TWI765362B - 用於閃爍體蒸鍍的基板固定裝置、包含其的基板蒸鍍裝置以及利用其的閃爍體的蒸鍍方法 - Google Patents

Abstract

本發明的基板固定裝置為固定基板以使從至少一個蒸發源蒸發的蒸鍍材料蒸鍍在該基板上的基板固定裝置。該基板固定裝置，其包括：基板溫度調節部，向該基板傳遞熱；以及基板固定部，與該基板溫度調節部的一側面結合，固定該基板，該基板固定部固定該基板以使該基板的前面朝該蒸發源方向露出，在該基板固定部和該基板的背面之間形成有空間。

Description

用於閃爍體蒸鍍的基板固定裝置、包含其的基板蒸鍍裝置以及利用其的閃爍體的蒸鍍方法

本發明關於用於閃爍體蒸鍍的基板固定裝置、包含其的基板蒸鍍裝置以及利用其的閃爍體的蒸鍍方法，尤指應用背面冷卻(back side cooling)的基板固定裝置、包含其的基板蒸鍍裝置以及利用其的閃爍體的蒸鍍方法。

作為為了醫療影像診斷或者無損檢測等而用於放射線攝影的裝置，具有將照射的X射線直接轉換成電訊號，藉由圖像訊號進行檢測的方式的X射線探測器；及將透過拍攝對象的放射線在閃爍體(Scintillator)轉換成光，將由閃爍體轉換而釋放的光利用受光元件檢測的間接轉換方式的平板探測器(Flat panel detector，FPD)等。

在該閃爍體中，為了將由閃爍體釋放的光有效傳遞至X射線探測器的受光元件，廣泛利用碘化銫(Cesium Iodide)、碘化鉈(Thallium Iodide)等的鹵化鹼金屬化合物的柱狀晶體群。

形成在閃爍體的柱狀晶體群在各個柱狀晶體之間形成有孔隙，由於柱狀晶體和氣體的折射率之差而光在晶體內反復全反射，由此釋放的光可以被引導至X射線探測器的受光元件中。

在閃爍體的蒸鍍製程中，閃爍體蒸鍍器的一部分可以容納在真空狀態的腔體內，可以在該腔體內向固定在閃爍體蒸鍍器上的基板上蒸鍍蒸鍍材料。

在該閃爍體的蒸鍍製程中，將向蒸鍍有蒸鍍材料的基板的背面和固定該基板的基板固定部之間的空間供應氣體，將供應的氣體作為介質並藉由對流調整向基板傳遞的熱的方式稱為背面冷卻(Backside cooling)。該背面冷卻係指在不影響進行蒸鍍製程的基板的前面的同時，在真空狀態的腔體內可以精確控制向基板傳遞的熱的溫度。

一方面，在習知技術中，為了閃爍體的蒸鍍製程而使用閃爍體蒸鍍器時，控制閃爍體蒸鍍器中具備的加熱器(heater)的溫度的結構僅具有加熱(heating)功能，或者構成為無法進行細微的溫度控制。

本發明的目的在於，提供應用背面冷卻(Backside Cooling)，在基板蒸鍍閃爍體的基板蒸鍍裝置以及利用其的閃爍體的蒸鍍方法。

另外，本發明的目的在於，提供應用背面冷卻時，能夠精確控制向基板傳遞熱的基板溫度調節部的溫度的基板固定裝置以及包含其的基板蒸鍍裝置。

另外，本發明的目的在於，提供在閃爍體蒸鍍製程時，能夠容易調節蒸鍍蒸鍍材料的基板的相對位置以及方向等的基板蒸鍍裝置。

根據本發明的一實施例的基板固定裝置，其作為固定基板以使從至少一個蒸發源蒸發的材料蒸鍍在該基板上的基板固定裝置，其包括：基板溫度調節部，向該基板傳遞熱；以及基板固定部，與該基板溫度調節部的一側面結合，固定該基板，該基板固定部固定該基板以使該基板的前面朝該蒸發源方向露出，在該基板固定部和該基板的背面之間形成有空間。

較佳地，本發明的特徵為，該基板溫度調節部包括：第一基板溫度調節部；油流動部，設於該第一基板溫度調節部的內部，包括供從油供應源流入的油循環的流路；以及第二基板溫度調節部，與該第一基板溫度調節部的一側面結合。

較佳地，本發明的特徵為，該流路包括：油流入流動線，供該油流入；以及油流出流動線，供該油排放，該油流入流動線和該油流出流動線被交叉配置。

較佳地，本發明的特徵為，該基板固定部包括：第一固定部，在一側面結合有該第二基板溫度調節部；以及第二固定部，與該第一固定部的另一側面結合，形成為使該基板的前面露出。

較佳地，本發明的特徵為，該基板固定在該第一固定部和該第二固定部之間。

較佳地，本發明的特徵為，該第一固定部包括：凹槽部，沿著該第一固定部的內周緣形成；密封部件容納部，與該凹槽部隔開一定間隔而設在該凹槽部的內側，沿著該第一固定部的內周緣形成而容納有至少一個密封部件；至少一個導向銷，形成在該凹槽部和該密封部件容納部之間，引導該基板安置在該第一固定部；氣體供應孔，供氣體注入到該空間；以及氣體排放孔，供氣體從該空間排放。

較佳地，本發明的特徵為，該密封部件密封該基板和該第一固定部之間的間隙，與該基板面接觸。

較佳地，本發明的特徵為，在該基板沿著該基板的外側邊角部分設定有一定面積的邊緣部，該邊緣部配置在該第二固定部和該密封部件之間，向該密封部件施加應力。

較佳地，本發明的特徵為，該第二固定部包括：輪廓部，形成在該第二固定部的內周面；以及掩膜區域，形成在該輪廓部的端部，該掩膜區域相對於該輪廓部的下面朝該第二固定部的中心部方向傾斜形成。

較佳地，本發明的特徵為，該第一固定部和該第二固定部的總重量保持相同。

較佳地，本發明的特徵為，該基板固定裝置與一部分容納在腔體內的自轉部的自轉軸結合，隨著該自轉軸的旋轉而旋轉，其中，該腔體在內部具備該蒸發源。

較佳地，本發明的特徵為，該蒸發源設於該腔體內部的下端，該基板固定裝置相比該蒸發源位於上部。

根據本發明的一實施例的基板蒸鍍裝置，其作為向基板蒸鍍從至少一個蒸發源蒸發的蒸鍍材料的基板蒸鍍裝置，其包括：腔體，在內部容納該蒸發源；公轉部，一部分容納在該腔體內，以公轉軸為中心旋轉；複數個自轉部，與該公轉部結合，隨著該公轉部的旋轉而公轉；以及基板固定裝置，該基板固定裝置與設在該自轉部的自轉軸結合而進行旋轉。

較佳地，本發明的特徵為，該腔體以及設在該基板固定裝置的基板固定部與氣體流出入控制部連接，在該基板固定部和該基板的背面之間形成有空間。

較佳地，本發明的特徵為，該氣體流出入控制部將該空間和該腔體形成為真空狀態之後，進行蒸鍍製程時，調節氣體的壓力並注入到該空間以使該空間成為一定壓力。

較佳地，本發明的特徵為，該氣體流出入控制部包括：泵，向該空間以一定的抽速進行抽氣；氣體供應源，容納向該空間供應的氣體；以及壓力控制器，與該氣體供應源連接，調節向該空間供應的氣體的壓力。

較佳地，本發明的特徵為，該壓力控制器在該泵以一定的抽速向該空間進行抽氣的狀態下，讀取該空間的壓力值，調節向該空間供應的氣體的壓力。

較佳地，本發明的特徵為，該氣體流出入控制部還包括：第一閥門，設在該腔體和該空間之間；第二閥門，設在該腔體和該泵之間；第三閥門，設在該泵和該空間之間；以及第四閥門，設在該空間和該壓力控制器之間。

較佳地，本發明的特徵為，在將該空間和該腔體形成為真空狀態時，該第一閥門和該第二閥門被打開。

較佳地，在進行該蒸鍍製程時，該第一閥門和該第二閥門被關閉，該第三閥門和該第四閥門被打開。

較佳地，本發明的特徵為，容納在該氣體供應源的氣體為惰性氣體。

較佳地，本發明的特徵為，該公轉部包括結合有複數個該自轉部的公轉部框架，在該公轉部框架的中央部結合有該公轉軸，該公轉部框架隨著該公轉軸的旋轉而旋轉。

較佳地，本發明的特徵為，該自轉部透過傾轉軸與該公轉部框架結合，該自轉部以該傾轉軸為中心相對於該公轉部框架獨自軸旋轉。

較佳地，本發明的特徵為，該蒸發源設在該腔體內部的下端，該基板固定裝置相比該蒸發源位於上部。

根據本發明的一實施例的利用基板蒸鍍裝置的蒸鍍材料的蒸鍍方法，其包括：在設於該基板蒸鍍裝置的基板固定部固定基板的步驟；連接空間和腔體的內部空間的步驟；將該空間和該腔體的內部空間形成為真空狀態的步驟；分離該空間和該腔體的內部空間的步驟；向該空間供應氣體的步驟；控制與該基板固定部結合的基板溫度調節部的溫度，加熱該基板的步驟；以及向該基板蒸鍍從複數個蒸發源蒸發的該蒸鍍材料的步驟。

較佳地，本發明的特徵為，還包括：在分離該空間和該腔體的內部空間的狀態下，以一定的抽速向該空間進行抽氣的步驟。

較佳地，本發明的特徵為，在向該空間供應氣體的步驟中，讀取該空間的壓力值，調節向該空間供應的氣體的壓力。

發明效果

根據本發明的實施例，利用氣體流出入控制部使腔體內部和空間成為分離的狀態之後，向空間以一定的抽速進行抽氣並向空間注入氣體，因此在閃爍體蒸鍍製程中，可以使向空間供應的氣體的壓力保持一定。

另外，在利用氣體流出入控制部連接腔體內部和空間的狀態下，將腔體和空間形成為真空狀態，因此可以防止因空間和腔體內部之間的壓力差導致的基板的破損。

另外，根據本發明的實施例，藉由密封部件與基板面接觸，從而容易從基板固定部拆裝基板，可以防止因基板的彎折導致的基板的破損。

另外，根據本發明的實施例，將油用作熱傳遞介質，因此可以精確控制向基板傳遞熱的基板溫度調節部的溫度。

另外，當為由與公轉部結合的複數個自轉部構成的基板蒸鍍裝置時，可以藉由公轉部的公轉、自轉部的傾轉以及自轉等，容易調整對於蒸發源的基板的相對位置以及方向等，從而可以極大提高蒸鍍效率。

以下，參考圖式詳細說明本發明的較佳實施例。首先，應注意在對各個圖的構成要素賦予圖式標記時，對於相同的構成要素，即便在其他圖中顯示，也盡量標註相同的符號。另外，在說明本發明時，當判斷為對相關習知構成或者功能的具體說明能夠混淆本發明的要旨時，省略對其的詳細說明。另外，以下將說明本發明的較佳實施例，然而本發明的技術思想不受此限定或者限制，可由本領域之具有通常知識者進行變形而可以多樣實施。

圖1係示出根據本發明的一實施例的基板蒸鍍裝置100的概念圖。

請參照圖1，根據本發明的一實施例的基板蒸鍍裝置100包括：腔體10，在內部形成密封空間；自轉部20，與自轉馬達(未圖示)連接，隨著由自轉馬達的動力傳遞而可以旋轉；基板溫度調節部40，與該自轉部20結合而旋轉，向基板2傳遞熱；以及基板固定部50，與該基板溫度調節部40的一側面結合，與基板溫度調節部40一同旋轉，固定基板2。此時，自轉馬達可以配置在腔體10的外部。

以下，在本發明中，將包括該基板溫度調節部40以及基板固定部50的結構定義為「基板固定裝置」。

圖1中雖未圖示，在腔體10以及基板固定部50連接有後述的氣體流出入控制部，從而可以使腔體10的內部以及基板固定部50和基板2的背面之間成為真空狀態，或者可以使基板固定部50和基板2的背面之間保持一定的壓力。該氣體流出入控制部可以與形成在腔體10的側壁或者上壁的排氣口(未圖示)連接。

自轉部20包括自轉軸22，其與上述的自轉馬達連接，隨著由自轉馬達的動力傳遞而可以旋轉。該自轉軸22可以貫穿腔體10的上壁，從而一部分容納在腔體10內。作為一例，自轉軸22可以形成為圓筒形態，較佳可以由鋁(Al)、銅(Cu)、鐵(Fe)或者其他金屬合金等形成。

此時，可以在自轉軸22的一端結合有基板溫度調節部40，在基板溫度調節部40的一側面結合有基板固定部50，基板溫度調節部40和基板固定部50與自轉軸22的旋轉一起旋轉。

另外，自轉部20還包括：旋轉接頭(rotary joint)21，形成在自轉軸22的上部；及密封部23，配置為與腔體10的外面緊貼，形成為圍繞自轉軸22。

該旋轉接頭21可以與油供應源(未圖示)以及後述的氣體供應源連接。另外，在旋轉接頭21可以連接有換熱器H，從而與在基板溫度調節部40內部循環的油完成熱交換。

旋轉接頭21包括油流入口Oinlet、油流出口Ooutlet、氣體流入口Ainlet以及氣體流出口Aoutlet。

該油流入口Oinlet以及油流出口Ooutlet可以與油供應源連接，氣體流入口Ainlet以及氣體流出口Aoutlet可以與氣體供應源連接。

此時，較佳地，旋轉接頭21形成為與自轉軸22結合的旋轉接頭21的托架(未圖示)與自轉軸22相匹配以能夠防止因旋轉接頭21和自轉軸22之間產生的組裝公差導致的自轉軸22的壽命縮短。

在自轉軸22的內部可以形成有各自與該油流入口Oinlet、油流出口Ooutlet連接的油流入路徑24和油排放路徑25。另外，在自轉軸22的內部可以形成有各自與該氣體流入口Ainlet、氣體流出口Aoutlet連接的氣體流入路徑26和氣體排放路徑27。

從油供應源透過油流入口Oinlet供應的油可以經過油流入路徑24流入到基板溫度調節部40的內部，在基板溫度調節部40循環的油可以從基板溫度調節部40經過油排放路徑25並透過油流入口Ooutlet重新回到油供應源。

從氣體供應源通過氣體流入口Ainlet供應的氣體可以經過氣體流入路徑26流入到基板固定部50的內部，可以從基板固定部50經過氣體排放路徑27並透過氣體流出口Aoutlet被排放到基板蒸鍍裝置10的外部。

此時，較佳地，油流入路徑24和流路的油流入孔的直徑以及油排放路徑25和流路的油流出孔的直徑各自形成為相同以能夠使油流入路徑24、油排放路徑25透過自轉軸22的內部並向設在後述的基板溫度調節部40內部的流路穩定供應油，並從流路排放油。

另外，較佳地，氣體流入路徑26和設在基板固定部50的氣體供應孔、氣體排放路徑27和設在基板固定部50的氣體排放孔的直徑各自形成為相同以能夠使氣體流入路徑24和氣體排放路徑27透過自轉軸22的內部以及基板溫度調節部40並向後述的基板固定部50的內部穩定供應氣體，並從基板固定部50的內部排放氣體。

一方面，雖未圖示，在本發明中，油流入路徑24、油排放路徑25、氣體流入路徑26以及氣體排放路徑27較佳形成為隔熱部件(未圖示)等圍繞各個路徑以防止閃爍體蒸鍍過程中各個路徑內的熱被釋放到外部。另外，較佳各個路徑彼此隔開形成。

密封部23可以由具有流動性的磁流體(ferrofluid)形成。此時，密封部23可以冷卻從基板溫度調節部40向位於蒸鍍腔體10外部的自轉軸22部分傳導的熱。

在本發明中，自轉軸22的冷卻方式可以使用PCW(Purified cooling water；凈化冷卻水)方式。另外，在進行蒸鍍製程時，密封部23配置在保持真空狀態的腔體10和外部大氣的邊界，詳細為與腔體10的外面緊貼配置，並形成為圍繞自轉軸22，從而可以防止氣體透過自轉軸22和腔體10的縫隙之間流入到腔體10內。由此，在進行蒸鍍製程時，腔體10內部可以保持真空狀態。

另外，如上所述，基板溫度調節部40為與自轉軸22直接結合的結構，在基板溫度調節部40產生的熱可以傳導至自轉軸22。

該情況下，若自轉軸22和基板溫度調節部40使用不同的材質，則自轉軸22和基板溫度調節部40的熱膨脹係數等不同，自轉軸22可能會發生破損。因此，自轉軸22和基板溫度調節部40較佳使用相同的材質。

參考圖1說明的基板蒸鍍裝置100具備由單一自轉軸22構成的自轉部20，可以使自轉部20的一部分容納在腔體10內。

圖1中圖示的基板蒸鍍裝置100中，可以使與自轉軸22的一端結合的基板溫度調節部40以及與基板溫度調節部40的一側面結合的基板固定部50容納在腔體10內，隨著自轉軸22的旋轉而可以使基板溫度調節部40以及基板固定部50旋轉。

此時，請參照圖1，基板溫度調節部40可以包括：第一基板溫度調節部41，與自轉軸22的一端結合；以及第二基板溫度調節部43，與第一基板溫度調節部41的一側面(與第一基板溫度調節部41與自轉軸22結合的一面相反的一面)結合，上述流路設在第一基板溫度調節部41的內部。

另外，基板固定部50可以包括：第一固定部52，在一側面結合有第二基板溫度調節部43；以及第二固定部54，與第一固定部52的另一側面結合，基板2固定在第一固定部52和第二固定部54之間。作為一例，該基板2可以為玻璃面板(glass panel)。

在腔體10內部的下端可以設有至少一個蒸發源1，固定在基板固定部50中的基板2可以配置為基板2的前面朝蒸發源1方向露出而與蒸發源1相對。

此時，包括基板溫度調節部40以及基板固定部50的「基板固定裝置」相比蒸發源1，可以位於上部。

由此，蒸鍍材料可以從設在腔體10內部的下端的蒸發源1蒸發，向相比蒸發源1位於上部的基板2方向供應。作為一例，蒸鍍材料可以為碘化銫(Cesium Iodide)、碘化鉈(Thallium Iodide)等的鹵化鹼金屬化合物。

藉由基板蒸鍍裝置100向基板2進行閃爍體蒸鍍製程時，可以係腔體10保持真空狀態，自轉軸22在旋轉的同時，向基板2均勻蒸鍍由蒸發源1蒸發的蒸鍍材料。此時，蒸鍍材料可以蒸鍍在基板2的前面。

圖2係示出根據本發明的其他實施例的基板蒸鍍裝置200的概念圖。

請參照圖2，與該圖1的基板蒸鍍裝置100不同，在本實施例的基板蒸鍍裝置200中，可以構成為在一個公轉部130結合複數個自轉部120。因此，在複數個自轉部120可以各自結合有基板溫度調節部40和基板固定部50，在各個基板固定部50可以各自固定有基板2。

基板蒸鍍裝置200包括：腔體10，在內部形成密封空間；公轉部130，與公轉馬達(未圖示)連接，隨著由公轉馬達的動力傳遞而可以旋轉；以及複數個自轉部120，與公轉部130結合，隨著公轉部130的旋轉而公轉。此時，在腔體10內部的下端設有蒸發源1，在該點上與圖1中圖示的腔體10相同。

公轉部130可以包括公轉部框架131以及形成在公轉部框架131的中央部的公轉軸133，在公轉部框架131形成有可以容納複數個自轉部120的空間。在本發明中，自轉部120可以藉由傾轉軸122與公轉部框架131結合。

公轉軸133可以貫穿腔體10的上壁而一部分容納在腔體10內。作為一例，公轉軸133可以由圓筒形態形成，較佳地，可以由鋁(Al)、銅(Cu)、鐵(Fe)或者其他金屬合金等形成。另外，公轉部框架131可以位於腔體10的內部，與公轉部框架131結合的複數個自轉部120也可以位於腔體10的內部。

與圖1中圖示的基板蒸鍍裝置100相同，在圖2中圖示的基板蒸鍍裝置200的腔體10以及基板固定部50也可以連接有後述的氣體流出入控制部，與此相關的結構可以與圖1中圖示的基板蒸鍍裝置100相同。

另外，公轉部130還包括：旋轉接頭132，形成在公轉軸133的上部；以及密封部134，配置為與腔體10的外面緊貼，形成為圍繞公轉軸133。

該旋轉接頭132可以與油供應源(未圖示)以及後述的氣體供應源連接。在旋轉接頭132可以連接有換熱器H，從而與在與各個自轉部120結合的基板溫度調節部40內部循環的油完成熱交換。此時，旋轉接頭132形成在公轉軸133的上部，除了該點之外，與圖1中圖示的旋轉接頭21相同。

請參照圖2，在公轉軸133內部可以形成有貫穿公轉軸133內部並各自與旋轉接頭132的油流入口Oinlet、油流出口Ooutlet、氣體流入口Ainlet以及氣體流出口Aoutlet連接的油流入路徑136、油排放路徑137、氣體流入路徑138以及氣體排放路徑139。此時，旋轉接頭132的油流入口Oinlet以及油流出口Ooutlet可以與油供應源連接，旋轉接頭132的氣體流入口Ainlet以及氣體流出口Aoutlet可以與氣體供應源連接。

該油流入路徑136、油排放路徑137、氣體流入路徑138以及氣體排放路徑139向複數個自轉部120分支而連接，除了該點之外，可以與圖1中圖示的油流入路徑24、油排放路徑25、氣體流入路徑26以及氣體排放路徑27的結構相同。另外，密封部134的結構也可以與圖1中圖示的密封部23的結構相同。

在本發明的基板蒸鍍裝置200中，公轉部框架131可以隨著公轉軸133的旋轉而旋轉，同時使與公轉部框架131結合的複數個自轉部120以公轉軸133為中心旋轉(公轉)。

另外，自轉部120可以與傾轉馬達(未圖示)連接而以傾轉軸122為中心相對於公轉部框架131獨自軸旋轉，可以與自轉馬達(未圖示)連接而以自轉軸124為中心旋轉(自轉)基板溫度調節部40和基板固定部50。此時，自轉馬達可以配置在自轉部120的內部，傾轉馬達可以配置在公轉框架131或者自轉部120的內部。

請參照圖2，自轉部120還包括：旋轉接頭123，以自轉部主體121和自轉軸124為準，形成在自轉軸124的上部；及密封部125，配置為與自轉部主體121的內面緊貼，形成為圍繞自轉軸124。

自轉部主體121為大氣壓箱(ATM box)的一種，請參照圖2所示，可以藉由傾轉軸122與公轉部框架131連接，可以以傾轉軸122為中心相對於公轉部框架131獨自軸旋轉。

此時，圖2圖示的旋轉接頭123的結構與圖1中圖示的旋轉接頭21的結構相同，在旋轉接頭123可以分支有上述的油流入路徑136、油排放路徑137、氣體流入路徑138以及氣體排放路徑139而各自連接。

另外，圖2中圖示的自轉軸124以及密封部125的形狀以及材質可以與圖1中圖示的自轉軸22以及密封部23相同。

一方面，如圖2中圖示的基板蒸鍍裝置200所示，當自轉部120構成為複數個時，較佳在各個自轉部120各自形成有旋轉接頭123。

此時，旋轉接頭123因其特性而在由於轉軸124旋轉時產生的摩擦，有可能產生顆粒(particle)。由此，圖2中圖示的旋轉接頭123無法在真空狀態的腔體10內使用，因此，請參照圖2，旋轉接頭123較佳位於在內部保持與大氣壓相同的壓力的自轉部主體121內。

另外，雖未圖示，在圖2中圖示的基板蒸鍍裝置200中，旋轉接頭123與圖1中圖示的旋轉接頭21相同，包括油流入口、油流出口、氣體流入口以及氣體流出口。

旋轉接頭123的油流入口、油流出口各自可以與油流入路徑136以及油排放路徑137連接，旋轉接頭123的氣體流入口以及氣體流出口各自可以與氣體流入路徑138以及氣體排放路徑139連接。

此時，雖未在圖2中示出，在自轉軸124的內部可以形成有各自與旋轉接頭123的油流入口以及油流出口連接的油流入路徑和油排放路徑。另外，在自轉軸124的內部可以形成有各自與旋轉接頭123的氣體流入口以及氣體流出口連接的氣體流入路徑和氣體排放路徑。

形成在該基板蒸鍍裝置200的自轉軸124內部的油流入路徑、油排放路徑、氣體流入路徑以及氣體排放路徑各自與透過公轉軸133內部的油流入路徑136、油排放路徑137、氣體流入路徑138以及氣體排放路徑139連接，除了該點之外，可以與圖1中圖示的油流入路徑24、油排放路徑25、氣體流入路徑26以及氣體排放路徑27的結構相同。

例如，在圖2中圖示的基板蒸鍍裝置200中，可以藉由在自轉軸124內部形成的油流入路徑、油排放路徑，向設在與自轉軸124的一端結合的基板溫度調節部40的內部的流路供應油，油在流路中循環之後，從流路排放油。

另外，可以藉由在自轉軸124內部形成的氣體流入路徑、氣體排放路徑，向與基板溫度調節部40的一側面結合的基板固定部50內部供應氣體，從基板固定部50的內部排放氣體。

參考圖2說明的基板蒸鍍裝置200可以包括具備公轉軸133的公轉部130，可以使與公轉部130結合的複數個自轉部120容納在腔體10內。

在圖2中圖示的基板蒸鍍裝置200中，形成在公轉部框架131的中央部的公轉軸133旋轉(公轉)時，公轉部框架131可以隨著公轉軸133的旋轉而旋轉，同時使與公轉軸133結合的複數個自轉部120以公轉軸133為中心旋轉(公轉)。

由此，在設有複數個自轉部120的基板蒸鍍裝置200中，可以透過一次的蒸鍍製程，向固定在各個基板固定部50的複數個基板2蒸鍍蒸鍍材料，從而可以在複數個基板2進行蒸鍍。

另外，在基板蒸鍍裝置200中，複數個自轉部120可以以傾轉軸122為中心相對於公轉部框架131獨自軸旋轉，因此，請參照圖2，固定在基板固定部50的基板2也可以配置為傾斜的形態而不與蒸發源1相對配置。

因此，在基板蒸鍍裝置200中，可以藉由公轉部130的公轉、自轉部120的傾轉以及自轉等，容易調整對於蒸發源1的基板的相對位置以及方向等，從而可以極大提高蒸鍍效率。

圖2中圖示的基板蒸鍍裝置200中設置的基板溫度調節部40以及基板固定部50可以為與圖1中圖示的基板溫度調節部40以及基板固定部50相同的結構。

一方面，在圖2中圖示的基板蒸鍍裝置200中，也可以在公轉部框架131的內部配置油箱(未圖示)以便從外部的油供應源向各個基板溫度調節部40不單獨構成油流出入路徑也能均勻控制各個基板溫度調節部40的溫度。作為一例，油箱可以在公轉部框架131的內部配置在公轉軸133的下部。

該油箱可以與上述油流入路徑136連接，從而從外部的油供應源供應得到油，與油排放路徑137連接，從而向油供應源排放從與各個自轉部120結合的基板溫度調節部40排放的油。

此時，油流入路徑136以及油排放路徑137可以從油箱分支而各自與自轉部120連接。

油箱可以起到從換熱器H傳遞的熱的阻尼器(damper)功能。另外，油箱可以向油箱內收集從外部的油供應源供應的油，成為從油箱向各個基板溫度調節部40分支而供應的油的分支出發點。

由此，在圖2中圖示的基板蒸鍍裝置200中構成油箱時，將從油箱向各個基板溫度調節部40連接的油流入路徑136以及油排放路徑137的分支路徑條件設定為全部相同，從而能夠在閃爍體蒸鍍過程中，均勻控制各個基板溫度調節部40的溫度。

圖3係設在本發明的基板蒸鍍裝置100、200的基板溫度調節部40的示意圖，圖4係設在本發明的基板溫度調節部40的流路422的示意圖。其中，圖3(a)係基板溫度調節部40的整體形狀的示意圖，圖3(b)係油流動部42的立體圖，圖3(c)係基板溫度調節部40的結構中第一基板溫度調節部41的示意圖。

請參照圖3(a)，基板溫度調節部40可以包括與自轉軸22、124結合的第一基板溫度調節部41和與第一基板溫度調節部41的另一側面結合的第二基板溫度調節部43，在第一基板溫度調節部41的內部設有圖3(b)中圖示的油流動部42。

上述基板固定部50可以與基板溫度調節部40的一側面結合。在本發明中，基板溫度調節部40可以向基板固定部50以及固定在基板固定部50上的基板2傳遞熱。

第一基板溫度調節部41和第二基板溫度調節部43可以由相同的材質構成。詳細地，在製造第一基板溫度調節部41和第二基板溫度調節部43時，可以使用鋁(Al)、銅(Cu)等的金屬材質，可以將第一基板溫度調節部41和第二基板溫度調節部43的材質構成為相同，從而使第一基板溫度調節部41和第二基板溫度調節部43的比熱、溫度變形率等相同。

透過如上所述結構，可以防止隨著在第一基板溫度調節部41和第二基板溫度調節部43之間產生的熱性不一致而基板溫度調節部40整體產生變形，由此導致固定在基板固定部50上的基板2發生破損。

圖3(b)中圖示的油流動部42可以設於第一基板溫度調節部41的內部，與第一基板溫度調節部41的結合藉由焊接完成。

油流動部42包括流路422，供從油供應源流入的油循環。

請參照圖3(b)以及圖4，流路422包括：油流入孔4222，與上述油流入路徑24連接；油流入流動線4224，供油藉由油流入孔4222流入到流路422內，在流路422內循環；油流出孔4226，與上述油排放路徑25連接；以及油流出流動線4228，供在流路422內循環的油藉由油流出孔4226排放。

流路422可以使從油供應源供應的油在流路422內循環的同時，在向基板2蒸鍍蒸鍍材料期間，向固定在基板固定部50上的基板2傳遞熱。此時，從流路422向基板固定部50傳遞熱的方式可以有輻射、對流、傳導等。

如上所述，油流入路徑24和流路422的油流入孔4222的直徑以及油排放路徑25和流路422的油流出孔4226的直徑可以形成為各自相同。

在流路422內循環的油的溫度可以為30℃至200℃，流路422可以形成為盡可能地防止油向流路422之外的部分泄漏。

另外，在本發明中，將油作為向基板2的熱傳遞介質，油可以給予連續性的溫度變化，因此可以穩定進行閃爍體蒸鍍製程，而且比熱佳而熱傳遞效率高，因此不僅係加熱，也可以冷卻，可以加寬溫度傳遞幅度。

因此，在本發明中，由於將油用作熱傳遞介質，因此可以精確控制向基板2傳遞熱的基板溫度調節部40的溫度。

請參照圖4，流路422可以將各個油流入流動線4224以及油流出流動線4228的邊角部分緩慢形成，從而減少油在邊角部分循環時可能產生的渦流。

一方面，為了有效地蒸鍍閃爍體，流路422內的溫度均勻性(temperature uniformity)的偏差較佳保持為盡可能地低。在流路422內油溫度發生變化的最大因素係因為油流入流動線4224中的溫度高於油流出流動線4228中的溫度。

因此，在本發明中，請參照圖4，為了使流路422整體保持溫度均勻性，較佳形成為流路422的油流入流動線4224和油流出流動線4228交叉配置。

此時，油流入流動線4224和油流出流動線4228的交叉幅度越密集，流路422整體的溫度均勻性越佳。

一方面，油流入流動線4224和油流出流動線4228的交叉幅度越密集，由換熱器H的油路422內的溫度變化率可能會減少，因此，較佳在確保閃爍體蒸鍍製程中所需的溫度變化率的範圍內構成該油流入流動線4224和油流出流動線4228的交叉幅度。

請參照圖3(c)，第一基板溫度調節部41在中央部包括供油流入路徑24通過的流入油通孔412以及供油排放路徑25通過的流出油通孔414。

油流入路徑24可以透過流入油通孔412與油流入孔4222連接，油排放路徑25可以透過流出油通孔414與油流出孔4226連接。

此時，在流入油通孔412以及流出油通孔414可以設有密封件(未圖示)以防止油流出。另外，油流入路徑24和流入油通孔412的直徑以及油排放路徑25和流出油通孔414的直徑可以形成為各自相同。

請參照圖3(b)、圖3(c)以及圖4，第一基板溫度調節部41在中央部還包括供氣體流入路徑26通過的流入氣體通孔416以及供氣體排放路徑27通過的流出氣體通孔418。

另外，油流動部42在中央部還包括供氣體流入路徑26通過的流入氣體通孔424以及供氣體排放路徑27通過的流出氣體通孔426。

在本發明的實施例中，氣體流入路徑26可以透過設於第一基板溫度調節部41的流入氣體通孔416以及設於油流動部42的流入氣體通孔424而與設於後述的基板固定部50的氣體供應孔524連接，氣體排放路徑27可以透過設於第一基板溫度調節部41的流出氣體通孔418以及設於油流動部42的流出氣體通孔426而與設於後述的基板固定部50的氣體排放孔525連接。

此時，氣體流入路徑26和設於第一基板溫度調節部41的流入氣體通孔416以及設於油流動部42的流入氣體通孔424的直徑可以形成為相同，氣體排放路徑27和設於第一基板溫度調節部41的流出氣體通孔418以及設於油流動部42的流出氣體通孔426的直徑可以形成為相同。

另外，在設於第一基板溫度調節部41的流入氣體通孔416、設於油流動部42的流入氣體通孔424、設於第一基板溫度調節部41的流出氣體氣體通孔418以及設於油流動部42的流出氣體通孔426可以設有密封件(未圖示)以防止油流入。

雖未圖示，在第二基板溫度調節部43的中央部也可以形成有供氣體流入路徑26通過的流入氣體通孔以及供氣體排放路徑27通過的流出氣體通孔。

在本發明的實施例中，第二基板溫度調節部43可以形成為比第一基板溫度調節部41的厚度薄以能夠向固定在基板固定部50上的基板2更加有效地傳遞熱。

如上所述之結構，第二基板溫度調節部43形成為比第一基板溫度調節部41的厚度薄時，供油循環的流路422和基板2之間的間距變短，從而在進行閃爍體蒸鍍製程期間，可以向基板2更加有效地傳遞熱。

圖5係設在本發明的基板蒸鍍裝置100、200的基板固定部50的整體形狀的示意圖，圖6係本發明的基板固定部50的側截面圖。在圖5中省略對上述基板2的圖示。

請參照圖5以及圖6，基板固定部50包括：第一固定部52，在一側面結合有第二基板溫度調節部43；以及第二固定部54，與第一固定部52的另一側面結合，形成為相框結構以使基板2的前面露出。

基板2可以固定在第一固定部52和第二固定部54之間，詳細地，基板固定部50可以在第一固定部52安置基板2之後，使第二固定部54位於基板2上，從而固定基板2。

此時，可以將基板2位於第一固定部52和第二固定部54之間以僅使基板2的有源區(Active Area)A部分露出之後，將第一固定部52和第二固定部54藉由複數個連接部56彼此結合。在本發明的實施例中，基板2的有源區A可以為基板的前面部分。

基板2的有源區A係指由蒸發源1供應的閃爍體物質在基板2上蒸鍍的區域。基板2的有源區A可以根據基板2的用途，調整設於第二固定部54的內周面的輪廓部542的朝第二固定部54中心方向的突出厚度，從而進行多種設定。

另外，第一固定部52以及第二固定部54的材質可以構成為相同。詳細地，第一固定部52以及第二固定部54可以使用鋁(Al)、銅(Cu)等的金屬材質，第一固定部52以及第二固定部54的材質構成為相同，從而使第一固定部52以及第二固定部54的比熱、溫度變形率等相同。

藉由如上所述結構，可以防止隨著從基板溫度調節部40向基板固定部50傳導的熱，第一固定部52以及第二固定部54產生熱性不一致而基板固定部50發生變形，由此導致固定在基板固定部50上的基板2發生破損。

圖7係本發明的基板固定部50中第一固定部52的示意圖，圖8係圖6的B部分的放大圖。

請參照圖6至圖8，第一固定部52包括：凹槽部521，沿著第一固定部52的內周緣形成；密封部件容納部522，與凹槽部521隔開一定間隔而設在凹槽部521的內側，沿著第一固定部52的內周緣形成；以及至少一個導向銷523，形成在凹槽部521和密封部件容納部522之間。

請參照圖6以及圖8，凹槽部521形成預定的多餘空間以使基板2的外側端部不與第一固定部52直接接觸。由此，閃爍體蒸鍍製程結束之後，從第一固定部52分離基板2時，可以藉由該凹槽部521拆卸基板2，從而可以防止基板2破損。

請參照圖6以及圖8，在密封部件容納部522可以容納有密封部件O。容納在密封部件容納部522內的密封部件O可以密封基板2和第一固定部52之間的間隙。作為一例，密封部件O可以為「O」型環(O-ring)。

導向銷523可以引導基板2安置在第一固定部52。另外，導向銷523可以由對靜電強的特氟龍等材質形成以防止安置在第一固定部52的基板2的TFT區域(Thin film transistor area；薄膜晶體管區域)發生破損。

請參照圖5以及圖7，第一固定部52包括：氣體供應孔524，供氣體透過上述的氣體流出入控制部注入到第一固定部52和基板2的背面之間；以及氣體排放孔525，供氣體從第一固定部52和基板2的背面之間排放。

如上所述，氣體流入路徑26與氣體供應孔524、氣體排放路徑27與氣體排放孔525的直徑可以形成為各自相同。

另外，該氣體供應孔524以及氣體排放孔525可以形成在與設於上述基板溫度調節部40的氣孔(流入氣體通孔416、流入氣體通孔424、流出氣體通孔418以及流出氣體通孔426)相一致的位置。

由此，可以經過氣體流入路徑26並通過氣體供應孔524，向第一固定部52和基板2的背面之間的空間供應氣體。另外，可以經過氣體排放路徑27並通過氣體排放孔525，從第一固定部52和基板2的背面之間的空間排放氣體。

一方面，向第一固定部52和基板2的背面之間供應的氣體可以為氦(He)等惰性氣體(noble gas)。

氦在元素周期表中氫之後質量最小，幾乎沒有反應性，係細微顆粒(氦的原子序數為2)。由於氦的這種顆粒特性，如上所述，即便在密封部件容納部522插入有密封部件O，氦也可以從密封部件O和基板2之間的間隙之間流出而可以流出到腔體的內部。

因此，氣體供應孔524以及氣體排放孔525可以形成為從密封部件容納部522最大限度地隔開以盡可能地防止向第一固定部52和基板2的背面之間供應的氦的流出，較佳地，可以位於第一固定部52的中央。

請參照圖6，第一固定部52可以在下部形成有至少一個凹入部526。

在本發明的實施例中，較佳地，第一固定部52和第二固定部54的總重量(基板固定部50的整體重量)與第一固定部52和第二固定部54的大小變化無關而保持相同。

例如，若基板2的大小變小，則為了固定基板2而第二固定部54的大小變大，從而第二固定部54的重量可能會增加。假設第一固定部52保持重量，則因第二固定部54的重量的增加而基板固定部50的整體重量增加，因此透過基板固定部50向基板2的熱傳遞效率可能會下降。

因此，在本發明的實施例中，較佳地，第一固定部52和第二固定部54的總重量與第一固定部52和第二固定部54的大小變化無關而保持相同。

如上所述，基板2的有源區A可以根據基板2的用途，調整設於第二固定部54的內周面的輪廓部542的朝第二固定部54中心方向的突出厚度，從而進行多種設定。

此時，藉由調整邊緣部542的朝第二固定部54中心方向的突出厚度，從而第二固定部54的重量改變時，也可以替換第一固定部52以使第一固定部52和第二固定部54的總重量保持相同。

在本發明的實施例中，替換第一固定部52時，第一固定部52的整體尺寸(dimension)不改變而替換為形成在第一固定部52下部的凹入部526的數量不同的第一固定部52，從而可以使第一固定部52和第二固定部54的總重量保持相同。

圖9係形成在本發明的基板2上的邊緣部222的示意圖。

在本發明的實施例中，為了在第一固定部52和基板2的背面之間形成空間，並向該空間注入氣體，較佳在基板2的有源區A外側向上述密封部件O施加應力。

請參照圖6、圖8以及圖9，在本發明中，可以在有源區A的外側設定邊緣部222以能夠向第一固定部52和基板2的背面之間注入氣體。

請參照圖8，邊緣部222可以配置在第二固定部54和密封部件O之間，向密封部件O施加應力。在該邊緣部222向密封部件O施加應力，因此可以在第一固定部52和基板2的背面之間穩定形成能夠注入氣體的空間。

較佳地，邊緣部222可以沿著基板2的外側邊角部分以一定面積設定。

一方面，在閃爍體蒸鍍製程結束之後，基板2上除蒸鍍有蒸鍍材料的有源區A部分之外的邊緣部222可以從有源區A發生分離。

若閃爍體蒸鍍製程結束，則需要從第一固定部52拆卸完成蒸鍍材料的蒸鍍的基板2，然而由於密封部件O和基板2之間的黏接而可能會產生不容易拆卸基板2的情況。另外，在進行閃爍體蒸鍍製程中，基板2的前面外側(腔體10的內部)為真空狀態，在第一固定部52和基板2的背面之間注入有氣體，因此，因第一固定部52和基板2的背面之間的空間和基板2的前面外側之間的壓力差，基板2有可能被彎折而發生破損。

為了防止所述問題，在本發明中，請參照圖8，可以形成為使容納在密封部件容納部522的密封部件O與基板2面接觸而非線接觸。

作為一例，圖8中圖示的密封部件O與基板2接觸的一面可以形成為四邊形形狀。另外，如上所述，凹槽部521形成預定的多餘空間以使基板2的外側端部不與第一固定部52直接接觸，從而能夠防止基板2的外側端部發生彎曲。

請參照圖8，上述密封部件O其截面形狀不限於四邊形形狀，可以為圓形、三角形、五邊形、六邊形等多種形狀。

另外，也可以將密封部件容納部522由至少兩個容納槽(未圖示)構成，從而構成為在該容納槽容納至少兩個密封部件O。

構成兩個以上的密封部件O時，密封部件O的截面形狀可以為圓形，該情況下，也與圖8中圖示的實施例相同，容納在容納槽的複數個密封部件O可以與基板2面接觸。

透過上述結構，密封部件O與基板2面接觸，從而容易拆裝玻璃部，可以防止因基板2的彎折導致的基板2破損。

一方面，在密封部件O的表面塗覆鐵氟龍(Teflon)等可以降低黏接力的物質來使用時，也可以在密封部件容納部522配置截面為圓形的一個密封部件O。

圖10係形成在本發明的第一固定部52和基板2之間的空間S的示意圖(圖6的C部分的放大圖)。在圖10中省略對上述凹入部526的圖示。

請參照圖10，如上所述，在第一固定部52和基板2的背面之間可以形成有空間。在本發明中，將該空間定義為空間S。

如上所述，在該空間S可以透過氣體供應孔524注入有氣體，可以透過氣體排放孔525從空間S排放氣體。

圖11係放大本發明的基板固定部50中第二固定部54的一部分的示意圖(圖6的D部分的放大圖)。在圖11中省略對基板2的圖示。

請參照圖11，第二固定部54包括：輪廓部542，形成在上述第二固定部54的內周面；及掩膜區域(mask area)544，形成在輪廓部542的端部。

如上所述，基板2的有源區A係可以根據基板2的用途，調整設於第二固定部54的內周面的輪廓部542的朝第二固定部54中心方向的突出厚度，從而進行多種設定。

為了使蒸鍍在基板2的有源區A的蒸鍍材料順利完成蒸鍍，以及考慮到第二固定部54的加工方便性以及製造費用等，輪廓部542的朝垂直方向的厚度(高度)較佳形成為最小限度的厚度。

請參照圖11的放大圖，掩膜區域544係與基板2的有源區A的端部相接的部分。此時，為了使蒸鍍材料順利蒸鍍在有源區A，以及考慮到第二固定部54的加工方便性以及製造費用等，掩膜區域544的朝垂直方向的厚度(高度)較佳形成為最小限度的厚度。

一方面，蒸鍍材料蒸鍍在基板2的有源區A上時，以傾斜(Slope)形態黏接在該掩膜區域544，從而可能產生蒸鍍效率低的問題。

為了防止所述問題，在本發明的實施例中，可以使掩膜區域544相對於輪廓部542的下面朝第二固定部54的中心部方向傾斜形成。

作為一例，請參照圖11的放大圖，可以將掩膜區域544的傾向角度設定為相對於輪廓部542的下面朝第二固定部54的中心部方向具有比90度更大的角度。

藉由如上所述結構，可以使以傾斜形態黏接在掩膜區域544的蒸鍍在基板2的有源區A上的蒸鍍材料最小化，從而閃爍體蒸鍍製程之後，可以使基板2更容易從第二固定部54分離，可以提高閃爍體的蒸鍍效率。

圖12係設在本發明的基板蒸鍍裝置100、200的氣體流出入控制部60的結構的示意圖。在圖12中簡單示出上述蒸發源1、自轉部20、120、公轉部130的詳細結構或者省略其圖示。

在本發明的基板蒸鍍裝置100、200中，藉由將向上述空間S供應氣體，從而將供應到空間S的氣體作為介質，透過對流調整向基板2傳遞的熱的方式稱為背面冷卻(backside cooling)。

在本發明中，從上述基板溫度調節部40向基板固定部50以及向固定在基板固定部50上的基板2的熱傳遞方式，除了對流之外，還有輻射、傳導等。

然而，透過輻射的熱傳遞時，雖然可以透過輻射熱提升基板2的溫度，然而透過輻射的熱傳遞無法降低基板2的溫度，具有難以精確控制溫度的問題。

另外，透過傳導的熱傳遞時，由於作為金屬材質的基板溫度調節部40和基板固定部50的表面平坦度，金屬分子之間接觸的部分為基板溫度調整部40和基板固定部50的整體表面積的1%左右，為了增加基板溫度調節部40和基板固定部50之間的接觸部分，使用靜電卡盤(electrostatic chuck，ESC)時，基板2上的TFT區域(Thin film transistor area)發生破損的可能性高。

因此，在本發明中，不僅係藉由上述輻射或者傳導，而且藉由向空間S供應氣體，從而將供應到空間S的氣體作為介質，透過對流調整向基板2傳遞的熱。

一般地，基板2可以為玻璃面板材質，柔性基板2即便在小的壓力下發生破損的危險性也非常高。

在本發明中，為了可以進行閃爍體蒸鍍製程，較佳事先將腔體10內部變成真空狀態。此時，在事先將腔體10內部變成真空狀態的步驟中，若不將空間S變成為真空狀態，則因空間S和腔體10內部之間的壓力差，基板2有可能發生破損。然而，在本發明的實施例中，若基板2非為柔性基板時，如上所述，並非一定要將空間S形成為真空狀態。

在事先將腔體10內部變成真空狀態的步驟中，在腔體10內部和空間S發生分離的狀態下，為了使腔體10內部和空間S全部成為真空狀態，實施抽氣(pumping)時，具有需要控制腔體10內部和空間S全部的抽速(pumping speed)的問題。

為了防止所述問題，在將腔體10內部成為真空狀態時，較佳將空間S和腔體10的內部空間成為連接的狀態。

請參照圖12，氣體流出入控制部60包括：泵61，藉由上述氣體排放孔525與空間S連接，向空間S以一定的抽速實施抽氣；氣體供應源62，藉由氣體供應孔524與空間S連接，容納向空間S供應的氣體；以及壓力控制器(pressure controller)63，與氣體供應源62連接，調節向空間S供應的氣體的壓力。

此時，壓力控制器63可以形成在氣體供應源62和空間S之間。另外，容納在氣體供應源62中的氣體可以為惰性氣體，較佳為氦。

另外，氣體流出入控制部60還包括：第一閥門64，設在腔體10和空間S之間；第二閥門65，設在腔體10和泵61之間；第三閥門66，設在泵61和空間S之間；以及第四閥門67，設在空間S和壓力控制器63之間。作為一例，第一閥門64、第二閥門65、第三閥門66以及第四閥門67可以為常開閥(normal open valve)，然而不限於此。

一方面，第二閥門65也可以由從腔體10內部排放的空氣的通過量彼此不同的複數個閥門構成，第二閥門65也可以由泵構成。另外，第三閥門66也可以由從空間S排放的氣體的通過量彼此不同的複數個閥門構成。

在本發明的實施例中，氣體流出入控制部60的驅動可以藉由主控制器68控制。

該氣體流出入控制部60還包括：第一氣體排放線601，一側與腔體10連接，另一側與空間S連接或者分離；第二氣體排放線602，一側與腔體10連接，另一側與泵61連接或者分離；第三氣體排放線603，一側與泵61連接，另一側與空間S連接或者分離；以及第四氣體供應線604，一側與氣體供應源62連接，另一側與空間S連接或者分離。

此時，可以在第一氣體排放線601上具備第一閥門64，在第二氣體排放線602上具備第二閥門65，在第三氣體排放線603上具備第三閥門66，在氣體供應線604上具備壓力控制器63以及第四閥門67。

該第一氣體排放線601可以隨著第一閥門64的開閉，藉由該氣體流入路徑26與空間S連接或者分離。作為一例，第一氣體排放線601可以在第一閥門64被打開時，與氣體流入路徑26連接。

第二氣體排放線602可以隨著第二閥門65的開閉，與泵61連接或者分離。作為一例，第二氣體排放線602可以在第二閥門65被打開時，與泵61連接。

第三氣體排放線603可以隨著第三閥門66的開閉，藉由該氣體排放路徑27與空間S連接或者分離。作為一例，第三氣體排放線603可以在第三閥門66被打開時，與氣體排放路徑27連接。

另外，氣體供應線604可以隨著第四閥門67的開閉，藉由氣體流入路徑26與空間S連接或者分離。作為一例，氣體供應線604可以在第四閥門67被打開時，與氣體流入路徑26連接。

為了蒸鍍蒸鍍材料而事先將腔體10內部成為真空狀態的步驟中，為了將空間S和腔體10內部形成為真空狀態，該第一閥門64和第二閥門65可以被打開。此時，第三閥門66和第四閥門67可以為關閉狀態。

第一閥門64和第二閥門65被打開時，腔體10內的空氣可以藉由第一氣體排放線601以及第二氣體排放線602被排放到腔體10的外部。

詳細地，可以係第一閥門64被打開的同時，第一氣體排放線601與氣體流入路徑26連接。

由此，第一氣體排放線601藉由氣體流入路徑26與空間S連接，從而可以連接空間S和腔體10的內部空間。

此時，腔體10內部的空氣可以藉由第一氣體排放線601被排放到腔體10的外部，空間S內的空氣也可以藉由氣體流入路徑26被排放到外部。

另外，第二閥門65被打開的同時，第二氣體排放線602可以與泵61連接，腔體10內部中的空氣也可以藉由第二氣體排放線602被排放到腔體10的外部。

如上所述，藉由連接空間S和腔體10的內部空間，從而無需精確的抽氣控制也能將空間S和腔體10內部全部形成為真空，可以防止因空間S和腔體10內部之間的壓力差導致的基板2的破損。

隨著所述步驟，腔體10以及空間S成為真空狀態時，為了應用上述背面冷卻(backside cooling)，較佳將腔體10的內部空間和空間S成為分離的狀態。

腔體10以及空間S成為真空狀態之後，進行閃爍體蒸鍍製程時，第一閥門64和第二閥門65可以被關閉，第三閥門66和第四閥門67可以被打開。

此時，第一氣體排放線601可以與空間S分離，第二氣體排放線602可以與泵61分離。

由此，腔體10的內部空間和空間S可以成為分離的狀態。

由利用氣體的對流的熱傳遞需要滿足特定條件，此時，較佳地，氣體的壓力為特定壓力值以上以能夠生成黏性流(viscous flow)。另外，即便生成黏性流，使用的各個氣體的熱傳遞效率不同。

如上所述，向本發明的空間S供應的氣體可以較佳為氦，氦在元素周期表中氫之後質量最小，幾乎沒有反應性，係細微顆粒，具有最佳的熱傳遞效率。

氦作為非常細微的顆粒，也可以透過非常小的間隙流出到外部。該間隙可以為上述第一固定部52和基板2之間的間隙。藉由該間隙的氦流出係工程學上難以控制的部分，然而可以藉由其他人為的方法實現流出，從而可以極大限度地降低因該間隙的流出產生的影響。

如上所述，為了藉由其他人為的方法實現氦的流出，請參照圖12，可以在空間S連接泵61，從而持續進行抽氣。

作為一例，該泵61可以為低真空泵(roughing pump)，泵61在空間S抽氣的速度可以保持一定。

由此，透過泵61的抽氣動作，從空間S以一定的抽速完成氦的流出，從而可以極大限度地降低因所述間隙導致的氦的無規律流出產生的影響。

在第三閥門66以及第四閥門67被各自打開的狀態下，泵61可以與空間S連接，氣體供應源62以及壓力控制器63也可以與空間S連接。

詳細地，可以係第三閥門66被打開的同時，第三氣體排放線603與氣體排放路徑27連接。此時，第三氣體排放線603可以藉由氣體排放路徑27與空間S連接。

由此，泵61可以與空間S連接。此時，泵61成為可以向空間S實施抽氣的狀態。

第四閥門67被打開時，氣體供應線604可以與氣體流入路徑26連接。此時，氣體供應線604可以藉由氣體流入路徑26與空間S連接。

由此，氣體供應源62以及壓力控制器63與空間S連接，壓力控制器63成為可以調節從氣體供應源62排放而向空間S供應的氣體的壓力的狀態。

從氣體供應源62排放的氣體可以藉由壓力控制器63而調節壓力之後，經過上述氣體流入路徑26並透過氣體供應孔524被供應給空間S。

另外，藉由泵61的抽氣動作，空間S內的氣體可以藉由上述氣體排放孔525並經過氣體排放路徑27被排放到外部。

在腔體10的內部空間和空間S發生分離的狀態下，壓力控制器63在泵61以一定的抽速向空間S抽氣的狀態下(在保持相同的抽速的狀態下)，可以讀取空間S的壓力值，調整從氣體供應源62排放而向空間S供應的氣體(氦)的壓力。由此，在閃爍體蒸鍍製程中，空間S內部的壓力可以保持一定。

一方面，如上所述，氦係顆粒大小非常小的惰性氣體，氦即便被供應到空間S，藉由供應的氦形成的內部壓力也可以接近真空(氦的壓力範圍：0.01Torr~100Torr)。

因此，在本發明中，如上所述，與密封部件O與基板2面接觸的結構一起，利用氣體流出入控制部60，從而可以使真空狀態的腔體10的內部空間和空間S之間的壓力差最小化，因此，在閃爍體蒸鍍製程時，不會產生基板2的破損。

圖13係示出利用本發明的基板蒸鍍裝置100、200的蒸鍍材料的蒸鍍方法的流程圖。針對所述蒸鍍方法，對於用於體現各個步驟的詳細結構，在參考圖1至圖12說明的基板蒸鍍裝置100、200中已經公開，因此省略對其的詳細說明。

請參照圖13，利用上述基板蒸鍍裝置100、200的蒸鍍材料的蒸鍍方法為如下。

首先，在設於基板蒸鍍裝置100、200的基板固定部50固定基板2(S1步驟)。

接著，連接空間S和腔體10的內部空間(S2步驟)。

連接空間S和腔體10的內部空間之後，將空間S和腔體10的內部空間形成為真空狀態(S3步驟)。

接著，為了在蒸鍍材料的蒸鍍製程中應用背面冷卻(backside cooling)，分離空間S和腔體10的內部空間(S4步驟)。此時，藉由上述泵61的抽氣動作，以一定的抽速向空間S實施抽氣。

在空間S和腔體10的內部空間發生分離的狀態下，向空間S供應氣體(S5步驟)。

此時，讀取空間S的壓力值，調節向空間S供應的氣體的壓力。如上所述，其藉由壓力控制器63實現。

然後，控制與基板固定部50結合的基板溫度調節部40的溫度，加熱基板(S6步驟)，向基板2蒸鍍從蒸發源1蒸發的蒸鍍材料(S7步驟)。

以上說明僅係用於示例說明本發明的技術思想，只要係本發明所屬技術領域中具有通常知識的人就可以在不脫離本發明的本質特性的範圍內進行多種修改、變更以及置換。因此，本發明中公開的實施例以及圖式係用於說明而非用於限定本發明的技術思想，本發明的技術思想的範圍並不由所述實施例以及圖式而被限定。本發明的保護範圍應透過申請專利範圍書進行解釋，在與其等同範圍內的所有技術思想應解釋為包含在本發明的申請專利範圍中。

100、200:基板蒸鍍裝置 1:蒸發源 2:基板 10:腔體 121:自轉部主體 122:傾轉軸 20、120:自轉部 123、132、21:旋轉接頭 124、22:自轉軸 222:外側設定邊緣部 125、134、23:密封部 130:公轉部 131:公轉部框架 133:公轉軸 136、24:油流入路徑 137、25:油排放路徑 138、26:氣體流入路徑 139、27:氣體排放路徑 40:基板溫度調節部 41:第一基板溫度調節部 412:流入油通孔 414:流出油通孔 416、424:流入氣體通孔 418、426:流出氣體通孔 42:油流動部 422:流路 4222:油流入孔 4224:油流入流動線 4226:油流出孔 4228:油流出流動線 43:第二基板溫度調節部 50:基板固定部 52:第一固定部 521:凹槽部 522:密封部件容納部 523:導向銷 524:氣體供應孔 525:氣體排放孔 526:凹入部 54:第二固定部 542:輪廓部 544:掩膜區域 56:連接部 60:氣體流出入控制部 601:第一氣體排放線 602:第二氣體排放線 603:第三氣體排放線 604:氣體供應線 61:泵 62:氣體供應源 63:壓力控制器 64:第一閥門 65:第二閥門 66:第三閥門 67:第四閥門 68:主控制器 A:有源區 Ainlet:氣體流入口 Aoutlet:氣體流出口 O:密封部件 Oinlet:油流入口 Ooutlet:油流出口 H:換熱器 S:空間 S1-S7:步驟流程

圖1係示出根據本發明的一實施例的基板蒸鍍裝置的概念圖。 圖2係示出根據本發明的其他實施例的基板蒸鍍裝置的概念圖。 圖3係設在本發明的基板蒸鍍裝置的基板溫度調節部的示意圖。 圖4係設在本發明的基板溫度調節部的流路的示意圖。 圖5係設在本發明的基板蒸鍍裝置的基板固定部的整體形狀的示意圖。 圖6係本發明的基板固定部的側截面圖。 圖7係本發明的基板固定部中第一固定部的示意圖。 圖8係圖6的B部分的放大圖。 圖9係形成在本發明的基板上的邊緣部的示意圖。 圖10係形成在本發明的第一固定部和基板之間的空間的示意圖(圖6的C部分的放大圖)。 圖11係放大本發明的基板固定部中第二固定部的一部分的示意圖(圖6的D部分的放大圖)。 圖12係設在本發明的基板蒸鍍裝置的氣體流出入控制部的結構示意圖。 圖13係示出利用本發明的基板蒸鍍裝置的蒸鍍材料的蒸鍍方法的流程圖。

100、200:基板蒸鍍裝置

2:基板

10:腔體

26:氣體流入路徑

27:氣體排放路徑

40:基板溫度調節部

50:基板固定部

60:氣體流出入控制部

601:第一氣體排放線

602:第二氣體排放線

603:第三氣體排放線

604:氣體供應線

61:泵

62:氣體供應源

63:壓力控制器

64:第一閥門

65:第二閥門

66:第三閥門

67:第四閥門

68:主控制器

Claims (25)

1. 一種基板固定裝置，其用於固定一基板，以使從至少一個蒸發源蒸發的一蒸鍍材料蒸鍍在該基板上的該基板固定裝置，其包括：一基板溫度調節部，其向該基板傳遞熱；以及一基板固定部，其與該基板溫度調節部的一側面結合，以固定該基板，該基板固定部固定該基板，以使該基板的前面朝該蒸發源方向露出，在該基板固定部和該基板的背面之間形成有一空間；其中，該基板固定部包括：一氣體供應孔，供氣體注入到該空間；以及一氣體排放孔，供氣體從該空間排放。
2. 如請求項1所述的基板固定裝置，其中，該基板溫度調節部包括：一第一基板溫度調節部；一油流動部，其設於該第一基板溫度調節部的內部，該油流動部包括供從油供應流入的油循環的一流路；以及一第二基板溫度調節部，其與該第一基板溫度調節部的一側面結合。
3. 如請求項2所述的基板固定裝置，其中，該流路包括：一油流入流動線，其供該油流入；以及一油流出流動線，其供該油排放；其中，該油流入流動線和該油流出流動線被交叉配置。
4. 如請求項2所述的基板固定裝置，其包括：一第一固定部，其在一側面結合有該第二基板溫度調節部；以及一第二固定部，其與該第一固定部的另一側面結合，形成為使該基板的前面露出； 其中，該基板固定在該第一固定部和該第二固定部之間。
5. 如請求項4所述的基板固定裝置，其中，該第一固定部包括：一凹槽部，其沿著該第一固定部的內周緣形成；一密封部件容納部，其與該凹槽部隔開一定間隔而設在該凹槽部的內側，沿著該第一固定部的內周緣形成而容納有至少一個密封部件；至少一個導向銷，其形成在該凹槽部和該密封部件容納部之間，引導該基板安置在該第一固定部；該氣體供應孔；以及該氣體排放孔。
6. 如請求項5所述的基板固定裝置，其中，該密封部件密封該基板和該第一固定部之間的間隙，以與該基板面接觸。
7. 如請求項5所述的基板固定裝置，其中，在該基板沿著該基板的外側邊角部分設定有一定面積的一邊緣部，該邊緣部配置在該第二固定部和該密封部件之間，向該密封部件施加應力。
8. 如請求項4所述的基板固定裝置，其中，該第二固定部包括：一輪廓部，其形成在該第二固定部的內周面；以及一掩膜區域，其形成在該輪廓部的端部；其中，該掩膜區域相對於該輪廓部的下面朝該第二固定部的中心部方向傾斜形成。
9. 如請求項4所述的基板固定裝置，其中，該第一固定部和該第二固定部的總重量保持相同。
10. 如請求項1所述的基板固定裝置，其中，該基板固定裝置與一部分容納在一腔體內的一自轉部的一自轉軸結合，以隨著該自轉軸的 旋轉而旋轉，其中，該腔體在內部具備該蒸發源。
11. 如請求項10所述的基板固定裝置，其中，該蒸發源設於該腔體內部的下端，該基板固定裝置相比該蒸發源位於上部。
12. 一種基板蒸鍍裝置，其用於向一基板蒸鍍從至少一個蒸發源蒸發的一蒸鍍材料的該基板蒸鍍裝置，其包括：一腔體，其在內部容納該蒸發源；一公轉部，其一部分容納在該腔體內，以一公轉軸為中心旋轉；複數個自轉部，其與該公轉部結合，以隨著該公轉部的旋轉而公轉；以及如請求項1所述的一基板固定裝置，其中，該基板固定裝置與設在該自轉部的自轉軸結合而進行旋轉。
13. 如請求項12所述的基板蒸鍍裝置，其中，該腔體以及設在該基板固定裝置的一基板固定部與一氣體流出入控制部連接，在該基板固定部和該基板的背面之間形成有一空間。
14. 如請求項13所述的基板蒸鍍裝置，其中，該氣體流出入控制部將該空間和該腔體形成為真空狀態之後，進行一蒸鍍製程時，其係調節氣體的壓力並注入到該空間以使該空間成為一定壓力。
15. 如請求項13所述的基板蒸鍍裝置，其中，該氣體流出入控制部包括：一泵，其向該空間以一定的抽速進行抽氣；一氣體供應源，其容納向該空間供應的氣體；以及一壓力控制器，其與該氣體供應源連接，調節向該空間供應的氣體的壓力。
16. 如請求項15所述的基板蒸鍍裝置，其中，該壓力控制器在該泵以 一定的抽速向該空間進行抽氣的狀態下，讀取該空間的壓力值，調節向該空間供應的氣體的壓力。
17. 如請求項15所述的基板蒸鍍裝置，其中，該氣體流出入控制部還包括：一第一閥門，其設在該腔體和該空間之間；一第二閥門，其設在該腔體和該泵之間；一第三閥門，其設在該泵和該空間之間；以及一第四閥門，其設在該空間和該壓力控制器之間。
18. 如請求項17所述的基板蒸鍍裝置，其中，在將該空間和該腔體形成為真空狀態時，該第一閥門和該第二閥門被打開，在進行該蒸鍍製程時，該第一閥門和該第二閥門被關閉，該第三閥門和該第四閥門被打開。
19. 如請求項15所述的基板蒸鍍裝置，其中，容納在該氣體供應源的氣體為惰性氣體。
20. 如請求項12所述的基板蒸鍍裝置，其中，該公轉部包括結合有複數個該自轉部的一公轉部框架，在該公轉部框架的一中央部結合有該公轉軸，該公轉部框架隨著該公轉軸的旋轉而旋轉。
21. 如請求項20所述的基板蒸鍍裝置，其中，該自轉部透過一傾轉軸與該公轉部框架結合，該自轉部以該傾轉軸為中心相對於該公轉部框架獨自軸旋轉。
22. 如請求項12所述的基板蒸鍍裝置，其中，該蒸發源設在該腔體內部的下端，該基板固定裝置相比該蒸發源位於上部。
23. 一種蒸鍍方法，其係利用如請求項12所述的一基板蒸鍍裝置的一蒸鍍材料的該蒸鍍方法，其包括： 在設於該基板蒸鍍裝置的一基板固定部固定一基板的步驟；連接一空間和一腔體的內部空間的步驟；將該空間和該腔體的內部空間形成為真空狀態的步驟；分離該空間和該腔體的內部空間的步驟；向該空間供應氣體的步驟；控制與該基板固定部結合的一基板溫度調節部的溫度，加熱該基板的步驟；以及向該基板蒸鍍從複數個蒸發源蒸發的該蒸鍍材料的步驟。
24. 如請求項23所述的蒸鍍方法，其還包括：在分離該空間和該腔體的內部空間的狀態下，以一定的抽速向該空間實施抽氣的步驟。
25. 如請求項23所述的蒸鍍方法，其中，在向該空間供應氣體的步驟中，讀取該空間的壓力值，調節向該空間供應的氣體的壓力。

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