TWI753591B - 防止反應氣體洩露的電漿處理裝置及其方法 - Google Patents

防止反應氣體洩露的電漿處理裝置及其方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI753591B
TWI753591B TW109133990A TW109133990A TWI753591B TW I753591 B TWI753591 B TW I753591B TW 109133990 A TW109133990 A TW 109133990A TW 109133990 A TW109133990 A TW 109133990A TW I753591 B TWI753591 B TW I753591B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cavity
block
cam
shielding plate
blocking
Prior art date
Application number
TW109133990A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202117843A (zh
Inventor
王凱麟
圖強 倪
左濤濤
Original Assignee
大陸商中微半導體設備(上海)股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商中微半導體設備(上海)股份有限公司 filed Critical 大陸商中微半導體設備(上海)股份有限公司
Publication of TW202117843A publication Critical patent/TW202117843A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI753591B publication Critical patent/TWI753591B/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • H01J37/32513Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明提供一種防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,包含腔體和襯套,襯套上方設有介電窗,腔體、襯套和介電窗圍繞形成反應腔;反應腔內的底部包括用於放置晶圓的基座,基座下方包括用於抽出反應腔內氣體,以維持反應腔內低壓的抽真空裝置;襯套一側的側壁設有開口,用於容納晶圓進出,襯套外設有遮擋板,用於對開口進行密封;腔體內進一步設置與遮擋板連接的導向機構,透過導向機構實現遮擋板進行豎直運動和水平運動,以完全封堵襯套側壁上的開口。本發明進一步提供一種防止反應氣體洩露的方法。

Description

防止反應氣體洩露的電漿處理裝置及其方法
本發明涉及蝕刻設備的耐腐蝕防護技術領域,特別涉及一種防止反應氣體洩露的電漿處理裝置及其方法。
如圖1所示是一個簡化的蝕刻(ETCH)系統示意圖,由傳輸腔102、真空閥103(slit valve)和電漿處理裝置101組成。其中,電漿處理裝置101包含介電窗111(insulation window)、襯套112(liner)、腔體113(chamber body)、抽真空裝置115。其中,腔體113、襯套112、介電窗111圍繞形成電漿處理裝置101的反應腔。
先前技術中,傳輸腔102(Transmission Machine,簡稱TM )與反應腔相互傳片的過程中,由於兩個腔體內的氣壓的不平衡,會出現腔體間的氣體流動,懸浮在各腔體中的顆粒(particle)會隨著氣體流向另一個腔體,造成腔體的顆粒污染問題。假設氣體是從傳輸腔102流向電漿處理裝置101,則傳輸腔102的腔體內的懸浮顆粒會隨著氣體流向電漿處理裝置101,對電漿處理裝置101內的晶圓造成污染。
目前解決上述問題的辦法是,在腔體113內設置一個遮擋在腔體113側壁上的開口和襯套112側壁上的開口之間的遮擋板116,其阻擋由傳輸腔102流向反應腔的氣體中的污染顆粒。如圖1A所示,遮擋板116底部固定連接有支撐桿114,支撐桿114由反應腔外部的驅動機構(如氣缸)驅動進行上下運動,從而實現遮擋板116豎直的上下運動。遮擋板116為打開狀態時,晶圓可以在反應腔與傳輸腔102之間傳輸。遮擋板116為關閉狀態時,遮擋板116遮擋在襯套112側壁開口。
進一步,可以進一步透過控制遮擋板116(slit door shutter)開關的時間順序,和傳輸腔102與反應腔的壓差來減小顆粒污染的程度。例如,在晶圓蝕刻完畢後,透過抽真空裝置115將反應腔內的電漿氣體抽走,接著使當前放置晶圓的反應腔內氣壓高於傳輸腔102內氣壓,在打開真空閥103之前,遮擋板116伸出處於關閉狀態以遮擋在襯套112側壁開口;打開真空閥103,反應腔內氣體中的污染顆粒落在遮擋板116上;經過預設的一個時間再打開遮擋板116,此時遮擋板116縮回處於打開狀態,遮擋板116不再遮擋襯套112側壁開口,最後將晶圓從反應腔送入傳輸腔102。再例如,將晶圓從傳輸腔102送入反應腔時,使傳輸腔102內氣壓高於反應腔內氣壓;在打開真空閥103之前,遮擋板116處於伸出狀態以遮擋在襯套112側壁開口;打開真空閥103,傳輸腔102內氣體中的污染顆粒落在遮擋板116上;經過預設的一個時間再打開遮擋板116,此時遮擋板116縮回,將晶圓從傳輸腔102送入反應腔。
然而為了防止遮擋板116與襯套112的側壁產生硬接觸,以避免遮擋板116在運動過程中與襯套112側壁產生摩擦,先前技術中遮擋板116與襯套112側壁之間設有一個4mm~5mm的間隙。在晶圓蝕刻的過程中,解離後的電漿氣體會透過該間隙進入遮擋板116與腔體113側壁開口之間的區域,並腐蝕遮擋板116內的零件。由於遮擋板116在氣缸的驅動下只能進行豎直的上下運動,該間隙無法被遮擋板116封堵。
本發明的目的是提供一種防止反應氣體洩露的電漿處理裝置及方法。透過在腔體內設置一個與遮擋板連接的導向機構,透過導向機構驅動遮擋板進行豎直運動和水平運動,完全封堵襯套側壁上的開口,防止反應腔內的反應氣體洩露。
為了達到上述目的,本發明提供一種防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,包含腔體和襯套,襯套上方設有介電窗,腔體、襯套和介電窗圍繞形成反應腔;反應腔內底部包括用於放置晶圓的基座,基座下方包括用於抽出反應腔內氣體,以維持反應腔內低壓的抽真空裝置;襯套一側的側壁設有開口,用於容納晶圓進出,襯套外設有一遮擋板,用於對襯套側壁上的開口進行密封;腔體內進一步設置有與遮擋板連接的導向機構,透過導向機構實現遮擋板進行豎直運動和水平運動,完全封堵襯套側壁上的開口。
導向機構包含:遮擋塊,設置在遮擋板與腔體之間;遮擋塊相對遮擋板的一側設有軌道;驅動機構,用於實現遮擋塊在豎直方向位移;平動機構,一端作用於遮擋板,另一端設有凸輪,凸輪沿軌道滾動,實現遮擋板在水平方向的位移。
導向機構進一步包含緩衝塊;緩衝塊設置在遮擋塊上方彈性連接遮擋塊,且與遮擋塊無水平方向的相對位移;緩衝塊、遮擋塊、遮擋板在驅動裝置的驅動下沿豎直方向移動;腔體上設置有腔體限位,緩衝塊向上移動一定距離後與腔體限位抵靠,此時遮擋板與襯套側壁上的開口高度相匹配;當緩衝塊與腔體限位抵靠時,透過緩衝塊在豎直方向的運動實現凸輪沿軌道滾動。
遮擋塊的軌道包括曲面,平動機構的凸輪在曲面上滾動;從下至上的,曲面與襯套側壁之間的水平距離漸增。
較佳地,平動機構進一步包含第一連接件,第一連接件包含橫向段和縱向段;縱向段垂直於水平面且設置在遮擋板和軌道之間;橫向段固定連接緩衝塊頂部並與腔體無干涉。
較佳地,緩衝塊的頂面設有與橫向段匹配的第一凹槽;橫向段固定的嵌入設置在第一凹槽內,與腔體無接觸。
較佳地,平動機構進一步包含:第三彈簧、水平設置的第二導向桿;第二導向桿的第一端端部設有一個臺階,臺階位於第一連接件的縱向段與遮擋塊之間,且與遮擋塊無干涉;第二導向桿的第二端依序垂直穿設第一連接件的縱向段、遮擋板;第二導向桿的第二端固定連接遮擋板,不自遮擋板伸出;第二導向桿的第二端滑動連接第一連接件縱向段;第三彈簧套設在第二導向桿的第一端,彈性連接設置在第一連接件縱向段和臺階之間;透過第三彈簧的被壓縮時的彈性恢復力,實現第二導向桿帶動遮擋板背向襯套側壁開口方向水平運動。
較佳地,平動機構進一步包含:水平設置的凸輪連桿;凸輪連桿的第一端設置在第一連接件的縱向段與軌道之間,且與軌道無干涉;凸輪設置在凸輪連桿的第一端端部;凸輪連桿的第二端垂直的穿設第一連接件的縱向段,滑動連接第一連接件,並能自第一連接件伸出抵接遮擋板,推動遮擋板朝向襯套開口的方向水平運動。
平動機構進一步包含第二連接件,固定設置在凸輪連桿第一端端部,並與遮擋塊無干涉;凸輪的輪軸固定連接第二連接件。
較佳地,平動機構進一步包含:凸輪彈簧,彈性連接設置在第一連接件的縱向段和第二連接件之間,用於使凸輪沿著軌道的曲面滾動。
較佳地,緩衝塊的頂部進一步設置有橡膠片,用於在腔體限位緩衝塊時進行減震。
驅動機構包含:支撐桿和驅動裝置;驅動裝置設置在腔體外部;支撐桿的上端固定連接遮擋塊底部,支撐桿的下端自腔體下方伸出連接驅動裝置;透過驅動裝置驅動支撐桿豎直上下運動。
較佳地,驅動裝置為馬達或氣缸。
本發明進一步揭露了一種防止反應氣體洩露的方法,其採用本發明所述的電漿處理裝置以實現,包含以下步驟: S1、驅動支撐桿帶動遮擋塊、遮擋板、緩衝塊一體化的豎直上行; S2、當遮擋塊上升至第一位置,緩衝塊頂部抵靠腔體限位,緩衝塊、第一連接件固定不動,遮擋板不發生豎直方向的運動並保持在與襯套側壁上的開口匹配的高度; S3、繼續驅動支撐桿帶動遮擋塊豎直上行,凸輪距地高度不變,透過遮擋塊豎直上行,使凸輪在軌道的曲面向下滾動,軌道與第一連接件縱向段之間的水平距離漸縮;軌道推動凸輪、凸輪連桿朝向襯套側壁開口的方向水平運動; S4、凸輪連桿的第二端自第一連接件伸出,推動遮擋板朝向襯套側壁開口的方向水平運動; S5、遮擋塊上升至第二位置,遮擋板貼合襯套外側壁,停止驅動支撐桿豎直上行。
較佳地,防止反應氣體洩露的方法進一步包含以下步驟: S6、驅動支撐桿帶動遮擋塊從第二位置豎直下行,緩衝塊頂部抵靠腔體限位,軌道的曲面與第一連接件縱向段之間水平距離漸增;凸輪在軌道的曲面向上滾動; S7、第三彈簧恢復彈性形變,透過第三彈簧的彈性恢復力,推動第二導向桿帶動遮擋板背向襯套側壁開口的方向運動; S8、遮擋塊下行至第一位置,凸輪彈簧與第三彈簧無彈性形變;遮擋板停止水平運動; S9、支撐桿帶動遮擋塊、遮擋板一體化從第一位置豎直下行,直至遮擋板不遮擋襯套側壁開口,停止驅動支撐桿。
與先前技術相比,本發明的有益效果為:本發明透過在腔體內設置一個與遮擋板連接的導向機構,透過導向機構驅動遮擋板豎直上行至襯套側壁開口位置後,並透過導向機構繼續驅動遮擋板朝向襯套側壁開口水平運動,完全封堵襯套側壁上的開口,防止反應腔內的反應氣體洩露。本發明的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置體積小、結構簡單,且能有效阻止反應腔內的反應氣體洩露。
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地說明,顯而易見的是,所說明的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例,本領域具有通常知識者在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬本發明保護的範圍。
如圖1B所示,本發明提供一種防止反應氣體洩露的電漿處理裝置201,包含腔體213和襯套212,襯套212上方設有介電窗211,腔體213、襯套212和介電窗211圍繞形成反應腔;反應腔內底部包括用於放置晶圓的基座204,基座204下方包括用於抽出反應腔內氣體維持反應腔內低壓的抽真空裝置215;襯套212和反應腔體213的一側側壁設有開口,用於容納晶圓進出,襯套212外設有遮擋板216,用於對襯套212上的開口進行密封;反應腔體213的側壁外也設有遮擋板216,用於遮擋反應腔體213側壁上的開口(圖中未示出)。遮擋板216朝向襯套212側壁一側的型面匹配襯套212外側壁的型面; 腔體213內進一步設置有與遮擋板216連接的導向機構,透過導向機構實現遮擋板216進行豎直運動和水平運動,以完全封堵襯套212側壁上的開口。
導向機構包含:遮擋塊221、緩衝塊223、驅動機構和平動機構。
遮擋塊221,設置在遮擋板216與腔體213之間;遮擋塊221相對遮擋板216的一側設有軌道;遮擋塊221的軌道包括曲面217,從下至上的,曲面217與襯套212側壁之間的水平距離漸增。在本發明的實施例一中,如圖3A所示,軌道可以是凹槽,凹槽的開口朝向遮擋板216,凹槽相對於遮擋板216的一個面即為曲面217。在本發明的實施例二中,如圖3B所示,軌道設置在遮擋塊321相對於遮擋板216的一側,為遮擋塊321向遮擋板216方向延伸形成的複數個條狀突起。突起相對於遮擋板216的一個面即為曲面317。
緩衝塊223設置在遮擋塊221上方彈性連接遮擋塊221,且與遮擋塊221無水平方向的相對位移。緩衝塊223進一步連接遮擋板216。如圖2A至圖2C所示,在本發明的實施例一中,遮擋塊221和緩衝塊223之間設置有第一導向桿290和第一彈簧291。第一導向桿290的下端固定連接遮擋塊頂部。第一導向桿290的上端嵌入設置在緩衝塊223內與緩衝塊223滑動連接,且第一導向桿290的上端不自緩衝塊223頂部伸出。第一彈簧291套設在第一導向桿290外周,並彈性連接設置在遮擋塊221和緩衝塊223之間。透過第一彈簧291支撐緩衝塊223,並透過第一導向桿290對緩衝塊223導向,實現緩衝塊223與遮擋塊221之間無水平方向的相對位移。
緩衝塊223、遮擋塊221、遮擋板216在驅動裝置的驅動下沿豎直方向移動;腔體213上設置腔體限位,緩衝塊223向上移動一定距離後與腔體限位抵靠,較佳地,如圖2A所示,緩衝塊223的頂部進一步設置有橡膠片224,用於在緩衝塊223抵靠腔體限位時進行減震。當緩衝塊223抵靠腔體限位時,遮擋板216與襯套212側壁上的開口高度相匹配。
驅動機構,用於實現遮擋塊221在豎直方向位移,包含:支撐桿214和驅動裝置(圖中未示出)。驅動裝置設置在腔體213外部;支撐桿214的上端固定連接遮擋塊221的底部,支撐桿214的下端自腔體213下方伸出連接驅動裝置;透過驅動裝置驅動支撐桿214豎直上下運動。較佳地,驅動裝置為馬達或氣缸。
平動機構包含凸輪250、第一連接件230、第三彈簧282、水平設置的第二導向桿281、水平設置的凸輪連桿251。
如圖2A至圖2C所示,第一連接件230用於固定緩衝塊223和凸輪連桿251保持一體升降,為安裝方便,一種可選的方式中,第一連接件230包含橫向段和縱向段。縱向段垂直於水平面且設置在遮擋板216和軌道之間;橫向段固定連接緩衝塊223頂部並與腔體213無干涉。在本發明的實施例一中,緩衝塊223的頂面設有與橫向段匹配的第一凹槽;橫向段固定的嵌入設置在第一凹槽內,與腔體213無干涉。較佳地,在本發明的實施例中,橫向段與縱向段互相垂直,第一連接件230形成L形結構。
如圖2A至圖2C所示,凸輪連桿251的第一端設置在第一連接件230的縱向段與軌道之間,且與軌道無干涉;凸輪250設置在凸輪連桿251的第一端端部。如圖2B、圖2C所示,當緩衝塊223與腔體限位抵靠時,透過遮擋塊221在豎直方向的運動實現凸輪250沿軌道的曲面217滾動。凸輪連桿251的第二端垂直穿設第一連接件230的縱向段,滑動連接第一連接件230,並能自第一連接件230伸出抵接遮擋板216,推動遮擋板216朝向襯套212開口的方向水平運動。且凸輪連桿251不自第一連接件230的縱向段脫出。
較佳地,如圖2A所示,平動機構進一步包含第二連接件和凸輪彈簧。第二連接件260固定設置在凸輪連桿251的第一端端部,並與遮擋塊221無干涉;凸輪250的輪軸固定連接第二連接件260。凸輪彈簧252彈性連接設置在第一連接件230的縱向段和第二連接件260之間,用於使凸輪250沿著軌道的曲面217滾動。透過第二連接件260連接凸輪250與凸輪連桿251,並對凸輪250的運動進行導向。
如圖2A至圖2C所示,第二導向桿281的第一端端部設有一個臺階280,臺階280位於第一連接件230的縱向段與遮擋塊221之間,且與遮擋塊221無干涉。第二導向桿281的第二端依序垂直穿設第一連接件230的縱向段、遮擋板216。第二導向桿281的第二端固定連接遮擋板216,不自遮擋板216伸出。第二導向桿281的第二端滑動連接第一連接件230的縱向段。在本發明的實施例一中,較佳地,第二導向桿281的第二端螺紋連接遮擋板216。
第三彈簧282套設在第二導向桿281的第一端,彈性連接設置在第一連接件230的縱向段和臺階280之間;透過第三彈簧282被壓縮時的彈性恢復力,實現第二導向桿281帶動遮擋板216背向襯套212側壁開口方向水平運動。
如圖2A至圖2C所示,在本發明的實施例一中,當遮擋塊221豎直上行至第一位置,緩衝塊223被腔體213限位,此後,緩衝塊223不再產生任何運動。由於第一連接件230的橫向段固定連接緩衝塊223,因此第一連接件230也不產生任何運動。當遮擋塊221進一步上行,遮擋塊221與緩衝塊223之間的第一彈簧291被壓縮。凸輪250在豎直方向保持距地高度不變,但由於遮擋塊221上行,使凸輪250在曲面217向下滾動,曲面217與第一連接件230之間的水平距離漸縮。曲面217推動凸輪250朝向襯套212側壁開口的方向運動,凸輪連桿251的第一端自第一連接件230伸出,抵接遮擋板216並推動遮擋板216朝向襯套212側壁開口的方向水平運動。此時凸輪彈簧252被壓縮。由於第二導向桿281固定連接遮擋板216,第二導向桿281在遮擋板216的帶動下也朝向襯套212側壁開口的方向運動,使得第三彈簧282被壓縮。當遮擋塊221上升至第二位置時,遮擋板216完全封堵襯套212側壁的開口。
當遮擋塊221從第二位置下行至第一位置時,曲面217與第一連接件230之間的水平距離漸增。凸輪彈簧252逐漸恢復彈性形變,其彈性恢復力分別施加在其兩端的第一連接件230的縱向段和第二連接件260之間。由於第一連接件230不產生任何運動,凸輪彈簧252推動凸輪連桿251背向襯套212側壁的方向水平運動,凸輪250始終抵接曲面217。凸輪250在豎直方向的距地高度不變,由於遮擋塊221下行,使得凸輪250在曲面217向上滾動。第三彈簧282逐漸恢復彈性形變。第三彈簧282的兩端分別作用於第一連接件230的縱向段和臺階280。由於第一連接件230不產生任何運動,第三彈簧282的彈性恢復力作用在臺階280上,推動第二導向桿281帶動遮擋板216背向襯套212側壁開口的方向水平運動。
當遮擋塊221從第一位置繼續下行時,緩衝塊223不再抵接腔體限位,凸輪250不產生水平方向的運動。支撐桿214帶動遮擋塊221、緩衝塊223、遮擋板216一體化豎直下行,遮擋板216不再遮擋襯套側壁上的開口。
本發明進一步揭露了一種防止反應氣體洩露的方法,其採用本發明所述的電漿處理裝置以實現,包含以下步驟:
S1、驅動支撐桿214帶動遮擋塊221、遮擋板216、緩衝塊223一體化的豎直上行;
S2、當遮擋塊221上升至第一位置,緩衝塊223頂部抵靠腔體限位,緩衝塊223、第一連接件230固定不動,遮擋板216不發生豎直方向的運動並保持在與襯套212側壁上的開口匹配的高度;
S3、繼續驅動支撐桿214帶動遮擋塊221豎直上行,凸輪250距地高度不變,透過遮擋塊221豎直上行,使凸輪250在軌道的曲面217向下滾動,曲面217與第一連接件230的縱向段之間的水平距離漸縮;曲面217推動凸輪250、凸輪連桿251朝向襯套212側壁開口的方向水平運動;
S4、凸輪連桿251的第二端自第一連接件230伸出,推動遮擋板216朝向襯套212側壁開口的方向水平運動;
S5、遮擋塊221上升至第二位置,遮擋板216貼合襯套212外側壁,停止驅動支撐桿214豎直上行。
此外,防止反應氣體洩露的方法進一步包含以下步驟:
S6、驅動支撐桿214帶動遮擋塊221從第二位置豎直下行,緩衝塊223頂部抵靠腔體限位,軌道的曲面217與第一連接件230的縱向段之間水平距離漸增;凸輪250在軌道的曲面217向上滾動;
S7、第三彈簧282恢復彈性形變,透過第三彈簧282的彈性恢復力,推動第二導向桿281帶動遮擋板216背向襯套212側壁開口的方向運動;
S8、遮擋塊221下行至第一位置,遮擋板216停止水平運動;
S9、支撐桿214帶動遮擋塊221、遮擋板216一體化從第一位置豎直下行,直至遮擋板216不遮擋襯套212側壁開口,停止驅動支撐桿214。
與先前技術相比,本發明的有益效果為:本發明透過在腔體213內設置一個與遮擋板216連接的導向機構,透過導向機構的驅動機構驅動遮擋板216豎直上行至襯套212側壁開口位置後,並透過導向機構的平動機構繼續驅動遮擋板216朝向襯套212側壁開口水平運動,完全封堵襯套212側壁上的開口,防止反應腔內的反應氣體洩露。本發明的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置201體積小、結構簡單,且能有效阻止反應腔內的反應氣體洩露。
以上所述,僅為本發明的具體實施方式,但本發明的保護範圍並不局限於此,任何本技術領域之具有通常知識者在本發明揭露的技術範圍內,可輕易想到各種等效的修改或替換,這些修改或替換都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。因此,本發明的保護範圍應以申請專利範圍的保護範圍為準。
101,201:電漿處理裝置 102:傳輸腔 103:真空閥 104,204:基座 111,211:介電窗 112,212:襯套 113,213:腔體 114,214:支撐桿 115,215:抽真空裝置 116,216:遮擋板 217,317:曲面 221,321:遮擋塊 223:緩衝塊 224:橡膠片 230:第一連接件 250:凸輪 251:凸輪連桿 252:凸輪彈簧 260:第二連接件 280:臺階 281:第二導向桿 282:第三彈簧 290:第一導向桿 291:第一彈簧
為了更清楚地說明本發明技術方案,下面將對說明中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面說明中的附圖僅是本發明的部分實施例,對於本領域具有通常知識者而言,在不付出創造性勞動的前提下,可以根據這些附圖進一步獲得其他的附圖: 圖1A為先前技術的蝕刻簡化系統示意圖; 圖1B為本發明的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置示意圖; 圖2A為本發明的實施例一中導向機構驅動遮擋板沿豎直方向運動示意圖; 圖2B為本發明的實施例一中緩衝塊被腔體限位示意圖; 圖2C為本發明的實施例一中導向機構驅動遮擋板沿水平方向運動示意圖; 圖3A為本發明的實施例一中軌道的示意圖; 圖3B的本發明的實施例二中軌道的示意圖。
212:襯套
213:腔體
216:遮擋板
221:遮擋塊
223:緩衝塊
224:橡膠片
230:第一連接件
250:凸輪
251:凸輪連桿
252:凸輪彈簧
281:第二導向桿
282:第一連接件
290:第一導向桿
291:第一彈簧

Claims (14)

  1. 一種防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,包含一腔體和一襯套,該襯套上方設有一介電窗,該腔體、該襯套和該介電窗圍繞形成一反應腔;該反應腔內底部包括用於放置晶圓的一基座,該基座下方包括用於抽出該反應腔內氣體,維持該反應腔內低壓的一抽真空裝置;該襯套一側的側壁設有開口,用於容納晶圓進出,該襯套外設有一遮擋板,用於對該襯套側壁上的開口進行密封;該腔體內進一步設置與該遮擋板連接的一導向機構,透過該導向機構實現該遮擋板進行豎直運動和水平運動,完全封堵該襯套側壁上的開口;其中該導向機構包含:一遮擋塊,設置在該遮擋板與該腔體之間,該遮擋塊相對該遮擋板的一側設有一軌道;一驅動機構,用於實現該遮擋塊在豎直方向位移;以及一平動機構,一端作用於該遮擋板,另一端設有一凸輪,該凸輪沿該軌道滾動,推動該遮擋板在水平方向的位移。
  2. 如請求項1所述的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,其中該導向機構進一步包含一緩衝塊;該緩衝塊設置在該遮擋塊上方彈性連接該遮擋塊,且與該遮擋塊無水平方向的相對位移;該緩衝塊、該遮擋塊、該遮擋板在該驅動機構的驅動下沿豎直方向移動;該腔體上設置一腔體限位,該緩衝塊向上移動一定 距離後與該腔體限位抵靠,此時該遮擋板與該襯套側壁上的開口高度相匹配;當該緩衝塊與該腔體限位抵靠時,透過該緩衝塊在豎直方向的運動實現該凸輪沿該軌道滾動。
  3. 如請求項2所述的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,其中該遮擋塊的該軌道包括一曲面,該平動機構的該凸輪在該曲面上滾動;從下至上的,該曲面與該襯套側壁之間的水平距離漸增。
  4. 如請求項3所述的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,其中該平動機構進一步包含一第一連接件,該第一連接件包含一橫向段和一縱向段;該縱向段垂直於水平面且設置在該遮擋板和該軌道之間;該橫向段固定連接該緩衝塊頂部並與該腔體無干涉。
  5. 如請求項4所述的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,其中該緩衝塊的頂面設有與該橫向段匹配的一第一凹槽;該橫向段固定的嵌入設置在該第一凹槽內,與該腔體無接觸。
  6. 如請求項4所述的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,其中該平動機構進一步包含:一第三彈簧、水平設置的一第二導向桿;該第二導向桿的第一端端部設有一臺階,該臺階位於該第一連接件的該縱向段與該遮擋塊之間,且與該遮擋塊無干涉;該第二導向桿的第二端依序垂直穿設該第一連接件的該縱向段、該遮擋板;該第二導向桿的第二端固定連接該遮擋板,不自該遮擋板伸出;該第二導向桿的第二端滑動連接該第一連接件的該縱向段; 該第三彈簧套設在該第二導向桿的第一端,彈性連接設置在該第一連接件的該縱向段和該臺階之間;透過壓縮該第三彈簧時的彈性恢復力,實現該第二導向桿帶動該遮擋板背向該襯套側壁開口方向水平運動。
  7. 如請求項6所述的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,其中該平動機構進一步包含:水平設置的一凸輪連桿;該凸輪連桿的第一端設置在該第一連接件的該縱向段與該軌道之間,且與該遮擋塊無干涉;一凸輪設置在該凸輪連桿的第一端端部;該凸輪連桿的第二端垂直的穿設該第一連接件的該縱向段,滑動連接該第一連接件,並能自該第一連接件伸出抵接該遮擋板,推動該遮擋板朝向該襯套開口的方向水平運動。
  8. 如請求項7所述的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,其中該平動機構進一步包含一第二連接件,固定設置在該凸輪連桿的第一端端部,並與該遮擋塊無干涉;該凸輪的輪軸固定連接該第二連接件。
  9. 如請求項8所述的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,其中該平動機構進一步包含:一凸輪彈簧,彈性連接設置在該第一連接件的該縱向段和該第二連接件之間,用於使該凸輪沿著該軌道的一曲面滾動。
  10. 如請求項2所述的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,其中該緩衝塊的頂部進一步設置有一橡膠片,用於在該腔體限位該緩衝塊時進行減震。
  11. 如請求項1所述的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,其中 該驅動機構包含:一支撐桿和一驅動裝置;該驅動裝置設置在該腔體外部;該支撐桿的上端固定連接該遮擋塊底部,該支撐桿的下端自該腔體下方伸出連接該驅動裝置;透過該驅動裝置驅動該支撐桿豎直上下運動。
  12. 如請求項11所述的防止反應氣體洩露的電漿處理裝置,其中該驅動裝置為馬達或氣缸。
  13. 一種防止反應氣體洩露的方法,其採用如請求項7所述的電漿處理裝置以實現,包含以下步驟:S1、驅動該遮擋塊、該遮擋板、該緩衝塊一體化的豎直上行;S2、當該遮擋塊上升至一第一位置,該緩衝塊頂部抵靠該腔體限位,該緩衝塊、該第一連接件固定不動,該遮擋板不發生豎直方向的運動並保持在與該襯套側壁上的開口匹配的高度;S3、繼續驅動該遮擋塊豎直上行,該凸輪距地高度不變,透過該遮擋塊豎直上行,使該凸輪在該軌道的該曲面向下滾動,該軌道與該第一連接件的該縱向段之間的水平距離漸縮;該軌道推動該凸輪、該凸輪連桿朝向該襯套側壁開口的方向水平運動;S4、該凸輪連桿的第二端自該第一連接件伸出,推動該遮擋板朝向該襯套側壁開口的方向水平運動;S5、該遮擋塊上升至一第二位置,該遮擋板貼合該襯套外側壁,停止驅動該支撐桿豎直上行。
  14. 如請求項13所述的防止反應氣體洩露的方法,其進一步包含以下步驟: S6、驅動該遮擋塊從該第二位置豎直下行,該緩衝塊頂部保持抵靠該腔體限位,該軌道的該曲面與該第一連接件的該縱向段之間水平距離漸增;該凸輪在該軌道的該曲面向上滾動;S7、該第三彈簧恢復彈性形變,透過該第三彈簧的彈性恢復力,推動該第二導向桿帶動該遮擋板背向該襯套側壁開口的方向運動;S8、該遮擋塊下行至該第一位置,該遮擋板停止水平運動;S9、驅動該遮擋塊、該遮擋板一體化從該第一位置豎直下行,直至該遮擋板不遮擋該襯套側壁開口,停止驅動該支撐桿。
TW109133990A 2019-10-21 2020-09-30 防止反應氣體洩露的電漿處理裝置及其方法 TWI753591B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911000909.6 2019-10-21
CN201911000909.6A CN112768330B (zh) 2019-10-21 2019-10-21 一种防止反应气体泄露的等离子体处理装置及其方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202117843A TW202117843A (zh) 2021-05-01
TWI753591B true TWI753591B (zh) 2022-01-21

Family

ID=75691584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109133990A TWI753591B (zh) 2019-10-21 2020-09-30 防止反應氣體洩露的電漿處理裝置及其方法

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102409110B1 (zh)
CN (1) CN112768330B (zh)
TW (1) TWI753591B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113707523B (zh) * 2021-08-30 2024-03-26 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室
CN116759349B (zh) * 2023-08-22 2023-12-12 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种晶圆刻蚀清洗装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI471896B (zh) * 2007-12-26 2015-02-01 Tokyo Electron Ltd Vacuum device, vacuum treatment system and vacuum chamber pressure control method
US20190194802A1 (en) * 2017-12-25 2019-06-27 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc, China Plasma process apparatus with low particle contamination and method of operating the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1116982A (ja) * 1997-06-23 1999-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100426818B1 (ko) * 1999-10-01 2004-04-13 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조 장치
KR100427816B1 (ko) * 1999-12-15 2004-04-30 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조장치
JP4672113B2 (ja) * 2000-07-07 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 誘導結合プラズマ処理装置
JP3812404B2 (ja) * 2001-10-23 2006-08-23 富士ゼロックス株式会社 文書作成装置および文書作成プログラム
KR100757693B1 (ko) * 2005-10-17 2007-09-13 주식회사 에이디피엔지니어링 진공처리장치
CN108231526B (zh) * 2016-12-14 2020-06-19 北京北方华创微电子装备有限公司 一种腔室和半导体设备
CN209496845U (zh) * 2019-02-20 2019-10-15 德淮半导体有限公司 晶圆处理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI471896B (zh) * 2007-12-26 2015-02-01 Tokyo Electron Ltd Vacuum device, vacuum treatment system and vacuum chamber pressure control method
US20190194802A1 (en) * 2017-12-25 2019-06-27 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc, China Plasma process apparatus with low particle contamination and method of operating the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210047812A (ko) 2021-04-30
CN112768330B (zh) 2023-10-31
KR102409110B1 (ko) 2022-06-15
CN112768330A (zh) 2021-05-07
TW202117843A (zh) 2021-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI753591B (zh) 防止反應氣體洩露的電漿處理裝置及其方法
KR101650816B1 (ko) 진공 펌핑 장치, 진공유리 제작 시스템, 및 관련 방법
US20190194802A1 (en) Plasma process apparatus with low particle contamination and method of operating the same
US20030136343A1 (en) Apparatus for sealing a vacuum chamber
KR100622846B1 (ko) 평판표시소자 제조장치
KR20140012841A (ko) 경사 구동을 이용하는 게이트 밸브
KR101565251B1 (ko) 벨로우즈 시스템
CN110534448B (zh) 气体集成块结构、工艺腔室及半导体加工设备
KR100650014B1 (ko) 진공 게이트 밸브
KR100234910B1 (ko) 로드락 챔버의 도어 개폐 장치
KR101269827B1 (ko) 반도체 및 디스플레이 제조공정의 대기용 게이트밸브
KR100688968B1 (ko) 게이트 밸브
KR200380587Y1 (ko) 게이트 밸브
KR100293069B1 (ko) 형광 표시관의 배기 장치
WO2002027060A2 (en) Process chamber lid service system
KR100589702B1 (ko) 진공챔버용 도어 조립체
CN218893353U (zh) 一种电梯层站间隙防护装置
CN211866040U (zh) 除尘机构
KR102000443B1 (ko) 핸들차입용 기능성 게이트밸브
TW201933480A (zh) 包括與升降的引導部聯動的聯動部的基板處理裝置
CN111747274B (zh) 电梯的层站门以及电梯的排气方法
CN209589367U (zh) 人防门检测装置
CN215886838U (zh) 一种真空玻璃的制造设备
KR20100059131A (ko) 기판 이송장치
CN109273316A (zh) 一种导向密封结构及使用该结构的灭弧室和断路器