TWI757998B - 固體和液體材料之蒸氣輸送系統 - Google Patents

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Abstract

揭露了蒸氣輸送系統，其包括：殼體本體，該殼體本體在其中限定了內部容積；多個阻流器，該多個阻流器用於接收載氣，以在該內部容積中產生氣體分配管線；至少兩個表面，該固體或液體先質施加到該至少兩個表面，以允許該載氣沿該等氣體分配管線在該至少兩個表面上經過以與固體或液體先質蒸氣混合；氣體收集裝置，該氣體收集裝置在該等氣體分配管線的下游、用於將該載氣和該固體或液體先質蒸氣的混合物輸送出系統；以及流量控制器，該流量控制器被流體地連接至載氣源，以控制進給至該內部容積中的載氣的進給流率。沿每個氣體分配管線的氣體分配流率由進給至該內部容積中的載氣的進給流率控制。

Description

固體和液體材料之蒸氣輸送系統
本發明關於用於對固體和液體材料進行汽化和輸送的設備及方法。特別地，本發明關於用於對固體先質或固體源先質或液體先質進行汽化和輸送以用於比如化學氣相沈積（CVD）和/或原子層沈積（ALD）製程等半導體製造製程之設備及方法。
應用固體先質的ALD和CVD製程需要可靠的固體先質輸送系統，該等固體先質輸送系統在該等製程過程期間為固體先質提供穩定蒸氣壓力。在現有的固體先質輸送裝置/器皿中，載氣在有利於固體汽化的條件下穿過包含（多個）揮發性固體先質之受熱容器。載氣與經汽化的固體混合，並且經汽化的固體在真空環境中從容器中抽出並且隨載氣被運送至反應腔室。已知固體先質輸送過程對於將固體先質可靠地輸送至反應腔室具有挑戰性。例如，當固體先質被汽化時，汽化熱量導致熱損失和下面的固體先質材料的溫度下降。這傾向於阻止或限制下面的固體先質之進一步汽化。
Fondurulia等人的US 8,986,456和US 9,593,416揭露了一種裝置，其中載氣在其中裝載有固體的蒸氣輸送罐中具有蛇形路徑（grove）的單個通道上流動，以在沈積製程的過程期間將由固體產生的蒸氣帶到出口以便進行恒定的蒸氣輸送。現有的蒸氣輸送系統的缺點可能包括：i）單個通道容易被固體材料堵塞；ii）在該等路徑之間沒有密封，從而載氣可能流入或旁通進入其他隔間，而不是通過蛇形路徑圖案，這改變蒸氣壓力的穩定性；iii）由於其複雜的結構，難以將固體材料填充到罐中，並且每次運行的固體材料裝載能力太有限。
Sasagawa的US 2014/0174955揭露了一種高流量XEF2罐，用於從處理系統中的固相源進行氣體輸送，其中用於流入多個託盤中的流動氣體不受控制。
授予Rangarajan等人的US 6444038揭露了一種雙重燒結鼓泡器，其中燒料（多孔玻璃）在鼓泡器中使用，但是並不用於將氣體流分配到多個通道中以控制流率。
Garenne等人的EP 0714999揭露了一種用於使固體材料昇華的方法和一種實施該方法的裝置，其中兩個多孔材料板被施加到固體材料，但是並不用於將氣體流分配到多個通道中。
因此，仍然需要設計新穎的固體蒸氣輸送系統，該等固體蒸氣輸送系統可以增加每次運行的材料裝載能力，並且比現有的固體蒸氣輸送系統更簡單、更輕並且成本更低。
揭露了一種用於使固體先質汽化的蒸氣輸送系統。所揭露的蒸氣輸送系統包括： 殼體本體，該殼體本體在其中限定了內部容積； 殼體蓋，該殼體蓋包括氣體入口和氣體出口； 多個阻流器，該多個阻流器被流體地連接至該氣體入口、並且被配置為並且適於接收來自該氣體入口的載氣並且在該內部容積中產生氣體分配管線； 至少兩個隔間或通道，該至少兩個隔間或通道被包含在該內部容積的下部部分中並且在其中具有該固體或液體先質，該至少兩個隔間或通道被配置為並且適於允許該載氣沿該等氣體分配管線在該至少兩個隔間或通道上經過，以與來自其中的該固體或液體先質的蒸氣混合； 氣體收集裝置，該氣體收集裝置在該至少兩個隔間或通道的下游、被流體地連接至該殼體蓋中的氣體出口， 該氣體收集裝置被配置為並且適於將該載氣和來自該固體或液體先質的蒸氣的混合物輸送出該系統；以及 流量控制器，該流量控制器被流體地連接至載氣源，該流量控制器被配置為並且適於控制該載氣藉由該氣體入口進入該內部容積的進給流率， 其中，該載氣沿每個氣體分配管線的氣體分配流率由進給到該氣體入口中的該載氣的進給流率控制。
在一些實施方式中，所揭露的蒸氣輸送系統進一步包括在該殼體蓋的內側之折流件，該等折流件被配置為並且適於產生湍流以使該載氣和來自該固體先質的蒸氣有效地混合。
在一些實施方式中，該等折流件由與該載氣的流動方向垂直的、在該殼體蓋的內側的條帶形桿件（strip-shaped bars）構成。
在一些實施方式中，該等折流件的側視圖呈鋸齒形、三角形、正弦波形、或並排的半圓形。
在一些實施方式中，所揭露的蒸氣輸送系統進一步包括該內部容積中的至少兩個內壁，該至少兩個內壁被配置為並且適於將該內部容積分成至少三個區段，該至少三個區段包括第一區段、第二區段和第三區段。
在一些實施方式中，每個內壁被固定在該內部容積的底部和該內部容積的側壁上、並且垂直於該內部容積的底部的表面和側壁。
在一些實施方式中，該至少兩個內壁彼此平行。
在一些實施方式中，該至少兩個內壁彼此平行和/或彼此垂直。
在一些實施方式中，該至少兩個內壁係平坦壁或彎曲壁。
在一些實施方式中，該兩個內壁的高度短於該內部容積的側壁的高度。
在一些實施方式中，該至少三個區段通向共用區域，該共用區域在該內部容積的頂部部分中形成單個連續頂部隔間，該等氣體分配管線穿過該單個連續頂部隔間。
在一些實施方式中，該多個阻流器被放置在該第一區段中。
在一些實施方式中，該多個阻流器從該殼體蓋中的氣體入口懸掛在該第一區段中。
在一些實施方式中，該氣體收集裝置被放置在該第三區段中。
在一些實施方式中，該氣體收集裝置從該殼體蓋中的氣體出口懸掛在該第三區段中。
在一些實施方式中，所揭露的蒸氣輸送系統進一步包括將第二區段分成該至少兩個隔間或通道的分隔件。
在一些實施方式中，每個分隔件被插入該至少兩個內壁中並且被固定在該內部容積的底部上。
在一些實施方式中，每個分隔件以大致90°的角度連接至該內部容積的該至少兩個內壁和底部。
在一些實施方式中，每個分隔件的高度高於該至少兩個內壁的高度，使得一旦將該殼體本體和該殼體蓋被組裝在一起，每個分隔件就能夠與形成在該殼體蓋的內側的相應結構接觸或接合。
在一些實施方式中，該至少兩個隔間或通道的長度與直徑的縱橫比（或最大跨距）約為10 : 1。
在一些實施方式中，該至少兩個隔間或通道各自的直徑在½”至2”的範圍內或甚至更大。
在一些實施方式中，該多個阻流器和該氣體收集裝置分別是該第一區段和該第三區段的一部分，以從該氣體入口接收該載氣、在該內部容積中產生該等氣體分配管線並且將該載氣和來自該固體或液體先質的蒸氣的混合物輸送到該氣體出口。
在一些實施方式中，該氣體收集裝置包括過濾器，以讓該載氣和該固體或液體先質的蒸氣流過並且阻塞固體顆粒。
在一些實施方式中，該等阻流器係填充有多孔材料的孔。
在一些實施方式中，該等孔內的多孔材料進一步被選自金屬管、金屬球、或金屬板的金屬元件包含。
在一些實施方式中，該等阻流器的平均大小在約1 mm至約1 cm的範圍內。
在一些實施方式中，該多孔材料中的孔隙的平均孔隙大小為約1微米或更小。
在一些實施方式中，該載氣沿該等氣體分配管線的氣體分配流率大約相同。
在一些實施方式中，形成在該內部容積中的該至少兩個隔間或通道在豎直方向上彼此上下地佈置。
在一些實施方式中，該至少兩個隔間或通道的俯視圖呈選自平行線性形狀、S形或之字形的形狀。
在一些實施方式中，該氣體出口被流體地連接至原子層沈積（ALD）腔室或化學氣相沈積（CVD）腔室。
在一些實施方式中，該載氣為Ne、Ar、Kr、Xe或N2 。
在一些實施方式中，該載氣為N2 。
在一些實施方式中，該載氣為Ar。
在一些實施方式中，該流量控制器係質量流量控制器。
在一些實施方式中，該多個阻流器被放置在該殼體本體內。
在一些實施方式中，該多個阻流器被放置在該殼體本體外。
在一些實施方式中，該多個阻流器被放置在該殼體蓋中。
揭露了一種用於對固體先質進行汽化和輸送的方法。該方法包括以下步驟： 將該固體或液體先質放置在由殼體限定的內部容積的底部部分中形成的至少兩個隔間或通道中； 使該固體或液體先質蒸發以形成來自該固體或液體先質的蒸氣； 藉由放置在該內部容積中並與該殼體的氣體入口流體地連接的多孔裝置將載氣進給至該內部容積中，其中該多孔裝置中的孔隙產生氣體分配管線，該載氣沿該等氣體分配管線流動並且與來自該固體或液體先質的蒸氣混合，以形成氣體混合物； 調節進給到該內部容積的該載氣的流率，使得沿每個氣體分配管線流動的該載氣的流量由所進給的載氣的流量控制；以及 藉由該內部容積中的氣體收集裝置將該載氣和來自該固體或液體先質的蒸氣的混合物輸送出該內部容積，該氣體收集裝置被流體地連接至該殼體的氣體出口。
在一些實施方式中，該方法進一步包括將該載氣和來自該固體或液體先質的蒸氣的混合物輸送至ALD或CVD製程腔室的步驟。
揭露了用於將固體和液體材料汽化和輸送至半導體製造製程的系統和方法，該等半導體製造製程比如化學氣相沈積（CVD）和/或原子層沈積（ALD）製程。特別地，所揭露的內容關於對固體和/或液體先質、或固體源和/或液體源先質進行汽化和輸送以用於半導體製造製程之設備和方法。所揭露的蒸氣輸送系統能夠在沈積製程過程期間穩定蒸氣壓力並且提供恒定的蒸氣輸送。所揭露的蒸氣輸送系統利用多孔材料作為阻流器，以在系統的內部容積中產生具有一致流率的多個氣體分配管線。多孔材料填充金屬中空管、球或板中的多個孔口。載氣穿過每個阻流器的多個孔隙、開口、或孔，以到達多個氣體分配管線（即載氣流）。孔隙的大小被設計成使得其為跨阻流器的載氣產生經設計的壓降，從而導致沿所有氣體分配管線的載氣流率大致相同，或不同但有大致穩定的流率比。沿內部容積中的所有氣體分配管線的載氣的流率可以藉由調節進給至所揭露的系統的內部容積中的載氣的流率來控制。所揭露的蒸氣輸送系統包括多個通道並且提供高通量。所揭露的蒸氣輸送系統與市場上現有的蒸氣輸送系統相比被簡化，並且可以增加固體材料的裝載量並降低成本。
所揭露的蒸氣輸送系統可以是包括多個隔間/通道的罐。隔間/通道之數量可以根據半導體製造製程的特定要求而變化。更具體地，所揭露的蒸氣輸送系統包含多個小的隔間/通道，其中每個隔間/通道的長度與直徑的縱橫比約為10 : 1的比率，並且每個隔間/通道/缸的直徑可以在½”至2”的範圍內或甚至更大。
所揭露的蒸氣輸送系統利用多孔材料作為阻流器以生成載氣的壓降並且在罐中產生氣體分配管線或流動路徑，從而沿罐中的氣體分配管線產生大致穩定的流率比、較佳的是大致一致的載氣流率。多孔材料的孔隙的孔隙直徑較佳的是約1微米或更小。具有從微米大小到幾毫米的孔口直徑的孔口（例如，校準孔口、限流孔口）或具有約幾毫米或更小的管直徑的毛細管可以提供類似的壓降。多孔材料填充金屬管、球、板或適合被放置在罐中的任何形狀中的孔。以這種方式，可以藉由控制進給至系統中的載氣的流率來調節沿多個氣體分配管線的載氣的流率。可以使用一個流量控制器（比如質量流量控制器（MFC）來調節所進給的載氣的流率。因此，可以使用僅一個MFC來控制沿罐中所有氣體分配管線的載氣的流率。
所揭露的蒸氣輸送系統包括附接到蒸氣輸送系統的本體的氣體分配帽或蓋。在特定的一組實施方式中，氣體分配蓋包括入口，其中在入口的端部處係垂直連接至入口的管，該管的長度與罐的寬度大致相同，並且直徑約為1至5 mm。該入口管用作阻流器。管可以由其上具有孔的不同金屬或合金製成。多孔材料填充該等孔，從而允許從孔隙載氣流出。孔隙大小可以在約幾奈米到幾毫米的範圍內，每個孔隙大小係大致均勻和相同的。較佳的是，平均孔隙大小為約1微米或更小。
圖 1 係流體地連接至入口的多孔金屬裝置中的由多孔材料製成的多個阻流器的示例之圖。如圖所示，阻流器12a 、12b 、12c 、12d 、12e 和12f 係多孔金屬裝置10 中的填充有多孔材料14 的孔。形成在多孔金屬裝置10 中的阻流器的數量係變化的。形成在多孔金屬裝置10 中的阻流器的數量等於或大於1、較佳的是2或更大。由不銹鋼等製成的多孔金屬裝置10 被流體地連接至入口16 。孔或阻流器12a 、12b 、12c 、12d’ 、12e 和12f 具有相同的形狀和大小，並且均勻地分佈在封閉的中空多孔金屬裝置10 上。阻流器12a 、12b 、12c 、12d’ 、12e 和12f 的大小可以在從一毫米到一釐米的範圍內。多孔金屬裝置10 係封閉的中空金屬管，該中空金屬管具有與入口16 流體地連接的進口。金屬管的長度和直徑可以為幾釐米。因此，載氣從入口16 進入多孔金屬裝置10 ，並且藉由其中具有多孔材料14 的阻流器12a 、12b 、12c 、12d’ 、12e 和12f 從多孔金屬裝置10 離開。P1 係進入入口16 的載氣的壓力；P2 係到達阻流器12a 、12b 、12c 、12d’ 、12e 和12f 的載氣的壓力；P3 係從阻流器12a 、12b 、12c 、12d’ 、12e 和12f 流出的載氣的壓力。P4 係載氣和來自固體先質的蒸氣的混合物（未示出）的壓力，該混合物有待輸送至半導體製造製程（未示出）。多孔材料14 中的孔隙的大小較佳的是大致相同，更較佳的是約1微米或更小。阻流器12a 、12b 、12c 、12d’ 、12e 和12f 的大小較佳的是大致相同，更較佳的是直徑或最大對角線長度為約1 mm至約1 cm。當載氣流過阻流器時，此配置將產生壓降。因此，P2 - P3
Figure 02_image001
P3 - P4 。在多孔材料14的孔隙大小相同和阻流器12a 、12b 、12c 、12d’ 、12e 和12f 的大小相同的實施方式中，由阻流器12a 、12b 、12c 、12d’ 、12e 和12f 形成的所有氣體分配管線/流將具有相同的壓降，並且因此將具有離開阻流器12a 、12b 、12c 、12d 、12e 和12f 的相同的氣體速率。圖 2 係所揭露的蒸氣輸送系統或罐的氣體流動和分配管線之圖。進給至所揭露的蒸氣輸送系統的載氣的流量由質量流量控制器（MFC）20 控制。如圖 1 所示，載氣被輸入到金屬管中，該金屬管具有填充有多孔材料的多個阻流器22a 、22b 、22c 、22d 、22e 、22f 。六個阻流器被示出用於展示。考慮到孔隙大小相對於金屬管的大小以及金屬管中的孔的大小，該多個阻流器可以是任何可行數量的阻流器。在此，阻流器22a 、22b 、22c 、22d 、22e 、22f 係多孔材料的孔隙的結果，在該等孔隙處壓降生成，並且在具有相同大小孔隙的較佳的情況下，從阻流器22a 、22b 、22c 、22d 、22e 、22f 流出的每個載氣流在氣體分配和汽化區中沿氣體分配管線24具有相同的氣體流率，固體先質材料在該氣體分配和汽化區中被汽化。P1 係進入罐的入口中的載氣的壓力；P2a 係到達阻流器22a 的載氣的壓力；P3a 係從阻流器22a 流出的載氣的壓力。類似地但未示出，P2b 係到達阻流器22b 的載氣的壓力；P3b 係從阻流器22b 流出的載氣的壓力；以此類推。P4 係輸送至半導體製造反應器的載氣和固體先質蒸氣的混合物的壓力。所揭露的具有相同孔隙大小的蒸氣輸送系統或罐產生相等的壓降，即，P2a - P3a = P2b - P3b = P2c - P3c 等，P2a - P3a
Figure 02_image001
P3a - P4 ，並且P2a - P3a
Figure 02_image001
P1 - P2a ，從而從每個阻流器產生相等的流率。與P2 - P3 （即，P2a - P3a 、P2b - P3b 等）的壓降相比，裝置的氣體流動路徑中的其他壓降較佳的是微不足道的。此後，穿過阻流器的載氣在氣體分配和汽化區中與固體先質的蒸氣混合，並且載氣和固體先質蒸氣的混合物被收集並輸送至半導體製造製程。因此，僅需要一個MFC來控制所揭露的固體蒸氣輸送系統中所有氣體分配管線的流率。在此，氣體分配管線係指載氣一旦從阻流器中出來後就在氣體分配和汽化區中流動的路徑。在此，如以下實施方式和附圖所示，阻流器被放置在蒸氣輸送罐內，但不限於此。在一些實施方式中，阻流器可以被放置在蒸氣輸送罐外。在一些實施方式中，阻流器可以被放置在蒸氣輸送罐的殼體蓋或系統蓋中。圖 3 係用於對固體先質或固體源先質進行汽化和輸送以用於半導體製造製程的蒸氣輸送系統本體的示例性實施方式的俯視圖之框圖。蒸氣輸送系統本體的示例性實施方式還可以用於對液體先質或液體源先質進行汽化和輸送以用於半導體製造製程。蒸氣輸送系統可以呈罐形狀或器皿形狀，並且包括蒸氣輸送系統本體100 和參照下面的圖 4 的蒸氣輸送系統蓋200 。如圖 3 中所示，系統本體100 用殼體102 包圍，該殼體在其中限定了內部容積120 。殼體102 可以由不銹鋼等製成。系統本體100 藉由殼體102 中的通孔104 與系統蓋200 固定在一起或用螺釘連接在一起，以形成蒸氣輸送系統。在系統本體100 與系統蓋200 之間添加了墊圈或密封件106 。密封件106 將不與放置在蒸氣輸送系統內的固體先質或固體源先質接觸。在內部容積120 中，兩個內壁108a 和108b 將內部容積120 分成三個隔間。兩個內壁108a 和108b 均被固定在內部容積120 的底部和內部容積120 的側壁中，並且大致垂直於內部容積的底部的表面和內部容積的側壁。如圖 3 中所示，兩個內壁108a 和108b 可以彼此平行，但不限於此。兩個內壁108a 和108b 可以是平坦壁。如圖 12 中所示，兩個內壁108a 和108b 可以是圓柱形罐中的彎曲壁。如圖 8 和圖 9 中所示，在內部容積120 中內壁的數量可以是多於兩個，該等內壁可以彼此平行和/或垂直。兩個內壁108a 和108b 的高度短於內部容積120 的側壁的高度。所得的三個隔間包括第一隔間110 、第二隔間112 和第三隔間114 。由於兩個內壁108a 和108b 的高度短於內部容積120 的側壁，所以三個隔間110 、112 和114 的頂部部分通向共用區域，從而形成單個連續的頂部隔間或區。
第一隔間110 由一個內壁108a 、內部容積120 的底部和內部容積120 的側壁形成。第一隔間110 包括多孔金屬裝置116 ，該多孔金屬裝置被安裝在懸掛在第一隔間110 中的氣體入口管118 上，用於將載氣進給至內部容積120 中。因此，氣體入口管118 的一個端部被流體地連接至多孔金屬裝置116 ，從而允許載氣藉由多孔金屬裝置116 注入到內部容積120 中，由此在該內部容積中形成多個氣體分配管線。多孔金屬裝置116 包括阻流器，如圖 1 中所示。氣體入口管118 被安裝在下面圖 4 中所示的系統蓋200 中。多孔金屬裝置116 中的每個孔隙形成阻流器，當載氣穿過該阻流器時，載氣的壓力下降，較佳的是，使得沿內部容積120 中的多個氣體分配管線117 可以獲得基本上均勻或相同的載氣流。多孔金屬裝置116 可以是金屬管、球、板等，其中多孔材料填充形成在金屬管中的孔。當組裝所揭露的系統時，懸掛在第一隔間110 中的多孔金屬裝置116 藉由氣體入口管118 被固定到系統蓋200 上。載氣源可以被流體地連接至氣體入口，用於將載氣進給至內部容積120 中。多孔金屬裝置116 可以由金屬或合金等製成。多孔金屬裝置116 的孔隙大小可以根據壓降的要求而變化。在一個實施方式中，多孔金屬裝置116 由不銹鋼或其他金屬或合金製成，平均孔隙大小為1微米或更小。當氣體流過時，具有小的孔隙大小的孔隙產生較大的壓降。使多孔金屬裝置116 中的孔隙保持基本相同的大小和形狀，所有的氣體分配管線117 將具有大致相同的壓降，從而具有大約相同的氣體流率。載氣可以是惰性氣體，比如Ne、Ar、Kr、Xe或N2 ，較佳的是N2 或Ar。以下以N2 為例。載氣N2 藉由氣體入口管118 被輸入至多孔金屬裝置116 中、並且從多孔金屬裝置116 的孔隙或阻流器流出，該等孔隙或阻流器具有沿內部容積120 中的氣體分配管線117 的一致的N2 流分佈，如上所述。以此方式，藉由調節輸入的N2 的流率，穿過內部容積120 中的氣體分配管線117 的一致的或幾乎一致的N2 流被相應地改變。輸入的N2 的流率可以用MFC進行調節，如圖 2 中所示。因此，藉由使用一個流量控制器，獲得了在內部容積120 中的基本一致的N2 流分佈。內部容積120 中的N2 流分佈將穩定內部容積120 中的經汽化的固體的蒸氣壓力，並且進而在相關的半導體製造製程的過程中提供恒定的蒸氣輸送。
一旦載氣N2 從多孔金屬裝置116 出來，載氣N2 然後在第一內壁108a 上流動穿過頂部隔間進入第二隔間112 。第二隔間112 形成在兩個內壁108a 、108b ，內部容積120 的底部以及內部容積120 的兩個側壁內。固體先質材料122 被放置在第二隔間112 中。固體先質122 可以是金屬鹵化物、金屬鹵氧化物、金屬醯胺、金屬羰基、金屬氯化物等。在此金屬可以選自Al、Zr、Hf、Mo、W等。分隔件124 將第二隔間112 分成多個平行的子隔間或通道，例如112a 、112b 、112c 、112d 、112e 和112f 。較佳的是，分隔件124 將第二隔間112 分成至少兩個平行的子隔間或通道，並且可能是多於六個的這樣的子隔間。每個分隔件124 被固定在內部容積120 的兩個內壁108a 、108b 與底部之間。在較佳的實施方式中，分隔件124 的每個端部以大致90°的角度分別連接至兩個內壁108a 、108b 。每個分隔件124 的高度高於兩個內壁108a 、108b 的高度，使得一旦系統本體100 和系統蓋200 被組裝好，每個分隔件124 就能夠接觸在下面參考圖 4 的系統蓋200 的內側上形成的對應分隔件208 。以此方式，在該較佳的實施方式中，子隔間或通道112a 、112b 、112c 、112d 、112e 和112f 由在俯視圖中呈矩形形狀或平行線性形狀的分隔件124 形成。子隔間或通道112a 、112b 、112c 、112d 、112e 和112f 可以具有不同於俯視圖中的形狀，比如S形或之字形，只要載氣N2 沿通道流過固體先質材料122 的頂部並且與固體先質材料122 的蒸氣混合以在頂部隔間中形成均勻的混合氣體流126 即可。分隔件124 可以替代地插入到蓋中的互補凹槽中。用於從蓋到底部形成基本上連續的分隔件124 的任何構型係可接受的。每個子隔間/通道的長度與直徑的縱橫比約為10 : 1的比率，並且每個子隔間/通道的直徑（最大跨距）可以在½”至2”的範圍內或甚至更大。
然後，與固體先質材料的蒸氣混合的載氣N2 在第二內壁108b 上流動進入第三隔間114 。第三隔間114 包括垂直地安裝在氣體出口130 上的氣體收集裝置或氣體再分配裝置128 。類似於用於產生基本一致的N2 分佈以流入內部容積120 的多孔金屬裝置116 ，氣體收集裝置128 在此收集混合後的氣體流126 ，並且將混合後的氣體藉由氣體出口130 從蒸氣輸送系統輸送出至比如應用反應器等半導體製程。氣體出口130 也被安裝在系統蓋200 中。氣體收集裝置128 也可以呈管、球或板狀等。氣體收集裝置128 可以是任何形狀，只要混合後的氣體被再分配到氣體出口管130 中即可。氣體收集裝置128 可以由其上具有孔的金屬或金屬合金製成。氣體收集裝置128 中的孔的大小可以在毫米至釐米等的範圍內。氣體收集裝置128 也可以由網狀材料製成，氣體能夠流過該網狀材料。網狀材料可以具有從毫米到釐米等的範圍內的網眼大小。可以在氣體收集裝置128 的外部添加過濾器（未示出）。
利用該實施方式，藉由使用一個流量控制器（比如MFC）控制輸入到氣體入口118 中的N2 氣體，可以將載氣N2 在內部容積120 中沿氣體分配管線117 一致地分佈在通道112a-f 上。不需要額外的MFC在內部容積120 中形成均勻的N2 流。使用一個MFC的優點係：i）沿所有氣體分配管線產生基本一致的N2 流率；和ii）在所有氣體分配管線中具有一致的N2 流率易於控制和操作。
由於半導體應用製程（例如，沈積製程）通常在真空條件下或低於大氣壓力的壓力下進行操作，因此當將所揭露的蒸氣輸送系統應用於此類半導體應用時，該等系統可以在真空條件下或在低於大氣壓力的壓力下操作。這種真空吸力將增強載氣沿氣體分配管線或從多孔金屬裝置116 到氣體收集裝置128 的流動。
圖 4 係用於對固體先質或固體源先質進行汽化和輸送以用於半導體製造製程的蒸氣輸送系統蓋的示例性實施方式的內側外翻視圖之框圖。系統蓋200 的邊緣202 包括與圖 3 中所示的通孔104 匹配的多個通孔204 ，用於將蒸氣輸送系統本體100 與蒸氣輸送系統蓋200 安裝在一起。密封件206 與圖 3 中所示的密封件106 互補。當將系統本體100 和系統蓋200 安裝在一起時，密封件206 （或106 ）較佳的是導致蒸氣輸送系統係足夠氣密的，以限制或防止氣體洩漏或大氣滲入。圖 3 中所示的系統本體100 中的分隔件124 在系統蓋200 中具有對應的分隔件部分208 ，當將系統蓋200 在系統本體100 上安裝在一起時，每個分隔件部分均接觸一個分隔件124 。在此，每組分隔件124 和分隔件部分208 可以是足夠氣密的，以限制或防止子隔間112a-f 之間或之中的氣體洩漏。在對應的分隔件部分208 之間係多個折流件210 ，該多個折流件被配置成增強氣流湍流，以用於載氣和來自固體先質的蒸氣進行更好的氣體混合。氣體入口孔212 和氣體出口孔214 係系統蓋200 中的通孔，圖 3 中所示的氣體入口118 和氣體出口130 穿過該等通過並且被安裝在其中（較佳的是藉由氣密密封件或裝配件）。蒸氣輸送系統的形狀不限於圖 1 和圖 2 中所展示的形狀。蒸氣輸送系統的形狀可以是立方體罐、長方體罐、圓柱形罐等。
圖 5 係蒸氣輸送系統的示例性實施方式的沿圖 3 中所示的線AA的截面側視圖。系統蓋302 和系統本體308 被安裝或擰緊在一起。系統蓋302 包括對應的分隔件部分304 和安裝在系統蓋302 的內側的折流件306 。系統本體308 限定了內部容積，該內部容積包括分隔件310 和固體先質材料312 。分隔件310 和內壁（未示出）將內部容積分成子隔間/通道，每個子隔間/通道包含固體先質材料312 。一旦系統蓋302 和系統本體308 被安裝在一起，則系統蓋302 上的對應的分隔件部分304 和分隔件310 就接觸在一起。對應的分隔件部分304 和分隔件310 的連接可以是氣密的或可以不是氣密的。
圖 6 係蒸氣輸送系統的示例性實施方式的沿圖 3 中所示的線BB的截面側視圖。系統蓋402 和系統本體410 被安裝在一起。附接到系統蓋402 的內側的是多個折流件404 ，該多個折流件在沿圖 3 中所示的線BB的截面側視圖中呈並排三角形形狀。折流件404 、固體先質408 的表面和內壁（未示出）形成頂部隔間420 ，載氣N2 流過該頂部隔間並且載帶固體先質408 的蒸氣。折流件404 可以產生載氣和固體先質的蒸氣的湍流，從而使載氣和固體先質的蒸氣有效地混合。在垂直於載氣的流動方向或氣體分配管線的內側外翻視圖中，折流件404 在系統蓋402 的內側均呈條帶形狀。此處示出的折流件404 的側視圖呈並排三角形形狀，但不限於此。折流件404 的側視圖可以呈並排的正三角形、等邊三角形或直角三角形形狀。折流件404 的側視圖可以呈為載氣N2 提供湍流的任何形狀，例如鋸齒形、三角形到正弦波形、並排的半圓形等。載氣N2 被輸入至氣體入口管412 中、然後以大致一致的流率沿氣體分配管線通過多孔金屬裝置414 被分配到系統的內部容積422 中，如上所述。載氣N2 行進穿過內部容積422 的頂部隔間420 。當遇到固體先質蒸氣時，載氣N2 與固體先質的蒸氣混合。載氣N2 和固體先質的蒸氣的混合物然後繼續流動並到達第三隔間，如圖 3 中所示，放置在該第三隔間中的氣體收集裝置416 收集載氣N2 和固體先質的蒸氣的混合物，並且使混合物向前至氣體出口418 中。以此方式，載氣N2 和固體先質的蒸氣的混合物被輸送至（例如）半導體製造應用的反應器。輸入的載氣N2 的流率由與系統外部的N2 氣源流體地連接的流量控制器（比如MFC）控制。藉由調節輸入的載氣N2 的流率，可以控制由內部容積422 中的多孔金屬裝置414 分配到氣體分配管線中的載氣N2 的流率。以此方式，僅需要一個控制輸入的載氣N2 的流量的MFC，這樣能夠進行操作以準確且有效地獲得內部容積422 中的載氣的一致流率。
所揭露的蒸氣輸送系統包括具有不同氣體分配管線的各種實施方式。
圖 7 係所揭露的蒸氣輸送系統的具有多個通道的替代示例性實施方式。載氣N2 通過氣體入口502 和多孔氣體裝置510 流入系統的內部容積508 ，然後流到放置有固體先質材料514 的多個平行隔間512 上。載氣N2 和固體先質的蒸氣的混合物然後由氣體收集裝置504 收集，並且通過氣體出口506 流出該系統。
圖 8 係所揭露的蒸氣輸送系統的具有兩個通道的另一示例性實施方式。載氣N2 通過氣體入口602 和多孔氣體裝置610 流入系統的內部容積608 ，然後流入到放置有固體先質材料614 的多個平行隔間612 中。載氣N2 和固體先質蒸氣的混合物然後由氣體收集裝置604 引導，並且通過氣體出口606 流出該系統。在該實施方式中，包括兩個S形通道。如果添加更多的多孔氣體裝置610 和更多的氣體收集裝置604 ，則可以包括更多的通道。
圖 9 係所揭露的蒸氣輸送系統的具有兩個通道的另一示例性實施方式。載氣N2 通過氣體入口702 和多孔氣體裝置710 流入系統的內部容積708 ，然後流入到放置有固體先質材料714 的多個平行隔間712 中。載氣N2 和固體先質蒸氣的混合物然後由氣體收集裝置704 收集，並且通過氣體出口706 流出該系統。在該實施方式中，包括兩個S形通道。類似地，如果添加更多的多孔氣體裝置710 和更多的氣體收集裝置704 ，則可以包括更多的通道。
圖 10 以像圖 6 一樣的截面圖形式係所揭露的蒸氣輸送系統的具有多孔金屬裝置的不同質性的另一示例性實施方式。圖 10 與圖 6 之間的區別在於，圖 6 中的多孔金屬裝置414 用多孔金屬裝置814 代替，而氣體收集裝置416 用圖 10 中的氣體收集裝置816 代替。多孔金屬裝置814 和氣體收集裝置816 係用作過濾器的板，以讓載氣和先質的蒸氣流過，而不讓固體顆粒流過。多孔金屬裝置814 和氣體收集裝置816 被分別地放置在兩個內壁808a 和808b 的頂部上。多孔金屬裝置814 產生氣體分配管線，並且氣體收集裝置816 收集載氣和固體先質的蒸氣的混合物。
圖 11 以像圖 6 一樣的截面圖形式係所揭露的蒸氣輸送系統的具有兩層子隔間/通道的另一示例性實施方式。圖 11 與圖 10 的區別在於，圖 10 中所示的類似隔間形成在圖 11 中所示的另一個隔間的頂部上。孔隙金屬裝置和氣體收集裝置的放置與圖 10 中所示的相似。多孔金屬裝置914 和914 ’ 被分別放置在兩個內壁908a 和908a’ 的頂部上。氣體收集裝置916 和916’ 被分別放置在另外兩個內壁908b 和908b’ 的頂部上。類似地，多孔金屬裝置914 和914’ 產生氣體分配管線，並且氣體收集裝置916 和916’ 收集載氣和固體先質蒸氣的混合物。
所揭露的蒸氣輸送系統的形狀係變化的。所揭露的蒸氣輸送系統可以是圓柱體形狀的。如圖 12 中所示（壁的厚度未示出），入口32 在圓柱體的中空中心軸線中。內壁38 將圓柱體的內部容積分隔成多個通道，固體先質材料36 被放置在該多個通道中。出口34 位於圓柱體的內部容積與外壁之間。該多個通道可以具有至少兩層。圖 13 （示出了壁的厚度）係蒸氣輸送系統本體的示例性實施方式的、沿圖 12 中所示的線CC的截面圖之框圖，該蒸氣輸送系統本體具有兩層隔間/通道。圖 13 係圖 12 及其手征對稱性的組合。
所揭露的內容還包括使用應用於ALD和/或CVD製程的蒸氣輸送系統的方法。該方法包括以下步驟：將固體先質放置在由殼體限定的內部容積的底部部分中形成的至少兩個隔間中；使固體先質蒸發以形成來自該固體先質的蒸氣；藉由放置在內部容積中並與殼體的氣體入口流體地連接的多孔金屬裝置將載氣進給至內部容積中，其中多孔金屬裝置中的孔隙產生氣體分配管線，載氣沿該等氣體分配管線流動並且與來自固體先質的蒸氣混合；調節進給至氣體入口的載氣的流率，使得沿每個氣體分配管線流動的載氣的流量由所進給的載氣的流量控制；以及藉由內部容積中的氣體收集裝置將載氣和固體先質蒸氣的混合物輸送到ALD和/或CVD製程腔室中，該氣體收集裝置被流體地連接至殼體的氣體出口。
所揭露的蒸氣輸送系統可以被加熱以增強固體先質的汽化並且防止整個系統中的凝結。所揭露的蒸氣輸送系統可以被維持在室溫下、或加熱至固體先質的昇華溫度或更高的溫度以使固體先質汽化。
載氣可以是惰性氣體，例如：He、Ne、Ar、Kr、Xe、N2 。較佳的是，載氣係N2 或Ar。
所揭露的蒸氣輸送系統的取向可以是豎直放置的，使蓋在頂部，或者可以是水平放置的，使蓋在側面。在水平放置的情況下，隔間/通道的頂部需要板來覆蓋隔間，以便防止固體材料流出。替代性地，所揭露的蒸氣輸送系統可以被豎直放置以裝載固體先質材料，以及被水平放置以將蒸氣輸送至應用反應器。對於液體先質，所揭露的蒸氣輸送系統可以被豎直放置以將液體蒸氣輸送至應用反應器。
所揭露的蒸氣輸送系統可以包括但不限於如下優點。所揭露的蒸氣輸送系統提供了用於使固體先質汽化的多個通道或至少兩個通道，在通道之間沒有接觸並且在通道之間沒有旁路，並且在每個通道中沒有堵塞。使用孔隙材料作為阻流器，所揭露的蒸氣輸送系統可以提供一致的高通量的氣流。
在本文中對「一個實施方式」或「實施方式」的提及意指關於該實施方式描述的特定特徵、結構或特性可以包括在本發明之至少一個實施方式中。說明書中不同地方出現的短語「在一個實施方式中」不一定全部係指同一個實施方式，單獨的或替代性的實施方式也不一定與其他實施方式互斥。上述情況也適用於術語「實施」。
如在本申請中使用的，詞語「示例性」在本文中用來表示用作示例、實例、或說明。本文中被描述為「示例性」的任何方面或設計不必被解釋為比其他方面或設計較佳或有利。而是，示例性一詞的使用旨在以具體方式呈現概念。
另外，術語「或」旨在表示包括性的「或」而不是排他性的「或」。也就是說，除非另有說明或從上下文中清楚，否則「X採用A或B」旨在意指任何自然的包括性排列。也就是說，如果X採用A；X採用B；或X採用A和B兩者，則在任何前述情況下均滿足「X採用A或B」。另外，在本申請和所附申請專利範圍中使用的冠詞「一個/一種（a/an）」通常應被解釋為意指「一個或多個/一種或多種（one or more）」，除非另有說明或從上下文清楚地指向單數形式。
單數形式「一個/種（a/an）」和「該」包括複數個指示物，除非上下文另外清楚地指出。
「約」或「大約」或「大致」在本文或請求項中意指所述值的±10%。
如本文所使用，在正文或申請專利範圍中的「室溫」意指從大約20°C至大約25°C。
在本文中需注意，當先質在室溫和環境壓力下呈氣態時，術語「先質」和「沈積化合物」和「沈積氣體」可以互換使用。應當理解，先質可以對應於沈積化合物或沈積氣體或與其相關，並且沈積化合物或沈積氣體可以指先質。
注意，在本文中，術語「腔室」和「反應器」可以互換地使用。應當理解，腔室可以對應於反應器或與其有關，並且反應器可以指代腔室。
申請專利範圍中的「包括（comprising）」係開放式過渡術語，其係指隨後確定的請求項要素係無排他性的清單，即，其他任何事物可以附加地被包括並且保持在「包括」的範圍內。「包括」在此被定義為必要地涵蓋更受限制的過渡術語「基本上由……組成」和「由……組成」；因此「包括」可以被「基本上由……組成」或「由……組成」代替並且保持在「包括」的清楚地限定的範圍內。
在本文中範圍可以表述為從大約一個具體值和/或到大約另一個具體值。當表述此種範圍時，應理解的是另一個實施方式係從該一個具體值和/或到該另一個具體值、連同在該範圍內的所有組合。
應當理解，由熟悉該項技術者可在如所附請求項中所表述的本發明之原則和範圍內做出本文已經描述且闡明以解釋本發明之本質的細節、材料、步驟和零件佈置上的許多附加的改變。因此，本發明不意圖限於上面給出的實例和/或附圖中的特定實施方式。
儘管已示出且描述了本發明之實施方式，但熟悉該項技術者可在不脫離本發明之精神或傳授內容的情況下對其進行修改。在此所述之實施方式只係示例性的且是非限制性的。組成和方法的許多變化和修改係可能的且在本發明之範圍內。因此，保護範圍不限於在此所描述的實施方式，而僅受隨後的申請專利範圍所限定，其範圍應包括該等請求項之主題之所有等效物。
12a, 12b, 12c, 12d, 12e, 12f:阻流器 10:多孔金屬裝置 14:多孔材料 16:入口 24:氣體分配管線 36:固體先質材料 100:系統本體 102:殼體 104:通孔 106:密封件 110:第一隔間 112:第二隔間 114:第三隔間 116:多孔金屬裝置 117:氣體分配管線 118:氣體入口管 120:內部容積 122:固體先質材料 124:分隔件 126:混合氣體流 128:氣體收集裝置 130:氣體出口 200:系統蓋 202:邊緣 204:通孔 206:密封件 208:分隔件部分 210:折流件 302:系統蓋 304:分隔件部分 308:系統本體 310:分隔件 312:固體先質材料 402:系統蓋 404:折流件 408:固體先質 410:系統本體 412:氣體入口管 414:多孔金屬裝置 416:氣體收集裝置 418:氣體出口 420:頂部隔間 422:內部容積 502:氣體入口 504:氣體收集裝置 506:氣體出口 508:內部容積 514:固體先質材料 602:氣體入口 604:氣體收集裝置 606:氣體出口 608:內部容積 610:多孔氣體裝置 614:固體先質材料 702:氣體入口 704:氣體收集裝置 706:氣體出口 708:內部容積 814:多孔金屬裝置 816:氣體收集裝置 914:多孔金屬裝置 916:氣體收集裝置 108a, 108b:內壁 112a, 112b, 112c, 112d, 112e:子隔間或通道 22a, 22b, 22c, 22d, 22e, 22f:阻流器 808a, 808b:內壁 908a, 908b:內壁
為了進一步理解本發明之本質和目的，應結合附圖來參考以下詳細說明，在附圖中相似元件給予相同或類似的附圖標記，並且在附圖中： [圖 1 ]係流體地連接至入口的多孔金屬裝置中的由多孔材料製成的阻流器的示例性實施方式之框圖；以及 [圖 2 ]係示出了所揭露的蒸氣輸送系統中的氣體流動和分配管線之框圖。 [圖 3 ]係蒸氣輸送系統本體的示例性實施方式的俯視圖之框圖； [圖 4 ]係蒸氣輸送系統蓋的示例性實施方式的內側外翻俯視圖之框圖； [圖 5 ]係蒸氣輸送系統的示例性實施方式的沿圖 3 中所示的線AA的截面圖之框圖； [圖 6 ]係蒸氣輸送系統的示例性實施方式的沿圖 3 中所示的線BB的截面圖之框圖； [圖 7 ]係蒸氣輸送系統的替代性示例性實施方式的俯視圖之框圖； [圖 8 ]係蒸氣輸送系統的另一替代性示例性實施方式的俯視圖之框圖； [圖 9 ]係蒸氣輸送系統的另一替代性示例性實施方式的俯視圖之框圖； [圖 10 ]以像圖 6 一樣的截面圖形式係所揭露的蒸氣輸送系統的具有多孔金屬裝置的不同質性的另一示例性實施方式之框圖； [圖 11 ]以像圖 6 一樣的截面圖形式係所揭露的蒸氣輸送系統的具有兩層隔間/通道的另一示例性實施方式之圖；以及 [圖 12 ]係呈圓柱形的蒸氣輸送系統本體的示例性實施方式的俯視圖之框圖，該蒸氣輸送系統本體具有多個通道和多層；以及 [圖13 ]係蒸氣輸送系統本體的示例性實施方式的、沿圖 11 中所示的線CC的截面圖之框圖，該蒸氣輸送系統本體具有兩層隔間/通道。
無
12a,12b,12c,12d,12e,12f:阻流器
10:多孔金屬裝置
14:多孔材料
16:入口

Claims (20)

  1. 一種用於使固體或液體先質汽化的蒸氣輸送系統，該蒸氣輸送系統包括：殼體本體，該殼體本體在其中限定了內部容積；殼體蓋，該殼體蓋包括氣體入口和氣體出口；多個阻流器，該多個阻流器被流體地連接至該氣體入口、並且被配置為適於接收來自該氣體入口的載氣並且在該內部容積中產生氣體分配管線；至少兩個隔間或通道，該至少兩個隔間或通道被包含在該內部容積的下部部分中並且在其中具有該固體或液體先質，該至少兩個隔間或通道被配置為適於允許該載氣沿該等氣體分配管線在該至少兩個隔間或通道上經過，以與來自其中的該固體或液體先質的蒸氣混合；氣體收集裝置，該氣體收集裝置在該至少兩個隔間或通道的下游、被流體地連接至該殼體蓋中的氣體出口，該氣體收集裝置被配置為適於將該載氣和來自該固體或液體先質的蒸氣的混合物輸送出該系統；以及流量控制器，該流量控制器被流體地連接至載氣源，該流量控制器被配置為適於控制該載氣通過該氣體入口進入該內部容積的進給流率，其中，該載氣沿每個氣體分配管線的氣體分配流率由進給到該氣體入口中的該載氣的進給流率控制。
  2. 如請求項1所述之蒸氣輸送系統，進一步包括在該殼體蓋的內側的折流件，該等折流件被配置為適於產生湍流以使該載氣和來自該固體先質的蒸氣有效地混合，其中該等折流件由與該載氣的流動方向垂直的、在該殼體 蓋的內側的條帶形桿件構成，並且該等折流件的側視圖呈鋸齒形、三角形、正弦波形、或並排的半圓形。
  3. 如請求項1所述之蒸氣輸送系統，進一步包括該內部容積中的至少兩個內壁，該至少兩個內壁被配置為適於將該內部容積分成至少三個區段，該至少三個區段包括第一區段、第二區段和第三區段，其中該第二區段鄰近於該第一區段和該第三區段並且位於該第一區段與該第三區段之間。
  4. 如請求項3所述之蒸氣輸送系統，其中，每個內壁被固定在該內部容積的底部和該內部容積的側壁上、並且垂直於該內部容積的底部的表面和側壁。
  5. 如請求項3所述之蒸氣輸送系統，其中，該兩個內壁的高度短於該內部容積的側壁的高度，使得該至少三個區段通向共用區域，該共用區域在該內部容積的頂部部分中形成單個連續頂部隔間，該等氣體分配管線穿過該單個連續頂部隔間。
  6. 如請求項3所述之蒸氣輸送系統，其中，該多個阻流器和該氣體收集裝置分別是該第一區段和該第三區段的一部分，以從該氣體入口接收該載氣、在該內部容積中產生該等氣體分配管線並且將該載氣和來自該固體或液體先質的蒸氣的混合物輸送到該氣體出口。
  7. 如請求項3所述之蒸氣輸送系統，進一步包括將該第二區段分成該至少兩個隔間或通道的分隔件，其中每個分隔件以大致90°的角度連接至該內部容積的該至少兩個內壁和底部。
  8. 如請求項7所述之蒸氣輸送系統，其中，每個分隔件的高度高於該至少兩個內壁的高度，使得一旦將該殼體本體和該殼體蓋被組裝在一起，每個分隔件就能夠與形成在該殼體蓋的內側的相應結構接觸或接合。
  9. 如請求項1所述之蒸氣輸送系統，其中，該等阻流器係填充有多孔材料的孔。
  10. 如請求項9所述之蒸氣輸送系統，其中，該等孔內的多孔材料進一步由選自金屬管、金屬球、或金屬板的金屬元件包覆。
  11. 如請求項10所述之蒸氣輸送系統，其中，該等阻流器的平均大小在約1mm至約1cm的範圍內。
  12. 如請求項10所述之蒸氣輸送系統，其中，該多孔材料中的孔隙的平均孔隙大小為約1微米或更小。
  13. 如請求項1所述之蒸氣輸送系統，其中，該載氣沿該等氣體分配管線的氣體分配流率大約相同。
  14. 如請求項1所述之蒸氣輸送系統，其中，該至少兩個隔間或通道的俯視圖呈選自線性形狀、S形或之字形的形狀。
  15. 如請求項1所述之蒸氣輸送系統，其中，該載氣為N2、Ne、Ar、Kr或Xe。
  16. 如請求項1所述之蒸氣輸送系統，其中，該至少兩個隔間或通道的長度與直徑的縱橫比約為10：1，其中該至少兩個隔間或通道各自的直徑至少為½”。
  17. 一種用於對固體或液體先質進行汽化和輸送的方法，該方法包括以下步驟：將該固體或液體先質放置在由殼體限定的內部容積的底部部分中形成的至少兩個隔間或通道中；使該固體或液體先質蒸發以形成來自該固體或液體先質的蒸氣；藉由放置在該內部容積中並與該殼體的氣體入口流體地連接的多孔裝置將載氣進給至該內部容積中，其中該多孔裝置中的孔隙產生氣體分配管線，該載 氣沿該等氣體分配管線流動並且與來自該固體或液體先質的蒸氣混合，以形成氣體混合物；調節進給到該內部容積的該載氣的流率，使得沿每個氣體分配管線流動的該載氣的流量由所進給的載氣的流量控制；以及藉由該內部容積中的氣體收集裝置將該載氣和來自該固體或液體先質的蒸氣的混合物輸送出該內部容積，該氣體收集裝置被流體地連接至該殼體的氣體出口。
  18. 如請求項17所述之方法，其中，該等孔隙的平均孔隙大小為約1微米或更小。
  19. 如請求項17所述之方法，其中，該載氣為N2、Ne、Ar、Kr或Xe。
  20. 如請求項17所述之方法，進一步包括將該氣體混合物輸送至ALD或CVD製程腔室。
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