TWI765004B - 環狀構件之製造方法及環狀構件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種將複數個矽構件接合而成之環狀構件之製造方法及環狀構件。一種環狀構件之製造方法，其特徵在於：其係設置於對基板進行電漿處理之基板處理裝置之收容上述基板之處理室內的環狀構件32之製造方法，且包含如下步驟：以一個矽構件34之一個對接面與另一個矽構件36之另一個對接面對接之方式配置；將上述一個對接面與上述另一個對接面藉由光加熱而加熱，使一個對接面之表面之矽與另一個對接面之表面之矽熔解，使矽熔解物流入至一個對接面與另一個對接面之間；及將上述一個對接面與上述另一個對接面冷卻，使上述矽熔解物結晶化而形成矽接著部，將一個矽構件32與另一個矽構件34經由上述矽接著部而接合。

Description

環狀構件之製造方法及環狀構件
本發明係關於一種環狀構件之製造方法及環狀構件。
作為LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)等半導體積體元件製造中之基板處理裝置，使用利用電漿之乾式蝕刻裝置。乾式蝕刻裝置具有圓筒形狀之真空腔室。將蝕刻對象之晶圓配置於平面電極之陰極上，於對真空腔室內導入蝕刻氣體之狀態下，藉由高頻振盪器而向對向電極(陽極)與陰極之間施加高頻電壓，藉此，於電極間產生蝕刻氣體之電漿。電漿中之作為活性氣體之正離子入射至晶圓表面而進行蝕刻。 於乾式蝕刻裝置之真空腔室內，使用各種環狀構件。作為代表性之環狀構件，有形成包圍蝕刻對象之晶圓之圓環狀之形狀之聚焦環、以覆蓋載置晶圓之圓柱狀之基座基部之側面的方式配置之環狀之接地環。又，有設置於對向電極之周緣部之環狀之遮蔽環、覆蓋真空腔室之內壁側面之側壁構件等保護材(專利文獻1)。 於乾式蝕刻裝置之真空腔室內部，若使用金屬製零件則產生金屬污染，故而較理想為使用矽製零件。聚焦環、接地環、環狀之保護材必須具有較蝕刻對象之晶圓大之直徑。目前主流之300 mm晶圓用之矽製零件由於利用具有320 mm以上之直徑之矽晶錠製作，故而價格高。尤其，環狀之側壁構件亦有直徑達到700 mm以上者，亦存在實質上不可能利用矽晶錠製成之情形。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2008-251744號公報
[發明所欲解決之問題] 若可藉由將複數個矽構件接合而製造矽製零件，而並非以一體物之形式製造矽製零件，則可利用具有更小直徑之矽晶錠製作，故而可期待製造成本之削減等各種優點。 本發明之目的在於提供一種將複數個矽構件接合而成之環狀構件之製造方法及環狀構件。 [解決問題之技術手段] 本發明之環狀構件之製造方法之特徵在於：其係設置於對基板進行電漿處理之基板處理裝置之收容上述基板之處理室內的環狀構件之製造方法，且包含如下步驟：以一個矽構件之一個對接面與另一個矽構件之另一個對接面對接之方式配置；將上述一個對接面與上述另一個對接面藉由利用氙氣燈或鹵素燈所進行之光加熱而加熱，將上述一個對接面之表面之矽與上述另一個對接面之表面之矽熔解，使矽熔解物流入至上述一個對接面與上述另一個對接面之間；及將上述一個對接面與上述另一個對接面冷卻，使上述矽熔解物結晶化而形成矽接著部，將上述一個矽構件與上述另一個矽構件經由上述矽接著部而接合。 本發明之環狀構件之特徵在於：其係設置於對基板進行電漿處理之基板處理裝置之收容上述基板之處理室內者，且具備：複數個矽構件；及矽接著部，其係以將一個上述矽構件之一個對接面與另一個上述矽構件之另一個對接面之間之間隙填埋的方式設置，且將上述一個對接面與上述另一個對接面接合；上述矽接著部係上述一個上述矽構件之端面之矽熔解物與上述另一個上述矽構件之端面之矽熔解物接觸且藉由毛細管現象流入至上述間隙並結晶化而成者，係由繼承上述一個對接面之結晶性之單晶矽構成之一個矽接著部與由繼承上述另一個對接面之結晶性之單晶矽構成之另一個矽接著部以原子等級一體化而成。 [發明之效果] 根據本發明，可將自較環狀構件之外徑小之矽晶錠切出之複數個矽構件組合而製造。因此，環狀構件無須使用較環狀構件之外徑大之矽晶錠，故而可相應地降低成本。
以下，參照圖式對本發明之實施形態詳細地進行說明。 1.第1實施形態 (1)整體構成 圖1所示之乾式蝕刻裝置10具備作為處理室之真空腔室12、上部電極板14、及基台16。真空腔室12為大致圓筒形狀，且於內部具有由圓筒狀之側壁包圍之處理空間31。真空腔室12之側壁之內面由側壁構件13覆蓋。真空腔室12之上壁之上部電極板14之周圍之內面由上壁構件17覆蓋。側壁構件13及上壁構件17係用以保護真空腔室12之曝露於電漿之內壁之環狀之構件，且由矽形成。 真空腔室12設置有將真空腔室12內於高度方向分隔之隔板25。於由隔板25分隔之真空腔室12內之下側形成有排氣空間26，於上側形成有處理空間31。隔板25係用以防止蝕刻氣體逆流之保護構件，且由矽形成。隔板25具有環狀之本體，於本體具有於厚度方向貫通之流通路27。如本圖所示，隔板25係設置於真空腔室12內之高度方向之大致中央。 上部電極板14係圓板狀之構件，且固定於真空腔室12內之上部。上部電極板14之周緣部由保護環20覆蓋。於上部電極板14與保護環20之間，設置有由石英形成之遮蔽環21。保護環20係用以保護真空腔室12之內壁免受產生於上部電極板14周邊之電漿影響之構件，且由矽形成。保護環20亦存在接地之情形。於本圖之情形時，保護環20係真空腔室12內側之表面較遮蔽環21更突出，並且為與上壁構件17相同之高度。上部電極板14具有於厚度方向貫通之複數個貫通孔15。上部電極板14電性連接有未圖示之高頻電源。上部電極板14連接有氣體供給管24。 自氣體供給管24供給之蝕刻氣體自上部電極板14之貫通孔15向真空腔室12內流入。向真空腔室12內流入之蝕刻氣體經由流通路27而向排氣空間26流入，並自排出口28排出至外部。 基台16設置於真空腔室12內之隔板25之上側即處理空間31內，且其周圍由接地環30包圍。接地環30係由矽形成，且接地。於基台16上，設置有聚焦環18。聚焦環18係由矽形成，且遍及內側之全周而形成有支持晶圓22之周緣之凹部19。於聚焦環電性連接有施加用以使蝕刻處理中之電漿穩定之電壓之電源。於聚焦環18之周圍，亦可設置保護聚焦環18之側面之覆蓋環23。覆蓋環23係由石英形成，且遍及內側之全周而形成有支持聚焦環18之周緣之凹部33。 乾式蝕刻裝置10中，若經由上部電極板14而供給蝕刻氣體，並自高頻電源施加高頻電壓，則於上部電極板14與晶圓22之間產生電漿。藉由該電漿而蝕刻晶圓22表面。 本實施形態之環狀構件可應用於作為矽製零件之上述聚焦環18、保護環20、接地環30、側壁構件13、上壁構件17、及隔板25。環狀構件並不限定於上述矽製零件。環狀構件可應用於設置於乾式蝕刻裝置10之真空腔室12內且被施加電壓、或接地之成為矽製零件之電極用環、及上述以外之成為矽製零件之保護材用環。環狀構件可設為內徑為290 mm以上，外徑為800 mm以下左右。 作為一例，以下，對成為聚焦環18用之構件之本實施形態之環狀構件進行說明。如圖2所示，環狀構件32具備複數個(於本圖之情形時，為3個)第1矽構件34、36、38。再者，於以下之說明中，於不特別區分複數個第1矽構件34、36、38之情形時，總稱而稱為矽構件。矽構件為圓弧狀，且藉由在作為長度方向之端面之對接面37經由矽接著部(於本圖中未圖示)於一方向接合，而呈環狀地一體化。矽構件既可為單晶，亦可為多晶，且其製造方法、純度、結晶方位等不受限定。矽構件之大小並無特別限定，例如，可設為厚度為1 mm以上且100 mm以下，寬度為10 mm以上且100 mm以下左右。 如圖3所示，於矽構件彼此之對接面37，設置有矽接著部39A。圖3表示第1矽構件34、36之間之對接面37。 於矽構件為單晶之情形時，矽接著部39A係將繼承由對接面37相接之矽構件之端面之結晶性之單晶矽一體化而成。於本圖之情形時，矽接著部39A係將由繼承矽構件34之端面之結晶性之單晶矽構成之一個矽接著部與由繼承矽構件36之端面之結晶性之單晶矽構成之另一個矽接著部一體化而成。即，一個矽接著部之結晶方位係與矽構件34之端面之結晶方位相同，另一個矽接著部之結晶方位係與矽構件36之端面之結晶方位相同。 (2)製造方法 其次，對製造環狀構件32之方法進行說明。首先，對矽構件進行表面處理。具體而言，對矽構件之表面藉由研削及研磨等進行加工，較佳為形成為鏡面。亦可對矽構件之表面藉由氫氟酸與硝酸之混合液等進行蝕刻。作為混合液，可使用JIS規格H0609中規定之化學研磨液(氫氟酸(49%)：硝酸(70%)：乙酸(100%)=3：5：3)等。 繼而，將3個第1矽構件34、36、38呈環狀地排列。第1矽構件34、36、38彼此之對接面37之間之矽接著部39A係將對接面37附近之矽加熱並熔解而形成。將第1矽構件34、36、38呈環狀地排列時之對接面之間之間隙較佳為0 mm~1 mm。若矽熔解則體積減少。例如，若第1矽構件34、36之間之間隙超過1 mm，則第1矽構件34之端面之矽熔解物與第1矽構件36之端面之矽熔解物不接觸。因此，第1矽構件34之端面之矽接著部與第1矽構件36之端面之矽接著部不以一體化之方式接合。 於間隙為1 mm以下之情形時，藉由表面張力，而第1矽構件34之端面之矽熔解物與第1矽構件36之端面之矽熔解物接觸，且藉由毛細管現象，而第1矽構件34之端面之矽熔解物與第1矽構件36之端面之矽熔解物流入至間隙。因此，第1矽構件34之端面之矽接著部與第1矽構件36之端面之矽接著部以原子等級一體化而接合。 加熱方法可藉由光加熱而進行。光加熱可使加熱部位容易地移動，且容易根據所供給之電力而使加熱量變化，例如使用各種燈、雷射。 於本實施形態之情形時，可使用圖4所示之裝置。本圖所示之裝置具備至少一個燈42及作為將該燈42出射之光聚光之聚光部之至少一個橢圓鏡44。作為燈42，可使用紅外線結晶成長裝置中一般使用之氙氣燈或鹵素燈。作為輸出，較佳為1~30 kW左右。作為雷射，可使用波長780~1600 nm之紅外線雷射。進而，自操作之容易性及光源之壽命之觀點而言，較佳為使用將複數個半導體雷射模組化而成之波長780~980 nm、輸出200~400 W左右之封裝型之光源。 加熱只要自對接面37之外側進行即可，並不限定於相對於矽構件垂直之方向，亦可自傾斜方向進行。 聚光區域通常為直徑10~30 mm左右。聚光區域係藉由使燈42之發光位置自橢圓鏡44之焦點錯開，而擴展為30~100 mm左右。藉由使聚光區域擴展，可擴大加熱範圍。較佳為使聚光區域遍及對接面37之環狀構件32中之上表面之整個區域掃描而進行加熱。 首先，以使橢圓鏡44之焦點位置與燈42之發光部之位置一致之方式調整燈位置，且以使矽構件之上表面之高度成為橢圓鏡44之另一個焦點位置之方式進行調整，藉此，使照射位置上之橢圓鏡44之擴展為約3 mm。於該狀態下，使橢圓鏡44與對接面37之位置一致並提高燈42之功率。若開始加熱，則對接面37之上表面側熔解而產生矽熔解物。具體而言，以燈額定之60%而上表面開始熔解(推定表面溫度為1420℃)，以燈額定之90%而由對接面37相接之矽熔解，矽熔解物藉由毛細管現象流入至對接面37之間而將對接面37之間之一部分堵塞。於該狀態下，使橢圓鏡44沿著對接面37以固定之速度、例如5 mm/分鐘之速度進行掃描，藉此可利用熔解矽將對接面37之間填埋、堵塞。使橢圓鏡44遍及對接面37之外緣中環狀構件32中之上表面側掃描而進行加熱。此外，亦可於環狀構件之下表面側藉由相同之方法而加熱對接面37。 繼而，將經熔解之對接面37之上表面冷卻，使矽熔解物按照矽構件之結晶而結晶化。具體而言，將燈42之功率降低2分鐘直至矽熔解物開始凝固之燈額定之60%為止，並於該狀態下保持5分鐘。此時之表面溫度為1400℃~1415℃。矽熔解物成為繼承由對接面37相接之矽構件之端面之結晶性之矽接著部39A。矽接著部39A係於矽構件為單晶之情形時，將由繼承一矽構件之端面之結晶性之單晶矽構成之一個矽接著部與由繼承另一矽構件之端面之結晶性之單晶矽構成之另一個矽接著部一體化而成。 根據上述順序，於所有對接面37同樣地形成矽接著部39A，藉此可將第1矽構件34、36、38彼此接合而形成環狀構件32。 以上述方式獲得之環狀構件32藉由利用機械加工遍及內側之全周形成凹部，而可成為聚焦環18。 環狀構件32可將自較矽製零件之外徑小之晶圓用矽晶錠切出之3個以上之矽構件組合而製造。因此，環狀構件32無須使用較矽製零件之外徑大之晶圓用矽晶錠，故而可相應地降低成本。 本實施形態之環狀構件32由於將對接面37藉由矽接著部39A而接合，故而即便於真空腔室12內被照射電漿，真空腔室12內亦不會被污染。 (3)變化例 於本實施形態之情形時，對將由對接面37相接之端面之矽熔解而形成矽接著部39A之情形進行了說明，但本發明並不限定於此。亦可如圖5所示，於對接面上放置單晶或多晶之矽片40，使該矽片40熔解而形成矽接著部39B。於不使用矽片40之情形時，存在如下情形：因對接面37之上表面側之矽熔解並流入至對接面37之間而導致對接面37之上表面凹陷。藉由使用矽片40形成矽接著部39B，可防止形成矽接著部39B之後之對接面37之上表面55凹陷(圖6)。矽片40較佳為與對接面37之間之體積為相同體積。 2.第2實施形態 其次，對第2實施形態之環狀構件進行說明。再者，對與上述第1實施形態相同之構成標註相同之符號，並省略說明。圖7所示之環狀構件46具備第1環體35及第2環體47。本圖所示之第1環體35具備第1矽構件41、43、45，與上述第1實施形態之環狀構件32相比僅寬度較小之方面不同。第2環體47具備複數個(於本圖之情形時為3個)第2矽構件48、50、52。第2矽構件48、50、52係為了便於說明而改變符號，但與第1矽構件41、43、45相同。第1環體35與第2環體47係以矽構件彼此之對接面49於圓周方向錯開之狀態於接合面54重疊於同軸上。 圖8A表示第1矽構件41、43之間之對接面49，圖8B表示第2矽構件48、52之間之對接面49。圖中箭頭之方向表示環狀構件46之半徑方向之外側方向。 於第1矽構件41、43之間之對接面49形成有第1矽接著部51(圖8A)。於第1環體35與第2環體47之間之接合面54形成有第2矽接著部53。於第2矽構件48、52之間之對接面49未設置第1矽接著部(圖8B)。 如此一來，第1矽接著部51將第1矽構件41、43、45彼此之對接面49之間及第1環體35與第2環體47之接合面54之間堵塞。 其次，對本實施形態之環狀構件46之製造方法進行說明。再者，關於與上述第1實施形態相同之步驟，適當省略說明。首先，將表面處理後之3個第2矽構件48、50、52呈環狀地排列。繼而，於第2矽構件48、50、52之上表面放置3個第1矽構件41、43、45。第1矽構件41、43、45係相對於先配置之第2矽構件48、50、52，錯開長度方向之長度之一半而配置。以上述方式，成為於第2矽構件48、50、52上堆積有第1矽構件41、43、45之狀態。 其次，自第1矽構件34、36、38側進行加熱，於第1矽構件41、43、45彼此之對接面49之間產生矽之熔解物，而形成第1矽接著部51。加熱條件、冷卻條件可設為與上述第1實施形態相同。 繼而，將第1環體35及第2環體47之間之接合面54之間之矽加熱而熔解。經熔解之矽藉由毛細管現象而流入至為水平方向之接合面54之間，形成第2矽接著部53。 本實施形態之環狀構件46由於在對接面49之間利用第1矽接著部51接合，且接合面54之間利用第2矽接著部53接合，故而可獲得與上述第1實施形態相同之效果。 於本實施形態之情形時，對將由對接面49相接之端面之矽熔解而形成第1矽接著部51之情形進行了說明，但本發明並不限定於此。亦可如上述圖5所示，於對接面上放置矽片40，將該矽片40熔解而形成第1矽接著部。 於本實施形態之情形時，對與上述第1實施形態之環狀構件32相比寬度較小之情形進行了說明，但本發明並不限定於此。只要可將第1環體與第2環體之間之接合面以具有充分之機械強度之方式接合，則環狀構件之寬度可適當選擇。 對在第2矽構件48、52之間之對接面49未設置第1矽接著部之情形進行了說明，但本發明並不限定於此。亦可於第2矽構件48、52之間之對接面49設置第1矽接著部。 3.第3實施形態 其次，對第3實施形態之環狀構件進行說明。圖9A、9B所示之環狀構件56具備複數個(於本圖之情形時，為3個)第1矽構件58、60、62、及嵌入至橫跨第1矽構件58、60、62彼此之位置之複數個(3個)嵌入矽構件64A。嵌入矽構件64A係設置於環狀構件56之與被照射電漿之側相反側，於本圖之情形時為下表面側。 嵌入矽構件64A較佳為由與矽構件相同之材料形成。嵌入矽構件64A之四角較佳為被實施R(圓弧)加工。藉由嵌入矽構件64A之四角被實施R加工，可防止缺損等損傷。R較佳為3 mm以上。 嵌入矽構件64A較佳為以下表面成為與矽構件之下表面大致相同之高度之方式形成。嵌入矽構件64A之厚度較佳為矽構件之厚度之20~80%，更佳為40~60%。 嵌入矽構件64A較佳為由矩形之板狀構件構成，且為於俯視時不自環狀構件56突出之大小。嵌入矽構件64A之長度方向之長度較佳為環狀構件56之外周長度之2~10%。 更具體之矽構件之尺寸可設為將內周直徑340 mm、外周直徑420 mm、厚度4 mm之環分割為3個部分而成之大小。嵌入矽構件64A可設為長度60 mm、寬度25 mm、對4個角實施5 mm之R加工之厚度2 mm。形成於矽構件之下表面之孔係形成為與矽之小片之形狀對應的形狀，且深度設為2 mm。於該情形時，嵌入矽構件64A之厚度為矽構件之厚度之50%，嵌入矽構件64A之長度方向之長度為環狀構件56之外周長度之5%。 如圖10A、10B所示，於矽構件之下表面，於長度方向之端部形成有具有底面之孔。圖10A、10B表示第1矽構件58、60之間之對接面63A。嵌入矽構件64A嵌入至該孔。於第1矽構件58、60、62彼此之對接面63A之間，設置有第1矽接著部68。於嵌入矽構件64A之周緣與第1矽構件58、60、62之孔內面之間，設置有第2矽接著部70。 本實施形態之對接面中之第1矽接著部68可藉由與上述第1實施形態相同之方法而形成。第2矽接著部70可藉由自矽構件之下表面側將嵌入矽構件64A之周緣與第1矽構件58、60、62之孔內面之附近之矽利用與上述第1實施形態相同之方法加熱，產生矽之熔解物而形成。 本實施形態之環狀構件56藉由設置嵌入矽構件64A，可使矽構件彼此之間之接合面積變大，故而可使機械強度更大。又，環狀構件56藉由將對接面63A之間利用第1矽接著部68接合，可獲得與上述第1實施形態相同之效果。 嵌入矽構件64A無須為矩形狀，例如，亦可如圖11A、11B所示，為長圓形狀之嵌入矽構件64B(圖11A)、圓弧狀之嵌入矽構件64C(圖11B)。又，嵌入矽構件64B、64C之長度方向端部如該圖所示，亦可為半圓形狀。 於本實施形態之情形時，對將由對接面63A相接之端面之矽熔解而形成第1矽接著部68之情形進行了說明，但本發明並不限定於此。亦可如圖5所示，於對接面上放置矽片40，將該矽片40熔解而形成第1矽接著部。
10‧‧‧乾式蝕刻裝置12‧‧‧真空腔室(處理室)13‧‧‧側壁構件14‧‧‧上部電極板15‧‧‧貫通孔16‧‧‧基台17‧‧‧上壁構件18‧‧‧聚焦環19‧‧‧凹部20‧‧‧保護環21‧‧‧遮蔽環22‧‧‧晶圓(基板)23‧‧‧覆蓋環24‧‧‧氣體供給管25‧‧‧隔板26‧‧‧排氣空間27‧‧‧流通路28‧‧‧排出口30‧‧‧接地環31‧‧‧處理空間32‧‧‧環狀構件33‧‧‧凹部34、36、38‧‧‧第1矽構件(矽構件)35‧‧‧第1環體37‧‧‧對接面39A‧‧‧矽接著部39B‧‧‧矽接著部40‧‧‧矽片41、43、45‧‧‧第1矽構件(矽構件)42‧‧‧燈44‧‧‧橢圓鏡46‧‧‧環狀構件47‧‧‧第2環體48、50、52‧‧‧第2矽構件(矽構件)49‧‧‧對接面51‧‧‧第1矽接著部(矽接著部)53‧‧‧第2矽接著部(矽接著部)54‧‧‧接合面56‧‧‧環狀構件58、60、62‧‧‧第1矽構件(矽構件)63A‧‧‧對接面64A‧‧‧嵌入矽構件64B‧‧‧嵌入矽構件64C‧‧‧嵌入矽構件68‧‧‧第1矽接著部(矽接著部)70‧‧‧第2矽接著部(矽接著部)
圖1係模式性地表示具備利用第1實施形態之環狀構件製作之聚焦環之乾式蝕刻裝置之構成的剖視圖。 圖2係表示第1實施形態之環狀構件之立體圖。 圖3係表示第1實施形態之對接面之剖視圖。 圖4係模式性地表示製造環狀構件之裝置之剖視圖。 圖5係表示製造第1實施形態之變化例之環狀構件之方法的剖視圖。 圖6係表示利用第1實施形態之變化例之製造方法製造出之矽接著部的剖視圖。 圖7係表示第2實施形態之環狀構件之立體圖。 圖8係表示第2實施形態之對接面之剖視圖，圖8A係第1環體中之對接面，圖8B係第2環體中之對接面。 圖9係表示第3實施形態之環狀構件之立體圖，圖9A係上表面側，圖9B係下表面側。 圖10係表示第3實施形態之對接面之剖視圖，圖10A係剖視圖，圖10B係仰視圖。 圖11係表示嵌入矽構件之圖，圖11A係變化例(1)，圖11B係變化例(2)。
32‧‧‧環狀構件
34、36、38‧‧‧第1矽構件(矽構件)
37‧‧‧對接面

Claims (6)

  1. 一種環狀構件之製造方法，其特徵在於：其係設置於對基板進行電漿處理之基板處理裝置之收容上述基板之處理室內的環狀構件之製造方法，且包含如下步驟： 以一個矽構件之一個對接面與另一個矽構件之另一個對接面對接之方式配置； 將上述一個對接面與上述另一個對接面藉由利用氙氣燈或鹵素燈所進行之光加熱而加熱，將上述一個對接面之表面之矽與上述另一個對接面之表面之矽熔解，使矽熔解物流入至上述一個對接面與上述另一個對接面之間；及 將上述一個對接面與上述另一個對接面冷卻，使上述矽熔解物結晶化而形成矽接著部，將上述一個矽構件與上述另一個矽構件經由上述矽接著部而接合。
  2. 一種環狀構件之製造方法，其特徵在於：其係設置於對基板進行電漿處理之基板處理裝置之收容上述基板之處理室內的環狀構件之製造方法，且包含如下步驟： 以將一個矽構件之一個對接面與另一個矽構件之另一個對接面介隔間隙而對接之方式配置； 將上述一個對接面與上述另一個對接面藉由光加熱而加熱，使上述一個對接面之表面之矽與上述另一個對接面之表面之矽熔解並接觸，使矽熔解物藉由毛細管現象而流入至上述一個對接面與上述另一個對接面之間之上述間隙；及 將上述一個對接面與上述另一個對接面冷卻，使上述矽熔解物結晶化而形成矽接著部，將上述一個矽構件與上述另一個矽構件經由上述矽接著部而接合。
  3. 如請求項2之環狀構件之製造方法，其中上述光加熱係藉由氙氣燈或鹵素燈而進行。
  4. 一種環狀構件，其特徵在於：其係設置於對基板進行電漿處理之基板處理裝置之收容上述基板之處理室內者，且具備： 複數個矽構件；及 矽接著部，其係以將一個上述矽構件之一個對接面與另一個上述矽構件之另一個對接面之間之間隙填埋的方式設置，且將上述一個對接面與上述另一個對接面接合； 上述矽接著部係上述一個上述矽構件之端面之矽熔解物與上述另一個上述矽構件之端面之矽熔解物接觸且藉由毛細管現象流入至上述間隙並結晶化而成者，係由繼承上述一個對接面之結晶性之單晶矽構成之一個矽接著部與由繼承上述另一個對接面之結晶性之單晶矽構成之另一個矽接著部以原子等級一體化而成。
  5. 如請求項4之環狀構件，其中上述間隙為1 mm以下。
  6. 如請求項4或5之環狀構件，其中上述環狀構件之厚度為4 mm以上且100 mm以下。
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