TWI767476B - 用於氣體放電雷射腔室之底切電極 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種光源設備及一種供用於該光源設備之一放電腔室的電極設計。該放電腔室經組態以保持經組態以輸出一光束之一氣體放電介質。該光源設備包括經組態以激發一氣體介質以形成一放電電漿之一相對電極對。該相對電極對之至少一個電極可包括在該電極之每一末端處或在其他合適位置處的凹進部分或鏤空部分。所揭示電極結構改良該等電極之侵蝕剖面的均一性，藉由運用電極幾何形狀之一最佳化設計再分佈穿過該電極之放電粒子通量而顯著延長該放電腔室之壽命，此係因為在該等凹進部分處減少該局部放電粒子通量。

Description

用於氣體放電雷射腔室之底切電極
本發明係關於諸如準分子雷射器之產生光的雷射系統，且更明確而言係關於用於氣體放電雷射器中之放電電漿的最佳化電極設計。
微影設備為經建構以將所要之圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如，遮罩、倍縮光罩)之圖案投影至設置於基板上之輻射敏感材料(光阻，或簡言之，「抗蝕劑」)層上。
為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵的最小大小。使用具有20至400 nm (例如，193 nm或248 nm)範圍內之波長之深紫外線(DUV)輻射的微影設備可用於形成基板上之特徵。
主控振盪器功率放大器(MOPA)或主控振盪器功率環放大器(MOPRA)為產生高度相干經放大光束之兩級雷射系統。MOPA或MOPRA之效能可關鍵取決於主控振盪器(MO)、功率放大器(PA)及/或功率環放大器(PRA)。MO、PA及/或PRA之電極包圍經激發至放電電漿中的氣體介質。電極可隨時間推移歸因於氣體及電漿之腐蝕性質而被腐蝕。放電強度可沿著電極之長度而不均勻。常常，放電強度在電極之末端處最高，且與長度之其餘部分相比，放電強度亦可在中心處較高。在放電之末端或中間處的相對較高局部放電強度可造成電極上對應位置的增加之侵蝕。因為放電電漿係藉由電極之間的氣體之分解產生，因此電極之不均勻侵蝕可能產生電漿之不佳放電品質且因此需要放電腔室之過早替換。
因此，需要控制電極之侵蝕均一性，其藉此增加電極之壽命。
在一些實施例中，光源設備包括經組態以保持氣體介質之腔室。放電腔室可經組態以輸出光束。光源設備亦可包括經組態以激發氣體成電漿(經由所謂的分解程序)的一相對電極對。在一些實施例中，該相對電極對之至少一個電極包括形成於至少一個電極之每一末端處之凹進部分。
在一些實施例中，該電極對中之每一電極包括朝內面向氣體介質及(在激發之後)電漿的第一表面，及與第一表面相對之第二表面，且至少一個電極之凹進部分在第二表面之每一末端處形成於第二表面內或自該等末端形成於第二表面內部上。
在一些實施例中，至少一個電極包括一主體厚度及朝內面向電漿之一平坦第一表面，且凹進部分包括一底切部分，在該底切部分中該至少一個電極之末端具有小於主體厚度之厚度。
在一些實施例中，該電極對中之至少一個電極包括陽極。
在一些實施例中，該電極對中之至少一個電極包含陰極。
在一些實施例中，該電極對中之每一電極包含形成於每一末端處的凹進部分。
在一些實施例中，該電極對之每一電極包括朝內面向氣體介質及(在激發之後)放電電漿的第一表面及與第一表面相對的第二表面，且至少一個電極之凹進部分形成於第一表面與第二表面之間。
應注意，下文中為描述簡潔起見，氣體介質及由氣體介質形成之放電電漿可共同地稱為氣體放電介質。
在一些實施例中，氣體放電介質包含用以形成準分子及/或激發複合物之鹵素氣體及惰性氣體。
在一些實施例中，光源進一步包括經組態以在腔室周圍形成光共振器之一組光學元件。
在一些實施例中，底切電極包括朝內面向氣體放電介質之第一表面、與第一表面相對之第二表面，及藉由底切至第二表面中或第一表面與第二表面之間(亦即「鏤空」)形成的局部凹進或底切部分。
在一些實施例中，底切電極包括主體厚度及朝內面向氣體放電介質之平坦第一表面，且凹進部分包含在第二表面內之底切部分，其中底切電極之末端具有小於主體厚度之厚度。
在一些實施例中，凹進部分形成於第一表面與第二表面之間。
在一些實施例中，凹進部分包含矩形狀凹槽。
在一些實施例中，凹進部分包含彎曲凹槽。
在一些實施例中，底切電極包含陽極。
在一些實施例中，底切電極包含陰極。
在一些實施例中，一相對電極對經組態以將氣體分解成電漿。該電極對之每一電極包括朝內面向電漿之第一表面及與第一表面相對的第二表面。在一些實施例中，該相對電極對之至少一個電極包括形成於至少一個電極之每一末端處之凹進部分。
在一些實施例中，至少一個電極包括主體厚度且第一表面包含朝內面向氣體放電介質之平坦表面，且其中凹進部分包含其中至少一個電極之末端具有小於主體厚度之厚度的底切部分。
在一些實施例中，凹進部分包含矩形狀凹槽。
在一些實施例中，凹進部分包含彎曲凹槽。
在一些實施例中，該電極對中之每一電極包含形成於每一末端處的凹進部分。
在一些實施例中，光源設備包括經組態以保持氣體放電介質之腔室及經組態以激發氣體放電介質以產生電漿的一相對電極對，該電漿產生輸出光束。在一些實施例中，該相對電極對之至少一個電極包括凹進部分或鏤空部分中之至少一者。
在一些實施例中，該電極對之每一電極包括朝內面向氣體放電介質之第一表面及與第一表面相對的第二表面。至少一個電極可包括凹進部分，其中凹進部分形成於第二表面內。
在一些實施例中，凹進部分可沿著至少一個電極之中心線定位。
在一些實施例中，凹進部分可位於至少一個電極之末端處。
在一些實施例中，凹進部分可自至少一個電極之中心線偏移。
在一些實施例中，凹進部分包括複數個凹進部分。
在一些實施例中，該複數個凹進部分可位於至少一個電極之每一末端處。
在一些實施例中，該電極對之每一電極包括朝內面向氣體放電介質之第一表面及與第一表面相對的第二表面。在一些實施例中，至少一個電極包括鏤空部分，其中鏤空部分形成於第一表面與第二表面之間。
在一些實施例中，鏤空部分沿著至少一個電極之中心線定位。
在一些實施例中，鏤空部分自至少一個電極之中心線偏移。
在一些實施例中，鏤空部分包括複數個鏤空部分。
在一些實施例中，至少一個電極可包括凹進部分及鏤空部分兩者。
在一些實施例中，凹進部分或鏤空部分中之至少一者可填充有非導電材料。
上文所描述的技術中之任一者的實施方案可包括DUV光源、系統、方法、程序、裝置及/或設備。以下隨附圖式及描述中闡述一或多個實施方案之細節。其他特徵將自描述及圖式且自申請專利範圍而顯而易見。
下文參考隨附圖式詳細地描述實施例之另外特徵及例示性態樣以及各種實施例之結構及操作。應注意，實施例不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的來呈現此等實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
本說明書揭示併有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示之實施例僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明由在此隨附之申請專利範圍界定。
所描述之實施例及說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」、「一例示性實施例」等等之參考指示所描述之實施例可包括特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等短語未必指代相同實施例。此外，當結合實施例描述特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
諸如「在...下方」、「下方」、「下部」、「上方」、「在...上」、「上部」及類似者之空間相對術語為易於描述可在本文中用以描述如圖式中所說明一個元件或特徵與另一(些)元件或特徵的關係。除了諸圖中所描繪的定向以外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解譯。
如本文中所使用之術語「約」或「實質上」或「大致」指示可基於特定技術變化之給定量之值。基於特定技術，術語「約」或「實質上」或「大致」可指示在例如值之1%至15% (例如，值之±1%、±2%、±5%、±10%或±15%)內變化之給定量的值。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶裝置；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。此外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅為方便起見，且此等動作事實上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他裝置引起。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的為呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
例示性微影系統
圖1A及圖1B分別為微影設備100及微影設備100'之示意性說明,其中可實施本發明之實施例。微影設備100及微影設備100'各自包括以下各者：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，深紫外線(DUV)輻射)；支撐結構(例如，遮罩台) MT，其經組態以支撐圖案化裝置(例如，遮罩、倍縮光罩或動態圖案化裝置) MA且連接至經組態以準確地定位圖案化裝置MA之第一定位器PM；以及基板台(例如，晶圓台) WT，其經組態以固持基板(例如，光阻塗佈晶圓) W且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW。微影設備100及100'亦具有投影系統PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如包含一或多個晶粒) C上。在微影設備100中，圖案化裝置MA及投影系統PS為反射的。在微影設備100'中，圖案化裝置MA及投影系統PS為透射的。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化裝置MA相對於參考框架之定向、微影設備100及100'中之至少一者之設計及其他條件(諸如圖案化裝置MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為例如框架或台，其可根據需要而固定或可移動。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化裝置MA例如相對於投影系統PS處於所要位置。
應將術語「圖案化裝置」MA廣泛地解譯為參考任何裝置，該裝置可用以在其橫截面中賦予具有圖案之輻射光束B，以便在基板W之目標部分C中產生圖案。賦予至輻射光束B之圖案可對應於裝置中之特定功能層，在目標部分C中產生該功能層以形成積體電路。
圖案化裝置MA可為透射的(如在圖1B之微影設備100'中)或反射的(如在圖1A之微影設備100中)。圖案化裝置MA之實例包括倍縮光罩、遮罩、可程式化鏡面陣列，或可程式化LCD面板。遮罩在微影中已為人所熟知，且包括諸如二元、交替相移或衰減相移之遮罩類型，以及各種混合遮罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由小鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。
術語「投影系統」PS可涵蓋任何類型之投影系統，該任何類型之投影系統包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，如適於所使用之曝光輻射或適於其他因素，諸如基板W上之浸漬液體之使用或真空之使用。真空環境可用於DUV或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
微影設備100及/或微影設備100'可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台WT (及/或兩個或多於兩個遮罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，而將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一些情形下，額外台可不為基板台WT。
微影設備亦可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高的折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如，遮罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1A及圖1B，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源SO為準分子雷射器(例如，主控振盪器功率放大器(MOPA)或主控振盪器功率環放大器(MOPRA))時，源SO及微影設備100、100'可為分開之物理實體。在此情況下，不認為源SO形成微影設備100或100'之部分，且輻射光束B係憑藉包括例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD (在圖1B中)而自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影設備100、100'之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD (在圖1B中)。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作「σ外部」及「σ內部」)。另外，照明器IL可包含各種其他組件(在圖1B中)，諸如積光器IN及集光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要之均勻性及強度分佈。
參看圖1A，輻射光束B入射於固持於支撐結構(例如遮罩台) MT上之圖案化裝置(例如遮罩) MA上，且由該圖案化裝置MA圖案化。在微影設備100中，自圖案化裝置(例如，遮罩) MA反射輻射光束B。在自圖案化裝置(例如，遮罩)MA反射之後，輻射光束B通過投影系統PS，該投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF2 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如，遮罩)MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，遮罩)MA與基板W。
參看圖1B，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，遮罩台MT)上之圖案化裝置(例如，遮罩MA)上，且係由該圖案化裝置圖案化。橫越遮罩MA之後，輻射光束B通過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。投影系統具有光瞳共軛PPU至照明系統光瞳IPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿遮罩圖案而不受到遮罩圖案處之繞射影響，且產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈之圖像。
投影系統PS將遮罩圖案MP之影像MP'投影至塗佈於基板W上之光阻層上，其中影像MP'由繞射光束形成，該等繞射光束自標記圖案MP由來自強度分佈之輻射產生。舉例而言，遮罩圖案MP可包括線及空間陣列。在該陣列處且不同於零階繞射之輻射之繞射生成轉向繞射光束，其在垂直於線的方向上具有方向改變。非繞射光束(亦即，所謂的零階繞射光束)橫穿圖案，而傳播方向無任何改變。零階繞射光束橫穿投影系統PS之在投影系統PS之光瞳共軛PPU上游的上部透鏡或上部透鏡群組，以到達光瞳共軛PPU。在光瞳共軛PPU之平面中且與零階繞射光束相關聯的強度分佈之部分為照明系統IL之照明系統光瞳IPU中之強度分佈之影像。孔徑裝置PD例如在包括投影系統PS之光瞳共軛PPU之平面處或實質上在該平面處安置。
投影系統PS經配置以借助於上部透鏡或上部透鏡群組L1及下部透鏡或下部透鏡群組L2不僅捕捉零階繞射光束，而且捕捉一階繞射光束或一階及高階繞射光束(圖中未示)。在一些實施例中，可使用用於使在垂直於線之方向上延伸之線圖案成像的偶極照明以利用偶極照明之解析度增強效應。舉例而言，一階繞射光束在晶圓W之位階處干涉對應的零階繞射光束，而以最高可能解析度及程序窗(亦即，與可容許曝光劑量偏差結合之可用聚焦深度)產生線圖案MP之影像。在一些實施例中，可藉由在照明系統光瞳IPU之相對象限中提供輻射極(未展示)來減小散光像差。舉例而言，照明系統光瞳IPU處之照明可僅使用兩個相對的照明象限，有時被稱作BMW照明，使得剩餘兩個象限並不用於照明而是經組態以捕捉一階繞射光束。另外，在一些實施例中，可藉由阻擋投影系統之光瞳共軛PPU中之與相對四分體中之輻射極相關聯的零階光束來減小散光像差。
憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未展示)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位遮罩MA (例如在自遮罩庫之機械擷取之後或在掃描期間)。
一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現遮罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，遮罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準遮罩MA與基板W。儘管基板對準標記(如所說明)佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於遮罩MA上之情形中，遮罩對準標記可位於該等晶粒之間。
遮罩台MT及圖案化裝置MA可處於真空腔室V中，其中真空內機器人IVR可用於將諸如遮罩之圖案化裝置移入及移出真空腔室。或者，當遮罩台MT及圖案化裝置MA係在真空腔室外部時，相似於真空內機器人IVR，真空外機器人可用於各種輸送操作。真空內機器人及真空外機器人兩者需要經校準以用於任何有效負載(例如，遮罩)至轉移站之固定運動安裝台的平滑轉移。
微影設備100及100'可用於以下模式中之至少一者中：
1.  在步進模式中，在將賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上(亦即，單次靜態曝光)時，支撐結構(例如，遮罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，以使得可曝光不同目標部分C。
2.  在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，遮罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，遮罩台) MT之速度及方向。
3.  在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，遮罩台) MT保持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之連續輻射脈衝之間視需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如可程式化鏡面陣列)之無遮罩微影。
亦可使用關於所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
在一另外實施例中，微影設備100包括極紫外線(EUV)源，該EUV源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。
可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，處於充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如氫氣)。輻射源SO可為雷射產生電漿(LPP)源、放電產生電漿(DPP)源、自由電子雷射(FEL)、準分子雷射器、主控振盪器功率放大器(MOPA)、主控振盪器功率環放大器(MOPRA)，或能夠產生DUV輻射之任何其他輻射源。例示性光源設備
用於氣體放電雷射器中之放電電漿的電極之不均勻侵蝕限制放電腔室之壽命。可藉由運用電極幾何形狀之最佳化設計在整個電極中再分佈放電強度而顯著改良不均勻侵蝕。本文所揭示的底切及/或鏤空電極減少電極之底切或鏤空區段之位置處的局部放電強度，因此校平侵蝕剖面，並增加放電腔室之壽命。在一些實施例中，本文中所揭示的底切電極減少電極之兩個末端處的局部電漿放電強度以校平侵蝕剖面並增加放電腔室之壽命。
如上文所論述，主控振盪器功率放大器(MOPA)或主控振盪器功率環放大器(MOPRA)為兩級雷射系統。主控振盪器(MO)(例如，第一光共振器級)產生高度相干光束。功率放大器(PA)或功率環放大器(PRA)(例如，第二光共振器級)放大光束功率同時保留光束性質。MO可包括氣體放電腔室、光學耦合器(OC)及線寬窄化模組(LNM)。OC及LNM包圍氣體放電腔室以形成光共振器。PA或PRA可包括第二氣體放電腔室、波前工程箱(WEB)及光束反向器(BR)。WEB及BR可包圍第二氣體放電腔室以形成第二光共振器。舉例而言，先前已於2010年1月5日發佈之美國專利第7,643,528號及2010年10月26日發佈之美國專利第7,822,092號中描述某些MOPA及MOPRA，該等美國專利特此以全文引用之方式併入本文中。
作為MOPA/MOPRA系統或僅僅MO系統之實例，準分子雷射器利用準分子(例如激發二聚物)或激發複合物(例如激發複合物)以輸出深紫外線(DUV)輻射。準分子為由兩個物質(例如，Ar2 、Kr2 、F2 、 Xe2 )形成的半衰期短之均二聚分子。激發複合物為由多於兩種物質(例如，ArF、KrCl、KrF、XeBr、XeCl、XeF)形成之雜二聚分子。包圍藉由分解氣體(例如F2 、ArF、KrF及/或XeF)產生之電漿的MO、PA及/或PRA之電極可隨時間推移而被腐蝕且產生金屬氟化物塵(例如約2.0 μm之平均直徑)。金屬氟化物塵可不合需要地沈降在MO、PA及/或PRA之光學窗上，且可導致光學損壞(例如，局部熱吸附及/或加熱)。此外，金屬氟化物塵在MO中之循環亦可導致電極之放電電壓降低及不佳雷射效能。
在一些實施例中，金屬氟化物捕捉器(MFT)可耦接至MO之腔室且耦接至PA及/或PRA之腔室，以減少氣體放電介質中之污染。
本文所揭示之光源設備及系統之實施例可改良氣體放電強度在電極之整個長度中的均一性，防止電極之不均勻降級，改良經過窗外殼設備之流動分佈的控制，提供高效沖洗而不增加來自金屬氟化物捕捉器之清潔氣體回流速率，減少光學窗上之金屬氟化物起塵並增加金屬氟化物捕捉器及主控振盪器、功率放大器及/或功率環放大器兩者之服務壽命以向例如DUV微影設備提供準分子雷射束(例如DUV輻射)。
圖2說明根據各種例示性實施例之光源設備200。光源設備200可例如向DUV微影設備(例如微影設備100')提供高度相干及對準雷射束(例如雷射束202)。儘管圖2中將光源設備200展示為獨立設備及/或系統，但本發明之實施例可與其他光學系統一起使用，該等其他光學系統諸如但不限於輻射源SO、微影設備100、100'及/或其他光學系統。在一些實施例中，光源設備200可為微影設備100、100'中之輻射源SO。舉例而言，EUV輻射光束B可為雷射束202。在一些實施例中，光源設備200可為由氣體放電級210 (例如，MO)及第二氣體放電級(例如，PA及/或PRA，類似於氣體放電級210)形成之MOPA或MOPRA (圖中未示)。如上文所論述，例如，先前已於2010年1月5日發佈之美國專利第7,643,528號及2010年10月26日發佈之美國專利第7,822,092號中描述某些MOPA及MOPRA，該等美國專利特此以全文引用之方式併入本文中。
如圖2中所展示，光源設備200可包括氣體放電級210、電壓控制系統230、壓力控制系統240。在一些實施例中，所有上文所列舉之組件可容納於三維(3D)框架201中。舉例而言，3D框架201可包括金屬(例如，鋁、鋼等)、陶瓷及/或任何其他適合剛性材料。
氣體放電級210可經組態以輸出高度相干光束(例如，雷射束202)。氣體放電級210可包括放電腔室206、第一光學模組250 (例如，光學耦合器(OC)、波前工程箱(WEB))及第二光學模組260 (例如，線寬窄化模組(LNM)、光束反向器(BR))。在一些實施例中，第一光學模組250可包括第一光共振器元件252，且第二光學模組260可包括第二光共振器元件262。光共振器270可由第一光學模組250 (例如，經由第一光共振器元件252)及第二光學模組260 (例如，經由第二光共振器元件262)界定。第一光共振器元件252可為部分反射性的(例如，局部鏡面)，且第二光共振器元件262可為反射性的(例如，鏡面、光柵等)，以形成光共振器270。光共振器270可導向由放電腔室206產生的光以形成相干雷射束202。在一些實施例中，氣體放電級210可將雷射束202輸出至作為MOPA配置之一部分的PA級(圖中未示)或作為MOPRA配置之一部分的PRA級(圖中未示)。在一些實施例中，氣體放電級210可為例如具有OC及LNM之MO級。在一些實施例中，氣體放電級210可為例如具有WEB及BR之PA級。在一些實施例中，氣體放電級210可為例如具有WEB及BR之PRA級。
如圖2中所展示，放電腔室206可包括腔室本體211、第一窗外殼設備218及第二窗外殼設備220。腔室本體211可經組態以將氣體放電介質213保持在第一窗外殼設備218及第二窗外殼設備220內。如上所述，氣體放電介質213可表示在氣體經分解或激發之前的氣體或氣體介質及/或在氣體被分解或激發時形成的電漿或放電電漿且箭頭指示氣體放電介質213之氣體流動。當氣體被分解及/或激發時，所形成的電漿或放電電漿形成於電漿區215中之電極204a、204b之間。腔室本體211可包括電極204a、204b(統稱為電極204)、風機212、氣體放電介質213、第一窗外殼設備218及第二窗口外殼設備220。在一些實施例中，電極204a可為陰極且電極204b可為陽極，如應由一般熟習此項技術者理解。
放電腔室206可光學耦接至由第一光學模組250及第二光學模組260界定之光共振器270。放電腔室206可經組態以藉由分解腔室本體211中之電極204之間的氣體放電介質213以將氣體介質轉換成電漿放電而輸出經放大自發性發射(ASE)及/或雷射束202。氣體放電介質213可藉由風機212在腔室本體211中之電極204之間循環。在一些實施例中，風機212可為引起氣體流動217的切向風機。
氣體放電介質213可經組態以輸出ASE及/或雷射束202 (例如193 nm)。在一些實施例中，氣體放電介質213可包括用於準分子雷射之氣體(例如，Ar2 、Kr2 、F2 、Xe2 、ArF、KrCl、KrF、XeBr、XeCl、XeF等)。舉例而言，氣體放電介質213可在來自腔室本體211中之周圍電極204的激發(例如經施加電壓)後形成ArF，且經由第一窗外殼設備218及第二窗外殼設備220輸出ASE及/或雷射束202 (例如193 nm)。在一些實施例中，氣體放電介質213可包括用以形成準分子及/或激發複合物之鹵素氣體及惰性氣體。舉例而言，氣體放電介質213可包括F2 、Ar、Kr及/或Xe，從而藉助放電電漿形成ArF、KrF及/或XeF。
在一些實施例中，第一光學模組250可經組態以部分反射光束並形成光共振器270之一部分。舉例而言，先前已於2011年2月8日發佈之美國專利第7,885,309號及2010年1月5日發佈之美國專利第7,643,528號中描述第一光學模組(例如，OC、WEB)，該等美國專利特此以全文引用之方式併入本文中。如圖2中所展示，第一光學模組250可包括第一光共振器元件252以將光(例如ASE及/或雷射束202)自放電腔室206導向回至放電腔室206中及/或輸出雷射束202。在一些實施例中，可調整(例如，傾斜)第一光共振器元件252。
在一些實施例中，第二光學模組260可經組態以提供窄化為光束之光譜線，且形成光共振器270之一部分。如圖2中所展示，第二光學模組260可包括第二光共振器元件262以將光(例如ASE及/或雷射束202)自放電腔室206朝向第一光學模組250導向回至放電腔室206中。在一些實施例中，可調整(例如，傾斜、成角度)第二光共振器元件262。
電壓控制系統230可經組態以在腔室本體211中之電極204上施加高壓電脈衝以放電並激發氣體介質213以輸出ASE及/或雷射束202 (例如193 nm)。電壓控制系統230可包括電壓供應線232。在一些實施例中，電壓控制系統230可包括用於在電極204上提供高電壓電脈衝的高壓電源(圖中未示)、電壓壓縮放大器(圖中未示)、脈衝能量監測器(圖中未示)及/或控制器(圖中未示)。
壓力控制系統240可經組態以控制腔室本體211中之氟濃度並提供氣體放電介質213至腔室本體211。壓力控制系統240可包括氣體放電線242及真空線244。氣體放電線242可經組態以提供氣體放電介質213之一或多個氣體組分(例如Ar、Kr、F2 、Xe等)至腔室本體211。真空線244可經組態以例如在一或多個氣體組分經過氣體放電線242注入至氣體放電介質213期間提供腔室本體211中之氣體放電介質213之一部分的負壓(例如，汲出)。在一些實施例中，氣體放電線242及真空線244經組合為一個氣體線。在一些實施例中，壓力控制系統240可包括一或多個氣體源(圖中未示)、一或多個壓力調節器(圖中未示)、真空泵(圖中未示)、氟(F2 )捕捉器及/或用於控制腔室本體211中之氟濃度及在腔室本體211中再填充氣體放電介質213的控制器(圖中未示)。
圖3至圖13各自說明根據本發明之態樣的一電極對。亦即，圖3至圖13說明電極及電極204a與204b之間的氣體放電介質213之側視圖。舉例而言，如圖3至圖6中所說明，電極204中之每一者(亦即，電極204a及204b)可分別包括第一表面305a、305b (統稱為第一表面305)，其中第一表面305向內面朝氣體放電介質213，該氣體放電介質在由電極204a及204b激發時為電漿。另外，電極中之每一者可分別包括第二表面310a、310b (統稱為第二表面310)，其中第二表面310背對氣體放電介質213。
在一些實施例中，電極204中之一或多者可包括在電極204之每一末端處的凹進部分。具有凹進部分之電極可被稱作底切電極。舉例而言，如圖3中所展示，電極204b可包括在電極204b之每一末端處的凹進部分315。在一些實施例中，電極204b可包括僅僅在電極204b之一個末端處的凹進部分315。如上所述，在一些實施例中，電極204a可為陰極且電極204b為陽極，但在其他實施例中使用其他配置。在一些實施例中，電極204b可具有主體厚度X及朝內面向放電電漿之平坦第一表面，且凹進部分315包含底切部分，使得電極204b之末端具有小於主體厚度X之厚度Y。
在圖4中展示之另一實例中，電極204a可包括在電極204a之每一末端處的凹進部分415。
在圖5中展示之另一實例中，電極204中之兩者可包括在電極204之每一末端處的凹進部分515。在一些實施例中，電極204中之一者或兩者可包括在電極204之僅一個末端處的凹進部分515。
在圖6中展示之另一實例中，電極204可包括在電極204之每一末端處之凹進部分615，其中凹進部分形成於每一電極204之第一表面305與第二表面310之間。儘管在圖6中所示實例將兩個電極說明為具有凹進部分615，但一般熟習此項技術者應理解電極204之任一者或兩者可具有凹進部分615。
雖然圖3至圖6中展示之實例將電極204說明為具有矩形或方形凹進部分，但一般熟習此項技術者應理解此等僅用於說明性目的，且根據本發明之態樣另外涵蓋其他形狀凹進部分。舉例而言，如圖7中所說明，電極204b之凹進部分715可具有圓形邊緣。一般熟習此項技術者應理解電極204a可同樣具有如圖7中所展示之圓形。
在圖8中展示之一個實例中，電極204b可包括形成於第二表面310b內之凹進部分815。在一些實施例中，凹進部分815可沿電極204b之長度居中安置，亦即凹進部分815可沿著電極204b之中心線定位。在一些實施例中，凹進部分815可經局部底切以校平局部侵蝕速率以匹配電極204b之其餘部分。儘管圖8將電極204b展示為具有凹進部分815，但一般熟習此項技術者應理解電極204a可同樣具有根據本發明之態樣的形成於第二表面310a中之凹進部分815。亦即，在一些實施例中，電極204a、204b之任一者或兩者可包括凹進部分815。
在圖9中展示之一個實例中，電極204b可包括形成於第二表面310b內之複數個凹進部分915。在一些實施例中，該複數個凹進部分915可自電極204b之中心線偏移。在一些實施例中，該複數個凹進部分915可經局部底切以校平局部侵蝕速率以匹配電極204b之其餘部分。儘管圖9將電極204b展示為具有該複數個凹進部分915，但一般熟習此項技術者應理解電極204a可同樣具有根據本發明之態樣的該複數個凹進部分915。亦即，在一些實施例中，電極204a、204b之任一者或兩者可包括該複數個凹進部分915。
在圖10中展示之一個實例中，電極204b可包括形成於第二表面310b內之凹進部分1015a與在電極204b之任一末端或兩個末端處的凹進部分1015b的組合。在一些實施例中，凹進部分1015a可沿著電極204b之中心線形成或凹進部分1015a可自中心線偏移。在一些實施例中，凹進部分1015a可經局部底切以校平局部侵蝕速率以匹配電極204b之其餘部分。儘管圖10將電極204b展示為具有凹進部分1015a及凹進部分1015b，但一般熟習此項技術者應理解電極204a可同樣具有根據本發明之態樣的凹進部分1015a及凹進部分1015b。亦即，在一些實施例中，電極204a、204b之任一者或兩者可包括凹進部分1015a及凹進部分1015b。
在圖11中展示之一個實例中，電極204b可包括形成於電極204b之主體內的鏤空部分1115。在一些實施例中，鏤空部分1115可沿著電極204b之中心線形成。在一些實施例中，鏤空部分1115可經局部底切以校平局部侵蝕速率以匹配電極204b之其餘部分。儘管圖11將電極204b展示為具有鏤空部分1115，但一般熟習此項技術者應理解電極204a可同樣具有根據本發明之態樣的鏤空部分1115。亦即，在一些實施例中，電極204a、204b之任一者或兩者可包括鏤空部分1115。
在圖12中展示之一個實例中，電極204b可包括形成於電極204b之主體內的複數個鏤空部分1215。在一些實施例中，該複數個鏤空部分1215可自電極204b之中心線偏移。在一些實施例中，該複數個鏤空部分1215可經局部底切以校平局部侵蝕速率以匹配電極204b之其餘部分。儘管圖12將電極204b展示為具有該複數個鏤空部分1215，但一般熟習此項技術者應理解電極204a可同樣具有根據本發明之態樣的該複數個鏤空部分1215。亦即，在一些實施例中，電極204a、204b之任一者或兩者可包括鏤空部分1215。
在一些實施例中，在圖3至圖12中展示之實例中的電極204之凹進部分及/或鏤空部分可填充有非導電材料。舉例而言，如圖13中所展示，電極204b之底切部分可填充有非導電材料1315。在一些實施例中，非導電材料1315可為例如陶瓷、塑膠、聚合物或其類似者。一般熟習此項技術者應理解，此等僅為非傳導性材料之實例，且根據本發明之態樣涵蓋其他非導電材料。
在一些實施例中，本文中所描述的凹進部分及鏤空向部分可以任何組合及在各自的不同位置處彼此組合以達成最佳變平電極侵蝕。
在一些實施例中，電極204之凹進部分之深度及高度可基於減少在電極204附近之局部放電電漿強度而判定。
在一些實施例中，凹進部分之深度可介於約0.1至約10 cm之範圍內且凹進部分之高度可介於約0.05至約5 cm之範圍內。一般熟習此項技術者應理解，此等僅為電極204之凹進部分的深度及高度之實例尺寸且根據本發明之態樣另外涵蓋其他尺寸。舉例而言，對於電極之不同電極材料或電極之不同厚度可需要凹槽之不同尺寸。
圖14為以圖形方式說明與習知電極之侵蝕效能相比的本發明之底切電極之侵蝕效能的圖表。效能圖表說明經定義為每某一數目之雷射脈衝的電極高度變化的侵蝕速率對以任意單位表示的電極上之位置。圖14展示習知電極1405之第一侵蝕速率及圖3中所展示的實施例之侵蝕速率。圖14展示例如相比於習知電極之內部部分，第一侵蝕速率1405在該電極之每一末端處及在該電極之中心處遭受增加之侵蝕。在一些實施例中，如在第一侵蝕速率1405中所展示，習知電極之每一末端展現比同一電極之中心部分處之侵蝕速率大2至2.5倍的侵蝕速率。
在一些實施例中，在圖3中展示之底切電極之第二侵蝕速率1410說明跨越電極之全長的更均勻侵蝕速率。在一些實施例中，習知電極之每一末端以速率1405腐蝕，該速率1405比圖3中展示之電極的邊緣部分處之第二侵蝕速率1410大2至2.5倍。底切電極之每一末端可具有與底切電極之中心部分相當的侵蝕速率。在一些態樣中，由於電極之均勻侵蝕，可增加電極204之壽命。舉例而言，電極之末端的經改良侵蝕速率及圖14之經校平侵蝕剖面可為在末端處的減少之放電電漿強度的結果(在與習知設計相比電極為底切的情況下)，或在末端處的減少之放電電漿強度可歸因於電極之末端處的鏤空部分或歸因於填充有諸如圖3至圖13中所展示的經底切之非導電材料的底切或鏤空部分。
在一些實施例(諸如圖8、圖9、圖11及圖12中展示的實施例)中，歸因於在底切部分之位置處的減少之放電電漿強度的在彼位置處之減少的侵蝕速率亦將產生相似校平侵蝕剖面，諸如以第二侵蝕速率1410展示之侵蝕剖面。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。
如本文所使用之術語「基板」描述材料層經添加至其上之材料。在一些實施例中，可圖案化基板自身，且亦可圖案化添加於基板之頂部上之材料，或添加於基板之頂部上之材料可保持不圖案化。
以下實例說明而非限制本發明之實施例。通常在該領域中遇到且對熟習相關技術者將顯而易見的多種條件及參數的其他適合修改及調適在本發明之精神及範疇內。
儘管上文已描述特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐實施例。該描述不意欲限制申請專利範圍之範疇。
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解譯申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明者所設想之一或多個但並非所有例示性實施例，且因此並不意欲以任何方式限制實施例及所附申請專利範圍。
上文已藉助於功能建置區塊描述實施例，該等功能建置區塊說明指定功能及其關係之實施。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置組塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
特定實施例之前述描述將充分地揭示實施例之一般性質，使得在不脫離實施例之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示內容及指導，希望此等調適及修改屬於所揭示實施例之等效物的含義及範圍內。
本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據所附申請專利範圍及其等效物進行界定。
在以下編號條項中闡述本發明之其他態樣。 1.        一種光源設備，其包含： 一腔室，其經組態以保持一氣體放電介質；及 一相對電極對，其經組態以激發該氣體放電介質以產生一電漿，該電漿產生一輸出光束， 其中該相對電極對之至少一個電極包含形成於該至少一個電極之每一末端處之凹進部分。 2.        如條項1之光源設備，其中該電極對之每一電極包含： 一第一表面，其朝內面向該氣體放電介質；及 一第二表面，其與該第一表面相對，其中該至少一個電極之該等凹進部分在該第二表面之每一末端處形成於該第二表面內。 3.        如條項1之光源設備，其中該至少一個電極包括一主體厚度及朝內面向該氣體放電介質之一平坦第一表面，且其中該等凹進部分各自包含一底切部分，其中該至少一個電極之該等末端具有小於該主體厚度之一厚度。 4.        如條項1之光源設備，其中該電極對之該至少一個電極包含一陽極。 5.        如條項1之光源設備，其中該電極對之該至少一個電極包含一陰極。 6.        如條項1之光源設備，其中該電極對之每一電極包含形成於每一末端處之該等凹進部分。 7.        如條項1之光源設備，其中該電極對之每一電極包含： 一第一表面，其朝內面向該氣體放電介質；及 一第二表面，其與該第一表面相對，其中該至少一個電極之該等凹進部分為形成於該第一表面與該第二表面之間的鏤空部分。 8.        如條項1之光源設備，其中該氣體放電介質包含用以形成一準分子及/或一激發複合物之鹵素氣體及惰性氣體。 9.        如條項1之光源設備，其中該氣體放電介質包含F2 、ArF、KrF及/或XeF。 10.      如條項1之光源設備，其進一步包含： 一組光學元件，其經組態以在該腔室周圍形成一光共振器。 11.      一種底切電極，其包含： 一第一表面，其朝內面向一氣體放電介質； 一第二表面，其與該第一表面相對；及 凹進部分，其形成於該底切電極之每一末端處。 12.      如條項11之底切電極，其中該底切電極包括一主體厚度，且其中該等凹進部分各自包含在該第二表面內之一底切部分，其中該底切電極之該等末端具有小於該主體厚度之一厚度。 13.      如條項11之底切電極，其中該等凹進部分為形成於該第一表面與該第二表面之間的鏤空部分。 14.      如條項13之底切電極，其中該等鏤空部分填充有一非導電材料。 15.      如條項11之底切電極，其中該等凹進部分包含矩形狀凹槽。 16.      如條項11之底切電極，其中該等凹進部分包含彎曲凹槽。 17.      如條項11之底切電極，其中該底切電極包含一陽極。 18.      如條項11之底切電極，其中該底切電極包含一陰極。 19.      一種相對電極對，其經組態以激發一氣體介質以形成一電漿，該電極對之每一電極包含： 一第一表面，其朝內面向該氣體介質；及 一第二表面，其與該第一表面相對， 其中該相對電極對之至少一個電極包含形成於該至少一個電極之每一末端處之凹進部分。 20.      如條項19之相對電極對，其中該至少一個電極包括一主體厚度且該第一表面包含朝內面向該氣體放電介質之一平坦表面，且其中該等凹進部分各自包含一底切部分，其中該至少一個電極之該等末端具有小於該主體厚度之一厚度。 21.      如條項19之相對電極對，其中該等凹進部分包含矩形狀凹槽。 22.      如條項19之相對電極對，其中該等凹進部分包含彎曲凹槽。 23.      如條項19之相對電極對，其中該電極對之每一電極包含形成於每一末端處之凹進部分。 24.      一種光源設備，其包含： 一腔室，其經組態以保持一氣體放電介質；及 一相對電極對，其經組態以激發該氣體放電介質以產生一電漿，該電漿產生一輸出光束， 其中該相對電極對之至少一個電極包含一凹進部分或一鏤空部分中之至少一者。 25.      如條項24之光源設備，其中該電極對之每一電極包含： 一第一表面，其朝內面向該氣體放電介質；及 一第二表面，其與該第一表面相對，其中該至少一個電極包含該凹進部分，該凹進部分形成於該第二表面內。 26.      如條項24之光源設備，其中該凹進部分包含複數個凹進部分。 27.      如條項26之光源設備，其中該複數個凹進部分位於該至少一個電極之每一末端處。 28.      如條項24之光源設備，其中該電極對之每一電極包含： 一第一表面，其朝內面向該氣體放電介質；及 一第二表面，其與該第一表面相對，其中該至少一個電極包含該鏤空部分，該鏤空部分形成於該第一表面與該第二表面之間。 29.      如條項28之光源設備，其中該鏤空部分包含複數個鏤空部分。 30.      如條項29之光源，其中該複數個鏤空部分中之每一者填充有一非導電材料。 31.      如條項24之光源設備，其中該凹進部分或鏤空部分沿著該至少一個電極之一中心線定位。 32.      如條項24之光源設備，其中該凹進部分或鏤空部分位於該至少一個電極之一末端處。 33.      如條項24之光源設備，其中該凹進部分或鏤空部分自該至少一個電極之一中心線偏移。 34.      如條項24之光源設備，其中該至少一個電極包含該凹進部分及該鏤空部分。 35.      如條項24之光源設備，其中該凹進部分或該鏤空部分中之該至少一者填充有一非導電材料。
本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據所附申請專利範圍及其等效物進行界定。
100:微影設備 100':微影設備 200:光源設備 201:三維(3D)框架 202:雷射束 204a:電極 204b:電極 206:放電腔室 210:氣體放電級 211:腔室本體 212:風機 213:氣體放電介質 215:電漿區 217:氣體流動 218:第一窗外殼設備 220:第二窗外殼設備 230:電壓控制系統 232:電壓供應線 240:壓力控制系統 242:氣體放電線 244:真空線 250:第一光學模組 252:第一光共振器元件 260:第二光學模組 262:第二光共振器元件 270:光共振器 305a:第一表面 305b:第一表面 310a:第二表面 310b:第二表面 315:凹進部分 415:凹進部分 515:凹進部分 615:凹進部分 715:凹進部分 815:凹進部分 915:凹進部分 1015a:凹進部分 1015b:凹進部分 1115:凹進部分 1215:凹進部分 1315:凹進部分 1405:習知電極 1410:第二侵蝕速率 AD:調整器 B:光束 BD:光束遞送系統 C:目標部分 CO:集光器 IF1:位置感測器 IF2:位置感測器 IL:照明系統 IN:積光器 IPU:照明系統光瞳 IVR:真空內機器人 L1:上部透鏡/上部透鏡群組 L2:下部透鏡/下部透鏡群組 M1:遮罩對準標記 M2:遮罩對準標記 MA:圖案化裝置 MP:標記圖案 MP':影像 MT:支撐結構 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PD:孔徑裝置 PM:第一定位器 PPU:光瞳共軛 PS:投影系統 PW:第二定位器 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台 X:主體厚度 Y:厚度
併入本文中且形成本說明書之部分之隨附圖式說明實施例，且連同實施方式一起進一步用以解釋實施例之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用實施例。
圖1A為根據例示性實施例之反射微影設備的示意性說明。
圖1B為根據例示性實施例之透射微影設備的示意性說明。
圖2為根據例示性實施例之光源設備的示意性說明。
圖3至圖13說明根據例示性實施例之實例底切電極。
圖14說明根據例示性實施例之展現電極之侵蝕速率的圖表。
實施例之特徵及例示性態樣將自結合圖式在以下闡述之實施方式變得顯而易見，在圖式中，相同參考標號貫穿全文識別對應元件。在該等圖式中，相同參考數字通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。另外，通常，參考數字之最左側數字識別首次出現該參考數字之圖式。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例圖式。
204a:電極
204b:電極
213:氣體放電介質
305a:第一表面
305b:第一表面
310a:第二表面
310b:第二表面
315:凹進部分

Claims (33)

  1. 一種光源設備，其包含：一腔室，其經組態以保持一氣體放電介質；及一相對電極對，其經組態以激發該氣體放電介質以產生一電漿，該電漿產生一輸出光束，其中該相對電極對之至少一個電極包含形成於該至少一個電極之每一末端處之凹進(recessed)部分，其中該電極對之每一電極包含：一第一表面，其朝內(inwardly)面向該氣體放電介質；及一第二表面，其與該第一表面相對，其中該至少一個電極之該等凹進部分在該第二表面之每一末端處形成於該第二表面內或自該等末端形成於該第二表面內部上，或形成於該第一表面與該第二表面之間。
  2. 如請求項1之光源設備，其中該至少一個電極包括一主體厚度及朝內面向該氣體放電介質之一平坦第一表面，且其中該等凹進部分各自包含一底切部分，其中該至少一個電極之該等末端具有小於該主體厚度之一厚度。
  3. 如請求項1之光源設備，其中該電極對之該至少一個電極包含一陽極。
  4. 如請求項1之光源設備，其中該電極對之該至少一個電極包含一陰 極。
  5. 如請求項1之光源設備，其中該電極對之每一電極包含形成於每一末端處之該等凹進部分。
  6. 如請求項1之光源設備，其中該至少一個電極之該等凹進部分為形成於該第一表面與該第二表面之間的鏤空部分。
  7. 如請求項1之光源設備，其中該氣體放電介質包含用以形成一準分子(excimer)及/或一激發複合物(exciplex)之鹵素氣體及惰性氣體。
  8. 如請求項1之光源設備，其中該氣體放電介質包含F2、ArF、KrF及/或XeF。
  9. 如請求項1之光源設備，其進一步包含：一組光學元件，其經組態以在該腔室周圍形成一光共振器。
  10. 一種底切電極，其包含：一第一表面，其朝內面向一氣體放電介質；一第二表面，其與該第一表面相對；及凹進部分，其等形成於該底切電極之每一末端處之該第二表面內或自該等末端形成於該第二表面內部上，或形成於該第一表面與該第二表面之間。
  11. 如請求項10之底切電極，其中該底切電極包括一主體厚度，且其中該等凹進部分各自包含在該第二表面內之一底切部分，其中該底切電極之該等末端具有小於該主體厚度之一厚度。
  12. 如請求項10之底切電極，其中該等凹進部分為形成於該第一表面與該第二表面之間的鏤空部分。
  13. 如請求項12之底切電極，其中該等鏤空部分填充有一非導電材料。
  14. 如請求項10之底切電極，其中該等凹進部分包含矩形狀凹槽。
  15. 如請求項10之底切電極，其中該等凹進部分包含彎曲凹槽。
  16. 如請求項10之底切電極，其中該底切電極包含一陽極。
  17. 如請求項10之底切電極，其中該底切電極包含一陰極。
  18. 一種相對電極對，其經組態以激發一氣體介質以形成一電漿，該電極對之每一電極包含：一第一表面，其朝內面向該氣體介質；及一第二表面，其與該第一表面相對，其中該相對電極對之至少一個電極包含形成於該至少一個電極之每 一末端處之凹進部分，其中該至少一個電極之該等凹進部分在該第二表面之每一末端處形成於該第二表面內或自該等末端形成於該第二表面內部上。
  19. 一種相對電極對，其經組態以激發一氣體介質以形成一電漿，該電極對之每一電極包含：一第一表面，其朝內面向該氣體介質；及一第二表面，其與該第一表面相對，其中該相對電極對之至少一個電極包含形成於該至少一個電極之每一末端處之凹進部分，其中該至少一個電極之該等凹進部分形成於該第一表面與該第二表面之間。
  20. 如請求項18或19之相對電極對，其中該至少一個電極包括一主體厚度且該第一表面包含朝內面向該氣體介質之一平坦表面，且其中該等凹進部分各自包含一底切部分，其中該至少一個電極之該等末端具有小於該主體厚度之一厚度。
  21. 如請求項18或19之相對電極對，其中該等凹進部分包含矩形狀凹槽。
  22. 如請求項18或19之相對電極對，其中該等凹進部分包含彎曲凹槽。
  23. 如請求項18或19之相對電極對，其中該電極對之每一電極包含形成 於每一末端處之凹進部分。
  24. 一種光源設備，其包含：一腔室，其經組態以保持一氣體放電介質；及一相對電極對，其經組態以激發該氣體放電介質以產生一電漿，該電漿產生一輸出光束，其中該相對電極對之至少一個電極包含一凹進部分或一鏤空部分中之至少一者，其中該電極對之每一電極包含：一第一表面，其朝內面向該氣體放電介質；及一第二表面，其與該第一表面相對，其中該凹進部分形成於該第二表面內，該鏤空部分形成於該第一表面與該第二表面之間。
  25. 如請求項24之光源設備，其中該凹進部分包含複數個凹進部分。
  26. 如請求項25之光源設備，其中該複數個凹進部分位於該至少一個電極之每一末端處。
  27. 如請求項24之光源設備，其中該鏤空部分包含複數個鏤空部分。
  28. 如請求項27之光源設備，其中該複數個鏤空部分中之每一者填充有一非導電材料。
  29. 如請求項24之光源設備，其中該凹進部分或鏤空部分沿著該至少一 個電極之一中心線定位。
  30. 如請求項24之光源設備，其中該凹進部分或鏤空部分位於該至少一個電極之一末端處。
  31. 如請求項24之光源設備，其中該凹進部分或鏤空部分自該至少一個電極之一中心線偏移。
  32. 如請求項24之光源設備，其中該至少一個電極包含該凹進部分及該鏤空部分。
  33. 如請求項24之光源設備，其中該凹進部分或該鏤空部分中之該至少一者填充有一非導電材料。
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