TWI761229B - 功率偵測裝置與偵測功率範圍校正方法 - Google Patents

功率偵測裝置與偵測功率範圍校正方法 Download PDF

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Abstract

功率偵測裝置包含功率偵測器電路、濾波器電路以及校正電路系統。功率偵測器電路用以偵測一第一訊號以產生一第二訊號。濾波器電路用以濾波該第二訊號以產生一第三訊號。校正電路系統用以響應該第三訊號以計算出一第一訊號強度資訊，並調整該功率偵測器電路的一增益以獲得一第二訊號強度資訊，並組合該第一訊號強度資訊與該第二訊號強度資訊以校正該功率偵測器電路的偵測功率範圍為線性。

Description

功率偵測裝置與偵測功率範圍校正方法
本案是關於功率偵測裝置，尤其是關於應用於發射器電路的功率偵測裝置與偵測功率範圍校正方法。
在實際應用中，由於環境條件(例如溫度)以及天線阻抗變化的影響下，發射器電路的輸出功率可能會產生變化而超出通訊協定標準的容許範圍。功率偵測器電路可用來偵測發射器電路的輸出功率，以即時調整發射器電路的輸出功率。然而，現有的功率偵測器電路可能會因較高的輸出功率而過飽和或是具有較小的偵測功率範圍，而不適用於多種通訊應用。
於一些實施態樣中，功率偵測裝置包含功率偵測器電路、濾波器電路以及校正電路系統。功率偵測器電路用以偵測一第一訊號以產生一第二訊號。濾波器電路用以濾波該第二訊號以產生一第三訊號。校正電路系統用以響應該第三訊號計算出一第一訊號強度資訊，並調整該功率偵測器電路的一增 益以獲得一第二訊號強度資訊，並組合該第一訊號強度資訊與該第二訊號強度資訊以校正該功率偵測器電路的偵測功率範圍為線性。
於一些實施態樣中，偵測功率範圍校正方法包含下列操作：藉由一功率偵測器電路偵測一第一訊號以產生一第二訊號；濾波該第二訊號以產生一第三訊號；響應該第三訊號計算出一第一訊號強度資訊；以及調整改變該功率偵測器電路的一增益以獲得一第二訊號強度資訊，並組合該第一訊號強度資訊與該第二訊號強度資訊以校正該功率偵測器電路的偵測功率範圍為線性。
有關本案的特徵、實作與功效，茲配合圖式作較佳實施例詳細說明如下。
100:傳輸系統
110:發射器電路
120:功率放大器電路
130:天線
140:接收器電路
141,142:訊號路徑
141A:功率偵測器電路
141B:濾波器電路
142A:低雜訊放大器電路
142B:降頻電路
143:校正電路系統
143A:多工器電路
143B:類比數位轉換器電路
143C:基頻電路
400:偵測功率範圍校正方法
b:偏移值
d,L1:數值
I1、I2、In:訊號強度資訊
K1,K2,Kn:偏移值
T:線段
P1,P2,Pn:功率值
Pout:功率值
Pout0:初始功率值
S1,S2,S3,S4,S5,S6:訊號
S310,S320,S330,S410,S420,S430,S440:操作
SD:數位訊號
SM:模式訊號
Sideal:預設斜率值
Soffset:斜率偏移值
T1,T2,Tn-1,Tn:訊號強度指標
〔圖1〕為根據本案一些實施例繪製一種傳輸系統的示意圖；〔圖2A〕為根據本案一些實施例繪製訊號強度資訊的示意圖；〔圖2B〕為根據本案一些實施例繪製修正多個訊號強度資訊的示意圖；〔圖2C〕為根據本案一些實施例繪製計算偏移值的示意圖；〔圖3A〕為根據本案一些實施例繪製一種訊號強度資訊的示意圖；〔圖3B〕為根據本案一些實施例繪製一種修正多個訊號強度資訊的斜率之示意圖；以及〔圖4〕為根據本案一些實施例繪製偵測功率範圍校正方法的流程圖。
本文所使用的所有詞彙具有其通常的意涵。上述之詞彙在普遍常用之字典中之定義，在本案的內容中包含任一於此討論的詞彙之使用例子僅為示例，不應限制到本案之範圍與意涵。同樣地，本案亦不僅以於此說明書所示出的各種實施例為限。
關於本文中所使用之『耦接』或『連接』，均可指二或多個元件相互直接作實體或電性接觸，或是相互間接作實體或電性接觸，亦可指二或多個元件相互操作或動作。如本文所用，用語『電路』可為由至少一個電晶體與/或至少一個主被動元件按一定方式連接以處理訊號的裝置。
如本文所用，用語『與/或』包含了列出的關聯項目中的一個或多個的任何組合。在本文中，使用第一、第二與第三等等之詞彙，是用於描述並辨別各個元件。因此，在本文中的第一元件也可被稱為第二元件，而不脫離本案的本意。為易於理解，於各圖式中的類似元件將被指定為相同標號。
圖1為根據本案一些實施例繪製一種傳輸系統100的示意圖。傳輸系統100包含發射器電路110、功率放大器電路120、天線130、接收器電路140以及訊號路徑141。發射器電路110可經由功率放大器電路120以及天線130發送訊號S1。接收器電路140包含訊號路徑142以及校正電路系統143。訊號路徑141用以協同校正電路系統143操作為一功率偵測裝置，其可用以校正發射器電路110(與/或功率放大器電路120)的增益。訊號路徑142相當於一般接收器路徑，其用以經由天線130接收來自發射器電路110的訊號，以供後續電路或裝置使用。
詳細而言，訊號路徑141包含功率偵測器電路141A以及濾波器電路141B。於一些實施例中，功率偵測器電路141A用以偵測訊號S1以產生訊號S2。於一些實施例中，功率偵測器電路141A可為(但不限於)包絡檢波器(envelope detector)電路或峰值檢測器(peak detector)電路。於一些實施例中，基於校正電路系統143的控制，功率偵測器電路141A的增益可被調整。例如，基於校正電路系統143的控制，功率偵測器電路141A的偏壓設定可被調整，進而設定功率偵測器電路141A的增益。上述功率偵測器電路141A的增益之調整方式用於示例，且本案並不以此為限。濾波器電路141B用以濾波訊號S2以產生訊號S3。於一些實施例中，濾波器電路141B可為(但不限於)低通濾波器電路或帶通濾波器電路。訊號路徑142包含低雜訊放大器電路142A以及降頻(down-conversion)電路142B。低雜訊放大器電路142A用以處理訊號S2以產生訊號S4。降頻電路142B用以調變訊號S4(例如為降低訊號S4的頻率)以產生訊號S5。於一些實施例中，降頻電路142B可為(但不限於)混頻電路。
如前所述，校正電路系統143為接收器電路140的一電路部分。當校正電路系統143接收來自訊號路徑141的訊號S3，校正電路系統143可用來調整發射器電路110(與/或功率放大器電路120)的增益。在傳輸開始前，校正電路系統143可藉由調整功率偵測器電路141A的增益獲得具有不同功率的訊號S3，並響應該些訊號S3獲得多個訊號強度資訊，以校正功率偵測器電路141A的偵測功率範圍為線性。當校正電路系統143接收來自訊號路徑142的訊號S5，校正電路系統143可用以處理訊號S5以供後續訊號處理。
於一些實施例中，校正電路系統143包含多工器電路143A、類比數位轉換器電路143B以及基頻(baseband)電路143C。多工器電路143A用以根據模式訊號SM選擇性地自訊號路徑141接收訊號S3或自訊號路徑142接收訊號S5，並輸出所接收到的訊號為訊號S6。例如，當模式訊號SM具有第一邏輯值(例如為邏輯值1)時，多工器電路143A將訊號S3輸出為訊號S6。於此條件下，校正電路系統140操作於校正模式以調整發射器電路110(與/或功率放大器電路120)的增益。當模式訊號SM具有第二邏輯值(例如為邏輯值0)時，多工器電路143A將訊號S5輸出為訊號S6。於此條件下，校正電路系統140操作於一般模式以對自訊號路徑142傳來的訊號S5進行資料處理。
類比數位轉換器電路143B轉換訊號S6為數位訊號SD。當訊號S6為訊號S5時(即操作於一般模式)，基頻電路143C可用以處理該數位訊號SD以供後續訊號處理。或者，當訊號S6為訊號S3時(即操作於校正模式)，基頻電路143C可用以分析數位訊號SD以獲得多個訊號強度資訊(後稱多個訊號強度資訊I1~In)，並組合該些訊號強度資訊I1~In以校正功率偵測器電路141A的偵測功率範圍為線性的。關於此處之詳細操作將於後參照圖2A至圖2C說明。於一些實施例中，基頻電路143C可包含(但不限於)數位訊號處理器電路(未示出)以及暫存器電路(未示出)。數位訊號處理器電路可用以分析數位訊號SD以獲得多個訊號強度資訊I1~In。暫存器電路可儲存多個訊號強度資訊I1~In以及多個參數(如後提及的預設斜率值Sideal、偏移值b以及偏移值K1~Kn等等)。
基頻電路143C可控制發射器電路110與/或功率放大器電路120的增益，以符合不同通訊協定標準的要求。於一些實施例中，多個訊號強度資訊 Ii~In為發射器訊號強度指標(transmitter signal strength indicator,TSSI)。在傳輸開始前，基頻電路143C可提供發射器訊號強度指標給後續電路，以使後續電路得知當前發射訊號強度，並相應調整電路設定。一般而言，功率偵測器電路141A的偵測功率範圍越大，可接受的通訊應用就越多。若發射器電路110(與/或功率放大器電路120)的輸出功率越大，功率偵測器電路141A設定以具有較高增益。否則，在固定的增益下，功率偵測器電路141A可能會因為具有過高功率的訊號S1而過飽和，而無法正確判斷發射器電路110的輸出功率。於一些實施例中，為避免上述情形，基頻電路143C可在操作於校正模式時調整功率偵測器電路141A的增益以產生多個訊號強度資訊I1~In，並組合這些訊號強度資訊I1~In來校正功率偵測器電路141A的偵測功率範圍。如此，可使功率偵測器電路141A的偵測功率範圍線性地增加。
於一些實施例中，基頻電路143C可執行圖2A至圖2C與/或圖3A至圖3B中的多個操作，以校正偵測功率範圍。圖2A為根據本案一些實施例繪製訊號強度資訊I1的示意圖。在功率偵測器電路141A具有第一增益的條件下，基頻電路143C可根據由訊號S3轉換而來的數位訊號SD獲得功率值Pout(相當於發射器電路110的當前輸出功率)，並可根據功率值Pout、預設斜率值Sideal、偏移值b以及偏移值K1獲得訊號強度資訊I1。於此例中，預設斜率值Sideal以及偏移值b為預先儲存的固定參數，而偏移值K1可利用圖2C之計算得知。例如，預設斜率值Sideal以及偏移值b可由量測現有電路推估，並預先儲存於基頻電路143C。於一些實施例中，預設斜率值Sideal可為(但不限於)8。於一些實施例中，訊號強度資訊Ii為第一數值與偏移值b之總和，其中第一數值為功率值Pout與初始功率值 Pout0(可為零或是發射器電路110的初始功率)之間的差異與預設斜率值Sideal的乘積。換言之，訊號強度資訊I1可表達為下式：I 1=S ideal ×(P out -P out0)+b
在獲得對應於第一增益的訊號強度資訊I1後，基頻電路143C可調整功率偵測器電路141A的增益為第二增益，並藉由類似操作獲得對應於第二增益的訊號強度資訊I2。依此類推，基頻電路143C可獲得對應於不同增益的多個訊號強度資訊I1~In。
圖2B為根據本案一些實施例繪製修正多個訊號強度資訊I1~In的示意圖。如圖2B所示，在獲得多個訊號強度資訊I1~In後，基頻電路143C可利用多個偏移值K1~Kn分別平移(shift)多個訊號強度資訊I1~In。如此，多個訊號強度資訊I1~In可對齊於線段T。例如，基頻電路143C可加總偏移值K1與訊號強度資訊I1，以使訊號強度資訊I1對齊於線段T。基頻電路143C可加總偏移值K2與訊號強度資訊I2，以使訊號強度資訊I2對齊於線段T。基頻電路143C可加總偏移值Kn與訊號強度資訊In，以使訊號強度資訊In對齊於線段T。等效來說，基頻電路143C利用多個偏移值K1~Kn組合了多個訊號強度資訊I1~In，以擴展功率偵測器電路141A的偵測功率範圍，並保持該偵測功率範圍的線性度。
圖2C為根據本案一些實施例繪製計算偏移值K1的示意圖。由於系統誤差或是實際電路的變異，多個偏移值K1~Kn可能並非固定值。於一些實施例中，基頻電路143C可利用圖2B中的多個訊號強度資訊I1~In中之兩者來計算偏移值K1。例如，在基頻電路143C校正發射器電路110與功率放大器電路120後，基頻電路143C可藉由調整發射器電路110與/或功率放大器電路120的增益， 以使功率放大器電路120依序輸出具有功率Pn-1的訊號S1以及具有功率Pn的訊號S1。根據訊號強度資訊I1，基頻電路143C可獲得當功率值Pout為Pn-1時，對應的發射器訊號強度指標為Tn-1。根據訊號強度資訊I2，基頻電路143C可獲得當功率值Pout為Pn時，對應的發射器訊號強度指標為Tn。如此，基頻電路143C可根據功率值Pn-1、訊號強度指標Tn-1、功率值Pn、訊號強度指標Tn以及預設斜率值Sideal獲得偏移值K1。例如，如圖2C所示，偏移值K1相當於訊號強度指標Tn與訊號強度指標Tn-1之間的差異減去數值L1，其中數值L1可表示為數值d與預設斜率值Sideal的乘積(即為d×Sideal)，數值d為功率值Pn與功率值Pn-1之間的差異。換言之，偏移值K1可表達為下式：K 1=(T n -T n-1)-d×S ideal =(T n -T n-1)-(P n -P n-1)×S ideal
藉由上述計算，基頻電路143C可獲得較準確的偏移值K1。依此類推，基頻電路143C可利用多個訊號強度資訊I2~In中之兩者來計算剩餘的偏移值K2~Kn。
圖3A為根據本案一些實施例繪製一種訊號強度資訊I1的示意圖。在先前的實施例中，多個訊號強度資訊I1~In預先設定為具有預設斜率值Sideal。於一些實施例中，依據系統誤差或是實際電路的變化，多個訊號強度資訊I1~In之斜率可能彼此不同(如圖3B所示的操作S310)。為了可更準確地校正偵測功率範圍，在功率偵測器電路141A的增益為固定的條件下，基頻電路143C可根據由訊號S3轉換而來的數位訊號SD獲得功率值P1以及對應功率值P1的訊號強度指標T1。接著，基頻電路143C可控制發射器電路110(與/或功率放大器電路120)輸出具有更高功率的訊號S3。基頻電路143C可根據由訊號S3轉換而來 的數位訊號SD獲得功率值P2(其大於功率值P1)以及對應功率值P2的訊號強度指標T2。基頻電路143C可根據功率值P1、訊號強度指標T1、功率值P2以及訊號強度指標T2計算斜率偏移值Soffset，並根據斜率偏移值Soffset校正預設斜率值Sideal以獲得校正斜率值S。斜率偏移值Soffset為第一差異與第二差異之間的一比例，第一差異為功率值P2與功率值P1之間的差異，且第二差異為訊號強度指標T2與訊號強度指標T1之間的差異。換言之，斜率偏移值Soffset可表示為下式：
Figure 110120826-A0305-02-0011-1
圖3B為根據本案一些實施例繪製一種修正多個訊號強度資訊I1~In的斜率之示意圖。在獲得斜率偏移值Soffset後，基頻電路143C可根據斜率偏移值Soffset校正預設斜率值Sideal以獲得校正斜率值S。例如，訊號強度資訊I1的斜率可校正為校正斜率值S，其可為預設斜率值Sideal與斜率偏移值Soffset的乘積。換言之，校正斜率值S可表示為下式：
Figure 110120826-A0305-02-0011-2
如圖3B所示的操作S320，訊號強度資訊I1經修正後的斜率可接近於(或相同於)線段T之斜率。接著，基頻電路143C可調整功率放大器電路120的增益，以獲得對應於功率放大器電路120(或功率偵測器電路141A)的不同增益的多個訊號強度資訊I2~In。藉由類似操作，基頻電路143C可獲得對應於剩餘訊號強度資訊I2~In中每一者的斜率偏移值Soffset與校正斜率值S，以分別校正剩餘訊號強度資訊I2~In的斜率(操作S320；其中虛線線段為校正前的訊號強 度資訊I1~In)。如此一來，基頻電路143C可繼續執行圖2B與圖2C的多個操作，以組合多個訊號強度資訊I1~In為線段T(操作S330)。
圖4為根據本案一些實施例繪製偵測功率範圍校正方法400的流程圖。於操作S410，藉由功率偵測器電路偵測第一訊號(例如為訊號S1)以產生第二訊號(例如為訊號S2)。於操作S420，濾波第二訊號以產生第三訊號(例如為訊號S3)。於操作S430，響應第三訊號計算出第一訊號強度資訊(例如為訊號強度資訊I1)。於操作S440，調整功率偵測器電路的增益以獲得第二訊號強度資訊(例如為訊號強度資訊I2)，並組合第一訊號強度資訊與第二訊號強度資訊以校正功率偵測器電路的偵測功率範圍為線性。
上述多個操作可參考前述各實施例，故不再重複贅述。上述偵測功率範圍校正方法400的多個操作僅為示例，並非限定需依照此示例中的順序執行。在不違背本案的各實施例的操作方式與範圍下，在偵測功率範圍校正方法400下的各種操作當可適當地增加、替換、省略或以不同順序執行(例如可以是同時執行或是部分同時執行)。
綜上所述，本案一些實施例中的功率偵測裝置以及偵測功率範圍校正方法可利用調整功率偵測器的增益來將多個訊號強度資訊整合為單一線段。如此，可線性地擴展功率偵測器電路的偵測功率範圍。
雖然本案之實施例如上所述，然而該些實施例並非用來限定本案，本技術領域具有通常知識者可依據本案之明示或隱含之內容對本案之技術特徵施以變化，凡此種種變化均可能屬於本案所尋求之專利保護範疇，換言之，本案之專利保護範圍須視本說明書之申請專利範圍所界定者為準。
100:傳輸系統
110:發射器電路
120:功率放大器電路
130:天線
140:接收器電路
141,142:訊號路徑
141A:功率偵測器電路
141B:濾波器電路
142A:低雜訊放大器電路
142B:降頻電路
143:校正電路系統
143A:多工器電路
143B:類比數位轉換器電路
143C:基頻電路
S1,S2,S3,S4,S5,S6:訊號
SD:數位訊號
SM:模式訊號

Claims (10)

  1. 一種功率偵測裝置，包含：一功率偵測器電路，用以偵測一第一訊號以產生一第二訊號；一濾波器電路，用以濾波該第二訊號以產生一第三訊號；以及一校正電路系統，用以響應該第三訊號以計算出一第一訊號強度資訊，並調整該功率偵測器電路的一增益以獲得一第二訊號強度資訊，並組合該第一訊號強度資訊與該第二訊號強度資訊以校正該功率偵測器電路的一偵測功率範圍為連續線性。
  2. 如請求項1之功率偵測裝置，其中該校正電路系統為一接收器電路中的一電路部分，且該校正電路系統包含：一多工器電路，用以選擇性地輸出該第三訊號或是來自該接收器電路的一第四訊號為一第五訊號；一類比數位轉換器電路，用以轉換該第五訊號為一數位訊號；以及一基頻電路，用以分析該數位訊號以獲得該第一訊號強度資訊與該第二訊號強度資訊，並組合該第一訊號強度資訊與該第二訊號強度資訊以校正該偵測功率範圍。
  3. 如請求項1之功率偵測裝置，其中該校正電路系統用以根據該第三訊號獲得一第一功率值，並根據該第一功率值、一預設斜率值以及一第一偏移值獲得該第一訊號強度資訊。
  4. 如請求項3之功率偵測裝置，其中該第一訊號強度資訊為一第一數值與該第一偏移值之總和，且該第一數值為該第一功率值與一初始功率值之間的差異與該預設斜率值的一乘積。
  5. 如請求項3之功率偵測裝置，其中該校正電路系統更用以利用一第二偏移值平移該第一訊號強度資訊。
  6. 如請求項5之功率偵測裝置，其中該校正電路系統用以在調整該增益後根據該第三訊號獲得一第二功率值，並根據該第一功率值、對應於該第一功率值的一第一發射訊號強度指標、該第二功率值以及對應於該第二功率值的一第二發射訊號強度指標獲得該第二偏移值。
  7. 如請求項6之功率偵測裝置，其中該校正電路系統用以將該第一發射訊號強度指標與該第二發射訊號強度指標之間的差異減去一第二數值以獲得該第二偏移值，其中該第二數值為該第一功率值與該第二功率值之間的差異與該預設斜率值的乘積。
  8. 如請求項3之功率偵測裝置，其中該校正電路系統更用以根據該第三訊號獲得大於該第一功率值的一第二功率值，並根據該第一功率值、對應於該第一功率值的一第一發射訊號強度指標、該第二功率值以及對應於該第二功率值的一第二發射訊號強度指標計算一斜率偏移值，並根據該斜率偏移值校正該預設斜率值以產生一校正斜率值，並利用該校正斜率值校正該第一訊號強度資訊。
  9. 如請求項8之功率偵測裝置，其中該斜率偏移值為一第一差異與一第二差異之間的一比例，該第一差異為該第二功率值與該第一功率值之間 的差異，且該第二差異為該第二發射訊號強度指標與該第一發射訊號強度指標之間的差異。
  10. 一種偵測功率範圍校正方法，包含：藉由一功率偵測器電路偵測一第一訊號以產生一第二訊號；濾波該第二訊號以產生一第三訊號；響應該第三訊號計算出一第一訊號強度資訊；以及調整該功率偵測器電路的一增益以獲得一第二訊號強度資訊，並組合該第一訊號強度資訊與該第二訊號強度資訊以校正該功率偵測器電路的一偵測功率範圍為連續線性。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI819726B (zh) * 2022-07-29 2023-10-21 瑞昱半導體股份有限公司 射頻發射機及其射頻輸出功率校正方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003003563A2 (en) * 2001-06-28 2003-01-09 Simon Fraser University Self-calibrated power amplifier linearizers
US20120250534A1 (en) * 2011-03-30 2012-10-04 Infineon Technologies Ag Calibration of a Transmitter with Internal Power Measurement
US9019011B2 (en) * 2011-06-01 2015-04-28 Rf Micro Devices, Inc. Method of power amplifier calibration for an envelope tracking system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003003563A2 (en) * 2001-06-28 2003-01-09 Simon Fraser University Self-calibrated power amplifier linearizers
US20120250534A1 (en) * 2011-03-30 2012-10-04 Infineon Technologies Ag Calibration of a Transmitter with Internal Power Measurement
US9019011B2 (en) * 2011-06-01 2015-04-28 Rf Micro Devices, Inc. Method of power amplifier calibration for an envelope tracking system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI819726B (zh) * 2022-07-29 2023-10-21 瑞昱半導體股份有限公司 射頻發射機及其射頻輸出功率校正方法

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