TWI758836B - X射線產生裝置及x射線拍攝裝置 - Google Patents
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Abstract
X射線產生裝置,具備:X射線產生管,其具有陰極與陽極,該陰極含有往第1方向發射電子的電子發射部,該陽極含有標靶,該標靶是與從前述電子發射部所放射的電子碰撞而藉此產生X射線;電壓供給部,其透過導電線來對前述X射線產生管供給電壓;收納容器,其具有第1部分、第2部分、連結部,該第1部分形成收納前述電壓供給部的第1空間,該第2部分形成與前述第1方向正交之第2方向的寬度比前述第1空間還小且收納前述X射線產生管的第2空間,該連結部將前述第1部分及前述第2部分予以互相連結,而形成有使前述第1空間與前述第2空間連通的內部空間,前述連結部具有朝向前述內部空間突出的凸部;以及絕緣構件,其以包圍前述導電線及前述陰極之至少一方之至少一部分的方式,配置在前述內部空間。前述絕緣構件,以阻斷前述導電線與前述凸部之間之至少最短路徑的方式來配置,前述絕緣構件,具有將至少兩個構件以接著材料結合的構造,且配置成將前述接著材料與前述導電線之間的直線路徑、以及前述接著材料與前述陰極之間的直線路徑予以阻斷。
Description
本發明,關於X射線產生裝置及X射線拍攝裝置。
X射線透視圖的擴大率,是形成在標靶上的X射線產生部與被檢體之間的距離越近則越增加。於是,已知有一種X射線產生裝置,其為了即使是被檢體在很裡面的位置也能得到充分的擴大率,而在收納容器的本體部,設置從本體部細長地突出的突出部,在該突出部的前端安裝X射線產生部。這種X射線產生裝置,記載於專利文獻1。
於專利文獻1記載的X射線產生裝置,具備:X射線產生管、收納X射線產生管的收納容器。X射線產生管,具備:陽極、具有電子發射源的陰極、在陽極與陰極之間形成真空空間的絕緣管,陽極,電性連接於收納容器。收納容器,具有:後方收納部、從後方收納部相連的部分朝向X射線產生管的絕緣管接近且包圍絕緣管的突緣部、從突緣部突出的突出部,在突出部固定有X射線產生管的陽極。在突出部與突緣部之間形成有環狀彎曲部。在X射線產生管的陰極與環狀彎曲部之間,配置有保護構件。保護構件,是使L字狀的剖面旋轉而成的環狀構件。
專利文獻1之上述般的環狀構件,例如是製作複數個構件,將該等以接著材料來結合藉此製造。但是,將以這種方法製造的環狀構件用在X射線產生裝置的情況時,由本案申請人的實驗得知,會出現將接著材料予以貫通之放電產生的問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-73625號公報
本發明,提供X射線產生裝置,其具有利於抑制通過接著材料之放電產生的構造。
本發明的一個型態,是關於X射線產生裝置,前述X射線產生裝置,具備:X射線產生管,其具有陰極與陽極,該陰極含有往第1方向發射電子的電子發射部,該陽極含有標靶,該標靶是與從前述電子發射部所放射的電子碰撞而藉此產生X射線;電壓供給部,其透過導電線來對前述X射線產生管供給電壓;收納容器,其具有第1部分、第2部分、連結部,該第1部分形成收納前述電壓供給部的第1空間,該第2部分形成有與前述第1方向正交之第2方向的寬度比前述第1空間還小且收納前述X射線產生管的第2空間,該連結部將前述第1部分及前述第2部分予以互相連結,而形成有使前述第1空間與前述第2空間連通的內部空間,前述連結部具有朝向前述內部空間突出的凸部;以及絕緣構件,其以包圍前述導電線及前述陰極之至少一方之至少一部分的方式,配置在前述內部空間,前述絕緣構件,以阻斷前述導電線與前述凸部之間之至少最短路徑的方式來配置,前述絕緣構件,具有將至少兩個構件以接著材料結合的構造,且配置成將前述接著材料與前述導電線之間的直線路徑、以及前述接著材料與前述陰極之間的直線路徑予以阻斷。
以下,參照附加圖式來詳細說明實施形態。又,以下的實施形態並不限定申請專利範圍所請發明。雖於實施形態記載有複數個特徵,但發明並不一定需要該等複數個特徵的全部,且,複數個特徵亦可任意組合。此外,在附加圖式中,對相同或一樣的構造附上相同的參考符號,省略重複的說明。
於圖1,示意表示出第1實施形態之X射線產生裝置100的構造。X射線產生裝置100,具備:X射線產生管102、電壓供給部110、收納容器130、絕緣性液體108、絕緣構件120。X射線產生管102,具有:陰極104,其含有於管軸方向亦即第1方向(Z方向)發射電子的電子發射部23;以及陽極103,其含有與從電子發射部23放射的電子碰撞藉此產生X射線的標靶1。電壓供給部110,透過導電線109而對X射線產生管102,更詳細來說是對陰極104供給電壓。導電線109,雖含有導電性構件與覆蓋該導電性構件的絕緣材,但不具有該絕緣材亦可。
收納容器130,含有第1部分131、第2部分132及連結部133。第1部分131,收納電壓供給部110。第2部分132,收納X射線產生管102。連結部133,將第1部分131及第2部分132予以互相連結,而形成有使第1部分131之內側的第1空間SP1與第2部分132之內側的第2空間SP2連通的內部空間ISP。第2部分132,其與第1方向(Z方向)正交之第2方向(Y方向)的寬度比第1部分131還小。且,第2空間SP2,其與第1方向(Z方向)正交之第2方向(Y方向)的寬度比第1空間SP1還小。連結部133,具有朝向收納容器130之內部空間ISP突出的凸部135。第2部分132,例如具有圓筒形狀等之管形狀。凸部135的剖面(例如圖1般的剖面圖)中,凸部135,具有90度的內角亦可,具有銳角的內角亦可,具有鈍角的內角亦可。第1方向(Z方向)中,X射線產生管102的陰極104位在連結部133的凸部135與X射線產生管102的陽極103之間。在圖1所示之例,第2部分132,其第1方向(Z方向)的長度比X射線產生管102還長。
絕緣性液體108,是以接觸於陰極104且包圍導電線109的方式填充於收納容器130的內部空間ISP。絕緣構件120,是以包圍導電線109及陰極104之至少一方之至少一部分的方式配置在收納容器130的內部空間ISP。
絕緣構件120,例如是以包圍導電線109之至少一部分的方式配置在收納容器130的內部空間ISP。絕緣構件120,是配置成阻斷導電線109與連結部133的凸部135之間的至少最短路徑。絕緣構件120,是在電壓供給部110與陰極104之間之導電線109的全路徑中,配置成阻斷導電線109與連結部133的凸部135之間的直線路徑。且,絕緣構件120,是配置成阻斷陰極構件21與連結部133的凸部135之間的直線路徑。
絕緣構件120,例如是以包圍陰極104之至少一部分,例如以包圍陰極構件21的方式來配置。陰極104之至少一部分,例如陰極構件21,是配置成透過絕緣性液體108來與絕緣構件120相面對。在與第1方向(Z方向)正交的某平面(的剖面圖)中,陰極104之至少一部分,例如陰極構件21,是配置成透過絕緣性液體108來與絕緣構件120相面對。在該平面(的剖面圖)中,絕緣構件120,是透過絕緣性液體108來與第2部分132相面對。絕緣構件120,只要是絕緣性的固體即可,能適用陶瓷、玻璃材料、環氧玻璃疊層板等之樹脂材料等。絕緣構件120,具有在25℃之體積電阻為1×105
Ωm以上的絕緣性為佳。
在第2部分132所收納之X射線產生管102的標靶1,位在第2部分132的前端部(圖1的下端部)。標靶1,是產生X射線的X射線產生部位,故上述的構造,是使X射線產生部位靠近被檢體,亦即,有利於使撮影時之擴大率提升。
X射線產生管102,是穿透式X射線產生管。X射線產生管102,含有陽極103、陰極104及絕緣管4。陽極103、陰極構件21及絕緣管4,構成真空氣密容器。絕緣管4,具有管形狀,例如圓筒形狀,將陽極103與陰極104予以互相絕緣並連接。陽極103,含有標靶1與陽極構件2。標靶1,含有標靶層1a、支撐標靶層1a的支撐窗1b。陽極構件2,具有環形狀。陽極構件2,支撐標靶1。陽極構件2,與標靶層1a電性連接。陽極構件2與支撐窗1b,例如藉由蠟材來結合。在圖1所示之例,標靶1與第2部分132的前端部是配置在相同平面上。但是,標靶1,只要是與第2部分132同電位(亦即接地)的話,配置成從第2部分132的前端部往外側突出亦可,配置成從第2部分132的前端部凹陷亦可。標靶1位在第2部分132之前端部的形態,亦包含這種形態。
標靶層1a,例如,含有鎢或鉭等之重金屬,藉由照射電子而產生X射線。標靶層1a的厚度,是由關於X射線之產生的電子射入長度、在所產生的X射線穿透支撐窗1b之際的自我衰減量之兩者的平衡來決定。標靶層1a的厚度,例如在1μm~數十μm的範圍內。
支撐窗1b具有以下功能:使以標靶層1a產生的X射線穿透而發射至X射線產生管102之外。支撐窗1b,是以會被X射線穿透的材料,例如由鈹,鋁,氮化矽或碳的同素異形體等所構成。支撐窗1b,為了將標靶層1a的發熱有效地傳達至陽極構件2,例如以熱傳導性高的鑽石所構成。
絕緣管4,是由具備真空氣密性與絕緣性的氧化鋁或氧化鋯等之陶瓷材料、鹼石灰、或是石英等之玻璃材料所構成。陰極構件21及陽極構件2,就降低與絕緣管4之間之熱應力的觀點來看,是由具有與絕緣管4之線膨張係數αi(ppm/℃)接近之線膨張係數αc(ppm/℃)、αa(ppm/℃)的材料所構成。陰極構件21及陽極構件2,例如由科伐(Kovar)或是蒙乃爾(Monel)等的合金所構成。
陰極104,含有電子發射部23、陰極構件21、將電子發射部23對陰極構件21固定的固定部22。電子發射部23,例如,對於陰極構件21,透過蠟材來連接亦可,藉由雷射焊接等來熱熔接亦可,以其他方法來電性連接亦可。電子發射部23,包含:含浸式熱電子源、燈絲式熱電子源、或冷陰極電子源等之電子源。電子發射部23,包含:網格電極、集聚透鏡電極等之規定靜電場的未圖示之靜電透鏡電極。固定部22具有管形狀,其供與電子源、靜電透鏡電極電性連接的導電線109通過。導電線109,包含互相絕緣的複數個導電構件。
X射線產生裝置100,是以陽極103接地的陽極接地方式來構成。在陽極接地方式,陽極103是電性連接於收納容器130。收納容器130,是電性連接於接地端子105。陰極104,是透過導電線109來電性連接於電壓供給部110。
電壓供給部110,含有:電源電路111、接收從電源電路111透過電源線107所供給的電力來透過導電線109驅動X射線產生管102的驅動電路112。驅動電路112,透過電源線107、電源電路111及接地線106來電性連接於收納容器130。驅動電路112,控制供給至電子源、網格電極、集聚透鏡電極等的電壓,藉此控制來自電子源的發射電子量與電子束徑。電源電路111的正極端子,透過接地線106及收納容器130而接地,電源電路111的負極端子,透過電源線107而連接於驅動電路112,對驅動電路112供給負的電壓。於驅動電路112,例如,是從配置在收納容器130之外部之未圖示的控制部透過光纖纜線等之纜線來供給控制訊號。
構成收納容器130的第1部分131、第2部分132及連結部133,是由具有導電性的材料所構成,互相電性連接,且被接地。這種構造,利於確保電安全性。第1部分131、第2部分132及連結部133,是由金屬材料所構成。絕緣性液體108,是對收納容器130真空填充。其理由是,若在絕緣性液體108之中存在有氣泡的話,與周圍的絕緣性液體108相較之下會形成有局部低電容率的區域,這會成為放電的要因。
絕緣性液體108,具有抑制X射線產生管102與收納容器130之間的放電、以及電壓供給部110(電源電路111、驅動電路112)與收納容器130之間的放電的功能。作為絕緣性液體108,是在X射線產生裝置100之動作溫度區域之耐熱性、流動性、電絕緣性優異的液體,例如使用有矽油、氟樹脂油等之化學合成油、礦物油等。
X射線產生管102,是接合於設在收納容器130之第2部分132之前端部(圖1的下端部)的開口部,藉此固定於第2部分132。X射線產生管102與第2部分132的內側面之間,被絕緣性液體108填滿。電源電路111及驅動電路112,是藉由未圖示的固定構件來固定於收納容器130的第1部分131。電源電路111及驅動電路112,是被絕緣性液體108所包圍。導電線109,是被絕緣性液體108所包圍。
收納容器130的連結部133,例如,具有往與第1方向(Z方向)正交的方向擴張的板部,該板部,具有供導電線109通過的開口OP。該板部,是對支撐X射線產生裝置100的構造體(例如筐體)的安裝面來抵接。或是,該板部,嵌入於支撐X射線產生裝置100的構造體的開口部。收納容器130中,該板部之開口OP的側面與第2部分132的內側側面,是構成沒有高低差之連續的面。舉出一例,開口OP,是圓形開口,第2部分132的內側側面,是圓筒面。凸部135,是以開口OP的端部來構成。
絕緣構件120,具有將至少兩個構件(121、122)以接著材料123來結合的構造,構成為將接著材料123與導電線109之間的直線路徑、以及接著材料123與陰極104之間的直線路徑予以阻斷。藉由這種構造,可抑制透過接著材料123在導電線109與凸部135之間的放電產生。或是,絕緣構件120構成為,將構成自身的至少兩個構件(121、122)予以結合之接著材料123與陰極104的至少一部分例如陰極構件21之間的直線路徑予以阻斷。藉由這種構造,可抑制透過接著材料123在陰極104與凸部135之間的放電產生。
具體的構造例中,絕緣構件120,至少為兩個構件,含有筒形狀部121、從筒形狀部121往外方向延伸的鍔部122。一例中,筒形狀部121,可含有圓筒形狀部,鍔部122,可含有環形狀部。絕緣構件120,具有使筒形狀部121與鍔部122藉由接著材料123來結合(接著)的構造。鍔部122,例如,沿著連結部133的板部來延伸。更具體來說,鍔部122,例如配置成與連結部133的板部平行。接著材料123,只要至少硬化後的狀態為絕緣性的固體即可,例如環氧樹脂或酚醛樹脂。鍔部122,可具有貫通孔,筒形狀部121的一部分位於該貫通孔之中。
第1實施形態中,是在鍔部122之該貫通孔的內面、筒形狀部121的外面之中面對於該內面的區域之間,配置有接著材料123。換言之,接著材料123與導電線109之間、以及接著材料123與陰極構件21之間,配置有筒形狀部121。藉由這種構造,可抑制透過接著材料123在導電線109與凸部135之間的放電、以及在陰極104與凸部135之間的放電產生。
筒形狀部121,是以包圍X射線產生管102之絕緣管4之至少一部分的方式來配置。在此,筒形狀部121,是以包圍絕緣管4之全體的方式來配置亦可,以僅包圍絕緣管4之一部分的方式來配置亦可。鍔部122,是配置成使鍔部122的全部或一部分接觸於連結部133亦可。且,鍔部122,是配置成使鍔部122的全部或一部分接觸於第2部分132亦可。
X射線產生管102的陰極104,其全體配置在第2空間SP2。在其他觀點中,X射線產生管102的陰極104,是配置在X射線產生管102的陽極103與連結部133的開口OP之間。在另一種觀點中,X射線產生管102的陰極104之側方的全體,是配置成被第2部分132包圍。
導電線109的兩個端部之中,將電壓供給部110(驅動電路112)之側的端部與凸部135予以連結之虛擬的直線(或是錐面),是與絕緣構件120交叉。導電線109的兩個端部之中,將陰極104之側的端部與凸部135予以連結之虛擬的直線(或是錐面),是與絕緣構件120交叉。將導電線109之兩個端部之間的任何位置與凸部135予以連結之虛擬的直線,是與絕緣構件120交叉。將電壓供給部110與凸部135予以連結之虛擬的直線,是與絕緣構件120交叉。在物理的空間中,驅動電路112,配置在電源電路111與陰極104之間,將驅動電路112與凸部135予以連結之虛擬的直線,是與絕緣構件120交叉。
這種不穩定的動作,是將絕緣構件120配置成阻斷導電線109與連結部133的凸部135之間的直線路徑藉此來解決。作為其他的解決方法,有著使決定凸部135的開口OP之尺寸變大藉此使凸部135與導電線109的距離變大的方法,但這種方法會導致X射線產生裝置100的大型化故不佳。
以下,參照圖2,針對第2實施形態的X射線產生裝置100來說明。在第2實施形態的X射線產生裝置100中沒有言及的事項,是依照第1實施形態。在第2實施形態,於X射線產生管102的管軸方向亦即第1方向(Z方向),具有使凸部135配置在陰極104與陽極103之間的構造。在圖2所示之例,第2部分132,其第1方向(Z方向)的長度比X射線產生管102還短。
在圖3、圖4、圖5,表示第1實施形態之X射線產生裝置100之絕緣構件120的第1、第2、第3變形例。圖3~圖5所示之絕緣構件120的第1、第2、第3變形例,亦可適用於第2實施形態。
在第1、第2實施形態,是在鍔部122之貫通孔的內面、筒形狀部121的外面之中面對於該內面的區域之間,配置有接著材料123。另一方面,在第1、第2、第3變形例,是在鍔部122之於放射方向(第2方向)延伸的面、筒形狀部121的外面之中面對於該面的區域之間,配置有接著材料123。在第1、第2、第3變形例般的構造,容易對於筒形狀部121透過接著材料123來更強力地抵接鍔部122,故例如有利於消滅接著材料123中的氣泡。這能提升絕緣性能。此外,更強力地抵接兩個構件121、122,藉此可使接著材料123的厚度(第1方向的尺寸)變得更小,且使接著材料123的寬度(第2方向的尺寸)變得更大,故可進一步提高絕緣性能。
具體來說,第1、第2、第3變形例中,筒形狀部121,含有:第2方向(例如X方向或Y方向)的尺寸(外徑)比該第2方向的鍔部122之貫通孔的尺寸(孔徑)還大的第1部1211、從第1部1211往第1方向(例如Z方向)延伸且第2方向的尺寸(外徑)比第2方向的鍔部122之貫通孔的尺寸(孔徑)還小的第2部1212。藉由第1部1211與第2部1212而在筒形狀部121的外周面形成有高低差面SS,在高低差面SS與鍔部122之中面對於高低差面SS的接著區域之間,配置有接著材料123。高低差面SS,是在筒形狀部121的外面於放射方向(第2方向)延伸。
圖3所示之第1變形例及圖5所示之第3變形例中,鍔部122具有第1面S1,該第1面S1具有面對於連結部133的部分,鍔部122的接著區域,設在第1面S1,在該接著區域與高低差面SS之間配置有接著材料123。圖4所示之第2變形例中,鍔部122具有第1面S1與第1面S1之相反側的第2面S2,該第1面S1具有面對於連結部133的部分,鍔部122的接著區域,設在第2面S2,在該接著區域與高低差面SS之間配置有接著材料123。第1、第2、第3變形例,在絕緣構件120的製造時,容易對於筒形狀部121的高低差面SS透過接著材料123來強力地抵接鍔部122,故例如有利於消滅接著材料123中的氣泡。這能提升絕緣性能。
於圖6,表示出一實施形態之X射線拍攝裝置200的構造。X射線拍攝裝置200,具備:X射線產生裝置100、將從X射線產生裝置100放射而穿透物體191的X射線192予以檢測的X射線檢測裝置210。X射線拍攝裝置200,進一步具備控制裝置220及顯示裝置230亦可。X射線檢測裝置210,含有X射線檢測器212與訊號處理部214。控制裝置220,控制X射線產生裝置100及X射線檢測裝置210。X射線檢測器212,將從X射線產生裝置100放射而穿透物體191的X射線192予以檢測或拍攝。訊號處理部214,處理從X射線檢測器212輸出的訊號,將被處理的訊號供給至控制裝置220。控制裝置220,基於由訊號處理部214供給的訊號,來將圖像顯示於顯示裝置230。
發明並不受上述實施形態限制,只要沒有從發明的精神及範圍脫離的話,可進行各種變更及變形。於是,附上將發明的範圍予以公開用的請求項。
1:標靶
1a:標靶層
1b:支撐窗
2:陽極構件
4:絕緣管
21:陰極構件
22:固定部
23:電子發射部
100:X射線產生裝置
102:X射線產生管
103:陽極
104:陰極
105:接地端子
106:接地線
107:電源線
108:絕緣性液體
109:導電線
110:電壓供給部
111:電源電路
112:驅動電路
120:絕緣構件
121:筒形狀部
122:鍔部
123:接著材料
130:收納容器
131:第1部分
132:第2部分
133:連結部
135:凸部
SP1:第1空間
SP2:第2空間
ISP:內部空間
OP:開口
[圖1]表示第1實施形態之X射線產生裝置之構造的圖。
[圖2]表示第2實施形態之X射線產生裝置之構造的圖。
[圖3]表示可適用在第1或第2實施形態之X射線產生裝置的絕緣構件之第1變形例的圖。
[圖4]表示可適用在第1或第2實施形態之X射線產生裝置的絕緣構件之第2變形例的圖。
[圖5]表示可適用在第1或第2實施形態之X射線產生裝置的絕緣構件之第3變形例的圖。
[圖6]表示一實施形態之X射線拍攝裝置之構造的圖。
1:標靶
1a:標靶層
1b:支撐窗
2:陽極構件
4:絕緣管
21:陰極構件
22:固定部
23:電子發射部
100:X射線產生裝置
102:X射線產生管
103:陽極
104:陰極
105:接地端子
106:接地線
107:電源線
108:絕緣性液體
109:導電線
110:電壓供給部
111:電源電路
112:驅動電路
120:絕緣構件
121:筒形狀部
122:鍔部
123:接著材料
130:收納容器
131:第1部分
132:第2部分
133:連結部
135:凸部
SP1:第1空間
SP2:第2空間
ISP:內部空間
OP:開口
Claims (11)
- 一種X射線產生裝置,其特徵為,具備: X射線產生管,其具有陰極與陽極,該陰極含有往第1方向發射電子的電子發射部,該陽極含有標靶,該標靶是與從前述電子發射部所放射的電子碰撞而藉此產生X射線; 電壓供給部,其透過導電線來對前述X射線產生管供給電壓; 收納容器,其具有第1部分、第2部分、連結部,該第1部分形成收納前述電壓供給部的第1空間,該第2部分形成有與前述第1方向正交之第2方向的寬度比前述第1空間還小且收納前述X射線產生管的第2空間,該連結部將前述第1部分及前述第2部分予以互相連結,而形成有使前述第1空間與前述第2空間連通的內部空間,前述連結部具有朝向前述內部空間突出的凸部;以及 絕緣構件,其以包圍前述導電線及前述陰極之至少一方之至少一部分的方式,配置在前述內部空間, 前述絕緣構件,以阻斷前述導電線與前述凸部之間之至少最短路徑的方式來配置, 前述絕緣構件,具有將至少兩個構件以接著材料結合的構造,且配置成將前述接著材料與前述導電線之間的直線路徑、以及前述接著材料與前述陰極之間的直線路徑予以阻斷。
- 如請求項1所述之X射線產生裝置,其中, 前述至少兩個構件,含有筒形狀部、從前述筒形狀部往外方向延伸的鍔部。
- 如請求項2所述之X射線產生裝置,其中, 前述鍔部,具有貫通孔,前述筒形狀部的一部分位於前述貫通孔之中。
- 如請求項3所述之X射線產生裝置,其中, 在前述貫通孔的內面、前述筒形狀部的外面之中面對於前述內面的區域之間,配置有前述接著材料。
- 如請求項3所述之X射線產生裝置,其中, 前述筒形狀部,含有:外徑比前述貫通孔的孔徑還大的第1部、從前述第1部往前述第1方向延伸且外徑比前述貫通孔的孔徑還小的第2部,藉由前述第1部的外周面與前述第2部的外周面來在前述筒形狀部的外周面形成有高低差面, 在前述高低差面、前述鍔部之中面對於前述高低差面的接著區域之間,配置有前述接著材料。
- 如請求項5所述之X射線產生裝置,其中, 前述鍔部具有第1面,前述第1面具有面對於前述連結部的部分,前述接著區域,設在前述第1面。
- 如請求項5所述之X射線產生裝置,其中, 前述鍔部,具有第1面與前述第1面之相反側的第2面,前述第1面具有面對於前述連結部的部分,前述接著區域,設在前述第2面。
- 如請求項1至7中任一項所述之X射線產生裝置,其中, 前述第1方向中,前述陰極,配置在前述凸部與前述陽極之間。
- 如請求項1至7中任一項所述之X射線產生裝置,其中, 前述第1方向中,前述凸部,配置在前述陰極與前述陽極之間。
- 如請求項1至7中任一項所述之X射線產生裝置,其中, 進一步具備填充於前述內部空間的絕緣性液體。
- 一種X射線拍攝裝置,其特徵為,具備: 請求項1至7中任一項所述之X射線產生裝置、 將從前述X射線產生裝置放射而穿透物體的X射線予以檢測的X射線檢測裝置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007080568A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Jobu:Kk | X線発生装置 |
US20140369467A1 (en) * | 2011-11-09 | 2014-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation generating tube and radiation generating apparatus |
US20150098552A1 (en) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Moxtek, Inc. | Modular x-ray source |
JP2018073625A (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | キヤノン株式会社 | X線発生装置及び、x線撮影システム |
Family Cites Families (5)
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---|---|---|---|---|
CH165974A (de) * | 1932-10-17 | 1933-12-15 | Roewag A G | Spannungssicheres Röntgengerät. |
WO2011138713A1 (en) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | X-ray generating device employing a mechanical energy source and method |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007080568A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Jobu:Kk | X線発生装置 |
US20140369467A1 (en) * | 2011-11-09 | 2014-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation generating tube and radiation generating apparatus |
US20150098552A1 (en) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Moxtek, Inc. | Modular x-ray source |
JP2018073625A (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | キヤノン株式会社 | X線発生装置及び、x線撮影システム |
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