TWI763174B - 參數校正方法與半導體裝置 - Google Patents

參數校正方法與半導體裝置 Download PDF

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黃亮維
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Abstract

一種參數校正方法，用以校正一電路之複數待校正之電子元件所對應之複數參數，包括以下步驟：(A)關閉所有待校正之電子元件，並且自待校正之電子元件中選擇一第一電子元件作為一被校正之電子元件；(B) 開啟被校正之電子元件，並且對被校正之電子元件執行一校正程序，以決定出被校正之電子元件所對應之一參數之一設定值；以及(C)自待校正之電子元件中選擇一第二電子元件作為被校正之電子元件，並且執行步驟(B)，其中步驟(C)反覆被執行，直到所有待校正之電子元件皆成為已校正之電子元件，並且於執行步驟(C)時，已校正之電子元件保持被開啟。

Description

參數校正方法與半導體裝置
本發明係關於一種電路參數的校正方法，尤指一種可有效補償因製程變異而產生的等化器電路參數偏移的校正方法。
通訊過程中不可避免的存在訊號衰減的問題。一般而言，傳輸距離越長，訊號高頻成分的衰減越嚴重。因此，通訊系統中通常使用等化器補償訊號衰減。
對於長距離的訊號傳輸，接收端通常需要估計傳輸線長度或者傳輸通道長度，並利用此資訊調整等化器電路參數，例如根據傳輸距離設定適當的訊號增益值，使整體訊躁比可達最佳。因此，能夠準確地評估傳輸距離以選擇適當參數往往是通訊系統是否能正常運作的重要因素。
然而，電路元件的設計值(例如，電容值、電阻值等)可能於晶片製作過程中因製程變異而產生偏移，因此，同一產品內的一特定元件在不同的晶片之間可能因其屬於不同的製程角落(例如，快/快(Fast/Fast，縮寫FF)角落、慢/慢(Slow/ Slow，縮寫SS)角落、典型/典型(Typical/Typical，縮寫TT)角落等)，而有不同的偏移量。對於等化器而言，參數的偏移會造成高頻增益峰值的頻率位置偏離以及峰值大小的變化，導致不同的晶片在相同的傳輸距離下，因受到等化器的參數差異影響，而得到完全不同的頻率響應，進而影響到評估傳輸線長度或者傳輸通道長度的準確性。不準確的長度估計值會導致錯誤的接收機參數設定，最終造成循環冗餘校驗(Cyclic Redundancy Check，縮寫CRC)錯誤與傳輸封包的丟失的發生。
為解決此問題，需要一種可有效補償因製程變異而產生的電路參數偏移的參數校正方法。
本發明之一目的在於解決因製程變異而產生的電路參數偏移的問題。
根據本發明之一實施例，一種參數校正方法，用以校正一電路之複數待校正之電子元件所對應之複數參數，包括以下步驟：(A)關閉所有待校正之電子元件，並且自待校正之電子元件中選擇一第一電子元件作為一被校正之電子元件；(B) 開啟被校正之電子元件，並且對被校正之電子元件執行一校正程序，以決定出被校正之電子元件所對應之一參數之一設定值，其中於決定出設定值後，被校正之電子元件成為一已校正之電子元件；以及(C)自待校正之電子元件中選擇一第二電子元件作為被校正之電子元件，並且執行步驟(B)，其中步驟(C)反覆被執行，直到所有待校正之電子元件皆成為已校正之電子元件，並且於執行步驟(C)時，已校正之電子元件保持被開啟。
根據本發明之另一實施例，一種半導體裝置，包括一等化器電路與一控制單元。控制單元耦接至等化器電路，用以校正等化器電路之複數待校正之電子元件所對應之複數參數，其中控制單元執行以下操作：(A)關閉化器電路之所有待校正之電子元件，並且自待校正之電子元件中選擇一第一電子元件作為一被校正之電子元件；(B)開啟被校正之電子元件，並且對被校正之電子元件執行一校正程序，以決定出被校正之電子元件所對應之一參數之一設定值，其中於決定出設定值後，被校正之電子元件被視為一已校正之電子元件；以及(C)自待校正之電子元件中選擇一第二電子元件作為被校正之電子元件，並且執行操作(B)。操作(C)反覆被執行，直到所有待校正之電子元件皆被視為已校正之電子元件，並且於執行操作(C)時，控制單元控制已校正之電子元件保持被開啟。
第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之一半導體裝置方塊圖。半導體裝置100可為一積體電路(Integrated Circuit，縮寫IC)或一晶片，例如，適用於一通訊系統內之一接收機晶片。半導體裝置100可至少包括一控制單元120與一等化器電路110，例如，一連續時間線性等化器(Continuous Time Linear Equalization，縮寫CTLE)。控制單元120耦接至等化器電路110，用以於半導體裝置100製作完成後，例如，於晶片出廠後，校正等化器電路110之複數電子元件所對應的參數。根據本發明之一實施例，控制單元120可預先被寫入既定的韌體程式碼，控制單元120可藉由執行韌體程式碼開始對等化器電路110執行一參數校正流程。藉由參數校正，等化器電路110的頻率響應可被調整為具有特定的形狀，用以克服前述在半導體裝置之製作過程中因製程變異導致等化器電路110之複數電子元件所對應的參數發生數值偏移的問題。如此一來，即便基於相同的電路配置所生產出來的多個半導體裝置最終分布於不同的製程角落，例如前述之FF角落、SS角落、或TT角落等，各半導體裝置內的等化器電路110的頻率響應仍可被校正成具有相同或相當近似的形狀。
需注意的是，第1圖為一簡化過的方塊圖，其中僅顯示出與本發明相關之元件。熟悉此技藝者均可理解，一半導體裝置或者一接收機晶片內當可包含其他未示於第1圖之元件，例如，天線、功率放大器、混頻器、射頻訊號處理電路等，以實施所需之訊號處理功能。
第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之等化器電路之一範例電路圖。等化器電路210可包括一或多個濾波器電路，例如，濾波器電路211與212。濾波器電路211可包括電阻R A與電容C A，濾波器電路212可包括電阻R B與電容C B，或者可進一步包括一放大器電路213。於本發明之實施例中，半導體裝置100內的待校正之電子元件可以是等化器電路內的電容，例如，濾波器電路211的電容C A以及濾波器電路212的電容C B，而所述待校正的參數即為電容值。
需注意的是，第2圖僅顯示出本發明可應用之多種等化器電路之其中一者。熟悉此技藝者均可理解，本發明所提出之參數校正方法當可被應用於任何未示於本說明書之等化器電路。此外，需注意的是，本發明所提出之參數校正方法亦不限於僅能校正等化器電路內的電子元件。熟悉此技藝者均可理解，本發明所提出之參數校正方法當可被應用於半導體裝置內的任何電路，用以校正電路內的電子元件所對應的參數因製程變異而產生的偏移。
第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之一參數校正流程之流程圖。參數校正流程可包括由控制單元120所控制或執行之以下步驟/操作：
步驟S302：關閉待校正之電路(例如，等化器電路110)內之所有待校正之電子元件，並且自待校正之電子元件中選擇第一電子元件作為一被校正之電子元件(對應於後述之步驟/操作(A))。例如，假設電路內待校正之電子元件的總數量為N，控制單元120可利用變數i作為被校正之電子元件的索引值，其中1≤i≤ N，並且i與N均為正整數。於步驟S302中，控制單元120可初始設定i=1。再參考第2圖，假設待校正之電子元件包括電容C A與C B，控制單元120可分別利用開關裝置214與215控制電容C A與C B的關閉或開啟狀態。於步驟S302中，控制單元120可將開關裝置214與215的狀態控制為「開路」(open)，藉此關閉電容C A與C B，使其於整體電路中失能。需注意的是，於本發明的實施例中，並未限制待校正之電子元件的選擇順序。
步驟S304：開啟被校正之電子元件(對應於後述之步驟/操作(B)的一部分)，即，開啟第i個電子元件。續前範例，於步驟S304中，控制單元120可將開關裝置214的狀態控制為「閉合」(close)，藉此開啟電容C A，使其被致能。
步驟S306：對被校正之電子元件執行一校正程序，以決定出被校正之電子元件所對應之一參數之一設定值(對應於後述之步驟/操作(B)的另一部分)，即，決定出第i個電子元件的設定值。以下段落將針對校正程序做更詳細的說明。於決定出目前正在被校正之電子元件的設定值後，此被校正之電子元件便成為一已校正之電子元件。例如，控制單元120可將之視為已校正之電子元件。
步驟S308：判斷是否已完成所有待校正之電子元件的校正程序。例如，判斷是否i＜ N。若是，則繼續執行步驟S310。若否，則代表已完成所有待校正之電子元件的校正程序，可結束參數校正流程。
步驟S310：自其餘待校正之電子元件中選擇一第二電子元件作為次一個被校正之電子元件，例如，控制單元120可設定i=i+1，並且返回執行步驟S304(對應於後述之步驟/操作(C))。續前範例，於再次步驟S304時，控制單元120可將開關裝置215的狀態控制為「閉合」(close)，藉此開啟電容C B，使其被致能。
於本發明之實施例中，電子元件的校正程序會反覆被執行，直到所有待校正之電子元件皆成為已校正之電子元件為止。此外，於本發明之實施例中，待校正元件會逐一被開啟。即，於每次執行步驟S304時，僅會開啟目前被選擇為被校正之電子元件，而不會開啟其他尚未被選擇的待校正之電子元件。此外，於本發明之實施例中，控制單元120會控制已校正之電子元件保持被開啟。
根據本發明之實施例，可利用少數頻點的訊號執行校正程序，以縮短校正期間，其中測試訊號的數量可依所需之運算複雜度、校正期間長度與校正準確度彈性選擇。
第4圖係顯示根據本發明之一實施例所述之對被校正之電子元件所執行之校正程序的範例流程圖，其可包括由控制單元120執行之以下步驟/操作：
步驟S402: 將被校正之電子元件所對應之參數設定為第一設定值。於本發明之實施例中，待校正之電子元件可具有多個對應的設定值，此設定值為考慮到製程變異而根據原始設定值產生的數值。例如，假設製程變異可能造成20%的參數偏移，控制單元120可將一電子元件於電路設計階段所設定的原始設定值(例如，一原始電容值)乘上介於(1-20%)到(1+20%)之間的多個數值，以產生出多個可用於對應校正程序的設定值。
步驟S404: 控制待校正之電路(例如，等化器電路110)根據具有第一頻率之測試訊號產生一輸出訊號。根據本發明之一實施例，測試訊號可以是一正弦訊號、一餘弦訊號、或其他單頻訊號。控制單元120可直接將測試訊號輸入等化器電路110之輸入端V IN，使其根據測試訊號產生對應之輸出訊號，並且於等化器電路110之輸出端V OUT接收輸出訊號。
步驟S406: 計算輸出訊號中於第一頻率之一頻率成分之能量，並且根據測試訊號之能量以及輸出訊號中於第一頻率之頻率成分之能量計算一增益值。於此操作中，控制單元120可對輸出訊號執行快速傅立葉轉換(Fast Fourier Transform，縮寫FFT)，以取得頻譜上的能量，並將之與原始的測試訊號的能量作比較，得到對應的增益值。
步驟S408: 變更參數的設定值，例如，將被校正之電子元件所對應之參數設定為不同於第一設定值之第二設定值，並執行步驟S404與S406，以取得對應於第二設定值之增益值。
步驟S410: 根據一目標值、對應於第一設定值之增益值以及對應於第二設定值之增益值決定被校正之電子元件所對應之參數之設定值。
根據本發明之一實施例，於步驟S410中，此目標值可以是於第一頻率之一目標增益值，控制單元120可自第一設定值與第二設定值中選擇出具有對應之增益值最接近目標增益值的一者作為目前正在被校正之電子元件的參數設定值。
需注意的是，於本發明之一些實施例中，步驟S408也可反覆地根據被校正之電子元件所對應之參數的不同設定值被執行複數次。例如，校正程序可於步驟S408後加入參數的所有設定值是否均已被測試過的判斷。若否，則返回執行步驟S408。若是，則繼續執行步驟S410。並且於執行完複數次步驟S408後，於步驟S410中的設定值可根據目標值與對應於多個不同設定值之增益值被決定。例如，控制單元120可自多個設定值中選擇出具有對應之增益值最接近目標增益值的一者作為目前正在被校正之電子元件的參數設定值。
第5圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之對被校正之電子元件所執行之校正程序的範例流程圖，其可包括由控制單元120執行之以下步驟/操作：
步驟S502: 將被校正之電子元件所對應之參數設定為第一設定值。同上所述，於本發明之實施例中，待校正之電子元件可具有多個對應的設定值，此設定值為考慮到製程變異而根據原始設定值產生的數值。例如，假設製程變異可能造成20%的參數偏移，控制單元120可將一電子元件於電路設計階段所設定的原始設定值(例如，一原始電容值)乘上介於(1-20%)到(1+20%)之間的多個數值，產生出多個可用於對應校正程序的設定值。
步驟S504: 控制待校正之電路(例如，等化器電路110)根據具有第一頻率之第一測試訊號產生第一輸出訊號，以及根據具有第二頻率之第二測試訊號產生第二輸出訊號。根據本發明之一實施例，測試訊號可以是一正弦訊號、一餘弦訊號、或其他單頻訊號。控制單元120可直接將測試訊號輸入等化器電路110之輸入端V IN，使其根據測試訊號產生對應之輸出訊號，並且於等化器電路110之輸出端V OUT接收輸出訊號。此外，於本發明之實施例中，第一測試訊號與第二測試訊號可分別為一低頻訊號與一高頻訊號。
步驟S506: 計算第一輸出訊號中於第一頻率之一頻率成分之能量，並且根據第一測試訊號之能量以及第一輸出訊號中於第一頻率之頻率成分之能量計算第一增益值，以及計算第二輸出訊號中於第二頻率之一頻率成分之能量，並且根據第二測試訊號之能量以及第二輸出訊號中於第二頻率之頻率成分之能量計算第二增益值。於此操作中，控制單元120可對輸出訊號執行快速傅立葉轉換，以取得頻譜上的能量，並將之與原始的測試訊號的能量作比較，例如，將第一/第二輸出訊號中於第一/第二頻率之頻率成分之能量除以第一/第二測試訊號之能量，以得到對應的第一/第二增益值。
步驟S508: 變更參數的設定值，例如，將被校正之電子元件所對應之參數設定為不同於第一設定值之第二設定值，並執行步驟S504與S506，以取得對應於第二設定值之第一增益值與第二增益值。
步驟S510: 根據至少一目標值、對應於第一設定值之第一增益值與第二增益值以及對應於第二設定值之第一增益值與第二增益值決定被校正之電子元件所對應之參數之設定值。
根據本發明之一實施例，步驟S510中的至少一目標值可包括於第一頻率之一第一目標增益值以及於第二頻率之一第二目標增益值，或者可以是第一目標增益值與第二目標增益值之一比值。控制單元120可自第一設定值與第二設定值中選擇出具有對應之第一增益值及第二增益值與第一目標增益值及第二目標增益值之間誤差最小的一者作為目前正在被校正之電子元件的參數設定值，或者自第一設定值與第二設定值中選擇出具有對應之第一增益值與第二增益值之比值最接近第一目標增益值與第二目標增益值之比值的一者作為目前正在被校正之電子元件的參數設定值。
同上所述，需注意的是，於本發明之一些實施例中，步驟S508也可反覆地根據被校正之電子元件所對應之參數的不同設定值被執行複數次。例如，校正程序可於步驟S508後加入參數的所有設定值是否均已被測試過的判斷。若否，則返回執行步驟S508。若是，則繼續執行步驟S510。並且於執行完複數次步驟S508後，於步驟S510中的設定值可根據目標值與對應於多個不同設定值之第一增益值及第二增益值被決定。例如，控制單元120可自多個設定值中選擇出具有對應之增益值比值最接近目標增益值比值的一者作為目前正在被校正之電子元件的參數設定值。
此外，需注意的是雖以上實施例係利用兩個不同頻率的測試訊號執行校正程序，但本發明並不限於此。本發明所提出之參數校正方法當可利用多於兩個不同頻率的測試訊號執行校正程序，而熟悉此技藝者亦可根據以上說明推導出利用多於兩個不同頻率的測試訊號執行校正程序的實施方式，故於此不再贅述。
第6圖係顯示根據本發明之一實施例所述之一電路經參數校正後所得的頻率響應，其中第6圖顯示出分布於不同的製程角落的晶片經由對該電路實施本發明所提出之參數校正方法而決定出參數的設定值後所得到的頻率響應，且第6圖係顯示電路中僅開啟一個電容，例如，第2圖所示之電容C B，時所得的頻率響應。如第6圖所示，經由對各晶片的同一電路實施本發明所提出之參數校正方法後，可能得到不同的參數設定值，然而，無論晶片分布於TT、FF或SS哪個角落，參數校正後所得到的頻率響應曲線都十分相近。
第7圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之一電路經參數校正後所得的頻率響應，其中第7圖同樣顯示出分布於不同的製程角落的晶片經由對該電路實施本發明所提出之參數校正方法而決定出參數的設定值後所得到的頻率響應，且第7圖係顯示電路中開啟兩個電容，例如，第2圖所示之電容C A與C B，時所得的頻率響應。如第7圖所示，經由對各晶片的同一電路實施本發明所提出之參數校正方法，各晶片可能得到不同的參數設定值。例如，對於分布於TT角落的晶片，電容C A可被設定為第三設定值(於圖中簡易標示為C A=3，以下亦同)，對於分布於FF角落的晶片，電容C A可被設定為第六設定值(C A=6)，而對於分布於SS角落的晶片，電容C A可被設定為第一設定值(C A=1)。然而，無論晶片分布於TT、FF或SS哪個角落，所得到的頻率響應曲線都十分相近。
綜上所述，本發明所提出之參數校正方法可有效補償因製程變異而產生的電路參數偏移。透過參數校正，電路的頻率響應可被修正回預定的形狀，或者被調整為具有特定的形狀，如此一來，即便出廠的晶片產品分布於不同的製程角落，各晶片內的電路的頻率響應仍可被校正成具有相同或相當近似的形狀。藉此，可提高後續傳輸距離估計與接收機電路參數選擇的準確性。此外，於傳統技術中，等化器電路的參數係根據接收到訊號的訊噪比調整，但根據訊噪比調整參數的方法無法確保後續傳輸距離估計的準確性。相較於傳統技術，本發明所提出之參數校正方法可確保傳輸距離估計的準確性，有效提升傳輸效能。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100:半導體裝置 110,210:等化器電路 120:控制單元 211,212:濾波器電路 213:放大器電路 214,215:開關裝置 C A,C B:電容 R A,R B:電阻 S302~S310,S402~S410,S502~S510:步驟 V IN:輸入端 V OUT:輸出端
第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之一半導體裝置方塊圖。 第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之等化器電路之一範例電路圖。 第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之一參數校正流程之流程圖。 第4圖係顯示根據本發明之一實施例所述之對被校正之電子元件所執行之校正程序的範例流程圖。 第5圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之對被校正之電子元件所執行之校正程序的範例流程圖。 第6圖係顯示根據本發明之一實施例所述之一電路經參數校正後所得的頻率響應。 第7圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之一電路經參數校正後所得的頻率響應。
S302~S310:步驟

Claims (10)

  1. 一種參數校正方法，用以校正一電路之複數待校正之電子元件所對應之複數參數，包括以下步驟： (A) 關閉所有待校正之電子元件，並且自該等待校正之電子元件中選擇一第一電子元件作為一被校正之電子元件； (B) 開啟該被校正之電子元件，並且對該被校正之電子元件執行一校正程序，以決定出該被校正之電子元件所對應之一參數之一設定值，其中於決定出該設定值後，該被校正之電子元件成為一已校正之電子元件；以及 (C) 自該等待校正之電子元件中選擇一第二電子元件作為該被校正之電子元件，並且執行步驟(B)， 其中步驟(C)反覆被執行，直到所有待校正之電子元件皆成為已校正之電子元件，並且於執行步驟(C)時，該(等)已校正之電子元件保持被開啟。
  2. 如請求項1所述之參數校正方法，其中對該被校正之電子元件執行之該校正程序包括以下步驟： (B21) 將該被校正之電子元件所對應之該參數設定為一第一設定值； (B22) 由該電路依序根據具有一第一頻率之一第一測試訊號產生一第一輸出訊號以及根據具有一第二頻率之一第二測試訊號產生一第二輸出訊號； (B23) 計算該第一輸出訊號中於該第一頻率之一頻率成分之能量，並且根據該第一測試訊號之能量以及該第一輸出訊號中於該第一頻率之該頻率成分之能量計算一第一增益值，以及計算該第二輸出訊號中於該第二頻率之一頻率成分之能量，並且根據該第二測試訊號之能量以及該第二輸出訊號中於該第二頻率之該頻率成分之能量計算一第二增益值； (B24) 將該被校正之電子元件對應之該參數設定為不同於該第一設定值之一第二設定值，並執行步驟(B22)與步驟(B23)，以取得對應於該第二設定值之該第一增益值與該第二增益值；以及 (B25) 根據至少一目標值、對應於該第一設定值之該第一增益值與該第二增益值以及對應於該第二設定值之該第一增益值與該第二增益值決定該第一電子元件所對應之該參數之該設定值。
  3. 如請求項2所述之參數校正方法，其中該至少一目標值包括該第一頻率之一第一目標增益值與該第二頻率之一第二目標增益值。
  4. 如請求項2所述之參數校正方法，其中步驟(B24)反覆地根據該被校正之電子元件所對應之該參數的不同設定值被執行複數次，並且於執行完複數次步驟(B24)後，於步驟(B25)中該設定值係根據該至少一目標值與對應於所述不同設定值之該第一增益值與該第二增益值被決定。
  5. 如請求項1所述之參數校正方法，其中該等待校正之電子元件為該電路內之複數電容，並且該等參數為該等電容之電容值。
  6. 一種半導體裝置，包括： 一等化器電路；以及 一控制單元，耦接至該等化器電路，用以校正該等化器電路之複數待校正之電子元件所對應之複數參數，其中該控制單元執行以下操作： (A) 關閉該等化器電路之所有待校正之電子元件，並且自該等待校正之電子元件中選擇一第一電子元件作為一被校正之電子元件； (B) 開啟該被校正之電子元件，並且對該被校正之電子元件執行一校正程序，以決定出該被校正之電子元件所對應之一參數之一設定值，其中於決定出該設定值後，該被校正之電子元件被視為一已校正之電子元件；以及 (C) 自該等待校正之電子元件中選擇一第二電子元件作為該被校正之電子元件，並且執行操作(B)， 其中操作(C)反覆被執行，直到所有待校正之電子元件皆被視為已校正之電子元件，並且於執行操作(C)時，該控制單元控制該(等)已校正之電子元件保持被開啟。
  7. 如請求項6所述之半導體裝置，其中該控制單元對該被校正之電子元件執行之該校正程序包括以下操作： (B21) 將該被校正之電子元件所對應之該參數設定為一第一設定值； (B22) 使該等化器電路依序根據具有一第一頻率之一第一測試訊號產生一第一輸出訊號以及根據具有一第二頻率之一第二測試訊號產生一第二輸出訊號； (B23) 計算該第一輸出訊號中於該第一頻率之一頻率成分之能量，並且根據該第一測試訊號之能量以及該第一輸出訊號中於該第一頻率之該頻率成分之能量計算一第一增益值，以及計算該第二輸出訊號中於該第二頻率之一頻率成分之能量，並且根據該第二測試訊號之能量以及該第二輸出訊號中於該第二頻率之該頻率成分之能量計算一第二增益值； (B24) 將該被校正之電子元件所對應之該參數設定為不同於該第一設定值之一第二設定值，並執行操作(B22)與操作(B23)，以取得對應於該第二設定值之該第一增益值與該第二增益值；以及 (B25) 根據至少一目標值、對應於該第一設定值之該第一增益值與該第二增益值以及對應於該第二設定值之該第一增益值與該第二增益值決定該第一電子元件對應之該參數之該設定值。
  8. 如請求項7所述之半導體裝置，其中該至少一目標值包括該第一頻率之一第一目標增益值與該第二頻率之一第二目標增益值。
  9. 如請求項7所述之半導體裝置，其中操作(B24)反覆地根據該被校正之電子元件所對應之該參數的不同設定值被執行複數次，並且於執行完複數次操作(B24)後，於操作(B25)中該設定值係根據該至少一目標值與對應於所述不同設定值之該第一增益值與該第二增益值被決定。
  10. 如請求項6所述之半導體裝置，其中該等待校正之電子元件為該等化器電路內之複數電容，並且該等參數為該等電容之電容值。
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