，根據其構成，固體攝像裝置1中之連接構造之水平面內之配置亦可適當決定。作為搭載於各基板之構成、及與此相應之連接構造之水平面內之配置，可應用各種公知者。又，於圖2A～圖2F所示之例中，構成I/O部之連接構造201係以沿著晶片之外周之3邊之方式配置，但本實施形態並不限定於該例。關於I/O部之配置，可應用各種公知者。例如，構成I/O部之連接構造201亦可以沿著晶片之外周之1邊、2邊或4邊之方式配置。 (3.關於第2基板之方向) 於圖1所示之構成例中，於固體攝像裝置1中，第1基板110A與第2基板110B以FtoF之方式貼合(即，第2基板110B之正面側朝向第1基板110A)。另一方面，固體攝像裝置1亦可構成為第1基板110A與第2基板110B以FtoB之方式貼合(即，第2基板110B之正面側亦可朝向第3基板110C)。 將第2基板110B之方向決定為哪一方向可考慮例如各基板(各晶片)之構成、性能等，以可提高固體攝像裝置1整體之性能之方式適當決定。此處，作為示例，對決定第2基板110B之方向時之2種考慮方法進行說明。 (3-1.基於PWELL之面積之研究) 與圖1所示之構成例同樣地，圖3A係表示第1基板110A與第2基板110B以FtoF之方式貼合之固體攝像裝置1之概略構成之縱剖視圖。與圖1所示之構成例不同，圖3B係表示第1基板110A與第2基板110B以FtoB之方式貼合之固體攝像裝置1a之概略構成之縱剖視圖。固體攝像裝置1a之構成除與第2基板110B之方向為反向以外，與圖1所示之固體攝像裝置1相同。 於圖3A及圖3B中，將多層配線層105、125、135中所包含之各配線之功能(信號線、GND配線或電源配線)藉由重疊並賦予與該等配線不同之影線而表現(即，圖3A及圖3B中所記載之各配線之影線成為將圖3A及圖3B中所記載之凡例所示之表現配線之功能之影線與圖1中所記載之各配線之影線重疊所得者(關於下述圖4A及圖4B亦相同))。如圖示般，於固體攝像裝置1、1a中，用以將信號線、GND配線及電源配線引出至外部之端子(對應於上述焊墊151)係沿著晶片之外周設置。該等端子之各者係成對地設置於在水平面內隔著像素部206之位置。因此，於固體攝像裝置1、1a之內部，信號線、GND配線及電源配線係以將該等端子間連接之方式延伸設置，且遍佈於水平面內。 又，於圖3A及圖3B中，對設置於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C之PWELL附上「P」，對NWELL附上「N」。例如，於圖示之構成中，配備於像素部之各像素之PD成為為了讀出光電轉換後所產生之電子而於PWELL中形成有N型擴散區域之PD，為了讀出利用該PD而產生之電子，配備於各像素之驅動電路之電晶體係N型MOS(Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體)電晶體，故而該像素部之WELL(井)為PWELL。另一方面，關於設置在第2基板110B及第3基板110C之邏輯電路及記憶電路，由於包含CMOS電路，故而混合有PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P型金屬氧化物半導體)及NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor，N型金屬氧化物半導體)。因此，PWELL及NWELL以例如相同程度之面積存在。因此，於圖示之構成例中，第1基板110A相較於第2基板110B及第3基板110C而言，PWELL之面積較大。 此處，於固體攝像裝置1、1a中，可對PWELL賦予GND電位。因此，當存在PWELL與電源配線隔著絕緣體而對向之構成時，會於兩者之間形成寄生電容。 參照圖4A及圖4B對形成於該PWELL與電源配線之間之寄生電容進行說明。圖4A係用以對圖3A所示之固體攝像裝置1中之PWELL與電源配線之間之寄生電容進行說明之圖。於圖4A中，針對圖3A所示之固體攝像裝置1，以二點鏈線模擬地表示PWELL與電源配線之間之寄生電容。如圖4A所示，於固體攝像裝置1中，第1基板110A與第2基板110B係以FtoF之方式貼合，故而如圖示般，第1基板110A之像素部之PWELL與第2基板110B之多層配線層125內之電源配線隔著構成絕緣膜103、123之絕緣體對向。因此，於該區域中，在兩者之間可能形成寄生電容。 另一方面，圖4B係用以對圖3B所示之固體攝像裝置1a中之PWELL與電源配線之間之寄生電容進行說明之圖。於圖4B中，針對圖3B所示之固體攝像裝置1a，以二點鏈線模擬地表示PWELL與電源配線之間之寄生電容。如圖4B所示，於固體攝像裝置1a中，第2基板110B與第3基板110C係以FtoF之方式貼合，故而如圖示般，第3基板110C之邏輯電路或記憶電路之PWELL與第2基板110B之多層配線層125內之電源配線隔著構成絕緣膜123、133之絕緣體對向。因此，於該區域中，在兩者之間可能形成寄生電容。 認為PWELL之面積越大，則上述寄生電容越大。因此，若為圖4A及圖4B所示之構成例，則圖4A所示之第1基板110A與第2基板110B以FtoF之方式貼合之構成相較於圖4B所示之第1基板110A與第2基板110B以FtoB之方式貼合之構成而言，寄生電容變大。 若第2基板110B之與電源配線相關之寄生電容較大，則關於該第2基板110B中之電源-GND之電流路徑之阻抗降低。因此，可使該第2基板110B中之電源系統更穩定化。具體而言，例如即便於消耗電力伴隨著第2基板110B中之電路之動作之變動而變動之情形時，亦可抑制由該消耗電力之變動所致之電源位準之波動。由此，即便於使與第2基板110B相關之電路高速地動作之情形時，亦能夠使其動作更穩定化，從而能夠謀求固體攝像裝置1整體之性能之提高。 如此，若著眼於PWELL之面積，則於圖3A～圖4B所示之構成例中，第1基板110A與第2基板110B以FtoF之方式貼合之固體攝像裝置1相較於第1基板110A與第2基板110B以FtoB之方式貼合之固體攝像裝置1a而言，對於第2基板110B之電源配線可形成更大之寄生電容，於進行高速動作時可獲得較高之穩定性。即，可以說固體攝像裝置1為更佳之構成。 但，根據各基板之設計，亦可能存在第3基板110C與第1基板110A相比PWELL之面積較大之情形。於此情形時，認為於第2基板110B之電源配線與第3基板110C之PWELL之間形成有更大之寄生電容之固體攝像裝置1a之構成相較於固體攝像裝置1而言，於進行高速動作時可獲得較高之穩定性。 綜上所述，若基於PWELL之面積對第2基板110B之方向進行研究，則於第1基板110A之PWELL之面積大於第3基板110C之PWELL之面積之情形時，較佳為以第2基板110B之正面側朝向第1基板110A之方向的方式，即，以第1基板110A與第2基板110B以FtoF之方式貼合之方式構成固體攝像裝置1。反之，於第3基板110C之PWELL之面積大於第1基板110A之PWELL之面積之情形時，較佳為以第2基板110B之正面側朝向第3基板110C之方向的方式，即，以第1基板110A與第2基板110B以FtoB之方式貼合之方式構成固體攝像裝置1a。 於本實施形態中，可根據基於此種PWELL之面積之觀點決定第2基板110B之方向。圖1及下述圖6A～圖25K所示之本實施形態之固體攝像裝置1～21k例如構成為第1基板110A之PWELL之面積大於第3基板110C之PWELL之面積，與此相應地，第1基板110A與第2基板110B構成為以FtoF之方式貼合。因此，根據固體攝像裝置1～21k，即便於高速動作時亦能夠獲得較高之動作穩定性。 再者，作為第1基板110A之PWELL之面積大於第3基板110C之PWELL之面積之情形，例如考慮如下情形：於第1基板110A僅搭載像素部，於第2基板110B及第3基板110C搭載各種電路(像素信號處理電路、邏輯電路及記憶電路等)，該像素部係於PWELL中具備用以讀出光電轉換後所產生之電子之PD、及用以自該PD讀出電子之NMOS電晶體。另一方面，作為第3基板110C之PWELL之面積大於第1基板110A之PWELL之面積之情形，例如考慮如下情形：像素部及各種電路均搭載於第1基板110A，且第1基板110A中之該各種電路所占之面積相對較大。 (3-2.基於消耗電力及GND配線之配置之研究) 關於圖3A所示之固體攝像裝置1與圖3B所示之固體攝像裝置1a，於上文中著眼於PWELL之面積，但此處著眼於各基板之消耗電力與GND配線之配置。 圖5A係概略性地表示圖3A所示之固體攝像裝置1中之電源配線及GND配線之配置之圖。圖5B係概略性地表示圖3B所示之固體攝像裝置1a中之電源配線及GND配線之配置之圖。於圖5A及圖5B中，簡單地圖示固體攝像裝置1、1a之構造，並且藉由利用二點鏈線表示電源配線且利用一點鏈線表示GND配線，而表現出電源配線及GND配線之概略性之配置。又，圖中之箭頭之大小模擬地表現出流經電源配線及GND配線之電流量。 如圖5A及圖5B所示，電源配線可視為主要包含垂直電源配線303及水平電源配線304，該垂直電源配線303係自設置於第1基板110A之上表面(即，固體攝像裝置1、1a之上表面)之電源端子(VCC(Volt Current Condenser，電源))在z軸方向上延伸，該水平電源配線304係於第1基板110A之多層配線層105、第2基板110B之多層配線層125、及第3基板110C之多層配線層135內在水平方向上延伸。以下，將垂直電源配線303及水平電源配線304統稱並亦記載為電源配線303、304。再者，實際上，於第1基板110A之多層配線層105及第2基板110B之多層配線層125內亦可存在水平電源配線304，但於圖5A及圖5B中，為了簡化說明，省略其圖示，僅圖示出第3基板110C之多層配線層135內之水平電源配線304。 又，GND配線可視為主要包含垂直GND配線305及水平GND配線306，該垂直GND配線305係自設置於第1基板110A之上表面之GND端子於z軸方向上延伸，該水平GND配線306係於第1基板110A之多層配線層105、第2基板110B之多層配線層125及第3基板110C之多層配線層135內在水平方向上延伸。以下，將垂直GND配線305及水平GND配線306統稱並亦記載為GND配線305、306。再者，為了加以區分，設為將第1基板110A之水平GND配線306亦記載為水平GND配線306a，將第2基板110B之水平GND配線306亦記載為水平GND配線306b，且將第3基板110C之水平GND配線306亦記載為水平GND配線306c。 此處，作為一例，關於第3基板110C之消耗電力大於第1基板110A之消耗電力之情形加以考慮。例如，設為第3基板110C為邏輯基板。邏輯電路被分成複數個電路區塊，根據所處理之內容而動作之電路區塊亦發生變化。即，於固體攝像裝置1、1a之一系列之動作中，於邏輯電路內主要進行動作之位置可能發生變動。因此，於邏輯電路內電源電流流過之位置存在偏倚(例如，電源電流係因伴隨電路之動作之電晶體閘極電容與配線電容之充放電而產生)，並且其位置可能發生變動。 當前，如圖5A及圖5B所示，著眼於第3基板110C之邏輯電路內之2個電路區塊301、302。於該等2個電路區塊301、302進行動作時，形成電源端子-電源配線303、304-電路區塊301、302-GND配線305、306-GND端子之電流路徑。 此處，關於某個時點之消耗電力，設為電路區塊301之消耗電力大於電路區塊302之消耗電力。於此情形時，如圖5A及圖5B所示，於該時點，自電源配線303、304對電路區塊301供給較電路區塊302多之電流。關於經由電路區塊301、302而流過垂直GND配線305之電流量，亦因該消耗電力之差而導致電路區塊301之附近之垂直GND配線305(為了加以區分，亦記載為垂直GND配線305a)之消耗電力大於電路區塊302之附近之垂直GND配線305(為了加以區分，亦記載為垂直GND配線305b)之消耗電力。 於第1基板110A及第2基板110B存在水平GND配線306a、306b，故而該垂直GND配線305a、305b間之電流量之不均衡係於前往第1基板110A之上表面之GND端子之中途，藉由第1基板110A及第2基板110B之該水平GND配線306a、306b而消除。即，為了消除垂直GND配線305a、305b間之電流量之不均衡，會於第1基板110A及第2基板110B之水平GND配線306a、306b流通電流。因此，於固體攝像裝置1、1a，如圖5A及圖5B中實線之箭頭所示般，形成有水平電源配線304-電路區塊301、302-水平GND配線306c-垂直GND配線305a-水平GND配線306a、306b此種環狀之電流路徑。 此時，如圖5A所示，於第1基板110A與第2基板110B以FtoF之方式貼合之固體攝像裝置1中，第1基板110A及第2基板110B之水平GND配線306a、306b任一者均配置於距離第3基板110C之水平電源配線304相對較遠處。因此，於上述環狀之電流路徑中，環之開口寬度變大，藉此，該環狀之電流路徑之電感變大。即，阻抗變高。由此，有電源電流之穩定性降低且固體攝像裝置1整體之性能降低之虞。 另一方面，如圖5B所示，於第1基板110A與第2基板110B以FtoB之方式貼合之固體攝像裝置1a中，第1基板110A之水平GND配線306a係配置於距離第3基板110C之水平電源配線304相對較遠處，但第2基板110B之水平GND配線306b係配置距離第3基板110C之水平電源配線304相對較近處。因此，於上述環狀之電流路徑中，環之開口寬度變小，藉此，該環狀之電流路徑之電感變小。即，阻抗變低。由此，能夠使電源電流更穩定化，從而能夠進一步提高固體攝像裝置1整體之性能。 如此，若著眼於消耗電力及GND配線之配置，則認為於第3基板110C之消耗電力大於第1基板110A之消耗電力之情形時，可使第2基板110B之水平GND配線306b配置於該第3基板110C之水平電源配線304之更近處且第1基板110A與第2基板110B以FtoB之方式貼合之固體攝像裝置1a相較於第1基板110A與第2基板110B以FtoF之方式貼合之固體攝像裝置1而言，可實現更穩定之動作。即，可以說固體攝像裝置1a為更佳之構成。 但，根據各基板之設計，亦可能存在第1基板110A與第3基板110C相比消耗電力較大之情形。於此情形時，認為可使第1基板110A之水平電源配線與第2基板110B之水平GND配線306b之距離更接近之固體攝像裝置1之構成相較於固體攝像裝置1a而言，可期待更穩定之動作。 綜上所述，若關於第2基板110B之方向，基於消耗電力及GND配線之配置進行研究，則於第1基板110A之消耗電力大於第3基板110C之消耗電力之情形時，較佳為以第2基板110B之正面側朝向第1基板110A之方式，即，以第1基板110A與第2基板110B以FtoF之方式貼合之方式，構成固體攝像裝置1。反之，於第3基板110C之消耗電力大於第1基板110A之消耗電力之情形時，較佳為以第2基板110B之正面側朝向第3基板110C之方式、即以第1基板110A與第2基板110B以FtoB之方式貼合之方式，構成固體攝像裝置1a。 於本實施形態中，可根據基於此種消耗電力及GND配線之配置之觀點而決定第2基板110B之方向。圖1及下述圖6A～圖25K所示之本實施形態之固體攝像裝置1～21k例如構成為第1基板110A之消耗電力大於第3基板110C之消耗電力，與此相應地，第1基板110A與第2基板110B構成為以FtoF之方式貼合。因此，根據固體攝像裝置1～21k，可實現更穩定之動作。 再者，作為第3基板110C之消耗電力大於第1基板110A之消耗電力之情形，例如考慮到如下情形：於第1基板110A僅搭載有像素部，且於第2基板110B及第3基板110C搭載有多個電路(例如像素信號處理電路、邏輯電路及記憶電路等)。作為此種構成，具體而言，例如考慮於第1基板110A僅搭載有像素部，於第2基板110B搭載有像素信號處理電路及記憶電路，且於第3基板110C搭載有邏輯電路之構成等。此時，像素信號處理電路中之數位電路(例如產生用於AD轉換之參照電壓之數位電路等)亦可搭載於第3基板110C。或者，考慮到於在第3基板110C搭載有存取頻度較高之記憶電路(例如，於1訊框中像素信號被寫入或讀出複數次之記憶電路)之情形時，該第3基板110C之消耗電力亦變大。 另一方面，作為第1基板110A之消耗電力大於第3基板110C之消耗電力之情形，例如考慮到如下情形：像素部及各種電路均搭載於第1基板110A，且第1基板110A之該各種電路所占之面積相對較大。或者，考慮到於在第3基板110C搭載有存取頻度較低之記憶電路(例如，於1訊框中像素信號僅被寫入或讀出1次之記憶電路)之情形時，第3基板110C之消耗電力亦變小，且相對地第1基板110A之消耗電力亦變大。 再者，於將第1基板110A及第3基板110C之消耗電力加以比較時，可將消耗電力本身加以比較，亦可將可表現消耗電力之大小之其他指標加以比較。作為該其他指標，例如可列舉搭載於各基板之電路之閘極數(例如100個閘極與1M個閘極)、或各基板之電路之動作頻率(例如100 MHz與1 GHz)等。 此處，於圖5A所示之第1基板110A與第2基板110B以FtoF之方式貼合之固體攝像裝置1中，作為用以使上述環狀之電流路徑中之阻抗降低之方法，考慮到如下方法：如圖5C所示，將第1基板110A之水平GND配線306a與第2基板110B之水平GND配線306b之間利用於z軸方向上延伸之複數條配線(即垂直GND配線)連接。圖5C係表示用以使圖5A所示之固體攝像裝置1之阻抗降低之一構成例之圖。再者，圖5C所示之固體攝像裝置1b係對應於相對於圖5A所示之固體攝像裝置1，將第1基板110A之水平GND配線306a與第2基板110B之水平GND配線306b利用複數條垂直GND配線連接而得者，除此以外之構成係與固體攝像裝置1相同。 認為藉由採用圖5C所示之構成，可強化水平GND配線306a、306b，且可使上述環狀之電流路徑中之阻抗降低，故而可進一步提高固體攝像裝置1b整體之性能。再者，於圖5C中，作為一例，表示出於第3基板110C之消耗電力大於第1基板110A之消耗電力且第1基板110A與第2基板110B以FtoF之方式貼合之情形時，可使該環狀之電流路徑中之阻抗降低之構成，但於第1基板110A之消耗電力大於第3基板110C之消耗電力且第1基板110A與第2基板110B以FtoB之方式貼合之情形時，為了使該環狀之電流路徑中之阻抗降低，只要將第2基板110B之水平GND配線306b與第3基板110C之水平GND配線306c之間利用複數條垂直GND配線連接便可。 然而，為了實現圖5C所示之構成，必須於第1基板110A之多層配線層105及第2基板110B之多層配線層125設置用以將該GND配線彼此連接之連接構造。因此，多層配線層105、125內之GND配線之配置、及其他配線之配置會受到考慮設置該連接構造之制約。具體而言，於圖5C所示之構成中，於第1基板110A及第2基板110B中，垂直GND配線、及用以將其等於基板間連接之連接構造不僅分佈於水平面內之晶片之外周部，亦更多地分佈於晶片之中央部，故而必須考慮到該情況而配置各配線。即，多層配線層105、125之各配線之設計之自由度降低。 針對此，如上所述，於本實施形態中，藉由調整第2基板110B之朝向而使上述環狀之電流路徑中之阻抗降低。因此，與圖5C所示之構成不同，可於水平面內，以垂直GND配線更多地分佈於晶片之外周部之方式配置該垂直GND配線。由此，可不使多層配線層105、125之各配線之設計之自由度降低，而謀求電流路徑中之阻抗之降低、即固體攝像裝置1、1a之動作之穩定化。 再者，關於水平面內之晶片之外周部及晶片之中央部之垂直GND配線之配置的疏密，例如能以如下方式判斷。例如，於將晶片在水平面內等分成3×3之區域而得之9個區域中，當存在於中央之1個區域之垂直GND配線之數量多於存在於周圍之8個區域之垂直GND配線之數量時，可判斷晶片之中央部之垂直GND配線之數量較多(即，可判斷可能應用有圖5C所示之固體攝像裝置1b之構成)。另一方面，當存在於中央之1個區域之垂直GND配線之數量少於存在於周圍之8個區域之垂直GND配線之數量時，可判斷晶片之外周部之垂直GND配線之數量較多(即，可判斷可能應用有圖5A及圖5B所示之固體攝像裝置1、1a之構成)。 此處，作為一例，對將晶片在水平面內等分成9個區域之情形進行了說明，但所分割之區域之數量並不限定於該例，可適當變更為4×4之16個區域、或5×5之25個區域等。例如，於將晶片分割成4×4之16個區域之情形時，只要根據中央之4個區域及其周圍之12個區域之垂直GND配線之數量判斷疏密便可。或者，於將晶片分割為5×5之25個區域之情形時，只要根據中央之1個區域及其周圍之24個區域、或中央之9個區域及其周圍之16個區域之垂直GND配線之數量判斷疏密便可。 (4.固體攝像裝置之構成之變化) 圖1所示之固體攝像裝置1之構成係本實施形態之固體攝像裝置之一例。本實施形態之固體攝像裝置亦可構成為具有與圖1所示者不同之連接構造。此處，對本實施形態之固體攝像裝置之連接構造不同之其他構成例進行說明。再者，以下所說明之各固體攝像裝置之構成對應於變更了圖1所示之固體攝像裝置1之構成之一部分者。因此，關於已參照圖1進行說明之構成，省略其詳細之說明。又，關於表示以下所說明之各固體攝像裝置之概略構成之各圖式，為了避免圖式變得複雜，省略於圖1中所附上之一部分符號。又，關於圖1及以下之各圖式，附上同一種影線之構件係表示由相同之材料形成。 本實施形態之固體攝像裝置於任一構成中，均如圖1所示之固體攝像裝置1般至少設置有雙接點型之TSV157。此處，所謂雙接點係指具有於第1貫通孔及第2貫通孔埋入有導電材料之構造、或於該第1及第2貫通孔之內壁成膜有導電材料之構造的通孔，該第1貫通孔係使特定配線露出，該第2貫通孔係使與該特定配線不同之其他配線露出且與該第1貫通孔不同。 另一方面，於固體攝像裝置中，配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此之全部必須電性連接，故而於該固體攝像裝置，除上述TSV157以外，於具備未藉由上述TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板彼此之間，亦可進而設置有用以將該等信號線及電源線電性連接之其他連接構造。 於本實施形態中，根據該等連接構造之具體構成而將固體攝像裝置分類為20個種類。 第1構成例(圖6A～圖6E)係如下之構成例：設置有雙接點型之2層間之TSV157作為用以將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之連接構造，但除該TSV157以外，不存在下述雙接點型或共享(shared)接點型之TSV157、及下述電極接合構造159。此處，於本說明書中，所謂2層間之TSV意指以可將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之相鄰之2個基板之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之方式設置之TSV。 如上所述，除將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之TSV157以外，未設置有TSV157及電極接合構造159，於第1構成例之固體攝像裝置中，配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此之電性連接、及/或配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此之電性連接係經由I/O部而實現。即，於第1構成例之固體攝像裝置中，與將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之TSV157一併，設置有可將配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之焊墊151、及/或可將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之焊墊151作為其他連接構造。再者，圖1所示之固體攝像裝置1亦包含於第1構成例。 第2構成例(圖7A～圖7K)係如下之構成例：與將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接的雙接點型之2層間之TSV157一併，進而至少設置有雙接點型之2層間之TSV157作為用以將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之連接構造。 第3構成例(圖8A～圖8G)係如下之構成例：與將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接的雙接點型之2層間之TSV157一併，至少設置有下述雙接點型之3層間之TSV157作為連接構造。再者，於本說明書中，所謂3層間之TSV意指跨及第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C之全部而延伸之TSV。自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成之雙接點型之3層間之TSV157就其構造而言，可將配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此、或配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。又，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成之雙接點型之3層間之TSV157就其構造而言，可將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此、或配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 第4構成例(圖9A～圖9K)係如下之構成例：與將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接的雙接點型之2層間之TSV157一併，至少設置有下述共享接點型之2層間之TSV157作為用以將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之連接構造。此處，所謂共享接點係指具有於1個貫通孔埋入有導電材料之構造、或於上述貫通孔之內壁成膜有導電材料之構造之通孔，該1個貫通孔係以使一基板內之特定配線之一部分露出且使另一基板內之特定配線露出之方式設置。 例如，若為使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之共享接點型之TSV157自該第1基板110A之背面側形成之情形，則首先，針對於該第1基板110A之多層配線層105內具有特定間隔而並排配置之2條同電位配線、及於該第2基板110B之多層配線層125內位於第1基板110A之多層配線層105內之該2條同電位配線之間的空間之正下方之配線，自該第1基板110A之背面側，藉由乾式蝕刻而自該2條同電位配線之正上方形成具有較該2條同電位配線之間之空間大之直徑的貫通孔。此時，該具有較大之直徑之貫通孔係以不使該2條同電位配線露出之方式形成。其次，藉由光微影及乾式蝕刻，以使位於該2條同電位配線之間之空間之正下方的第2基板110B之多層配線層125內之配線露出之方式形成具有較該2條同電位配線之間之空間小之直徑之貫通孔。其次，藉由回蝕而使具有較大之直徑之貫通孔生長，藉此使第1基板110A之多層配線層105內之該2條同電位配線之一部分露出。根據以上之步驟，結果，貫通孔具有使第1基板110A之多層配線層105內之2條同電位配線之一部分露出，且使位於該2條配線之間之空間之正下方的第2基板110B之多層配線層125內之配線露出之形狀。繼而，藉由對該貫通孔埋入導電材料，或藉由於該貫通孔之內壁成膜導電材料，可形成共享接點型之TSV157。根據該方法，於形成具有較大之直徑之貫通孔及具有較小之直徑之貫通孔時，不對2條同電位配線進行乾式蝕刻，故而可抑制該2條同電位配線之角被切削之事態、或污染之產生。因此，可實現可靠性更高之固體攝像裝置1。 再者，於上述之例中，對自該第1基板110A之背面側形成將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之共享接點型之TSV157之情形進行了說明，但於自該第2基板110B之正面側或自該第3基板110C之背面側形成將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之共享接點型之TSV157之情形時，或者於自第1基板110A之背面側或自第3基板110C之背面側形成下述共享接點型之3層間之TSV157之情形時亦相同。又，於上述之例中，以通過具有特定間隔而並排配置之2條配線之間之空間的方式設置有貫通孔，但例如亦可形成具有開口之環形之配線，且以通過該配線之開口之方式設置貫通孔。 又，亦可藉由與上述方法不同之方法而形成共享接點型之TSV157。例如，於與上述同樣地，自該第1基板110A之背面側形成將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之共享接點型之TSV157之情形時，於自第1基板110A之背面側藉由乾式蝕刻而自該2條同電位配線之正上方形成具有較該第1基板110A之多層配線層105內之2條同電位配線之間的空間大之直徑的貫通孔時，並非以不使該2條同電位配線露出之方式於中途停止乾式蝕刻，而亦可一面使該2條同電位配線之一部分露出，一面於該狀態下繼續乾式蝕刻。於此情形時，根據構成該2條同電位配線之導電材料(例如Cu)與構成絕緣膜103之絕緣材料(例如SiO2 )之蝕刻之選擇比，關於該貫通孔，對於該2條同電位配線蝕刻幾乎未推進，而可於該2條同電位配線之間之空間中進行對絕緣膜103之蝕刻。因此，最終，該貫通孔會具有使第1基板110A之多層配線層105內之2條配線之一部分露出且使位於該2條配線之間之空間之正下方的第2基板110B之多層配線層125內之配線露出之形狀。亦可藉由對如此形成之貫通孔埋入導電材料或藉由於該貫通孔之內壁成膜導電材料，而形成共享接點型之TSV157。 又，共享接點型之TSV157亦可未必以通過2條同電位配線之間之空間或環形之配線之開口之方式設置。例如，於形成貫通孔時，位於更靠上層之配線(若為上述之例，則為第1基板110A之多層配線層105內之配線)亦可為1條配線。具體而言，例如，若為與上述同樣地，自該第1基板110A之背面側形成將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之共享接點型之TSV157之情形，則亦可以具有使第1基板110A之多層配線層105內之1條配線之一部分露出且使第2基板110B之多層配線層125內之配線露出之形狀之方式形成貫通孔。而且，亦可藉由對該貫通孔埋入導電材料或藉由於該貫通孔之內壁成膜導電材料，而形成共享接點型之TSV157。但，於該形態中，更靠上層之配線為1條，因此與上述更靠上層之配線為2條之情形或為具有開口之環形之情形相比，擔心例如會因對準之偏移等而導致以更靠上層之配線未露出之方式形成貫通孔，從而容易產生接觸不良。因此，該配線為1條之形態較佳為應用於如下情形：為了可確保TSV157與該1條配線之接觸性，貫通孔與該1條配線之重疊可獲得充分之餘裕。 第5構成例(圖10A～圖10G)係如下之構成例：與將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接的雙接點型之2層間之TSV157一併，至少設置有下述共享接點型之3層間之TSV157作為連接構造。共享接點型之3層間之TSV157就其構造而言，可將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之至少任意2個基板之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 再者，於關於第2～第5構成例、及下述第7～第10構成例、第12～第15構成例、及第17～第20構成例之說明中，可能有於圖式中存在複數個雙接點型或共享接點型之TSV157之情形。於此種情形時，為了方便起見，對TSV157a、TSV157b、・・・之符號之末尾分別附上不同之字母，藉此，將該等複數個TSV157加以區分。 第6構成例(圖11A～圖11F)係如下之構成例：與將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接的雙接點型之2層間之TSV157一併，於該第2基板110B與該第3基板110C之間至少設置有下述電極接合構造159作為用以將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之連接構造。此處，於本說明書中，所謂電極接合構造159意指分別形成於2個基板之貼合面之電極彼此以直接接觸之狀態接合之構造。 第7構成例(圖12A～圖12L)係如下之構成例：與將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接的雙接點型之2層間之TSV157一併，至少設置有下述第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之又一雙接點型之2層間之TSV157作為連接構造。 第8構成例(圖13A～圖13H)係如下之構成例：與將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接的雙接點型之2層間之TSV157一併，至少設置有下述第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及下述雙接點型之3層間之TSV157作為連接構造。 第9構成例(圖14A～圖14K)係如下之構成例：與將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接的雙接點型之2層間之TSV157一併，至少設置有下述第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之下述共享接點型之2層間之TSV157作為連接構造。 第10構成例(圖15A～圖15G)係如下之構成例：與將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接的雙接點型之2層間之TSV157一併，至少設置有下述第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及下述共享接點型之3層間之TSV157作為連接構造。 第11構成例(圖16A～圖16G)係如下之構成例：設置有雙接點型之3層間之TSV157作為連接構造，但除該TSV157以外，不存在雙接點型或共享接點型之TSV157、及下述電極接合構造159。於第11構成例之固體攝像裝置中，具備未藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板彼此係經由I/O部而將信號線及電源線電性連接。即，於第11構成例之固體攝像裝置中，與該TSV157一併，對具備未藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板之各者設置有焊墊151作為其他連接構造。 第12構成例(圖17A～圖17J)係如下之構成例：與雙接點型之3層間之TSV157一併，至少設置有雙接點型之2層間之TSV157作為用以將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之連接構造。 第13構成例(圖18A～圖18G)係如下之構成例：與雙接點型之3層間之TSV157一併，進而至少設置有雙接點型之3層間之TSV157作為連接構造。 第14構成例(圖19A～圖19K)係如下之構成例：與雙接點型之3層間之TSV157一併，至少設置有下述共享接點型之2層間之TSV157作為用以將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之連接構造。 第15構成例(圖20A～圖20G)係如下之構成例：與雙接點型之3層間之TSV157一併，至少設置有下述共享接點型之3層間之TSV157作為連接構造。 第16構成例(圖21A～圖21M)係如下之構成例：與雙接點型之3層間之TSV157一併，於該第2基板110B與該第3基板110C之間至少設置有下述電極接合構造159作為用以將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之連接構造。 第17構成例(圖22A～圖22M)係如下之構成例：與雙接點型之3層間之TSV157一併，至少設置有下述第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接的雙接點型之2層間之TSV157作為連接構造。 第18構成例(圖23A～圖23K)係如下之構成例：與雙接點型之3層間之TSV157一併，至少設置有下述第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及又一雙接點型之3層間之TSV157作為連接構造。 第19構成例(圖24A～圖24M)係如下之構成例：與雙接點型之3層間之TSV157一併，至少設置有下述第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及將配備於下述第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之共享接點型之2層間之TSV157作為連接構造。 第20構成例(圖25A～圖25K)係如下之構成例：與雙接點型之3層間之TSV157一併，至少設置有下述第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及下述共享接點型之3層間之TSV157作為連接構造。 以下，依序對第1～第20構成例進行說明。再者，於以下之各圖中，表示本實施形態之固體攝像裝置至少具有之連接構造之例。以下之各圖所示之構成並非意指本實施形態之固體攝像裝置僅具有圖示之連接構造，該固體攝像裝置亦可適當具有除圖示之連接構造以外之連接構造。又，於以下之各圖之說明中，第1金屬配線層例如為Cu配線層，第2金屬配線層例如為Al配線層。 (4-1.第1構成例) 圖6A～圖6E係表示本實施形態之第1構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖6A～圖6E所示之構成。 圖6A所示之固體攝像裝置2a具有如下構件作為連接構造，即：雙接點型之2層間之TSV157；設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153a；以及設置於第3基板110C之多層配線層135內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153b。TSV157係以如下方式設置：自第2基板110B之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖6A所示之構成中，藉由該TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第2金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由焊墊151及焊墊開口部153a、153b，可將配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖6B所示之固體攝像裝置2b具有如下構件作為連接構造，即：雙接點型之2層間之TSV157；引出線開口部155a，其將第2基板110B之多層配線層125內之特定配線引出；引出線開口部155b，其將第3基板110C之多層配線層135內之特定配線引出；及焊墊151，其配置於第1基板110A之背面側之面上，藉由構成該等引出線開口部155a、155b之導電材料而與該特定配線電性連接。TSV157係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖6B所示之構成中，藉由該TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 此處，所謂引出線開口部155a、155b係用以將基板110A、110B、110C內之特定配線(於圖示之例中為第2基板110B內及第3基板110C內之特定配線)引出至外部之開口部。引出線開口部155a、155b具有於以使作為其引出之對象之配線露出之方式形成的開口部之內壁成膜有導電材料(例如W)之構造。如圖示般，包含該導電材料之膜係自引出線開口部155a、155b之內部延伸設置至第1基板110A之背面側之面上為止。焊墊151係形成於該延伸設置之包含導電材料之膜上，且藉由該包含導電材料之膜而與藉由引出線開口部155a、155b引出之基板內之配線電性連接。於圖6B所示之構成中，引出線開口部155a係以將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線引出的方式構成，引出線開口部155b係以將第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線引出的方式構成。再者，於引出線開口部155a、155b中，成膜於開口部之內壁之導電材料並不限定於W，作為該導電材料，可使用各種公知之導電材料。 於本說明書中，如圖6B所示，將於藉由引出線開口部155a、155b而引出之配線電性連接有配置於第1基板110A之背面側之焊墊151的構造亦稱為引出焊墊構造。又，於本說明書中，對應於引出焊墊構造，將例如針對形成於如圖6A所示之基板內之焊墊151設置焊墊開口部153a、153b而成之構造亦稱為埋入焊墊構造(圖1所示之構造亦為埋入焊墊構造)。可以說引出焊墊構造係將於埋入焊墊構造中形成於基板內之焊墊151引出至基板外(第1基板110A之背面側之面上)之構造。 又，於圖6B所示之構成中，藉由2個引出線開口部155a、155b而引出之配線係經由包含導電材料之膜而電性連接於同一焊墊151。即，由2個引出線開口部155a、155b共有1個焊墊151。但，本實施形態並不限定於該例。於如圖6B所示般存在複數個引出線開口部155a、155b之情形時，亦可對其各者設置焊墊151。於此情形時，構成引出線開口部155a之包含導電材料之膜與構成引出線開口部155b之包含導電材料之膜係以相互隔絕之方式(即，以兩者成為非導通之方式)延伸設置至第1基板110A之背面側之面上，可於該膜上分別設置焊墊151。 再者，於本說明書中，如圖6B所示，當於圖中存在複數個引出線開口部155之情形時，為了方便起見，對引出線開口部155a、引出線開口部155b、・・・之符號之末尾分別附上不同之字母，藉此，將該等複數個引出線開口部155加以區分。 圖6C所示之固體攝像裝置2c係對應於相對於圖6B所示之固體攝像裝置2b，將引出焊墊構造加以變更之構成者。具體而言，於圖6C所示之構成中，引出焊墊構造具有如下之構造，即，將構成引出線開口部155a、155b之包含導電材料之膜、及形成於該膜上之焊墊151於供置有該焊墊151之部位均埋入至絕緣膜109內。 再者，於本說明書中，將如圖6C所示般之焊墊151於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109內之引出焊墊構造亦稱為埋入型之引出焊墊構造。又，與此對應地，將如圖6B所示般之焊墊151於第1基板110A之背面側之面上不埋入絕緣膜109內地配置之引出焊墊構造亦稱為非埋入型之引出焊墊構造。 於圖6C所示之構成中，與圖6B所示之構成同樣地，由2個引出線開口部155a、155b共有1個焊墊151。惟本實施形態並不限定於該例。與圖6B所示之非埋入型之引出焊墊構造同樣地，亦可於埋入型之引出焊墊構造中，以對應於2個引出線開口部155a、155b各者之方式設置複數個焊墊151。 圖6D所示之固體攝像裝置2d具有雙接點型之2層間之TSV157、及針對第3基板110C之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155c、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)作為連接構造。TSV157係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖6D所示之構成中，藉由該TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線、與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 此處，與圖6A～圖6C所示之構成不同，圖6D所示之TSV157並非於貫通孔之內部埋入第1金屬而構成，而是於貫通孔之內壁成膜導電材料而構成。於圖示之例中，作為該導電材料，成膜有與構成引出線開口部155之導電材料相同之材料(例如W)。如此，於本實施形態中，作為TSV157，既可使用具有如圖6A～圖6C所示之於貫通孔埋入有導電材料之構成者，亦可使用具有如圖6D所示之於貫通孔之內壁成膜有導電材料之構成者。再者，於TSV157中，成膜於貫通孔之內壁之導電材料並不限定於W，作為該導電材料，可使用各種公知之導電材料。又，構成TSV157之導電材料亦可為與構成引出線開口部155之導電材料不同之材料。 再者，於本說明書中，將如圖6A～圖6C所示般具有於貫通孔埋入有導電材料之構成之TSV157亦稱為埋入型之TSV157。又，將如圖6D所示般具有於貫通孔之內壁成膜有導電材料之構成之TSV157亦稱為非埋入型之TSV157。 此處，於圖6D所示之構成中，於TSV157中成膜於貫通孔之內壁之包含導電材料之膜、與於引出線開口部155c中成膜於開口部之內壁之包含導電材料之膜經一體形成，包含該導電材料之膜延伸設置至第1基板110A之背面側之面上。而且，於延伸設置於該第1基板110A之背面側之面上之包含導電材料之膜之上，形成有焊墊151。即，於圖6D所示之構成中，TSV157與焊墊151電性連接，進而，藉由TSV157而電性連接之第1基板110A之多層配線層105內之特定配線及第2基板110B之多層配線層125內之特定配線與焊墊151亦電性連接。 如此，於圖6D所示之構成中，雙接點型及非埋入型之TSV157具有作為將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接之TSV之功能，並且具有作為與該2個貫通孔對應之2個引出線開口部155a、155b(即，將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線引出至第1基板110A之背面側之面上之焊墊151的引出線開口部155a、以及將第2基板110B之多層配線層125內之特定配線引出至第1基板110A之背面側之面上之焊墊151的引出線開口部155b)之功能。 以下，將如圖6D所示之TSV157般兼具作為TSV157之功能、及作為引出線開口部155a、155b之功能的構造亦記載為TSV兼用引出線開口部。可以說圖6D所示之構成係具有TSV兼用引出線開口部155a、155b(即TSV157)及引出線開口部155c作為連接構造之構成。再者，於以下之各圖式中，為了避免圖式變得複雜，設為對TSV兼用引出線開口部省略表示TSV之符號「157」之記載，而僅附上表示引出線開口部之符號「155」。 圖6E所示之固體攝像裝置2e係對應於相對於圖6D所示之固體攝像裝置2d，取代非埋入型之引出焊墊構造而設置有埋入型之引出焊墊構造者。 再者，針對圖6A～圖6E所示之各構成，將雙接點型之2層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖6A所示之構成中，於圖示之例中，對第1基板110A及第3基板110C設置有焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於第1構成例中，由於藉由TSV157使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而具備未藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之第2基板110B及第3基板110C、或第1基板110A及第3基板110C亦可設置焊墊151，以便分別將信號線及電源線電性連接。即，於圖6A所示之構成中，亦可取代圖示之焊墊151之構成例而對第2基板110B及第3基板110C設置焊墊151。同樣地，於圖6B及圖6C所示之各構成中，於圖示之例中係對第2基板110B及第3基板110C設置有焊墊151，但亦可取代此而對第1基板110A及第3基板110C設置焊墊151。 又，於圖6D及圖6E所示之各構成中，於圖示之例中係由TSV兼用引出線開口部155a、155b及引出線開口部155c共有1個焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，亦可對TSV兼用引出線開口部155a、155b(即，對TSV157)及引出線開口部155c，分別設置1個焊墊151。於此情形時，構成TSV兼用引出線開口部155a、155b之包含導電材料之膜與構成引出線開口部155c之包含導電材料之膜能以相互隔絕之方式(即，以兩者成為非導通之方式)，於第1基板110A之背面側之面上延伸設置。 (4-2.第2構成例) 圖7A～圖7K係表示本實施形態之第2構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖7A～圖7K所示之構成。 圖7A所示之固體攝像裝置3a具有雙接點型及埋入型之2層間之TSV157a、157b、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖7A所示之構成中，藉由該TSV157b將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖7A所示之構成中，TSV157a之一通孔與第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線接觸，另一通孔與TSV157b之上端接觸。即，TSV157a係以將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與TSV157b電性連接之方式形成。進而，藉由TSV157a，將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與藉由TSV157b而電性連接之第2基板110B之多層配線層125內之特定配線及第3基板110C之多層配線層135內之特定配線電性連接。 圖7B所示之固體攝像裝置3b係對應於相對於圖7A所示之固體攝像裝置3a，變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類(材料)者。具體而言，於圖7B所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖7C所示之固體攝像裝置3c係對應於相對於圖7A所示之固體攝像裝置3a，變更了TSV157a之構造者。具體而言，於上述圖7A所示之構成中，TSV157a係以將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與TSV157b電性連接之方式設置，但於圖7C所示之構成中，TSV157a係以將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之特定配線電性連接之方式設置。於圖7C所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。 圖7D所示之固體攝像裝置3d係對應於相對於圖7C所示之固體攝像裝置3c，變更了藉由TSV157a、157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖7D所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖7E所示之固體攝像裝置3e係對應於相對於圖7D所示之固體攝像裝置3d，變更了TSV157b之構造者。具體而言，於圖7E所示之構成中，TSVb係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖7E所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖7F所示之固體攝像裝置3f係對應於相對於圖7B所示之固體攝像裝置3b，變更了埋入焊墊構造者。具體而言，於圖7F所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖7G所示之固體攝像裝置3g係對應於相對於圖7F所示之固體攝像裝置3f，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖7G所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖7H所示之固體攝像裝置3h係對應於相對於圖7B所示之固體攝像裝置3b，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖7I所示之固體攝像裝置3i係對應於相對於圖7D所示之固體攝像裝置3d，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖7J所示之固體攝像裝置3j係對應於相對於圖7H所示之固體攝像裝置3h，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖7K所示之固體攝像裝置3k係對應於相對於圖7I所示之固體攝像裝置3i，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，於圖7A～圖7K所示之各構成中，將雙接點型之2層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖7A～圖7G所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於第2構成例中，由於藉由一TSV157a使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由另一TSV157b使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖7A～圖7G所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖7F所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖7G所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 (4-3.第3構成例) 圖8A～圖8G係表示本實施形態之第3構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖8A～圖8G所示之構成。 圖8A所示之固體攝像裝置4a具有雙接點型及埋入型之2層間之TSV157a、雙接點型及埋入型之3層間之TSV157b、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖8A所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖8A所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖8B所示之固體攝像裝置4b係對應於相對於圖8A所示之固體攝像裝置4a，變更了藉由TSV157a而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖8B所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖8C所示之固體攝像裝置4c具有如下構件作為連接構造，即：雙接點型及埋入型之2層間之TSV157a、雙接點型及埋入型之3層間之TSV157b、針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153a)、及針對第3基板110C之埋入焊墊構造(即，設置於第3基板110C之多層配線層135內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153b)。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖8C所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A，且將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖8C所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由2個埋入焊墊構造，可將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖8D所示之固體攝像裝置4d係對應於相對於圖8B所示之固體攝像裝置4b，變更了埋入焊墊構造，並且變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖8D所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。又，於圖8D所示之構成中，藉由TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖8E所示之固體攝像裝置4e係對應於相對於圖8D所示之固體攝像裝置4d，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖8E所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖8F所示之固體攝像裝置4f係對應於相對於圖8E所示之固體攝像裝置4e，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入型之引出焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖8G所示之固體攝像裝置4g係對應於相對於圖8F所示之固體攝像裝置4f，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，針對圖8A～圖8G所示之各構成，將雙接點型之2層間及3層間之TSV157連接之配線的種類並無限定。該等TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖8C所示之構成中，於圖示之例中係對第2基板110B及第3基板110C設置有焊墊151。但，本實施形態並不限定於該例。於該構成中，由於藉由TSV157a、TSV157b使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而具備未藉由該TSV157a、157b而電性連接之信號線及電源線之第2基板110B及第3基板110C、或第1基板110A及第3基板110C亦可設置焊墊151，以便將信號線及電源線電性連接。即，於圖8C所示之各構成中，亦可取代圖示之焊墊151之構成例而對第1基板110A及第3基板110C設置焊墊151。 又，於圖8A、圖8B、圖8D及圖8E所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於該等各構成中，由於藉由一TSV157a使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由另一TSV157b使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖8A、圖8B、圖8D及圖8E所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖8D所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖8E所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，於圖8A～圖8G所示之各構成中，雙接點型及埋入型之3層間之TSV157係自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，但本實施形態並不限定於該例。該TSV157亦可自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成。 又，雙接點型之3層間之TSV157只要根據其形成之方向，將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 (4-4.第4構成例) 圖9A～圖9K係表示本實施形態之第4構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖9A～圖9K所示之構成。 圖9A所示之固體攝像裝置5a具有雙接點型及埋入型之2層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之2層間之TSV157b、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖9A所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖9A所示之構成中，TSV157a之一通孔與第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線接觸，另一通孔與TSV157b之上端接觸。即，TSV157a係以將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與TSV157b電性連接之方式形成。進而，藉由TSV157a，將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與藉由TSV157b而電性連接之第2基板110B之多層配線層125內之特定配線及第3基板110C之多層配線層135內之特定配線電性連接。 圖9B所示之固體攝像裝置5b係對應於相對於圖9A所示之固體攝像裝置5a，變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖9B所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖9C所示之固體攝像裝置5c係對應於相對於圖9A所示之固體攝像裝置5a，變更了TSV157a之構造者。具體而言，於上述圖9A所示之構成中，TSV157a係以將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與TSV157b電性連接之方式設置，但於圖9C所示之構成中，TSV157a係以將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之特定配線電性連接之方式設置。於圖9C所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。 圖9D所示之固體攝像裝置5d係對應於相對於圖9C所示之固體攝像裝置5c，變更了藉由TSV157a、157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖9D所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖9E所示之固體攝像裝置5e係對應於相對於圖9D所示之固體攝像裝置5d，變更了TSV157b之構造者。具體而言，於圖9E所示之構成中，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖9E所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖9F所示之固體攝像裝置5f係對應於相對於圖9B所示之固體攝像裝置5b，變更了埋入焊墊構造者。具體而言，於圖9F所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖9G所示之固體攝像裝置5g係對應於相對於圖9F所示之固體攝像裝置5f，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖9G所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖9H所示之固體攝像裝置5h係對應於相對於圖9B所示之固體攝像裝置5b，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖9I所示之固體攝像裝置5i係對應於相對於圖9D所示之固體攝像裝置5d，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖9J所示之固體攝像裝置5j係對應於相對於圖9H所示之固體攝像裝置5h，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖9K所示之固體攝像裝置5k係對應於相對於圖9I所示之固體攝像裝置5i，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，針對圖9A～圖9K所示之各構成，將雙接點型之2層間之TSV157及共享接點型之2層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該等TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖9A～圖9G所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於第4構成例中，由於藉由一TSV157a使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由另一TSV157b使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖9A～圖9G所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖9F所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖9G所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 (4-5.第5構成例) 圖10A～圖10G係表示本實施形態之第5構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖10A～圖10G所示之構成。 圖10A所示之固體攝像裝置6a具有雙接點型及埋入型之2層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之3層間之TSV157b、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖10A所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖10A所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖10B所示之固體攝像裝置6b係對應於相對於圖10A所示之固體攝像裝置6a，變更了藉由TSV157a而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖10B所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖10C所示之固體攝像裝置6c具有雙接點型及埋入型之2層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之3層間之TSV157b、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖10C所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖10C所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線、第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線、及第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖10D所示之固體攝像裝置6d係對應於相對於圖10B所示之固體攝像裝置6b，變更了埋入焊墊構造，並且變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖10D所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。又，於圖10D所示之構成中，藉由TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖10E所示之固體攝像裝置6e係對應於相對於圖10D所示之固體攝像裝置6d，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖10E所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖10F所示之固體攝像裝置6f係對應於相對於圖10E所示之固體攝像裝置6e，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入型之引出焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖10G所示之固體攝像裝置6g係對應於相對於圖10F所示之固體攝像裝置6f，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，針對圖10A～圖10G所示之各構成，將雙接點型之2層間之TSV157及共享接點型之3層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該等TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖10A～圖10E所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於該等各構成中，由於藉由一TSV157a使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由另一TSV157b使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此至少電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖10A～圖10E所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖10D所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖10E所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，於圖10A～圖10G所示之各構成中，共享接點型及埋入型之3層間之TSV157係自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，但本實施形態並不限定於該例。該TSV157亦可自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成。 又，共享接點型之3層間之TSV157只要將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之至少任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 (4-6.第6構成例) 圖11A～圖11F係表示本實施形態之第6構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖11A～圖11F所示之構成。 圖11A所示之固體攝像裝置7a具有雙接點型及埋入型之2層間之TSV157、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖11A所示之構成中，藉由該TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 此處，具體而言，電極接合構造159可藉由如下方式而形成：於以設置於第2基板110B之貼合面之電極與設置於第3基板110C之貼合面之電極接觸之方式使該第2基板110B與該第3基板110C貼合之狀態下進行熱處理，而使電極彼此接合。電極接合構造159包含在第2基板110B中形成於貼合面之電極、及用以將該電極與多層配線層125內之特定配線電性連接之通孔、以及於第3基板110C中形成於貼合面之電極、及用以將該電極與多層配線層135內之特定配線電性連接之通孔。再者，此時，第2基板110B與第3基板110C係以FtoB之方式貼合，故而設置於第2基板110B側之通孔形成為貫通半導體基板121之通孔(即TSV)。 圖11B所示之固體攝像裝置7b係對應於相對於圖11A所示之固體攝像裝置7a，變更了藉由TSV157而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖11B所示之構成中，藉由該TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖11C所示之固體攝像裝置7c係對應於相對於圖11B所示之固體攝像裝置7b，變更了埋入焊墊構造者。具體而言，於圖11C所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖11D所示之固體攝像裝置7d係對應於相對於圖11C所示之固體攝像裝置7c，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖11D所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖11E所示之固體攝像裝置7e係對應於相對於圖11D所示之固體攝像裝置7d，將埋入型之TSV157變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157及埋入型之引出焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖11F所示之固體攝像裝置7f係對應於相對於圖11E所示之固體攝像裝置7e，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，於圖11A～圖11F所示之各構成中，將雙接點型之2層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖11A～圖11D所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於第6構成例中，由於藉由TSV157使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖11A～圖11D所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖11C所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖11D所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 (4-7.第7構成例) 圖12A～圖12L係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖12A～圖12L所示之構成。 圖12A所示之固體攝像裝置8a具有雙接點型及埋入型之2層間之TSV157a、157b、157c、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。TSV157b、157cTSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 關於TSV157b、157c，一TSV157b係以將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之電極電性連接之方式設置。該電極係以於多層配線層135內，金屬面自絕緣膜133露出之方式形成。即，該電極係與構成電極接合構造159之電極同樣地形成者。於本說明書中，為了方便起見，將如該電極般，與構成電極接合構造159之電極同樣地以於多層配線層105、125、135內金屬面自絕緣膜103、123、133露出之方式形成但並不構成電極接合構造159之電極亦稱為單側電極。與此對應地，將以於多層配線層105、125、135內金屬面自絕緣膜103、123、133露出之方式形成且構成電極接合構造159之電極亦稱為兩側電極。即，於圖12A所示之構成中，TSV157b係以將第2基板110B之多層配線層125內之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接之方式設置。 又，另一TSV157c係以將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接之方式設置。 又，TSV157a係以其一通孔與第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線接觸，且另一通孔與TSV157b之上端接觸之方式設置。即，TSV157a係以將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與TSV157b電性連接之方式形成。進而，藉由TSV157a，將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與藉由TSV157b而電性連接之第2基板110B之多層配線層125內之特定配線及第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖12B所示之固體攝像裝置8b係對應於相對於圖12A所示之固體攝像裝置8a，變更了TSV157b之構造者。具體而言，於圖12B所示之構成中，TSV157b係以將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與構成電極接合構造159之兩側電極電性連接之方式設置。即，於圖12B所示之構成中，TSV157b亦具有作為構成電極接合構造159之通孔之功能。 圖12C所示之固體攝像裝置8c係對應於相對於圖12A所示之固體攝像裝置8a，變更了藉由TSV157b、157c而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖12C所示之構成中，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。又，藉由TSV157c而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖12D所示之固體攝像裝置8d係對應於相對於圖12A所示之固體攝像裝置8a，變更了TSV157a之構造者。具體而言，於上述圖12A所示之構成中，TSV157a係以將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與TSV157b電性連接之方式設置，但於圖12D所示之構成中，TSV157a係以將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之特定配線電性連接之方式設置。於圖12D所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。 圖12E所示之固體攝像裝置8e係對應於相對於圖12D所示之固體攝像裝置8d，變更了藉由TSV157a、157b、157c而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖12E所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。又，藉由TSV157c而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖12F所示之固體攝像裝置8f係對應於相對於圖12E所示之固體攝像裝置8e，變更了TSV157b、157c之構造者。具體而言，於圖12F所示之構成中，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖12F所示之構成中，藉由該TSV157b而將設置於第2基板110B之背面側之絕緣膜129內之單側電極與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157cTSVb係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖12F所示之構成中，藉由該TSV157c而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖12G所示之固體攝像裝置8g係對應於相對於圖12C所示之固體攝像裝置8c，變更了埋入焊墊構造者。具體而言，於圖12G所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖12H所示之固體攝像裝置8h係對應於相對於圖12G所示之固體攝像裝置8g，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖12H所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖12I所示之固體攝像裝置8i係對應於相對於圖12C所示之固體攝像裝置8c，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖12J所示之固體攝像裝置8j係對應於相對於圖12E所示之固體攝像裝置8e，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖12K所示之固體攝像裝置8k係對應於相對於圖12I所示之固體攝像裝置8i，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖12L所示之固體攝像裝置8l係對應於相對於圖12J所示之固體攝像裝置8j，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，於圖12A～圖12L所示之各構成中，將雙接點型之2層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖12A～圖12H所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於第7構成例中，由於藉由一TSV157a使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由另一TSV157b、157c及電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖12A～圖12H所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖12G所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖12H所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，於圖12A及圖12C～圖12L所示之各構成中，於圖示之例中，TSV157b係與單側電極接觸，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，與圖12B所示之構成同樣地，TSV157b亦可以與兩側電極接觸之方式構成。於TSV157b以與兩側電極接觸之方式構成之情形時，該TSV157b具有作為構成電極接合構造159之通孔之功能。 (4-8.第8構成例) 圖13A～圖13H係表示本實施形態之第8構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖13A～圖13H所示之構成。 圖13A所示之固體攝像裝置9a具有雙接點型及埋入型之2層間之TSV157a、雙接點型及埋入型之3層間之TSV157b、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖13A所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖13A所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖13B所示之固體攝像裝置9b係對應於相對於圖13A所示之固體攝像裝置9a，變更了藉由TSV157a而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖13B所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖13C所示之固體攝像裝置9c係對應於相對於圖13A所示之固體攝像裝置9a，變更了TSV157b之構造者。具體而言，於圖13C所示之構成中，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A，且將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖13C所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖13D所示之固體攝像裝置9d係對應於相對於圖13C所示之固體攝像裝置9c，變更了TSV157b之構造者。具體而言，於圖13D所示之構成中，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A，且將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖13D所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與設置於第2基板110B之背面側之絕緣膜129內之單側電極電性連接。 圖13E所示之固體攝像裝置9e係對應於相對於圖13B所示之固體攝像裝置9b，變更了埋入焊墊構造，並且變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖13E所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。又，於圖13E所示之構成中，藉由TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖13F所示之固體攝像裝置9f係對應於相對於圖13E所示之固體攝像裝置9e，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖13F所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖13G所示之固體攝像裝置9g係對應於相對於圖13F所示之固體攝像裝置9f，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入型之引出焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖13H所示之固體攝像裝置9h係對應於相對於圖13G所示之固體攝像裝置9g，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，於圖13A～圖13H所示之各構成中，將雙接點型之2層間及3層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該等TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖13A～圖13F所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於該等各構成中，由於藉由TSV157a使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖13A～圖13F所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖13E所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖13F所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，於圖13A～圖13H所示之各構成中，雙接點型及埋入型之3層間之TSV157係自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，但本實施形態並不限定於該例。該TSV157亦可自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成。 又，雙接點型之3層間之TSV157只要根據其形成之方向，將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 又，於圖13D所示之構成中，於圖示之例中，TSV157b係與單側電極接觸，但本實施形態並不限定於該例。於該構成中，TSV157b亦可以與兩側電極接觸之方式構成。於TSV157b以與兩側電極接觸之方式構成之情形時，該TSV157b具有作為構成電極接合構造159之通孔之功能。 (4-9.第9構成例) 圖14A～圖14K係表示本實施形態之第9構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖14A～圖14K所示之構成。 圖14A所示之固體攝像裝置10a具有雙接點型及埋入型之2層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之2層間之TSV157b、TSV157c、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。TSV157b、157cTSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 關於TSV157b、157c，一TSV157b係以將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接之方式設置。又，另一TSV157c係以將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接之方式設置。 又，TSV157a係以其一通孔與第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線接觸，且另一通孔與TSV157b之上端接觸之方式設置。即，TSV157a係以將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與TSV157b電性連接之方式形成。進而，藉由TSV157a，將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與藉由TSV157b而電性連接之第2基板110B之多層配線層125內之特定配線及第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖14B所示之固體攝像裝置10b係對應於相對於圖14A所示之固體攝像裝置10a，變更了藉由TSV157b、157c而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖14B所示之構成中，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。又，藉由TSV157c而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖14C所示之固體攝像裝置10c係對應於相對於圖14A所示之固體攝像裝置10a，變更了TSV157a之構造者。具體而言，於上述圖14A所示之構成中，TSV157a係以將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與TSV157b電性連接之方式設置，但於圖14C所示之構成中，TSV157a係以將第1基板110A之多層配線層105內之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之特定配線電性連接之方式設置。於圖14C所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。 圖14D所示之固體攝像裝置10d係對應於相對於圖14C所示之固體攝像裝置10c，變更了藉由TSV157a、157b、157c而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖14D所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。又，藉由TSV157c而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖14E所示之固體攝像裝置10e係對應於相對於圖14D所示之固體攝像裝置10d，變更了TSV157b、157c之構造者。具體而言，於圖14E所示之構成中，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖14E所示之構成中，藉由該TSV157b而將設置於第2基板110B之背面側之絕緣膜129內之單側電極與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，於圖14E所示之構成中，TSV157cTSVb係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖14E所示之構成中，藉由該TSV157c而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖14F所示之固體攝像裝置10f係對應於相對於圖14B所示之固體攝像裝置10b，變更了埋入焊墊構造者。具體而言，於圖14F所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖14G所示之固體攝像裝置10g係對應於相對於圖14F所示之固體攝像裝置10f，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖14G所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖14H所示之固體攝像裝置10h係對應於相對於圖14B所示之固體攝像裝置10b，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖14I所示之固體攝像裝置10i係對應於相對於圖14D所示之固體攝像裝置10d，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖14J所示之固體攝像裝置10j係對應於相對於圖14H所示之固體攝像裝置10h，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖14K所示之固體攝像裝置10k係對應於相對於圖14I所示之固體攝像裝置10i，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，於圖14A～圖14K所示之各構成中，將雙接點型之2層間之TSV157及共享接點型之2層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該等TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖14A～圖14G所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於第9構成例中，由於藉由TSV157a使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由TSV157b、157c使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖14A～圖14G所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖14F所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖14G所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，於圖14A～圖14K所示之各構成中，於圖示之例中，TSV157b係與單側電極接觸，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，TSV157b亦可以與兩側電極接觸之方式構成。於TSV157b以與兩側電極接觸之方式構成之情形時，該TSV157b具有作為構成電極接合構造159之通孔之功能。 (4-10.第10構成例) 圖15A～圖15G係表示本實施形態之第10構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖15A～圖15G所示之構成。 圖15A所示之固體攝像裝置11a具有雙接點型及埋入型之2層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之3層間之TSV157b、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖15A所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖10A所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖15B所示之固體攝像裝置11b係對應於相對於圖15A所示之固體攝像裝置11a，變更了藉由TSV157a而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖15B所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖15C所示之固體攝像裝置11c具有雙接點型及埋入型之2層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之3層間之TSV157b、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第1基板110A及該第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖15C所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖15C所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線、第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線、及第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖15D所示之固體攝像裝置11d係對應於相對於圖15B所示之固體攝像裝置11b，變更了埋入焊墊構造，並且變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖15D所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。又，於圖15D所示之構成中，藉由TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖15E所示之固體攝像裝置11e係對應於相對於圖15D所示之固體攝像裝置11d，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖15E所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖15F所示之固體攝像裝置11f係對應於相對於圖15E所示之固體攝像裝置11e，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入型之引出焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖15G所示之固體攝像裝置11g係對應於相對於圖15F所示之固體攝像裝置11f，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，於圖15A～圖15G所示之各構成中，將雙接點型之2層間之TSV157及共享接點型之3層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該等TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖15A～圖15E所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於該等各構成中，由於藉由一TSV157a使配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由另一TSV157b使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此至少電性連接，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖15A～圖15E所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖15D所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖15E所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，於圖15A～圖15G所示之各構成中，共享接點型及埋入型之3層間之TSV157係自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，但本實施形態並不限定於該例。該TSV157亦可自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成。 又，共享接點型之3層間之TSV157只要將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之至少任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 (4-11.第11構成例) 圖16A～圖16G係表示本實施形態之第11構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖16A～圖16G所示之構成。 圖16A所示之固體攝像裝置12a具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157、針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153a)、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153b)作為連接構造。TSV157係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖16A所示之構成中，藉由該TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由2個埋入焊墊構造，可將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖16B所示之固體攝像裝置12b係對應於相對於圖16A所示之固體攝像裝置12a，變更了TSV157之構造者。具體而言，於圖16B所示之構成中，TSV157係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖16B所示之構成中，藉由該TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖16C所示之固體攝像裝置12c係對應於相對於圖16A所示之固體攝像裝置12a，變更了TSV157之構造者。具體而言，於圖16C所示之構成中，TSV157係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖16C所示之構成中，藉由該TSV157而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖16D所示之固體攝像裝置12d係對應於相對於圖16A所示之固體攝像裝置12a，變更了埋入焊墊構造者。具體而言，於圖16D所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第1基板110A之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第1基板110A之多層配線層105內之特定配線的引出線開口部155a、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)、及針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。再者，於圖16D所示之構成中係由引出線開口部155a、155b共有1個焊墊151。 圖16E所示之固體攝像裝置12e係對應於相對於圖16D所示之固體攝像裝置12d，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖16E所示之構成中，取代針對第1基板110A之非埋入型之引出焊墊構造、及針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第2基板110B之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155a、及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)、及針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155b、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。再者，於圖16E所示之構成中係由引出線開口部155a、155b共有1個焊墊151。 圖16F所示之固體攝像裝置12f係對應於相對於圖16E所示之固體攝像裝置12e，將埋入型之TSV157變更為非埋入型之TSV且設置TSV兼用引出線開口部155a、155b，並且設置針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155c，藉此，取代TSV157及針對第2基板110B及第3基板110C之引出焊墊構造，而設置有使用了該TSV兼用引出線開口部155a、155b及該引出線開口部155c之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、該引出線開口部155c、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)者。再者，於圖16F所示之構成中係由TSV兼用引出線開口部155a、155b及引出線開口部155c共有1個焊墊151。 圖16G所示之固體攝像裝置12g係對應於相對於圖16F所示之固體攝像裝置12f，取代非埋入型之引出焊墊構造而設置有埋入型之引出焊墊構造者。再者，於圖16G所示之構成中係由TSV兼用引出線開口部155a、155b及引出線開口部155c共有1個焊墊151。 再者，於圖16A～圖16G所示之各構成中，將雙接點型之3層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖16A～圖16D所示之各構成中，於圖示之例中，對第1基板110A及第2基板110B設置有焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，由於藉由TSV157使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而具備未藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之第1基板110A及第2基板110B、或第2基板110B及第3基板110C亦可設置焊墊151，以便將信號線及電源線電性連接。即，於圖16A～圖16D所示之各構成中，亦可取代圖示之焊墊151之構成例而對第2基板110B及第3基板110C設置焊墊151。同樣地，於圖16E所示之構成中，於圖示之例中係對第2基板110B及第3基板110C設置有焊墊151，但亦可取代此而對第1基板110A及第2基板110B設置焊墊151。 又，於圖16D及圖16E所示之各構成中，於圖示之例中係由引出線開口部155a、155b共有1個焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，亦可對2個引出線開口部155a、155b分別設置1個焊墊151。於此情形時，構成2個引出線開口部155a、155b之包含導電材料之膜能以相互隔絕之方式(即，以兩者成為非導通之方式)，於第1基板110A之背面側之面上延伸設置。 又，於圖16F及圖16G所示之各構成中，於圖示之例中係由TSV兼用引出線開口部155a、155b及引出線開口部155c共有1個焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，亦可對TSV兼用引出線開口部155a、155b(即，對TSV157)、及引出線開口部155c分別設置1個焊墊151。於此情形時，構成TSV兼用引出線開口部155a、155b之包含導電材料之膜與構成引出線開口部155c之包含導電材料之膜能以相互隔絕之方式(即，以兩者成為非導通之方式)，於第1基板110A之背面側之面上延伸設置。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖16D所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖16E所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，雙接點型之3層間之TSV157只要根據其形成之方向，將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 (4-12.第12構成例) 圖17A～圖17J係表示本實施形態之第12構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖17A～圖17J所示之構成。 圖17A所示之固體攝像裝置13a具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、雙接點型及埋入型之2層間之TSV157b、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖17A所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖17A所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。 圖17B所示之固體攝像裝置13b係對應於相對於圖17A所示之固體攝像裝置13a，變更了藉由TSV157a、157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖17B所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，於圖17B所示之構成中，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖17C所示之固體攝像裝置13c具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、雙接點型及埋入型之2層間之TSV157b、針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153a)、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153b)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖17C所示之構成中，藉由該TSV157a而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖17C所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由2個埋入焊墊構造，可將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖17D所示之固體攝像裝置13d係對應於相對於圖17B所示之固體攝像裝置13b，變更了TSV157b之構造者。具體而言，於圖17D所示之構成中，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖17D所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖17E所示之固體攝像裝置13e係對應於相對於圖17B所示之固體攝像裝置13b，變更了埋入焊墊構造者。具體而言，於圖17E所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖17F所示之固體攝像裝置13f係對應於相對於圖17E所示之固體攝像裝置13e，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖17F所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖17G所示之固體攝像裝置13g係對應於相對於圖17B所示之固體攝像裝置13b，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖17H所示之固體攝像裝置13h係對應於相對於圖17D所示之固體攝像裝置13d，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖17I所示之固體攝像裝置13i係對應於相對於圖17G所示之固體攝像裝置13g，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖17J所示之固體攝像裝置13j係對應於相對於圖17H所示之固體攝像裝置13h，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，於圖17A～圖17J所示之各構成中，將雙接點型之2層間及3層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該等TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖17C所示之構成中，於圖示之例中，對第1基板110A及第2基板110B設置有焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該構成中，由於藉由TSV157a、157b使第2基板110B及第3基板110C之各者所具備之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而具備未藉由該TSV157a、157b而電性連接之信號線及電源線之第1基板110A及第2基板110B、或第1基板110A及第3基板110C亦可設置焊墊151，以便將信號線及電源線電性連接。即，於圖17C所示之各構成中，亦可取代圖示之焊墊151之構成例而對第1基板110A及第3基板110C設置焊墊151。 又，於圖17A、圖17B及圖17D～圖17F所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於該等各構成中，由於藉由一TSV157a使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由另一TSV157b使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖17A、圖17B及圖17D～圖17F所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖17E所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖17F所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，雙接點型之3層間之TSV157只要根據其形成之方向，將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，藉由該TSV157而電性連接之基板可任意地變更。 (4-13.第13構成例) 圖18A～圖18G係表示本實施形態之第13構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖18A～圖18G所示之構成。 圖18A所示之固體攝像裝置14a具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、157b、針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153a)、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153b)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖18A所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖18A所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由2個埋入焊墊構造，可將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖18B所示之固體攝像裝置14b係對應於相對於圖18A所示之固體攝像裝置14a，變更了藉由TSV157a而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖18B所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖18C所示之固體攝像裝置14c係對應於相對於圖18B所示之固體攝像裝置14b，變更了埋入焊墊構造，並且變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖18C所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置針對第1基板110A之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第1基板110A之多層配線層105內之特定配線的引出線開口部155a、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)、及針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。再者，於圖18C所示之構成中係由引出線開口部155a、155b共有1個焊墊151。又，於圖18C所示之構成中，藉由TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖18D所示之固體攝像裝置14d係對應於相對於圖18C所示之固體攝像裝置14c，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖18D所示之構成中，取代針對第1基板110A及第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第2基板110B之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155a、及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)、及針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155b、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。再者，於圖18D所示之構成中係由引出線開口部155a、155b共有1個焊墊151。 圖18E所示之固體攝像裝置14e係對應於相對於圖18D所示之固體攝像裝置14d，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV且設置TSV兼用引出線開口部155a、155b，並且設置針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155c，藉此，取代TSV157a以及針對第2基板110B及第3基板110C之引出焊墊構造，而設置有使用了該TSV兼用引出線開口部155a、155b、及該引出線開口部155c之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、該引出線開口部155c、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)者。再者，於圖18E所示之構成中係由TSV兼用引出線開口部155a、155b及引出線開口部155c共有1個焊墊151。 圖18F所示之固體攝像裝置14f係對應於相對於圖18E所示之固體攝像裝置14e，取代非埋入型之引出焊墊構造而設置有埋入型之引出焊墊構造者。再者，於圖18F所示之構成中係由TSV兼用引出線開口部155a、155b及引出線開口部155c共有1個焊墊151。 圖18G所示之固體攝像裝置14g具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、157b、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖18G所示之構成中，藉由該TSV157a而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖18G所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 再者，於圖18A～圖18G所示之各構成中，將雙接點型之3層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖18A～圖18C所示之各構成中，於圖示之例中，對第1基板110A及第2基板110B設置有焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，由於藉由TSV157使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而具備未藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之第1基板110A及第2基板110B、或第2基板110B及第3基板110C亦可設置焊墊151，以便將信號線及電源線電性連接。即，於圖18A～圖18C所示之各構成中，亦可取代圖示之焊墊151之構成例而對第2基板110B及第3基板110C設置焊墊151。同樣地，於圖18D所示之構成中，於圖示之例中係對第2基板110B及第3基板110C設置有焊墊151，但亦可取代此而對第1基板110A及第2基板110B設置焊墊151 又，於圖18G所示之構成中，供設置焊墊151之基板並不限定於圖示之例(第2基板110B)。於該構成中，由於藉由一TSV157a使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由另一TSV157b使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖18G所示之構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於圖18C及圖18D所示之各構成中，於圖示之例中係由引出線開口部155a、155b共有1個焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，亦可對2個引出線開口部155a、155b分別設置1個焊墊151。於此情形時，構成2個引出線開口部155a、155b之包含導電材料之膜能以相互隔絕之方式(即，以兩者成為非導通之方式)，於第1基板110A之背面側之面上延伸設置。 又，於圖18E及圖18F所示之各構成中，於圖示之例中係由TSV兼用引出線開口部155a、155b及引出線開口部155c共有1個焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，亦可對TSV兼用引出線開口部155a、155b(即，對TSV157)、及引出線開口部155c分別設置1個焊墊151。於此情形時，構成TSV兼用引出線開口部155a、155b之包含導電材料之膜與構成引出線開口部155c之包含導電材料之膜能以相互隔絕之方式(即，以兩者成為非導通之方式)，於第1基板110A之背面側之面上延伸設置。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖18C所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖18D所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，雙接點型之3層間之TSV157只要根據其形成之方向，將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，藉由該TSV157而將信號線及電源線電性連接之基板可任意地變更。 (4-14.第14構成例) 圖19A～圖19K係表示本實施形態之第14構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖19A～圖19K所示之構成。 圖19A所示之固體攝像裝置15a具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之2層間之TSV157b、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖19A所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖19A所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。 圖19B所示之固體攝像裝置15b係對應於相對於圖19A所示之固體攝像裝置15a，變更了藉由TSV157a、TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖19B所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖19C所示之固體攝像裝置15c具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之2層間之TSV157b、針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153a)、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153b)作為連接構造。 TSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖19C所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖19C所示之構成中，TSV157a之一通孔係與TSV157b之上端接觸，另一通孔係與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線接觸。即，TSV157a係以將TSV157b與第3基板110C之多層配線層135內之特定配線電性連接之方式形成。進而，藉由TSV157a，將第3基板110C之多層配線層135內之特定配線與藉由TSV157b而電性連接之第2基板110B之多層配線層125內之特定配線及第3基板110C之多層配線層135內之特定配線電性連接。 又，藉由2個埋入焊墊構造，可將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖19D所示之固體攝像裝置15d係對應於相對於圖19C所示之固體攝像裝置15c，變更了TSV157a之構造者。具體而言，於上述圖19C所示之構成中，TSV157a係以將TSV157b與第3基板110C之多層配線層135內之特定配線電性連接之方式設置，但於圖19D所示之構成中，TSV157a係以將第2基板110B之多層配線層125內之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之特定配線電性連接之方式設置。於圖19D所示之構成中，藉由該TSV157a而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖19E所示之固體攝像裝置15e係對應於相對於圖19B所示之固體攝像裝置15b，變更了TSV157b之構造者。具體而言，於圖19E所示之構成中，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖19E所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖19F所示之固體攝像裝置15f係對應於相對於圖19B所示之固體攝像裝置15b，變更了埋入焊墊構造者。具體而言，於圖19F所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖19G所示之固體攝像裝置15g係對應於相對於圖19F所示之固體攝像裝置15f，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖19G所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖19H所示之固體攝像裝置15h係對應於相對於圖19B所示之固體攝像裝置15b，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖19I所示之固體攝像裝置15i係對應於相對於圖19E所示之固體攝像裝置15e，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖19J所示之固體攝像裝置15j係對應於相對於圖19H所示之固體攝像裝置15h，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖19K所示之固體攝像裝置15k係對應於相對於圖19I所示之固體攝像裝置15i，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，於圖19A～圖19K所示之各構成中，將雙接點型之3層間之TSV157及共享接點型之2層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該等TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖19C及圖19D所示之各構成中，於圖示之例中，對第1基板110A及第2基板110B設置有焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，由於藉由TSV157a、157b使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而未藉由該TSV157a、157b將信號線及電源線電性連接之第1基板110A及第2基板110B、或第1基板110A及第3基板110C亦可設置焊墊151，以便將信號線及電源線電性連接。即，於圖19C及圖19D所示之各構成中，亦可取代圖示之焊墊151之構成例而對第1基板110A及第3基板110C設置焊墊151。 又，於圖19A、圖19B及圖19E～圖19G所示之各構成中，供設置焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於該等各構成中，由於藉由一TSV157a使配備於第1基板110A及第3基板110C各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由另一TSV157b使配備於第2基板110B及第3基板110C各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故亦可不設置作為連接構造之焊墊151。因此，例如，於圖19A、圖19B及圖19E～圖19G所示之構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於供設置引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖19F所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖19G所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，雙接點型之3層間之TSV157只要根據其形成之方向，將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任意2個基板各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接即可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 (4-15.第15構成例) 圖20A～圖20G係表示本實施形態之第15構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖20A～圖20G所示之構成。 圖20A所示之固體攝像裝置16a具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之3層間之TSV157b、針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153a)、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153b)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖20A所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖20A所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第2金屬配線層之特定配線、與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由2個埋入焊墊構造，可將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖20B所示之固體攝像裝置16b係對應於相對於圖20A所示之固體攝像裝置16a，變更了藉由TSV157a而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖20B所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖20C所示之固體攝像裝置16c係對應於相對於圖20B所示之固體攝像裝置16b，變更了埋入焊墊構造，並且變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖20C所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第1基板110A之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第1基板110A之多層配線層105內之特定配線的引出線開口部155a、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)、及針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。再者，於圖20C所示之構成中係由引出線開口部155a、155b共有1個焊墊151。又，於圖20C所示之構成中，藉由TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖20D所示之固體攝像裝置16d係對應於相對於圖20C所示之固體攝像裝置16c，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖20D所示之構成中，取代針對第1基板110A及第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第2基板110B之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155a、及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)、及針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155b、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。再者，於圖20D所示之構成中係由引出線開口部155a、155b共有1個焊墊151。 圖20E所示之固體攝像裝置16e係對應於相對於圖20D所示之固體攝像裝置16d，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV且設置TSV兼用引出線開口部155a、155b，並且設置針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155c，藉此，取代TSV157a以及針對第2基板110B及第3基板110C之引出焊墊構造，而設置有使用了該TSV兼用引出線開口部155a、155b及該引出線開口部155c之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、該引出線開口部155c、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)者。再者，於圖20E所示之構成中係由TSV兼用引出線開口部155a、155b及引出線開口部155c共有1個焊墊151。 圖20F所示之固體攝像裝置16f係對應於相對於圖20E所示之固體攝像裝置16e，取代非埋入型之引出焊墊構造而設置有埋入型之引出焊墊構造者。再者，於圖20F所示之構成中係由TSV兼用引出線開口部155a、155b及引出線開口部155c共有1個焊墊151。 圖20G所示之固體攝像裝置16g具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之3層間之TSV157b、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖20G所示之構成中，藉由該TSV157a而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖20G所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線、第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線、及第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 再者，於圖20A～圖20G所示之各構成中，將雙接點型之3層間之TSV157及共享接點型之3層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該等TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖20A～圖20C所示之各構成中，於圖示之例中，對第1基板110A及第2基板110B設置有焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，由於藉由TSV157a、157b使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而具備未藉由該等TSV157a、157b電性連接之信號線及電源線之第1基板110A及第2基板110B、或第2基板110B及第3基板110C亦可設置焊墊151，以便將信號線及電源線電性連接。即，於圖20A～圖20C所示之各構成中，亦可取代圖示之焊墊151之構成例而對第2基板110B及第3基板110C設置焊墊151。同樣地，於圖20D所示之構成中，於圖示之例中係對第2基板110B及第3基板110C設置有焊墊151，但亦可取代此而對第1基板110A及第2基板110B設置焊墊151 又，於圖20G所示之構成中，供設置焊墊151之基板並不限定於圖示之例(第2基板110B)。於該構成中，由於藉由一TSV157a使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由另一TSV157b使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此至少電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖20G所示之構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於圖20C及圖20D所示之各構成中，於圖示之例中係由引出線開口部155a、155b共有1個焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，亦可對2個引出線開口部155a、155b分別設置1個焊墊151。於此情形時，構成2個引出線開口部155a、155b之包含導電材料之膜能以相互隔絕之方式(即，以兩者成為非導通之方式)，於第1基板110A之背面側之面上延伸設置。 又，於圖20E及圖20F所示之各構成中，於圖示之例中係由TSV兼用引出線開口部155a、155b及引出線開口部155c共有1個焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，亦可對TSV兼用引出線開口部155a、155b(即，對TSV157)、及引出線開口部155c分別設置1個焊墊151。於此情形時，構成TSV兼用引出線開口部155a、155b之包含導電材料之膜與構成引出線開口部155c之包含導電材料之膜能以相互隔絕之方式(即，以兩者成為非導通之方式)，於第1基板110A之背面側之面上延伸設置。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖20C所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖20D所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，雙接點型之3層間之TSV157只要根據其形成之方向，將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 又，共享接點型之3層間之TSV157只要將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之至少任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 (4-16.第16構成例) 圖21A～圖21M係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖21A～圖21M所示之構成。 圖21A所示之固體攝像裝置17a具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖21A所示之構成中，藉由該TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖21B所示之固體攝像裝置17b係對應於相對於圖21A所示之固體攝像裝置17a，變更了藉由TSV157而電性連接之構成者。具體而言，於圖21B所示之構成中，藉由TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖21C所示之固體攝像裝置17c係對應於相對於圖21A所示之固體攝像裝置17a，變更了藉由TSV157而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖21C所示之構成中，藉由該TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖21D所示之固體攝像裝置17d係對應於相對於圖21C所示之固體攝像裝置17c，變更了藉由TSV157而電性連接之構成者。具體而言，於圖21D所示之構成中，藉由TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖21E所示之固體攝像裝置17e具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153a)、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153b)作為連接構造。 TSV157係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖21E所示之構成中，藉由該TSV157而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。又，藉由2個埋入焊墊構造，可將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖21F所示之固體攝像裝置17f係對應於相對於圖21C所示之固體攝像裝置17c，變更了埋入焊墊構造者。具體而言，於圖21F所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖21G所示之固體攝像裝置17g係對應於相對於圖21F所示之固體攝像裝置17f，變更了藉由TSV157而電性連接之構成者。具體而言，於圖21G所示之構成中，藉由TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖21H所示之固體攝像裝置17h係對應於相對於圖21F所示之固體攝像裝置17f，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖21H所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖21I所示之固體攝像裝置17i係對應於相對於圖21H所示之固體攝像裝置17h，變更了藉由TSV157而電性連接之構成者。具體而言，於圖21I所示之構成中，藉由TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖21J所示之固體攝像裝置17j係對應於相對於圖21C所示之固體攝像裝置17c，將埋入型之TSV157變更為非埋入型之TSV，藉此，取代該TSV157及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖21K所示之固體攝像裝置17k係對應於相對於圖21D所示之固體攝像裝置17d，將埋入型之TSV157變更為非埋入型之TSV，藉此，取代該TSV157及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖21L所示之固體攝像裝置17l係對應於相對於圖21J所示之固體攝像裝置17j，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖21M所示之固體攝像裝置17m係對應於相對於圖21K所示之固體攝像裝置17k，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，於圖21A～圖21M所示之各構成中，將雙接點型之3層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖21E所示之構成中，於圖示之例中，對第1基板110A及第2基板110B設置有焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該構成中，由於藉由TSV157及電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而具備未藉由該TSV157及該電極接合構造159電性連接之信號線及電源線之第1基板110A及第2基板110B、或第1基板110A及第3基板110C亦可設置焊墊151，以便將信號線及電源線電性連接。即，於圖21E所示之構成中，亦可取代圖示之焊墊151之構成例而對第1基板110A及第3基板110C設置焊墊151。 又，於圖21A～圖21D及圖21F～圖21I所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於該等各構成中，由於藉由TSV157使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖21A～圖21D及圖21F～圖21I所示之構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖21F及圖21G所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖21H及圖21I所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，於圖21B、圖21D、圖21G、圖21I、圖21K及圖21M所示之各構成中，TSV157及TSV兼用引出線開口部155a、155b係與單側電極接觸，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，TSV157及TSV兼用引出線開口部155a、155b亦可以與兩側電極接觸之方式構成。於TSV157及TSV兼用引出線開口部155a、155b以與兩側電極接觸之方式構成之情形時，該TSV157及TSV兼用引出線開口部155a、155b具有作為構成電極接合構造159之通孔之功能。 又，雙接點型之3層間之TSV157只要根據其形成之方向，將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 (4-17.第17構成例) 圖22A～圖22M係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖22A～圖22M所示之構成。 圖22A所示之固體攝像裝置18a具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、雙接點型及埋入型之2層間之TSV157b、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖22A所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖22A所示之構成中，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖22B所示之固體攝像裝置18b係對應於相對於圖22A所示之固體攝像裝置18a，變更了藉由TSV157a、157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖22B所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，於圖22B所示之構成中，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖22C所示之固體攝像裝置18c係對應於相對於圖22A所示之固體攝像裝置18a，變更了藉由TSV157a、157b而電性連接之構成者。具體而言，於圖22C所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。又，於圖22C所示之構成中，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖22D所示之固體攝像裝置18d係對應於相對於圖22C所示之固體攝像裝置18c，變更了第2基板110B之多層配線層125之構成及第3基板110C之多層配線層135之構成者。具體而言，於上述圖22C所示之構成中，多層配線層125及多層配線層135任一者均以第1金屬配線層與第2金屬配線層混合之方式構成，但於圖22D所示之構成中，多層配線層125及多層配線層135任一者均僅由第1金屬配線層構成。又，於圖22D所示之構成中，使第2基板110B之多層配線層125之構成變更，伴隨於此，對於圖22C所示之固體攝像裝置18c，亦使藉由TSV157b而電性連接之配線之種類變更。具體而言，於圖22D所示之構成中，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖22E所示之固體攝像裝置18e具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、雙接點型及埋入型之2層間之TSV157b、針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153a)、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153b)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖22E所示之構成中，藉由該TSV157a而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖22E所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由2個埋入焊墊構造，可將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖22F所示之固體攝像裝置18f係對應於相對於圖22E所示之固體攝像裝置18e，變更了藉由TSV157a、157b而電性連接之構成者。具體而言，於圖22F所示之構成中，藉由TSV157a而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。又，於圖22F所示之構成中，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖22G所示之固體攝像裝置18g係對應於相對於圖22B所示之固體攝像裝置18b，變更了TSV157b之構造者。具體而言，於圖22G所示之構成中，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖22G所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖22H所示之固體攝像裝置18h係對應於相對於圖22B所示之固體攝像裝置18b，變更了埋入焊墊構造者。具體而言，於圖22H所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖22I所示之固體攝像裝置18i係對應於相對於圖22H所示之固體攝像裝置18h，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖22I所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖22J所示之固體攝像裝置18j係對應於相對於圖22B所示之固體攝像裝置18b，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖22K所示之固體攝像裝置18k係對應於相對於圖22G所示之固體攝像裝置18g，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖22L所示之固體攝像裝置18l係對應於相對於圖22J所示之固體攝像裝置18j，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖22M所示之固體攝像裝置18m係對應於相對於圖22K所示之固體攝像裝置18k，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，於圖22A～圖22M所示之各構成中，將雙接點型之2層間及3層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該等TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖22E及圖22F所示之構成中，於圖示之例中，對第1基板110A及第2基板110B設置有焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，由於藉由TSV157a、157b及電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而具備未藉由該TSV157a、157b及該電極接合構造159電性連接之信號線及電源線之第1基板110A及第2基板110B、或第1基板110A及第3基板110C亦可設置焊墊151，以便將信號線及電源線電性連接。即，於圖22E及圖22F所示之各構成中，亦可取代圖示之焊墊151之構成例而對第1基板110A及第3基板110C設置焊墊151。 又，於圖22A～圖22D及圖22G～圖22I所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於該等各構成中，由於藉由TSV157a使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由TSV157b及電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖22A～圖22D及圖22G～圖22I所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖22H所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖22I所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，於圖22C、圖22D及圖22F所示之各構成中，TSV157a係與單側電極接觸，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，TSV157a亦可以與兩側電極接觸之方式構成。於TSV157a以與兩側電極接觸之方式構成之情形時，該TSV157a具有作為構成電極接合構造159之通孔之功能。 又，雙接點型之3層間之TSV157只要根據其形成之方向，將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 (4-18.第18構成例) 圖23A～圖23K係表示本實施形態之第18構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖23A～圖23K所示之構成。 圖23A所示之固體攝像裝置19a具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、157b、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖23A所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖23A所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖23B所示之固體攝像裝置19b係對應於相對於圖23A所示之固體攝像裝置19a，變更了藉由TSV157a而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖23B所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖23C所示之固體攝像裝置19c係對應於相對於圖23B所示之固體攝像裝置19b，變更了藉由TSV157a而電性連接之構成者。具體而言，於圖23C所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖23D所示之固體攝像裝置19d係對應於相對於圖23B所示之固體攝像裝置19b，變更了埋入焊墊構造，並且變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖23D所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。又，於圖23D所示之構成中，藉由TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖23E所示之固體攝像裝置19e係對應於相對於圖23D所示之固體攝像裝置19d，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖23E所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖23F所示之固體攝像裝置19f係對應於相對於圖23B所示之固體攝像裝置19b，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。又，於圖23F所示之固體攝像裝置19f係對應於相對於圖23B所示之固體攝像裝置19b，進一步變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖23F所示之構成中，藉由TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖23G所示之固體攝像裝置19g係對應於相對於圖23C所示之固體攝像裝置19c，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。又，於圖23G所示之固體攝像裝置19g係對應於相對於圖23C所示之固體攝像裝置19c，進一步變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖23G所示之構成中，藉由TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖23H所示之固體攝像裝置19h係對應於相對於圖23F所示之固體攝像裝置19f，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖23I所示之固體攝像裝置19i係對應於相對於圖23G所示之固體攝像裝置19g，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖23J所示之固體攝像裝置19j具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、157b、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖23J所示之構成中，藉由該TSV157a而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖23J所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖23K所示之固體攝像裝置19k係對應於相對於圖23J所示之固體攝像裝置19j，變更了藉由TSV157a而電性連接之構成者。具體而言，於圖23K所示之構成中，藉由TSV157a而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 再者，於圖23A～圖23K所示之各構成中，將雙接點型之3層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖23A～圖23E、圖23J及圖23K所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於該等各構成中，由於藉由TSV157b使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖23A～圖23E、圖23J及圖23K所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖23D所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖23E所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，於圖23C、圖23G、圖23I及圖23K所示之各構成中，TSV157a及TSV兼用引出線開口部155a、155b係與單側電極接觸，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，TSV157a及TSV兼用引出線開口部155a、155b亦可以與兩側電極接觸之方式構成。於TSV157a及TSV兼用引出線開口部155a、155b以與兩側電極接觸之方式構成之情形時，該TSV157a及TSV兼用引出線開口部155a、155b具有作為構成電極接合構造159之通孔之功能。 又，雙接點型之3層間之TSV157只要根據其形成之方向，將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 (4-19.第19構成例) 圖24A～圖24M係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖24A～圖24M所示之構成。 圖24A所示之固體攝像裝置20a具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之2層間之TSV157b、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖24A所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖24A所示之構成中，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖24B所示之固體攝像裝置20b係對應於相對於圖24A所示之固體攝像裝置20a，變更了藉由TSV157a、157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖24B所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，於圖24B所示之構成中，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖24C所示之固體攝像裝置20c係對應於相對於圖24A所示之固體攝像裝置20a，變更了藉由TSV157a、157b而電性連接之構成者。具體而言，於圖24C所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。又，於圖24C所示之構成中，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖24D所示之固體攝像裝置20d係對應於相對於圖24C所示之固體攝像裝置20c，變更了第2基板110B之多層配線層125之構成及第3基板110C之多層配線層135之構成者。具體而言，於上述圖24C所示之構成中，多層配線層125及多層配線層135任一者均以第1金屬配線層與第2金屬配線層混合之方式構成，但於圖24D所示之構成中，多層配線層125及多層配線層135任一者均僅由第1金屬配線層構成。又，於圖24D所示之構成中，使第2基板110B之多層配線層125之構成變更，伴隨於此，對於圖24C所示之固體攝像裝置20c，亦使藉由TSV157b而電性連接之配線之種類變更。具體而言，於圖24D所示之構成中，藉由TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖24E所示之固體攝像裝置20e具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之2層間之TSV157b、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153a)、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153b)作為連接構造。 TSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖24E所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖24E所示之構成中，TSV157a之一通孔係與TSV157b之上端接觸，另一通孔係與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極接觸。即，TSV157a係以將TSV157b與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接之方式形成。進而，藉由TSV157a，將第3基板110C之多層配線層135內之單側電極與藉由TSV157b而電性連接之第2基板110B之多層配線層125內之特定配線及第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 又，藉由2個埋入焊墊構造，可將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖24F所示之固體攝像裝置20f具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之2層間之TSV157b、針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153a)、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、及使該焊墊151露出之焊墊開口部153b)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖24F所示之構成中，藉由該TSV157a而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第2基板110B之正面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖24F所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。又，藉由2個埋入焊墊構造，可將配備於第1基板110A及第2基板110B之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖24G所示之固體攝像裝置20g係對應於相對於圖24A所示之固體攝像裝置20a，變更了TSV157b之構造者。具體而言，於圖24G所示之構成中，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖24G所示之構成中，藉由該TSV157b而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖24H所示之固體攝像裝置20h係對應於相對於圖24B所示之固體攝像裝置20b，變更了埋入焊墊構造者。具體而言，於圖24H所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖24I所示之固體攝像裝置20i係對應於相對於圖24H所示之固體攝像裝置20h，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖24I所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖24J所示之固體攝像裝置20j係對應於相對於圖24B所示之固體攝像裝置20b，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。 圖24K所示之固體攝像裝置20k係對應於相對於圖24J所示之固體攝像裝置20j，變更了TSV157之構造者。具體而言，於圖24K所示之構成中，TSV157TSVb係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第2基板110B形成，且將配備於該第2基板110B及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖24K所示之構成中，藉由該TSV157而將第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖24L所示之固體攝像裝置20l係對應於相對於圖24J所示之固體攝像裝置20j，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖24M所示之固體攝像裝置20m係對應於相對於圖24K所示之固體攝像裝置20k，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 再者，於圖24A～圖24M所示之各構成中，將雙接點型之3層間之TSV157及共享接點型之2層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該等TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖24E及圖24F所示之構成中，於圖示之例中，對第1基板110A及第2基板110B設置有焊墊151，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，由於藉由TSV157a、157b及電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而具備未藉由該TSV157a、157b及該電極接合構造159電性連接之信號線及電源線之第1基板110A及第2基板110B、或第1基板110A及第3基板110C亦可設置焊墊151，以便將信號線及電源線電性連接。即，於圖24E及圖24F所示之各構成中，亦可取代圖示之焊墊151之構成例而對第1基板110A及第3基板110C設置焊墊151。 又，於圖24A～圖24D及圖24G～圖24I所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於該等各構成中，由於藉由TSV157a使配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由TSV157b及電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖24A～圖24D及圖24G～圖24I所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖24H所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖24I所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，於圖24C、圖24D、圖24E及圖24F所示之各構成中，TSV157a、157b係與單側電極接觸，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，TSV157a、157b亦可以與兩側電極接觸之方式構成。於TSV157a、157b以與兩側電極接觸之方式構成之情形時，該TSV157a、157b具有作為構成電極接合構造159之通孔之功能。 又，雙接點型之3層間之TSV157只要根據其形成之方向，將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 (4-20.第20構成例) 圖25A～圖25K係表示本實施形態之第20構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。本實施形態之固體攝像裝置可具有圖25A～圖25K所示之構成。 圖25A所示之固體攝像裝置21a具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之3層間之TSV157b、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第1基板110A之埋入焊墊構造(即，設置於第1基板110A之多層配線層105內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於該第1基板110A及該第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖25A所示之構成中，藉由該TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第2金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖25A所示之構成中，藉由該TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由電極接合構造159使配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖25B所示之固體攝像裝置21b係對應於相對於圖25A所示之固體攝像裝置21a，變更了藉由TSV157a而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖25B所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖25C所示之固體攝像裝置21c係對應於相對於圖25B所示之固體攝像裝置21b，變更了藉由TSV157a而電性連接之構成者。具體而言，於圖25C所示之構成中，藉由TSV157a而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 圖25D所示之固體攝像裝置21d係對應於相對於圖25B所示之固體攝像裝置21b，變更了埋入焊墊構造，並且變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖25D所示之構成中，取代埋入焊墊構造而設置有針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造(即，針對第2基板110B之多層配線層125內之特定配線的引出線開口部155、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。又，於圖25D所示之構成中，藉由TSV157b而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖25E所示之固體攝像裝置21e係對應於相對於圖25D所示之固體攝像裝置21d，變更了引出焊墊構造之構成者。具體而言，於圖25E所示之構成中，取代針對第2基板110B之非埋入型之引出焊墊構造，而設置針對第3基板110C之埋入型之引出焊墊構造(即，針對第3基板110C之多層配線層135內之特定配線的引出線開口部155、以及於第1基板110A之背面側之面上埋入至絕緣膜109而形成之焊墊151)。 圖25F所示之固體攝像裝置21f係對應於相對於圖25B所示之固體攝像裝置21b，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。又，圖25F所示之固體攝像裝置21f係對應於相對於圖25B所示之固體攝像裝置21b，進一步變更了藉由TSV157b而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖25F所示之構成中，藉由TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖25G所示之固體攝像裝置21g係對應於相對於圖25C所示之固體攝像裝置21c，將埋入型之TSV157a變更為非埋入型之TSV，藉此取代該TSV157a及埋入焊墊構造而設置有使用了TSV兼用引出線開口部155a、155b之非埋入型之引出焊墊構造(即，該TSV兼用引出線開口部155a、155b、以及第1基板110A之背面側之面上之焊墊151)。又，圖25G所示之固體攝像裝置21g係對應於相對於圖25C所示之固體攝像裝置21c，進一步變更了藉由TSV157而電性連接之配線之種類者。具體而言，於圖25G所示之構成中，藉由TSV157而將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。 圖25H所示之固體攝像裝置21h係對應於相對於圖25F所示之固體攝像裝置21f，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖25I所示之固體攝像裝置21i係對應於相對於圖25G所示之固體攝像裝置21g，將與TSV兼用引出線開口部155a、155b相關之非埋入型之引出焊墊構造變更為埋入型之引出焊墊構造者。 圖25J所示之固體攝像裝置21j具有雙接點型及埋入型之3層間之TSV157a、共享接點型及埋入型之3層間之TSV157b、設置於第2基板110B與第3基板110C之間之電極接合構造159、及針對第2基板110B之埋入焊墊構造(即，設置於第2基板110B之多層配線層125內之焊墊151、以及使該焊墊151露出之焊墊開口部153)作為連接構造。 TSV157a係以如下方式設置，即，自第1基板110A之背面側朝向第3基板110C形成，且將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖25J所示之構成中，藉由該TSV157a將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，TSV157b係以如下方式設置，即，自第3基板110C之背面側朝向第1基板110A形成，且將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。於圖25J所示之構成中，藉由該TSV157b將第1基板110A之多層配線層105內之第1金屬配線層之特定配線、第2基板110B之多層配線層125內之第1金屬配線層之特定配線、及第3基板110C之多層配線層135內之第1金屬配線層之特定配線電性連接。又，藉由電極接合構造159將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接。 圖25K所示之固體攝像裝置21k係對應於相對於圖25J所示之固體攝像裝置21j，變更了藉由TSV157a而電性連接之構成者。具體而言，於圖25K所示之構成中，藉由TSV157a將第2基板110B之多層配線層125內之第2金屬配線層之特定配線與第3基板110C之多層配線層135內之單側電極電性連接。 再者，於圖25A～圖25K所示之各構成中，將雙接點型之3層間之TSV157及共享接點型之3層間之TSV157連接之配線之種類並無限定。該等TSV157既可連接於第1金屬配線層之特定配線，亦可連接於第2金屬配線層之特定配線。又，各多層配線層105、125、135既可僅由第1金屬配線層構成，亦可僅由第2金屬配線層構成，還可以該兩者混合存在之方式構成。 又，於圖25A～圖25E、圖25J及圖25K所示之各構成中，設置有焊墊151之基板並不限定於圖示之例。於該等各構成中，由於藉由TSV157b將配備於第1基板110A及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，藉由電極接合構造159將配備於第2基板110B及第3基板110C之各者之信號線彼此及電源線彼此電性連接，故而作為連接構造之焊墊151亦可不予設置。因此，例如，於圖25A～圖25E、圖25J及圖25K所示之各構成中，為了擷取所期望之信號，焊墊151可設置於任意之基板110A、110B、110C。 又，於設置有引出焊墊構造之情形時，該引出焊墊構造既可為非埋入型，亦可為埋入型。例如，於圖25D所示之構成中，亦可取代非埋入型之引出焊墊構造而設置埋入型之引出焊墊構造。又，例如，於圖25E所示之構成中，亦可取代埋入型之引出焊墊構造而設置非埋入型之引出焊墊構造。 又，於圖25C、圖25G、圖25I及圖25K所示之各構成中，TSV157a及TSV兼用引出線開口部155a、155b係與單側電極接觸，但本實施形態並不限定於該例。於該等各構成中，TSV157a及TSV兼用引出線開口部155a、155b亦可以與兩側電極接觸之方式構成。於TSV157a及TSV兼用引出線開口部155a、155b以與兩側電極接觸之方式構成之情形時，該TSV157a及TSV兼用引出線開口部155a、155b具有作為構成電極接合構造159之通孔之功能。 又，雙接點型之3層間之TSV157只要根據其形成之方向，將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 又，共享接點型之3層間之TSV157只要將配備於第1基板110A、第2基板110B及第3基板110C中之至少任意2個基板之各者的信號線彼此及電源線彼此電性連接便可，具備藉由該TSV157而電性連接之信號線及電源線之基板可任意地變更。 (4-21.總結) 以上，對本實施形態之固體攝像裝置之若干個構成例進行了說明。 再者，於以上所說明之各構成例中之第2～第4構成例、第7～第10構成例、第12～第14構成例及第17～第20構成例中，能以於第3基板110C之背面側使上端露出之方式形成TSV157。可使如此露出之TSV157之上端作為用以將固體攝像裝置與外部電性連接之電極發揮功能。例如，亦可於該TSV157之露出之上端設置焊料凸塊等，經由該焊料凸塊等而將固體攝像裝置與外部之機器電性連接。 又，關於以上所說明之各構成例，於對各基板110A、110B、110C設置焊墊151時，亦可應用埋入焊墊構造或引出焊墊構造之任一構造。又，關於引出焊墊構造，亦可應用非埋入型之引出焊墊構造或埋入型之引出焊墊構造之任一構造。 (5.應用例) (對電子機器之運用) 對以上所說明之本實施形態之固體攝像裝置1～21k之應用例進行說明。此處，對可應用固體攝像裝置1～21k之電子機器之若干個示例進行說明。 圖26A係表示作為可應用本實施形態之固體攝像裝置1～21k之電子機器之一例的智慧型手機之外觀之圖。如圖26A所示，智慧型手機901具有：操作部903，其包含按鈕且受理使用者之操作輸入；顯示部905，其顯示各種資訊；及攝像部(未圖示)，其設置於殼體內，且對觀察對象進行電子攝影。該攝像部可包含固體攝像裝置1～21k。 圖26B及圖26C係表示作為可應用本實施形態之固體攝像裝置1～21k之電子機器之另一例的數位相機之外觀之圖。圖26B係表示自前方(被攝體側)觀看數位相機911而得之外觀，圖26C係表示自後方觀看數位相機911而得之外觀。如圖26B及圖26C所示，數位相機911具有：本體部(相機主體)913；更換式之透鏡單元915；把持部917，其於攝影時由使用者把持；顯示器919，其顯示各種資訊；EVF(Electronic ViewFinder，電子取景器)921，其顯示於攝影時由使用者觀察到之實時取景；及攝像部(未圖示)，其設置於殼體內，且對觀察對象進行電子攝影。該攝像部可包含固體攝像裝置1～21k。 以上，對可應用本實施形態之固體攝像裝置1～21k之電子機器之若干個示例進行了說明。再者，可應用固體攝像裝置1～21k之電子機器並不限定於上文所例示者，該固體攝像裝置1～21k可應用作為攝錄影機、眼鏡型之可攜帶裝置(wearable device)、HMD(Head Mounted Display，頭戴式顯示器)、平板PC(Personal Computer，個人電腦)、或遊戲機器等所有搭載於電子機器之攝像部。 (對固體攝像裝置之其他構造之運用) 再者，本發明之技術亦可應用於圖27A所示之固體攝像裝置。圖27A係表示可應用本發明之技術之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 於固體攝像裝置中，PD(光電二極體)20019接收自半導體基板20018之背面(圖中上表面)側入射之入射光20001。於PD20019之上方，設置有平坦化膜20013、CF(彩色濾光片)20012及微透鏡20011，利用受光面20017接收依序經由各部而入射之入射光20001，並進行光電轉換。 例如，PD20019之n型半導體區域20020形成為儲存電荷(電子)之電荷儲存區域。於PD20019中，n型半導體區域20020設置於半導體基板20018之p型半導體區域20016、20041之內部。於n型半導體區域20020之半導體基板20018之正面(下表面)側，設置有雜質濃度較背面(上表面)側高之p型半導體區域20041。即，PD20019成為HAD(Hole-Accumulation Diode，空穴堆積二極體)構造，於n型半導體區域20020之上表面側與下表面側之各界面，為了抑制產生暗電流，而形成有p型半導體區域20016、20041。 於半導體基板20018之內部，設置有將複數個像素20010之間電性分離之像素分離部20030，於由該像素分離部20030劃分之區域設置有PD20019。圖中，於自上表面側觀察固體攝像裝置之情形時，像素分離部20030例如以介於複數個像素20010之間之方式形成為格子狀，PD20019係形成於由該像素分離部20030劃分出之區域內。 於各PD20019中，使陽極接地，於固體攝像裝置中，PD20019所儲存之信號電荷(例如電子)係經由未圖示之傳送Tr(MOS FET(Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應電晶體))等而被讀出，且作為電信號而被輸出至未圖示之VSL(Vertical Signal Line，垂直信號線)。 配線層20050係設置於半導體基板20018中之與設置有遮光膜20014、CF20012及微透鏡20011等各部之背面(上表面)為相反側之正面(下表面)。 配線層20050包含配線20051及絕緣層20052，且以於絕緣層20052內，配線20051與各元件電性連接之方式形成。配線層20050成為所謂之多層配線之層，且係將構成絕緣層20052之層間絕緣膜與配線20051交替地積層複數次而形成。此處，作為配線20051，對傳送Tr等用以自PD20019讀出電荷之Tr之配線或VSL等各配線係介隔絕緣層20052而積層。 於配線層20050之相對於設置有PD20019之側為相反側之面，設置有支持基板20061。例如，厚度為數百μm之包含矽半導體之基板被設置作為支持基板20061。 遮光膜20014係設置於半導體基板20018之背面(圖中上表面)之側。 遮光膜20014係以將自半導體基板20018之上方朝向半導體基板20018之背面之入射光20001之一部分遮蔽的方式構成。 遮光膜20014係設置於像素分離部20030之上方，該像素分離部20030設置於半導體基板20018之內部。此處，遮光膜20014係以於半導體基板20018之背面(上表面)上，介隔矽氧化膜等絕緣膜20015呈凸形狀突出之方式設置。與此相對，為了使入射光20001入射至PD20019，於設置於半導體基板20018之內部之PD20019之上方，未設置有遮光膜20014而形成開口。 即，圖中，於自上表面側觀察固體攝像裝置之情形時，遮光膜20014之平面形狀成為格子狀，且形成有供入射光20001通過受光面20017之開口。 遮光膜20014係由將光遮蔽之遮光材料形成。例如藉由將鈦(Ti)膜與鎢(W)膜依序積層而形成遮光膜20014。除此以外，遮光膜20014例如可藉由將氮化鈦(TiN)膜與鎢(W)膜依序積層而形成。 遮光膜20014由平坦化膜20013被覆。平坦化膜20013係使用使光透過之絕緣材料而形成。 像素分離部20030具有槽部20031、固定電荷膜20032及絕緣膜20033。 固定電荷膜20032係以於半導體基板20018之背面(上表面)側，覆蓋將複數個像素20010之間劃分之槽部20031之方式形成。 具體而言，固定電荷膜20032係以如下方式設置：將於半導體基板20018中形成於背面(上表面)側之槽部20031之內側之面以固定之厚度被覆。而且，以埋入由該固定電荷膜20032被覆之槽部20031之內部之方式設置有(充填有)絕緣膜20033。 此處，固定電荷膜20032係使用具有負固定電荷之高介電體而形成，以於與半導體基板20018之界面部分形成正電荷(電洞)儲存區域而抑制暗電流之產生。藉由使固定電荷膜20032形成為具有負固定電荷，而利用該負固定電荷對與半導體基板20018之界面施加電場，形成正電荷(電洞)儲存區域。 固定電荷膜20032例如可由氧化鉿膜(HfO2 膜)形成。又，除此以外，固定電荷膜20032例如能以包含鉿、鋯、鋁、鉭、鈦、鎂、釔、鑭系元素等之氧化物中之至少一者之方式形成。 又，本發明之技術亦可應用於圖27B所示之固體攝像裝置。圖27B係表示可應用本發明之技術之固體攝像裝置之概略構成。 固體攝像裝置30001具有攝像部(所謂之像素部)30003、及配置於攝像部30003之周邊之周邊電路即垂直驅動部30004、水平傳送部30005及輸出部30006而構成，該攝像部30003係使複數個像素30002具有規則性地二維排列而得。像素30002包含1個光電轉換元件即光電二極體30021、及複數個像素電晶體(MOS電晶體)Tr1、Tr2、Tr3、Tr4。 光電二極體30021具有藉由光入射進行光電轉換，且儲存由該光電轉換產生之信號電荷之區域。於本例中，複數個像素電晶體具有傳送電晶體Tr1、重設電晶體Tr2、放大電晶體Tr3及選擇電晶體Tr4之4個MOS電晶體。傳送電晶體Tr1係將儲存於光電二極體30021之信號電荷讀出至下述浮動傳播(FD)區域30022之電晶體。重設電晶體Tr2係用以將FD區域30022之電位設定為規定之值之電晶體。放大電晶體Tr3係用以將被讀出至FD區域30022之信號電荷電性放大之電晶體。選擇電晶體Tr4係用以選擇1列像素並將像素信號讀出至垂直信號線30008之電晶體。 再者，雖未圖示，但亦可利用省略了選擇電晶體Tr4之3個電晶體及光電二極體PD構成像素。 於像素30002之電路構成中，傳送電晶體Tr1之源極連接於光電二極體30021，其汲極連接於重設電晶體Tr2之源極。成為傳送電晶體Tr1與重設電晶體Tr2間之電荷-電壓轉換器件之FD區域30022(相當於傳送電晶體之汲極區域及重設電晶體之源極區域)連接於放大電晶體Tr3之閘極。放大電晶體Tr3之源極連接於選擇電晶體Tr4之汲極。重設電晶體Tr2之汲極及放大電晶體Tr3之汲極連接於電源電壓供給部。又，選擇電晶體Tr4之源極連接於垂直信號線30008。 自垂直驅動部30004形成為分別供給共通地施加至排列成1列之像素之重設電晶體Tr2之閘極的列重設信號fRST、共通地施加至該1列像素之傳送電晶體Tr1之閘極之列傳送信號fTRG、及共通地施加至該1列選擇電晶體Tr4之閘極之列選擇信號fSEL。 水平傳送部30005具有連接於各行之垂直信號線30008之放大器或類比/數位轉換器(ADC)、本例中為類比/數位轉換器30009、行選擇電路(開關器件)30007、及水平傳送線(例如包含與資料位元線相同數量之配線之匯流排配線)30010而構成。輸出部30006具有放大器、或類比/數位轉換器及/或信號處理電路、本例中為處理來自水平傳送線30010之輸出之信號處理電路30011、及輸出緩衝器30012而構成。 於該固體攝像裝置30001中，各列之像素30002之信號由各類比/數位轉換器30009進行類比/數位轉換，通過依序選擇之行選擇電路30007而被讀出至水平傳送線30010，且依序水平傳送。被讀出至水平傳送線30010之圖像資料係通過信號處理電路30011自輸出緩衝器30012輸出。 像素3002之通常之動作係最初使傳送電晶體Tr1之閘極與重設電晶體Tr2之閘極為接通狀態而將光電二極體30021之電荷全部排空。然後，使傳送電晶體Tr1之閘極與重設電晶體Tr2之閘極為斷開狀態而進行電荷儲存。其次，於即將讀出光電二極體30021之電荷之前使重設電晶體Tr2之閘極為接通狀態而重設FD區域30022之電位。其後，使重設電晶體Tr2之閘極為斷開狀態且使傳送電晶體Tr1之閘極為接通狀態而將來自光電二極體30021之電荷傳送至FD區域30022。就放大電晶體Tr3而言，接收到對閘極施加有電荷之後將信號電荷電性放大。另一方面，選擇電晶體Tr4自上述即將讀出之前之FD重設時，僅讀出對象像素成為接通狀態，來自該像素內放大電晶體Tr3之經電荷-電壓轉換之圖像信號被讀出至垂直信號線30008。 以上，對可應用本發明之技術之固體攝像裝置之其他構造例進行了說明。 (對相機之應用例) 上述固體攝像裝置例如可應用於數位相機或攝錄影機等相機系統、具有攝像功能之手機、或具備攝像功能之其他機器等電子機器。以下，作為電子機器之一構成例，列舉相機為例進行說明。圖27C係表示可應用本發明之技術之攝錄影機之構成例之說明圖。 該例之相機10000具備：固體攝像裝置10001；光學系統10002，其將入射光引導至固體攝像裝置10001之受光感測器部；快門裝置10003，其設置於固體攝像裝置10001及光學系統10002間；及驅動電路10004，其將固體攝像裝置10001驅動。進而，相機10000具有將固體攝像裝置10001之輸出信號進行處理之信號處理電路10005。 光學系統(光學透鏡)10002係使來自被攝體之圖像光(入射光)於固體攝像裝置10001之攝像面(未圖示)上成像。藉此，於固體攝像裝置10001內，於固定期間內儲存信號電荷。再者，光學系統10002亦可包括包含複數個光學透鏡之光學透鏡群。又，快門裝置10003係控制入射光對固體攝像裝置10001之光照射時間及遮光時間。 驅動電路10004係對固體攝像裝置10001及快門裝置10003供給驅動信號。而且，驅動電路10004係藉由所供給之驅動信號而控制固體攝像裝置10001之對信號處理電路10005之信號輸出動作、及快門裝置10003之快門動作。即，於該例中，藉由自驅動電路10004供給之驅動信號(時點信號)而進行自固體攝像裝置10001向信號處理電路10005之信號傳送動作。 信號處理電路10005係對自固體攝像裝置10001傳送之信號實施各種信號處理。而且，被實施各種信號處理之信號(AV-SIGNAL(Audio/Visual SIGNAL，音頻/視頻信號))被記憶於記憶體等記憶媒體(未圖示)或被輸出至顯示器(未圖示)。 以上，對可應用本發明之技術之相機之一例進行了說明。 (對內視鏡手術系統之應用例) 例如，本發明之技術亦可應用於內視鏡手術系統。 圖27D係表示可應用本發明之技術(本技術)之內視鏡手術系統之概略性構成之一例的圖。 於圖27D中，圖示有手術者(醫生)11131使用內視鏡手術系統11000對病床11133上之患者11132進行手術之情況。如圖示般，內視鏡手術系統11000包含內視鏡11100、氣腹管11111或能量處置器具11112等其他手術器具11110、支持內視鏡11100之支持臂裝置11120、及搭載有用於內視鏡下手術之各種裝置之手推車11200。 內視鏡11100包含：鏡筒11101，其自前端起特定長度之區域被插入至患者11132之體腔內；及相機頭11102，其連接於鏡筒11101之基端。於圖示之例中，圖示有構成為具有硬性之鏡筒11101之所謂之硬性鏡的內視鏡11100，但內視鏡11100亦可構成為具有軟性之鏡筒之所謂之軟性鏡。 於鏡筒11101之前端，設置有供嵌入物鏡之開口部。於內視鏡11100連接有光源裝置11203，由該光源裝置11203產生之光被延伸設置至鏡筒11101之內部之導光件引導至該鏡筒之前端，經由物鏡而朝向患者11132之體腔內之觀察對象照射。再者，內視鏡11100既可為直視鏡，亦可為斜視鏡或側視鏡。 於相機頭11102之內部設置有光學系統及攝像元件，來自觀察對象之反射光(觀察光)係藉由該光學系統而被聚光至該攝像元件。藉由該攝像元件而將觀察光進行光電轉換，產生對應於觀察光之電信號、即對應於觀察像之圖像信號。該圖像信號係作為原始(RAW)資料而被發送至相機控制單元(CCU：Camera Control Unit)11201。 CCU11201包含CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)或GPU(GraphicsProcessingUnit，圖形處理單元)等，且統括地控制內視鏡11100及顯示裝置11202之動作。進而，CCU11201係自相機頭11102接收圖像信號，對該圖像信號實施例如顯影處理(解馬賽克處理)等用以顯示基於該圖像信號之圖像之各種圖像處理。 顯示裝置11202係藉由來自CCU11201之控制，而顯示基於由該CCU11201實施了圖像處理之圖像信號之圖像。 光源裝置11203例如包含LED(light emitting diode，發光二極體)等光源，將對手術部位等進行攝影時之照射光供給至內視鏡11100。 輸入裝置11204係針對內視鏡手術系統11000之輸入介面。使用者可經由輸入裝置11204而對內視鏡手術系統11000進行各種資訊之輸入或指示輸入。例如，使用者係輸入旨在變更內視鏡11100之攝像條件(照射光之種類、倍率及焦點距離等)之指示等。 處置器具控制裝置11205係對用於組織之燒灼、切開或血管之封閉等之能量處置器具11112之驅動進行控制。為了使患者11132之體腔膨脹以確保內視鏡11100之視野及手術者之作業空間，氣腹裝置11206係經由氣腹管11111而對該體腔內送入氣體。記錄器11207係可記錄與手術有關之各種資訊之裝置。印表機11208係能以文本、圖像或曲線圖等各種形式印刷與手術有關之各種資訊之裝置。 再者，對內視鏡11100供給對手術部位進行攝影時之照射光之光源裝置11203例如可包含LED、雷射光源或由該等之組合所構成之白色光源。於藉由RGB(Red green blue，紅綠藍)雷射光源之組合而構成白色光源之情形時，可高精度控制各顏色(各波長)之輸出強度及輸出時點，故而可於光源裝置11203中進行攝像圖像之白平衡之調整。又，於此情形時，亦可藉由分時地對觀察對象照射來自各RGB雷射光源之雷射光，並與該照射時點同步地控制相機頭11102之攝像元件之驅動，而可分時地拍攝對應於各RGB之圖像。根據該方法，即便未於該攝像元件設置彩色濾光片，亦可獲得彩色圖像。 又，光源裝置11203之驅動亦可以每特定時間變更所輸出之光之強度之方式受到控制。與該光之強度之變更時點同步地控制相機頭11102之攝像元件之驅動並分時地獲取圖像，且將該圖像合成，藉此可產生無所謂之發黑(blocked-up shadows)及泛白(blown out highlights)之高動態範圍之圖像。 又，光源裝置5043亦可構成為可供給應對特殊光觀察之特定波長頻帶之光。於特殊光觀察中，例如進行所謂之窄頻帶光觀察(Narrow Band Imaging)，即，利用身體組織之光吸收之波長依存性，照射與通常觀察時之照射光(即白色光)相比頻帶較窄之光，藉此以高對比度對黏膜表層之血管等特定之組織進行攝影。或者，於特殊光觀察中，亦可進行螢光觀察，即，利用藉由照射激發光而產生之螢光獲得圖像。於螢光觀察時，可對身體組織照射激發光並觀察來自該身體組織之螢光(自身螢光觀察)、或將吲哚菁綠(ICG)等試劑局部注射至身體組織並且對該身體組織照射與該試劑之螢光波長對應之激發光而獲得螢光像等。光源裝置11203可構成為能夠供給對應於此種特殊光觀察之窄頻帶光及/或激發光。 圖27E係表示圖27D所示之相機頭11102及CCU11201之功能構成之一例的方塊圖。 相機頭11102具有透鏡單元11401、攝像部11402、驅動部11403、通信部11404及相機頭控制部11405。CCU11201具有通信部11411、圖像處理部11412及控制部11413。相機頭11102與CCU11201可藉由傳輸纜線11400相互進行通信地連接。 透鏡單元11401係設置於與鏡筒11101之連接部之光學系統。自鏡筒11101之前端擷取之觀察光被引導至相機頭11102，且入射至該透鏡單元11401。透鏡單元11401係將包含變焦透鏡及聚焦透鏡之複數個透鏡組合而構成。 構成攝像部11402之攝像元件既可為1個(所謂之單板式)，亦可為複數個(所謂之多板式)。於攝像部11402構成為多板式之情形時，例如亦可利用各攝像元件產生對應於各RGB之圖像信號，藉由將其等合成而獲得彩色圖像。或者，攝像部11402亦可構成為具有用以分別獲取與3D(three dimensional，三維)顯示對應之右眼用及左眼用之圖像信號之1對攝像元件。藉由進行3D顯示，手術者11131可更準確地掌握手術部位之生物組織之深度。再者，於攝像部11402構成為多板式之情形時，亦可對應於各攝像元件而設置複數個系統之透鏡單元11401。 又，攝像部11402亦可未必設置於相機頭11102。例如，攝像部11402亦可於鏡筒11101之內部設置於物鏡之正後方。 驅動部11403包含致動器，且藉由來自相機頭控制部11405之控制而使透鏡單元11401之變焦透鏡及聚焦透鏡沿著光軸移動特定距離。藉此，可適當調整攝像部11402之攝像圖像之倍率及焦點。 通信部11404包含用以於與CCU11201之間收發各種資訊之通信裝置。通信部11404係將自攝像部11402獲得之圖像信號以RAW資料之形式經由傳輸纜線11400而發送至CCU11201。 又，通信部11404係自CCU11201接收用以控制相機頭11102之驅動之控制信號，並供給至相機頭控制部11405。該控制信號例如包含旨在指定攝像圖像之訊框率之資訊、旨在指定攝像時之曝光值之資訊、及/或旨在指定攝像圖像之倍率及焦點之資訊等與攝像條件有關之資訊。 再者，上述訊框率或曝光值、倍率、焦點等攝像條件既可由使用者適當指定，亦可基於所獲取之圖像信號而由CCU11201之控制部11413自動地設定。於後者之情形時，於內視鏡11100搭載有所謂之AE(Auto Exposure，自動曝光)功能、AF(Auto Focus，自動對焦)功能及AWB(Auto White Balance，自動白平衡)功能。 相機頭控制部11405係基於經由通信部11404而接收到之來自CCU11201之控制信號，控制相機頭11102之驅動。 通信部11411包含用以於與相機頭11102之間收發各種資訊之通信裝置。通信部11411係自相機頭11102接收經由傳輸纜線11400而發送之圖像信號。 又，通信部11411係對相機頭11102發送用以控制相機頭11102之驅動之控制信號。圖像信號或控制信號可藉由電通信或光通信等而發送。 圖像處理部11412係對自相機頭11102發送之作為RAW資料之圖像信號實施各種圖像處理。 控制部11413係進行與內視鏡11100之手術部位等之攝像及藉由手術部位等之攝像而獲得之攝像圖像之顯示有關之各種控制。例如，控制部11413係產生用以控制相機頭11102之驅動之控制信號。 又，控制部11413係基於由圖像處理部11412實施了圖像處理之圖像信號，使映現有手術部位等之攝像圖像顯示於顯示裝置11202。此時，控制部11413亦可使用各種圖像辨識技術而辨識攝像圖像內之各種物體。例如，控制部11413可藉由檢測攝像圖像中所包含之物體之邊緣之形狀或顏色等，而辨識鉗子等手術器具、特定活體部位、出血、及能量處置器具11112之使用時之霧氣等。控制部11413亦可於使顯示裝置11202顯示攝像圖像時，使用其辨識結果而使各種手術支援資訊與該手術部位之圖像疊合顯示。藉由疊合顯示手術支援資訊，且對手術者11131進行提示，可減輕手術者11131之負擔，或可供手術者11131確實地進行手術。 連接相機頭11102及CCU11201之傳輸纜線11400係應對電信號之通信之電信號纜線、應對光通信之光纖、或該等之複合纜線。 此處，於圖示之例中，使用傳輸纜線11400利用有線進行了通信，但亦可利用無線進行相機頭11102與CCU11201之間之通信。 以上，對可應用本發明之技術之內視鏡手術系統之一例進行了說明。本發明之技術可應用於以上所說明之構成中之例如相機頭11102之攝像部11402。藉由對攝像部11402應用本發明之技術，可獲得更清晰之手術部位圖像，故而手術者可確實地確認手術部位。 再者，此處，作為一例，對內視鏡手術系統進行了說明，但除此以外，本發明之技術例如亦可應用於顯微鏡手術系統等。 (對移動體之應用例) 例如，本發明之技術亦可設為搭載於汽車、電動汽車、油電混合車、機車、自行車、個人移動工具(Personal Mobility)、飛機、遙控飛機、船舶、機器人等任一種移動體之裝置而實現。 圖27F係表示作為可應用本發明之技術之移動體控制系統之一例的車輛控制系統之概略性之構成例之方塊圖。 車輛控制系統12000具備經由通信網路12001而連接之複數個電子控制單元。於圖27F所示之例中，車輛控制系統12000具備驅動系統制單元12010、車身系統控制單元12020、車外資訊檢測單元12030、車內資訊檢測單元12040及綜合控制單元12050。又，作為綜合控制單元12050之功能構成，圖示有微電腦12051、聲音圖像輸出部12052及車載網路I/F(Interface，介面)12053。 驅動系統制單元12010係按照各種程式而控制與車輛之驅動系統關聯之裝置之動作。例如，驅動系統制單元12010係作為內燃機或驅動用馬達等用以產生車輛之驅動力之驅動力產生裝置、用以將驅動力傳遞至車輪之驅動力傳遞機構、調節車輛之轉向角之轉向機構、及產生車輛之制動力之制動裝置等的控制裝置而發揮功能。 車身系統控制單元12020係按照各種程式而控制裝配於車身之各種裝置之動作。例如，車身系統控制單元12020係作為無鑰進入系統(keyless entry system)、智慧型鑰匙系統、電動車窗裝置、或者頭燈、倒行燈(back lamp)、刹車燈、轉向燈或霧燈等各種燈之控制裝置而發揮功能。於此情形時，可對車身系統控制單元7200輸入自取代鑰匙之手持機發送之電波或各種開關之信號。車身系統控制單元12020係受理該等電波或信號之輸入，而控制車輛之門鎖定裝置、電動車窗裝置及燈等。 車外資訊檢測單元12030係檢測搭載有車輛控制系統12000之車輛之外部之資訊。例如，於車外資訊檢測單元12030連接有攝像部12031。車外資訊檢測單元12030係使攝像部12031拍攝車外之圖像，並且接收所拍攝之圖像。車外資訊檢測單元12030亦可基於所接收到之圖像而進行人、車、障礙物、標識或路面上之文字等之物體檢測處理或距離檢測處理。 攝像部12031係接收光且輸出與該光之受光量相應之電信號之光感測器。攝像部12031可將電信號以圖像之形式輸出，亦可以測距之資訊之形式輸出。又，攝像部12031所接收之光既可為可見光，亦可為紅外線等非可見光。 車內資訊檢測單元12040係檢測車內之資訊。於車內資訊檢測單元12040，例如連接有檢測駕駛者之狀態之駕駛者狀態檢測部7510。駕駛者狀態檢測部12041例如包含對駕駛者進行拍攝之相機，車內資訊檢測單元12040既可基於自駕駛者狀態檢測部12041輸入之檢測資訊而算出駕駛者之疲勞程度或集中程度，亦可判斷駕駛者是否瞌睡。 微電腦12051可基於利用車外資訊檢測單元12030或車內資訊檢測單元12040所獲取之車內外之資訊，而運算驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置之控制目標值，並對驅動系統制單元12010輸出控制指令。例如，微電腦12051可進行協調控制，目的在於實現包含車輛之碰撞避讓或者衝擊緩和、基於車間距離之追隨行駛、車速維持行駛、車輛之碰撞警告、或車輛之路線偏離警告等之ADAS(Advanced Driver Assistance System，先進駕駛輔助系統)之功能。 又，微電腦12051可藉由基於利用車外資訊檢測單元12030或車內資訊檢測單元12040所獲取之車輛之周圍之資訊控制驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置等，而進行目的在於不藉由駕駛者之操作而自主地行駛之自動駕駛等之協調控制。 又，微電腦12051可基於利用車外資訊檢測單元12030所獲取之車外之資訊而對車身系統控制單元12020輸出控制指令。例如，微電腦12051可根據利用車外資訊檢測單元12030所偵測到之先行車或對向車之位置而控制頭燈，進行目的在於謀求將遠光切換為近光等之防眩之協調控制。 聲音圖像輸出部12052係對車輛之搭乘者或車外，向可視覺或聽覺地通知資訊之輸出裝置發送聲音及圖像中之至少一者之輸出信號。於圖27F之例中，作為輸出裝置，例示有音頻揚聲器12061、顯示部12062及儀錶板12063。顯示部12062例如亦可包含內置顯示器及抬頭顯示器中之至少一者。 圖27G係表示攝像部12031之設置位置之例之圖。 於圖27G中，作為攝像部12031，具有攝像部12101、12102、12103、12104、12105。 攝像部12101、12102、12103、12104、12105例如設置於車輛12100之前鼻(front nose)、側鏡、後保險杠(rear bumper)、後門(back door)及車廂內之擋風玻璃之上部等位置。配備於前鼻之攝像部12101及配備於車廂內之擋風玻璃之上部之攝像部12105主要獲取車輛12100之前方之圖像。配備於側鏡之攝像部12102、12103主要獲取車輛12100之側方之圖像。配備於後保險杠或後門之攝像部12104主要獲取車輛12100之後方之圖像。配備於車廂內之擋風玻璃之上部之攝像部12105主要被用於先行車輛、或行人、障礙物、信號燈、交通標識或車道等之檢測。 再者，圖1022中表示攝像部12101至12104之攝影範圍之一例。攝像範圍12111係表示設置於前鼻之攝像部12101之攝像範圍，攝像範圍12112、12113係表示分別設置於側鏡之攝像部12102、12103之攝像範圍，攝像範圍12114係表示設置於後保險杠或後門之攝像部12104之攝像範圍。例如，藉由使利用攝像部12101至12104所拍攝之圖像資料重疊，可獲得自上方觀察車輛12100而得之俯瞰圖像。 攝像部12101至12104中之至少一者亦可具有獲取距離資訊之功能。例如，攝像部12101至12104中之至少一者既可為包含複數個攝像元件之立體相機，亦可為具有相位差檢測用像素之攝像元件。 例如，微電腦12051係基於自攝像部12101至12104獲得之距離資訊，求出與攝像範圍12111至12114內之各立體物相距之距離、及該距離之時間變化(相對於車輛12100之相對速度)，藉此，尤其是可利用處於車輛12100之前進路徑上之最近之立體物，抽選於與車輛12100大致相同之方向上以特定速度(例如0 km/h以上)行駛之立體物作為先行車。進而，微電腦12051可設定在先行車之近前應預先確保之車間距離，而進行自動刹車控制(亦包含追隨停止控制)或自動加速控制(亦包含追隨發動控制)等。如此，可進行目的在於不藉由駕駛者之操作而自主地行駛之自動駕駛等之協調控制。 例如，微電腦12051係基於自攝像部12101至12104獲得之距離資訊，將與立體物相關之立體物資料分類為二輪車、普通車輛、大型車輛、行人、電線桿等其他立體物並進行抽選，而用於障礙物之自動避讓。例如，微電腦12051係將車輛12100之周邊之障礙物識別為車輛12100之駕駛員可視認之障礙物及難以視認之障礙物。而且，微電腦12051係對表示與各障礙物之碰撞之危險度之碰撞風險進行判斷，於碰撞風險為設定值以上且有可能碰撞之狀況時，經由音頻揚聲器12061或顯示部12062而對駕駛員輸出警報，或經由驅動系統制單元12010而進行強制減速或避讓轉向，藉此可進行用於碰撞避讓之駕駛支援。 攝像部12101至12104中之至少一者亦可為檢測紅外線之紅外線相機。例如，微電腦12051可藉由判定攝像部12101至12104之攝像圖像中是否存在行人而辨識行人。該行人之辨識係例如藉由抽選作為紅外線相機之攝像部12101至12104之攝像圖像之特徵點的程序、及對表示物體之輪廓之一系列之特徵點進行圖案匹配處理而判斷是否為行人之程序而進行。當微電腦12051判定攝像部12101至12104之攝像圖像中存在行人，且辨識出行人時，聲音圖像輸出部12052係以於該辨識出之行人疊合顯示用於強調之方形輪廓線之方式控制顯示部12062。又，聲音圖像輸出部12052亦可以將表示行人之圖符等顯示於所期望之位置之方式控制顯示部12062。 以上，對可應用本發明之技術之車輛控制系統之一例進行了說明。本發明之技術可應用於以上所說明之構成中之攝像部12031等。藉由對攝像部12031應用本發明之技術，可獲得更易觀察之攝影圖像，故而可減輕駕駛員之疲勞。又，由於可獲得更易辨識之攝影圖像，故而可提高駕駛支援之精度。 (6.補充) 以上，一面參照隨附圖式，一面對本發明之較佳之實施形態進行了詳細說明，但本發明之技術範圍並不限定於該例。只要為具有本發明之技術領域之通常知識者，便明白可於申請專利範圍中所記載之技術思想之範疇內，想到各種變更例或修正例，關於該等，當然亦理解為屬於本發明之技術範圍。 例如，以上所說明之本實施形態之固體攝像裝置所具有之各構成(例如圖1及圖6A～圖25E所示之固體攝像裝置1～21k所具有之各構成)亦可於可能之範圍內相互組合。如此將各構成組合而構成之固體攝像裝置亦可包含於本實施形態之固體攝像裝置。 又，以上所說明之本實施形態之各固體攝像裝置之構成只不過為本發明之技術之一例。於本發明中，作為其他實施形態，可提供具有以上所說明之實施形態中不包含之各種連接構造之固體攝像裝置。 又，本說明書中所記載之效果僅為說明或例示者而非限定性者。即，本發明之技術可與上述效果一起或取代上述效果，而發揮業者根據本說明書之記載所明確之其他效果。 再者，如下所述之構成亦屬於本發明之技術範圍。 (1) 一種固體攝像裝置， 其係將第1基板、第2基板及第3基板依序積層而構成， 該第1基板具有：第1半導體基板，其形成有將像素排列而得之像素部；及第1多層配線層，其積層於上述第1半導體基板上； 該第2基板具有：第2半導體基板，其形成有具有特定功能之電路；及第2多層配線層，其積層於上述第2半導體基板上； 該第3基板具有：第3半導體基板，其形成有具有特定功能之電路；及第3多層配線層，其積層於上述第3半導體基板上；且 上述第1基板與上述第2基板係以上述第1多層配線層與上述第2多層配線層對向之方式貼合， 用以將上述第1基板、上述第2基板及上述第3基板中之任意兩者電性連接之第1連接構造包含通孔， 上述通孔具有於一貫通孔及另一貫通孔埋入有導電材料之構造、或於該等貫通孔之內壁成膜有導電材料之構造，該一貫通孔係以使上述第1多層配線層、上述第2多層配線層及上述第3多層配線層中之任一者中所包含之第1配線露出之方式設置，該另一貫通孔係以使上述第1多層配線層、上述第2多層配線層及上述第3多層配線層中之除包含上述第1配線之多層配線層以外之任一者中所包含之第2配線露出之方式設置。 (2) 如上述(1)之固體攝像裝置，其 進而具有用以將上述第2基板與上述第3基板電性連接之第2連接構造， 上述第2連接構造包含以使上述第2多層配線層內之特定配線露出之方式自上述第1基板之背面側至少貫通上述第1基板而設置的開口部、及以使上述第3多層配線層內之特定配線露出之方式自上述第1基板之背面側至少貫通上述第1基板及上述第2基板而設置的開口部。 (3) 如上述(2)之固體攝像裝置，其中 藉由上述開口部而露出之上述第2多層配線層內之上述特定配線及上述第3多層配線層內之上述特定配線係作為I/O部而發揮功能之焊墊。 (4) 如上述(2)之固體攝像裝置，其中 於上述第1基板之背面側之面上存在作為I/O部而發揮功能之焊墊， 於上述開口部之內壁成膜有導電材料， 藉由上述導電材料，使藉由上述開口部而露出之上述第2多層配線層內之上述特定配線及上述第3多層配線層內之上述特定配線與上述焊墊電性連接。 (5) 如上述(4)之固體攝像裝置，其中 上述第2多層配線層內之上述特定配線及上述第3多層配線層內之上述特定配線係藉由上述導電材料而與同一上述焊墊電性連接。 (6) 如上述(4)之固體攝像裝置，其中 上述第2多層配線層內之上述特定配線及上述第3多層配線層內之上述特定配線係藉由上述導電材料而分別與不同之上述焊墊電性連接。 (7) 如上述(1)至(6)中任一項之固體攝像裝置，其 進而具有用以將上述第2基板與上述第3基板電性連接之第2連接構造， 上述第2基板與上述第3基板係以上述第2半導體基板與上述第3多層配線層對向之方式貼合， 上述第2連接構造包含自上述第2基板之正面側至少貫通上述第2基板而設置且將上述第2多層配線層內之特定配線與上述第3多層配線層內之特定配線電性連接的通孔、或自上述第3基板之背面側至少貫通上述第3基板而設置且將上述第2多層配線層內之特定配線與上述第3多層配線層內之特定配線電性連接的通孔。 (8) 如上述(7)之固體攝像裝置，其中 與上述第2連接構造相關之上述通孔具有於第1貫通孔及第2貫通孔埋入有導電材料之構造、或於上述第1貫通孔及上述第2貫通孔之內壁成膜有導電材料之構造，該第1貫通孔使上述第2多層配線層內之上述特定配線露出，該第2貫通孔使上述第3多層配線層內之上述特定配線露出且與上述第1貫通孔不同。 (9) 如上述(7)之固體攝像裝置，其中 與上述第2連接構造相關之上述通孔具有於以使上述第2多層配線層內之上述特定配線之一部分露出且使上述第3多層配線層內之上述特定配線露出之方式設置之1個貫通孔、或以使上述第3多層配線層內之上述特定配線之一部分露出且使上述第2多層配線層內之上述特定配線露出之方式設置之1個貫通孔埋入有導電材料之構造、或於上述貫通孔之內壁成膜有導電材料之構造。 (10) 如上述(1)至(9)中任一項之固體攝像裝置，其 進而具有用以將上述第1基板與上述第3基板電性連接之第3連接構造， 上述第2基板與上述第3基板係以上述第2半導體基板與上述第3多層配線層對向之方式貼合， 上述第3連接構造包含自上述第1基板之背面側至少貫通上述第1基板及上述第2基板而設置且將上述第1多層配線層內之特定配線與上述第3多層配線層內之特定配線電性連接的通孔、或自上述第3基板之背面側至少貫通上述第3基板及上述第2基板而設置且將上述第1多層配線層內之特定配線與上述第3多層配線層內之特定配線電性連接的通孔。 (11) 如上述(10)之固體攝像裝置，其中 與上述第3連接構造相關之上述通孔具有於第1貫通孔及第2貫通孔埋入有導電材料之構造、或於上述第1貫通孔及上述第2貫通孔之內壁成膜有導電材料之構造，該第1貫通孔使上述第1多層配線層內之上述特定配線露出，該第2貫通孔使上述第3多層配線層內之上述特定配線露出且與上述第1貫通孔不同。 (12) 如上述(10)之固體攝像裝置，其中 與上述第3連接構造相關之上述通孔具有於以使上述第1多層配線層內之上述特定配線之一部分露出且使上述第3多層配線層內之上述特定配線露出之方式設置之1個貫通孔、或以使上述第3多層配線層內之上述特定配線之一部分露出且使上述第1多層配線層內之上述特定配線露出之方式設置之1個貫通孔埋入有導電材料之構造、或於上述貫通孔之內壁成膜有導電材料之構造。 (13) 如上述(1)至(12)中任一項之固體攝像裝置，其 進而具有用以將上述第2基板與上述第3基板電性連接之第2連接構造， 上述第2連接構造包含電極接合構造，該電極接合構造存在於上述第2基板及上述第3基板之貼合面，且分別形成於上述貼合面之電極彼此以直接接觸之狀態接合。 (14) 如上述(1)至(13)中任一項之固體攝像裝置，其中 上述第2基板及上述第3基板具有邏輯電路及記憶電路中之至少任一者，該邏輯電路執行與上述固體攝像裝置之動作相關之各種信號處理，該記憶電路暫時保持藉由上述第1基板之上述像素之各者而獲取之像素信號。 (15) 一種電子機器， 其具備對觀察對象進行電子攝影之固體攝像裝置， 上述固體攝像裝置係將第1基板、第2基板及第3基板依序積層而構成， 該第1基板具有：第1半導體基板，其形成有將像素排列而得之像素部；及第1多層配線層，其積層於上述第1半導體基板上； 該第2基板具有：第2半導體基板，其形成有具有特定功能之電路；及第2多層配線層，其積層於上述第2半導體基板上； 該第3基板具有：第3半導體基板，其形成有具有特定功能之電路；及第3多層配線層，其積層於上述第3半導體基板上；且 上述第1基板與上述第2基板係以上述第1多層配線層與上述第2多層配線層對向之方式貼合， 用以將上述第1基板、上述第2基板及上述第3基板中之任意兩者電性連接之第1連接構造包含通孔， 上述通孔具有於一貫通孔及另一貫通孔埋入有導電材料之構造、或於該等貫通孔之內壁成膜有導電材料之構造，該一貫通孔係以使上述第1多層配線層、上述第2多層配線層及上述第3多層配線層中之任一者中所包含之第1配線露出之方式設置，該另一貫通孔係以使上述第1多層配線層、上述第2多層配線層及上述第3多層配線層中之除包含上述第1配線之多層配線層以外之任一者中所包含之第2配線露出之方式設置。
1‧‧‧固體攝像裝置1a‧‧‧固體攝像裝置1b‧‧‧固體攝像裝置1c‧‧‧固體攝像裝置2a‧‧‧固體攝像裝置2b‧‧‧固體攝像裝置2c‧‧‧固體攝像裝置2d‧‧‧固體攝像裝置2e‧‧‧固體攝像裝置3a‧‧‧固體攝像裝置3b‧‧‧固體攝像裝置3c‧‧‧固體攝像裝置3d‧‧‧固體攝像裝置3e‧‧‧固體攝像裝置3f‧‧‧固體攝像裝置3g‧‧‧固體攝像裝置3h‧‧‧固體攝像裝置3i‧‧‧固體攝像裝置3j‧‧‧固體攝像裝置3k‧‧‧固體攝像裝置4a‧‧‧固體攝像裝置4b‧‧‧固體攝像裝置4c‧‧‧固體攝像裝置4d‧‧‧固體攝像裝置4e‧‧‧固體攝像裝置4f‧‧‧固體攝像裝置4g‧‧‧固體攝像裝置5a‧‧‧固體攝像裝置5b‧‧‧固體攝像裝置5c‧‧‧固體攝像裝置5d‧‧‧固體攝像裝置5e‧‧‧固體攝像裝置5f‧‧‧固體攝像裝置5g‧‧‧固體攝像裝置5h‧‧‧固體攝像裝置5i‧‧‧固體攝像裝置5j‧‧‧固體攝像裝置5k‧‧‧固體攝像裝置6a‧‧‧固體攝像裝置6b‧‧‧固體攝像裝置6c‧‧‧固體攝像裝置6d‧‧‧固體攝像裝置6e‧‧‧固體攝像裝置6f‧‧‧固體攝像裝置6g‧‧‧固體攝像裝置7a‧‧‧固體攝像裝置7b‧‧‧固體攝像裝置7c‧‧‧固體攝像裝置7d‧‧‧固體攝像裝置7e‧‧‧固體攝像裝置7f‧‧‧固體攝像裝置8a‧‧‧固體攝像裝置8b‧‧‧固體攝像裝置8c‧‧‧固體攝像裝置8d‧‧‧固體攝像裝置8e‧‧‧固體攝像裝置8f‧‧‧固體攝像裝置8g‧‧‧固體攝像裝置8h‧‧‧固體攝像裝置8i‧‧‧固體攝像裝置8j‧‧‧固體攝像裝置8k‧‧‧固體攝像裝置8l‧‧‧固體攝像裝置9a‧‧‧固體攝像裝置9b‧‧‧固體攝像裝置9c‧‧‧固體攝像裝置9d‧‧‧固體攝像裝置9e‧‧‧固體攝像裝置9f‧‧‧固體攝像裝置9g‧‧‧固體攝像裝置9h‧‧‧固體攝像裝置10a‧‧‧固體攝像裝置10b‧‧‧固體攝像裝置10c‧‧‧固體攝像裝置10d‧‧‧固體攝像裝置10e‧‧‧固體攝像裝置10f‧‧‧固體攝像裝置10g‧‧‧固體攝像裝置10h‧‧‧固體攝像裝置10i‧‧‧固體攝像裝置10j‧‧‧固體攝像裝置10k‧‧‧固體攝像裝置11a‧‧‧固體攝像裝置11b‧‧‧固體攝像裝置11c‧‧‧固體攝像裝置11d‧‧‧固體攝像裝置11e‧‧‧固體攝像裝置11f‧‧‧固體攝像裝置11g‧‧‧固體攝像裝置12a‧‧‧固體攝像裝置12b‧‧‧固體攝像裝置12c‧‧‧固體攝像裝置12d‧‧‧固體攝像裝置12e‧‧‧固體攝像裝置12f‧‧‧固體攝像裝置12g‧‧‧固體攝像裝置13a‧‧‧固體攝像裝置13b‧‧‧固體攝像裝置13c‧‧‧固體攝像裝置13d‧‧‧固體攝像裝置13e‧‧‧固體攝像裝置13f‧‧‧固體攝像裝置13g‧‧‧固體攝像裝置13h‧‧‧固體攝像裝置13i‧‧‧固體攝像裝置13j‧‧‧固體攝像裝置14a‧‧‧固體攝像裝置14b‧‧‧固體攝像裝置14c‧‧‧固體攝像裝置14d‧‧‧固體攝像裝置14e‧‧‧固體攝像裝置14f‧‧‧固體攝像裝置14g‧‧‧固體攝像裝置15a‧‧‧固體攝像裝置15b‧‧‧固體攝像裝置15c‧‧‧固體攝像裝置15d‧‧‧固體攝像裝置15e‧‧‧固體攝像裝置15f‧‧‧固體攝像裝置15g‧‧‧固體攝像裝置15h‧‧‧固體攝像裝置15i‧‧‧固體攝像裝置15j‧‧‧固體攝像裝置15k‧‧‧固體攝像裝置16a‧‧‧固體攝像裝置16b‧‧‧固體攝像裝置16c‧‧‧固體攝像裝置16d‧‧‧固體攝像裝置16e‧‧‧固體攝像裝置16f‧‧‧固體攝像裝置16g‧‧‧固體攝像裝置17a‧‧‧固體攝像裝置17b‧‧‧固體攝像裝置17c‧‧‧固體攝像裝置17d‧‧‧固體攝像裝置17e‧‧‧固體攝像裝置17f‧‧‧固體攝像裝置17g‧‧‧固體攝像裝置17h‧‧‧固體攝像裝置17i‧‧‧固體攝像裝置17j‧‧‧固體攝像裝置17k‧‧‧固體攝像裝置17l‧‧‧固體攝像裝置17m‧‧‧固體攝像裝置18a‧‧‧固體攝像裝置18b‧‧‧固體攝像裝置18c‧‧‧固體攝像裝置18d‧‧‧固體攝像裝置18e‧‧‧固體攝像裝置18f‧‧‧固體攝像裝置18g‧‧‧固體攝像裝置18h‧‧‧固體攝像裝置18i‧‧‧固體攝像裝置18j‧‧‧固體攝像裝置18k‧‧‧固體攝像裝置18l‧‧‧固體攝像裝置18m‧‧‧固體攝像裝置19a‧‧‧固體攝像裝置19b‧‧‧固體攝像裝置19c‧‧‧固體攝像裝置19d‧‧‧固體攝像裝置19e‧‧‧固體攝像裝置19f‧‧‧固體攝像裝置19g‧‧‧固體攝像裝置19h‧‧‧固體攝像裝置19i‧‧‧固體攝像裝置19j‧‧‧固體攝像裝置19k‧‧‧固體攝像裝置20a‧‧‧固體攝像裝置20b‧‧‧固體攝像裝置20c‧‧‧固體攝像裝置20d‧‧‧固體攝像裝置20e‧‧‧固體攝像裝置20f‧‧‧固體攝像裝置20g‧‧‧固體攝像裝置20h‧‧‧固體攝像裝置20i‧‧‧固體攝像裝置20j‧‧‧固體攝像裝置20k‧‧‧固體攝像裝置20l‧‧‧固體攝像裝置20m‧‧‧固體攝像裝置21a‧‧‧固體攝像裝置21b‧‧‧固體攝像裝置21c‧‧‧固體攝像裝置21d‧‧‧固體攝像裝置21e‧‧‧固體攝像裝置21f‧‧‧固體攝像裝置21g‧‧‧固體攝像裝置21h‧‧‧固體攝像裝置21i‧‧‧固體攝像裝置21j‧‧‧固體攝像裝置21k‧‧‧固體攝像裝置101‧‧‧半導體基板103‧‧‧絕緣膜105‧‧‧多層配線層107‧‧‧接點109‧‧‧絕緣膜110A‧‧‧第1基板110B‧‧‧第2基板110C‧‧‧第3基板111‧‧‧CF層113‧‧‧ML陣列121‧‧‧半導體基板123‧‧‧絕緣膜125‧‧‧多層配線層127‧‧‧接點129‧‧‧絕緣膜131‧‧‧半導體基板133‧‧‧絕緣膜135‧‧‧多層配線層137‧‧‧接點141‧‧‧第1金屬配線層143‧‧‧第2金屬配線層151‧‧‧焊墊153‧‧‧焊墊開口部153a‧‧‧焊墊開口部153b‧‧‧焊墊開口部153c‧‧‧焊墊開口部155‧‧‧引出線開口部155a‧‧‧引出線開口部155b‧‧‧引出線開口部155c‧‧‧引出線開口部157a‧‧‧TSV157b‧‧‧TSV157c‧‧‧TSV159‧‧‧電極接合構造201‧‧‧連接構造202‧‧‧連接構造203‧‧‧連接構造204‧‧‧連接構造205‧‧‧連接構造206‧‧‧像素部303‧‧‧垂直電源配線(電源配線)304‧‧‧水平電源配線(電源配線)305a‧‧‧垂直GND配線305b‧‧‧垂直GND配線306a‧‧‧水平GND配線306b‧‧‧水平GND配線306c‧‧‧水平GND配線901‧‧‧智慧型手機(電子機器)903‧‧‧操作部905‧‧‧顯示部911‧‧‧數位相機(電子機器)913‧‧‧本體部(相機主體)915‧‧‧更換式之透鏡單元917‧‧‧把持部919‧‧‧顯示器921‧‧‧EVF10000‧‧‧相機10001‧‧‧固體攝像裝置10002‧‧‧光學系統10003‧‧‧快門裝置10004‧‧‧驅動電路10005‧‧‧信號處理電路11000‧‧‧內視鏡手術系統11100‧‧‧內視鏡11101‧‧‧鏡筒11102‧‧‧相機頭11110‧‧‧其他手術器具11111‧‧‧ 氣腹管11112‧‧‧能量處置器具11120‧‧‧支持臂裝置11131‧‧‧手術者(醫生)11132‧‧‧患者11133‧‧‧病床11200‧‧‧手推車11201‧‧‧CCU11202‧‧‧顯示裝置11203‧‧‧光源裝置11204‧‧‧輸入裝置11205‧‧‧處置器具控制裝置11206‧‧‧氣腹裝置11207‧‧‧記錄器11208‧‧‧印表機11400‧‧‧傳輸纜線11401‧‧‧透鏡單元11402‧‧‧攝像部11403‧‧‧驅動部11404‧‧‧通信部11405‧‧‧相機頭控制部11411‧‧‧通信部11412‧‧‧圖像處理部11413‧‧‧控制部12000‧‧‧車輛控制系統12001‧‧‧通信網路12010‧‧‧驅動系統控制單元12020‧‧‧車身系統控制單元12030‧‧‧車外資訊檢測單元12031‧‧‧攝像部12040‧‧‧車內資訊檢測單元12041‧‧‧駕駛者狀態檢測部12050‧‧‧綜合控制單元12051‧‧‧微電腦12052‧‧‧聲音圖像輸出部12053‧‧‧車載網路I/F12061‧‧‧音頻揚聲器12062‧‧‧顯示部12063‧‧‧儀錶板12100‧‧‧車輛12101‧‧‧攝像部12102‧‧‧攝像部12103‧‧‧攝像部12104‧‧‧攝像部12105‧‧‧攝像部12111‧‧‧攝像範圍12112、12113‧‧‧攝像範圍12114‧‧‧攝像範圍20001‧‧‧入射光20010‧‧‧像素20011‧‧‧微透鏡20012‧‧‧CF(彩色濾光片)20013‧‧‧平坦化膜20014‧‧‧遮光膜20015‧‧‧絕緣膜20016、20041‧‧‧p型半導體區域20017‧‧‧受光面20018‧‧‧半導體基板20019‧‧‧PD(光電二極體)20020‧‧‧n型半導體區域20030‧‧‧像素分離部20031‧‧‧槽部20032‧‧‧固定電荷膜20033‧‧‧絕緣膜20050‧‧‧配線層20051‧‧‧配線20052‧‧‧絕緣層20061‧‧‧支持基板30001‧‧‧固體攝像裝置30002‧‧‧像素30003‧‧‧攝像部30004‧‧‧垂直驅動部30005‧‧‧水平傳送部30006‧‧‧輸出部30007‧‧‧行選擇電路(開關器件)30008‧‧‧垂直信號線30009‧‧‧類比/數位轉換器30010‧‧‧水平傳送線30011‧‧‧信號處理電路30012‧‧‧輸出緩衝器30021‧‧‧光電二極體30022‧‧‧浮動傳播(FD)區域Tr1‧‧‧傳送電晶體Tr2‧‧‧重設電晶體Tr3‧‧‧放大電晶體Tr4‧‧‧選擇電晶體fRST‧‧‧列重設信號fTRG‧‧‧列傳送信號x‧‧‧軸y‧‧‧軸z‧‧‧軸
圖1係表示本發明之一實施形態之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖2A係用以對固體攝像裝置中之連接構造之水平面內之配置的一例進行說明之圖。 圖2B係用以對固體攝像裝置中之連接構造之水平面內之配置的一例進行說明之圖。 圖2C係用以對固體攝像裝置中之連接構造之水平面內之配置的另一例進行說明之圖。 圖2D係用以對固體攝像裝置中之連接構造之水平面內之配置的另一例進行說明之圖。 圖2E係用以對固體攝像裝置中之連接構造之水平面內之配置的又一例進行說明之圖。 圖2F係用以對固體攝像裝置中之連接構造之水平面內之配置的又一例進行說明之圖。 圖3A係表示第1基板與第2基板以FtoF之方式貼合之固體攝像裝置之概略構成之縱剖視圖。 圖3B係表示第1基板與第2基板以FtoB之方式貼合之固體攝像裝置之概略構成之縱剖視圖。 圖4A係用以對圖3A所示之固體攝像裝置中之PWELL與電源配線之間之寄生電容進行說明的圖。 圖4B係用以對圖3B所示之固體攝像裝置中之PWELL與電源配線之間之寄生電容進行說明的圖。 圖5A係概略性地表示圖3A所示之固體攝像裝置中之電源配線及GND配線之配置的圖。 圖5B係概略性地表示圖3B所示之固體攝像裝置中之電源配線及GND配線之配置的圖。 圖5C係表示用以使圖5A所示之固體攝像裝置之阻抗降低之一構成例的圖。 圖6A係表示本實施形態之第1構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖6B係表示本實施形態之第1構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖6C係表示本實施形態之第1構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖6D係表示本實施形態之第1構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖6E係表示本實施形態之第1構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖7A係表示本實施形態之第2構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖7B係表示本實施形態之第2構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖7C係表示本實施形態之第2構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖7D係表示本實施形態之第2構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖7E係表示本實施形態之第2構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖7F係表示本實施形態之第2構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖7G係表示本實施形態之第2構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖7H係表示本實施形態之第2構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖7I係表示本實施形態之第2構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖7J係表示本實施形態之第2構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖7K係表示本實施形態之第2構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖8A係表示本實施形態之第3構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖8B係表示本實施形態之第3構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖8C係表示本實施形態之第3構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖8D係表示本實施形態之第3構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖8E係表示本實施形態之第3構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖8F係表示本實施形態之第3構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖8G係表示本實施形態之第3構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖9A係表示本實施形態之第4構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖9B係表示本實施形態之第4構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖9C係表示本實施形態之第4構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖9D係表示本實施形態之第4構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖9E係表示本實施形態之第4構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖9F係表示本實施形態之第4構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖9G係表示本實施形態之第4構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖9H係表示本實施形態之第4構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖9I係表示本實施形態之第4構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖9J係表示本實施形態之第4構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖9K係表示本實施形態之第4構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖10A係表示本實施形態之第5構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖10B係表示本實施形態之第5構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖10C係表示本實施形態之第5構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖10D係表示本實施形態之第5構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖10E係表示本實施形態之第5構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖10F係表示本實施形態之第5構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖10G係表示本實施形態之第5構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖11A係表示本實施形態之第6構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖11B係表示本實施形態之第6構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖11C係表示本實施形態之第6構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖11D係表示本實施形態之第6構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖11E係表示本實施形態之第6構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖11F係表示本實施形態之第6構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖12A係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖12B係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖12C係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖12D係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖12E係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖12F係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖12G係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖12H係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖12I係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖12J係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖12K係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖12L係表示本實施形態之第7構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖13A係表示本實施形態之第8構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖13B係表示本實施形態之第8構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖13C係表示本實施形態之第8構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖13D係表示本實施形態之第8構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖13E係表示本實施形態之第8構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖13F係表示本實施形態之第8構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖13G係表示本實施形態之第8構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖13H係表示本實施形態之第8構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖14A係表示本實施形態之第9構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖14B係表示本實施形態之第9構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖14C係表示本實施形態之第9構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖14D係表示本實施形態之第9構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖14E係表示本實施形態之第9構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖14F係表示本實施形態之第9構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖14G係表示本實施形態之第9構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖14H係表示本實施形態之第9構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖14I係表示本實施形態之第9構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖14J係表示本實施形態之第9構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖14K係表示本實施形態之第9構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖15A係表示本實施形態之第10構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖15B係表示本實施形態之第10構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖15C係表示本實施形態之第10構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖15D係表示本實施形態之第10構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖15E係表示本實施形態之第10構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖15F係表示本實施形態之第10構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖15G係表示本實施形態之第10構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖16A係表示本實施形態之第11構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖16B係表示本實施形態之第11構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖16C係表示本實施形態之第11構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖16D係表示本實施形態之第11構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖16E係表示本實施形態之第11構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖16F係表示本實施形態之第11構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖16G係表示本實施形態之第11構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖17A係表示本實施形態之第12構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖17B係表示本實施形態之第12構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖17C係表示本實施形態之第12構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖17D係表示本實施形態之第12構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖17E係表示本實施形態之第12構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖17F係表示本實施形態之第12構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖17G係表示本實施形態之第12構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖17H係表示本實施形態之第12構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖17I係表示本實施形態之第12構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖17J係表示本實施形態之第12構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖18A係表示本實施形態之第13構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖18B係表示本實施形態之第13構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖18C係表示本實施形態之第13構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖18D係表示本實施形態之第13構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖18E係表示本實施形態之第13構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖18F係表示本實施形態之第13構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖18G係表示本實施形態之第13構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖19A係表示本實施形態之第14構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖19B係表示本實施形態之第14構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖19C係表示本實施形態之第14構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖19D係表示本實施形態之第14構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖19E係表示本實施形態之第14構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖19F係表示本實施形態之第14構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖19G係表示本實施形態之第14構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖19H係表示本實施形態之第14構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖19I係表示本實施形態之第14構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖19J係表示本實施形態之第14構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖19K係表示本實施形態之第14構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖20A係表示本實施形態之第15構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖20B係表示本實施形態之第15構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖20C係表示本實施形態之第15構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖20D係表示本實施形態之第15構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖20E係表示本實施形態之第15構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖20F係表示本實施形態之第15構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖20G係表示本實施形態之第15構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21A係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21B係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21C係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21D係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21E係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21F係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21G係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21H係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21I係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21J係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21K係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21L係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖21M係表示本實施形態之第16構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22A係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22B係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22C係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22D係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22E係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22F係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22G係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22H係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22I係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22J係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22K係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22L係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖22M係表示本實施形態之第17構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖23A係表示本實施形態之第18構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖23B係表示本實施形態之第18構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖23C係表示本實施形態之第18構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖23D係表示本實施形態之第18構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖23E係表示本實施形態之第18構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖23F係表示本實施形態之第18構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖23G係表示本實施形態之第18構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖23H係表示本實施形態之第18構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖23I係表示本實施形態之第18構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖23J係表示本實施形態之第18構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖23K係表示本實施形態之第18構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24A係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24B係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24C係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24D係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24E係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24F係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24G係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24H係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24I係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24J係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24K係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24L係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖24M係表示本實施形態之第19構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖25A係表示本實施形態之第20構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖25B係表示本實施形態之第20構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖25C係表示本實施形態之第20構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖25D係表示本實施形態之第20構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖25E係表示本實施形態之第20構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖25F係表示本實施形態之第20構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖25G係表示本實施形態之第20構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖25H係表示本實施形態之第20構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖25I係表示本實施形態之第20構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖25J係表示本實施形態之第20構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖25K係表示本實施形態之第20構成例之固體攝像裝置之概略構成的縱剖視圖。 圖26A係表示作為可應用本實施形態之固體攝像裝置之電子機器之一例的智慧型手機之外觀之圖。 圖26B係表示作為可應用本實施形態之固體攝像裝置之電子機器之另一例的數位相機之外觀之圖。 圖26C係表示作為可應用本實施形態之固體攝像裝置之電子機器之另一例的數位相機之外觀之圖。 圖27A係表示可應用本發明之技術之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖27B係表示可應用本發明之技術之固體攝像裝置之概略構成的說明圖。 圖27C係表示可應用本發明之技術之攝錄影機之構成例的說明圖。 圖27D係表示內視鏡手術系統之概略性構成之一例之圖。 圖27E係表示相機頭及CCU之功能構成之一例之方塊圖。 圖27F係表示車輛控制系統之概略性構成之一例之方塊圖。 圖27G係表示車外資訊檢測部及攝像部之設置位置之一例之說明圖。
1‧‧‧固體攝像裝置
101‧‧‧半導體基板
103‧‧‧絕緣膜
105‧‧‧多層配線層
107‧‧‧接點
109‧‧‧絕緣膜
110A‧‧‧第1基板
110B‧‧‧第2基板
110C‧‧‧第3基板
111‧‧‧CF層
113‧‧‧ML陣列
121‧‧‧半導體基板
123‧‧‧絕緣膜
125‧‧‧多層配線層
127‧‧‧接點
129‧‧‧絕緣膜
131‧‧‧半導體基板
133‧‧‧絕緣膜
135‧‧‧多層配線層
137‧‧‧接點
141‧‧‧第1金屬配線層
143‧‧‧第2金屬配線層
151‧‧‧焊墊
153a‧‧‧焊墊開口部
153b‧‧‧焊墊開口部
157‧‧‧TSV
x‧‧‧軸
y‧‧‧軸
z‧‧‧軸

Claims (13)

  1. 一種固體攝像裝置，其包含：第1構造，其具有：第1半導體基板，其包含具有像素之像素部；及第1多層配線層，其積層於上述第1半導體基板上；第2構造，其具有：第2半導體基板，其包含第1電路；及第2多層配線層，其積層於上述第2半導體基板上；第3構造，其具有：第3半導體基板，其包含第2電路；及第3多層配線層，其積層於上述第3半導體基板上；且上述第1構造、上述第2構造及上述第3構造積層，上述第1構造與上述第2構造貼合，以使上述第1多層配線層與上述第2多層配線層對向；第1連接構造，其包含第1通孔，上述第1連接構造將上述第1構造及上述第2構造彼此電性連接；且上述第1通孔具有於第1貫通孔及第2貫通孔中包含導電材料之構造，上述第1貫通孔係以使上述第1多層配線層中所含之第1配線露出之方式設置，上述第2貫通孔係以使上述第2多層配線層中所含之第2配線露出之方式設置；及第2連接構造，其包含第2通孔，上述第2連接構造將上述第1構造與上述第3構造彼此電性連接；且上述第2通孔具有於第3貫通孔及第4貫通孔中包含有導電材料之構造，上述第3貫通孔係以使上述第1多層配線層所包含之第3配線露出之方式設置，上述第4貫通孔係以使上述第3多層配線層中所含 之第4配線露出之方式設置。
  2. 如請求項1之固體攝像裝置，其進而具有用以將上述第2構造與上述第3構造電性連接之第3連接構造，上述第3連接構造包含以使上述第2多層配線層內之第5配線露出之方式自上述第1構造之背面側至少貫通上述第1構造而設置的第1開口部、及以使上述第3多層配線層內之第6配線露出之方式自上述第1構造之背面側至少貫通上述第1構造及上述第2構造而設置的第2開口部。
  3. 如請求項2之固體攝像裝置，其中藉由上述第1開口部而露出之上述第2多層配線層內之上述特定配線及上述第3多層配線層內之上述第5配線及藉由上述第2開口部而露出之上述第3多層配線層內之上述特定第6配線包括作為I/O部而發揮功能之焊墊。
  4. 如請求項2之固體攝像裝置，其中於上述第1構造之背面側之面上存在作為I/O部而發揮功能之焊墊，於上述第1及第2開口部內形成有導電材料，藉由上述第1及第2開口部內之上述導電材料，使藉由上述第1開口部而露出之上述第2多層配線層內之上述第5配線及上述第3多層配線層內之上述第6配線與上述焊墊電性連接。
  5. 如請求項4之固體攝像裝置，其中 上述第2多層配線層內之上述第5配線及上述第3多層配線層內之上述第6配線係藉由上述第1及第2開口部內之上述導電材料而與同一上述焊墊電性連接。
  6. 如請求項4之固體攝像裝置，其中上述第2多層配線層內之上述第5配線及上述第3多層配線層內之上述第6配線係藉由上述第1及第2開口部內之上述導電材料而分別與不同之上述焊墊電性連接。
  7. 如請求項1之固體攝像裝置，其進而具有用以將上述第2構造與上述第3構造電性連接之第3連接構造，上述第2構造與上述第3構造係以使上述第2半導體基板與上述第3多層配線層對向之方式貼合，上述第3連接構造包含自上述第2構造之正面側至少貫通上述第2構造而設置、且將上述第2多層配線層內之第5配線與上述第3多層配線層內之第6配線電性連接的第3通孔，或自上述第3構造之背面側至少貫通上述第3構造而設置、且將上述第2多層配線層內之第5配線與上述第3多層配線層內之第6配線電性連接的第4通孔。
  8. 如請求項7之固體攝像裝置，其中上述第3通孔具有於第5貫通孔及與上述第5貫通孔不同之第6貫通孔中包含導電材料之構造，上述第5貫通孔使上述第2多層配線層內之上述第5配線露出，上述第6貫通孔使上述第3多層配線層內之上述第6配線露 出。
  9. 如請求項7之固體攝像裝置，其中上述第3通孔具有於以使上述第2多層配線層內之上述第5配線之一部分露出且使上述第3多層配線層內之上述第6配線露出之方式設置之上述第5貫通孔中包含導電材料之構造。
  10. 如請求項1之固體攝像裝置，其中上述第2構造與上述第3構造係以使上述第2半導體基板與上述第3多層配線層對向之方式貼合。
  11. 如請求項1之固體攝像裝置，其進而具有用以將上述第2構造與上述第3構造電性連接之第3連接構造，上述第3連接構造包含電極接合構造，該電極接合構造存在於上述第2構造及上述第3構造之貼合面，且分別形成於上述貼合面之電極彼此以直接接觸之狀態接合。
  12. 如請求項1之固體攝像裝置，其中上述第2構造及上述第3構造具有邏輯電路及記憶電路中之至少任一者，上述邏輯電路執行與上述固體攝像裝置之動作相關之各種信號處理，上述記憶電路暫時保持藉由上述第1構造之上述像素各者而取得之像素信號。
  13. 一種電子機器，其具備對觀察對象進行電子攝影之固體攝像裝置，包含：第1構造，其具有：第1半導體基板，其形成有排列有像素之像素部；及第1多層配線層，其積層於上述第1半導體基板上；第2構造，其具有：第2半導體基板，其包含第1電路；及第2多層配線層，其積層於上述第2半導體基板上；第3構造，其具有：第3半導體基板，其包含第2電路；及第3多層配線層，其積層於上述第3半導體基板上；且上述第1構造、上述第2構造及上述第3構造積層，上述第1構造與上述第2構造貼合，以使上述第1多層配線層與上述第2多層配線層對向；第1連接構造，其包含第1通孔，上述第1連接構造上述第1構造及上述第2構造彼此電性連接；且上述第1通孔具有於第1貫通孔及第2貫通孔中包含導電材料之構造，上述第1貫通孔係以使上述第1多層配線層中所含之第1配線露出之方式設置，上述第2貫通孔係以使上述第2多層配線層及中所含之第2配線露出之方式設置；及第2連接構造，其包含第2通孔，上述第2連接構造將上述第1構造與上述第3構造彼此電性連接；且上述第2通孔具有於第3貫通孔及第4貫通孔中包含有導電材料之構造，上述第3貫通孔係以使上述第1多層配線層所包含之第3配線露出之方式設置，上述第4貫通孔係以使上述第3多層配線層中所包含之第4配線露出之方式設置。
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